DE102020213422A1 - Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie - Google Patents

Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie Download PDF

Info

Publication number
DE102020213422A1
DE102020213422A1 DE102020213422.7A DE102020213422A DE102020213422A1 DE 102020213422 A1 DE102020213422 A1 DE 102020213422A1 DE 102020213422 A DE102020213422 A DE 102020213422A DE 102020213422 A1 DE102020213422 A1 DE 102020213422A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bearing
bearing surface
equal
element according
reticle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102020213422.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Stefan Stein
Heiko Siekmann
Wilbert Kruithof
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102020213422.7A priority Critical patent/DE102020213422A1/de
Publication of DE102020213422A1 publication Critical patent/DE102020213422A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67306—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H01L21/67323—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Lagerelement für ein Retikel (6) für die Mikrolithographie mit einem Lagerkörper (2) und einer Lageroberfläche (3), auf der das Retikel angeordnet werden kann und die an dem Lagerkörper (2) vorgesehen ist, wobei die Lageroberfläche (3) aus einem einkristallinen oder amorphen Material oder aus einem polykristallinen Material gebildet ist, dessen mittlere oder maximale Korngröße kleiner oder gleich 0,1 µm.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Lagerelement für ein Retikel für die Mikrolithographie mit einem Lagerkörper und einer Lageroberfläche, auf der das Retikel angeordnet werden kann und die an dem Lagerkörper vorgesehen ist, sowie die Verwendung desselben in Transportboxen, Produktionshalterungen, Magazinen und sogenannten Pods für Retikel sowie Retikelhandhabungssystemen.
  • STAND DER TECHNIK
  • Bei der mikrolithographischen Herstellung von Bauteilen der Mikroelektronik oder Mikrosystemtechnik werden sogenannte Masken oder Retikel eingesetzt, welche die auf den entsprechenden Bauteilen zu erzeugenden Strukturen aufweisen, sodass diese Strukturen in einer Projektionsbelichtungsanlage in verkleinerter Weise auf die entsprechenden Bauteile abgebildet werden können. Aufgrund der üblichen Dimensionen bzw. Strukturbreiten der auf Bauteilen der Mikroelektronik oder Mikrosystemtechnik erzeugten Strukturen sind derartige Retikel insbesondere für den Einsatz in Projektionsbelichtungsanlagen, die mit extrem ultraviolettem Arbeitslicht (EUV - Licht) betrieben werden, sehr anfällig für jedwede Verunreinigung. Entsprechend muss bei der Herstellung und Verwendung sowie der Handhabung der Retikel möglichst vermieden werden, dass Partikel erzeugt oder verschleppt werden, die die Strukturen des Retikels verunreinigen könnten.
  • Entsprechend ist es aus dem Stand der Technik bereits bekannt, für die Lagerung und Handhabung von Retikeln sogenanntes electrostatic chucking (elektrostatisches Einspannen) zu verwenden, um insbesondere einen Kontakt des Retikels mit den Handhabungs - oder Lagerungseinrichtungen an der die Strukturen tragenden Seite und die dadurch einhergehende Gefahr einer Partikelerzeugung in der Nähe der Strukturen des Retikels zu vermeiden.
  • Allerdings ist es unter bestimmten Umständen erforderlich ein Retikel mit der die Strukturen tragenden Seite nach unten zu lagern, um eine Partikelablagerung auf der strukturierten Seite zu verhindern. Dies ist dann der Fall, wenn kein elektrostatisches Einspannen möglich ist, bei dem das Retikel über die Rückseite gehalten werden kann. Bei einer derartigen „Face Down“ Lagerung liegt das Retikel in Kontakt mit entsprechenden Lagerelementen auf der strukturierten Seite auf, die besonders anfällig für Verunreinigungen mit Partikel ist. Hierbei besteht die Gefahr, dass bei der Ablage des Retikels auf den Lagerelementen Partikel erzeugt werden, die zur Verunreinigung des Retikels oder, noch schlimmer, zur Verschleppung von Partikeln auf ein anderes Retikel führen können.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • AUFGABE DER ERFINDUNG
  • Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung Lagerelemente bereitzustellen, die die Gefahr einer Partikelerzeugung bei der Lagerung von Retikeln für die Mikrolithographie beseitigen oder zumindest verringern. Gleichzeitig sollen die Lageelemente eine möglichst schnelle und dynamische Handhabung der Retikel ermöglichen, um die Handhabungszeiten des Retikels möglichst klein halten zu können. Darüber hinaus sollen die Lageelemente möglichst einfach und effizient herstellbar sein.
