DE10261908A1

DE10261908A1 - Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen und ein danach hergestelltes Element

Info

Publication number: DE10261908A1
Application number: DE2002161908
Authority: DE
Inventors: Gisela Dipl.-Ing. Haback; Peter Dr. rer. nat. Rotsch; Hartmut Illner; Adrian Dipl.-Phys. Mahlkow
Original assignee: OSA OPTO LIGHT GmbH
Current assignee: OSA OPTO LIGHT GmbH
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2002-12-27
Publication date: 2004-07-08
Anticipated expiration: 2022-12-28
Also published as: DE10261908B4

Abstract

Die Erfindung ist anwendbar bei allen auf dem Prinzip der Konversion basierenden Lichtquellen, bei denen sowohl die Halbleiterlichtquelle als auch der Farbstoff zum emittierten sichbaren Licht beitragen. DOLLAR A Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Verfahren zur Herstellung konversionslichtemittierender Elemente auf der Basis von Halbleiterlichtquellen bereitzustellen, welches eine auf den Farbort bezogene gleichmäßige radiale Emissionscharakteristik sichert, mit dem eine hohe Konstanz der Farbkonversionsrate von Bauelement zu Bauelement erreicht wird und welches ohne mechanische Begrenzung der Konversionsschicht die geforderten Ergebnisse erreicht. DOLLAR A Das Wesen des gattungsgemäßen Verfahrens besteht hierbei darin, dass durch den Zusatz von anorganischen oder organischen Feststoffen, die selbst vom Träger gut benetzt werden und die Haftungs- und Benetzungseigenschaften des Trägers nicht beeinträchtigen, die Viskosität und Oberflächenspannung so erhöht wird, dass der LED-Chip ohne mechanisch begrenzendes Element homogen von Vergussmaterial/Leuchtstoff/Additiv-Gemisch umgeben ist und dass sich die erfindungsgemäße isotrope, das heißt radial homogene Farbcharakteristik des Individuums einstellt. DOLLAR A Das nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterbauelement zeichnet sich hierbei dadurch aus, dass das das Halbleiterbauelement (2) umhüllende Farbstoff-Träger-Additiv-Gemisch (3) aufgrund seiner Oberflächenspannung und Viskosität eine äußere geometrische Form aufweist, ...

Description

Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung konversionslichtemittierender Elemente auf der Basis von Halbleiterlichtquellen. Sie betrifft alle auf diesem Wirkprinzip basierenden Lichtquellen, bei denen sowohl die Halbleiterlichtquelle als auch der Farbstoff zum emittierten sichtbaren Licht beitragen.
Da weiße LED die wichtigste Anwendung dieses Prinzips darstellen, sind die Verfahren zur Herstellung und die damit verbundenen Probleme am ausführlichsten untersucht. Die folgenden Ausführungen sind deshalb ohne Beschränkung der Allgemeinheit für weiße LED ausgeführt. Es sind allgemein zwei unterschiedliche Verfahren bekannt, mit denen LED hergestellt werden, die für den Betrachter weiß emittierendes Licht wahrnehmen lassen. Zum einen erfolgt dieses durch die Verwendung von drei unterschiedlichen LED-Chips (rot, grün und blau) und zum anderen durch die Konversion der Strahlung eines LED-Chips mittels eines Farbstoffes, woraus schließlich der gewünschte Farbeindruck, beispielsweise weiß, resultiert.
Da die vorgelegte Lösung auf der Konversion basiert, wird im folgenden der Stand der Technik auf diesem Gebiet kurz dargestellt.

