DE10250877A1 - Lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

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Abstract

Es wird ein lichtemittierrendes Halbleiterbauelement (10) vorgeschlagen, das einen Strahlung erzeugenden Halbleiterchip (34); einen Leadframe (30) mit zwei Leitungsanschlüssen (30b), die Montageabschnitte (30a), auf bzw. an denen der Halbleiterchip montiert ist, mit Anschlussabschnitten (30c) in einer gemeinsamen Ebene parallel zur Montageebene (14) des Halbleiterbauelements (10) verbinden; und ein den Halbleiterchip (34) umgebendes Gehäuse (12), wobei das Gehäuse zumindest im Bereich der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterbauelements für die von dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung transparent ist, aufweist. Dabei wird der Halbleiterchip (34) derart auf dem Leadframe (30) montiert, dass die Hauptabstrahlung (a) des Halbleiterchips in einem ersten Winkel (alpha) ungleich 90 DEG und ungleich 0 DEG zu der Montageebene (14) orientiert ist; und das Gehäuse (12) weist in der Hauptstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips (34) einen Emissionsflächenabschnitt (18) auf, der in einem zweiten Winkel (beta) zu der Montageebene (14) des Halbleiterbauelements (10) senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips orientiert ist. Auf diese Weise wird ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement zur Verfügung gestellt, das eine Abstrahlrichtung (a) schräg zu der Montageebene (14) besitzt und deshalb besonders einfach für den Aufbau von Beleuchtungsmodulen (22) mit speziellen Abstrahlrichtungen (b) verwendet werden kann.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 10, sowie ein Modul mit einer Vielzahl von solchen lichtemittierenden Halbleiterbauelementen.
  • Im Bereich der Kraftfahrzeugtechnik werden für Rücklichter, Bremsleuchten und dergleichen in zunehmendem Maße Leuchtdioden (LEDs) anstelle von konventionellen Glühlampen eingesetzt, da LEDs üblicherweise eine längere Lebensdauer, einen besseren Wirkungsgrad bei der Umwandlung elektrischer Energie in Strahlungsenergie im sichtbaren Bereich und damit eine geringere Wärmeabgabe und insgesamt einen geringeren Platzbedarf aufweisen.
  • Aufgrund der geringeren Leuchtdichte einer einzelnen LED im Vergleich zu einer Glühlampe müssen jedoch mehrere in einem Array angeordnete LEDs eingesetzt werden. Ein derartiges Array kann beispielsweise in der Oberflächenmontagetechnik (SMT) aus einer Vielzahl von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen bzw. LEDs auf einer Leiterplatte montiert werden. Hierbei wird eine LED-Bauform verwendet, wie sie zum Beispiel in dem Artikel von F. Möllmer und G. Waitl „SIEMENS SMT-TOPLED für die Oberflächenmontage", Siemens Components 29, 1991, Heft 4, Seiten 147-149 beschrieben ist. Diese Form einer LED ist äußerst kompakt und erlaubt bei Bedarf die Anordnung einer Vielzahl derartiger LEDs in einer Reihen- oder Matrixanordnung.
  • Bei derartigen herkömmlichen oberflächenmontierbaren lichtemittierenden Halbleiterbauelementen wird zunächst ein vorge häustes Bauteil dadurch hergestellt, dass ein vorgefertigter Leiterrahmen (Leadframe) mit einem geeigneten Kunststoffmate- rial umspritzt wird, welches das Gehäuse des Bauteils bildet. Dieses Bauteil weist zum Beispiel an der Oberseite eine Vertiefung auf, in die von zwei gegenüberliegenden Seiten Leadframe-Anschlüsse eingeführt sind, auf dessen einem ein Strahlung erzeugender LED-Chip aufgeklebt und elektrisch kontaktiert wird. In diese Vertiefung wird dann eine in der Regel transparente Vergussmasse eingefüllt.
  • Man unterscheidet bei derartigen lichtemittierenden Halbleiterbauelementen außerdem zwischen sogenannten TOPLEDs, bei denen die Hauptabstrahlrichtung senkrecht zur Montageebene orientiert ist, und sogenannten SIDELEDs, bei denen die Hauptabstrahlrichtung parallel zur Montageebene orientiert ist (vergleiche hierzu zum Beispiel EP-A-0 400 175 ).
