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Die Erfindung geht aus von einer
Vorrichtung und einem Verfahren nach der Gattung der nebengeordneten
Ansprüche.
Es ist allgemein bekannt, Mikropipetten für Analysen der Zellflüssigkeit
von biologischen Zellen zu verwenden. Hierzu wird die Zellflüssigkeit
der zu analysierenden Zelle elektrisch kontaktiert. Hierzu werden
häufig
Glaskapillaren verwendet, die einen Durchmesser von wenigen μm aufweisen.
Mit diesen Glaskapillaren wird unter dem Mikroskop die Zelle bzw.
die Zellflüssigkeit
analysiert. Zur Mikropipettierung werden die Zellen dabei in sog. Patch-Clamping-Systemen
fixiert. Über
ein Loch in dem Patch-Clamping-System, welches einen Durchmesser
von ca. 10 μm
aufweist, wird die zu untersuchende Zelle angesaugt und damit in
einer definierten Position fixiert. Bei aktuell verwendeten Verfahren
ist die Clamp-Einheit von der Pipette, d.h. insbesondere von der
Glaskapillare, unabhängig
und die Justage der Pipette relativ zur fixierten Zelle bzw. relativ
zu dem Loch in der Clamp-Einheit erfolgt zeitaufwändig unter
dem Mikroskop.
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Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren
mit den Merkmalen der nebengeordneten Ansprüche haben dem gegenüber den
Vorteil, dass eine solche zeitaufwändige Justage nicht erforderlich
ist. Hierbei wird beispielsweise die Clamp-Einheit mittels eines
Lochs von beispielsweise etwa 10 μm
Durchmesser in einer Siliziumoberfläche bzw. in einer Siliziumoxidoberfläche oder
auch in einer Polyimidoberfläche
realisiert. Die Zelle wird durch einen Unterdruck bzw. durch eine Strömung in dieses
Loch hinein angesaugt und damit an einer definierten Position fixiert.
Vorteilhaft ist es insbesondere, dass die vorgenannten zwei Funktionen,
nämlich die
Fixierung der Zelle durch die Clamp-Einheit und die Analysefähigkeit
der Zellflüssigkeit
bzw. die elektrische Kontaktierbarkeit der Zelle in einer Vorrichtung,
welche insbesondere als Halbleiterchip vorgesehen ist, zu integrieren.
Hierbei ist es notwendig, eine Vorrichtung zu schaffen, welche in
einem großserientauglichen
Prozess den geforderten Toleranzen, insbesondere hinsichtlich der
Positionierung und Abmessung von Ansaugloch und Pipette, entspricht.
Erfindungsgemäß ist es
insbesondere vorgesehen, eine Mikropipette zur elektrischen Kontaktierung
von biologischen Zellen und eine Clamping-Einheit zur Fixierung
der Zelle zu kombinieren. Die Erfindung sieht insbesondere die Herstellung
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
unter Verwendung von Techniken der Oberflächenmikromechanik vor, um die
hohen Genauigkeitsanforderungen der zu fertigenden Strukturen an
der Chip-Oberfläche
zu realisieren, wobei aufgrund von Durchgängen durch den Chip keine reine
Oberflächenmikromechanik
vorliegt. Erfindungsgemäß wird ein
Teil des Halbleitersubstrats, welches insbesondere als Siliziumsubstrat
vorgesehen ist, mittels eines Anodisiervorganges porös geätzt, so
dass es möglich
ist, vergleichsweise sehr tief gelegene Opferschichten herzustellen,
welche in einem nachfolgenden Verfahrensschritt entfernt werden
und so Öffnungen
bzw. Ausnehmungen in der erfindungsgemäßen Vorrichtung realisieren,
die die angestrebte Funktion der erfindungsgemäßen Vorrichtung garantieren.
