DE10312911A1 - Semiconductor component with space saving rim terminal, with body, two sides and rim, with inner zone and edge zone between inner zone and rim, with first conductivity semiconductor zone in inner and edge zone - Google Patents

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Abstract

The component contains semiconductor body (100) with two sides (101,102) and rim (105), inner zone (103), between which and rim is located edge zone (104). First conductivity semiconductor zone (20) in inner and edge zone forms semiconductor junction with second conductivity semiconductor zone (30) in inner zone.At least one trough (40) extends from one side (101) into semiconductor body which, in trough, is covered by insulating cover (50). At least third semiconductor zone (60-62) of second conductivity is located adjacent to trough in first semiconductor zone.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein vertikales Halbleiterbauelement gemäß den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1, das einen Halbleiterkörper mit einer ersten und zweiten Seite und einem Rand, sowie einer Innenzone und einer zwischen der Innenzone und dem Rand angeordneten Randzone aufweist, wobei eine erste Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps in der Innenzone und der Randzone und wenigstens eine zweite Halbleiterzone eines zweiten Leitungstyps derart angeordnet ist, dass zwischen der ersten und zweiten Halbleiterzone ein Halbleiterübergang in der Innenzone gebildet ist.The The present invention relates to a vertical semiconductor component according to the characteristics of the preamble of claim 1, comprising a semiconductor body a first and second page and a margin, as well as an inner zone and has an edge zone arranged between the inner zone and the edge, wherein a first semiconductor zone of a first conductivity type in the Inner zone and the peripheral zone and at least a second semiconductor zone a second conduction type is arranged such that between a semiconductor junction in the first and second semiconductor zones is formed in the inner zone.

Eine derartige Bauelementstruktur mit einem Halbleiterübergang in der Innenzone findet sich sowohl bei bipolaren Bauelementen, wie Dioden, Bipolartransistoren und IGBT als auch bei unipolaren Bauelementen, wie MOSFET. Diese Bauelemente unterscheiden sich zwar bezüglich ihres Verhaltens in leitend angesteuertem Zustand, im sperrenden Zustand ist diesen Bauelementen jedoch gemeinsam, dass sich ausgehend von dem sperrend gepolten Halbleiterübergang mit zunehmender Sperrspannung eine Raumladungszone ausbreitet.A such a component structure with a semiconductor junction in the inner zone there is both bipolar devices, like diodes, bipolar transistors and IGBT as well as with unipolar components, like MOSFET. These components differ in terms of their Behavior in a controlled state, in the blocking state however, these components have in common that starting from the reverse polarity semiconductor junction a space charge zone spreads with increasing reverse voltage.

Ohne zusätzliche Maßnahmen ist bei derartigen Bauelementen bekanntlich die Spannungsfestigkeit in der Randzone geringer als in der Innenzone. Um die Spannungsfestigkeit im Randbereich zu erhöhen und dadurch bei Erreichen einer maximalen Sperrspannung einen Spannungsdurchbruch in der flächenmäßig größeren Innenzone zu erreichen sind unterschiedlichste Randabschlüsse bekannt. Bei derartigen Randabschlüssen, die ausführlich in Baliga: "Power Semiconductor Devices", PWS Publishing, 1995, Seiten 81 bis 110, beschrieben sind, unterscheidet man Planare Randabschlüsse, die beispielsweise sogenannte dotierte Feldringe um die Innenzone oder Feldplatten oberhalb der Seiten des Halbleiterkörpers umfassen, und abge schrägte Randabschlüsse, die durch Abschrägen des Randes gebildet sind. Planare und abgeschrägte Abschlüsse können kombiniert werden.Without additional activities is known with such components, the dielectric strength less in the peripheral zone than in the inner zone. To the dielectric strength to increase in the border area and thereby a voltage breakdown when a maximum reverse voltage is reached in the larger inner zone A wide variety of edge closures are known. With such Margin accounts, the detailed in Baliga: "Power Semiconductor Devices ", PWS Publishing, 1995, pages 81 to 110 planar edge closures, the so-called doped field rings around the inner zone, for example or comprise field plates above the sides of the semiconductor body, and bevelled edges, the by chamfering of the edge are formed. Planar and beveled degrees can be combined.

Aufgabe der Randabschlüsse ist es dabei, bei Anliegen einer Sperrspannung die Krümmung des Feldlinienverlaufes im Randbereich zu reduzieren und die auftretenden Feldstärken im Randbereich gegenüber den auftretenden Feldstärken im Innenbereich zu reduzieren. Besonders planare Randabschlüsse, die gegenüber abgeschrägten Abschlüssen den Vorteil besitzen, dass sie mittels herkömmlicher Dotierungs- und Abscheideschritte herstellbar sind, sind allerdings sehr platzaufwendig. Das heißt, sie erfordern zwischen der für aktive Bauelementbereiche genutzten Innenzone und dem Rand eine breite Randzone, wodurch ein nicht unerheblicher Teil der Chipfläche nicht für aktive Bauelementbereiche zur Verfügung steht.task the edge finishes it is the curvature of the Reduce field line course in the edge area and the occurring field strengths opposite in the border area the field strengths that occur to reduce indoors. Particularly planar edge closures that across from bevelled statements have the advantage of using conventional doping and deposition steps can be produced, but are very space-consuming. That means, you require between the for active component areas used inner zone and the edge one wide edge zone, which means that a not inconsiderable part of the chip area is for active Component areas available stands.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein vertikales Halbleiterbauelement mit einem platzsparenden Randabschluss zur Verfügung zu stellen. Dieses Ziel wird durch Bauelemente gemäß der Merkmale der Ansprüche 1 und 12 erreicht.aim The present invention is therefore a vertical semiconductor device with a space-saving edge finish. That goal is by components according to the characteristics of claims 1 and 12 reached.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.advantageous Embodiments of the invention are the subject of the dependent claims.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten und zweiten Seite und einem Rand, sowie einer Innenzone und einer zwischen der Innenzonen und dem Rand angeordneten Randzone. Der Halbleiterkörper umfasst eine erste Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps in der Innenzone und der Randzone sowie wenigstens eine zweite Halbleiterzone eines zweiten Leitungstyps in der Innenzone, wobei zwischen der ersten und zweiten Halbleiterzone ein Halbleiterübergang in der Innenzone gebildet ist.The semiconductor device according to the invention comprises a semiconductor body with a first and second side and a margin, as well as an inner zone and an edge zone arranged between the inner zones and the edge. The semiconductor body comprises a first semiconductor zone of a first conductivity type in the Inner zone and the peripheral zone and at least one second semiconductor zone a second type of conduction in the inner zone, with between the first and second semiconductor zones formed a semiconductor junction in the inner zone is.

In der Randzone umfasst das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement wenigstens einen Graben, der sich ausgehend von einer der Seiten in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, wobei der Halbleiterkörper in dem Graben mit einer elektrisch isolierenden Schicht bedeckt ist. Außerdem ist wenigstens eine dritte Halbleiterzone des zweiten Leitungstyps, benachbart zu dem Graben in der ersten Halbleiterzone angeordnet.In at least the edge zone comprises the semiconductor component according to the invention a trench that extends from one of the sides into the semiconductor body extends, the semiconductor body covered in the trench with an electrically insulating layer is. Moreover is adjacent to at least a third semiconductor zone of the second conductivity type arranged to the trench in the first semiconductor zone.

Der wenigstens eine Graben mit der Isolationsschicht und der wenigstens einen dritten Zonen bildet einen in lateraler Richtung, also in Richtung von der Innenzone zum Rand, platzsparenden Randabschluss. Bei Anlegen einer Sperrspannung breitet sich bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement eine Raumladungszone ausgehend von der zweiten Halbleiterzone in Richtung des Randes nur bis zu dem Graben mit der Isolationsschicht und dann entlang der Grabenseitenwand mit der wenigstens einen dritten Halbleiterzone aus. Diese wenigstens eine dritte Halbleiterzone umschließt die Innenzone vorzugsweise ringartig und funktioniert nach Art eines Feldringes. Das Vorsehen des mit der Isolationsschicht bedeckten Grabens ermöglicht es – anders als bei bekannten Bauelementen – weiter von der Oberfläche beabstandete Halbleiterzonen des Randbereiches für die Aufnahme der Raumladungszone zu nutzen, wodurch die Abmessungen der Randzone in lateraler Richtung erheblich reduziert werden können.The at least one trench with the insulation layer and the at least one a third zone forms one in the lateral direction, ie in Direction from the inner zone to the edge, space-saving edge finish. When a reverse voltage is applied, the semiconductor component according to the invention spreads a space charge zone starting from the second semiconductor zone in Direction of the edge only up to the trench with the insulation layer and then along the trench sidewall with the at least a third Semiconductor zone. This at least one third semiconductor zone surrounds the inner zone preferably ring-like and works like a Field ring. The provision of that covered with the insulation layer Allows digging it - different than with known components - further from the surface spaced semiconductor zones of the edge region for the admission of the space charge zone to use, thereby reducing the dimensions of the peripheral zone in the lateral direction can be significantly reduced.

