DE102022120608A1

DE102022120608A1 - Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B, IR und deren Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102022120608A1
Application number: DE102022120608.4A
Authority: DE
Inventors: Cheng-Hsing Tsou; Wei-Hao CHENG; Pei-Yuan Ni
Original assignee: Kingray Tech Co Ltd; Kingray Technology Co Ltd
Current assignee: Kingray Tech Co Ltd; Kingray Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-02
Filing date: 2022-08-16
Publication date: 2023-03-02
Also published as: CN115728852A; JP2023036539A; TW202311029A; KR20230034148A; US20230070703A1; JP7470746B2; TWI779812B

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR, die ein Substrat und eine Filterschicht umfasst, wobei das Substrat ein Wafer-Halbleiter-Sensorelement oder ein lichtdurchlässiges Element ist, wobei die Filterschicht auf einer Seite des Substrats gebildet ist und aus einer Vielzahl von Grundeinheiten besteht, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jede Grundeinheit eine Vielzahl von Pixelfilterfilmen enthält, die durch Vakuumbeschichtung gebildet sind, wobei die Vielzahl von Pixelfilterfilmen eine beliebige Kombination von UV-Pixelfilterfilm, R-Pixelfilterfilm, G-Pixelfilterfilm, B-Pixelfilterfilm, IR-Pixelfilterfilm enthalten, und wobei die Vielzahl von Pixelfilterfilmen nur das Licht der entsprechenden Wellenlänge passieren lassen können. Das Herstellungsverfahen verwendet eine Fotolackmase in Verbindung mit Vakuumbeschichtung, wodurch eine bessere Gleichmäßigkeit (Gleichmäßigkeit ± 5 nm) des Filterfilms und ein breiteres Band erzielt werden können, um mehr Bilder mit unterschiedlichen Wellenlängen zu erzeugen, so dass die Auflösung mit höherer Empfindlichkeit die Anforderungen an die optischen Spezifikationen erfüllen kann.

Description

Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft eine Filterstruktur auf dem Chip eines optischen Sensors, wie Umgebungslichtsensor, Näherungssensor, RGB-Farbtemperatursensor, Gestensensor, insbesondere eine Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR und deren Herstellungsverfahren, die eine bessere Gleichmäßigkeit (Gleichmäßigkeit ± 5 nm) des Filterfilms hat und ein breiteres Band bietet, um mehr Bilder mit unterschiedlichen Wellenlängen zu erzeugen, so dass die Auflösung mit höherer Empfindlichkeit die Anforderungen an die optischen Spezifikationen erfüllen kann.
Stand der Technik
Ein herkömmlicher optischer Sensor, wie etwa ein Kameramodul für sichtbares Licht, muss einen Infrarotlicht-Sperrfilter verwenden, um unnötiges niederfrequentes Nahinfrarotlicht herauszufiltern, damit es verhindert wird, dass Infrarotlicht das sichtbare Licht beeinflusst, was zu falschen Farben oder Wellen führt. Das traditionelle Kameramodul für sichtbares Licht hat jedoch keine UV-Pixel und IR-Pixel.
Allgemein bekannte Farbfilter und Herstellungsverfahren dafür, wie in der taiwanesischen Patentanmeldung Nr. 100112527 gezeigt, verwenden hauptsächlich Tintenstrahldrucken. Die Dicke des Farbfilterfilms beträgt etwa 5 Mikrometer, was eine Verschwendung von Fotolack bedeutet. Die Auflösung und die Positionsreproduzierbarkeit sind schlecht. Mit der allmählichen Vergrößerung der Größe des Substrats im Herstellungsprozess wird das ursprüngliche Fotolackbeschichtungsverfahren, in dem zuerst ein Abtropfen von der Mitte und dann eine Rotationsbeschichtung durchgeführt wird, heute von der Schlitzbeschichtung plus Rotationsbeschichtung ersetzt. Sein Zweck ist nichts anderes, als die Menge des verwendeten Fotolacks zu reduzieren. In Zukunft wird die weitere Vergrößerung des Substrats dazu führen, dass die Gleichmäßigkeit des Filterfilms die Spezifikationsanforderungen nicht erfüllt (±2 %) und die optische Transmission und Wellenlänge die Spezifikationen nicht erfüllen (das Sperrband hat eine Transmission unter 1 %) . Wenn die Transmission des Sperrbands zu hoch ist, werden Rauschen erzeugt. Das in herkömmlichen metallischen Farbfiltern verwendete Material ist Silber, das umweltinstabil und korrosionsanfällig ist.
Daher hat der Erfinder im Hinblick auf die oben genannten Probleme nach intensiver Forschung und Verbesserung die vorliegende Erfindung entwickelt.
