DE10221660A1

DE10221660A1 - Mikromechanischer kapazitiver Wandler und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE10221660A1
Application number: DE2002121660
Authority: DE
Inventors: Alfons Dehe; Stefan Barzen; Marc Fueldner
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-05-15
Filing date: 2002-05-15
Publication date: 2003-11-27
Anticipated expiration: 2022-05-16
Also published as: WO2003098969A3; WO2003098969A2; DE10221660B4

Abstract

Ein mikromechanischer kapazitiver Wandler sowie ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Wandlers hat eine bewegliche Membran (10) und ein elektrisch leitfähiges Flächenelement (14) in einer Trägerschicht (15). Das elektrisch leitfähige Flächenelement (14) ist über einem Hohlraum (12) der Membran (15) gegenüberliegend angeordnet. Das elektrisch leitfähige Flächenelement (14) und die Trägerschicht (15) sind von Perforationsöffnungen (20) durchdrungen. Die Öffnungsweite der Perforationsöffnungen (20) entsprechen in etwa der Dicke der Trägerschicht (15).

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen mikromechanischen kapazitiven Wandler und Verfahren zur Herstellung desselben.

Bei einem mikromechanischen kapazitiven Wandler, für den ein Silizium-Mikrofon ein Beispiel ist, ist häufig ein mit Luft gefüllter Hohlraum mit kleinem Volumen vorhanden. Bei einem Mikrofon ist dies beispielsweise eine luftgefüllte Sensorkapazität, die aus einer empfindlichen Membran und einer starren Gegenelektrode besteht. Aufgrund des kleinen Luftvolumens übt die eingeschlossene Luft eine starke Rückstellkraft auf die Sensormembran aus. Die eingeschlossene Luft bewirkt eine Dämpfung der Membranauslenkung und senkt die Empfindlichkeit bzw. Bandbreite des Sensors.

Es ist zur Erhöhung der Bandbreite bekannt, Ausströmmöglichkeiten für die Luft vorzusehen, wobei dies bei Silizium- Mikrofonen durch eine Perforation der Gegenelektrode geschieht. Durch eine solche Perforation kann die Luft aus dem Kondensatorspalt, d. h. dem Hohlraum zwischen empfindlicher Membran und starrer Gegenelektrode, entweichen.

Etablierte kommerzielle Elekret-Mikrofone weisen Geometrien mit so großen Maße auf, dass die Steifigkeit des Luftpolsters vernachlässigbar ist. Diese Mikrofone besitzen aber nicht die Vorteile eines temperaturstabilen Silizium- Mikrofons in Volumenproduktion.

Bei mikromechanisch gefertigten Mikrofonen sind solche mit elektroplattierter Gegenelektrode bekannt, bei denen die Gegenelektrode beim letzten Schritt des Fertigungsprozesses auf dem Mikrochip elektroplattiert wird. Hinsichtlich derartiger Mikrofone sei beispielsweise auf Kabir et al., High sensitivity acoustic transducers with p⁺ membranes and gold blackplate, Sensors and Actuators 78 (1999), S. 138-142; und J. Bergqvist, J. Gobet, Capacitive Microphone with surface micromachined backplate using electroplating technology, Journal of Microelectromechanical Systems, Vol. 3, No. 2, 1994, verwiesen. Bei Herstellungsverfahren für derartige Mikrofone können die Perforationsöffnungen derart groß gewählt werden, dass der akustische Widerstand sehr klein ist und keinen Einfluss auf die Dämpfung der Membranauslenkung hat. Nachteilig ist der aufwendige Prozess der Elektroplattierung.

