DE10323302A1 - Composite comprises thin substrate (e.g. glass) less than 0.3 mm thick releasably bound to carrier substrate having fine structuring with open, infinitesimal cavities, useful in e.g. display industry, polymer electronics, and biotechnology - Google Patents

Composite comprises thin substrate (e.g. glass) less than 0.3 mm thick releasably bound to carrier substrate having fine structuring with open, infinitesimal cavities, useful in e.g. display industry, polymer electronics, and biotechnology Download PDF

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Abstract

Composite (I) comprises: (a) at least one thin substrate (TS) having less than 0.3 mm thickness and a top side as well as an under side; and (b) a carrier substrate (CS) having a top side and an underside, where TS is releasably bound to CS, and at least the top side of CS has a fine structuring (FS) such that open, infinitesimal cavities having a depth of less than 100 microns are provided. An Independent claim is also included for a method of treating and/or processing and/or transporting TS.

Description

Die Erfindung betrifft einen Verbund, umfassend ein Dünnstsubstrat mit einer Dicke < 0,3 mm und einer Oberseite sowie einer Unterseite, einem Trägersubstrat mit einer Oberseite und einer Unterseite. Die Dicke des Trägersubstrates beziehungsweise des Chuck's liegt vorzugsweise im Bereich 0,3–5,0 mm, wobei das Dünnstsubstrat mit dem Trägersubstrat lösbar verbunden ist.The invention relates to a composite, comprising a thin substrate with a thickness <0.3 mm and a top and a bottom, a carrier substrate with a top and a bottom. The thickness of the carrier substrate or Chuck's is preferably in the range 0.3-5.0 mm, with the thinnest substrate with the carrier substrate solvable connected is.

In der Displayindustrie werden gegenwärtig Gläser der Dicken 0,3–2 mm standardmäßig zur Herstellung von Displays verwendet. Insbesondere für Displays für Mobiltelefone oder Personal Digital Assistants, so genannten PDAs, werden Glasdicken zwischen 0,7 mm und 0,5 beziehungsweise 0,4 mm eingesetzt. Die Anlagen zur Displayherstellung sind auf diese Dicken optimiert. Substrate, insbesondere Gläser mit geringeren Dicken können auf diesen Anlagen nicht verwendet werden, weil zum Beispiel durch das Sagging, d.h. die Durchbiegung der Glasscheibe aufgrund des Eigengewichts, die Scheibe in den Anlagen hängen bleiben, z.B. beim automatischen Substrattransport zwischen unterschiedlichen Fertigungsschritten. Durch das Verbiegen der Dünnstsubstrate können Toleranzanforderungen von Prozessen verletzt werden, beispielsweise die Ebenheitsanforderungen von Belichtungsprozessen, was zu einem Mismatch in den Abbildungseigenschaften führen kann. Die Belichtungsprozesse können z.B. Lithographieprozesse oder Maskenbelichtungsprozesse sein. Des weiteren neigen dünne flexible Substrate zu signifikanten Eigenschwingungen durch Aufnahme bzw. Anregung von Raum- und Körperschall aus der Umgebung. Ein weiterer Nachteil isr, dass sich bei lithographischen Schritten sich Masken und Substratoberfläche nicht auf einen gleichmäßigen Abstand ausrichten lassen. Dies kann zu starken Schwankungen in der Auflösung führen , die durch die Projektion der Maskenstruktur auf den Photoresist übertragen werden.Glasses are currently being used in the display industry Thicknesses 0.3-2 mm as standard Manufacture of displays used. Especially for displays for mobile phones or Personal Digital Assistants, so-called PDAs, are glass thicknesses between 0.7 mm and 0.5 or 0.4 mm used. The plants for Display manufacturing is optimized for these thicknesses. Substrates, especially glasses with lower thicknesses not be used on these systems because, for example, by sagging, i.e. the deflection of the glass sheet due to the Dead weight, the disc gets stuck in the systems, e.g. with automatic Substrate transport between different manufacturing steps. By bending the thin substrates can Process tolerance requirements are violated, for example the flatness requirements of exposure processes, resulting in a Mismatch in image properties can result. The exposure processes can e.g. Lithography processes or mask exposure processes. Of others tend to be thin flexible substrates to significant natural vibrations through absorption or excitation of room and structure-borne noise from the area. Another disadvantage is that lithographic Do not step the mask and substrate surface at an even distance align. This can lead to large fluctuations in the resolution that by projecting the mask structure onto the photoresist become.

Auch bei Tintenstrahldruckverfahren sind Verzerrungen der Abbildungseigenschaften bei Verwendung von gekrümmten oder gewellten Strukturen möglich. Even with inkjet printing processes are distortions of the imaging properties when using curved or corrugated structures possible.

Andererseits ist es wünschenswert, dünnere, leichtere, gebogene bzw. biegbare Displays zur Verfügung zu stellen. Dies lässt sich durch die Verwendung von Dünnstgläsern erreichen, die Dicken < 0,3 mm haben.On the other hand, it is desirable thinner, lighter, to provide curved or bendable displays. This can be done achieve through the use of very thin glasses, the thicknesses <0.3 mm to have.

Allerdings ergeben sich für die Handhabung von Dünnstgläsern in konventionellen Anlagen beispielsweise zur Displayherstellung aus den zuvor beschriebenen Gründen Probleme.However, for the handling of Thinnest glasses in conventional systems, for example for display production the reasons described above Problems.

Insbesondere besteht das Problem, dass die bei den herkömmlichen Produktionsverfahren für Glasdicken von 500 bis 700 μm eingesetzten, direkt auf die Produkte eingreifenden maschinellen Verfahren wie Greifer und Transportrollen bei Dünnstglassystemen zu hohen Ausfallraten durch Kantenbeschädigung und Bruch führen. Dünstglassysteme reagieren erheblich empfindlicher auf mechanische Beanspruchungen. Schäden im Kantenbereich treten besonders häufig auf.In particular, there is the problem that the conventional Production process for glass thicknesses from 500 to 700 μm used machine intervening directly on the products Processes such as grippers and transport rollers in ultra-thin glass systems at high failure rates due to edge damage and break. Dünstglassysteme are considerably more sensitive to mechanical stress. damage occur particularly frequently in the edge area.