Aufgabe der Erfindung
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Probleme des herkömmlichen Herstellungsverfahrens des Farbfilters, dass bei der Herstellung von großen Substraten die Spezifikationsanforderung an die Gleichmäßigkeit des Filterfilms (±2 %) und die Spezifikationsanforderung an die optische Transmission und Wellenlänge (die Transmission des Sperrbands unter 1 %) nicht erfüllt werden kann, zu lösen.
Die erfindung stellt eine Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR bereit, die umfasst: ein Substrat, das ein Wafer-Halbleiter-Sensorelement oder ein lichtdurchlässiges Element ist; und eine Filterschicht, die auf einer Seite des Substrats gebildet ist und aus einer Vielzahl von Grundeinheiten besteht, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jede Grundeinheit eine Vielzahl von Pixelfilterfilmen enthält, die durch Vakuumbeschichtung gebildet sind, wobei die Vielzahl von Pixelfilterfilmen eine beliebige Kombination von UV-Pixelfilterfilm, R-Pixelfilterfilm, G-Pixelfilterfilm, B-Pixelfilterfilm, IR-Pixelfilterfilm enthalten, und wobei die Vielzahl von Pixelfilterfilmen nur das Licht der entsprechenden Wellenlänge passieren lassen können.
Die Erfindung stellt ein Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR bereit, das die folgenden Schritte enthält: (a) Bilden einer Fotolackmaske auf dem Substrat: Eine Fotolackmaske wird auf einer Seite eines Substrats gebildet und eine Vielzahl von ausgehöhlten Beschichtungsbereichen werden auf der Fotolackmaske bereitgestellt, wo die Pixelfilterfilme zu beschichten sind;(b) Vakuumbeschichten: Verwenden des Vakuumbeschichtungsverfahrens zum Bilden einer Vielzahl von Pixelfilterfilmen in den Beschichtungsbereichen, wobei die Pixelfilterfilme durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten und einer Vielzahl von Schichten mit hohem Brechungsindex mit unterschiedlichen Dicken gebildet sind;(c) Beschichten von Fotolack: Beschichten von Fotolack in den ausgehöhlten Beschichtungsbereichen der Fotolackmaske nach dem Beschichten der Pixelfilterfilme, um die hohlen Beschichtungsbereiche abzudecken;(d) Ätzen: Bilden einer Vielzahl von ausgehöhlten Beschichtungsbereichen für einen anderen Pixelfilterfilm auf der Fotolackmaske;(e) Erneutes Vakuumbeschichten: Verwenden des Vakuumbeschichtungsverfahrens zum Bilden einer Vielzahl von anderen Pixelfilterfilmen in den geätzten anderen Beschichtungsbereichen, wobei die Pixelfilterfilme durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten und einer Vielzahl von Schichten mit hohem Brechungsindex mit unterschiedlichen Dicken gebildet sind; und (f) Entfernen der Fotolackmaske: Nach dem Entfernen der Fotolackmaske ist der Vorgang abgeschlossen.
Nach Schrifft (e) können die Schritte (c) bis (e) nach Bedarf wiederholt werden können und dann wird Schritt (f) durchgeführt, um eine Filterstruktur herzustellen, die aus drei oder mehr Pixelfilterfilmen besteht.
Die Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR und deren Herstellungsverfahren der Erfindung kann durch die Vakuumbeschichtung in Verbindung mit Fotolackmaske selbst bei der Herstellung von großen Substraten eine Gleichmäßigkeit von ± 5 nm erreichen und die Anforderung an die Transmission des Sperrbands unter 1 % erfüllen. Die Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR hat eine höhere Transmission und ein schmaleres Passband, was zu lebendigeren und helleren Farben führt. Wenn sie auf Umgebungslichtsensor Näherungssensor, RGB-Farbtemperatursensor und Gestensensor usw. angewendet wird, kann die Reaktionszeit verkürzt werden. Die Farbauflösung der gleichen Produkte und die Einstellempfindlichkeit können erheblich erhöht werden. Zudem kann die Helligkeit des lichtempfindlichen Kontrasts auch stark verbessert werden. Darüber hinaus werden Früchte (wie Orangen, Kiwis usw.) beleuchtet und der Sensorchip der Erfindung und die KI-Identizierung verwendet, um die Reife der inneren Haut der Frucht genau zu bestimmen, wodurch die Fruchtreifeidentifizierung/-einstufung realisiert wird und die Kosten der manuellen Identifizierung in der Vergangenheit schnell reduziert werden.
Figurenliste

