DE10321278A1

DE10321278A1 - Ausgasungsfreie Belichtungsmaske

Info

Publication number: DE10321278A1
Application number: DE2003121278
Authority: DE
Inventors: Stefan Geyer
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2003-05-13
Filing date: 2003-05-13
Publication date: 2004-12-30
Also published as: US7344807B2; US20050158635A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Belichtungsmaske (1) zum Strukturieren einer Fotolackschicht auf einer Substratscheibe, bei welcher ein anorganischer Klebstoff (6) als Haftmittel zum Verbinden eines eine lithographische Struktur (3) aufweisenden Retikels (2), eines Rahmens (5) und eines Pellikels (4) verwendet wird. Ein derartiger Klebstoff (6) weist aus chemischen Gründen keine bzw. eine deutlich geringere Neigung zu Ausgasungen auf als ein bei herkömmlichen Belichtungsmasken verwendeter organischer Klebstoff, so dass die Gefahr von auf der lithographischen Struktur (3) angelagerten Partikeln, welche Abbildungsfehler bei einem Belichtungsvorgang hervorrufen können, weitgehend ausgeschlossen ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines solchen anorganischen Klebstoffs (6) sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske (1) mit Hilfe eines solchen anorganischen Klebstoffs (6).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Belichtungsmaske, bei welcher ein anorganischer Klebstoff als Haftmittel zum Verbinden eines Retikels, eines Rahmens und eines Pellikels verwendet wird. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines solchen anorganischen Klebstoffs und ein Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske mit Hilfe eines solchen anorganischen Klebstoffs.

Zur Realisierung hochintegrierter elektrischer Schaltungen mit geringen Strukturdimensionen werden üblicherweise lithographische Strukturierungsverfahren eingesetzt. Hierbei wird eine strahlungsempfindliche Fotolackschicht auf die zu strukturierende Oberfläche einer Halbleiter-Substratscheibe aufgebracht und mit Hilfe von elektromagnetischer Strahlung durch eine Belichtungsmaske belichtet. In der sogenannten Photolithographie wird dabei ultraviolettes Licht eingesetzt. Bei dem Belichtungsvorgang wird eine auf der Belichtungsmaske angeordnete lithographische Struktur auf die Fotolackschicht abgebildet und mit Hilfe nachfolgender Ätzprozesse in die Fotolackschicht und die darunter befindliche Halbleiterschicht übertragen.

Bekannte Belichtungsmasken bestehen aus einer als Retikel bezeichneten transparenten Trägerplatte, auf welcher die lithographische Struktur als strukturierte Chromschicht angeordnet ist. Diese Struktur wird bei dem Belichtungsvorgang entweder in einem Maßstab von 1:1, oder wie bei der heutzutage gängigen verkleinernden Projektionsbelichtung, in einem Verhältnis von beispielsweise 5:1 mit Hilfe eines optischen Linsensystems verkleinert auf die Fotolackschicht der Substratscheibe abgebildet. Die verkleinernde Projektionsbelichtung ermöglicht die Erzeugung sehr kleiner Strukturen.

Um Abbildungsfehler zu vermeiden, welche von auf der lithographischen Struktur zufällig abgelagerten Partikeln herrühren können, wird eine als Pellikel bezeichnete dünne transparente Membran eingesetzt, welche mit Hilfe eines auf dem Retikel angeordneten Rahmens in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur aufgespannt wird, so dass eine Versiegelung der lithographischen Struktur erzielt wird. Durch den verkapselten Aufbau der Belichtungsmaske wird gewährleistet, dass sich einzelne Partikel aus der Umgebung der Belichtungsmaske nicht unmittelbar auf der lithographischen Struktur im optischen Fokus ablagern und dann den Belichtungsvorgang stören könnten.

