DE10359238B4 - Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken - Google Patents

Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken Download PDF

Info

Publication number
DE10359238B4
DE10359238B4 DE10359238.5A DE10359238A DE10359238B4 DE 10359238 B4 DE10359238 B4 DE 10359238B4 DE 10359238 A DE10359238 A DE 10359238A DE 10359238 B4 DE10359238 B4 DE 10359238B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
filter
lens
microscope
inspection
photomasks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10359238.5A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10359238A1 (de
Inventor
Thomas Engel
Alexander Menck
Dominik Grau
Uwe Horn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE10359238.5A priority Critical patent/DE10359238B4/de
Publication of DE10359238A1 publication Critical patent/DE10359238A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10359238B4 publication Critical patent/DE10359238B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/0004Microscopes specially adapted for specific applications
    • G02B21/0008Microscopes having a simple construction, e.g. portable microscopes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676Masks, reticles, shadow masks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken mit einer einschwenkbaren Bertrandlinse, wobei auf der Bertrandlinse oder mit ihrer Schwenkung gekoppelt einbringbar ein Filter zur Abschwächung von kurzwelliger Strahlung im UV Bereich vorgesehen ist.

Description

  • Stand der Technik
  • In der Mikroskopie ist die Nutzung der sogenannten Bertrand-Optik Stand der Technik. Diese Zusatzoptik im Tubus kann in der Regel eingeschwenkt werden und erlaubt so die Beobachtung des Pupillenbilds für den Betrachter oder über eine CCD-Kamera.
  • Dadurch wird die Einstellung der Lichtquelle, die Justierung der Optik oder die Einstellung von möglichen speziellen Pupilleneingriffen ermöglicht. In den Schriften DE 39 42 514 A1 und DE 14 72 290 A wird der Einsatz einer Bertrandlinse in der Mikroskopie beschrieben.
  • In einem Maskeninspektionsmikroskop ( EP 628806 A2 ) ist damit z. B. die Einstellung und Beobachtung von bestimmten Beleuchtungseinstellungen verbunden.
  • Weiterhin werden mit Hilfe der Bertrandoptik die Pupillen zentriert.
  • Je niedriger die Wellenlänge ist desto mehr tritt das Problem auf, dass aufgrund der sehr viel höheren Energiedichte in der Pupille im Vergleich zum Feld, die Belichtungszeit oder die Laserintensität vor Aufnahme des Pupillenbilds deutlich reduziert werden muss.
  • Erfindung:
  • Die Lösung des genannten Problems erfolgt durch ein Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken mit den Merkmalen des Anspruches 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche. Die Lösung des Problems besteht im Schutz der CCD-Kamera durch Kopplung eines (Neutral-)Filters mit der Bertrandoptik. Dieser Filter wird an die Intensitätsüberhöhung der Pupillenebene gegenüber der Feldebene angepasst. Dies ist typischerweise ein Faktor 100, so dass ein Filter z. B. der optischen Dichte 2 geeignet erscheint. Ein typisches Filtermaterial (Absorptionsfilter) bei dieser Wellenlänge kann z. B. eine Chromschicht geeigneter Dicke auf einem Quarzglas darstellen oder eine Aluminiumschicht gemäß verfügbarer Kataloge.
  • Der Filter wird vorteilhaft fest an die Bertrandoptik angekoppelt, so dass bei dem Einschwenken (manuell oder über Software) automatisch die Abschwächung der Laserstrahlung stattfindet.
  • 1 zeigt einen mikroskopischen Abbildungsstrahlengang von einem Objekt P, vorzugsweise eine Maske zur Halbleiterherstellung über Projektionslithografie, über ein Objektiv 0, eine Tubuslinse TL und eine Vergrößerungsoptik VO.
  • Mittels der einschwenkbaren Bertrandlinse BL wird die Pupillenebene der Austrittspupille des Mikroskops auf eine CCD-Kamera abgebildet.
  • Die Lichtquelle zur Beleuchtung der Probe ist hier nicht dargestellt, sie kann über einen nicht dargestellten Strahlteiler in den Strahlengang eingekoppelt sein.
  • Vor oder hinter der Bertrandlinse BL, vorzugsweise fest mit ihr verbunden, ist ein Filter F angeordnet, der vorteilhaft mit der Linse eingeschwenkt wird.
  • Denkbar und weiterhin vorteilhaft ist ein separat einschwenkbarer Filter, vorteilhaft mit der Linse gekoppelt einschwenkbar.
  • Weiterhin kann vorteilhaft direkt auf die Bertrandlinse eine Filterschicht aufgedampft sein, in Richtung des Objektives oder wegen möglicher Abdampfungen in Richtung der Abbildung nach außen.
  • Durch die direkte Beschichtung oder die Zwangskopplung des Filters mit der Linse wird die Möglichkeit von Bedienfehlern ausgeschlossen, die zur Schädigung der Kamera führen könnten.
  • Wichtig ist hierbei, dass der Neutralfilter entweder so dünn gewählt wird, dass er keine Einfluss auf die Schnittweite (und damit Vergrößerung des Pupillenstrahlengangs und die Lage der Pupille) hat bzw. der Effekt des zusätzlichen optischen Elements in die Optikrechnung des Tubus mit eingerechnet wird.
  • Neben der geschilderten vorteilhaften Anordnung auf oder in der Nähe der Bertrandlinse ist prinzipiell die Anordnung eines separaten Filters im Beleuchtungs- oder Abbildungsstrahlengang nicht ausgeschlossen, der bei Einschwenken der Bertrandlinse mit eingeschwenkt wird.