1 eine schematische Darstellung des Aufbaus der Erfindung,
2 eine Darstellung der Anordnung der Grundeinheiten der Filterschicht der Erfindung,
3 ein Spektraldiagramm des UV-Pixelfilterfilms der Erfindung,
4 ein Spektraldiagramm des R-Pixelfilterfilms der Erfindung,
5 ein Spektraldiagramm des G-Pixelfilterfilms der Erfindung,
6 ein Spektraldiagramm des B-Pixelfilterfilms der Erfindung,
7 ein Spektraldiagramm des IR-Pixelfilterfilms der Erfindung,
8 ein Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens der Erfindung,
9 ein Ablaufdiagramm der Herstellungsverfahrens der Fotolackmaske der Erfindung,
10 eine schematische Darstellung des Vakuum-Sputter-Beschichtungssystems der Erfindung.

Wege zur Ausführung der Erfindung
Wie in 1 und 2 gezeigt, umfasst die Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR der vorliegenden Erfindung ein Substrat 10 und eine Filterschicht 20.
Das Substrat 10 ist ein Wafer-Halbleiter-Sensorelement.
Die Filterschicht 20 ist auf einer Seite des Substrats 10 gebildet und besteht aus einer Vielzahl von Grundeinheiten 21, die in einer Matrix angeordnet sind. Jede Grundeinheit 21 enthält eine Vielzahl von Pixelfilterfilmen 22, die durch Vakuumbeschichtung gebildet sind. Die Vielzahl von Pixelfilterfilmen 22 enthalten eine beliebige kombination von UV-Pixelfilterfilm, R-Pixelfilterfilm, G-Pixelfilterfilm, B-Pixelfilterfilm und IR-Pixelfilterfilm. Die Vielzahl von Pixelfilterfilmen können nur das Licht der entsprechenden Wellenlänge passieren lassen.
Die Kombination der Vielzahl von Pixelfilterfilmen 22 jeder Basiseinheit 21 der vorliegenden Erfindung kann beliebig zwei, beliebig drei oder mehrere von UV-Pixelfilterfilm, R-Pixelfilterfilm, G-Pixelfilterfilm, B-Pixelfilterfilm und IR-Pixelfilterfilm enthalten. In dieser Ausführungsform wird die Kombination von vier Pixelfilterfilmen als Beispiel genommen:
Der UV-Pixelfilterfilm ist durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet, um im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt 300 nmbis 400 nm. Die Transmission des restlichen Sperrbands liegt durchschnittlich unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 50 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der R-Pixelfilterfilm ist durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet, um im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt 580 nm bis 740 nm. Die Transmission der restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 55 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der G-Pixelfilterfilm ist durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit einem Brechungsindex höher Brechungsindex als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet, um im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt 500 nm bis 565 nm. Die Transmission des restlichen Sperrbans liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 55 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der B-Pixelfilterfilm ist durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet, um im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt 400 nm bis 500 nm. Die Transmission der restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 55 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der IR-Pixelfilterfilm ist durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und eine Vielzahl von Schichten 24 mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet, um im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen. Die Mittenwellenlängen überlappen im infraroten Wellenlängenbereich von 800 nm bis 1100 nm nur teilweise, um ein Passband zu erzeugen. Die Transmission des restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 30 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Bei den oben erwähnten Pixelfilterfilmen 22 haben die Rubidium(Rb)-Schichten 23 einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm. Der Extinktionskoeffizient beträgt 0,24 bis 5,58. Die Schichten 24 mit hohem Brechungsindex können eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅), gemischtes Filmmaterial (H₄) und eine Mischung davon ein, wobei der Brechungsindex der Schichten 24 mit hohem Brechungsindex im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1, 6, und der Extinktionskoeffizient ist nahe Null. Durch Rubidium(Rb)-Schichten 23 und Schichten 24 mit hohem Brechungsindex, die unterschliedliche Dicke und Schichtzahl haben, können der UV-Pixelfilterfilm, der R-Pixelfilterfilm, der G-Pixelfilterfilm, der B-Pixelfilterfilm und der IR-Pixelfilterfilm erhalten werden.
Im Folgenden werden verschiedene strukturelle Bedingungen des UV-PixelFilterfilms, des R-PixelFilterfilms, des G-PixelFilterfilms, des B-PixelFilterfilms und des IR-PixelFilterfilms mit Beispiel beschrieben.
UV-Pixelfilterfilm: Der UV-Pixelfilterfilm besteht aus einer Vielzahl Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl Schichten 24 mit hohem Brechungsindex, die aufeinander gestapelt sind. Die Schichten 24 mit hohem Brechungsindex können eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅) und Mischfilmmaterial (H₄) sein. Beispielsweise ist der Brechungsindex der Titanpentoxid (Ti3O5) -Schicht im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1,6 und der Extinktionskoeffizient liegt nahe bei 0. Die Rubidium (Rb)-Schicht hat einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 in dem Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm und einen Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5,58. Seine strukturellen Bedinungen sind wie folgt:

die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 82,56 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 18,36 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm beträgt, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 92,26 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 26,52 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 29, 99 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 30, 24 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 154,53 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 83,48 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm, und die Dicke der siebzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 76,12 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 82,87 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 18,39 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 92, 44 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 26,57 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm , die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 30, 05 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 30,3 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 154,83 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 83,64 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm, und die Dicke der siebzehten Schicht aus TiO2 beträgt 76,27 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 85,46 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 19 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 95,5 nm und die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 44,13 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 31, 05 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 31,3 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55, 54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 159,96 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 86,41 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm, und die Dicke der siebzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 78,8 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 93,58 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 20,81 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 104,58 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 30,06 nm, die Die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 34 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 34,28 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 175,16 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5 -5# beträgt 94,62 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm und die Dicke der siebzehnten Ta2O5-5# beträgt 86,29 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 95, 57 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 21,25 nm beträgt, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünfte Schicht aus H4 beträgt 106,8 nm, und die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44, 13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 30,7 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 34,72 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 35,01 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 178,89 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 96,64 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm und die Dicke der siebzehnten Schicht aus H4 beträgt 88,12 nm;

Wie in 3 gezeigt, bildet der UV-Pixelfilterfilm in dem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt 300 nm bis 400 nm. Die durchschnittliche Transmission der restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 50 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der R-Pixelfilterfilm: Der R-Pixelfilterfilm besteht aus einer Vielzahl von Rubidium (Rb) -Schichten 23 und eine Vielzahl von Schichten 24 mit hohem Brechungsindex, die aufeinander gestapelt sind. Die Schichten 24 mit hohem Brechungsindex sind eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅) und Mischfilmmaterial (H₄). Beispielsweise ist der Brechungsindex der Titanpentoxid (Ti₃O₅)-Schicht im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1,6 und der Extinktionskoeffizient liegt nahe bei 0. Die Rubidium (Rb)-Schicht hat einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 in dem Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm und einen Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5,58. Seine strukturellen Bedinungen sind wie folgt:

Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 66,02 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 128,05 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 120,7 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 120,7 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 123,81 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 34,09 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 37,04 nm, die Dicke der zwölften. Schicht aus Rb beträgt 55,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 35,34 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 107,1 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 66,35 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 128,69 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 121,3 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 124,42 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 34,26 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 37,23 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 35,52 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 107,63 nm
oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 67,27 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 130,47 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 122,98 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 126,15 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 34, 73 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,1 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 37,74 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 36,01 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 109,12 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 73,07 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 141,72 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 133,58 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 137,02 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 37,73 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm. die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 41 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 39,11 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm, und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 118,53 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 75, 04 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 145,55 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 137,19 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 140,73 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 38,75 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 42,1 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 40, 17 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 121,73 nm.

