DE102021107402A1 - Elektronisches Bauteil, Bauteilanordnung, Funktionsschicht zum Bilden eines elektronischen Bauteils und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils - Google Patents

Elektronisches Bauteil, Bauteilanordnung, Funktionsschicht zum Bilden eines elektronischen Bauteils und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils Download PDF

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Abstract

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Elektronisches Bauteil, eine Bauteilanordnung, Funktionsschicht zum Bilden eines elektronischen Bauteils und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils bereitgestellt. Das elektronische Bauteil 100 weist auf eine Funktionsschicht 200, welche ein spontan polarisierbares Material und Pinzentren in und/oder auf dem spontan polarisierbaren Material aufweist, derart, dass ein oder mehrere Eigenschaften von in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwänden beeinflusst wird, und ein oder mehrere Elektroden, welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen betreffen ein elektronisches Bauteil, eine Bauteilanordnung, ein Material zum Bilden einer Funktionsschicht und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils.
  • Im Allgemeinen können elektronische Bauteile hinsichtlich ihrer kapazitiven und/oder induktiven Eigenschaften an die jeweiligen Anforderungen angepasst werden.
  • Eine Ausprägung von induktiven Eigenschaften bezieht sich auf die sogenannte kinetische Induktivität. Technisch relevante Frequenzen, bei denen kinetische Induktivitäten bei Raumtemperatur zum Tragen kommen, können beispielsweise im Megahertz (MHz)-Frequenzbereich und/oder im Gigahertz (GHz)-Frequenzbereich liegen.
  • Ein Frequenzbereich, bei dem in normalleitenden Metallen (beispielsweise bei physikalischen Normbedingungen) eine kinetische Induktivität relevant sein kann, kann beispielsweise der THz-Frequenzbereich sein. Hingegen können beispielsweise supraleitende Nanodrähte eine kinetische Induktivität bei technisch relevanten Frequenzen, beispielsweise im MHz-Frequenzbereich und/oder GHz-Frequenzbereich, aufweisen.
  • Supraleitende Nanodrähte, die beispielsweise Induktivitäten im nH-Bereich (z.B. einem Bereich zwischen 1 nH und 1000 nH), einen Footprint (auch als Flächenausdehnung bezeichnet) von weniger als ca. 100 µm2 und eine Höhe von wenigen Nanometern aufweisen, können eine kinetische Induktivität (sofern die Temperatur des supraleitenden Materials unterhalb der supraleitenden Sprungtemperatur liegt) bei Frequenzen in einem technisch relevanten Bereich aufweisen. Beispielsweise kann die supraleitende Sprungtemperatur für NbN-Nanodrähte unterhalb von 12 K liegen. Allerdings kann die Integration von Bauteilen mit kinetischen Induktivitäten in flache Elektronik (wie beispielsweise Smartphones) beispielsweise basierend auf supraleitenden Materialien kostspielig oder technisch zu komplex sein.
  • Elektronische Bauteile in Form von diskreten und integrierbaren passiven Bauteilen können Kapazitäten im technisch relevanten Picofarad (pF)-Bereich bis Nanofarad (nF)-Bereich sowie Nanofarad (nF)-Bereich bis Farad (F)-Bereich aufweisen.
  • Die bisher erreichten Kapazitäten im Picofarad (pF)-Bereich bis Nanofarad (nF) können durch Keramik-Kapazitäten abgedeckt werden. Der Kapazitätsbereich von Picofarad (nF) bis Farad (F) kann durch Elektrolyt-Kapazitäten (die beispielsweise Aluminium und/oder Tantal aufweisen) und/oder von sogenannten Power-Kapazitäten abgedeckt werden. Bisher lassen sich Kapazitäten im Picofarad (pF)-Bereich bis Farad (F)-Bereich nicht durch ein und denselben Kapazitätstyp darstellen.
  • Der Footprint von Elektrolyt-Kapazitäten, die Aluminium, und/oder Tantal aufweisen können, bzw. von Power-Kapazitäten kann zwischen 1 mm2 und 10 mm2 liegen. Es mangelt an elektronischen Bauteilen (z.B. ein Kapazitätstyp), die gleichzeitig Kapazitäten im Nanofarad (nF)-Bereich bis in den Farad (F)-Bereich aufweisen können. Insbesondere an elektronischen Bauteilen die gleichzeitig im gesamtem Kapazitätsbereich einen Footprint kleiner als 1 mm2 und eine Höhe im unteren µm-Bereich aufweisen können und ferner auch bei Raumtemperatur (und z.B. bei Atmosphärendruck) ihre Funktionalität aufrechterhalten. Das kann nachteilig für die Herstellung von diskreten passiven Bauteilen sein, welche in flachen Schaltungen mit geringem Flächenbedarf verwendet werden sollen. Das kann nachteilig für die Integration der passiven Bauteile in integrierte Schaltungen sein.
  • Beispielsweise mangelt es bisher an elektronischen Bauteilen, insbesondere passiven Bauteilen, die als ein kapazitives Bauteil (z.B. einem Kondensator) oder als ein induktives Bauteil (z.B. einer Spule) ausgestaltet sind, wobei das elektronische Bauteil mittels Dünnschichttechnologie hergestellt werden kann, wobei das elektronische Bauteil eine Funktionsschicht aufweist, beispielsweise in Form einer Schichtabfolge bzw. eines Schichtstapels, und wobei die Funktionsschicht ein oder mehrere Manganate aufweist oder daraus besteht.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten wird ein elektronisches Bauteil bereitgestellt, das kinetische Induktivitäten in technisch relevanten Bereichen (z.B. MHz-Bereichen und/oder GHz-Bereichen) unter physikalischen Normbedingungen, insbesondere bei Raumtemperatur und/oder ohne externes Anlegen von Druck, aufweisen kann. Dabei kann das elektronische Bauteil einen Footprint von weniger als 100 µm2 und eine Höhe von wenigen Nanometern aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten wird ein elektronisches Bauteil aufweisend eine Funktionsschicht bereitgestellt. In Abhängigkeit der Ausgestaltung (z.B. der Materialwahl, der Konzentration an Domänenwänden, der Anzahl an Pinnzentren, etc.) der Funktionsschicht, kann das elektronische Bauteil eine Kapazität im pF-Bereich bis in den nF-Bereich oder im nF-Bereich bis in den F-Bereich aufweisen. Das elektronische Bauteil kann im gesamtem Kapazitätsbereich einen Footprint kleiner als 1 mm2 und eine Höhe im unteren µm-Bereich aufweisen und unter physikalischen Normbedingungen seine Funktionalität aufweisen.
  • Gemäß verschieden Aspekten kann ein Material bereitgestellt werden, das elektrisch geladene Domänenwände aufweist. Das Material kann zur Realisierung eines bis zur Anwendung und in der Anwendung stabilen elektronischen Bauteiles zur Verfügung gestellt werden. Das elektronische Bauteil kann einen Footprint im Bereich von 100 nm2 bis 1 m2 aufweisen. Gemäß verschiedenen Aspekten kann das Material in einem diskreten oder einem integrierbaren Bauteil verwendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten kann das Material zum Bilden einer Funktionsschicht verwendet werden, beispielsweise mittels einer Dünnschichttechnologie. Das Material kann beispielsweise ein ferroelektrisches Material aufweisen oder sein. Das Material kann beispielsweise ein Manganat aufweisen oder sein.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten wird ein elektronisches Bauteil bereitgestellt, das elektronische Bauteil aufweisend: eine Funktionsschicht, welche ein spontan polarisierbares Material und Pinzentren (auch als Pinningzentren oder Haftzentren bezeichnet) in und/oder auf dem spontan polarisierbaren Material aufweist, derart, dass ein oder mehrere Eigenschaften von in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwänden beeinflusst wird, und ein oder mehrere Elektroden, welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten wird eine Funktionsschicht zum Bilden eines elektronischen Bauteils bereitgestellt, die Funktionsschicht aufweisend ein oder mehrere Manganatschichten, mehrere elektrisch geladene Domänenwände, welche in den ein oder mehreren Manganatschichten ausgebildet sind, mehrere in den ein oder mehreren Manganatschichten angeordnete Pinzentren, die eingerichtet sind zum Verändern von ein oder mehreren Eigenschaften der elektrisch geladenen Domänenwände.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bilden einer Funktionsschicht, die ein spontan polarisierbares Material aufweisen kann, aufweisend Ausbilden von Domänenwänden in dem spontan polarisierbaren Material, und Einbringen von Pinzentren in die Funktionsschicht, wobei die Pinzentren eingerichtet sind zum Beeinflussen mindestens einer Eigenschaft von ein oder mehreren Eigenschaften des spontan polarisierbaren Materials, und Bilden von ein oder mehreren Elektroden, welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen, derart dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten wird eine Bauteilanordnung von elektronischen Bauteilen bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bauteilanordnung von elektronischen Bauteilen aufweisend, ein erstes elektronisches Bauteil gemäß den Patentansprüchen für ein elektronisches Bauteil, und ein zweites elektronisches Bauteil gemäß den Patentansprüchen für ein elektronisches Bauteil.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein elektronisches Bauteil bereitgestellt, aufweisend eine Funktionsschicht und ein oder mehrere Elektroden. Die Funktionsschicht kann mittels der ein oder mehreren Elektroden (z.B. Kontakte, z.B. Vorderseitenkontakt, z.B. Rückseitenkontakt) kontaktiert werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist das elektronische Bauteil ein passives Bauteil. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das elektronische Bauteil ein diskretes bzw. ein separates Bauteil sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das elektronische Bauteil ein passives Bauteil sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das elektronische Bauteil ein diskretes Bauteil sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Funktionsschicht ein Material mit elektrisch geladenen Domänenwänden aufweisen oder daraus bestehen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Funktionsschicht ein spontan polarisierbares Material aufweisen oder daraus bestehen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Funktionsschicht ein oder mehrere Manganate aufweisen oder daraus bestehen. Beispielsweise können mehr als 25% (z.B. mehr als 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95% oder mehr als 99%) der ein oder mehreren Manganate in einer hexagonalen Phase vorliegen.
  • Somit kann beispielsweise ein Footprint eines passiven Bauteils kleiner als 1 mm2 sein. Ferner kann ein elektronisches Bauelement seine Funktionalität auch bei Raumtemperatur und Atmosphärendruck beibehalten. Eine Bauhöhe des elektronischen Bauteils kann kleiner als 1 µm sein. Damit kann das elektronische Bauteil beispielsweise für ein optimales Design von Smartphones, Digitalkameras, Navigationsgeräten, aber auch Tablets und Notebooks geeignet sein. Insbesondere, da beispielsweise in diesen Geräten die passiven Bauteile nicht höher sein sollten als die verwendeten Speicherbausteine und/oder Mikrocontroller. Neben der Bauhöhe kann auch die Energieeffizienz der elektronischen Bauteile eine wichtige Rolle spielen. Die beschriebene Integrierbarkeit der elektronischen Bauteile kann eine Leistung der passiven Bauteile erhöhen und/oder eine Langzeitstabilität verbessern. Darüber hinaus können Kapazitäten vom Picofarad (pF)-Bereich (z.B. Kapazitäten größer als 0,1 pF und kleiner als 5 nF) bis zum Nanofarad (nF)-Bereich (z.B. Kapazitäten größer als 0,1 nF und kleiner als 5 µF) sowie vom Pikofarad (nF)-Bereich bis zum Farad (F)-Bereich (z.B. Kapazitäten größer als 0,1 F und kleiner als 5 kF) mit demselben Kapazitätstyp (z.B. einem selben Material in Form einer Funktionsschicht, einer selben Höhe einer Funktionsschicht) realisiert werden. Die elektronischen Bauteile können beispielsweise in eine Array-Crossbar-Struktur integriert werden.
  • Derartige elektronische Bauteile können in vielfältiger Art und Weise in elektronische Schaltungen integriert werden. Aufgrund der Variationsmöglichkeiten der verwendeten Funktionsschicht bezüglich einer Typengestaltung, beispielsweise als kinetische Induktivität im Gigahertz (GHz)-Bereich (z.B. einem Bereich zwischen 0,1 GHz und 5 THz), als Kapazitäten im Picofarad (pF)-Bereich bis Nanofarad (nF)-Bereich sowie als Kapazität im Nanofarad (nF)- Bereich bis Farad (F)-Bereich.
  • Einige Ausführungsbeispiele sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
    • 1 zeigt ein elektronisches Bauteil, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 2A-2C zeigen beispielhaft ein als kinetische Induktivität ausgestaltetes elektronisches Bauteil, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 3 zeigt beispielhaft ein Diagramm mit elektrischen Charakteristika eines als kinetische Induktivität ausgestalteten elektronischen Bauteils, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 4 zeigt beispielhaft ein als Kapazität im nF-Bereich ausgestaltetes elektronisches Bauteil, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 5A und 5B zeigen beispielhaft Diagramme mit elektrischen Charakteristika eines als Kapazität im nF-Bereich ausgestalteten elektronischen Bauteils, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 6 zeigt beispielhaft ein als Kapazität im mF-Bereich ausgestaltetes elektronisches Bauteil, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 7A und 7B zeigen beispielhaft Diagramme mit elektrischen Charakteristika eines als Kapazität im mF-Bereich ausgestalteten elektronischen Bauteils, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 8A bis 8C zeigen beispielhaft die Verwendung verschiedener Ausführungsformen als jeweiliges diskretes elektronisches Bauteil, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 9A und 9B zeigen beispielhaft Schaltungen von diskreten elektronischen Bauteilen, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 10A bis 14 zeigen beispielhaft Anordnungen von elektronischen Bauteilen, gemäß verschiedenen Aspekten.
