DE102020135109A1 - Anzeigevorrichtung und dieselbe aufweisende multianzeigevorrichtung - Google Patents

Anzeigevorrichtung und dieselbe aufweisende multianzeigevorrichtung Download PDF

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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung (10) weist ein erstes Substrat (100), das eine Mehrzahl von Pixeln (P), die in einem Anzeigebereich (AA) bereitgestellt sind, ein zweites Substrat (200), das mit dem ersten Substrat (100) gekoppelt ist, und einen Verdrahtungsabschnitt (400), der auf einer äußeren Oberfläche (OS) des ersten Substrats (100) und einer äußeren Oberfläche (OS) des zweiten Substrats (200) angeordnet ist, auf. Das zweite Substrat (200) weist eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) verbunden ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert und einen Isolationsstrukturbereich aufweist, auf.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2019-0180117 , eingereicht am 31. Dezember 2019.
  • HINTERGRUND
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und eine dieselbe aufweisende Multi-Anzeigevorrichtung.
  • Diskussion der bezogenen Technik
  • In letzter Zeit steigt mit dem Fortschreiten von Multimedia die Wichtigkeit von Anzeigevorrichtungen. Deshalb werden Anzeigevorrichtungen, wie beispielsweise Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtungen, organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und Lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtungen, kommerzialisiert.
  • Anzeigevorrichtungen weisend gute Eigenschaften, wie beispielsweise Dünnheit, Leichtigkeit und geringen Energieverbrauch, auf und werden somit weithin als ein Anzeigebildschirm für Fernseher (TVs), Notebook-Computer und Monitore sowie tragbare elektronische Vorrichtungen, wie beispielsweise elektronische Notebooks, E-Books, tragbare Multimedia-Player (PMPs), Navigationsvorrichtungen, ultra-mobile Personal Computer (PCs), Mobiltelefone, Smartphones, Smartwatches, Tablet-Personal-Computer (PCs), Watch-Phones und mobile Kommunikationsendgeräte, verwendet.
  • Anzeigevorrichtungen können ein Anzeigepanel aufweisen, das eine Mehrzahl von Pixeln, die einen Dünnschichttransistor (TFT), der mit einer Datenleitung und einer Gate-Leitung verbunden ist, einen Datenansteuerungsschaltkreis zum Zuführen einer Datenspannung zu der Datenleitung und einen Gate-Ansteuerungsschaltkreis zum Zuführen eines Abtastsignals zu der Gate-Leitung aufweisen, aufweist. Das Anzeigepanel kann einen Anzeigebereich, der die Mehrzahl von Pixeln zum Anzeigen eines Bildes aufweist, und einen Umrandungsbereich, der den Anzeigebereich umgibt, aufweisen.
  • Eine Anzeigevorrichtung der bezogenen Technik kann eine Einfassung (oder einen Mechanismus) zum Abdecken eines Umrandungsbereichs, der an einer Grenze (oder einem Kantenabschnitt) eines Anzeigepanels angeordnet ist, benötigen, und aufgrund dessen kann eine Breite der Einfassung zunehmen.
  • In letzter Zeit sind Multi-Anzeigevorrichtungen kommerzialisiert worden, in denen ein großer Bildschirm mittels Anordnens einer Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen als ein Gitter-Typ implementiert ist.
  • In einer Multi-Anzeigevorrichtung der bezogenen Technik ist jedoch aufgrund eines Umrandungsbereichs oder einer Einfassung von jeder von einer Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen ein Grenzabschnitt, wie beispielsweise eine Fuge, zwischen benachbarten Anzeigevorrichtungen gebildet. Der Grenzabschnitt ruft einen Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) eines Bildes hervor, wenn ein Bild auf einem gesamten Bildschirm der Multi-Anzeigevorrichtung angezeigt wird, und deshalb ist das Einbeziehen eines das Bild betrachtenden Betrachters reduziert.
  • [Bezug auf Stand der Technik]
  • [Patentschrift]
  • Koreanische Patentregistrierungsnummer 10-1 441 956 (Titel der Erfindung: Multi-Panel Anzeigevorrichtung, Int. CI.: G02F 1/1335, G02F 1/13357)
  • ÜBERBLICK
  • Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung darauf gerichtet, eine Anzeigevorrichtung und eine dieselbe aufweisende Multi-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die im Wesentlichen eines oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik verhindert.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist darauf gerichtet, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, in der eine Einfassung nicht bereitgestellt ist.
  • Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist darauf gerichtet, eine Multi-Anzeigevorrichtung zum Anzeigen eines Bildes ohne einen Eindruck von Diskontinuität bereitzustellen.
  • Zusätzliche Vorteile und Merkmale der Offenbarung werden in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und sind dem gewöhnlichen Fachmann teilweise aus dem Studium des Folgenden ersichtlich oder können durch Anwendung der Offenbarung erlernt werden. Die Ziele und andere Vorteile der Offenbarung können mittels der in der schriftlichen Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Struktur realisiert und erreicht werden.
  • Zum Erreichen dieser und anderer Vorteile und in Übereinstimmung mit dem Ziel der Offenbarung, wie hierin ausgeführt und ausführlich beschrieben, ist eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Eine Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, und einen Verdrahtungsabschnitt, der auf einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einer äußeren Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, auf, wobei das zweite Substrat eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt verbunden ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert und einen Isolationsstrukturbereich aufweist, aufweist.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, eine Metallstrukturschicht, die auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert, auf, wobei die Rückseitenisolationsschicht einen ersten Bereich, der eine Mehrfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, und einen zweiten Bereich, der eine Einfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, aufweist.
  • Eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist eine Mehrzahl von Anzeigemodulen auf, die in mindestens einer Richtung von einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung quer zu der ersten Richtung angeordnet sind, wobei jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, und einen Verdrahtungsabschnitt, der auf einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einer äußeren Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, aufweist, wobei das zweite Substrat eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt verbunden ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert und einen Isolationsstrukturbereich aufweist, aufweist.
  • Eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist eine Mehrzahl von Anzeigemodulen auf, die in mindestens einer Richtung von einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung quer zu der ersten Richtung angeordnet sind, wobei jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, eine Metallstrukturschicht, die auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert, auf, wobei die Rückseitenisolationsschicht einen ersten Bereich, der eine Mehrfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, und einen zweiten Bereich, der eine Einfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, aufweist.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können eine Anzeigevorrichtung, die keine Einfassung aufweist, und eine Multi-Anzeigevorrichtung, die die Anzeigevorrichtung aufweist, bereitgestellt werden.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Anzeigevorrichtung einen Barrierestrukturbereich aufweisen, der an einem Kantenabschnitt eines Anzeigebereichs derart angeordnet ist, dass er eine lichtemittierende Vorrichtung isoliert, wodurch eine Anzeigevorrichtung und eine die Anzeigevorrichtung aufweisende Multi-Anzeigevorrichtung zum Verhindern, dass die lichtemittierende Vorrichtung mittels des Eindringens von Wasser in einer seitlichen Richtung verschlechtert wird, und zum Verbessern der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung bereitgestellt werden.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann eine Multi-Anzeigevorrichtung zum Anzeigen eines Bildes ohne einen Eindruck von Diskontinuität bereitgestellt werden.
  • Es ist zu bemerken, dass beide, die vorgehende allgemeine Beschreibung und die nachstehende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Offenbarung exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, weitere Erklärungen der Offenbarung wie beansprucht bereitzustellen.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Offenbarung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Anmeldung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um das Prinzip der Offenbarung zu erklären. In den Zeichnungen:
    • 1A und 1 B sind ein Schaubild, das eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 2A bis 2D sind eine vergrößerte Ansicht eines in 1 dargestellten Bereichs „B1“;
    • 3A und 3B sind Schaubilder, die einen Umrandungsbereich einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel und eine Luft-Einfassung einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellen;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 5 ist ein Schaubild, das eine Rückseitenoberfläche einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 6 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 4 dargestellten Bereichs „B2“;
    • 7 ist ein Schaubild, das einen Gate-Ansteuerungsschaltkreis, der in einem in 4 dargestellten Anzeigebereich angeordnet ist, darstellt;
    • 8 ist ein Ersatzschaltbild, das ein in 4 und 6 dargestelltes Pixel darstellt;
    • 9 ist ein Schaubild, das ein in 5 dargestelltes zweites Substrat darstellt;
    • 10 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 9 dargestellten Bereichs „B3“;
    • 11 ist ein Ersatzschaltbild, das eine in 7 dargestellte i-te Stufen-Schaltkreiseinheit darstellt;
    • 12 ist ein Ersatzschaltbild, das einen Knotensteuerschaltkreis, einen ersten Inverterschaltkreis, einen zweiten Inverterschaltkreis und einen ersten Ermittlungssteuerschaltkreis, die jeweils in 11 dargestellt sind, darstellt;
    • 13 ist ein Ersatzschaltbild, das einen Knotenrückstellschaltkreis, einen Ausgabepufferschaltkreis und einen zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis, die jeweils in 11 dargestellt sind, darstellt;
    • 14 ist ein Schaubild zum Beschreiben eines Gate-Ansteuerungsschaltkreises gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in 4 dargestellt ist;
    • 15 ist eine Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie I-I';
    • 16 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 15 dargestellten Bereichs „B4“;
    • 17 ist eine Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie II-II';
    • 18 ist ein Schaubild, das ein in 5 dargestelltes zweites Substrat darstellt;
    • 19 ist eine Querschnittansicht entlang einer in 18 dargestellten Linie III-III';
    • 20 ist eine Querschnittansicht entlang einer in 6 dargestellten Linie IV-IV';
    • 21 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer in 6 dargestellten Linie IV-IV';
    • 22 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie II-II';
    • 23 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 22 dargestellten Bereichs „B5“;
    • 24 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie II-II';
    • 25 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 24 dargestellten Bereichs „B6“;
    • 26 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie II-II';
    • 27 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 26 dargestellten Bereichs „B7“;
    • 28 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie II-II';
    • 29 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 28 dargestellten Bereichs „B8“;
    • 30 ist eine Mikroskop-Photographie, die eine Querschnittsoberfläche einer in 29 dargestellten unteren Grabenkonstruktion zeigt;
    • 31 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer in 4 dargestellten Linie II-II';
    • 32 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 31 dargestellten Bereichs „B9“;
    • 33A bis 33E sind Schaubilder, die ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, einer gemeinsamen Elektrode und einer Verkapselungsschicht, die jeweils in 31 darstellt sind, darstellt;
    • 34 ist eine Mikroskop-Photographie der 33B;
    • 35 ist ein Schaubild, das eine Rückseitenoberfläche eines in 4 dargestellten zweiten Substrats darstellt;
    • 36 ist ein Schaubild, das eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 37 ist ein Schaubild, das einen Kachelungsprozess einer in 36 dargestellten Anzeigevorrichtung darstellt;
    • 38 ist eine Querschnittansicht entlang einer in 36 dargestellten Linie V-V';
    • 39A und 39B sind Schaubilder, die Bilder darstellen, die jeweils mittels einer Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel und einer Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung angezeigt werden.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
  • Bezug wird nun im Detail genommen auf die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, wobei Beispiele derselben in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wenn immer möglich, werden die gleichen Referenzzeichen zur Kennzeichnung gleicher oder ähnlicher Teile in allen Zeichnungen verwendet.
  • Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ihre Implementierungsverfahren werden mittels folgender Ausführungsformen bekannt gemacht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht verstanden werden, als dass sie auf die hierin beschriebenen Ausführungsformen beschränkt sei. Diese Ausführungsformen sind vielmehr dafür bereitgestellt, dass diese Offenbarung sorgfältig und vollständig sein wird, und werden dem Fachmann den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig vermitteln. Des Weiteren wird die vorliegende Offenbarung lediglich durch die Anwendungsbereiche der Ansprüche definiert.
  • Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Anzahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel, und somit ist die vorliegende Offenbarung nicht auf diese dargestellten Details beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich durchweg auf gleiche Elemente. In der folgenden Beschreibung wird die detaillierte Beschreibung weggelassen werden, wenn festgestellt wird, dass die detaillierte Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Anordnung den wichtigen Gesichtspunkt der vorliegenden Offenbarung unnötigerweise verschleiert. In einem Fall, in dem „aufweisen“, „haben“ und „enthalten“ in der vorliegenden Anmeldung verwendet werden, kann ein weiteres Teil hinzugefügt werden, außer wenn „nur ∼“ verwendet wird. Die Bezeichnung in einer Einzahlform kann Mehrzahlformen umfassen, außer wenn das Gegenteil bestimmt ist.
  • Beim Auslegen eines Elements wird das Element derart ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich aufweist, auch wenn dafür keine ausdrückliche Beschreibung vorhanden ist.
  • Beim Beschreiben einer räumlichen Beziehung, zum Beispiel wenn eine räumliche Beziehung zwischen zwei Teilen als „auf-“, „über-“, „unter-“ und „nahe an-“ beschrieben ist, können ein oder mehrere weitere Teile zwischen zwei Teilen angeordnet sein, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Beim Beschreiben einer zeitlichen Beziehung, zum Beispiel wenn die zeitliche Abfolge als „nach ~“, „nachfolgend -“, „nächstes ∼“ und „vor ∼“ beschrieben ist, kann ein Fall, der nicht kontinuierlich ist, eingeschlossen sein, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Es ist zu bemerken, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ etc. hierin zum Beschreiben verschiedener Elemente verwendet werden können, diese Elemente durch diese Begriffe nicht eingeschränkt sein sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen Element zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element als ein zweites Element bezeichnet werden, und in ähnlicher Weise könnte ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne dabei den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung zu verlassen.