  • TECHNISCHE LÖSUNG
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Lageelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie die Verwendung entsprechender Lagerelemente in entsprechenden Gerätschaften für den Transport und die Handhabung von Retikel gemäß Anspruch 13. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die Erfindung schlägt vor, bei einem Lagerelement für ein Retikel für die Mikrolithographie mit einem Lagerkörper und einer Lageroberfläche, auf der das Retikel angeordnet werden kann und die an dem Lagerkörper vorgesehen ist, die Lageroberfläche aus einem einkristallinen oder amorphen Material oder aus einem polykristallinen Material zu bilden, dessen mittlere oder maximale Korngröße kleiner oder gleich 0, 1 µm, insbesondere kleiner oder gleich 0,05 µm ist.
  • Durch die Ausbildung der Lageroberfläche aus einem einkristallinen oder amorphen Material kann der negative Einfluss von Korngrenzen oder sonstigen Inhomogenitäten aufgrund der Kornstruktur vermieden werden, sodass ausreichend harte und steife Materialien mit einem hohen Elastizitätsmodul eingesetzt werden können, die eine dynamische Handhabung, also schnelle Lagerung und Abnahme von den Lagerelementen ermöglichen, wobei gleichzeitig die Gefahr der Partikelerzeugung verringert wird. Dies gilt auch für polykristalline Materialien, deren mittlere oder maximale Korngröße kleiner oder gleich 0,1 µm bzw. vorzugsweise kleiner oder gleich 0,05 µm ist.
  • Insbesondere kann für die Lageroberfläche ein Material mit einem Elastizitätsmodul größer oder gleich 300 GPa, insbesondere größer oder gleich 320 GPa eingesetzt werden, um die Lageelemente ausreichend steif auszubilden.
  • Als Material für die Lageroberfläche kann insbesondere Diamant, diamantähnlicher amorpher Kohlenstoff (Diamond Like Carbon DLC), Aluminiumoxid (Al2O3), insbesondere Korund, Siliziumnitrid (Si3N4), Borkarbid (B4C), Wolframcarbid (WC) oder eine Hartmetalllegierung, insbesondere eine WCCo - Legierung eingesetzt werden, bei der in einer Matrix aus Kobalt (Co) WC eingelagert ist. Diese Materialien weisen entsprechend hohe Elastizitätsmodule auf und können insbesondere zumindest teilweise auch als einkristalline Werkstoffe Verwendung finden, wobei sie die für die Anwendung als Lagerelement für Retikel für die Mikrolithographie gewünschten Eigenschaften hoher Härte und Standfestigkeit sowie einer hohen Verschleißfestigkeit und einer Beständigkeit gegenüber korrosiven Angriffen aufweisen. Außerdem zeigen sie ein geringes Risiko der Partikelerzeugung und können gut gereinigt werden. Außerdem sind diese Materialien auch für entsprechende Umgebungsatmosphären, wie sie in Projektionsbelichtungsanlagen vorzufinden sind, wie beispielsweise Plasma oder wasserstoffhaltige Atmosphären geeignet. Außerdem weisen sie für eine stabile Lagerung des Retikels einen ausreichenden Reibungskoeffizienten auf, der insbesondere im Falle von Diamant bei geringen Umgebungsdrücken oder Vakuumbedingungen noch zunimmt.
