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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein sicheres Speichersystem
mit einem Flash-Speicher
und einem Cache-Speicher und insbesondere auch ein sicheres Speichersystem
mit Flash-Speicher und Cache-Speicher in Smart-Cards oder Smart-Card-ICs
(integrierte Schaltungen).
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Ein
permanenter nichtflüchtiger
Speicher ist ein Schlüsselelement
in der Entwicklung eines weiten Bereiches von Anwendungen und Märkten.
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Seit
der Einführung
des ersten PROM bis hin zu dem neu verfügbaren FeRAM (ferroelektrisches RAM)
und dem MRAM (magnetisches RAM) ermöglicht jede Art von programmierbaren
nichtflüchtigem Speicher
unübertroffene
Lösungen
für Schlüsselanforderungen
der Benutzer. Es sei hier zum Beispiel die Ersetzung von ROM für eine höhere Flexibilität und einer
schnelleren Markteinführung
sowie die Anwendung von entfernbaren Speichergeräten hoher Kapazität in Verbrauchermärkten (z.B.
digitale Kameras, PDAs) genannt.
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Die
für jede
Anwendungsumgebung vorgegebenen Erfordernisse und Begrenzungen bestimmen
die Art des progammierbaren nichtflüchtigen Speichers, der in ein
gegebenes Gerät
zu implementieren ist. In den meisten Fällen besteht eine exakte Übereinstimmung
zwischen den Spezifikationen des Gerätes und der Charakteristik
einer Speicherart. Allerdings gibt es spezifische Anwendungen, die
spezifische Erfordernisse und Begrenzungen haben, die manchmal eine
Kombination von einigen Speichercharakteristiken erfordern, die
nicht durch eine Art des nichtflüchtigen
Speichers abgedeckt sind. Smart-Cards finden sich unter diesen.
Eine typische Smart-Card-Vorrichtung hat eine kleine Mikrosteuereinheit
(mit z.B. 5 bis 8 Eingabe-/Ausgabeanschlußstiften),
die um ihren CPU-Kern zweckbestimmte Ein gabe- und Ausgabegeräte für bestimmte
Anwendungen und Speicher aufweist, der ROM in der Größe von einigen
hundert Kilobyte, teilpermanenten, nichtflüchtigen Speicher in der Größe von einigen
zehn Kilobyte und SRAM in der Größe von einigen
Kilobyte mischt. Eine Smart-Card-Vorrichtung vereinigt die am meisten
begrenzenden Anforderungen für
programmierbare, nichtflüchtige
Speicher, indem es ihn für
Daten und Anwendungen im Native-Interpreted-Modus benutzt.
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Da
die elektrische Stromzufuhr nicht in der Smart-Card integriert ist,
stammt eine Begrenzung von der Anwendungsumgebung. Der Strom wird durch
ein zweckbestimmtes Lesegerät
zugeführt
(Die Integration einer dünnen
Batterie in die Karte ist technisch möglich, aber nicht ökonomisch
sinnvoll). Dies erfordert es, dass, wenn das Smart-Card-Gerät seine Anwendungsdaten
behandelt, es die Behandlung zu sichern hat, um die Datenintegrität selbst
in de Fall einer Stromunterbrechung zu gewährleisten.
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Die
Art des nichtflüchtigen
Speichers, die am besten diese Anforderung erfüllt, sollte erlauben, dass
die Daten auf einer Wort-zu-Wort-Basis reprogrammiert werden können. Diese
Eigenschaft erleichtert die Durchführung von Sicherungsmechanismen
und verringert den Umfang von Integritätsverlusten, falls welche auftreten.
Um den Einschluss des Leistungsverlustes auf der Anwendungsebene
zu minimieren, die durch die Verwaltung des nichtflüchtigen
Speichers eingeführt
wird (das auch die Sicherungsverwaltung einschließt), sind
auch schnelle Lösch-
und Programmierzüge
erforderlich. Eine Begrenzung bezieht sich auf die Betriebslebensdauer. Die
Beanspruchung, die durch aufeinanderfolgende Vorgänge von
Neuprogrammierungen auf den teilpermanenten, nichtflüchtigen
Speicher eingeführt werden,
verändern
seine Lebensdauer. Da es schwierig ist, die Anzahl von Datenaktualisierungen, die
innerhalb der Lebensdauer einer Smart-Card durchgeführt werden,
vorherzusagen, ist nichtflüchtiger
Speicher hoher Lebensdauer erforderlich (mindestens hunderttausend
Programmierzyklen). Eine andere Begrenzung bezieht sich auf die
physikalischen Abgrenzungen. Um die mechanische Beanspruchung zu
minimieren und um es in ein Smart-Card-Mikromodulgehäuse einupassen,
ist die physikalische Größe des Halbleiterplättchens
einer Smart-Card-Vorrichtung begrenzt (der maximale Platzbedarf,
der üblicherweise
in der Industrie akzeptiert wird, beträgt 25 mm2).