  • Des weiteren existiert für Anwendungsfälle, in denen eine besonders gerichtete Abstrahlcharakteristik der Leuchtdiode nicht unbedingt erforderlich oder auf andere Weise erzielbar ist, ein einfacheres und weniger Verfahrensschritte aufweisendes Herstellverfahren. So ist es zum Beispiel aus der WO 01/50540 bekannt, einen LED-Chip in einem Montagebereich auf einem Leadframe zu montieren und mit den Leadframe-Anschlüssen elektrisch leitend zu verbinden. Der LED-Chip wird anschließend einschließlich eines Teils der Leadframe-Anschlüsse, die vorzugsweise mit S-artigen Biegungen versehen sein können, mit einer transparenten Kunststoff-Pressmasse auf Harzbasis umformt.
  • Um mit derartigen lichtemittierenden Halbleiterbauelementen in TOPLED- oder SIDELED-Ausführungsform Module mit anderen Abstrahlrichtungen bereitzustellen, wurden zum Beispiel für den oben genannten Bereich der Kraftfahrzeugtechnik Beleuchtungsmodule entwickelt, die eine enge Abstimmung mit der Geometrie der Beleuchtungsaufnahme im Kraftfahrzeug, d.h. zum Beispiel eine exakte Einpassung von Rücklichtern, Bremsleuch ten und dergleichen in die Konturen von Kotflügel, Kühlergrill, etc. erlauben sowie eine dem Einsatzbereich angepasste Abstrahlrichtung bereitstellen.
  • So offenbart beispielsweise die DE 199 09 399 C1 ein flexibles LED-Mehrfachmodul, bei dem mehrere starre Leiterplatten in einem Abstand voneinander angeordnet sind, diese starren Leiterplatten an ihren Oberseiten mit einer flexiblen Leiterplatte miteinander verbunden sind, und mehrere LEDs mit einer Hauptabstrahlrichtung senkrecht zur Montageebene im Bereich der starren Leiterplatten auf der flexiblen Leiterplatte montiert sind, so dass schließlich ein Modul entsteht, bei dem mehrere, LEDs aufweisende starre Elemente flexibel miteinander verbunden sind und jedes derartige Element zur Bereitstellung einer variablen Abstrahlrichtung entsprechend ausgerichtet eingebaut werden kann. Ein weiteres flexibles Leuchtenelement ist aus der DE 196 21 148 A1 bekannt. Zur Anpassung des Leuchtenelements an die jeweilige Geometrie der Beleuchtungsaufnahme und Bereitstellung der gewünschten Abstrahlrichtung besteht das Leuchtenelement im wesentlichen aus einer flexiblen Leiterplatte, auf der die LEDs montiert sind, und einer flexiblen Abbildungsoptik, die in Form einer Folie die LEDs überdeckt. Ferner offenbart die DE 296 03 557 U1 einen formbaren Gruppierungsrahmen für ein Array von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen, bei dem Sammelschienenpaare zur Befestigung der Halbleiterbauelemente mit flexiblen Kopplungseinrichtungen verbunden sind.
  • Diese bekannten Beleuchtungsmodule erfordern allerdings eine aufwändige dreidimensionale Montagetechnik zum Aufbau des Moduls mit der gewünschten Geometrie und Abstrahlrichtung.
  • Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung vorzuschlagen, die auf einfache Weise den Aufbau eines LED-Moduls mit beliebiger Abstrahlrichtung ermöglichen.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird diese Aufgabe durch ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 gelöst.
  • Das lichtemittierende Halbleiterbauelement weist einen Strahlung erzeugenden Halbleiterchip; einen Leadframe (Leiterrahmen) mit zwei Leitungsanschlüssen, die Montageabschnitte, auf bzw. an denen der Halbleiterchip montiert ist, mit Anschlussabschnitten in einer gemeinsamen Ebene parallel zur Montageebene des Halbleiterbauelements verbinden; und ein den Halbleiterchip umgebendes Gehäuse, wobei das Gehäuse zumindest im Bereich der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements für die von dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung transparent ist, auf. Gemäß der Erfindung ist das lichtemittierende Halbleiterbauelement dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip derart auf dem Leadframe montiert ist, dass die Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips in einem ersten Winkel ungleich 90° und ungleich 0° zu der Montageebene orientiert ist; und das Gehäuse in der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips einen Emissionsflächenabschnitt aufweist, der in einem zweiten Winkel zu der Montageebene des Halbleiterbauelements senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips orientiert ist.