Aus der JP 2000252342 ist bekannt, ein Glassubstrat vollflächig auf eine thermisch entfernbare Klebefolie zu legen und diese wiederum auf ein Trägersubstrat. Dieser dreiteilige Verbund wird an den Seiten verklebt. Nachteil dieses Verfahrens ist, dass die Außenseite des Glassubstrates mit der Klebefolie in Berührung kommt und diese kontaminiert. Als Folge des Klebeverfahrens ist mindestens ein weiterer kostenintensiver Arbeitsschritt notwendig, der die durch Kleber kontaminierten Bereiche einer Reinigung unterzieht. Alternativ können die durch Kleber verschmutzten Bereiche durch z. B. Standardverfahren wie Ritzen und Brechen abgetrennt werden, wobei wiederum die Gefahr einer Verunreinigung des Verbundes durch Chipping, d.h. Splitter, besteht. Außerdem besteht die Gefahr, dass durch hohe Prozesstemperaturen das Substrat und die Klebefolie derart verbacken, dass ein Trennen mechanisch oder thermisch nicht mehr möglich ist.From the JP 2000252342 It is known to place a glass substrate over its entire surface on a thermally removable adhesive film and this in turn on a carrier substrate. This three-part composite is glued to the sides. The disadvantage of this method is that the outside of the glass substrate comes into contact with the adhesive film and contaminates it. As a result of the adhesive process, at least one further cost-intensive work step is necessary, which subjects the areas contaminated by adhesive to cleaning. Alternatively, the areas soiled by adhesive can be removed by e.g. B. standard methods such as scratching and breaking are separated, again there is a risk of contamination of the composite by chipping, ie splinters. There is also the danger that the substrate and the adhesive film will bake due to high process temperatures such that separation is no longer possible mechanically or thermally.

Aufgabe der Erfindung ist es somit, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden und einen Verbund anzugeben, der die Handhabung, Bearbeitung und den Transport von Dünnstgläsern ermöglicht.The object of the invention is therefore to overcome the disadvantages of the prior art and a composite indicate the handling, processing and transportation of Thin glass allows.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch einen Verbund gemäß Anspruch 1 gelöst.According to the invention, this object is achieved by a Composite according to claim 1 solved.

Durch den erfindungsgemäßen Verbund werden insbesondere Beschädigungen durch den direkten Eingriff auf das zu fertigende Bauteil durch die Verwendung eines mechanisch stabilen Trägers umgangen. Das Trägersubstrat kann in verschiedenen Dimensionierungen angefertigt und somit auf existierende Fertigungslinien angepasst werden.Through the composite according to the invention especially damage through direct intervention on the component to be manufactured bypassed the use of a mechanically stable support. The carrier substrate can be made in different dimensions and thus on existing production lines are adapted.

Das erfindungsgemäße Trägersubstrat zeichnet sich dadurch aus, dass es wenigstens auf einer Oberfläche mit einer feinen Strukturierung versehen ist.The carrier substrate according to the invention is characterized by this from that it is at least on a surface with a fine structure is provided.

Die Strukturierung kann als eine statistische, aber definierte Oberflächenrauhigkeit ausgeführt sein, die durch zum Beispiel einen Strahlprozess, beispielsweise mit Sandpartikeln, erzeugt wird. Durch die Strukturierung wird im Fall einer Strahlprozessstrukturierung nach der Evakuierung ein infinitesimaler Hohlraum zwischen dem Trägersubstrat beziehungsweise Chuck und dem Dünnstsubstrat, insbesondere dem Dünnstglas, mit einer Tiefe von maximal 100 μm erzeugt.The structuring can be seen as one statistical but defined surface roughness through a blasting process, for example with sand particles, is produced. The structuring in the case of a beam process structuring after evacuation an infinitesimal cavity between the carrier substrate or Chuck and the thinnest substrate, especially the thin glass, with a maximum depth of 100 μm generated.

Alternativ kann die strukturierte Oberfläche in der Form einer symmetrischen, sich wiederholenden Oberflächenstruktur aufgebracht werden. Diese symmetrische Oberflächenstruktur kann mittels abrasiven Prozesses wie Schleifen oder Bohren oder in einem geeigneten Heißformgebungsverfahren aufgebracht werden.Alternatively, the structured one Surface in in the form of a symmetrical, repeating surface structure be applied. This symmetrical surface structure can be abrasive Processes such as grinding or drilling or in a suitable hot molding process be applied.

Die Hohlraumstruktur muss zwei wesentliche Funktionalitäten erfüllen. Sie muss als erste Funktionalität ein „in sich offenes System" ähnlich einer „offenen Porosität" bereitstellen. Das Kennzeichen eines derartig „offenen Systems" ist eine makroskopische Verbindung zwischen allen eingebrachten Oberflächenstrukturen, welche die gesamte Systemoberfläche unter dem zu halternden Dünnstsubstrat durchziehen. Durch die geometrische Verbindungen zwischen den Strukturierungen kann evakuiert werden und das Substrat wird durch Unterdruck auf dem Chuck, d. h. dem Trägersubstrat fixiert. Als weitere Funktionalität muss die Strukturierung durch eine geeignete Ausführungsform eine abstützende Funktion für das Dünnstglas erfüllen. Ziel dieser Abstützung ist es zu gewährleisten, dass das Dünnstsubstrat eben aufliegt und es sich nicht grossflächig über den entlüfteten Hohlraumstrukturen verwölben kann und beispielsweise geometrische Fehler bei der Prozessierung entstehen.The cavity structure must fulfill two essential functions. It must be the first function provide an "open system" similar to an "open porosity". The characteristic of such an "open system" is a macroscopic connection between all introduced surface structures, which run through the entire system surface under the thin substrate to be held. The geometric connections between the structures can be evacuated and the substrate is vacuumed on the chuck, ie the As a further functionality, the structuring by means of a suitable embodiment has to fulfill a supporting function for the thin glass. The aim of this support is to ensure that the thin substrate lies flat and that it cannot bulge over the vented cavity structures and, for example, geometric errors of processing arise.