Für die spezielle Ausgestaltung des Grabens, die Lage der dritten Halbleiterzone bezüglich des Grabens, sowie für die Anzahl der dritten Halbleiterzonen bestehen eine Vielzahl unterschiedlicher Gestaltungsmöglichkeiten.For the special design of the trench, the position of the third semiconductor zone with respect to the trench, and for the number of the third half lead There are a variety of different design options in the zones.

Diese dritte Halbleiterzone kann wenigstens abschnittsweise unterhalb des Grabens angeordnet sein und/oder an der der Innenzone zugewandten Seite des Grabens in der Randzone angeordnet sein. Bei der einfachsten Ausführungsform ist nur eine dritte Halbleiterzone unterhalb des Grabens oder nur eine dritte Halbleiterzone an der der Innenzone zugewandten Seite des Grabens angeordnet.This third semiconductor zone can at least in sections below of the trench and / or on the side facing the inner zone of the trench in the peripheral zone. With the simplest embodiment is just a third semiconductor zone below the trench or just one third semiconductor zone on the side of the inner zone facing the Trench arranged.

Die wenigstens eine dritte Halbleiterzone befindet sich vorzugsweise unmittelbar unterhalb der Oberfläche des Halbleiterkörpers, ausgehend von der sich der Graben in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, kann jedoch auch beabstandet zu dieser Oberfläche angeordnet sein.The at least a third semiconductor zone is preferably located immediately below the surface of the semiconductor body, starting from which the trench extends into the semiconductor body extends, but can also be spaced from this surface his.

Außerdem besteht die Möglichkeit, die wenigstens eine dritte Halbleiterzone an der dem Rand zugewandten Seite des Grabens anzuordnen.There is also the possibility, the at least one third semiconductor zone on the edge facing Arrange side of the trench.

Wie erläutert, können die unterhalb oder seitlich des wenigstens einen Grabens angeordneten dritten Halbleiterzonen beliebig kombiniert werden.How explains can the third arranged below or to the side of the at least one trench Semiconductor zones can be combined as required.

Bei einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Graben wenigstens in Richtung der Innenzone eine abgestufte Seitenwand mit wenigstens einer Stufe aufweist, wobei eine dritte Halbleiterzone vorzugsweise unterhalb dieser Stufe ausgebildet ist. Bei mehreren Stufen sind dritte Halbleiterzonen vorzugsweise unter allen Stufen des Grabens angeordnet.at one embodiment it is provided that the trench at least in the direction of the inner zone has a stepped side wall with at least one step, a third semiconductor zone preferably below this level is trained. If there are several stages, there are third semiconductor zones preferably arranged under all stages of the trench.

Der wenigstens eine Graben umschließt die Innenzone vorzugsweise ringförmig.The encloses at least one trench the inner zone preferably annular.

Bei einer Ausführungsform sind mehrere beabstandet zueinander angeordnete Gräben um die Innenzone angeordnet, von denen wenigstens einer die Innenzone vorzugsweise ringförmig umschließt.at one embodiment are several trenches spaced apart from one another around the inner zone arranged, of which at least one preferably the inner zone annular encloses.

Der erfindungsgemäße Randabschluss mit einem Graben, in dem eine Isolationsschicht angeordnet ist, und mit der benachbart zu dem Graben angeordneten wenigstens einen Feldringzone ist auf beliebige vertikale Bauelemente anwendbar, die eine Innenzone mit einem pn-Übergang und eine Randzone aufweisen, also beispielsweise auf Dioden, Bipolartransistoren, MOSFET, IGBT oder Thyristoren. Die erste Zone, des ersten Leitungstyps bildet dabei üblicherweise die Driftzone, auf die auf der zu der zweiten Halbleiterzone gegenüberliegenden Seite eine stärker dotierte vierte Halbleiterzone aufgebracht ist. Diese vierte Halbleiterzone ist bei Dioden und MOSFET vom selben Leitungstyps wie die Driftzone und bei IGBT komplementär zu der Driftzone dotiert.The edge closure according to the invention with a trench in which an insulation layer is arranged, and with at least one disposed adjacent to the trench Field ring zone is applicable to any vertical components, which is an inner zone with a pn junction and have an edge zone, for example on diodes, bipolar transistors, MOSFET, IGBT or thyristors. The first zone, the first line type usually forms the drift zone on the one opposite to the second semiconductor zone Side a stronger doped fourth semiconductor zone is applied. This fourth semiconductor zone is of the same conductivity type as the drift zone for diodes and MOSFETs and complementary at IGBT doped to the drift zone.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass sich der Graben mit der Isolationsschicht in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers bis in diese stärker als die Driftzone dotierte vierte Halbleiterzone erstreckt.at one embodiment the invention provides that the trench with the insulation layer in the vertical direction of the semiconductor body stronger than this the drift zone doped fourth semiconductor zone extends.

Das Bauelement kann insbesondere als Kompensationsbauelement ausgebildet sein, bei dem in ersten Halbleiterzone (der Driftzone) abwechselnd jeweils komplementär dotierte Halbleiterzonen angeordnet sind.The Component can in particular be designed as a compensation component be alternating in the first semiconductor zone (the drift zone) each complementary doped semiconductor zones are arranged.

Das oben genannte Ziel wird weiterhin durch ein Halbleiterbauelement gelöst, das einen Halbleiterkörper umfasst, der eine erste und zweite Seite und einen Rand, sowie eine Innenzone und eine zwischen der Innenzone und dem Rand angeordnete Randzone aufweist und der eine erste Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps in der Innenzone und der Randzone und wenigstens eine zweite Halbleiterzone eines zweiten Leitungstyps aufweist, wobei zwischen der ersten und zweiten Halbleiterzone ein Halbleiterübergang in der Innenzone gebildet ist. Dieses Bauelement weist weiterhin eine auf den Rand aufgebrachte elektrisch isolierende Schicht und wenigstens eine in der Randzone angeordnete, sich an den Rand anschließende dritte Halbleiterzone des zweiten Leistungstyps auf.The The above goal is further achieved by a semiconductor device solved, that is a semiconductor body comprises a first and second page and a margin, as well as a Inner zone and an edge zone arranged between the inner zone and the edge and which has a first semiconductor zone of a first conductivity type in the inner zone and the peripheral zone and at least one second semiconductor zone a second conduction type, wherein between the first and second semiconductor zone, a semiconductor junction is formed in the inner zone is. This component also has one applied to the edge electrically insulating layer and at least one in the edge zone arranged third semiconductor zone adjoining the edge of the second type of benefit.

Auch bei diesem Bauelement schließt sich an die erste Halbleiterzone vorzugsweise eine stärker als die erste Halbleiterzone dotierte Schicht des ersten oder zweiten Leitungstyps an, wobei der Rand im Bereich dieser stärker dotierten Zone vorzugsweise eine Stufe aufweist.Also closes with this component the first semiconductor zone preferably a stronger than the first semiconductor zone doped layer of the first or second Conductivity type, with the edge in the area of this heavily doped Zone preferably has a step.

Selbstverständlich kann auch dieses Bauelement als Kompensationsbauelement mit in der Driftzone abwechselnd angeordneten Zonen des ersten und zweiten Leistungstyps ausgebildet sein. Außerdem kann auch dieses Bauelement als Diode, Bipolartransistor, MOSFET oder Thyristor ausgebildet sein.Of course you can also this component as a compensation component with in the drift zone alternately arranged zones of the first and second performance types be trained. Moreover can also use this component as a diode, bipolar transistor, MOSFET or thyristor.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigtThe The present invention is described below in exemplary embodiments with reference to Figures explained in more detail. In shows the figures

1 ein als Diode ausgebildetes Halbleiterbauelement mit einem Randbereich, in dem ein mit einem Isolationsmaterial aufgefüllter Graben angeordnet ist, und mit komplementär zu der Driftzone dotierten Halbleiterzonen im Bereich des Grabens, 1 a semiconductor component designed as a diode with an edge region in which a trench filled with an insulation material is arranged and with semiconductor zones in the region of the trench doped complementarily to the drift zone,

2 ein als Diode ausgebildetes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit mehreren Gräben im Randbereich, die mit einem Isolationsmaterial aufgefüllt sind, 2 a semiconductor component according to the invention designed as a diode with a plurality of trenches in the edge region which are filled with an insulation material,

3 ein weiteres als Diode ausgebildetes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einem erfindungsgemäßen Randabschluss, 3 another designed as a diode semiconductor component according to the invention with an edge termination according to the invention,

4 ein als Diode ausgebildetes Halbleiterbauelement mit einem Graben im Randbereich und mit mehreren Feldringen im Bereich einer Seite des Halbleiterkörpers, 4 a semiconductor component in the form of a diode with a trench in the edge region and with a plurality of field rings in the region of one side of the semiconductor body,

5 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Randabschlusses mit einem Graben im Randbereich des Bauelements und einer Feldstoppzone am Rand, 5 another embodiment of an edge termination according to the invention with a trench in the edge region of the component and a field stop zone at the edge,

6 einen weiteren erfindungsgemäßen Randabschluss, bei dem der Graben bis in eine sich an die Driftzone anschließende stärker dotierte Halbleiterzone reicht, 6 a further edge termination according to the invention, in which the trench extends into a more heavily doped semiconductor zone adjoining the drift zone,