  • Durch diese Konstruktion wird ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement geschaffen, dessen Hauptabstrahlrichtung im Gegensatz zu herkömmlichen Halbleiterbauelementen (TOPLED und SIDELED) zur Montageebene des Halbleiterbauelements einen Winkel ungleich 90° und ungleich 0° einschließt, so dass sozusagen eine WINKELLED erzeugt wird. Aufgrund der schrägen Abstrahlrichtung des Halbleiterbauelements ist es zum Beispiel möglich, mehrere solcher Halbleiterbauelemente auf einer gewöhnlichen, starren Leiterplatte zu montieren und dennoch ein Modul mit einer gewünschten Abstrahlrichtung zu erzielen.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung wird die obige Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements mit den Merkmalen von Patentanspruch 10 gelöst.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements umfasst die Schritte (nicht notwendigerweise in der angegebenen Reihenfolge): Bereitstellen eines Leadframes mit zwei Leitungsanschlüssen, die mit Montageabschnitten verbunden sind; Umspritzen des Leadframes zum Bilden eines Gehäuses, wobei das Gehäuse zumindest im Bereich der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements für die zu emittierende Strahlung transparent ist; Montieren eines Strahlung erzeugenden Halbleiterchips auf bzw. an den Montageabschnitten des Leadframes; und Biegen der Leitungsanschlüsse des Leadframes derart, dass ihre Enden in einer gemeinsamen Ebene parallel zur Montagebene des Halbleiterbauelements ausgerichtet sind, um Montageabschnitt zu bilden. Das Verfahren ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip derart auf dem Leadframe montiert wird, dass die Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips in einem ersten Winkel ungleich 90° und ungleich 0° zu der Montageebene orientiert ist; und das Gehäuse in der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips mit einem Emissionsflächenabschnitt ausgebildet wird, der in einem zweiten Winkel zu der Montageebene des Halbleiterbauelements senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips orientiert ist.
  • Durch dieses Verfahren wird auf einfache (und damit auch kostengünstige) Weise ein oben beschriebenes lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einer schrägen Abstrahlrichtung hergestellt.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche 2 bis 9. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen 11 bis 18 angegeben.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Gehäuse eine Ausnehmung auf, in welche der Halbleiterchip montiert wird und welche mit einer für die von dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung transparenten Vergussmasse aufgefüllt wird.
  • Um eine Schnittstelle für einen sogenannten Pick and Place – Automaten für die Montage des Halbleiterbauelements auf einer Leiterplatte vorzusehen, weist das Gehäuse vorteilhafterweise auf der der Montageseite des Halbleiterbauelements abgewandten Seite einen Montageflächenabschnitt auf, der im wesentlichen parallel zur Montageebene ausgebildet ist.
  • Der erste Winkel des Strahlung erzeugenden Halbleiterchips gegenüber der Montageebene liegt vorzugsweise in einem Bereich von etwa 20° bis etwa 70°, und der zweite Winkel des Emissionsflächenabschnitts gegenüber der Montageebene liegt entsprechend in einem Bereich von etwa 70° bis etwa 20°.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung ist die der Montageseite des Halbleiterbauelements zugewandte Seite des Gehäuses im wesentlichen parallel zur Montageebene ausgebildet, und die Anschlussabschnitte des Leadframes umgreifen die der Montageseite des Halbleiterbauelements zugewandte Seite des Gehäuses zumindest teilweise.
  • In einer alternativen Ausgestaltung der Erfindung ist die der Montageseite des Halbleiterbauelements zugewandte Seite des Gehäuses im wesentlichen parallel zu dem Emissionsflächenabschnitt ausgebildet. In diesem Fall kann zumindest einer der Anschlussabschnitte des Leadframes auf der der Montageseite des Halbleiterbauelements zugewandten Seite von dem Gehäuse beabstandet sein und die Anschlussabschnitte des Lead frames können in einem dritten Winkel ungleich 90° zu den Leitungsanschlüssen des Leadframes gebogen sein.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Modul mit einer Vielzahl der oben beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelementen auf einer Leiterplatte. Hierbei kann die Leiterplatte eine starre Leiterplatte in einer Ebene sein oder mehrere starre Abschnitte parallel zur Montageebene der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente aufweisen, wobei im letztgenannten Fall eine deutlich geringere Anzahl von Stufen als bei Modulen mit herkömmlichen Halbleiterbauelement erforderlich ist.
  • Ein solches Modul wird beispielsweise in einer Kraftfahrzeugleuchte, wie einer Heckleuchte, einer Bremsleuchte und dergleichen eingesetzt.