  • Bei einer einkristallinen Ausbildung der Lageroberfläche kann der Einkristall mit einer bestimmten Orientierung zur Oberseite der Lageroberfläche ausgerichtet sein, wobei die Oberseite der Lageroberfläche die Seite ist, auf der das zu lagernde Element, also das Retikel gelagert werden soll. Durch die bestimmte Orientierung des Einkristalls zur Oberseite bzw. Kontaktfläche der Lageroberfläche kann die Orientierung gewählt werden, die einen geeigneten Reibungskoeffizienten gewährleistet.
  • Obwohl das Lagerelement einstückig bzw. monolithisch aus einem einzigen Material gebildet sein kann und insbesondere aus einem einkristallinen Material gefertigt sein kann, ist es auch möglich, die Lageroberfläche unterschiedlich zum Lagerkörper auszubilden und insbesondere Lagerkörper und Lageroberfläche aus unterschiedlichen Materialien zu bilden. Zu diesem Zweck kann ein Lageroberflächenbereich unterhalb der Lageroberfläche, also ein Bereich des Lagerelements benachbart zur Lageroberfläche abgewandt von der Seite der Lageroberfläche, die zur Lagerung bzw. zum mechanischen Kontakt mit dem Retikel dient, aus einem Material unterschiedlich zu dem Material des Lagerkörpers ausgebildet sein und auf dem Lagerkörper beispielsweise durch stoffschlüssige Verbindung, wie Löten oder Kleben, angeordnet sein. Beispielsweise kann das Lagerelement im Sandwichverfahren aus verschiedenen Materialien aufgebaut sein, wobei der Auflagebereich, der im mechanischen Kontakt mit dem Retikel steht, aus einem Material unterschiedlich zu dem Vollmaterial des Lagerkörpers ausgebildet ist. Ein solcher Sandwichaufbau kann notwendig sein, wenn sich bestimmte Materialien beispielsweise mit höherer Oberflächengüte fertigen lassen, oder bessere tribologische Eigenschaften aufweisen, aber beispielsweise niedrigere E - Module haben. Durch eine Sandwichbauweise lassen sich so verschiedene Materialeigenschaften für das Endprodukt in optimaler Weise kombinieren. Die einzelnen Komponenten können dabei durch stoffschlüssige Verbindung, wie Löten oder Kleben, verbunden sein.
  • Darüber hinaus ist auch möglich die Lageroberfläche durch eine Beschichtung zu bilden, beispielsweise durch eine physikalische oder chemische Dammphasenabscheidung, Tauchbeschichtung, Spincoating, eine galvanische Abscheidung und / oder durch plasmaunterstützte Beschichtungsprozesse und / oder Kathodenzerstäubung. Insbesondere kann beispielsweise diamantähnlicher Kohlenstoff durch entsprechende Beschichtungsprozesse abgeschieden werden.
  • Die Lageroberfläche kann weiterhin mit einer geringen Rauheit ausgebildet sein, um auch dadurch die Bildung von Partikeln zu minimieren. Beispielsweise kann der Mittenrauwert der Lageroberfläche kleiner 0,1 µm, insbesondere kleiner oder gleich 0,05 µm und vorzugsweise kleiner oder gleich 30 nm sein. Unter dem Mittenrauwert versteht man das arithmetische Mittel einer betragsmäßigen Abweichung von einer Mittellinie. Ferner kann die Rautiefe kleiner 1 µm, vorzugsweise kleiner oder gleich 0,5 µm und insbesondere kleiner oder gleich 0,5 nm sein. Unter der Rautiefe wird die Differenz aus maximalem und minimalem Wert des Höhenprofils der Oberfläche bezogen auf die Gesamtmessstrecke verstanden.
