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Technisches
Gebiet
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Bei
vielen Prozessen muss eine definierte Luftmasse zugeführt werden.
Hierzu zählen
insbesondere Verbrennungsprozesse, die unter geregelten Bedingungen
ablaufen, wie die Verbrennung von Kraftstoff in Verbrennungskraftmaschinen
von Kraftfahrzeugen mit anschließender katalytischer Abgasreinigung.
Zur Messung des Luftmassendurchsatzes werden dabei Heißfilmluftmassensensoren
eingesetzt.
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Aus „Kraftfahrzeutechnisches
Taschenbuch", Herausgeber
Robert Bosch GmbH, 23. Auflage, Seite 116 f., Vieweg Verlag, Wiesbaden,
1999, ist bekannt, bei einem Heißfilmluftmassensensor auf einer
dünnen
Sensormembran einen Heizwiderstand anzuordnen, der von zwei Temperaturmesswiderständen umgeben
ist. In einem Luftstrom, der über die
Membran geführt
wird, ändert
sich die Temperaturverteilung und wird von den Temperaturmesswiderständen erfasst.
Aus der Widerstandsdifferenz der Temperaturmesswiderstände ist
der Luftmassenstrom bestimmbar.
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Die
zur Datenerfassung und zur Stromversorgung des Heizwiderstandes
erforderlichen Verbindungen mit der Elektronik werden durch Dünndrahtbonds
realisiert. Bei den derzeit eingesetzten Heißfilmluftmassensensoren sind
die Dünndrahtbonds auf
der Oberseite des die Sensormembran enthaltenden Sensorchips aufgenommen.
Damit die Dünndrahtbonds
die Strömung über die
Sensormembran nicht stören
und gegenüber
dem Luftstrom geschützt sind,
sind sie ausserhalb des Messbereichs angeordnet. Das führt dazu,
dass die Oberfläche
des Sensorchips im Vergleich zum Messbereich zum größten Teil
ungenutzt ist.
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Neben
der großen
Fläche
weist der Heißfilmluftmassensensor
mit elektrischer Kontaktierung durch Dünndrahtbonds den Nachteil auf,
dass eine Abdichtung des Messkanals gegen die Umgebung nur schwer
zu realisieren ist. Derzeit erfolgt die Abdichtung durch eine Dichtklebung
direkt am empfindlichen Sensorchip.
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Darstellung
der Erfindung
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Ein
Heißfilmluftmassensensor
zur Messung des Luftmassen-Durchsatzes umfasst einen Sensorchip
mit Sensormembran. Zur Messung des Luftmassen-Durchsatzes sind auf
der Sensormembran zumindest ein Heizelement und zwei Temperatursensoren
angeordnet. Die Temperatursensoren sind vorzugsweise als Widerstandsthermometer
ausgeführt. Zur
Messung ist es notwendig, dass in Strömungsrichtung der Luft zunächst ein
erster Temperatursensor, dann das Heizelement und der zweite Temperatursensor
angeordnet sind. Beim Überströmen des Heizelementes
erwärmt
sich die Luft in Abhängigkeit von
der Geschwindigkeit. Aufgrund der Temperaturdifferenz zwischen dem
ersten Temperatursensor und dem zweiten Temperatursensor kann die
Luftmasse bei bekannter Heizleistung des Heizelementes bestimmt
werden. Das Heizelement ist vorzugsweise in Form einer elektrischen
Widerstandsheizung ausgebildet. Hierdurch wird gewährleistet,
dass ein konstanter Wärmestrom
abgegeben werden kann. Die Spannungsversorgung des Heizelementes und
die Erfassung der Messdaten der Temperatursensoren erfolgt mit Hilfe
einer Elektronik, welche ausserhalb des Messkanals angeordnet ist.
Hierzu sind in einer Trägerstruktur,
die den Sensorchip aufnimmt, Leiterbahnen ausgebildet. Erfindungsgemäß sind im
Sensorchip Durchkontaktierungen angebracht, durch die die Leiterbahnen
auf die Unterseite des Sensorchips geführt werden. Die Kontaktierung mit
der Trägerstruktur
erfolgt auf der Unterseite des Sensorchips.