Druckschrifliche Veröffentlichungen zur Farbkonversion sind beispielsweise durch die US 884 592 ; DE 2 059 909 gegeben. Der LED-Chip als eigentliche, primäre Lichtquelle wandelt die eingeleitete elektrische Energie in Lichtenergie um und strahlt blaues oder grünes Licht der Wellenlänge 430 nm bis 520 nm aus (siehe DE 1 963 8667 ; JP 071 76 794 ) und regt hierbei einen Farbstoff, in den meisten Fällen Ce-dotiertes Yttrium-Aluminium-Granat zur Emission von spektral breit verteiltem Licht mit Maximum bei 550 nm an („A new Phosphor ...: Yellow-Emitting Y₃Al₅O₁₂-Ce³⁺ „; G. Blasse, A. Bril, Appl. Phys. Lett. Vol. 11, Nr. 2, [1967] ) . Weiterhin ist auch die Möglichkeit vielfach beschrieben und im Jahr 2001 zumindest in Labormaßstab umgesetzt worden, als primäre Lichtquelle einen Halbleiterchip, der eine Emissionswellenlänge im nahen UV-Bereich zwischen 300 und 450 nm aufweist ( DE 197 56 360 ; WO 98/54 929) und zur Erzeugung des Weißlichteindruckes ein mehrkomponentiges Lumineszenzfarbstoffgemisch mit verschiedenen sich zum Teil überlappenden Emissionsspektren zur Abdeckung eines möglichst breiten Spektralfarbbereiches und einer möglichst guten Farbwiedergabe zu verwenden. Bei Verwendung einer UV-Diode als primäre Strahlungsquelle entspricht das Wirkprinzip einer weißen LED im physikalischen Sinn dem der normalen Leuchtstoffröhre ( DE 21 28 065 ; US 96 744 ).

Bei dem Prinzip der Lichtkonversion gibt es einige, in der Regel technisch bedingte Schwierigkeiten, die kommerzielle Produkte teilweise deutlich von der Idealvorstellung einer weißen Leuchtdiode abweichen lassen. Anfänglich (nach 1990) kam es zu starker Degradation in der Helligkeit der weißen LED schon nach wenigen hundert bis tausend Betriebsstunden. In der Regel wird der Lumineszenzfarbstoff direkt an oder auf dem Chip platziert. Als eine wichtige Ursache für die auftretende Degradation ist die lokale Erwärmung des Farbstoffes identifiziert worden. Um dieses Problem zu umgehen, wurde in vielen Fällen eine räumliche Trennung zwischen dem LED-Chip und dem für die Lichtkonversion verwendeten Farbstoff eingeführt ( DE 199 19 381 ) oder die Konversion wurde ganz außerhalb der Leuchtdiode durchgeführt ( DE 298 20 384 ; DE 200 13 605 ). In der Folgezeit wurde dieses Problem auch dadurch reduziert, dass der Wirkungsgrad der verwendeten InGaN-LED-Chips deutlich erhöht und damit die Eigenerwärmung und somit die Erwärmung des direkt angrenzenden Farbstoffes verringert ist.

Bei der Lichtkonversion wird für die Generierung des Weiß-Eindruckes eine Zwei-Komponenten-Mischung aus dem primären, meist blauen Licht und dem Lumineszenzlicht des Farbstoffes verwendet. Durch die Konzentration des Farbstoffes auf dem optischen Lichtweg wird der Anteil des konvertierten Lichts an der emittierten Lichtmenge bestimmt. Für geringe und homogene Konzentrationen (bis 30 % Volumenanteil) und kurze Wege (bis einige mm) gilt in einer linearen Näherung: ISek ≅ ηLum·cLum·Iprim, [1]wobei η_Lum der Konversionswirkungsgrad des Farbstoffes, c_Lum die Konzentration des Farbstoffes und s der optische Weg des Farbstoffes durch die Farbstoffschicht ist. Damit ist es prinzipiell möglich, durch geeignete Wahl der Parameter bei der Herstellung der weißen LED den Weiß-Eindruck von blau-weiß über kalt-weiß, rein-weiß, warm-weiß bis zu gelb-weiß einzustellen.

2 illustriert auch den Stand der Technik, es sind die Farborte von weißen LED's aus der Stichprobe einer Liefereinheit nach einem typischen Herstellungsverfahren im Farbraum eingetragen. Bei diesem Verfahren (dargestellt durch Kreise in 2) wurde der Farbstoff in hoher Konzentration (C_Lum ≥ 15% ) in einem dünnflüssigen Vergussmaterial direkt auf den Chip aufgebracht. Die benötigten Schichtdicken (s) liegen im Bereich einiger Mikrometer. Schon durch geringe Variationen der Konzentration in der Schicht oder durch eine Änderung der Schichtdicke wird der Anteil konvertierten Lichts verändert (siehe Formel [1]) und der Farbeindruck verschiebt sich. Durch dieses Herstellungsverfahren ist eine homogene und konstante Konzentration über dem einem Fertigungslos nicht zu erreichen. Ordnet man mehrere solche weißen LED nebeneinander an, fällt auch dem ungeübten Betrachter auf, dass die Farbe von Türkisstich, Grünstich bis Gelbstich alle Nuancen aufweisen kann.