  • Um die Lageroberfläche als Beschichtung auf dem Lagerelement besser aufbringen zu können und / oder eine geringe Rauheit der Lageroberfläche erzielen zu können bzw. das darunter liegende Substratmaterial des Lagerkörpers zu schützen, kann eine Zwischenschicht unterhalb der Lageroberfläche, also abgewandt von der Seite, auf der das Retikel auf der Lageroberfläche zu liegen kommt, und zwischen dem Lagerkörper und der Lageroberfläche angeordnet werden. Die Zwischenschicht kann insbesondere eine Nickelschicht oder eine Nickel - Legierungsschicht sein, beispielsweise eine Schicht aus einer Nickel - Phosphor - Legierung, oder eine Schicht aus chemisch Nickel, welche also durch chemisches Vernickeln erzeugt worden ist. Eine derartige Schicht lässt sich besonders glatt herstellen bzw. entsprechend polieren oder in sonstiger Weise gut bearbeiten, um eine glatte Oberfläche zu erzeugen, sodass die nachfolgende Schicht zur Bildung der Lageroberfläche, beispielsweise aus diamantähnlichem Kohlenstoff, ebenfalls mit sehr geringer Rauheit abgeschieden werden kann.
  • Ferner ist es auch möglich, dass auf der Lageroberfläche zusätzlich eine Deckschicht, beispielsweise aus einem Lack oder einem Polymer abgeschieden wird, um zusätzliche Lagereigenschaften durch die Deckschicht mit den Lagereigenschaften der Lageroberfläche zu kombinieren. Beispielsweise kann eine Deckschicht aus einem Polymer, wie Parylenpolyimid oder einem Epoxyharz gebildet sein, welches einen geringeren Elastizitätsmodul als die Lageroberfläche aufweist und eine geringere Härte besitzt, sodass ein weicher Kontakt zu dem zu lagernden Retikel erzielt werden kann. Die Deckschicht weist jedoch lediglich eine sehr geringe Dicke auf, sodass die Lagereigenschaften im Wesentlichen noch von der darunterliegenden Lageroberfläche bestimmt werden, sodass weiterhin von der Lageroberfläche gesprochen wird, auch wenn diese nicht mehr im direkten Kontakt mit dem zu lagernden Retikel ist, sondern die Deckschicht. Die Dicke der Deckschicht kann kleiner 10 µm, insbesondere kleiner oder gleich 2 µm und vorzugsweise kleiner oder gleich 0,5 µm sein.
  • Der Lagerkörper kann aus dem gleichen Material gebildet sein, wie die Lageroberfläche und / oder als Substratmaterial aus anderen Materialien gebildet sein, wie beispielsweise Stahl, insbesondere hochlegiertem Chrom - Stahl, wie dem martensitischen Edelstahl X46Cr13, oder dergleichen.
  • Das Lagerelement kann in vielfältigen geometrischen Formen ausgebildet sein, beispielsweise als Stift, insbesondere zylindrischer Stift mit einer an einem Ende des Stifts konvex gewölbten Lageroberfläche, die insbesondere sphärisch bzw. als Kugelsegment ausgebildet sein kann. Dabei ist das Auflageinterface beispielsweise in Form einer Dreipunktauflage ausgestaltet.
  • Ein entsprechendes Lagerelement bzw. mehrere dieser Lagerelemente können in entsprechenden Komponenten für den Transport und die Handhabung von Retikeln verwendet werden, wie beispielsweise in Haltern, Produktionshalterungen, Transportboxen, Dual Pods, SMIF Pods, Magazinen und in sonstigen Retikelhandhabungssystemen.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in
    • 1 eine seitliche Darstellung eines erfindungsgemäßen Lagerelements mit einem darauf angeordneten Teil eines Retikel und in
    • 2 einen teilweisen Schnitt durch den Oberflächenbereich eines Lageelements mit einem Schichtaufbau auf einem Substrat des Lagerkörpers.
  • AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der Ausführungsbeispiele ersichtlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.
  • Die 1 zeigt eine seitliche Ansicht eines Beispiels eines erfindungsgemäßen Lagerelements 1 in Form eines Lagerstifts, der eine konvex gewölbte Lageroberfläche 3 aufweist, auf welcher ein Retikel 6 gelagert werden kann. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel der 1 ist die konvex gewölbte Lageroberfläche 3 Teil eines Lageroberflächenbereichs 5, der durch ein Kugelsegment gebildet, wobei der Lagerkörper 2 durch einen Zylinder geformt ist, der an seinen Enden konisch geformte Bereiche zur Ausbildung von Fasen 4 aufweist. Darüber hinaus kann das Lagerelement ebenfalls beispielsweise als Prismenauflage ausgeführt sein.