7 einen weiteren erfindungsgemäßen Randabschluss, bei dem eine Halbleiterzone eines Innenbereiches bis an den Graben im Randbereich reicht, 7 a further edge termination according to the invention, in which a semiconductor zone of an inner region extends as far as the trench in the edge region,

8 ein als MOSFET ausgebildetes Halbleiterbauelement mit einer erfindungsgemäßen Randstruktur, 8th a semiconductor component designed as a MOSFET with an edge structure according to the invention,

9 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Randabschlusses mit einem stufenförmig ausgebildeten Graben, 9 another embodiment of an edge termination according to the invention with a step-shaped trench,

10 ein MOSFET mit einer Kompensationsstruktur in der Drifzone und einer erfindungsgemäßen Randstruktur, 10 a MOSFET with a compensation structure in the drift zone and an edge structure according to the invention,

11 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Randabschlusses, 11 another embodiment of an edge closure according to the invention,

12 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Randabschlusses mit einer oberhalb des Halbleiterkörpers angeordneten Feldplatte, 12 an embodiment of an edge termination according to the invention with a field plate arranged above the semiconductor body,

13 ein als Diode ausgebildetes Halbleiterbauelement mit einem abgestuften Rand und einer unmittelbar auf den Rand aufgebrachten Isolationsschicht und einer komplementär zu der Driftzone dotierten, sich an die Isolationsschicht anschließenden Halbleiterzone, 13 a semiconductor component in the form of a diode with a stepped edge and an insulation layer applied directly to the edge and a semiconductor zone which is doped complementarily to the drift zone and adjoins the insulation layer,

14 ein als Kompensationsbauelement ausgebildeter MOSFET mit einem Randabschluss gemäß 13, 14 a MOSFET designed as a compensation component with an edge termination according to 13 .

15 einen Querschnitt durch das Bauelement gemäß der 1 bei einer ersten Ausführungsform, 15 a cross section through the component according to the 1 in a first embodiment,

16 einen Querschnitt durch das Bauelement gemäß 2 bei einer zweiten Ausführungsform. 16 a cross section through the component 2 in a second embodiment.

In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleich Teile und Halbleiterbereiche mit gleicher Bedeutung.In the figures denote the same reference numerals, unless stated otherwise same parts and semiconductor areas with the same meaning.

1 zeigt ausschnittsweise ein als Diode ausgebildetes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement in Seitenansicht in Querschnitt. Das Bauelement umfasst einen Halbleiterkörper 100 mit einer Vorderseite 101 und einer Rückseite 102, die erste und zweite Seiten des Halbleiterkörpers 100 bilden, sowie mit einem Rand 105. Der Halbleiterkörper 100 ist unterteilt in eine Innenzone 103 und eine zwischen der Innenzone 103 und dem Rand angeordnete Randzone 104. Die Innenzone 103, die flächenmäßig üblicherweise den größten Teil des Halbleiterkörpers 100 einnimmt, dient zur Realisierung aktiver Bauelementstrukturen, in dem dargestellten Beispiel zur Realisierung einer Diode, während im Randbereich 104 noch zu erläuternde Maßnahmen zur Steigerung der Spannungsfestigkeit getroffen sind. Das Bauelement umfasst eine in dem Beispiel n-dotierte erste Halbleiterzone 20, die die Driftzone des Bauelements bildet und die sowohl in der Innenzone 103 als auch in der Randzone 104 angeordnet ist, und eine in der Innenzone 103 im Bereich der Vorderseite 101 angeordnete pdotierte zweite Halbleiterzone 30, wobei im Innenbereich 103 zwischen der ersten Halbleiterzone 20 und der zweiten Halbleiterzone 30 ein pn-Übergang gebildet ist. 1 shows a section of a semiconductor component according to the invention designed as a diode in side view in cross section. The component comprises a semiconductor body 100 with a front 101 and a back 102 , the first and second sides of the semiconductor body 100 form, as well as with a border 105 , The semiconductor body 100 is divided into an inner zone 103 and one between the inner zone 103 and the edge zone arranged at the edge 104 , The inner zone 103 , which usually cover the largest part of the semiconductor body 100 occupies, is used to implement active component structures, in the example shown to implement a diode, while in the edge region 104 Measures still to be explained to increase the dielectric strength have been taken. The component comprises a first semiconductor zone n-doped in the example 20 that forms the drift zone of the component and that both in the inner zone 103 as well as in the peripheral zone 104 is arranged, and one in the inner zone 103 in the region of the front 101 arranged pdoped second semiconductor zone 30 , being indoors 103 between the first semiconductor zone 20 and the second semiconductor zone 30 a pn junction is formed.

Die p-dotierte zweite Halbleiterzone 30 bildet die Anodenzone der in 1 dargestellten Diode. Rückseitig schließt sich an die Driftzone 20 eine stärker als die Driftzone 20 dotierte vierte Halbleiterzone 70 an, die die Kathodenzone der Diode bildet. Diese Kathodenzone 70 kann beispielsweise durch ein Halbleitersubstrat gebildet sein, auf das mittels Epitaxie die Driftzone 20 aufgebracht ist, in die über die Vorderseite die Anodenzone 30 unter Verwendung einer Maskentechnik mittels eines Implantations- oder Diffusionsverfahrens eingebracht wird.The p-doped second semiconductor zone 30 forms the anode zone of the in 1 shown diode. The drift zone follows on the back 20 one stronger than the drift zone 20 doped fourth semiconductor zone 70 which forms the cathode zone of the diode. This cathode zone 70 can be formed, for example, by a semiconductor substrate onto which the drift zone is epitaxially 20 is applied, in the anode zone over the front 30 is introduced using a mask technique by means of an implantation or diffusion process.

Das Bauelement umfasst im Randbereich einen Graben 40, der sich ausgehend von der Vorderseite 101 in senkrechter Richtung in den Halbleiterkörper 100 hinein erstreckt, wobei der Halbleiterkörper 100 in dem Graben 40 mit einer elektrisch isolierenden Schicht 50 bedeckt ist. Der Graben 40 ist in dem Ausführungsbeispiel vollständig mit der elektrisch isolierenden Schicht 50 aufgefüllt, die sich in dem Beispiel an der Vorderseite 101 bis an den Rand 105 und in der entgegengesetzten Richtung bis über die Anodenzone 30 erstreckt.The component comprises a trench in the edge area 40 , starting from the front 101 in the vertical direction in the semiconductor body 100 extends into, the semiconductor body 100 in the ditch 40 with an electrically insulating layer 50 is covered. The ditch 40 is in the embodiment completely with the electrically insulating layer 50 padded, which is in the example at the front 101 to the edge 105 and in the opposite direction up to the anode zone 30 extends.

Anschließend an den Graben 40 sind p-dotierte dritte Halbleiterzonen 60, 61, 62 angeordnet, wobei eine diese Halbleiterzonen 60 in dem Ausführungsbeispiel unterhalb des Grabens 40 und die beiden anderen Halbleiterzonen 61, 62 entlang der Seitenwand des Grabens 40 an der dem Rand 105 abgewandten Seite angeordnet sind. Eine Halbleiterzone 62 dieser dritten Halbleiterzonen ist dabei unmittelbar unterhalb der Vorderseite 101 angeordnet, während die andere 61 dieser Halbleiterzonen 61, 62 zwischen der Halbleiterzone 62 an der Vorderseite 101 und der Halbleiterzone 60 angeordnet ist. Die unterhalb des Grabens 40 angeordnete Halbleiterzone 60 reicht in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers über die unteren Ränder des Grabens 40 hinaus.Then to the ditch 40 are p-doped third semiconductor zones 60 . 61 . 62 arranged, one of these semiconductor zones 60 in the embodiment below the trench 40 and the other two semiconductor zones 61 . 62 along the side wall of the trench 40 on the edge 105 from facing side are arranged. A semiconductor zone 62 this third semiconductor zone is immediately below the front 101 arranged while the other 61 of these semiconductor zones 61 . 62 between the semiconductor zone 62 on the front side 101 and the semiconductor zone 60 is arranged. The one below the trench 40 arranged semiconductor zone 60 extends in the lateral direction of the semiconductor body over the lower edges of the trench 40 out.

Der Graben 40 umgibt die Innenzone 103 vorzugsweise ringförmig, wie dies beispielhaft in 15 dargestellt ist, die einen Querschnitt durch das Halbleiterbauelement gemäß 1 entlang der dort dargestellten Schnittlinie A-A zeigt. Es sei darauf hingewiesen, dass 15 lediglich dazu dient, die die Innenzone 103 umgebende Randstruktur zu erläutern, dass diese 15 aber nicht maßstäblich ist, da bei üblichen Bauelementen die Innenzone flächenmäßig einen wesentlich größeren Raum als die Randzone einnimmt. Die dritten Halbleiterzonen 60, 61, 62, die als Feldringe dienen, umgeben die Innenzone 103 vorzugsweise ebenfalls vollständig.The ditch 40 surrounds the inner zone 103 preferably ring-shaped, as exemplified in 15 is shown, which shows a cross section through the semiconductor component 1 shows along the section line AA shown there. It should be noted that 15 only serves the the inner zone 103 surrounding edge structure to explain that this 15 but is not to scale, since with conventional components, the inner zone occupies a much larger area than the peripheral zone. The third semiconductor zones 60 . 61 . 62 that serve as field rings surround the inner zone 103 preferably also completely.