Wie in 4 gezeigt, bildet der R-Pixelfilterfilm in einem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt 580 nm bis 740 nm. Die Transmission der restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 55 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der G-Pixelfilterfilm: Der G-Pixelfilterfilm besteht aus einer Vielzahl von Rubidium (Rb) -Schichten 23 und eine Vielzahl von Schichten 24 mit hohem Brechungsindex, die aufeinander gestapelt sind. Die Schichten 24 mit hohem Brechungsindex sind eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅) und Mischfilmmaterial (H₄). Beispielsweise ist der Brechungsindex der Titanpentoxid (Ti₃O₅)-Schicht im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1,6 und der Extinktionskoeffizient liegt nahe bei 0. Die Rubidium (Rb)-Schicht hat einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 in dem Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm und einen Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5,58. Seine strukturellen Bedinungen sind wie folgt:

Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 37,73 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 435,81 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 272,27 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 272,27 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 66,34 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26, 03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 61,25 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 159, 31 nm die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 44, 67 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 137,9 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 37,73 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 435,84 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 272,28 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 272,28 nm, die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 66,34 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26, 03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 61,25 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 159,32 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 44,67 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 137,9 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 38,24 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 441, 74 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 275,97 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 54,95 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 67,26 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26,03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 62, 08 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 161,48 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 45,28 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 139,77 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 41,04 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 474,13 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 296,21 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 54,95 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 72,17 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26, 03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 66,63 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 173,32 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70,11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 48,6 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm, und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 150,02 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 41, 99 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 485,12 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 303,07 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 54,95 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 73,84 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26,03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 68, 18 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 177,34 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 49,72 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64, 2 nm, und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 153,5 nm.

Wie in 5 gezeigt, bildet der G-Pixelfilterfilm in dem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband. Die Mittenwellenlänge des Passbands beträgt von 500 nm bis 565 nm. Die Transmission des restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 55 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der B-Pixelfilterfilm: Der B-Pixelfilterfilm wird durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl Schicht 24 mit hohem Brechungsindex gebildet, die aufeinander gestapelt sind. Die Schichten 24 mit hohem Brechungsindex sind eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅) und Mischfilmmaterial (H₄). Beispielsweise der Brechungsindet der Titanpentoxid (Ti3O5)-Schicht im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1,6 ist und der Extinktionskoeffizient liegt nahe bei 0. Die Rubidium (Rb) -Schicht hat einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 in dem Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm und einen Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5,58. Seine strukturellen Bedinungen sind wie folgt:

Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 225,86 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 180,94 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 179,28 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 179,28 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 52,08 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66, 94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 148,89 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9, 67 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 62,89 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 48,76 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 226,4 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 181,37 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 179,71 nm, und die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, Die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 52,2 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 149,24 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,76 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 63,04 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO 2 beträgt 48,87 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 228,19 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 182,8 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 181,13 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 52,62 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 150,42 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,67 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 63,54 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 49,26 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 244,83 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 196,14 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,25 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 194,34 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 56,45 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66, 94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 161,39 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,76 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 68,17 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 52,85 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 249,19 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 199,63 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 197,8 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 57,46 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 164,26 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,76 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 69,39 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 53,79 nm.

Wie in 6 gezeigt, bildet der B-Pixelfilterfilm in dem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband. Die Mittenwellenlänge des Passbands liegt zwischen 400 nm und 500 nm. Die Transmission der restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands ist größer als 55 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Der IR-Pixelfilterfilm: Der IR-Pixelfilterfilm besteht aus einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit hohem Brechungsindex, die aufeinander gestapelt sind. Die Schichten 24 mit hohem Brechungsindex sind eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅) und Mischfilmmaterial (H₄). Beispielsweise ist der Brechungsindex der Titanpentoxid (Ti₃O₅)-Schicht im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1,6 und der Extinktionskoeffizient liegt nahe bei 0. Die Rubidium (Rb)-Schicht hat einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 in dem Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm und einen Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5,58. Seine strukturellen Bedinungen sind wie folgt:

Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 79,94 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55,92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 556, 74 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 169,04 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 169,04 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 139,86 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36, 53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 350,46 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 122,52 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 171,98 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63,02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 263,23 nm;
oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 78,76 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55,92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 548,52 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 166, 54 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 80.55 nm,die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 137,8 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36,53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 345, 29 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht von TiO2 beträgt 120,71 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 169,44 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63, 02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 262,83 nm;
Oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 87,03 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55,92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 606,16 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 184,04 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 80,55 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 152,28 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36, 53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 381,57 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 133, 4 nm nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 187,25 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63, 02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5 -5# beträgt 286,6 nm;
oder Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 87,04 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55,92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 606,22 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19, 13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 184,06 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 80,55 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 152,29 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36,53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 381,61 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109, 85 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 133,41 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 187,26 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63, 02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 286,62 nm.