Eine Lösung für diese Problematik ist, nach [1] den optischen Weg von wenigen Mikrometern in den Bereich Millimeter zu verlängern. Dabei wird die Konzentration des Farbstoffes deutlich (C_Lum ≤ 10%) reduziert und der Farbstoff über das – im Vergleich zum Chip – große Volumen des Vergusses verteilt aufgebracht. Damit haben die produktionsbedingten Toleranzen einen deutlich geringeren Einfluss auf den Weißeindruck. Mit einigem Aufwand, beispielsweise eine permanente Homogenisierung des Vergussmaterials mit dem darin aufgeschlämmten Farbstoff, ist die Konzentration des Farbstoffes präzise einstellbar. LED's nach dieser Herstellungsmethode zeigen über einem Fertigungslos eine geringe Streuung der spektralen Emissionscharakteristik /OS DE 197 56360 A1, OS DE 196 25622 A1, Fig. 1/, wenn man eine Farbbewertung unter Messbedingungen nach CIE zur Messung der Lichtstärke, Bedingung A oder B /Commission Internationale de l'Éclairage, „Measurements of LED's" CIE 127 (1997)/ vornimmt.

Dieses zweite Verfahren führt zum Problem der optischen Weglänge durch die Farbstoffschicht aus unterschiedlichen Betrachtungsrichtungen. Nach [1] ist der Anteil konvertierten Lichts bei konstanter Konzentration abhängig vom optischen Weg durch die Konversionsschicht. Unterschiedliche Weglängen führen dazu, dass sich der Farbeindruck mit dem Betrachtungswinkel ändert. Die Problematik soll am Beispiel einer SMD-LED der Bauform 1206 /www.osa-opto.de, Datenblatt zur OLS150/ erläutert werden. Licht welches senkrecht zur Chip- und Bauelementoberfläche emittiert wird, durchläuft eine Konversionsschicht der Dicke 600 μm. Licht, welches unter einem Winkel von 45° zu dieser Richtung emittiert wird, durchläuft einen Weg von 1100 μm, in der Raumdiagonalen steigt dieser Wert auf 1400 μm an. Betrachtet man eine solche LED genauer, so leuchtet das Zentrum einer LED deutlich blaustichig, während die Emission über ihrer Kante eine deutliche Gelbverschiebung aufweist.

Der Weißgrad ist hier als das Abstandsquadrat vom idealen Weißpunkt bei (x/y) = (1/3/1/3) definiert, wobei der Weißpunkt den Wert 1 = 100 % repräsentiert. Bei den geringen Abständen vom Unbuntpunkt (Idealer Weißpunkt nach CIE) kann man den hier definierten Weißgrad als die Differenz zur Farbreinheit betrachten:

mit x_Meß und y_Meß als gemessenen Farbkoordinaten. Die Abstrahlcharakteristik einer nach diesem Verfahren hergestellten Diode zeigt die Folge der oben erläuterten Problematik, man kann erkennen, dass nach oben rein-weißes Licht und zur Seite hin fast blaues Licht abgestrahlt wird.

Die nach dem Stand der Technik bekannten Vergussmaterial – Farbstoffgemische bestehen aus dem Farbstoff und einem ein- oder zweikomponentigem Epoxydharz oder einem Silikon als Vergussmaterial, im weiteren als Träger bezeichnet. Wenn kein begrenzendes Gefäß, beispielsweise ein Reflektor, vorhanden ist, verteilen sie sich bei der anschließenden Weiterbearbeitung auf der Oberfläche des Basismaterials, so dass die Chipumgebung, jedoch nicht der Chip vom Farbstoff/Träger- Gemisch bedeckt ist.