  • Das Lagerelement 1, welches in der 1 gezeigt ist, ist beispielsweise aus einem monokristallinen Diamanten gebildet, wobei der Diamant kristallographisch in einer vorbestimmten Orientierung gegenüber der Lageroberfläche 3 ausgerichtet sein kann, um den Reibungskoeffizienten an der Kontaktfläche zwischen Lageroberfläche 3 und Retikel 6 in gewünschter Weise einstellen zu können.
  • Da das gesamte Lagerelement 1einstückig aus einem einkristallinen Diamanten gebildet ist, unterscheidet sich das Material an der Lageroberfläche 3 bzw. im Lageroberflächenbereich 5 in Form eines Kugelsegments nicht von dem übrigen Material des Lagerkörpers 2.
  • Alternativ ist es jedoch auch möglich, die Lageroberfläche 3 bzw. den Lageroberflächenbereich 5 unterhalb der Lageroberfläche 3 aus einem Material zu fertigen, welches unterschiedlich zu dem Material des Lagerkörpers 2 ist. Beispielsweise könnte der Lageroberflächenbereich 5 aus einem anderen Material gebildet sein als der Lagerkörper 2 und auf den zylinderförmigen Lagerkörper 2 aufgebracht werden, insbesondere durch eine stoffschlüssige Verbindung.
  • Die 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Lageroberfläche 3 aus einem anderen Material gefertigt ist, als das darunter angeordnete Material des Lagerkörpers 2. Bei dem Ausführungsbeispiel der 2 ist auf dem Substrat 9 des Lagerkörpers 2, der in 2 nicht näher dargestellt ist, eine Schichtstruktur aufgebracht, die zur Ausgestaltung der Lageroberfläche 3 dient. Auf dem Substratmaterial 9 des Lagerkörpers 2 ist eine Zwischenschicht 8 abgeschieden, die beispielsweise durch chemisches Nickel oder eine Nickel - Phosphor - Legierung gebildet ist. Eine derartige Zwischenschicht 8 ermöglicht es eine besonders glatte Oberfläche durch Polieren oder sonstige Oberflächenbearbeitung zu erzeugen. Auf diese Zwischenschicht 8 kann dann mittels eines Beschichtungsverfahrens, wie beispielsweise durch physikalische Dampfphasenabscheidung (PVD), insbesondere Kathodenzerstäubung (Sputtern), oder chemische Dampfphasenabscheidung (CVD) das Material der Lageroberfläche 3 aufgebracht werden, wie beispielsweise diamantähnlicher Kohlenstoff (DLC Diamond Like Carbon). Eine derartig abgeschiedene Lageroberfläche 3 kann bereits als fertige Lageroberfläche 3 in direktem Kontakt zu dem Retikel verwendet werden. Allerdings ist es auch möglich eine zusätzliche Deckschicht 7 auf der Lageroberfläche 3 vorzusehen, wobei in diesem Fall von der Schicht unterhalb der Deckschicht 7 weiterhin von der Lageroberfläche 3 gesprochen wird, da diese die Eigenschaften der Lagerung im Wesentlichen beeinflusst. Die Deckschicht 7 ist lediglich dafür gedacht, als dünne Deckschicht 7 zusätzliche Lagereigenschaften mit den Lagereigenschaften der Lageroberfläche 3 zu kombinieren. Beispielsweise kann bei der gezeigten Ausführungsform der 2 auf der diamantähnlichen Kohlenstoffschicht der Lageroberfläche 3 eine dünne Lackschicht bzw. Polymerschicht vorgesehen sein, die neben der harten und steifen Eigenschaft der Lageroberfläche 3 aus diamantähnlichem Kohlenstoff eine dünne, elastische und weiche Deckschicht 7 für den unmittelbaren Kontakt mit dem Retikel 6 zur Verfügung stellt.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Insbesondere schließt die vorliegende Offenbarung sämtliche Kombinationen der in den verschiedenen Ausführungsbeispielen gezeigten Einzelmerkmale mit ein, sodass einzelne Merkmale, die nur in Zusammenhang mit einem Ausführungsbeispiel beschrieben sind, auch bei anderen Ausführungsbeispielen oder nicht explizit dargestellten Kombinationen von Einzelmerkmalen eingesetzt werden können.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Lagerelement
    2
    Lagerkörper
    3
    Lageroberfläche
    4
    Fase
    5
    Oberflächenbereich
    6
    Retikel
    7
    Deckschicht
    8
    Zwischenschicht
    9
    Substrat

Claims (13)

  1. Lagerelement für ein Retikel (6) für die Mikrolithographie mit einem Lagerkörper (2) und einer Lageroberfläche (3), auf der das Retikel angeordnet werden kann und die an dem Lagerkörper (2) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) aus einem einkristallinen oder amorphen Material oder aus einem polykristallinen Material gebildet ist, dessen mittlere oder maximale Korngröße kleiner oder gleich 0,1 µm.