  • Ferner kann das lichtemittierende Halbleiterbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung vorteilhafterweise auch zur Strahlungseinkopplung in einen Lichtleiter verwendet werden.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand verschiedener bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Darin zeigen:
  • 1 eine stark vereinfachte Seitenansicht eines lichtemittierendes Halbleiterbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung zur Erläuterung des Grundprinzips der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine stark vereinfachte Seitenansicht eines Beleuchtungsmoduls mit mehreren lichtemittierenden Halbleiterbauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 3A und 3B stark vereinfachte Seitenansichten analog 1 und 2 für herkömmliche Halbleiterbauelemente zum Vergleich der Erfindung mit dem Stand der Technik;
  • 4 eine stark vereinfachte Seitenansicht eines Moduls mit mehreren lichtemittierenden Halbleiterbauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung zur Strahlungseinkopplung in einen Lichtleiter;
  • 5A und 5B stark vereinfachte Seitenansichten analog 1 zur Erläuterung der Herstellung und des Aufbaus eines ersten Ausführungsbeispiels eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 6 eine stark vereinfachte Seitenansicht analog 1 eines zweiten Ausführungsbeispiels eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung; und
  • 7 eine stark vereinfachte Seitenansicht analog 1 eines dritten Ausführungsbeispiels eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Zunächst werden anhand der 1 bis 4 das Grundprinzip und verschiedene Anwendungsmöglichkeiten der vorliegenden Erfindung sowie der Unterschied zwischen der vorliegenden Erfindung und dem Stand der Technik näher erläutert.
  • 1 zeigt in stark vereinfachter Darstellung ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement, das gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Das lichtemittierende Halbleiterbauelement 10 besteht im wesentlichen aus einem Gehäuse 12 zum Beispiel aus einem Hochtemperaturthermoplasten, in dem ein Strahlung erzeugender Halbleiterchip (in 1 weggelassen) eingebettet ist. Der Halbleiterchip ist auf bzw. an Montageabschnitten eines Leadframes bzw. Leiterrahmens (in
  • 1 weggelassen) montiert, d.h. mechanisch befestigt und elektrisch verbunden, und die Montageabschnitte des Leadframes sind über aus dem Gehäuse 12 herausgeführte Leitungsanschlüsse mit Montageabschnitten des Leadframes verbunden, die in einer gemeinsamen Ebene parallel zu der Montageebene 14 des Halbleiterbauelements 10 ausgebildet sind, um das Halbleiterbauelement 10 zum Beispiel auf einer Leiterplatte zu montieren.
  • Der Halbleiterchip ist dabei in dem Gehäuse 12 derart auf dem Leadframe montiert, dass die Hauptabstrahlrichtung, die durch einen Pfeil a angedeutet ist, in einem ersten Winkel a zu der Montageebene 14 des Halbleiterbauelements 10 orientiert ist. Dieser erste Winkel α der Hauptabstrahlrichtung a ist dabei weder 90°, wie im Falle von sogenannten TOPLEDS (siehe Darstellung von 3A), noch 0°, wie im Falle von sogenannten SIDELEDS. Der Bereich des Gehäuses 12 in Abstrahlrichtung a des Halbleiterchips ist natürlich für die von dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung transparent ausgebildet.
  • Wie zu Vergleichszwecken in 3A dargestellt, ist der Halbleiterchip bei einem herkömmlichen lichtemittierenden Halbleiterbauelement 110 derart in dem Kunststoffgehäuse 112 eingebettet, dass die Hauptabstrahlrichtung a' des Halbleiterchips und damit des Halbleiterbauelements 110 in einem Winkel α' von 90° zu der Montageebene 114 des Halbleiterbauelements 110 orientiert ist. Soll mit derartigen herkömmlichen Halbleiterbauelementen zum Beispiel ein Beleuchtungsmodul 122 mit einer speziellen Hauptabstrahlrichtung b' konstruiert werden, so ist es im allgemeinen erforderlich, spezielle dreidimensionale Trägerkonstruktionen 124 bereitzustellen, wie sie zum Beispiel aus den eingangs erwähnten Dokumenten DE 199 09 399 Cl , DE 196 21 148 A1 und DE 296 03 557 U1 bekannt sind. Die Fertigung derartiger Trägerkonstruktionen 124 und die Montage der Halbleiterbauelemente 110 auf solchen Trägerkonstruktionen 124 ist relativ aufwändig und damit kostenintensiv.
  • Zurück zu 1 weist das Gehäuse 12 des Halbleiterbauelements 10 der Erfindung auf der der Montageseite 16 des Halbleiterbauelements 10 abgewandten Seite in Hauptabstrahlrichtung a des Halbleiterchips einen Emissionsflächenabschnitt 18 auf. Dieser Emissionsflächenabschnitt 18 ist in einem zweiten Winkel β zu der Montageebene 14 senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung a orientiert. Mit anderen Worten ergänzen sich der erste Winkel α und der zweite Winkel β jeweils zu 90°, wie in 1 dargestellt. Der Emissionsflächenabschnitt 18 des Halbleiterbauelements 10 der Erfindung entspricht der Oberseite 118 einer herkömmlichen TOPLED 110 (siehe 3A).