Das Auflösungsvermögen eines Belichtungsverfahrens und damit die erreichbare Größe der Halbleiterstrukturen wird durch die Wellenlänge der eingesetzten Strahlung begrenzt. Im Zuge einer stetigen in der Halbleiterindustrie geforderten Miniaturisierung dieser Strukturen werden auch immer kleinere Belichtungswellenlängen eingesetzt. Aufgrund einer wellenlängenabhängigen Lichtdurchlässigkeit der Komponenten der Belichtungsmaske werden folglich für kleinere Belichtungswellenlängen auch neue Materialien verwendet.

Das Retikel besteht für eine Belichtungswelle von 436 nm aus Normalglas und für Wellenlängen von 365 nm, 248 nm und 193 nm sowie für die zukünftig eingesetzte Wellenlänge von 157 nm aus Quarzglas.

Das Pellikel ist für Wellenlängen von 436 nm und 365 nm eine Zellulosenitratfolie und für Wellenlängen von 248 nm und 193 nm eine Fluorpolymerfolie. Diese aus organischen Materialien bestehenden Pellikel werden auch als „soft pellicle" bezeichnet. Da eine Fluorpolymerfolie bei einer Belichtungswellenlänge von 193 nm jedoch photochemische Alterungsvorgänge zeigt, ist es günstiger, als Pellikel bei dieser Wellenlänge und insbesondere bei der noch energiereicheren Wellenlänge von 157 nm eine Quarzglasfolie einzusetzen. Ein derartiges Pellikel wird auch „hard pellicle" genannt.

Der Rahmen zum Verbinden von Retikel und Pellikel besteht bei den bisher eingesetzten Belichtungswellenlängen von 436 nm bis 193 nm aus anodisiertem und eingefärbtem Aluminium. Für die zukünftige Belichtungswellenlänge von 157 nm ist es jedoch günstiger, den Rahmen ebenfalls aus Quarzglas auszubilden, um Abbildungsfehler bzw. eine Beschädigung des Pellikels aufgrund einer Durchbiegung bei einer geringen Temperaturänderung wegen der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Quarzglas und Aluminium zu vermeiden.

Als Haftmittel zum Verbinden des Retikels, des Rahmens und des Pellikels werden bei Belichtungsmasken für die bisher eingesetzten Belichtungswellenlängen von 436 nm bis 193 nm organische Klebstoffe, vorwiegend Acrylate verwendet. Bei diesen organischen Verbindungen besteht jedoch das Problem, dass sie zu Ausgasungen neigen und sich dadurch trotz der mit Hilfe des Rahmens und des Pellikels erzielten Versiegelung an der lithographischen Struktur auf dem Retikel Partikel anlagern können. Es ist beispielsweise vorstellbar, dass bei höheren Temperaturen organische Moleküle aus dem Klebstoff ausgasen, sich an thermodynamisch begünstigten Stellen auf der lithographischen Struktur anlagern und infolgedessen Kristalle wachsen. Möglich ist es u. a. auch, dass Bestandteile der Luft mit Ausgasungen des Klebstoffs Kristalle auf der lithographischen Struktur bilden.

Nachteilig ist zudem, dass diese strahlungsbedingten chemischen Reaktionen umso mehr zunehmen, je kleiner die verwendete Belichtungswellenlänge ist, da die Strahlungsenergie bei einer Verkleinerung der Wellenlänge zunimmt. Parallel dazu werden die Maskenstrukturen im Zuge der Miniaturisierung der Halbleiterstrukturen jedoch immer kleiner und dadurch immer störanfälliger für Ablagerungen auf der lithographischen Struktur.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine aus einem Retikel, einem Rahmen und einem Pellikel aufgebaute Belichtungsmaske bereitzustellen, deren Komponenten mit einem Haftmittel verbunden sind, welches keine bzw. eine deutlich geringere Neigung zu Ausgasungen aufweist.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche 1, 4, 7 und 10 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Erfindungsgemäß wird eine Belichtungsmaske mit einem eine lithographische Struktur aufweisenden Retikel, einem Rahmen und einem durch den Rahmen in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur angeordneten Pellikel vorgeschlagen, bei welcher als Haftmittel zum Verbinden von Retikel, Rahmen und Pellikel ein anorganischer Klebstoff eingesetzt wird. Ein derartiger Klebstoff weist aus chemischen Gründen keine bzw. eine deutlich geringere Neigung zu Ausgasungen auf als ein organischer Klebstoff, so dass die Gefahr von auf der lithographischen Struktur angelagerten Partikeln weitgehend ausgeschlossen ist.