In der dem Fertigungsverfahren angepassten und ausgebildeten Ausführungsform kann dieser Hohlraum durch geeignete Ventilsysteme ent- und belüftet werden.In the adapted to the manufacturing process and trained embodiment this cavity can be ventilated and vented using suitable valve systems.

Auf dem Trägersubstrat kann nach dem Auflegen eines Dünnstsubstrates, beispielsweise einer Dünnstglasplatte, und nach der Entlüftung des durch die Strukturierung ausgebildeten Spalts zwischen Trägersubstrat, d. h. Chuck und Dünnstsubstrat, beispielsweise der Dünnstglasplatte, das Dünnstsubstrat durch Unterdruck gehalten werden.Can be placed on the carrier substrate after hanging up a thin substrate, for example a thin glass plate, and after venting the gap formed by the structuring between the carrier substrate, d. H. Chuck and thinnest substrate, for example the thin glass plate, the thinnest substrate be held by negative pressure.

Für die Prozessierung von den auf dem strukturierten Trägersubstrat aufgelegten Dünnstsubstraten sind produktspezifische Spezifikationen bezüglich zulässiger Verwölbungen zu berücksichtigen. Diese Verwölbungen im Dünnstsubstrat haben im Fall der Unterdruckhalterung ihre Ursache in einer Kraftwirkung senkrecht zur Oberfläche des Dünnstsubstrates, durch die letztendlich die Halterung erfolgt. Unter Berücksichtigung verfahrenstauglicher Druckdifferenzen von 0,2 bar bis max. 0,8 bar sind dann beispielsweise folgende geometrischen Mindestvorgaben für das Dünnstsubstrat einzuhalten For the processing of those on the structured carrier substrate applied thin substrates product-specific specifications regarding permissible warping must be taken into account. These warps in the thinnest substrate in the case of the vacuum holder have their cause in a force effect perpendicular to the surface the thinnest substrate, through which ultimately the bracket takes place. Considering process-compatible pressure differences from 0.2 bar to max. 0.8 bar are then, for example, the following geometric minimum specifications for the Dünnstsubstrat comply

Beispiel 1:Example 1:

  • für Dünnstsubstrate einer Dicke von 100 μm und der Vorgabe:For Dünnstsubstrate a thickness of 100 μm and the default:
  • E = 70 GPaE = 70 GPa
  • μ = 0,2μ = 0.2
  • resultiert für das Trägersubstrat:results for the carrier substrate:
  • Radius r einer Oberflächenstruktur: < 1 mmRadius r of a surface structure: <1 mm
  • Strukturabstand Rmax: < 4 mmStructure distance R max : <4 mm
  • Resultierende Welligkeit: < 2 μmResulting ripple: <2 μm

Beispiel 2:Example 2:

  • für Dünnstsubstrate einer Dicke von 50 μm und der Vorgabe:For Dünnstsubstrate a thickness of 50 μm and the default:
  • E = 70 GPaE = 70 GPa
  • μ = 0,2μ = 0.2
  • resultiert für das Trägersubstrat:results for the carrier substrate:
  • Radius r einer Oberflächenstruktur: < 0,5 mmRadius r of a surface structure: <0.5 mm
  • Strukturabstand Rmax: < 2 mmStructure distance R max : <2 mm
  • Resultierende Welligkeit: < 2 μmResulting ripple: <2 μm

Hierbei beschreibt die Variable E den E-Modul und damit die Zugfestigkeit, die Variable μ die Querkontraktionszahl bzw. Poissonzahl.Here the variable E describes the modulus of elasticity and thus the tensile strength, the variable μ the transverse contraction number or Poisson number.

Eine infinitesimale Oberflächenstruktur gemäß der Erfindung hat den Vorteil, dass ebene Systeme wie Displays ganzflächig und eben aufliegen können und es nur zu geringfügigen Verwölbungen der Substratoberfläche bei der Prozessierung kommt.An infinitesimal surface structure according to the invention has the advantage that flat systems such as displays and can just lie on and only marginally Warping of the substrate surface comes during processing.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist auf der Unterseite des Trägersubstrats im strukturierten Bereich eine Vorrichtung zur Be- und Entlüftung angeordnet. Bei einer derartigen Anordnung kann das Trägersubstrat als Prozessierungs-, Handlings- und Transportsystem mehrere Fertigungszyklen durchlaufen. Alternativ kann für den einmaligen Gebrauch das Trägersubstrat im Kantenbereich mit einem Initialanriss versehen sein, an dem es gebrochen wird und so eine Belüftung und Trennung von einem Dünstsubstrat erfolgen kann. Der Rand des Trägersubstrats ist mit einer unbeschädigten Glasoberfläche versehen. Das Dünnstsubstrat wird in diesem Bereich durch Adhäsionskräfte gehalten und zur Strukturierung hin luftdicht gedichtet.In an advantageous embodiment is on the underside of the carrier substrate A device for ventilation is arranged in the structured area. With such an arrangement, the carrier substrate can be used as a processing, Handling and transport system go through several manufacturing cycles. Alternatively, for single use of the carrier substrate be provided with an initial crack in the edge area on which it is broken and so ventilation and separation from a vapor substrate can be done. The edge of the carrier substrate is with an undamaged glass surface Mistake. The thinnest substrate is held in this area by adhesive forces and sealed airtight for structuring.

Wie zuvor beschrieben, kann das Ablösen des Dünnstsubstrates durch Belüftung des strukturierten Bereichs der Halteplatte oder durch Brechen des Trägersubstrats erfolgen.As previously described, the detachment of the Dünnstsubstrates through ventilation the structured area of the holding plate or by breaking the carrier substrate respectively.