Diese Begrenzung hat einen direkten Einfluß auf die gesamte Speicherkapazität des nichtflüchtigen
Speichers, der in das Gerät integriert
werden kann, da dem nichtflüchtigen
Speicher im allgemeinen mehr als 60% der gesamten Größe des Halbleiterplättchens
zukommt. In Abhängigkeit
von der Anwendung (z.B. GSM oder Bankgeschäfte) beeinflusst schließlich die
Begrenzung des Stromverbrauchs die Strategie der Neuprogrammierung,
die normalerweise hohe Spannungen erfordert.
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Unter
den programmierbaren, nichtflüchtigen Speichern
sind EEPROMs, Flash-Speicher und FeRAMs die besten Kanditaten, die
sich für
eine Smart-Card-Vorrichtung eignen.
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EEPROM
ist eine robuste und erprobte Technologie, die seit dem Anfang in
Smart-Card-Geräten verwendet
wird und die den meisten Anforderungen entspricht: Wortlöschzugriff
und Wortprogrammzugriff mit ausreichenden Zeiten (einige Millisekunden) bei
Nativanwendungen, hohe Lebensdauer, ein annehmbarer Platzbedarf
für Speicherkapazität bis zu 64
KB und einen akzeptablen Stromverbrauch. EEPROM erreicht die Grenzen,
wenn es zusammen mit der Java-Card-Technologie verwendet wird (die
einen schnellen Wortaktualisierungszugriff erfordert, um entsprechende
Anwendungsleistungen zu erbringen) und für Speicherkapazitäten von
128 und mehr KB. Das Verkleinern der EEPROM-Technologie unter 0,25
mm ist aufgrund der Hochspannungserfordernis für Lösch- und Programmiervorgänge auch
ein Problem.
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Ein
Flash-Speicher ist so robust wie EEPROMs. Er hat das beste Verhältnis von
Speicherkapazität
gegenüber
dem Platzbedarf und hat mit EEPROM vergleichbare Programmierungszeiten,
Lebensdauer und Strombedarf. Flash-Speicher sind in einer Technologie
kleiner als 0,25 μm
verfügbar.
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Obwohl
der Flash-Speicher die ideale Lösung
zum Speichern von Anwendungen ist, ist er dies nicht für den Fall
von Anwendungsdaten. In seinem üblichen
Aufbau (d.h. Aufbau in großen
(größer als
1 KB) programmierbaren Sektoren) erlaubt der Flash-Speicher keinen
Wortlöschzugriff
Das Emulieren dieser Funktion hat größere Auswirkungen auf Seiten
des Platzbedarfs, wodurch der Flash-Speicher seinen großen Vorteil
verliert.
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Der
FeRAM ist eine sehr neue Technologie, die noch nicht in der Massenproduktion
erprobt ist. Seine großen
Vorteile sind Wortzugriff und Sofortaktualisierungszugriff (wenige
hundert Nanosekunden), was eine Verwaltung des nichtflüchtigen
Speichers wie RAM ermöglicht.
FeRAM steht in einer Technologie kleiner als 0,25 μm zur Verfügung. Er
erfordert keine hohen Spannungen zum Neuprogrammieren, wodurch er
sich als nichtflüchtiger
Speicher geringen Stromverbauches auszeichnet. Neueste technologische
Entwicklungen zeigen eine sehr hohe Lebensdauer.
