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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erhöhung der Genauigkeit der Positionierung
eines ersten Objektes relativ zu einem zweiten Objekt, unter Nutzung
einer Erkennung von Strukturen auf dem zweiten Objekt, die eine
minimale Strukturbreite aufweisen, insbesondere zum Einsatz bei
der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Bei dem Verfahren wird zu
einem ersten Zeitpunkt mit einem ersten Erkennungsverfahren die
Lage des ersten Objektes relativ zu einem zweiten Objekt ermittelt.
Die Auflösegenauigkeit
des ersten Erkennungsverfahrens ist dabei höher als die minimale Strukturbreite.
Das erste Objekt wird zu einem zweiten Zeitpunkt auf dem zweiten
Objekt auf einer Objekt-Sollposition positioniert. Dabei ist zumindest
das erste oder das zweite Objekt mittels einer Positioniereinrichtung
bewegbar. während des
Verfahrens werden Bilder eines Beobachtungsbereiches, der zumindest
das erste Objekt und die Sollposition umfasst, erfasst.
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In
vielen Bereichen der Technik ist es erforderlich, Objekte relativ
zueinander mit hoher Präzision
zu positionieren. Auch auf dem Gebiet der Halbleitertechnik besteht
dieses Erfordernis, beispielsweise beim Testen von Halbleiterbauelementen.
Sogenannte Prober dienen dabei dem Testen dieser Halbleiterbauelemente.
Diese Halbleiterbauelemente sind auf Halbleiterscheiben aufgebracht.
Auf einer Halbleiterscheibe befinden sich in der Regel mehrere Halbleiterbauelemente
gleicher Konfiguration. Auf diesen Halbleiterbauelementen sind an
verschiedenen Stellen (bei jedem Halbleiterbauelement auf der Halbleiterscheibe
an der gleichen Stelle) Kontaktinseln angeordnet. Beim Testen werden
diese Kontaktinseln dann von Spitzen an Kontaktiernadeln kontaktiert.
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Mittels
einer solchen Kontaktierung wird dann ein elektrischer Kontakt zu
dem Halbleiterbauelement hergestellt, einerseits um diesen mit bestimmten
Signalen zu beaufschlagen, andererseits um die Reaktion auf diese
Signale zu messen.
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Der
Positionierung der Kontaktiernadel als ein erstes Objekt relativ
zu den Kontaktinseln auf dem Halbleiterbauelement als dem zweiten
Objekt wird nach dem Stand der Technik unter optisch visueller Kontrolle
vorgenommen. Hierbei wird das Halbleiterbauelement von oben mittels
eines Mikroskops beobachtet und dann unter Beobachtung die Nadelspitze
auf die entsprechenden Kontaktinseln positioniert.
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Wenn
einmal die Kontaktnadeln so eingestellt sind, dass sie auf den Kontaktinseln
des Halbleiterbauelementes liegen, ist der Einstellvorgang beendet.
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Es
ist auch möglich,
die Kontaktnadeln mit einer entsprechenden Einstellung auf einer
sogenannten Nadelkarte zu montieren, so dass je Typ eines Halbleiterbauelementes
eine bestimmte Nadelkarte eingesetzt wird.
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Sodann
ist es erforderlich, ein weiteres zu testendes Halbleiterbauelement
unter die eingestellten Kontaktiernadeln so zu bringen, dass die
Kontaktiernadeln wiederum die Kontaktinseln kontaktieren. Ist dies
geschehen, kann der nächste
Testvorgang vorgenommen werden.
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Die
Positionierung eines jeden Halbleiterbauelementes unter der Struktur
von Kontaktnadeln kann manuell unter visueller Beobachtung geschehen.
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Bei
automatischen Probern kann auch jedes Halbleiterbauelement unter
die Struktur von Kontaktiernadeln automatisch gebracht werden, wenn
der Abstand der Halbleiterbauelemente in zwei horizontalen Richtungen
x und y und ein Verdrehwinkel φ bekannt
ist. Dabei wird dann die Verschiebung der Halbleiterscheibe berechnet,
die erforderlich ist, um eine exakte Positionierung vorzunehmen.