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Die
Durchkontaktierungen sind in Form von kleinen Löchern, die vorzugsweise durch
ein Ätzverfahren
erzeugt werden, ausgebildet. Vorzugsweise wird für jede Leiterbahn eine Durchkontaktierung
angebracht, wobei es jedoch auch möglich ist, mehrere Leiterbahnen
durch eine Durchkontaktierung zu führen. Die Leiterbahnen auf
dem Sensorchip sind vorzugsweise aus Platin gefertigt. Die Erzeugung
der Leiterbahnen auf dem Sensorchip kann z.B. durch Abscheideverfahren
erfolgen. Um Störungen
in der Luftströmung über den
Sensorchip zu vermeiden, besteht die Möglichkeit, die Durchkontaktierungen
mit einer Klebung zu verschließen.
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Unter
der Sensormembran, die das Heizelement und die Temperatursensoren
umfasst, ist in einer ersten Ausführungsvariante eine Kaverne
ausgebildet. In einer zweiten Ausführungsvariante ist die Membran
auf einer Stützstruktur
aufgebracht. Die Stützstruktur
kann entweder in Form einer Säulenstruktur
oder in Form einer porösen
Struktur ausgebildet sein.
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Die
Durchkontaktierungen zur Kontaktierung des Heizelementes und der
Temperatursensoren sind vorzugsweise neben der Sensormembran angeordnet.
Insbesondere bei Sensorchips mit einer vergleichsweise hohen Chipdicke
kann im Bereich der Durchkontaktierungen eine Hilfskaverne auf der
Unterseite angebracht sein. Bei einer Verbindung der Durchkontaktierung
von der Oberseite des Sensorchips in die Hilfskaverne wird die Länge der
Durchkontaktierungen verringert. Hierdurch wird der Fertigungsprozess
vereinfacht.
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Erfindungsgemäß sind die
Kontaktierungen vom Sensorchip zu den Leiterbahnen der Trägerstruktur
bei einem Sensorchip mit einer Kaverne unter der Sensormembran vorzugsweise
um die Kaverne herum auf der Unterseite angeordnet. Dies ist möglich, da
die Kontaktierungen auf der Unterseite des Sensorchips die Strömung an
der Oberseite nicht beeinflussen. Die Anordnung der Kontaktierungen um
die Kaverne herum auf der Sensorchipunterseite führt dazu, dass der Sensorchip
kleiner gestaltet werden kann. Hierdurch werden die Herstellungskosten für den Chip
gesenkt. Bei der Ausführungsvariante des
Sensorchips mit einer Stütztstruktur
unter der Membran können
die Kontaktierungen ebenfalls umlaufend am Rand des Sensorchips
entlang auf der Unterseite angeordnet sein. Da die Stützstruktur
vorzugsweise jedoch nur einen Teil der Dicke des Sensorchips einnimmt,
können
bei einem Sensorchip mit einer Stützstruktur unter der Sensormembran
die Kontaktierungen auch direkt unterhalb der Membran an der Unterseite
des Sensorchips angeordnet sein. Hierdurch wird ebenfalls die benötigte Sensorchipfläche verringert.
Zudem wird der Bereich auf der Sensorchip-Oberfläche, der bisher für die Dichtklebung vorgesehen
war, nicht mehr benötigt.
Die Dichtklebung ist bei Heißfilmluftmassensensoren
gemäß dem Stand
der Technik erforderlich, um den Messkanal mit dem Sensorchip gegen
die Umgebung abzudichten. Die Abdichtung zwischen dem Messkanal und
einen Elektronikraum wird erfindungsgemäß als Klebung zweier Kunststoffteile,
nämlich
der Trägerstruktur
und der Messkanalwand realisiert.
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Die
Durchkontaktierungen werden vorzugsweise durch ein Ätzverfahren
hergestellt. Dabei können
sie jede Form annehmen, die mit dem Ätzverfahren herstellbar ist.
Vorzugsweise wird für
jede Leiterbahn auf dem Sensorchip eine eigene Durchkontaktierung
angebracht. Es ist aber auch möglich,
mehrere Leiterbahnen durch eine Durchkontaktierung zu führen. Wenn
mehrere Leiterbahnen durch eine Durchkontaktierung geführt werden,
wird die Durchkontaktierung vorzugsweise als Schlitz ausgebildet. Weiterhin
kann die Durchkontaktierung, wenn mehrere Leiterbahnen durchgeführt werden,
z.B. auch sternförmig
oder kammförmig
ausgebildet sein.