Durch die Druckschrift AT A2154/2000, die eine Lichtquelle mit einem lichtemittierenden Element betrifft, ist eine Lösung zu diesem Problemkreis bekannt geworden. In dieser Druckschrift wird auch die Forderung, eine aus allen Richtungen gleiche Dicke der Farbkonversionsschicht einzustellen, aufgestellt. Als Lösung wird vorgeschlagen, auf den Chip eine Polymerlinse oder Polymerscheibe mit kugel- oder ellipsoidförmigen Ausnehmungen, die mit Farbstoff Vergussmasse- Gemisch gefüllt sind, aufzusetzen, um mit dieser mechanischen Begrenzung die gewünschte isotrope Weglänge durch die Konversionsschicht zu erzwingen.

Die Realisierung dieser Lösung ist mit hohem Aufwand verbunden. Hinzu kommt, dass Lufteinschlüsse kaum vermieden werden können und Bauelemente mit Einschlüssen eine Verschiebung der Emissionsfarbe aufweisen und in der Regel unbrauchbar sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Verfahren zur Herstellung konversionslichtemittierender Elemente auf der Basis von Halbleiterlichtquellen bereitzustellen, welches eine auf den Farbort bezogene gleichmäßige radiale Emissionscharakteristik sichert, mit dem eine hohe Konstanz der Farbkonversionsrate von Bauelement zu Bauelement erreicht wird und welches ohne mechanische Begrenzung der Konversionsschicht die geforderten Ergebnisse erreicht.

In dem Prozess der Findung der Lösung wurde wie folgt vorgegangen: Als erstes Problem wurde erkannt, dass eine Streuung der Konzentration des Farbstoffs im Farbstoff / Träger- Gemisch oder/ und eine Streuung der Konversionsschichtdicke zu einer streuenden Konversionsrate und damit zu streuenden Farben über einer zu betrachtenden Produktionsmenge fiihrt.

Als weiteres Problem ist klar erkannt worden, dass, um eine im Winkel homogene Farbe zu erhalten, der Chip als Quelle des primären Lichts möglichst homogen von einer Farbstoff beinhaltenden Konversionsschicht umhüllt werden muss.

Das Wesen des gattungsgemäßen Verfahrens besteht hierbei darin, dass durch dem Zusatz von anorganischen oder organischen Feststoffen, die selbst vom Träger gut benetzt werden und die Haftungs- und Benetzungseigenschaften des Trägers nicht beeinträchtigen, die Viskosität und Oberflächenspannung so erhöht wird, dass der LED- Chip ohne mechanisch begrenzendes Element homogen von Vergussmaterial/Leuchtstoff/Additiv- Gemisch umgeben ist und dass sich die erfindungsgemäße isotrope, das heißt radial homogene Farbcharakteristik des Individuums einstellt.

Die Oberflächenspannung und die Viskosität des Farbstoff/ Träger/Additiv-Gemisches sind so ausgewählt und aufeinander abgestimmt, dass sie dessen Homogenität stabilisieren und bei gleichmäßiger Volumendosierung auf der Halbleiterlichtquelle eine auf das Fertigungslos bezogene gleiche Konversionsrate und damit emittierte Farbe erreicht wird. Mit diesem Verfahren wird zugleich eine hohe Qualität bei der Reproduzierbarkeit der Farbcharakteristika gewährleistet.

Nach einem weiteren Merkmal besteht das Additiv aus einem anorganischen oder einem organischen Feststoff. In einer Abwandlung besteht das Additiv aus ausgehärtetem und gemahlenem Träger. Als Feststoff haben sich besonders wirkungsvoll organische Oxide optimaler Korngröße wie Aluminiumoxid, Zinnoxid, Siliziumdioxid und Titandioxid erwiesen. Die alternative Lösung, der Zusatz von ausgehärtetem organischem Träger, beispielsweise von ausgehärtetem Epoxydharz in entsprechender Korngröße ermöglicht vergleichbare Ergebnisse. Die Konzentration des Additivs beträgt 2 bis 65 Vol%, die der verwendeten Konversionsfarbstoffe 15 bis 80 Vol%.