  • Der erste Winkel α liegt bevorzugt, aber nicht einschränkend, in einem Bereich von etwa 20° bis etwa 70°, und der zweite Winkel β liegt entsprechend vorzugsweise, aber nicht einschränkend, in einem Bereich von etwa 70° bis etwa 20°.
  • Ferner ist das Gehäuse 12 auf der der Montageseite 16 des Halbleiterbauelements 10 abgewandten Seite mit einem Montageflächenabschnitt 20 versehen, der im wesentlichen parallel zur Montageebene 14 ausgebildet ist und sich vorzugsweise, aber nicht zwingend an den schrägen Emissionsflächenabschnitt 18 anschließt. Dieser Montageflächenabschnitt 20 dient der Ankopplung eines Pick and Place – Automaten bei der Montage des Halbleiterbauelements 10 auf einer Leiterplatte oder dergleichen.
  • Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass neben dem in 1 auf der linken Seite dargestellten Montageflächenabschnitt 20 auch auf der anderen Seite des Emissionsflächenabschnitts 18 ein weiterer Montageflächenabschnitt (rechts in 1) vorgesehen werden kann. Außerdem ist die Grundform des Halbleiterbauelements 10 der Erfindung nicht auf eine bestimmte Grundform beschränkt, insbesondere können im Rahmen der vorliegenden Erfindung Halbleiterbauelemente mit quadratischen, rechteckigen oder kreisförmigen Grundformen gefertigt werden.
  • Das wie oben beschrieben aufgebaute Halbleiterbauelement 10 kann zum Beispiel in einem Beleuchtungsmodul 22 für eine Kraftfahrzeugleuchte eingesetzt werden. Aufgrund der schrägen Abstrahlrichtung a der Halbleiterbauelemente 10 ist es im Gegensatz zu dem in 3B veranschaulichten Modul 122 möglich, die Halbleiterbauelemente 10 der Erfindung auf einer starren Leiterplatte 24 zu montieren, die in nur einer Ebene ausgebildet ist, wie in 2 veranschaulicht. Je nach Orientierung der starren Leiterplatte 24 und Abstrahlrichtung a der Halbleiterbauelemente erhält man eine gewünschte Abstrahlrichtung b für die Kraftfahrzeugleuchte 22. Gegebenenfalls ist es erforderlich, eine Leiterplatte mit einigen wenigen Stufen zu verwenden, um dich dem zur Verfügung stehenden Bauraum in der Kraftfahrzeugleuchte 22 anzupassen. In jedem Fall sind aber deutlich weniger Stufen als bei der Benutzung herkömmlicher Halbleiterbauelemente 110 notwendig.
  • In 4 ist eine weitere vorteilhafte Anwendungsmöglichkeit des lichtemittierenden Halbleiterbauelements 10 schematisch dargestellt. Mehrere lichtemittierende Halbleiterbauelemente 10, die auf einer gemeinsamen Montageebene 14 ausgerichtet sind, werden zur Strahlungseinkopplung in einen Lichtleiter 26 verwendet. Die von den Halbleiterbauelementen 10 in schräger Abstrahlrichtung a emittierte Strahlung wird in entsprechende schräge Einkopplungsflächen 28 des Lichtleiters 26 eingekoppelt.
  • Anhand der 5 bis 7 werden nun das Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements sowie drei verschiedene bevorzugte Ausführungsbeispiele eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung näher erläutert.
  • 5A zeigt zunächst schematisch das Umspritzen des metallischen Leadframes 30 mit einem Hochtemperaturthermoplasten zur Ausbildung des Gehäuses 12. Hierbei wird das Gehäuse 12 derart geformt, dass es an seiner dem Emissionsflächenab schnitt 18 zugewandten Seite eine Ausnehmung 32 aufweist, in welche die Montageabschnitte 30a des Leadframes 30 hineinragen und in welcher anschließend der Halbleiterchip 34 montiert, d.h. auf dem Leadframe mechanisch befestigt und mit dem Leadframe elektrisch leitend verbunden wird.
  • Nach der Formung des Gehäuses 12 wird der Leadframe 30 so gebogen, wie in 5B veranschaulicht. Die sich an die im Gehäuse 12 eingebetteten Montageabschnitte 30a anschließenden Leitungsanschlüsse 30b werden so gebogen, dass sie außen an dem Gehäuse 12 anliegen und das Gehäuse 12 schließlich an seiner der Montageseite 16 zugewandten Seite teilweise mit den Anschlussabschnitt 30c umgreifen. Die der Montageseite 16 zugewandte Seite des Gehäuses 12 des Halbleiterbauelements 10 ist dabei im wesentlichen parallel zu der Montageebene 14 ausgerichtet, so dass auch die beiden Anschlussabschnitt 30c des Leadframes 30 in einer gemeinsamen Ebene parallel zu der Montageebene 14 orientiert sind.
