DE10228400A1 - Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten - Google Patents

Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten Download PDF

Info

Publication number
DE10228400A1
DE10228400A1 DE2002128400 DE10228400A DE10228400A1 DE 10228400 A1 DE10228400 A1 DE 10228400A1 DE 2002128400 DE2002128400 DE 2002128400 DE 10228400 A DE10228400 A DE 10228400A DE 10228400 A1 DE10228400 A1 DE 10228400A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
demetallization
electrode
electrolyte
connecting line
circuit boards
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2002128400
Other languages
English (en)
Other versions
DE10228400B4 (de
Inventor
Rainer Dipl.-Ing. Haas (FH)
Axel Dipl.-Ing. Gutmann
Klaus Gedrat
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HOELLMUELLER MASCHBAU H
Hollmueller Maschinenbau GmbH
Hoellmueller Maschinenbau GmbH
Original Assignee
HOELLMUELLER MASCHBAU H
Hollmueller Maschinenbau GmbH
Hoellmueller Maschinenbau GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HOELLMUELLER MASCHBAU H, Hollmueller Maschinenbau GmbH, Hoellmueller Maschinenbau GmbH filed Critical HOELLMUELLER MASCHBAU H
Priority to DE10228400A priority Critical patent/DE10228400B4/de
Publication of DE10228400A1 publication Critical patent/DE10228400A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10228400B4 publication Critical patent/DE10228400B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • C25D7/123Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/005Contacting devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06Wires; Strips; Foils
    • C25D7/0614Strips or foils
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus

Abstract

Eine Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten oder dgl. umfasst in bekannter Weise ein Maschinengehäuse, in dessen unterem Bereich sich ein Sumpf für einen metallionen-haltigen Elektrolyten befindet. Die elektronischen Leiterplatten werden mit Hilfe einer Mehrzahl von Tranport- und Kontaktwalzen (2, 3) durch die Vorrichtung hindurch bewegt. Die Transport- und Kontaktwalzen (2, 3) sind mit mindestens einem metallischen Kontaktierungsbereich (4, 5) versehen, der mit dem negativen Pol einer Galvanisierungs-Stromquelle (8) verbunden ist. Der positive Pol der Galvanisierungs-Stromquelle (8) ist mit mindestens einer in der Nähe des Bewegungswegs angeordneten Anode (9) verbunden. Mindestens ein Teil des Bewegungsweges und die Anode (9) umgibt einen Innenbehälter (1), in den mittels einer Pumpe aus dem Sumpf derart Elektrolyt zugeführt werden kann, daß sich in dessen Innenraum im dynamischen Gleichgewicht zwischen Zu- und Abfluß ein bestimmter Elektrolytspiegel einstellt. Das sich ungewollt auf den Kontaktbereichen (4, 5) der Transportwalzen (2, 3) abscheidende Metall wird mit Hilfe von Entmetallisierungseinrichtungen wieder entfernt, welche jeweils eine Entmetallisierungselektrode (14, 15) umfassen. Die Entmetallisierungselektroden (14, 15) werden mit Hilfe einer Hilfsstromquelle (16) auf einem gegenüber den Kontaktbereichen (4, 5) der Transport- und Kontaktwalzen (2, 3) negativen Potential gehalten. Um sie leicht zugänglich zu halten, sind sie außerhalb ...