Aus dem Stand der Technik sind ferner Zwei-Chip-Mikrofone bekannt, bei denen die Membran und die Gegenelektrode jeweils auf getrennten Wafern hergestellt werden. Die Mikrofonkapazität wird dann durch "Bonden" der beiden Wafer gewonnen. Hinsichtlich einer solchen Technologie wird auf W. Kühnel, Kapazitive Silizium-Mikrofone, Reihe 10, Informatik/Kommunikationstechnik, Nr. 202, Fortschrittsberichte, VDI, VDI-Verlag, 1992, Dissertation; J. Bergqvisit, Finite-element modelling and characterization of a silicon condenser microphone with highly perforated backplate, Sensors and Actuators 39 (1993), S. 1991-200; und T. Bourouina et al., A new condenser microphone with a p+ silicon membrane, Sensors and Actuators A, 1992, S. 149-152, verwiesen. Auch bei diesem Mikrofontyp ist es technologisch möglich, ausreichend große Durchmesser für die Perforationsöffnungen der Gegenelektrode zu wählen. Aus Kostengründen werden jedoch Ein-Chip-Lösungen bevorzugt. Darüber hinaus ist bei den Zwei-Chip-Mikrofonen die Justage der beiden Wafer zueinander problematisch.

Bei den Ein-Chip-Mikrofonen wird die Gegenelektrode integriert hergestellt, d. h. es wird nur ein Wafer benötigt. Die Gegenelektrode besteht aus einem Silizium-Substrat oder wird durch eine Abscheidung bzw. Epitaxie gebildet. Beispiele für derartige Ein-Chip-Mikrofone sind in A. Torkkeli et al., Capacitive microphone with low-stress polysilicon membrane and high-stress polysilicon backplate, Physica Scripta, Vol. T79, 1999, S. 275-278; Kovacs et al., Fabrication of single-chip polysilicon condenser structures for microphone applications, J. Micromech. Miroeng. 5 (1995) S. 86-90; und Füldner et al., Silicon microphone with high sensitivity diaphragm using SOI substrat, Proceedings Eurosensors XIV, 1999, S. 217-220, beschrieben. Bei den Herstellungsverfahren für diese Ein-Chip- Mikrofone ist es in der Regel erforderlich, die erzeugten Perforationsöffnungen in der Gegenelektrode für die folgende Prozessierung wieder zu verschließen, um die Topologie auszugleichen.

Ein Herstellungsverfahren für derartige Ein-Chip-Mikrofone ist aus der WO 00/09440 bekannt. Bei diesem Herstellungsverfahren werden zunächst in einer auf einem Wafer gebildeten epitaktischen Schicht die Perforationsöffnungen erzeugt. Nachfolgend wird u. a. zur Erzeugung einer Opferschicht eine Oxidabscheidung auf der Vorderseite der Epitaxieschicht durchgeführt, so dass zum einen die Perforationsöffnungen verschlossen und zum anderen eine Abstandsschicht, deren Dicke den späteren Abstand zwischen Membran und Gegenelektrode definiert, gebildet wird. Auf dieser Schicht wird dann eine Silizium-Membran mit der erforderlichen Dicke abgeschieden. Nach der erforderlichen Prozessierung der elektronischen Bauelemente wird im Bereich der Perforationsöffnungen der Wafer von der Rückseite her bis zu der Epitaxieschicht geätzt. Im Anschluss daran erfolgt von der Rückseite her ein Ätzen des Oxids zum Öffnen der Perforationsöffnungen und des Hohlraums zwischen Membran und Gegenelektrode. Ein Teil der Opferschicht zwischen Membran und Epitaxieschicht bleibt dabei als Abstandsschicht zwischen Membran und Gegenelektrode stehen.

Ein Nachteil dieser bisher bekannten Herstellverfahren für Ein-Chip-Mikrofone besteht darin, dass der Lochdurchmesser in der Gegenelektrode nicht größer als 2-mal der Dicke der darauf abgeschieden Schicht sein darf, damit die Perforationsöffnungen beim Aufbringen der Opferschicht mit der gewünschten Dicke noch sicher verschlossen werden können. Dies ist insbesondere deshalb nachteilig, weil die Weite der einzelnen Perforationsöffnungen nicht so groß realisierbar ist, dass der akustische Widerstand und somit z. B. die obere Grenzfrequenz der Mikrofonempfindlichkeit optimiert werden kann.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen hochempfindlichen mikromechanischen kapazitiven Wandler mit minimaler Dämpfung der Membran und maximaler Bandbreite und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen mikromechanischen kapazitiven Wandlers zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen mikromechanischen kapazitiven Wandler mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und einem Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 7 gelöst.