  • Nach dem Biegen der Leitungsanschlüsse 30b und dem Ausbilden der Anschlussabschnitte 30c wird ein Strahlung erzeugender Halbleiterchip 34 in an sich bekannter Weise in der Ausnehmung 32 des Gehäuses 12 montiert. Anschließend wird die Ausnehmung mit einer für die von dem Halbleiterchip 34 erzeugte Strahlung transparenten Vergussmasse aufgefüllt, die mit dem Emissionsflächenabschnitt 18 bündig abschließt.
  • Es sei an dieser Stell darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf Halbleiterbauelemente 10 mit speziellen Ausgestaltungen der Seitenwände der Ausnehmung 32, der Vergussmasse, des Halbleiterchips 34, der Beschaffenheit des Emissionsflächenabschnitts 18 und dergleichen beschränkt ist. Der Fachmann auf dem Gebiet der Halbleitertechnik ist ohne weiteres in der Lage, ein für seinen jeweiligen Anwendungsfall optimiertes Halbleiterbauelement 10 mit insbesondere speziellen optischen Eigenschaften zu konstruieren.
  • Es wurden nun unter Bezugnahme auf die beiden 6 und 7 zwei alternative Ausführungsbeispiele eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements der Erfindung näher beschrieben. Dabei sind gleiche oder entsprechende Bauteile grundsätzlich mit den gleichen Bezugsziffern wie in den oben erläuterten Figuren bezeichnet.
  • Das in 6 dargestellte Ausführungsbeispiel eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements 10 gemäß der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich von dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel insbesondere dadurch, dass die der Montageebene 14 zugewandte Montageseite 16 des Gehäuses 12 des Halbleiterbauelements 10 nicht parallel zu der Montageebene 14 ausgebildet ist. Hierdurch wird einerseits Material für das Gehäuse 12 eingespart, andererseits muss ein stabilerer Leadframe 30 verwendet werden, da zumindest ein Anschlussabschnitt 30c des Leadframes 30 (links in 6) von der Montageseite 16 des Gehäuses 12 beabstandet ist. Wahlweise können natürlich auch beide Anschlussabschnitte 30c des Leadframes 30 von dem Gehäuse 12 beabstandet sein. Die übrigen Merkmale des Halbleiterbauelements 10 von 6 entsprechen denen des ersten Ausführungsbeispiels von 5.
  • Zusätzlich zu dem Abstand zwischen Anschlussabschnitt 30c des Leadframes 30 und der Montageseite des Gehäuses 12 unterscheidet sich das in 7 veranschaulichte dritte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements 10 von den beiden anderen Ausführungsbeispielen dadurch, dass die Winkel γ1 bzw. γ2 zwischen den Anschlussabschnitten 30c des Leadframes 30 parallel zur Montageebene 14 des Halbleiterbauelements 10 zu den Leitungsanschlüssen 30b des Leadframes 30 keinen im wesentlichen rechten Winkel darstellen, sondern von 90° abweichen. Die Winkel γ1 und γ2 der beiden Anschlussabschnitte 30c ergänzen sich selbstverständlich zu etwa 180°, damit beide Anschlussabschnitte 30c parallel zur Montageebene 14 erstrecken.
  • Auf diese Weise ist es möglich, durch entsprechend unterschiedliches Biegen der Leitungsanschlüsse 30b eines vorgeformten Gehäuses 12 unterschiedliche Abstrahlrichtungen des Halbleiterbauelements 10 einzustellen, wie durch die Pfeile c in 7 angedeutet. Der Montageflächenabschnitt 20 des Gehäuses 12 muss in diesem Fall jeweils an die spezielle Ausrichtung des Halbleiterbauelements 10 angepasst werden. Dies erfolgt durch eine Variation des Winkels δ zwischen dem Montageflächenabschnitt 20 und der Seitenkante des Gehäuses 12 derart, dass der Montageflächenabschnitt 20 schließlich im wesentlichen parallel zu der Montageebene 14 des Halbleiterbauelements ausgerichtet ist.