Wie in 7 gezeigt, bildet der IR-Pixelfilterfilm in dem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband. Die Mittenwellenlängen überlappen im infraroten Wellenlängenbereich von 800 nm bis 1100 nm nur teilweise, um ein Passband zu bilden. Die Transmission des restlichen Sperrbands liegt unter 1 %. Die Transmission der MittenWellenlänge des Passbands ist größer als 30 %, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Wie in 7 gezeigt, enthält das Verfahren zum Herstellen einer Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR der vorliegenden Erfindung:

(a) Bilden einer Fotolackmaske auf dem Substrat 10: Eine Fotolackmaske wird auf einer Seite eines Substrats 10 gebildet und eine Vielzahl von ausgehöhlten Beschichtungsbereichen werden auf der Fotolackmaske bereitgestellt, wo die Pixelfilterfilme 22 zu beschichten sind, z.B die ausgehöhlten Beschichtungsbereiche zur Beschichtung der R-Pixelfilterfilme;
(b) Vakuumbeschichten: Verwenden des Vakuumbeschichtungsverfahrens zum Bilden einer Vielzahl von Pixelfilterfilmen 22 in den Beschichtungsbereichen, wobei die Pixelfilterfilme durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit hohem Brechungsindex mit unterschiedlichen Dicken gebildet sind;
(c) Beschichten von Fotolack: Beschichten von Fotolack in den ausgehöhlten Beschichtungsbereichen der Fotolackmaske nach dem Beschichten der Pixelfilterfilme, um die hohlen Beschichtungsbereiche abzudecken;
(d) Ätzen: Bilden einer Vielzahl von ausgehöhlten Beschichtungsbereichen für einen anderen Pixelfilterfilm 22 auf der Fotolackmaske, z.B. Bilden einer Vielzahl von anderen ausgehöhlten Beschichtungsbereichen für G-Pixelfilterfilme;
(e) Erneutes Vakuumbeschichten: Verwenden des Vakuumbeschichtungsverfahrens zum Bilden einer Vielzahl von anderen Pixelfilterfilmen 22 wie G-Pixeliterfilmen in den geätzten anderen Beschichtungsbereichen, wobei die Pixelfilterfilme durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten 23 und einer Vielzahl von Schichten 24 mit hohem Brechungsindex mit unterschiedlichen Dicken gebildet sind. Die Schritte (c) bis (e) können nach Bedarf wiederholt werden, um eine Filterstruktur herzustellen, die aus drei oder mehr Pixelfilterfilmen besteht;
(f) Entfernen der Fotolackmaske: Nach dem Entfernen der Fotolackmaske ist der Vorgang abgeschlossen.

Wie in 6 gezeigt, enthält Schritt (a) (a1) Rotationbeschichten von Fotolack (a2) Weichbacken, (a3) Belichten, (a4) Weichbacken, (a5) Entwickeln; (a6) Weichbacken und (a7) Reinigen.
Wie in 7 gezeigt, wird der Vakuumbeschichtungsprozess in Schritt (b) und Schritt (e) in einem Vakuum-Sputter-Beschichtungssystem 30 durchgeführt. Als Targetmaterial 35 werden Rubidium (Rb) und ein Material mit einem Brechungsindex höher als Rubidium (Rb) wie Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅), Mischfilmmaterial (H₄) und Mischungen davon verwendet. Der Herstellungsprozess ist wie folgt: (A) Ein sauberes Substrats 10 wird auf die Walze 31 gebracht , wobei die Beschichtungsoberfläche nach außen zeigt; (B) die Walze 31 wird mit einer konstanten Geschwindigkeit in der Beschichtungskammer 32 gedreht ; (C) wenn der Vakuumgrad zwischen 10-3 Pa bis 10-5 Pa erreicht, wird die entsprechende Sputterquelle 33 eingeschaltet und Argongas eingeführt, wodurch das Target 35 unter der Wirkung des elektrischen Felds bombadiert wird, um die gebildeten Ionen an dem Substrat 10 anhaften zu lassen; (D) mit der Rotation der Walze 31 wird das Substrat 10 in den Reaktionsquellenbereich 34 gebracht; und (E) Sauerstoff- oder Argongas werden in den Reaktionsquellenbereich 34 eingeführt, um ein Plasma zu bilden, das sich unter der Wirkung des elektrischen Felds mit hoher Geschwindigkeit auf das Substrat 10 zu bewegt, und schließlich wird Rubidium (Rb) oder Material mit hohem Brechungsindex auf dem Substrat 10 gebildet.
Das Substrat 10 wird auf der Walze 31 platziert und gegen den Uhrzeigersinn gedreht.Die Drehgeschwindigkeit ist einstellbar. Auf dem zu beschichtenden Substrat 10 wird zuerst durch das Target 35 eine dünne Schicht von Rubidium (Rb)-Film oder Film mit hohem Brechungsindex abgeschieden. Wenn das Substrat sich dann zu der Reaktionsquelle dreht wird, wird es mit einem optischen Film beschicht, der durch Ionensynthese der Sauerstoffionen und Elektronen gebildet ist. Durch die Steuerung der Sekunden jeder Beschichtung kann die Dicke jeder Schicht gesteuert werden. Je länger die Zeit ist, desto größer ist die Dicke.
Beim Herstellen des Rubidium-(Rb)-Films beträgt das Volumen des eingeführten Sauerstoffs 10% bis 90% des gesamtvolumens des eingeführten Sauerstoffgases und Argongases. Ein Film mit einem Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 und mit dem Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5, 58 kann hergestellt werden. Bei Verwendung von dem Material mit hohem Brechungsindex ist das Volumen des eingeführten Sauerstoffgases 10 % bis 90 % des gesamtvolumens des eingeführten Sauerstoffgases und Argongases . Ein Film mit hohem Brechungsindex von 1,3 bis 2,5 im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm und mit dem Extinktionskoeffizienten von nahe 0 kann hergestellt werden.
Die Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR und deren Herstellungsverfahren des Erfindung kann durch das Herstellungsverfahren des Fotolacks in Verbindung Vakuumbeschichtung bei der Produktion von großem Substrat die Gleichmäßigkeit unter ±5 nm erreichen und die Anforderungen optischer Spezifikationen erfüllen. Darüber hinaus kann die Reaktionszeit verkürzt werden, wenn es auf optische Sensoren wie Umgebungslichtsensor, Näherungssensor, RGB-Farbtemperatursensor und Gestensensor usw. angewendet wird. Verglichen mit dem gleichen Produkt können die Farbauflösung und die Einstellempfindlichkeit erheblich erhöht werden, und die Helligkeit des lichtempfindlichen Kontrasts kann auch stark verbessert werden. Außerdem kann das Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung die Dicke der gebildeten Pixelfilterfilme 22 wie UV, R, G, B, IR usw. in Nanometer aufrechterhalten. Daher kann die Erfindung auf die Produkte der Nanostechnologie angewendet werden kann.