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Da
die Dichte des FeRAMs (2T/2C-Struktur) näher zu der des EEPROM ist,
ist er nicht für
Speicherkapazitäten
von 128 und mehr KB bei sehr begrenzten Größen des Halbleiterplättchens
geeignet. EEPROM ist der beste Kompromiß, um bis zu einem bestimmten
Niveau von Speicherfähigkeiten
für Anwendungen
von Daten all die Anforderungen bei Smart-Card-Vorrichtungen abzudecken. Es zeigen sich
klare Grenzen, die schnell anwachsenden Anforderungen der Benutzer
anzusprechen. Es ist kein teilpermanenter, nichtflüchtigen
Speicher verfügbar, der
selber alle Anforderungen bei der Ersetzung von EEPROM erfüllt.
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Das
Mischen von Flash-Speicher, um Anwendungen zu speichern, und EEPROM
oder FeRAM, um Daten zu speichern, ist durchführbar. Allerdings ist diese
Art des Mischens ökonomisch
nicht sinnvoll und erfordert Trennung von Programmcode und Daten
mit den entsprechenden Begrenzungen der Größe und geringerer Flexibilität bei Gebrauch des
nichtflüchtigen
Speichers.
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Die
Aufgabe der Erfindung ist es, ein teilpermanentes Speichersystem
mit nichtflüchtigem
Speicher bereitzustellen, das große Speicherkapazitäten innerhalb
desselben Platzbedarfes wie Standard-Flash-Speicher mit der Fähigkeit
der sofortigen Wort-für-Wort-Neuprogrammierung
des gesamten Speichers auf eine sichere Art vereinigt.
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Diese
Erfindung soll für
Smart-Card-Vorrichtungen als ein Ersatz des EEPROMs benutzt werden, um
große
Speicherkapazitäten
(bis zu einigen MB) mit einem schnellen Direktzugriff anzusprechen,
um die effektive Betriebsbandbreite des Systems zu erhöhen.
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Diese
und weitere Aufgaben der Erfindung werden durch eine miniaturisierte
Datenverarbeitungs- und Speichereinheit nach Anspruch 1 gelöst. Die
abhängigen
Ansprüche
betreffen vorteilhafte Weiterentwicklungen der Erfindung.
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Bei
einem herkömmlichen
Speichersystem mit Cache-Speicher und Flash-Speicher wird auf den Flash-Speicher
codeunabhängig über den
Cache-Speicher zugegriffen, der aus einem kleinen SRAM-Puffer gebildet
wird, um die effektive Betriebsbandbreite des Systems zu erhöhen. Die
vorgeschlagene Verbesserung des herkömmlichen Speichersystems mit
Cache-Speicher und Flash-Speicher sichert selbst für den Fall
einer Stromunterbrechung die Erhaltung der programmierten Daten.
In dem man anstelle von SRAM FeRAM verwendet, wird der Cache-Speicher
selbst nichtflüchtig
. Da der Cache-Speicher auch frei in wenigen hundert Nanosekunden
neu programmiert werden kann, arbeitet das Gesamtsystem (Flash-Speicher
+ FeRAM) als ein nichtflüchtiger
RAM. Weiterhin kann jeder schnelle und teilpermanente nichtflüchtige Speicher
mit Wortzugriff (wie herkömmliche
nichtflüchtige
RAMs oder auch MRAMs) anstelle von FeRAM verwendet werden.
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1 ist ein Blockdiagramm,
das schematisch den Aufbau des sicheren Speichersystems mit Cache-Speicher
und Flash-Speicher zeigt;
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2A ist eine schematische
Darstellung, die das dynamische Spiegeln von Sektoren darstellt;
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2B ist eine schematische
Darstellung, die das dynamische Spiegeln von Worten darstellt;
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3A ist ein Flußdiagramm
für das
Auslesen eines Wortes nach 2A;
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3B ist in Flußdiagramm
für das
Auslesen eines Wortes nach 2B;
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4A ist ein Flußdiagramm
für das
Aktualisieren von Adressen und Worten nach 2A;
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4B ist ein Flußdiagramm
für das
Aktualisieren von Worten und Adressen nach 2B.
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1 stellt die Anordnung der
Datenflüsse des
sicheren Speichersystems mit Cache-Speicher und Flash-Speicher dar.
Das System wird von einer Steuereinheit 1001 gebildet,
die als die Schnittstelle zwischen dem nicht dargestellten CPU-Kern
und dem Flash-Speicher dient. Die Steureinheit verbindet einerseits
einen teilpermanenten, nichtflüchtigen
Cache-Speicher 1002,
der aus einer geringen Menge von zum Beispiel FeRAM-Bereich gebildet
wird, und andererseits eine große
Menge von teilpermanentem Flash-Bereich 1003.