Claims (23)

  1. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement (10), mit einem Strahlung erzeugenden Halbleiterchip (34); einem Leadframe (30) mit zwei Leitungsanschlüssen (30b), die Montageabschnitte (30a), auf bzw. an denen der Halbleiterchip montiert ist, mit Anschlussabschnitten (30c) in einer gemeinsamen Ebene parallel zur Montageebene (14) des Halbleiterbauelements (10) verbinden; und einem den Halbleiterchip (34) umgebenden Gehäuse (12), wobei das Gehäuse zumindest im Bereich der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterbauelements für die von dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung transparent ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (34) derart auf dem Leadframe (30) montiert ist, dass die Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips in einem ersten Winkel (α) ungleich 90° und ungleich 0° zu der Montageebene (14) orientiert ist; und das Gehäuse (12) in der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips (34) einen Emissionsflächenabschnitt (18) aufweist, der in einem zweiten Winkel (β) zu der Montageebene (14) des Halbleiterbauelements (10) senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips orientiert ist.
  2. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (12) eine Ausnehmung (32) aufweist, in welcher der Halbleiterchip (34) montiert ist und welche mit einer für die von dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung transparenten Vergussmasse aufgefüllt ist.
  3. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (12) auf der der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements (10) abgewandten Seite einen Montageflächenab schnitt (20) aufweist, der im wesentlichen parallel zur Montageebene (14) ausgebildet ist.
  4. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Winkel (α) der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips (34) in einem Bereich von etwa 20° bis etwa 70° liegt und der zweite Winkel (β) des Emissionsflächenabschnitts (18) in einem Bereich von etwa 70° bis etwa 20° liegt.
  5. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements (10) zugewandte Seite des Gehäuses (12) im wesentlichen parallel zur Montageebene (14) ausgebildet ist.
  6. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussabschnitte (30c) des Leadframes (30) die der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements zugewandte Seite des Gehäuses (12) zumindest teilweise umgreifen.
  7. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements (10) zugewandte Seite des Gehäuses (12) im wesentlichen parallel zu dem Emissionsflächenabschnitt (18) ausgebildet ist.
  8. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer der Anschlussabschnitte (30c) des Leadframes (30) auf der der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements zugewandten Seite von dem Gehäuse (12) beabstandet ist.
  9. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussabschnitte (30c) des Leadframes in einem dritten Winkel (γ1, γ2) ungleich 90° zu den Leitungsanschlüssen (30b) des Leadframes gebogen sind.
  10. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements (10), mit den Schritten: Bereitstellen eines Leadframes (30) mit zwei Leitungsanschlüssen (30b), die mit Montageabschnitten (30a) verbunden sind; Umspritzen des Leadframes (30) zum Bilden eines Gehäuses (12), wobei das Gehäuse zumindest im Bereich der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterbauelements für die zu emittierende Strahlung transparent ist; Montieren eines Strahlung erzeugenden Halbleiterchips (34) auf bzw. an den Montageabschnitten (30a) des Leadframes; und Biegen der Leitungsanschlüsse (30b) des Leadframes derart, dass ihre Enden in einer gemeinsamen Ebene parallel zur Montagebene (14) des Halbleiterbauelements (10) ausgerichtet sind, um Montageabschnitte (30c) zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (34) derart auf dem Leadframe (30) montiert wird, dass die Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips in einem ersten Winkel (α) ungleich 90° und ungleich 0° zu der Montageebene (14) orientiert ist; und das Gehäuse (12) in der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips (34) mit einem Emissionsflächenabschnitt (18) ausgebildet wird, der in einem zweiten Winkel (β) zu der Montageebene (14) des Halbleiterbauelements (10) senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips orientiert ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (12) mit einer Ausnehmung (32) ausgebildet wird, in welcher der Halbleiterchip (34) montiert und welche mit einer für die zu emittierende Strahlung transparenten Vergussmasse aufgefüllt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (12) auf der der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements abgewandten Seite mit einem Montageflächenabschnitt (20) versehen wird, der im wesentlichen parallel zur Montageebene (14) ausgebildet ist.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Winkel (a) der Hauptabstrahlrichtung (a) des Halbleiterchips (10) in einem Bereich von etwa 20° bis etwa 70° liegt und der zweite Winkel (ß) des Emissionsflächenabschnitts (18) in einem Bereich von etwa 70° bis etwa 20° liegt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements (10) zugewandte Seite des Gehäuses (12) im wesentlichen parallel zu der Montageebene (14) ausgebildet wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitungsanschlüsse (30b) des Leadframes derart gebogen werden, dass Anschlussabschnitte (30c) die der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements zugewandte Seite des Gehäuses (12) zumindest teilweise umgreifen.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements (10) zugewandte Seite des Gehäuses (12) im wesentlichen parallel zu dem Emissionsflächenabschnitt (18) ausgebildet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitungsanschlüsse (30b) des Leadframes derart gebogen werden, dass zumindest einer der Anschlussabschnitte (30c) auf der der Montageseite (16) des Halbleiterbauelements zugewandten Seite von dem Gehäuse (12) beabstandet ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussabschnitte (30c) des Leadframes in einem dritten Winkel (γ1, γ2) ungleich 90° zu den Leitungsanschlüssen (30b) des Leadframes gebogen werden.