Der Randabschluss mit dem Graben 40 und den dritten Halbleiterzonen 60, 61, 62 benachbart zu dem Graben 40 dient zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit des Bauelementes im Randbereich bei Anlegen einer Sperrspannung, wie nachfolgend erläutert ist.The edge of the trench 40 and the third semiconductor zones 60 . 61 . 62 adjacent to the trench 40 serves to increase the dielectric strength of the component in the edge area when a reverse voltage is applied, as explained below.

Bei Anlegen einer Sperrspannung zwischen dem Anodenanschluss A und dem Kathodenanschluss K bzw. zwischen der zweiten Halbleiterzone 30 und der stark dotierten vierten Halbleiterzone 70 breitet sich in der als Driftzone dienenden ersten Halbleiterzone 20 eine Raumladungszone ausgehend von dem pn-Übergang aus. Die gestrichelten Linien in 1 zeigen die Grenzen dieser Raumladungszone für verschiedene Sperrspannungen U1, U2, U3 und U4, wobei U1 betragsmäßig kleiner als U2, U2 betragsmäßig kleiner als U3 und U3 betragsmäßig kleiner als U4 ist. Die p-dotierten Feldringe 60, 61, 62 bewirken an der dem Rand 105 abgewandten Seite des Grabens 40, dass sich die Raumladungszone benachbart zu dem Graben bei einer gegebenen Sperrspannung in vertikaler Richtung weniger weit in dem Halbleiterkörper ausbreitet als in der Innenzone 103. Der Spannungsdurchbruch des Bauelements tritt ein, wenn die Raumladungszone die stärker dotierte Halbleiterzone 70 im Bereich der Rückseite 102 erreicht, wie dies für die Sperrspannung U4 dargestellt ist. Der Graben 40 mit der Isolationsschicht 50 bewirkt, dass sich erst kurz vor Erreichen der Durchbruchspannung die Raumladungszone unterhalb des Grabens 40 in Richtung des Randes ausbreitet, wobei selbst im Durchbruchsfall große Teile des ersten Halbleiterbereiches 20 zwischen dem Graben 40 und dem Rand 105 nicht von der Raumladungszone erfasst sind.When a reverse voltage is applied between the anode connection A and the cathode connection K or between the second semiconductor zone 30 and the heavily doped fourth semiconductor zone 70 spreads in the first semiconductor zone serving as a drift zone 20 a space charge zone starting from the pn junction. The dashed lines in 1 show the limits of this space charge zone for different blocking voltages U1, U2, U3 and U4, where U1 is smaller than U2, U2 smaller than U3 and U3 smaller than U4. The p-doped field rings 60 . 61 . 62 effect on the edge 105 opposite side of the trench 40 that the space charge zone adjacent to the trench for a given reverse voltage propagates less far in the vertical direction in the semiconductor body than in the inner zone 103 , The voltage breakdown of the component occurs when the space charge zone has the more heavily doped semiconductor zone 70 in the region of the rear side 102 reached, as shown for the reverse voltage U4. The ditch 40 with the insulation layer 50 causes that the space charge zone below the trench only shortly before the breakdown voltage is reached 40 spreads in the direction of the edge, with large parts of the first semiconductor region even in the event of breakdown 20 between the ditch 40 and the edge 105 are not covered by the space charge zone.

Zusammenfassend ist festzuhalten, dass der Graben 40, von dem wenigstens die Seitenwände in dem Halbleiterköper 100 mit einer Isolationsschicht 50 bedeckt sind, zusammen mit den kom plementär zu der Driftzone 20 dotierten Feldringen 60, 61, 62 die Ausbreitung der Raumladungszone im Randbereich, und damit die Feldstärken im Randbereich, reduziert, wodurch die Spannungsfestigkeit im Randbereich 104 gegenüber der Spannungsfestigkeit im Innenbereich 103 erhöht ist.In summary, it should be noted that the trench 40 , of which at least the side walls in the semiconductor body 100 with an insulation layer 50 are covered, along with the complementary to the drift zone 20 doped field rings 60 . 61 . 62 The spread of the space charge zone in the edge area, and thus the field strengths in the edge area, is reduced, which increases the dielectric strength in the edge area 104 compared to the dielectric strength in the interior 103 is increased.

Wie für ein Ausführungsbeispiel in dem Querschnitt in 16 dargestellt ist kann der Graben 50 auch mehrere beabstandet zueinander angeordnete Abschnitte aufweisen, die zusammen die Innenzone 103 ringförmig umgeben.As for an embodiment in the cross section in 16 the trench is shown 50 also have a plurality of spaced-apart sections which together form the inner zone 103 surrounded in a ring.

Wenngleich der erfindungsgemäße Randabschluss in 1 im Zusammenhang mit einer Diode erläutert wurde, so sei darauf hingewiesen, dass der erfindungsgemäße Randabschluss nicht auf Dioden beschränkt ist. Dieser Randabschluss kann vielmehr bei beliebigen vertikalen Halbleiterbauelementen verwendet werden, die in ihrer Innenzone einen pn-Übergang aufweisen, der bei Anlegen einer Sperrspannung an das Bauelement sperrt und ausgehend von dem sich im Sperrfall eine Raumladungszone in dem Halbleiterbauelement ausbreitet.Although the edge termination according to the invention in 1 was explained in connection with a diode, it should be noted that the edge termination according to the invention is not limited to diodes. Rather, this edge termination can be used with any vertical semiconductor components which have a pn junction in their inner zone, which blocks when a reverse voltage is applied to the component and on the basis of which a space charge zone spreads in the semiconductor component in the event of blocking.

2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Randabschlusses anhand einer Diode, wobei sich dieser Randabschluss von dem in 1 dargestellten dadurch unterscheidet, dass mehrere Gräben 40, 42, 44 vorhanden sind, die in dem Randbereich 104 in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet zueinander angeordnet sind und die sich ausgehend von der Vorderseite 101 unterschiedlich tief in den Halbleiterkörper hinein erstrecken. Der dem Rand 105 am nächsten liegende Graben 40 besitzt dabei sowohl in vertikaler Richtung als auch in lateraler Richtung die größten Abmessungen der in dem Beispiel dargestellten drei Gräben, wobei die Abmessungen der Gräben 40, 42, 44 in Richtung der Innenzone 103 abnehmen, d. h. der am nächsten zur Innenzone 103 gelegene Graben erstreckt sich von den vorhandenen Gräben 40, 42, 44 am wenigsten tief in den Halbleiterkörper hinein und besitzt in lateraler Richtung die kleinsten Abmessungen der drei Gräben. Der äußerste, dem Rand 105 am nächsten liegende Graben 40 umgibt die Innenzone 103 vorzugsweise ringförmig in einer Weise, die bereits anhand von 15 erläutert wurde. Die weiteren Gräben 42, 44 können die Innenzone 103 ebenfalls ringförmig umgeben, können jedoch auch aus einer Vielzahl beabstandet zueinander angeordneter Löcher bestehen, die die Innenzone 103 zusammen ringförmig umgeben, wie dies beispielsweise anhand von 16 erläutert wurde. 2 shows a further embodiment of an edge termination according to the invention using a diode, this edge termination differing from that in FIG 1 shown differs in that several trenches 40 . 42 . 44 are present in the marginal area 104 are arranged at a distance from each other in the lateral direction of the semiconductor body and which start from the front 101 extend to different depths into the semiconductor body. The trench closest to edge 105 40 has the largest dimensions of the three trenches shown in the example, both in the vertical direction and in the lateral direction, the dimensions of the trenches 40 . 42 . 44 towards the inner zone 103 decrease, ie the closest to the inner zone 103 located trench extends from the existing trenches 40, 42, 44 the least deep into the semiconductor body and has the smallest dimensions of the three trenches in the lateral direction. The outermost, the edge 105 closest trench 40 surrounds the inner zone 103 preferably annular in a way that is already based on 15 was explained. The other trenches 42 . 44 can the inner zone 103 also surrounded in a ring, but can also consist of a plurality of spaced-apart holes that define the inner zone 103 surrounded together in a ring, as shown for example by 16 was explained.

