JP2023036539A - Uv、r、g、b、irの任意組み合わせの光学フィルタ構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
又は、第1層TiO2の厚さが82.87nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層TiO2の厚さが18.39nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層TiO2の厚さが92.44nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層TiO2の厚さが26.57nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層TiO2の厚さが30.05nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層TiO2の厚さが30.3nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層TiO2の厚さが154.83nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層TiO2の厚さが83.64nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料TiO2の厚さが76.27nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが85.46nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層Nb2O5の厚さが19nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層Nb2O5の厚さが95.5nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層Nb2O5の厚さが44.13nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層Nb2O5の厚さが31.05nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層Nb2O5の厚さが31.3nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層Nb2O5の厚さが159.96nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層Nb2O5の厚さが86.41nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料Nb2O5の厚さが78.8nmである;
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又は、第1層H4の厚さが95.57nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層H4の厚さが21.25nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層H4の厚さが106.8nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層H4の厚さが30.7nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層H4の厚さが34.72nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層H4厚さが35.01nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層H4の厚さが178.89nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層H4の厚さが96.64nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料H4の厚さが88.12nmである。
又は、第1層TiO2の厚さが66.35nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層TiO2の厚さが128.69nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層TiO2の厚さが121.3nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層TiO2の厚さが124.42nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層TiO2の厚さが34.26nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層TiO2の厚さが37.23nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層TiO2の厚さが35.52nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層TiO2の厚さが107.63nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが67.27nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層Nb2O5の厚さが130.47nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層Nb2O5の厚さが122.98nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層Nb2O5の厚さが126.15nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層Nb2O5厚さが34.73nm、第10層Rbの厚さが61.1nm、第11層Nb2O5の厚さが37.74nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層Nb2O5の厚さが36.01nm、第14層Rbの厚さが53.51nmであり、第15層Nb2O5の厚さが109.12nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが73.07nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが141.72nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが133.58nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが137.02nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが37.73nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが41nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが39.11nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが118.53nmである;
又は、第1層H4の厚さが75.04nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層H4の厚さが145.55nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層H4の厚さが137.19nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層H4の厚さが140.73nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層H4の厚さが38.75nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層H4の厚さが42.1nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層H4の厚さが40.17nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層H4の厚さが121.73nmである。
