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Die vorliegende Erfindung betrifft
eine Vorrichtung auf Basis eines makroporösen, flächig ausgebildeten Trägermaterials,
wobei innerhalb des mit Poren strukturierten Trägermaterials entlang der Porenlängsachsen
an bzw, in den Porenwänden
ein p-n- oder ein p-i-n-Übergang
mit getrennt ankontaktierbaren p- und n-Bereichen angeordnet ist.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung
eignet sich insbesondere als optoelektronischer Biosensor in Verfahren zum
Nachweis biochemischer Reaktionen und/oder Bindungen sowie hierfür insbesondere
zur Untersuchung von enzymatischen Reaktionen, Nukleinsäure-Hybridisierungen,
Protein-Protein-Wechselwirkungen und Protein-Liganden-Wechselwirkungen.
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In der Molekularbiologie finden heute
in zunehmendem Maße
Biochips Verwendung, mit denen auf schnelle Art und Weise Erkenntnisse über Organismen
und Gewebe gewonnen werden. Für
die Biowissenschaften und die medizinische Diagnostik ist die Detektion
(bio)chemischer Reaktionen, d.h. die Detektion biologisch relevanter
Moleküle
in definiertem Untersuchungsmaterial von herausragender Bedeutung.
In diesem Rahmen wird die Entwicklung von sogenannten Biochips bzw.
Biosensoren stetig vorangetrieben. Bei derartigen Biochips handelt
es sich üblicherweise
um miniaturisierte hybride Funktionselemente mit biologischen und
technischen Komponenten, insbesondere auf einer Oberfläche eines BioChip-Grundmoduls immobilisierten
Biomolekülen, die
als spezifische Interaktionspartner dienen. Häufig weist die Struktur dieser Funktionselemente
Reihen und Spalten auf. Man spricht dann von sogenannten „Mikroarrays". Da tausende von
biologischen bzw. biochemischen Funktionselementen auf einem Chip angeordnet
sein können,
werden diese in der Regel mit mikrotechnischen Methoden angefertigt.
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Als biologische und biochemische
Funktionselemente kommen insbesondere DNA, RNA, PNA, (bei Nukleinsäuren und
ihren chemischen Derivaten können
z.B. Einzelstränge
wie Oligonukleotide, Triplex-Strukturen oder Kombinationen hiervon
vorliegen), Saccharide, Peptide, Proteine (z.B. Antikörper, Antigene,
Rezeptoren), Derivate der kombinatorischen Chemie (z.B. organische
Moleküle),
Zellbestandteile (z.B. Organellen), einzelne Zellen, mehrzellige
Organismen sowie Zellverbände
in Frage.
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Die am weitesten verbreitete Variante
von Biochips sind die Mikroarrays. Dies sind üblicherweise kleine Plättchen ("Chips") aus beispielsweise
Glas, Gold, Kunststoff oder Silizium. Zum Nachweis entsprechender
biologischer oder biochemischer (Bindungs)Reaktionen werden dabei
beispielsweise kleine Mengen an solubilisierten, gleichen oder unterschiedlichen
Fängermolekülen, z.B.
eine bekannte Nukleinsäuresequenz,
in Form von kleinsten Tröpfchen
punktförmig
und matrizenartig, sogenannte Dots, auf der Oberfläche des
Biochip-Grundmoduls fixiert. In der Praxis werden einige hundert
bis einige tausend Tröpfchen
pro Chip verwendet. Anschließend
wird ein zu untersuchender Analyt, der beispielsweise fluoreszenzmarkierte
Zielmoleküle
enthalten kann, über
diese Oberfläche
gepumpt. Dabei kommt es im allgemeinen zu unterschiedlichen chemischen
(Bindungs)Reaktionen zwischen den im Analyt enthaltenen Zielmolekülen und
den fixierten bzw. immobilisierten Fängermolekülen.
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Zur Detektion solcher chemischer
(Bindungs)Reaktionen zwischen den im Analyt enthaltenen Zielmolekülen und
den fixierten bzw. immobilisierten Fängermolekülen werden derzeit verschiedene
Verfahren eingesetzt. Zum einen gibt es Bestrebungen, als elektrisches
Verfahren für
elektronisch auslesbare Biosensoren die Impedanzspektroskopie einzusetzen.
Als weitere Möglichkeit
zum elektrischen Auslesen wurden entsprechende Redoxverfahren vorgeschlagen,
welche bereits näher
vor einer möglichen
Anwendung stehen. Hierzu werden die nachzuweisenden Zielmoleküle, z.B.
DNA-Stränge, mit
bestimmten Molekülen
markiert. Die im Falle eines Bindungsereignisses hervorgerufene
Reduktion bzw. Oxidation kann dann als elektrischer Strom gemessen
werden.
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In der Mehrheit werden jedoch optische
Verfahren eingesetzt. Dazu werden die Zielmoleküle mit Farbstoffmolekülbausteinen, üblicherweise
Fluorochromen markiert. Das Vorhandensein und die Intensität von Licht,
das von den Fluorochromen emittiert wird, gibt Aufschluß über den
Verlauf der Reaktion oder Bindung in den einzelnen Tröpfchen auf
dem Substrat, so daß Rückschlüsse auf
das Vorhandensein und/oder die Eigenschaft der Zielmoleküle und/oder
Fängermoleküle gezogen
werden können. Wenn
sich die entsprechenden fluoreszenzmarkierten Zielmoleküle des Analyten
mit bzw. an den an der Oberfläche
des Trägersubstrats
immobilisierten Fängermolekülen umsetzen
bzw. binden, kann durch optische Anregung mit Licht, z.B. durch
eine Laseranregung, und Messung des entsprechenden Fluoreszenzsignals
diese Reaktion bzw. Bindung nachgewiesen werden, beispielsweise
extern in einem Spektrometer oder einem Fluoreszenzscanner. In ähnlicher
Weise kann eine Markierung der Zielmoleküle über Chemolumineszenzmarker
erfolgen, so daß der
Nachweis über
eine Detektion der Chemolumineszenz möglich ist.