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten oder dgl. nach dem Oberbegrif des Anspruches 1.
  • Elektronische Leiterplatten werden aus Kostengründen vornehmlich im kontinuierlichen Durchlauf durch eine Galvanisierungs-Vorrichtung metallisiert. Dabei ergibt sich das Problem, daß die Kontakte, mit welcher die Leiterplatten auf Kathodenpotential gebracht werden, sich selbst in unerwünschter Weise mit Metall überziehen, das wieder entfernt werden muß. Dies geschieht ebenfalls auf elektrolytischem Weg mit Hilfe einer Entmetallisierungselektrode, die auf stärker negativem Potential als die Kontakte gehalten wird. Die unerwünschten Metallniederschläge an den Kontakten gehen auf diese Weise wieder in Lösung und scheiden sich statt dessen auf der Entmetallisierungselektrode ab.
  • Bei einer vom Markt her bekannten Vorrichtung der eingangs genannten Art umgeben zylindrische Entmetallierungselektroden ringförmige metallische Kontaktbereiche der Transport- und Kontaktwalzen und drehen sich mit diesen mit. Wenn sich nach einer gewissen Betriebszeit auf den Entmetallisierungselektroden eine gewisse Metallschichtdicke aufgebaut hat, müssen die Entmetallisierungselektroden ausgebaut und durch neue ersetzt werden. Dies ist wegen der Anordnung der Entmetallisierungselektrode im Innenraum des Innenbehälters eine aufwendige Arbeit.
  • Eine Vorrichtung der eingangs genannten Art ist auch aus der DE 197 24 059 A1 bekannt. Hier befinden sich die Entmetallisierungselektroden ebenfalls im Inneren des Innenbehälters mehr oder weniger in unmittelbarer Nähe zu den metallischen Kontaktbereichen der Transport- und Kontaktwalzen. Im Unterschied zu dem eingangs genannten, vom Markt her bekannten Stand der Technik sind hier die Entmetallisierungselektroden durch eine anionenaktive Membran von dem den Innenraum des Innenbehälters ausfüllenden Elektrolyten getrennt. Der die Entmetallisierungselektroden jeweils umgebende Raum wird von einer Säure durchströmt. Durch diese Ausgestaltung wird verhindert, daß sich auf den Entmetallisierungselektroden Metall niederschlägt. So kann zwar vermieden werden, daß die Entmetallisierungselektroden häufig ausgetauscht werden müssen; die hier eingesetzten Membranen sind jedoch verhältnismäßig teuer und empfindlich.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß sie wartungsfreundlich ist.
  • Diese Aufgabe wird mit den im Anspruch 1 angegebenen Mitteln gelöst.
  • Erfindungsgemäß werden also die Entmetallisierungselektroden aus dem Innenraum des Innenbehälters, wo sie schwer zugänglich sind, ausgelagert. Sie befinden sich statt dessen in dem zwischen dem äußeren Maschinengehäuse und dem Innenbehälter liegendem Raum. Die zur Durchführung des Entmetallisierungsvorganges erforderliche Elektrolyt-Verbindung erfolgt über gesonderte Verbindungsleitungen, die den im Inneren des Innenbehälters befindlichen Elektrolyten bis in die unmittelbare Nähe der außerhalb des Innenbehälters liegenden Entmetallisierungselektroden führt. Bei der vorliegenden Erfindung ist zwar der Abstand zwischen den Entmetallisierungselektroden und den zu entmetallisierenden Kontaktbereichen der Transport- und Kontaktwalzen größer als beim Stande der Technik; dies kann jedoch ohne nachteilige Wirkungen durch eine etwas höhere Spannung der Hilfsstromquelle ausgeglichen werden.
  • Die Entmetallisierungselektroden sind an der erfindungsgemäß für sie vorgesehenen Stelle außerhalb des Innengehäuses leicht zugänglich, können also bei Bedarf leicht ausgetauscht oder sonst gewartet werden.
  • Die Ausführungsform der Erfindung gemäß Anspruch 2 eignet sich insbesondere dann, wenn zur Vermeidung von Verarmungseffekten an den Entmetallisierungselektroden eine kräftige Anströmung von deren Oberfläche erwünscht ist.
  • Bei der im Anspruch 3 angegebenen Ausführungsform dagegen werden sowohl Vorder- als auch Rückseite der Entmetallisierungselektroden in gleicher Weise mit Metall beschichtet.