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Die
elektrische Kontaktierung von Sensorchip und Trägerstruktur erfolgt vorzugsweise
durch Lötperlen
oder durch eine Verklebung mittels anisotropem Leitkleber. Ein anisotro per
Leitkleber ist dabei ein Klebstoff auf elektrisch isolierender Basis,
der mit elektrisch leitfähigen
Partikeln gefüllt
ist. Im Grundzustand ist der Klebstoff in keine Richtung elektrisch
leitend, da sich die Partikel nicht gegenseitig berühren. Durch
Einwirkung von Druck und damit einhergehendem Zusammenpressen des
Klebstoffes kommen die elekrisch leitfähigen Partikel miteinander
in Kontakt. Hierdurch wird eine elektrisch leitfähige Verbindung hergestellt.
Um die notwendige Flächenpressung und
damit eine elektrische Kontaktierung von Sensorchip und Trägerstruktur
zu erhalten, sind an den Kontaktstellen zwischen dem Sensorchip
und der Trägerstruktur
entweder in den Leiterbahnen auf dem Sensorchip oder in den Leiterbahnen
auf der Elektronikträgerstruktur
Erhebungen vorgesehen. Die Erhebungen können dabei auch in Form von
Lotbumps auf den Leiterbahnen aufgebrachtsein.
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Neben
der elektrischen Kontaktierung von Sensorchip und Trägerstruktur
mit Lötperlen
oder anisotropen Leitkleber ist aber auch jede weitere dem Fachmann
bekannte Kontaktierungsart denkbar.
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Zeichnung
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Im
folgenden wird die Erfindung anhand einer Zeichnung näher beschrieben.
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Es
zeigt:
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1 einen Schnitt durch einen
Heißfilmluftmassensensor
in einem Messkanal mit anschließendem
Elektronikraum,
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2 einen Schnitt durch einen
Sensorchip und einen Teil einer Trägerstruktur eines Heißfilmluftmassensensors
mit einer Kaverne unterhalb der Sensormembran,
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3 eine Unterseite eines
erfindungsgemäß ausgebildeten
Sensorchips,
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4 einen Schnitt durch einen
Sensorchip und einen Teil einer Trägerstruktur eines Heißfilmluftmassensensors
mit einer Stützstruktur
unterhalb der Sensormembran.
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Ausführungsvarianten
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In 1 ist ein Schnitt durch
einen erfindungsgemäßen Heißfilmluftmassensensor
in einem Messkanal dargestellt.
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Ein
Heißfilmluftmassensensor 1 misst
den durch einen Messkanal 2 strömenden Luftmassenstrom. Hierzu
umfasst der Heißfilmluftmassensensor einen
Sensorchip 3, der in einer Aufnahme 4 einer Trägerstruktur 5 aufgenommen
ist. Der Luftmassenstrom umströmt
den Heißfilmluftmassensensor 1 bei der
in 1 dargestellten Ausführungsvariante
in der mit dem Bezugszeichen 6 gekennzeichneten Anströmrichtung
in die Zeichenebene hinein. Damit sich auf dem Sensorchip 3 keine
Verwirbelungen ausbilden und sich somit eine gleichmäßige Strömung über die
Oberseite 7 des Sensorchips 3 einstellt, ist die Trägerstruktur 5 an
der Anströmseite
aerodynamisch ausgebildet. Hierzu eignen sich z.B. halbrunde, parabolische
oder elliptische Profile.
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Zur
Messung des Luftmassenstromes umfasst der Sensorchip 3 eine
Sensormembran 8, auf der quer zur Anströmrichtung 6 der Luft
zumindest ein Heizelement und zwei Temperatursensoren angeordnet
sind. Dabei ist ein Temperatursensor in Anströmrichtung 6 vor dem
Heizelement und ein Temperatursensor hinter dem Heizelement angebracht. Die
Bestimmung des Luftmassenstroms erfolgt aus der Temperaturdifferenz
zwischen dem ersten Temperatursensor und dem zweiten Temperatursensor bei
Zufuhr eines vom Heizelement abgegebenen konstanten Wärmestromes.
Als Temperatursensoren auf der Sensormembran 8 werden vorzugsweise Temperatursensoren
eingesetzt, die als Widerstandsthermometer arbeiten. Ein solches
Widerstandsthermometer ist z.B. ein PT 100. Die Spannungsversorgung
und die Erfassung der Messdaten vom Heizelement und den Temperatursensoren
erfolgt über
chipseitige Leiterbahnen 9, die vorzugsweise aus Platin
gefertigt sind.
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Bei
der in 1 dargestellten
Ausführungsvariante
ist unter der Sensormembran 8 ein Kaverne 10 ausgebildet.
