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GEBIET DER OFFENBARUNG
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Diese Offenbarung betrifft allgemein Glaskerne in Halbleitervorrichtungen und insbesondere Verfahren und Einrichtungen zum Erhöhen der Glaskerndicke.
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HINTERGRUND
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Glaskerne können implementiert werden, um relativ feine Die-zu-Die-Verbindungen in Halbleitervorrichtungen zu ermöglichen. Allgemein bieten Glaskernimplementierungen im Vergleich zu Implementierungen mit herkömmlichen Epoxidkernen mehrere Vorteile, einschließlich einer höheren durchplattierten Loch-(PTH: Plated Through-Hole)-Dichte, niedrigeren Signalverlusten und einer geringeren Gesamtdickenvariation.
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Figurenliste
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- 1 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung gemäß Lehren dieser Offenbarung.
- 2 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung aus 1 darstellt.
- 3A-3E veranschaulichen beispielhafte Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung von 1.
- 4 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung gemäß Lehren dieser Offenbarung.
- 5 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren zum Produzieren der beispielhaften Halbleitervorrichtung aus 4 darstellt.
- 6A-6H veranschaulichen beispielhafte Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung von 4.
- 7 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung gemäß Lehren dieser Offenbarung.
- 8 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung aus 7 darstellt.
- 9A-9L veranschaulichen Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung von 7.
- 10 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung gemäß Lehren dieser Offenbarung.
- 11 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren zum Produzieren der beispielhaften Halbleitervorrichtung aus 10 darstellt.
- 12A-12K veranschaulichen Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung von 10.
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Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu. Stattdessen kann die Dicke der Schichten oder Regionen in den Zeichnungen vergrößert sein. Obwohl die Figuren Schichten und Regionen mit klaren Linien und Grenzen zeigen, können manche oder alle dieser Linien und/oder Grenzen idealisiert werden. In Wirklichkeit können die Grenzen und/oder Linien nicht wahrnehmbar, vermischt und/oder unregelmäßig sein. Im Allgemeinen werden über die Zeichnung(en) und die beigefügte schriftliche Beschreibung hinweg dieselben Bezugszeichen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen. Wie hier verwendet, beschreibt der Ausdruck „oberhalb“, sofern nichts anderes angegeben ist, die Beziehung von zwei Teilen relativ zu der Erde. Ein erster Teil befindet sich oberhalb eines zweiten Teils, falls der zweite Teil mindestens einen Teil zwischen der Erde und dem ersten Teil aufweist. Gleichermaßen befindet sich, wie hier verwendet, ein erster Teil „unterhalb“ eines zweiten Teils, wenn sich der erste Teil näher an der Erde als der zweite Teil befindet. Wie oben angemerkt, kann sich ein erster Teil oberhalb oder unterhalb eines zweiten Teils mit einem oder mehreren von Folgendem befinden: anderen Teilen dazwischen, ohne andere Teile dazwischen, mit dem ersten und der zweiten Teil in Berührung oder ohne den ersten und zweiten Teil in direktem Kontakt miteinander. Ungeachtet des Vorstehenden bezieht sich „oberhalb“ im Fall einer Halbleitervorrichtung nicht auf die Erde, sondern bezieht sich stattdessen auf ein Volumengebiet eines Basishalbleitersubstrats (z. B. eines Halbleiterwafers), auf dem Komponenten eines integrierten Schaltkreises gebildet sind. Insbesondere befindet sich, wie hier verwendet, eine erste Komponente eines integrierten Schaltkreises „oberhalb“ einer zweiten Komponente, wenn die erste Komponente weiter von dem Volumengebiet des Halbleitersubstrats entfernt ist als die zweite Komponente. Wie in diesem Patent verwendet, gibt die Angabe, dass sich ein beliebiger Teil (z. B. eine Schicht, ein Film, ein Bereich, ein Gebiet oder eine Platte) auf eine beliebige Weise auf einem anderen Teil befindet (z. B. darauf positioniert, darauf lokalisiert, darauf angeordnet oder darauf gebildet usw.), an, dass sich der genannte Teil entweder in Kontakt mit dem anderen Teil befindet oder dass sich der genannte Teil oberhalb des anderen Teils mit einem oder mehreren dazwischenliegenden Teil(en) dazwischen befindet. Wie hier verwendet, können Verbindungsreferenzen (z. B. angebracht, gekoppelt, verbunden und zusammengefügt) Zwischenelemente zwischen den Elementen, auf die durch die Verbindungsreferenz verwiesen wird, und/oder eine Relativbewegung zwischen diesen Elementen einschließen, sofern nichts anderes angegeben ist. Daher leiten Verbindungsreferenzen nicht notwendigerweise ab, dass zwei Elemente direkt verbunden sind und/oder sich in fester Beziehung zueinander befinden. Wie hier verwendet, ist die Angabe, dass sich ein beliebiger Teil in „Kontakt“ mit einem anderen Teil befindet, mit der Bedeutung definiert, dass es keinen Zwischenteil zwischen den zwei Teilen gibt.
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Sofern nicht spezifisch anders angegeben, werden Deskriptoren, wie etwa „erste/r/s“, „zweite/r/s“, „dritte/r/s“ usw., hierin verwendet, ohne irgendeine Bedeutung von Priorität, physischer Reihenfolge, Anordnung in einer Liste und/oder Ordnung auf irgendeine Weise zu unterstellen oder anderweitig anzugeben, sondern werden lediglich als Bezeichnungen und/oder willkürliche Namen verwendet, um Elemente zum einfachen Verständnis der offenbarten Beispiele zu unterscheiden. Bei manchen Beispielen kann der Deskriptor „erstes“ verwendet werden, um auf ein Element in der ausführlichen Beschreibung zu verweisen, während auf das gleiche Element in einem Anspruch mit einem unterschiedlichen Deskriptor, wie etwa „zweites“ oder „drittes“, verwiesen wird. In derartigen Fällen versteht es sich, dass derartige Deskriptoren lediglich zum eindeutigen Identifizieren jener Elemente verwendet werden, die zum Beispiel ansonsten einen gleichen Namen teilen könnten. Wie hierin verwendet, verweisen „ungefähr“ und „etwa“ auf Abmessungen, die aufgrund von Herstellungstoleranzen und/oder anderen realen Unvollkommenheiten möglicherweise nicht exakt sind.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Verfahren und Einrichtungen zum Erhöhen der Glaskerndicke sind offenbart. Glaskerne können für relativ feine Die-zu-Die-Verbindungen für Halbleitervorrichtungen implementiert werden. Insbesondere können Zwischenverbindungen wie Durchkontaktierungen dicht in einem gegebenen Bereich einer Halbleitervorrichtung platziert werden. Ein dickerer Glaskern kann verbesserte Leistungsabgabe- und -handhabungsfähigkeiten ermöglichen. Für bekannte Implementierungen können jedoch Glaskerne mit einem relativ höheren Dickengrad aufgrund potenzieller Risse usw. signifikante Ausfallrisiken aufweisen.