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Die
visuelle Beobachtung kann auch mit automatischen Bilderkennungssystemen
vorgenommen werden. Dabei wird eine Mustererkennung (pattern recognition)
vorgenommen, indem zu einem ersten Zeitpunkt von einer Videokamera,
einer CCD-Zeile oder – Matrix
oder anderen Bildaufnahmegeräten ein
Bild des beobachteten Bereiches des Halbleiterbauelementes aufgenommen
wird. Aufgrund der Oberflächenstruktur
des Halbleiterbauelementes weist dieses ein Muster auf. Dieses Muster
ist signifikant für
das Bauelement. Wenn nun ein weiteres gleiches Bauelement getestet
werden soll, dann zeigt dieses das gleiche Muster. Aus der Lagedifferenz zwischen
beiden Mustern kann dann das pattern recognition System geometrische
Korrekturwerte ermitteln, mit denen es ermöglicht wird, das aktuell zu testende
Halbleiterbauelement genau unter die Nadelstruktur mittels einer
Positioniereinrichtung zu positionieren.
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Bei
einer zunehmenden Miniaturisierung der Strukturen auf den Halbleiterbauelementen
werden an die Positionierung des Halbleiterbauelementes zu den Spitzen
der Kontaktiernadeln erhebliche Anforderungen gestellt.
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So
werden zur Kontaktierung von Strukturen bis in Bereiche von 100
nm Breite AFM-Prober eingesetzt, die nach dem Prinzip der Atomkraftmikroskopie (atomic
force microscopie = AFM) arbeiten. Dabei wird die Kontaktiernadel
in einem geringen Abstand über
die Oberfläche
des Halbleiterbauelementes, insbesondere des Bereiches, in dem sich
die Kontaktinsel befindet, bewegt. Durch die Bewegung wird infolge
einer zwischen der Kontaktnadel und der Halbleiteroberfläche auftretenden
Wechselwirkungskraft das Topografiebild des Bereiches der Halbleiteroberfläche gescannt.
Damit wird die exakte Lage der Kontaktinsel ermittelt, ohne dass
eine visuelle Beobachtung erforderlich ist, die wegen der geringen Breite
der Strukturen, die in der Größe der Wellenlänge des
Lichts liegen und damit optisch nicht mehr ausreichend aufgelöst werden
können,
ausgeschlossen ist.
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Die
Kontaktiernadel wird bei AFM-Probern als Cantilever bezeichnet.
Zur Bewegung des Cantilever steht ein Piezo-Antrieb zur Verfügung, mit
dem der Cantilever eine Scan-Bewegung ausführt, um eine Abbild von der
darunter befindlichen Oberfläche, einen
Scan, zu erhalten.
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Beim
Einsatz des AFM-Probers wird zu einem ersten Zeitpunkt der Bereich
der späteren
Kontaktierung mit dem Cantilever gescannt. Nach Vorliegen des Scans
wird die Spitze des Cantilever auf die ermittelte Sollposition gebracht
und zu einem zweiten Zeitpunkt kontaktiert.
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Problematisch
ist dabei, dass Halbleiterscheibe und Cantilever thermischen Einflüssen ausgesetzt
sind. Dies führt
zu einer thermischen Drift in der Zeitspanne zwischen dem ersten
und dem zweiten Zeitpunkt, d.h. allgemein ausgedrückt, entsteht eine
Relativverschiebung zwischen dem ersten und dem zweiten Objekt.
Insbesondere tritt diese Erscheinung beim Testen von Halbleiterbauelementen unter
thermisch kontrollierten Bedingungen auf. Hier wird ein sogenannter
Thermo-Chuck eingesetzt, der einerseits während des Testvorganges die
Halbleiterscheibe festspannt und andererseits eine Solltemperatur
in einem höheren
oder niedrigeren Temperaturbereich im Vergleich zur Raumtemperatur
einstellt. Die Temperaturveränderung
der Halbleiterscheibe hat, beispielsweise in Folge der Wärmestrahlung, auch
Einfluss auf den Antrieb des Cantilever, wodurch die Drift eintritt,
die insbesondere bei den geringen Strukturbreiten nicht mehr vernachlässigt werden
kann, da beim Kontaktieren der Cantilever in Folge der Drift nicht
mehr die Position trifft, die vorher bei dem Scan-Vorgang ermittelt
worden ist.
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Wie
schnell ersichtlich ist, kann hier selbst eine Thermostatierung
der Umgebung keine Abhilfe schaffen, da die Drift durch das Verfahren
selbst generiert wird.