又は、第1層TiO2の厚さが37.73nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層TiO2の厚さが435.84nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層TiO2の厚さが272.28nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層TiO2の厚さが66.34nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層TiO2の厚さが61.25nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層TiO2の厚さが159.32nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層TiO2の厚さが44.67nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層TiO2の厚さが137.9nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが38.24nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層Nb2O5の厚さが441.74nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層Nb2O5の厚さが275.97nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層Nb2O5の厚さが67.26nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層Nb2O5の厚さが62.08nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層Nb2O5の厚さが161.48nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層Nb2O5の厚さが45.28nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層Nb2O5の厚さが139.77nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが41.04nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが474.13nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが296.21nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが72.17nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが66.63nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが173.32nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが48.6nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが150.02nmである;
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又は、第1層TiO2の厚さが226.4nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層TiO2の厚さが181.37nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層TiO2の厚さが179.71nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層TiO2の厚さが52.2nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層TiO2の厚さが149.24nm、第10層Rbの厚さが9.76nm、第11層TiO2の厚さが63.04nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層TiO2の厚さが48.87nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが228.19nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層Nb2O5の厚さが182.8nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層Nb2O5の厚さが181.13nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層Nb2O5厚さが52.62nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層Nb2O5の厚さが150.42nm、第10層Rbの厚さが9.67nm、第11層Nb2O5の厚さが63.54nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層Nb2O5の厚さが49.26nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが244.83nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが196.14nm、第4層Rbの厚さが65.25nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが194.34nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが56.45nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが161.39nm、第10層Rbの厚さが9.76nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが68.17nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが52.85nmである;
又は、第1層H4の厚さが249.19nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層H4の厚さが199.63nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層H4の厚さが197.8nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層H4の厚さが57.46nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層H4の厚さが164.26nm、第10層Rbの厚さが9.76nm、第11層H4の厚さが69.39nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層のH4の厚さが53.79nmである。
又は、第1層TiO2の厚さが78.76nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層TiO2の厚さが548.52nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層TiO2の厚さが166.54nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層TiO2の厚さが137.8nm、第8層Rbの厚さが36.53nm、第9層TiO2の厚さが345.29nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層TiO2の厚さが120.71nm、第12層Rbの厚さが35.63nm、第13層TiO2の厚さが169.44nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層TiO2の厚さが262.83nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが87.03nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが606.16nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが184.04nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが152.28nm、第8層Rbの厚さが36.53nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが381.57nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが133.4nm、第12層Rbの厚さが35.63nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが187.25nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが286.6nmである;
又は、第1層H4の厚さが87.04nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層H4の厚さが606.22nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層H4の厚さが184.06nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層H4の厚さが152.29nm、第8層Rbの厚さ36.53nm、第9層H4の厚さ381.61nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層H4の厚さが133.41nm、第12層Rbの厚さが35.63nm、第13層H4の厚さが187.26nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層H4の厚さが286.62nmである。
(a)基板10上にフォトレジストマスクを形成する:基板10の一側面にフォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスク上の画素光学フィルタ膜22をめっきしたい箇所に中空の複数のコーティング領域が設けられ、例えば、R画素光学フィルタ膜をめっきしたい領域に中空の前記複数のコーティング領域を形成する工程と、