Bei dem Bauelement gemäß 2 ist jedem der Gräben 40, 42, 44 eine p-dotierte Zone 60, 63, 64 zugeordnet, wobei diese pdotierten Zonen 60, 63, 64 jeweils unterhalb der Gräben 40, 42, 44 angeordnet sind. Diese p-dotierten Zonen 60, 63, 64 werden beispielsweise nach dem Herstellen der Gräben 40, 42, 44 und noch vor dem Abscheiden der Isolationsschicht 50 dadurch hergestellt, dass p-Dotiertstoffatome in die Böden der Gräben 40, 42, 44 implantiert und anschließend ausdiffundiert werden. Aufgrund der Diffusion erstrecken sich die p-Gebiete 60, 63, 64 in lateraler Richtung über die Abmessungen der Gräben 40, 42, 44 hinaus. Entsprechend dem Beispiel in 1 sind auch die Gräben 40, 42, 44 in dem Ausführungsbeispiel gemäß 2 vollständig mit einem Isolationsmaterial 50 aufgefüllt, das abschnittsweise auch oberhalb der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers angeordnet ist und das in einer Richtung bis an den Rand 105 und in der anderen Richtung bis über die p-dotierte zweite Halbleiterzone 30 reicht. Wenngleich auch das Bauelement in 2 als Diode ausgebildet ist, so sei darauf hingewiesen, dass der dargestellte Randabschluss für beliebige Bauelemente mit einem pn-Übergang in der Innenzone geeignet ist.According to the component 2 is everyone the trenches 40 . 42 . 44 a p-doped zone 60 . 63 . 64 assigned, these pdoped zones 60 . 63 . 64 each below the trenches 40 . 42 . 44 are arranged. These p-doped zones 60 . 63 . 64 for example after the trenches have been made 40 . 42 . 44 and before the insulation layer is deposited 50 manufactured by placing p-type dopant atoms in the trench bottoms 40 . 42 . 44 implanted and then diffused out. Due to the diffusion, the p-regions extend 60 . 63 . 64 in the lateral direction over the dimensions of the trenches 40 . 42 . 44 out. According to the example in 1 are also the trenches 40 . 42 . 44 in the embodiment according to 2 completely with an insulation material 50 padded, also in sections above the front 101 of the semiconductor body is arranged and that in one direction up to the edge 105 and in the other direction up to the p-doped second semiconductor zone 30 enough. Although the component in 2 is designed as a diode, it should be noted that the edge termination shown is suitable for any components with a pn junction in the inner zone.

3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Randabschlusses für ein Halbleiterbauelement, wobei sich dieser Randabschluss von dem in 1 dargestellten dadurch unterscheidet, dass lediglich eine pdotierte Halbleiterzone 60 unterhalb des Grabens 40 und nur die p-dotierte Halbleiterzone 62 unterhalb der Vorderseite 101 vorhanden ist, während auf die in 1 dargestellte weitere p-dotierte Halbleiterzone an der Seitenwand des Grabens 40 verzichtet ist. 3 shows a further exemplary embodiment of an edge termination according to the invention for a semiconductor component, this edge termination differing from that in FIG 1 shown differs in that only a pdoped semiconductor zone 60 below the trench 40 and only the p-doped semiconductor zone 62 below the front 101 is present while on the in 1 shown further p-doped semiconductor zone on the side wall of the trench 40 is waived.

4 zeigt eine Abwandlung des in 3 dargestellten Randabschlusses, wobei sich der Randabschluss in 4 von dem in 3 dargestellten dadurch unterscheidet, dass neben dem Graben 40 und den unmittelbar benachbart zu dem Graben angeordneten Halbleiterzonen 60, 62 zusätzliche Feldringe 65, 66, die beabstandet zueinander und beabstandet zu der Halbleiterzone 62 angeordnet sind, unterhalb der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers liegen. 4 shows a modification of the in 3 edge finish shown, the edge finish in 4 from that in 3 shown differs in that next to the trench 40 and the semiconductor zones arranged immediately adjacent to the trench 60 . 62 additional field rings 65 . 66 that are spaced apart and spaced apart from the semiconductor zone 62 are arranged below the front 101 of the semiconductor body.

5 zeigt eine weitere Abwandlung des in 3 dargestellten Randabschlusses, wobei das Bauelement gemäß 5 eine stark n-dotierte Feldstopzone 80 anschließend an den Rand 105 und unterhalb der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 aufweist. Der Graben 40 ist wiederum vollständig mit dem Isolationsmaterial 50 aufgefüllt. Oberhalb der Vorderseite 101 ist bei diesem Ausführungsbeispiel keine Isolationsschicht angeordnet, wobei darauf hingewiesen wird, dass das Vorhandensein einer Isolationsschicht für das grundsätzliche Funktionieren des Randabschlusse nicht notwendig ist. Die gestrichelte Linie in 5 veranschaulicht die Grenze der Raumladungszone im Durchbruchsfall. 5 shows a further modification of the in 3 illustrated edge termination, the component according to 5 a heavily n-doped field stop zone 80 then to the edge 105 and below the front 101 of the semiconductor body 100 having. The ditch 40 is again complete with the insulation material 50 refilled. Above the front 101 no insulation layer is arranged in this exemplary embodiment, it being pointed out that the presence of an insulation layer is not necessary for the basic functioning of the edge seal. The dashed line in 5 illustrates the boundary of the space charge zone in the event of breakthrough.

6 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement, bei dem sich der Graben 40 ausgehend von der Vorderseite 101 durch die als Driftzone dienende erste Halbleiterzone 20 bis in die stark dotierte Halbleiterzone 70 im Bereich der Rückseite 102 des Halbleiterkörpers 100 erstreckt. Entlang der dem Rand 105 abgewandten Seite des Grabens 40 sind p-dotierte Feldringzonen 61, 67, 68 in der Driftzone 20 angeordnet. Die p-dotierte zweite Halbleiterzone 30, die bei einer Diode deren Anodenzone bildet, erstreckt sich in dem Ausführungsbeispiel in lateraler Richtung bis an den Graben 40, der mit dem Isolationsmaterial 50 aufgefüllt ist. Da sich der Graben 40 bei diesem Ausführungsbeispiel bis in die stark dotierte Halbleiterzone 70 erstreckt, kann sich in dem Abschnitt des Halbleiterkörpers 100 zwischen dem Graben 40 und dem Rand 105 im Sperrfall keine Raumladungszone ausbilden. 6 shows an inventive semiconductor device in which the trench 40 starting from the front 101 through the first semiconductor zone serving as a drift zone 20 down to the heavily doped semiconductor zone 70 in the area of the back 102 of the semiconductor body 100 extends. Along the edge 105 opposite side of the trench 40 are p-doped field ring zones 61 . 67 . 68 in the drift zone 20 arranged. The p-doped second semiconductor zone 30 , which forms the anode zone of a diode, extends in the exemplary embodiment in the lateral direction up to the trench 40 with the insulation material 50 is filled. Since the trench 40 in this embodiment down to the heavily doped semiconductor zone 70 extends, can extend in the portion of the semiconductor body 100 between the ditch 40 and do not form a space charge zone for the edge 105 in the event of a blockage.

7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelementes mit einem erfindungsgemäßen Randabschluss, bei dem sich die p-dotierte zweite Halbleiterzone 30 in lateraler Richtung bis an den Graben 40 erstreckt. Der Graben 40, der mit dem Isolationsmaterial 50 aufgefüllt ist, reicht in vertikaler Richtung nicht bis an die stark-dotierte Halbleiterzone 70. Benachbart zu dem Graben 40 sind zwei p-dotierte Feldringzonen 60, 61 angeordnet, wobei eine der Feldringzone 60 unterhalb des Grabens 40 und die andere an einer dem Rand 105 abgewandten Seite des Grabens 40 beabstandet zu der Vorderseite 101 angeordnet ist. Unterhalb der Vorderseite 101 erstreckt sich in lateraler Richtung zwischen dem Graben 40 und dem Rand eine stark n-dotierte Kanalstopzone 80. 7 shows a further embodiment of a semiconductor component with an edge termination according to the invention, in which the p-doped second semiconductor zone 30 in the lateral direction up to the trench 40 extends. The ditch 40 with the insulation material 50 is filled, does not reach the heavily doped semiconductor zone in the vertical direction 70 , Adjacent to the trench 40 are two p-doped field ring zones 60 . 61 arranged, one of the field ring zone 60 below the trench 40 and the other on one edge 105 opposite side of the trench 40 spaced from the front 101 is arranged. Below the front 101 extends in the lateral direction between the trench 40 and the edge of a heavily n-doped channel stop zone 80 ,

8 zeigt ausschnittsweise einen Querschnitt durch einen MOSFET bzw. IGBT mit einem erfindungsgemäßen Randabschluss. Die erste n-dotierte Halbleiterzone 20, die im Innenbereich 103 und im Randbereich 104 angeordnet ist, bildet die Driftzone des MOSFET 20. Im Gegensatz zu den bislang erläuterten Dioden weist der MOSFET/IGBT mehrere p-dotierte Halbleiterzonen 30 im Bereich der Vorderseite 101 auf, die die Body-Zonen des Bauelements bilden. In diesen Body-Zonen 30 sind jeweils stark n-dotierte Source-Zonen 35 angeordnet, die an der Vorderseite 101 mittels einer Source-Elektrode 92 kontaktiert sind, wobei diese Source-Elektrode in den Ausführungsbeispielen die Source-Zonen 35 und die Body-Zonen 30 kurzschließt. Bei dem dargestellten Bauelement, das als sogenanntes DMOS-Bauelement ausgebildet ist, sind oberhalb der Vorderseite 101 Gate-Elektroden 90 angeordnet, die mittels Gate-Isolationsschichten 52 isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper 100 angeordnet sind. Das Bauelement ist zellenartig aufgebaut, besitzt also eine Vielzahl gleichartiger Strukturen mit jeweils einer Body-Zone 30, einer Source-Zone 35 und einer Gate-Elektrode 90, wobei allen Zellen die rückseitige Drain-Zone 70 gemeinsam ist. 8th shows a section of a cross section through a MOSFET or IGBT with an edge termination according to the invention. The first n-doped semiconductor zone 20 that are indoors 103 and in the edge area 104 is arranged, forms the drift zone of the MOSFET 20 , In contrast to the diodes explained so far, the MOSFET / IGBT has several p-doped semiconductor zones 30 in the area of the front 101 that form the body zones of the component. In these body zones 30 are each heavily n-doped source zones 35 arranged at the front 101 by means of a source electrode 92 are contacted, this source electrode in the exemplary embodiments, the source zones 35 and the body zones 30 shorts. In the component shown, which is designed as a so-called DMOS component, are above the front 101 Gate electrodes 90 arranged by means of gate insulation layers 52 isolated from the semiconductor body 100 are arranged. The component is constructed like a cell, so it has a large number of similar structures, each with a Bo dy zone 30 , a source zone 35 and a gate electrode 90 , with all cells the back drain zone 70 is common.