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Diese
Problematik kann auch auf anderen Anwendungsgebieten, insbesondere
auf dem Gebiet der Halbleitertechnik, hier beispielsweise beim Bonden,
auftreten, weshalb in allgemeiner Formulierung von einer Drift zwischen
zwei Objekten auszugehen ist.
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Aufgabe
der Erfindung ist es also, den nachteiligen Einfluss einer thermischen
Drift zwischen einem ersten und einem zweiten Objekt bei einer Positionierung
eines ersten Objektes auf einem zweiten Objekt zu verhindern.
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Gemäß der Erfindung
wird die Aufgabe dadurch gelöst,
dass vor oder zu dem zweiten Zeitpunkt mit einem zweiten Erkennungsverfahren
eine Relativverschiebung des ersten Objektes zu dem zweiten Objekt
bezüglich
des ersten Zeitpunktes, zumindest jedoch zu dessen zeitlicher Nähe ermittelt
wird und die Lage des zweiten Objektes bei der Positionierung auf
dem zweiten Objekt mit Korrekturwerten korrigiert werden, die der
ermittelten Relatiwerschiebung entsprechen.
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Durch
dieses Verfahren wird eine Temperaturdrift, die zwischen dem ersten
Zeitpunkt und dem zweiten liegt, durch die Korrektur über die
festgestellte Relatiwerschiebung eliminiert.
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In
einer günstigen
Ausführung
des Verfahrens ist vorgesehen, dass als zweites Erkennungsverfahren
ein Mustererkennungsverfahren eingesetzt wird. Mustererkennungsverfahren,
auch pattern recognition genannt, nehmen Bilder des Beobachtungsbereiches
auf und erfassen in diesen Bildern enthaltene Muster. Durch einen
Vergleich zweier gleicher Muster, die in der Abbildung gegeneinander
verschoben oder verdreht sind, lassen sich die Koordinatenunterschiede
eines jeden Bildpunktes beider Muster ermitteln. Damit ist die computergestütze Berechnung
der Lageverschiebung beider Muster zueinander möglich. Erfindungs gemäß wird nun
dieses an sich bekannte Verfahren der gesteuerten Positionierung
des ersten Objektes auf dem zweiten Objekt überlagert, wodurch die Lagekorrektur
ermöglicht wird.
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Da
bei den Mustererkennungsverfahren Muster erkannt werden, die nicht
notwendiger Weise scharfe Bilder darstellen müssen ist es möglich, dass die
Auflösegenauigkeit
des Mustererkennungsverfahrens geringer ist, als die minimale Strukturbreite. Dadurch
lässt sich
das erfindungsgemäße Verfahren sehr
einfach und kostengünstig
realisieren.
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Obwohl
es grundsätzlich
möglich
ist, das zweite Erkennungsvefahren in einer Auflösegenauigkeit durchzuführen, die
der minimalen Strukturbreite entspricht oder gar größer ist,
kann auch ein Verfahren zum Einsatz gelangen, das geringere Anforderungen
an die Auflösegenauigkeit
stellt. Beispielsweise ist es möglich,
bei geringen Strukturbreiten in der Halbleitertechnik, die im Wellenlängenbereich
des Lichtes liegen, Rasterelektronenmiskroskope für das zweite
Erkennungsverfahren einzusetzen. Diese Mikroskope würden dann
den Beoabachtungsbereich scharf abbilden. Diese scharfe Abbildung
würde jedoch
für ein
Mustererkennungssystem genauso ein Muster darstellen, wie das Abbild
eines optischen Mikroskopes, das in Folge der Nähe zur Wellenlänge des
Lichtes zwangsläufig
unscharf wäre.
Da die Unschärfe
jedoch die Charakteristik eines Musters (im Unterschied zu einem
Abbild) nicht nachteilig beeinflusst, kann das Mustererkennungsverfahren
also im Lichtbereich arbeiten, d.h. in diesem Beispiel mit einer
geringeren Auflösungsgenauigkeit
als die minimale Strukturbreite.