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Hier offenbarte Beispiele ermöglichen Halbleitervorrichtungen mit Glaskernen, die im Vergleich zu bekannten Implementierungen einen relativ hohen Dickengrad aufweisen. Ferner können hier offenbarte Beispiele eine erhöhte Stärke aufweisen, wodurch Anforderungen für eine spezielle Behandlung, die typischerweise für bekannte Implementierungen von Glaskernen notwendig ist, reduziert oder eliminiert werden. Ferner können offenbarte Beispiele auch sehr widerstandsfähig gegen Rissbildung und/oder Beschädigung sein und können eine verbesserte Leistungsleistungsfähigkeit sowie eine erhöhte durchplattierte Loch-(PTH: Plated Through-Hole)-Dichte bereitstellen.
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Hier offenbarte Beispiele nutzen mehrere Glasschichten und/oder Kerne, um einen beschädigungsresistenten Glaskern zu definieren, der erheblich dicker als bekannte Glaskernimplementierungen ist. Mit anderen Worten ermöglichen hier offenbarte Beispiele das Stapeln mehrerer Glasabschnitte, -kerne und/oder -schichten. Zum Beispiel können hier offenbarte Beispiele Dicken von mehr als 500 Mikrometer (µm) (z. B. mehr als 2.000 µm) ermöglichen. Hier offenbarte Beispiele nutzen eine Grenzflächenschicht zum Koppeln eines ersten und eines zweiten Glasabschnitts (z. B. einer ersten und einer zweiten Glasschicht, eines ersten und eines zweiten Glassubstrats usw.) aneinander. Die Grenzflächenschicht kann mindestens einen von einem Dielektrikum (z. B. eine dielektrische Schicht) oder einem Bondfilm/einer Bondschicht beinhalten. Eine Zwischenverbindung, wie etwa eine Glasdurchkontaktierung (TGV: Through-Glass Via), erstreckt sich durch einen ersten und einen zweiten Glasabschnitt. Bei manchen Beispielen beinhaltet die Zwischenverbindung einen ersten Abschnitt, der sich durch mindestens einen Abschnitt der ersten Glasschicht erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich durch mindestens einen Abschnitt der zweiten Glasschicht erstreckt. Bei manchen Beispielen sind der erste und der zweite Abschnitt der Zwischenverbindung im Wesentlichen ausgerichtet (z. B. innerhalb einer Entfernung ausgerichtet, die näherungsweise 20 % ihrer nominalen Außendurchmesser oder 20 % eines kleineren Durchmessers zwischen dem ersten und dem zweiten Teil beträgt).
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Wie hier verwendet, bedeutet die Angabe, dass zwei Komponenten, Baugruppen und/oder Merkmale „im Wesentlichen ausgerichtet“ sind, dass die zwei Komponenten, Baugruppen und/oder Merkmale innerhalb eines Abstands liegen, der kleiner oder gleich 20 % einer Außenabmessung (z. B. eines Durchmessers) einer kleineren Komponente der zwei Komponenten ist. Wie hier verwendet, bezieht sich der Ausdruck „Glaskern“ auf mehrere Glasschichten, Abschnitte und/oder Substrate, die miteinander gekoppelt sind.
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1 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung 100 gemäß Lehren dieser Offenbarung. Die Halbleitervorrichtung 100 des veranschaulichten Beispiels beinhaltet einen Glaskern 101 mit einem ersten Glassubstrat (z. B. einem Glassubstrat, einer Glasschicht, einer Glassubstratschicht usw.). 102A und einen zweiten Glasabschnitt 102b, so dass der erste Glasabschnitt 102a von dem zweiten Glasabschnitt 102b durch eine Grenzflächenschicht 104 getrennt ist. Die beispielhafte Grenzflächenschicht 104 ist zwischen dem ersten und dem zweiten Glasabschnitt 102a, 102b positioniert und kann mindestens einen von einem Bondfilm 106 oder einem Dielektrikum (z. B. eine dielektrische Schicht) 108 beinhalten. Ferner erstrecken sich Zwischenverbindungen 110, die in diesem Beispiel als TGVs implementiert sind, zwischen und/oder durch mindestens jeweilige Abschnitte des ersten Glasabschnitts 102a und des zweiten Glasabschnitts 102b. Bei dem veranschaulichten Beispiel grenzen manche der Zwischenverbindungen 110 an einen jeweiligen Stopfen 112 an und/oder sind von diesem umgeben, die aus Materialien mit einer relativ hohen magnetischen Permeabilität (z. B. werden die Materialien magnetisch unter einer elektrischen Vorspannung geladen) und/oder Polarisationskapazität bestehen, um einen Koaxialverbinder, wie zum Beispiel einen Metall-Induktor-Schleifen-(MIL)-Verbinder, zu definieren.
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In der veranschaulichten Ansicht aus 1 zeigt ein Detail 120 einen Abschnitt der beispielhaften Halbleitervorrichtung 100. Wie in dem Detail 120 zu sehen ist, beinhaltet die Zwischenverbindung 110 einen ersten Abschnitt 122a mit einer entsprechenden ersten Mittelachse 124a. Der erste Abschnitt 122a erstreckt sich durch den ersten Glasabschnitt 102a. Gleichermaßen erstreckt sich ein zweiter Abschnitt 122b mit einer entsprechenden zweiten Mittelachse 124b durch den zweiten Glasabschnitt 102b. In diesem Beispiel werden die erste Mittelachse 124a und die zweite Mittelachse 124b basierend auf einem Prozess versetzt, durch den die beispielhafte Halbleitervorrichtung 100 erzeugt wird, wie nachstehend in Verbindung mit 2 und 3 ausführlicher erläutert wird.