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In einer Variante solcher Analyseverfahren werden
die Moleküle
nicht an der planaren Oberfläche
eines Sensors bzw. Chips immobilisiert, sondern in einer Porenstruktur.
Dies wirkt sich insbesondere auf die Fluidik günstig aus, da ein Durchfluß der zu untersuchenden
Substanz möglich
wird, wohingegen bei herkömmlichen
planaren Sensoren der Materialtransport an der Oberfläche in der
Regel diffusiv erfolgt. Zudem können
auf der stark vergrößerten Oberfläche mehr
Nachweisreaktionen stattfinden. Dadurch steigt die Nachweisempfindlichkeit
für biologische
Assays. Durch Pumpen der im Analyten gelösten Zielmoleküle durch
die Poren bzw. Kanäle
zwischen Vorder- und Rückseite
des porösen
Substrates werden diese in nahen räumlichen Kontakt mit der Porenbegrenzungsfläche (Innenfläche der
Poren) des Substrates gebracht (< 10 μm). Ruf dieser Größenskala
ist die Diffusion ein sehr effektiver Transportprozeß, der innerhalb
kurzer Zeit die Distanzen zwischen nachzuweisendem Zielmolekül und dem
auf der Oberfläche
immobilisierten Fängermolekül überbrückt. Die
Geschwindigkeit der Bindungsreaktion kann dadurch erhöht und damit
die Dauer des Nachweisverfahrens deutlich verkürzt werden. Ein Beispiel für ein Substrat
mit derartiger definierter Porösität ist elektrochemisch
hergestelltes poröses
Silizium (vgl.
DE 42 02 454 ,
EP 0 553 465 oder
DE 198 20 756 ).
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Dennoch erfordern auch solche Verfahren mit
Hilfe derartiger poröser
Substrate bzw. Biochips aufwendige externe Auslesesysteme, wie beispielsweise
Spektrometer oder Fluoreszenzscanner.
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Der vorliegenden Erfindung liegt
somit die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung bzw. ein "BioChip-Grundmodul" zum Nachweis biochemischer Reaktionen
und/oder Bindungen bereitzustellen, die bzw. das im Rahmen der vorgenannten
Analyseverfahren keine aufwendigen externen Auslesesysteme erfordert,
aber dennoch eine hohe Nachweisempfindlichkeit von mit dem fertigen
Biochip durchzuführenden
Tests liefert. Schließlich
ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine derartige
Vorrichtung anzugeben.
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Diese Aufgaben werden entsprechend
durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch
1 sowie durch ein Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 15 gelöst. Bevorzugte
Ausführungsformen
sind Gegenstand der abhängigen
Ansprüche.
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Gemäß der Erfindung umfaßt eine
Vorrichtung ein flächig
ausgebildetes Trägermaterial,
welches über
zumindest einen Oberflächenbereich
verteilt eine Vielzahl von Poren aufweist, welche sich von einer
Oberfläche
des Trägermaterials
zu der gegenüberliegenden
Oberfläche
durchgängig
erstrecken, wobei
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- – die
Poren jeweils durch eine Porenbegrenzungsfläche der in dem Trägermaterial
ausgebildeten Porenwände
begrenzt sind,
- – zumindest
ein Teil der Porenwände
mindestens bereichsweise einen Schichtaufbau mit einem ersten dotierten
Halb-leiterbereich und einem von der Porenbegrenzungsfläche beabstandeten zweiten,
komplementär
bzw. entgegengesetzt dotierten Halbleiterbereich unter Bildung eines
p-n- oder eines p-i-n-Übergangs
aufweist, und
- – der
erste und der zweite Halbleiterbereich jeweils getrennt voneinander
mit einem Anschlußkontakt
zur Verschaltung des p-n- bzw. des p-i-n-Übergangs als Photodiode versehen
sind.
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Erfindungsgemäß werden die Poren des eingesetzten
Trägermaterials
derart gestaltet, daß in den
Porenwänden
jeder Pore eine Photodiode ausgebildet ist, welche zur Detektion
des entsprechenden Chemolumineszenzsignals bei Reaktion bzw. Bindung
eines entsprechend markierten Zielmoleküls in einem Analyten mit entsprechenden
Sonden bzw. Fängermolekülen an dem
fertigen Biosensor befähigt ist.
Die Photodiode wird dabei im wesentlichen durch einen p-n-Übergang innerhalb der Porenwände, d.h. einem
p-n-Übergang
mit getrennt ankontaktierbaren p- und n- dotierten Halbleiterbereichen
innerhalb des mit Poren strukturierten Trägermaterials erzeugt. Beispielsweise
ist der erste Halbleiterbereich ein p-dotierter Halbleiterbereich.