Im Randbereich 104 des Bauelementes erstreckt sich ein Graben 40 ausgehend von der Vorderseite 101 in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper, wobei der Graben 50 mit einem Isolationsmaterial aufgefüllt ist und wobei benachbart zu dem Graben 40 Ringzonen 60, 61, 67 angeordnet sind, von denen eine Ringzone 60 unterhalb des Grabens 40 und die beiden anderen 61, 67 an der dem Rand 105 abgewandten Seite des Grabens 40 angeordnet sind.At the edge 104 a trench extends the component 40 starting from the front 101 in the vertical direction in the semiconductor body, the trench 50 is filled with an insulation material and being adjacent to the trench 40 ring zones 60 . 61 . 67 are arranged, one of which is a ring zone 60 below the trench 40 and the other two 61 . 67 on the edge 105 opposite side of the trench 40 are arranged.

An die Driftzone 20 schließt sich an der der Vorderseite 101 abgewandten Seite die stark dotierte Halbleiterzone 70 an, die bei MOSFET n-dotiert ist und bei IGBT stark p-dotiert ist und die die Drain-Zone bildet. Eine der Body-Zonen 30 reicht bei dem dargestellten Bauelement bis an den Graben 40 mit der Isolationsschicht 50, wobei die in dieser Body-Zone 30 angeordnete Source-Zone 35 nicht durch die Source-Elektrode 92 kontaktiert ist.To the drift zone 20 closes at the front 101 facing away from the heavily doped semiconductor zone 70 which is n-doped in MOSFET and heavily p-doped in IGBT and which forms the drain zone. One of the body zones 30 extends to the trench in the component shown 40 with the insulation layer 50 , being in this body zone 30 arranged source zone 35 not through the source electrode 92 is contacted.

Die gestrichelte Linie im Randbereich 104 veranschaulicht die Grenze der Raumladungszone im Sperrfall bei Erreichen der Durchbruchspannung. Wie auch bei den zuvor erläuterten Dioden breitet sich bei dem dargestellten MOSFET/IGBT ausgehend von den pn-Übergängen zwischen den Body-Zonen 30 und der Driftzone 20 eine Raumladungszone aus, wenn eine entsprechende Sperrspannung zwischen der rückseitigen Drain-Zone 70 und der Source-Elektrode S, 92 angelegt wird und wenn die Gate-Elektroden G nicht angesteuert sind.The dashed line in the border area 104 illustrates the boundary of the space charge zone in the blocking case when the breakdown voltage is reached. As in the case of the diodes explained above, the MOSFET / IGBT shown spreads from the pn junctions between the body zones 30 and the drift zone 20 a space charge zone if there is a corresponding reverse voltage between the rear drain zone 70 and the source electrode S, 92 is applied and when the gate electrodes G are not driven.

9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelementes mit einem erfindungsgemäßen Randabschluss. Bei dem dargestellten Bauelement ist der Graben 40, der sich ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkörper 100 hineinerstreckt stufenförmig ausgebildet und weist sowohl in Richtung der Innenzone 103 als auch in Richtung des Randes 105 Stufen 41, 42, 43, 44 auf. P-dotierte Feldringzonen 60, 60A, 60B, 60C, 60D sind dabei unterhalb des tiefsten Punktes (der untersten Stufe) des Grabens und unterhalb jeder der weiteren Stufen 41, 42, 43, 44 des Grabens angeordnet. Der Halbleiterkörper 100 ist in dem Graben von der Isolationsschicht 50 überdeckt, die auch Teile der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers überdeckt. 9 shows a further embodiment of a semiconductor device with an edge termination according to the invention. In the component shown is the trench 40 , starting from the front 101 in the semiconductor body 100 stretches into it and points both towards the inner zone 103 as well as towards the edge 105 stages 41 . 42 . 43 . 44 on. P-doped field ring zones 60 . 60A . 60B . 60C . 60D are below the lowest point (the lowest level) of the trench and below each of the other levels 41 . 42 . 43 . 44 of the trench. The semiconductor body 100 is in the trench from the insulation layer 50 which also covers parts of the front 101 of the semiconductor body covered.

10 zeigt einen Randabschluss mit abgestuftem Graben 40 für einen als Kompensationsbauelement ausgebildeten MOSFET. Der MOSFET weist im Bereich der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 eine bereits anhand von 8 erläuterte zellenartige Struktur mit Body-Zonen 30, Source-Zonen 35 und Gate-Elektroden 90 auf. Die Driftzone des MOSFET ist bei dem dargestellten Bauelement nicht homogen dotiert sondern umfasst abwechselnd n-dotierte Halbeiterzonen 20 und p-dotierte Halbleiterzonen 22, die im dargestellten Beispiel streifenförmig ausgebildet sind, die jedoch eine beliebige hinlänglich bekannte Struktur besitzen können. Diese abwechselnd ndotierten und p-dotierten Halbleiterzonen 20, 22 räumen sich bei Anlegen einer Sperrspannung in hinlänglich bekannter Weise gegenseitig aus, woraus eine gegenüber Bauelementen ohne derartige Kompensationsstruktur erhöhte Sperrspannung resultiert. 10 shows a border with graded trench 40 for a MOSFET designed as a compensation component. The MOSFET points in the area of the front 101 of the semiconductor body 100 one already based on 8th explained cell-like structure with body zones 30 , Source zones 35 and gate electrodes 90 on. The drift zone of the MOSFET is not homogeneously doped in the component shown, but instead comprises alternately n-doped semiconductor zones 20 and p-doped semiconductor zones 22 , which are strip-shaped in the example shown, but which can have any well-known structure. These alternatingly doped and p-doped semiconductor zones 20 . 22 clear each other when a reverse voltage is applied, which results in an increased reverse voltage compared to components without such a compensation structure.

Der Graben 40 weist in dem Ausführungsbeispiel Stufen 43, 44, 45 an der dem Rand 105 abgewandten Seite auf, wobei unterhalb des ausgehend von der Vorderseite 101 tiefsten Punktes des Grabens 40 eine p-dotierte Feldringstruktur 60 angeordnet ist und wobei unterhalb jeder der Stufen 43, 44, 45 p-dotierte Feldringzonen 60C, 60D, 60E angeordnet sind. Eine weitere Feldringstruktur 62 ist benachbart zu dem Graben 40 und unmittelbar unterhalb der Vorderseite 101 an der dem Rand 105 abgewandten Seite des Grabens angeordnet.The ditch 40 has stages in the embodiment 43 . 44 . 45 on the edge 105 side facing away, being below the starting from the front 101 deepest point of the trench 40 a p-doped field ring structure 60 is arranged and being below each of the steps 43 . 44 . 45 p-doped field ring zones 60C . 60D . 60E are arranged. Another field ring structure 62 is adjacent to the trench 40 and just below the front 101 on the edge 105 arranged opposite side of the trench.

11 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen erfindungsgemäßen Randabschluss, wobei in 11 lediglich die Randzone eines Halbleiterkörpers 100 dargestellt ist. In der nicht dargestellten Innenzone des Halbleiterkörpers 100 kann eine beliebige Bauelementstruktur mit einem pn-Übergang, beispielweise eine der zuvor erläuterten Diodenstrukturen oder MOSFET-Strukturen angeordnet sein. Das Bauelement umfasst im Randbereich 104 neben dem Graben 40, der sich ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, in der ersten Halbleiterzone 20 p-dotierte Kompensationszonen 22, die floatend angeordnet sind, wobei dieses Kompensationszonen 22 im Randbereich 104 sowohl an der dem Rand 105 abgewandten Seite des Grabens 40 als auch unmittelbar benachbart zu dem Rand 105 angeordnet sind. Diese Kompensationszonen 22 erstrecken sich in dem Beispiel säulenförmig ausgehend von der Vorderseite 101 in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper hinein und sind im Querschnitt beispielsweise als Säulen ausgebildet, können jedoch auch eine beliebige andere Geometrie aufweisen. 11 shows a further embodiment for an edge termination according to the invention, wherein in 11 only the edge zone of a semiconductor body 100 is shown. In the inner zone of the semiconductor body, not shown 100 any component structure with a pn junction, for example one of the diode structures or MOSFET structures explained above, can be arranged. The component includes in the edge area 104 next to the ditch 40 , starting from the front 101 extends into the semiconductor body, in the first semiconductor zone 20 p-doped compensation zones 22 , which are arranged floating, this compensation zones 22 at the edge 104 both on the edge 105 opposite side of the trench 40 as well as immediately adjacent to the edge 105 are arranged. These compensation zones 22 extend from the front in a columnar shape 101 in the vertical direction into the semiconductor body and are designed in cross section, for example as columns, but can also have any other geometry.

