DE102023122412A1

DE102023122412A1 - Licht emittierende anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102023122412A1
Application number: DE102023122412.3A
Authority: DE
Inventors: Kwanghyun Choi; Changsoo Kim; CheolHwan LEE; JeongOk JO; SeongYeong Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-09-16
Filing date: 2023-08-22
Publication date: 2024-03-21
Also published as: KR20240038333A; CN117727255A; US20240099058A1

Abstract

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung ein Anzeigepanel (100), in dem eine Mehrzahl von Pixeln angeordnet ist, wobei jedes der Mehrzahl von Pixeln eine Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) enthält, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) enthält: Eine erste Leuchtdiode (De1), eingerichtet zum Emittieren von Licht durch einen ersten Ansteuerungsstrom; eine erste Linse (232), die das von der ersten Leuchtdiode (De1) emittierte Licht bricht; eine zweite Leuchtdiode (De2), eingerichtet zum Emittieren von Licht durch einen zweiten Ansteuerungsstrom; eine zweite Linse (234), die das von der zweiten Leuchtdiode (De2) emittierte Licht bricht; einen Ansteuerungstransistor (DT), der zum Steuern der Ansteuerungsströme eingerichtet ist, und einen Kondensator (Cst), der mit dem Ansteuerungstransistor (DT) verbunden ist, und wobei sowohl eine Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) als auch eine Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) auf eine Spannung initialisiert werden kann, die sich von einer Spannung unterscheidet, die an den Kondensator (Cst) angelegt wird.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0117019 , die am 16. September 2022 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde.
HINTERGRUND
Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung, die in der Lage ist, einen Betrachtungswinkel zu steuern.
Beschreibung des verwandten Standes der Technik
Eine organische Leuchtdiode OLED, die eine selbstemittierende Vorrichtung ist, enthält eine Anodenelektrode, eine Kathodenelektrode und eine dazwischen gebildete Schicht aus einer organischen Verbindung. Die organische Verbindungsschicht ist aus einer Lochtransportschicht HTL, einer Emissionsschicht EML und einer Elektronentransportschicht ETL gebildet. Wenn eine Ansteuerungsspannung an die Anodenelektrode und die Kathodenelektrode angelegt wird, bewegen sich Löcher, die durch die Lochtransportschicht HTL hindurchgehen, und Elektronen, die durch die Elektronentransportschicht ETL hindurchgehen, zur Emissionsschicht EML, um Exzitonen zu bilden, so dass die Emissionsschicht EML sichtbare Strahlen erzeugt. Eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung vom Typ Aktivmatrix enthält eine organische Leuchtdiode OLED, die eine selbstemittierende Vorrichtung ist und auf verschiedene Weise mit den Vorteilen einer schnellen Reaktionsgeschwindigkeit, einer großen Emissionseffizienz, Leuchtkraft und eines Betrachtungswinkels verwendet wird.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung ordnet Pixel an, die jeweils eine organische Leuchtdiode in einer Matrix enthalten, und stellt die Leuchtkraft des Pixels gemäß dem Graustufenpegel der Videodaten ein.
Wie bereits erwähnt, gibt es keine Beschränkung des Betrachtungswinkels der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung, aber in letzter Zeit wird aus Gründen des Schutzes der Privatsphäre und der Information gefordert, den Betrachtungswinkel zu begrenzen.
Wenn eine Anzeigevorrichtung mit Lichtemission zur Bereitstellung von Informationen zum Fahren eines Fahrzeugs verwendet wird, besteht ein weiteres Problem darin, dass die von der Licht emittierenden Vorrichtung angezeigten Bilder an der Windschutzscheibe des Fahrzeugs reflektiert werden und die Sicht des Fahrers behindern. Die Reflexion der Bilder in Fahrzeugen ist vor allem während des Ansteuerns bei Nacht sehr stark, was ein sicheres Fahren behindert. Dementsprechend ist es notwendig, den Betrachtungswinkel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung, die für ein Fahrzeug angewendet wird, zu begrenzen.
Die Einschränkung des Betrachtungswinkels ist jedoch unterschiedlich, je nachdem, ob man fährt oder ob Passagiere auf dem Fahrer- und Beifahrersitz zuschauen, so dass es notwendig ist, den Betrachtungswinkel selektiv zu schalten.
Darüber hinaus ist es in einigen Ländern verboten, Medien, die vor dem Beifahrersitz abgespielt werden, dem Fahrersitz zu exponieren, so dass es notwendig ist, den Betrachtungswinkel selektiv zu schalten.
ZUSAMMENFASSUNG
Dementsprechend besteht ein Ziel der vorliegenden Offenbarung darin, eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die einen Betrachtungswinkel selektiv einschränkt.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Offenbarung ist die Bereitstellung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung, die stabil eine niedrige Graustufe ausgibt.
Die Ziele der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Ziele beschränkt, und andere Ziele, die oben nicht erwähnt sind, können von den Fachleuten auf dem Stand der Technik aus den folgenden Beschreibungen klar verstanden werden.
Um die oben beschriebenen Ziele zu erreichen, enthält gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung ein Anzeigepanel, in dem eine Mehrzahl von Pixeln angeordnet ist, wobei jedes der Mehrzahl von Pixeln eine Mehrzahl von Sub-Pixeln enthält, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln enthält eine erste Leuchtdiode, die zum Emittieren von Licht durch einen ersten Ansteuerungsstrom eingerichtet ist; eine erste Linse, die das von der ersten Leuchtdiode emittierte Licht bricht; eine zweite Leuchtdiode, die zum Emittieren von Licht durch einen zweiten Ansteuerungsstrom eingerichtet ist; eine zweite Linse, die das von der zweiten Leuchtdiode emittierte Licht bricht; einen Ansteuerungstransistor, der zum Steuern der Ansteuerungsströme eingerichtet ist, und einen Kondensator, der mit dem Ansteuerungstransistor verbunden ist, wobei sowohl eine Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode als auch eine Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode auf eine Spannung initialisiert werden kann, die sich von einer Spannung unterscheidet, die an den Kondensator angelegt wird.
Weitere Einzelheiten zu den beispielhaften Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird eine Initialisierungsspannung separat an eine Anodenelektrode der Leuchtdiode angelegt, um die Graustufenausdrucksstärke der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ein Spannungspegel einer Anodenelektrode der Leuchtdiode aufrechterhalten werden, um den Betrachtungswinkel der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu steuern.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann der Ansteuerungsstrom einer organischen Leuchtdiode unabhängig von der Abweichung der Schwellenspannung eines Ansteuerungstransistors und einer Hochpotentialansteuerungsspannung gesteuert werden, um eine konstante Leuchtkraft zu erzielen.
Die Wirkungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft genannten Inhalte beschränkt, und die vorliegende Beschreibung enthält weitere verschiedene Wirkungen.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen, klarer verstanden werden, in denen:

1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Anzeigepanels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
3 ist eine Draufsicht auf ein Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4A ist eine Ansicht, die schematisch eine erste Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
4B ist eine Ansicht, die schematisch eine zweite Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
5A ist eine Ansicht, die ein optisches Profil für einen Betrachtungswinkel einer ersten Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
5B ist eine Ansicht, die ein optisches Profil für einen Betrachtungswinkel einer zweiten Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
6 ist eine Ansicht, die schematisch den Betrieb einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld veranschaulicht;
7A ist ein Diagramm, das eine relative Leuchtkraft für einen Betrachtungswinkel einer ersten Emissionseinheit einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
7B ist ein Diagramm, das eine relative Leuchtkraft für einen Betrachtungswinkel einer zweiten Emissionseinheit einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
8 ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
9 ist eine Draufsicht auf ein Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
10 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
11A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
11B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
11C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
12A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
12B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
12C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
13 ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
14 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
15A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
15B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
15C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
15D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
16 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Sub-Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 3);
17 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 3);
18A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und in einem Modus mit engem Sichtfeld (beispielhafte Ausführungsform 3);
18B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 3);
18C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 3);
18D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 3);
19 ist ein Schaltungsdiagramm zur Veranschaulichung eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 4);
20 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 4);
21A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 4);
21B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 4);
21C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 4);
21D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung Offenbarung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden (beispielhafte Ausführungsform 4);
22 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Sub-Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 5);
23 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 5);
24A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 5);
24B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 5);
24C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung Offenbarung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden (beispielhafte Ausführungsform 5);
24D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung Offenbarung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden (beispielhafte Ausführungsform 5);
25 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Sub-Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 6);
26 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 6);
27A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung Offenbarung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden (beispielhafte Ausführungsform 6);
27B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 6);
27C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 6);
27D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 6);
28 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Sub-Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 7);
29 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (beispielhafte Ausführungsform 7);
30A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung Offenbarung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden (beispielhafte Ausführungsform 7);
30B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung Offenbarung während eines Abtastzeitraums in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden (beispielhafte Ausführungsform 7);
30C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 7); und
30D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 7).

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORM
Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften werden deutlich, wenn man sich auf beispielhafte Ausführungsformen bezieht, die unten im Detail zusammen mit den begleitenden Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offenbaren beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in verschiedenen Formen umgesetzt werden. Die beispielhaften Ausführungsformen werden nur beispielhaft dargestellt, damit der Fachmann auf dem Stand der Technik die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann. Daher wird die vorliegende Offenbarung nur durch den Umfang der beigefügten Ansprüche definiert.
Die in den begleitenden Zeichnungen veranschaulichten Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen zur Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der gesamten Beschreibung. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine ausführliche Erläuterung bekannter verwandter Technologien verzichtet werden, um den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung nicht unnötig zu verschleiern. Die hier verwendeten Begriffe wie „enthaltend“, „mit“ und „aufweisend“ sind im Allgemeinen so zu verstehen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden können, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Irgendwelche Verweise auf die Einzahl können die Mehrzahl enthalten, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
Die Komponenten werden so interpretiert, dass sie einen normalen Fehlerbereich enthalten, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen mit Begriffen wie „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können sich ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen befinden, es sei denn, die Begriffe werden zusammen mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen angeordnet sein.
Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und dergleichen zur Beschreibung verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zur Unterscheidung einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine erste Komponente, die im Folgenden erwähnt wird, eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der gesamten Beschreibung.
Eine Größe und eine Dicke jedes in der Zeichnung veranschaulichten Bauteils sind der Einfachheit der Beschreibung halber veranschaulicht, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke des veranschaulichten Bauteils beschränkt.
Die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander haften oder miteinander kombiniert werden und können auf technisch unterschiedliche Weise ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder assoziiert mit einander ausgeführt werden.
Nachfolgend wird eine Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben.
1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Wie in 1 veranschaulicht, enthält eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 100, eine Lichtabschirmungsstruktur 210, eine Optische-Lücke-Schicht 220, eine Linsenschicht 230, eine Planarisierungsschicht 240 und eine Polarisationsschicht 250.
Das Anzeigepanel 100 enthält ein Substrat 110, eine Mehrzahl von ersten Leuchtdioden De1, eine Mehrzahl von zweiten Leuchtdioden De2 und eine Verkapselungsschicht 190.
Ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 sind auf dem Substrat 110 definiert. Jedes des ersten bis dritten Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 hat eine erste Emissionseinheit EA und eine zweite Emissionseinheit EA2.
In der ersten Emissionseinheit EA1 ist eine erste Leuchtdiode De1 und in einer zweiten Emissionseinheit EA2 ist eine zweite Leuchtdiode De2 vorgesehen.
Das ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 können ein rotes Sub-Pixel, ein grünes Sub-Pixel und ein blaues Sub-Pixel sein. Dementsprechend können die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 des ersten Sub-Pixels SP1 rotes Licht emittieren, die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 des zweiten Sub-Pixels SP2 können grünes Licht emittieren. Ferner können die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 des dritten Sub-Pixels SP3 blaues Licht emittieren. Die Farben des von den Sub-Pixeln emittierten Lichts sind nicht auf Rot, Grün und Blau beschränkt, sondern können auch andere Farben wie Cyan, Magenta, Gelb und Schwarz sein.
Anschließend wird die Verkapselungsschicht 190 mit einer flachen oberen Oberfläche über der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 angebracht, um die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 vor Feuchtigkeit und Sauerstoff zu schützen. Die Verkapselungsschicht 190 kann eine einzige Schicht oder mehrere Schichten enthalten und kann aus einem anorganischen Material wie Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) und/oder einem organischen Material wie Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz und Polyimidharz hergestellt sein.
Eine spezifische Konfiguration des Anzeigepanels 100 wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
Die Lichtabschirmungsstruktur 210 befindet sich oberhalb des Anzeigepanels 100, insbesondere oberhalb der Verkapselungsschicht 190. Die Lichtabschirmungsstruktur 210 wird zwischen angrenzenden ersten bis dritten Sub-Pixeln SP1, SP2 und SP3 gebildet oder zwischen der ersten Emissionseinheit EA1 und der zweiten Emissionseinheit EA2 in jedem Sub-Pixel gebildet.
Eine solche Lichtabschirmungsstruktur 210 kann eine schwarze Matrix sein und kann aus schwarzem Harz, Chromoxid oder ähnlichem gebildet werden. Im Gegensatz dazu kann die Lichtabschirmungsstruktur 210 eine Berührungselektrode sein und kann aus Metall gebildet werden. Beispielsweise kann die Lichtabschirmungsstruktur 210 aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten aus irgendeinem der folgenden Metalle gebildet werden: Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder deren Legierungen. Zu diesem Zeitpunkt enthält eine Berührungselektrode eine Mehrzahl von Sendeelektroden und eine Mehrzahl von Empfangselektroden, die sich gegenseitig überschneiden, und eine Berührung kann anhand einer Änderung der Kapazität zwischen der Mehrzahl von Sendeelektroden und der Mehrzahl von Empfangselektroden erfasst werden.
Die Optische-Lücke-Schicht 220 befindet sich oberhalb der Lichtabschirmungsstruktur 210. Die Optische-Lücke-Schicht 220 sorgt für einen optischen Abstand zwischen der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 und den Linsen 232 und 234 der Linsenschicht 230. Die Optische-Lücke-Schicht 220 bricht das von der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 durch die Linsen 232 und 234 emittierte Licht in eine bestimmte Richtung, um die Effizienz der Linsen 232 und 234 zu verbessern. Die Optische-Lücke-Schicht 220 kann eine Dicke von einigen bis mehreren zehn µm haben und aus einem organischen Isoliermaterial gebildet sein.
Die Optische-Lücke-Schicht 220 kann zum Beispiel aus Photoacryl, Benzocyclobuten (BCB), Polyimid (PI) oder Polyamid (PA) gebildet werden, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Linsenschicht 230 befindet sich über der Optische-Lücke-Schicht 220. Die Linsenschicht 230 enthält eine erste Linse 232 und eine zweite Linse 234. Die erste Linse 232 ist in der ersten Emissionseinheit EA1 angeordnet, um das von der ersten Leuchtdiode De1 emittierte Licht in eine bestimmte Richtung zu brechen. Das heißt, die erste Linse 232 überlappt die erste Emissionseinheit EA1. Die zweite Linse 234 ist in der zweiten Emissionseinheit EA2 angeordnet, um das von der zweiten Leuchtdiode De2 emittierte Licht in eine bestimmte Richtung zu brechen. Das heißt, die zweite Linse 234 überlappt die zweite Emissionseinheit EA2. Sowohl ein Teil der ersten Linse 232 als auch der zweiten Linse 234 kann die Lichtabschirmungsstruktur 210 überlappen. Alternativ dazu kann die erste Linse 232 entsprechend der zweiten Emissionseinheit EA2 und die zweite Linse 234 entsprechend der ersten Emissionseinheit EA1 angeordnet sein.
Die erste Linse 232 ist eine halbkugelförmige Linse (z.B. eine erste Form) und die zweite Linse 234 ist eine halbzylindrische Linse (z.B. eine zweite Form). Daher wird das erste Licht L1, das von der ersten Leuchtdiode De1 jedes Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 emittiert wird, von der ersten Linse 232 in einem bestimmten Winkel gebrochen, um ausgegeben zu werden. Das zweite Licht L2, das von der zweiten Leuchtdiode De2 jedes Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 emittiert wird, wird von der zweiten Linse 234 in einem bestimmten Winkel gebrochen und ausgegeben. Dementsprechend kann der Betrachtungswinkel jedes der Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 eingeschränkt werden.