In diesem Fall weist der zweite Halbleiterbereich eine komplementäre n-Dotierung
auf. Wenn umgekehrt der erste Halbleiterbereich p-dotiert ist, weist
der zweite Halbleiterbereich eine n-Dotierung auf. Der zweite Halbleiterbereich
ist weiter von der Porenbegrenzungsfläche als der erste Halbleiterbereich
entfernt, Betriebsmäßig wird
an den p-n-Übergang
eine deratige Rückwärtsspannung angelegt,
daß in
der Verarmungszone des pn-Übergangs
photogenerierte Elektron-Lochpaare feldionisiert werden und als
Photostrom extern nachweisbar sind.
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Wünschenswert
ist angsichts der geringen absoluten Chemolumineszenzintensität eine möglichst
hohe Nachweisempfindlichkeit der Photodiode. Um eine hohe Quanteneffizienz
der Photodiode zu erhalten, wird der p-n-Übergang
daher vorzugsweise derart ausgelegt, daß eine vergleichsweise ausgedehnte
Verarmungszone erzeugbar ist, welche einen großen Anteil der zu detektierenden
Photonen absorbiert. In der einfachsten Auführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
grenzt der erste dotierte Halbleiterbereich unmittelbar an den zweiten
komplementär
dotierten Halbleiterbereich an, so daß sich ein p-n- Übergang
ergibt. Um die Quantenausbeute der Photodiode weiter zu steigern
kann es jedoch vorteilhaft sein, zwischen den n- und den p-dotierten
Halbleiterbereichen der Photodiode einen undotierten (intrinsischen)
Halbleiterbereich anzuordnen, so daß ein p-i-n-Übergang
als Photodiode vorliegt. Die Dicke der intrinsichen Halbleiterschicht
kann zur Optimierung der Quanteneffizienz maßgeschneidert werden und beträgt vorzugsweise
etwa 100 bis 500 nm.
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Vorzugweise beseht der erste Halbleiterbereich
und ein eventuell vorhandener intrinsicher Halbleiterbereich zwischen
dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich aus einer ein- oder polykristallinen
Halbleiterschicht, welche auf die zweite Halbleiterschicht aufgebracht
wird. Besonders bevorzugt ist hierbei eine Polysiliziumschicht,
deren Dotierprofil während
der Abscheidung gesteuert werden kann.
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In dem makroporösen, flächig ausgebildeten Trägermaterial ist über mindestens
einen Oberflächenbereich
verteilt eine Vielzahl von üblicherweise periodisch
angeordneten Poren, welche sich von einer Oberfläche zur gegenüberliegenden
Oberfläche des
Trägermaterials
erstrecken, angeordnet. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können auf
dem flächig
ausgebildeten makroporösen
Trägermaterial
bereichsweise auch Sacklöcher,
d.h. nur nach einer der Oberflächenseiten
geöffnete
Poren, vorgesehen werden. Das eingesetzte makroporöse Trägermaterial weist
vorzugsweise einen Porendurchmesser von 500 nm bis 100 μm, mehr bevorzugt
2 bis 10 μm
auf. Die Dicke des makroporösen
Trägermaterials
beträgt üblicherweise
100 bis 5.000 μm,
vorzugsweise 300 bis 600 μm.
Der Abstand von Porenmitte zu Porenmitte (Pitch), d.h. zweier zueinander
benachbarter bzw. angrenzender Poren beträgt üblicherweise 1 bis 500 μm, vorzugsweise
3 bis 100 μm.
Die Porendichte liegt üblicherweise
im Bereich von 104 bis 108/cm2. Die Poren in der erfindungsgemäßen Vorrichtung können beispielsweise
im wesentlichen rund, ellipsenförmig
oder im wesentlichen quadratisch gestaltet sein.
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Das makroporöse Substrat bzw. Trägermaterial
beseht vorzugsweise aus makroporösem
Silizium. Das Silizium kann dabei dotiert, vorzugsweise n-dotiert,
oder undotiert sein. Deratiges makroporöses Silizium kann beispielsweise
nach dem in
EP-A1-0
296 348 beschriebenen Verfahren hergestellt werden.
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Der erste dotierte Halbleiterbereich
ist vorzugsweise aus p-dotiertem,
beispielsweise mit Bor dotiertem, Polysilizium mit einer Dicke im
Bereich von 100 bis 200 nm aufgebaut. Die Dotierstoffkonzentration
liegt dabei vorzugsweise in einem Bereich von 1016 bis
1017 cm–3.
Der zweite komplementär
dotierte Halbleiterbereich ist vorzugsweise aus n-dotiertem, insbesondere
p-dotiertem, Silizium mit einer Dicke im Bereich von 100 bis 200
nm aufgebaut, welches vorzugsweise einkristallin ist. Die Dotierstoffkonzentration
liegt dabei üblicherweise
in einem Bereich von 1016 bis 1017 cm–3. Die Dotierung wird
hierbei derart gewählt,
daß sich
eine möglichst
breite Raumladungszone (RLZ) ausbildet, welche zu einer hohen Absorption
der Chemolumineszenzstrahlung und damit zu einer hohen Quantenausbeute
führt.
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Die Porenwand umfaßt vorzugsweise
eine Isolatorschicht, vorzugsweise eine SiO2-Schicht,
deren Innenfläche
die Porenbegrenzungsfläche
ist. Wie im Folgenden detailliert beschrieben, können an eine derartige Porenbegrenzungsfläche beispielsweise über Linkermoleküle gebundene
Fängermoleküle angeordnet
sein. Vorzugweise weist die SiO2-Schicht eine
Schichtdicke im Bereich von 10 bis 200 nm auf.