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Die
CPU, die mit dem Speichersystem verbunden ist, sieht es als einen
großen
zusammenhängenden
Direktzugriffsspeicherbereich, dessen Größe dem Flash-Speicher entspricht.
Der Speicheraufbau innerhalb des Speichersystems wird im folgenden beschrieben.
Der Flash-Speicher 1003 ist ein zusammenhängender
Bereich von Flash-Speicher, der physikalisch in zusammenhängende Sektoren
geteilt ist. Die Größe des Flash-Speichers
beträgt
einige hundert KB. Die Größe eines
Sektors beträgt
wenige KB, wobei eine übliche
Sektorgröße 2 KB
ist. Mögliche Vorgänge in den
Flash-Speichern sind: Lesen eines Wortes (in wenigen hundert Nanosekunden),
Programmieren eines Wortes (in wenigen Mikrosekunden) und das Löschen eines
Sektors (in wenigen Mikrosekunden).
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Der
nichtflüchtige
Cache-Speicher 1002 weist zum Beispiel einen zusammenhängenden
Bereich von FeRAM-Speicher auf. Die Größe des Caches beträgt wenige
KB. Mögliche
Vorgänge
in dem Cache-Speicher sind: Lesen eines Wortes (in wenigen hundert
Nanosekunden) und das Aktualisieren eines Wortes (in wenigen hundert
Nanosekunden).
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Es
gibt zwei Möglichkeiten,
den nichtflüchtigen
Cache-Speicher 1002 zu organisieren. Bei der ersten Möglichkeit
(im folgenden als Möglichkeit 1 bezeichnet)
wird der Cache-Speicher
(zum Beispiel FeRAM) in Cache-Sektoren unterteilt, wobei die Größe eines
Cache-Sektors der Größe eines
Sektors des Flash-Speichers 1003 angepasst ist. Bei dieser Möglichkeit
ist ein Cache-Sektor ein Abbild von einem Flash-Sektor. Wie in 2A ge zeigt, führt die Steuereinheit
einen Spiegelmechanismus von Sektoren zwischen den Cache-Sektoren
und den Flash-Sektoren durch.
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Bei
der zweiten Möglichkeit
(im folgenden als Möglichkeit 2 bezeichnet)
wird der Cache-Speicher logisch
in differenzierte Bereiche unterteilt, wobei ein Bereich die Adressen
der Worte speichert, die im Flash-Speicher 1003 abgeändert wurden,
und ein Bereich (derselben Größe) die
Werte der abgeänderten
Worte speichert. Wie in 2B gezeigt,
führt die Steuereinheit
einen Spiegelmechanismus zwischen den Worten im Cache-Speicher 1002 und
den Worten im Flash-Speicher 1003 durch. Ein letzter Bereich des
Cache-Speichers wird als ein Datenpuffer benutzt, um auf eine sichere
Art im Flash zu programmieren und zu aktualisieren.
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Bei
beiden Möglichkeiten
weist ein nichtflüchtiger
Systembereich, der mit dem Cache-Speicher
verbunden ist, die notwendigen Informationen für das System auf, um den Speichermechanismus zu
verwalten. Der Vorteil von Möglichkeit 1 ist
die Ausführung
einer einfachen Steuereinheit. Der Vorteil von Möglichkeit 2 ist der
Anstieg der Betriebslebensdauer des Flashs 1003.
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Ein
Lesevorgang nach Möglichkeit 1 wird
im folgenden beschrieben. Um ein Wort aus dem sicheren Speichersystem
mit Cache-Speicher und Flash-Speicher auszulesen, wird die Adresse
auf der Adressenleitung 1020 eingestellt und der Lesevorgang über die
Vorgangsleitung 122 ausgelöst. 3A ist ein Flußdiagramm zur Steuerlogik der
Sequenzen zum Auslesen aus dem sicheren Speichersystem mit Cache-Speicher
und Flash-Speicher, wenn der nichtflüchtige Cache-Speicher 1002 nach Möglichkeit 1 aufgebaut
ist.
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Wenn
durch die Vorgangsleitung 1022 ein Lesevorgang ausgelöst wird,
erfasst die Steuereinheit 1001 die Adresse auf der Adressenleitung 1020 und
prüft,
ob sie von einem der Cache-Sektoren abgebildet wird (d.h. einer
der logischen Sektoren in dem nichtflüchtigen Cache-Speicher 1002 spiegelt den
Sektor im Flash-Speicher 1003, die die Adresse enthält).