Ein wesentlicher Vorteil des beschriebenen Haltesystems besteht darin, dass die temporäre Verbindung zwischen Trägersubstrat, d. h. Chuck und Dünnstglas reversibel getrennt werden kann. Es werden durch die erfindungsgemäße Halterung durch Unterdruck und Adhäsion auf einem feinstrukturierten Trägersubstrat, d. h. Chuck keine zusätzlichen Substanzen oder Agenzien auf der Dünnstglasoberfläche abgelagert. Nach dem Trennvorgang werden keine zusätzlichen Verfahrensschritte, wie z. B. eine Reinigung in der Prozesskette notwendig.A major advantage of the holding system described is that the temporary Connection between carrier substrate, d. H. Chuck and thin glass can be reversibly separated. There are by the bracket according to the invention by negative pressure and adhesion on a finely structured carrier substrate, d. H. Chuck no additional substances or agents are deposited on the thin glass surface. After the separation process, no additional process steps such as B. cleaning in the process chain necessary.

Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und den Figuren beschreiben werden.The invention is intended to be explained below of embodiments and will describe the figures.

Es zeigen:Show it:

1 einen erfindungsgemäßer Verbund. 1 a composite according to the invention.

2 Oberflächenstruktur, die durch einen Strahlprozess erzeugt wird. 2 Surface structure that is created by a blasting process.

3 Oberflächenstruktur, die durch einen abrasiven Prozess erzeugt wird. 4 und 4B ein Halter zur gleichzeitigen einseitigen Beschichtung von zwei Substraten, bei dem die Erfindung eingesetzt werden kann. 3 Surface structure created by an abrasive process. 4 and 4B a holder for simultaneous one-sided coating of two substrates, in which the invention can be used.

In 1 ist ein erfindungsgemäßer Verbund, bestehend aus einem Dünstsubstrat 100, einem Trägersubstrat 102 gezeigt. Das Trägersubstrat 102 weist die erfindungsgemäße Strukturierung 104 im mittleren Bereich auf. Die Strukturierung kann entweder durch einen Strahlprozess erzeugt werden oder mittels abrasiver Prozesse oder einem geeigneten Heißformgebungsverfahren. Die Strukturierung weist infinitesimale Hohlräume 105 mit einer maximalen Tiefe von 100 μm auf. Des Weiteren eingezeichnet ist eine Zuleitung 106, die im Bereich der strukturierten Oberfläche endet. Durch die Zuleitung 106 können die Hohlräume im Bereich der strukturierten Oberfläche ent- und belüftet werden. Insbesondere ist es möglich, durch die Zuleitung 106 einen Unterdruck anzulegen, so dass das Dünstsubstrat 100 auf dem Trägersubstrat während der Prozessierung sicher und unverrückbar gehalten wird. Das hier dargestellte Trägerrsubstrat 102 zeichnet sich dadurch aus, dass es in den Randbereichen 110 eine glatte Oberfläche aufweist. In diesen Bereichen wird das Dünstsubstrat 100 alleine durch adhäsive Kräfte gehalten. Um das Dünstsubstrat 100 vom Trägersubstrat 102 zu trennen, kann in einer Ausgestaltung durch die Zuleitung 106 der Unterdruck aufgehoben, d.h. die Strukturierung belüftet werden. In einem solchen Fall kann das Trägersubstrat mehrfach verwendet werden. Es ist aber auch möglich, das Trägersubstrat im Bereich der Zuleitung 106 mit einer Sollbruchstelle zu versehen. Wird das Trägersubstrat dann nur einmal verwandt, so kann es an dieser Stelle gebrochen werden. Durch das Brechen des Trägersubstrates erfolgt ebenfalls eine Belüftung des strukturierten Bereiches, so dass das Dünstsubstrat vom Trägersubstrat gelöst werden kann.In 1 is a composite according to the invention, consisting of a vapor substrate 100 , a carrier substrate 102 shown. The carrier substrate 102 shows the structuring according to the invention 104 in the middle area. The structuring can either which are generated by a blasting process or by means of abrasive processes or a suitable hot molding process. The structuring shows infinitesimal cavities 105 with a maximum depth of 100 μm. A supply line is also shown 106 that ends in the area of the structured surface. Through the supply line 106 the cavities in the area of the structured surface can be ventilated and ventilated. In particular, it is possible through the supply line 106 apply a vacuum so that the vapor substrate 100 is held securely and immovably on the carrier substrate during processing. The carrier substrate shown here 102 is characterized in that it is in the marginal areas 110 has a smooth surface. In these areas, the vapor substrate 100 held by adhesive forces alone. To the vapor substrate 100 from the carrier substrate 102 can be separated in one embodiment by the supply line 106 the negative pressure is released, ie the structure is ventilated. In such a case, the carrier substrate can be used several times. However, it is also possible to mount the carrier substrate in the area of the feed line 106 to be provided with a predetermined breaking point. If the carrier substrate is then used only once, it can be broken at this point. By breaking the carrier substrate, the structured area is also aerated, so that the vapor substrate can be detached from the carrier substrate.

In 2 ist detallierter eine vakuumunterstützte adhäsive Haltevorrichtung für Dünnstglas mit statistischer Oberflächenrauhigkeit gezeigt. Zum Erhalten der statistischen Oberflächenrauhigkeit wird ein Trägersubstrat mit einem Strahlbearbeitungsverfahren strukturiert, d.h. eine Maske mit Strahlgut, beispielsweise ELICA90 der Fa. Auer, wird bei definiertem Strahldruck, der bevorzugt 1-2 bar beträgt, in definiertem Abstand von bevorzugt: 10-20 cm und einem definiertem Zeitfenster, bevorzugt 10 s bestrahlt. Bei ELICA90 handelt es sich um ein Sandstrahlgut, das zum Sandstrahlen einer Oberfläche eingesetzt wird.In 2 a vacuum-assisted adhesive holding device for thin glass with statistical surface roughness is shown in more detail. To maintain the statistical surface roughness, a carrier substrate is structured using a blasting processing method, ie a mask with blasting material, for example ELICA90 from Auer, is preferably at a defined distance of 10-20 cm at a defined blasting pressure, which is preferably 1-2 bar a defined time window, preferably irradiated for 10 s. ELICA90 is a sandblasting product that is used to sandblast a surface.