    • 15A und 15B zeigen beispielhaft Schaltungen von elektronischen Bauteilen, gemäß verschiedenen Aspekten.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
  • Im Folgenden werden Zahlwörter bzw. Aufzählungen wie beispielsweise erste, zweite, dritte etc. verwendet. Diese sollen, wenn nicht explizit anders angegeben, keine Reihenfolge implizieren, sondern dienen nur einem besseren Verständnis. Ferner werden Positionsangaben wie an, über, unter, auf etc. verwendet. Diese können bedeuten, dass ein erstes Objekt beispielsweise an einem zweiten Objekt angeordnet werden kann und sollen nicht ausschließen, dass ein drittes Objekt zwischen dem ersten und zweiten Objekt angeordnet werden kann. Positionsangaben wie direkt an, direkt über, direkt unter, direkt auf etc. sollen verwendet werden, um auszuschließen, dass sich noch ein drittes Objekt zwischen einem ersten Objekt und einem zweiten Objekt befindet, wenn das erste Objekt direkt an dem zweiten Objekt angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten können Komponenten Ränder aufweisen. Ein Rand kann beispielsweise ein Außenrand, eine Bereichsgrenze und/oder ein Schichtrand sein. Ein Rand kann einen Nahebereich aufweisen. Der Nahbereich kann alle Ortspunkte i rM,i in einem Material M umfassen, deren Abstand zum nächstgelegenen Punkt RRj auf dem Rand j so klein ist, dass Teilchen sich zwischen dem Nahbereich und dem Rand mit einer Wahrscheinlichkeit (von mehr als 30%, z.B. mehr als 40%, 50%, 75% oder mehr als 80%) aufgrund des quantenmechanischen Tunneleffektes ausbreiten können, auch wenn der Ausbreitung dieser Teilchen eine Tunnelbarriere entgegenwirken kann. Beispielsweise kann der Nahbereich mittels temperaturabhängiger Strommessungen beim Anlegen einer Spannung zwischen der Vorderseitenelektrode und der Rückseitenelektrode nachgewiesen werden. Durch eine Variation der angelegten Spannung (z.B. von -5 V bis +5 V) kann eine Unterscheidung des Materials in den Nahbereich (bzw. den jeweiligen Nahbereich der Vorderseitenelektrode und der Rückseitenelektrode) und in einen Bereich außerhalb des Nahbereiches (bzw. des jeweiligen Nahbereichs der Vorderseitenelektrode und der Rückseitenelektrode) durchgeführt werden. Beispielsweise kann der Nahbereich ein Bereich sein, durch den die Ladungsträger tunneln, d.h. ein Bereich sein, der einen hohen spezifischen Widerstand (z.B. mehr als 100 Ω•mm2/m, 150 Ω•mm2/m, 200 Ω•mm2/m oder 500 Ω•mm2/m) aufweisen kann. Die tunnelnden Ladungsträger können einen Tunnelstrom erzeugen. Beispielsweise kann der Bereich außerhalb des Nahbereiches ein Bereich sein, der einen geringen spezifischen Widerstand kleiner als 100 Ω•mm2/m (z.B. kleiner als 75 Ω•mm2/m, 50 Ω•mm2/m, 25 Ω•mm2/m oder 10 Ω•mm2/m) aufweisen kann. Der Tunnelstrom kann temperaturunabhängig sein. Der Tunnelstrom kann exponentiell mit der angelegten Spannung wachsen. Ein Strom außerhalb des Nahbereichs (bzw. des jeweiligen Nahbereichs der Vorderseitenelektrode und der Rückseitenelektrode) kann temperaturabhängig sein. Beispielsweise kann der Strom außerhalb des Nahbereichs umgekehrt proportional zur Temperatur sein. Beispielsweise kann der Strom außerhalb des Nahbereichs linear von der angelegten Spannung abhängen.
  • Komponenten, die in einem Nahebereich voneinander liegen, werden auch als „in der Nähe“ bezeichnet. Der Nahbereich kann ein Bereich sein, in dem jeder Punkt eine geringere Entfernung als beispielsweise 2 nm vom Rand hat, z.B. eine geringere Entfernung als 1,5 nm, 1,0 nm, 0,5 nm, 0,25 nm, oder eine geringere Entfernung als 0,10 nm. Ein Nahbereich eines Randes kann ein Bereich sein, in dem beim Anlegen einer Spannung an die Elektroden ein kontinuierlicher Stromfluss zwischen einem Punkt innerhalb des Nahbereichs und einer Elektrode, die an dem Rand angeordnet ist, möglich ist.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten können elektronische Bauteile eine elektrische Kapazität aufweisen. Eine elektrische Kapazität kann beispielsweise einen oder mehrere Kapazitätsbereiche gänzlich oder teilweise umfassen. Kapazitätsbereiche können beispielsweise sein: ein pF-Bereich (z.B. von 1•10-12 F bis 1•10-9 F), ein nF-Bereich (z.B. von 1 • 10-9 F bis 1•10-6 F), ein µF-Bereich (z.B. von 1•10-6 F bis 1•10-3 F), ein mF-Bereich (z.B. von 1•10-3 F bis 1 F), ein F-Bereich (z.B. von 1 F bis 1•103 F). Ein elektronisches Bauteil, das eine Kapazität aufweisen kann, kann als kapazitives Bauteil oder als Kapazität bezeichnet werden. Beispielsweise kann ein passives Bauteil als kapazitives Bauteil ausgestaltet sein. Eine Gesamtinduktivität L eines Materials kann sich aus einem geometrischen Anteil einer Induktivität Lgeo und aus einem kinetischen Anteil einer Induktivität Lkin zusammensetzen (z.B. mittels Addition: L=Lgeo + Lkin). In einem einheitlichen Leiter mit einer einheitlichen Querschnittsgeometrie und Stromdichteverteilung, z.B. mit einem Strom I, kann eine Gesamtenergie von Ladungsträgern E zu E=1/2•L•I2 umgeformt werden. Nach dem Drude-Modell wird eine kinetische Energie von den Ladungsträgern durch Kollisionen von bewegten Ladungsträgern, mit einer Relaxationszeit τ zwischen zwei Stößen, reduziert. In metallischen Leitern mit einem spezifischen Widerstand ρ<100 Ω•mm2/m (z.B. ρ<75 Ω•mm2/m, ρ<50 Ω•mm2/m ρ<25 Ω•mm2/m oder ρ<10 Ω•mm2/m) kann bei Raumtemperatur die Relaxationszeit in der Größenordnung von 0,1 ps liegen. Beispielsweise kann die Relaxationszeit kleiner sein als 1 ps (z.B. kleiner als 0,8 ps, 0,5 ps, 0,2 ps, oder als 0,1 ps). Beispielsweise kann die Relaxationszeit größer sein als 0,01 ps (z.B. größer als 0,02 ps, 0,05 ps, 0,07 ps, oder als 0,09 ps). Dadurch kann eine kinetische Reaktanz, d.h. ein Blindwiderstand der Induktivität, erst bei Frequenzen größer als f=10 THz über einen reellen Widerstand dominieren. Hierbei kann die kinetische Reaktanz Zkin=2•π•f Lkin proportional zum Produkt aus einer Frequenz f und der kinetischen Induktivität Lkin sein. In supraleitenden NbN-Nanodrahtleitern (sofern die Temperatur des supraleitenden Materials unterhalb der supraleitenden Sprungtemperatur liegt), deren kinetische Induktivität mehre 10 nH betragen kann (z.B. mehr als 20 nH, 50 nH, oder mehr als 100 nH), kann die kinetische Reaktanz bei Frequenzen von mehr als 10 GHz (z.B. mehr als 20 GHz, 50GHz, oder mehr als 100 GHz) viel größer sein als der reelle Widerstand (z.B. größer sein um mehr als einen Faktor 2, 3, 5, 8 oder 10). Ein Frequenzbereich kann in Abhängigkeit der kinetischen Reaktanz eine Resonanz in der komplexen Drudeleitfähigkeit aufweisen. Die Vortices (z.B. sogenannte hochleitende Vortices) in Materialien mit elektrisch geladenen Domänenwänden können mittels Messung der komplexen Drudeleitfähigkeit im Frequenzbereich zwischen 1 GHz und 10 THz nachgewiesen werden. Beispielsweise kann die komplexe Drudeleitfähgkeit im Frequenzbereich von 100 GHz bis 1500 GHz mittels eines THz-Spektralellipsometers gemessen werden. Beispielsweise können ein oder mehrere Resonanzen aus der Analyse der Messdaten des THz-Spektralellipsometers in dem Frequenzbereich von 100 GHz bis 1500 GHz nachgewiesen werden. Gemäß verschiedenen Aspekten können elektronische Bauteile eine kinetische Induktivität aufweisen. Beispielsweise können passive Bauteile eine kinetische Induktivität aufweisen. Ein elektronisches Bauteil, das eine kinetische Induktivität aufweisen kann, kann im Folgenden als induktives Bauteil, als kinetische Induktivität oder als Induktivität bezeichnet werden.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten können Materialien elektrisch geladene Domänenwände aufweisen. Die elektrisch geladenen Domänenwände können beispielsweise in Form von Open Loop Vortices vorliegen. Die Domänenwände können beispielsweise in Form von Closed Loop Vortices vorliegen. Die Domänenwände können eine Beweglichkeit innerhalb des Materials aufweisen. Die Beweglichkeit der Domänenwände kann durch sogenannte Pinzentren verändert werden, z.B. reduziert oder vermindert werden (z.B. auf 0 reduziert). Ein Pinzentrum das an einem Open Loop Vortex angeordnet ist, wird als Pinzentrum für einen Open Loop Vortex bzw. als POL bezeichnet. Ein Pinzentrum das an einem Closed Loop Vortex angeordnet ist, wird als Pinzentrum für einen Closed Loop Vortex bzw. als PCL bezeichnet. Domänenwände können geschlossene Pfade zwischen einem ersten Punkt innerhalb des Materials und einem zweiten Punkt innerhalb des Materials bilden. Ein geschlossener Pfad kann beispielsweise zwischen einem ersten Punkt, der sich in einem ersten Nahbereich (z.B. von einer ersten Elektrode) befindet, und einem zweiten Punkt, der sich in einem zweiten Nahbereich (z.B. von einer zweiten Elektrode) befindet, ausgebildet sein. Ein geschlossener Pfad kann beispielsweise durch ein oder mehrere Closed Loop Vortices und/oder ein oder mehrere Open Loop Vortices ausgebildet werden.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten kann ein Typ eines elektronischen Bauteils, beispielsweise eines passiven Bauteils, festgelegt werden. Beispielsweise kann das elektronische Bauteil in eine integrierte Schaltung eingebracht werden. Beispielsweise kann der Typ festgelegt werden, indem eine Verteilung von elektrisch geladenen Domänenwänden, eine Verteilung von Pinzentren für Open Loop Vortices bzw. POL, und eine Verteilung von Pinzentren für Closed Loop Vortices bzw. PCL in dem elektronischen Bauteil gemäß einer jeweiligen vorgegebenen Verteilung eingebracht wird. Die jeweilige vorgegebene Verteilung kann davon abhängig sein, ob das elektronische Bauteil eine Kapazität im „nF“-Bereich und/oder „mF“-Bereich aufweisen soll oder ob das elektronische Bauteil eine kinetische Induktivität im GHz-Bereich aufweisen soll. Beispielsweise kann eine Frequenz im GHz-Bereich größer als 0,1 GHz und kleiner als 5 THz sein. Die jeweilige Verteilung kann beispielsweise mittels lokaler thermischer Behandlung, mittels Ionenbestrahlung oder mittels Elektronenbestrahlung eingebracht oder verändert werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die passiven Bauteile in einer Crossbar-Array-Struktur ausgeführt werden, beispielsweise mittels derselben Dünnschichttechnologie. Gemäß verschiedenen Aspekten können Pinzentren einen mittleren Abstand voneinander aufweisen. Ein mittlerer Abstand kann beispielsweise ein Mittelwert (z.B. ein arithmetisches Mittel, ein geometrisches Mittel, ein harmonisches Mittel) der Abstände von direkt benachbarten Pinzentren sein. Gemäß verschiedenen Aspekten können Pinzentren eine Dichte aufweisen. Beispielsweise kann die Dichte der Pinzentren proportional zum mittleren Abstand der Pinzentren sein oder der mittlere Abstand der Pinzentren sein (d.h. Proportionalitätsfaktor = 1). Beispielsweise kann die Dichte der Pinzentren der Quotient aus einer Anzahl (z.B. Gesamtzahl, Anzahl von POL, oder Anzahl von PCL etc.) innerhalb eines Volumens und dem Volumen sein. Beispielsweise kann die Dichte eine Flächendichte sein. Die Flächendichte kann der Quotient aus einer Anzahl von Pinzentren und einer Projektionsfläche auf einen Footprint eines elektronischen Bauteils sein. Beispielsweise kann die Flächendichte auf eine Oberfläche von ein oder mehreren Schichten bezogen sein. Beispielsweise kann die Flächendichte auf eine Kontaktfläche von ein oder mehreren Elektroden bezogen sein. Beispielsweise kann eine Flächendichte eine mittlere Flächendichte sein. Beispielsweise kann eine Flächendichte auf eine Fläche bezogen sein, die mindestens 50% (z.B. mindestens 70%, 80%, 90% oder 95%) der Kontaktfläche einer Elektrode betrifft.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten können Elektroden eine Rauigkeit bzw. Rauheit (z.B. eine Oberflächenrauigkeit) aufweisen. Die Rauigkeit kann mittels eines Rauheitswerts beschrieben werden. Der Rauheitswert kann die mittlere Abweichung von einer glatten Fläche sein. Der Rauheitswert kann ein Mittenrauwert, eine quadratische Rauheit, eine gemittelte Rautiefe und/oder ein Rauheitswert gemäß DIN EN ISO 25178 sein.
  • Gemäß verschiedenen Aspekten können Eigenschaften von Komponenten beschrieben sein. Sofern gleiche Eigenschaften verschiedener Komponenten miteinander verglichen werden sollen, soll dies im Allgemeinen so verstanden werden, dass diese Eigenschaft jeweils für die Komponenten unter gleichen Messbedingungen (beispielsweise gleicher Temperatur, gleichem Druck, gleicher Luftfeuchtigkeit, gleicher Frequenz, gleiche Spannung, gleicher Stromstärke etc.) ermittelt wird. Beispielsweise können Eigenschaften (beispielsweise Kapazität, Frequenz, Induktivität, Widerstand etc.) als voneinander verschieden bezeichnet werden, wenn sie sich mindestens um 10% (z.B. 25%, 50%, oder mehr als 50%) voneinander unterscheiden. Beispielsweise können Eigenschaften als unterschiedlich bezeichnet werden, wenn sie sich um ein oder mehrere Zehnerpotenzen (bzw. Größenordnungen) unterscheiden, beispielsweise um eine (101), zwei (102), drei (103), vier (104), fünf (105) etc. Zehnerpotenzen (bzw. Größenordnungen).
