DE10213940A1

DE10213940A1 - Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat aufgebauten Dünnschichtanordnung, insbesondere Sensoranordnung sowie eine Dünnschichtanordnung

Info

Publication number: DE10213940A1
Application number: DE2002113940
Authority: DE
Inventors: Peter Schmollngruber; Ingo Herrmann; Henrik Siegle; Paul Farber
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2003-10-30
Also published as: FR2837984A1; GB2386962B; FR2837984B1; GB0305042D0; GB2386962A

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat (26) aufgebauten Dünnschichtanordnung, insbesondere Sensoranordnung (20), vorgeschlagen, die ein vergleichsweise dünnes Funktionsschichtsystem aus mehreren Einzelschichten, die als Einheit einen wesentlichen elektrischen Funktionsbestandteil der Dünnschichtanordnung für elektrische Strukturen (41 bis 44) bilden und eine auf der Funktionsschicht aufgebrachte Metallisierung für Kontakte (21, 22) und Leiterbahnen (23) umfasst. Der Kern der Erfindung liegt darin, dass das Funktionsschichtsystem und die Metallisierung nacheinander, ohne dazwischen mit Umgebungsatmosphäre in Kontakt zu kommen, aufgebracht werden, und dass im Anschluss daran die Strukturierung der Schichten vorgenommen wird. Des Weiteren wird eine Dünnschichtanordnung vorgeschlagen, die insbesondere nach diesem Verfahren hergestellt wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat aufgebauten Dünnschichtanordnung sowie eine Dünnschichtanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. 8.

Stand der Technik

Sensoranordnungen, bei welchen die zu messende Größe den Widerstand einer Sensorschicht verändert, werden häufig in Form von Wheatstone-Brückenschaltungen realisiert, um einen Temperatureinfluss auf das auszuwertende Signal auszuschließen. Die Auswertung einer solchen Sensoranordnung erfolgt durch Heranziehung der Spannungsdifferenz zwischen zwei Zweigen der Brückenschaltung zwischen den von der zu messenden Größe abhängigen Widerständen.
In Fig. 4 ist eine herkömmliche Brückenschaltung 40 abgebildet, die aus vier Widerständen 41 bis 44 besteht. Jeweils zwei Widerstände 41 und 42 bzw. 43 und 44 bilden einen Brückenzweig 49, 50. Zwischen den Widerständen 41 und 42 und den Widerständen 43 und 44 der beiden Zweige 49, 50 der Brücke 40 wird eine Sensorspannung 45 abgegriffen, während durch die Brücke 40 ein Eingangsstrom 46 bzw. Ausgangsstrom 47 fließt.
Wenn es darum geht, Gradienten einer Größe, z. B. eines Magnetfeldes, mit einem möglichst großen Signalhub zu messen, ist es vorteilhaft, wenn die Messwiderstände 43, 42 sowie 44, 41, wie in Fig. 5 schematisch dargestellt, räumlich voneinander getrennt, aber über elektrische Leiterbahnen miteinander verbunden, auf einem Substrat 48 angeordnet werden (siehe hierzu auch Fig. 2). Wird eine solche Schaltungsanordnung 40 in ein homogenes Magnetfeld gebracht, sollte die Brückenspannung 48 idealerweise null sein. Liegt dagegen ein äußeres inhomogenes Magnetfeld vor, lässt sich über die Verstimmung der Brücke ein Gradient des Magnetfeldes durch eine von null verschiedene Spannung 45 messen.
Durch verschiedene Einflüsse kann eine solche Sensorschaltung jedoch auch bei Größen, bei welchen normalerweise die Brückenspannung null sein sollte, eine Offsetspannung zeigen. Nicht ideale Messwiderstände, die zu einer Offsetspannung führen, können folgende Ursachen haben:

a) Schichtdickenschwankungen in der Widerstandsschicht
b) ungleichmäßige Strukturierung bei der Herstellung der Brückenstruktur
c) Layoutfehler, insbesondere unterschiedliche Längen oder Breiten der Widerstände
d) Leiterbahnen, als Zuleitung zu den Widerständen mit Inhomogenitäten gemäß a) bis c)
e) Inhomogenitäten an den Kontaktstellen der Widerstände zu den Zuleitungen.