Die Planarisierungsschicht 240 befindet sich über der Linsenschicht 230, um die erste Linse 232 und die zweite Linse 234 zu schützen. Die Planarisierungsschicht 240 ist aus einem organischen Isoliermaterial gebildet und hat eine flache obere Oberfläche. Der Brechungsindex der Planarisierungsschicht 240 ist kleiner als die Brechungsindizes der ersten Linse 232 und der zweiten Linse 234.
Die Planarisierungsschicht 240 kann zum Beispiel aus Photoacryl, Benzocyclobuten (BCB), Polyimid (PI) oder Polyamid (PA) gebildet werden, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Polarisationsschicht 250 ist oberhalb der Planarisierungsschicht 240 angeordnet. Die Polarisationsschicht 250 kann eine lineare Polarisationsschicht und eine Verzögerungsschicht enthalten und dient dazu, einen polarisierten Zustand von externem Licht umzuwandeln, das auf das Anzeigepanel 100 auftrifft, um zu verhindern, dass das emittierte externe Licht von dem Anzeigepanel 100 reflektiert und dann nach außen abgegeben wird.
Ein Anzeigepanel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf 2 beschrieben.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Anzeigepanels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Wie in 2 veranschaulicht, enthält ein Anzeigepanel 100 einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Substrat 110, eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren Tr1 und Tr2, die Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 und die Verkapselungsschicht 190.
Im Einzelnen enthält jedes Sub-Pixel auf dem Substrat 110 die erste Emissionseinheit EA1 und die zweite Emissionseinheit EA2. Das Substrat 110 kann ein Glassubstrat oder ein Kunststoffsubstrat sein.
Als Kunststoffsubstrat können zum Beispiel Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymer (ABS), Polymethylmethacrylat (PMMA), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC), Polyethersulfon (PES), Polyarylat (PAR), Polysulfon (PSF), zyklisches Olefin-Copolymer, zyklisches Olefin-Copolymer (COC), Film aus Triacetylcellulose (TAC), Film aus Polyvinylalkohol (PVA) und Polystyrol (PS) verwendet werden, es ist aber nicht darauf beschränkt.
Eine Pufferschicht 120 ist oberhalb des Substrats 110 angeordnet. Die Pufferschicht 120 befindet sich im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des Substrats 110. Die Pufferschicht 120 kann aus einem anorganischen Material, wie Siliziumoxid SiO2 oder Siliziumnitrid SiNx, gebildet werden und kann aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten gebildet werden. Beispielsweise können anorganische Filme in mehreren Schichten gebildet werden, indem abwechselnd ein oder mehrere Filme aus Siliziumoxid (SiOx), ein oder mehrere Filme aus Siliziumnitrid (SiNx) und ein oder mehrere Filme aus amorphem Silizium (a-Si) aufeinandergeschichtet werden, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt.
Eine erste Halbleiterschicht 122 und eine zweite Halbleiterschicht 124, die strukturiert sind, werden in der ersten Emissionseinheit EA1 bzw. der zweiten Emissionseinheit EA2 oberhalb der Pufferschicht 120 gebildet.
Jede der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 kann aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet werden, z.B. kann das Oxid-Halbleitermaterial aus irgendeinem von Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Indium-Gallium-Zinn-Oxid (IGTO) und Indium-Gallium-Oxid (IGO) gebildet werden, ist aber nicht darauf beschränkt, und in diesem Fall kann unter der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 weiterhin eine Abschirmungsstruktur gebildet werden. Die Abschirmungsstruktur blockiert das auf die erste Halbleiterschicht 122 und die zweite Halbleiterschicht 124 einfallende Licht, um die Verschlechterung der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 durch das Licht zu unterdrücken.
Im Gegensatz dazu können die erste Halbleiterschicht 122 und die zweite Halbleiterschicht 124 aus polykristallinem Silizium gebildet werden, wobei die polykristalline Halbleiterschicht aus einem Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS) mit einer hohen Mobilität gebildet werden kann, aber nicht darauf beschränkt ist, und in diesem Fall können Verunreinigungen, wie Verunreinigungsionen der Gruppe V oder der Gruppe III (z. B. Phosphor (P) oder Bor (B)) in einer vorbestimmten Konzentration, auf beiden Rändern jeder der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 dotiert werden.
Eine Gate-Isolierschicht 130, die aus einem isolierenden Material gebildet ist, wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats 110 über der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 gebildet. Die Gate-Isolierschicht 130 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial wie Siliziumoxid SiO2 oder Siliziumnitrid SiNx gebildet sein. Darüber hinaus kann die Gate-Isolierschicht 130 aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid SiOx oder Siliziumnitrid SiNx bestehen, ist aber nicht darauf beschränkt.
Zu diesem Zeitpunkt, wenn die erste Halbleiterschicht 122 und die zweite Halbleiterschicht 124 aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet sind, kann die Gate-Isolierschicht 130 aus Siliziumoxid SiO2 gebildet werden. Wenn dagegen die erste Halbleiterschicht 122 und die zweite Halbleiterschicht 124 aus polykristallinem Silizium gebildet sind, kann die Gate-Isolierschicht 130 aus Siliziumoxid SiO2 oder Siliziumnitrid SiNx gebildet werden.
Über der Gate-Isolierschicht 130 sind eine erste Gate-Elektrode 132 und eine zweite Gate-Elektrode 134 gebildet, die aus einem leitfähigen Material, wie z. B. Metall, bestehen, so dass sie der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 entsprechen. Beispielsweise können die erste Gate-Elektrode 132 und die zweite Gate-Elektrode 134 aus einem leitfähigen Material wie Kupfer Cu, Aluminium Al, Molybdän Mo, Nickel Ni, Titan Ti, Chrom Cr oder einer Legierung davon gebildet werden, sind aber nicht darauf beschränkt. Ferner kann über der Gate-Isolierschicht 130 eine (nicht veranschaulichte) Gate-Leitung gebildet werden. Die Gate-Leitung kann sich entlang einer Richtung erstrecken und aus dem gleichen oder einem ähnlichen Material wie die erste Gate-Elektrode 132 und eine zweite Gate-Elektrode 134 gebildet sein.
Gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Gate-Isolierschicht 130 mit derselben Form wie die erste Gate-Elektrode 132 und die zweite Gate-Elektrode 134 strukturiert werden, auch wenn sie auf der gesamten Oberfläche des Substrats 110 gebildet wird.
Eine Isolierzwischenschicht 140, die aus einem isolierenden Material gebildet wird, ist im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des Substrats 110, über der ersten Gate-Elektrode 132 und der zweiten Gate-Elektrode 134, gebildet. Die Isolierzwischenschicht 140 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial wie Siliziumoxid SiO2 oder Siliziumnitrid SiNx oder einem organischen Isoliermaterial wie Photoacryl oder Benzocyclobuten gebildet sein. Alternativ kann die Isolierzwischenschicht 140 eine Mehrzahl von aufeinander gestapelten Schichten aufweisen, von denen jede aus Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder einem organischen Isoliermaterial wie Photoacryl oder Benzocyclobuten besteht.
Die Isolierzwischenschicht 140 hat ein Kontaktloch, das beide oberen Oberflächen der ersten Halbleiterschicht 122 und der zweiten Halbleiterschicht 124 freilegt. Das Kontaktloch kann auch in der Gate-Isolierschicht 130 gebildet werden. Eine erste Source-Elektrode 142 und eine erste Drain-Elektrode 144 sowie eine zweite Source-Elektrode 146 und eine zweite Drain-Elektrode 148 sind in der ersten Emissionseinheit EA1 bzw. der zweiten Emissionseinheit EA2 oberhalb der Isolierzwischenschicht 140 aus einem leitenden Material, wie z. B. Metall, gebildet. Ferner können oberhalb der Isolierzwischenschicht 140 eine Datenleitung (nicht veranschaulicht) und eine Stromleitung (nicht veranschaulicht) gebildet werden, die sich entlang einer Richtung senkrecht zu einer Richtung erstrecken.
Die erste Source-Elektrode 142 und die erste Drain-Elektrode 144 sind über ein Kontaktloch der Isolierzwischenschicht 140 mit beiden Seiten der ersten Halbleiterschicht 122 in Kontakt, und die zweite Source-Elektrode 146 und die zweite Drain-Elektrode 148 sind über das Kontaktloch der Isolierzwischenschicht 140 mit beiden Seiten der zweiten Halbleiterschicht 124 in Kontakt. Auch wenn es nicht veranschaulicht ist, erstreckt sich die Datenleitung entlang einer Richtung senkrecht zu einer Richtung und schneidet die Gate-Leitung, um einen Pixelbereich zu definieren, der jedem Sub-Pixel entspricht, und eine Stromleitung, die eine Hochpotentialspannung liefert, ist so angeordnet, dass sie von der Datenleitung beabstandet ist.
Indes bilden die erste Halbleiterschicht 122, die erste Gate-Elektrode 132, die erste Source-Elektrode 142 und die erste Drain-Elektrode 144 den ersten Dünnschichttransistor Tr1. Die zweite Halbleiterschicht 124, die zweite Gate-Elektrode 134, die zweite Source-Elektrode 146 und die zweite Drain-Elektrode 148 bilden den zweiten Dünnschichttransistor Tr2.
Ein oder mehrere Dünnschichttransistoren mit derselben Struktur wie der erste Dünnschichttransistor Tr1 und der zweite Dünnschichttransistor Tr2 können ferner auf dem Substrat 110 jedes Sub-Pixels gebildet werden, sind aber nicht darauf beschränkt.
Eine Passivierungsschicht 150 aus einem Isoliermaterial ist im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des Substrats 110 gebildet, oberhalb der ersten Source-Elektrode 142, der ersten Drain-Elektrode 144, der zweiten Source-Elektrode 146 und der zweiten Drain-Elektrode 148. Die Passivierungsschicht 150 kann aus einem organischen Isoliermaterial gebildet werden, wie z.B. Photoacryl, Benzocyclobuten, ist aber nicht darauf beschränkt, die Passivierungsschicht 150 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial gebildet werden, wie z.B. einer einzigen Schicht aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Film, einem Siliziumnitrid (SiNx)-Film oder einem Siliziumoxynitrid (SiOxNy)-Film oder einem mehrschichtigen Film davon, usw. Eine solche Passivierungsschicht 150 hat eine ebene obere Oberfläche.
Indes kann unter der Passivierungsschicht 150, d. h. zwischen dem ersten Dünnschichttransistor Tr1 und dem zweiten Dünnschichttransistor Tr2 und der Passivierungsschicht 150, eine weitere Isolierschicht gebildet werden, die aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie z. B. Siliziumoxid SiO2 oder Siliziumnitrid SiNx, besteht.
Die Passivierungsschicht 150 hat ein erstes Drain-Kontaktloch 150a und ein zweites Drain-Kontaktloch 150b, die die erste Drain-Elektrode 144 bzw. die zweite Drain-Elektrode 148 freilegen.
Eine erste Anodenelektrode 162 und eine zweite Anodenelektrode 164 sind oberhalb der Passivierungsschicht 150 aus einer einzigen Schicht leitfähigen Materials mit einer relativ hohen Austrittsarbeit, wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), gebildet. Alternativ können die erste Anodenelektrode 162 und die zweite Anodenelektrode 164 eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die einen transparenten leitfähigen Film und einen undurchsichtigen leitfähigen Film mit hoher Reflexionseffizienz enthält. Der transparente leitfähige Film kann aus einem Material mit einem relativ hohen Arbeitsfunktionswert wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) hergestellt sein, und der undurchsichtige leitfähige Film kann eine Struktur mit einer einzigen Schicht oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die Al, Ag, Cu, Pb, Mo, Ti oder eine Legierung davon enthält. Die erste Anodenelektrode 162 und eine zweite Anodenelektrode 164 können beispielsweise eine Struktur aufweisen, bei der der transparente leitfähige Film und der undurchsichtige leitfähige Film und der transparente leitfähige Film nacheinander gestapelt sind, oder eine Struktur, bei der der transparente leitfähige Film und der undurchsichtige leitfähige Film nacheinander gestapelt sind, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt. Die erste Anodenelektrode 162 befindet sich in der ersten Emissionseinheit EA1 und steht über das erste Drain-Kontaktloch 150a in Kontakt mit der ersten Drain-Elektrode 144. Die zweite Anodenelektrode 164 befindet sich in der zweiten Emissionseinheit EA2 und ist durch das zweite Drain-Kontaktloch 150b mit der zweiten Drain-Elektrode 148 in Kontakt.
Die erste Anodenelektrode 162 und die zweite Anodenelektrode 164 können beispielsweise aus einem transparenten, leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Indes kann das Anzeigepanel 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Typ mit Emission von oben sein, bei dem das Licht der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 in eine dem Substrat 110 entgegengesetzte Richtung ausgegeben wird. Dementsprechend kann jede der ersten Anodenelektrode 162 und der zweiten Anodenelektrode 164 weiterhin eine reflektierende Elektrode oder eine reflektierende Schicht enthalten, die aus einem Metallmaterial mit einem hohen Reflexionsgrad unterhalb des transparenten leitenden Materials gebildet ist. Beispielsweise kann die reflektierende Elektrode oder die reflektierende Schicht aus einer Aluminium-Palladium-KupferLegierung (APC), Silber (Ag) oder Aluminium (Al) gebildet sein. Die erste Anodenelektrode 162 und die zweite Anodenelektrode 164 weisen derzeit jeweils eine dreischichtige Struktur aus ITO/APC/ITO, ITO/Ag/ITO oder ITO/Al/ITO auf, sind aber nicht darauf beschränkt.
Über der ersten Anodenelektrode 162 und der zweiten Anodenelektrode 164 ist eine Bank 165 als pixeldefinierender Film oder pixeldefinierende Schicht, die einen Emissionsbereich jedes Subpixels definiert, aus einem Isoliermaterial gebildet. Die Bank 165 überlappt die Ränder der ersten Anodenelektrode 162 und der zweiten Anodenelektrode 164 und bedeckt die Ränder der ersten Anodenelektrode 162 und der zweiten Anodenelektrode 164. Die Bank 165 hat eine erste Öffnung 165a und eine zweite Öffnung 165b, die die erste Anodenelektrode 162 und die zweite Anodenelektrode 164 freilegen.
Mindestens eine obere Oberfläche der Bank 165 ist hydrophob und eine Seitenfläche der Bank 165 kann hydrophob oder hydrophil sein. Eine solche Bank 165 kann aus einem organischen Isoliermaterial gebildet werden, das sie Hydrophobie aufweist. Im Gegensatz dazu kann die Bank 165 aus einem organischen Isoliermaterial gebildet werden, das eine Hydrophilie aufweist, und kann in einem Prozess so bearbeitet werden, dass sie eine Hydrophobie erhält.
In der vorliegenden Offenbarung weist die Bank 165 eine Struktur mit einer einzigen Schicht auf, kann aber auch eine Struktur mit doppelter Schicht aufweisen. Das heißt, die Bank 165 kann eine zweischichtige Struktur aufweisen, die eine untere hydrophile Bank und eine obere hydrophobe Bank enthält. Die Bank 165 kann ein lichtblockierendes Material enthalten, das aus mindestens einem der folgenden Stoffe besteht: Farbpigment, organisches Schwarz, schwarze Tinte und Kohlenstoff.
Anschließend wird die Licht emittierende Schicht 170 über der ersten Anodenelektrode 162 und der zweiten Anodenelektrode 164 gebildet, die durch die erste Öffnung 165a und die zweite Öffnung 165b der Bank 165 freigelegt werden. Die Licht emittierende Schicht 170 über der ersten Anodenelektrode 162 und die Licht emittierende Schicht 170 über der zweiten Anodenelektrode 164 sind so verbunden, dass sie eine Einheit bilden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die Licht emittierende Schicht 170 oberhalb der ersten Anodenelektrode 162 und die Licht emittierende Schicht 170 oberhalb der zweiten Anodenelektrode 164 können voneinander getrennt sein.