  • 1 zeigt beispielhaft ein elektronisches Bauteil 100 gemäß verschiedenen Aspekten. Das elektronische Bauteil 100 weist eine Funktionsschicht 200 und ein oder mehrere Elektroden auf. Die ein oder mehreren Elektroden können jeweils mittels einer Dünnschichttechnologie auf (z.B. mit direktem oder indirektem Kontakt) der Funktionsschicht 200 gebildet (z.B. geformt, hergestellt oder angebracht) werden. Die Funktionsschicht 200 kann durch eine erste Elektrode 310 der ein oder mehreren Elektroden kontaktiert werden. Die erste Elektrode 310 kann beispielsweise als elektrisch leitendender Vorderseitenkontakt bzw. Vorderseitenelektrode bezeichnet werden. Ferner kann die Funktionsschicht 200 von einer zweiten Elektrode 320 der ein oder mehreren Elektroden kontaktiert werden. Die zweite Elektrode 320 kann beispielsweise als ein elektrisch leitender Rückseitenkontakt bzw. Rückseitenelektrode bezeichnet werden. Eine Gesamtdicke d der Funktionsschicht 200 des elektronischen Bauteils 100 kann größer als 1 nm sein (z.B. größer als 2 nm, 3 nm, 4 nm oder größer als 5 nm). Die Gesamtdicke d der Funktionsschicht 200 kann kleiner als 100 mm sein (z.B. kleiner als 90 mm, 80 mm, 70 mm, 60 mm oder kleiner als 50 mm). An der zweiten Elektrode 320 (und/oder an der ersten Elektrode 310) kann beispielsweise ein Substrat 10 (z.B. eine Substratschicht) angeordnet sein.
  • Die Funktionsschicht 200 kann elektrisch geladene Domänenwände aufweisen. Die Domänenwände können Closed Loop Vortices 210 aufweisen oder sein. Die Domänenwände können Open Loop Vortices 220 aufweisen oder sein. Die Funktionsschicht 200 kann Pinzentren aufweisen, die an Domänenwänden angeordnet sein können. Die Pinzentren von Open Loop Vortices POL 240 sind beispielsweise an Open Loop Vortices 220 angeordnet. Die Pinzentren an Closed Loop Vortices PCL 250 sind beispielsweise an Closed Loop Vortices 210 angeordnet. An einer Domänenwand können keine, ein oder mehrere (z.B. zwei, drei, vier, fünf, sechs etc.) Pinzentren angeordnet sein. Pinzentren können beispielsweise in einem Nahbereich der (bzw. in der Nähe von) ein oder mehreren Elektroden angeordnet sein. Beispielsweise können ein oder mehrere der Pinzentren in direktem Kontakt mit einer der ein oder mehreren Elektroden sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Verteilung der elektrisch geladenen Domänenwänden, eine Verteilung der POL 240 und/oder eine Verteilung der PCL 250 in der Funktionsschicht 200 (z.B. in einem Material der Funktionsschicht) bestimmt werden, durch eine Struktur der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320, ein oder mehrere Präparationsparameter zumindest eines Materials der Funktionsschicht 200 während eines Wachstums der Funktionsschicht 200 (beispielsweise während einem Dünnschichtwachstum) und nach dem Wachstum der Funktionsschicht 200 (z.B. nach dem Dünnschichtwachstum) und/oder von einer Struktur der Vorderseitenelektrode 310. Beispielsweise können bei Verwendung einer gepulsten Laserplasmaabscheidung zur Präparation der Funktionsschicht 200 die ein oder mehreren Präparationsparameter eine chemische Komposition (z.B. ein Verhältnis von Kationen zu Anionen, eine Fremdatomkonzentration) eines verwendeten Targets (z.B. einem keramischen Target) und/oder ein Sauerstoffpartialdruck und/oder eine Substrattemperatur und/oder eine Pulsfrequenz und/oder eine Pulszahl sein. Die Pulsfrequenz kann proportional zu einer Wachstumsrate der Funktionsschicht 200 sein. Die Pulszahl kann proportional zu einer Dicke der Funktionsschicht 200 sein. Beispielsweise kann das Wachstum der Funktionsschicht 200 ein Dünnschichtwachstum sein.
  • Beispielsweise kann das Dünnschichtwachstum der Funktionsschicht 200 nach einer ersten Dicke d1 der Funktionsschicht unterbrochen werden. Es kann beispielsweise eine elektrisch leitende, strukturierte erste Elektrode 310 (z.B. Kontakt) auf die Funktionsschicht 200 der Dicke d1 aufgebracht werden. Die erste Elektrode 310 kann mit einem zum Anlegen einer Spannung eingerichteten elektrischen Leiter nach außen (z.B. in einen Bereich außerhalb der Funktionsschicht) geführt werden. Das Dünnschichtwachstum kann bis zum Erreichen einer zweiten Dicke d2 der Funktionsschicht 200 fortgesetzt werden. Danach kann beispielsweise eine zweite elektrisch leitende, strukturierte Elektrode 320 auf die Funktionsschicht 200 der Dicke d2 aufgebracht werden. Die zweite Elektrode kann mit einem zum Anlegen einer Spannung eingerichteten elektrischen Leiter nach außen (z.B. in einen Bereich außerhalb der Funktionsschicht) geführt werden. Diese Herstellungsschritte können beispielsweise M-mal fortgesetzt werden, bis die Gesamtdicke d der Funktionsschicht d=d1+d2+...+dM beträgt.
  • In Abhängigkeit von einer Verteilung, einer Anzahl und einer Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände sowie der Pinzentren innerhalb der Funktionsschicht 200 können elektronische Bauteile mit voneinander verschiedenen elektrischen Eigenschaften realisiert werden. Beispielsweise kann ein elektronisches Bauteil 100 als ein passives, induktives Bauteil bereitgestellt werden, das kinetische Induktivitäten aufweist. Beträgt der reelle Widerstand des Funktionsmaterials 200 im Nahbereich beispielsweise 1 Ω und liegt die kinetische Induktivität beispielsweise im Bereich von µH, dann kann die Resonanz der komplexen Drudeleitfähigkeit im 0,2 MHz Frequenzbereich liegen (z.B. größer sein als 0,1 MHz und kleiner als 0,3 MHz). Die kinetische Induktivität im Bereich von µH kann beispielsweise größer sein als 0,1 µH (z.B. größer als 1 µH, 10 µH, 50 µH, 100 µH oder größer als 500 µH) und kann beispielsweise kleiner sein als 5000 µH (z.B. kleiner als 1000 µH, 500 µH, 200 µH, 100 µH oder kleiner als 50 µH). Beträgt der reelle Widerstand des Funktionsmaterials 200 im Nahbereich beispielsweise 0,1 Ω und liegt die kinetische Induktivität beispielsweise im Bereich von µH, dann kann die Resonanz der komplexen Drudeleitfähigkeit im 0,02 MHz Frequenzbereich liegen (z.B. größer sein als 0,01 MHz und kleiner als 0,03 MHz). Beträgt der reelle Widerstand des Funktionsmaterials 200 im Nahbereich beispielsweise 1 Ω und liegt die kinetische Induktivität beispielsweise im Bereich von nH, dann kann die Resonanz der komplexen Drudeleitfähigkeit im 0,2 GHz Frequenzbereich liegen (z.B. größer sein als 0,1 GHz und kleiner als 0,3 GHz). Die kinetische Induktivität im Bereich von nH kann beispielsweise größer sein als 0,1 nH (z.B. größer als 1 nH, 10 nH, 50 nH, 100 nH oder größer als 500 nH) und kann beispielsweise kleiner sein als 5000 nH (z.B. kleiner als 1000 nH, 500 nH, 200 nH, 100 nH oder kleiner als 50 nH). Beträgt der reelle Widerstand des Funktionsmaterials 200 im Nahbereich beispielsweise 0,1 Ω und liegt die kinetische Induktivität beispielsweise im Bereich von nH, dann kann die Resonanz der komplexen Drudeleitfähigkeit im 0,02 GHz Frequenzbereich liegen (z.B. größer sein als 0,01 GHz und kleiner als 0,03 GHz).
  • Die 2A zeigt ein elektronisches Bauteil 100 das eine kinetische Induktivität aufweisen kann. Gemäß verschiedenen Aspekten kann eine Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände groß (z.B. mehr als 10-1 Vortices je µm2) sein. Außerdem kann eine Dichte der POL 240, die in einem Nahbereich (bzw. in der Nähe) der elektrisch leitende Vorderseitenelektrode 310 angeordnet sind, groß (z.B. mehr als 10-1 POL je µm2) sein, das heißt, ein mittlerer Abstand der POL 240 kann kleiner sein als eine Rauigkeit der elektrisch leitenden Vorderseitenelektrode 311 (z.B. kleiner um den Faktor 2, 3, 4, 5, 10, 20 etc.). Außerdem kann eine Dichte der POL 240, die in einem Nahbereich (bzw. in der Nähe) der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320 angeordnet sind, groß (mehr als 10-1 POL je µm2) sein, das heißt, ein mittlerer Abstand der POL 240 kann kleiner sein als eine Rauigkeit der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320 (z.B. kleiner um den Faktor 2, 3, 4, 5, 10, 20 etc.).
  • 3 zeigt ein Diagramm mit ermittelten elektrischen Charakteristika eines elektronischen Bauteils 100 gemäß der zu 2A beschriebenen Ausgestaltung. Mittels der ermittelten elektrischen Charakteristika kann eine stabile Induktivität vor und nach einem Anlegen einer Spannung mit einem Spannungs-Zeit-Profil an das elektronische Bauteil 100 gezeigt werden. Das bedeutet, dass sich die Induktivität des elektronischen Bauteils 100 aufgrund des Spannungs-Zeit-Profils nicht ändert. Beispielsweise kann eine Induktivität in Abhängigkeit der Frequenz ermittelt werden. Beispielsweise kann eine erste Induktivität in Abhängigkeit einer angelegten Frequenz vor dem Anlegen einer Spannung mit einem stufenförmigen dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil an das elektronische Bauteil 100 ermittelt werden. Beispielsweise kann eine zweite Induktivität in Abhängigkeit einer angelegten Frequenz nach dem Anlegen einer Spannung mit einem stufenförmigen dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil an das elektronische Bauteil 100 ermittelt werden. Beispielsweise kann die erste ermittelte Induktivität gleich der zweiten ermittelten Induktivität für die jeweilige gleiche angelegte Frequenz sein, was bedeutet, dass sich die Induktivität nicht durch das Anlegen der Spannung mit einem stufenförmigen dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil ändert. 3 zeigt beispielhaft eine Strom-Spannungs-Charakteristik, bei dem angelegten stufenförmigen dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil. Auf der Horizontalen Achse ist die angelegte Spannung dargestellt. Auf der vertikalen Achse ist ein Strom dargestellt. Die Spannung kann beispielsweise in positiver Richtung bis +4 V variiert werden. Die Spannung kann beispielsweise in negativer Richtung bis -4 V variiert werden kann.
  • 2B zeigt beispielhaft eine weitere Ausführungsform eines elektronischen Bauteils 100, wobei das elektronische Bauteil 100 als passives Bauteil, das eine kinetische Induktivität aufweist, ausgestaltet sein kann. Gemäß verschiedenen Aspekten kann eine Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände groß (z.B. mehr als 0,1 Domänenwände je µm2, als 0,2 Domänenwände je µm2, 0,5 Domänenwände je µm2, 1 Domänenwände je µm2 oder mehr als 5 Domänenwände je µm2) sein. Außerdem kann eine Dichte der POL 240 in der Nähe der einer elektrisch leitenden Vorderseitenelektrode 310 groß sein. Außerdem kann eine Dichte der POL 240 in der Nähe einer elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320 groß sein. Und eine Dichte der POL 240 kann innerhalb der Funktionsschicht 200 mit einer Gesamtdicke d groß sein. An einem Open Loop Vortex 220 können beispielsweise mehr als eine POC 240 angeordnet sein. Beispielsweise können an einem Open Loop Vortex 220 z.B. 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 oder noch mehr POC 240 angeordnet sein. Die Anzahl der POC 240 minus 1 kann als Windung N bezeichnet werden. Beispielsweise hat ein Open Loop Vortex 220 an dem 4 POC 240 angeordnet sind 3 Windungen (N=3). Beispielsweise hat ein Open Loop Vortex 220 an dem 3 POC 240 angeordnet sind 2 Windungen (N=2). Beispielsweise hat ein Open Loop Vortex 220 an dem 20 POC 240 angeordnet sind 19 Windungen (nicht dargestellt).
  • Das kann beispielsweise erreicht werden durch die Unterbrechung eines Wachstums (beispielsweise eines Dünnschichtwachstums) der Funktionsschicht 200 nach einer ersten Dicke d1 und dem Einbringen von POL 240 in die Funktionsschicht 200 mit der ersten Dicke d1, beispielsweise mittels Ionenimplantation. Wie in 2B gezeigt, kann das Wachstum bis zum Erreichen einer zweiten Dicke d2 der Funktionsschicht fortgesetzt werden und wieder unterbrochen werden, um POL 240 in die Funktionsschicht mit der zweiten Dicke d2 einzubringen. Diese Herstellungsschritte können beispielsweise M-mal durchgeführt werden, bis die Gesamtdicke d der Funktionsschicht 200 d=d1+d2+...+dM beträgt. Beispielsweise kann M gleich 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 ... etc. sein. In 2B ist beispielsweise eine Funktionsschicht 200 mit M=3 gezeigt.
