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Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung
zur optischen Signalübertragung,
ein Verfahren zur optischen Signalübertragung und einen optischen
Modulator.
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Eine bekannte Vorrichtung zur optischen
Signalübertragung
beruht auf einer Modulation des von einem Laserelement emittierten
kohärenten
Lichtes mit einem Datensignal.
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Bei Verwendung eines elektrisch gepumpten Laserelements
kann eine direkte Modulation des emittierten kohärenten Lichtes durch entsprechende Änderung
des elektrischen Pumpstroms erfolgen. Hierdurch lassen sich jedoch
nur Modulationsfrequenzen und damit Datenübertragungsraten von bis zu
etwa 10 GHz erreichen. Für
künftige
Anwendungen sind jedoch immer höhere
Datenübertragungsraten
von 160 GHz und mehr erforderlich, so dass die mittels einer derartigen
Vorrichtung zur optischen Signalübertragung
erreichbaren Datenübertragungsraten
für künftige Anwendungen
nicht mehr ausreichend sind.
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Zur Realisierung höherer Datenübertragungsraten
ist bekannt, im Strahlengang eines Laserelementes einen externen
Modulator vorzusehen, welcher eine Verlustmodulation des von dem
Laserelement emittierten kohärenten
Laserlichtes dadurch bewirkt, dass er durch Anlegen eines elektrischen Feldes
mit einer der gewünschten
Datenübertragungsrate
entsprechenden Frequenz zwischen einem transparenten und einem absorbierenden
Zustand umgeschaltet wird.
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Der Modulator ist hierbei üblicherweise
als „Quantum
well"-Halbleiterstruktur
ausgebildet, die eine stufenförmige
Zustandsdichte mit diskreten Energiezuständen im Valenz- bzw. Leitungsband
aufweist. Diese „Quantum
well"-Halbleiterstruktur
wird so ausgebildet, dass ihre Absorptionskante, d.h. die niedrigste Übergangsenergie
für Ladungsträger im Energiespektrum
der Halbleiterstruktur, im feldfreien Zustand geringfügig oberhalb
der Energie des zu modulierenden, von dem Laserelement emittierten
kohärenten
Lichtes liegt.
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An diese „Quantum well"-Halbleiterstruktur wird
ein elektrisches Feld mit einer der gewünschten Datenübertragungsrate
entsprechenden Frequenz angelegt.
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Hierbei wird der so genannte „Quantum
Confined Stark-Effekt" ausgenutzt,
wonach die quantisierten Energiezustände des Valenz- und Leitungsbandes
in einer „Quantum
Well"-Halbleiterstruktur durch
Anlegen eines äußeren elektrischen
Feldes senkrecht zur Grenzfläche
des Quantum-Wells beeinflusst werden. Ein solches elektrisches Feld
führt zu
einer energetischen Anhebung der Lochzustände und einer energetischen
Absenkung der Elektronenzustände
im Energiespektrum der Halbleiterstruktur, so dass die Absorptionskante
der Halbleiterstruktur zu niedrigeren Energien verschoben wird.
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Die Amplitude des an den „Quantum well"-Halbleiterlaser
angelegten elektrischen Feldes wird so gewählt, dass die durch das elektrische
Feld bewirkte Absenkung der Absorptionskante ausreicht, um die „Quantum
well"- Halbleiterstruktur
aus dem transparenten Zustand in den absorbierenden Zustand umzuschalten.
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Infolge der absorbierten Laserstrahlung
werden in der als Verlustmodulator dienenden „Quantum well"-Halbleiterstruktur
Elektron-Loch-Paare erzeugt, die wiederum unter Strahlungsemission
rekombinieren können.
Die infolgedessen bei geringen Lichtleistungen stattfindende spontane
Emission inkohärenter
Strahlung schlägt
jedoch bei zunehmender Lichtleistung der zu modulierenden Laserstrahlung
in eine induzierte Emission kohärenter
Laserstrahlung um, so dass der oben beschriebene Effekt der Verlustmodulation
und damit die gesamte optische Datenübertragung zum Erliegen kommt.
Dieser Effekt wird auch als „Ausbleichen" des Verlustmodulatoos
bei höheren
Lichtleistungen bezeichnet.
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Diese bekannte Vorrichtung zur optischen Datenübertragung
hat somit den Nachteil, dass sie nur für relativ geringe Lichtleistungen
geeignet ist, die für
die unmittelbare Datenfernübertragung
nicht ausreichend sind.