Vorzugsweise bestehen das Retikel, der Rahmen und das Pellikel der Belichtungsmaske aus Quarzglas und sind mit einem anorganischen Klebstoff vom Wasserglas-Typ verbunden, welcher wenigstens die Elemente Silizium, Sauerstoff und ein Alkalimetall enthält. Eine derartige vollständig aus anorganischen Quarzglas-Komponenten aufgebaute Belichtungsmaske ist, wie oben erläutert, insbesondere für eine Belichtungswellenlänge von 157 nm geeignet. Da alle Komponenten aus dem gleichen Material bestehen, ergeben sich keine durch unterschiedliche Temperaturausdehnungen hervorgerufene Probleme. Der eingesetzte Klebstoff vom Wasserglas-Typ erzielt auf den Quarzglas-Komponenten gute Haftfestigkeiten und lässt sich einfach und kostengünstig herstellen. Darüber hinaus sind Ausgasungen bei einem derartigen Klebstoff aus chemischen Gründen völlig ausgeschlossen.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Belichtungsmaske wird als Haftmittel eine Kalium-Silikatlösung eingesetzt. Ein derartiges Haftmittel neigt, im Gegensatz zu beispielsweise einer Natrium-Silikatlösung, nicht zu Ausblühungen.

Erfindungsgemäß wird weiter die Verwendung eines anorganischen Klebstoffs als Haftmittel zum Verbinden eines Retikels, eines Rahmens und eines Pellikels einer Belichtungsmaske vorgeschlagen, wobei das Retikel eine lithographische Struktur aufweist und das Pellikel durch den Rahmen in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur angeordnet ist. Entsprechend wird durch die Verwendung eins derartigen Haftmittels, welches keine bzw. eine deutlich geringere Neigung zu Ausgasungen aufweist als ein organischer Klebstoff, die Gefahr von auf der lithographischen Struktur angelagerten Partikeln weitgehend ausgeschlossen.

Weiterhin wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines anorganischen Klebstoffs vorgeschlagen, welcher als Haftmittel zum Verbinden eines Retikels, eines Rahmens und eines Pellikels einer Belichtungsmaske geeignet ist. Dabei wird in einem ersten Verfahrensschritt eine anorganische Klebstofflösung bereitgestellt und diese Lösung in einem zweiten Verfahrensschritt mit einer ersten Filtereinrichtung filtriert, um organische Spuren, welche Ausgasungen hervorrufen können, zu entfernen. Anschließend wird in einem dritten Verfahrensschritt die Lösung mit einer zweiten Filtereinrichtung filtriert, um Partikel zu entfernen. Mit Hilfe dieses Verfahrens, welches insbesondere auch mit handelsüblichen Klebstofflösungen durchgeführt werden kann, lässt sich ein ausgasungsfreier anorganischer Klebstoff einfach und mit geringem Aufwand herstellen.

In der für die Praxis bevorzugten Ausführungsform erfolgt das Filtrieren der Lösung mit einer ersten Filtereinrichtung durch Schütteln der Lösung mit Aktivkohle, wodurch sich orga nische Bestandteile der Lösung sehr zuverlässig entfernen lassen.