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Um zu ermöglichen, dass der Glaskern 101 im Vergleich zu bekannten Implementierungen eine erhöhte Dicke aufweist, ist der erste Glasabschnitt 102a mit dem zweiten Glasabschnitt 102b mit der Grenzflächenschicht 104 gekoppelt. Insbesondere beinhaltet die beispielhafte Grenzflächenschicht 104 mindestens einen von dem Bondfilm 106 oder dem Dielektrikum 108 zum Koppeln und/oder Halten des ersten Glasabschnitts 102a und des zweiten Glasabschnitts 102b miteinander. Infolgedessen kann der Glaskern 101 mehrere gestapelte Glasabschnitte beinhalten, um eine Dicke zu definieren, die von bekannten Implementierungen signifikant erhöht wird. Mit anderen Worten können mehrere Glasabschnitte fast unbegrenzt gestapelt werden, wodurch Dick-/Höhenbeschränkungen, die bei bekannten Glaskernimplementierungen zu sehen sind, entfernt werden. Ferner kann durch Koppeln und/oder Stapeln des ersten Glasabschnitts 102a mit dem zweiten Glasabschnitt 102b eine erhöhte Stärke des beispielhaften Glaskerns 101 zu höheren Produktionsausbeuten führen, während eine erhöhte Leistungsabgabe und eine höhere PTH-Dichte ermöglicht werden. In diesem Beispiel sind die Eigenschaften des ersten Glasabschnitts 102a und des zweiten Glasabschnitts 102b allgemein identisch. Jedoch können bei anderen Beispielen der erste Glasabschnitt 102a und der zweite Glasabschnitt 102b unterschiedliche Eigenschaften (z. B. Transluzenz, Dichte, Opazität usw.) aufweisen.
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Wie in dem veranschaulichten Beispiel aus 1 zu sehen ist, ist ein Trockenätzprofil 126 gezeigt. Das Trockenätzprofil 126 definiert eine Position der Mittelachse 124a. Mit anderen Worten kann der erste Abschnitt 122a der Zwischenverbindung 110 basierend auf dem Ätzen der Grenzflächenschicht 104 relativ zu dem zweiten Abschnitt 122b der Zwischenverbindung 110 versetzt sein.
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Bei manchen Beispielen wird mindestens einer von dem Dielektrikum 108 und/oder dem Bondfilm 106 zwischen dem ersten Glasabschnitt 102a und dem zweiten Glasabschnitt 102b komprimiert, um die Haftung dazwischen zu verstärken. Bei manchen anderen Beispielen ist keiner der Stopfen 112 implementiert. Bei manchen Beispielen weisen der erste Glasabschnitt 102a und der zweite Glasabschnitt 102b ähnliche oder identische Dicken auf. Bei anderen Beispielen weisen der erste Glasabschnitt 102a und der zweite Glasabschnitt 102b unterschiedliche Dicken auf.
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2 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren 200 zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 100 aus 1 darstellt.
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Bei Block 202 werden Zwischenverbindungen, Zwischenverbindungsabschnitte und/oder Durchkontaktierungen definiert. Bei diesem speziellen Beispiel werden die Stopfen 112 bereitgestellt, gebohrt und anschließend Öffnungen eines Glassubstrats 301 (aus 3) bereitgestellt sowie Öffnungen der Stopfen 112 metallisiert, um TGVs zu definieren, wodurch der zweite Glasabschnitt 102b definiert wird.
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Bei Block 204 wird der Bondfilm 106 bei manchen Beispielen auf das Glassubstrat 301 laminiert, abgeschieden und/oder gekoppelt. Zusätzlich oder alternativ dazu wird das Dielektrikum 108 laminiert, abgeschieden und/oder mit dem Glassubstrat 301 gekoppelt.
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Bei Block 206 in dem veranschaulichten Beispiel aus 2 wird ein Glassubstrat 303 aus 3 (das später den ersten Glassubstrat 102a definieren wird) an dem Glassubstrat 301 angebracht und/oder mit diesem gekoppelt. In diesem Beispiel wird das Glassubstrat 303 strukturiert (z. B. Vorstrukturierungen) und/oder geätzt, bevor es mit dem Glassubstrat 301 gekoppelt wird. Bei manchen Beispielen wird die Grenzflächenschicht 104 zwischen dem Glassubstrat 301 und dem Glassubstrat 303 komprimiert.
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Bei Block 208 wird in diesem Beispiel mindestens ein Abschnitt der Grenzflächenschicht 104 basierend auf Strukturen des Substrats 303 geätzt (z. B. wird eine gesamte Dicke der Grenzflächenschicht 104 an Öffnungen der Strukturen geätzt).
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Bei Block 210 werden Zwischenverbindungen, Zwischenverbindungsabschnitte und/oder Durchkontaktierungen in dem Glassubstrat 303 definiert, wodurch der erste Glasabschnitt 102a definiert wird. In diesem Beispiel werden die Stopfen 112 bereitgestellt (z. B. platziert) und ein Bohren davon wird vor der Metallisierung durchgeführt.
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Bei Block 212 wird bestimmt, ob der Prozess wiederholt werden soll. Falls der Prozess wiederholt werden soll (Block 212), kehrt die Steuerung des Prozesses zu Block 204 zurück. Ansonsten endet der Prozess. Die Bestimmung kann darauf basieren, ob zusätzliche Glasabschnitte, -kerne und/oder -schichten zu der Halbleiterstruktur 100 hinzuzufügen sind. Die zusätzlichen Glasabschnitte, -kerne und/oder -schichten können strukturiert oder nicht strukturiert werden.
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3A-3E veranschaulichen beispielhafte Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 100 von 1. Jetzt mit Bezug auf 3A ist das vorgenannte Glassubstrat 301 mit den Zwischenverbindungen 110 und den darin definierten Stopfen 112 gezeigt. In diesem Beispiel werden die Zwischenverbindungen 110 und die Stopfen 112 durch Platzieren der Stopfen 112, die in diesem Beispiel isolierend/nicht leitfähig sind, Bohren der Stopfen 112 und Metallisieren von Abschnitten des Glassubstrats 301, um den zweiten Glassegment 102b zu definieren, definiert.
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3B stellt die Grenzflächenschicht 104 dar, die auf dem zweiten Glasabschnitt 102b platziert ist. In diesem Beispiel wird die Grenzflächenschicht 104 auf den zweiten Glasabschnitt 102b laminiert.
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Unter Bezugnahme auf 3C ist das Glassubstrat 303 mit dem zweiten Glassubstrat 102b gekoppelt gezeigt. In diesem Beispiel wird das Glassubstrat 303 strukturiert (z. B. vorstrukturiert), bevor es mit dem zweiten Glasabschnitt 102b gekoppelt wird. Strukturen des beispielhaften Glassubstrats 303 entsprechen Öffnungen 305, die in 3C gezeigt sind. In manchen Beispielen basiert die Platzierung des Glassubstrats 303 auf dem Ausrichten der Öffnungen 305 auf Merkmale und/oder Daten des zweiten Glasabschnitts 102b. Bei manchen Beispielen können Nuten und/oder hervorstehende Merkmale 304 in das Glassubstrat 301 und/oder das Glassubstrat 303 eingebunden sein, um die Strukturen des Glassubstrats 303 und/oder des Glassubstrats relativ zu dem Glassubstrat 301 im Wesentlichen auszurichten (z. B. Ausrichten des Glassubstrats 303 auf eine im Wesentlichen ausgerichtete Position dazwischen).