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Vorzugsweise weist der Schichtaufbau
von einer der Porenwände
in einer senkrecht zu der Porenlängsachse
verlaufenden Schnittebene folgende Schichtabfolge auf: Pore / Isolatorschicht
/ erster dotierter Halbleiterbereich / zweiter komplementär dotierter
Halbleiterbereich / Halbleitersubstrat. Besonders bevorzugt ist
folgende Schichtabfolge: Pore / SiO2 / p-dotiertes
Polysilizium / einkristallines n-dotiertes Silizium / Siliziumsubstrat.
Wie zuvor beschrieben kann zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich
ein intrinsischer Halbleiterbereich vorgesehen sein, insbesondere
eine undotierte Polysiliziumschicht.
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Vorzugsweise ist ausgehend von der
Oberfläche
des Trägermaterials
in dessen Normalenrichtung zumindest bereichsweise ein Schichtaufbau umfassend
den ersten und den zweiten Halbleiterbreich vorgesehen, zwischen
welchen eine Dielektrikumschicht, vorzugsweise SiO2,
angeordnet ist. Der erste und der zweite Halbleiterbereich, welche
den p-n-Übergang
in der Porenwand bilden, sind demgemäß als (weiterer) Schichtaufbau
parallel zu der Oberfläche
des flächigen
Trägermaterials
aus dem Bereich der Porenwände
herausgeführt.
Die Schichten dieses Schichtaufbaus verlaufen parallel zu der Substratebene,
d.h, im wesentlichen senkrecht zu den Porenlängsachsen. Im Bereich dieses
parallel zu der Substratebene verlaufenden Schichtaufbaus ist zwischen
dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich eine Dielektrikumschicht
angeorndnet, welche die getrennte Kontaktierung der Halbleiterschichten vereinfacht.
Somit weisen der erste und der zweite Halbleiterbereich in einer
Schnittebene senkrecht zu den Porenlängsachsen im Bereich der Porenöffnungen
einen gekrümmten
Verlauf mit einem Krümmungswinkel
von etwa 90° auf.
Um die Anschlußkontaktbildung
des ersten und des zweiten Halbleiterbereichs zu verbessern, kann
eine lokale n+ bzw. p+ Ionenimplantation
der Halbleiterbereiche zur Erhöhung der
Dotierstoffkonzentration vorgesehen sein. Bevorzugt beträgt die Dotierstoffkonzentration
des ersten und des zweiten Halbleiterbereichs zumindest 1020 cm–3.
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Vorzugsweise sind Kontaktlöcher in
dem Schichtaufbau zur Ausbildung der Anschlußkontakte für den ersten und den zweiten
Halbleiterbereich vorgesehen sind. Die Kontakte können beispielsweise auf
Wolfram-Basis ausgebildet sein.
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Für
bestimmte Nachweisverfahen kann der p-n- Übergang als Avalanchephotodiode
(RPD) ausgebildet sein. Im Betrieb wird an die Avalanchephotodiode
eine derartige Rückwärtsspannung
angelegt, daß photogenerierte
Elektron-Lochpaare nach ihrer Dissoziierung durch Stoßionisation
eine Lawinenverstärkung
erfahren, wodurch der zu detektierende Photostrom bereits in der
Diode verstärkt
werden kann.
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Bei einem fertigen Biosensor bzw.
Biochip gemäß der vorliegenden
Erfindung sind unmittelbar an die Porenbegrenzungsfläche (vorzugsweise
die Innenfläche
der Isolatorschicht)üblicherweise
Linkermoleküle
gebunden, an welche wiederum Fängermoleküle, ausgewählt aus
der Gruppe, bestehend aus DNA, Proteinen und Liganden, gebunden
sind. Die Fängermoleküle können beispielsweise
Oligonukleotidsonden sein, die über
endständige
Amino- oder Thiolgruppen an die Linkermoleküle gebunden sind, die wiederum über kovalente
und/oder ionische Gruppen an die Porenbegrenzungsfläche gebunden sind.
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Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung
betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer wie vorstehend beschriebenen
erfindungsgemäßen Vorrichtung,
umfassend die Schritte:
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- (a) Bereitstellen eines flächigen Trägermaterials mit einer Vielzahl
von Poren, welche sich von einer Oberfläche des Trägermaterials zu der gegenüberliegenden
Oberfläche
durchgängig
erstrecken;
- (b) Bilden des zweiten dotierten Halbleiterbereichs zumindest
bereichsweise an den Porenwänden
und zumindest bereichsweise an der Oberfläche des flächigen Trägermaterials;
- (c) Anordnen einer Dielektrikumschicht, vorzugsweise einer SiO2-Schicht, zumindest bereichsweise an den
zweiten dotierten Halbleiterbereich in einem Abschnitt, welcher
an die Oberfläche
des flächigen
Trägermaterials
angrenzt;
- (d) Anordnen des ersten dotierten Halbleiterbereichs zumindest
bereichsweise an die Dielektrikumsschicht und zumindest bereichsweise
an den zweiten dotierten Halbleiterbereich im Bereich der Porenwände unter
Ausbildung eines p-n- oder eines p-i-n- Übergangs in dem Bereich der
Porenwände;
- (e) Ausbilden von Kontaktlöchern
zum Freilegen des ersten und des zweiten Halbleiterbereichs; und
- (f) Anbringen von Anschlußkontakten
an den freigelegten ersten und zweiten Halbleiterbereich zur Verschaltung
des p-n- bzw. des p-i-n- Übergangs als
Photodiode.
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Das Trägermaterial umfaßt vorzugsweise makroporöses Silizium.