  • Beim Beschreiben der Elemente der vorliegenden Offenbarung können Begriffe, wie beispielsweise erster, zweiter, A, B, (a), (b) etc. hierin verwendet werden. Derartige Begriffe werden lediglich dazu verwendet, um die entsprechenden Elemente von anderen Elementen zu unterscheiden, und das Wesentliche der entsprechenden Elemente, eine Reihenfolge davon oder eine Abfolge davon sind mittels der Begriffe nicht beschränkt. Es ist zu bemerken, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als „auf“ oder „verbunden mit“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht beschrieben ist, es direkt oder indirekt mit dem anderen Element oder der anderen Schicht verbunden sein kann oder ein eingefügtes Element oder eine eingefügte Schicht vorhanden sein kann. Ebenso ist zu bemerken, dass, wenn ein Element auf oder unter einem anderen Element angeordnet ist, dieses einen Fall bezeichnen kann, in dem die Elemente derart angeordnet sind, dass sie einander direkt berühren, jedoch auch bezeichnen kann, dass die Elemente angeordnet sind, ohne einander direkt zu berühren.
  • Die Wendung „mindestens eine/einer/ein“ sollte so verstanden werden, dass sie jede und alle Kombinationen eines oder mehrerer der dazugehörigen aufgelisteten Elemente einschließt. Beispielsweise bezeichnet die Bedeutung von „mindestens eines aus einem ersten Element, einem zweiten Element und einem dritten Element“ die Kombinationen aller genannten Elemente von zwei oder mehr des ersten Elements, des zweiten Elemente und des dritten Elements, sowie das erste Element, das zweite Element oder das dritte Element.
  • Der Begriff „umgeben“, wie hierin verwendet, schließt mindestens teilweises Umgeben sowie vollständiges Umgeben von einem oder mehreren der angegliederten Elemente ein. In ähnlicher Weise schließt der Begriff „überdecken“, wie hierin verwendet, mindestens teilweises Überdecken sowie vollständiges Überdecken von einem oder mehreren der angegliederten Elemente ein. Beispielsweise, wenn eine Verkapselungsschicht eine Dammstruktur umgibt, kann dies derart ausgelegt werden, dass die Verkapselungsschicht die Dammstruktur mindestens teilweise umgibt. In einigen Ausführungsformen kann die Verkapselungsschicht die Dammstruktur jedoch auch vollständig umgeben. Die Bedeutung, in dem der Begriff „umgeben“ hierin verwendet wird, kann des Weiteren basierend auf den beigefügten Zeichnungen spezifiziert sein. In der vorliegenden Offenbarung werden die Begriffe „umgibt“, „umgibt mindestens teilweise“, „umgibt vollständig“ oder Ähnliches verwendet. In Übereinstimmung mit der Definition von „umgeben“ wie oben dargelegt, kann, wenn in einer Ausführungsform lediglich der Begriff „umgeben“ verwendet wird, dies entweder mindestens teilweises Umgeben oder vollständiges Umgeben von einem oder mehreren der angegliederten Elemente bedeuten. Das Gleiche gilt für den Begriff „überdecken“.
  • Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig miteinander verbunden oder miteinander kombiniert sein und können auf verschiedene Weisen miteinander betrieben und technisch angesteuert werden, wie dem Fachmann hinreichend verständlich ist. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt werden, oder können zusammen in wechselseitig abhängiger Beziehung ausgeführt werden.
  • Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden. Beim Hinzufügen von Referenzzeichen zu Elementen von jeder von den Zeichnungen können, obwohl die gleichen Elemente in anderen Zeichnungen dargestellt sind, die gleichen Referenzzeichen ähnliche Elemente bezeichnen. Ebenso weicht zur Bequemlichkeit der Beschreibung ein Maßstab von jedem von den in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Elementen von einem echten Maßstab ab und ist somit nicht auf einen in den Zeichnungen dargestellten Maßstab beschränkt.
  • 1A ist eine Draufsicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 1B ist eine Seitenansicht, die die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. 2A bis 2D sind vergrößerte Ansichten eines in 1A dargestellten Bereichs „B1“.
  • Bezugnehmend auf 1A und 1 B kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 100 aufweisen, das einen Anzeigebereich AA und eine Mehrzahl von Pixeln P, die in einem ersten Intervall D1 in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet sind, aufweist.
  • Das erste Substrat 100 kann eine erste Oberfläche 100a, eine zweite Oberfläche 100b und eine äußere Oberfläche OS aufweisen. Die erste Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 kann als eine Vorderseitenoberfläche, eine obere Oberfläche oder eine Oberseite, die einer Vorderseitenoberfläche (oder einer Vorderseitenrichtung) der Anzeigevorrichtung gegenüberliegt, definiert sein. Die zweite Oberfläche 100b des ersten Substrats 100 kann als eine hintere Oberfläche, eine Rückseitenoberfläche, eine Bodenoberfläche oder eine Unterseite, die einer hinteren Oberfläche (oder einer Rückseitenrichtung) der Anzeigevorrichtung gegenüberliegt, definiert sein. Die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann als eine Seitenoberfläche, eine seitliche Oberfläche oder eine Seitenwand, die sich entlang eines äußeren Umfangs zwischen der ersten Oberfläche 100a und der zweiten Oberfläche 100b erstreckt, der seitlichen Oberfläche (oder der seitlichen Richtung) der Anzeigevorrichtung gegenüberliegt und der Umgebungsluft ausgesetzt ist, definiert sein. In einigen Fällen, wenn mehrere Anzeigevorrichtungen miteinander verbunden sind, kann die äußere Oberfläche OS (oder die äußerste Seitenoberfläche OS) einer Anzeigevorrichtung, die in der Peripherie der verbundenen mehreren Anzeigevorrichtungen positioniert ist, an Umgebungsluft angrenzen. Beispielsweise kann, wenn das erste Substrat 100 eine sechsflächige Struktur aufweist, die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 Seitenoberflächen der sechsflächigen Struktur aufweisen.
  • Die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann parallel zu einer Dickenrichtung Z der Anzeigevorrichtung gebildet sein. Beispielsweise kann die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 eine erste äußere Oberfläche, die parallel zu einer ersten Richtung X verläuft, eine zweite äußere Oberfläche, die parallel zu der ersten äußeren Oberfläche verläuft, eine dritte äußere Oberfläche, die parallel zu einer zweiten Richtung Y, die überschneidend (oder überkreuzend) zu der ersten Richtung X verläuft, angeordnet ist und die zwischen einem Ende der ersten äußeren Oberfläche und einem Ende der zweiten äußeren Oberfläche eingefügt ist, und eine vierte äußere Oberfläche, die parallel zu der dritten äußeren Oberfläche verläuft und zwischen dem anderen Ende der ersten äußeren Oberfläche und dem anderen Ende der zweiten äußeren Oberfläche eingefügt ist, aufweisen. Die erste Richtung X kann eine erste Längsrichtung (beispielsweise eine Breitenausrichtung) des ersten Substrats 100 oder der Anzeigevorrichtung sein, und die zweite Richtung Y kann eine zweite Längenrichtung (beispielsweise eine Längsausrichtung) des ersten Substrats 100 oder der Anzeigevorrichtung sein.
  • Der Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 kann ein Bereich sein, der ein Bild anzeigt, und kann als ein Anzeigebereich oder ein aktiver Bereich bezeichnet werden. Eine Größe des Anzeigebereichs AA kann gleich oder im Wesentlichen gleich sein zu dem ersten Substrat 100 (oder der Anzeigevorrichtung). Beispielsweise kann eine Größe des Anzeigebereichs AA gleich einer Gesamtgröße der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 sein. Deshalb kann der Anzeigebereich AA auf der gesamten Vorderseitenoberfläche des ersten Substrats 100 implementiert (oder angeordnet) sein, und somit kann das erste Substrat 100 keinen lichtundurchlässigen Nicht-Anzeigebereich, der entlang eines Kantenabschnitts der ersten Oberfläche 100a derart bereitgestellt ist, dass er den gesamten Anzeigebereich AA umgibt, aufweisen. Dementsprechend kann eine gesamte Vorderseitenoberfläche der Anzeigevorrichtung den Anzeigebereich AA implementieren.
  • Ein Ende (oder ein äußerster Abschnitt) AAa des Anzeigebereichs AA kann die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 überlappen oder kann im Wesentlichen an ihr ausgerichtet sein. Beispielsweise kann eine seitliche Oberfläche AAa des Anzeigebereichs AA im Wesentlichen koplanar mit der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 sein. Anders gesagt können die seitliche Oberfläche des Anzeigebereichs AA und die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 an der im Wesentlichen gleichen Position ausgerichtet sein. Die seitliche Oberfläche AAa des Anzeigebereichs AA kann von keinem separaten Mechanismus umgeben sein und kann lediglich von Luft umgeben sein. Als ein weiteres Beispiel kann die seitliche Oberfläche des Anzeigebereichs AA die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 überlappen oder kann im Wesentlichen daran ausgerichtet sein. Das bedeutet, dass alle seitlichen Oberflächen des Anzeigebereichs AA in einer Struktur bereitgestellt sein können, die direkt Luft berührt, ohne mittels eines separaten Mechanismus umgeben zu sein.
  • In Bezug auf eine Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 können ein Ende AAa des Anzeigebereichs AA und eine vertikale Verlängerungslinie VL, die sich vertikal von der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 erstreckt, einander überlappen oder können auf die im Wesentlichen gleiche Ebene ausgerichtet sein. Beispielsweise kann ein erstes Ende (oder ein oberes Ende) des Anzeigebereichs AA eine erste äußere Oberfläche (oder eine obere Seitenwand) des ersten Substrats 100 sein, ein zweites Ende (oder ein unteres Ende) des Anzeigebereichs AA kann eine zweite äußere Oberfläche (oder eine untere Seitenwand) des ersten Substrats 100 sein, ein drittes Ende (oder ein linkes Ende) des Anzeigebereichs AA kann eine dritte äußere Oberfläche (oder eine linke Seitenwand) des ersten Substrats 100 sein, und ein viertes Ende (oder ein rechtes Ende) des Anzeigebereichs AA kann eine vierte äußere Oberfläche (oder eine rechte Seitenwand) des ersten Substrats 100 sein. Deshalb kann die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100, die dem Ende AAa des Anzeigebereichs AA entspricht, von Luft umgeben sein, und somit kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Luft-Einfassungsstruktur oder eine Nicht-Einfassungsstruktur, in der das Ende AAa des Anzeigebereichs AA (oder die seitliche Oberfläche des Anzeigebereichs AA) von Luft umgeben ist statt von einem lichtundurchlässigen Nicht-Anzeigebereich, aufweisen.
  • Der Anzeigebereich (oder der Anzeigeabschnitt) AA gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Pixelbereichen PA aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Pixelbereichen PA gemäß einer Ausführungsform können in dem ersten Intervall D1 in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 eingerichtet (oder angeordnet) sein. Zwei Pixelbereiche PA, die in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y des ersten Substrats 100 benachbart zueinander sind, können das gleiche erste Intervall D1 aufweisen, ohne einen Fehlerbereich eines Herstellungsprozesses. Das erste Intervall D1 kann einen Abstand (oder ein Pixelabstand) zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA sein. Beispielsweise kann das erste Intervall D1 ein kürzester Abstand (oder eine kürzeste Länge) zwischen zentralen Abschnitten von zwei benachbarten Pixelbereichen PA sein. Optional kann der Pixelabstand eine Größe zwischen einem Ende und dem anderen Ende eines Pixelbereichs PA parallel zu der ersten Richtung X sein. Ebenso kann als ein weiteres Beispiel der Pixelabstand als eine Größe zwischen einem Ende und dem anderen Ende eines Pixelbereichs PA parallel zu der zweiten Richtung Y bezeichnet sein.
  • Jeder von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA kann eine erste Länge L1 parallel zu der ersten Richtung X und eine zweite Länge L2 parallel zu der zweiten Richtung Y aufweisen. Sowohl die erste Länge L1 als auch die zweite Länge L2 können gleich dem ersten Intervall D1 sein. Beispielsweise kann die erste Länge L1 als eine erste Breite, eine Breitseitenlänge oder eine Breitseitenbreite bezeichnet werden. Die zweite Länge L2 kann als eine zweite Breite, eine Längsseitenlänge oder eine Längsseitenbreite bezeichnet werden. Die erste Länge L1 oder die zweite Länge L2 des Pixelbereichs PA können als ein Pixelabstand bezeichnet werden.
  • Ein zweites Intervall D2 zwischen jedem von äußersten Pixelbereichen PAo der Mehrzahl von Pixelbereichen PA und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann eine Hälfte des ersten Intervalls D1 oder weniger betragen, so dass die gesamte Vorderseitenoberfläche des ersten Substrats 100 (oder die gesamte Vorderseitenoberfläche der Anzeigevorrichtung) als ein Anzeigebereich AA bezeichnet wird. Beispielsweise kann das zweite Intervall D2 ein kürzester Abstand (oder eine kürzeste Länge) zwischen einem zentralen Abschnitt des äußersten Pixelbereichs PAo und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 sein.