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3D stellt die beispielhafte Grenzflächenschicht 104 dar, die geätzt wird, um die Oberflächen 306 oberhalb des zweiten Glasabschnitts 102b freizulegen (in der Ansicht von 3D).
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3E stellt dar, dass das Glassubstrat 303 mit dem Stopfen 112 bereitgestellt ist, der eine relativ hohe magnetische Permeabilität und/oder Polarisierbarkeit aufweist. Im Gegenzug wird das Substrat 303 gebohrt und metallisiert, um den ersten Glasabschnitt 102a zu definieren, der über die Grenzflächenschicht 104 mit dem zweiten Glasabschnitt 102b gekoppelt ist. Infolgedessen wird die in 1C gezeigte Halbleitervorrichtung 100. 1 hergestellt.
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4 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung 400 gemäß Lehren dieser Offenbarung. Die beispielhafte Halbleitervorrichtung 400 ist der in 1 gezeigten beispielhaften Halbleitervorrichtung 100 ähnlich, beinhaltet aber stattdessen Zwischenverbindungsabschnitte, die zwischen einem ersten Glasabschnitt 402a und einem zweiten Glasabschnitt 402B ausgerichtet sind (anstatt versetzt zu sein). Ferner beinhaltet eine beispielhafte Grenzflächenschicht 404, die zwischen dem ersten und dem zweiten Glassegment 402a, 402B positioniert ist, mindestens einen von einem Bondfilm 406 oder einem Dielektrikum 408. In der veranschaulichten Ansicht aus 4 sind die Zwischenverbindungen 410 als TGVs implementiert. Im Gegensatz zu der beispielhaften Halbleitervorrichtung 100 aus 1 wird das Lichtabsorptionsmaterial 412 implementiert.
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In der veranschaulichten Ansicht aus 4 zeigt ein Detail 420 einen Abschnitt der beispielhaften Halbleitervorrichtung 400. Wie im Detail 420 zu sehen ist, beinhaltet die beispielhafte Zwischenverbindung 410 einen ersten Abschnitt 422A mit einer entsprechenden ersten Mittelachse 424a und gleichermaßen einen zweiten Abschnitt 422b mit einer entsprechenden zweiten Mittelachse 424b. In diesem Beispiel werden die erste Mittelachse 424a und die zweite Mittelachse 424b im Wesentlichen basierend auf einem Prozess ausgerichtet, durch den die beispielhafte Halbleitervorrichtung 400 hergestellt wird, wie unten in Verbindung mit 5 und 6 ausführlicher erläutert wird.
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5 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren 500 zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 400 aus 4 darstellt.
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Bei Block 501 wird ein erstes Glassubstrat 602 (in 6A gezeigt) (z. B. als ein Rohglassubstrat) bereitgestellt. In diesem Beispiel weist das erste Glassubstrat 602 allgemein eine schichtähnliche Struktur und/oder Form auf.
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Bei Block 502 wird das erste Glassubstrat 602 zum Beispiel laseraktiviert. Jedoch kann stattdessen eine beliebige geeignete Oberflächenaktivierungsmethodologie implementiert werden.
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Bei Block 504 wird das erste Glassubstrat 602 geätzt. Das erste Glassubstrat 602 kann fotogeätzt, chemisch geätzt werden oder es kann eine beliebige andere geeignete Art von Ätzen, maschinellem Bearbeiten, Schneiden usw. durchgeführt werden.
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Bei Block 506 wird das Lichtabsorptionsmaterial 412 bei dem veranschaulichten Beispiel auf das erste Glassubstrat 602 abgeschieden.
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Bei Block 508 wird das erste Glassubstrat 602 an ein zweites Glassubstrat 610 (in 6E gezeigt) gebondet und/oder an dieses gekoppelt, um einen Glaskern zu definieren.
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Bei Block 510 wird Ultraviolett-(UV)-Licht auf den Glaskern und/oder das erste Glassubstrat 602 aufgebracht.
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Bei Block 512 wird der Glaskern selektiv geätzt.
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Bei Block 514 wird der Glaskern metallisiert/gefüllt. In diesem Beispiel sind TGVs in dem Glaskern definiert, um die beispielhafte Halbleitervorrichtung 400 zu definieren.
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Bei Block 516 wird bestimmt, ob der Prozess wiederholt werden soll. Falls der Prozess wiederholt werden soll (Block 516), kehrt die Steuerung des Prozesses zu Block 501 zurück. Ansonsten endet der Prozess. Die Bestimmung kann darauf basieren, ob zusätzliche Glasabschnitte, -kerne und/oder -schichten zu der beispielhaften Halbleitervorrichtung 400 hinzuzufügen sind.
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6A-6H veranschaulichen beispielhafte Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 400 von 4. Unter Bezugnahme auf 6A ist das vorgenannte Glassubstrat 602 gezeigt.
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6b stellt das beispielhafte Glassubstrat 602 dar, das laseraktiviert wird, um aktivierte Gebiete 604 zu definieren. Bei manchen Beispielen erleichtern die aktivierten Gebiete 604 das anschließende Ätzen.
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Unter Bezugnahme auf 6C wird das Glassubstrat 602 geätzt (z. B. selektiv geätzt), wodurch zum Beispiel Öffnungen 606 definiert werden, die sich durch eine gesamte Tiefe des Glassubstrats 602 erstrecken.
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6D stellt das beispielhafte Lichtabsorptionsmaterial 412 dar, das auf das Glassubstrat 602 aufgebracht wird.
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6E stellt das Glassubstrat 602 des veranschaulichten Beispiels dar, das mit dem vorgenannten Glassubstrat 610 gekoppelt ist, das in diesem Beispiel nicht vorstrukturiert ist. Das beispielhafte Glassubstrat 602 kann über den Bondfilm 406, einen Ätzstopp und/oder eine Schutzschicht an das Glassubstrat 610 gebondet werden. Bei manchen Beispielen ist der Ätzstopp allgemein gegenüber UV-Licht transparent, indem zum Beispiel Materialien wie Polydimethylsiloxan (PDMS) oder Polymere des Typs fluoriertes Ethylen (FEP) genutzt werden.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 6F wird UV-Licht auf das Glassubstrat 602 und/oder auf die vorgenannten Öffnungen 606 aufgebracht und/oder auf diese gerichtet. In manchen Beispielen wird ein Eximerlaser (z. B. eine stark direktionale Flut-Typ-Belichtung) genutzt, um das UV-Licht bereitzustellen, um Bereiche freizulegen, die den Öffnungen 606 entsprechen. Zusätzlich oder alternativ dazu wird ein UV-Belichtungsprozess mit einem fotodefinierbaren Glas implementiert, wie zum Beispiel auf Lithiumsilicat basierende Gläser und dergleichen. Jedoch können stattdessen beliebige geeignete Materialien und/oder UV-Belichtungsprozess implementiert werden, solange das implementierte Glas mit UV-Belichtungsverfahren und/oder einer Menge an angewandte Energie, die für die Musterdefinition benötigt wird, kompatibel ist.