Das Bilden des zweiten dotierten Halbleiterbereichs in Schritt (b)
kann beispielsweise durch Aufbringen einer Phosphorsilikatglasschicht
zumindest bereichsweise an den Porenwänden und zumindest bereichsweise
an der Oberfläche
des flächigen
Trägermatierials,
Ausdiffundieren von Phosphor in einem Hochtemperaturschritt und
anschließendem
Entfernen der Phosphorsilikatglasschicht erreicht wird. Die Phosphorsilikatglas(PSG)-Schicht
kann hierbei auf die gesamte freiliegende Oberfläche des Trägermaterials aufgebracht werden.
Durch Ausdiffusion von Phosphor in einem Hochtemperaturschritt wird
ein n-dotierter Halbleiterbereich gebildet in dem undotierten oder schwach
n-dotierten Halbleitersubstrat gebildet. Die Dotierung in dem n-dotierten
Bereich wird beispielsweise auf 1016 bis
1017 cm–3 eingestellt.
Anschließend wird
die Schicht aus PSG, z.B. durch entsprechende Ätzverfahren, entfernt.
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Wie zuvor beschreiben weist der zweite
(und der erste) Halbleiterbereich im Bereich der Porenöffnung bzw.
-mündung
vorzugsweise einen gekrümmten
Abschnitt auf, welcher den parallel zu den Porenlängsachsen
verlaufenden Schichtaufbau (p-n-Übergang)
im Bereich der Porenwände
mit einem senkrecht zu den Porenlängsachsen verlaufenden Schichtaufbau
(parallel zu der Flächenebene
des flächigen
Trägermaterials)
verbindet. Um einen möglichst
geringen lateralen Schichtwiderstand des ersten und des zweiten
Halbleiterbereichs im Bereich des senkrecht zu den Porenlängsachsen
verlaufenden Schichtaufbaus zu erzielen, können die Halbleiterbereich
in diesem Bereich durch Ionenimplantation eine höhere Dotierstoffkonzentration
aufweisen.
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Der Schritt (d) des Anordnens des
ersten dotierten Halbleiterbereichs (20) umfaßt vorzugsweise die
Abscheidung einer dotierten Polysiliziumschicht. Die beispielsweise
mit Bor dotierte Polysiliziumschicht kann über die gesamte freiliegende
Oberfläche
des flächigen
Trägermaterials
aufgebracht werden. Die Polysiliziumschicht kann nachfolgend über eine
Lochmaske, beispielsweise auf Basis eines photolithographisch strukturierten
Photolacks, zur Öffnung der
Kontaktlöcher
strukturiert werden. Zur Strukturierung der Lochmaske kann vorzugsweise auch
fokussierte Ionenstrahllithographie zum Einsatz kommen.
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Vorzugsweise wird nach dem Schritt
(d) des Anordnens des ersten dotierten Halbleiterbereichs eine Isolatorschicht,
vorzugsweise eine SiO2-Schicht, an den ersten
Halbleiterbereich angeordnet, deren Innenfläche die Porenbegrenzungsfläche ist.
Der Schritt des Anordnens der Isolatorschicht kann vorzugsweise
mittels CVD-Abscheidung durchgeführt werden.
An diese Isolatorschicht kann in einem späteren Prozeßschritt das Anbringen bzw.
Binden von Linker- und
Fängermolekülen erfolgen.
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Solche Linkermoleküle unterliegen
keiner spezifischen Beschränkung,
solange sie befähigt sind,
an die auf der Oberfläche
der Isolatorschicht, z.B. einer SiO2-Schicht,
vorliegenden OH-Gruppen kovalent zu binden und weiter eine funktionelle
Gruppe aufweisen, die zur kovalenten Bindung mit als Sonden in biologisch-chemischen
Reaktionen einsetzbaren Fängermolekülen befähigt ist.
Solche Linkermoleküle
sind üblicherweise
auf der Basis einer Silizium-organischen Verbindung. Derartige bifunktionelle
Silizium-organische Verbindungen können beispielsweise Alkoxysilan-Verbindungen
mit einer oder mehreren terminalen funktionalen Gruppen, ausgewählt aus
Epoxy, Glycidyl, Chlor, Mercapto oder Amino, sein. Vorzugsweise
ist die Alkoxysilan-Verbindung ein Glycidoxyalkylalkoxysilan, wie z.B.
3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
ein Mercaptoalkylalkoxysilan, wie z.B. γ-Mercaptopropyltrimethoxysilan,
oder ein Aminoalkylalkoxysilan, wie z.B. N-β-(aminoethyl) γaminopropyltrimethoxysilan.
Die Länge
der als Spacer zwischen der funktionellen Gruppe, wie z.B. Epoxy
bzw. Glycidoxy, welche mit dem Fängermolekül bzw. der
Sonde bindet, und der Trialkoxysilangruppe wirkenden Alkylenreste
unterliegt dabei keiner Beschränkung.
Derartige Spacer können
auch Polyethylenglykolreste sein.
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Zur Endfertigung eines erfindungsgemäßen optoelektronischen
BioChips bzw. Biosensors kann dann das Anbinden bzw. Koppeln von
Fängermolekülen, wie
beispielsweise Oligonukleotiden bzw. DNA-Molekülen, an das Trägermaterial über die
Linkermoleküle
nach den im Stand der Technik üblichen Verfahren
erfolgen, beispielsweise mittels Behandeln des porösen Trägermaterials
bei Verwendung von Epoxysilanen als Linkermoleküle durch anschließende Reaktion
der terminalen Epoxidgruppen mit terminalen primären Aminogruppen oder Thiolgruppen von
Oligonukleotiden bzw. DNA-Molekülen,
die in entsprechenden Analyseverfahren als immobilisierte bzw. fixierte
Fängermoleküle für die im
zu untersuchenden Analyten vorliegenden Zielmoleküle fungieren.