Aufgabe und Vorteile der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Dünnschichtanordnung der einleitend bezeichneten Art bereitzustellen, insbesondere eine Sensoranordnung in Form einer Wheatstone-Brückenschaltung, bei welcher keine bzw. vergleichsweise geringere Inhomogenitäten der Schichteigenschaften, die z. B. zu Offsetspannungen führen, auftreten.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 und 8 gelöst. In den Unteransprüchen sind vorteilhafte und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung angegeben.

Die Erfindung geht von einem Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat aufgebrachten Dünnschichtanordnung, insbesondere Sensoranordnung aus, die ein vergleichsweise dünnes Funktionsschichtsystem aus mehreren Einzelschichten, die als Einheit einen wesentlichen elektrischen Funktionsbestandteil der Dünnschichtanordnung für elektrische Strukturen bilden und eine auf dem Funktionsschichtsystem aufgebrachte Metallisierung für Kontakte und Leiterbahnen umfasst. Der Kerngedanke der Erfindung liegt darin, dass das Funktionsschichtsystem und die Metallisierung nacheinander ohne dazwischen mit Umgebungsatmosphäre in Kontakt zu kommen, aufgebracht werden, und dass im Anschluss daran die Strukturierung der Schichten vorgenommen wird. Dieser Vorgehensweise liegt die Erkenntnis zugrunde, dass insbesondere bei Sensoranordnungen auf der Basis einer Wheatstone-Messbrückenschaltung Offsetspannungen dadurch entstehen, dass bei der Kontaktierung von aus dem Funktionsschichtsystem hergestellten Strukturen mit der Metallisierung Unregelmäßigkeiten auftreten.

Diese Problematik soll anhand eines herkömmlichen Herstellungsprozesses erläutert werden.

Verwendet man beispielsweise ein GMR-Schichtsystem (GMR steht für Giant Magnetic Resistance) als sensitives Material wird in der Regel beim Herstellungsprozess zunächst auf einem Substrat, beispielsweise Siliziumwafer, mit beispielsweise Siliziumdioxidschicht, das GMR-Material zusammen mit einer Schutzschicht, z. B. Chrom oder Tantal abgeschieden. Anschließend findet die Strukturierung dieses Schichtaufbaus in geeignete Widerstände für eine Wheatstone-Brückenschaltung statt. Die Schutzschicht soll eine Oxidierung des GMR- Schichtstapels während der Strukturierung, insbesondere beim "Strippen", d. h. Entfernen einer Fotolackschicht in einem Sauerstoffplasma verhindern. Die Schutzschicht, die auf der GMR-Schicht verbleibt, sollte möglichst dünn sein (in der Größenordnung von 5 bis 15 nm), um die GMR-Schicht in ihrer Funktionsweise so wenig wie möglich zu beeinträchtigen. Auf die GMR-Strukturen mit Schutzschicht wird anschließend die Metallisierung aufgebracht, meist durch Sputtern, und ebenfalls strukturiert. Um einen ausreichend guten elektrischen Kontakt zwischen dem GMR-Material und der Metallisierung zu erzielen, wird direkt vor dem Sputtern eine sich auf der Schutzschicht gebildete Oxidschicht durch einen Ätzschritt, meist Sputterätzen entfernt. Dieser Ätzschritt sollte ohne Unterbrechung des Vakuums direkt vor Aufbringung der Metallisierung erfolgen, damit auch die Bildung dünnster Oxidschichten vor dem Aufbringen der Metallisierung verhindert wird. Dabei besteht die Gefahr der nur teilweisen Entfernung der Oxidschicht, was unmittelbar zu Inhomogenitäten des Übergangswiderstandes zwischen Metallisierung und GMR-Schicht mit Schutzschicht führt. Bei einem "Überätzen" der Schutzschicht ist zwar das unerwünschte Oxid vollständig entfernt, jedoch besteht nun das Risiko, dass das GMR-Schichtsystem bereits beeinträchtigt wird, was wiederum zu ungleichmäßigen Widerständen und damit zu Offsetproblemen führt. Beim erfindungsgemäßen Verfahren hingegen werden die Schichten ohne die Möglichkeit, oxidieren zu können, nacheinander aufgebracht. Hierdurch können weitgehend gleichmäßige Übergangswiderstände zwischen Metallisierung und GMR-Schicht bereits beim Deponieren erzielt werden. Bei der Erstellung der Kontakte entfällt somit eine Vorbehandlung der zu kontaktierenden Oberfläche durch Ätzen, die auf "Überätzen" problematisch zu beurteilen ist. Dementsprechend eignet sich die erfindungsgemäße Vorgehensweise besonders gut bei Funktionsschichtsystemen mit einer Vielzahl von Einzelschichten, wobei die Gesamtschichtdicke typischerweise in einem Bereich von 40-150 nm liegt.