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Unter Bezugnahme auf 6G bewirkt ein beispielhafter Ätzprozess, dass sich die Öffnungen 612 durch das Glassubstrat 610 erstrecken. Bei dem veranschaulichten Beispiel basieren Abschnitte des Glassubstrats 610, die geätzt werden, auf dem in 6F gezeigten UV-Belichtungsprozess, und dementsprechend sind die Öffnungen 612 des Glassubstrats 610 mit den Öffnungen 606 ausgerichtet.
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6h stellt beispielhafte Metallisierungs- und/oder Füllprozesse dar, die die beispielhafte Halbleitervorrichtung 400 definieren.
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7 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung 700 gemäß Lehren dieser Offenbarung. Die beispielhafte Halbleitervorrichtung 700 ist der beispielhaften Halbleitervorrichtung 400 aus 4 insofern ähnlich, als sie sich zwischen Glasschichten selbstausrichtet. Die Halbleitervorrichtung 700 des veranschaulichten Beispiels beinhaltet einen ersten Glasabschnitt 702a und einen zweiten Glasabschnitt 702b mit einer Grenzflächenschicht 704, die dazwischen positioniert ist. Im Gegenzug beinhaltet die beispielhafte Grenzflächenschicht 704 mindestens einen von einem Bondfilm 706 oder einem Dielektrikum 708. In der veranschaulichten Ansicht aus 7 sind Zwischenverbindungen 710 sowie ein Lichtabsorptionsmaterial 712 dargestellt.
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In diesem Beispiel zeigt ein Detail 720 einen Abschnitt der beispielhaften Halbleitervorrichtung 700. Wie im Detail 720 zu sehen ist, beinhaltet die Zwischenverbindung 710 einen ersten Abschnitt 722a mit einer entsprechenden ersten Mittelachse 724a und gleichermaßen einen zweiten Abschnitt 722b mit einer entsprechenden zweiten Mittelachse 724b. In diesem Beispiel sind die erste Mittelachse 724a und die zweite Mittelachse 724b im Wesentlichen ausgerichtet, wie unten in Verbindung mit 8 und 9 ausführlicher erläutert wird.
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8 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren 800 zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 700 aus 7 darstellt.
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Bei Block 801 wird ein erstes Glassubstrat 902 (in 9A gezeigt) (z. B. als ein Rohglassubstrat) bereitgestellt. In diesem Beispiel ist das erste Glassubstrat 902 zur anschließenden Kopplung mit mindestens einem anderen zusätzlichen Glassubstrat positioniert.
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Bei Block 802 wird das erste Glassubstrat 902 des veranschaulichten Beispiels zum Beispiel laseraktiviert. Jedoch kann stattdessen eine beliebige andere geeignete Oberflächenaktivierungsmethodologie implementiert werden.
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Bei Block 804 wird in diesem Beispiel das erste Glassubstrat 902 geätzt. Das beispielhafte erste Glassubstrat 902 kann fotogeätzt, chemisch geätzt werden oder es kann ein beliebiger anderer geeigneter Typ von Ätzprozess eingesetzt werden.
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Bei Block 806 wird das Lichtabsorptionsmaterial 712 bei dem veranschaulichten Beispiel auf das erste Glassubstrat 902 abgeschieden.
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Bei Block 810 wird das beispielhafte erste Glassubstrat 902 an ein zweites Glassubstrat 908 (in 9E gezeigt) gebondet und/oder an dieses gekoppelt, um einen Glaskern zu definieren.
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Bei Block 812 wird UV-Licht aufgebracht. In diesem Beispiel wird das UV-Licht auf die zuvor genannten Öffnungen des ersten Glassubstrats 902 und/oder des Glaskerns gerichtet.
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Bei Block 814 wird mindestens ein Stopfen hinzugefügt und/oder bereitgestellt. In diesem Beispiel wird mindestens ein Stopfen mit einer relativ hohen magnetischen Permeabilität für den Glaskern bereitgestellt.
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Bei Block 816 wird in manchen Beispielen ein Schutzfilm über einer Oberfläche abgeschieden, die durch den mindestens einen Stopfen definiert ist.
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Bei Block 818 wird der Glaskern selektiv geätzt.
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Bei Block 820 wird der oben erwähnte Schutzfilm entfernt. Zusätzlich oder alternativ dazu wird der Schutzfilm geätzt und/oder in einer darauf aufgebrachten Lösung aufgelöst.
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Bei Block 822 wird der Glaskern metallisiert/gefüllt. Infolgedessen sind zum Beispiel TGVs in dem Glaskern definiert.
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Bei Block 824 wird der Glaskern strukturiert. Zum Beispiel werden Leiterbahnen und/oder Zwischenverbindungen auf Oberflächen des Glaskerns strukturiert.
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Bei Block 826 wird bestimmt, ob der Prozess wiederholt werden soll. Falls der Prozess wiederholt werden soll (Block 826), kehrt die Steuerung des Prozesses zu Block 801 zurück. Ansonsten endet der Prozess. Die Bestimmung kann darauf basieren, ob zusätzliche Glasbschnitte, -kerne und/oder -schichten zu der beispielhaften Halbleitervorrichtung 700 hinzuzufügen sind.
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9A-9L veranschaulichen beispielhafte Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 700 von 7. Unter Bezugnahme auf 9A ist der oben erwähnte beispielhafte erste Glasabschnitt 902, der in diesem Beispiel ein Rohglassubstrat ist, bereitgestellt.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 9B wird ein Laseraktivierungsprozess durchgeführt, um aktivierte Zonen 904 zu definieren.
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Unter Bezugnahme auf 9C wird das beispielhafte Glassubstrat 902 geätzt, um Öffnungen 906 zu definieren.
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9D stellt das beispielhafte Lichtabsorptionsmaterial 712 dar, das auf das Glassubstrat 902 aufgebracht wird. Das Lichtabsorptionsmaterial 712 kann zum Beispiel elektrisch nicht leitfähig sein.