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Eine
besonders bevorzugte Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
ist durch die Schritte gekennzeichnet,
- – dass die
Positioniereinrichtung zu dem ersten Zeitpunkt T0 in eine Grundposition
x0, y0, φ0
gebracht wird,
- – dass
in zeitlicher Nähe
zu dem ersten Zeitpunkt T0, während sich
die Positioniereinrichtung in der Grundposition x0,
y0, φ0 befindet, mittels des Mustererkennungsverfahrens
ein erstes Bildmuster aus dem Beobachtungsbereich erfasst wird,
das mindestens das zweite Objekt umfasst,
- – dass
in zeitlicher Nähe
zu dem ersten Zeitpunkt T0, während sich
die Positioniereinrichtung in der Grundposition x0,
y0, φ0 befindet, mittels des Mustererkennungsverfahrens
ein zweites Bildmuster aus dem Beobachtungsbereich erfasst wird,
das mindestens das erste Objekt umfasst,
- – dass
die Positioniervorrichtung vor dem zweiten Zeitpunkt, in die Grundposition
x0, y0, φ0 gebracht wird, mittels des Mustererkennungsverfahrens
ein drittes Bildmuster aus dem Beobachtungsbereich erfasst wird,
das mindestens das zweite Objekt umfasst, und mittels des Mustererkennungsverfahrens
ein viertes Bildmuster aus dem Beobachtungsbereich erfasst wird,
das mindestens das erste Objekt umfasst,
- – dass
mittels des Mustererkennungsverfahrens aus dem ersten und dem dritten
Bildmuster eine erste Musterverschiebung des ersten Objektes und
aus dem zweiten und dem vierten Bildmuster zweite Musterverschiebung
ermittelt und aus erster und zweiter Musterverschiebung die Relativverschiebung
berechnet wird und
- – dass
mit der errechneten Releativverschiebung die Sollposition x1, y1, φ1 der Postitioneinrichtung zum zweiten Zeitpunkt
korrigiert wird.
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Durch
diese Ausführungsform
wird die Drift sowohl des ersten als auch des zweiten Objektes bezüglich der
Grundposition der Positioniereinrichtung ermittelt. Damit werden
die Verschiebungen beider Objekte mit einbezogen. Aus der Differenz
der jeweils beiden Bildmuster der beiden Objekte lässt sich die
Verschiebung der Bildmuster des jeweiligen Objektes und damit die
des Objektes selbst ermitteln. Aus den Verschiebungen der beiden
Objekte wird dann die Relativverschiebung beider Objekte zueinander
berechnet, was möglich
wird, da sich die Verschiebungen beider Objekte auf eine gemeinsame Basis,
nämlich
die der Grundposition beziehen.
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Zweckmäßiger Weise
wird bei eine Mustererkennungsverfahren nur in der Grundposition
und in der Sollposition der Positioniereinrichtung nur jeweils ein
gemeinsames Bildmuster des ersten und des zweiten Objektes aufgenommen.
Da das Muster des ersten Objektes als bekannt vorausgesetzt werden kann,
kann dann bereits mittels des Mustererkennungsverfahren das erste
Muster (oder das zweite Muster, wenn dessen Konfiguration bekannt
ist) aus dem gemeinsamen Bildmuster heraus festgestellt werden.
Dabei ist in einer Fortbildung des Verfahrens das erstes Bildmuster
gleich dem zweiten Bildmuster und/oder das dritte Bildmuster gleich
dem vierten Bildmuster.
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In
einer weiteren Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen,
dass nach dem zweiten Objekt die Relativverschiebungen weiterer Objekte
in gleicher Art und Weise ermittelt werden, aus denen bei der Positionierung
der weiteren Objekte auf dem ersten Objekt ebenfalls Korrekturwerte
zur Korrektur derer Sollpositionen ermittelt werden. Werden beispielsweise
mehrere Kontaktnadeln oder Cantilever zum Testen von Halbleiterbauelementen eingesetzt
wird es damit möglich,
sämtliche
Driften aller dieser Objekte zu korrigieren.
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Zur
Sicherstellung, dass die ersten Objekte auch tatsächlich auf
der Objekt-Sollposition verbleiben, auch wenn während des weiteren Ablaufes
nach der Positionierung des ersten Objektes auf dem zweiten Objekt
eine Drift eintritt, ist vorgesehen, dass nach dem zweiten Zeitpunkt
die Ermittlung der Relativverschiebung bezüglich der zeitlichen Nähe des ersten
Zeitpunktes wiederholt wird und die Lage des positionierten ersten
Objektes auf dem zweiten Objekt so nachgeführt wird, dass die Objekt-Sollposition des
ersten Objektes auf dem zweiten Objekt eingehalten wird.
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Die
Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.