(b)真空コーティング:真空コーティングの方法を使用して、前記コーティング領域上に異なる厚さの複数のルビジウム(Rb)層23及び複数の高屈折率層24が互いに堆積される複数画素光学フィルタ膜22、例えば、R画素光学フィルタ膜を形成する工程と、
(c)レジスト剤をコーティングする:中空コーティング領域を密封するために画素光学フィルタ膜をコーティングした後、フォトレジストマスクの中空コーティング領域上にレジスト剤をコーティングする工程と、
(d)エッチング:エッチングにより、前記フォトレジストマスク上の複数の別の画素光学フィルタ膜22をめっきしたい箇所に中空の複数の別のコーティング領域を形成し、例えば、G画素光学フィルタ膜をめっきしたい領域に中空の前記複数の別のコーティング領域を形成する工程と、
(e)再度真空コーティング:真空コーティングの方法を使用して、エッチングによって形成された前記複数の別のコーティング領域を形成し、異なる厚さの複数のルビジウム(Rb)層23及び複数の高屈折率層24が互いに堆積された複数の別の画素光学フィルタ膜22、例えば、G画素光学フィルタ膜を形成する工程と、
(f)フォトレジストマスクの除去:前記フォトレジストマスクの除去を行い、完成させる工程と、
を含む。
20 光学フィルタ層
21 基本単位
22 画素光学フィルタ膜
23 ルビジウム(Rb)層
24 高屈折率層
30 真空スパッタリング反応性コーティングシステム
31 ドラム
32 コーティングチャンバ
33 スパッタリングソース
34 反応性ソース領域
35 ターゲット
Claims (15)
- ウェーハ半導体センシング部材又は光透過部材のいずれかの製品である基板と、
前記基板の一側面に形成され、マトリックス状に配置された複数の基本単位で構成され、各基本単位は、真空コーティングによって形成された複数画素光学フィルタ膜を含み、前記複数画素光学フィルタ膜は、UV画素光学フィルタ膜、R画素光学フィルタ膜、G画素光学フィルタ膜、B画素光学フィルタ膜及びIR画素光学フィルタ膜のうちの任意の組み合わせを含み、前記複数画素光学フィルタ膜は、対応する波長の光のみを通過させる光学フィルタ層と、
を備えるUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - 前記UV画素光学フィルタ膜は、複数のルビジウム(Rb)層及び屈折率がルビジウム(Rb)層よりも高い複数の高屈折率層が互いに堆積されて形成され、各層の特殊な厚さ構成により、300nm~1100nm波長範囲以内に通過帯域を形成し、前記通過帯域の中心波長は300nm~400nmであり、残りはカットオフされ、前記通過帯域の中心波長の入射角が0°である時の透過率(transmittance)は、50%よりも大きく、そのカットオフバンドの透過率は平均1%未満であり、
前記R画素光学フィルタ膜は、複数のルビジウム(Rb)層及び屈折率がルビジウム(Rb)層よりも高い複数の高屈折率層が互いに堆積されて形成され、各層の特殊な厚さ構成により、300nm~1100nm波長範囲以内に通過帯域を形成し、前記通過帯域の中心波長は580nm~740nmであり、残りはカットオフされ、前記通過帯域の中心波長の入射角が0°である時の透過率(transmittance)は、55%よりも大きく、そのカットオフバンドの透過率は1%未満であり、
前記G画素光学フィルタ膜は、複数のルビジウム(Rb)層及び屈折率がルビジウム(Rb)層よりも高い複数の高屈折率層が互いに堆積されて形成され、各層の特殊な厚さ構成により、300nm~1100nm波長範囲以内に通過帯域を形成し、前記通過帯域の中心波長は500nm~565nmであり、残りはカットオフされ、前記通過帯域の中心波長の入射角が0°である時の透過率(transmittance)は、55%よりも大きく、そのカットオフバンドの透過率は1%未満であり、
前記B画素光学フィルタ膜は、複数のルビジウム(Rb)層及び屈折率がルビジウム(Rb)層よりも高い複数の高屈折率層が互いに堆積されて形成され、各層の特殊な厚さ構成により、300nm~1100nm波長範囲以内に通過帯域を形成し、前記通過帯域の中心波長は400nm~500nmであり、残りはカットオフされ、前記通過帯域の中心波長の入射角が0°である時の透過率(transmittance)は、55%よりも大きく、そのカットオフバンドの透過率は1%未満であり、
前記IR画素光学フィルタ膜は、複数のルビジウム(Rb)層及び屈折率がルビジウム(Rb)層よりも高い複数の高屈折率層が互いに堆積されて形成され、各層の特殊な厚さ構成により、300nm~1100nm波長範囲以内に通過帯域を形成し、前記中心波長は、赤外800nm~1100nmの波長範囲内に一部分のみ又は部分的に重なって通過帯域を形成し、残りのカットオフバンドの透過率は、1%未満であり、前記通過帯域の中心波長の入射角が0°である時の透過率(transmittance)は、30%よりも大きい、請求項1に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - 前記複数画素光学フィルタ膜の前記複数のルビジウム(Rb)層の350nm~2000nmの波長範囲内の屈折率は、0.25から0.13であり、吸光係数は、0.24~5.58であり、前記複数の高屈折率層は、五酸化三チタン(Ti3O5)、二酸化チタン(TiO2)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、混合膜材料(H4)及びそれらの混合物であってよく、前記複数の高屈折率層の350nm~1100nmの波長範囲内の屈折率は、1.6よりも大きく、消光係数は0に近い、請求項2に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。
- 前記UV画素光学フィルタ膜の構造条件が、
第1層Ti3O5の厚さが82.56nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層Ti3O5の厚さが18.36nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層Ti3O5の厚さが92.26nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層Ti3O5の厚さが26.52nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層Ti3O5の厚さが29.99nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層Ti3O5の厚さが30.24nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層Ti3O5の厚さが154.53nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層Ti3O5の厚さが83.48nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層Ti3O5の厚さが76.12nmである;
又は、第1層TiO2の厚さが82.87nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層TiO2の厚さが18.39nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層TiO2の厚さが92.44nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層TiO2の厚さが26.57nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層TiO2の厚さが30.05nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層TiO2の厚さが30.3nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層TiO2の厚さが154.83nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層TiO2の厚さが83.64nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料TiO2の厚さが76.27nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが85.46nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層Nb2O5の厚さが19nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層Nb2O5の厚さが95.5nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層Nb2O5の厚さが44.13nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層Nb2O5の厚さが31.05nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層Nb2O5の厚さが31.3nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層Nb2O5の厚さが159.96nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層Nb2O5の厚さが86.41nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料Nb2O5の厚さが78.8nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが93.58nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが20.81nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが104.58nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが30.06nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層Ta2O5‐5#は34nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが34.28nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが175.16nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが94.62nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料Ta2O5‐5#の厚さが86.29nmである;