Auch wenn es nicht veranschaulicht ist, kann die Licht emittierende Schicht 170 eine erste Ladungshilfsschicht, eine Schicht aus Licht emittierendem Material und eine zweite Ladungshilfsschicht enthalten, die nacheinander von einem oberen Teil der ersten Anodenelektrode 162 und der zweiten Anodenelektrode 164 angeordnet sind. Die Schicht aus Licht emittierendem Material kann aus irgendeinem der Materialien gebildet werden, die rotes, grünes und blaues Licht emittieren, ist aber nicht darauf beschränkt. Das Licht emittierende Material kann jedoch auch ein organisches Licht emittierendes Material wie eine phosphoreszierende Verbindung oder eine fluoreszierende Verbindung sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und es kann auch ein anorganisches Licht emittierendes Material, wie z. B. ein Quantenpunkt, verwendet werden.
Die erste Ladungshilfsschicht kann eine Löcher-Hilfsschicht sein, und die Löcher-Hilfsschicht kann mindestens eine Löcher-Injektionsschicht (HIL) und eine Löcher-Transportschicht (HTL) enthalten. Die zweite Ladungshilfsschicht kann eine Elektronenhilfsschicht sein und mindestens eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) oder eine Elektronentransportschicht (ETL) enthalten.
Eine solche Licht emittierende Schicht 170 kann durch einen Aufdampfprozess gebildet werden. Dabei kann zur Strukturierung der Licht emittierenden Schicht 170 für jedes Sub-Pixel eine Feinmetallmaske (FMM) verwendet werden. Im Gegensatz dazu kann die Licht emittierende Schicht 170 durch einen Lösungsprozess gebildet werden, und in diesem Fall kann die Licht emittierende Schicht 170 nur in der ersten Öffnung 165a und der zweiten Öffnung 165b vorgesehen werden. In der Nähe der Bank 165 kann die Höhe der Licht emittierenden Schicht 170 erhöht werden, je näher sie an der Bank 165 liegt.
Die Kathodenelektrode 180, die aus einem leitfähigen Material mit einer relativ geringen Austrittsarbeit gebildet wird, ist im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des Substrats 110 oberhalb der Licht emittierenden Schicht 170 gebildet. Dabei kann die Kathodenelektrode 180 aus Aluminium oder Magnesium, Silber oder einer Legierung davon gebildet sein. Zu diesem Zeitpunkt hat die Kathodenelektrode 180 eine relativ geringe Dicke, so dass das von der Licht emittierenden Schicht 170 emittierte Licht durch sie durchgelassen werden kann.
Im Gegensatz dazu kann die Kathodenelektrode 180 aus einem transparenten, leitfähigen Material gebildet werden, wie z. B. Indiumgalliumoxid (IGO), ist aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Anodenelektrode 162 der ersten Emissionseinheit EA1, die Licht emittierende Schicht 170 und die Kathodenelektrode 180 bilden die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Anodenelektrode 164 der zweiten Emissionseinheit EA2, die Licht emittierende Schicht 170 und die Kathodenelektrode 180 bilden die zweite Leuchtdiode De2.
Wie oben erwähnt, kann das Anzeigepanel 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Typ mit oberer Emission sein, bei dem das von den Licht emittierenden Schichten 170 der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittierte Licht in die entgegengesetzte Richtung zum Substrat 110, d. h. nach außen durch die Kathodenelektrode 180, ausgegeben wird. Gemäß dem Typ mit oberer Emission ist der Emissionsbereich größer als der des Typs mit unterer Emission bei derselben Fläche, so dass die Leuchtkraft verbessert und der Stromverbrauch gesenkt werden kann.
Eine Verkapselungsschicht 190 ist im Wesentlichen auf einer gesamten Oberfläche des Substrats 110 oberhalb der Kathodenelektrode 180 gebildet. Die Verkapselungsschicht 190 verhindert, dass Wasserstoff oder Sauerstoff in die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 eingebracht wird.
Eine solche Verkapselungsschicht 190 kann eine laminierte Struktur aus einer ersten anorganischen Schicht 192, einer organischen Schicht 194 und einer zweiten anorganischen Schicht 196 aufweisen. Dabei kann es sich bei der organischen Schicht 194 um eine Schicht handeln, die ein Fremdmaterial abdeckt, das während des Herstellungsprozesses entsteht. Die erste anorganische Schicht 192 und die zweite anorganische Schicht 196 können zum Beispiel aus einem anorganischen Material wie Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) bestehen. Die organische Schicht 194 kann aus einem organischen Material wie Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz und Polyimidharz bestehen. Die Materialien der ersten anorganischen Schicht 192, einer organischen Schicht 194 und einer zweiten anorganischen Schicht 196 sind nicht darauf beschränkt, die Verkapselungsschicht 190 ist nicht auf drei Schichten beschränkt, zum Beispiel kann die Verkapselungsschicht 190 n Schichten enthalten, die abwechselnd zwischen der anorganischen Verkapselungsschicht und der organischen Verkapselungsschicht gestapelt sind (wobei n eine ganze Zahl größer als 3 ist).
Wie oben beschrieben, besitzt in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung jedes Sub-Pixel SP1, SP2 und Sp3 eine erste Emissionseinheit EA1 und eine zweite Emissionseinheit EA2. Ferner ist eine halbkugelförmige erste Linse 232 über der ersten Emissionseinheit EA1 und eine halbzylindrische zweite Linse 234 über der zweiten Emissionseinheit EA2 vorgesehen, um den Betrachtungswinkel zu begrenzen.
Nachfolgend wird eine Pixelstruktur einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 3 beschrieben.
3 ist eine Draufsicht auf ein Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
In 3 sind in einem ersten bis dritten Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 eines Pixels der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung eine Mehrzahl von Anodenelektroden 162-1, 164-1, 162-2, 164-2, 162-3, 164-3, eine Mehrzahl von Öffnungen 165a-1, 156b-1, 165a-2, 156b-2, 165a-3, 156b-3 und eine Mehrzahl von Linsen 232-1, 234-1, 232-2, 234-2, 232-3, 234-3 veranschaulicht.
Wie in 3 veranschaulicht, enthält das Pixel der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Das ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3. Das erste Sub-Pixel SP1 kann ein rotes Sub-Pixel sein, das zweite Sub-Pixel SP2 kann ein grünes Sub-Pixel sein, und das dritte Sub-Pixel SP3 kann ein blaues Sub-Pixel sein.
Hier sind das erste Sub-Pixel SP1 und das dritte Sub-Pixel SP3 entlang der Y-Achse angeordnet und das zweite Sub-Pixel SP2 ist entlang der X-Richtung in Bezug auf das erste Sub-Pixel SP1 und das dritte Sub-Pixel SP3 angeordnet.
Jedes des ersten bis dritten Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 hat eine polygonale Form. Zu diesem Zeitpunkt können Das ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 unterschiedliche Formen haben. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und Das ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 können verschiedene Formen haben.
Das ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 haben unterschiedliche Flächen.
Die Flächen des ersten bis dritten Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 können unter Berücksichtigung der Lebensdauer und der Leuchtkraft der in jedem Sub-Pixel vorhandenen Leuchtdiode bestimmt werden. Zu diesem Zeitpunkt ist die Lebensdauer der roten Leuchtdiode am längsten. Dementsprechend ist eine Fläche des ersten Sub-Pixels SP1 kleiner als die Fläche des zweiten Sub-Pixels SP2 und des dritten Sub-Pixels SP3, um eine Lebensdauer über die Sub-Pixel zu erreichen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und das Verhältnis der Flächen des ersten bis dritten Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 kann variieren.
Wie in 1 bis 3 veranschaulicht, enthält das erste Sub-Pixel SP1 eine erste Anodenelektrode 162-1, die in der ersten Emissionseinheit EA1 vorgesehen ist, und eine zweite Anodenelektrode 164-1, die in der zweiten Emissionseinheit EA2 vorgesehen ist. Die im ersten Sub-Pixel SP1 vorgesehene erste Anodenelektrode 162-1 ist mit dem ersten Dünnschichttransistor Tr1 über ein erstes Drain-Kontaktloch 150a-1 verbunden. Die zweite Anodenelektrode 164-1, die im ersten Sub-Pixel SP1 vorgesehen ist, ist mit dem zweiten Dünnschichttransistor Tr2 über ein zweites Drain-Kontaktloch 150b-1 verbunden.
Das zweite Sub-Pixel SP2 enthält eine erste Anodenelektrode 162-2, die in der ersten Emissionseinheit EA1 vorgesehen ist, und eine zweite Anodenelektrode 164-2, die in der zweiten Emissionseinheit EA2 vorgesehen ist. Die erste Anodenelektrode 162-2, die in dem zweiten Sub-Pixel SP2 vorgesehen ist, ist mit dem ersten Dünnschichttransistor Tr1 über ein erstes Drain-Kontaktloch 150a-2 verbunden. Die zweite Anodenelektrode 164-2, die im zweiten Sub-Pixel SP2 vorgesehen ist, ist mit dem zweiten Dünnschichttransistor Tr2 über ein zweites Drain-Kontaktloch 150b-2 verbunden.
Das dritte Sub-Pixel SP3 enthält auch eine erste Anodenelektrode 162-3, die in der ersten Emissionseinheit EA1 vorgesehen ist, und eine zweite Anodenelektrode 164-3, die in der zweiten Emissionseinheit EA2 vorgesehen ist. Die erste Anodenelektrode 162-3, die in dem dritten Sub-Pixel SP3 vorgesehen ist, ist mit dem ersten Dünnschichttransistor Tr1 über ein erstes Drain-Kontaktloch 150a-3 verbunden. Die dritte Anodenelektrode 164-3, die im dritten Sub-Pixel SP3 vorgesehen ist, ist mit dem zweiten Dünnschichttransistor Tr2 über ein zweites Drain-Kontaktloch 150b-3 verbunden.
In jedem des ersten bis dritten Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 ist mindestens eine erste Öffnung 165a-1, 165a-2, 165a-3 auf der ersten Anodenelektrode 162-1, 162-2, 162-3 vorgesehen. In jedem des ersten bis dritten Sub-Pixels SP1, SP2 und SP3 ist mindestens eine zweite Öffnung 165b-1, 165b-2, 165b-3 auf der zweiten Anodenelektrode 164-1, 164-2, 164-3 vorgesehen. In Bezug auf die X-Y-Draufsicht hat jede der ersten Öffnungen 165a-1, 165a-2 und 165a-3 eine Form, bei der eine Länge in X-Richtung im Wesentlichen dieselbe ist wie eine Länge in Y-Richtung. Die zweiten Öffnungen 165b-1, 165b-2 und 165b-3 haben eine polygonale Form, bei der eine Länge in X-Richtung größer ist als eine Länge in Y-Richtung. Der Bereich jeder der zweiten Öffnungen 165b-1, 165b-2 und 165b-3 kann größer sein als ein Bereich von mindestens einer ersten Öffnung 165a-1, 165a-2 und 165a-3.
Insbesondere kann im ersten Sub-Pixel SP1 eine erste Öffnung 165a-1 auf der ersten Anodenelektrode 162-1 und eine zweite Öffnung 165b-1 auf der zweiten Anodenelektrode 164-1 angeordnet sein. Die oben beschriebenen eine erste Öffnung 165a-1 und eine zweite Öffnung 165b-1 können in Y-Richtung so angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind.
Im zweiten Sub-Pixel SP2 können zwei erste Öffnungen 165a-2, die in X-Richtung angeordnet sind, auf der ersten Anodenelektrode 162-2 und eine zweite Öffnung 165b-2 auf der zweiten Anodenelektrode 164-2 angeordnet sein. Die oben beschriebenen zwei ersten Öffnungen 165a-2 und eine zweite Öffnung 165b-2 können in Y-Richtung so angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind.
Im dritten Sub-Pixel SP3 können zwei erste Öffnungen 165a-3, die in X-Richtung angeordnet sind, auf der ersten Anodenelektrode 162-3 und eine zweite Öffnung 165b-3 auf der zweiten Anodenelektrode 164-3 angeordnet sein. Die oben beschriebenen zwei ersten Öffnungen 165a-3 und eine zweite Öffnung 165b-3 können in Y-Richtung so angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind.
Halbkugelförmige erste Linsen 232-1, 232-2 und 232-3 sind so angeordnet, dass sie jeder der ersten Öffnungen 165a-1, 165a-2 und 165a-3 entsprechen, und halbzylindrische zweite Linsen 234-1, 234-2 und 234-3 sind so angeordnet, dass sie den zweiten Öffnungen 165b-1, 165b-2 und 165b-3 entsprechen.
Jede der ersten Linsen 232-1, 232-2 und 232-3 ist so angeordnet, dass sie jede der ersten Öffnungen 165a-1, 165a-2 und 165a-3 abdecken. In Bezug auf die X-Y-Ebene kann ein Bereich jeder der ersten Linsen 232-1, 232-2 und 232-3 größer sein als ein Bereich jeder der ersten Öffnungen 165a-1, 165a-2 und 165a-3. Jede der zweiten Linsen 234-1, 234-2 und 234-3 ist so angeordnet, dass sie jede der zweiten Öffnungen 165b-1, 165b-2 und 165b-3 abdeckt. In Bezug auf die X-Y-Ebene kann ein Bereich jeder der zweiten Linsen 234-1, 234-2, 234-3 größer sein als ein Bereich jeder der zweiten Öffnungen 165b-1, 165b-2 und 165b-3.
Insbesondere kann im ersten Sub-Pixel SP1 eine erste Linse 232-1 so angeordnet sein, dass sie eine erste Öffnung 165a-1 abdeckt, und eine zweite Linse 234-1 kann so angeordnet sein, dass sie eine zweite Öffnung 165b-1 abdeckt. Im zweiten Sub-Pixel SP2 können zwei erste Linsen 232-2 so angeordnet sein, dass sie zwei erste Öffnungen 165a-2 abdecken, und eine zweite Linse 234-2 kann so angeordnet sein, dass sie eine zweite Öffnung 165b-2 abdeckt. Im dritten Sub-Pixel SP3 können zwei erste Linsen 232-3 so angeordnet sein, dass sie zwei erste Öffnungen 165a-3 abdecken, und eine zweite Linse 234-3 kann so angeordnet sein, dass sie eine zweite Öffnung 165b-3 abdeckt.
Dementsprechend entspricht eine Mehrzahl von ersten Linsen 232-1, 232-2 und 232-3 der ersten Emissionseinheit EA1 jedes Sub-Pixels SP1, SP2, SP3. Eine Mehrzahl von zweiten Linsen 234-1, 234-2, und 234-3 entspricht der zweiten Emissionseinheit EA2 jedes Sub-Pixels SP1, SP2, SP3.
Wie oben beschrieben, enthält die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die halbkugelförmigen ersten Linsen 232-1, 232-2 und 232-3, die den ersten Anodenelektroden 162-1, 162-2 und 162-3 entsprechen, und die halbzylindrischen zweiten Linsen 234-1, 234-2 und 234-3 entsprechen den zweiten Anodenelektroden 164-1, 164-2 und 164-3, um den Betrachtungswinkel zu begrenzen. Zu diesem Zeitpunkt sind die Betrachtungswinkelbeschränkungsrichtungen der ersten Linsen 232-1, 232-2 und 232-3 und der zweiten Linsen 234-1, 234-2 und 234-3 unterschiedlich, und ein breiter Betrachtungswinkel und ein enger Betrachtungswinkel können durch selektives Ansteuern realisiert werden. Die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt, die ersten Linsen 232-1, 232-2 und 232-3 und die zweiten Linsen 234-1, 234-2 und 234-3 können auch andere Formen als die oben genannten haben, solange ein breiter Betrachtungswinkel und ein enger Betrachtungswinkel durch gezieltes Ansteuern realisiert werden können.
Die Umsetzung des weiten und des engen Betrachtungswinkels wird mit Bezug auf 4A bis 7 im Detail beschrieben.