  • Wenn das zweite Intervall D2 größer ist als eine Hälfte des ersten Intervalls D1, kann das erste Substrat 100 eine um einen Bereich zwischen einem Ende des äußersten Pixelbereichs PAo (oder dem Ende AAa des Anzeigebereichs AA) und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 größere Größe aufweisen als die des Anzeigebereichs AA, und somit kann ein Bereich zwischen dem Ende des äußersten Pixelbereichs PAo und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 als ein Nicht-Anzeigebereich, der den gesamten Anzeigebereich AA umgibt, bereitgestellt sein. Deshalb kann das erste Substrat 100 notwendigerweise einen Umrandungsbereich der auf einem Nicht-Anzeigebereich basiert, der den gesamten Anzeigebereich AA umgibt, aufweisen. Andererseits kann, wenn das zweite Intervall D2 die Hälfte oder weniger des ersten Intervalls D1 beträgt, das Ende des äußersten Pixelbereichs PAo (oder das Ende AAa des Anzeigebereichs AA) die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 überlappen oder kann in einem Raum außerhalb der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 angeordnet sein, und somit kann der Anzeigebereich AA auf der gesamten Vorderseitenoberfläche des ersten Substrats 100 implementiert (oder angeordnet) sein.
  • Der Anzeigebereich (oder der Anzeigeabschnitt) AA gemäß einer Ausführungsform kann den äußersten Pixelbereich PAo und einen internen Pixelbereich (oder einen inneren Pixelbereich PAi) aufweisen.
  • Der äußerste Pixelbereich PAo kann entlang eines Kantenabschnitts (oder eines Peripherieabschnitts) des ersten Substrats 100 aus der Mehrzahl von Pixelbereichen PA angeordnet sein. Beispielsweise kann der äußerste Pixelbereich PAo als ein erster Pixelbereich PA1 bezeichnet werden.
  • Der interne Pixelbereich PAi kann ein anderer Pixelbereich sein als der äußerste Pixelbereich PAo aus der Mehrzahl von Pixelbereichen PA oder kann von dem äußersten Pixelbereich PAo umgeben sein. Der interne Pixelbereich PAi kann als ein zweiter Pixelbereich PA2 bezeichnet werden.
  • Jedes von der Mehrzahl von Pixeln P kann in einem entsprechenden Pixelbereich PA der Mehrzahl von Pixelbereichen PA, die auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 definiert sind, angeordnet sein. Beispielsweise kann der Anzeigebereich AA eine Pixelmatrix sein, die die Mehrzahl von Pixeln P, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, aufweist. Die Pixel P der Pixelmatrix können in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y direkt aneinander angrenzen. Beispielsweise können die Pixel P der Pixelmatrix in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y ohne einen trennenden Raum (oder einen Zwischenraum) direkt angrenzend aneinander angeordnet sein. Als ein weiteres Beispiel können eine Mehrzahl von äußersten Pixeln Po der Pixelmatrix derart übereinstimmen, dass sie einander auf der äußeren Oberfläche des ersten Substrats 100 überlappen oder können auf der gleichen Ebene ausgerichtet sein. Beispielsweise kann jedes Pixel P der Pixelmatrix derart auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sein, dass es einen Pixelabstand D1 in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y aufweist, und ein Intervall D2 zwischen einem zentralen Abschnitt von jedem von den äußersten Pixeln Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann die Hälfte oder weniger des Pixelabstands D1 betragen.
  • Der Anzeigebereich (oder der Anzeigeabschnitt) AA gemäß einer Ausführungsform kann ein äußerstes Pixel Po und ein internes Pixel (oder ein inneres Pixel) Pi aufweisen.
  • Das äußerste Pixel Po kann an dem Kantenabschnitt (oder einem Peripherieabschnitt) des ersten Substrats 100 unter der Mehrzahl von Pixelbereichen PA angeordnet sein. Beispielsweise kann das äußerste Pixel Po als ein erstes Pixel P1, das in dem äußersten Pixelbereich PAo angeordnet ist, bezeichnet werden.
  • Das interne Pixel Pi kann ein anderes Pixel sein als das äußerste Pixel Po aus der Mehrzahl von Pixeln P oder kann derart angeordnet sein, dass es mittels des äußersten Pixels Po umgeben ist. Beispielsweise kann das interne Pixel Pi als ein zweites Pixel P2 bezeichnet werden. Das interne Pixel Pi (oder das zweite Pixel P2) kann derart ausgeführt sein, dass es eine Ausgestaltung oder eine Struktur aufweist, die verschieden ist von dem äußersten Pixel Po (oder dem ersten Pixel P1).
  • Das zweite Intervall D2 zwischen jedem von dem äußersten Pixel Po der Mehrzahl von Pixeln P und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann die Hälfte oder weniger des ersten Intervalls D1 betragen, so dass die gesamte Vorderseitenoberfläche des ersten Substrats 100 (oder die gesamte Vorderseitenoberfläche der Anzeigevorrichtung) als ein Anzeigebereich AA bezeichnet ist. Das erste Intervall D1 kann ein kürzester Abstand (oder eine kürzeste Länge) zwischen zentralen Abschnitten von zwei benachbarten Pixeln P sein. Das zweite Intervall D2 kann ein kürzester Abstand (oder eine kürzeste Länge) zwischen einem zentralen Abschnitt des äußersten Pixels Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von Pixeln P gemäß einer Ausführungsform kann, wie in 2A dargestellt, einen zentralen Abschnitt Pc, der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen PA aufweist, und einen Kantenabschnitt (oder einen Peripherieabschnitt) Pe, der den gesamten zentralen Abschnitt Pc umgibt, aufweisen.
  • Eine Mitte des zentralen Abschnitts Pc kann einen zentralen Abschnitt des Pixels P überlappen. Der zentrale Abschnitt Pc kann als ein Öffnungsbereich oder ein lichtemittierender Abschnitt des Pixels P bezeichnet werden.
  • Der zentrale Abschnitt Pc gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Emissionsbereich EA1 bis vierten Emissionsbereich EA4 aufweisen, die in Bezug auf den zentralen Abschnitt des Pixels P angeordnet sind. Beispielsweise können der erste Emissionsbereich EA1 bis vierte Emissionsbereich EA4 in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y direkt benachbart zueinander angeordnet sein. Beispielsweise können der erste Emissionsbereich EA1 bis vierte Emissionsbereich EA4 einander in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y direkt berühren, ohne einen trennenden Raum (oder einen Zwischenraum).
  • Der erste Emissionsbereich EA1 bis vierte Emissionsbereich EA4 können jeweils eine viereckige Form aufweisen und können in einer 2x2-Form oder einer Viereckform angeordnet sein. Gemäß einer anderen Ausführungsform können der erste Emissionsbereich EA1 bis vierte Emissionsbereich EA4 jeweils eine rechteckige Form aufweisen, die eine kurze Seite parallel zu der ersten Richtung X und eine lange Seite parallel zu der zweiten Richtung Y aufweist, und können beispielsweise in einer 1×4-Form oder einer 1 x4-Streifenform angeordnet sein.
  • Der erste Emissionsbereich EA1 kann derart implementiert sein, dass er Licht einer ersten Farbe emittiert, der zweite Emissionsbereich EA2 kann derart implementiert sein, dass er Licht einer zweiten Farbe emittiert, der dritte Emissionsbereich EA3 kann derart implementiert sein, dass er Licht einer dritten Farbe emittiert, und der vierte Emissionsbereich EA4 kann derart implementiert sein, dass er Licht einer vierten Farbe emittiert. Beispielsweise können alle von der ersten Farbe bis vierten Farbe verschieden sein. Beispielsweise kann die erste Farbe Rot sein, die zweite Farbe kann Blau sein, die dritte Farbe kann Weiß sein, und die vierte Farbe kann Grün sein. Als ein weiteres Beispiel können einige von der ersten Farbe bis vierten Farbe die gleiche sein. Beispielsweise kann die erste Farbe Rot sein, die zweite Farbe kann ein erstes Grün sein, die dritte Farbe kann ein zweites Grün sein, und die vierte Farbe kann Blau sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann, wie in 2B dargestellt, der zentrale Abschnitt Pc einen ersten Emissionsbereich EA1 bis dritten Emissionsbereich EA3, die in Bezug auf den zentralen Abschnitt des Pixels P angeordnet sind, aufweisen. In diesem Falle können der erste Emissionsbereich EA1 bis dritte Emissionsbereich EA3 jeweils eine rechteckige Form aufweisen, die eine kurze Seite parallel zu der ersten Richtung X und eine lange Seite parallel zu der zweiten Richtung Y aufweist, und können beispielsweise in einer 1 x3-Form oder einer 1 ×3-Streifenform angeordnet sein. Beispielsweise kann die erste Farbe Rot sein, die zweite Farbe kann Blau sein, und die dritte Farbe kann Grün sein.
  • Der Kantenabschnitt Pe kann in dem Pixelbereich PA derart angeordnet sein, dass er den gesamten zentralen Abschnitt Pc umgibt, und kann somit den zentralen Abschnitt Pc des Pixelbereichs PA oder des Pixels P definieren. Der Kantenabschnitt Pe kann eine Größe aufweisen, die größer ist als der zentrale Abschnitt Pc. Der Kantenabschnitt Pe kann als ein Nicht-Öffnungsabschnitt, ein Nicht-Emissionsabschnitt oder ein Pixel-Trennungsabschnitt des Pixels P bezeichnet sein.
  • Bezugnehmend wiederum auf 2A kann jedes von einer Mehrzahl von Pixeln P gemäß einer weiteren Ausführungsform ein erstes Subpixel SP1 bis viertes Subpixel SP4 aufweisen.
  • Das erstes Subpixel SP1 kann in einem ersten Subpixelbereich des Pixelbereichs PA angeordnet sein, das zweite Subpixel SP2 kann in einem zweiten Subpixelbereich des Pixelbereichs PA angeordnet sein, das dritte Subpixel SP3 kann in einem dritten Subpixelbereich des Pixelbereichs PA angeordnet sein, und das vierte Subpixel SP4 kann in einem vierten Subpixelbereich des Pixelbereichs PA angeordnet sein. Beispielsweise kann, in Bezug auf den zentralen Abschnitt des Pixels P, das erste Subpixel SP1 ein linker oberer Bereich des Pixelbereichs PA sein, das zweite Subpixel SP2 kann ein rechter oberer Bereich des Pixelbereichs PA sein, das dritte Subpixel SP3 kann ein linker unterer Bereich des Pixelbereichs PA sein, und das vierte Subpixel SP4 kann ein rechter unterer Bereich des Pixelbereichs PA sein.
  • Das erste Subpixel SP1 bis vierte Subpixel SP4 können jeweils eine Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA4 und eine Mehrzahl von Schaltkreisbereichen CA1 bis CA4 aufweisen.
  • Die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 können an dem zentralen Abschnitt Pc des Pixels P angeordnet sein oder können nahe an dem zentralen Abschnitt des Pixels P angeordnet sein.
  • Jeder von den Schaltkreisbereichen CA1 bis CA4 kann nahe an einem entsprechenden Emissionsbereich der Emissionsbereiche EA1 bis EA4 angeordnet sein. Jeder von den Schaltkreisbereichen CA1 bis CA4 kann eine Signalleitung, eine Stromleitung und einen Schaltkreis, der es einem entsprechenden Subpixel erlaubt, Licht zu emittieren, aufweisen.
  • Die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 gemäß einer Ausführungsform können die gleiche Größe in einem entsprechenden Pixel P oder Pixelbereich PA aufweisen. Beispielsweise können die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 eine einheitliche Viereckstruktur oder eine nicht-einheitliche Streifenstruktur aufweisen. Beispielsweise können die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 derart ausgeführt sein, dass sie um (oder nahe an) dem zentralen Abschnitt des Pixels P die gleiche Größe aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform können, wie in 2C dargestellt, jeder von den Emissionsbereichen EA1 bis EA4 von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 in einem entsprechenden Pixel P oder Pixelbereich PA verschiedene Größen aufweisen. Beispielsweise können die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 eine nicht-einheitliche Viereckstruktur oder eine nicht-einheitliche Streifenstruktur aufweisen. Beispielsweise können die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 derart ausgeführt sein, dass sie um (oder nahe an) dem zentralen Abschnitt des Pixels P verschiedene Größen aufweisen.
  • Eine Größe von jedem von den Emissionsbereichen EA1 bis EA4 von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4, die eine nicht-einheitliche Viereckstruktur (oder eine nicht-einheitliche Streifenstruktur) aufweisen, kann basierend auf einer Auflösung, einer Emissionsausbeute oder einer Bildqualität festgelegt sein. Beispielsweise kann, wenn die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 eine nicht-einheitliche Viereckstruktur (oder eine nicht-einheitliche Streifenstruktur) aufweisen, in den Emissionsbereichen EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4, der Emissionsbereich EA4 eines grünen Subpixels SP4 eine kleinste Größe aufweisen, und der Emissionsbereich EA3 eines weißen Subpixels SP3 kann eine größte Größe aufweisen.