  19. Modul (22) mit einer Vielzahl von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 auf einer Leiterplatte (24).
  20. Modul nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass dass die Leiterplatte (24) eine starre Leiterplatte in einer Ebene ist.
  21. Modul nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass dass die Leiterplatte mehrere starre Abschnitte parallel zur Montageebene (14) der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente (10) aufweist.
  22. Verwendung eines Moduls nach einem der Ansprüche 19 bis 21 in einer Kraftfahrzeugleuchte.
  23. Verwendung wenigstens eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 zur Strahlungseinkopplung in einen Lichtleiter (26).
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1858089A2 (de) * 2006-05-18 2007-11-21 Stanley Electric Co., Ltd. Optisches Halbleiterbauelement
WO2008084882A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination apparatus using the same
DE102010029318B4 (de) * 2010-05-26 2012-03-22 Wegu Gmbh & Co. Kg Lkw-Kotflügel mit integrierter LED-Leuchte
EP2590236A1 (de) * 2011-11-07 2013-05-08 Odelo GmbH Leuchtdiode und Leuchtmittel mit wenigstens zwei Leuchtdioden als Lichtquellen
DE10318026C5 (de) * 2003-04-19 2015-11-12 Leica Biosystems Nussloch Gmbh Kryostat mit Beleuchtungseinrichtung
FR3056678A1 (fr) * 2016-09-28 2018-03-30 Valeo Vision Module d'emission lumineuse ameliore pour vehicule automobile

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152610A (ja) * 1991-11-30 1993-06-18 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード及び発光基板
DE29603557U1 (de) * 1995-05-16 1996-04-18 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose, Calif. Formbarer Gruppierungsrahmen für ein Array von Licht-emittierenden Dioden
DE19621148A1 (de) * 1996-05-14 1997-12-04 Magna Reflex Holding Gmbh Leuchtelement
DE19706276A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-20 Siemens Ag Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaser-Vorrichtung
DE29905944U1 (de) * 1999-04-01 1999-08-12 Leonhardy Gmbh, 91244 Reichenschwand Leuchtdiodeneinheit
JP2002270902A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400175B1 (de) * 1989-05-31 1994-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
DE19909399C1 (de) * 1999-03-04 2001-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Flexibles LED-Mehrfachmodul, insb. für ein Leuchtengehäuse eines Kraftfahrzeuges
DE19964252A1 (de) * 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152610A (ja) * 1991-11-30 1993-06-18 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード及び発光基板
DE29603557U1 (de) * 1995-05-16 1996-04-18 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose, Calif. Formbarer Gruppierungsrahmen für ein Array von Licht-emittierenden Dioden
DE19621148A1 (de) * 1996-05-14 1997-12-04 Magna Reflex Holding Gmbh Leuchtelement
DE19706276A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-20 Siemens Ag Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaser-Vorrichtung
DE29905944U1 (de) * 1999-04-01 1999-08-12 Leonhardy Gmbh, 91244 Reichenschwand Leuchtdiodeneinheit
JP2002270902A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10318026C5 (de) * 2003-04-19 2015-11-12 Leica Biosystems Nussloch Gmbh Kryostat mit Beleuchtungseinrichtung
EP1858089A2 (de) * 2006-05-18 2007-11-21 Stanley Electric Co., Ltd. Optisches Halbleiterbauelement
EP1858089A3 (de) * 2006-05-18 2012-09-26 Stanley Electric Co., Ltd. Optisches Halbleiterbauelement
WO2008084882A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination apparatus using the same
DE102010029318B4 (de) * 2010-05-26 2012-03-22 Wegu Gmbh & Co. Kg Lkw-Kotflügel mit integrierter LED-Leuchte
EP2590236A1 (de) * 2011-11-07 2013-05-08 Odelo GmbH Leuchtdiode und Leuchtmittel mit wenigstens zwei Leuchtdioden als Lichtquellen
FR3056678A1 (fr) * 2016-09-28 2018-03-30 Valeo Vision Module d'emission lumineuse ameliore pour vehicule automobile
WO2018060284A1 (fr) * 2016-09-28 2018-04-05 Valeo Vision Module d'émission lumineuse amélioré pour véhicule automobile
US10845022B2 (en) 2016-09-28 2020-11-24 Valeo Vision Light-emitting module for a motor vehicle

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