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Wenn
die Adressen nicht von dem nichtflüchtigen Cache-Speicher 1002 abgebildet
wird, setzt die Steuereinheit 1001 die Adresse auf der
Adressenleitung 1013 und löst einen Lesevorgang auf der
Steuerleitung 1015 aus. Daraufhin gibt der Flash-Speicher 1003 das
Wort aus, der an der Adresse auf der Datenleitung 1014 gelesen
wird.
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Wenn
die Adresse durch den nichtflüchtigen Flash-Speicher 1002 abgebildet
wird, berechnet die Steuereinheit mittels der Informationen, die
in dem nichtflüchtigen
Systembereich verfügbar
sind, die Adresse (Versatz) in dem Cache-Sektor, der der Adresse
im Flash-Speicher entspricht. Sie setzt die berechnete Adresse (Versatz)
auf der Adressenleitung 1010 und löst einen Lesevorgang auf der
Steuereleitung 1012 aus. Daraufhin gibt der nichtflüchtige Cache-Speicher 1002 das
Wort auf der Datenleitung 1011 aus, das an der berechneten
Adresse (Versatz) gelesen wird.
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Sobald
das Zielwort erfasst wird, gibt die Steuereinheit 1001 es
auf der Datenleitung 1023 aus, zeigt den Betriebszustand
auf der Zustandsleitung 1023 an und beendet den Vorgang
(und wartet auf den nächsten
Vorgang).
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Hinsichtlich
des Lesevorgangs nach der zweiten Möglichkeit wird auf das Flußdiagramm
der 3B verwiesen.
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Um
ein Wort in dem sicheren Speichersystem mit Cache-Speicher und Flash-Speicher
zu aktualisieren, wird die Adresse auf der Adressenleitung 1020 eingestellt,
wird das Wort auf der Datenleitung 1021 eingestellt und
der Aktualisierungsvorgang über
die Vorgangsleitung 1022 ausgelöst. 4A ist ein Flußdiagramm der Steuerlogik zum
Aktualisieren des sicheren Speichersystems mit Cache-Speicher und
Flash-Speicher, wenn der nichtflüchtige
Cache-Speicher 1002 nach Möglichkeit 1 aufgebaut
ist.
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Sobald
durch die Vorgangsleitung 1022 ein Aktualisierungsvorgang
ausgelöst
wird, erfasst die Steuereinheit 1001 die Adresse auf der
Adressenleitung 1020 und erfasst die Daten auf der Datenleitung 1021.
Die Steuereinheit prüft
dann, ob die Adresse durch einen der Cache-Sektoren abgebildet wird (Das
heißt
einer der logischen Sektoren in dem nicht flüchtigen Cache-Speicher 1002 spiegelt
den Sektor im Flash-Speicher 1003, der die Adresse ADDR
enthält).
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Wenn
die Adresse von dem nichtflüchtigen Cache-Speicher 1002 abgebildet
wird, berechnet die Steuereinheit 1001 die Adresse (Versatz)
in dem Cache-Sektor, der der Adresse in dem Flash-Speicher entspricht.
Sie setzt die Daten auf die Datenleitung 1011, setzt die
berechnete Adresse (Versatz) auf die Adressenleitung 1010 und
löst einen
Aktualisierungsvorgang auf der Steuerleitung 1012 aus.
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Wenn
die Adresse nicht durch den nichtflüchtigen Cache-Speicher 1002 abgebildet
wird, überprüft die Steuereinheit 1001 die
Verfügbarkeit
eines Cache-Sektors, um den Flash-Sektor zu spiegeln, der die Adresse
enthält.
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Wenn
eine odere mehrere Cache-Sektoren frei sind (d.h. sie spiegeln keinen
Flash-Sektor), wählt die
Steuereinheit 1001 einen Sektor aus (Schritt 4001 beliebige
Auswahl), um den Flash-Sektor zu spiegeln, der die Adresse ADDR
enthält.
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Wenn
kein Cache-Sektor frei ist, wählt
die Steuereinheit 1001 vor dem Spiegeln des Flash-Sektors, der die
Adresse ADDR enthält,
einen zu löschenden
Sektor aus. Diese Auswahl (Schritt 1002) kann auf verschiedenen
Strategien beruhen. Die zu beschreibenden Sektoren können zum
Beispiel zufällig,
nacheinander oder dem Alter nach ausgewählt werden.