Claims

Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR, umfassend ein Substrat (10), das ein Wafer-Halbleiter-Sensorelement oder ein lichtdurchlässiges Element ist, und eine Filterschicht (20), die auf einer Seite des Substrats (10) gebildet ist und aus einer Vielzahl von Grundeinheiten (21) besteht, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jede Grundeinheit (21) eine Vielzahl von Pixelfilterfilmen (22) enthält, die durch Vakuumbeschichtung gebildet sind, wobei die Vielzahl von Pixelfilterfilmen (22) eine beliebige kombination von UV-Pixelfilterfilm, R-Pixelfilterfilm, G-Pixelfilterfilm, B-Pixelfilterfilm, IR-Pixelfilterfilm enthalten, und wobei die Vielzahl von Pixelfilterfilmen nur das Licht der entsprechenden Wellenlänge passieren lassen können.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der UV-Pixelfilterfilm durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet ist, um durch die Auswahl der Dicken der Schichten im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen, wobei die Mittenwellenlänge des Passbands 300 nm bis 400 nm beträgt und der Rest ein Sperrband bildet, wobei die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands größer als 50 % ist, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt, und wobei die durchschnittliche Transmission des restlichen Sperrbands unter 1 % liegt; der R-Pixelfilterfilm durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet ist, um durch die Auswahl der Dicken der Schichten im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen, wobei die Mittenwellenlänge des Passbands 580 nm bis 740 nm beträgt und der Rest ein Sperrband bildet, wobei die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands größer als 55, % ist, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt, und wobei die durchschnittliche Transmission des restlichen Sperrbands unter 1 % liegt; der G-Pixelfilterfilm durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet ist, um durch die Auswahl der Dicken der Schichten im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen, wobei die Mittenwellenlänge des Passbands 500 nm bis 565 nm beträgt und der Rest ein Sperrband bildet, wobei die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands größer als 55, % ist, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt, und wobei die durchschnittliche Transmission des restlichen Sperrbands unter 1 % liegt; der B-Pixelfilterfilm durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet ist, um durch die Auswahl der Dicken der Schichten im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen, wobei die Mittenwellenlänge des Passbands 400 nm bis 500 nm beträgt und der Rest ein Sperrband bildet, wobei die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands größer als 55, % ist, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt, und wobei die durchschnittliche Transmission des restlichen Sperrbands unter 1 % liegt; der IR-Pixelfilterfilm durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit einem Brechungsindex höher als der der Rubidium(Rb)-Schicht gebildet ist, um durch die Auswahl der Dicken der Schichten im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ein Passband zu erzeugen, wobei die Mittenwellenlängen im infraroten Wellenlängenbereich von 800 nm bis 1100 nm nur teilweise überlappen, um ein Passband zu erzeugen, wobei die Transmission des restlichen Sperrbands unter 1 % liegt, und wobei die Transmission der Mittenwellenlänge des Passbands größer als 30 % ist, wenn der Einfallswinkel 0° beträgt.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Rubidium(Rb)-Schichten (23) einen Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 nm haben, wobei der Extinktionskoeffizient 0,24 bis 5,58 beträgt, wobei die Schichten (24) mit hohem Brechungsindex eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅), gemischtes Filmmaterial (H₄) und eine Mischung davon sein können, wobei der Brechungsindex der Schichten (24) mit hohem Brechungsindex im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm größer als 1,6, und der Extinktionskoeffizient nahe Null ist.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturellen Bedinungen des UV-Pixelfilterfilms wie folgt sind: die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 82,56 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 18,36 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm beträgt, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 92,26 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 26,52 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 29, 99 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 30,24 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55, 54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 154,53 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 83,48 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm, und die Dicke der siebzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 76,12 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 82,87 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 18,39 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 92, 44 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 26,57 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm , die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 30, 05 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 30,3 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 154,83 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 83,64 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm, und die Dicke der siebzehten Schicht aus TiO2 beträgt 76,27 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 85,46 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 19 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 95,5 nm und die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44, 13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 44,13 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 31, 05 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 31,3 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 159,96 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 86,41 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm, und die Dicke der siebzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 78,8 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 93,58 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 20,81 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61,82 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 104,58 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 30,06 nm, die Die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 34 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29, 32 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 34,28 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55, 54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 175, 16 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5 -5# beträgt 94, 62 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm und die Dicke der siebzehnten Ta2O5-5# beträgt 86,29 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 95, 57 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 42,79 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 21,25 nm beträgt, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 61, 82 nm, die Dicke der fünfte Schicht aus H4 beträgt 106,8 nm, und die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 44,13 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 30,7 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 54,26 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 34,72 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 29,32 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 35,01 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 55,54 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 178,89 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 61,42 nm, die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 96,64 nm, die Dicke der sechzehnten Schicht aus Rb beträgt 60,76 nm und die Dicke der siebzehnten Schicht aus H4 beträgt 88,12 nm.