  • In dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 gemäß einer anderen Ausführungsform kann jeder von den Emissionsbereichen EA1 bis EA4 in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y in einem Abstand voneinander angeordnet sein, sind jedoch hierauf nicht beschränkt und können unmittelbar angrenzend aneinander sein.
  • Alternativ dazu können, wie in 2D dargestellt, um ein Aperturverhältnis der Subpixel SP1 bis SP4 entsprechend Größen der Emissionsbereiche EA1 bis EA4 zu erhöhen oder den Pixelabstand D1 zu verringern, da eine Auflösung des Pixels P größer ist, die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 sich derart zu den Schaltkreisbereichen CA1 bis CA4 erstrecken, dass sie einige oder alle der Schaltkreisbereiche CA1 bis CA4 überlappen. Beispielsweise kann jeder von den Emissionsbereichen EA1 bis EA4 des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 derart auf dem ersten Substrat 100 ausgeführt sein, dass er einen entsprechenden Schaltkreisbereich der Schaltkreisbereiche CA1 bis CA4 überlappt. In diesem Falle können die Emissionsbereiche EA1 bis EA4 eine Größe aufweisen, die gleich ist zu oder größer ist als die der Schaltkreisbereiche C1 bis CA4.
  • Wiederum bezugnehmend auf 1A bis 2D kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung des Weiteren einen Padbereich 110 aufweisen, der eine Mehrzahl von Pads, die in dem Anzeigebereich AA angeordnet sind und selektiv mit der Mehrzahl von Pixeln P verbunden sind, aufweist. Beispielsweise kann der Padbereich 110 ein erster Padbereich oder ein vorderer Padbereich sein.
  • Der Padbereich 110 kann in den äußersten Pixeln Po, die an einem ersten Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 parallel zu der ersten Richtung X angeordnet sind, enthalten sein. Das bedeutet, dass die äußersten Pixel Po, die an dem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet sind, mindestens eines von der Mehrzahl von Pads aufweisen können. Deshalb können die Mehrzahl von Pads innerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet oder enthalten sein, und somit kann ein Nicht-Anzeigebereich (oder ein Umrandungsbereich) basierend auf dem Padbereich 110 nicht gebildet sein oder kann nicht auf dem ersten Substrat 100 sein. Deshalb kann das äußerste Pixel Po (oder das erste Pixel P1) den Padbereich 110 aufweisen und kann somit derart ausgeführt sein, dass es eine Ausgestaltung oder eine Struktur aufweist, die sich von dem internen Pixel Pi (oder dem zweiten Pixel P2), das keinen Padbereich 110 aufweist, unterscheidet.
  • Beispielsweise kann, wenn der Padbereich 110 nicht innerhalb der äußersten Pixel Po bereitgestellt ist und zwischen den äußersten Pixeln Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 angeordnet ist, das erste Substrat 100 einen Nicht-Anzeigebereich (oder einen Nicht-Anzeigeabschnitt) entsprechend einem Bereich, in dem der Padbereich 110 bereitgestellt ist, aufweisen, und aufgrund des Nicht-Anzeigebereichs kann das zweite Intervall D2 zwischen den äußersten Pixeln Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 größer sein als die Hälfte des ersten Intervalls D1, das gesamte erste Substrat 100 kann nicht als der Anzeigebereich AA ausgeführt sein, und eine separate Einfassung (oder eine separate Struktur) zum Überdecken des Nicht-Anzeigebereichs kann erforderlich sein. Andererseits kann der Padbereich 110 gemäß der vorliegenden Offenbarung zwischen den Emissionsbereichen EA1 bis EA4 der äußersten Pixel Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 angeordnet sein und kann innerhalb der äußersten Pixel Po enthalten sein, und somit kann ein Nicht-Anzeigebereich (oder ein Umrandungsbereich) basierend auf dem Padbereich 110 nicht gebildet sein oder kann nicht zwischen den äußersten Pixeln Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 liegen.
  • Deshalb kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Luft-Umrandungsstruktur aufweisen, in der ein gesamtes erstes Substrat 100, das den Padbereich 110 aufweist, als der Anzeigebereich AA ausgeführt ist, und somit sind alle äußeren Oberflächen (oder äußeren Oberflächen des Anzeigepanels) OS des ersten Substrats 100, die an einem Ende des Anzeigebereichs AA ausgerichtet sind, von Luft umgeben.
  • 3A und 3B sind Schaubilder, die einen Umrandungsbereich einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel und eine Luft-Einfassung einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellen.
  • Bezugnehmend auf 3A ist in der Anzeigevorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel ersichtlich, dass die Anzeigevorrichtung einen Umrandungsbereich (oder einen Nicht-Anzeigebereich) BA, der einen gesamten Anzeigebereich AA, der ein Bild darstellt, umgibt, aufweist, und somit ist ein schwarzer Umrandungsbereich BA, der das mittels des Anzeigebereichs AA dargestellte Bild umgibt, vorhanden. In einer Multi-Anzeigevorrichtung, in der eine Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen gemäß dem Vergleichsbeispiel als ein Gitter-Typ angeordnet sind, tritt aufgrund des Umrandungsbereichs BA von jeder von den Anzeigevorrichtungen ein Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) eines Bildes in einem Grenzabschnitt zwischen benachbarten Anzeigevorrichtungen auf.
  • Wie in 3B dargestellt, ist in der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ersichtlich, dass die Anzeigevorrichtung keinen Umrandungsbereich (oder keinen Nicht-Anzeigebereich), der einen gesamten Anzeigebereich AA, der ein Bild darstellt, umgibt, aufweist und eine Luft-Umrandungsstruktur aufweist, in der der Anzeigebereich AA von Luft umgeben ist, und somit ist keine Einfassung, die das mittels des Anzeigebereichs AA dargestellte Bild umgibt, vorhanden. Beispielsweise kann die äußere Oberfläche des ersten Substrats 100 an der Außenseite der Anzeigevorrichtung freigelegt sein oder kann von Luft umgeben sein, und der Anzeigebereich AA, der derart ausgeführt ist, dass er von dem ersten Substrat 100 überlagert ist, kann derart angeordnet sein, dass die seitliche Oberfläche (oder das Ende) AA a des Anzeigebereichs AA im Wesentlichen der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 entspricht. Als ein weiteres Beispiel können die seitliche Oberfläche (oder das Ende) AAa des Anzeigebereichs AA und die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 im Wesentlichen in Übereinstimmung zueinander angeordnet und auf der gleichen Ebene ausgerichtet sein, auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung direkt frei liegen und von Luft direkt umgeben sein. In einer Multi-Anzeigevorrichtung, in der eine Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen gemäß der vorliegenden Offenbarung als ein Gitter-Typ angeordnet sind, tritt, da kein Umrandungsbereich in jeder von den Anzeigevorrichtungen bereitgestellt ist, ein Eindruck von Diskontinuität (oder Unterbrechung) eines Bildes in einem Grenzabschnitt zwischen benachbarten Anzeigevorrichtungen nicht auf.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 5 ist ein Schaubild, das eine Rückseitenoberfläche der Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Bezugnehmend auf 4 und 5 kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 100, ein zweites Substrat 200, ein Kopplungselement 300 und einen Verdrahtungsabschnitt 400 aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 kann als ein Anzeigesubstrat, ein Pixelmatrixsubstrat, ein oberes Substrat, ein vorderes Substrat oder ein Basissubstrat bezeichnet werden. Das erste Substrat 100 kann ein Glasmaterial oder ein Plastikmaterial aufweisen. Das erste Substrat 100 kann ein Glassubstrat sein oder kann ein dünnes Glassubstrat oder ein Plastiksubstrat, das biegbar oder flexibel ist, sein. Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann ein Glassubstrat oder vergütetes Glas sein. Beispielsweise kann das vergütete Glas eines von Saphirglas und Gorilla-Glas oder ein daraus gestapeltes Glas aufweisen.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsleitungen und eine Mehrzahl von Pixeln P, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, aufweisen.
  • Die Pixel-Ansteuerungsleitungen können auf einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 bereitgestellt sein und können ein Signal, das zum Ansteuern (Emittieren von Licht) von jedem von der Mehrzahl von Pixeln P benötigt wird, übertragen. Beispielsweise kann die Pixelansteuerungsleitung eine Datenleitung DL, eine Gate-Leitung GL, eine Pixel-Ansteuerungsstromleitung (oder eine erste Stromleitung) PL und eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung (oder eine zweite Stromleitung) CPL aufweisen. Zusätzlich kann die Pixel-Ansteuerungsleitung des Weiteren eine Referenzstromleitung (oder eine Ermittlungsleitung) RL, basierend auf einer Ansteuerung (oder einem Betrieb) eines in einem Schaltkreisbereich des Pixels P angeordneten Pixelschaltkreises, aufweisen.
  • Jede von den Pixel-Ansteuerungsleitungen gemäß einer Ausführungsform kann elektrisch mit einem ersten Padbereich 110, der an einem ersten Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet ist, verbunden sein. Der erste Padbereich 110 kann in einer Mehrzahl von äußersten Pixeln Po, die an dem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 parallel zu einer ersten Richtung X angeordnet sind, enthalten sein. Hierbei kann der erste Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 eine erste äußere Oberfläche (oder eine Seitenoberfläche) OS1a einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 aufweisen.
  • Der erste Padbereich 110 kann eine Mehrzahl von ersten Pads aufweisen, die in der ersten Richtung X parallel zueinander auf einer Passivierungsschicht 101 d (siehe 16), die an dem ersten Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 freigelegt ist, angeordnet sind.
  • Die Mehrzahl von ersten Pads gemäß einer Ausführungsform können unterteilt (oder klassifiziert) sein in eine Mehrzahl von ersten Datenpads, eine Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads und eine Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads. Deshalb kann der erste Padbereich 110 einen ersten Datenpad-Bereich, der die Mehrzahl von ersten Datenpads, die mit einer Mehrzahl von Datenleitungen DL verbunden sind, aufweist, einen ersten Pixel-Ansteuerungsstrompad-Bereich, der die Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads, die mit der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL verbunden sind, aufweist, und einen ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich, der die Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads, die mit der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL verbunden sind, aufweist, aufweisen. Optional kann der erste Padbereich 110 des Weiteren einen ersten Referenzstrom-Padbereich aufweisen, der eine Mehrzahl von ersten Referenzstrompads, die mit einer Mehrzahl von Referenzstromleitungen RVL verbunden sind, aufweist.
  • Die Mehrzahl von Pixeln P können jeweils in einer Mehrzahl von Pixelbereichen PA angeordnet sein, die in einem ersten Intervall (oder einem ersten Abstand) D1 in der ersten Richtung X und einer zweiten Richtung Y angeordnet sind. Jedes von der Mehrzahl von Pixeln P kann eine selbst-lichtemittierende Vorrichtung (oder ein selbst-lichtemittierendes Element), das auf der Basis eines Top-Emissionstyps basierend auf einem Signal, das durch eine dazu benachbarte entsprechende Pixel-Ansteuerungsleitung zugeführt wird, Licht emittiert und das Licht auf einen Abschnitt über der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 abstrahlt, und einen Pixelschaltkreis, der derart mit dazu benachbarten Pixel-Ansteuerungsleitungen verbunden ist, dass die selbst-lichtemittierende Vorrichtung Licht emittieren kann, aufweisen. Beispielsweise kann der Pixelschaltkreis einen Ansteuerungs-Dünnschichttransistor (TFT) aufweisen, der an der selbst-lichtemittierenden Vorrichtung einen Datenstrom, der einem durch die Datenleitung DL zugeführten Datensignal entspricht, bereitstellt.
  • Ein Abstand zwischen einem äußersten Pixel der Mehrzahl von Pixeln P und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann die Hälfte oder weniger des ersten Intervalls D1 betragen. Ein zweites Intervall D2 zwischen einem zentralen Abschnitt des äußersten Pixels und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kann die Hälfte oder weniger des ersten Intervalls D1 betragen, und somit kann eine gesamte Vorderseitenoberfläche des ersten Substrats 100 (oder eine gesamte Vorderseitenoberfläche der Anzeigevorrichtung) als der Anzeigebereich AA ausgeführt sein. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Luft-Umrandungsstruktur, in der der Anzeigebereich AA von Luft umgeben ist, aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 kann des Weiteren eine erste Schrägkante aufweisen, die in einem Eckabschnitt zwischen dem ersten Substrat 100a und der äußeren Oberfläche OS bereitgestellt ist. Die erste Schrägkante kann die Beschädigung des Eckabschnitts des ersten Substrats 100, die von einer physischen Einwirkung, die von der Außenseite einwirkt, hervorgerufen wird, minimieren und kann eine Unterbrechung des Verdrahtungsabschnitts 400, die mittels des Eckabschnitts des ersten Substrats 100 hervorgerufen wird, verhindern. Beispielsweise kann die erste Schrägkante einen 45°-Winkel aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die erste Schrägkante kann mittels eines Abschrägungsprozesses unter Verwendung einer Trennscheibe oder einer Polierscheibe ausgeführt sein. Dementsprechend kann jede von äußeren Oberflächen der ersten Pads des ersten Padbereichs 110, der derart angeordnet ist, dass er die erste Schrägkante berührt, eine geneigte Oberfläche, die in einem Winkel geneigt ist, der einem Winkel der ersten Schrägkante entspricht, mittels Entfernens oder Polierens eines entsprechenden Abschnitts davon zusammen mit dem Eckabschnitt des ersten Substrats 100 durch den Abschrägungsprozess geneigt ist. Beispielsweise können, wenn die erste Schrägkante in einem Winkel von 45° zwischen der äußeren Oberfläche OS und der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet ist, äußere Oberflächen der ersten Pads in einem Winkel von 45° gebildet sein.