  • Unter dem Gesichtpunkt einer möglichst gleichmäßigen Beschichtung der Oberflächen der Entmetallisierungselektroden empfiehlt sich auch die im Anspruch 4 angegebene Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • Die Ausführungsform gemäß Anspruch 5 macht von dem in der oben erwähnten DE 197 24 059 A1 beschriebenen Gedanken Gebrauch, die Entmetallisierungselektrode von dem metallionenhaltigen Elektrolyten durch eine anionisch wirksame Membran zu trennen, um eine Metallabscheidung an den Entmetallisierungselektroden zu vermeiden.
  • Mit der Ausführungsform der Erfindung nach Anspruch 6 schließlich lassen sich an den Kontaktbereichen der Transport- und Kontaktwalzen niedrigere Stromdichten erzielen, da der Entmetallisierungsvorgang während eines längeren Teils der gesamten Umlaufzeit der Transport- und Kontaktwalzen stattfinden kann.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigen
  • 1: einen vertikalen Teilschnitt durch den Innenbehälter einer Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten senkrecht zu deren Bewegungsrichtung;
  • 2: einen Schnitt, ähnlich der 1, durch ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
  • 3: einen Teilschnitt, ähnlich den 1 und 2, durch ein drittes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
  • 4: einen Teilschnitt, ähnlich den 1 bis 3, durch ein viertes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
  • 5: ein Detail im Bereich des einen Kontaktring aufweisenden Endes einer Transport- und Kontaktwalze einer fünften Ausführungsform der Erfindung;
  • 6: einen Schnitt gemäß Linie VI-VI von 5.
  • Zunächst wird auf 1 Bezug genommen. Diese zeigt im vertikalen Schnitt den in Bewegungsrichtung der Leiterplatten gesehen linken Bereich eines Innenbehälters 1 einer Vorrichtung zum Galvanisieren von Leiterplatten. Dieser Innenbehälter 1 entspricht dem Behälter 13 der oben bereits erwähnten DE 197 24 059 A1 . Soweit nachfolgend nichts anderes gesagt ist, stimmt die Bauweise der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit derjenigen überein, die in dieser Druckschrift beschrieben ist. So ist der Innenbehälter 1 insbesondere von einem Maschinengehäuse (nicht gezeigt) umgeben zu denken, in dessen unterem Bereich sich ein Sumpf für einen Elektrolyten befindet. Aus diesem Sumpf wird der Elektrolyt mit Hilfe einer ebenfalls nicht dargestellten Pumpe in den Innenraum des Innenbehälters 1 gefördert, so sich im dynamischen Gleichgewicht zwischen zugefördertem Elektrolyt und über- bzw. auslaufendem Elektrolyt ein stationäres Niveau N1 des Elektrolyten einstellt.
  • Oberhalb und unterhalb des Bewegungsweges der elektronischen Leiterplatten verlaufen quer zu deren Bewegungsrichtung Transport- und Kontaktwalzenpaare 2, 3, die in ihrem in 1 linken Endbereich mit einem metallischen Kontaktring 4, 5 auf ihrer Mantelfläche versehen sind. Die Kontaktringe 4, 5 sind über eine durch den hohlen Innenraum der Transport- und Kontaktwalzen 2, 3 laufende elektrische Verbindung und über jeweils einen Schleifkontakt 6, 7 an den Minuspol einer Galvanisierungs-Stromquelle 8 angeschlossen. Der Pluspol der Galvanisierungs-Stromquelle 8 ist mit mindestens einer inerten Anode 9 verbunden, die zwischen in Bewegungsrichtung hintereinander angeordneten Transport- und Kontaktwalzenpaaren 2, 3 in der Nähe der Bewegungsebene der elektronischen Leiterplatten, parallel zu dieser, verläuft. In der Zeichnung ist nur eine derartige Anode 9 dargestellt, die oberhalb der Bewegungsebene der Leiterplatten angeordnet ist; im allgemeinen findet sich eine entsprechende Anode 9 in entsprechendem Abstand unterhalb der Bewegungs ebene der Leiterplatten.
  • Die Transport- und Kontaktwalzen 2, 3 sind in der in Bewegungsrichtung linken Seitenwand 10 des Innenbehälters 1 drehbar gelagert und werden über ein Zahnradgetriebe 11 in bekannter Weise derart gegensinnig angetrieben, daß die elektronischen Leiterplatten, die sich durch den Spalt zwischen den gegenüberliegenden Transport- und Kontaktwalzen 2, 3 bewegen, senkrecht zur Zeichenebene in im wesentlichen horizontaler Richtung befördert werden.