Um zu vermeiden, dass das Funktionsschichtsystem beim strukturieren der Metallisierung an Stellen, an denen die Metallisierung entfernt wird, keinen Schaden nimmt, wird im Weiteren vorgeschlagen, dass zwischen dem Funktionsschichtsystem und der Metallisierung eine Schutzschicht deponiert wird, ohne dass zwischen dem Aufbringen der Schichten ein Kontakt mit Umgebungsatmosphäre stattfindet. Damit werden nicht nur homogene Kontakte unter der Metallisierung realisiert, sondern auch elektrische Strukturen aus dem Funktionsschichtsystem ermöglicht, die noch gleichmäßigere elektrische Eigenschaften besitzen.

Eine Möglichkeit, die Schichten zwischen dem Deponieren nicht der Umgebungsatmosphäre auszusetzen, besteht darin, dass das Funktionsschichtsystem und die Metallisierung gegebenenfalls eine Schutzschicht zwischen den beiden Schichten in einem gemeinsamen Vakuumschritt deponiert werden.

Im Weiteren ist es besonders bevorzugt, wenn in einem anschließenden Schritt zunächst nur die Metallisierung zur Herstellung von Kontakten und Leiterbahnen strukturiert wird. Vorzugsweise findet diese Strukturierung selektiv zur Funktionsschicht ggf. einer Schutzschicht statt. Dies kann bei Verwendung einer Schutzschicht z. B. dadurch erzielt werden, dass zunächst mit einem IBE-Ätzverfahren (Ion Beam Etching) der größte Teil der Schichtdicke entfernt wird und anschließend in einem nasschemischen Ätzprozess, der leicht selektiv zur Schutzschicht kontrolliert werden kann, die restliche Entfernung der Metallisierung stattfindet. Für diesen Prozess wird die Metallisierung an den Stellen, an denen sie stehen bleiben soll, vorzugsweise mit einer Fotolackschicht geschützt, die in einem nachfolgenden Prozessschritt "gestrippt", d. h. entfernt, z. B. in einem Sauerstoffplasma entfernt wird.

Außerdem ist es vorteilhaft, wenn nach der Erzeugung von Kontakten und Leiterbahnen die Strukturierung des Funktionsschichtsystems mit ggf. Schutzschicht bis hinunter aufs Substrat (nicht leitendes Substrat) erfolgt. Auch dieser Strukturierungsschritt wird vorzugsweise mittels einer Fotolackmaskierung durchgeführt.

Bei einem Herstellungsprozess mit Schutzschicht sollte darauf geachtet werden, dass die Schutzschicht in der Dicke so gewählt ist, dass auch das Entfernen der Fotolackmaskierungen in einem O2-Plasma die Schutzschicht nicht vollständig durchoxidiert. Denn dadurch würde wiederum das Funktionsschichtsystem, z. B. der GMR-Schichtstapel, angegriffen.

Für den Fall, dass für das Strukturieren des Funktionsschichtsystems mit Schutzschicht die bereits erzeugten Leiterbahnen (mit Ausnahme der Kontaktbereiche) nicht maskiert werden, ist es überdies bevorzugt, wenn die Dicke der Metallisierung so festgelegt wird, dass nach dem Ätzen des Funktionsschichtsystem mit Schutzschicht, bei welcher auch normalerweise die Metallisierung angegriffen wird, eine gewünschte Enddicke der Metallisierung verbleibt. Sofern die Ätzraten der Metallisieriung (r_M), dem Funktionsschichtsystem (r_FS) sowie der Schutzschicht (r_S) im Ätzmedium für das Funktionsschichtsystem und die Schutzschicht bekannt sind, ergibt sich die Dicke einer abzuscheidenden Metallisierung (d_M), damit eine gewünschte Enddicke der Metallisierung (d_MW) verbleibt, nach folgendem Zusammenhang:

d_M = d_M, + (d_FS + d_S).r_M/mittlere Ätzrate aus (r_FS + r_S)

Dabei ist d_FS die Dicke des Funktionsschichtsystems und d_S die Dicke der Schutzschicht.