Die Kaverne 10 kann z.B. durch einen Ätzprozeß in dem vorzugsweise aus Silizium
gefertigten Sensorchip 3 erzeugt werden.
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Erfindungsgemäß ist im
Sensorchip 3 zumindest eine Durchkontaktierung 11 aufgenommen,
um die chipseitigen Leiterbahnen 9 von der Oberseite 7 des
Sensorchips 3 auf die Unterseite 12 des Sensorchips 3 zu
führen.
Neben einer Durchkontaktierung 11 für mehrere chipseitige Leiterbahnen 9 wird
vorzugsweise für
jede chipseitige Leiterbahn 9 eine eigene Durchkontaktierung 11 ausgebildet.
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Zur Übertragung
der Messdaten und zur Spannungsversorgung sind in der Trägerstruktur 5 Leiterbahnen 13 ausgebildet,
die zu einer außerhalb des
Messkanals 2, in einem Elektronikraum 14 liegenden
Auswerteelektronik führen.
Die Leiterbahnen 13 in der Trägerstruktur 5 sind
dabei vorzugsweise durch MID-Technologie eingebracht. Dabei ist
MID die Abkürzung
für molded
interconnect device. Das bedeutet, dass beim Herstellungsprozess
der Trägerstruktur 5,
die vorzugsweise aus Kunststoff hergestellt wird, die Leiterbahnen 13 bereits
mit eingespritzt werden. Die Leiterbahnen 13 sind so in
die Trägerstruktur 5 eingebracht,
dass eine Kontaktierung am Boden 15 der Aufnahme 4 erfolgen
kann. Die Leiterbahnen 13 verlaufen von de Kontaktierung am
Boden 15 der Aufnahme 4 vorzugsweise entlang der
Oberseite 18 der Trägerstruktur 5,
können
aber auch wie in 1 dargestellt
durch die Trägerstruktur 5 geführt werden
und an der Unterseite der Trägerstruktur 5 verlaufen.
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Eine
möglichst
geringe Baugröße des Sensorchips 3 wird
dadurch erreicht, dass die Kontaktierungen vom Sensorchip 3 zur
Trägerstruktur 5 vorzugsweise
am Rand des Sensorchips 3 auf der Unterseite 12 der
die Kaverne 10 umgebenden verdickten Bereiche 16 um
die Kaverne 10 herum angebracht sind. Neben den um die
Kaverne 10 herum angebrachten Kontaktierungen können die
Kontaktierungen jedoch auch in jeder beliebigen anderen Form angeordnet
sein. Die elektrische Kontaktierung des Sensorchips 1 mit
der Trägerstruktur 5 kann – wie in 1 dargestellt – durch
Lötperlen 17 erfolgen.
Neben der elektrischen Kontaktierung mit Lötperlen 17 kann die
elektrische Kontaktierung auch mit einem anisotropen Leitkleber
erfolgen. Bei der Verwendung von anisotropem Leitkleber zur Kontaktierung
des Sensorchips 3 mit der Trägerstruktur 5 kann
ein Höhenausgleich
des Sensorchips 3 in der Aufnahme 4 der Trägerstruktur 5 erfolgen.
Hierdurch ist es möglich,
die Oberseite 7 des Sensorchips 3 und die Oberseite 18 der
Trägerstruktur 5 auf
eine Höhe
zu bringen. Dies hat den Vorteil, dass beim Übergang von der Trägerstruktur 5 zum
Sensorchip 3 keine Stufe auftritt und damit keine Verwirbelungen
in der Luftströmung
an der Oberseite 7 des Sensorchips 3 erzeugt werden.
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Um
zu verhindern, dass Leckluft aus dem Messkanal 2 in den
Elektronikraum 14 strömt,
ist die Trägerstruktur 5 mit
dem Sensorchip 3 mit einer Dichtklebung 19 in
der Messkanalwand 20 befestigt. Hierbei handelt es sich
vorzugsweise um die Verklebung zweier Kunststoffteile, da bevorzugt
sowohl die Trägerstruktur 5 als
auch die Wand des Messkanals 2 aus Kunststoff gefertigt
werden.
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2 zeigt einen Schnitt durch
einen Sensorchip und einen Teil einer Trägerstruktur eines Heißfilmluftmassensensors,
wobei der Sensorchip mit anisotropem Leitkleber in der Trägerstruktur
befestigt ist.