又は、第1層H4の厚さが95.57nm、第2層Rbの厚さが42.79nm、第3層H4の厚さが21.25nm、第4層Rbの厚さが61.82nm、第5層H4の厚さが106.8nm、第6層Rbの厚さが44.13nm、第7層H4の厚さが30.7nm、第8層Rbの厚さが54.26nm、第9層H4の厚さが34.72nm、第10層Rbの厚さが29.32nm、第11層H4厚さが35.01nm、第12層Rbの厚さが55.54nm、第13層H4の厚さが178.89nm、第14層Rbの厚さが61.42nm、第15層H4の厚さが96.64nm、第16層Rbの厚さが60.76nm、第17層材料H4の厚さが88.12nmである;
のいずれか1つである、請求項3に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - 前記R画素光学フィルタ膜の構造条件が、
第1層Ti3O5の厚さが66.02nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層Ti3O5の厚さが128.05nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層Ti3O5の厚さが120.7、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層Ti3O5の厚さが123.81nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層Ti3O5の厚さが34.09nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層Ti3O5の厚さが37.04nm、第12層Rbの厚さが55.14nm、第13層Ti3O5の厚さが35.34nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層Ti3O5の厚さが107.1nmである;
又は、第1層TiO2の厚さが66.35nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層TiO2の厚さが128.69nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層TiO2の厚さが121.3nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層TiO2の厚さが124.42nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層TiO2の厚さが34.26nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層TiO2の厚さが37.23nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層TiO2の厚さが35.52nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層TiO2の厚さが107.63nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが67.27nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層Nb2O5の厚さが130.47nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層Nb2O5の厚さが122.98nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層Nb2O5の厚さが126.15nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層Nb2O5厚さが34.73nm、第10層Rbの厚さが61.1nm、第11層Nb2O5の厚さが37.74nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層Nb2O5の厚さが36.01nm、第14層Rbの厚さが53.51nmであり、第15層Nb2O5の厚さが109.12nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが73.07nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが141.72nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが133.58nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが137.02nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが37.73nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが41nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが39.11nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが118.53nmである;
又は、第1層H4の厚さが75.04nm、第2層Rbの厚さが7.96nm、第3層H4の厚さが145.55nm、第4層Rbの厚さが52.37nm、第5層H4の厚さが137.19nm、第6層Rbの厚さが61.05nm、第7層H4の厚さが140.73nm、第8層Rbの厚さが59.29nm、第9層H4の厚さが38.75nm、第10層Rbの厚さが61.6nm、第11層H4の厚さが42.1nm、第12層Rbの厚さが54.14nm、第13層H4の厚さが40.17nm、第14層Rbの厚さが53.51nm、第15層H4の厚さが121.73nmである;
のいずれか1つである、請求項3に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - 前記G画素光学フィルタ膜の構造条件が、
第1層Ti3O5の厚さが37.73nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層Ti3O5の厚さが435.81nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層Ti3O5の厚さが272.27、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層Ti3O5の厚さが66.34nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層Ti3O5の厚さが61.25nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層Ti3O5の厚さが159.31nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層Ti3O5の厚さが44.67nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層Ti3O5の厚さが137.9nmである;
第1層TiO2の厚さが37.73nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層TiO2の厚さが435.84nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層TiO2の厚さが272.28nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層TiO2の厚さが66.34nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層TiO2の厚さが61.25nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層TiO2の厚さが159.32nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層TiO2の厚さが44.67nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層TiO2の厚さが137.9nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが38.24nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層Nb2O5の厚さが441.74nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