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In
den zugehörigen
Zeichnungen zeigt
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1 die Abbildung eines Beobachtungsbereiches
zu dem ersten Zeitpunkt und
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2 die Abbildung des Beobachtungsbereichen
zu dem zweiten Zeitpunkt.
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Das
Ausführungsbeispiel
bezieht sich auf das Testen von Halbleiterbauelementen 1 mittels
eines Cantilevers 2. An dem Cantilever 2 sind
nicht näher
dargestellte elektrisch leitende Verbindungen angeschlossen, die
der Beaufschlagung des 2 mit Testsignalen und der Aufnahme und Weiterleitung
von Reaktionssignalen dienen.
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Der
Cantilever ist auch mit einer nicht näher dargestellten Positioniereinrichtung
verbunden. Diese Positioniereinrichtung wird von einem Piezo-Quarz
angetrieben, das zwar makroskopisch gesehen nur sehr kleine Bewegungen
ausführen
kann, die jedoch mikroskopisch gesehen, den gesamten Beobachtungsbereich überdecken.
Mittels des Piezo-Quarzes können
diese Bewegungen sehr schnell ausgeführt werden, so dass eine Scannen
des Cantilever 2 über
die Oberfläche
des Halbleiterbauelementes 1 erfolgen kann. Über das
Prinzip der Atomkraftmikroskopie wird damit die Oberfläche erfasst. Somit
wird auch die Lage einer Kontaktinsel 3 erfasst, auf die
die Spitze 4 des Cantilever 2 positioniert werden
kann.
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In
der in 1 dargestellten
ersten Position ist die Erfassung der Oberfläche des Halbleiterbauelementes 1 bereits
abgeschlossen. Die Spitze 4 „kennt" also ihre Sollposition auf der Kontaktinsel 3.
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Die
Oberfläche
des Halbleiterbauelementes 1 wird mittels einer CCD-Kamera über den
Beobachtungsbereich 5 beobachtet. Das in 1 und 2 dargestellte
Bild des Beobachtungsbereiches ist nur schematisch dargestellt,
da die minimale Strukturbreite a = 100 nm beträgt und somit sich der Beobachtungsbereich
unscharf abbildet.
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Das
von der CCD-Kamera aufgenommene Bild wird im weiteren Prozess weiter
verarbeitet, wie nachfolgend aufgezeigt wird. Dieses Bild kann auch über einen
Monitor zur Beobachtung des Vorganges angezeigt werden.
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Kurz
vor dem Scannen der Oberfläche
wurde die Halbleiterscheibe auf der sich das Halbleiterbauelement 1,
das in 1 und 2 nur ausschnittsweise dargestellt
ist, befindet, auf einen Thermochuck aufgelegt, um das Testen unter
erhöhten
Temperaturen durchzuführen.
Die Halbleiterscheibe wird also aufgeheizt. Bei dem in 1 dargestellten ersten Zeitpunkt
hält der
Aufheizprozess noch an.
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Durch
den Aufheizprozess entsteht eine thermische Drift, die in 2 sichtbar wird. 2 stellt den Beobachtungsbereich
zum zweiten Zeitpunkt dar. Dort ist mit gestrichelten Linien die
Lage des Cantilever 2, der Kontaktinsel 3 und
weiterer Strukturelemente 6 aus 1 dargestellt. Damit wird die Drift zwischen
dem ersten und dem zweiten Zeitpunkt in Form einer Verschiebung ΔyObj2, ΔxObj2 der Kontaktinsel 3 und der
Strukturelemente 6 in x- bzw. y-Richtung und einer Verschiebung ΔyObj1 des Cantilever 2 in y-Richtung
sichtbar. Der Cantilever 2 hat keine Drift in x-Richtung
erfahren und weder der Cantilever 2 noch das Halbleiterbauelement 1 hat
eine Winkelverschiebung um den Drehwinkel φ erfahren.
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Das
Ausführungsbeispiel
wird mit nur einem Cantilever 2 beschrieben. Allerdings
werden in der Praxis mehrere Cantilever zum Einsatz gelangen, wobei
das nachfolgend beschriebene Verfahren in entsprechender Weise angewandt
wird.