  • 2C zeigt beispielhaft eine weitere Ausführungsform eines elektronischen Bauteils 100, das als kinetische Induktivität ausgeführt sein kann. Das elektronische Bauteil 100 kann ein passives Bauteil sein. Das elektronische Bauteil 100 kann kinetische Induktivitäten im Gigahertz (GHz)-Bereich aufweisen. Gemäß verschiedenen Aspekten kann eine Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände groß sein. Außerdem kann eine Dichte von POL 240 in der Nähe der elektrisch leitenden Vorderseitenelektrode 310 groß sein. Außerdem kann die Dichte der POL 240 in der Nähe der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode groß sein. Außerdem können ein oder mehrere Elektroden, beispielsweise in Form von strukturierten, elektrisch leitenden Kontakten 350, mit einem zum Anlegen einer elektrischen Spannung geeigneten elektrischen, nach außen (z.B. außerhalb des elektronischen Bauteils 100 und/oder außerhalb der Funktionsschicht 200) geführten Leiter in die Schichtabfolge der Funktionsschicht 200 eingebracht werden.
  • Das kann beispielsweise erreicht werden durch eine Unterbrechung des Wachstums der Funktionsschicht 200 nach einer ersten Dicke d1 der Funktionsschicht 200, einer anschließenden Metallisierung der Oberfläche der Funktionsschicht 200 mit der Dicke d1 und einer anschließenden Strukturierung der metallisierten Oberfläche der Funktionsschicht mit der Dicke d1. Wie bereits in 2B gezeigt, kann das Wachstum bis zum Erreichen einer zweiten Dicke d2 der Funktionsschicht fortgesetzt werden. Anschließend kann die Oberfläche der Funktionsschicht 200 mit der Dicke d2 metallisiert werden. Anschließend kann die metallisierte Oberfläche der Funktionsschicht 200 mit der Dicke d2 strukturiert werden. Diese Herstellungsschritte können insgesamt M-mal durchgeführt werden, bis eine Gesamtdicke d der Funktionsschicht d=d1+d2+...+dM beträgt. In 2C ist beispielsweise eine Funktionsschicht 200 mit M=3 gezeigt.
  • 4 zeigt beispielhaft ein elektronisches Bauteil 100 aufweisend eine Funktionsschicht 200 gemäß verschiedenen Aspekten, wobei das elektronische Bauteil 100 als ein passives Bauteil in Form eines kapazitiven Bauteils bzw. einer Kapazität ausgeführt sein kann. Beispielsweise kann das elektronische Bauteil 100 Kapazitäten im technisch relevanten Bereich vom Picofarad (pF)-Bereich, das heißt beispielsweise Kapazitäten größer als 0,1 pF und kleiner als 5 nF, bis zum Nanofarad (nF), das heißt Kapazitäten größer als 0,1 nF und kleiner als 5 µF, aufweisen. Das heißt das elektronische Bauteil kann eine Kapazität größer als 0,1 pF und kleiner als 5 µF aufweisen. Gemäß verschiedenen Aspekten kann eine Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände klein (weniger als 10-1 geladene Domänenwänder je µm2) sein. Außerdem kann eine Dichte von POL in der Nähe einer ersten Elektrode 310 klein (weniger als 10-1 POL je µm2) sein und eine Dichte von POL in der Nähe der zweiten Elektrode klein (weniger als 10-1 POL je µm2) sein. 5A zeigt beispielsweise ein Kapazitäts-Frequenz-Diagramm. Auf der horizontalen Achse kann die Frequenz dargestellt sein. Auf der vertikalen Achse kann eine Transporteigenschaft beispielsweise eine Kapazität dargestellt sein. Eine erste Kapazitätskurve 630 und eine zweite Kapazitätskurve 640 stellen beispielsweise jeweils eine Kapazität eines elektronischen Bauteiles 100 gemäß der zu 4 beschriebenen Ausgestaltung dar. Die erste Kapazitätskurve 630 kann beispielsweise vor einem Anlegen eines stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profils an das elektronische Bauteil 100 ermittelt worden sein. Die zweite Kapazitätskurve 640 kann beispielsweise nach einem Anlegen eines stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profils an das elektronische Bauteil 100 ermittelt worden sein. Die erste Kapazitätskurve 630 kann beispielsweise gleich der zweiten Kapazitätskurve 640 sein. Das kann bedeuten, dass die Kapazität stabil ist bzw. sich durch die angelegte Spannung nicht verändert.
  • 5B zeigt beispielsweise ein Strom-Spannungs-Diagramm des elektronischen Bauteils 100 gemäß 5A für das Spannungs-Zeit-Profil. Auf der horizontalen Achse kann eine Spannung dargestellt sein. Auf der vertikalen kann ein Strom dargestellt sein. Die Spannung kann beispielsweise bis zu - 30 V in negativer Richtung variiert werden. Die Spannung kann beispielsweise bis zu +30 V in positiver Richtung variiert werden.
  • Eine auf die Fläche (z.B. eine Kontaktfläche) der Vorderseitenelektrode 310 und/oder Rückseitenelektrode 320 normierte Kapazität kann beispielsweise größer sein als 3•10-8 F/cm2 (z.B. größer als 5•10-8 F/cm2, 1•10-7 F/cm2, oder größer als 5•10-7 F/cm2), wobei eine Gesamtdicke d der Funktionsschicht 200 kleiner als 1 µm (z.B. kleiner als 800 nm, 600 nm, 200 nm, 100 nm oder kleiner als 50 nm) sein kann. Eine Durchbruchfeldstärke kann größer als der Richtwert für die Durchbruchfeldstärke von beispielsweise 3•106 V/m sein, und kann für die Kapazität des in 4 gezeigten passiven Bauteiles 100 beispielsweise mehr als 1•108 V/m (z.B. mehr als 2•108 V/m, 3•108 V/m, 4 108 V/m oder mehr als 5•108 V/m) betragen. In einem Ausführungsbeispiel können Elektroden mit Kontaktflächen von jeweils 3,6*10-3 cm2 verwendet werden. Die resultierende flächennormierte Kapazität kann in dem Ausführungsbeispiel dann 10-10 F/(3,6*10-3 cm2)=3*10-8 F/cm2 betragen.
  • 6 zeigt beispielhaft ein elektronisches Bauteil 100 aufweisend eine Funktionsschicht 200 gemäß verschiedenen Aspekten. Das elektronische Bauteil 100 kann ein als Kapazität ausgeführtes passives Bauteil ausgeführt sein. Beispielsweise kann das elektronische Bauteil 100 Kapazitäten im technisch relevanten Nanofarad (nF)-Bereich, d.h. beispielsweise mit Kapazitäten größer als 0,1 nF und kleiner als 5 µF, bis zum Farad (F)-Bereich, d.h. beispielsweise mit Kapazitäten größer als 0,1 F und kleiner als 5 kF aufweisen. Das heißt das elektronische Bauteil kann eine Kapazität aufweisen, die größer sein kann als 0,1 nF und kleiner sein kann als 5 kF. und Gemäß verschiedenen Aspekten kann eine Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände, beispielsweise eine Dichte von Open Loop Vortices 240, klein (weniger als 0,1 POL je µm2) sein. Außerdem kann eine Dichte von POL 240 in der Nähe einer elektrisch leitenden Vorderseitenelektrode 310 klein (weniger als 0,1 POL je µm2) sein. Außerdem kann eine Dichte von POL 240 in der Nähe der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320 klein (weniger als 0,1 POL je µm2) sein. Gemäß verschiedenen Aspekten kann eine andere Dichte der geladenen Domänenwände, beispielsweise eine Dichte von Closed Loop Vortices 210, groß (mehr als 0,1 PCL je µm2) sein. Eine Dichte der PCL 250 kann in der Nähe der elektrisch leitenden Vorderseitenelektrode 310 groß (mehr als 0,1 PCL je µm2) sein. Eine Dichte der POL 240 in der Nähe der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320 kann groß (mehr als 0,1 PCL je µm2) sein. Eine elektrische Kapazität des elektronischen Bauteils 100 kann bei kleinen Testfrequenzen um bis zu 8 Größenordnungen (z.B. um 1, 2, 3, 4, 5, 6 und/oder 7 Größenordnungen), das heißt von Nanofarad (nF) bis Farad (F), erhöht bzw. vermindert werden. Gemäß verschiedenen Aspekten können höhere Größenordnungen der Kapazität (z.B. ab 1µF,100µF, 1 mF, 100mF, oder ab 1 F) durch die Einstellung einer sehr hohen Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände, beispielsweise einer sehr hohen Dichte der Closed Loop Vortices 210, einer sehr hohen Dichte der PCL 250 in der Nähe der elektrisch leitenden Vorderseitenelektrode 310, und einer sehr hohen Dichte der PCL 250 in der Nähe der elektrisch leitenden Rückseitenelektrode 320 realisiert werden.
  • Die 7A zeigt ein Kapazitäts-Frequenz-Diagramm und die 7B zeigt ein Strom-Spannungs-Diagramm, gemäß den jeweiligen Diagrammen in 5A bzw. in 5B. 7A zeigt beispielsweise eine dritte Kapazitätskurve 650 und eine vierte Kapazitätskurve 660, die jeweils eine Kapazität eines elektronischen Bauteiles 100 gemäß der zu 6 beschriebenen Ausgestaltung darstellen können. Die dritte Kapazitätskurve 650 kann beispielsweise vor einem Anlegen eines stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profils an das elektronische Bauteil 100 ermittelt worden sein. Die vierte Kapazitätskurve 660 kann beispielsweise nach einem Anlegen eines stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profils an das elektronische Bauteil 100 ermittelt worden sein. Die dritte Kapazitätskurve 650 kann beispielsweise gleich der zweiten Kapazitätskurve 660 sein. Das kann bedeuten, dass die Kapazität stabil ist bzw. sich durch die angelegte Spannung nicht verändert.
  • 7B zeigt beispielsweise ein Strom-Spannungs-Diagramm des elektronischen Bauteils 100 gemäß 7A für das Spannungs-Zeit-Profil. Die Spannung kann beispielsweise bis zu -6 V in negativer Richtung variiert werden. Die Spannung kann beispielsweise bis zu +6 V in positiver Richtung variiert werden.
  • Eine auf die Fläche der Vorderseitenseitenelektrode 310 und Rückseitenelektrode 320 normierte Kapazität kann größer als 1 F/cm2 sein, wobei eine Gesamtdicke d der Funktionsschicht 200 kleiner als 100 nm sein kann. Die Fläche der Vorderseitenelektrode 310 bzw. der Rückseitenelektrode 320 kann beispielsweise im Bereich größer als 10-3 cm2 sein, z.B. größer als 1•10-3 cm2, 2•10-3 cm2, 5•10-3 cm2, 1•10-2 cm2 oder größer als 5•10-2 cm2 sein. Eine Durchbruchfeldstärke kann beispielsweise größer als ein Richtwert für die Durchbruchfeldstärke (beispielsweise 3•106 V/m) sein. Die Durchbruchfeldstärke kann beispielsweise für das in 6 gezeigten passiven Bauteil mehr als 1•107 V/m betragen, z.B. mehr als 2•107 V/m, 3•107 V/m, oder mehr als 5•107 V/. In einem Ausführungsbeispiel können Elektroden mit Kontaktflächen von jeweils 3,6*10-3 cm2 verwendet werden. Eine resultierende flächennormierte Kapazität kann beispielsweise größer gleich 10-3 F/(3,6*10-3 cm2)=3*10-1 F/cm2 und kleiner gleich 10-8 F/(3,6*10-3 cm2)=3*10-6 F/cm2 betragen.
  • 8A bis 8C zeigen beispielhaft, wie elektronische Bauteile 100 gemäß verschiedenen Aspekten als diskrete Bauteile dargestellt und/oder verwendet werden können. Beispielsweise können die elektronischen Bauteile passive Bauteile sein und die diskreten Bauteile können passive Diskrete Bauteile sein. Beispielsweise kann die Darstellung als diskretes Bauteil symbolisch in Schaltungen verwendet werden. Dazu kann beispielsweise mittels einer dem Fachmann bekannten Aufbau- und Verbindungstechnik eine elektrisch leitende Vorderseitenelektrode 310 und eine elektrisch leitende Rückseitenelektrode 320 jeweils mit ein oder mehreren Kontakten 311, 312 verbunden werden. Beispielsweise kann der Kontakt mit einem Sockel, einem Chip oder einer Spannung elektrisch leitend verbunden werden. Beispielsweise kann das elektronische Bauteil eingehaust werden.
  • 8A zeigt ein erstes elektronisches Bauteil 102. Beispielsweise kann das erste elektronisches Bauteil 102 eine kinetische Induktivität aufweisen. Beispielsweise kann das erste elektronische Bauteil 102 durch das diskrete Bauteil „kinHi“ 120 dargestellt werden. Beispielsweise kann das diskrete Bauelement „kinHi“ 120 eine kinetische Induktivität im technisch relevanten GHz-Bereich aufweisen. Beispielsweise kann das erste elektronische Bauteil 102 durch das diskrete Bauteil „dBi“ 150 dargestellt werden. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „dBi“ ein Widerstand, ein kapazitives Bauteil, ein induktives Bauteil oder ein Transistor sein.
  • 8B zeigt ein zweites elektronisches Bauteil 104. Beispielsweise kann das zweite elektronisches Bauteil 104 eine Kapazität aufweisen. Beispielsweise kann das zweite elektronische Bauteil 104 durch das diskrete Bauteil „nFi“ 130 dargestellt werden. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „nFi“ 130 eine Kapazität im technisch relevanten nF-Bereich aufweisen.
  • 8C zeigt ein drittes elektronisches Bauteil 106. Beispielsweise kann das dritte elektronisches Bauteil 106 eine Kapazität aufweisen. Beispielsweise kann das dritte elektronische Bauteil 106 durch das diskrete Bauteil „mFi“ 140 dargestellt werden. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „mFi“ 140 eine Kapazität im technisch relevanten mF-Bereich aufweisen.
  • Diskrete Bauteile können in einer Schaltung 400 angeordnet werden. Beispielsweise kann die Schaltung 400 auf einer Steckplatine bzw. einem PCB-Board angeordnet werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schaltung 400 ein oder mehrere diskrete Bauteile aufweisen, die zueinander in Reihenschaltung (bzw. Serienschaltung) und/oder Parallelschaltung geschaltet sind. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können einzelne diskrete Bauteile zueinander in Reihe bzw. zueinander parallel geschalten werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können ein oder mehrere Reihenschaltungen von ein oder mehreren diskreten Bauelementen und ein oder mehrere Parallelschaltungen von ein oder mehreren diskreten Bauelementen beliebig kombiniert werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schaltung 400 auf einem Printed Circuit Board Level mit einem typischen Pin-Abstand von 2,54 mm integriert werden.