Als maximale Rautiefe Rz nach DIN 4768 muss ein Wert von < 100 μm eingestellt werden. Nach dem Einbringen einer Be- und Entlüftungsbohrung im Bereich der Strukturierung wird das Trägersubstrat gereinigt. Zur Prozessierung wird das Dünnstsubstrat auf die durch Strahlbearbeitung strukturierte Fläche aufgelegt. Nach der Prozessierung wird entlüftet und der Verbund Trägersubstrat 102 und das Dünnstsubstrat 100 getrennt. Eine Prozessierung des Verbundes von Trägersubstrat 102 und Dünnstsubstrat 100 ist mit einem Unterdruck > 0,2 bar sicher möglich.A value of <100 μm must be set as the maximum roughness depth R z according to DIN 4768. After a ventilation hole has been drilled in the area of the structuring, the carrier substrate is cleaned. For processing, the thin substrate is placed on the surface structured by blasting. After processing, the system is vented and the composite carrier substrate 102 and the thinnest substrate 100 Cut. A processing of the composite of carrier substrate 102 and thinnest substrate 100 is safely possible with a vacuum> 0.2 bar.

In 2 sind auf dem gezeigten Trägersubstrat 102 die durch ein Strahlbearbeitungsverfahren erhaltenen infinitesimalen Strukturen detailliert gezeigt.In 2 are on the carrier substrate shown 102 the infinitesimal structures obtained by a beam processing method are shown in detail.

In 2 bezeichnen:
S: eine einzelne Oberflächenstruktur 200;
R: den Strukturabstand 202;
r: den Radius 204 einer einzelnen Struktur 200.In 2 describe:
S: a single surface structure 200 ;
R: the structure distance 202 ;
r: the radius 204 a single structure 200 ,

Die einzelnen Oberflächenstrukturen sind im Sinne einer „offenen Struktur" durch wurmartige Verbindungen 206 miteinander verbunden.The individual surface structures are in the sense of an "open structure" due to worm-like connections 206 connected with each other.

In 3 ist detaillierter eine vakuumunterstützte adhäsive Haltevorrichtung für Dünnstglas mit symmetrischer Oberflächenstruktur gezeigt, wobei die Strukturierung des Trägersubstrates 102 über einen abrasiven Prozesses wie Schleifen oder Bohren oder in einem geeigneten Heißformgebungsverfahren mit einem Translationsgitter 300 des Abstandes R versehen versehen wird. Das Transiationsgitter 300 kann als rechtwinkliges, nicht rechtwinklges oder auch kreisförmiges bzw. ovales Gitter ausgeprägt sein. Die Tiefe der erforderlichen Gitterstrukturen sind bevorzugt < 500 μm und sind an das Fertigungsverfahren angepasst. Die Fertigungsverfahren bezeichnen die Fertigungsverfahren, in denen der Verbund eingesetzt werden soll, beispielsweise ein Fertigungsverfahren zur Herstellung von Dünnstgläsern zur Verwendung in Displays.In 3 a vacuum-assisted adhesive holding device for thin glass with a symmetrical surface structure is shown in more detail, wherein the structuring of the carrier substrate 102 via an abrasive process such as grinding or drilling or in a suitable hot forming process with a translation grid 300 of the distance R is provided. The transition grid 300 can be designed as a right-angled, non-right-angled or also circular or oval grid. The depth of the required lattice structures are preferably <500 μm and are adapted to the manufacturing process. The manufacturing processes designate the manufacturing processes in which the composite is to be used, for example a manufacturing process for the production of very thin glasses for use in displays.

In den Kreuzungspunkten des Gitters dürfen je nach Dünnstsubstratdicke die geometrischen Mindestvorgaben wie zuvor beschrieben, d. h. die maximalen Strukturradien r und Strukturabstände Rmax, nicht überschritten werden. Bei der in 3 gezeigten beispielhaften symmetrischen Oberflächenstruktur mit Translationsfilter 300 gibt es zwischen den einzelnen Oberflächenstrukturen 400 einen kurzen Strukturabstand 402, der mit R1 bezeichnet ist und einen weiten Strukturabstand 4022, der mit R2 bezeichnet ist, wobei dann gilt R1 < R2. Wird gefordert, dass der Strukturabstand Rmax der Beispiele 1 beziehungsweise 2 nicht überschritten wird, so heißt das im vorliegenden Fall, dass R1 ≤ Rmax ist, da ja stets R1 < R2 ist. Aufgabe der Gitterstrukturierung ist die Bereitstellung einer „offenen Struktur" zur vollflächigen Evakuierung. Unter einer offenen Struktur wird verstanden, dass die einzelnen Oberflächenstrukturen 400 miteinander über Kanäle 406 verbunden sind. At the crossing points of the grid, depending on the thinnest substrate thickness, the minimum geometric specifications as described above, ie the maximum structure radii r and structure distances R max , must not be exceeded. At the in 3 shown exemplary symmetrical surface structure with translation filter 300 there is between the individual surface structures 400 a short structural distance 402 , which is denoted by R 1 and a wide structural distance 4022 , which is designated R 2 , in which case R 1 <R 2 . It is required that the structure distance Rma x of the examples 1 or 2 is not exceeded, this means in the present case that R 1 ≤ R max , since R 1 <R 2 is always. The task of lattice structuring is to provide an "open structure" for full-surface evacuation. An open structure is understood to mean that the individual surface structures 400 with each other through channels 406 are connected.

In 3 bezeichnen:
S: eine einzelne Oberflächenstruktur 400;
R1: ein kurzer Strukturabstand 402;
R2: ein weiter Strukturabstand 402.2;
r: den Radius 404 einer einzelnen Struktur.In 3 describe:
S: a single surface structure 400 ;
R 1 : a short structural distance 402 ;
R 2 : a wide structural distance 402.2 ;
r: the radius 404 a single structure.