  2. Lagerelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) aus einem Material mit einem Elastizitätsmodul größer oder gleich 300 GPa, insbesondere größer oder gleich 320 GPa gebildet ist.
  3. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) aus einem Material gebildet ist, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die Diamant, diamantähnlichen amorphen Kohlenstoff, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Borcarbid, Wolframcarbid (WC), Hartmetalllegierungen und WCCo - Legierungen umfasst.
  4. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer einkristallinen Lageroberfläche (3) der Einkristall mit einer bestimmten Orientierung zur Oberseite der Lageroberfläche definiert ist.
  5. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) unterschiedlich zum Lagerkörper (2) ausgebildet ist, insbesondere aus einem unterschiedlichen Material gebildet ist.
  6. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) durch eine Beschichtung gebildet ist, die insbesondere durch mindestens ein Verfahren aus der Gruppe, die physikalische (PVD) oder chemische (CVD) Dampfphasenabscheidung, plasmaunterstützte Beschichtungsprozesse und Kathodenzerstäubung umfasst, abgeschieden ist.
  7. Lagerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) auf den Lagerkörper (2) aufgeklebt oder aufgelötet ist.
  8. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) einen Mittenrauwert von kleiner 0,1 µm, insbesondere kleiner oder gleich 0,05 µm, vorzugsweise kleiner oder gleich 30 nm aufweist und / oder eine Rautiefe kleiner 1 µm, vorzugsweise kleiner oder gleich 0,5 µm, insbesondere kleiner oder gleich 0,5 nm aufweist.
  9. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb der Lageroberfläche (3) und zwischen dem Lagerkörper (2) eine Zwischenschicht (8), insbesondere ein Nickel - Schicht oder eine Nickel - Legierungsschicht, insbesondere eine Schicht aus einer Nickel - Phosphor - Legierung oder eine Schicht aus chemisch Nickel angeordnet ist.
  10. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lageroberfläche (3) eine Deckschicht (7) aus einem Polymer, insbesondere aus einem Parylenpolyimid oder einem Epoxyharz aufweist, wobei die Deckschicht (7) insbesondere eine Dicke kleiner 10 µm, insbesondere kleiner oder gleich 2 µm, vorzugsweise kleiner oder gleich 0,5 µm aufweist.
  11. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Lagerkörper (2) aus einem Material gebildet ist, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die Diamant, diamantähnlichem amorphen Kohlenstoff, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Borcarbid und Stahl umfasst.
  12. Lagerelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Lagerelement (1) durch eine Prismenauflage oder einen Stift, insbesondere zylindrischen Stift gebildet ist, der an einem Ende eine konvex gewölbte Lageroberfläche (3), insbesondere eine sphärische Lageroberfläche, insbesondere einen Lageroberflächenbereich (5) in Form eines Kugelsegments aufweist.