Sofern im Schichtaufbau keine Schutzschicht vorgesehen wird, ist d_S und v_S gleich null zu setzen.

Eine mit dem Verfahren hergestellte Dünnschichtanordnung weist immer unter den Leiterbahnen ein Funktionsschichtsystem und ggf eine Schutzschicht auf.

Zeichnungen

Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den nachfolgenden Zeichnungen unter Angabe weiterer Vorteile und Einzelheiten näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1a bis 1c schematische Schnittbilder von unterschiedlichen Prozessstadien einer Sensoranordnung zur Verdeutlichung des Herstellungsprozesses,
Fig. 2 ein Layout zur Herstellung einer Sensoranordnung, hier: eines GMR- Gradiometers,
Fig. 3a bis 3d schematische Schnittbilder von unterschiedlichen Prozessstadien einer Sensoranordnung, die nach einem herkömmlichen Prozess aufgebaut wird,
Fig. 4 das Prinzipschaltbild einer Wheatstone- Messbrücke und
Fig. 5 das prinzipielle Layout einer Wheatstone- Messbrücke für die Verwendung in einer Gradiometer-Sensoranordnung, das in Fig. 2 detailliert dargestellt ist.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung einer GMR- Gradiometer-Sensoranordnung mit einem GMR- Funktionsschichtsytsem aus mehreren Einzelschichten wird nachfolgend anhand der Fig. 3a bis 3d erläutert:

a) Zunächst wird auf einem Substrat 30 eine GMR-Schicht 31 und eine Schutzschicht 32 in einem gemeinsamen Vakuumprozess abgeschieden.
b) Anschließend findet eine gemeinsame Stukturierung der GMR- Schicht 31 und der Schutzschicht 32 statt. Dies kann z. B. durch Aufbringen einer Fotolackmaske mit entsprechender Struktur, anschließendem Ätzen der GMR-Schicht und der Schutzschicht, z. B. IBE-Ätzen (Iom Beam Etching) und Lackstrippen (veraschen des Fotolacks) in einem O2-Plasma erfolgen. Insbesondere der Schritt zum Entfernen des Fotolacks im O2-Plasma hat ein Oxidierung der Schutzschicht 32 zur Folge (siehe hierzu Fig. 3b).
c) Daher ist ein "Rückätz-Schritt" vor der Abscheidung einer Metallisierung 33 erforderlich, um eine auf der Schutzschicht 32 entstandene Oxidschicht zu entfernen. Dies kann z. B. durch physikalisches Ätzen in einem Plasma (Sputterätzen) erfolgen. Dabei ist es wichtig, dass nach dem "Rückätz-Schritt" in einem gemeinsamen Vakuumprozess die Metallisierung aufgebracht wird, um eine erneute Oxidation der Schutzschicht vor dem Aufbringen der Metallisierung zu vermeiden (siehe hierzu Fig. 3c).
d) In einem abschließenden Prozess findet eine Strukturierung der Metallisierung 33 statt. Dies erfolgt regelmäßig über eine Fotolackmaske mit nachfolgendem Ätzen der Metallisierung, wobei z. B. eine Kombination eines Trockenätzschritts (Iom Beam Etching) mit abschließendem Nassätzen zur Anwendung kommt. Im Nassätzverfahren wird das Substrat 30 nicht angegriffen, so dass es diesbezüglich als "Ätzstopp" dient.