  • 9A zeigt beispielhaft eine Schaltung 400, in der ein diskretes Bauteil „kinH1“ 121, ein diskretes Bauteil „nF1“ 131 und ein diskretes Bauteil „mF1“ 141 in Reihe geschaltet sein können. Beispielsweise das diskrete Bauteil „kinH1“ 141 parallel zu einem diskreten Bauteil „dB1“ 151 geschaltet sein. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „nF1“ 131 parallel zu einem diskreten Bauteil „dB2“ 152 geschaltet sein. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „mFi“ 141 parallel zu „dB3“ 153 geschaltet sein.
  • 9B zeigt beispielhaft eine Schaltung 400, in der ein diskretes Bauteil „kinH1“ 121, ein diskretes Bauteil „nF1“ 131 und ein diskretes Bauteil „mF1“ 141 parallel zueinander geschaltet sein können. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „kinH1“ 120 in Reihe zu einem diskreten Bauteil „dB1“ 151 geschaltet sein. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „nF1“ 131 in Reihe zu einem diskreten Bauteil „dB2“ 152 geschaltete sein. Beispielsweise kann das diskrete Bauteil „mF1“ 141 in Reihe zu einem diskreten Bauteil „dB3“ 153 geschaltet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungen kann ein elektronisches Bauteil ein oder mehrere Bereiche (bzw. Regionen) aufweisen. Beispielsweise können eine erste und eine zweite Region der ein oder mehreren Regionen voneinander getrennt sein. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich durch einen dritten Bereich getrennt sein. Beispielsweise kann der dritte Bereich dazu eingerichtet sein, (z.B. elektrische, elektromagnetische und/oder magnetische) Wechselwirkungen zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich (z.B. unter Betriebsbedingungen) zu reduzieren oder zu verhindern. Beispielsweise kann der dritte Bereich einen Graben aufweisen oder sein. Beispielsweise kann der dritte Bereich ein Bereich mit einer geringeren Dichte an Domänenwände, verglichen mit dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich sein. Beispielsweise kann der dritte Bereich ein Bereich sein, der keine Elektroden aufweist. Beispielsweise können einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich der ein oder mehreren Bereiche mindestens eine Eigenschaft (z.B. eine elektrische Eigenschaft (z.B. eine Kapazität, eine kinetische Induktivität, und/oder einen Widerstand)) aufweisen, die sich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich unterscheidet. Beispielsweise kann sich die mindestens eine Eigenschaft um mindestens den Faktor 2 (z.B. 3, 4, 5, 6, 7 etc.) und/oder um ein oder mehrere Größenordnungen (z.B. 10, 100, 1000, 10000 ...) unterscheiden.
  • 10A bis 10B zeigen beispielsweise jeweils eine Ausgestaltung einer Anordnung 500 von je zwei elektronischen Bauteilen 102 und 103. Das erste elektronische Bauteil 102 kann beispielsweise eine erste Elektrode 310 (z.B. einen ersten Vorderseitenkontakt) und eine zweite Elektrode 320 (z.B. einen ersten Rückseitenkontakt) aufweisen. Das zweite elektronische Bauteil 103 kann beispielsweise eine dritte 330 Elektrode (z.B. einen zweiten Vorderseitenkontakt) und eine vierte Elektrode 340 (z.B. einen zweiten Rückseitenkontakt aufweisen). Beispielsweise können die zwei elektronischen Bauteile 102 und 103 in Form zwei diskreten Bauteilen „kinHi“ 120 und „kinHj“ 125 in einer Schaltung 400 dargestellt werden. Beispielsweise können die elektronischen Bauteile 102 und 103, bzw. die zwei diskreten Bauteile „kinHi“ 120 und „kinHj“ 125 jeweils eine kinetische Induktivität im technisch relevanten GHz-Bereich aufweisen.
  • 10A zeigt beispielsweise eine Bauteilanordnung 500, in der die elektronischen Bauteile 102 und 104 in Form einer integrierten Parallelschaltung angeordnet sein können. Beispielsweise kann die erste Elektrode 310 mit der dritten Elektrode 330 gekoppelt (z.B. direkt verbunden, elektrisch leitfähig verbunden) sein und die zweite Elektrode 320 kann mit der vierten Elektrode 340 gekoppelt sein. Die erste Elektrode 310 kann mit einer ersten Spannung und die dritte Elektrode 330 kann mit einer zweiten Spannung verbunden sein. 10A zeigt ferner eine Schaltung 400 gemäß der integrierten Parallelschaltung, wobei die zwei elektronischen Bauteile 102 und 104 durch die diskreten Bauteile „kinHi“ 120 und „kinHj“ 121 dargestellt werden können.
  • 10B zeigt beispielsweise eine Bauteilanordnung 500, in der die elektronischen Bauteile 102 und 104 in Form einer integrierten Reihenschaltung angeordnet sein können. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 320 mit der dritten Elektrode 330 gekoppelt sein. Die erste Elektrode 310 kann mit einer ersten Spannung und die vierte Elektrode 340 kann mit einer zweiten Spannung verbunden sein. 10A zeigt ferner eine Schaltung 400 gemäß der integrierten Reihenschaltung, wobei die zwei elektronischen Bauteile 102 und 104 durch die diskreten Bauteile „kinHi“ 120 und „kinHj“ 121 dargestellt werden können.
  • 11A und 11B zeigen Bauteilanordnungen 500 aufweisend je zwei elektronische Bauteile 104 und 105 gemäß der 10A und 10B wobei die zwei elektronischen Bauteile 104 und 105 in Form zwei diskreten Bauteilen „nFi“ 130 (anstelle von „kinHi“ 120) und „nFj“ 135 (anstelle von „kinHj“ 125) in einer Schaltung 400 dargestellt werden können. Beispielsweise können die elektronischen Bauteile 104 und 105, bzw. die zwei diskreten Bauteile „nFi“ 130 und „nFj“ 135 jeweils eine Kapazität im technisch relevanten nF-Bereich aufweisen.
  • 12A und 12B zeigen Bauteilanordnungen 500 aufweisend je zwei elektronische Bauteile 106 und 107 gemäß der 10A und 10B wobei die zwei elektronischen Bauteile 106 und 107 in Form zwei diskreten Bauteilen „mFi“ 140 (anstelle von „kinHi“ 120) und „mFj“ 145 (anstelle von „kinHj“ 125) in einer Schaltung 400 dargestellt werden können. Beispielsweise können die elektronischen Bauteile 106 und 107, bzw. die zwei diskreten Bauteile „mFi“ 140 und „mFj“ 145 jeweils eine Kapazität im technisch relevanten mF-Bereich aufweisen.
  • 13 zeigt eine beispielhafte Bauteilanordnung 500 in Form einer Parallelschaltung von einem ersten elektronischen Bauteil 106, einem zweiten elektronischen Bauteil 104 und einem dritten elektronischen Bauteil 102. Die Parallelschaltung kann eine integrierte Parallelschaltung sein. Das erste elektronische Bauteil 106 kann beispielsweise eine erste Elektrode 310 und eine zweite Elektrode 320 aufweisen. Das zweite elektronische Bauteil 104 kann beispielsweise eine dritte Elektrode 330 und eine vierte Elektrode 340 aufweisen. Das dritte elektronische Bauteil kann beispielsweise eine fünfte Elektrode 350 und eine sechste Elektrode aufweisen. Beispielsweise können die erste Elektrode 310, die dritte Elektrode 330 und die fünfte Elektrode 350 miteinander (z.B. direkt) verbunden (z.B. elektrisch gekoppelt) sein oder als eine Elektrode ausgestaltet sein. Beispielsweise können die zweite Elektrode 320, die vierte Elektrode 340 und die sechste Elektrode 360 miteinander (z.B. direkt) verbunden sein oder als eine Elektrode ausgestaltet sein.
  • Das erste elektronische Bauteil 106 kann beispielsweise durch ein diskretes Bauteil „mFi“ 140 dargestellt werden. Beispielsweise können das erste elektronische Bauteil 106 und das diskrete Bauteil „mFi“ 140 jeweils eine Kapazität im technisch relevanten mF-Bereich aufweisen. Das zweite elektronische Bauteil 104 kann beispielsweise durch ein diskretes Bauteil „nFi“ 130 dargestellt werden. Beispielsweise können das zweite elektronische Bauteil 104 und das diskrete Bauteil „nFi“ 130 jeweils eine Kapazität im technisch relevanten nF-Bereich aufweisen. Das dritte elektronische Bauteil 102 kann beispielsweise durch ein diskretes Bauteil „kinHi“ 120 dargestellt werden. Beispielsweise können das dritte elektronische Bauteil 102 und das diskrete Bauteil „kinHi“ 120 jeweils eine kinetische Induktivität im technisch relevanten GHz-Bereich aufweisen.
  • Eine mögliche Herstellungsvariante für die integrierte Ausführungsform der Bauteilanordnung 500 gemäß 13 kann beispielsweise mit dem Aufbringen einer Funktionsschicht 200 mit einer Dicke d auf eine zweite Elektrode 320 (z.B. eine Rückseitenelektrode) beginnen. Zu jedem der drei elektronischen Bauelemente kann beispielsweise ein Bereich, ein sogenannter Flächenbereich, der Funktionsschicht 200 zugeordnet werden. Beispielsweise kann ein erster Bereich dem ersten elektronischen Bauteil 106, ein zweiter Bereich dem zweiten elektronischen Bauteil 104 und ein dritter Bereich dem dritten elektronischen Bauteil 102 zugeordnet werden. Dann können beispielsweise in den jeweiligen Bereichen der einzelnen elektronischen Bauteile Verteilungen von elektrisch geladenen Domänenwände (z.B. in Form von Domänenwänden), von POL 240 und von PCL 250 gemäß den Verteilungen, die für das jeweilige angestrebte elektronische Bauteil vorgegebenen sind, eingebracht werden. Die Verteilungen können beispielsweise mittels lokaler thermischer Behandlung, mittels Ionenbestrahlung und/oder mittels Elektronenbestrahlung eingebracht werden.
  • Beispielsweise können in den ersten Bereich Verteilungen von elektrisch geladenen Domänenwänden, von POL 240 und von PCL 250 gemäß den Verteilungen für ein elektronisches Bauteil, das Kapazitäten im mF-Bereich aufweist, eingebracht werden. Beispielsweise können in den zweiten Bereich Verteilungen von elektrisch geladenen Domänenwänden, von POL 240 und von PCL 250 gemäß den Verteilungen für ein elektronisches Bauteil, das Kapazitäten im nF-Bereich aufweist, eingebracht werden. Beispielsweise können in den dritten Bereich Verteilungen von elektrisch geladenen Domänenwänden, von POL 240 und von PCL 250 gemäß den Verteilungen für ein elektronisches Bauteil, das aufgrund der Größe der kinetischen Induktivität eine Resonanz der komplexen Drudeleitfähigkeit im Bereich von 10 GHz- bis 1000 GHz aufweisen kann, eingebracht werden. Dann kann eine gemeinsame erste Elektrode 320 (z.B. eine Vorderseitenelektrode) auf die Funktionsschicht 200 aufgebracht werden.
  • 14 zeigt eine beispielhafte Bauteilanordnung 500 in Form einer Reihenschaltung von einem ersten elektronischen Bauteil 106, einem zweiten elektronischen Bauteil 104 und einem dritten elektronischen Bauteil 102. Die Reihenschaltung kann eine integrierte Reihenschaltung sein. Das erste elektronische Bauteil 106 kann beispielsweise eine erste Elektrode 310 und eine zweite Elektrode 320 aufweisen. Das zweite elektronische Bauteil 104 kann beispielsweise eine dritte Elektrode 330 und eine vierte Elektrode 340 aufweisen. Das dritte elektronische Bauteil kann beispielsweise eine fünfte Elektrode 350 und eine sechste Elektrode aufweisen. Beispielsweise können die zweite Elektrode 320 und die dritte Elektrode 330 miteinander verbunden sein oder als eine Elektrode ausgestaltet sein. Beispielsweise können die vierte Elektrode 340 und die fünfte Elektrode 350 miteinander verbunden sein oder als eine Elektrode ausgestaltet sein.
  • Eine mögliche Herstellungsvariante für die integrierte Ausführungsform der Bauteilanordnung 500 gemäß 14 kann beispielsweise mit dem Aufbringen einer Funktionsschicht 200 auf eine Rückseitenelektrode beginnen. Die Funktionsschicht 200 kann mit der Dicke d aufgebracht werden. Die Rückseitenelektrode kann beispielsweise derart strukturiert sein, dass das erste passive Bauteil 106, das zweite passive Bauteil 104 und das dritte passive Bauteil 106 jeweils eine Rückseitenelektrode 320, 340 und 360 hat. Die Rückseitenelektrode kann beispielsweise eine gemeinsame Rückseitenelektrode der drei Bauteile 106, 104 und 102 sein.
  • Dann kann in einen jeweiligen Bereich des ersten passiven Bauteils 106, des zweiten passiven Bauteils 104 und des dritten passiven Bauteils 106 eine Verteilung von elektrisch geladenen Domänenwänden, von POL 240 und von PCL 250 gemäß den Verteilungen, die für das jeweilige angestrebte elektronische Bauteil vorgegebenen sind, eingebracht werden. Die Verteilungen können beispielsweise mittels lokaler thermischer Behandlung, mittels Ionenbestrahlung oder mittels Elektronenbestrahlung eingestellt werden. Beispielsweise kann das Einbringen der Verteilungen (z.B. gemäß dem zu 13 beschriebenen Verfahren) unter Beachtung der jeweiligen Bereiche durchgeführt werden.
  • Dann kann eine gemeinsame oder jeweilige Vorderseitenelektrode für das erste, zweite und dritte Bauteil auf die Funktionsschicht aufgebracht werden. Die Vorderseitenelektrode und/oder die Rückseitenelektrode können beispielsweise elektrisch leitfähig sein. Die Vorderseitenelektrode und/oder die Rückseitenelektrode kann beispielsweise ein Metall aufweisen oder daraus bestehen.