Erfindungsgemäß ist es
weiterhin vorgesehen, Tiefenätzprozesse,
insbesondere von der Rückseite
des Substrates her, zum Erreichen der geforderten Strukturen zu
verwenden, wie beispielsweise anisotropes nasschemisches Ätzen, Trench-Ätzen bzw. Trockenätzen. Hierbei
zeichnet sich die erfindungsgemäße Vorrichtung
und das erfindungsgemäße Verfahren
dadurch aus, dass die Pipettengeometrie insbesondere durch Trockenätzprozesse
frei wählbar
ist. Weiterhin kann die Ansauglochtiefe durch die Verwendung von
porösem
Silizium sehr tief ausgeführt
werden. Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die Deckschicht über dem
Saugloch mit einer Opferschichttechnologie aus porösem Silizium sehr
einfach erzeugt werden kann. Justagetoleranzen im Zusammenhang mit
der Verarbeitung ein und desselben Halbleitersubstrats sowohl von
seiner Vorderseite, als auch von seiner Rückseite her, können durch
die erfindungsgemäßen Verfahren
entschärft werden.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung
bzw. der erfindungsgemäße Chip
erlaubt die Automatisierung der Zellanalyse durch automatisches
Patch-Clamping. Weiterhin ist das Herstellungsverfahren zur Herstellung
der erfindungsgemäßen Vorrichtung bzw.
des erfindungsgemäßen Chips
auch großserientauglich.
Besonders vorteilhaft ist, dass die Spitze der Pipette in einer
Ebene mit der Oberfläche
des Ansaugloches liegt oder dass die Spitze der Pipette unterhalb
der Ebene der Oberfläche
des Ansauglochs liegt. Hierdurch kann eine Zelle besonders einfach und
schonend überprüft werden.
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Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen
ist eine vorteilhafte Weiterbildung und Verbesserung des, in den
nebengeordneten Ansprüchen
angegebenen, Verfahrens und der angegebenen Vorrichtung möglich. Besonders
vorteilhaft ist es, dass die Vorrichtung zumindest teilweise in
Oberflächenmikromechanik
hergestellt vorgesehen ist. Dadurch können die Toleranzen besonders klein
gemacht werden. Weiterhin ist es von Vorteil, dass die Vorrichtung
zur automatischen Zellanalyse geeignet ist. Dadurch können sehr
viele Zellen in automatisierter Weise und schnell nacheinander analysiert
werden.
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Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung
näher erläutert.
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Es zeigen:
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1 eine
erste Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
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2 eine
zweite Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
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3 eine
dritte Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
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4 die
erfindungsgemäße Vorrichtung,
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5 die
erfindungsgemäße Vorrichtung
in einer Draufsicht,
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6 eine
Abwandlung des ersten Stadiums der erfindungsgemäßen Vorrichtung und
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7 ein
Anwendungsszenario der erfindungsgemäßen Vorrichtung
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Beschreibung
des Ausführungsbeispiels
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In 1 ist
eine erste Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt.
Diese umfasst ein Substrat 100 in einer Querschnittsdarstellung,
wobei die Vorderseite des Substrates in der 1 oben dargestellt ist und wobei die
Unterseite des Substrats 100 bzw. die Rückseite des Substrats 100 in
der 1 unten dargestellt
ist bzw, vorzustellen ist. Die Rückseite
des Substrats 100 ist erfindungsgemäß optional mit einer Dotierung
versehen, die einen ersten dotierten Bereich 210 bildet.
Der erste dotierte Bereich 210 ist insbesondere als N-Dotierung
vorgesehen, wobei das Substrat 100 eine leichte P-Dotierung aufweist,
wobei als Wert der Dotierungen typischerweise Dotierstoffkonzentrationen
von über
1018 cm–3 vorgesehen
ist. Das Substrat 100 ist erfindungsgemäß insbesondere als Halbleitersubstrat
und hier insbesondere als Siliziumsubstrat vorgesehen. In das Siliziumsubstrat 100 ist
erfindungsgemäß vorgesehen,
zweite Bereiche, die in 1 mit dem
Bezugszeichen 130 versehen sind, mittels eines nasschemischen Ätzvorgangs
porös zu
gestalten. Um zu verhindern, dass poröses Silizium in größeren Bereichen
als den vorgesehenen zweiten Bereichen 130 erzeugt wird,
ist das Substrat 100 in manchen Bereichen durch eine Abdeckung 110 abgedeckt.
Die Abdeckung ist beispielsweise mit einer Siliziumnitridmaske 110 durchgeführt. Weiterhin
kann es erfindungsgemäß vorteilhaft
sein, dritte dotierte Bereiche 102 vorzusehen, welche erfindungsgemäß dotiert sind.