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9E stellt das Glassubstrat 902 des veranschaulichten Beispiels dar, das mit dem Glassubstrat 908 gekoppelt ist, das in diesem Beispiel nicht vorstrukturiert wird. Das Glassubstrat 902 und das Glassubstrat 908 können über mindestens einen von einem Bondfilm, einem Schutzfilm, einem Ätzstopp und/oder einem Dielektrikum gekoppelt sein. In manchen Beispielen kann ein Schutzfilm oder Ätzstoppmaterial Materialien beinhalten, die allgemein gegenüber UV-Licht transparent sind, wie zum Beispiel PDMS- oder FEP-Typ-Polymere.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 9F wird UV-Licht auf die vorgenannten Öffnungen 906 angewendet, um aktivierte Gebiete 910 zu definieren. In diesem Beispiel ermöglicht die Anwendung des UV-Lichts durch die Öffnungen 906 und/oder zu diesen hin eine Ausrichtung von Zwischenverbindungen und/oder Zwischenverbindungsabschnitten zwischen verschiedenen Glasschichten der beispielhaften Halbleitervorrichtung 700.
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9G stellt beispielhafte Stopfen (z. B. magnetische Stopfen) 912 dar, die in einer der Öffnungen 906 platziert sind.
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9H stellt Metallisierungs- und/oder Füllprozesse dar, die das Bohren beinhalten, um eine zentrale Öffnung für jede Zwischenverbindung zu definieren. Insbesondere kann ein mechanisches Bohrwerkzeug oder ein Laserbohrwerkzeug genutzt werden. Bei Beispielen, bei denen ein Laserbohrwerkzeug genutzt wird, kann eine „weiche“ Ätzung nach der in 9J gezeigten beispielhaften Phase vorteilhaft sein. Die „weiche“ Ätzung kann für mechanische oder Laserbohrprozesse angewendet werden. In manchen Beispielen wird ein Laserstoppmaterial zur verbesserten Steuerung von Bohrprozessen implementiert.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 9I wird ein Schutzfilm 916 auf den Glaskern platziert, während ein selektiver Ätzprozess auf einer Seite gegenüber jener des Schutzfilms 916 durchgeführt wird.
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Unter Bezugnahme auf 9J ist der Schutzfilm 916 aus 9I mindestens teilweise entfernt und ein Ätzen wird durchgeführt, um zum Beispiel die Oberflächen 918 freizulegen.
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9K stellt das Verstopfen mit einem isolierenden Stopfen, Bohren des Stopfens, Keimabscheidung (z. B. Kupferkeimabscheidung), Plattieren (z. B. Kupferplattierung) und Schleifen dar, um koaxiale Zwischenverbindungen 920 zu definieren.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 9L wird eine Strukturierung von Leiterbahnen 922 auf den Glaskern durchgeführt. Dementsprechend können die Leiterbahnen 922 elektrisch mit anderen Komponenten oder Zwischenverbindungen gekoppelt sein.
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10 ist eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung 1000 gemäß Lehren dieser Offenbarung. Die Halbleitervorrichtung 1000 des veranschaulichten Beispiels beinhaltet einen ersten Glasabschnitt 1002a und einen zweiten Glasabschnitt 1002b. Ferner beinhaltet eine beispielhafte Grenzflächenschicht 1004, die zwischen dem ersten Glasabschnitt 1002a und dem zweiten Glasabschnitt 1002b positioniert ist, mindestens einen von eine, Bondfilm 1006 oder einem Dielektrikum 1008. Beispielhafte Zwischenverbindungen 1010 und ein Lichtabsorptionsmaterial 1012 sind ebenfalls gezeigt. Ferner beinhaltet die beispielhafte Halbleitervorrichtung 1000 auch eine Kupferschicht 1014.
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In der veranschaulichten Ansicht aus 10 zeigt ein Detail 1020 einen Abschnitt der beispielhaften Halbleitervorrichtung 1000. Wie im Detail 1020 zu sehen ist, beinhaltet die Zwischenverbindung 1010 einen ersten Abschnitt 1022a mit einer entsprechenden ersten Mittelachse 1024a und gleichermaßen einen zweiten Abschnitt 1022b mit einer entsprechenden zweiten Mittelachse 1024b. In diesem Beispiel sind die erste Mittelachse 1024a und die zweite Mittelachse 1024b im Wesentlichen ausgerichtet.
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11 ist ein Flussdiagramm, das ein beispielhaftes Verfahren 1100 zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung aus 10 darstellt.
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Bei Block 1101 wird ein erstes Glassubstrat 1202 (in 12A) bereitgestellt.
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Bei Block 1102 werden Abschnitte und/oder Gebiete des beispielhaften ersten Glassubstrats 1202 zum anschließenden Laserätzen laseraktiviert. Jedoch kann stattdessen eine beliebige geeignete Oberflächenaktivierungsmethodologie implementiert werden.
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Bei Block 1104 wird in diesem Beispiel das erste Glassubstrat 1202 geätzt. Das erste Glassubstrat 1202 kann fotogeätzt, chemisch geätzt werden oder ein beliebiger anderer geeigneter Typ von Ätzen kann genutzt werden.
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Bei Block 1106 werden bei dem veranschaulichten Beispiel das Lichtabsorptionsmaterial 1012 und die Kupferschicht 1014 abgeschieden und/oder auf dem ersten Glassubstrat 1202 bereitgestellt, wobei die Kupferschicht 1014 das Lichtabsorptionsmaterial 1012 umgibt.
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Bei Block 1108 wird ein Polierprozess auf dem ersten Glassubstrat 1202 (z. B. auf einer ersten Seite des ersten Glassubstrats 1202 und auf einer zweiten Seite des ersten Glassubstrats 1202, die der ersten Seite gegenüberliegt) durchgeführt. In diesem Beispiel werden Abschnitte der Kupferschicht 1014 poliert (z. B. entfernt).
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Bei Block 1110 wird das erste Glassubstrat 1202 an einen zweiten Glasabschnitt 1212 (in 12F gezeigt) gebondet und/oder an dieses gekoppelt, um einen Glaskern zu definieren. Bei manchen Beispielen ist das erste Glassubstrat 1202 mit einem Bondfilm, einem Ätzstoppmaterial und/oder einem Schutzfilm an das zweite Glassubstrat 1212 gebondet.
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Bei Block 1112 wird UV-Licht aufgebracht. In diesem Beispiel wird das UV-Licht auf das erste Glassubstrat 1202 und/oder den Glaskern gerichtet.
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Bei Block 1114 wird mindestens ein Stopfen bereitgestellt und/oder zu dem Glaskern hinzugefügt. In manchen Beispielen wird ein Schutzfilm über einer durch den mindestens einen Stopfen definierten Oberfläche abgeschieden.