  • Danach können die Funktionsschicht 200, die Vorderseitenelektrode und/oder die Rückseitenelektrode strukturiert werden. Beispielsweise können die Bereiche von zwei benachbarten elektronischen Bauteilen voneinander getrennt werden (z.B. durch einen Graben). Danach kann die Rückseitenelektrode 320 des ersten elektronischen Bauteils 102 mit der Vorderseitenelektrode 330 des zweiten elektronischen Bauteils 104 verbunden werden. Die Rückseitenelektrode 340 des zweiten elektronischen Bauteils 104 kann mit der Vorderseitenelektrode 350 des dritten elektronischen Bauteils 106 verbunden werden. Abschließend kann jeweils ein erster Außenkontakt 311 an die Vorderseitenelektrode 310 des ersten Bauteils 102 und ein zweiter Außenkontakt 321 an die Rückseitenelektrode 360 des dritten elektronischen Bauteils 106 angebracht werden. Der erste Außenkontakt 311 und der zweite Außenkontakt 321 können jeweils elektrisch leitfähig sein. Der erste Außenkontakt 311 und der zweite Außenkontakt 321 können beispielsweise zum Verbinden mit jeweils einer Spannung eingerichtet sein.
  • 15A und 15B zeigen jeweils beispielhaft eine Schaltung 400. In beiden Schaltungen 400 können mehrere elektronische Bauteile miteinander verschaltet sein. Ein oder mehrere der mehreren elektronischen Bauteile können diskrete Bauteile sein. Ein oder mehrere der mehreren elektronischen Bauteile können jeweils in Form einer integrierten Schaltung ausgestaltet sein beispielsweise gemäß einer der Beschreibungen der 10A bis 14. Im Folgenden werden mehrere elektrische Bauteile beispielsweise in Form von einzelnen diskreten Bauteilen beschrieben. Es versteht sich, dass ein oder mehrere der einzelnen beschriebenen diskreten Bauteile auch in Form einer integrierten Reihenschaltung bzw. einer integrierten Parallelschaltung ausgestaltet (z.B. kombiniert, verschaltet) sein können.
  • 15A zeigt eine Parallelschaltung 400 von in Reihe geschalteten elektrischen Bauelementen. Ein oder mehrere der elektrischen Bauelemente können diskrete Bauelemente sein. Eine erste Reihenschaltung kann ein erstes elektronisches Bauteil „mFi“ 140, ein zweites elektronisches Bauteil „nFi“ 130, und ein drittes elektronisches Bauteil „kinHi“ 120 aufweisen. Eine zweite Reihenschaltung kann ein viertes elektronisches Bauteil „mFj“ 145, ein fünftes elektronisches Bauteil „nFj“ 135, und ein sechstes elektronisches Bauteil „µHj“ 125 aufweisen. Eine dritte Reihenschaltung kann ein siebtes elektronisches Bauteil „dB1“ 151, ein achtes elektronisches Bauteil „dB2“ 152 und ein neuntes elektronisches Bauteil „dB3“ 153 aufweisen. Die erste Reihenschaltung kann parallel zur zweiten Reihenschaltung und parallel zur dritten Reihenschaltung geschaltet werden.
  • Beispielsweise kann durch eine Änderung der Verdrahtung der in 15A gezeigten Parallelschaltung eine Reihenschaltung erzeugt werden. 15B zeigt beispielhaft eine Reihenschaltung von mehreren elektronischen Bauteilen. Beispielsweise kann eine Reihenschaltung eine Reihe sein aus dem ersten elektronischen Bauteil „mFi“ 140, dem vierten elektronischen Bauteil „mFj“ 145, dem siebten elektronischen Bauteil „dB1“ 151, dem achten elektronischen Bauteil „dB2“ 152, dem fünften elektronischen Bauteil „nFj“ 135, dem zweiten elektronischen Bauteil „nFi“ 130, dem dritten elektronischen Bauteil „kinHi“ 120, dem sechsten elektronischen Bauteil „kinHj“ 125 und dem neunten elektronischen Bauteil „dB3“ 153.
  • Beispielsweise kann durch eine Änderung der Verdrahtung die in 15A beschriebene Arraystruktur derart verändert werden, dass sie drei elektrische Bauelemente „nFi“ 130, „mFi“ 140, und „kinHi“ 120 in einer ersten Reihenschaltung in Reihe zu drei passiven Bauelementen „nFj“ 135, „mFj“ 145, und „µHj“ 120 in einer zweiten Reihenschaltung in Reihe zu drei diskreten Bauelementen „dB1“ 151, „dB2“ 152 und „dB3“ 153 in einer dritten Reihenschaltung aufweisen kann.
  • Im Folgenden werden einige Beispiele beschrieben, die sich auf das hierin Beschriebene und in den Figuren Dargestellte beziehen.
  • Beispiel 1 ist ein Elektronisches Bauteil aufweisend:
    • eine Funktionsschicht, welche ein spontan polarisierbares Material aufweist oder daraus besteht und wobei das spontan polarisierbare Material derart eingerichtet ist, dass eine Mehrzahl von Domänenwänden innerhalb der Funktionsschicht gebildet werden können,
    • wobei die Funktionsschicht ferner Pinzentren aufweist, wobei das spontan polarisierbare Material und die Pinzentren derart eingerichtet sind, dass eine Beweglichkeit der Domänenwände innerhalb der Funktionsschicht reduziert ist; und
    • ein oder mehrere Elektroden (z.B. elektrische Kontakte, z.B. Vorderseitenkontakt, z.B. Rückseitenkontakt, z.B. ein teilweise leitfähiges Substrat, etc.), welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die Domänenwände innerhalb der Funktionsschicht definiert ist.
  • Beispiel 2 ist ein Elektronisches Bauteil aufweisend:
    • eine Funktionsschicht, welche ein spontan polarisierbares Material und Pinzentren aufweist, wobei die Pinzentren ein oder mehrere der Eigenschaften der Domänenwände beeinflussen, die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildet sind:
      • ein oder mehrere Elektroden (z.B. elektrische Kontakte, z.B. Vorderseitenkontakt, z.B. Rückseitenkontakt, z.B. ein teilweise leitfähiges Substrat, etc.), welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist. Beispielsweise können die ein oder mehreren Eigenschaften des spontan polarisierbaren Materials aufweisen:
        • eine Beweglichkeit der Domänenwände in der Funktionsschicht,
        • und/oder eine räumliche Anordnung der Domänenwände in der Funktionsschicht, und/oder eine Dichte (z.B. eine Flächendichte) der Domänenwände in der Funktionsschicht,
        • und/oder eine Form der jeweiligen Domänenwände in der Funktionsschicht.
  • Beispiel 3 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 1 oder 2, wobei Domänenwände elektrisch geladene Domänenwände, Closed Loop Vortices, und/oder Open Loop Vortices aufweisen. Beispielsweise kann ein Closed Loop Vortex eine geschlossene Form aufweisen, d.h. der Closed Loop Vortex kann weder einen Anfang noch ein Ende aufweisen. Beispielsweise kann ein Open Loop Vortex eine offene Form aufweisen, d.h. der Open Loop Vortex kann ein Anfang und ein Ende aufweisen. Beispielsweise können mehrere elektrisch geladene Domänenwände einen Closed Loop Vortex bilden. Beispielsweise können ein oder mehrere Open Loop Vortices einen direkten Pfad zwischen den jeweiligen Nahbereichen von zwei Elektroden bilden. Beispielsweise können ein oder mehrere Closed Loop Vortices keinen direkten Pfad zwischen den jeweiligen Nahbereichen von zwei Elektroden bilden.
  • Beispiel 4 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 3, wobei die Funktionsschicht mindestens ein ferroelektrisches Material oder mindestens ein antiferroelektrisches Material aufweisen kann oder daraus bestehen kann.
  • Beispiel 5 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 4, wobei die Funktionsschicht ein oder mehrere Manganate aufweist oder aus ein oder mehreren Manganaten besteht. Beispielsweise kann das spontan polarisierbare Material ein oder mehrere Manganate aufweisen oder aus ein oder mehreren Manganaten bestehen. Beispielsweise können mehr als 25% (z.B. mehr als 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95% oder mehr als 99%) der ein oder mehreren Manganate in einer hexagonalen Phase vorliegen.
  • Beispiel 6 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 5, wobei die Funktionsschicht eine gesamte Dicke von mehr als 1 nm (z.B. 2 nm,3 nm,4 nm,5 nm) aufweisen kann.
  • Beispiel 7 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 6, wobei die Funktionsschicht eine gesamte Dicke von weniger als 200mm (z.B. 150mm, 100mm, 75mm, 50mm) aufweisen kann.
  • Beispiel 8 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 7, wobei zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur zumindest eine der folgenden Eigenschaften ist:
    • eine kinetische Induktivität,
    • eine Kapazität,
    • eine Polarisierbarkeit,
    • eine Grenzspannung (z.B. eine Durchbruchspannung),
    • ein Grenzstrom (z.B. ein Durchbruchstrom),
    • eine Grenzfrequenz (z.B. eine Durchbruchfrequenz),
    • eine Durchbruchfeldstärke, und/oder
    • ein elektrischer Widerstand.
  • Beispiel 9 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 8,
    wobei die Dichte (z.B. die Flächendichte) der Domänenwände groß (mehr als 0,1 Domänenwände je µm2) ist,
    wobei eine erste Art von Pinzentren eingerichtet ist zum Reduzieren der Beweglichkeit von Domänenwänden, welche derart angeordnet sind, dass sie an einem geschlossenen Pfad von einem Nahbereich (z.B. innerhalb von 15% einer Dicke der Funktionsschicht) einer ersten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden bilden,
    wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode kleiner ist als eine ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode repräsentiert (d.h. hohe Dichte von Pinzentren 1. Art), und
    wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode kleiner ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode repräsentiert, (d.h. hohe Dichte von Pinzentren 1. Art).
  • Beispiel 10 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 9, wobei eine Mehrzahl, der durch die erste Art von Pinzentren angehafteten Domänenwände, Open Loop Vortices sein können. Beispielsweise sind mehr Pinzentren an Open Loop Vortices angeordnet als an Domänenwänden, die keine Open Loop Vortices sind (sondern beispielsweise Closed Loop Vortices).
  • Beispiel 11 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 9 oder 10, wobei durch eine Variation der Dichte der Pinzentren der ersten Art ein Frequenzbereich für die kinetische Induktivität verändert werden kann und/oder eine kinetische Induktivität verändert werden kann. Beispielsweise kann durch Erhöhen der Dichte der Pinzentren der ersten Art die kinetische Induktivität erhöht werden und/oder der Frequenzbereich zu niedrigeren Frequenzen hin verschoben werden. Beispielsweise kann durch Vermindern der Dichte der Pinzentren der ersten Art die Induktivität vermindert werden und/oder oder der Frequenzbereich zu höheren Frequenzen hin verschoben werden.
  • Beispiel 12 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 9 bis 11, wobei die Induktivität konstant bleiben kann, wenn eine angelegte Spannung zwischen -4 V und +4 variiert wird. Beispielsweise wird die Spannung durch Anlegen einer Spannung mit einem stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil zeitlich variiert.
  • Beispiel 13 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 8,
    wobei die Dichte (z.B. die Flächendichte) der Domänenwände klein (weniger als 0,1 Domänenwände je µm2) ist,
    wobei eine zweite Art von Pinzentren eingerichtet ist zum Anhaften von Domänenwänden, welche derart angeordnet sind, dass sie keinen geschlossenen Pfad von einem Nahbereich (z.B. innerhalb von 15% einer Dicke der Funktionsschicht) einer ersten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden bilden,
    wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode größer ist als eine Rauigkeit (z.B. ein Rauheitswert) der ersten Elektrode (d.h. geringe Dichte von Pinzentren 2. Art), und
    wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode größer ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode repräsentiert ,(d.h. geringe Dichte von Pinzentren 2. Art).
  • Beispiel 14 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 13, wobei eine Mehrzahl, der durch die zweite Art von Pinzentren angehafteten Domänenwände, Closed Loop Vortices sein können. Beispielsweise sind mehr Pinzentren an Closed Loop Vortices angeordnet als an Domänenwänden, die keine Closed Loop Vortices sind (sondern z.B. Open Loop Vortices).
  • Beispiel 15 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 13 oder 14, wobei eine elektrische Eigenschaft, z.B. die Kapazität durch Variation des Abstands benachbarter der Pinzentren der zweiten Art zwischen pF und nF variiert werden kann. Beispielsweise kann durch Vermindern des Abstands benachbarter Pinzentren 2. Art im Vergleich zu der Rauigkeit der jeweiligen Elektroden (d.h. Erhöhen der Dichte) die Kapazität erhöht werden. Beispielsweise kann durch Erhöhen des Abstands benachbarter Pinzentren 2. Art im Vergleich zu der Rauigkeit der jeweiligen Elektroden (d.h. Vermindern der Dichte) die Kapazität vermindert werden.
  • Beispiel 16 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 13 bis 15, wobei die Kapazität konstant bleibt, wenn eine angelegte Spannung zwischen maximal -30V und +30V variiert werden kann. Beispielsweise wird die Spannung durch Anlegen einer Spannung mit einem stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil zeitlich variiert.
  • Beispiel 17 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 13 bis 16, wobei die Kapazität, normiert auf eine Oberfläche der ein oder mehreren Elektroden, größer ist als 10-6 F/cm2 für eine Gesamtdicke der Funktionsschicht von weniger als 500 nm (z.B. weniger als 400 nm, 300 nm, 200 nm, oder weniger als 100 nm).
  • Beispiel 18 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 13 bis 17, wobei die Durchbruchfeldstärke größer ist als 100 MV/m (z.B. größer als 150 MV/m, 200 MV/m, 250 MV/m, MV/m, 350MV/m oder größer als 400 MV/m) für eine Gesamtdicke der Funktionsschicht von weniger als 500 nm (z.B. weniger als 400 nm, 300 nm, 200 nm, oder weniger als 100 nm).