Der dotierte erste Bereich 210 entspricht einer optionalen
Hilfsschicht, die die Homogenität
der zweiten Bereiche 130, die auch als Anodisierschicht bezeichnet
werden, verbessert. Der dotierte erste Bereich 210 kann
auf Kosten der Homogenität
der Anodisierschicht entfallen oder auch nachträglich entfernt werden. Bei
der Herstellung des porösen
Siliziums in den zweiten Bereichen 130 des Substrats 100 weitet
sich dann der poröse
Bereich nicht in die dotierten dritten Bereiche 102 hinein
aus. Der Prozess zur Bildung des porösen Siliziums in den zweiten
Bereichen 130 wird auch als Anodisierprozess bezeichnet.
Dieser greift das positiv dotierte Silizium an, d.h. er macht dieses
porös,
während
negativ dotiertes Silizium durch den Anodisierprozess nicht angegriffen
wird. N-dotierte Bereiche, wie die dritten Bereiche 102,
wirken daher als Anodisierstop und führen zu einer exakt definierten
Begrenzung der anodisierten Bereiche, welche in 1 die zweiten Bereiche 130 sind.
Die Ätztiefe
der zweiten Bereiche 130 und das Profil wird über die
Anodisierungsparameter bestimmt. Hierzu gehören insbesondere die Konzentration
der Ätzlösung, insbesondere
als Flusssäure, sowie
die Stromdichte des verwendeten Stromflusses.
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In 2 ist
eine zweite Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt.
Wiederum ist das Substrat 100, der erste Bereich 210 des
Substrats, welcher sich auf der Rückseite des Substrats als dotierter
Bereich 210 befindet, und die zweiten und dritten Substratbereiche 130 und 102 dargestellt. Die
in 1 dargestellte erste
Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist bereits in ihren zweiten Bereichen 130 anodisiert,
das heißt
in diesen Bereichen porös
vorgesehen.
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In 2 werden
auf diese porösen
zweiten Bereiche 130 eine weitere Schicht, welche bevorzugt als
polykristalline Siliziumschicht, als monokristalline Siliziumschicht,
als Siliziumoxidschicht oder als Siliziumnitridschicht vorgesehen
ist, abgeschieden. Diese Schicht darf beim späteren Opferschichtätzen der porösen Siliziumschicht
in den zweiten Bereichen 130 bzw. der oxidierten porösen Siliziumschicht
in den zweiten Bereichen 130 nicht oder nicht wesentlich
angegriffen werden. Die weitere, zumindest teilweise auf dem mit
dem Bezugszeichen 130 versehenen porösen Bereich, d.h. der zweite
Bereich 130, abgeschiedene Schicht bildet als auf der ersten
Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung
abgeschiedene Schicht einen vierten Bereich, der in der 2 mit dem Bezugszeichen 140 versehen
ist. Weiterhin werden über
eine in 2 nicht dargestellte Maskierung
von der Rückseite
des Substrats 100 her Ausnehmungen in das Substrat eingebracht,
wobei eine zweite Ausnehmung 220 bis in den porösen zweiten
Bereich 130 vorgetrieben wird und wobei eine dritte Ausnehmung 221 den
zweiten Bereich 130 nicht berührt. Die zweite und dritte
Ausnehmung 220, 221 werden im Folgenden auch als
zweite und dritte Kaverne 220, 221 bezeichnet.
Die zweite Ausnehmung 220 dient dem Anschluss des weiter
unten beschriebenen Saugkanals und die dritte Ausnehmung 221 dient
dem Anschluss der später
zu beschreibenden Messpipette. Die Kavernen 220, 221 können insbesondere
durch anisotropes Ätzen
in Laugen, beispielsweise KOH, oder durch einen Trockenätzprozess
erzeugt werden. Die Tiefe der Kavernen kann durch einen zweistufigen Ätzprozess
so ausgeführt werden,
dass die Kavernen 220, 221 unterschiedliche Ätztiefen
aufweisen. Das poröse
Silizium im zweiten Bereich 130, das bei dem Anodisierprozess entsteht.
kann aufoxidiert werden, um als Ätzstopschicht
für weitere
Siliziumätzprozesse,
die sowohl nasschemisch als auch trockenchemisch ausgeführt werden
können,
zu wirken. Hierzu ist es insbesondere vorgesehen, dass Silizium
in den zweiten Bereichen 130, welche porös sind,
thermisch zu behandeln.