Eine Modifizierung des Verfahrens sieht vor, dass der Farbstoff aus einem oder mehreren Farbstoffen besteht. Der Träger besteht vorzugsweise aus einem Epoxydharz. Er kann in einer Abwandlung auch aus einem Silikon bestehen.

Ein weiterer besonderer Effekt des Verfahrens ist darin zu sehen, dass das Farbstoff/Träger/Additiv Gemisch die äußere mechanische Form während der Weiterverarbeitung, insbesondere bei der thermischen Aushärtung, nicht oder nur geringfügig ändert. Die Form dieser Konversionsschicht ähnelt im Querschnitt einer Gaußschen Glockenkurve mit breitem oberen Plateau und ist nahezu rotationssymmetrisch zur Symmetrieachse des Chips. Sie stellt sich in einem Selbstorganisationseffekt ein und bleibt auch in einem nachfolgenden Aushärteprozess erhalten. Eventuell eingeschlossene Gasblasen zerplatzen bei der nachfolgenden Aushärtung und die noch flüssige Matrix heilt diese Inhomogenitäten problemlos wieder aus.

Schließlich wurde überraschenderweise festgestellt, dass das das Halbleiterbauelement umhüllende Farbstoff- Träger- Additiv Gemisch auf Grund seiner Oberflächenspannung und Viskosität während der Verarbeitung die häufig beobachtete Entmischung der Vergussmaterial- Farbstoffgemische nicht ausweist. Damit zeichnen sich die nach diesem Verfahren hergestellten Bauelemente bei entsprechend präziser Dosierung der Menge an Farbstoff Träger- Additiv Gemisch dadurch aus, dass sie eine geringe Streuung der Farbeigenschaften innerhalb der Produktionschargen aufweisen.

Das Halbleiterbauelement, auf das das Farbstoff/ Träger/ Additiv- Gemisch aufgebracht wird, kann eine würfelförmige, eine quaderförmige oder jede andere geometrische Form aufweisen. Das heißt, eine bestimmte äußere geometrische Form eines Bauelementes ist für das Verfahren unerheblich.

Ein optional im Anschluss auf diese ausgehärtete und damit auch gegenüber mechanischen Einflüssen formstabile Konversionsschicht aufgebrachter zweiter Verguss aus klarem oder diffus eingefärbtem Material bildet den geometrischen Abschluss gegenüber der Umwelt und schützt vor stärkeren chemischen, mechanischen und physikalischen Einflüssen.

Das nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterbauelement zeichnet sich dadurch aus, dass das das Halbleiterbauelement umhüllende Farbstoff/Träger/Additiv-Gemisch auf Grund seiner Oberflächenspannung und seiner Viskosität eine äußere geometrische Form aufweist, die im Querschnitt einer Gaußschen Glockenkurve mit breitem oberen Plateau ähnelt und rotationssymmetrisch zur Symmetrieachse des Chips ist.