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Bei Block 1116 wird der Glaskern selektiv geätzt.
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Bei Block 1118 wird der oben erwähnte Schutzfilm und/oder eine Ätzung entfernt.
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Bei Block 1120 wird der Glaskern metallisiert/gefüllt. In diesem Beispiel sind TGVs in dem Glaskern definiert, um die beispielhafte Halbleitervorrichtung 1000 zu definieren.
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Bei Block 1122 wird bestimmt, ob der Prozess wiederholt werden soll. Falls der Prozess wiederholt werden soll (Block 1122), kehrt die Steuerung des Prozesses zu Block 1101 zurück. Ansonsten endet der Prozess. Die Bestimmung kann darauf basieren, ob zusätzliche Glasbschnitte, -kerne und/oder -schichten zu der beispielhaften Halbleitervorrichtung 1000 hinzuzufügen sind.
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12a-12K veranschaulichen Stufen in einem beispielhaften Fertigungsprozess zum Herstellen der beispielhaften Halbleitervorrichtung 1000 aus 10. Unter Bezugnahme auf 12A ist das zuvor erwähnte erste Glassubstrat 1202, das in diesem Beispiel ein Rohglassubstrat ist, bereitgestellt.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 12B wird ein Laseraktivierungsprozess durchgeführt, um aktivierte Zonen 1204 zu definieren.
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Unter Bezugnahme auf 12C wird das Glassubstrat 1202 geätzt, um Öffnungen 1206 zu definieren.
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12D stellt das beispielhafte Lichtabsorptionsmaterial 1012 und die Kupferschicht 1014 dar, die auf das Glassubstrat 1202 aufgebracht und/oder abgeschieden werden. In diesem Beispiel wird die Kupferschicht 1014 so abgeschieden, dass sie das Lichtabsorptionsmaterial 1012 umgibt. Ferner erstreckt sich die Kupferschicht 1014 in diesem Beispiel entlang einer Länge entsprechender TGVs.
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12E stellt eine Oberfläche 1208 und eine Oberfläche 1210 dar, die poliert werden (z. B. kupferpoliert). Bei manchen Beispielen wird Kupfer aus der Kupferabscheidung mindestens teilweise von der Oberfläche 1208 und der Oberfläche 1210 entfernt (z. B. vollständig entfernt).
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12F stellt das Glassubstrat 1202 des veranschaulichten Beispiels dar, das mit dem vorgenannten Glassubstrat 1212 gekoppelt ist, das in diesem Beispiel nicht strukturiert ist. Das Glassubstrat 1202 und das Glassubstrat 1212 können über mindestens einen von einem Bondfilm, einem Schutzfilm, einem Ätzstopp und/oder einem Dielektrikum miteinander gekoppelt sein. In einigen Beispielen kann Schutzfilm- oder Ätzstoppmaterial, das gegenüber UV-Licht im Allgemeinen transparent ist, implementiert werden, wie zum Beispiel Materialien einschließlich PDMS- oder FEP-Typ-Polymeren.
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In dem veranschaulichten Beispiel aus 12G wird UV-Licht auf die zuvor genannten Öffnungen 1206 (z. B. von einer UV-Lichtquelle, einem Laser usw.) angewendet, um aktivierte Gebiete 1214 zu definieren, die beim anschließenden Ätzen genutzt werden, um Öffnungen zwischen dem Glassubstrat 1202 und dem Glassubstrat 1212 auszurichten.
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Unter Bezugnahme auf 12H sind beispielhafte Stopfen (z. B. magnetische Stopfen) 1216 als in einer der Öffnungen 1206 platziert dargestellt. Zusätzlich oder alternativ wird ein Schutzfilm 1220 aufgebracht.
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12I stellt einen selektiven Ätzprozess dar, der die Öffnungen 1224 definiert.
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12J stellt die Entfernung des beispielhaften Schutzfilms 1220 dar, der in 12H und 12I beschrieben ist. Infolgedessen wird eine freigelegte Oberfläche 1226 gebildet.
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12K stellt Metallisierungs- und/oder Füllprozesse dar, die das Bohren beinhalten, um die beispielhafte Halbleitervorrichtung 1000 zu definieren. Insbesondere kann ein mechanisches Bohrwerkzeug oder ein Laserbohrwerkzeug genutzt werden.
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Beliebige der Aspekte, Merkmale, Komponenten und/oder Prozessmethodologie, die oben in Verbindung mit den Beispielen von 1-12K beschrieben sind, können mit beliebigen anderen Aspekten, Merkmalen, Komponenten und/oder Prozessmethodologie anderer Beispiele kombiniert werden.
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Weitere Beispiele und Kombinationen davon beinhalten Folgendes: Beispiel 1 beinhaltet ein erstes Glassubstrat, ein zweites Glassubstrat, eine Grenzflächenschicht zwischen dem ersten Glassubstrat und dem zweiten Glassubstrat beinhaltet, wobei die Grenzflächenschicht das erste Glassubstrat mit dem zweiten Glassubstrat koppelt, und eine Zwischenverbindung, die sich durch mindestens einen Abschnitt des ersten Glassubstrats und mindestens einen Abschnitt des zweiten Glassubstrats erstreckt.
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Beispiel 2 beinhaltet die Einrichtung wie in Beispiel 1 definiert, wobei die Grenzflächenschicht eine dielektrische Schicht beinhaltet.
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Beispiel 3 beinhaltet die Einrichtung wie in Beispiel 1 definiert, wobei die Grenzflächenschicht einen Bondfilm beinhaltet.
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Beispiel 4 beinhaltet die Einrichtung wie in Beispiel 1 definiert, wobei die Zwischenverbindung einen ersten Abschnitt, der sich durch das erste Glassubstrat erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich durch das zweite Glassubstrat erstreckt, beinhaltet, und wobei der erste Abschnitt der Zwischenverbindung und der zweite Abschnitt der Zwischenverbindung im Wesentlichen ausgerichtet sind.
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Beispiel 5 beinhaltet die Vorrichtung wie in Beispiel 1 definiert, wobei die Zwischenverbindung eine Glasdurchkontaktierung (TGV) beinhaltet.
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Beispiel 6 beinhaltet die Vorrichtung wie in Beispiel 5 definiert und beinhaltet ferner einen Stopfen, der die TGV umgibt.
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Beispiel 7 beinhaltet die Einrichtung wie in Beispiel 6 definiert, die ferner ein Lichtabsorptionsmaterial beinhaltet, das mindestens einen Abschnitt des Stopfens umgibt.