4A ist eine Ansicht, die schematisch eine erste Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
4B ist eine Ansicht, die schematisch eine zweite Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
Wie in 4A veranschaulicht, handelt es sich bei der ersten Linse 232 um eine halbkugelförmige Linse, die in X- und Y-Richtung einen halbkugelförmigen Querschnitt aufweist. Dementsprechend schränkt die erste Linse 232 den Betrachtungswinkel in X- und Y-Richtung ein.
Im Gegensatz dazu ist die zweite Linse 234, wie in 4B veranschaulicht, eine halbzylindrische Linse und hat einen rechteckigen Querschnitt in der X-Richtung und einen halbkreisförmigen Querschnitt in der Y-Richtung. Dementsprechend schränkt die zweite Linse 234 den Betrachtungswinkel in Y-Richtung ein und schränkt den Betrachtungswinkel in der Längsrichtung der zweiten Linse 234, d. h. in X-Richtung, nicht ein.
Die Charakteristik des Betrachtungswinkels durch die erste Linse 232 und die zweite Linse 234 wird mit Bezug auf 5A und 5B beschrieben.
5A ist eine Ansicht, die ein optisches Profil für einen Betrachtungswinkel einer ersten Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
5B ist eine Ansicht, die ein optisches Profil für einen Betrachtungswinkel einer zweiten Linse einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
Wie in den 5A und 5B veranschaulicht, hat die erste Emissionseinheit EA1, die die halbkugelförmige erste Linse 232 enthält, einen engen Sichtwinkel von 30 Grad oder weniger in allen Richtungen, z. B. nach oben, unten, links und rechts. Die zweite Emissionseinheit EA2, die die halbzylindrische zweite Linse 234 enthält, hat einen engen Sichtwinkel von 30 Grad oder weniger in der vertikalen Richtung und einen großen Sichtwinkel von 60 Grad oder mehr in der horizontalen Richtung.
Dementsprechend können der vertikale Modus mit engem Sichtfeld und der horizontale Modus mit engem Sichtfeld durch Ansteuern der ersten Emissionseinheit EA1 und der vertikale Modus mit engem Sichtfeld und der horizontale Modus mit breitem Sichtfeld durch Ansteuern der zweiten Emissionseinheit EA2 realisiert werden. In diesem Zusammenhang wird der Modus mit schmalem Sichtfeld auch als „privater Modus“ oder „zweiter Modus“ und der Modus mit breitem Sichtfeld auch als „gemeinsamer Modus“ oder „erster Modus“ bezeichnet.
Das heißt, die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung hat in vertikaler Richtung durch die erste und zweite Linse 232 und 234 stets einen engen Sichtwinkel und kann in horizontaler Richtung wahlweise den Modus mit breitem Sichtfeld und den Modus mit engem Sichtfeld realisieren.
Der oben beschriebene Modus mit breitem Sichtfeld kann als erster Modus und der oben beschriebene Modus mit engem Sichtfeld kann als zweiter Modus repräsentiert werden.
Der vertikale Modus mit breitem Sichtfeld und der Modus mit engem Sichtfeld werden mit Bezug auf 6 beschrieben.
6 ist eine Ansicht, die schematisch den Betrieb einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld (z.B. einem ersten Modus) und einem Modus mit engem Sichtfeld (z.B. einem zweiten Modus) veranschaulicht.
Wie in 6 veranschaulicht, enthält ein Pixel PXL einer Anzeigevorrichtung mit Betrachtungswinkelumschaltung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes bis ein drittes Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3. Jedes von dem ersten, zweiten und dritten Sub-Pixel SP1, SP2 und SP3 hat eine erste Emissionseinheit EA1 und eine zweite Emissionseinheit EA2.
Eine halbkugelförmige erste Linse 232 ist vorgesehen, sodass es der ersten Emissionseinheit EA1 entspricht, und eine halbzylindrische zweite Linse 234 ist vorgesehen, sodass es der zweiten Emissionseinheit EA2 entspricht.
Während des Betriebs im Modus mit breitem Sichtfeld (z. B. gemeinsamer Modus) befindet sich die erste Leuchtdiode De1 der ersten Emissionseinheit EA1 in einem Aus-Zustand und die zweite Leuchtdiode De2 der zweiten Emissionseinheit EA2 in einem Ein-Zustand. Das von der zweiten Leuchtdiode De2 emittierte Licht wird von der zweiten Linse 234 in Y-Richtung, d.h. in vertikaler Richtung, mit eingeschränktem Betrachtungswinkel und in X-Richtung, d.h. in horizontaler Richtung, ohne Einschränkung des Betrachtungswinkels ausgegeben. Die Anwendungsszenarien, in denen der Modus mit breitem Sichtfeld und der Modus mit engem Sichtfeld selektiv in horizontaler Richtung implementiert werden können, werden nicht nur auf den Fahrzeugbereich angewendet, sondern können bei Bedarf auf beliebige Felder angewendet werden.
Im Gegensatz dazu befindet sich während des Betriebs im Modus mit engem Sichtfeld (z. B. privater Modus) die erste Leuchtdiode De1 der ersten Emissionseinheit EA1 in einem Ein-Zustand und die zweite Leuchtdiode De2 der zweiten Emissionseinheit EA2 in einem Aus-Zustand. Das von der ersten Leuchtdiode De1 emittierte Licht wird von der ersten Linse 232 mit einem eingeschränkten Sichtwinkel in vertikaler und horizontaler Richtung ausgegeben.
Wie oben beschrieben, hat die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stets einen engen Betrachtungswinkel in vertikaler Richtung, so dass bei der Anwendung auf ein Fahrzeug verhindert wird, dass das Bild von der Windschutzscheibe reflektiert wird und die Sicht des Fahrers behindert.
Außerdem kann ein Bild mit einem weiten Betrachtungswinkel in horizontaler Richtung im Modus „Weites Blickfeld“ und ein Bild mit einem engen Betrachtungswinkel in horizontaler Richtung im Modus „Enges Blickfeld“ angezeigt werden. In diesem Fall können im Modus mit breitem Sichtfeld beide Benutzer auf dem Fahrersitz und dem Beifahrersitz die Bilder sehen, und im Modus mit engem Sichtfeld kann einer der Benutzer auf dem Fahrersitz und dem Beifahrersitz das Bild sehen, so dass der Modus mit breitem Sichtfeld und der Modus mit engem Sichtfeld selektiv in horizontaler Richtung implementiert werden können.
Indes werden die erste Linse 232 und die zweite Linse 234 angewendet, um die Leuchtkraft im Vergleich zur gleichen Fläche durch den Lichtsammeleffekt zu erhöhen, so dass die Licht emittierende Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung die Ansteuerungsspannung verringern kann. Die Erhöhung der Leuchtkraft durch die erste Linse 232 und die zweite Linse 234 wird mit Bezug auf 7A und 7B beschrieben.
7A ist ein Diagramm, das eine relative Leuchtkraft für einen Betrachtungswinkel einer ersten Emissionseinheit einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
7B ist ein Diagramm, das eine relative Leuchtkraft für einen Betrachtungswinkel einer zweiten Emissionseinheit einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
Wie in den 7A und 7B veranschaulicht, haben die erste Emissionseinheit EA1, die die erste Linse 232 enthält, und die zweite Emissionseinheit EA2, die die zweite Linse 234 enthält, eine höhere Leuchtkraft als eine Emissionseinheit, die keine Linse enthält und die gleiche Fläche hat.
Wie in 7A veranschaulicht, wird erkennbar die Lichtausbeute in der ersten Emissionseinheit EA1 um etwa 327 % erhöht.
Wie in 7B veranschaulicht, wird erkennbar die Lichtausbeute in der zweiten Emissionseinheit EA2 um etwa 165 % erhöht.
Dementsprechend können die erste Emissionseinheit EA1 und die zweite Emissionseinheit EA2 mit einer niedrigeren Ansteuerungsspannung angesteuert werden, um den Stromverbrauch zu senken, die Leuchtkraft und die Wärmeentwicklung zu verringern und so die Lebensdauer der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 zu verlängern.
Nachfolgend werden eine Konfiguration und ein Verfahren zur Ansteuerung der Mehrzahl von Sub-Pixeln im Detail beschrieben.
Schaltelemente, die jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln konfigurieren, können durch einen MOSFET-Transistor vom n-Typ oder vom p-Typ implementiert werden. In der folgenden beispielhaften Ausführungsform wird ein Transistor vom p-Typ beschrieben, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
Außerdem ist ein Transistor ein Drei-Elektroden-Element, das eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode enthält. Die Source-Elektrode ist eine Elektrode, die dem Transistor Ladungsträger zuführt. Im Transistor fließen die Ladungsträger von der Source-Elektrode. Die Drain-Elektrode ist eine Elektrode, über die die Ladungsträger aus dem Transistor nach außen abgegeben werden. Entsprechend fließen die Ladungsträger im MOSFET von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode. Da es sich bei den Ladungsträgern im n-Typ-MOSFET (NMOS) um Elektronen handelt, ist die Spannung an der Source-Elektrode niedriger als die Spannung an der Drain-Elektrode, damit die Elektronen von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen können. Da beim MOSFET vom n-Typ die Elektronen von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen, fließt der Strom von der Drain-Elektrode zur Source-Elektrode. Beim MOSFET vom p-Typ (PMOS) sind die Ladungsträger Löcher. Damit die Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen können, ist die Spannung an der Source-Elektrode höher als die Spannung an der Drain-Elektrode. Da beim MOSFET vom Typ p die Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen, fließt der Strom von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode. Es ist jedoch zu beachten, dass die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des MOSFETs nicht fest sind. Beispielsweise können die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des MOSFETs in Abhängigkeit von der angelegten Spannung verändert werden. In der folgenden beispielhaften Ausführungsform sollte die vorliegende Offenbarung nicht durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors begrenzt werden.
8 ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform (z. B. einer ersten Ausführungsform) der vorliegenden Offenbarung.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, einen ersten bis einen siebten Transistor T1 bis T7 und einen Kondensator Cst, ist jedoch nicht darauf beschränkt und kann mehr oder weniger Elemente als dargestellt enthalten. Ein in 8 veranschaulichtes Beispiel repräsentiert eine 7T1C-Struktur, in der sieben Transistoren und ein Kondensator angeordnet sind, aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind nicht darauf beschränkt. So sind beispielsweise auch 3T1C-, 4T1C-, 5T1C-, 3T2C-, 4T2C-, 5T2C-, 6T2C-, 7T1C-, 7T2C-, 8T2C-Strukturen usw. möglich. Es können auch mehr oder weniger Transistoren und Kondensatoren enthalten sein.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht in Reaktion auf einen Ansteuerungsstrom, der vom Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Insbesondere ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit dem siebten Transistor T7 und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden, um Licht in Reaktion auf den ersten Ansteuerungsstrom zu emittieren. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem vierten Transistor T4 verbunden und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden, um Licht in Reaktion auf den zweiten Ansteuerungsstrom zu emittieren.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg angelegt wird. Der oben beschriebene Ansteuerungsstrom ist ein Konzept, das einen ersten Ansteuerungsstrom und einen zweiten Ansteuerungsstrom enthält. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem Eingangsanschluss der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD verbunden, die größer ist als die Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata an einen dritten Knoten N3 an, die von der Datenleitung geliefert wird. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata an den dritten Knoten N3 an, die von der Datenleitung geliefert wird, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Abtastsignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 bildet eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT. Der zweite Transistor T2 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der zweite Transistor T2 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 legt eine Referenzspannung Vref an den dritten Knoten N3 an. Der dritte Transistor T3 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, die eine Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der dritte Transistor T3 die Referenzspannung Vref an den dritten Knoten N3 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 bildet einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein drittes Emissionssignal EM3 überträgt. Der vierte Transistor T4 bildet einen Strompfad zwischen dem ersten Knoten N1, der eine Source-Elektrode des vierten Transistors T4 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das dritte Emissionssignal EM3. Dementsprechend bildet der vierte Transistor T4 einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des dritten Emissionssignals EM3, der ein Einschaltpegel ist. Somit emittiert die zweite Leuchtdiode De2 Licht, während der Ansteuerungstransistor DT und der vierte Transistor T4 eingeschaltet sind, und emittiert kein Licht, wenn der vierte Transistor T4 ausgeschaltet ist.
Der fünfte Transistor T5 legt eine Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 an. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer Initialisierungsspannungsleitung Vini verbunden ist, die die Initialisierungsspannung Vini überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die das zweite Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der fünfte Transistor T5 die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der sechste Transistor T6 legt die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 an. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die Initialisierungsspannung Vini überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die das zweite Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der sechste Transistor T6 die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist. Dabei können die Gate-Elektroden des fünften Transistors T5, des sechsten Transistors T6 und des zweiten Transistors T2 gemeinsam mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden sein.
Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem ersten Knoten N1, der eine Source-Elektrode des siebten Transistors T7 ist, und der ersten Leuchtdiode De1 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend bildet der siebte Transistor T7 einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist. Somit emittiert die erste Leuchtdiode De1 Licht, während der Ansteuerungstransistor DT und der siebte Transistor T7 eingeschaltet sind, und emittiert kein Licht, wenn der siebte Transistor T7 ausgeschaltet ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Speicherkondensators Cst ist mit dem ersten Transistor T1 und dem dritten Transistor T3 verbunden.
9 ist eine Draufsicht auf ein Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
9 veranschaulicht drei Sub-Pixel in einem Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Insbesondere sind in 9 ein Schaltungselement eines ersten Sub-Pixels, ein Schaltungselement eines zweiten Sub-Pixels und ein Schaltungselement eines dritten Sub-Pixels veranschaulicht, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Die oben beschriebenen Schaltungen beziehen sich auf einen Ansteuerungstransistor DT, den ersten bis siebten Transistor T1 bis T7 und einen Kondensator Cst, die in 8 beschrieben wurden.
Das heißt, 9 ist eine Layout-Ansicht der Mehrzahl der Anodenelektroden 162-1, 164-1, 162-2, 164-2, 162-3 und 164-3 und der Mehrzahl der in 3 veranschaulichten Linsen 232-1, 234-1, 232-2, 234-2, 232-3 und 234-3 sowie des Ansteuerungstransistors DT, des ersten bis siebten Transistors T1 bis T7 und des in 8 erwähnten Kondensators Cst.
Mit Bezug auf 9 erstreckt sich eine erste Datenleitung, die eine erste Datenspannung Data_R überträgt, von einer Seite eines Schaltungselements des ersten Sub-Pixels in Richtung der Y-Achse.
Zwischen dem Schaltungselement des ersten Sub-Pixels und dem Schaltungselement des zweiten Sub-Pixels verlaufen in Y-Achsen-Richtung eine Initialisierungsspannungsleitung, die eine Initialisierungsspannung Vini überträgt, eine Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung, die eine Hochpotentialansteuerungsspannung VDD überträgt, und eine zweite Datenleitung, die eine zweite Datenspannung_G überträgt.
Eine Referenzspannungsleitung, die die Referenzspannung Vref überträgt, und eine dritte Datenleitung, die eine dritte Datenspannung Data_B überträgt, verlaufen in Y-Achsenrichtung zwischen dem Schaltungselement des zweiten Sub-Pixels und dem Schaltungselement des dritten Sub-Pixels.
Die Initialisierungsspannungsleitung, die die Initialisierungsspannung Vini überträgt, und die Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung, die die Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung VDD überträgt, verlaufen in Y-Richtung auf der anderen Seite des Schaltungselements des dritten Sub-Pixels.
Indes, mit Bezug auf 9, erstrecken sich eine erste Abtastsignalleitung, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt, und eine erste Emissionssignalleitung, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt, in Richtung der X-Achse an einer Seite des Ansteuerungstransistors DT.
Eine zweite Abtastsignalleitung, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt, eine zweite Emissionssignalleitung, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt, und eine dritte Emissionssignalleitung, die ein drittes Emissionssignal EM3 überträgt, erstrecken sich in Richtung der X-Achse auf der anderen Seite des Ansteuerungstransistors DT. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind jedoch nicht darauf beschränkt, die Position der zweiten Abtastsignalleitung, der zweiten Emissionssignalleitung und der dritten Emissionssignalleitung kann mit der Position der ersten Abtastsignalleitung und der ersten Emissionssignalleitung vertauscht werden.