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Somit liegt der Erfindung das Problem
zugrunde, eine Vorrichtung zur optischen Signalübertragung, ein Verfahren zur
optischen Signalübertragung
und einen optischen Modulator zu schaffen, die zur Datenfernübertragung
bei Verwendung hoher Datenübertragungsraten
und hoher Lichtleistungen geeignet sind.
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Das Problem wird durch die Vorrichtung
zur optischen Signalübertragung,
das Verfahren zur optischen Signalübertragung und den optischen
Modulator gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.
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Eine Vorrichtung zur optischen Signalübertragung
weist ein Laserelement, mittels dem kohärentes Licht in einer ersten
Emissionsrichtung emittierbar ist, und ein in der ersten Emissionsrichtung angeordnetes
Halbleiterelement auf.
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Das Laserelement kann ein beliebiger
Laser, beispielsweise ein Gallium-Arsenid-Halbleiterlaser oder auch
ein Halbleiterlaser mit einer Indium-Gallium-Arsenid/Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Heterostruktur
(InGaAs/GaAs/AlGaRs-Heterostruktur) oder mit einer Indium-Arsenid/Indium-Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Heterostruktur (InAs/InGaAs/AlGaAs-Heterostruktur) sein.
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Ferner sind Mittel zum Anlegen eines
elektrischen Feldes an das Halbleiterelement vorgesehen, wodurch
das Halbleiterelement zwischen einem transparenten und einem absorbierenden
Zustand bezüglich
des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes umschaltbar
ist.
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Das Halbleiterelement weist zwischen
einem ersten Energieniveau und einem über dem ersten Energieniveau
liegenden zweiten Energieniveau wenigstens ein metastabiles drittes
Energieniveau auf, wobei im absorbierenden Zustand des Halbleiterelementes
durch Absorption des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes
eine Besetzungsinversion zwischen dem metastabilen dritten Energieniveau
und dem ersten Energieniveau erzeugbar und kohärentes Licht in einer zweiten
Emissionsrichtung von dem Halbleiterelement emittierbar ist.
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Zusätzlich zu den genannten drei
Energieniveaus im Energieschema des Halbleiterelementes können auch
noch ein viertes Energieniveau sowie weitere quantisierte Energieniveaus
vorhanden sein.
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Infolge der Emission kohärenten Lichtes
im absorbierenden Zustand des Halbleiterelementes in einer von der
ersten Emissionsrichtung verschiedenen zweiten Emissionsrichtung
wird bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ein besonders effektiver Absorptionsmechanismus bereitgestellt,
bei dem ein „Ausbleichen" des als Verlustmodulator
wirkenden Halbleiterelements wirksam verhindert wird.
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Die Erzeugung einer Besetzungsinversion zwischen
dem metastabilen dritten und dem ersten Energieniveau des Halbleiterelementes
ermöglicht hierbei
einen effektiven Rekombinationsmechanismus, der bei Absorption des
von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes eine Anreicherung von
Elektronen bzw. Löchern
in dem zweiten (oberen) Energieniveau verhindert.
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Das von dem Halbleiterelement emittierte kohärente Licht
wird vorzugsweise in einer von der ersten Emissionsrichtung verschiedenen
zweiten Emissionsrichtung emittiert wird, in welchem Fall keine
die optische Signalübertragung
störende
Wechselwirkung mit dem von dem Laserelement emittierten kohärenten Licht
stattfindet. Die Vorrichtung gemäß dieser
Ausgestaltung der Erfindung ist sehr einfach und damit kostengünstig herstellbar
und gewährleistet
eine sichere und damit robuste Trennung des in der ersten Emissionsrichtung
emittierten Lichts von dem in der zweiten Emissionsrichtung emittierten
Lichts.
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In einer alternativen Ausführungsform
ist es vorgesehen, dass die erste Emissionsrichtung gleich der zweiten Emissionsrichtung
ist. In diesem Fall erfolgt aufgrund ihrer unterschiedlichen Wellenlängen beispielsweise
mittels eines Prismas, eines Gitters oder eines oder mehreren anderen
wellenlängenselektiven
Elementen eine Trennung der Signale unterschiedlicher Wellenlängen, das
heißt
anschaulich eine Trennung des kohärenten Laserlichts des Laserelements
von dem kohärenten
Licht, welches im absorbierenden Zustand des Halbleiterelements durch
Absorption des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes
erzeugt wird.
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Ferner treten auch keine thermischen
Probleme infolge einer Aufheizung des als Verlustmodulator wirkenden
Halbleiterelementes auf, da die vom Halbleiterelement absorbierte
Energie weitgehend abgestrahlt wird und nur ein relativ geringer
Energieanteil (entsprechend der Differenz zwischen dem zweiten und
dem metastabilen dritten Energieniveau) zur Erwärmung des Halbleiterelementes
führt.