  • Die Seitenwand 10 des Innenbehälters 1 wird Auslaufrohrpaaren 12, 13 durchstoßen, deren im Inneren des Innenbehälters 1 liegende Enden etwa um einen rechten Winkel so abgebogen sind, daß die dortigen Einlaßöffnungen den Kontaktringen 4 bzw. 5 der Transport- und Kontaktwalzen 2, 3 gegenüberstehen.
  • Außerhalb des Innenbehälters 1, in der Nähe der äußeren Auslauföffnungen der Auslaufrohre 12, 13 ist jeweils ein Stück Kupferblech 14, 15 angeordnet, das als Entkupferungskathode dient. Bei dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Kupferbleche 14, 15 senkrecht zu den Achsen der Auslaufrohre 12, 13 angeordnet. Die den Auslaufrohren 12, 13 zugewandte Oberfläche dieser Kupferbleche 14, 15 wird also stark angeströmt.
  • Die Kupferbleche 14, 15 sind mit dem Minuspol einer Hilfsspannungsquelle 16 verbunden, deren Pluspol auf demselben Potential wie der Minuspol der Galvanisierungsstromquelle 8 liegt.
  • Die oben beschriebene Vorrichtung arbeitet wie folgt:
    Der Innenraum des Innenbehälters 1 wird in der oben schon beschriebenen Weise durch Zufuhr von Elektrolyt aus dem Sumpf des äußeren Maschinengehäuses und durch Über- bzw. Auslauf aus dem Innengehäuse 1 auf dem Niveau N1 gehalten. Die elektronischen Leiterplatten werden mit Hilfe der Transport- und Kontaktwalzenpaare 2, 3 senkrecht zur Zeichenebene von 1 durch den Innenbehälter 1 transportiert. Die Kontaktringe 4, 5 kommen dabei in Berührung mit entsprechenden metallisierten Kontaktbereichen der elektronischen Leiterplatten. In dem elektrischen Feld, das zwischen den Anoden 9 und den auf diese Weise auf Kathodenpotential gebrachten elektronischen Leiterplatten entsteht, werden Metallionen, im allgemeinen Kupferionen, auf den elektronischen Leiterplatten in bekannter Weise abgeschieden, während diese durch den Innenbehälter 1 wandern.
  • Da sich die Kontaktringe 4, 5 der Transport- und Kontaktwalzen 2, 3 notwendigerweise auf Kathodenpotential befinden, läßt sich nicht vermeiden, daß sich auch dort Metall abscheidet. Da dies unerwünscht ist, wird das sich auf den Kontaktringen 4, 5 abscheidende Metall mit Hilfe der Hilfsspannungsquelle 16 wieder elektrolytisch in Lösung gebracht. Dies geschieht in dem elektrischen Feld, das sich zwischen den Kontaktringen 4, 5 und den Kupferblechen 14, 15 aufbaut. Zwischen den Kontaktringen 4, 5 und den Kupferblechen 14, 15 besteht dabei eine Elektrolytverbindung über den Elektrolyt, der ständig über die Auslaufrohre 12, 13 ausläuft und dabei im wesentlichen senkrecht auf die den Auslaufrohren 12, 3 zugewandten Stirnflächen der Kupferbleche 14,15 trifft. Von dort strömt der Elektrolyt unter dem Einfluß der Schwerkraft nach unten in den Sumpf, der sich im unteren Bereich des nicht dargestellten Maschinengehäuses befindet.
  • Aufgrund der hohen Geschwindigkeiten, die der Elektrolyt in den Auslaufrohren 12, 13 besitzt, lassen sich in der zwischen den Kupferblechen 14, 15 und den Kontaktringen 4, 5 stattfindenden Entkupferungselektrolyse hohe Stromdichten erzielen. Die Auslagerung der als Entmetallisierungskathoden dienenden Kupferbleche 14, 15 in den Raum außerhalb des Innengehäuses 1 hat eine etwas größere Entfernung zwischen den zu entkupfernden Kontaktringen 4, 5 und den diesen zugeordneten Kupferblechen 14, 15 zur Folge, was aber durch eine akzeptable Erhöhung der Spannung der Hilfsspannungsquelle 16 kompensiert werden kann.
  • Auf den Kupferblechen 14, 15 scheidet sich im Laufe der Zeit Kupfer ab, so daß sie in bestimmten Abständen ausgetauscht werden müssen. Dies ist jedoch aufgrund der leichten Zugänglichkeit der Kupferbleche 14, 15 in kurzer Zeit problemlos möglich. Die aus der Vorrichtung herausgenommenen beschichteten Kupferbleche 14, 15 können als Wertstoff einer Weiterverarbeitung zugeführt werden.
  • Das in 2 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung unterscheidet sich nur wenig von demjenigen, das oben anhand der 1 erläutert wurde. Entsprechende Teile sind daher mit demselben Bezugszeichen zuzüglich 100 gekennzeichnet.