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In 3 ist
eine dritte Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt.
Die dritte Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung umfasst wiederum
das Substrat 100, den zweiten Substratbereich 130,
welcher als poröses
Silizium vorgesehen ist, den dritten Substratbereich 102,
der als negativ dotierte Barriere gegen eine zu weite Ausdehnung
des zweiten Bereichs 130 vorgesehen ist, der vierte Bereich 140,
welcher insbesondere als eine polykristalline Siliziumschicht, als
eine monokristalline Siliziumschicht oder als eine Siliziuniriitridschicht erfindungsgemäß vorgesehen
ist, sowie die zweite und dritte Ausnehmung 220, 221 dargestellt.
Darüber hinaus
ist von der Vorderseite des Substrates 100, das heißt in der 3 von oben, eine erste Ausnehmung 120 dargestellt.
Diese erste Ausnehmung ist erfindungsgemäß insbesondere als ringförmige runde
Ausnehmung in die Oberseite des Substrats 100 vorgesehen,
weshalb in der Schnittdarstellung der 1 bis 4 in 3 „zwei
Ausnehmungen" 120
dargestellt sind, die jedoch gemeinsam die erste Ausnehmung 120 bilden.
Die erste Ausnehmung 120 grenzt wenigstens an ihrer einen
Seite an den zweiten Bereich 130 an und ist durch den vierten
Bereich 140 hindurch vorgesehen. Zur Erzeugung der ersten Ausnehmung 120,
welche auch als erste Kaverne 120 bezeichnet wird, kann
eine Ätzmaske,
insbesondere aus Fotolack oder Oxid verwendet werden, die jedoch
in 3 nicht dargestellt
ist. Zur Einbringung der ersten Ausnehmung 120 wird insbesondere
ein Trockenätzprozess
von der Wafer-Vorderseite, d.h. von der Vorderseite des Substrates 100 her
vorgesehen. Hierbei ist es erfindungsgemäß vorteilhaft möglich, auf
der Wafer-Rückseite
ein Oxid abzuscheiden und dieses hierbei als Ätzstop für den Trockenätzschritt
zu benutzen. Eine vierte Ausnehmung 121 ist erfindungsgemäß ebenfalls
von der Vorderseite aus vorgesehen und zwar ist die vierte Ausnehmung 121 erfindungsgemäß insbesondere
im Zentrum des Rings der ersten Ausnehmung 120 vorgesehen.
Die vierte Ausnehmung 121 wird von der Vorderseite her durch
den vierten Bereich 140 und einen Teil des dritten Substratbereichs 103 hindurch
bis zu der von der Rückseite
des Substrats 100 in das Substrat 100 eingebrachten
dritten Ausnehmung 221 vorgesehen, so dass sich eine durchgängige Öffnung durch
das Substrat 100 im Zentrum der einen Ring bildenden ersten Ausnehmung 120 ergibt.
Die Einbringung der ersten und vierten Ausnehmung 120, 121 wird
erfindungsgemäß insbesondere
mit einem Trockenätzschritt durchgeführt und
kann erfindungsgemäß dabei
durch zwei Trockenätzschritte
so durchgeführt
werden, dass die Ätztiefe
der vierten Ausnehmung 121 tiefer ist als die Ätztiefe
der ersten Ausnehmung 120. Hierbei ist es erfindungsgemäß insbesondere
vorgesehen, dass die vierte Ausnehmung 121 vor der ersten Ausnehmung 120 erzeugt
wird. Beispielsweise wird zunächst
die vierte Ausnehmung 121 vollständig erzeugt, danach mittels
einer Passivierungsschicht, beispielsweise eine Lackschicht, passiviert
und anschließend
durch Öffnen
eines Bereichs zum Ätzen der
ersten Ausnehmung 120 und nachfolgendem Ätzen diese
erzeugt. Alternativ zu dieser sequentiellen Erzeugung der Ausnehmungen 121, 120 ist
es erfindungsgemäß auch vorgesehen,
zunächst
im Bereich der vierten Ausnehmung 121 eine Teilätzung bis
zu einer gewissen Tiefe vorzunehmen und anschließend mittels einer Öffnung von
Oberflächenbereichen
für die
erste Öffnung 120 ein
gemeinsames Ätzen
bzw. Weiterätzen
sowohl der ersten Öffnung 120 und
der vierten Öffnung 121 vorzunehmen.