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Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung
besteht darin, dass der Absorptionsprozess auf einem rein optischen
Effekt beruht, also die Arbeitsfrequenz des als Verlustmodulator
wirkenden Halbleiterelementes und damit die erreichbare Datenübertragungsrate
nicht durch parasitäre
elektrische Effekte begrenzt ist. Das an das Halbleiterelement angelegte
elektrische Feld wird lediglich zur Verschiebung der Absorptionskante
des Halbleiterelementes verwendet. Da das Halbleiterelement als rein
optisches Element verwendet wird, muss es insbesondere auch nicht
aus einem elektrisch leitfähigen
Material bestehen.
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Ferner ist die erfindungsgemäße Vorrichtung prinzipiell
schneller als die Vorrichtungen gemäß dem Stand der Technik, da
anschaulich kein elektrisches Absaugen von Ladungsträgern mehr
erforderlich ist.
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Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung weist
das Halbleiterelement zur Ausbildung des metastabilen dritten Energieniveaus
wenigstens eine Halbleiterschicht mit darin ausgebildeten Quantendots
auf.
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Unter Quantendots sind im Sinne der
Erfindung nulldimensionale Elektronensysteme zu verstehen, die infolge
einer Einschränkung
der Elektronenbewegung in allen drei Raumrichtungen diskrete Energiespektren
aufweisen, welche denen natürlicher Atome
vergleichbar sind, so dass die Quantendots quasi als künstliche
Atome angesehen werden können.
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Die Halbleiterschicht kann aus einem
beliebigen Halbleitermaterial, in welchem sich solche Quantendots
ausbilden, hergestellt sein. Beispielsweise kann die Halbleiterschicht
eine Indium-Gallium-Arsenid/Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Heterostruktur
oder eine Indium-Arsenid/Indium-Gallium-Arsenid/Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Heterostruktur
aufweisen, so dass sich an der Grenzschicht der Heterostruktur in
bekannter Weise ein zweidimensionales Elektronengas mit darin befindlichen
Quantendots ausbildet.
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Die Halbleiterschicht mit darin ausgebildeten Quantendots
kann selbst eine zwischen Barriereschichten eingebettete Quantentopfschicht
sein. Quantendots aus InAs können
beispielsweise in einem InGaAs-Quantentopf zwischen GaAs-Barrieren eingebettet
werden. Bei GaAs-Quantendots eignet sich AlGaAs zwischen AlAs-Barrieren
als Quantentopfmaterial.
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Das dritte (obere) Energieniveau
kann ein gebundener Energiezustand des Quantentopfes in den umgebenden
Halbleiterschichtsystemen oder auch ein angeregter gebundener Energiezustand
der Quantendots sein.
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In einer anderen Ausgestaltung der
Erfindung sind eine Mehrzahl oder ein Vielzahl von Quantentopf-Schichten
vorzugsweise aus GaAs oder InGaAs übereinander angeordnet, wobei
zwischen jeweils zwei Quantentopf-Schichten eine Schicht vorzugsweise
aus GaAs oder AlGaAs vorgesehen ist. Anschaulich wird somit eine
Stapelstruktur mit mehreren Quantentopf-Schichten gebildet.
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Bei der Ausgestaltung der Erfindung,
bei der Quantendots vorgesehen sind, vorzugsweise in einer jeweiligen
Quantentopf-Schicht, ist in einer Weiterbildung analog ein Stapel
von Schichten mit Quantendots vorgesehen, vorzugsweise integriert
in eine Mehrzahl von Quantentopf-Schichten. Alternativ können ferner
mehrere Schichten mit Quantendots in nur einer Quantentopf-Schicht
vorgesehen sein oder es können
mehrere Schichten von Quantendots direkt in die Matrix eingebettet
sein.
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Bevorzugt ist das Halbleiterelement
so ausgebildet, dass im transparenten Zustand die Energie des von
dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes
größer als
die Energiedifferenz zwischen dem metastabilen dritten Energieniveau
und dem ersten (unteren) Energieniveau ist. Hierdurch wird gewährleistet,
dass im transparenten Zustand keinerlei Absorption des von dem Laserelement
emittierten kohärenten
Lichtes, auch nicht zwischen den unteren Energieniveaus, stattfindet.
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Das Halbleiterelement ist ferner
bevorzugt so ausgebildet, dass die Übergangszeit von Ladungsträgern aus
dem zweiten (oberen) Energieniveau in das metastabile dritte Energieniveau
wesentlich kleiner als die Periodendauer des an das Halbleiterelement
angelegten elektrischen Feldes ist. Auf diese Weise wird die erreichbare
Frequenz der Verlustmodulation und damit die erreichbare Datenübertragungsrate
nicht durch die Relaxation von Ladungsträgern aus dem zweiten (oberen)
Energieniveau in das metastabile dritte Energieniveau eingeschränkt.