  • Das erste Substrat 100 kann des Weiteren einen Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150, der in dem Anzeigebereich AA angeordnet ist, aufweisen.
  • Der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 kann in dem Anzeigebereich AA derart angeordnet sein, dass er den Pixeln P, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, ein Abtastsignal (oder ein Gate-Signal) zuführt. Der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 kann Pixeln P, die in einer Horizontalzeile parallel zu der ersten Richtung X angeordnet sind, das Abtastsignal gleichzeitig zu führen. Beispielsweise kann der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 Pixeln P, die in einer Horizontalzeile angeordnet sind, durch mindestens eine Gate-Leitung GL mindestens ein Abtastsignal zuführen.
  • Der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 gemäß einer Ausführungsform kann mit einem Verschieberegister, das eine Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m (wobei m eine ganze Zahl von 2 oder mehr ist) aufweist, ausgeführt sein. Das bedeutet, dass die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Verschieberegister aufweisen kann, das in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats derart angeordnet ist, dass es dem Pixel P das Abtastsignal zuführt.
  • Jede von der Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m kann eine Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n (wobei n eine ganze Zahl von 2 oder größer ist), die in jeder Horizontalzeile des ersten Substrats 100 in einem Abstand voneinander in der ersten Richtung X angeordnet sind. Die Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n können mindestens einen TFT (oder einen Zweig-TFT) aufweisen und können zwischen zwei benachbarten Pixeln P (oder Pixelbereichen PA) in einer Horizontalzeile entlang der ersten Richtung X angeordnet sein. Beispielsweise können die Zweigschaltkreise 1511 bis 151n einzeln zwischen zwei benachbarten Pixeln P (oder Pixelbereichen PA) innerhalb einer Horizontalzeile entlang der ersten Richtung X angeordnet sein. Jede von der Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m kann in Antwort auf ein Gate-Steuersignal, das durch den ersten Padbereich 110 zugeführt wird, das Abtastsignal in einer vorher festgelegten Reihenfolge erzeugen und kann der Gate-Leitung GL das Abtastsignal zuführen. Beispielsweise kann das Gate-Steuersignal ein Startsignal, eine Mehrzahl von Verschiebetakten, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 kann des Weiteren eine Mehrzahl von Gate-Steuerleitungsgruppen GCL, die in einem Abstand voneinander oder einzeln zwischen der Mehrzahl von Pixeln P angeordnet sind und mit dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 verbunden sind, aufweisen. Jede von den Gate-Steuerleitungsgruppen GCL kann selektiv mit der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151 n, die jeweils in der Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m angeordnet sind, verbunden sein. Beispielsweise kann die Mehrzahl von Gate-Steuerleitungsgruppen GCL zwischen der Mehrzahl von Pixeln P verteilt angeordnet sein.
  • Die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL gemäß einer Ausführungsform kann eine Startsignalleitung, eine Mehrzahl von Verschiebetaktleitungen, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstromleitung und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung aufweisen. Die Mehrzahl von Verschiebetaktleitungen gemäß einer Ausführungsform können in eine Mehrzahl von Abtasttaktleitungen und eine Mehrzahl von Trägertaktleitungen unterteilt (oder klassifiziert) sein. Hierbei können die Mehrzahl von Trägertaktleitungen weggelassen werden.
  • Der erste Padbereich 110 kann des Weiteren einen ersten Gate-Padbereich, der eine Mehrzahl von ersten Gate-Pads, die mit der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL verbunden sind, aufweisen.
  • Eine Mehrzahl von ersten Gate-Pads gemäß einer Ausführungsform können in ein erstes Startsignalpad, das mit der Startsignalleitung verbunden ist, eine Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads, die jeweils mit der Mehrzahl von Verschiebetaktleitungen verbunden sind, mindestens ein erstes Gate-Ansteuerungsstrompad, das mit mindestens einer Gate-Ansteuerungsstromleitung verbunden ist, und mindestens ein erstes Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das mit mindestens einer Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, unterteilt (klassifiziert) sein. Deshalb kann der erste Gate-Padbereich ein erstes Start-Signalpad, eine Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads, mindestens ein erstes Gate-Ansteuerungsstrompad und mindestens ein erstes Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad aufweisen. Die Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads gemäß einer Ausführungsform können eine Mehrzahl von ersten Abtasttakt-Pads, die jeweils mit der Mehrzahl von Abtasttaktleitungen verbunden sind, und eine Mehrzahl von ersten Trägertaktleitung-Pads, die jeweils mit der Mehrzahl von Trägertaktleitungen verbunden sind, aufweisen. Hierbei kann die Mehrzahl von ersten Trägertakt-Pads weggelassen werden.
  • Das zweite Substrat 200 kann als ein Verdrahtungssubstrat, ein Verbindungssubstrat, ein unteres Substrat, ein Rückseitensubstrat oder Verbindungsglas bezeichnet werden. Das zweite Substrat 200 kann ein Glasmaterial oder Plastikmaterial aufweisen. Das zweite Substrat 200 kann ein Glasmaterial sein oder kann ein dünnes Glassubstrat oder Plastiksubstrat sein, das biegbar oder flexibel ist. Das zweite Substrat 200 gemäß einer Ausführungsform kann das gleiche Material wie das des ersten Substrats 100 aufweisen. Beispielsweise kann eine Größe des zweiten Substrats 200 gleich sein zu oder im Wesentlichen gleich sein zu der des ersten Substrats 100.
  • Das zweite Substrat 200 kann unter Verwendung des Kopplungselements 300 mit einer zweiten Oberfläche 100b des ersten Substrats 100 gekoppelt (oder verbunden) sein. Das zweite Substrat 200 kann eine Vorderseitenoberfläche, die der zweiten Oberfläche 100b des ersten Substrats 100 gegenüberliegt oder mit dem Kopplungselement 300 gekoppelt ist, eine Rückseitenoberfläche (oder eine hintere Oberfläche) 200b, die der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, und eine äußere Oberfläche OS zwischen der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche aufweisen. Das zweite Substrat 200 kann ein Signal zu den Pixel-Ansteuerungsleitungen übertragen und kann die Steifigkeit des ersten Substrats 100 erhöhen.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen zweiten Padbereich 210, der auf dem zweiten Substrat 200 angeordnet ist, aufweisen.
  • Der zweite Padbereich 210 kann an einem ersten Kantenabschnitt einer Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein, der den ersten Padbereich 110, der auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, überlappt. Der erste Kantenabschnitt der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 kann eine erste äußere Oberfläche (oder eine Oberfläche) OS1b der äußeren Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 aufweisen.
  • Der zweite Padbereich 210 kann eine Mehrzahl von zweiten Pads, die in einem bestimmten Abstand in der ersten Richtung X derart angeordnet sind, dass sie jeweils die Pads des ersten Padbereichs 110 überlappen, aufweisen.
  • Die Mehrzahl von zweiten Pads gemäß einer Ausführungsform können in eine Mehrzahl von zweiten Datenpads, eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads und eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads unterteilt (oder klassifiziert) sein. Deshalb kann der zweite Padbereich 210 einen zweiten Datenpadbereich, der die Mehrzahl von zweiten Datenpads aufweist, einen zweiten Gate-Padbereich, der die Mehrzahl von zweiten Gate-Pads aufweist, einen zweiten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich, der die Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads aufweist, und einen zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich, der die Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads aufweist, aufweisen. Optional kann der zweite Padbereich 210 des Weiteren einen zweiten Referenzstrom-Padbereich, der eine Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads aufweist, aufweisen.
  • Eine Mehrzahl von zweiten Gate-Pads gemäß einer Ausführungsform können in ein zweites Startsignalpad, eine Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads, mindestens ein zweites Gate-Ansteuerungsstrompad und mindestens ein zweites Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad unterteilt (klassifiziert) sein. Deshalb kann der zweite Gate-Padbereich ein zweites Startsignalpad, eine Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads, mindestens ein zweites Gate-Ansteuerungsstrompad und mindestens ein zweites Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad aufweisen. Die Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads gemäß einer Ausführungsform können in eine Mehrzahl von zweiten Abtasttaktpads und eine Mehrzahl von zweiten Trägertaktpads unterteilt (klassifiziert) sein. Hierbei können die Mehrzahl von zweiten Trägertaktpads weggelassen werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen dritten Padbereich (oder einen Eingabe-Padbereich) 230 und einen Verbindungsleitungsabschnitt 250, die auf dem zweiten Substrat 200 angeordnet sind, aufweisen.
  • Der dritte Padbereich 230 kann auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann der dritte Padbereich 230 in einem mittleren Abschnitt benachbart zu einem ersten Kantenabschnitt aus der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein. Der dritte Padbereich 230 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von dritten Pads (oder Eingabepads), die in einem bestimmten Abstand getrennt voneinander angeordnet sind, aufweisen.
  • Der Verbindungsleitungsabschnitt 250 kann zwischen dem zweiten Padbereich 210 und dem dritten Padbereich 230 auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann der Verbindungsleitungsabschnitt 250 eine Mehrzahl von Verbindungsleitungen, die einzeln (oder jeweils) die zweiten Pads des zweiten Padbereichs 210 mit den dritten Pads des dritten Padbereichs 230 verbinden, aufweisen.
  • Das zweite Substrat 200 kann des Weiteren eine zweite Schrägkante, die in einem Eckabschnitt zwischen der Rückseitenoberfläche 200b und der äußeren Oberfläche OS bereitgestellt ist, aufweisen. Die zweite Schrägkante kann die Beschädigung des Eckabschnitts des zweiten Substrats 200, die mittels einer physischen Einwirkung, die von der Außenseite einwirkt, hervorgerufen wird, minimieren und kann eine mittels des Eckabschnitts des zweiten Substrats 200 hervorgerufene Unterbrechung des Verdrahtungsabschnitts 400 verhindern. Beispielsweise kann die zweite Schrägkante einem 45°-Winkel aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Das Kopplungselement 300 kann zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 angeordnet sein. Das erste Substrat 100 und das zweite Substrat 200 können mittels des Kopplungselements 300 aneinander Gegenseiten-gebondet sein. Beispielsweise kann die zweite Oberfläche 100b des ersten Substrats 100 mit einer Oberfläche des Kopplungselements 300 gekoppelt sein, und die Vorderseitenoberfläche des zweiten Substrats 200 kann mit der anderen Oberfläche des Kopplungselements 300 gekoppelt sein. Dementsprechend können das erste Substrat 100 und das zweite Substrat 200, die mittels des Kopplungselements 300 aneinander Gegenseiten-gebondet (oder gekoppelt) sind, als ein Anzeigepanel bezeichnet werden.
  • Der Verdrahtungsabschnitt 400 kann derart angeordnet sein, dass er die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und die äußere Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 umgibt. Der Verdrahtungsabschnitt 400 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen, die auf jeder von der ersten äußeren Oberfläche (oder einen Oberfläche) OS1a der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der ersten äußeren Oberfläche (oder einen Oberfläche) OS1b der äußeren Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 angeordnet sind, aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen kann derart gebildet sein, dass sie jede von der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100a und der ersten äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200 umgibt. Beispielsweise können die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen jeweils (oder einzeln) mit den Pixel-Ansteuerungsleitungen, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, verbunden sein und können direkt mit den Pixel-Ansteuerungsleitungen verbunden sein. Als ein anderes Beispiel können die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen jeweils (oder einzeln) durch das Pad des ersten Padbereichs 110, das auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, mit den Pixel-Ansteuerungsleitungen verbunden sein, und in diesem Falle können ein Widerstand von jeder von den Pixel-Ansteuerungsleitungen und/oder der Spannungsabfall (oder IR-Abfall) eines an die Pixel-Ansteuerungsleitungen angelegten Signals aufgrund einer Größenzunahme basierend auf einem Pad reduziert sein.
  • Die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen gemäß einer Ausführungsform können in eine Mehrzahl von Daten-Verdrahtungsleitungen, eine Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen, eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen und eine Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen unterteilt (klassifiziert) sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Verdrahtungsabschnitt 400 einen Daten-Verdrahtungsabschnitt, einen Gate-Verdrahtungsabschnitt, einen Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsabschnitt und einen Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsabschnitt aufweisen.