Die oben beschriebene zweite Abtastsignalleitung, die das zweite Abtastsignal Scan2 überträgt, kann mit zwei Leitungen eingerichtet werden, und eine zweite Sendesignalleitung, die das zweite Sendesignal EM2 überträgt, und eine dritte Sendesignalleitung, die das dritte Sendesignal EM3 überträgt, können zwischen zwei zweiten Abtastsignalleitungen angeordnet werden.
10 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
11A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
11B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
11C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld wird mit Bezug auf 10 bis 11C wie folgt beschrieben.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann in einen anfänglichen Zeitraum Ti, einen Abtastzeitraum Ts und einen Emissionszeitraum Te unterteilt werden. Der anfängliche Zeitraum Ti ist ein Zeitraum, in dem die Spannung des zweiten Knotens N2, der die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, initialisiert wird. Der Abtastzeitraum Ts ist ein Zeitraum, in dem eine Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT abgetastet wird und die Datenspannung Vdata programmiert wird. Der Emissionszeitraum Te ist ein Zeitraum, in dem mindestens eine der Leuchtdioden De1 und De2 Licht gemäß dem Ansteuerungsstrom durch die Source-Gate-Spannung des programmierten Ansteuerungstransistors DT emittiert.
Speziell ist mit Bezug auf 10 in einem Modus mit breitem Sichtfeld („gemeinsamer Modus“) während des anfänglichen Zeitraums Ti das erste Scansignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Scansignal Scan2 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Daher werden, mit Bezug auf 11A, in dem Modus mit breitem Sichtfeld (gemeinsamer Modus) während des anfänglichen Zeitraums Ti der fünfte Transistor T5 und der sechste Transistor T6 eingeschaltet, um die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die Initialisierungsspannung Vini initialisiert.
Im Modus mit breitem Sichtfeld werden während des anfänglichen Zeitraums Ti der zweite Transistor T2 und der vierte Transistor T4 eingeschaltet, um die Initialisierungsspannung Vini an den ersten Knoten N1 und den zweiten Knoten N2 anzulegen. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die Initialisierungsspannung Vini initialisiert.
Die Initialisierungsspannung Vini kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend kleiner als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder kleiner als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Indes wird in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti der dritte Transistor T3 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den dritten Knoten N3 anzulegen. Infolgedessen wird die Initialisierungsspannung Vini an die erste Elektrode des Kondensators Cst und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Mit Bezug auf 10 ist das erste Abtastsignal Scan1 in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 11B wird daher im Modus mit breitem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den dritten Knoten N3 anzulegen. Außerdem wird der zweite Transistor T2 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher sind die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Im Modus mit breitem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Mit Bezug auf 10 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 11C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der dritte Transistor T3 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den dritten Knoten N3 anzulegen. Der zweite Knoten N2 ist über den Kondensator Cst mit dem dritten Knoten N3 gekoppelt, so dass eine Spannungsabweichung (Vdata-Vref) des dritten Knotens N3 an den zweiten Knoten N2 reflektiert wird. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, auf VDD+Vth+(Vdata-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref sein. Der vierte Transistor T4 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck für den Ansteuerungsstrom Ioled, der durch die organische Leuchtdiode OLED während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die folgende Gleichung 1 repräsentiert. $\begin{array}{l} Ioled = k (Vgs - Vth) 2 = k (Vdata + Vth - Vref - Vth) 2 = \\ k (Vdata - Vref) 2 \end{array}$
In Gleichung 1 ist kein Proportionalitätsfaktor, der von der Elektronenbeweglichkeit des Ansteuerungstransistors DT, einer parasitären Kapazität und einer Kanalkapazität bestimmt wird.
Wie aus Gleichung 1 ersichtlich, werden in dem relationalen Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled sowohl die Komponente der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT als auch eine Komponente der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD ausgelöscht. Dies bedeutet, dass in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Ansteuerungsstrom Ioled nicht verändert wird, auch wenn sich die Schwellenspannung Vth und die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD ändern. Das heißt, die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
12A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
12B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
12C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 10 und 12A bis 12C wie folgt beschrieben.
Mit Bezug auf 10 ist als nächstes in einem Modus mit engem Sichtfeld (privater Modus) während des anfänglichen Zeitraums Ti das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Daher werden mit Bezug auf 12A im Modus mit engem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti der fünfte Transistor T5 und der sechste Transistor T6 eingeschaltet, um die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die Initialisierungsspannung Vini an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die Initialisierungsspannung Vini initialisiert.
Im Modus mit engem Sichtfeld werden während des anfänglichen Zeitraums Ti der zweite Transistor T2 und der siebte Transistor T7 eingeschaltet, um die Initialisierungsspannung Vini an den ersten Knoten N1 und den zweiten Knoten N2 anzulegen. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die Initialisierungsspannung Vini initialisiert.
Indes wird in einem Modus mit engem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti der dritte Transistor T3 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den dritten Knoten N3 anzulegen. Infolgedessen wird die Initialisierungsspannung Vini an die erste Elektrode des Kondensators Cst und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Speziell ist mit Bezug auf 10 in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts das erste Abtastsignal Scan1 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 12B wird daher im Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den dritten Knoten N3 anzulegen. Außerdem wird der zweite Transistor T2 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Mit Bezug auf 10 ist in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 12C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der dritte Transistor T3 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den dritten Knoten N3 anzulegen. Der zweite Knoten N2 ist über den Kondensator Cst mit dem dritten Knoten N3 gekoppelt, so dass eine Spannungsabweichung (Vdata-Vref) des dritten Knotens N3 an den zweiten Knoten N2 reflektiert wird. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, auf VDD+Vth+(Vdata-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref sein. Der siebte Transistor T7 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die organische Leuchtdiode OLED während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 1 repräsentiert. Daher kann wie oben beschrieben die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Indes sind in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung, die zur Steuerung eines Betrachtungswinkels eingerichtet ist, die erste Leuchtdiode und die zweite Leuchtdiode in einem Sub-Pixel angeordnet, so dass eine Fläche jeder der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode reduziert ist. Dementsprechend wird die Kapazität der ersten Emissionsdiode und der zweiten Emissionsdiode zwangsläufig reduziert.
Dementsprechend ist der Kopplungsgrad zwischen der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode und der Abtastsignalleitung hoch, und wenn das Abtastsignal ansteigt, wird die Spannung der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode unnötig erhöht.
Insbesondere steigen sowohl das erste Scansignal als auch das zweite Scansignal am Ende des Abtastzeitraums an, so dass ein Spannungsunterschied zwischen der Anodenelektrode und der Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode auf die Schwellenspannung oder mehr ansteigt. Dementsprechend besteht das Problem, dass die Leuchtkraft der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode unnötig erhöht werden.

Wie in Tabelle 1 repräsentiert, wurde beispielsweise bestätigt, dass in einem Modus mit engem Sichtfeld einer Anzeigevorrichtung mit Lichtemission nach dem Stand der Technik die niedrigste weiße Leuchtkraft der ersten Leuchtdiode 0,0946 nit betrug, so dass das Schwarz nicht realisiert wurde. Ferner sollte die zweite Leuchtdiode kein Licht emittieren, sondern Licht von 0,0590 nit erzeugen. Ferner wurde bestätigt, dass in einem Modus mit breitem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung nach dem Stand der Technik die niedrigste weiße Leuchtkraft der zweiten Leuchtdiode 0,0874 nit betrug, so dass die schwarze Graustufe nicht realisiert wurde. Außerdem sollte die erste Leuchtdiode kein Licht emittieren, sondern Licht von 0,0619 nit erzeugen. <Tabelle 1>

Modus		Modus "Enges Sichtfeld		Modus "Weites Sichtfeld
Leuchtdiode		Erste emittierende Leuchtdiode	Zweite emittierende Leuchtdiode (nicht angesteuert)	Erste emittierende Leuchtdiode (nicht angesteuert)	Zweite emittierende Leuchtdiode
Leuchtkraft [nit]	Rot	0.0253	0.015	0.016	0.033
Leuchtkraft [nit]	G	0.	0.	0.	0.
	rün	0678	044	045	054
	Blau	0.0015	0.000	0.001	0.001
	Weiß	0.0946	0.0590	0.0619	0.0874

In der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wurden jedoch zur Unterdrückung des Anstiegs der Leuchtkraft der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode die Anodenelektroden der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode auf eine separate Initialisierungsspannung initialisiert. Die separate Initialisierungsspannung unterschied sich von einer Referenzspannung, die an den Kondensator angelegt wurde. Beispielsweise beträgt der Bereich der Initialisierungsspannung 0 bis 3 Volt, und der Bereich der Referenzspannung beträgt 0 bis 3 Volt.
Insbesondere wurde die Initialisierungsspannung auf die Anodenelektrode jeder der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode eingestellt. Dementsprechend wurde, obwohl die Spannung der Anodenelektrode jeder der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode mit der Abtastsignalleitung gekoppelt war, der Spannungsunterschied zwischen der Anodenelektrode jeder der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode und der Kathodenelektrode auf weniger als die Schwellenspannung eingestellt.
Dementsprechend werden die unnötige Lichtemission und die Erhöhung der Leuchtkraft der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode unterdrückt, um Schwarz einfach zu realisieren.

Zum Beispiel wurde, wie in Tabelle 2 veranschaulicht, bestätigt, dass in einem Modus mit engem Sichtfeld der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die niedrigste weiße Leuchtkraft der ersten Leuchtdiode 0,0001 nit betrug, um die schwarze Farbe leicht zu implementieren, und die zweite Leuchtdiode kein Licht emittierte. Es wurde bestätigt, dass in einem Modus mit engem Sichtfeld der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine niedrigste weiße Leuchtkraft der zweiten Leuchtdiode 0 nit betrug, um das Schwarz vollständig zu realisieren, und die zweite Leuchtdiode emittierte kein Licht. <Tabelle 2>

Modus	Modus "Enges Sichtfeld			Modus "Weites Sichtfeld
Leuchtdiode	Erste emittierende Leuchtdiode		Zweite emittierende Leuchtdiode (nicht angesteuert)	Erste emittierende Leuchtdiode (nicht angesteuert)	Zweite emittierende Leuchtdiode
Leuchtkraft [nit]	Rot	0.000	0.000	0.000	0.000
	Grün	0.001	0.000	0.000	0.000
	Blau	0.000	0.000	0.000	0.000
	Weiß	0.001	0.000	0.000	0.000

Dementsprechend wird in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Initialisierungsspannung separat an die Anodenelektrode der Mehrzahl von Leuchtdioden über die Initialisierungsspannungsleitung angelegt, um nicht nur den Betrachtungswinkel zu steuern, sondern auch die Ausdruckskraft der niedrigen Graustufen in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Nachfolgend wird eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist eine Sub-Pixel-Schaltungsstruktur auf, die sich von derjenigen der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unterscheidet, so dass diese ausführlicher beschrieben wird.
<Eine weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung - Beispielhafte Ausführungsform 2>
13 ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Jedes der Sub-Pixel enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, einen ersten bis einen achten Transistor T1 bis T8 und einen Kondensator Cst.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht in Reaktion auf einen Ansteuerungsstrom, der vom Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Im Einzelnen ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit dem fünften Transistor T5 und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit einem Eingangsanschluss der Ansteuerungsspannung VSS verbunden. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem siebten Transistor T7 und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 angelegt wird, gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 an, die von der Datenleitung geliefert wird. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 an, die von der Datenleitung geliefert wird, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den ersten Knoten N1 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der zweite Transistor T2 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zweite Transistor T2 die Hochpotentialspannung VDD an den ersten Knoten N1 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 bildet eine Diodenverbindung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT. Der dritte Transistor T3 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der dritte Transistor T3 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 legt die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die eine zweite Initialisierungsspannung Vini2 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der vierte Transistor T4 die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Scansignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der fünfte Transistor T5 bildet einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der fünfte Transistor T5 bildet einen Strompfad zwischen dem dritten Knoten N3, der eine Source-Elektrode des fünften Transistors T5 ist, und der ersten Leuchtdiode De1 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend bildet der fünfte Transistor T5 einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist. Somit emittiert die erste Leuchtdiode De1 Licht, während der Ansteuerungstransistor DT und der fünfte Transistor T5 eingeschaltet sind, und emittiert kein Licht, wenn der fünfte Transistor T5 ausgeschaltet ist.
Der sechste Transistor T6 legt eine erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 an. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der sechste Transistor T6 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein drittes Emissionssignal EM3 überträgt. Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem dritten Knoten N3, der eine Source-Elektrode des siebten Transistors T7 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das dritte Emissionssignal EM3. Dementsprechend bildet der siebte Transistor T7 einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des dritten Emissionssignals EM3, der ein Einschaltpegel ist. Somit emittiert die zweite Leuchtdiode De2 Licht, während der Ansteuerungstransistor DT und der siebte Transistor T7 eingeschaltet sind, und emittiert kein Licht, wenn der siebte Transistor T7 ausgeschaltet ist.
Der achte Transistor T8 legt die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 an. Der achte Transistor T8 enthält eine Source-Elektrode, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die das zweite Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der achte Transistor T8 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist an die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD des Speicherkondensators Cst angeschlossen.
14 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
15A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
15B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
15C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
15D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und in einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 14 bis 15D wie folgt beschrieben.
Speziell ist mit Bezug auf 14 das erste Abtastsignal Scan1 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Gemäß 15A wird in einem Modus mit breitem Sichtfeld und in einem Modus mit engem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti dementsprechend nur der vierte Transistor T4 eingeschaltet, um die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 anzulegen, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist. Infolgedessen wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die zweite Initialisierungsspannung Vini2 initialisiert.
Die zweite Initialisierungsspannung Vini2 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend kleiner als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder kleiner als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 14 ist das erste Abtastsignal Scan1 während des Abtastzeitraums Ts sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 15B wird daher sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld (gemeinsamer Modus) als auch im Modus mit engem Sichtfeld (privater Modus) während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anzulegen. Außerdem wird der dritte Transistor T3 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Indes werden der sechste Transistor T6 und der achte Transistor T8 eingeschaltet, um die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die erste Initialisierungsspannung Vini1 initialisiert.
Die erste Initialisierungsspannung Vini1 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der hinreichend kleiner als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder kleiner als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 14 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 15C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-VDD sein. Der siebte Transistor T7 wird ebenfalls eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck für den Ansteuerungsstrom Ioled, der durch die zweite Leuchtdiode De2 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die folgende Gleichung 2 repräsentiert.
$\begin{array}{l} Ioled = k (Vgs - Vth) 2 = k (Vdata + Vth - VDD - Vth) 2 = \\ k (Vdata - VDD) 2 \end{array}$
In Gleichung 2 ist kein Proportionalitätsfaktor, der von der Elektronenbeweglichkeit des Ansteuerungstransistors DT, einer parasitären Kapazität und einer Kanalkapazität bestimmt wird.
Wie aus Gleichung 2 ersichtlich, wird in dem relationalen Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled die Komponente der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT ausgelöscht. Dies bedeutet, dass in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Ansteuerungsstrom Ioled nicht verändert wird, auch wenn sich die Schwellenspannung Vth ändert. Das heißt, die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Datenspannung unabhängig von der Schwellenspannung Vth programmieren.
Mit Bezug auf 14 ist in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 15D wird daher in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-VDD sein. Der fünfte Transistor T5 wird ebenfalls eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 2 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von der Schwellenspannung Vth programmieren.
Ferner wird, wie oben beschrieben, in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste Initialisierungsspannung separat an die Anodenelektrode der Mehrzahl von Leuchtdioden über die erste Initialisierungsspannungsleitung angelegt, um nicht nur den Betrachtungswinkel zu steuern, sondern auch die Ausdruckskraft niedriger Graustufen in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Nachfolgend wird eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 3) beschrieben. Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 3) der vorliegenden Offenbarung weist eine Sub-Pixel-Schaltungsstruktur auf, die sich von derjenigen der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unterscheidet, so dass diese ausführlicher beschrieben wird.
<Weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung - Beispielhafte Ausführungsform 3>
16 ist ein Schaltungsdiagramm zur Veranschaulichung eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 3).