Nach dem Einbringen einer Be- und Entlüftungsbohrung im Bereich der Strukturierung wird das Trägersubstrat 102 gereinigt.After a ventilation hole has been drilled in the area of the structuring, the carrier substrate 102 cleaned.

Auf die gemäß den 2 und 3 strukturierte Fläche kann dann ein Dünnstsubstrat, beispielsweise ein Glassubstrat, aufgelegt werden. Dieses Dünnstsubstrat kann durch Anlegen von Vakuum auf dem Trägersubstrat gehalten werden. Der so entstandene Verbund wird prozessiert. Nachdem beispielsweise die Prozessierung abgeschlossen ist, kann der Verbund aus Trägersubstrat 102 und Dünnstsubstrat 100 entlüftet und das Dünnstsubstrat entnommen werden.According to the 2 and 3 A thin substrate, for example a glass substrate, can then be placed on the structured surface. This thin substrate can be held on the carrier substrate by applying a vacuum. The resulting combination is processed. After the processing is complete, for example, the composite of carrier substrate can 102 and thinnest substrate 100 vented and the thin substrate removed.

Für spezielle Produktionsprozesse, z.B. Beschichtungen aus der Flüssigphase über Tauchprozesse (OLED), kann der "Dünnstglashalter" bzw. des Trägersubstrat zweiseitig ausgelegt werden. Ein derartiges Trägersubstrat ist in den 4a und 4b gezeigt. Durch die zweiseitige Auslegung kann der Durchsatz der Fertigungslinie verdoppelt werden. Es werden unnötige Materialverluste an Tauchlösung oder Kontaminationen durch rückseitige Beschichtung des Halters vermieden. Dieses Verfahren der einseitigen Beschichtung erlaubt auch, dass beide Seiten eines Dünnstglases mit unterschiedlichen Beschichtungen versehen werden.For special production processes, for example coatings from the liquid phase via immersion processes (OLED), the "thinnest glass holder" or the carrier substrate can be designed on both sides. Such a carrier substrate is in the 4a and 4b shown. The throughput of the production line can be doubled thanks to the two-sided design. Unnecessary loss of material in the immersion solution or contamination through coating the holder on the back are avoided. This one-sided coating method also allows both sides of a thin glass to be provided with different coatings.

Wird ein strukturiertes Trägersubstrat mit infinitesimalen Hohlräumen von weniger als 100 μm Tiefe gemäß der Erfindung eingesetzt, so werden bei einem derartigen Halter beide Seiten, die die Dünnstgläser halten, d.h. sowohl die Oberseite wie die Unterseite strukturiert, wie zuvor ausführlich für den einseitigen Verbund beschrieben.Becomes a structured carrier substrate with infinitesimal cavities of less than 100 μm depth according to the invention used, both sides are used in such a holder, that hold the thinnest glasses, i.e. structured both the top and bottom, as before in detail for the one-sided composite described.

Der in 4a gezeigte Halter 500 nimmt auf Vorder- und Rückseite je ein Dünnstsubstrat 502 auf. Die Zu- bzw. Abführung für z.B. Vakuum, Pressluft und die Aufhängung des Halters ist mit 503 bezeichnet. Die Halter, die zweiseitig mit einem Dünnstsubstrat beladen sind, können dazu benutzt werden, auf das Dünnstsubstrat noch zusätzlich eine Beschichtung, beispielsweise im Tauchverfahren, aufzubringen. Die Beschichtung auf den beiden Seiten des Dünnstglases ist dann unterschiedlich, es liegt eine so genannte asymmetrische Beschichtung vor. Eine zweischichtige Tauchbeschichtung hat den Vorteil, dass der Durchsatz erhöht wird, außerdem verhindert man, dass Verschmutzungen auf die Halterückseite gelangen. The in 4a shown holder 500 takes a thin substrate on the front and back 502 on. The supply and discharge for eg vacuum, compressed air and the suspension of the holder is labeled 503. The holders, which are loaded on both sides with a thinnest substrate, can be used to additionally apply a coating to the thinnest substrate, for example by dipping. The coating on the two sides of the ultra-thin glass is then different; there is a so-called asymmetrical coating. A two-layer dip coating has the advantage that the throughput is increased, and it also prevents dirt from getting onto the back of the holder.

In 4b ist eine alternative Ausführungsform des Halters gezeigt. Der Halter ist mit 500 bezeichnet, die Dünnstsubstrate mit 502, die Zu- bzw. Abführung für Vakuum, Pressluft und Aufhängung des Halters mit 503. Des Weiteren ist ein Vakuumsystem 504 gezeigt mit Vakuumzuführung 505 im Inneren des Halters. Wird das Dünnstsubstrat zusätzlich mit bspw. einem Kleber gehalten, so bezeichnet 106 die Adhäsionsfläche.In 4b an alternative embodiment of the holder is shown. The holder is with 500 designated, the thinnest substrates with 502 , the supply and discharge for vacuum, compressed air and suspension of the holder with 503 , There is also a vacuum system 504 shown with vacuum feed 505 inside the holder. If the thin substrate is additionally held with, for example, an adhesive, this is referred to 106 the adhesive surface.

Die Kontaktflächen des Verbunds, d.h. die Seite oder die Seiten des Substratträgers und die Unterseite der(s) Dünnstsubstrate(s) zeichnen sich durch eine große Reinheit aus, um zu verhindern, dass Partikel im Zwischenbereich die Adhäsionswirkung reduzieren bzw. Anforderungen an die Oberflächeneigenschaften des Dünnstsubstrats, z.B. die Welligkeiten, Dickenuniformität des Verbunds negativ beeinflussen und Schädigungen des Dünnstsubstrates durch Kratzer, Brüche sicher vermieden werden.The contact areas of the composite, i.e. the page or the sides of the substrate support and the underside of the thin substrate (s) are characterized by a large Purity to prevent particles in the intermediate area the adhesive effect reduce or requirements on the surface properties of the thinnest substrate, e.g. negatively affect the waviness, thickness uniformity of the composite and damage of the thinnest substrate through scratches, breaks be safely avoided.