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Bevorzugt liegen die erste und die
zweite Emissionsrichtung senkrecht zueinander, so dass das von dem
Halbleiterelement emittierte kohärente Licht
in einfacher Weise ausgekoppelt werden kann. Die beiden Emissionsrichtungen
können
jedoch einen beliebigen spitzen oder stumpfen Winkel zwischen 0° und 359° zueinander
einnehmen, vorzugsweise einen spitzen Winkel, z.B. von 30° oder 60°.
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Bevorzugt sind Mittel zum mehrmaligen
Koppeln des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes in das Halbleiterelement
vorgesehen. Auf diese Weise wird die Effektivität der Absorption im Halbleiterelement
bei angelegtem elektrischen Feld erhöht. Diese Mittel zum mehrmaligen
Koppeln des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes in das Halbleiterelement
können
wenigstens einen selektiven Bragg-Reflektor, wenigstens einen metallischen
Spiegel, wenigstens einen photonischen Kristall oder auch wenigstens
einen gebrochenen Kristall mit einem Brechungsindexsprung zum angrenzenden
Medium (z.B. Luft) aufweisen.
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Gemäß einer weiteren bevorzugten
Ausführungsform
sind das Laserelement und das Halbleiterelement in einem gemeinsamen
optischen Resonator angeordnet. In diesem Falle erfolgt eine Verlustmodulation
durch das Halbleiterelement bereits in dem Resonator, der die Verstärkung der
induzierten Emission durch das Laserelement bewirkt, so dass das
aus dem Resonator austretende, von dem Laserelement emittierte kohärente Licht
bereits mit einer der gewünschten
Datenübertragungsrate
entsprechenden Frequenz moduliert ist und zur weiteren optischen
Signalübertragung
beispielsweise direkt in ein Glasfaserkabel eingekoppelt werden
kann.
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Das Halbleiterelement kann außerdem mit dem
Laserelement als integriertes Bauelement ausgebildet sein, indem
etwa das Laserelement als VCSEL (= Vertical Cavity Surface Emitting
Laser) und das Halbleiterelement als darauf aufgewachsene vergrabene
Heterostruktur (oder umgekehrt) ausgebildet ist.
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Ein optischer Modulator zur Verlustmodulation
des von einem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes weist ein Halbleiterelement
und Mittel zum Anlegen eines elektrischen Feldes an das Halbleiterelement,
wodurch das Halbleiterelement zwischen einem transparenten und einem
absorbierenden Zustand bezüglich
des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes umschaltbar
ist, auf.
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Das Halbleiterelement weist zwischen
einem ersten Energieniveau und einem über dem ersten Energieniveau
liegenden zweiten Energieniveau wenigstens ein metastabiles drittes
Energieniveau auf. Im absorbierenden Zustand des Halbleiterelementes ist
durch Absorption des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes
eine Besetzungsinversion zwischen dem metastabilen dritten Energieniveau und
dem ersten Energieniveau erzeugbar und kohärentes Licht ist in einer von
der ersten Emissionsrichtung verschiedenen zweiten Emissionsrichtung
von dem Halbleiterelement emittierbar.
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Bei einem Verfahren zur optischen
Signalübertragung
wird
- – kohärentes Licht
mittels eines Laserelementes in einer ersten Emissionsrichtung emittiert;
- – an
ein in der ersten Emissionsrichtung angeordnetes Halbleiterelement,
welches zwischen einem ersten Energieniveau und einem über dem
ersten Energieniveau liegenden zweiten Energieniveau wenigstens
ein metastabiles drittes Energieniveau aufweist, ein elektrisches
Feld angelegt, wodurch das Halbleiterelement zwischen einem transparenten
und einem absorbierenden Zustand bezüglich des von dem Laserelement
emittierten kohärenten
Lichtes umgeschaltet wird;
- – wobei
im absorbierenden Zustand des Halbleiterelementes durch Absorption
des von dem Laserelement emittierten kohärenten Lichtes eine Besetzungsinversion
zwischen dem metastabilen dritten Energieniveau und dem ersten Energieniveau
erzeugt und kohärentes
Licht in einer von der ersten Emissionsrichtung verschiedenen zweiten
Emissionsrichtung von dem Halbleiterelement emittiert wird.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung
sind in den Figuren dargestellt und werden im weiteren näher erläutert.