  • Der einzige Unterschied zwischen den beiden Ausführungsbeispielen besteht darin, daß im Falle der 2 die als Entmetallisierungselektroden dienenden Kupferbleche 114, 115 in eine Überlaufwanne 120 eingesetzt sind, die nach unten verschlossen und nach oben geöffnet ist. In den Überlaufwannen 120, 121 bildet sich im Gleichgewischt zwischen dem Zulauf über die Auslaufrohre 112, 113 und dem Überströmen über den oberen Rand der Überlaufwannen 120, 121 ein Elektrolytbad mit konstantem Niveau aus, in welches die Kupferbleche 114, 115 vollständig eingetaucht sind. Auf diese Weise läßt sich eine etwas gleichmäßigere Verkupferung aller Seiten der Kupferbleche 114, 115 erreichen.
  • Das Ausführungsbeispiel der 3 ähnelt wiederum sehr stark demjenigen von 2; entsprechende Teile sind daher mit dem selben Bezugszeichen, erneut um 100 erhöht, gekennzeichnet.
  • Das Ausführungsbeispiel der 3 unterscheidet sich von demjenigen der 2 dadurch, daß in der Überlaufwanne 220 zwei Kammern 220a und 220b ausgebildet sind, die durch eine anionenaktive Membran 222 von einander getrennt sind. Die anionenaktive Membran entspricht in ihrer Funktion der Membran 23, die in der DE 197 24 059 A1 erwähnt ist, d. h. sie läßt ausschließlich Anionen, beispielsweise also Sulfationen, passieren, während die in dem Elektrolyt befindlichen Kupferionen die Membran 222 nicht passieren können.
  • Das als Entmetallisierungselektrode dienende Kupferblech 214 befindet sich in der in 3 linken Kammer 220a der Überlaufwanne 220, die allseits geschlossen ist und auf einer Seite von der Membran 222 begrenzt ist. Die Kammer 220a wird ständig von Säure, insbesondere von Schwefelsäure, durchströmt, die aus einem Vorratsbehälter 223 mit Hilfe einer Pumpe 224 ständig im Kreislauf bewegt wird.
  • Die in 3 rechte Kammer 220b der Überlaufwanne 220 ist nach oben offen, so daß hier der über das Auslaufrohr 212 zuströnende Elektrolyt überlaufen und von dort in den Sumpf des äußeren Maschinengehäuses zurückkehren kann.
  • Die Funktion des Ausführungsbeispieles der 3 stimmt mit derjenigen des Ausführungsbeispieles der 2 überein mit der Ausnahme, daß sich aufgrund der Wirkung der anionenaktiven Membran 222 an dem Kupferblech 214 kein metallisches Kupfer abscheiden kann. Statt dessen entwickelt sich hier während der Entkupferungselektrolyse ausschließlich Wasserstoff. Aus diesem Grunde ist es nicht erforderlich, das Kupferblech 214 periodisch zu entfernen.
  • Das in 4 dargestellte Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zum Galvanisieren elektronischer Leiterplatten hat wiederum größere Ähnlichkeit mit dem Ausführungsbeispiel von 1; entsprechende Teile sind gegenüber den Teilen der 1 mit Bezugszeichen versehen, die um 300 erhöht sind.
  • Der einzige Unterschied zwischen den beiden Ausführungsbeispielen besteht darin, daß die Kupferbleche 314 und 315 nicht senkrecht angeströmt werden sondern parallel zur Ausströmungsrichtung des Elektrolyten angeordnet sind, welcher die Auslaufrohre 212, 1213 verlässt. Die Kupferbleche 314, 315 tauchen dabei ein Stück weit in die Auslaufrohre 312, 313 ein.
  • Die Anordnung der 4 hat gegenüber derjenigen der 1 wieder den Vorteil, daß beide gegenüberliegende Seiten der Kupferbleche 314, 315 angeströmt werden, so daß auf beiden gegenüberliegenden Seiten eine gleichmäßige Kupferabscheidung stattfinden kann.
  • Die 5 und 6 zeigen ein Detail, welches sich mit der Gestaltung der Einlaßöffnung eines Auslaufrohres 412 befasst. Dargestellt ist der linke Endbereich einer Transport- und Kontaktwalze 402, an dem sich der metallische Kontaktring 404 befindet. Das auf der Innenseite des Innenbehälters 401 befindliche Ende des geradlinigen Auslaufrohres 412 mündet in eine Haube 425, die mit ihren unteren, der Transport- und Kontaktwalze 402 zugewandten Rändern über eine bestimmte Winkelerstreckung hinweg in Kreisbögen der Kontur des Kontaktringes 404 folgt. Ruf diese Weise wird der Kontaktring 404 über eine verhältnismäßig große Strecke hinweg von der Entkupferungselektrolyse erfasst. Daher kann an der Oberfläche des Kontaktringes 404 die Stromdichte gegenüber einer Ausführungsform erniedrigt werden, bei welcher, wie in den 1 bis 4, eine kreisförmige Einlaßöffnung der Auslaufrohre dem jeweiligen Kontaktring in geringem Abstand gegenübersteht.