Dabei können
beispielsweise die als Fängermoleküle verwendbaren
Oligonukleotide unter Verwendung der Synthesestrategie, wie in Tet.
Let. 22, 1981, Seiten 1859 bis 1862, beschrieben, hergestellt werden.
Die Oligonukleotide können
dabei während
des Herstellungsverfahrens entweder an der 5- oder der 3-Endstellung mit terminalen
Aminogruppen derivatisiert werden. Eine weitere Möglichkeit
der Anbindung solcher Fängermoleküle an die
Innenwandoberflächen
der Poren kann durchgeführt
werden, indem das Substrat zunächst
mit einer Chlorquelle, wie Cl2, SOCl, COCl2 oder (COCl) 2 ,
gegebenfalls unter Verwendung eines Radikalinitiators wie Peroxide,
Azoverbindungen oder Bu3SnH, behandelt wird
und anschließend
mit einer entsprechenden nucleophilen Verbindung, wie insbesondere
mit Oligonukleotiden bzw. DNA-Molekülen, die terminale primäre Aminogruppen
oder Thiolgruppen aufweisen, umgesetzt werden (siehe WO 00/33976).
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Werden die in einem Analyten zu bestimmenden
bzw. untersuchenden Zielmoleküle
mit Chemolumineszenzfarbstoffen markiert, so erfordert ein entsprechendes
Analyseverfahren unter Verwendung eines optoelektronischen Biosensors
gemäß der vorliegenden
Erfindung keine externe Detektionsausstattung, wie einen Spektrometer
oder Fluoreszenzscanner, so daß eine
komplette Integration auf einem Chip möglich ist. Das Auslesen der
(Bindungs)Reaktionsereignisse zwischen den im Analyt enthaltenen
Zielmolekülen
und den fixierten bzw. immobilisierten Fängermolekülen erfolgt über die
Messung des in der Photodiode erzeugten Photostroms, wobei an die
Photodiode eine Rückwärtsspannung angelegt
wird. Wie zuvor beschrieben kann gegebenenfalls eine Lawinenverstärkung zur
Signalverstärkung
eingesetzt werden. Selbstverständlich
können im
Rahmen der vorliegenden Erfindung auch die Fängermoleküle anstelle der Zielmoleküle mit Chemolumineszenzmarkern
versehen werden.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der
Erfindung wird ein Verfahren zum Nachweis von biochemischen Reaktionen
und/oder Bindungen unter Verwendung einer oben beschriebenen erfindungsgemäßen Vorrichtung
vorgeschlagen, wobei die biochemischen Reaktionen und/oder Bindungen über den Photostrom
der Photodiode nachgewiesen werden, welcher durch eine Lichtemission
von Chemolumineszenzmarkern von Fänger- und/oder Zielmolekülen hervorgerufen
wird.
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Die Erfindung wird nachfolgend unter
Bezugnahme auf begleitende Bezeichnungen bevorzugter Ausführungsformen
beispielhaft beschrieben. Es zeigt:
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1(a) bis (g) schematische Querschnittansichten von
Zwischenprodukten einer bevorzugten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
während
des Herstellungsprozesses;
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2 schematische
Querschnittsansicht eines Teilbereichs des Zwischenproduktes gemäß 1(g) ;
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3 schematische
Aufsicht auf eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
nach abgeschlossenem Prozeßablauf;
und
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4(a) bis (c) schematische Schnittansichten einer
Pore einer bevorzugten Ausführungsform einer
erfindungsgemäßen Vorrichtung
während
eines Chemolumineszenz-Detektionsverfahrens.
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1(a) bis (g) zeigt schematische Schnittansichten
von Zwischenprodukten während
der Herstellung einer bevorzugten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Die Schnittebene verläuft
parallel zur Normalenrichtung eines makroporösen Trägermaterials 10 und
schneidet Poren 11. Vorzugsweise ist das makroporöse Trägermaterial 10 ein
einkristalliner Siliziumwafer, welcher beispielsweise n-dotiert ist. Durch
das eingangs genannte elektrochemische Porenätzen von Silizium sind im wesentlichen
in Normalenrichtung des Trägermaterials 10 Poren 11 in
dem Trägermaterial 10 ausgebildet,
welche von einer Oberfläche 12 zu
der gegenüberliegenden
Oberfläche 13 des
Trägermaterials 10 durchgängig verlaufen.
Die Porenlänge
entspricht vorzugsweise typischen Waferdicken und liegt somit im
Bereich von 300 μm
bis 500 μm,
typischerweise 470 μm.
Der Porendurchmesser kann durch das elektrochemische Porenätzverfahren
gezielt eingestellt werden und beträgt typischerweise etwa 10 μm (vgl. 1(a)).
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Um einen seriellen Anschlußwiderstand
des später
auszubildenden p-n- bzw. p-i-n-Übergangs möglichst
kein zu halten sowie die Anschlusskontaktbildung zu vereinfachen,
erfolgt zunächst
eine Implantation der oberflächennahen
Schicht des Siliziumwafers 10 nahe seiner Oberfläche 12 zur
Ausbildung einer n+-Dotierung. Die Dotierstoffkonzentration
kann hierbei sehr hoch gewählt
werden, beispielsweise im Bereich von größer als 1020 cm–3.