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Bei
der Verwendung von anisotropem Leitkleber 22 zur elektrischen
Kontaktierung des Sensorchips 3 mit der Trägerstruktur 5 ist
es erforderlich, dass entweder an den Kontaktstellen der chipseitigen
Leiterbahnen 9 oder an den Kontaktstellen der Leiterbahnen 13 der
Trägerstruktur 5 Erhebungen 21 angebracht
sind. Die Erhebungen 21 können z.B. durch Materialverdickung,
Lotbumps oder Ausbuchtungen in den Leiterbahnen 13 oder
den chipseitigen Leiterbahnen 9 an den Kontaktstellen erzeugt
werden. Neben den Erhebungen 21 an den chipseitigen Leiterbahnen 9 oder
an den Leiterbahnen 13 der Trägerstruktur 5 können auch
Erhebungen sowohl an den chipseitigen Leiterbahnen 9 als
auch an den Leiterbahnen 13 der Trägerstruktur 5 angebracht
sein.
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Die
zumindest eine Durchkontaktierung 11 im Sensorchip 3 wird
vorzugsweise durch einen Ätzprozess
hergestellt. Um die Tiefe der Durchkontaktierung 11 zu
reduzieren und damit den Ätzprozeß sicherer
beherrschbar zu machen, kann die zumindest eine Durchkontaktierung 11 – wie in 2 gestrichelt dargestellt – in eine
angeschrägte
Seitenwand 23 der Kaverne 10 geführt werden.
Hierbei ist die zumindest eine Durchkontaktierung 11 allerdings
sehr dicht an der Sensormembran 8 angeordnet. Um den Abstand zwischen
der Durchkontaktierung 11 und der Sensormembran 8 zu
vergrößern, besteht
auch die Möglichkeit,
eine Hilfskaverne in den Sensorchip 3 einzubringen und
die Durchkontaktierung 11 in die Hilfskaverne zu führen. Insbesondere
bei Verwendung nur einer Durchkontaktierung 11 für mehrere
chipseitige Leiterbahnen 9 kann die Durchkontaktierung 11 schlitzförmig, kammförmig, sternförmig oder
auch als kreisförmig
ausgebildet sein. Neben den hier beschriebenen Formen ist aber auch
jede weitere Geometrie der Durchkontaktierung 11 denkbar.
Vorzugsweise wird jedoch für
jede Leiterbahn eine eigene Durchkontaktierung 11 angebracht.
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Da
die Durchkontaktierungen 11 Löcher darstellen, durch die
Luft unter den Sensorchip 3 strömen kann, was insbesondere
bei der in den 1 und 2 dargestellten Ausführungsvariante
mit der Kaverne 10 unterhalb der Sensormembran 8 zu
einer Strömung
auf der Unterseite der Sensormembran 8 und damit zu Messfehlern
führen
kann, können
die Durchkontaktierungen 11 z.B. mit einer Dichtklebung verschlossen
werden.
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3 zeigt eine Unterseite
eines erfindungsgemäß ausgebildeten
Sensorchips.
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Bei
der in 3 dargestellten
Ausführungsvariante
sind zur elektrischen Verbindung von Sensorchip 3 und Trägerstruktur 5 Kontaktstellen 24 auf dem
verdickten Bereich 16 um die Kaverne 10 herum angeordnet.
Die Durchkontaktierungen 11, durch die die chipseitigen
Leiterbahnen 9 von der Oberseite 7 (vergleiche 1) des Sensorchips 3 auf
die Unter seite 12 des Sensorchips 3 geführt werden,
sind bei der hier dargestellten Ausführungsvariante in einer Reihe
neben der Kaverne 10 angeordnet. Von den Durchkontaktierungen 11 verlaufen
die chipseitigen Leiterbahnen 9 zu den Kontaktstellen 24.
Bei der Verwendung von anisotropem Leitkleber 22 zur Kontaktierung
des Sensorchips 3 mit der Trägerstruktur 5 können die
Kontaktstellen 24 als Erhebungen ausgebildet sein.
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Neben
der in 3 dargestellten
Ausführungsvariante
mit den Kontaktstellen 24, die auf dem verdickten Bereich 16 um
die Kaverne 10 herum angeordnet sind und den in einer Reihe
angeordneten Durchkontaktierungen 11 ist jede weitere sinnvolle geometrische
Anordnung von Durchkontaktierungen 11 und Kontaktstellen 24 auf
der Unterseite 12 des Sensorchips 3 denkbar.
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4 zeigt einen Schnitt durch
einen Sensorchip und eine Trägerstruktur
mit einer Stützstruktur
unter der Sensormembran.