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturellen Bedinungen des R-Pixelfilterfilms wie folgt sind: die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 66,02 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 128,05 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 120,7 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 120,7 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 123,81 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 34,09 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 37,04 nm, die Dicke der zwölften. Schicht aus Rb beträgt 55,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 35,34 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 107,1 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 66,35 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 128,69 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 121,3 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 124,42 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 34,26 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 37,23 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 35,52 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 107,63 nm oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 67,27 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 130,47 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 122,98 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 126,15 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 34, 73 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,1 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 37,74 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 36,01 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 109,12 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 73,07 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 141,72 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 133,58 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61,05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 137,02 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 37,73 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm. die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 41 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 39,11 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm, und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 118,53 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 75,04 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 7,96 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 145,55 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 52,37 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 137,19 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 61, 05 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 140,73 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 59,29 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 38,75 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 61,6 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 42,1 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 54,14 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 40,17 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 53,51 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 121,73 nm.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturellen Bedinungen des G-Pixelfilterfilms wie folgt sind: Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 37,73 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 435,81 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 272,27 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 272,27 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 66,34 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26,03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 61,25 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 159,31 nm die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70,11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 44,67 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 137,9 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 37,73 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 435,84 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 272,28 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 272,28 nm, die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 66,34 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26, 03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 61,25 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 159,32 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 44,67 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 137,9 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 38,24 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 441,74 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 275,97 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 54,95 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 67,26 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26,03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 62, 08 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 161,48 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 45,28 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 139,77 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 41,04 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 474,13 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 296,21 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 54,95 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 72,17 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26,03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 66,63 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70,15 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 173,32 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 48,6 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm, und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 150,02 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 41,99 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 1,13 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 485,12 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 27,15 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 303,07 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 54,95 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 73,84 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 26, 03 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 68,18 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 70, 15 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 177,34 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 70, 11 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 49,72 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 64,2 nm, und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 153,5 nm.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturellen Bedinungen des B-Pixelfilterfilms wie folgt sind: Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 225,86 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 180,94 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 179,28 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 179,28 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 52,08 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 148,89 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,67 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 62,89 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 48,76 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 226,4 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 181,37 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 179,71 nm, und die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, Die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 52,2 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 149,24 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,76 nm, die Dicke der elften Schicht aus TiO2 beträgt 63, 04 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO 2 beträgt 48,87 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Nb2O5 beträgt 228,19 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Nb2O5 beträgt 182,8 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Nb2O5 beträgt 181,13 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Nb2O5 beträgt 52,62 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Nb2O5 beträgt 150,42 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,67 nm, die Dicke der elften Schicht aus Nb2O5 beträgt 63,54 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm,die Dicke der dreizehnten Schicht aus Nb2O5 beträgt 49,26 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 244,83 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 196,14 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,25 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 194,34 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 56,45 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 161,39 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,76 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 68,17 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 52,85 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 249,19 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 12,2 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 199,63 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 65,2 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 197,8 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 88,85 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 57,46 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 66,94 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 164,26 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 9,76 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 69,39 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 24,8 nm und die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 53,79 nm.
Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturellen Bedinungen des IR-Pixelfilterfilms wie folgt sind: Die Dicke der ersten Schicht aus Ti3O5 beträgt 79,94 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55,92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ti3O5 beträgt 556,74 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ti3O5 beträgt 169,04 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 169,04 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ti3O5 beträgt 139,86 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36,53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ti3O5 beträgt 350,46 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ti3O5 beträgt 122,52 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 171,98 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63,02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ti3O5 beträgt 263,23 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus TiO2 beträgt 78,76 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55, 92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus TiO2 beträgt 548,52 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus TiO2 beträgt 166,54 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 80.55 nm,die Dicke der siebten Schicht aus TiO2 beträgt 137,8 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36,53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus TiO2 beträgt 345,29 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht von TiO2 beträgt 120,71 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus TiO2 beträgt 169,44 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63,02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus TiO2 beträgt 262,83 nm; oder die Dicke der ersten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 87,03 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55,92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 606,16 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 184,04 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 80,55 nm, die Dicke der siebten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 152,28 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36,53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 381,57 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 133, 4 nm nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus Ta2O5-5# beträgt 187,25 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63,02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus Ta2O5 -5# beträgt 286,6 nm; oder Dicke der ersten Schicht aus H4 beträgt 87, 04 nm, die Dicke der zweiten Schicht aus Rb beträgt 55, 92 nm, die Dicke der dritten Schicht aus H4 beträgt 606,22 nm, die Dicke der vierten Schicht aus Rb beträgt 19,13 nm, die Dicke der fünften Schicht aus H4 beträgt 184, 06 nm, die Dicke der sechsten Schicht aus Rb beträgt 80,55 nm, die Dicke der siebten Schicht aus H4 beträgt 152,29 nm, die Dicke der achten Schicht aus Rb beträgt 36,53 nm, die Dicke der neunten Schicht aus H4 beträgt 381,61 nm, die Dicke der zehnten Schicht aus Rb beträgt 109,85 nm, die Dicke der elften Schicht aus H4 beträgt 133,41 nm, die Dicke der zwölften Schicht aus Rb beträgt 35, 63 nm, die Dicke der dreizehnten Schicht aus H4 beträgt 187,26 nm, die Dicke der vierzehnten Schicht aus Rb beträgt 63,02 nm und die Dicke der fünfzehnten Schicht aus H4 beträgt 286,62 nm.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR, das die folgenden Schritte enthält: (a) Bilden einer Fotolackmaske auf dem Substrat (10) : Eine Fotolackmaske wird auf einer Seite eines Substrats (10) gebildet und eine Vielzahl von ausgehöhlten Beschichtungsbereichen werden auf der Fotolackmaske bereitgestellt, wo die Pixelfilterfilme (22) zu beschichten sind; (b) Vakuumbeschichten: Verwenden des Vakuumbeschichtungsverfahrens zum Bilden einer Vielzahl von Pixelfilterfilmen (22) in den Beschichtungsbereichen, wobei die Pixelfilterfilme durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit hohem Brechungsindex mit unterschiedlichen Dicken gebildet sind; (c) Beschichten von Fotolack: Beschichten von Fotolack in den ausgehöhlten Beschichtungsbereichen der Fotolackmaske nach dem Beschichten der Pixelfilterfilme, um die hohlen Beschichtungsbereiche abzudecken; (d) Ätzen: Bilden einer Vielzahl von ausgehöhlten Beschichtungsbereichen für einen anderen Pixelfilterfilm (22) auf der Fotolackmaske; (e) Erneutes Vakuumbeschichten: Verwenden des Vakuumbeschichtungsverfahrens zum Bilden einer Vielzahl von anderen Pixelfilterfilmen (22) in den geätzten anderen Beschichtungsbereichen, wobei die Pixelfilterfilme durch Stapeln einer Vielzahl von Rubidium(Rb)-Schichten (23) und einer Vielzahl von Schichten (24) mit hohem Brechungsindex mit unterschiedlichen Dicken gebildet sind; und (f) Entfernen der Fotolackmaske: Nach dem Entfernen der Fotolackmaske ist der Vorgang abgeschlossen; wobei durch die Steuerung der Dicken der Schichten in Schritt (b) und (e) eine Filterstruktur hergestellt werden kann, die aus beliebigen zwei Pixelfilterfilmen von UV, R, G, B und IR besteht.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass vor Schrifft (f) die Schritte (c) bis (e) nach Bedarf wiederholt werden können, um durch die Steuerung der Dicken der Schichten eine Filterstruktur herzustellen, die aus drei oder mehr Pixelfilterfilmen von UV, R, G, B und IR besteht.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (a) (a1) Rotationbeschichten von Fotolack (a2) Weichbacken, (a3) Belichten, (a4) Weichbacken, (a5) Entwickeln; (a6) Weichbacken und (a7) Reinigen enthält.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Vakuumbeschichtungsprozess in Schritt (b) und Schritt (e) in einem Vakuum-Sputter-Beschichtungssystem (30= durchgeführt wird, wobei als Targetmaterial (35) Rubidium (Rb) und ein Material mit einem Brechungsindex höher als Rubidium (Rb) verwendet werden, wobei der Herstellungsprozess wie folgt ist: (A) Ein sauberes Substrats 10 wird auf die Walze (31) gebracht, wobei die Beschichtungsoberfläche nach außen zeigt; (B) die Walze (31) wird mit einer konstanten Geschwindigkeit in der Beschichtungskammer 32 gedreht ; (C) wenn der Vakuumgrad zwischen 10-3 Pa bis 10-5 Pa erreicht, wird die entsprechende Sputterquelle (33) eingeschaltet und Argongas eingeführt, wodurch das Target (35) unter der Wirkung des elektrischen Felds bombadiert wird, um die gebildeten Ionen an dem Substrat (10) anhaften zu lassen; (D) mit der Rotation der Walze (31= wird das Substrat (10) in den Reaktionsquellenbereich (34= gebracht; und (E) Sauerstoff- oder Argongas werden in den Reaktionsquellenbereich (34) eingeführt, um ein Plasma zu bilden, das sich unter der Wirkung des elektrischen Felds mit hoher Geschwindigkeit auf das Substrat 10 zu bewegt, und schließlich wird Rubidium (Rb) oder Material mit hohem Brechungsindex auf dem Substrat (10) gebildet.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Material mit einem Brechungsindex höher als Rubidium (Rb) eines von Titanpentoxid (Ti₃O₅), Titandioxid (TiO₂), Niobpentoxid (Nb₂O₅), Tantalpentoxid (Ta₂O₅), Mischfilmmaterial (H₄) und Mischungen davon ist.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Steuerung der Sekunden jeder Beschichtung die Dicke jeder Schicht gesteuert werden kann, wobei je länger die Zeit ist, desto größer die Dicke ist.
Herstellungsverfahren der Filterstruktur mit einer beliebigen Kombination von UV, R, G, B und IR nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass beim Herstellen des Rubidium-(Rb)-Films das Volumen des eingeführten Sauerstoffs 10% bis 90% des gesamtvolumens des eingeführten Sauerstoffgases und Argongases beträgt, wodurch ein Film mit einem Brechungsindex von 0,25 bis 0,13 im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 2000 und mit dem Extinktionskoeffizienten von 0,24 bis 5,58 hergestellt werden kann, und bei der Verwendung von dem Material mit hohem Brechungsindex das Volumen des eingeführten Sauerstoffgases 10 % bis 90 % des gesamtvolumens des eingeführten Sauerstoffgases und Argongases beträgt, wodurch ein Film mit hohem Brechungsindex von 1,3 bis 2,5 im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 1100 nm und mit dem Extinktionskoeffizienten von nahe 0 hergestellt werden kann.