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Der
Löschvorgang
des Cache-Sektors wird wie folgt durchgeführt. Die Steuereinheit 1001 setzt die
Startadresse des Flash-Sektors auf der Adressenleitung 1013,
die durch den ausgewählten
Sektor gespiegelt wird, den letzten Löschvorgang auf der Vorgangsleitung 1015,
um den gesamten Flash-Sektor zu löschen, sie wartet auf das Ende
des Löschvorgangs,
der durch die Zustandsleitung 1016 angezeigt wird, und
kopiert dann den gesamten ausgewählten Cache-Sektor
zu seinem entsprechenden Flash-Sektor.
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Das
Kopieren eines Wortes von einem Cache-Sektor zu seinem entsprechenden
Flash-Sektor wird wie folgt durchgeführt. Die Steuereinheit 1001 setzt
die Cache-Sektor-Adresse auf der Adressenleitung 1010,
sie setzt den Lesevorgang auf der Steuerleitung 1012, sie
erfasst das auf der Datenleitung 1011 gelesene Wort, sie
setzt dieses Wort auf die Datenleitung 1014, sie setzt
auf der Adressleitung 1013 die Flash-Adresse, die der Cache-Sektor-Adresse entspricht,
sie setzt auf der Steuerleitung 1015 den Programmvorgang
und wartet auf das Ende des Programmvorgangs, der durch die Zustandsleitung 1016 angezeigt
wird. Um einen gesamten Cache-Sektor zu kopieren, wird der Vorgang
für jede
Adresse des gegebenen Sektors wiederholt.
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Sobald
ein Cache-Sektor (frei oder gelöscht) ausgewählt ist,
wird diesem Sektor der Flash-Sektor kopiert,
der die Adresse ADDR enthält.
Das Spiegeln des Flash-Sektors in dem nichtflüchtigen Cache-Speicher 1002 ist
vollendet, sobald der nichtflüchtige
Systembereich mit der Sektoridentifikation aktualisiert ist.
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Das
Kopieren eines Wortes von einem Flash-Sektor zu seinem entsprechenden
Cache-Sektor wird
wie folgt durchgeführt.
Die Steuereinheit 1001 setzt auf der Adressenleitung 1013 die Flash-Adresse,
die der Cache-Sektoren-Adresse entspricht, sie setzt den Lesevorgang
auf der Steuerleitung 1015, sie erfasst das auf der Datenleitung 1014 gelesene
Wort, sie setzt dieses Wort auf die Datenleitung 1011,
sie setzt auf der Adressenleitung 1010 die Cache-Sektor-Adresse
und setzt auf der Steuerleitung 1012 den Aktualisierungsvorgang.
Um einen gesamten Flash-Sektor zu kopieren, wird der Vorgang für jede Adresse
in dem gegebenen Sektor wiederholt.
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Sobald
der Flash-Sektor gespiegelt ist, berechnet die Steuereinheit 1001 mittels
der Informationen, die in dem nichtflüchtigen Systembereich zur Verfügung stehen,
die Adresse (Versatz) in dem Cache-Sektor, der der Adresse im Flash
entspricht, setzt sie die berechnete Adresse (Versatz) auf die Adressleitung 1010,
setzt sie die Daten WORD auf die Datenleitung 1011 und
löst einen
Aktualisierungsvorgang auf der Steuerleitung 1012 aus.
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Während der
Kopiervorgänge,
die vor dem Aktualisieren des Caches durchgeführt werden können, wird
der nichtflüchtige
Systembereich benutzt, um die vollständige Wiederherstellung der
Speicherkonfiguration im Fall einer Stromunterbrechung zu gewährleisten.
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Die
Fortschritte der Lösch-
und Kopiervorgänge
werden automatisch in dem Systembereich aufgezeichnet, um eine Wiederherstellung
im Falle jeglicher unerwarteter Unterbrechungen während der Ausführung der
Schritte 4003, 4004, 4005 und 4006 zu
ermöglichen.
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Hinsichtlich
der Aktualisierungsvorgänge nach
Möglichkeit 2 wird
auf das Flußdiagramm
der 4B verwiesen.