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Um das Dotierprofil desjenigen Bereichs
des Trägermaterials 10 exakt
steuern zu können,
welcher an die Innenflächen
der Poren 11 angrenzt, wird ein zusätzlicher Diffusionsschritt
zum Einbringen von Dotieratomen in den Halbleitereinkristall verwendet. Vorzugsweise
wird auf die gesamte freiliegende Oberfläche des Trägermaterials 10 beispielsweise eine
(nicht dargestellte) Phosphorsilikatglasschicht (PSG) aufgebracht
und nachfolgend einem Hochtemperaturdiffusionsschritt unterworfen.
Die Phosphorsilikatglasschicht bedeckt auch die Innenflächen der
Poren 11. Während
des Hochtemperaturschritts diffundiert Phosphor von der PSG-Schicht
in den oberflächennahen
Bereich des Trägermaterials 10, so
daß dieser
n-dotiert wird. Hierdurch wird in den Porenwänden 15 ein n-dotierter
Halbleiterbereich 30 ausgebildet, welcher als zweiter Halbleiterbereich bezeichnet
wird. Die Dotierstoffkonzentration des zweiten Halbleiterbereichs 30 liegt
vorzugsweise zwischen 1016 bis 1017 cm–3 und weist eine Tiefenausdehnung
von typischerweise 100 bis 200 nm auf. Es sollte verstanden werden,
daß der
zweite Halbleiterbereich 30 auch p-dotiert sein kann. In
diesem Fall kommt vorzugsweise ein p-dotierter Halbleiterwafer zum
Einsatz. Im Anschluß an
den Hochtemperaturschritt wird die PSG-Schicht durch einen Ätzschritt entfernt.
Die Vorrichtung in diesem Verfahrensstadium ist in 1(b) dargestellt.
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Nachfolgend wird auf die Oberfläche 12 des Trägermaterials 10 eine
Dielektrikumsschicht 50, vorzugsweise eine Oxidschicht
(SiO2-Schicht), aufgebracht. Hierzu wird
zunächst
mittels eines CVD-Prozesses ein Nitrid, vorzugsweise Si3N4 abgeschieden und mittels eines CMP-Schritts
bis auf die Oberfläche 12 des
Halbleiterwafers 10 abgetragen. Hierdurch werden die Poren 11 mit
Nitrid gefüllt,
so daß sich eine
ebene Oberfläche
ergibt. Die freiliegende Oberfläche 12 des
Halbleiterwafers 10 wird nachfolgend oxidiert, um die Dielektrikumsschicht 40 auszubilden. Das
noch in den Poren 11 vorliegende Nitrid wird im Anschluß durch
einen naßchemischen Ätzschritt, welcher
selektiv zu der Dielektrikumsschicht 40 (Oxidschicht) ist,
entfernt (vgl. 1(c)).
-
Wie in 1(d) schematisch
dargestellt ist, erfolgt nachfolgend ein Abscheideschritt einer
Halbleiterschicht, vorzugsweise einer p-dotierten Polysiliziumschicht,
welche den sogenannten ersten Halbleiterbereich 20 bildet.
Bei der in 1(d) dargestellten bevorzugten
Ausführungsform
grenzt die p-dotierte Polysiliziumschicht 20 einerseits
an die Oberfläche
der Dielektrikumsschicht 40 und andererseits an die Innenflächen der
Poren 11, die sogenannten Porenbegrenzungsflächen 14,
an. Der an die Dielektrikumsschicht 40 angrenzende Teil
des ersten Halbleiterbereichs 20 geht ohne Unterbrechung
in den an die Porenbegrenzungsfläche 14 angrenzenden
Teil über.
Somit kann durch einen omischen Kontakt an denjenigen Teilbereich
des ersten Halbleiterbereichs 20, welcher parallel zur
Flächenebene
des Halbleiterwafers 10 verläuft, der an die Porenbegrenzungsflächen 14 angrenzende
andere Teilbereich des ersten Halbleiterbereich 20 elektrisch
kontaktiert werden.
-
Durch das Abscheiden des p-dotierten
Polysiliziums an die Porenbegrenzungsfläche 14 wird ein p-n-Übergang
in den Porenwänden 15 ausgebildet, welcher
derart ausgebildet ist, daß er
sich als Photodiode eignet. Im vorliegenden bevorzugten Fall wird der
n-dotierte Bereich durch den zweiten Halbleiterbereich 30 und
der p-dotierte Bereich durch den ersten Halbleiterbereich 20 gebildet.
Das abgeschiedene Polysilizium wird in situ dotiert, indem beispielsweise
beim Abscheiden in üblicher
Weise Bor eingebracht wird. Indem während des Abscheidevorgangs des
Polysiliziums erst nach einer gewissen Abscheidedauer die Bor-Dotierquelle
geöffnet
wird, kann eine nominell undotierte, intrinsische Halbleiterschicht aufgebracht
werden. In diesem Fall läßt sich
ein p-i-n-Übergang
ausbilden, bei welchem die dotierten Halbleiterbereiche durch einen
intrinsischen Halbleiterbereich getrennt werden. Derartige p-i-n-Übergänge können vorteilhaft
sein, wenn es eine besonders hohe Quanteneffizienz der Photodiode
zu erreichen gilt. Alternativ können
auch p-n-Übergänge mit
Dotierprofilen eingesetzt werden, welche zur Beschaltung als Lawinenphotodioden
(APD) ausgelegt sind. Hierbei werden lichtinduzierte Elektron-Loch-Paare in der Verarmungszone
des p-n-Übergangs
felddisoziiert und derartig beschleunigt, daß es zu einer Stoßionisation
und damit lawinenartigen Verstärkung des
Photostroms kommt.