Der Fotolack wird wiederum in einem O2-Plasma entfernt. Das hat eine oberflächliche Oxidation der Metallisierung und eine erneute Oxidation der verbleibenden Schutzschicht zur Folge.
Bei Funktionsschichtsystemen, wie ein GMR-Schichtsystem ist der unter c) beschriebene "Rückätzschritt" besonders problematisch, da die Schutzschicht nicht beliebig dick aufgebracht werden kann, um die spätere Funktion der GMR- Schicht nicht zu beeinträchtigen. Schon bei geringer Überätzung der Schutzschicht wird aber das "GMR- Schichtsystem" geschädigt. Zudem muss für die nachfolgende Strukturierung der Metallisierung (vgl. Ziffer d)) auch noch eine ausreichende Restdicke der Schutzschicht verbleiben.
Jedenfalls ist es zur Vermeidung einer Offset-Problematik bei insbesondere elektrischen Wheatstone-Messbrückenschaltungen erforderlich, dass vor dem Aufbringen der Metallisierung das Oberflächenoxid vollständig entfernt wird. Schon geringste Oxidreste führen zu einem unerwünschten Offsetbeitrag. Ungeachtet dessen können auch bei vollständig entferntem Oxid Inhomogenitäten auftreten, wenn der Rückätzschritt nicht gleichmäßig abläuft. Das führt zu unterschiedlichen Schichtdicken der Schutzschicht und damit wiederum zu Offsetspannungen oder auch zu Schwankungen der Eigenschaften von Sensor zu Sensor.
Das verbesserte Herstellungsverfahren für eine Sensoranordnung, insbesondere eine GMR- Gradiometersensoranordnung in Form einer Wheatstone- Messbrückenschaltung verdeutlichen die Fig. 1a bis 1c und sieht folgendermaßen aus:

a) Zunächst wird auf ein Substrat 1 in einem gemeinsamen Vakuumprozess ein Schichtstapel abgeschieden, der aus einem dünnen Funktionsschichtsystem 2 einer Schutzschicht 3 und einer Metallisierung 4 besteht. Das Funktionsschichtsystem ist beispielsweise eine GMR-Schicht. Es kann jedoch auch ein anderes dünnes sensitives Schichtsystem, z. B. AMR - (Anisotrop Magnetic Resistive) oder TMR - (Tunnel Magnetic Resistive) Schichtsystem zur Anwendung kommen. Als Schutzschicht eignet sich bevorzugt Chrom oder Tantal in einer Schichtdicke von beispielsweise 5 bis 15 nm. Zur Erzeugung der Metallisierung wird vorteilhafterweise Aluminium abgeschieden (siehe hierzu Fig. 1a).
b) Im Anschluss daran erfolgt die Strukturierung der Metallisierung 4 zur Erzeugung von Leiterbahnen, die jedoch zunächst nicht - wie ansonsten üblich - bis zum isolierenden Substrat erfolgt, sondern nur bis auf die Höhe der Schutzschicht 3 (siehe hierzu Fig. 1b). Die Strukturierung der Metallisierung 4 kann über eine Fotolackmaske durch einen Kombinationsätzprozess aus Trockenätzen, z. B. IBE und Nassätzen erfolgen, um eine Selektivität gegenüber der Schutzschicht 3 zu erhalten. In diesem Prozessstadium sind die Leiterbahnstrukturen zwar geometrisch definiert, jedoch durch den leitenden Untergrund (Schutzschicht 3) kurzgeschlossen. Die Fotolackmaske wird vorzugsweise in einem O2-Plasma durch Veraschen entfernt. Hierdurch wird die Metallisierung an der Oberfläche sowie die freigelegte Schutzschicht 3 oxidiert.
c) Nun erfolgt die Strukturierung von Sensorbereichen bis zum isolierenden Substrat 1 (siehe hierzu Fig. 1c). In diesem Schritt wird auch im Bereich neben den Leiterbahnen der leitende Untergrund entfernt, so dass die Sensor- und Leiterbahnfunktion hergestellt ist. Im Unterschied zur herkömmlichen Vorgehensweise ist dann unter den Leiterbahnen 4a stets ein Funktionsschichtsystem 2 vorhanden. Die Strukturierung von Schutzschicht 3 und dem Funktionsschichtsystem 2 wird vorzugsweise mit Hilfe einer herkömmlichen Fotolackmaske vorgenommen, wobei das Ätzen der Schutzschicht 3 und des Funktionsschichtssystems 4 über einen IBE-Prozess erfolgen kann. Das Entfernen der Fotolackschicht kann wiederum im O2-Plasma erfolgen. Dies führt zu einer weiteren Erhöhung der Oxiddicke in der Schutzschicht und gegebenenfalls auch bei den Leiterbahnen.