層Nb2O5の厚さが275.97nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層Nb2O5の厚さが67.26nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層Nb2O5の厚さが62.08nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層Nb2O5の厚さが161.48nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層Nb2O5の厚さが45.28nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層Nb2O5の厚さが139.77nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが41.04nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが474.13nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが296.21nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが72.17nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが66.63nm、第10層Rbの厚さが70.15nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが173.32nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが48.6nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが150.02nmである;
又は、第1層H4の厚さが41.99nm、第2層Rbの厚さが1.13nm、第3層H4の厚さが485.12nm、第4層Rbの厚さが27.15nm、第5層H4の厚さが303.07nm、第6層Rbの厚さが54.95nm、第7層H4の厚さが73.84nm、第8層Rbの厚さが26.03nm、第9層H4の厚さが68.18nm、10層Rbの厚さが70.15nm、第11層H4の厚さが177.34nm、第12層Rbの厚さが70.11nm、第13層H4の厚さが49.72nm、第14層Rbの厚さが64.2nm、第15層H4の厚さが153.5nmである;
のいずれか1つである、請求項3に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - 前記B画素光学フィルタ膜の構造条件が、
第1層Ti3O5の厚さが225.86nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層Ti3O5の厚さが180.94nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層Ti3O5の厚さが179.28nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層Ti3O5の厚さが52.08nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層Ti3O5の厚さが148.89nm、第10層Rbの厚さが9.67nm、第11層Ti3O5の厚さが62.89nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層Ti3O5の厚さが48.76nmである;
又は、第1層TiO2の厚さが226.4nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層TiO2の厚さが181.37nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層TiO2の厚さが179.71nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層TiO2の厚さが52.2nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層TiO2の厚さが149.24nm、第10層Rbの厚さが9.76nm、第11層TiO2の厚さが63.04nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層TiO2の厚さが48.87nmである;
又は、第1層Nb2O5の厚さが228.19nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層Nb2O5の厚さが182.8nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層Nb2O5の厚さが181.13nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層Nb2O5厚さが52.62nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層Nb2O5の厚さが150.42nm、第10層Rbの厚さが9.67nm、第11層Nb2O5の厚さが63.54nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層Nb2O5の厚さが49.26nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが244.83nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが196.14nm、第4層Rbの厚さが65.25nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが194.34nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが56.45nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが161.39nm、第10層Rbの厚さが9.76nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが68.17nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが52.85nmである;
又は、第1層H4の厚さが249.19nm、第2層Rbの厚さが12.2nm、第3層H4の厚さが199.63nm、第4層Rbの厚さが65.2nm、第5層H4の厚さが197.8nm、第6層Rbの厚さが88.85nm、第7層H4の厚さが57.46nm、第8層Rbの厚さが66.94nm、第9層H4の厚さが164.26nm、第10層Rbの厚さが9.76nm、第11層H4の厚さが69.39nm、第12層Rbの厚さが24.8nm、第13層のH4の厚さが53.79nmである;
のいずれか1つである、請求項3に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - 前記IR画素光学フィルタ膜の構造条件が、
第1層Ti3O5の厚さが79.94nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層Ti3O5の厚さが556.74nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層Ti3O5の厚さが169.04nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層Ti3O5の厚さが139.86nm、第8層Rbの厚さが36.53nm、第9層Ti3O5の厚さが350.46nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層Ti3O5の厚さが122.52nm、第12層Rbの厚さが35.63nmnm、第13層Ti3O5の厚さが171.98nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層Ti3O5の厚さが263.23nmである;
又は、第1層TiO2の厚さが78.76nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層TiO2の厚さが548.52nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層TiO2の厚さが166.54nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層TiO2の厚さが137.8nm、第8層Rbの厚さが36.53nm、第9層TiO2の厚さが345.29nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層TiO2の厚さが120.71nm、第12層Rbの厚さが35.63nm、第13層TiO2の厚さが169.44nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層TiO2の厚さが262.83nmである;