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Nachfolgen wird, wie in 1(e) dargestellt, der erste Halbleiterbereich 20 in
dem Teilbereich, welcher parallel zu dem flächigen Trägermaterial 10 verläuft, strukturiert.
Hierzu kann beispielsweise fokussierte Ionstrahllitographie Verwendung
finden. Bei Auswahl von geeigneten Photoresistmaterialien ist jedoch
auch eine übliche
optische Photolithographie und -strukturierung auf dem makroporösen Trägermaterial 10 möglich. Im
Anschluß wird
eine Isolatorschicht 50, vorzugsweise eine SiO2-Schicht, über die
gesamte freiliegende Oberfläche
des makroporösen
Trägermaterials 10 abgeschieden.
Die Innenflächen
der Isolatorschicht 50 in den Poren 11 stellen die
Porenbegrenzungsflächen 14 dar,
an welche später – über Linkermoleküle – sogenannte
Fängermoleküle für biochemische
Nachweisverfahren angeordnet werden können. Das Zwischenprodukt der
bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
in diesem Herstellungsstadium ist in 1(f) dargestellt.
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Durch geeignete Lithographie- und Ätzschritte
werden nachfolgend Kontaktlöcher 60 zur
Ausbildung von (nicht dargestellten) Anschlußkontakten an den ersten Halbleiterbereich 20 und
den zweiten Halbleiterbereich 30 ausgebildet. Die Halbleiterbereiche 20, 30 sind
somit elektrisch getrennt voneinander kontaktierbar. Falls erforderlich
kann vor der Ausbildung der Anschlußkontakte eine optionale lokale
Implantation des ersten Halbleiterbereichs 20 in einem derartigen
Gebiet erfolgen, in welchem der Anschlußkontakt ausgebildet werden
soll (vgl. 1(g)).
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Eine vergrößerte, schematische Querschnittsansicht
der Vorrichtung gemäß 1(g) ist in 2 dargestellt.
In diesem Verfahrensstadium stellt die bevorzugte Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ein „Grundmodul" für einen
optoelektronischen Biodetektor dar, welcher insbesondere unmittelbar
vor einem Einsatz als biochemische Detektionsvorrichtung in oben
beschriebener Weise mit geeigneten Linker- und Fängermolekülen entlang der Porenbegrenzungsflächen 14 versehen
werden kann.
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3 zeigt
eine (nicht maßstabsgerechte) schematische
Aufsicht auf eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Die Poren 11 weisen in dieser Ausführungsform einen runden Querschnitt
in einer parallel zu der Flächenebene
des flächigen
Trägermaterials 10 verlaufenden
Schnittebene auf. Anschlußkontaktlöcher 60 sind
in einem Randbereich neben dem matrixartig aufgebauten Porenfeld
zur Ausbildung der Anschlußkontakte
vorgesehen. Im Betrieb wird an die (nicht dargestellten) Anschlußkontakte
eine derartige Spannung angelegt, daß der p-n-Übergang bzw. der p-i-n-Übergang
in Rückwärtsrichtung
als Photodiode gepolt ist. Der aufgrund von Chemolumineszenzereignissen
ausgelöste
Photostrom wird zur Bestimmung der Lumineszenzintensität detektiert.
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Vor dem Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtung
als optoelektronischer Biosensor werden insbesondere an die Porenbegrenzungsflächen 14 in eingangs
beschriebener Weise Fängermoleküle 70 angeordnet,
welche auf die nachzuweisende Targetsubstanz abgestimmt sind. Nachfolgend
werden beispielsweise mit Chemolumineszenzmarkern versehene Targetmoleküle durch
den porenstrukturierten Wafer 10 geleitet, wobei es zu
Hybridisierungen an den Fängermolekülen kommt
(vgl. 4(a) und (b)). Durch
die Zugabe einer geeigneten Chemoluminiszenzsubstanz erfolgt eine
Lichtemission der Chemoluminiszenzmarker, welche elektrisch mittels
des als Photodiode verschalteten p-n-Übergangs bzw.
-
des p-i-n-Übergangs nachgewiesen werden kann.
Hierzu wird bei geeigneter Rückwärtsspannung
der Photodiode der lichtinduzierte Photostrom gemessen. Bei der
Verwendung von Chemolumineszenzmarkern ist in dieser Anordnung weder
eine externe Anregungsquelle noch eine externe Detektion nötig, so
daß eine
komplette Integration des optoelektronischen Biosensors in einem
einzigen Chip möglich
ist.
-
- 10
- makroporöses Trägermaterial,
insb. Si-Halbleiterwafer
- 11
- Pore
- 12,13
- Oberflächenseiten
des Trägermaterials
- 14
- Porenbegrenzungsfläche der
Porenwand
- 15
- Porenwand
- 20
- erster
(vorzugsweise p-dotierter) Halbleiterbereich
- 30
- zweiter
(vorzugsweise n-dotierter) Halbleiterbereich
- 40
- Dielektrikumschicht
- 50
- Isolatorschicht,
vorzugsweise Oxidschicht
- 60
- Kontaktlöcher für Anschlußkontakte
- 70
- Fängermoleküle