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Im
Unterschied zu der in den 1 bis 3 dargestellten Ausführungsvariante
mit einer Kaverne 10 unterhalb der Sensormembran 8 ist
in der in 4 dargestellten
Ausführungsvariante
eine Stützstruktur 25 unter
der Sensormembran 8 angebracht. Die Stützstruktur 25 kann
z.B. als poröse
Siliziumoxidstruktur oder als Säulenstruktur
ausgebildet sein. Sowohl die poröse
Siliziumoxidstruktur als auch die Säulenstruktur werden vorzugsweise
durch Ätzprozesse
erzeugt. Da die Stützstruktur 25 zur
Unterseite 12 des Sensorchips 3 geschlossen ist,
kann sich keine Luftströmung
unter der Sensormembran 8 ausbilden. Hierdurch werden die
Messfehler weiter reduziert. Bei der in 4 dargestellten Ausführungsvariante ist neben dem
Messbereich mit der Sensormembran 8 eine Hilfskaverne 26 ausgebildet,
in die die Durchkontaktierungen 11 münden. Hierdurch kann die Länge der
Durchkontaktierungen 8 verringert und damit der Herstellungsprozess
vereinfacht werden.
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Bei
der Ausführungsvariante
mit der Stützstruktur 25 unter
der Sensormembran 8 können
die Kontaktstellen 24 (vergleiche 3) für
die elektrische Verbindung von Sensorchip 3 und Trägerstruktur 5 auch
direkt unter der Sensormembran 8 angeordnet sein, da die
Stützstruktur 25 nicht
die gesamte Dicke des Sensorchips 1 einnimmt. Hierdurch
kann eine weitere Verkleinerung des Sensorchips 3 erreicht
werden. Die Kontaktierung des Sensorchips 3 mit der Trägerstruktur 5 erfolgt
am Boden 15 der Aufnahme 4. Die elektrisch leitende
Verbindung kann dabei durch Lötperlen 17 oder
vorzugsweise durch anisotropen Leitkleber 22 erzeugt werden.
Vorteilhaft bei der Verklebung des Sensorchips 3 mit der
Trägerstruktur 5 mit
anisotropem Leitkleber 22 ist es, dass eine Höhendifferenz
zwischen der Oberseite 7 des Sensorchips 3 und
der Oberseite 18 der Trägerstruktur 5 ausgeglichen
werden kann, so dass sich eine einheitliche Oberfläche ausbildet.
Neben der in 4 darge stellten
Ausführungsvariante,
bei der die Durchkontaktierungen 11 in die Hilfskaverne 26 münden, kann
auch bei dem Sensorchip 3 mit der Stützstruktur 25 unter
der Sensormembran 8 eine durchgehende Durchkontaktierung 11 von
der Oberseite 7 zur Unterseite 12 des Sensorchips 3 ausgebildet
sein ohne die Verwendung einer Hilfskaverne 26. Wenn auf
die Hilfskaverne 26 verzichtet werden kann, reduziert sich
der Flächenbedarf
des Sensorchips 3 weiter. Auch bei einem Sensorchip 3 mit
einer Stützstruktur 25 unter
der Sensormembran 8 kann die Durchkontaktierung 11 jede
beliebige dem Fachmann bekannte geometrische Form annehmen. Auch
hier ist es möglich,
dass mehrere chipseitige Leiterbahnen 9 durch eine Durchkontaktierung 11 geführt werden
oder dass vorzugsweise für
jede chipseitige Leiterbahn 9 eine eigene Durchkontaktierung 11 angeordnet
ist.
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- 1
- Heißfilmluftmassensensor
- 2
- Messkanal
- 3
- Sensorchip
- 4
- Aufnahme
- 5
- Trägerstruktur
- 6
- Anströmrichtung
- 7
- Oberseite
des Sensorchips 3
- 8
- Sensormembran
- 9
- Chipseitige
Leiterbahnen
- 10
- Kaverne
- 11
- Durchkontaktierung
- 12
- Unterseite
des Sensorchips 3
- 13
- Leiterbahn
- 14
- Elektronikraum
- 15
- Boden
der Aufnahme 4
- 16
- verdickter
Bereich
- 17
- Lötperlen
- 18
- Oberseite
der Trägerstruktur 5
- 19
- Dichtklebung
- 20
- Messkanalwand
- 21
- Erhebungen
- 22
- Anisotroper
Leitkleber
- 23
- angeschrägte Seitenwand
- 24
- Kontaktstellen
- 25
- Stützstruktur
- 26
- Hilfskaverne