又は、第1層Ta2O5‐5#の厚さが87.03nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層Ta2O5‐5#の厚さが606.16nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層Ta2O5‐5#の厚さが184.04nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層Ta2O5‐5#の厚さが152.28nm、第8層Rbの厚さが36.53nm、第9層Ta2O5‐5#の厚さが381.57nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層Ta2O5‐5#の厚さが133.4nm、第12層Rbの厚さが35.63nm、第13層Ta2O5‐5#の厚さが187.25nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層Ta2O5‐5#の厚さが286.6nmである;
又は、第1層H4の厚さが87.04nm、第2層Rbの厚さが55.92nm、第3層H4の厚さが606.22nm、第4層Rbの厚さが19.13nm、第5層H4の厚さが184.06nm、第6層Rbの厚さが80.55nm、第7層H4の厚さが152.29nm、第8層Rbの厚さ36.53nm、第9層H4の厚さ381.61nm、第10層Rbの厚さが109.85nm、第11層H4の厚さが133.41nm、第12層Rbの厚さが35.63nm、第13層H4の厚さが187.26nm、第14層Rbの厚さが63.02nm、第15層H4の厚さが286.62nmである;
のいずれか1つである、請求項3に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造。 - (a)基板上にフォトレジストマスクを形成する:基板の一側面にフォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスク上の画素光学フィルタ膜をめっきしたい箇所に中空の複数のコーティング領域が設けられる工程と、
(b)真空コーティング:真空コーティングの方法を使用して、前記コーティング領域上に異なる厚さの複数のルビジウム(Rb)層及び複数の高屈折率層が互いに堆積される複数画素光学フィルタ膜を形成する工程と、
(c)レジスト剤をコーティングする:中空コーティング領域を密封するために画素光学フィルタ膜をコーティングした後、フォトレジストマスクの中空コーティング領域上にレジスト剤をコーティングする工程と、
(d)エッチング:エッチングにより、前記フォトレジストマスク上の複数の別の画素光学フィルタ膜をめっきしたい箇所に中空の複数の別のコーティング領域を形成する工程と、
(e)再度真空コーティング:真空コーティングの方法を使用して、エッチングによって形成された前記複数の別のコーティング領域を形成し、異なる厚さの複数のルビジウム(Rb)層及び複数の高屈折率層が互いに堆積された複数の別の画素光学フィルタ膜を形成する工程と、
(f)フォトレジストマスクの除去:フォトレジストマスクの除去を行い、完成させる工程と、
を含み、
工程(b)及び工程(e)の各層のコーティングの厚さを制御することにより、最終的に完成する光学フィルタ構造をUV、R、G、B、IRの任意の2つの画素光学フィルタ膜の組み合わせにすることができる、UV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。 - 前記工程(e)の後、必要に応じて工程(c)~(e)を繰り返し、工程(f)を行い、工程(b)及び工程(e)の各層のコーティング厚さを制御することにより、最終的に完成する光学フィルタ構造をUV、R、G、B、IRの任意の3つ又は任意の複数種の画素光学フィルタ膜の任意の組み合わせとすることができる、請求項9に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。
- 前記工程(a)は、(a1)レジスト剤をスピンコーティングする;(a2)ソフトロースト;(a3)露光;(a4)ソフトロースト;(a5)現像;(a6)ソフトベーク;及び(a7)洗浄;を含む、請求項9又は10に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。
- 前記工程(b)及び前記工程(e)の真空コーティングプロセスは、真空スパッタリング反応性コーティングシステムにおいて行うものであり、ルビジウム(Rb)及び屈折率がルビジウム(Rb)よりも高い高屈折率材料をスパッタリングのターゲットとし、製造過程は、(A)清潔な基板をドラムに置き、コーティング面を外に向ける;(B)前記ドラムをコーティングチャンバ内において一定速度で回転させる;(C)真空度が10‐3Pa~10‐5Paの場合、対応するターゲットを開き、アルゴンガスを通過させ、電界の作用下でターゲットに衝撃を与え、イオンを形成して前記基板に付着させる;(D)前記ドラムの回転に従って、前記基板が反応性ソース領域に搬送される;(E)前記反応性ソース領域に酸素又はアルゴンが供給されてプラズマが形成され、電界の作用下で前記基板に向かって高速で移動し、最終的に前記基板上にルビジウム(Rb)膜又は屈折率がルビジウムよりも高い高屈折率膜を形成する;である、請求項9又は10に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。
- 前記屈折率がルビジウム(Rb)よりも高い高屈折率材料は、五酸化三チタン(Ti3O5)、二酸化チタン(TiO2)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、混合フィルム材料(H4)及びそれらの混合物のいずれか1つである、請求項12に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。
- 各層のコーティングの秒数を制御することにより、各層のコーティングの厚さを制御することができ、時間が長いほど、厚さが厚くなる、請求項12に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。
- ルビジウム(Rb)膜を製造する時、導入する酸素ガス及びアルゴンガスの合計に対する導入酸素ガスの体積百分比は10%~90%であり、350nm~2000nmの波長範囲内の屈折率が0.25~0.13であり、消光係数が0.24~5.58である薄膜を製造し、高屈折率材料を使用する場合、導入する酸素ガス及びアルゴンガスの合計に対する導入酸素の体積百分比は10%~90%であり、350nm~1100nmの屈折率が1.3から2.5まで徐々に変化し、消光係数が0に近い高屈折率薄膜を製造する、請求項12に記載のUV、R、G、B、IRの任意の組み合わせの光学フィルタ構造の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0915420A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | カラー液晶プロジェクター用カラーフィルタ及びその製造方法 |
US20050237448A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Innolux Display Corp. | Color filter and method for manufacturing the same |
CN1690737A (zh) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 彩色滤光片及其制造方法 |
JP2011071482A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置,固体撮像装置の製造方法,デジタルスチルカメラ,デジタルビデオカメラ,携帯電話,内視鏡 |
JP2012209913A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-25 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びカメラモジュール |
JP2013191717A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2021056455A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 晶瑞光電股▲ふん▼有限公司 | 赤外線バンドパスフィルター構造及び該構造を応用する赤外線バンドパスフィルター |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0915420A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | カラー液晶プロジェクター用カラーフィルタ及びその製造方法 |
US20050237448A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Innolux Display Corp. | Color filter and method for manufacturing the same |
CN1690737A (zh) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 彩色滤光片及其制造方法 |
JP2011071482A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置,固体撮像装置の製造方法,デジタルスチルカメラ,デジタルビデオカメラ,携帯電話,内視鏡 |
JP2012209913A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-25 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びカメラモジュール |
JP2013191717A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
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