Ferner wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske mit einem Retikel, welches eine lithographische Struktur aufweist, einem Rahmen und einem durch den Rahmen in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur angeordneten Pellikel vorgeschlagen, wobei das Retikel, der Rahmen und das Pellikel durch einen anorganischen Klebstoff verbunden sind. Hierbei wird in einem ersten Verfahrensschritt der anorganische Klebstoff auf eine erste Seite des Rahmens und/oder auf eine dem Rahmen zugewandte Seite des Pellikels aufgetragen und in einem zweiten Verfahrensschritt die entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens und des Pellikels aneinandergefügt. Anschließend wird in einem dritten Verfahrensschritt der anorganische Klebstoff auf eine zweite Seite des Rahmens und/oder auf eine mit der lithographischen Struktur versehene Seite des Retikels aufgetragen, in einem vierten Verfahrensschritt die entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens und des Retikels aneinandergefügt und danach in einem fünften Verfahrensschritt der anorganische Klebstoff getrocknet. Mit Hilfe dieses Verfahren lässt sich eine Belichtungsmaske ohne bzw. mit deutlich geringerer Neigung zu Ausgasungen herstellen.

Vorzugsweise erfolgt nach dem zweiten Verfahrensschritt ein zusätzliches Trocknen des Klebstoffs, um die bei einem Trocknungsprozess austretenden Bestandteile, welche auch in den durch Retikel, Rahmen und Pellikel umschlossenen Bereich austreten können, zu minimieren.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:

1 eine schematische Schnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Belichtungsmaske von der Seite,

2 ein Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines anorganischen Kleb stoffs,

3 ein Ablaufdiagramm einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der in 1 dargestellten Belichtungsmaske, und

4 ein Ablaufdiagramm einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der in 1 dargestellten Belichtungsmaske.