Jedes der Sub-Pixel enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, die ersten bis achten Transistoren T1 bis T8 und einen Kondensator Cst.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht durch einen Ansteuerungsstrom, der von dem Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Insbesondere ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit dem sechsten Transistor T6 und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem achten Transistor T8 verbunden und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 angelegt wird, gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den ersten Knoten N1 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der zweite Transistor T2 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zweite Transistor T2 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 bildet eine Diodenverbindung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT. Der dritte Transistor T3 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der dritte Transistor T3 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 verbindet elektrisch den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit einem dritten Knoten N3 verbunden ist, der eine Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Daher verbindet der vierte Transistor T4 elektrisch den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der fünfte Transistor T5 legt die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die eine zweite Initialisierungsspannung Vini2 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der fünfte Transistor T5 die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Scansignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der sechste Transistor T6 verbindet elektrisch den vierten Knoten N4 und die erste Leuchtdiode De1. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der sechste Transistor T6 bildet einen Strompfad zwischen dem vierten Knoten N4, der eine Source-Elektrode des sechsten Transistors T6 ist, und der ersten Leuchtdiode De1 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend verbindet der sechste Transistor T6 den vierten Knoten N4 und die erste Leuchtdiode De1 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist, elektrisch.
Der siebte Transistor T7 legt eine erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 an. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der siebte Transistor T7 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der achte Transistor T8 verbindet elektrisch den vierten Knoten N4 und die zweite Leuchtdiode De2. Der achte Transistor T8 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein drittes Emissionssignal EM3 überträgt. Der achte Transistor T8 bildet einen Strompfad zwischen dem vierten Knoten N4, der eine Source-Elektrode des achten Transistors T8 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das dritte Emissionssignal EM3. Dementsprechend verbindet der achte Transistor T8 elektrisch den vierten Knoten N4 und die zweite Leuchtdiode De2 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des dritten Emissionssignals EM3, der ein Einschaltpegel ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist an die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD des Speicherkondensators Cst angeschlossen.
17 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 3) der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
18A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 3).
18B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 3).
18C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 3).
18D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 3).
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 3) der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 17 bis 18D wie folgt beschrieben.
Speziell ist mit Bezug auf 17 im Modus mit breitem Sichtfeld und im Modus mit engem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti das erste Abtastsignal Scan1 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Im Modus mit breitem Sichtfeld ist jedoch während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Im Modus mit engem Sichtfeld ist jedoch während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Dementsprechend, mit Bezug auf 18A, wird der fünfte Transistor T5 sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti eingeschaltet, um die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 anzulegen, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die zweite Initialisierungsspannung Vini2 initialisiert.
Die zweite Initialisierungsspannung Vini2 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend kleiner als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder kleiner als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 17 ist das erste Abtastsignal Scan1 während des Abtastzeitraums Ts sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 18B wird daher sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anzulegen. Außerdem wird der dritte Transistor T3 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Indes werden der sechste Transistor T6, der siebte Transistor T7 und der achte Transistor T8 eingeschaltet, um die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die erste Initialisierungsspannung Vini1 initialisiert.
Die erste Initialisierungsspannung Vini1 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 17 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 18C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-VDD sein. Der vierte Transistor T4 wird eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4 zu verbinden, und der achte Transistor T8 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die zweite Leuchtdiode De2 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 2 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 3) eine Datenspannung unabhängig von der Schwellenspannung Vth programmieren.
Mit Bezug auf 17 ist im Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 18D wird daher in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-VDD sein. Der vierte Transistor T4 wird eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4 zu verbinden, und der sechste Transistor T6 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 2 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 3) eine Datenspannung unabhängig von der Schwellenspannung Vth programmieren.
Ferner wird, wie oben beschrieben, in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 3) der vorliegenden Offenbarung eine erste Initialisierungsspannung separat an die Anodenelektrode der Mehrzahl von Leuchtdioden über die erste Initialisierungsspannungsleitung angelegt, um nicht nur den Betrachtungswinkel zu steuern, sondern auch die Ausdruckskraft niedriger Graustufen in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Nachfolgend wird eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 4) beschrieben. Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 4) der vorliegenden Offenbarung weist eine Sub-Pixel-Schaltungsstruktur auf, die sich von derjenigen der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unterscheidet, so dass diese näher beschrieben wird.
<Weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung - Beispielhafte Ausführungsform 4>
19 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Sub-Pixel einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht (Beispielhafte Ausführungsform 4).
Jedes der Sub-Pixel enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, den ersten bis siebten Transistor T1 bis T7 und einen Kondensator Cst.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht durch einen Ansteuerungsstrom, der von dem Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Insbesondere ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 über den vierten Knoten N4 mit dem fünften Transistor T5 verbunden, und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 ist mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem siebten Transistor T7 verbunden und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 angelegt wird, gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 an, die von der Datenleitung geliefert wird. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den ersten Knoten N1 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der zweite Transistor T2 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zweite Transistor T2 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 bildet eine Diodenverbindung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DR. Der dritte Transistor T3 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der dritte Transistor T3 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 legt die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die eine zweite Initialisierungsspannung Vini2 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der vierte Transistor T4 die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Scansignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der fünfte Transistor T5 verbindet elektrisch den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit einem dritten Knoten N3 verbunden ist, der eine Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Daher verbindet der fünfte Transistor T5 elektrisch den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der sechste Transistor T6 legt die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 an. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die das zweite Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der sechste Transistor T6 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der siebte Transistor T7 verbindet elektrisch den vierten Knoten N4 und die zweite Leuchtdiode De2. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem vierten Knoten N4, der eine Source-Elektrode des siebten Transistors T7 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend verbindet der siebte Transistor T7 elektrisch den vierten Knoten N4 und die zweite Leuchtdiode De2 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist an die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD des Speicherkondensators Cst angeschlossen.
20 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 4) der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
21A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 4).
21B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 4) .
21C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 4).
21D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 4).
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 4) der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 20 bis 21D wie folgt beschrieben.
Speziell ist mit Bezug auf 20 im Modus mit breitem Sichtfeld und im Modus mit engem Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti das erste Abtastsignal Scan1 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Abtastsignal Scan2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das erste Emissionssignal EM1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Im Modus mit breitem Sichtfeld ist jedoch während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und im Modus mit engem Sichtfeld ist während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Dementsprechend wird mit Bezug auf 21A der vierte Transistor T4 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld eingeschaltet, um die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 anzulegen, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die zweite Initialisierungsspannung Vini2 initialisiert.
Die zweite Initialisierungsspannung Vini2 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend kleiner als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder kleiner als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Speziell ist mit Bezug auf 20 das erste Abtastsignal Scan1 während des Abtastzeitraums Ts sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 21B wird daher sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anzulegen. Außerdem wird der dritte Transistor T3 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Indes werden der sechste Transistor T6 und der siebte Transistor T7 eingeschaltet, um die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die erste Initialisierungsspannung Vini1 initialisiert.
Die erste Initialisierungsspannung Vini1 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 20 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 21C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-VDD sein. Der fünfte Transistor T5 wird ebenfalls eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4 zu verbinden, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Der siebte Transistor T7 wird ebenfalls eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Dadurch wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 2 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 4) eine Datenspannung unabhängig von der Schwellenspannung Vth programmieren.
Mit Bezug auf 20 ist in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 21D wird daher in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-VDD sein. Der fünfte Transistor T5 wird eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den vierten Knoten N4 zu verbinden, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 2 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 4) eine Datenspannung unabhängig von der Schwellenspannung Vth programmieren.
Ferner wird, wie oben beschrieben, in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 4) der vorliegenden Offenbarung eine erste Initialisierungsspannung separat an die Anodenelektrode der Mehrzahl von Leuchtdioden über die erste Initialisierungsspannungsleitung angelegt, um nicht nur den Betrachtungswinkel zu steuern, sondern auch die Ausdruckskraft niedriger Graustufen in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Nachfolgend wird eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 5) beschrieben. Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 5) der vorliegenden Offenbarung weist eine Sub-Pixel-Schaltungsstruktur auf, die sich von derjenigen der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unterscheidet, so dass diese ausführlicher beschrieben wird.
<Eine weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung - Beispielhafte Ausführungsform 5>
22 ist ein Schaltungsdiagramm zur Veranschaulichung eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 5).
Jedes Sub-Pixel enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, den ersten bis elften Transistor T1 bis T11 und einen Kondensator Cst.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht durch einen Ansteuerungsstrom, der von dem Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Insbesondere ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit dem fünften Transistor T5 und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem siebten Transistor T7 verbunden und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 angelegt wird, gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 an, die von der Datenleitung geliefert wird. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung zugeführt wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 legt eine Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an. Der zweite Transistor T2 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zweite Transistor T2 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 bildet eine Diodenverbindung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT. Der dritte Transistor T3 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der dritte Transistor T3 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 legt die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die eine zweite Initialisierungsspannung Vini2 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der vierte Transistor T4 die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Scansignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der fünfte Transistor T5 bildet einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der fünfte Transistor T5 bildet einen Strompfad zwischen dem dritten Knoten N3, der eine Source-Elektrode des fünften Transistors T5 ist, und der ersten Leuchtdiode De1 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend bildet der fünfte Transistor T5 einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist.
Der sechste Transistor T6 legt eine erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 an. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der sechste Transistor T6 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein drittes Emissionssignal EM3 überträgt. Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem dritten Knoten N3, der eine Source-Elektrode des siebten Transistors T7 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das dritte Emissionssignal EM3. Dementsprechend bildet der siebte Transistor T7 einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des dritten Emissionssignals EM3, der ein Einschaltpegel ist.
Der achte Transistor T8 legt die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 an. Der achte Transistor T8 enthält eine Source-Elektrode, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung Vini1 verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die das zweite Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der achte Transistor T8 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der neunte Transistor T9 legt eine Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 an. Der neunte Transistor T9 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, die die Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der neunte Transistor T9 die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Abtastsignals Scan1 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der zehnte Transistor T10 legt eine Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 an. Der zehnte Transistor T10 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, die die Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der zehnte Transistor T10 die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der elfte Transistor T11 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den vierten Knoten N4 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der elfte Transistor T11 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der elfte Transistor T11 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den vierten Knoten N4 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist mit dem elften Transistor T11 verbunden.
23 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 5) der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
24A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (beispielhafte Ausführungsform 5).
24B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 5).
24C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 5).
24D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 5).
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 5) der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 23 bis 24D wie folgt beschrieben.
Speziell ist mit Bezug auf 23 das erste Abtastsignal Scan1 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Dementsprechend wird gemäß 24A der vierte Transistor T4 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld eingeschaltet, um die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 anzulegen, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die zweite Initialisierungsspannung Vini2 initialisiert.
Die zweite Initialisierungsspannung Vini2 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld wird während des anfänglichen Zeitraums Ti der neunte Transistor T9 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 anzulegen. Daher wird die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an die erste Elektrode des Kondensators Cst und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Die Referenzspannung Vref kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend kleiner als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder kleiner als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Speziell ist mit Bezug auf 23 das erste Abtastsignal Scan1 während des Abtastzeitraums Ts sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 24B wird daher sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anzulegen. Außerdem wird der dritte Transistor T3 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld wird während des Abtastzeitraums Ts der zehnte Transistor T10 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 anzulegen. Daher wird eine Spannung Vdata+Vth, die einer Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht, an die erste Elektrode des Kondensators Cst angelegt und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Indes werden der sechste Transistor T6 und der achte Transistor T8 eingeschaltet, um die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die erste Initialisierungsspannung Vini1 initialisiert.
Die erste Initialisierungsspannung Vini1 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 23 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 24C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher wird der elfte Transistor T11 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den vierten Knoten N4 anzulegen. Das heißt, im vierten Knoten N4 steigt die Spannung von der Referenzspannung Vref auf die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an. Der zweite Knoten N2 ist über den Kondensator Cst mit dem vierten Knoten N4 gekoppelt, so dass eine Spannungsabweichung (VDD-Vref) des vierten Knotens N4 an den zweiten Knoten N2 reflektiert wird. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, auf VDD+Vth+(VDD-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref sein. Der zehnte Transistor T10 wird ebenfalls eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem dritten Knoten N3 und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Im Modus mit breitem Sichtfeld wird ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die zweite Leuchtdiode De2 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, durch die folgende Gleichung 3 repräsentiert. $\begin{array}{l} Ioled = k (Vgs - Vth) 2 = k (Vdata + Vth - Vref - Vth) 2 = \\ k (Vdata - Vref) 2 \end{array}$
In Gleichung 3 ist kein Proportionalitätsfaktor, der von der Elektronenbeweglichkeit des Ansteuerungstransistors DT, einer parasitären Kapazität und einer Kanalkapazität bestimmt wird.
Wie aus Gleichung 3 ersichtlich, werden in dem relationalen Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled sowohl die Komponente der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT als auch eine Komponente der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD ausgelöscht. Dies bedeutet, dass in der organischen Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Ansteuerungsstrom Ioled nicht verändert wird, auch wenn sich die Schwellenspannung Vth und die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD ändern. Das heißt, die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 5) der vorliegenden Offenbarung kann eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Mit Bezug auf 23 ist in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 24D wird daher in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher wird der elfte Transistor T11 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den vierten Knoten N4 anzulegen. Das heißt, im vierten Knoten N4 steigt die Spannung von der Referenzspannung Vref auf die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2 durch Kopplung des oben beschriebenen Kondensators Cst auf VDD+Vth+(VDD-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref betragen. Der fünfte Transistor T5 wird ebenfalls eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem dritten Knoten N3 und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 angelegt.
In dem Modus mit engem Sichtfeld wird ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, durch die oben beschriebene Gleichung 3 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 5) der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Ferner wird, wie oben beschrieben, in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 5) der vorliegenden Offenbarung eine erste Initialisierungsspannung separat an die Anodenelektrode der Mehrzahl von Leuchtdioden über die erste Initialisierungsspannungsleitung angelegt, um nicht nur den Betrachtungswinkel zu steuern, sondern auch die Ausdruckskraft niedriger Graustufen in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Nachfolgend wird eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 6) beschrieben. Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 6) der vorliegenden Offenbarung weist eine Sub-Pixel-Schaltungsstruktur auf, die sich von derjenigen der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unterscheidet, so dass diese ausführlicher beschrieben wird.
<Weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung - Beispielhafte Ausführungsform 6>
25 ist ein Schaltungsdiagramm zur Veranschaulichung eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 6).
Jedes der Sub-Pixel enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, einen ersten bis einen elften Transistor T1 bis T11 und einen Kondensator Cst.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht durch einen Ansteuerungsstrom, der von dem Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Insbesondere ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit dem sechsten Transistor T6 und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem achten Transistor T8 verbunden und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit einem Eingangsanschluss der Ansteuerungsspannung VSS verbunden.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 angelegt wird, gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 an, die von der Datenleitung geliefert wird. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den ersten Knoten N1 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der zweite Transistor T2 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zweite Transistor T2 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 bildet eine Diodenverbindung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT. Der dritte Transistor T3 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der dritte Transistor T3 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 verbindet elektrisch den dritten Knoten N3 und einen fünften Knoten N5. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit einem dritten Knoten N3 verbunden ist, der eine Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem fünften Knoten N5 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Daher verbindet der vierte Transistor T4 elektrisch den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der fünfte Transistor T5 legt die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die eine zweite Initialisierungsspannung Vini2 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der fünfte Transistor T5 die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Scansignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der sechste Transistor T6 verbindet elektrisch den fünften Knoten N5 und die erste Leuchtdiode De1. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem fünften Knoten N5 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der sechste Transistor T6 bildet einen Strompfad zwischen dem fünften Knoten N5, der eine Source-Elektrode des sechsten Transistors T6 ist, und der ersten Leuchtdiode De1 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend verbindet der sechste Transistor T6 den fünften Knoten N5 und die erste Leuchtdiode De1 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist, elektrisch.