Die Erfindung soll an folgendem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:
1a: den Chip montiert auf Basismaterial mit einer Umhüllung aus dem Farbstoff / Träger / Additiv – Gemisch;
1b: den Chip montiert auf Basismaterial mit zusätzlichem Reflektor mit einer Umhüllung aus dem Farbstoff /Träger / Additiv – Gemisch;
Fig. 2: Wiedergabe gemessener Farborte weißer LED nach der vorgeschlagenen Lösung;
3: die Farbcharakteristik der vorgeschlagenen Lösung ; Auf einer Basisfläche 1, zum Beispiel eine Leiterplatte, mit einer als Reflektor 4 dienenden Strukturierung werden als LED-Chips ausgebildete Halbleiterbauelemente 2 der Emissionswellenlänge 460nm montiert. Für den Verguss wird ein Gemisch 3 aus zweikomponentigem Epoxydharz, 20 bis 60 Vol % YAG-Farbstoff und 10 bis 25 Vol % Titandioxid der Korngröße 1 bis 0,01 μm hergestellt und innig vermischt.
Wie aus den 1a und 1b ersichtlich, wird auf das als Chip ausgebildete Halbleiterbauelement 2 mit üblichen, hinreichend präzisen Dosiervorrichtungen eine Menge von 5 bis 20 μl Gemisch 3 abgeschieden. Nach dem Aushärten ist das Chip vom Verguss- Farbstoff Additiv- Gemisch 3 umgeben. Die so hergestellten Bauelemente weisen eine isotrope, das heißt radial homogene weiße Lichtemission auf. Die Streuung über einem Fertigungslos ist deutlich reduziert. Durch die reduzierte Streuung über dem Fertigungslos weist das nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterbauelement 2 qualitativ stabile Parameter auf, wodurch das Bauelement auch und besonders für solche Einsatzzwecke geeignet ist, bei denen es bezogen auf unterschiedliche Betrachtungsstandpunkte stets ein konstanter weißer Farbeindruck erzeugt wird.
2 veranschaulicht die Lokalisierung der Farborte nach der vorgeschlagenen Lösung. Zur Verdeutlichung der Unterschiede wurden auch die Farborte nach dem Stand der Technik dargestellt. Diese Lösung zeichnet sich vor allem dadurch aus, dass das die Halbleiterlichtquelle umhüllende Farbstoff/ Träger/ Additiv – Gemisch auf Grund seiner Oberflächenspannung und Viskosität während der Verarbeitung die häufig beobachtete Entmischung der Vergussmaterial- Farbstoffgemische nicht aufweist. Das heißt, dass die nach diesem Verfahren hergestellten Bauelemente eine geringe Streuung der Farbeigenschaften innerhalb der Produktionschargen aufweisen.
3 veranschaulicht die Farbcharakteristik der vorgeschlagenen Lösung. Die Anzahl der Meßpunkte, die im Bereich von einem Weißgrad von nahe 100% liegen ist besonders deutlich im Vergleich mit der Anzahl der Meßpunkte nach dem Stand der Technik. Damit wird zugleich auch die radial homogene Farbcharakteristik des Bauelementes dokumentiert.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elements auf Basis einer Halbleiterlichtquelle, bei dem die Verkapselung mit einem Farbstoff/Träger-Gemisch erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass auf das Halbleiterbauelement ein Farbstoff /Träger/ Additiv-Gemisch aufgebracht wird, dessen Oberflächenspannung und Viskosität so gewählt sind, dass ohne Anwendung von mechanischen Hilfsmitteln die Halbleiterlichtquelle so von diesem Gemisch umgeben wird, dass eine auf den Farbort bezogene gleichmäßige radiale Abstrahlcharakteristik realisiert wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenspannung und Viskosität des Farbstoff/ Träger/ Additiv-Gemischs so gewählt sind, dass sie dessen Homogenität stabilisieren und bei gleichmäßiger Volumendosierung auf dem Halbleiterbauelement eine auf das Fertigungslos bezogene gleiche Konversionsrate und damit emittierte Farbe erreicht wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Additiv ein organischer oder ein anorganischer Feststoff zugesetzt wird.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Feststoff anorganische Oxide optimaler Korngröße, wie Aluminiumoxid, Zinnoxid, Siliziumdioxid oder Titandioxid zugesetzt werden.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration der Additive 2 bis 65 Vol%, die der verwendeten Konversionsstoffe 15 bis 85 Vol% betragen.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Additiv aus ausgehärtetem und gemahlenem Träger besteht.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Farbstoff aus einem oder mehreren Farbstoffen besteht.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger aus einem Epoxydharz oder einem Silikon besteht.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement, auf das das Farbstoff/ Träger/ Additiv- Gemisch aufgebracht wird, eine würfelförmige, eine quaderförmige oder jede andere geometrische Form aufweisen kann.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein aufgebrachter zweiter Verguss aus klarem oder diffus eingefärbtem Material den geometrischen Abschluss bildet.
Halbleiterbauelement, hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das das Halbleiterbauelement (2) umhüllende Farbstoff Träger- Additiv Gemisch (3) auf Grund seiner Oberflächenspannung und Viskosität eine äußere geometrische Form aufweist, die im Querschnitt einer Gaußschen Glockenkurve mit breitem oberen Plateau ähnelt und rotationssymmetrisch zur Symmetrieachse des Chips ist.