  • Der Daten-Verdrahtungsabschnitt (oder ein erster Verdrahtungsabschnitt) kann den ersten Datenpadbereich des ersten Padbereichs 110 elektrisch mit einem zweiten Datenpadbereich des zweiten Padbereich 210 verbinden. Der Daten-Verdrahtungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Daten-Verdrahtungsleitungen 410 aufweisen. Die Mehrzahl von Daten-Verdrahtungsleitungen (oder eine erste Verdrahtungsleitung) 410 kann die Mehrzahl von ersten Datenpads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Datenpads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Der Gate-Verdrahtungsabschnitt (oder ein zweiter Verdrahtungsabschnitt) kann den ersten Gate-Padbereich des ersten Padbereichs 110 elektrisch mit dem zweiten Gate-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 verbinden. Der Gate-Verdrahtungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 aufweisen. Die Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen (oder eine zweite Verdrahtungsleitung) 430 kann die Mehrzahl von ersten Gate-Pads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Die Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 gemäß einer Ausführungsform können in eine Startsignal-Verdrahtungsleitung, eine Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung unterteilt (klassifiziert) sein. Deshalb kann der Gate-Verdrahtungsabschnitt eine Startsignal-Verdrahtungsleitung, eine Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung aufweisen. Die Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen gemäß einer Ausführungsform können in eine Mehrzahl von Abtasttakt-Verdrahtungsleitungen und eine Mehrzahl von Trägertakt-Verdrahtungsleitungen unterteilt (klassifiziert) sein. Hierbei kann die Mehrzahl von Trägertakt-Verdrahtungsleitungen weggelassen sein.
  • Die Startsignal-Verdrahtungsleitung kann ein erstes Startsignalpad, das in dem ersten Padbereich 110 angeordnet ist, elektrisch mit einem zweiten Startsignalpad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, verbinden.
  • Die Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen können die Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Die Mehrzahl von Abtasttakt-Verdrahtungsleitungen aus der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen gemäß einer Ausführungsform können die Mehrzahl von ersten Abtasttaktpads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Abtasttaktpads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Die Mehrzahl von Trägertakt-Verdrahtungsleitungen aus der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen gemäß einer Ausführungsform können die Mehrzahl von ersten Trägertaktpads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Trägertaktpads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung kann das mindestens eine erste Gate-Ansteuerungsstrompad, das in dem ersten Padbereich 110 angeordnet ist, elektrisch mit dem mindestens einen zweiten Gate-Ansteuerungsstrompad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, verbinden.
  • Die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung kann das mindestens eine erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das in dem ersten Padbereich 110 angeordnet ist, elektrisch mit dem mindestens einen zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, verbinden.
  • Der Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsabschnitt (oder ein dritter Verdrahtungsabschnitt) kann den ersten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich des ersten Padbereichs 110 elektrisch mit dem zweiten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 verbinden. Der Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen 450 aufweisen. Die Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen (oder eine dritte Verdrahtungsleitung) 450 kann die Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsabschnitt (oder ein vierter Verdrahtungsabschnitt) kann den ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich des ersten Padbereichs 110 elektrisch mit dem zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 verbinden. Der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen 470 aufweisen. Die Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen (oder eine vierte Verdrahtungsleitung) 420 können die Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Der Verdrahtungsabschnitt 400 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen Referenzstrom-Verdrahtungsabschnitt aufweisen.
  • Der Referenzstrom-Verdrahtungsabschnitt (oder ein fünfter Verdrahtungsabschnitt) kann den ersten Referenzstrom-Padbereich des ersten Padbereichs 110 elektrisch mit dem zweiten Referenzstrom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 verbinden. Der Referenzstrom-Verdrahtungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Referenzstrom-Verdrahtungsleitungen 490 aufweisen. Die Mehrzahl von Referenzstrom-Verdrahtungsleitungen (oder eine fünfte Verdrahtungsleitung) 490 kann die Mehrzahl von ersten Referenzstrompads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren eine Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 aufweisen.
  • Die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 kann die Pixel P, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, auf der Basis von digitalen Videodaten und einem Zeitablaufsynchronisationssignal, das von einem Anzeigeansteuerungssystem zugeführt wird, derart ansteuern (oder Licht emittieren), dass der Anzeigebereich AA ein Bild entsprechend Bilddaten anzeigen kann. Die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 kann mit dem dritten Padbereich 230, der auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, verbunden sein und kann zum Ansteuern (oder Licht Emittieren) der auf dem ersten Substrat 100 angeordneten Pixel P ein Datensignal, ein Gate-Steuersignal und einen Ansteuerungsstrom an den dritten Padbereich 230 ausgeben. Beispielsweise kann die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 eine Größe aufweisen, die geringer ist als die des zweiten Substrats 200 und kann mittels des zweiten Substrats 200 überdeckt sein und kann somit an der äußeren Oberfläche des zweiten Substrats 200 oder der äußeren Oberfläche des ersten Substrats 100 nicht freigelegt sein.
  • Die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 gemäß einer Ausführungsform kann einen flexiblen Schaltkreisfilm 510, einen Ansteuerungs-Integrierten-Schaltkreis (IC) 530, eine Leiterplatte (PCB) 550 und eine Zeitablaufsteuerung 570 aufweisen.
  • Der flexible Schaltkreisfilm 510 kann mit dem dritten Padbereich 230, der auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, verbunden sein. Der flexible Schaltkreisfilm 510 gemäß einer Ausführungsform kann eine Klebeband-Trägereinheit (TCP) oder ein Chip-auf-Film (COF) sein. Beispielsweise kann ein Kantenabschnitt (oder ein äußerer Bondingabschnitt) des flexiblen Schaltkreisfilms 510 durch einen Film-Befestigungsprozess unter Verwendung eines anisotropen leitfähigen Films auf dem dritten Padbereich 230, der auf dem zweiten Substrat 200 angeordnet ist, befestigt sein. Der andere Kantenabschnitt (oder ein Eingabe-Bondingabschnitt) des flexiblen Schaltkreisfilms 510 kann durch einen Film-Befestigungsprozess unter Verwendung eines anisotropen leitfähigen Films an der PCB 550 befestigt sein.
  • Der Ansteuerungs-IC 530 kann auf dem flexiblen Schaltkreisfilm 510 angebracht sein. Der Ansteuerungs-IC 530 kann Subpixel-Daten und ein Datensteuersignal, die von der Zeitablaufsteuerung 570 bereitgestellt werden, empfangen und die Subpixel-Daten auf der Basis des Datensteuersignals in ein analoges Datensignal zum Zuführen des analogen Datensignals zu einer entsprechenden Datenleitung DL umwandeln. Beispielsweise kann der Ansteuerungs-IC 530 ein Daten-Ansteuerungs-IC oder ein Source-Ansteuerungs-IC sein.
  • Der Ansteuerungs-IC 530 gemäß einer Ausführungsform kann unter Verwendung einer Mehrzahl von Referenz-Gammaspannungen, die von der PCB 550 bereitgestellt werden, eine Mehrzahl von Graustufenspannungen erzeugen und eine Graustufenspannung entsprechend den Subpixel-Daten aus der Mehrzahl von Graustufenspannungen zum Ausgeben eines Datensignals auswählen. Das Datensignal kann über einen Ausgabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510, den dritten Padbereich 230, den Verbindungsleitungsabschnitt 250, den zweiten Padbereich 210, den Verdrahtungsabschnitt 400 und den ersten Padbereich 110 einer entsprechenden Datenleitung DL zugeführt werden.
  • Des Weiteren kann der Ansteuerungs-IC 530 einen Pixel-Ansteuerungsstrom und einen Pixel-Gemeinsamer-Strom, der zum Ansteuern (oder Licht Emittieren) der Pixel P notwendig sind, unter Verwendung von Referenz-Gammaspannungen erzeugen und ausgeben. Beispielsweise kann der Ansteuerungs-IC 530 als den Pixel-Ansteuerungsstrom und den Pixel-Gemeinsamer-Strom eine vorher festgelegte Referenz-Gammaspannung oder eine vorher festgelegte Graustufenspannung aus der Mehrzahl von Referenz-Gammaspannungen oder einer Mehrzahl von Graustufenspannungen auswählen und ausgeben.
  • Außerdem kann der Ansteuerungs-IC 530 auf der Basis des Ansteuerns (oder Betreibens) eines Pixelschaltkreises, der in dem Schaltkreisbereich des Pixels P angeordnet ist, zusätzlich einen Referenzstrom erzeugen und ausgeben. Beispielsweise kann der Ansteuerungs-IC 530 eine vorher festgelegte Referenz-Gammaspannung oder eine vorher festgelegte Graustufenspannung aus der Mehrzahl von Referenz-Gammaspannungen oder der Mehrzahl von Graustufenspannungen als eine Referenzspannung auswählen und ausgeben.
  • Der Pixel-Ansteuerungsstrom, der Pixel-Gemeinsamer-Strom und der Referenzstrom können verschiedene Spannungsniveaus aufweisen. Der Pixel-Ansteuerungsstrom, der Pixel-Gemeinsamer-Strom und der Referenzstrom können über einen Ausgabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510, den dritten Padbereich 230, den Verbindungsleitungsabschnitt 250, den zweiten Padbereich 210, den Verdrahtungsabschnitt 400 und den ersten Padbereich 110 jeweils einer entsprechenden Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL, einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL und einer entsprechenden Referenzstromleitung RL zugeführt werden.
  • Der Ansteuerungs-IC 530 kann einen Eigenschaftswert eines Ansteuerungs-TFTs, der in dem Pixel P angeordnet ist, durch die Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, ermitteln, Ermittlungsrohdaten, die einem Ermittlungswert entsprechen, erzeugen und die Ermitttlungsrohdaten an der Zeitablaufsteuerung 570 bereitstellen.
  • Die PCB 550 kann mit dem anderen Kantenabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510 verbunden sein. Die PCB 550 kann ein Signal und Strom zwischen Elementen der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 übertragen.
  • Die Zeitablaufsteuerung 570 kann auf der PCB 550 angebracht sein und kann die digitalen Videodaten und das von dem Anzeigeansteuerungssystem bereitgestellte Zeitablauf-Synchronisationssignal durch einen Benutzeranschluss, der auf der PCB 550 angeordnet ist, empfangen. Alternativ dazu kann die Zeitablaufsteuerung 570 nicht auf der PCB 550 angebracht sein und kann in dem Anzeigeansteuerungssystem implementiert sein oder kann auf einer separaten Steuertafel, die zwischen die PCB 550 und das Anzeigeansteuerungssystem geschaltet ist, angebracht sein.
  • Die Zeitablaufsteuerung 570 kann auf der Basis des Zeitablauf-Synchronisationssignals die digitalen Videodaten zum Erzeugen von Pixeldaten, die auf eine Pixelanordnungsstruktur, die in dem Anzeigebereich AA angeordnet ist, angepasst sind, ausrichten und kann die erzeugten Pixeldaten an dem Ansteuerungs-IC 530 bereitstellen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann, wenn das Pixel P ein weißes Subpixel SP aufweist, die Zeitablaufsteuerung 570 auf der Basis der digitalen Videodaten (d.h. von roten Eingabedaten, grünen Eingabedaten und blauen Eingabedaten, die jeweils den entsprechenden Pixeln P zugeführt werden sollen) weiße Pixeldaten extrahieren, basierend auf den extrahierten weißen Pixeldaten in jeden von den roten Eingabedaten, den grünen Eingabedaten und den blauen Eingabedaten zum Berechnen von roten Pixeldaten, grünen Pixeldaten und blauen Pixeldaten Offsetdaten wiederspiegeln und die berechneten roten Pixeldaten, grünen Pixeldaten, blauen Pixeldaten und die weißen Pixeldaten entsprechend der Pixel-Anordnungsstruktur zum Zuführen von ausgerichteten Pixeldaten zu dem Ansteuerungs-IC 530 ausrichten. Beispielsweise kann die Zeitablaufsteuerung 570 rote Eingabedaten, grüne Eingabedaten und blaue Eingabedaten in Vier-Farben (beispielsweise Rot, Grün, Blau und Weiß)-Daten auf der Basis eines Datenumwandlungsverfahrens, das in der koreanischen Patentanmeldung Nummer 10-2013-0 060 476 oder 10-2013-0 030 598 offenbart ist, umwandeln.
  • Die Zeitablaufsteuerung 570 kann auf der Basis des Zeitablauf-Synchronisationssignals jedes von dem Datensteuersignal und dem Gate-Steuersignal erzeugen, auf der Basis des Datensteuersignals einen Ansteuerungs-Zeitablauf des Ansteuerungs-ICs 530 steuern und auf der Basis des Gate-Steuersignals einen Ansteuerungs-Zeitablauf des Gate-Ansteuerungsschaltkreises 150 steuern. Beispielsweise kann das Zeitablauf-Synchronisationssignal ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal, ein Datenfreigabesignal und einen Haupt-Zeittakt (oder einen Punkt-Zeittakt) aufweisen.
  • Das Datensteuersignal gemäß einer Ausführungsform kann einen Source-Startimpuls, einen Source-Verschiebetakt und ein Source-Ausgabesignal aufweisen. Das Datensteuersignal kann über den Eingabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510 und den flexiblen Schaltkreisfilm 510 dem Ansteuerungs-IC 530 zugeführt werden.
  • Das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform kann ein Startsignal (oder einen Gate-Startimpuls), eine Mehrzahl von Verschiebetakten, ein Vorwärts-Ansteuerungssignal und ein Rückwärts-Ansteuerungssignal aufweisen. In diesem Falle können die Mehrzahl von Verschiebetakten eine Mehrzahl von Abtasttakten, in denen Phasen davon nacheinander verschoben sind, und eine Mehrzahl von Trägertakten, in denen Phasen davon nacheinander verschoben sind, aufweisen. Außerdem kann das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform des Weiteren ein externes Ermittlungsleitung-Auswahlsignal, ein externes Ermittlungsrückstellsignal und ein externes Ermittlungssteuersignal zum Ermitteln eines Eigenschaftswerts des Ansteuerungs-TFTs, der in dem Pixel P angeordnet ist, aufweisen. Das Gate-Steuersignal kann über den Eingabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510, den flexiblen Schaltkreisfilm 510, den Ausgabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510, den dritten Padbereich 230, den Verbindungsleitungsabschnitt 250, den zweiten Padbereich 210, den Verdrahtungsabschnitt 400 und den ersten Padbereich 110 dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 zugeführt werden.