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Es zeigen:
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1(a)–(b) schematische Darstellungen
eines erfindungsgemäßen optischen
Modulators unter Verwendung einer Halbleiterschicht mit darin ausgebildeten
Quantendots ohne (1(a))
bzw. mit (1(b)) einem
Quantentopf.
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2(a)–(b) das Energieschema eines
in der erfindungsgemäßen Vorrichtung
verwendeten Halbleiterelementes mit (2(a))
und ohne (2(b)) anliegendes
elektrisches Feld;
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3(a) ein
Diagramm zur Veranschaulichung der elektronischen Zustandsdichte
in Abhängigkeit
von der Energie für
ein Halbleiterelement, welche eine Schicht mit darin ausgebildeten
Quantendots aufweist;
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3(b) ein
Diagramm zur Veranschaulichung der elektronischen Zustandsdichte
in Abhängigkeit
von der Energie für
ein Halbleiterelement, welche eine Quantenwellschicht mit darin
ausgebildeten Quantendots aufweist;
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4 eine
schematische Schrägansicht
des erfindungsgemäßen optischen
Modulators gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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Gemäß Fig.
1a ist ein erstes Ausführungsbeispiel
eines in einer Vorrichtung zur optischen Signalübertragung verwendeten Halbleiterelementes 100 dargestellt.
Das Halbleiterelement 100 weist eine Halbleiterschicht 101 mit
darin ausgebildeten Quantendots 102 auf und ist in dem
dargestellten Ausführungsbeispiel
aus einer Indium-Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Heterostruktur
(InGaAs/AlGaAs-Heterostruktur) oder aus einer Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Heterostruktur
(GaAs/AlGaAs-Heterostruktur) aufgebaut.
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Auf gegenüberliegenden Seiten der Halbleiterschicht 101 sind
selektive Bragg-Reflektoren 103 vorgesehen. Jeder der Bragg-Reflektoren 103 stellt eine
räumlich
periodische Laserstruktur, das heißt einen Bereich mit räumlich periodischem
Brechungsindex dar, gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
eine räumlich
periodische Laserstruktur aus Gallium-Arsenid/Aluminium-Arsenid.
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Bei der in Fig. 1b dargestellten zweiten Ausführungsform
eines Halbleiterelementes 200 ist eine Halbleiterschicht 201 aus
Gallium-Arsenid (GaAs), die entsprechend der Halbleiterschicht 101 aus
Fig.la aufgebaut ist, mit darin ausgebildeten Quantendots 202 aus
Indium-Arsenid (InAs), zwischen zwei Halbleiterschichtsystemen 203, 204 aus
Aluminium-Gallium-Arsenid (AlGaAs) eingebettet, wobei die Halbleiterschichtsysteme 203, 204 die
den Quantentopf bildende Schicht aus GaAs begrenzen.
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Die Halbleiterschichtsysteme 203, 204 sind in
dem dargestellten Ausführungsbeispiel
aus Aluminium-Gallium-Arsenid
aufgebaut, wobei die Halbleiterschichtsysteme 203, 204 einen
oder mehrere Halbleiterschichten 201 aus Gallium-Arsenid begrenzen,
welche Halbleiterschichten 201 Quantentöpfe bilden.
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Auch hier sind auf gegenüberliegenden
Seiten der Halbleiterschicht 201 selektive Bragg-Reflektoren 205 vorgesehen.
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Ferner ist in beiden Ausführungsformen
ein Laserelement vorgesehen (nicht dargestellt), welches kohärentes Licht 104 in
einer in Fig. 1a, b durch den
horizontalen gestrichelten Pfeil dargestellten Emissionsrichtung
emittiert, so dass dieses kohärente
Licht auf das Halbleiterelement 100 bzw. 200 trifft.
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Die in dem Halbleiterelement 100 bzw. 200 gebildete
Halbleiterstruktur besitzt ein Energieschema, bei welchem zwischen
einem ersten Energieniveau und einem über dem ersten Energieniveau
liegenden zweiten Energieniveau wenigstens ein metastabiles drittes
Energieniveau vorhanden ist, wie im folgenden noch näher erläutert wird.
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Im Betrieb der erfindungsgemäßen Vorrichtung
zur optischen Signalübertragung
wird ein elektrisches Feld mit einer der gewünschten Datenübertragungsrate
entsprechenden Frequenz an das Halbleiterelement 100 bzw. 200 angelegt.
Die Funktionsweise der Vorrichtung bei einem anliegenden elektrischen
Feld wird im weiteren anhand der in 2a und 2b dargestellten Energieschemata
anschaulich erläutert.