Der siebte Transistor T7 legt eine erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 an. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der siebte Transistor T7 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der achte Transistor T8 verbindet elektrisch den fünften Knoten N5 und die zweite Leuchtdiode De2. Der achte Transistor T8 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem fünften Knoten N5 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein drittes Emissionssignal EM3 überträgt. Der achte Transistor T8 bildet einen Strompfad zwischen dem fünften Knoten N5, der eine Source-Elektrode des achten Transistors T8 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das dritte Emissionssignal EM3. Dementsprechend verbindet der achte Transistor T8 elektrisch den fünften Knoten N5 und die zweite Leuchtdiode De2 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des dritten Emissionssignals EM3, der ein Einschaltpegel ist.
Der neunte Transistor T9 legt eine Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 an. Der neunte Transistor T9 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, die die Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der neunte Transistor T9 die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Abtastsignals Scan1 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der zehnte Transistor T10 legt eine Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 an. Der zehnte Transistor T10 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, die die Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der zehnte Transistor T10 die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der elfte Transistor T11 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den vierten Knoten N4 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der elfte Transistor T11 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der elfte Transistor T11 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den vierten Knoten N4 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist mit dem elften Transistor T11 verbunden.
26 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 6) der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
27A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 6).
27B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 6).
27C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 6).
27D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 6).
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 6) der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 26 bis 27D wie folgt beschrieben.
Speziell ist mit Bezug auf 26 sowohl im weiten als auch im engen Sichtfeld während des anfänglichen Zeitraums Ti das erste Scansignal Scan1 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Scansignal Scan2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das erste Emissionssignal EM1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Im weiten Sichtfeld ist jedoch während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal Em3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Im engen Sichtfeld jedoch ist das zweite Emissionssignal EM2 während des anfänglichen Zeitraums Ti ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Dementsprechend wird gemäß 27A der fünfte Transistor T5 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld eingeschaltet, um die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 anzulegen, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die zweite Initialisierungsspannung Vini2 initialisiert.
Die zweite Initialisierungsspannung Vini2 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld wird während des anfänglichen Zeitraums Ti der neunte Transistor T9 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 anzulegen. Daher wird die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an die erste Elektrode des Kondensators Cst und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Die Referenzspannung Vref kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Speziell ist mit Bezug auf 26 das erste Abtastsignal Scan1 während des Abtastzeitraums Ts sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 27B wird daher sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anzulegen. Außerdem wird der dritte Transistor T3 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld wird während des Abtastzeitraums Ts der zehnte Transistor T10 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 anzulegen. Daher wird eine Spannung Vdata+Vth, die einer Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht, an die erste Elektrode des Kondensators Cst angelegt und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Indes werden der sechste Transistor T6, der siebte Transistor T7 und der achte Transistor T8 eingeschaltet, um die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die erste Initialisierungsspannung Vini1 initialisiert.
Die erste Initialisierungsspannung Vini1 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 26 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 27C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher wird der elfte Transistor T11 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den vierten Knoten N4 anzulegen. Das heißt, im vierten Knoten N4 steigt die Spannung von der Referenzspannung Vref auf die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an. Der zweite Knoten N2 ist über den Kondensator Cst mit dem vierten Knoten N4 gekoppelt, so dass eine Spannungsabweichung (VDD-Vref) des vierten Knotens N4 an den zweiten Knoten N2 reflektiert wird. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, auf VDD+Vth+(VDD-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref sein. Der vierte Transistor T4 wird eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5 zu verbinden, und der achte Transistor T8 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die zweite Leuchtdiode De2 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 3 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 6) der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Mit Bezug auf 26 ist in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das dritte Emissionssignal EM3 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 27D wird daher in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher wird der elfte Transistor T11 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den vierten Knoten N4 anzulegen. Das heißt, im vierten Knoten N4 steigt die Spannung von der Referenzspannung Vref auf die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2 durch Kopplung des oben beschriebenen Kondensators Cst auf Vdata+Vth+(VDD-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref betragen. Der vierte Transistor T4 wird eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5 zu verbinden, und der sechste Transistor T6 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Infolgedessen wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 3 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 6) der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Ferner wird, wie oben beschrieben, in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 6) der vorliegenden Offenbarung eine erste Initialisierungsspannung separat an die Anodenelektrode der Mehrzahl von Leuchtdioden über die erste Initialisierungsspannungsleitung angelegt, um nicht nur den Betrachtungswinkel zu steuern, sondern auch die Ausdruckskraft niedriger Graustufen in der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Nachfolgend wird eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 7) beschrieben. Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 7) der vorliegenden Offenbarung weist eine Sub-Pixel-Schaltungsstruktur auf, die sich von derjenigen der Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unterscheidet, so dass diese ausführlicher beschrieben wird.
<Weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung - Beispielhafte Ausführungsform 7>
28 ist ein Schaltungsdiagramm zur Veranschaulichung eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 7).
Jedes Sub-Pixel enthält eine Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2, einen Ansteuerungstransistor DT, den ersten bis zehnten Transistor T1 bis T10 und einen Kondensator Cst.
Die Mehrzahl der Leuchtdioden De1 und De2 enthält eine erste Leuchtdiode De1 und eine zweite Leuchtdiode De2. Jede der ersten Leuchtdiode De1 und der zweiten Leuchtdiode De2 emittiert Licht durch einen Ansteuerungsstrom, der von dem Ansteuerungstransistor DT geliefert wird. Insbesondere ist die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 über den fünften Knoten N5 mit dem vierten Transistor T4 verbunden und die Kathodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 ist mit einem Eingangsanschluss der Ansteuerungsspannung VSS verbunden. Die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit dem siebten Transistor T7 verbunden und die Kathodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 ist mit einem Eingangsanschluss der Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS verbunden.
Der Ansteuerungstransistor DT steuert einen Ansteuerungsstrom, der an jede der Mehrzahl von Leuchtdioden De1 und De2 angelegt wird, gemäß seiner Source-Gate-Spannung Vsg. Eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, eine Gate-Elektrode ist mit einem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine Drain-Elektrode ist mit einem dritten Knoten N3 verbunden.
Der erste Transistor T1 legt eine Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 an, die von der Datenleitung geliefert wird. Der erste Transistor T1 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der erste Transistor T1 eine Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der zweite Transistor T2 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den ersten Knoten N1 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der zweite Transistor T2 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zweite Transistor T2 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den ersten Knoten N1 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der dritte Transistor T3 bildet eine Diodenverbindung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT. Der dritte Transistor T3 enthält eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher bildet der dritte Transistor T3 eine Diodenverbindung zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2, der ein Einschaltpegel ist.
Der vierte Transistor T4 legt die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an. Der vierte Transistor T4 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die eine zweite Initialisierungsspannung Vini2 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der vierte Transistor T4 die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Scansignals Scan1, der ein Einschaltpegel ist.
Der fünfte Transistor T5 verbindet elektrisch den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5. Der fünfte Transistor T5 enthält eine Source-Elektrode, die mit einem dritten Knoten N3 verbunden ist, der eine Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem fünften Knoten N5 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Daher verbindet der fünfte Transistor T5 elektrisch den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der sechste Transistor T6 legt eine erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 an. Der sechste Transistor T6 enthält eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, die die erste Initialisierungsspannung Vini1 überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Daher legt der sechste Transistor T6 die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als Reaktion auf den niedrigen Pegel des zweiten Scansignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der siebte Transistor T7 verbindet elektrisch den fünften Knoten N5 und die zweite Leuchtdiode De2. Der siebte Transistor T7 enthält eine Source-Elektrode, die mit dem fünften Knoten N5 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, die ein zweites Emissionssignal EM2 überträgt. Der siebte Transistor T7 bildet einen Strompfad zwischen dem fünften Knoten N5, der eine Source-Elektrode des siebten Transistors T7 ist, und der zweiten Leuchtdiode De2 in Reaktion auf das zweite Emissionssignal EM2. Dementsprechend verbindet der siebte Transistor T7 elektrisch den fünften Knoten N5 und die zweite Leuchtdiode De2 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Emissionssignals EM2, der ein Einschaltpegel ist.
Der achte Transistor T8 legt eine Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 an. Der achte Transistor T8 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, die die Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein erstes Abtastsignal Scan1 überträgt. Dementsprechend legt der achte Transistor T8 die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Abtastsignals Scan1 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der neunte Transistor T9 legt eine Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 an. Der neunte Transistor T9 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, die die Referenzspannung Vref überträgt, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, die ein zweites Abtastsignal Scan2 überträgt. Dementsprechend legt der neunte Transistor T9 die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 in Reaktion auf einen niedrigen Pegel des zweiten Abtastsignals Scan2 an, der ein Einschaltpegel ist.
Der zehnte Transistor T10 legt eine Hochpotentialspannung VDD an den vierten Knoten N4 an, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird. Der zehnte Transistor T10 enthält eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, die ein erstes Emissionssignal EM1 überträgt. Dementsprechend legt der zehnte Transistor T10 die Hochpotentialspannung VDD, die von der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung geliefert wird, an den vierten Knoten N4 an, und zwar als Reaktion auf einen niedrigen Pegel des ersten Emissionssignals EM1, der ein Einschaltpegel ist.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten N4 verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist mit dem zehnten Transistor T10 verbunden.
Der Kondensator Cst enthält eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist. Das heißt, eine Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden und die andere Elektrode des Kondensators Cst ist an die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD des Speicherkondensators Cst angeschlossen.
29 ist eine Wellenform, die ein Emissionssignal und ein Abtastsignal in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 7) der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
30A ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines anfänglichen Zeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 7).
30B ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Abtastzeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Beispielhafte Ausführungsform 7).
30C ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit breitem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 7).
30D ist ein Schaltungsdiagramm eines Sub-Pixels einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung während eines Emissionszeitraums in einem Modus mit engem Sichtfeld gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung (Ausführungsform 7).
Die Ansteuerung einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (Beispielhafte Ausführungsform 7) der vorliegenden Offenbarung in einem Modus mit breitem Sichtfeld und einem Modus mit engem Sichtfeld wird mit Bezug auf 29 bis 30D wie folgt beschrieben.
Speziell ist mit Bezug auf 29 das erste Abtastsignal Scan1 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl im weiten als auch im engen Sichtfeld ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, das zweite Abtastsignal Scan2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das erste Emissionssignal EM1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Im Modus mit breitem Sichtfeld ist jedoch während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und im Modus mit engem Sichtfeld ist während des anfänglichen Zeitraums Ti das zweite Emissionssignal EM2 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Dementsprechend wird gemäß 30A der vierte Transistor T4 während des anfänglichen Zeitraums Ti sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld eingeschaltet, um die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an den zweiten Knoten N2 anzulegen, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist. Dadurch wird die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT auf die zweite Initialisierungsspannung Vini2 initialisiert.
Die zweite Initialisierungsspannung Vini2 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld wird während des anfänglichen Zeitraums Ti der achte Transistor T8 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 anzulegen. Daher wird die zweite Initialisierungsspannung Vini2 an die erste Elektrode des Kondensators Cst und die Referenzspannung Vref an die zweite Elektrode angelegt.
Die Referenzspannung Vref kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als die Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors DT ist, und kann so eingestellt werden, dass sie gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 29 ist das erste Abtastsignal Scan1 während des Abtastzeitraums Ts sowohl in einem Modus mit breitem Sichtfeld als auch in einem Modus mit engem Sichtfeld ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 30B wird daher sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld während des Abtastzeitraums Ts der erste Transistor T1 eingeschaltet, um die Datenspannung Vdata an den ersten Knoten N1 anzulegen. Außerdem wird der dritte Transistor T3 ebenfalls eingeschaltet, so dass der Ansteuerungstransistor DT eine Diodenverbindung bildet. Daher werden die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT kurzgeschlossen, so dass der Ansteuerungstransistor DT als Diode arbeitet.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld fließt während des Abtastzeitraums Ts ein Strom Ids zwischen der Source und der Drain des Ansteuerungstransistors DT. Die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT sind als Diode geschaltet, so dass die Spannung des zweiten Knotens N2 durch den von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließenden Strom ansteigt, bis die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vth wird. Während des Abtastzeitraums Ts wird die Spannung des zweiten Knotens N2 mit einer Spannung Vdata+Vth geladen, die der Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Sowohl im Modus mit breitem Sichtfeld als auch im Modus mit engem Sichtfeld wird während des Abtastzeitraums Ts der neunte Transistor T9 eingeschaltet, um die Referenzspannung Vref an den vierten Knoten N4 anzulegen. Daher wird eine Spannung Vdata+Vth, die einer Summe aus der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors entspricht, an die erste Elektrode des Kondensators Cst angelegt, und die Referenzspannung Vref wird an die zweite Elektrode angelegt.
Indes werden der sechste Transistor T6 und der siebte Transistor T7 eingeschaltet, um die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 anzulegen und die erste Initialisierungsspannung Vini1 an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 anzulegen. Dadurch werden sowohl die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode De1 als auch die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode De2 auf die erste Initialisierungsspannung Vini1 initialisiert.
Die erste Initialisierungsspannung Vini1 kann in einem Spannungsbereich gewählt werden, der ausreichend niedriger als eine Betriebsspannung der Leuchtdioden De1 und De2 ist, und kann auf eine Spannung eingestellt werden, die gleich oder niedriger als eine Niedrigpotentialansteuerungsspannung VSS ist.
Mit Bezug auf 29 ist in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Emissionssignal EM2 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 30C wird daher in einem Modus mit breitem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher wird der zehnte Transistor T10 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den vierten Knoten N4 anzulegen. Das heißt, im vierten Knoten N4 steigt die Spannung von der Bezugsspannung Vref auf die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an. Der zweite Knoten N2 ist über den Kondensator Cst mit dem vierten Knoten N4 gekoppelt, so dass eine Spannungsabweichung (VDD-Vref) des vierten Knotens N4 an den zweiten Knoten N2 reflektiert wird. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2, der eine Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT ist, auf Vdata+Vth+(VDD-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref sein. Der fünfte Transistor T5 wird ebenfalls eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5 zu verbinden, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden. Der siebte Transistor T7 wird eingeschaltet, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der zweiten Leuchtdiode De2 zu bilden. Dadurch wird ein Ansteuerungsstrom, der durch die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT fließt, an die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 angelegt.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 und die zweite Leuchtdiode De2 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 3 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 7) der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Mit Bezug auf 29 ist in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te das erste Abtastsignal Scan1 ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist, und das zweite Abtastsignal Scan2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist. Das erste Emissionssignal EM1 ist ein niedriger Pegel, der ein Einschaltpegel ist, und das zweite Emissionssignal EM2 ist ein hoher Pegel, der ein Abschaltpegel ist.
Mit Bezug auf 30D wird daher in einem Modus mit engem Sichtfeld während des Emissionszeitraums Te der zweite Transistor T2 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den ersten Knoten N1 anzulegen. Daher wird der zehnte Transistor T10 eingeschaltet, um die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an den vierten Knoten N4 anzulegen. Das heißt, im vierten Knoten N4 steigt die Spannung von der Referenzspannung Vref auf die Hochpotentialansteuerungsspannung VDD an. Dementsprechend wird eine Spannung des zweiten Knotens N2 durch Kopplung des vierten Knotens N4 über den Kondensator Cst auf Vdata+Vth+(VDD-Vref) geändert. Daher kann eine Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors DT Vdata+Vth-Vref betragen. Der fünfte Transistor T5 wird ebenfalls eingeschaltet, um den dritten Knoten N3 und den fünften Knoten N5 zu verbinden, um einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor DT und der ersten Leuchtdiode De1 zu bilden.
Ein relationaler Ausdruck des Ansteuerungsstroms Ioled, der durch die erste Leuchtdiode De1 während des Ansteuerungszeitraums Te fließt, wird durch die oben beschriebene Gleichung 3 repräsentiert. Daher kann die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform (beispielhafte Ausführungsform 7) der vorliegenden Offenbarung eine Datenspannung unabhängig von einer Abweichung der Schwellenspannung Vth und der Hochpotentialansteuerungsspannung VDD programmieren.
Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung kann eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung ein Anzeigepanel enthalten, in dem eine Mehrzahl von Pixeln angeordnet sein kann, wobei jedes der Mehrzahl von Pixeln eine Mehrzahl von Sub-Pixeln enthalten kann, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln enthalten kann eine erste Leuchtdiode, die zum Emittieren von Licht durch einen ersten Ansteuerungsstrom eingerichtet ist; eine erste Linse, die das von der ersten Leuchtdiode emittierte Licht bricht; eine zweite Leuchtdiode, die zum Emittieren von Licht durch einen zweiten Ansteuerungsstrom eingerichtet ist; eine zweite Linse, die das von der zweiten Leuchtdiode emittierte Licht bricht; einen Ansteuerungstransistor, der zum Steuern der Ansteuerungsströme eingerichtet ist, und einen Kondensator, der mit dem Ansteuerungstransistor verbunden sein kann, und wobei sowohl eine Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode als auch eine Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode auf eine Spannung initialisiert werden kann, die sich von einer Spannung unterscheidet, die an den Kondensator angelegt werden kann.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann selektiv in einem ersten Modus und einem zweiten Modus angesteuert werden, wobei im ersten Modus die erste Leuchtdiode Licht emittieren kann, so dass von der ersten Leuchtdiode emittiertes Licht von der ersten Linse mit einem begrenzten Betrachtungswinkel nur in einer ersten Richtung ausgegeben werden kann, und im zweiten Modus die zweite Leuchtdiode Licht emittieren kann, so dass von der zweiten Leuchtdiode emittiertes Licht von der zweiten Linse mit einem begrenzten Betrachtungswinkel in der ersten Richtung und einer zweiten Richtung ausgegeben werden kann.
Im ersten Modus und im zweiten Modus können die erste Leuchtdiode und die zweite Leuchtdiode unterschiedlich angesteuert werden.
Bei der ersten Linse kann es sich um eine halbkugelförmige Linse und bei der zweiten Linse um eine halbzylindrische Linse handeln.
Die Mehrzahl von Sub-Pixeln kann ein erstes Sub-Pixel, ein zweites Sub-Pixel und ein drittes Sub-Pixel enthalten, und die Anzahl der im ersten Sub-Pixel angeordneten ersten Linsen kann sich von der Anzahl der im zweiten Sub-Pixel angeordneten zweiten Linsen oder von der Anzahl der im dritten Sub-Pixel angeordneten dritten Linsen unterscheiden.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann während eines anfänglichen Zeitraums, eines Abtastzeitraums und eines Emissionszeitraums separat angesteuert werden, wobei während des anfänglichen Zeitraums eine Spannung einer Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors initialisiert werden kann und während des Abtastzeitraums kann eine Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors abgetastet und die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode bzw. die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode initialisiert werden, und während des Emissionszeitraums kann der Ansteuerungsstrom an jede der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode angelegt werden, so dass jede der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode Licht emittiert.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann umfassen: Einen ersten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er dem Kondensator eine Datenspannung zuführt; einen zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er dem Kondensator eine Referenzspannung zuführt; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode liefert; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode liefert; und einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode enthalten, die mit einem Eingangsanschluss einer Hochpotentialansteuerungsspannung verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor kann eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine mit dem dritten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode enthalten, die mit der Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode enthalten,, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor kann eine Source-Elektrode enthalten, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, und der Kondensator kann eine erste Elektrode enthalten, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann einen ersten Transistor enthalten, der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode liefert; einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet; und einen achten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode liefert.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, enthalten, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zweite Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist , eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist , eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der siebte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist enthalten, der achte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist , eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, und der Kondensator kann eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist und eine mit der Gate-Hoch-Spannungs-Leitung verbundene zweite Elektrode enthalten.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann ferner einen ersten Transistor enthalten, der so eingerichtet ist, dass er einer Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors eine Datenspannung zuführt; zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors eine Hochpotentialansteuerungsspannung zuführt; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die Emission der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode steuert; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors eine zweite Initialisierungsspannung zuführt; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet; einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode eine erste Ansteuerungsspannung zuführt; und einen achten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, enthalten, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zweite Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der achte Transistor kann eine Source-Elektrode enthalten, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, und der Kondensator kann eine erste Elektrode enthalten, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Gate-Hoch-Spannungs-Leitung verbunden ist.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann ferner einen ersten Transistor enthalten, der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine erste Ansteuerungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode liefert; und einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, enthalten, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zweite Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine mit dem ersten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist , eine mit dem dritten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine mit der ersten Emissionssignalleitung verbundene Gate-Elektrode enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist , eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode enthalten, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der siebte Transistor kann eine Source-Elektrode enthalten, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, und der Kondensator kann eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Gate-Hoch-Spannungs-Leitung verbunden ist, enthalten.
Jedes der mehreren Subpixel kann ferner einen ersten Transistor enthalten, der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode eine erste Initialisierungsspannung zuführt; einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet; einen achten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode die erste Initialisierungsspannung zuführt; einen neunten Transistor und einen zehnten Transistor, die so eingerichtet sind, dass sie dem Kondensator eine Referenzspannung zuführen; und einen elften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er dem Kondensator die Hochpotentialansteuerungsspannung zuführt.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, enthalten, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zweite Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbundene Source-Elektrode und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist enthalten, der siebte Transistor kann eine mit dem dritten Knoten verbundene Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der achte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der neunte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine mit einem vierten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine mit der ersten Abtastsignalleitung verbundene Gate-Elektrode enthalten, der zehnte Transistor kann eine mit der Referenzspannungsleitung verbundene Source-Elektrode, eine mit dem vierten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der elfte Transistor kann eine mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbundene Source-Elektrode, eine mit dem vierten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine mit der ersten Emissionssignalleitung verbundene Gate-Elektrode enthalten, und der Kondensator kann eine mit dem zweiten Knoten verbundene erste Elektrode und eine mit dem vierten Knoten verbundene zweite Elektrode enthalten.
Jedes der Mehrzahl von Subpixeln kann ferner einen ersten Transistor enthalten, der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die Emission der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode steuert; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet; einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode eine erste Initialisierungsspannung zuführt; einen achten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet; einen neunten Transistor und einen zehnten Transistor, die so eingerichtet sind, dass sie dem Kondensator eine Referenzspannung zuführen; und einen elften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er dem Kondensator die Hochpotentialansteuerungsspannung zuführt.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, enthalten, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zweite Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der achte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode enthalten, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, der neunte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zehnte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der elfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, und der Kondensator kann eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, enthalten.
Jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln kann ferner einen ersten Transistor enthalten, der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen zweiten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen dritten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors bildet; einen vierten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors liefert; einen fünften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der ersten Leuchtdiode bildet; einen sechsten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode eine erste Initialisierungsspannung zuführt; einen siebten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor und der zweiten Leuchtdiode bildet; einen achten Transistor und einen neunten Transistor, die so eingerichtet sind, dass sie dem Kondensator eine Referenzspannung zuführen; und einen zehnten Transistor, der so eingerichtet ist, dass er dem Kondensator die Hochpotentialansteuerungsspannung zuführt.
Der Ansteuerungstransistor kann eine Source-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, enthalten, der erste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zweite Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der dritte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der vierte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der fünfte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der sechste Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der siebte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, enthalten, der achte Transistor kann eine Source-Elektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine mit einem vierten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine mit der ersten Abtastsignalleitung verbundene Gate-Elektrode enthalten, der neunte Transistor kann eine mit der Referenzspannungsleitung verbundene Source-Elektrode, eine mit dem vierten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, enthalten, der zehnte Transistor kann eine mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbundene Source-Elektrode, eine mit dem vierten Knoten verbundene Drain-Elektrode und eine mit der ersten Emissionssignalleitung verbundene Gate-Elektrode enthalten, und der Kondensator kann eine mit dem zweiten Knoten verbundene erste Elektrode und eine mit dem vierten Knoten verbundene zweite Elektrode enthalten.
Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann in vielen unterschiedlichen Formen verwirklicht werden, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher werden die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur zur Veranschaulichung bereitgestellt, ohne dass damit eine Einschränkung des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung bezweckt wird. Der Umfang des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Es ist daher davon auszugehen, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in allen Aspekten veranschaulichend sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung sollte basierend auf den folgenden Ansprüchen ausgelegt werden, und alle technischen Konzepte in deren äquivalentem Bereich sollten so ausgelegt werden, dass sie in den Bereich der vorliegenden Offenbarung fallen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020220117019 [0001]

Claims

Eine Licht emittierende Anzeigevorrichtung, bei der eine Mehrzahl von Pixeln in einem Anzeigepanel (100) angeordnet ist und jedes der Mehrzahl von Pixeln eine Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) enthält, jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) enthält: eine erste Leuchtdiode (De1), eingerichtet zum Emittieren von Licht durch einen ersten Ansteuerungsstrom; eine erste Linse (232), die das von der ersten Leuchtdiode (De1) emittierte Licht bricht; eine zweite Leuchtdiode (De2), eingerichtet zum Emittieren von Licht durch einen zweiten Ansteuerungsstrom; eine zweite Linse (234), die das von der zweiten Leuchtdiode (De2) emittierte Licht bricht; einen Ansteuerungstransistor (DT), eingerichtet zum Steuern der Ansteuerungsströme; und einen Kondensator (Cst), der mit dem Ansteuerungstransistor (DT) verbunden ist, und eine Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) und eine Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) jeweils auf eine Spannung initialisiert wird, die sich von einer Spannung unterscheidet, die an den Kondensator (Cst) angelegt wird.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) selektiv in einem ersten Modus und einem zweiten Modus angesteuert wird, in dem ersten Modus die erste Leuchtdiode (De1) Licht emittiert, so dass von der ersten Leuchtdiode (De1) emittiertes Licht durch die erste Linse (232) mit einem begrenzten Betrachtungswinkel nur in einer ersten Richtung ausgegeben wird, und im zweiten Modus die zweite Leuchtdiode (De2) Licht emittiert, so dass von der zweiten Leuchtdiode (De2) emittiertes Licht von der zweiten Linse (234) mit einem begrenzten Betrachtungswinkel in der ersten Richtung und einer zweiten Richtung ausgegeben wird.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei in jedem des ersten Modus und des zweiten Modus die erste Leuchtdiode (De1) und die zweite Leuchtdiode (De2) unterschiedlich angesteuert werden.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Linse (232) die halbkugelförmige Linse und die zweite Linse (234) eine halbzylindrische Linse ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) ein erstes Sub-Pixel (SP1), ein zweites Sub-Pixel (SP2) und ein drittes Sub-Pixel (SP1, SP2, SP3) enthält und die Anzahl der in dem ersten Sub-Pixel (SP1) angeordneten ersten Linsen (232-1) unterschiedlich von der Anzahl der in dem zweiten Sub-Pixel (SP2) angeordneten zweiten Linsen (234-2) oder der Anzahl der in dem dritten Sub-Pixel (SP3) angeordneten dritten Linsen (234-3) ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) separat in einem anfänglichen Zeitraum, einem Abtastzeitraum und einem Emissions-Zeitraum angesteuert wird, während des anfänglichen Zeitraums eine Spannung einer Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) initialisiert wird, während des Ansteuerungszeitraums eine Schwellenspannung des Ansteuerungstransistors (DT) abgetastet wird und die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) bzw. die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) initialisiert werden, und während des Emissionszeitraums der Ansteuerungsstrom an jede der ersten Leuchtdiode (De1) und der zweiten Leuchtdiode (De2) angelegt wird, so dass jede der ersten Leuchtdiode (De1) und der zweiten Leuchtdiode (De2) Licht emittiert.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an den Kondensator (Cst) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Referenzspannung an den Kondensator (Cst) liefert; einen vierten Transistor (T4), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet; einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er die Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) liefert; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er die Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) liefert; und einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 7, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem Eingangsanschluss für eine Hochpotentialansteuerungsspannung verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Drain-Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen vierten Transistor (T4), der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) liefert; einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet; und einen achten Transistor (T8), der so eingerichtet ist, dass er die erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) liefert.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Drain-Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, der achte Transistor (T8) eine Source-Elektrode enthält, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) weiterhin enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen vierten Transistor (T4), der so eingerichtet ist, dass er die Emission der ersten Leuchtdiode (De1) und der zweiten Leuchtdiode (De2) steuert; einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet; einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) liefert; und einen achten Transistor (T8), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 11, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Drain-Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der achte Transistor (T8) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) weiterhin enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen vierten Transistor (T4), der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) liefert; und einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 13, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) weiterhin enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen vierten Transistor (T4), der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) liefert; einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet; einen achten Transistor (T8), der so eingerichtet ist, dass er die erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) liefert; einen neunten Transistor (T9) und einen zehnten Transistor (T10), die so eingerichtet sind, dass sie eine Referenzspannung an den Kondensator (Cst) liefern; und einen elften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die Hochpotentialansteuerungsspannung an den Kondensator (Cst) liefert.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 15, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Drain-Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, der achte Transistor (T8) eine Source-Elektrode enthält, die mit der ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der neunte Transistor (T9) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zehnte Transistor (T10) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der elfte Transistor eine Source-Elektrode enthält, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) weiterhin enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen vierten Transistor (T4), eingerichtet zum Steuern der Emission der ersten Leuchtdiode (De1) und der zweiten Leuchtdiode (De2); einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet; einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) liefert; einen achten Transistor (T8), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet; einen neunten Transistor (T9) und einen zehnten Transistor (T10), die so eingerichtet sind, dass sie eine Referenzspannung an den Kondensator (Cst) liefern; und einen elften Transistor, der so eingerichtet ist, dass er die Hochpotentialansteuerungsspannung an den Kondensator (Cst) liefert.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 17, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Drain-Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der achte Transistor (T8) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer dritten Emissionssignalleitung verbunden ist, der neunte Transistor (T9) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zehnte Transistor (T10) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der elfte Transistor eine Source-Elektrode enthält, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes der Mehrzahl von Sub-Pixeln (SP1, SP2, SP3) weiterhin enthält: einen ersten Transistor (T1), der so eingerichtet ist, dass er eine Datenspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen zweiten Transistor (T2), der so eingerichtet ist, dass er eine Hochpotentialansteuerungsspannung an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen dritten Transistor (T3), der so eingerichtet ist, dass er eine Diodenverbindung mit einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) bildet; einen vierten Transistor (T4), der so eingerichtet ist, dass er eine zweite Initialisierungsspannung an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) liefert; einen fünften Transistor (T5), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der ersten Leuchtdiode (De1) bildet; einen sechsten Transistor (T6), der so eingerichtet ist, dass er eine erste Initialisierungsspannung an die Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) liefert; einen siebten Transistor (T7), der so eingerichtet ist, dass er einen Strompfad zwischen dem Ansteuerungstransistor (DT) und der zweiten Leuchtdiode (De2) bildet; einen achten Transistor (T8) und einen neunten Transistor (T9), die so eingerichtet sind, dass sie eine Referenzspannung an den Kondensator (Cst) liefern; und einen zehnten Transistor (T10), der so eingerichtet ist, dass er die Hochpotentialansteuerungsspannung an den Kondensator (Cst) liefert.
Die Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 19, wobei der Ansteuerungstransistor (DT) eine Source-Elektrode enthält, die mit einem ersten Knoten verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit einem dritten Knoten verbunden ist, der erste Transistor (T1) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Datenleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zweite Transistor (T2) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem ersten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, der dritte Transistor (T3) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der vierte Transistor (T4) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer zweiten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der fünfte Transistor (T5) eine Source-Elektrode enthält, die mit dem dritten Knoten verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignalleitung verbunden ist, der sechste Transistor (T6) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer ersten Initialisierungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der siebte Transistor (T7) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Anodenelektrode der ersten Leuchtdiode (De1) verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Anodenelektrode der zweiten Leuchtdiode (De2) verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit einer zweiten Emissionssignalleitung verbunden ist, der achte Transistor (T8) eine Source-Elektrode enthält, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Abtastsignalleitung verbunden ist, der neunte Transistor (T9) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Abtastsignalleitung verbunden ist, der zehnte Transistor (T10) eine Source-Elektrode enthält, die mit der Hochpotentialansteuerungsspannungsleitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist, und eine Gate-Elektrode, die mit der ersten Emissionssignal-Leitung verbunden ist, und der Kondensator (Cst) eine erste Elektrode enthält, die mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit dem vierten Knoten verbunden ist.