  • Die Zeitablaufsteuerung 570 kann jedes von dem Ansteuerungs-IC 530 und dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 auf der Basis eines externen Ermittlungsmodus während eines vorher festgelegten externen Ermittlungszeitraums ansteuern, Kompensationsdaten zum Kompensieren einer Eigenschaftsänderung des Ansteuerungs-TFTs jedes Pixels P auf der Basis der Ermittlungsrohdaten, die von dem Ansteuerungs-IC 530 bereitgestellt werden, erzeugen und Pixeldaten auf der Basis der erzeugten Kompensationsdaten modulieren. Beispielsweise kann die Zeitablaufsteuerung 570 jedes von dem Ansteuerungs-IC 530 und dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 auf der Basis des externen Ermittlungsmodus für jeden externen Ermittlungszeitraum, der einem Leerzeitraum (oder einem vertikalen Leerzeitraum) des vertikalen Synchronisationssignals entspricht, ansteuern. Beispielsweise kann der externe Ermittlungsmodus in einem Prozess des Energieversorgung Einschaltens der Anzeigevorrichtung, einem Prozess des Energieversorgung Ausschaltens der Anzeigevorrichtung, einem Prozess des Energieversorgung Ausschaltens der Anzeigevorrichtung, nachdem diese für einen langen Zeitraum angesteuert wurde, oder einem Leerzeitraum eines Rahmens, der in Echtzeit oder periodisch festgelegt wird, durchgeführt werden.
  • Die Zeitablaufsteuerung 570 gemäß einer Ausführungsform kann die Ermittlungsrohdaten von jedem Pixel P, die von dem Ansteuerungs-IC 530 bereitgestellt werden, auf der Basis des externen Ermittlungsmodus in einem Speicherschaltkreis speichern. Ebenso kann, in einem Anzeigemodus, die Zeitablaufsteuerung 570 Pixeldaten, die jedem Pixel zugeführt werden sollen, basierend auf den Ermittlungsrohdaten, die in dem Speicherschaltkreis gespeichert sind, korrigieren und kann an dem Ansteuerungs-IC 530 korrigierte Pixeldaten bereitstellen. Hierbei können Ermittlungsrohdaten von jedem Pixel sequenzielle Änderungsinformationen über jedes von einem Ansteuerungs-TFT und einer selbst-lichtemittierenden Vorrichtung, die in einem entsprechenden Subpixel angeordnet sind, aufweisen. Deshalb kann, in dem externen Ermittlungsmodus, die Zeitablaufsteuerung 570 einen Eigenschaftswert (beispielsweise eine Schwellenspannung oder Beweglichkeit) eines Ansteuerungs-TFTs, der in jedem Subpixel angeordnet ist, ermitteln und kann basierend darauf Pixeldaten, die jedem Subpixel zugeführt werden sollen, korrigieren, wodurch die Verschlechterung in der Bildqualität, die mittels einer Eigenschaftswert-Abweichung von Ansteuerungs-TFTs einer Mehrzahl von Subpixeln SP hervorgerufen werden, minimiert oder verhindert werden. Der externe Ermittlungsmodus einer Anzeigevorrichtung kann eine Technologie sein, die dem Fachmann bekannt ist, und somit wird seine detaillierte Beschreibung weggelassen. Beispielsweise kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Eigenschaftswert des Ansteuerungs-TFTs, der in jedem Subpixel P angeordnet ist, auf der Basis eines Ermittlungsmodus, der in der koreanischen Patentveröffentlichung Nummer 10-2016-0 093 179, 10-2017-0 054 654 oder 10-2018-0 002 099 offenbart ist, ermitteln.
  • Die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Energieversorgungs-Schaltkreiseinheit 590 aufweisen.
  • Die Energieversorgungs-Schaltkreiseinheit 590 kann auf der PCB 550 angebracht sein und kann verschiedene Source-Spannungen, die zum Anzeigen eines Bildes auf den Pixeln P benötigt werden, unter Verwendung einer Eingabespannung, die von außen zugeführt wird, zum Bereitstellen der erzeugten Source-Spannung an einem entsprechenden Schaltkreis erzeugen. Beispielsweise kann die Energieversorgungs-Schaltkreiseinheit 590 eine logische Source-Spannung, die zum Ansteuern von jedem von der Zeitablaufsteuerung 570 und dem Ansteuerungs-IC 530 notwendig ist, die Mehrzahl von Referenz-Gammaspannungen, die an dem Ansteuerungs-IC 530 bereitgestellt werden, und mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrom und mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom, die zum Ansteuern des Gate-Ansteuerungsschaltkreises 150 notwendig sind, erzeugen und ausgeben. Der Gate-Ansteuerungsstrom und der Gate-Gemeinsamer-Strom können verschiedene Spannungsniveaus aufweisen.
  • Jede von der Mehrzahl von Referenz-Gammaspannungen kann über den Eingabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510 und den flexiblen Schaltkreisfilm 510 dem Ansteuerung-IC 530 zugeführt werden. Jede von dem mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrom und dem mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom kann über den Eingabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510, den flexiblen Schaltkreisfilm 510, den Ausgabe-Bondingabschnitt des flexiblen Schaltkreisfilms 510, den dritten Padbereich 230, den Verbindungsleitungsabschnitt 250, den zweiten Padbereich 210, den Verdrahtungsabschnitt 400 und den ersten Padbereich 110 dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 zugeführt werden.
  • 6 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B2“, der in 4 dargestellt ist, und ist ein Schaubild zum Beschreiben von Pixeln, die auf einem ersten Substrat angeordnet sind.
  • Bezugnehmend auf 4 bis 6 kann ein erstes Substrat 100 gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Mehrzahl von Datenleitungen DLo und DLe, eine Mehrzahl von Gate-Leitungen GLo und GLe, eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL, eine Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL, eine Mehrzahl von Pixeln P, eine gemeinsame Elektrode CE, eine Mehrzahl von Gemeinsamer-Strom-Verbindungsabschnitten CPCP, eine Gate-Steuerleitungsgruppe GCL, einen Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 und einen ersten Padbereich 110 aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Datenleitungen DLo und DLe können sich können sich in einer zweiten Richtung Y lang erstrecken und können in einem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 in einer ersten Richtung X in einem vorher festgelegten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein. Beispielsweise kann, in der Mehrzahl von Datenleitungen DLo und DLe, eine ungeradzahlige Datenleitung DLo an einem ersten Kantenabschnitt von jedem von einer Mehrzahl von Pixelbereichen PA, die auf dem ersten Substrat 100 in der zweiten Richtung Y angeordnet sind, angeordnet sein, und eine geradzahlige Datenleitung DLe kann an einem zweiten Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA, die auf dem ersten Substrat 100 in der zweiten Richtung Y angeordnet sind, angeordnet sein. Hierbei kann, in Bezug auf die erste Richtung X, der erste Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA ein linker Kantenabschnitt eines entsprechenden Pixelbereichs PA sein, und der zweite Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA kann ein rechter Kantenabschnitt eines entsprechenden Pixelbereichs PA sein.
  • Die Mehrzahl von Gate-Leitungen GLo und GLe können sich in der ersten Richtung X lang erstrecken und können in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 in der zweiten Richtung Y in einem vorher festgelegten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein. Beispielsweise kann, in der Mehrzahl von Gate-Leitungen GLo und GLe, eine ungeradzahlige Gate-Leitung GLo an einem dritten Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA, die auf dem ersten Substrat 100 in der ersten Richtung X angeordnet sind, angeordnet sein, und eine geradzahlige Gate-Leitung GLe kann an einem vierten Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA, die auf dem ersten Substrat 100 in der ersten Richtung X angeordnet sind, angeordnet sein. Hierbei kann, in Bezug auf die zweite Richtung Y, der dritte Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA ein oberer Kantenabschnitt eines entsprechenden Pixelbereichs PA sein, und der vierte Kantenabschnitt von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA kann ein unterer Kantenabschnitt eines entsprechenden Pixelbereichs PA sein.
  • Die Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL können sich in der zweiten Richtung Y lang erstrecken und können in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 in der ersten Richtung X in einem vorher festgelegten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein. Beispielsweise kann, in der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL, eine ungeradzahlige Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL an einem ersten Kantenabschnitt eines ungeradzahligen Pixelbereichs PA in Bezug auf die erste Richtung X angeordnet sein, und eine geradzahlige Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL kann an einem zweiten Kantenabschnitt eines geradzahligen Pixelbereichs PA in Bezug auf die erste Richtung X angeordnet sein.
  • Zwei benachbarte Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL können mit einer Mehrzahl von Stromverteilerleitungen PSL, die in jedem von den Pixelbereichen PA, die in der zweiten Richtung Y angeordnet sind, angeordnet sind, verbunden sein. Beispielsweise können die Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL mittels der Mehrzahl von Stromverteilerleitungen PSL elektrisch miteinander verbunden sein und können somit eine Leiterstruktur oder eine Maschenstruktur aufweisen. Die Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL können eine Leiterstruktur oder eine Maschenstruktur aufweisen, und somit kann der Spannungsabfall (IR-Abfall) des Pixel-Ansteuerungsstroms, der mittels eines Leitungswiderstands von jeder von der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL verursacht wird, verhindert und oder minimiert sein. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung die Verschlechterung der Bildqualität, die mittels einer Abweichung des Pixel-Ansteuerungsstroms, der jedem von den Pixeln P zugeführt wird, verhindern oder minimieren.
  • Jede von der Mehrzahl von Stromverteilerleitungen PSL kann von einer benachbarten Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL parallel zu der ersten Richtung X abzweigen und kann in einem mittleren Bereich jedes Pixelbereichs PA angeordnet sein.
  • Die Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL können sich in der zweiten Richtung Y lang erstrecken und können in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 in der ersten Richtung X in einem vorher festgelegten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL an einem ersten Kantenabschnitt eines geradzahligen Pixelbereichs PA in Bezug auf die erste Richtung X angeordnet sein.
  • Eine Mehrzahl von Pixeln P kann jeweils in der Mehrzahl von Pixelbereichen PA, die derart definiert sind, dass sie in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 eine gleiche Größe aufweisen, angeordnet sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von Pixeln P kann mindestens drei Subpixel aufweisen. Beispielsweise kann, wie in 2 dargestellt, jedes von der Mehrzahl von Pixeln P ein erstes Subpixel SP1 bis viertes Subpixel SP4 aufweisen.
  • Bezugnehmend auf 2 und 6 kann jedes von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 einen Pixelschaltkreis PC und eine lichtemittierende Vorrichtung ED aufweisen.
  • Der Pixelschaltkreis PC gemäß einer Ausführungsform kann in einem Schaltkreisbereich CA des Pixelbereichs PA angeordnet sein und kann mit dazu benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe, dazu benachbarten Datenleitungen DLo und DLe und der Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden sein. Beispielsweise kann ein Pixelschaltkreis PC, der in einem ersten Subpixel SP1 angeordnet ist, mit einer ungeradzahligen Datenleitung DLo und einer ungeradzahligen Gate-Leitung GLo verbunden sein, ein Pixelschaltkreis PC, der in einem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, kann mit einer geradzahligen Datenleitung DLe und einer ungeradzahlige Gate-Leitung GLo verbunden sein, ein Pixelschaltkreis PC, der in einem dritten Subpixel SP3 angeordnet ist, kann mit einer ungeradzahligen Datenleitung DLo und einer geradzahligen Gate-Leitung GLe verbunden sein, und ein Pixelschaltkreis PC, der in einem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann mit einer geradzahligen Datenleitung DLe und einer geradzahligen Gate-Leitung GLe verbunden sein.
  • Der Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 kann ein Datensignal, das in Antwort auf ein Abtastsignal, das von entsprechenden Gate-Leitungen GLo und GLe zugeführt wird, von entsprechenden Datenleitungen DLo und DLe zugeführt wird, samplen und kann einen Strom, der von der Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL zu der lichtemittierenden Vorrichtung ED fließt, auf der Basis eines gesampelten Datensignals steuern. Beispielsweise kann der Pixelschaltkreis PC ein Datensignal unter Verwendung von mindestens zwei TFTs und mindestens einem Kondensator samplen und kann einen Strom, der in die lichtemittierende Vorrichtung ED fließt, auf der Basis eines gesampelten Datensignals steuern.