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Direkt
nach dem oben beschriebenen Scan wird kurz nach dem ersten Zeitpunkt
T0 mit der Positioniereinrichtung in die
Grundpo sition x0, y0, φ0 gefahren. Dort wird ein Bildmuster entnommen,
das mit dem Bildmuster in der Grundposition x0,
y0, φ0 zum zweiten Zeitpunkt T1 verglichen
wird. Aus dem Mustervergleich wird die Relativverschiebung zwischen dem
Halbleiterbauelement 1 und dem Cantilever 2 aus
den Verschiebungen Δy'Obj2, Δx'Obj2 und Δy'Obj1 der Bildmuster,
die den realen Verschiebungen ΔyObj2 ΔxObj2 und ΔyObj1 der beiden Objekte entsprechen, errechnet
. Bei einer Einstellung der Sollposition x1,
y1, φ1 zur Erzielung einer Objekt-Sollposition,
in der der Cantilever 2 über der Kontaktinsel 3 liegt,
wird mit der Relativverschiebung die Sollposition x1,
y1, φ1 korrigierend berechnet.
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Üblicher
Weise werden für
die Ermittlung der Verschiebungen Δy'Obj2, Δx'Obj2 und Δy'Obj1 der
Bildmuster je nur ein Bildmuster des ersten und zweiten Zeitpunktes
eingesetzt. Hierbei ist es erforderlich, dass dem System die Struktur
des Cantilevers und das Bildmuster des Halbleiterbauelementes 1 gelehrt wird.
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Für einen
Cantilever werden folgende Schritte vollzogen:
- 1.
Einlernen der Cantilever-Modelle (als Standardmodelle, nur notwendig
bei einem neuen Cantilever-Typ oder bei einer anderen Vergrößerung
- 2. Kalibrieren des Mustererkennungssystems zum Positionierantrieb
des jeweiligen Cantilever 2 (nur bei Neuinstallation oder Änderung
der Vergrößerung,
- 3. Anfahren des Beobachtungsbereiches 5,
- 4. Herausfahren des Cantilevers 2 aus dem Beobachtungsbereich 5,
- 5. Automatischen Einlernen der Struktur des Halbleiterbauelementes 1,
- 6. Scannen und Fahren in Grundposition,
- 7. Erfassen der Struktur- und Cantilever-Koordinaten,
- 8. Nachregelung der Cantileverpositionen relativ zu den Strukturkoordinaten
mit Hilfe der Positioniereinrichtung,
- 9. Erneutes Erfassen der Struktur- und Cantilever-Koordinaten und eventuelle
Nachkorrektur (sukzessive Approximation)
- 10. Fahren in Objekt-Sollposition.
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Für einen
Fall mit mehreren Cantilevern werden folgende Schritte vollzogen:
- 1. Einlernen der Cantilever-Modelle (als Standardmodelle,
nur notwendig bei einem neuen Cantilever-Typ oder bei einer anderen
Vergrößerung
- 2. Kalibrieren des Mustererkennungssystems zum Positionierantrieb
des jeweiligen Cantilever 2 (nur bei Neuinstallation oder Änderung
der Vergrößerung,
- 3. Anfahren und Einlernen einer speziellen Teststruktur,
- 4. Kontakt-Fahren aller Cantileverspitzen 4 auf der
Teststruktur und Erfassen der Struktur- und Canteliver-Koordinaten,
- 5. Sannnen mit einem Cantilever,
- 6. Fahren in Grundposition der jeweiligen Kontaktposition (die
Kontatkposition, die einem Cantilever entspricht) und Erfassen der
Teststruktur- und Cantilever-Kooerdinaten,
- 7. Anfahren des Beobachtungsbereiches 5,
- 8. Herausfahren des Cantilevers 2 aus dem Beobachtungsbereich 5,
- 9. Automatisches Einlernen der Struktur des Halbleiterbau-elementes 1,
- 10. Scannen und Fahren in Grundposition,
- 11. Erfassen der Struktur- und Cantilever-Koordinaten,
- 12. Nachregelung der Cantileverpositionen relativ zu den Strukturkoordinaten
mit Hilfe der Positioniereinrichtung,
- 13. Erneutes Erfassen der Struktur- und Cantilever-Koordinaten und eventuelle
Nachkorrektur (sukzessive Approximation)
- 14. Fahren in Objekt-Sollposition.
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- 1
- Halbleiterbauelement
- 2
- Cantilever
- 3
- Kontaktinsel
- 4
- Spitze
des Cantilever
- 5
- Beobachtungsbereich
- 6
- Strukturelement