  • Beispiel 19 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 8,
    wobei die Dichte (z.B. die Flächendichte) der Domänenwände groß (mehr als 0,1 Domänenwände je µm2) ist,
    wobei eine erste Art von Pinzentren (z.B. PCL) eingerichtet ist zum Anhaften von Domänenwänden, welche derart angeordnet sind, dass sie einen geschlossenen Pfad von einem Nahbereich (z.B. innerhalb von 15% einer Dicke der Funktionsschicht) einer ersten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden bilden,
    wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode kleiner ist als ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode repräsentiert, (d.h. hohe Dichte von Pinzentren 1. Art), und
    wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode kleiner ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode repräsentiert, (d.h. hohe Dichte von Pinzentren 1. Art),
    wobei eine zweite Art von Pinzentren (z.B. POL) eingerichtet ist zum Anhaften von Domänenwänden, welche derart angeordnet sind, dass sie keinen geschlossenen Pfad von einem Nahbereich (z.B. innerhalb von 15% einer Dicke der Funktionsschicht) einer ersten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode der ein oder mehreren Elektroden bilden,
    wobei ein mittlerer Abstand der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode größer ist als ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode repräsentiert, (d.h. geringe Dichte von Pinzentren 2. Art), und
    wobei ein mittlerer Abstand der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode größer ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode repräsentiert, (d.h. geringe Dichte von Pinzentren 2. Art).
  • Beispiel 20 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 19, wobei die Kapazität durch Variation des Abstands benachbarter der Pinzentren der zweiten Art zwischen nF und F variiert werden kann. Beispielsweise kann durch Vermindern des Abstands benachbarter Pinzentren 2. Art im Vergleich zu der Rauigkeit der jeweiligen Elektroden (d.h. Erhöhen der Dichte) die Kapazität erhöht werden. Beispielsweise kann durch Erhöhen des Abstands benachbarter Pinzentren 2. Art im Vergleich zu der Rauigkeit der jeweiligen Elektroden (d.h. Vermindern der Dichte) die Kapazität vermindert werden.
  • Beispiel 21 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 19 oder 20, wobei die Kapazität konstant bleiben kann, wenn eine angelegte Spannung zwischen maximal -30V und maximal +30V variiert wird. Beispielsweise kann die Spannung durch Anlegen einer Spannung mit einem stufenförmig dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil zeitlich variiert werden.
  • Beispiel 22 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 19 bis 21, wobei die Kapazität, normiert auf eine Oberfläche der ein oder mehreren Elektroden, größer sein kann als 1 F/cm2 für eine Gesamtdicke der Funktionsschicht von weniger als 250 nm (z.B. 200 nm, 150 nm, 100 nm).
  • Beispiel 23 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 19 bis 22, wobei die Durchbruchfeldstärke größer ist als 10 MV/m (z.B. größer als 20 MV/m, 30 MV/m, 40 MV/m, oder größer als 50 MV/m) für eine Gesamtdicke der Funktionsschicht von weniger als 250 nm (z.B. 200 nm, 150 nm, 100 nm).
  • Beispiel 24 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 23, wobei die Funktionsschicht ein oder mehrere Funktionsschichten aufweisen kann oder daraus bestehen kann.
  • Beispiel 25 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 24, wobei die ein oder mehreren Funktionsschichten eine erste Funktionsschicht und eine zweite Funktionsschicht aufweisen. Beispielsweise können die erste und die zweite Funktionsschicht die direkt benachbart sein. Beispielsweise kann eine dritte Funktionsschicht der ein oder mehreren Funktionsschichten zwischen der ersten und zweiten Funktionsschicht befinden.
  • Beispiel 26 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 25, wobei zwischen der ersten Funktionsschicht und der zweiten Funktionsschicht eine Metallisierungsschicht eingebracht werden kann.
  • Beispiel 27 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 25 oder 26, wobei zwischen der ersten Funktionsschicht und der zweiten Funktionsschicht ein oder mehrere Kontakte zum Kontaktieren der ersten bzw. zweiten Funktionsschicht angeordnet sein können. Beispielsweise können die Kontakte der ein oder mehreren Kontakte derart eingerichtet sein, dass sich durch geeignete Kontaktierung nur die Schichten unterhalb der ein oder mehreren Kontakte bzw. nur die Schichten oberhalb der ein oder mehreren Kontakte kontaktieren lassen.
  • Beispiel 28 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 26, wobei zwischen der ersten Funktionsschicht und der zweiten Funktionsschicht ein oder mehrere Kontakte zum Kontaktieren Metallisierungsschicht eingebracht werden können.
  • Beispiel 29 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 28, wobei das elektronische Bauteil eine Flächenausdehnung von weniger als 100 nm2 (z.B. weniger als 75, 50, 40, 30, 20, 15 nm2) aufweisen kann.
  • Beispiel 30 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 29, wobei das Bauteil einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweisen kann. Beispielsweise kann der erste Bereich gemäß einem der vorhergehenden Beispiele ausgestaltet sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich gemäß einem der vorhergehenden Beispiele ausgestaltet sein.
  • Beispiel 31 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 30, wobei der erste Bereich über (z.B. direkt) dem zweiten Bereich angeordnet sein kann.
  • Beispiel 32 ist ein elektronisches Bauteil gemäß Beispiel 30, wobei der erste Bereich neben (z.B. direkt) dem zweiten Bereich angeordnet sein kann. Beispielsweise kann der erste Bereich auf dem gleichen Substrat wie der zweite Bereich angeordnet sein. Beispielsweise kann zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich ein dritter Bereich angeordnet sein. Beispielsweise kann der dritte Bereich den ersten Bereich und den zweiten Bereich elektrisch voneinander isolieren.
  • Beispiel 33 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 30 bis 32, wobei der erste Bereich mit dem zweiten Bereich elektrisch gekoppelt sein kann. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich induktiv gekoppelt sein. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich mittels einer Reihenschaltung oder einer Parallelschaltung miteinander verbunden sein.
  • Beispiel 34 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 30 bis 33, wobei der erste Bereich identisch mit dem zweiten Bereich ausgestaltet sein kann.
  • Beispiel 35 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 30 bis 33, wobei sich der erste Bereich in ein oder mehreren elektrischen Eigenschaften von dem zweiten Bereich unterscheiden kann. Beispielsweise kann eine erste elektrische Eigenschaft der ein oder mehreren elektrischen Eigenschaften um mindestens den Faktor 10 (z.B. 20, 50, 100, 200, 500, 1000) unterschiedlich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich sein.
  • Beispiel 36 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 30 bis 35, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich ein elektronisches Bauteil sein können. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich jeweils ein diskretes elektronisches Bauteil sein. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich zusammen als ein integriertes elektronisches Bauteil ausgestaltet sein.
  • Beispiel 37 ist ein elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 30 bis 36, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich miteinander verschaltet sein können. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich in Reihe verschaltet sein. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich parallel zueinander verschaltet sein. Beispielsweise können der erste Bereich und der zweite Bereich in einer Crossbar-Array-Struktur miteinander verschaltet sein.
  • Beispiel 38 ist ein Material zum Bilden einer Funktionsschicht, aufweisend:
    • ein oder mehrere Manganate,
    • mehrere elektrisch geladene Domänenwände,
    • mehrere eingebrachte Pinzentren, die eingerichtet sind zum Verändern (z.B. Reduzieren oder Erhöhen) von ein oder mehrerer der folgenden Eigenschaften der elektrisch geladenen Domänenwände: Beweglichkeit, Anzahl, und/oder Dichte.
  • Beispiel 39 ist ein Material gemäß Beispiel 38, wobei mehr als 25% (z.B. mehr als 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95% oder mehr als 99%) der ein oder mehrere Manganate eine hexagonale Phase aufweisen können.
  • Beispiel 40 ist ein Material gemäß Beispiel 38 oder 39, wobei die elektrisch geladenen Domänenwände Closed Loop Vortices und/oder Closed Loop Vortices aufweisen oder sind.
  • Beispiel 41 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 40, wobei ein oder mehrere der elektrisch geladenen Domänenwände jeweils einen geschlossenen Pfad bilden können, der einen ersten Punkt mit einem zweiten Punkt verbindet, wobei der erste Punkt an einer anderen Stelle sein kann, als der zweite Punkt. Beispielsweise können der erste Punkt und der zweite Punkt jeweils in einem Nahbereich einer Außenseite (z.B. einem Bereich der eine Entfernung von bis zu 1 nm (z.B. 0,5nm, 0,25nm, 0,1nm, 0,05nm...) von Außenseite aufweist) des Materials angeordnet sein. Beispielsweise können der erste Punkt und der zweite Punkt in einem Nahbereich der gleichen Außenseite des Materials angeordnet sein. Beispielsweise können der erste Punkt und der zweite Punkt in einem Nachbereich von voneinander unterschiedlichen Außenseiten des Materials angeordnet sein.
  • Beispiel 42 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 41, wobei ein oder mehrere der mehreren eingebrachten Pinzentren an einer Domänenwand angeordnet sind.
  • Beispiel 43 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 42, wobei das Material mehrere Bereiche aufweisen kann, wobei sich die Bereiche in zumindest einer (z.B. ein, zwei oder allen) der folgenden Eigenschaften bezogen auf die Domänenwände und/oder Pinzentren unterscheiden können: Beweglichkeit, Anzahl, und/oder Dichte.
  • Beispiel 44 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 45, wobei die eingebrachten Pinzentren mittels Ionenimplantation, Ionenbestrahlung, Elektronenbestrahlung und/oder thermischer Prozessierung eingebracht werden können.
  • Beispiel 45 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 44, wobei eine Dichte der elektrisch geladenen Domänenwände groß (mehr als 0,1 Domänenwände je µm2) oder klein (weniger als 0,1 Domänenwände je µm2) sein kann.
  • Beispiel 46 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 45, wobei eine Dichte der eingebrachten Pinzentren geladenen Domänenwände groß (mehr als 0,1 Pinzentren je µm2) oder klein (weniger als 0,1 Pinzentren je µm2) sein kann.
  • Beispiel 47 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 46, wobei eine Dichte der eingebrachten Pinzentren, die an Domänenwänden haften können, die an einem geschlossenen Pfad angeordnet sind, groß (mehr als 0,1 Pinzentren je µm2) oder klein (weniger als 0,1 Pinzentren je µm2) sein können.
  • Beispiel 48 ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 47, wobei das Material als Schichtstapel ausgestaltet sein kann. Beispielsweise kann der Schichtstapel aus ein oder mehreren Schichten gebildet sein. Beispielsweise kann jede Schicht des Schichtstapels gemäß einem der Ansprüche 38 bis 47 ausgestaltet sein kann. Beispielsweise können benachbarte Schichten gleich oder unterschiedlich ausgestaltet sein. Beispielsweise können mindestens zwei Schichten des Schichtstapels hinsichtlich zumindest einer der folgenden Eigenschaften der elektrisch geladenen Domänenwände und/oder der Pinzentren unterschiedlich voneinander sein: Beweglichkeit, Anzahl, und/oder Dichte und/oder elektrischen Eigenschaften, Induktivität und/oder Kapazität. Beispielsweise können sich die beiden unterschiedlichen Schichten in der zumindest einen Eigenschaft um wenigstens Faktor 10 (z.B. 100,1000) unterscheiden.
  • Beispiel 49 ist eine ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 48, wobei die elektrisch geladenen Domänenwände und/oder die eingebrachten Pinzentren derart konfiguriert sind, dass sich eine kinetische Induktivität des Materials nicht ändert, wenn eine über die Zeit variierte Spannung angelegt wird. Beispielsweise, wenn eine angelegte Spannung zwischen +4V und -4V variiert wird. Beispielsweise kann die Spannung mit einem stufenförmigen dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil angelegt werden.
  • Beispiel 50 ist eine ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 49, wobei die elektrisch geladenen Domänenwände und die eingebrachten Pinzentren derart konfiguriert sind, dass sich eine kinetische Induktivität des Materials zwischen verschiedenen Frequenzbereichen variieren lässt, wenn eine Dichte von Pinzentren, die an geschlossenen Pfaden angeordnet ist, variiert wird. Beispielsweise lässt sich ein Resonanzbereich, in dem ein Realteil und ein Imaginärteil einer komplexen Leitfähigkeit in derselben Größenordnung liegen, durch eine Variation des reellen Widerstandes des Nahebereiches/der beiden Nahebereiche (0,1 Ω bis 1 Ω) und durch Variation der kinetischen Induktivität (nH bis µH) im Frequenzbereich-Bereich von 10 GHz- bis 1000 GHz-Frequenz variieren.
  • Beispiel 51 ist eine ist ein Material gemäß einem der Beispiele 38 bis 48, wobei die elektrisch geladenen Domänenwände und die eingebrachten Pinzentren derart konfiguriert sein können, dass sich eine Kapazität des Materials nicht ändert, wenn eine über die Zeit variierte Spannung angelegt wird. Beispielsweise kann eine angelegte Spannung zwischen +30V und -30V variiert werden. Beispielsweise wird die Spannung mit einem stufenförmigen dreieckigen Spannungs-Zeit-Profil angelegt.
  • Beispiel 51 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils aufweisend:
    • Bilden einer Funktionsschicht, die ein spontan polarisierbares Material aufweisen kann, aufweisend:
      • Ausbilden von Domänenwänden in dem spontan polarisierbaren Material, und
      • Einbringen von Pinzentren in die Funktionsschicht, wobei die Pinzentren eingerichtet sein können zum Beeinflussen mindestens einer der folgenden Eigenschaften des spontan polarisierbaren Materials:
    • • eine Beweglichkeit der Domänenwände in der Funktionsschicht,
    • • eine räumliche Anordnung der Domänenwände in der Funktionsschicht,
    • • eine Dichte (z.B. eine Flächendichte) der Domänenwände in der Funktionsschicht, und/oder
    • • eine Form der jeweiligen Domänenwände in der Funktionsschicht; und
  • Bilden von ein oder mehreren Elektroden, welche die Funktionsschicht kontaktieren können und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen können, derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.
  • Beispiel 52 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß Beispiel 51 wobei das Bilden einer Funktionsschicht optional aufweist Bilden eines Schichtstapels mit ein oder mehreren Funktionsschichten.
  • Beispiel 53 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß Beispiel 52, wobei das Bilden der Funktionsschicht ferner optional aufweisen kann Unterbrechen des Bildens der Funktionsschicht, nachdem eine erste Schicht mit einer ersten Dicke ausgebildet wurde.