Die vorliegende Erfindung schafft eine Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen für mikromechanische kapazitive Wandler, insbesondere Mikrofone aber auch andere mikromechanische kapazitive Wandler, die einen zwischen zwei Flächen angeordneten Hohlraum besitzen. Beispielhaft sind hier Beschleunigungssensoren, Drucksensoren und dergleichen genannt.

Als wesentlicher Vorteil der Erfindung ist anzusehen, dass die Prozessierung von großen Perforationsöffnungen ohne weiteres in einen herkömmlichen Gesamtprozess zur Herstellung eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers integriert werden kann.

Alternative und vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.

In einer alternativen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung ist das elektrisch leitfähige Flächenelement auf der Trägerschicht angeordnet.

Bei einer vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung beträgt die geringste Öffnungsweite der Perforationsöffnung mehr als 2 µm. Dadurch wird eine Verringerung des akustischen Widerstands erzielt.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung nehmen die Perforationsöffnungen 10% bis 50% der Gesamtfläche von Grenzfläche zwischen Hohlraum und Trägerschicht und Grenzfläche zwischen Hohlraum und elektrisch leitfähigem Flächenelement ein. Durch diese Dimensionierung wird eine ausreichende Stabilität des perforierten Elements gewährleistet.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird die Trägerschicht epitaktisch auf das Substrat aufgebracht und kann als Ätzstopschicht dienen.

Bei den Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es als besonders vorteilhaft anzusehen, wenn nach Aufbringen der Trägerschicht ein elektrisch leitfähiges Flächenelement in die Trägerschicht eingebracht oder auf die Trägerschicht aufgebracht wird, weil dieses Flächenelement dann insbesondere bei einem Silizium-Mikrofon als Elektrode dienen kann.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird vor dem Aufbringen des elektrisch leitfähigen Flächenelements auf der Trägerschicht eine elektrisch isolierende Schicht erzeugt.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform werden beim Erzeugen der im wesentlichen planaren Opferschicht die Perforationsöffnungen an ihrer Innenwand mit der Opferschicht ausgekleidet. Dies verleiht den Perforationsöffnungen zusätzliche Stabilität.