Dementsprechend ist die Dicke der Schutzschicht 3 so zu wählen, dass das Funktionsschichtsystem 2 nach beiden Schritten zum Entfernen des Fotolacks nicht vollständig durchoxidiert ist, sondern das Oxid komplett innerhalb eines noch nicht oxidierten Schutzschichtbereichs liegt.
Die Dicke der Metallisierung ist bei der Abscheidung so zu bemessen, dass nach dem Ätzen des Funktionsschichtsystems 2 die gewünschte Enddicke der Metallisierung 4 bzw. 4a zurückbleibt, wenn bei diesem Schritt die Metallisierung 3 nur im Bereich der Kontaktstellen durch Lack geschützt ist und ansonsten das Ätzmedium die Metallisierung abträgt.
Fig. 2 zeigt ein konkretes Layout 20 einer Sensoranordnung in Form eines GMR-Gradiometers als Wheatstone- Brückenschaltung. Auf der linken Seite sind durch zwei ineinander gelegte Mäander Brückenwiderstände 43 und 42 realisiert (siehe hierzu die schematische Anordnung von Fig. 5). Auf der rechten Seite bilden wiederum ineinander gelegte Mäander Brückenwiderstände 44, 41.
Die Brückenwiderstände 41 bis 44 sind an Kontaktstellen 21, 22 mit Leiterbahnen zu Anschlusspads 24, an welchen eine Stromversorgung mit Strömen 46, 47 erfolgen kann sowie zu Anschlusspads 25, über welche die Brückenspannung 45 abgegriffen werden kann, verbunden. Der Gradiometersensor 20 ist vorzugsweise auf einem Siliziumsubstrat 26 aufgebaut.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat (1, 26, 48) aufgebauten Dünnschichtanordnung, insbesondere Sensoranordnung (20), die ein vergleichsweise dünnes Funktionsschichtsystem (2) aus mehreren Einzelschichten, die als Einheit einen wesentlichen elektrischen Funktionsbestandteil der Dünnschichtanordnung für elektrische Strukturen (41 bis 44) bilden und eine auf dem Funktionsschichtsystem aufgebrachte Metallisierung (4) für Kontakte (21, 22) und Leiterbahnen (4a, 23) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionsschichtsystem (2) und die Metallisierung (4) nacheinander ohne dazwischen mit Umgebungsatmosphäre in Kontakt zu kommen, aufgebracht werden, und dass im Anschluss daran die Strukturierung der Schichten vorgenommen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Funktionsschichtsystem (2) und der Metallisierung eine Schutzschicht deponiert wird, ohne dass zwischen dem Aufbringen der Schichten ein Kontakt mit Umgebungsatmosphäre stattfindet.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionsschichtsystem (2) und die Metallisierung (4) sowie eine mögliche Schutzschicht (3) in einem gemeinsamen Vakuumprozess deponiert werden.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung (4) zur Herstellung von Kontakten (21, 22) und Leiterbahnen (23) strukturiert wird.

5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Erzeugung von Kontakten (21, 22) und Leiterbahnen (23) die Strukturierung des Funktionsschichtsystems (2) bis zum Substrat (1, 26) erfolgt.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierungsschritte mittels Fotolackmaskierungen durchgeführt werden.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (3) in der Dicke so gewählt ist, dass durch das Entfernen einer oder zweier Fotolackmaskierungen in einem O2-Plasma die Schutzschicht (3) nicht vollständig durchoxidiert wird.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Metallisierung (4) so festgelegt ist, dass nach dem Ätzen des Funktionsschichtsystems (2) und einer möglichen Schutzschicht (3), bei welcher auch die Metallisierung (4) angegriffen wird, eine gewünschte Enddicke der Metallisierung (4) verbleibt.

9. Dünnschichtanordnung, insbesondere Sensoranordnung, die ein vergleichsweise dünnes Funktionsschichtsystem (2) aus mehreren Einzelschichten, welche als Einheit einen wesentlichen elektrischen Funktionsbestandteil der Anordnung für elektrische Strukturen (41 bis 44) bilden sowie auf dem Funktionsschichtsystem (2) aufgebrachte Kontakte (21, 22) und Leiterbahnen (4a, 23) aus einer Metallisierung (4) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass unter den Leiterbahnen (4a, 23) stets ein Funktionsschichtsystem (2) vorhanden ist.

10. Dünnschichtanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Funktionsschichtsystem (2) vor der Metallisierung eine Schutzschicht aufgebracht ist, so dass unter den Leiterbahnen (4a, 23) stets ein Funktionsschichtsystem (2) und eine Schutzschicht (3) vorhanden sind.