Das erfindungsgemäße Trägersubstrat weist bevorzugt Oberflächeneigenschaften wie Warp, Waviness, etc, auf, die die Prozessanforderungen der Weiterverarbeitung erfüllen. Die Formstabilität des Trägersubstrates sollte bevorzugt auch bei Temperaturänderungen gewährleistet sein.The carrier substrate according to the invention preferably has surface properties like warp, waviness, etc, on the process requirements of finishing fulfill. The dimensional stability of the carrier substrate should preferably be guaranteed even with temperature changes his.

Die Trägersubstrate sind so konstruiert, dass das unterstützende Vakuum auch über längere Zeiten, zum Beispiel bei Transport oder Prozessierung, aufrecht gehalten wird beziehungsweise leicht zugänglich unterhalten oder aufgefrischt wird.The carrier substrates are designed that the supportive Vacuum also over longer Times, for example during transport or processing, upright is maintained or easily accessible entertained or refreshed becomes.

In einer fortgebildeten Ausführungsform können die Trägersubstrate zusätzlich noch durch elektrostatische Kräfte gehalten werden, wobei zu beachten ist, dass die elektrischen Felder der Haltevorrichtung bzw. Trägersubstrate so auszulegen sind, dass sie nachfolgende Fertigungsprozesse nicht negativ beeinflussen.In a further developed embodiment can the carrier substrates additionally still by electrostatic forces are kept, it should be noted that the electrical fields the holding device or carrier substrates are to be interpreted so that they do not follow subsequent manufacturing processes influence negatively.

Claims (14)

Verbund, umfassend 1.1 wenigstens ein Dünnstsubstrat mit einer Dicke < 0,3 mm, wobei das Dünnstsubstrat eine Oberseite sowie eine Unterseite aufweist; 1.2 ein Trägersubstrat mit einer Oberseite und einer Unterseite 1.3 wobei das Dünstsubstrat mit dem Trägersubstrat lösbar verbunden ist; dadurch gekennzeichnet, dass 1.4 wenigstens die Oberseite des Trägersubstrates eine feine Strukturierung aufweist, so dass offene, infinitesimale Hohlräume von weniger als 100 μm Tiefe bereitgestellt werden.Comprehensive, comprehensive 1.1 at least one thin substrate with a thickness <0.3 mm, the thinnest substrate has a top and a bottom; 1.2 a carrier substrate with a top and a bottom 1.3 where the vapor substrate releasably connected to the carrier substrate is; characterized in that 1.4 at least the top of the carrier substrate one has fine structuring so that open, infinitesimal cavities of less than 100 μm Depth will be provided. Verbund nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Ober- und Unterseite des Trägersubstrats eine feine Strukturierung aufweisen, so dass offene, infinitesimale Hohlräume von weniger als 100 μm Tiefe bereitgestellt werden.Composite according to claim 1, characterized in that top and bottom of the carrier substrate have a fine structure, so that open, infinitesimal cavities of less than 100 μm Depth will be provided. Verbund gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes Dünnstsubstrat mit einer Dicke < 0,3 μm mit der Oberseite des Trägersubstrats und ein zweites Dünnstsubstrat mit einer Dicke < 0,3 μm mit der Unterseite des Trägersubstrats lösbar verbunden sind.Composite according to claim 2, characterized in that a first thin substrate with a thickness <0.3 microns with the Top of the carrier substrate and a second thin substrate with a thickness <0.3 μm with the Underside of the carrier substrate solvable are connected. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die feine Strukturierung aus einer statischen, definierten Oberflächenrauhigkeit besteht.Compound according to one of claims 1 to 3, characterized in that the fine structuring there is a static, defined surface roughness. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierung mittels eines Strahlbearbeitungsverfahrens aufgebracht wird.Compound according to one of claims 1 to 4, characterized in that the structuring by means of a beam processing method is applied. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die feine Strukturierung in der Ausbildungsform eines Translationsgitters zur Verfügung gestellt wird.Compound according to one of claims 1 to 3, characterized in that the fine structuring in the training form of a translation grid provided becomes. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierung mittels eines abrasiven Prozesses aufgebracht wird. Compound according to one of claims 1 to 3, characterized in that the structuring by means of an abrasive process is applied. Verbund gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierung mittels eines Heißformgebungsverfahrens aufgebracht wird.Composite according to claim 6, characterized in that the structuring by means of a Hot forming process is applied. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierung derart ausgestaltet ist, dass sie be- und entlüftet werden kann, so dass ein auf der Oberseite und/oder Unterseite des Trägersubstrats befindliches Dünnstsubstrat durch Unterdruck gehalten wird.Compound according to one of claims 1 to 8, characterized in that the structuring in such a way is designed so that it can be ventilated, so that a thin substrate located on the top and / or bottom of the carrier substrate is held by negative pressure. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, am Trägersubstrat eine Vorrichtung zum Be- und Entlüften angeordnet ist.Compound according to one of claims 1 to 9, characterized in that a device on the carrier substrate for ventilation is arranged. Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat im Randbereich des Dünnstsubstrates als nicht strukturierter glatter Glasbereich ausgebildet ist.Compound according to one of claims 1 to 10, characterized in that the carrier substrate in the edge region of the thinnest substrate is designed as a non-structured smooth glass area. Verfahren zur Behandlung und/oder Bearbeitung und/oder zum Transport von Dünnstsubstraten mit folgenden Schritten: 12.1 die Unterseite eines Düstsubstrates wird mit der Oberseite und/oder der Unterseite eines Trägersubstrates lösbar verbunden, ergebend einen Verbund gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10; 12.2 der Verbund wird behandelt und/oder bearbeitet und/oder transportiert; 12.3 nach Beendigung der Behandlung und/oder der Bearbeitung und/oder des Transportes wird das (die) Dünstsubstrat(e) vom Trägersubstrat gelöst.Treatment and / or processing methods and / or for transporting thin substrates with following steps: 12.1 the underside of a spray substrate is with the top and / or the bottom of a carrier substrate solvable connected, resulting in a composite according to any one of claims 1 to 10; 12.2 the association is treated and / or processed and / or transported; 12.3 after the end of treatment and / or processing and / or transport, the vapor substrate (s) is from the carrier substrate solved. Verfahren gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Ablösen des Dünnstsubstrates durch mechanisches Entfernen und/oder Belüften und/oder Brechen entlang eines Initialanrisses erfolgt.Method according to claim 12, characterized in that the detachment of the thin substrate by mechanical Remove and / or aerate and / or Breaking along an initial crack occurs. Verwendung eines Verbundes gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 in einem der nachfolgenden Bereiche: – in der Displayindustrie – zur Herstellung optoelektronischer Bauteile – in der Polymerelektronik – in der Photovoltaik – in der Sensorik – in der Biotechnologie.Use of a composite according to one of claims 1 to 11 in one of the following areas: - in the display industry - for the production optoelectronic components - in polymer electronics - in the photovoltaics - in the sensors - in of biotechnology.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009012394A1 (en) * 2009-03-10 2010-11-18 Schott Ag Housing component, particularly for optoelectronic components, has metallic element and non-metallic element, where the non-metallic element has session layer system on sub-range
US20130105089A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Industrial Technology Research Institute Method for separating substrate assembly
DE202016100186U1 (en) 2015-01-15 2016-02-01 Fhr Anlagenbau Gmbh substrate holder