Entlang beider Seiten des Grabens 40, also entlang der dem Rand 105 zugewandten Seite und auch entlang der dem Rand 105 abgewandten Seite sind p-dotierte Feldringzonen 61A, 61B, 67A, 67B, 68A, 68B jeweils beabstandet zueinander angeordnet. Die Dotierung der Kompensationszonen 22 und der Driftzone 20 des Bauelementes sind so aufeinander abgestimmt, dass sich die n-dotierten Abschnitte 20 der Driftzone und die pdotierten Abschnitte 22 im Sperrfall vollständig ausräumen, während die Feldringzonen 61A-68B so stark p-dotiert sind, dass diese im Sperrfall nicht vollständig ausgeräumt werden.Along both sides of the trench 40 along the edge 105 facing side and also along the edge 105 opposite side are p-doped field ring zones 61A . 61B . 67A . 67B . 68A . 68B each spaced apart. The doping of the compensation zones 22 and the drift zone 20 of the component are coordinated so that the n-doped sections 20 the drift zone and the pdoped sections 22 completely clear in the event of a blockage, while the field ring zones 61A-68B are so heavily p-doped that the se cannot be completely cleared in the event of a blockage.

Der erfindungsgemäße Randabschluss mit wenigstens einem sich in den Halbleiterkörper 100 hinein erstreckenden Graben 40 und der darin genannte angeordneten Isolationsschicht sowie mit der wenigstens einen sich an den Graben anschließenden Feldringzone kann mit beliebigen weiteren Maßnahmen zur Steigerung der Spannungsfestigkeit im Randbereicht kombiniert werden, wie beispielhaft anhand von 12 erläutert wird. 12 zeigt einen erfindungsgemäßen Randabschluss mit einem Graben 40, der sich ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkörper hinein erstreckt. Unmittelbar anschließend an den Graben 40 sind mehrere Feldringzonen 60A, 60B, 61A, 61B, 62A, 62B angeordnet, wobei in dem Beispiel eine der Feldringzonen unterhalb des Grabens 40 und andere Feldringzonen 61A-62B entlang der Seiten des Grabens 40 angeordnet sind. Im Anschluss an den Rand 105 und unterhalb der Vorderseite 101 ist eine stark n-dotierte Kanalstoppzone 80 angeordnet, die elektrisch leitend mit einer Feldplatte 94 verbunden ist, die isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper 100 oberhalb der Vorderseite 101 angeordnet ist. Diese Anordnung mit der Kanalstoppzone 80 und der Feldplatte 94, die eine bekannte Anordnung zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit im Randbereich 104 darstellt, ist in dem Beispiel gemäß 12 mit dem erfindungsgemäßen Randabschluss zur weiteren Steigerung der Spannungsfestigkeit im Randbereich kombiniert. Die gestrichelte Linie in 12 veranschaulicht die Raumladungszone im Durchbruchsfall, wobei deutlich wird, das diese Raumladungszone an der stark n-dotierten Kanalstopzone 80 endet und in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers dank der Randstruktur mit dem Graben 40 nicht bis an den Rand 105 des Halbleiterkörpers 100 reicht.The edge termination according to the invention with at least one in the semiconductor body 100 trench extending into it 40 and the arranged insulation layer mentioned therein as well as with the at least one field ring zone adjoining the trench can be combined with any further measures to increase the dielectric strength in the marginal region, as exemplified by FIG 12 is explained. 12 shows an edge termination according to the invention with a trench 40 , starting from the front 101 extends into the semiconductor body. Immediately after the trench 40 are several field ring zones 60A . 60B . 61A . 61B . 62A . 62B arranged, one of the field ring zones below the trench in the example 40 and other field ring zones 61A-62B along the sides of the trench 40 are arranged. Following the edge 105 and below the front 101 is a heavily n-doped channel stop zone 80 arranged to be electrically conductive with a field plate 94 is connected, which is isolated from the semiconductor body 100 above the front 101 is arranged. This arrangement with the channel stop zone 80 and the field plate 94 , which is a known arrangement for increasing the dielectric strength in the edge area 104 is in the example according to 12 combined with the edge termination according to the invention to further increase the dielectric strength in the edge area. The dashed line in 12 illustrates the space charge zone in the event of breakthrough, whereby it becomes clear that this space charge zone at the heavily n-doped channel stop zone 80 ends and in the lateral direction of the semiconductor body thanks to the edge structure with the trench 40 not to the brim 105 of the semiconductor body 100 enough.

Das erfindungsgemäße Randabschlusskonzept mit einer in vertikaler Richtung eines Halbleiterkörpers verlaufenden Isolationsschicht und sich einer an die Isolationsschicht anschließenden wenigstens einen Feldringzone erfordert nicht notwendigerweise einen sich in den Halbleiterkörper hinein erstreckenden Graben, wie nachfolgend anhand der Ausführungsbeispiele in den 13 und 14 erläutert wird. Bei diesen Bauelementen wird ein Randabschluss im Randbereich 104 des Halbleiterkörpers 100 dadurch gebildet, dass eine Isolationsschicht 52 unmittelbar auf den Rand 100 des Halbleiterkörpers aufgebracht ist. Im Halbleiterkörper 100 schließt sich in der ersten Halbleiterzone 20 unmittelbar an die Isolationsschicht 52 wenigstens eine Feldringzone 61 (in 13) bzw. 61, 62, 67, 68 (in 14) an. Die Bauelemente gemäß der 13 und 14 umfassen im Bereich der Rückseite 102 jeweils eine stark n-dotierte Halbleiterzone 70, die bei dem als Diode ausgebildeten Bauelement in 13 die Kathodenzone bildet und die bei dem als MOSFET ausgebildeten Bauelement in 14 dessen Drain-Zone bildet. Der Halbleiterkörper 100 ist im Randbereich 104 derart abgestuft, dass der Rand 105 einen vertikalen Abschnitt 105A und einen lateralen Abschnitt 105B entlang der stark-dotierten Halbleiterzone 70 aufweist. Die Isolationsschicht 52 überdeckt beide Abschnitte 105A, 105B des Randes und reicht im Randbereich 104 bis über die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers. Die Driftzone 20 kann, wie bei dem Bauelement in 13, homogen dotiert sein. Die Driftzone kann jedoch auch wie bei dem Bauelement in 14 eine Kompensationsstruktur mit abwechselnd p-dotierten und ndotierten Bereichen 20, 22 aufweisen. Die Feldringzonen 61, 62, 67, 68 bei dem Kompensationsbauelement gemäß 14 sind dabei so stark dotiert, dass diese Feldringzonen 6168 im Sperrfall nicht vollständig ausgeräumt werden, während die in der Driftzone benachbart zueinander angeordneten ndotierten und p-dotierten Halbleiterzonen 20, 22 im Sperrfall vollständig ausgeräumt werden.The edge termination concept according to the invention with an insulation layer running in the vertical direction of a semiconductor body and an at least one field ring zone adjoining the insulation layer does not necessarily require a trench extending into the semiconductor body, as will be explained below with reference to the exemplary embodiments in FIGS 13 and 14 is explained. With these components there is an edge termination in the edge area 104 of the semiconductor body 100 formed by an insulation layer 52 immediately on the edge 100 of the semiconductor body is applied. In the semiconductor body 100 closes in the first semiconductor zone 20 directly to the insulation layer 52 at least one field ring zone 61 (in 13 ) respectively. 61 . 62 . 67 . 68 (in 14 ) on. The components according to the 13 and 14 embrace in the area of the back 102 each a heavily n-doped semiconductor zone 70 which in the component designed as a diode in 13 forms the cathode zone and that in the component in the form of a MOSFET 14 whose drain zone forms. The semiconductor body 100 is in the border area 104 graded so that the edge 105 a vertical section 105A and a lateral section 105B along the heavily doped semiconductor zone 70 having. The insulation layer 52 covers both sections 105A . 105B of the edge and extends in the edge area 104 up over the front 101 of the semiconductor body. The drift zone 20 can, as with the component in 13 , be homogeneously doped. However, the drift zone can also be the same as for the component in 14 a compensation structure with alternating p-doped and ndoped areas 20 . 22 exhibit. The field ring zones 61 . 62 . 67 . 68 in the compensation component according to 14 are so heavily endowed that these field ring zones 61 - 68 are not completely cleared out in the event of a block, while the ndoped and p-doped semiconductor zones 20, 22 arranged adjacent to one another in the drift zone are completely cleared out in the case of a blockage.