  • Beispiel 54 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß Beispiel 53, wobei das Bilden der Funktionsschicht ferner optional aufweisen kann: Bilden einer ersten Metallisierungsschicht über der ersten Schicht. Beispielsweise das Verfahren ferner optional aufweisen Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht. Beispielsweise das Verfahren ferner optional aufweisen Bilden von ein oder mehreren Elektroden zum Kontaktieren der ersten Metallschicht.
  • Beispiel 55 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß Beispiel 53 oder 54, wobei das Bilden der Funktionsschicht ferner optional aufweisen kann Bilden von ein oder mehreren Elektroden zum Kontaktieren der ersten Schicht.
  • Beispiel 56 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 53 bis 55, wobei das Bilden der Funktionsschicht ferner optional aufweisen kann Einbringen von Pinzentren in die erste Schicht.
  • Beispiel 57 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 53 bis 56, wobei das Bilden der Funktionsschicht ferner optional aufweisen kann Fortsetzen des Bildens der Funktionsschicht bis zum Erreichen einer zweiten Dicke.
  • Beispiel 58 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 51 bis 57, wobei das Einbringen von Pinzentren ferner optional Ionenbestrahlung, Ionenimplantation, Elektronenbestrahlung und/oder lokale Wärmebehandlung aufweisen kann.
  • Beispiel 59 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 51 bis 58, wobei das Einbringen von Pinzentren derart ausgestaltet sein kann, dass die Mehrzahl der Pinzentren in der Nähe einer Außenseite der Funktionsschicht angeordnet sein können, und/oder dass die Pinzentren mittig der Funktionsschicht angeordnet sein können.
  • Beispiel 60 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 51 bis 59, wobei das Einbringen von Pinzentren ferner optional aufweisen kann Einbringen und Anordnen von jeweils ein oder mehreren Pinzentren an Domänenwände, die geschlossene Pfade bilden. Beispielsweise kann jeweils ein geschlossener Pfad einen jeweils ersten Punkt im Nahbereich einer ersten Elektrode mit einem jeweils zweiten Punkt im Nahbereich einer zweiten Elektrode verbinden.
  • Beispiel 61 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 51 bis 60, wobei das Einbringen von Pinzentren ferner optional aufweisen kann Anheften von jeweils ein oder mehreren Pinzentren an Domänenwände, die keine geschlossenen Pfade in zwischen zwei Punkten eines Nahbereichs einer ersten und einer zweiten Elektrode bilden.
  • Beispiel 62 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils gemäß einem der Beispiele 51 bis 61, wobei das Verfahren ferner optional aufweisen kann Erzeugen eines ersten Bereichs und erzeugen eines zweiten Bereichs. Beispielsweise kann der erste von dem zweiten Bereich durch einen dritten Bereich getrennt sein. Beispielsweise kann die Dichte von Pinzentren und/oder Domänenwänden im dritten Bereich viel kleiner sein als im ersten und/oder zweiten Bereich (Beispielsweise um den Faktor 10). Beispielsweise kann der erste Bereich gemäß einem ersten Verfahren gemäß einem der Beispiele 51 bis 62 prozessiert (z.B. hergestellt, bearbeitet) werden. Beispielsweise kann der zweite Bereich gemäß einem zweiten Verfahren gemäß einem der Beispiele 51 bis 62 prozessiert werden. Beispielsweise können sich das erste Verfahren und das zweite Verfahren voneinander unterscheiden. Beispielsweise kann das erste Verfahren das zweite Verfahren sein.
  • Beispiel 63 ist eine Bauteilanordnung von elektronischen Bauteilen aufweisend,
    ein erstes elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 37, und
    ein zweites elektronisches Bauteil gemäß einem der Beispiele 1 bis 37.
  • Beispiel 64 ist eine Bauteilanordnung gemäß Beispiel 63, wobei das erste elektronische Bauteil und das zweite elektronische Bauteil auf einem Substrat hergestellt werden können. Beispielsweise können das erste elektronische Bauteil und das zweite elektronisches Bauteil als ein integriertes Bauteil ausgestaltet sein.
  • Beispiel 65 ist eine Bauteilanordnung gemäß Beispiel 63, wobei das erste und das zweite elektronische Bauteil diskrete Bauteile sind.
  • Beispiel 66 ist eine Bauteilanordnung gemäß einem der Beispiele 63 bis 65, wobei das erste elektronische Bauteil ein kapazitives Bauteil ist und das zweite elektronische Bauteil ein induktives Bauteil ist.
  • Beispiel 67 ist eine Bauteilanordnung gemäß einem der Beispiele 63 bis 65, wobei das erste elektronische Bauteil ein kapazitives Bauteil ist und das zweite elektronische Bauteil ein kapazitives Bauteil ist. Beispielsweise kann sich eine Kapazität des ersten Bauteils von einer Kapazität des zweiten Bauteils wenigstens um den Faktor 10 (z.B. 100, 1000, 10000) unterscheiden.
  • Beispiel 68 ist eine Bauteilanordnung gemäß einem der Beispiele 63 bis 65, wobei das erste elektronische Bauteil ein induktives Bauteil ist und das zweite elektronische Bauteil ein induktives Bauteil ist. Beispielsweise kann sich eine Frequenz einer kinetischen Induktivität des ersten Bauteils von einer Frequenz einer kinetischen Induktivität des zweiten Bauteils wenigstens um den Faktor 10 (z.B. 100, 1000, 10000) unterscheiden, z.B. bei Zimmertemperatur (z.B. 20°C oder 25°C) und Atmosphärendruck (z.B. 1 atm).
  • Beispiel 69 ist eine Bauteilanordnung gemäß einem der Beispiele 63 bis 68, wobei das erste elektronische Bauteil und das zweite elektronische Bauteil in Reihe oder parallel zueinander geschaltet sein können.
  • Beispiel 70 ist eine Bauteilanordnung gemäß einem der Beispiele 63 bis 69, wobei das erste elektronische Bauteil und das zweite elektronische Bauteil in einer Crossbar-Array-Struktur miteinander verschaltet sein können.

Claims (20)

  1. Elektronisches Bauteil (100), aufweisend: eine Funktionsschicht (200), welche ein spontan polarisierbares Material und Pinzentren in und/oder auf dem spontan polarisierbaren Material aufweist, derart, dass ein oder mehrere Eigenschaften von in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwänden beeinflusst wird, und ein oder mehrere Elektroden, welche die Funktionsschicht (200) kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.
  2. Elektronisches Bauteil (100), gemäß Anspruch 1, wobei die ein oder mehreren Eigenschaften von in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwänden aufweisen: • eine Beweglichkeit der Domänenwände in der Funktionsschicht (200), und/oder • eine räumliche Anordnung der Domänenwände in der Funktionsschicht (200), und/oder • eine Flächendichte der Domänenwände in der Funktionsschicht (200), und/oder • eine Form der jeweiligen Domänenwände in der Funktionsschicht (200); und
  3. Elektronisches Bauteil (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei Domänenwände elektrisch geladene Domänenwände aufweisen, vorzugsweise Closed Loop Vortices (210) und/oder Open Loop Vortices (220).
  4. Elektronisches Bauteil (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Funktionsschicht (200) mindestens ein ferroelektrisches Material oder mindestens ein antiferroelektrisches Material aufweist oder daraus besteht.
  5. Elektronisches Bauteil (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Funktionsschicht (200) ein Manganat aufweist oder ein Manganat ist, und wobei insbesondere mehr als 25% des Manganats eine hexagonale Phase aufweist.
  6. Elektronisches Bauteil (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur zumindest eine der folgenden Eigenschaften ist: eine kinetische Induktivität, und/oder eine Kapazität, und/oder eine Polarisierbarkeit, und/oder eine Grenzspannung, und/oder ein Grenzstrom, und/oder eine Grenzfrequenz, und/oder eine Durchbruchfeldstärke, und/oder ein reeller elektrischer Widerstand.
  7. Ein elektronisches Bauteil (100) gemäß Anspruch 6, wobei die Flächendichte der Domänenwände größer ist als 0,1 Domänenwände je µm2, wobei eine erste Art von Pinzentren eingerichtet ist zum Reduzieren der Beweglichkeit von Domänenwänden, wobei die Domänenwände derart angeordnet sind, dass sie an einem geschlossenen Pfad von einem Nahbereich einer ersten Elektrode (310) der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode (320) der ein oder mehreren Elektroden bilden, und/oder wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode (310) kleiner ist als ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode (310) repräsentiert, und/oder wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode (320) kleiner ist als ein Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode (320) repräsentiert.
  8. Elektronisches Bauteil (100) gemäß Anspruch 7, wobei eine Mehrzahl der durch die erste Art von Pinzentren angehafteten Domänenwände Open Loop Vortices (220) sind.
  9. Elektronisches Bauteil (100) gemäß Anspruch 6, wobei die Flächendichte der Domänenwände kleiner ist als 0,1 Domänenwände je µm2, wobei eine zweite Art von Pinzentren eingerichtet ist zum Anhaften von Domänenwänden, wobei die Domänenwände derart angeordnet sind, dass sie keinen geschlossenen Pfad von einem Nahbereich einer ersten Elektrode (310) der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode (320) der ein oder mehreren Elektroden bilden, und/oder wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode (310) größer ist als ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode (310) repräsentiert, und/oder wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode (320) größer ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode (320) repräsentiert.
  10. Elektronisches Bauteil (100) gemäß Anspruch 9, wobei eine Mehrzahl der durch die zweite Art von Pinzentren angehafteten Domänenwände Closed Loop Vortices (210) sind.
  11. Elektronisches Bauteil (100) gemäß Anspruch 6, wobei die Flächendichte der Domänenwände größer ist als 0,1 Domänenwände je µm2, wobei eine erste Art von Pinzentren eingerichtet ist zum Anhaften von Domänenwänden, wobei die Domänenwände derart angeordnet sind, dass sie einen geschlossenen Pfad von einem Nahbereich einer ersten Elektrode (310) der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode (320) der ein oder mehreren Elektroden bilden, wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode (310) kleiner ist als ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode (310) repräsentiert, wobei ein mittlerer Abstand direkt benachbarter Pinzentren der ersten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode (320) kleiner ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode (320) repräsentiert, wobei eine zweite Art von Pinzentren eingerichtet ist zum Anhaften von Domänenwänden, wobei die Domänenwände derart angeordnet sind, dass sie keinen geschlossenen Pfad von einem Nahbereich einer ersten Elektrode (310) der ein oder mehreren Elektroden zu einem Nahbereich einer zweiten Elektrode (320) der ein oder mehreren Elektroden bilden, wobei ein mittlerer Abstand der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der ersten Elektrode (310) größer ist als ein erster Rauheitswert, welcher die Rauheit der ersten Elektrode (310) repräsentiert, und wobei ein mittlerer Abstand der zweiten Art von Pinzentren im Nahbereich der zweiten Elektrode (320) größer ist als ein zweiter Rauheitswert, welcher die Rauheit der zweiten Elektrode (320) repräsentiert.
  12. Funktionsschicht zum Bilden eines elektronischen Bauteils, die Funktionsschicht aufweisend: ein oder mehrere Manganatschichten, mehrere elektrisch geladene Domänenwände, welche in den ein oder mehreren Manganatschichten ausgebildet sind, mehrere in den ein oder mehreren Manganatschichten angeordnete Pinzentren, die eingerichtet sind zum Verändern von ein oder mehreren Eigenschaften der elektrisch geladenen Domänenwände.
  13. Material gemäß Anspruch 11 oder 12, wobei die ein oder mehreren Eigenschaften der elektrisch geladenen Domänenwände aufweisen: eine Beweglichkeit, und/oder eine Anzahl, und/oder eine Flächendichte.
  14. Material gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei mehr als 25% des Materials der ein oder mehreren Manganatschichten in einer hexagonalen Phase vorliegt.
  15. Material gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die elektrisch geladenen Domänenwände Closed Loop Vortices (210) und/oder Closed Loop Vortices (220) aufweisen oder sind.
  16. Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils (100) aufweisend: Bilden einer Funktionsschicht (200), die ein spontan polarisierbares Material aufweisen kann, aufweisend: Ausbilden von Domänenwänden in dem spontan polarisierbaren Material, und Einbringen von Pinzentren in die Funktionsschicht (200), wobei die Pinzentren eingerichtet sind zum Beeinflussen mindestens einer Eigenschaft von ein oder mehreren Eigenschaften des spontan polarisierbaren Materials, und Bilden von ein oder mehreren Elektroden, welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen, derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven Struktur und/oder der induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.
  17. Bauteilanordnung (500) von elektronischen Bauteilen (100) aufweisend, ein erstes elektronisches Bauteil (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, und ein zweites elektronisches Bauteil (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12.
  18. Bauteilanordnung (500) gemäß Anspruch 17, wobei das erste elektronische Bauteil (100) ein kapazitives Bauteil ist und das zweite elektronische Bauteil (100) ein kapazitives Bauteil ist, und wobei sich eine Kapazität des ersten elektronischen Bauteils (100) von einer Kapazität des zweiten elektronischen Bauteils (100) wenigstens um den Faktor 10 unterscheidet.
  19. Bauteilanordnung (500) gemäß Anspruch 17, wobei das erste elektronische Bauteil (100) ein induktives Bauteil ist und das zweite elektronische Bauteil (100) ein induktives Bauteil ist, und wobei sich eine Frequenz einer kinetischen Induktivität des ersten Bauteils (100) von einer Frequenz einer kinetischen Induktivität des zweiten Bauteils (100) wenigstens um den Faktor 10 unterscheidet.
  20. Bauteilanordnung (500) gemäß einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei das erste elektronische Bauteil (100) und das zweite elektronische Bauteil (100) in Form eines integrierten Bauteils und/oder in einer Crossbar-Array-Struktur miteinander verschaltet sind.
DE102021107402.9A 2021-03-24 2021-03-24 Elektronisches Bauteil, Bauteilanordnung, Funktionsschicht zum Bilden eines elektronischen Bauteils und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils Pending DE102021107402A1 (de)

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