Claims (6)

  1. Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten oder dgl. mit a) einem Maschinengehäuse, in dessen unterem Bereich sich ein Sumpf für einen metallionen-haltigen Elektrolyten befindet; b) mindestens einer Galvanisierungsstromquelle; c) einer Mehrzahl von Transport- und Kontaktwalzen, welche die elektronischen Leiterplatten in im wesentlichen horizontaler Ausrichtung entlang eines Bewegungsweges durch die Vorrichtung führen und mindestens einen metallischen Kontaktbereich aufweisen, der mit dem negativen Pol der Galvanisierungsstromquelle verbunden ist; d) mindestens einer in der Nähe des Bewegungsweges angeordneten Anode, die mit dem positiven Pol der Galvanisierungsstromquelle verbunden ist; e) einem mindestens einen Teil des Bewegungsweges und die Anode(n) umgebenden Innenbehälter, der einen Einlaß- und einen Auslaßschlitz für die elektronischen Leiterplatten aufweist; f) mindestens einer Pumpe, welche aus dem Sumpf Elektrolyt entnimmt und dem Innenbehälter zuführt, derart, daß dessen Innenraum im dynamischen Gleichgewicht zwischen Zu- und Abfluß bis zu einem bestimm ten Spiegel mit Elektrolyt angefüllt ist; g) mindestens einer Entmetallisierungseinrichtung, welche umfasst ga) eine Entmetallisierungselektrode; gb) eine Hilfsstromquelle, deren Pluspol mit dem Kontaktbereich mindestens einer Transport- und Kontaktwalze und deren Minuspol mit der Entmetallisierungselektrode verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß h) die Entmetallisierungselektrode (14, 15; 114, 115; 214; 314, 315) außerhalb des Innenbehälters (1; 101; 201; 301) angeordnet ist; i) eine Verbindungsleitung (12, 13; 112, 113; 212; 312, 313; 412) vorgesehen ist, die eine Einlaßöffnung innerhalb des Innengehäuses (1; 101; 201; 301) unterhalb des dortigen Spiegels des Elektrolyten und eine der Entmetallisierungselektrode (14, 15; 114, 115; 214; 314, 315) benachbarte Auslaßöffnung besitzt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entmetallisierungselektrode (14, 15; 114, 115) ein Metallblech ist, das im wesentlichen senkrecht zur Strömungsrichtung des die Verbindungsleitung (12, 13; 112, 113) verlassenden Elektrolyten ausgerichtet ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entmetallisierungselektrode (314, 315) ein Metallblech ist, das im wesentlichen parallel zur Strö mungsrichtung des die Verbindungsleitung (312, 313) verlassenden Elektrolyten ausgerichtet ist.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Entmetallisierungselektrode (114, 115; 214) in einer nach oben offenen Überlaufwanne (120, 121; 220) untergebracht ist, in welche die Verbindungsleitung (112, 113; 212) mündet.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Überlaufwanne (220) durch eine anionenaktive Membran (222) in zwei Kammern (220a, 220b) unterteilt ist, wobei a) die eine Kammer (220b), in welche die Verbindungsleitung (212) mündet, nach oben offen ist; b) die andere Kammer (220a) geschlossen ist und die Entkupferungselektrode (214) enthält; c) eine Einrichtung (223, 224) vorgesehen ist, mit welcher eine Säure durch die die Entmetallisierungselektrode (214) enthaltende Kammer (220a) geführt werden kann.
  6. Vorrichtung nach einer der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an dem einlaßseitigen Ende der Verbindungsleitung (412) eine Haube (425) vorgesehen ist, deren Ränder die Mantelfläche des Kontaktbereiches (404) der Transport- und Kontaktwalze (402) über einen bestimmten Winkel hinweg bogenförmig übergreifen.
DE10228400A 2002-06-25 2002-06-25 Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten Expired - Fee Related DE10228400B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10228400A DE10228400B4 (de) 2002-06-25 2002-06-25 Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10228400A DE10228400B4 (de) 2002-06-25 2002-06-25 Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10228400A1 true DE10228400A1 (de) 2004-01-15
DE10228400B4 DE10228400B4 (de) 2005-08-18