100100
HalbleiterkörperSemiconductor body
101101
Vorderseite des Halbleiterkörpersfront of the semiconductor body
102102
Rückseite des Halbleiterkörpersback of the semiconductor body
105105
Randedge
103103
Innenzoneinner zone
104104
Randzoneborder zone
4040
Grabendig
50, 5250, 52
Isolationsmaterialinsulation material
AA
Anodenanschlussanode
KK
Kathodenanschlusscathode
SS
Source-AnschlussSource terminal
GG
Gate-AnschlussGate terminal
DD
Drain-AnschlussDrain
60–6860-68
FeldringzonenField ring zones
2020
erste Halbleiterzone, Driftzonefirst Semiconductor zone, drift zone
3030
zweite Halbleiterzone, Anodenzonen, Bodyzonesecond Semiconductor zone, anode zones, body zone
7070
vierte Halbleiterzone, Kathodenzone, Drainzonefourth Semiconductor zone, cathode zone, drain zone
3535
fünfte Halbleiterzone, Source-Zonefifth semiconductor zone, Source zone
9090
Gate-ElektrodeGate electrode
9292
Soruce-ElektrodeSoruce electrode
105A105A
vertikaler Randabschnittvertical edge section
105B105B
lateraler Randabschnittlateral edge section

Claims (16)

Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten und zweiten Seite (101, 102) und einem Rand (105), sowie einer Innenzone (103) und einer zwischen der Innenzone (103) und dem Rand (105) angeordneten Randzone (104), – eine erste Halbleiterzone (20) eines ersten Leitungstyps in der Innenzone (103) und der Randzone (104) und wenigstens eine zweite Halbleiterzone (30) eines zweiten Leitungstyps, wobei zwischen der ersten und zweiten Halbleiterzone (20, 30) ein Halbleiterübergang in der Innenzone (103) gebildet ist, gekennzeichnet, durch – wenigstens einen Graben (40, 42, 44), der sich ausgehend von einer der Seiten (101) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, wobei der Halbleiterkörper (100) in dem Graben mit einer elektrisch isolierende Schicht (50) bedeckt ist, – wenigstens eine dritte Halbleiterzone (60-69) des zweiten Leitungstyps, die benachbart zu dem Graben in der ersten Halbleiterzone (20) angeordnet ist.Semiconductor component which has the following features: a semiconductor body ( 100 ) with a first and second side (101, 102) and an edge ( 105 ), as well as an inner zone ( 103 ) and one between the inner zone ( 103 ) and the edge ( 105 ) arranged edge zone ( 104 ), - a first semiconductor zone ( 20 ) of a first line type in the inner zone ( 103 ) and the border zone ( 104 ) and at least one second semiconductor zone ( 30 ) of a second conductivity type, wherein between the first and second semiconductor zones ( 20 . 30 ) a semiconductor junction in the inner zone ( 103 ) is formed, characterized by - at least one trench ( 40 . 42 . 44 ) starting from one of the sides ( 101 ) in the semiconductor body ( 100 ) extends into it, the semiconductor body ( 100 ) in the trench with an electrically insulating layer ( 50 ) is covered, - at least a third semiconductor zone ( 60-69 ) of the second conductivity type, which are adjacent to the trench in the first semiconductor zone ( 20 ) is arranged. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die wenigstens eine dritte Halbleiterzone (60, 60A, 60B, 60C, 60D) wenigstens abschnittsweise unterhalb des Grabens (40) angeordnet ist.Semiconductor component according to Claim 1, in which the at least one third semiconductor zone ( 60 . 60A . 60B . 60C . 60D ) at least in sections below the trench ( 40 ) is arranged. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die wenigstens eine dritte Halbleiterzone (61, 62) an der der Innenzone (103) zugewandten Seite des Grabens (40) in der Randzone angeordnet ist.Semiconductor component according to Claim 1 or 2, in which the at least one third semiconductor zone ( 61 . 62 ) at the inner zone ( 103 ) facing side of the trench ( 40 ) is arranged in the peripheral zone. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, bei dem die wenigstens eine dritte Halbleiterzone (62) unmittelbar unterhalb der Seite (101), ausgehend von der sich der Graben (40) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist.Semiconductor component according to Claim 3, in which the at least one third semiconductor zone ( 62 ) immediately below the page ( 101 ), starting from which the trench ( 40 ) in the semiconductor body ( 100 ) extends into it, is arranged. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, bei dem die wenigstens eine dritte Halbleiterzone (61, 67) beabstandet zu der Seite (101), ausgehend von der sich der Graben (40) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist.Semiconductor component according to Claim 3, in which the at least one third semiconductor zone ( 61 . 67 ) spaced to the side ( 101 ), starting from which the trench ( 40 ) in the semiconductor body ( 100 ) extends into it, is arranged. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die wenigstens eine dritte Halbleiterzone (61B, 67B, 68B) auf der dem Rand (105) zugewandten Seite des Grabens (40) in der Randzone (104) angeordnet ist.Semiconductor component according to one of Claims 1 to 3, in which the at least one third semiconductor zone ( 61B . 67B . 68B ) on the edge ( 105 ) facing side of the trench ( 40 ) in the peripheral zone ( 104 ) is arranged. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem der Graben wenigstens in Richtung der Innenzone (103) eine abgestufte Seitenwand mit wenigstens einer Stufe (4145) aufweist, wobei die wenigstens eine dritte Halbleiterzone (60A60D) unterhalb dieser Stufe ausgebildet ist.Semiconductor component according to claim 1, wherein the trench at least in the direction of the inner zone ( 103 ) a stepped side wall with at least one step ( 41 - 45 ), the at least one third semiconductor zone ( 60A - 60D ) is trained below this level. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der wenigstens eine Graben (40, 42, 44) die Innenzone (103) ringförmig umschließt.Semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the at least one trench ( 40 . 42 . 44 ) the inner zone ( 103 ) encloses in a ring. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem mehrere beabstandet zueinander angeordnete Gräben (40, 42, 44) um die Innenzone (103) angeordnet sind.Semiconductor component according to one of Claims 1 to 7, in which a plurality of trenches (spaced apart from one another) 40 . 42 . 44 ) around the inner zone ( 103 ) are arranged. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sich an die erste Halbleiterzone (20) eine stärker als die erste Halbleiterzone (20) vierte dotierte Schicht (70) des ersten oder zweiten Leitungstyps anschließt.Semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the first semiconductor zone ( 20 ) a stronger than the first semiconductor zone ( 20 ) fourth doped layer ( 70 ) of the first or second line type. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, bei dem der Graben (40) bis in die stärker dotierte Schicht (70) reicht.A semiconductor device according to claim 10, wherein the trench ( 40 ) into the more heavily doped layer ( 70 ) enough. Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten und zweiten Seite (101, 102) und einem Rand (105), sowie einer Innenzone (103) und einer zwischen der Innenzonen (103) und dem Rand (105) angeordneten Randzone (104), – eine erste Halbleiterzone (20) eines ersten Leitungstyps in der Innenzone (103) und der Randzone (104) und wenigstens eine zweite Halbleiterzone (30) eines zweiten Leitungstyps, wobei zwischen der ersten und zweiten Halbleiterzone (20, 30) ein Halbleiterübergang in der Innenzone (103) gebildet ist, gekennzeichnet durch, – eine auf den Rand (105) aufgebrachte elektrisch isolierende Schicht (50), – wenigstens eine in der Randzone (104) angeordnete, sich an den Rand anschließende dritte Halbleiterzone des zweiten Leistungstyps.Semiconductor component which has the following features: a semiconductor body ( 100 ) with a first and second page ( 101 . 102 ) and an edge ( 105 ), as well as an inner zone ( 103 ) and one between the inner zones ( 103 ) and the edge ( 105 ) arranged edge zone ( 104 ), - a first semiconductor zone ( 20 ) of a first line type in the inner zone ( 103 ) and the border zone ( 104 ) and at least one second semiconductor zone ( 30 ) of a second conductivity type, wherein between the first and second semiconductor zones ( 20 . 30 ) a semiconductor junction in the inner zone ( 103 ) is characterized by - one on the edge ( 105 ) applied electrically insulating layer ( 50 ), - at least one in the peripheral zone ( 104 ) arranged, adjoining the edge, third semiconductor zone of the second power type. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, bei dem sich an die erste Halbleiterzone (20), eine stärker als die erste Halbleiterzone (20) vierte dotierte Schicht (70) des ersten oder zweiten Leitungstyps anschließt.Semiconductor component according to Claim 12, in which the first semiconductor zone ( 20 ), a stronger than the first semiconductor zone ( 20 ) fourth doped layer ( 70 ) of the first or second line type. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, bei dem der Rand im Bereich der stärker dotierten Schicht (70) eine Stufe aufweist.Semiconductor component according to Claim 13, in which the edge in the region of the more heavily doped layer ( 70 ) has one level. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem in der ersten Halbleiterzone (20) Kompensationszonen (22) des zweiten Leitungstyps ausgebildet sind.Semiconductor component according to one of the preceding claims, in which in the first semiconductor zone ( 20 ) Compensation zones ( 22 ) of the second conduction type. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem in der zweiten Halbleiterzone (30) eine Halbleiterzone (35) des ersten Leitungstyps ausgebildet ist und bei dem eine Steuerelektrode isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper benachbart zu dieser Halbleiterzone (35) und der zweiten Halbleiterzone (35) angeordnet ist.Semiconductor component according to one of the preceding claims, in which in the second semiconductor zone ( 30 ) a semiconductor zone ( 35 ) of the first conductivity type and in which a control electrode is insulated from the semiconductor body adjacent to this semiconductor zone ( 35 ) and the second semiconductor zone ( 35 ) is arranged.
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