  13. Verwendung des Lagerelements nach einem der vorhergehenden Ansprüche in mindestens einer Komponenten aus der Gruppe, die Halter, Dual Pods, SMIF Pods, Transportboxen, Produktionshalterungen, Magazine und Retikelhandhabungssysteme umfasst.
DE102020213422.7A 2020-10-23 2020-10-23 Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie Ceased DE102020213422A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020213422.7A DE102020213422A1 (de) 2020-10-23 2020-10-23 Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020213422.7A DE102020213422A1 (de) 2020-10-23 2020-10-23 Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020213422A1 true DE102020213422A1 (de) 2021-10-28

Family

ID=78261015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020213422.7A Ceased DE102020213422A1 (de) 2020-10-23 2020-10-23 Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102020213422A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020197144A1 (en) 2001-06-21 2002-12-26 Blank Richard M. Flatted object passive aligner
US20090301917A1 (en) 2005-09-27 2009-12-10 Entegris, Inc. Reticle pod
US20200211876A1 (en) 2016-08-27 2020-07-02 Entegris, Inc. Reticle pod having side containment of reticle

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020197144A1 (en) 2001-06-21 2002-12-26 Blank Richard M. Flatted object passive aligner
US20090301917A1 (en) 2005-09-27 2009-12-10 Entegris, Inc. Reticle pod
US20200211876A1 (en) 2016-08-27 2020-07-02 Entegris, Inc. Reticle pod having side containment of reticle

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011008953B4 (de) Substrat mit Leichtgewichtsstruktur
DE69817118T2 (de) Einkristalline Siliciumscheibe mit einer erhöhten mechanischen Festigkeit
DE69837690T2 (de) Gerät zur Entfernung von an einer Prüfspitzenendfläche haftenden Fremdstoffen
DE112010002856B4 (de) Vorrichtung für elastische Wellen und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung
EP2511229B1 (de) Flankenverstärktes mikromechanisches Bauteil
DE4220284C1 (de) Verfahren zum Zerteilen von Verbundwafern
DE112009000387T5 (de) Träger für eine Doppelseitenpoliervorrichtung, Doppelseitenpoliervorrichtung, bei der dieser Träger verwendet wird, und Doppelseitenpolierverfahren
DE102005021048A1 (de) Vorrichtung zum Stabilisieren eines Werkstücks bei einer Bearbeitung
DE102007026292A1 (de) Verfahren zur einseitigen Politur nicht strukturierter Halbleiterscheiben
DE112016003716T5 (de) Verfahren zur Abtrennung eines Halbleiter-Substrats von der darauf liegenden Funktionsschicht
WO2010121703A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum trennen eines substrats von einem trägersubstrat
DE102018220508B4 (de) Verfahren zum Bilden von Vorrichtungen mit lokalisierter Einstellung von Verformung und mechanischer Spannung
DE102019212796A1 (de) Waferboot
DE102020213422A1 (de) Lagerelement für ein retikel für die mikrolithographie
DE10261306B4 (de) Haltering mit reduzierter Abnutzungs- und Kontaminationsrate für einen Polierkopf einer CMP-Anlage und Polierkopf und CMP-Vorrichtung mit Haltering
DE102013207480A1 (de) Verfahren zur Vereinzelung eines Wafers in Chips
DE102019128479A1 (de) Befestigungssystem, Halteplatte und Verfahren zu deren Herstellung
WO2008152151A2 (de) Strukturierte schichtabscheidung auf prozessierten wafern der mikrosystemtechnik
DE102015210384A1 (de) Verfahren zur mechanischen Trennung für eine Doppelschichtübertragung
DE102009009497A1 (de) Läuferscheibe zum Halten von Halbleiterscheiben während einer beidseitigen Politur der Halbleiterscheiben
DE102017003698B3 (de) Herstellung einer dünnen Substratschicht
DE102017111618B4 (de) Vorrichtung, System und Verfahren zur Trocknung einer Halbleiterscheibe
DE102014203075A1 (de) Magnetsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102018126747A1 (de) Wafer und Verfahren zur Analyse seiner Form
DE102015224407A1 (de) Reparaturverfahren für einen wafer chuck

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final