Die erste Ausnehmung 120 wird im Folgenden insbesondere auch
als Saugloch bezeichnet, welches ringförmig vorgesehen ist. Die vierte
Ausnehmung 121 wird im Folgenden auch als Pipettenöffnung 121 bezeichnet, welche
mit der dritten Ausnehmung 221 verbunden ist und mit dieser
zusammen die Pipettenöffnung 121 bildet.
Dies ist in 4 dargestellt.
Damit ist ein sicherer Anschluss der Pipettenöffnung 121 an die Rückseitenkaverne,
d.h. die dritte Ausnehmung 221, gegeben.
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In 4 ist
die erfindungsgemäße Vorrichtung
dargestellt, wobei gegenüber
der dritten Vorstufe der erfindungsgemäßen Vorrichtung lediglich noch der
poröse
zweite Bereich 130, welcher erfindungsgemäß als Opferschicht
dient, entfernt wurde. Das poröse
Silizium bzw. das oxidierte poröse
Silizium im zweiten Bereich 130 des Substrats 100 kann
beispielsweise mittels verdünnter
KOH bzw. mittels flusssäurehaltigen
Medien selektiv zum Silizium entfernt werden. Falls erforderlich,
ist eine abschließende
Passivierung der gesamten Vorrichtung, d.h. des gesamten Substrats 100,
mittels einer Oxidschicht bzw. einer Nitridschicht denkbar. Dies
ist jedoch in 4 nicht
dargestellt. Durch die Entfernung der Opferschicht im zweiten Bereich 130 des
Substrates 100 wird eine Verbindung zwischen der ersten
Ausnehmung 120 und der zweiten Ausnehmung 220 hergestellt.
Damit ist die ringförmig
vorgesehene, erste Ausnehmung 120, die sich auf der Vorderseite
des Substrates befindet, mit einer Öffnung auf der Rückseite
des Substrates 100 verbunden. Gemeinsam bilden diese Ausnehmungen
mit dem ausgeräumten zweiten
Bereich 130 des Substrats 100 eine erfindungsgemäße Öffnung 125 in
dem Substrat 100, durch welche eine auf der Vorderseite
des Substrates 100 befindende Zelle, die in 4 nicht dargestellt ist, über die
Bildung eines Unterdrucks in der Öffnung 125 an dem
Substrat 100 fixiert werden kann. Der zweite Bereich 130 ist
Teil der Öffnung 125.
Daher wird der zweite Bereich 130 im folgenden auch als Teilbereich 130 der Öffnung 125 bezeichnet.
Mittels der Pipettenöffnung 121 ist
es dadurch möglich,
an der fixierten Zelle Untersuchungen beispielsweise der Zellmembran bzw.
des Zellplasmas durchzuführen.
Durch die durch das Substrat 100 durchgängige Pipettenöffnung 121 ist
auch hier der entsprechende Membranbereich bzw. die Zelle zugänglich,
und zwar von der Rückseite
des Substrates 100 her. Auf der Oberseite bzw. Vorderseite
des Substrats 100 können
damit mehrere Oberflächen
unterschieden werden. In der Mitte bzw. im Zentrum der erfindungsgemäßen Vorrichtung
befindet sich die Pipettenöffnung 121,
welche eine Verbindung zur Waver-Rückseite bzw. zur Rückseite
des Substrats 100 herstellt. Um die Pipettenöffnung 121 befindet
sich ein erster Oberflächenbereich 160,
welcher ringförmig
und insbesondere konzentrisch um die Pipettenöffnung 121 herum vorgesehen
ist. Radial nach außen
von der Pipettenöffnung 121 aus
schließt
sich an den ersten Oberflächenbereich 160 die
von der Vorderseite des Substrats her gesehen ringförmig vorgesehene Öffnung 125 an.