1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Belichtungsmaske 1 von der Seite. Die Belichtungsmaske 1 weist eine als Retikel 2 bezeichnete transparente Trägerplatte auf, auf deren Unterseite eine lithographische Struktur 3 aufgebracht ist. Die lithographische Struktur 3 besteht aus einer Chromschicht, welche beispielsweise mit Hilfe von Plasma-Ätzprozessen strukturiert wurde.
Die Belichtungsmaske 1 weist weiter eine als Pellikel 4 bezeichnete dünne transparente Membran und einen Rahmen 5 auf, wobei das Pellikel 4 mit Hilfe des Rahmens 5 in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur 3 aufgespannt ist. Durch diesen dreiteiligen Aufbau der Belichtungsmaske 1 wird eine Versiegelung der lithographischen Struktur 3 erzielt, so dass Abbildungsfehler, welche von auf der lithographischen Struktur 3 zufällig abgelagerten Partikeln aus der Umgebung herrühren können, vermieden werden.
Bei einem Belichtungsvorgang, bei welchem elektromagnetische Strahlung von oben durch das transparente Retikel 2 und das transparente Pellikel 4 hindurchgestrahlt werden, wird die lithographische Struktur 3 auf eine auf einer Substratscheibe aufgebrachte Fotolackschicht unterhalb der Belichtungsmaske 1 abgebildet. Die lithographische Struktur 3 kann hierbei entweder in einem Maßstab von 1:1, oder wie bei der verkleinernden Projektionsbelichtung in einem Verhältnis von beispielsweise 5:1 mit Hilfe eines reduzierenden optischen Linsensystems verkleinert auf die Fotolackschicht abgebildet werden.
Über nachfolgende Ätzprozesse wird diese Struktur anschließend in die Fotolackschicht und die darunter befindliche Halbleiterschicht übertragen.
Das Retikel 2, der Rahmen 5 und das Pellikel 4 bestehen jeweils aus Quarzglas, so dass die aus diesen Komponenten aufgebaute Belichtungsmaske 1 für eine Belichtungswellenlänge von 193 nm und insbesondere für die zukünftig eingesetzte Belichtungswellenlänge von 157 nm geeignet ist. Darüber hinaus ergeben sich keine durch unterschiedliche Temperaturausdehnungen hervorgerufene Probleme wie etwa eine Beschädigung des Pellikels 4, da alle Komponenten aus dem gleichen Material bestehen.
Als Haftmittel zum Verbinden von Retikel 2, Rahmen 5 und Pellikel 4 wird ein anorganischer Klebstoff 6 verwendet. Ein derartiger Klebstoff weist aus chemischen Gründen keine bzw. eine deutlich geringere Neigung zu Ausgasungen auf als ein bei herkömmlichen Belichtungsmasken verwendeter organischer Klebstoff, so dass die Gefahr von auf der lithographischen Struktur 3 angelagerten Partikeln, welche Abbildungsfehler bei einem Belichtungsvorgang hervorgerufen können, weitgehend ausgeschlossen ist.
Der anorganische Klebstoff 6 ist vorzugsweise ein Klebstoff vom Wasserglas-Typ, welcher wenigstens die Elemente Silizium, Sauerstoff und ein Alkalimetall enthält. Ein derartiger Klebstoff zeichnet sich durch eine gute Haftfestigkeit auf den Quarzglas-Komponenten der Belichtungsmaske 1 aus und lässt sich einfach und kostengünstig herstellen. Besonders vorteilhaft ist die Verwendung einer Kalium-Silikatlösung, welche im Gegensatz zu beispielsweise Natrium-Silikatlösung nicht zu Ausblühungen neigt.
2 zeigt ein Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines anorganischen Klebstoffs, welcher zur Verwendung als Haftmittel bei der in 1 darge stellten Belichtungsmaske 1 geeignet ist. Hierbei wird in einem ersten Verfahrensschritt 11 eine anorganische Klebstofflösung bereitgestellt. Anschließend wird diese Lösung in einem zweiten Verfahrensschritt 12 mit einer ersten Filtereinrichtung filtriert, um organische Spuren, welche Ausgasungen hervorrufen können, zu entfernen. Das Entfernen von organischen Bestandteilen der Lösung kann hierbei sehr zuverlässig durch Schütteln der Lösung mit Aktivkohle durchgeführt werden.
Im Anschluss daran wird die anorganische Klebstofflösung in einem dritten Verfahrensschritt 13 mit einer zweiten Filtereinrichtung filtriert, um gröbere Partikel aus der Lösung zu entfernen und somit eine homogene Klebstofflösung zu erhalten. Mittels einer solchen Klebstofflösung lassen sich homogene, verklumpungsfreie Klebeverbindungen erzielen.