Claims (6)

  1. Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken mit einer einschwenkbaren Bertrandlinse, wobei auf der Bertrandlinse oder mit ihrer Schwenkung gekoppelt einbringbar ein Filter zur Abschwächung von kurzwelliger Strahlung im UV Bereich vorgesehen ist.
  2. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei der Filter einschwenkbar ist.
  3. Mikroskop nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die kurzwellige Strahlung einen Wellenlängenbereich unterhalb 400 nm, vorzugsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm oder 157 nm, umfasst.
  4. Mikroskop nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine Filterschicht auf der Linse vorgesehen ist.
  5. Mikroskop nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei der einschwenkbare Filter in der Nähe der Linse angeordnet ist.
  6. Mikroskop nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei ein einschwenkbarer Filter im Beleuchtungs- und/oder Abbildungsstrahlengang vorgesehen ist.
DE10359238.5A 2003-12-12 2003-12-12 Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken Expired - Lifetime DE10359238B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10359238.5A DE10359238B4 (de) 2003-12-12 2003-12-12 Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10359238.5A DE10359238B4 (de) 2003-12-12 2003-12-12 Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10359238A1 DE10359238A1 (de) 2005-07-28
DE10359238B4 true DE10359238B4 (de) 2016-11-03

Family

ID=34706319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10359238.5A Expired - Lifetime DE10359238B4 (de) 2003-12-12 2003-12-12 Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10359238B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018211895A1 (de) 2018-07-17 2019-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen einer Inspektionsvorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1472290A1 (de) * 1966-07-16 1969-03-13 Leitz Ernst Gmbh Polarisationsmikroskop
DE3942514A1 (de) * 1989-03-08 1990-09-13 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren zur automatischen justierung der mikroskopbeleuchtung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1472290A1 (de) * 1966-07-16 1969-03-13 Leitz Ernst Gmbh Polarisationsmikroskop
DE3942514A1 (de) * 1989-03-08 1990-09-13 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren zur automatischen justierung der mikroskopbeleuchtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE10359238A1 (de) 2005-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010001336B3 (de) Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems
DE102016214695B3 (de) Optisches System und Verfahren zur Korrektur von Maskenfehlern mit diesem System
DE2051174C3 (de) Doppelmikroskop
DE102010041623A1 (de) Spiegel
WO2008113605A2 (de) Verfahren zum verbessern von abbildungseigenschaften eines optischen systems sowie derartiges optisches system
DE102016209876A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einer Heizlichtquelle und Verfahren zum Heizen einer Komponente der Projektionsbelichtungsanlage
DE102006027961A1 (de) Verfahren zur Kontraststeigerung bei der Relief-Phasenkontrast-Mikroskopie sowie Blendanordnung dafür
DE102007051909A1 (de) Beleuchtungseinrichtung für ein Lichtmikroskop und Lichtmikroskop mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
DE10359238B4 (de) Mikroskop zur Inspektion von Halbleitern oder Photomasken
DE2211476B2 (de) Verfahren zur Ausrichtung von zur Deckung zu bringenden Bildern in einer Projektions-Belichtungseinrichtung, insbesondere zur Fertigung integrierter Schaltungen
DE9406545U1 (de) Kontrastvorrichtung für Mikroskopie
DE202009011701U1 (de) Vorrichtung zum optischen Abtasten von Proben, mit einer Streuscheibe vor einem Durchlicht-Detektor
DE102014222271B4 (de) Maskeninspektionssystem zur Inspektion von Lithographiemasken
DE102005037764B4 (de) Anordnung zur homogenen Beleuchtung eines Feldes
EP2745158A1 (de) Messverfahren für höhenprofile von oberflächen
DE102013200394A1 (de) Polarisationsmessvorrichtung, Lithographieanlage, Messanordnung, und Verfahren zur Polarisationsmessung
EP2847542A1 (de) Vorrichtung mit interner optischer referenz
DE102016203749B4 (de) Optisches System, insbesondere für die Mikroskopie
CH649634A5 (de) Vergleichsmakroskop und/oder -mikroskop.
DE102005045165B4 (de) Mikroskop-Fluoreszenz-Filtersystem und umschaltbares Mikroskop zur Erzeugung von Überlagerungsbildern
DE102008049588B4 (de) Optische Abbildungseinrichtung, Mikroskop und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie
EP1521067A2 (de) Optisches Abbildungssystem
DE102013201857A1 (de) Optisches System
DE102022100591B9 (de) Optisches System, insbesondere zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie, und Strahlteiler zur Verwendung in einem solchen optischen System
DE102022207884B4 (de) Messvorrichtung, Verfahren zur interferometrischen Vermessung, Bearbeitungsverfahren, optisches Element und Lithografiesystem

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
8181 Inventor (new situation)

Inventor name: GRAU, DOMINIK, 99510 APOLDA, DE

Inventor name: MENCK, ALEXANDER, RIJSWIJK, NL

Inventor name: HORN, UWE, 07407 RUDOLSTADT, DE

Inventor name: ENGEL, THOMAS, 99102 NIEDERNISSA, DE

8110 Request for examination paragraph 44
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CARL ZEISS SMT GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CARL ZEISS SMS GMBH, 07745 JENA, DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R071 Expiry of right