Radial nach außen
schließt
sich an die Öffnung 125 ein
zweiter Oberflächenbereich 170 an.
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In 5 ist
eine Draufsicht auf die erfindungsgemäße Vorrichtung dargestellt.
Sichtbar ist die Pipettenöffnung 121 im
Zentrum der Vorrichtung, der erste Oberflächenbereich 160 radial
außerhalb der
Pipettenöffnung 121,
weiterhin die Öffnung 125, welche
auch als Saugöffnung 125 bezeichnet
wird, wobei diese bei einer Draufsicht auf eine Vorderseite des
Substrats 100 erfindungsgemäß insbesondere ringförmig vorgesehen
ist, und anschließend
der zweite Oberflächenbereich 170 des
Substrats 100.
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In 6 ist
eine alternative Substratstruktur zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
dargestellt. Auch hier ist wiederum das Substrat 100 vorgesehen,
welches jedoch alternative dritte Bereiche in Form tiefliegender
N-dotierter dritter Bereiche 102 vorsieht. Auch hier dienen
diese dritten Bereiche 102 wiederum als Stopschicht für den Anodisiervorgang.
Falls erforderlich, kann die Tiefe des N-dotierten Bereichs durch
eine, auf die Oberfläche des
Substrats 100 aufgebrachte und in 6 mit dem Bezugszeichen 101 versehene
Epitaxieschicht aus insbesondere positiv dotiertem Silizium vorgesehen
seien, wobei in der Epitaxieschicht zur Erzeugung bzw. zur Ausdehnung
der dritten Bereiche 102 weitere N-dotierte Bereiche vorgesehen
sind, welche in 6 mit
dem Bezugszeichen 103 versehen sind.
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In 7 ist
eine Anwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
zur Fixierung einer, in einer Flüssigkeit
befindlichen biologischen Zelle, dargestellt. Zur Fixierung einer
mit dem Bezugszeichen 11 versehenen Zelle an der in 7 mit einem mit dem Bezugszeichen 10 versehenen
Pfeil dargestellten erfindungsgemäßen Vorrichtung ist erfindungsgemäß insbesondere
ein Strömungskanal 16 vorgesehen,
in welchem sich eine Flüssigkeit 14 befindet,
in welcher sich die Zellen 11 befinden. Zur Fixierung einer
Zelle 11 an der Vorrichtung 10 wird im Ansaugbereich,
welcher in 7 mit dem
Bezugszeichen 125 versehen ist und welcher der Öffnung 125 aus
der 4 entspricht, angesaugt.
Danach kann mittels der Pipettenöffnung 121 eine
Untersuchung an der Zelle 11 durchgeführt werden. Beispielsweise
kann durch die Pipettenöffnung 121 in
die mit dem Bezugszeichen 9 versehene Zellmembran eingestochen
werden und eine Untersuchung an dem Zellplasma durchgeführt werden,
wobei jedoch weder das Einstechen noch ein geeignetes Instrument
hierzu in 7 nicht dargestellt
ist. Die Pipettenöffnung 121 ist
erfindungsgemäß insbesondere
wenige μm
breit, beispielsweise 1 bis 2 μm
breit. Die Sauglochöffnungen 125 sind
beispielsweise ca. 10 μm
breit und ringförmig
vorgesehen. Erfindungsgemäß ist daher
notwendig, ein Herstellungsverfahren anzugeben, welches hinreichend große Genauigkeit
aufweist, um solche Abmessungen genau und möglichst großserientauglich auch zu realisieren,
wobei darauf zu achten ist, dass sowohl Öffnungen von der Vorderseite
des Substrates 100, als auch Öffnungen von der Rückseite
des Substrates 100 vorgesehen sind und wobei darüber hinaus diese Öffnungen
von der Vorderseite und der Rückseite
des Substrats 100 sich treffen müssen bzw. miteinander verbunden
sein müssen.
Erfindungsgemäß erleichtert
die Verwendung von porösem
Silizium im zweiten Bereich 130 des Substrats 100 die
Erfüllung dieser
Anforderungen. Einer genauen Reproduzierbarkeit solcher Abmessungen
wirken typische Wafer-Toleranzen wie beispielsweise die Keiligkeit
oder auch TTV (total thickness variation) entgegen.