Um eine möglichst homogene Klebstofflösung zu erhalten, wird dieser dritte Verfahrensschritt 13 vorzugsweise in zwei Teilschritten durchgeführt. In einem ersten Teilschritt wird die Lösung zunächst von groben Partikeln durch Filtrieren der Lösung über einen Filter mit einer Porenweite von 5 μm befreit, und anschließend von feineren Partikeln durch Filtrieren der Lösung unter Reinraumbedingungen über einen Filter mit einer Porenweite von 0,1 μm.
3 zeigt ein Ablaufdiagramm einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der in 1 dargestellten Belichtungsmaske 1. Hierbei wird in einem ersten Verfahrensschritt 21 der anorganische Klebstoff mit Hilfe einer Walze auf eine erste Seite des Rahmens aufgetragen. Eine wichtige Voraussetzung ist, dass die Flächen, auf welche der anorganische Klebstoff aufgebracht wird, sauber sind und zuvor gegebenenfalls entfettet bzw. gereinigt wurden, um eine gute Haftfestigkeit des Klebstoffs zu erreichen.
Die eingesetzte Walze besteht vorzugsweise aus vernetztem Polyvinylalkohol, wodurch sich der Klebstoff gut als dünne Schicht auf eine Oberfläche auftragen lässt. Danach werden in einem zweiten Verfahrensschritt 22 die entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens und des Pellikels aneinandergefügt.
In einem dritten Verfahrensschritt 23 wird der anorganische Klebstoff auf eine zweite Seite des Rahmens aufgetragen und anschließend in einem vierten Verfahrensschritt 24 die entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens und des Retikels aneinandergefügt.
Nach einem darauf folgenden fünften Verfahrensschritt 25, in welchem der anorganische Klebstoff getrocknet wird, sind Retikel, Rahmen und Pellikel fest miteinander verbunden, so dass die Belichtungsmaske für Belichtungsvorgänge eingesetzt werden kann. Sofern als anorganischer Klebstoff eine Kalium-Silikatlösung verwendet wird, erfolgt das Trocknen des Klebstoffs vorzugsweise bei einer Temperatur von 23°C und einer Luftfeuchtigkeit von 38%. Unter diesen Bedingungen beträgt der Trocknungsvorgang des Klebstoffs etwa 24 Stunden.
Alternativ kann auch eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der in 1 dargestellten Belichtungsmaske durchgeführt werden, dessen Ablaufdiagramm in 4 dargestellt ist. Hierbei wird in einem ersten Verfahrensschritt 31 der anorganische Klebstoff mit einer Dosierkanüle auf eine erste Seite des Rahmens aufgetragen und anschließend in einem zweiten Verfahrensschritt 32 die entsprechenden zu klebenden Flächen des Rahmens und des Pellikels aneinandergefügt. Im Gegensatz zu einer Walze lässt sich der anorganische Klebstoff mit einer Dosierkanüle präziser auf eine Oberfläche auftragen.
Im Anschluss daran wird in einem dritten Verfahrensschritt 33 der anorganische Klebstoff getrocknet, bevor in einem vierten Verfahrensschritt 34 der Klebstoff mit der Dosierkanüle auf eine zweite Seite des Rahmens aufgetragen wird, die entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens und des Retikels in einem fünften Verfahrensschritt 35 aneinandergefügt werden und der Klebstoff in einem sechsten Verfahrensschritt 36 wiederum getrocknet wird.
Das zusätzliche Trocknen des Klebstoffs in dem dritten Verfahrensschritt 33 hat gegenüber dem in 3 dargestellten Verfahren den Vorteil, dass bei einem Trocknungsprozess austretende Bestandteile, welche auch in den durch Retikel, Rahmen und Pellikel umschlossenen Bereich austreten können, minimiert werden.
Anstelle der bisher beschriebenen Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einer Belichtungsmaske sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, die Kombinationen der in 3 und 4 dargestellten Verfahren darstellen. Beispielsweise könnte bei dem in 4 gezeigten Verfahren das Auftragen des anorganischen Klebstoffs anstelle der Dosierkanüle auch mit einer Walze erfolgen. Wahlweise sind auch Ausführungsformen denkbar, bei denen zuerst Rahmen und Retikel und im Anschluss daran Rahmen und Pellikel oder bei denen alle drei Komponenten gleichzeitig aneinandergefügt werden. Zudem kann der anorganische Klebstoff zusätzlich bzw. ausschließlich auf die zu klebenden Flächen von Retikel bzw. Pellikel aufgetragen werden.