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In 2 sind
Beispiele für
Energieschemata 300, 400 für eine Halbleiterschicht mit
vier diskreten Energieniveaus dargestellt, wobei der Zustand ohne anliegendes
elektrisches Feld aus 2a und
der Zustand mit anliegendem elektrischen Feld aus 2b ersichtlich ist.
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Das Energieschema 300 weist
zwei diskrete Energieniveaus 301 und 302 im Valenzband
EV und zwei weitere diskrete Energieniveaus 303 und 304 im Leitungsband
EL auf. Das Energieniveau 303 entspricht
hier dem oben genannten metastabilen, dritten Energieniveau, während die
Energieniveaus 301 und 304 den oben genannten
ersten und zweiten Energieniveaus entsprechen.
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In diesem Zusammenhang ist anzumerken, dass
die Realisierung eines 3-Energieniveua-Systems keine Einschränkung der
Allgemeingültigkeit darstellt.
Grundsätzlich
kann eine beliebige Anzahl von unterschiedlichen Energieniveaus
vorgesehen sein, wobei gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
die Annahme getroffen ist, dass die zwei diskreten Energieniveaus 301 und 302 im
Valenzband EV annähernd gleich sind.
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In 2a und 2b ist ferner das Auftreffen
von kohärentem
Licht 305 bzw. 405 der Energie h*ν = (h/2π)*ω (ν = Frequenz, ω = Kreisfrequenz,
h= Planck'sches
Wirkungsquantum) anschaulich dargestellt, welches von einem (nicht
dargestellten) Laserelement emittiert wurde, wobei in 2a die Energie h*ν knapp kleiner
als die Energiedifferenz zwischen den Energieniveaus 304 und 301 und
größer als
die Energiedifferenz zwischen den Energieniveaus 303 und 301 ist.
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Infolgedessen entspricht die Energie
des einfallenden kohärenten
Lichtes 305 keinem aufgrund der quantenmechanischen Auswahlregeln
erlaubten Übergang
im Energieschema 300, so dass das entsprechende Halbleiterelement
für das
kohärente
Licht 305 transparent ist.
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Der entsprechende, infolge der Energieerhaltung
verbotene Übergang
ist in 2a durch einen
gestrichelten Pfeil 306 dargestellt.
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Gemäß 2b ist ein entsprechendes Energieschema 400 in
einem äußeren elektrischen
Feld dargestellt, wobei wiederum das Energieniveau 403 dem
oben genannten metastabilen, dritten Energieniveau entspricht, während die
Energieniveaus 401 und 404 den oben genannten
ersten und zweiten Energieniveaus entsprechen.
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Die einzelnen Energieniveaus 301–304 in 2a bzw. 401–404 in 2b können angeregte Zustände der
in dem verwendeten Halbleiterelement ausgebildeten Quantendots sein,
so dass die zu diesen Energieniveaus gehörende Zustandsdichte jeweils
einer Delta-Funktion 501–504 folgt,
wie in 3a dargestellt
ist. In diesem Zusammenhang ist anzumerken, dass die Darstellung
der Delta-Funktion 501–504 symbolischen
Charakter hat zur einfacheren Erläuterung der Erfindung, da in
der Realität die
Zustandsdichte nicht exakt delta-förmig ist, sondern eine endliche,
dennoch sehr schmale Ausbreitung aufweist.
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Es kann sich bei einem oder mehreren
der Energieniveaus 301-304 bzw. 401–404 jedoch
auch um gebundene Zustände
von Quantentöpfen
in den die Halbleiterschicht mit den Quantendots umgebenden Halbleiterschichtsystemen
handeln, so dass nur die zum Energieniveau der Quantendots gehörende Zustandsdichte
einer Delta-Funktion 601 folgt, während die zu den umgebenden
Quantentöpfen
gehörende
Zustandsdichte gemäß 3b stufenförmig (mit
Stufen 602, 603,...) verläuft.
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Diese Ausgestaltung der Erfindung
weist insbesondere den Vorteil auf, dass die Wellenlänge des Laserlicht
nicht mit dem jeweiligen Energieniveau exakt übereinstimmen muss, damit das
Laserlicht absorbiert wird.
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Infolge der Verschiebung der quantisierten Energiezustände des
Valenz- und Leitungsbandes im elektrischen Feld aufgrund des so
genannten „Quantum
Confined Stark-Effektes" sind
die diskreten Energieniveaus 401, 402 des Valenzbandes
EV und die diskreten Energieniveaus 403, 404 des
Leitungsbandes EL im Energieschema 400 so
weit aneinander angenähert,
dass die Energie des einfallenden kohärenten Lichtes 405 gerade
gleich der Energiedifferenz zwischen dem unteren Energieniveau 401 des
Valenzbandes EV und dem oberen Energieniveau 404 des
Leitungsbandes EL ist. Folglich werden Photonen
des einfallenden kohärenten
Lichtes 405 absorbiert, wie in 2b durch den durchgehenden Pfeil 406 dargestellt
ist.