Besonders vorteilhaft ist es auch, wenn die Innenwände der Perforationsöffnungen mit einem gegenüber dem Substrat ätzresistenten Material ausgekleidet werden. Dadurch wird ein selektives Abtragen des Substrats zum Freistellen zumindest eines Teils der dem Substrat angrenzenden Seite der Trägerschicht ermöglicht.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers;
Fig. 2 ein Diagramm, das die Abhängigkeit der Mikrofonempfindlichkeit eines erfindungsgemäßen Mikrofons vom Löcherdurchmesser der Perforationsöffnungen zeigt;
Fig. 3a) bis i) schematische Schnittdarstellungen zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer einzelnen Perforationsöffnung.
In Fig. 1 ist ein allgemeiner Aufbau eines Ein-Chip-Silizium- Mikrofons in schematischer Weise dargestellt.
Das Ein-Chip-Silizium-Mikrofon weist eine bewegliche Membran 10 auf. Die Membran 10 liegt über einem Hohlraum 12 und einer Gegenelektrode 14 gegenüber. Diese Gegenelektrode 14 ist durch Bereiche einer auf einem Substrat 11 aufgebrachten Epitaxieschicht 15 gebildet. In der Gegenelektrode 14 sind ein Dotierungsbereich 18 und Perforationsöffnungen 20 gebildet.
Die Membran 10 ist über eine Abstandsschicht 22 an die Epitaxieschicht 15 angebracht. Eine erste Anschlusselektrode 24 ist mit der Membran 10 elektrisch leitfähig verbunden, während eine zweite Anschlusselektrode 26 mit dem Dotierungsbereich 18 der Gegenelektrode 14 verbunden ist. Auf der Epitaxieschicht 15 ist außerhalb des Membranbereichs eine isolierende Schicht 28 vorgesehen.
In dem Substrat 11 ist unterhalb des als Gegenelektrode 14 dienenden Abschnitts der Epitaxieschicht 15 eine Öffnung 30 vorgesehen, so dass die Perforationsöffnungen 20 den Hohlraum 12 mit der Öffnung 30 fluidmäßig verbinden. Die Öffnung 30 kann in das Substrat 11 geätzt sein.
Da die Funktionsweise des gezeigten kapazitiven Wandlers für den Fachmann verständlich sein sollte, sei lediglich kurz angemerkt, dass durch die auf die Membran 10 auftreffenden Schallwellen eine Verformung der Membran stattfindet, so dass eine Kapazitätsänderung, die aufgrund des geänderten Abstands zwischen der Membran 10 und der Gegenelektrode 14 resultiert, zwischen den Anschlusselektroden 24 und 26 erfasst werden kann.
Um den Einfluss von der in dem Hohlraum 12 befindlichen Luft auf die Empfindlichkeit und das Ansprechverhalten des Wandlers zu reduzieren, sind die Perforationsöffnungen 20, die als Ausströmöffnungen dienen, in der Gegenelektrode 14 vorgesehen. Durch diese Perforationsöffnungen 20 kann bei Verformung der Membran die Luft aus dem Kondensatorspalt, d. h. aus dem Hohlraum 12 entweichen und einströmen, wobei der resultierende akustische Widerstand abhängig von der Perforationsdichte und der Größe der einzelnen Perforationsöffnungen die obere Grenzfrequenz der Mikrofonempfindlichkeit bestimmt.
Fig. 2 zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Mikrofonempfindlichkeit vom Löcherdurchmesser der Perforationsöffnungen 20 aufgetragen über der Frequenz anhand von 6 Kurven.
Eine erste Kurve 40 zeigt eine nahezu gleichbleibende Mikrofonempfindlichkeit über die maximale Bandbreite des Frequenzgangs bei einem Löcherdurchmesser von 8 µm, während die zweite, dritte und vierte Kurven 37, 38 und 39 mit einem kleineren Lochdurchmesser von 1 µm bzw. 2 µm bzw. 4 µm und die fünfte und sechste Kurven 41 und 42 mit einem größeren Lochdurchmesser von 16 µm bzw. 32 µm eine deutlich schlechtere Mikrofonempfindlichkeit bei höheren Frequenzen zeigen. In allen Fällen beträgt die Perforationsfläche jeweils ca. 25% von der Gesamtfläche der Gegenelektrode 14 (vgl. Fig. 1, gestrichelte Zone).
In Fig. 3 sind eine Anzahl von nacheinander durchlaufende Technologieschritte a) bis i) bei der Herstellung einer einzelnen Perforationsöffnung in einem Ein-Chip-Mikrofon dargestellt.