1: Belichtungsmaske
2: Retikel
3: Lithographische Struktur
4: Pellikel
5: Rahmen
6: Haftmittel/Anorganischer Klebstoff
11,12,13: Verfahrensschritte
21,22,23: Verfahrensschritte
24,25: Verfahrensschritte
31,32,33: Verfahrensschritte
34,35,36: Verfahrensschritte

Claims

Belichtungsmaske zum Strukturieren einer Fotolackschicht auf einer Substratscheibe, mit einem Retikel (2), welches eine lithographische Struktur (3) aufweist, mit einem Rahmen (5) und mit einem durch den Rahmen (5) in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur (3) angeordneten Pellikel (4), wobei das Retikel (2), der Rahmen (5) und das Pellikel (4) durch ein Haftmittel (6) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass als Haftmittel ein anorganischer Klebstoff (6) eingesetzt wird.
Belichtungsmaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Retikel (2), der Rahmen (5) und das Pellikel (4) aus Quarzglas bestehen und dass als Haftmittel ein anorganischer Klebstoff (6) vom Wasserglas-Typ eingesetzt wird, welcher wenigstens die Elemente Silizium, Sauerstoff und ein Alkalimetall enthält.
Belichtungsmaske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Haftmittel (6) eine Kalium-Silikatlösung eingesetzt wird.
Verwendung eines anorganischen Klebstoffs als Haftmittel zum Verbinden eines Retikels (2), eines Rahmens (5) und eines Pellikels (4) einer Belichtungsmaske (1), wobei das Retikel (2) eine lithographische Struktur (3) aufweist und das Pellikel (4) durch den Rahmen (5) in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur (3) angeordnet ist.
Verwendung eines anorganischen Klebstoffs nach Anspruch 4, wobei das Retikel (2), der Rahmen (5) und das Pellikel (4) aus Quarzglas bestehen und ein anorganischer Klebstoff (6) vom Wasserglas-Typ eingesetzt wird, welcher wenigstens die Elemente Silizium, Sauerstoff und ein Alkalimetall enthält.
Verwendung eines anorganischen Klebstoffs nach Anspruch 5, wobei als Klebstoff (6) eine Kalium-Silikatlösung eingesetzt wird.
Verfahren zum Herstellen eines anorganischen Klebstoffs gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6 mit den Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer anorganischen Klebstofflösung; b) Filtrieren der Lösung mit einer ersten Filtereinrichtung, um organische Spuren zu entfernen; und c) Filtrieren der Lösung mit einer zweiten Filtereinrichtung, um Partikel zu entfernen.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Verfahrensschritt b) durch Schütteln der Lösung mit Aktivkohle erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei der Verfahrensschritt c) folgende Teilschritte umfasst: c1) Grobes Partikelfiltrieren der Lösung über einen Filter mit einer Porenweite von 5 μm; und c2) Feines Partikelfiltrieren der Lösung über einen Filter mit einer Porenweite von 0,1 μm.
Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske, mit einem Retikel (2), welches eine lithographische Struktur (3) aufweist, mit einem Rahmen (5) und mit einem durch den Rahmen (5) in einem definierten Abstand zu der lithographischen Struktur (3) angeordneten Pellikel (4), wobei das Retikel (2), der Rahmen (5) und das Pellikel (4) durch einen anorganischen Klebstoff (6) verbunden sind, mit den Verfahrensschritten: a) Auftragen des anorganischen Klebstoffs (6) auf eine erste Seite des Rahmens (5) und/oder auf eine dem Rahmen (5) zugewandte Seite des Pellikels (4); b) Aneinanderfügen der entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens (5) und des Pellikels (4); c) Auftragen des anorganischen Klebstoffs (6) auf eine zweite Seite des Rahmens (5) und/oder auf eine mit der lithographischen Struktur (3) versehene Seite des Retikels (2); d) Aneinanderfügen der entsprechenden zu klebenden Seiten des Rahmens (5) und des Retikels (2); und e) Trocknen des anorganischen Klebstoffs (6).
Verfahren nach Anspruch 10, wobei zwischen den Verfahrensschritten b) und c) ein Trocknen des anorganischen Klebstoffs (6) durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei das Auftragen des anorganischen Klebstoffs (6) mit einer Walze erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei das Auftragen des anorganischen Klebstoffs (6) mit einer Dosierkanüle erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei ein anorganischer Klebstoff (6) vom Wasserglas-Typ eingesetzt wird, welcher wenigstens die Elemente Silizium, Sauerstoff und ein Alkalimetall enthält.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei als Klebstoff (6) eine Kalium-Silikatlösung eingesetzt wird und das Trocknen dieses Klebstoffs (6) bei einer Temperatur von 23°C und einer Luftfeuchtigkeit von 38% erfolgt.