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Eine Relaxation der bei anliegendem
elektrischen Feld durch das kohärente
Licht 105 in das Energieniveau 404 angeregten
Ladungsträger
in das Energieniveau 403 erfolgt relativ schnell, beispielsweise
in einer Größenordnung
von Pikosekunden, wohingegen die anschließende Relaxation der Ladungsträger aus
dem Energieniveau 403 in den Grundzustand 401 oder
in das Energieniveau 402 des Valenzbandes EV relativ
langsam, beispielsweise in der Größenordnung von Millisekunden,
erfolgt, da das Energieniveau 303 bzw. 403 metastabil
ist.
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Bei anliegendem elektrischen Feld
wird somit eine Besetzungsinversion zwischen dem metastabilen dritten
Energieniveau 403 und dem unteren Energienniveau 401 bzw. 402 erzeugt,
so dass bei ausreichend hoher Ladungsträgerdichte im Energieniveau
stimulierte Emission eintritt und dass entsprechende Halbleiterelement
kohärentes
Licht mit einer Energie entsprechend der Differenz der Energieniveaus 403 und 402 emittiert.
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Unter Bezugnahme auf Fig. 1a und Fig.
1b wird die Größe des angelegten
elektrischen Feldes also so gewählt,
dass bei anliegendem elektrischen Feld die Energiedifferenz zwischen
dem diskreten, metastabilen Energieniveau der Quantendots und dem
darüber
liegenden Energieniveau der Quantendots (in Fig. 1a) bzw. Quantentöpfe (in Fig. 1b) gerade der Energie
des von dem zu modulierenden Laserelement emittierten kohärenten Licht
entspricht, so dass ein Umschalten zwischen dem transparenten und
dem absorbierenden Zustand des Halbleiterelementes 100 bzw. 200 und
somit eine Verlustmodulation des von dem Laserelement emittierten
kohärenten
Lichtes mit einer der gewünschten
Datenübertragungsrate
entsprechenden Frequenz erfolgt.
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Die Bragg-Reflektoren 103 bzw. 205 sind
jeweils zur Reflexion von Licht ausgelegt, welches eine Energie
entsprechend dieser Energiedifferenz zwischen dem metastabilen dritten
Energieniveau und dem ersten Energieniveau bei anliegendem elektrischen
Feld aufweist, so dass durch mehrmalige Reflexion des von dem Halbleiterelement
emittierten kohärenten
Lichtes die induzierte Emission des Halbleiterelementes 100 bzw. 200 verstärkt wird.
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Das Halbleiterelement 100 bzw. 200 emittiert infolge
der durch die oben beschriebene Besetzungsinversion kohärentes Licht
in einer zur ersten Emissionsrichtung senkrechten zweiten Emissionsrichtung,
die in 1a und 1b durch einen Pfeil 105 bzw. 206 dargestellt
ist. Dieses kohärente Licht kann
in einfacher Weise ausgekoppelt oder auch anderweitig genutzt werden.
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Hierzu wird das Halbleiterelement 100 bzw. 200 relativ
zu dem Laserelement so angeordnet, dass die von dem Halbleiterelement 100 ausgehende Emission
kohärenten
Lichtes in einer von der ersten Emissionsrichtung des Laserelementes
verschiedenen Emissionsrichtung erfolgt. Gemäß dem in Fig. 1a und Fig.
1b dargestellten Ausführungsbeispiel
liegen die beiden Emissionsrichtungen von Laserelement und Halbleiterelement 100 bzw. 200 senkrecht
zueinander.
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Das von dem (nicht dargestellten)
Laserelement emittierte und durch das Halbleiterelement modulierte
Licht kann zur weiteren optischen Signalübertragung zum Zielort in ein
Glasfaserkabel eingekoppelt werden. Für die optische Signalübertragung entspricht
der feldfreie und damit transparente Zustand des Halbleiterelementes 100 bzw. 200 dem Übertragen
einer logischen „1", wohingegen der
absorbierende Zustand des Halbleiterelementes 100 bzw. 200 dem
Schreiben einer logischen „0" entspricht.
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Die in Fig.