In dem ersten Schritt a) wird mittels Epitaxie eine ca. 5 µm dicke Schicht 150 auf einem Silizium-Substrat 110 aufgebracht. Auf dieser Schicht 150 wird zunächst eine die gesamte Oberfläche 120 der Schicht 150 bedeckende isolierende Schicht 200 und darauf eine strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 300 aufgebracht. Anschließend wird über die isolierende Schicht 200 und die elektrisch leitfähige Schicht 300 eine Maskenschicht 350 aufgebracht und derart strukturiert, dass Sie kleine Öffnungen 400 an der Stelle aufweist, an der die Maskenschicht 350 die isolierende Schicht 200 direkt bedeckt. Bevorzugt ist diese Maskenschicht 350 ein Oxid.
In dem zweiten Schritt b) wird mit einem Trockenätzprozess ein Loch 190 durch die isolierende Schicht 200 und in die Schicht 150 bis ungefähr zur Grenzfläche von Schicht 150 und Substrat 110 geätzt.
Im dritten Schritt c) wird dann durch einen selektiven isotropen Ätzprozess das Loch 190 bis auf den gewünschten Enddurchmesser von 5 µm unter der Maskenschicht 350 aufgeweitet. Dadurch entsteht die Perforationsöffnung 180. Der Ätzprozess kann vorzugsweise entweder trocken- oder nasschemisch sein.
In einem vierten Schritt d) wird nun die gesamte Oberfläche und die Perforationsöffnung 180 mit einer dünnen dielektrischen Schicht 250 versehen.
In einem fünften Schritt e) wird mittels eines Trockenätzverfahrens die dielektrische Schicht 250 auf der Oberfläche der Maskenschicht 350 selektiv entfernt, sodass nur noch an der Oberfläche der Perforationsöffnung 180 diese dielektrische Schicht 250 verbleibt.
In einem sechsten Schritt f) wird nun eine Opferschicht 380, bevorzugt eine Oxidopferschicht, abgeschieden. Diese Abscheidung bewirkt, dass die Perforationsöffnung 180 mit einer Schicht ausgekleidet wird, bis die kleine Öffnung 400 in der Maskenschicht 350 geschlossen ist. Die Abscheidung der Opferschicht 380 findet solange statt, bis die Dicke der Opferschicht 380 den gewünschten Wert erreicht hat. Bei diesem Prozess wird die Oberfläche des Wafers nahezu komplett planarisiert, sodass nachfolgende Prozesse mit herkömmlichen Mittel der Halbleitertechnologie durchgeführt werden können. Bei Verwendung eines gegenüber dem Silizium Substrats 110 ätzresistentem Material als Opferschicht 380 kann auf den vierten und fünften Schritt d) und e) verzichtet werden.
In einem siebten Schritt g) wird die Membran 500 auf der Opferschicht 380 abgeschieden. In weiteren für die Erläuterung des Ausführungsbeispiel unwichtigen und deshalb hier nicht gezeigten Schritten werden alle anderen für die Herstellung eines funktionsfähigen Ein-Chip-Mikrofon benötigten vorderseitigen Prozesse durchgeführt, beispielsweise um die Anschlüsse 24 und 26 zu bilden.
In einem achten Schritt h) wird das Silizium-Substrat 110 im Bereich unterhalb der Membran 500 mittels sogenannter Volumenmikromechanik abgetragen. Dieser Prozess ist selektiv gegen die Schicht 150 und gegen die Auskleidung der Perforationsöffnung 180. Auf diese Art und Weise wird die dem Substrat 110 zugewandte Oberfläche 170 der Schicht 150 freigesetzt.
In einem abschließenden Schritt i) werden die isolierende Schicht 200, die eventuell vorhandene Dielektrikumsschicht 250, die Opferschicht 380 und die Maskenschicht 350 nass- oder trockenchemisch soweit entfernt, dass dadurch die Perforationsöffnung 180 geöffnet wird und zwischen der Oberfläche 120 und der Membran 500 ein Hohlraum 450 entsteht. Bezugszeichenliste 10 Membran
11 Substrat
12 Hohlraum
14 Gegenelektrode
15 Epitaxieschicht
18 Dotierungsbereich
20 Perforationsöffnungen
22 Abstandsschicht
24 Anschlusselektrode
26 Anschlusselektrode
28 Schicht
30 Öffnung
37 zweite Kurve
38 dritte Kurve
39 vierte Kurve
40 erste Kurve
41 fünfte Kurve
42 sechste Kurve
110 Substrat
120 Oberfläche
150 Schicht
170 Oberfläche
180 Perforationsöffnung
190 Loch
200 isolierende Schicht
250 Dielektrikumsschicht
300 leitfähige Schicht
350 Maskenschicht
380 Opferschicht
400 Öffnungen
450 Hohlraum
500 Membran