Family

ID=29723447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10228400A Expired - Fee Related DE10228400B4 (de) 2002-06-25 2002-06-25 Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10228400B4 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10349392B3 (de) * 2003-10-21 2004-12-23 Höllmüller Maschinenbau GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Entmetallisieren von Kontaktmitteln in elektrolytischen Anlagen
WO2010133223A1 (de) * 2009-05-22 2010-11-25 Huebel Egon Verfahren und vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von hochohmigen schichten
US20150096895A1 (en) * 2012-04-25 2015-04-09 Atotech Deutschland Gmbh Method and apparatus for electrolytically depositing a deposition metal on a workpiece

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19724059B4 (de) * 1997-06-07 2006-07-20 Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10349392B3 (de) * 2003-10-21 2004-12-23 Höllmüller Maschinenbau GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Entmetallisieren von Kontaktmitteln in elektrolytischen Anlagen
WO2010133223A1 (de) * 2009-05-22 2010-11-25 Huebel Egon Verfahren und vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von hochohmigen schichten
US20150096895A1 (en) * 2012-04-25 2015-04-09 Atotech Deutschland Gmbh Method and apparatus for electrolytically depositing a deposition metal on a workpiece
US9745665B2 (en) * 2012-04-25 2017-08-29 Atotech Deutschland Gmbh Method and apparatus for electrolytically depositing a deposition metal on a workpiece

Also Published As

Publication number Publication date
DE10228400B4 (de) 2005-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19717512C3 (de) Vorrichtung zum Galvanisieren von Leiterplatten unter konstanten Bedingungen in Durchlaufanlagen
DE10153544B4 (de) Vorrichtung zur Steuerung des Durchflusses in einem Galvanisierungsprozeß
DE3236545A1 (de) Verfahren zum elektroplattieren und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
EP1007766A2 (de) Vorrichtung und verfahren zum vergleichmässigen der dicke von metallschichten an elektrischen kontaktierstellen auf behandlungsgut
EP0741804B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum elektrolytischen metallisieren oder ätzen von behandlungsgut
EP2841628A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum elektrolytischen abscheiden eines abscheidemetalls auf einem werkstück
DE3246690C2 (de)
DE3149519A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur galvanisierung /verzinkung) von metallband
DE4225961C5 (de) Vorrichtung zur Galvanisierung, insbesondere Verkupferung, flacher platten- oder bogenförmiger Gegenstände
EP0039453A1 (de) Vorrichtung zum Elektroplattieren
DE1928062C3 (de) Galvanisierzelle
WO1998049375A2 (de) Vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von plattenförmigem behandlungsgut und verfahren zum elektrischen abschirmen von randbereichen des behandlungsgutes bei der elektrolytischen behandlung
DE4123985C2 (de) Vorrichtung zur elektrolytischen Behandlung von Leiterplatten, insbesondere zur elektrolytischen Beschichtung mit Kupfer
DE10228400B4 (de) Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten
DE19633796B4 (de) Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten
AT392294B (de) Verfahren und vorrichtung zur kontinuierlichen elektroabscheidung von metallen bei hoher stromdichte in vertikalen zellen
DE19633797B4 (de) Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten oder dergleichen
WO2015120963A1 (de) Anlage zur beschichtung von gegenständen
DE3891150C1 (de)
DE2212099B2 (de) Vorrichtung zur rueckgewinnung von metall aus einer ionen dieses metalls enthaltenden fluessigkeit
AT390450B (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen elektroabscheidung von metallen bei hoher stromdichte
DE60302560T2 (de) Durchlaufmetallisierungsanlage und verfahren zum elektrolytischen metallisieren von werkstücken
DE3011005A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum aufbringen eines galvanischen ueberzugs auf eine oder auf beide seiten eines metallischen streifens
DE19724059B4 (de) Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten
DE3024696A1 (de) Elektrolyseverfahren und vorrichtung zur durchfuehrung eines elektrolyseverfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20150101