1a und Fig. 1b dargestellten
Ausführungsformen
können
auch so abgewandelt werden, dass zusätzliche Reflektoren in Form
von Bragg-Reflektoren, metallischen Spiegeln, photonischen Kristallen
oder gebrochenen Kristallkanten entlang der ersten Emissionsrichtung
des kohärenten
Lichtes 105 beidseitig zu dem Halbleiterelement 100 bzw. 200 vorgesehen
sind, um durch mehrfache Einkopplung des kohärenten Lichtes 105 in
das Halbleiterelement 100 bzw. 200 die bei angelegtem
elektrischen Feld eintretende Absorption noch zu verstärken.
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Ferner können das Halbleiterelement 100 bzw. 200 und
das Laserelement auch in einem gemeinsamen Resonator angeordnet
sein. In diesem Falle erfolgt die Verlustmodulation durch das Halbleiterelement
bereits in dem Resonator, der die Verstärkung der induzierten Emission
durch das Laserelement bewirkt, so dass das aus dem Resonator austretende,
von dem Laserelement emittierte kohärente Licht bereits mit einer
der gewünschten
Datenübertragungsrate
entsprechenden Frequenz moduliert ist und zur weiteren optischen
Signalübertragung
beispielsweise direkt in ein Glasfaserkabel eingekoppelt werden
kann.
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4 zeigt
einen optischen Modulator 700 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel
der Erfindung in einer schematischen Schrägansicht.
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Der optische Modulator 700 als
Halbleiterelement weist eine Schicht 701 aus Aluminium-Gallium-Arsenid
auf, auf der ein Schichtenstapel 702 aus mehreren Quantentopf-Schichten 703 aus
Indium-Gallium-Arsenid und Zwischenschichten 704 aus Aluminium-Gallium-Arsenid
aufgebracht ist, wobei jeweils alternierend eine Quantentopf-Schicht 703 und eine
darauf aufgebrachte Zwischenschicht 704 vorgesehen sind.
-
Jede Quantentopf-Schicht 703 weist
eine oder eine Mehrzahl von Quantendot-Schichten mit Quantendots 705 aus
Indium-Arsenid auf.
-
In einer ersten Emissionsrichtung
(in 4 senkrecht zur Zeichenebene)
wird zu modulierendes kohärentes
Laserlicht 706, symbolisiert mit einem ersten Pfeil, in
den optischen Modulator 700, insbesondere in den Bereich
der Quantentopf-Schichten 703,
eingestrahlt, dort in gewünschter
Weise moduliert und als moduliertes Laserlicht 707, ebenfalls
in der ersten Emissionsrichtung, ausgegeben.
-
Das in oben im Rahmen des ersten
und des zweiten Ausführungsbeispiels
erläuterter
Weise von den Quantendots 705 erzeugte Laserlicht 708 wird
in einer zweiten Emissionsrichtung, gemäß einer alternativen Ausführungsform
in einer dritten Emissionsrichtung, emittiert.
-
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel
sind die zweite Emissionsrichtung und die dritte Emissionsrichtung
senkrecht zu der ersten Emissionsrichtung. Ferner sind die zweite
Emissionsrichtung und die dritte Emissionsrichtung zueinander senkrecht.
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Das elektrische Feld 709,
symbolisiert mit einem anderen Pfeil, wird in der zweiten Emissionsrichtung
angelegt.
-
- 100
- Halbleiterelement
- 101
- Halbleiterschicht
- 102
- Quantendots
- 103
- Bragg-Reflektor
- 104
- kohärentes Licht
- 105
- Pfeil
- 200
- Halbleiterelement
- 201
- Halbleiterschicht
- 202
- Quantendots
- 203
- Halbleiterschichtsystem
- 204
- Halbleiterschichtsystem
- 205
- Bragg-Reflektor
- 206
- Pfeil
- 300
- Energieschema
- 301
- Energieniveau
- 302
- Energieniveau
- 303
- Energieniveau
- 304
- Energieniveau
- 305
- kohärentes Licht
- 306
- Pfeil
- 400
- Energieschema
- 401
- Energieniveau
- 402
- Energieniveau
- 403
- Energieniveau
- 404
- Energieniveau
- 405
- kohärentes Licht
- 406
- Pfeil
- 500
- Zustandsdichte
- 501
- Delta-Funktion
- 502
- Delta-Funktion
- 503
- Delta-Funktion
- 504
- Delta-Funktion
- 600
- Zustandsdichte
- 601
- Delta-Funktion
- 602
- Stufe
- 603
- Stufe
- 700
- Optischer
Modulator
- 701
- Substrat
- 702
- Schichtenstapel
- 703
- Quantentopf-Schicht
- 704
- Zwischenschicht
- 705
- Quantendot
- 706
- Zu
modulierendes kohärentes
Laserlicht
- 707
- Moduliertes
Laserlicht
- 708
- Laserlicht