Claims

1. Mikromechanischer kapazitiver Wandler mit:

a) einer beweglichen Membran (10);

b) einem elektrisch leitfähigen Flächenelement (14), wobei das elektrisch leitfähige Flächenelement (14) über einem Hohlraum (12) angeordnet ist und der Membran (10) gegenüberliegt;

c) sowie einer Trägerschicht (15), in der das elektrisch leitfähige Flächenelement (14) angeordnet ist, wobei die Trägerschicht (15) und das elektrisch leitfähige Flächenelement (14) von Perforationsöffnungen (20) durchdrungen sind,

dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungsweite der Perforationsöffnungen (20) in etwa der Dicke der Trägerschicht (15) entsprechen.

2. Mikromechanischer kapazitiver Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch leitfähige Flächenelement (14) auf der Trägerschicht (15) angeordnet ist.

3. Mikromechanischer kapazitiver Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die geringste Öffnungsweite der Perforationsöffnungen (20) mehr als 2 µm beträgt.

4. Mikromechanischer kapazitiver Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Perforationsöffnungen (20) 10 bis 50% der Gesamtfläche der Grenzfläche zwischen Hohlraum (12) und Trägerschicht (15) und der Grenzfläche zwischen Hohlraum (12) und Flächenelement (14) einnehmen.

5. Mikromechanischer kapazitiver Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der mikromechanische kapazitive Wandler ein Sensor ist.

6. Mikromechanischer kapazitiver Wandler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein Ein-Chip- Mikrofon ist.

7. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers mit folgenden Schritten:

a) Bereitstellen eines Substrates (110),

b) Aufbringen einer Trägerschicht (150) auf dem Substrat (110),

c) Aufbringen einer Maskenschicht (350) über der vom Substrat (110) abgewandten Oberfläche (120) der Trägerschicht (150),

d) Strukturieren der Maskenschicht (350) derart, dass Sie erste Öffnungen (400) vorweist, deren geringste Ausdehnung maximal dem doppelten des späteren Abstand zwischen einer Membran (500) und der Oberfläche (120) entspricht,

e) Erzeugen von Perforationsöffnungen (180) im Bereich unterhalb der ersten Öffnungen (400) in der Maskenschicht (350), die durch die Trägerschicht (150) hindurchreichen, wobei die geringste Öffnungsweite der Perforationsöffnungen (180) mehr als dem doppelten des späteren Abstand zwischen der Membran (500) und der Oberfläche (120) entspricht,

f) Erzeugen einer im wesentlichen planaren Opferschicht (380) über der strukturierten Maskenschicht (350) mit einer Dicke, die abhängig ist vom später gewünschten Abstand zwischen der Trägerschicht (150) und einer Membran (500),

g) Aufbringen der Membran (500) auf die im wesentlichen planare Opferschicht (380)

h) Freistellen zumindest eines Teils der dem Substrat (110) angrenzenden Seite (170) der Trägerschicht (150),

i) Entfernen der Opferschicht (380) und Maskenschicht (350) zum Öffnen der Perforationsöffnungen (180) und zum Erzeugen eines Hohlraums (450) zwischen der Membran (500) und der Trägerschicht (150), in dem die Perforationsöffnungen (180) gebildet sind.

8. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Trägerschicht (150) auf das Substrat (110) epitaktisch erfolgt.

9. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der Trägerschicht (150) ein elektrisch leitfähiges Flächenelement in die Trägerschicht (150) eingebracht wird.

10. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der Trägerschicht (150) ein elektrisch leitfähiges Flächenelement auf die Trägerschicht (150) aufgebracht wird.

11. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen des elektrisch leitfähigen Flächenelements eine isolierende Schicht erzeugt wird.

12. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass beim Erzeugen einer im wesentlichen planaren Opferschicht (380) die Perforationsöffnungen (180) auf ihrer Innenwand mit der Opferschicht (380) ausgekleidet werden.

13. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen kapazitiven Wandlers nach Anspruch 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Innenwände der Perforationsöffnungen (180) mit einem gegenüber dem Substrat (110) ätzresistenten Material ausgekleidet werden.