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Beispiel 8 beinhaltet die Einrichtung wie in Beispiel 5 definiert, die ferner ein Lichtabsorptionsmaterial beinhaltet, das mindestens einen Abschnitt der TGV umgibt.
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Beispiel 9 beinhaltet die Einrichtung wie in Beispiel 1 definiert, die ferner Lichtabsorptionsmaterial beinhaltet, das mindestens einen Abschnitt mindestens eines des ersten Glassubstrats oder des zweiten Glassubstrats umgibt.
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Beispiel 10 beinhaltet einen Glaskern zur Verwendung mit einer Halbleitervorrichtung, wobei der Glaskern eine erste Glassubstratschicht, eine zweite Glassubstratschicht und eine Grenzflächenschicht zwischen der ersten Glassubstratschicht und der zweiten Glassubstratschicht umfasst, wobei die Grenzflächenschicht mindestens eines von einer dielektrischen Schicht oder einem Bondfilm beinhaltet, wobei die Grenzflächenschicht die erste Glassubstratschicht und die zweite Glassubstratschicht miteinander koppelt.
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Beispiel 11 beinhaltet den Glaskern wie in Beispiel 10 definiert, der ferner eine Glasdurchkontaktierung (TGV: Through-Glass Via) beinhaltet, die sich durch mindestens einen Abschnitt des Glaskerns erstreckt.
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Beispiel 12 beinhaltet den Glaskern wie in Beispiel 11 definiert, wobei die TGV einen ersten Abschnitt, der sich durch die erste Glassubstratschicht erstreckt, und einen zweiten Abschnitt beinhaltet, der sich durch die zweite Glassubstratschicht erstreckt, wobei der erste Abschnitt der TGV und der zweite Abschnitt der TGV im Wesentlichen ausgerichtet sind.
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Beispiel 13 beinhaltet den Glaskern wie in Beispiel 11 definiert, wobei die TGV mindestens teilweise von einem Lichtabsorptionsmaterial umgeben ist.
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Beispiel 14 beinhaltet den Glaskern wie in Beispiel 13 definiert, wobei sich das Lichtabsorptionsmaterial durch die erste Glassubstratschicht oder die zweite Glassubstratschicht erstreckt.
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Beispiel 15 beinhaltet den Glaskern wie in Beispiel 13 definiert, der ferner eine Kupferschicht beinhaltet, wobei sich das Lichtabsorptionsmaterial zwischen der Kupferschicht und mindestens einer der ersten Glassubstratschicht oder der zweiten Glassubstratschicht befindet.
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Beispiel 16 beinhaltet den Glaskern wie in Beispiel 10 definiert, wobei die erste Glassubstratschicht oder die zweite Glassubstratschicht einen Vorsprung beinhaltet, der durch eine Rille einer anderen der ersten Glassubstratschicht oder der zweiten Glassubstratschicht zu aufgenommen werden soll.
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Beispiel 17 beinhaltet ein Verfahren, das Folgendes umfasst: Koppeln eines ersten Glassubstrats mit einem zweiten Glassubstrat mit einer Grenzflächenschicht, die dazwischen positioniert ist, wobei die Grenzflächenschicht mindestens einen von einem Bondfilm oder einer dielektrischen Schicht beinhaltet, und Definieren einer Zwischenverbindung, die sich durch mindestens einen Abschnitt des ersten Glassubstrats und mindestens einen Abschnitt des zweiten Glassubstrats erstreckt.
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Beispiel 18 beinhaltet das Verfahren wie in Beispiel 17 definiert, das ferner das Bereitstellen eines Stopfens für mindestens eines von dem ersten Glassubstrat oder dem zweiten Glassubstrat, Bohren des Stopfens, um eine zentrale Öffnung von diesem zu definieren, und Metallisieren der zentralen Öffnung, um die Zwischenverbindung zu definieren, beinhaltet.
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Beispiel 19 beinhaltet das Verfahren wie in Beispiel 17 definiert, wobei mindestens eines von dem ersten Glassubstrat oder dem zweiten Glassubstrat mit einer Struktur strukturiert wird, bevor es mit dem ersten Glassubstrat und/oder dem zweiten Glassubstrat gekoppelt wird.
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Beispiel 20 beinhaltet das Verfahren wie in Beispiel 19 definiert, das ferner das Aktivieren mindestens eines des ersten Glassubstrats oder des zweiten Glassubstrats beinhaltet, um ein aktiviertes Gebiet davon zu definieren, indem UV-Licht auf die Struktur gerichtet wird.
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Beispiel 21 beinhaltet das Verfahren wie in Beispiel 20 definiert, das ferner das Ätzen des aktivierten Gebiets beinhaltet, um eine Öffnung zu definieren, die der Zwischenverbindung entspricht.
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Beispiel 22 beinhaltet das Verfahren wie in Beispiel 17 definiert, wobei das Koppeln des ersten Glassubstrats mit dem zweiten Glassubstrat das Komprimieren der Grenzflächenschicht zwischen dem ersten Glassubstrat und dem zweiten Glassubstrat beinhaltet.
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Beispiel 23 umfasst das Verfahren wie in Beispiel 17 definiert, wobei das Koppeln des ersten Glassubstrats mit dem zweiten Glassubstrat das Ausrichten eines Vorsprungs des ersten Glassubstrats oder des zweiten Glassubstrats mit einer Rille des anderen des ersten Glassubstrats oder des zweiten Glassubstrats beinhaltet.
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Aus dem Vorstehenden versteht es sich, dass beispielhafte Systeme, Verfahren, Einrichtungen und Herstellungsartikel offenbart wurden, die Halbleitervorrichtungen mit Glasstrukturen und/oder -kernen ermöglichen, die gegenüber Beschädigung hochbeständig sind. Ferner ermöglichen hier offenbarte Beispiele, dass Glasstrukturen im Vergleich zu bekannten Implementierungen relativ dick sind. Mit anderen Worten ermöglichen hier offenbarte Beispiele das Stapeln von Glasabschnitten (z. B. Glasschichten, Glaskerne, Glaskernschichten usw.).
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Obwohl hierin bestimmte beispielhafte Systeme, Verfahren, Einrichtungen und Produkte offenbart worden sind, ist der Schutzbereich dieses Patents nicht auf diese beschränkt. Im Gegenteil deckt dieses Patent alle Systeme, Verfahren, Einrichtungen und Produkte ab, die angemessenerweise in den Schutzbereich der Ansprüche dieses Patents fallen.
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Die folgenden Ansprüche werden hiermit durch diese Bezugnahme in diese ausführliche Beschreibung aufgenommen, wobei jeder Anspruch alleine als eine separate Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung steht.