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10348946B4 (en) * 2003-10-18 2008-01-31 Schott Ag Machining compound for a substrate
DE102004016627A1 (en) 2004-03-29 2005-11-24 Gottlieb Binder Gmbh & Co. Kg display device
CN101242951B (en) 2005-08-09 2012-10-31 旭硝子株式会社 Thin sheet glass laminate and method for manufacturing display using thin sheet glass laminate
EP2128105A4 (en) * 2007-03-12 2013-03-27 Asahi Glass Co Ltd Glass substrate provided with protection glass and method for manufacturing display device using glass substrate provided with protection glass
KR100813851B1 (en) * 2007-04-05 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting device having cathode of transparent conducting oxide layer and method of fabricating the same
TWI514090B (en) * 2007-07-13 2015-12-21 Mapper Lithography Ip Bv A lithography system and a wafer table for supporting a wafer
US8705010B2 (en) 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
US20120255672A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-11 Marshall Dale C Methods and apparatuses for applying a handling tab to continuous glass ribbons
EP2773594B1 (en) * 2011-10-31 2019-03-13 Corning Incorporated Electrostatically pinned glass roll and methods for making
US10077207B2 (en) 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
US9957609B2 (en) 2011-11-30 2018-05-01 Corning Incorporated Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
JP6314136B2 (en) * 2012-07-02 2018-04-18 コーニング インコーポレイテッド Method for processing glass substrate and glass fixture
DE102012215149A1 (en) * 2012-08-27 2014-03-20 Schott Ag Glass substrate tape
CN105143500B (en) * 2012-10-04 2017-10-10 康宁股份有限公司 Optics painting method, equipment and product
TWI591040B (en) 2012-10-22 2017-07-11 康寧公司 Glass webs and methods of splicing
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
TWI617437B (en) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 Facilitated processing for controlling bonding between sheet and carrier
EP2953911A4 (en) * 2013-02-07 2016-10-12 Corning Inc Apparatus and methods of forming flexible glass laminates using electrostatic pinning
CN110202878A (en) * 2013-03-14 2019-09-06 康宁股份有限公司 For manufacturing and the method and apparatus of cutting flexible glass and polymer complex structure
JP6246346B2 (en) 2013-06-20 2017-12-13 ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Thin glass bonded article on support substrate, method for its production and use thereof
DE102013106631B4 (en) 2013-06-25 2017-07-27 Osram Oled Gmbh Method for processing an electronic component and electronic component assembly
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
WO2015112958A1 (en) 2014-01-27 2015-07-30 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
SG11201608442TA (en) 2014-04-09 2016-11-29 Corning Inc Device modified substrate article and methods for making
WO2016025188A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 3M Innovative Properties Company Glass and polymer film assemblies and methods of making
CN106142761A (en) * 2014-10-23 2016-11-23 凤凰集团有限公司 Thin glass processing method
JP2018524201A (en) 2015-05-19 2018-08-30 コーニング インコーポレイテッド Articles and methods for bonding sheets with carriers
CN107810168A (en) 2015-06-26 2018-03-16 康宁股份有限公司 Method and product comprising sheet material and carrier
TW202216444A (en) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 Siloxane plasma polymers for sheet bonding
TWI810161B (en) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 Articles of controllably bonded sheets and methods for making same
WO2019118660A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Corning Incorporated Method for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
CN110497667A (en) * 2019-08-19 2019-11-26 东旭科技集团有限公司 A kind of composite glass and its manufacturing method
CN112158385B (en) * 2020-11-16 2021-06-15 乐清海创智能科技有限公司 Large-scale display blocking pad pasting device
CN114436547A (en) * 2022-03-09 2022-05-06 长沙汇意圆科技有限公司 Manufacturing and processing method of flexible glass product
CN115974419B (en) * 2022-12-15 2023-11-24 东华大学 Zinc-boron-silicon ultraviolet protective coating and ultrathin glass coated with same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009012394A1 (en) * 2009-03-10 2010-11-18 Schott Ag Housing component, particularly for optoelectronic components, has metallic element and non-metallic element, where the non-metallic element has session layer system on sub-range
US20130105089A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Industrial Technology Research Institute Method for separating substrate assembly
DE202016100186U1 (en) 2015-01-15 2016-02-01 Fhr Anlagenbau Gmbh substrate holder

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