  • Der Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 kann als ein Pixel-Ansteuerungsstromchip durch einen Halbleiterherstellungsprozess implementiert, in einem Schaltkreisbereich CA eines entsprechenden Pixelbereichs PA angeordnet und mit dazu benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe, dazu benachbarten Datenleitungen DLo und DLe und der Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden sein. Beispielsweise kann der Pixel-Ansteuerungschip ein Mikrochip minimaler Einheit oder ein Chipsatz sein und kann eine Halbleitereinheit-Vorrichtung sein, die zwei oder mehrere Transistoren und einen oder mehrere Kondensatoren aufweist und eine feine Größe aufweist. Ein derartiger Pixel-Ansteuerungschip kann ein Datensignal, das in Antwort auf ein Abtastsignal, das von entsprechenden Gate-Leitungen GLo und GLe zugeführt wird, von entsprechenden Datenleitungen DLo und DLe zugeführt wird, sein und kann einen Strom, der von der Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL zu der lichtemittierenden Vorrichtung ED fließt, auf der Basis eines gesampelten Datensignals steuern.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann in einem Emissionsbereich EA des Pixelbereichs PA angeordnet, mit dem Pixelschaltkreis PC elektrisch verbunden und mit der gemeinsamen Elektrode CE elektrisch verbunden sein. Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann mit einem Strom, der von dem Pixelschaltkreis PC zu der gemeinsamen Elektrode CE fließt, Licht emittieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtung ED auf der Basis eines Top-Emissionstyps Licht emittieren und kann das Licht auf einen Abschnitt über einer ersten Oberfläche eines ersten Substrats 100 abstrahlen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED gemäß einer Ausführungsform kann eine selbst-lichtemittierende Vorrichtung aufweisen. Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtung ED eine organische lichtemittierende Vorrichtung oder eine anorganische lichtemittierende Vorrichtung aufweisen. Die anorganische lichtemittierende Vorrichtung kann eine Halbleiter-Lichtemittierende-Diode, eine Mikro-Lichtemittierende-Diode oder eine Quantenpunkt-Lichtemittierende-Diode aufweisen. Beispielsweise kann, wenn die lichtemittierende Vorrichtung ED die anorganische lichtemittierende Vorrichtung ist, die lichtemittierende Vorrichtung ED einen Maßstab von 1 µm bis 100 µm aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED gemäß einer Ausführungsform kann Licht von rotem Licht, grünem Licht, blauem Licht und weißem Licht emittieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtung ED von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 derart ausgeführt sein, dass sie weißes Licht emittiert, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Wiederum bezugnehmend auf 4 bis 6 kann die gemeinsame Elektrode CE in einem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet sein und kann mit der lichtemittierenden Vorrichtung ED von jedem von der Mehrzahl von Pixeln P verbunden sein. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode CE in einem Bereich, der verschieden ist von einem ersten Padbereich 110, der in dem ersten Substrat angeordnet ist, von dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet sein.
  • Die gemeinsame Elektrode CE gemäß einer Ausführungsform kann ein lichtdurchlässiges leitfähiges Material aufweisen, das Licht, das von der lichtemittierenden Vorrichtung ED von jedem von der Mehrzahl von Pixeln P emittiert wird, hindurchtreten lässt. Beispielsweise kann das lichtdurchlässige leitfähige Material Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Jeder von der Mehrzahl von Gemeinsamer-Strom-Verbindungsabschnitten CPCP kann zwischen zwei benachbarten Pixeln P der Mehrzahl von Pixeln P, die jeweils die Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL überlappen, angeordnet sein und kann die gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL verbinden. In Bezug auf die zweite Richtung Y kann jeder von der Mehrzahl von Gemeinsamer-Strom-Verbindungsabschnitten CPCP gemäß einer Ausführungsform elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL bei einem Abschnitt zwischen der Mehrzahl von Pixeln P oder bei einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Pixeln P verbunden sein und kann elektrisch mit einem Abschnitt der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein und kann somit die gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL verbinden.
  • Jeder von der Mehrzahl von gemeinsame-Stromverbindungsabschnitten CPCP kann zwischen zwei benachbarten Pixeln P der Mehrzahl von Pixeln P derart angeordnet sein, dass er die gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL verbindet, und kann somit den Spannungsabfall (IR-Abfall) des Pixel-Gemeinsamer-Stroms, der mittels eines Oberflächenwiderstands der gemeinsamen Elektrode CE verursacht wird, verhindern oder minimieren. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung die Verschlechterung der Bildqualität, die mittels einer Abweichung des Pixel-Ansteuerungsstroms, der jedem von den in dem Anzeigebereich AA angeordneten Pixeln P zugeführt wird, verhindern oder minimieren.
  • Die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL kann einen Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 und eine Mehrzahl von Gate-Steuerleitungen in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 aufweisen.
  • Die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL gemäß einer Ausführungsform kann eine Startsignalleitung, eine Mehrzahl von Verschiebetaktleitungen, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstromleitung und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung aufweisen. Die Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL können sich in der zweiten Richtung Y lang erstrecken und können in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 in der ersten Richtung X in einem vorher festgelegten Abstand voneinander angeordnet sein. Beispielsweise kann jede von den Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL zwischen einem oder mehreren Pixeln P in der ersten Richtung X angeordnet sein.
  • Der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 kann in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet sein. Deshalb kann, da der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet ist, ein zweites Intervall D2 zwischen einem zentralen Abschnitt eines äußersten Pixelbereichs PAo und jeder von den äußeren Oberflächen OS des ersten Substrats 100 die Hälfte oder weniger eines ersten Intervalls (oder eines Pixelabstands) D1 zwischen benachbarten Pixelbereichen PA betragen. Beispielsweise kann, wenn der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 nicht in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet ist und zwischen dem äußersten Pixelbereich PAo und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 ist, aufgrund einer Größe (oder einer Breite), die mittels des Gate-Ansteuerungsschaltkreises 150 belegt ist, das zweite Intervall nicht die Hälfte oder weniger des ersten Intervalls D1 betragen. Dementsprechend kann, in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, da der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 innerhalb des Anzeigebereichs AA des ersten Substrats 100 angeordnet ist, das zweite Intervall D2 derart ausgeführt sein, dass es die Hälfte oder weniger des ersten Intervalls D1 beträgt.
  • Bezugnehmend auf 6 und 7 kann ein Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 gemäß einer Ausführungsform mit einem Verschieberegister, das eine Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m aufweist, ausgeführt sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m kann in jeder Horizontalzeile einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 in der ersten Richtung X in einem Abstand voneinander angeordnet sein und kann in der zweiten Richtung Y abhängig miteinander verbunden sein. Jede von der Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m kann in Antwort auf ein Gate-Steuersignal, das durch den ersten Padbereich 110 und die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL zugeführt wird, in einer vorher festgelegten Reihenfolge ein Abtastsignal erzeugen, und kann das Abtastsignal einer entsprechenden Gate-Leitung GL zuführen.
  • Jede von der Mehrzahl von Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n und ein Zweignetzwerk 153 aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n können durch das Zweignetzwerk 153 mit den Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL selektiv verbunden sein und können durch das Zweignetzwerk 153 elektrisch miteinander verbunden sein. Jeder von der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n kann auf der Basis eines Gate-Steuersignals, das durch eine entsprechende Leitung der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL und das Zweignetzwerk 153 zugeführt wird, und eines Signals, das zwischen Zweignetzwerken 153 übertragen wird, das Abtastsignal erzeugen, und kann das Abtastsignal einer entsprechenden Gate-Leitung GL zuführen.
  • Jeder von der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n kann mindestens einen einer Mehrzahl von TFTs, der einen der Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m einrichtet, aufweisen. Jeder von der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n kann in einem Schaltkreisbereich zwischen zwei benachbarten Pixeln P oder in einen Schaltkreisbereich zwischen zwei Pixeln P in jeder Horizontalzeile des ersten Substrats 100 angeordnet sein, ist jedoch hierauf nicht beschränkt, und kann in einem Schaltkreisbereich zwischen einem oder mehreren Pixeln P auf der Basis der Anzahl von TFTs, die jede von den Stufen-Schaltkreiseinheiten 1501 bis 150m einrichten, und der Anzahl von Pixeln P, die in einer Horizontalzeile angeordnet sind, angeordnet sein.
  • Das Zweignetzwerk 153 kann in jeder Horizontalzeile des ersten Substrats 100 angeordnet sein und kann die Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151 n elektrisch verbinden. Das Zweignetzwerk 151 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Steuerknoten und eine Netzwerkleitung aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Steuerknoten können in jeder Horizontalzeile des ersten Substrats 100 angeordnet sein und können in einer Horizontalzeile selektiv mit der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n verbunden sein. Beispielsweise können die Mehrzahl von Steuerknoten in einem oberen Kantenbereich (oder einem unteren Kantenbereich) aus Pixelbereichen, die in jeder Horizontalzeile des ersten Substrats 100 angeordnet sind, angeordnet sein.
  • Die Netzwerkleitung kann mit den Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL, die in dem ersten Substrat angeordnet ist, selektiv verbunden sein und kann mit der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151 n selektiv verbunden sein. Beispielsweise kann die Netzwerkleitung das Gate-Steuersignal, das durch die Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL zugeführt wird, zu entsprechenden Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n übertragen und kann ein Signal zwischen der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151 n übertragen.
  • Wiederum bezugnehmend auf 4 bis 6 kann der erste Padbereich 110 an einem ersten Kantenabschnitt aus der ersten Oberfläche des ersten Substrats 100 parallel zu der ersten Richtung X angeordnet sein. Der erste Padbereich 110 kann an einem dritten Kantenabschnitt von jedem von äußersten Pixelbereichen PAo, die an dem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet sind, angeordnet sein. In Bezug auf die zweite Richtung Y kann ein Ende des ersten Padbereichs 110 ein Ende von jedem von den äußersten Pixelbereichen PAo überlappen oder bündig damit angeordnet sein. Deshalb kann der erste Padbereich 110 in jedem von den äußersten Pixelbereichen PAo, die an einem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet sind, enthalten (oder angeordnet) sein, und somit kann ein Nicht-Anzeigebereich (oder ein Umrandungsbereich) basierend auf dem ersten Padbereich 110 auf dem ersten Substrat 100 nicht gebildet sein oder nicht vorhanden sein.
  • Der erste Padbereich 110 kann eine Mehrzahl von ersten Pads, die parallel zueinander in der ersten Richtung X auf dem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet sind, aufweisen. Die Mehrzahl von ersten Pads kann in eine Mehrzahl von ersten Datenpads DP1, eine Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1, eine Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1 und eine Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1 unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Der erste Padbereich 110 gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Datenpadbereich, einen ersten Gate-Padbereich, einen ersten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich und ein einen ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich aufweisen.
  • Der erste Datenpadbereich kann eine Mehrzahl von ersten Datenpads DP1 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von ersten Datenpads DP1 kann mit einem Ende von jeder von einer Mehrzahl von Datenleitungen DLo und DLe, die auf dem ersten Substrat angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein.
  • Der erste Datenpadbereich kann mit einem Datenverdrahtungsabschnitt, der in einem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet ist, verbunden sein. Jedes von der Mehrzahl von ersten Datenpads DP1, das in dem ersten Datenpadbereich angeordnet ist, kann mit einem Ende von jeder von einer Mehrzahl von Datenverdrahtungsleitungen 410, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Deshalb kann jede von der Mehrzahl von Datenleitungen DLo und DLe, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, durch einen entsprechenden ersten Datenpadbereich DP1 der Mehrzahl von ersten Datenpads DP1 elektrisch mit einer entsprechenden Datenverdrahtungsleitung 410 der Mehrzahl von Datenverdrahtungsleitungen 410 verbunden sein.
  • Der erste Gate-Padbereich kann eine Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1 kann mit einem Ende einer entsprechenden Gate-Steuerleitung aus der Mehrzahl von Gate-Steuerleitungen, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, enthalten ist, einzeln (oder jeweils) verbunden sein.
  • Der erste Gate-Padbereich kann mit einem Gate-Verdrahtungsabschnitt, der in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet ist, verbunden sein. Jedes von der Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1, die in dem ersten Gate-Padbereich angeordnet sind, kann mit einem Ende von jeder von einer Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 aus einer Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Deshalb kann jede Leitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, enthalten ist, durch ein entsprechendes erstes Gate-Pad GP1 aus einer Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1 elektrisch mit einer entsprechenden Gate-Verdrahtungsleitung 430 der Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 verbunden sein.
  • Die Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1 gemäß einer Ausführungsform können in ein erstes Startsignalpad, eine Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads, mindestens ein erstes Gate-Ansteuerungsstrompad und mindestens ein erstes Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Das erste Startsignalpad kann elektrisch mit einer Startsignal-Verdrahtungsleitung, die in einem Gate-Verdrahtungsleitungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet ist, verbunden sein. Deshalb kann die Startsignalleitung, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, durch das erste Startsignalpad elektrisch mit der Startsignal-Verdrahtungsleitung verbunden sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads kann mit einer entsprechenden Verschiebetakt-Verdrahtungsleitung der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen, die in dem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet sind, elektrisch verbunden sein. Deshalb kann jede von der Mehrzahl von Verschiebetaktleitungen, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, durch ein entsprechendes erstes Verschiebetaktpad einer Mehrzahl von ersten Verschiebetaktpads elektrisch mit einem entsprechenden Verschiebetaktpad der Mehrzahl von Verschiebetaktpads verbunden sein.
  • Das mindestens eine erste Gate-Ansteuerungsstrompad kann mit der mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung, die in dem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet ist, elektrisch verbunden sein. Deshalb kann die mindestens eine erste Gate-Ansteuerungsstromleitung, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, durch das mindestens eine erste Gate-Ansteuerungsstrompad elektrisch mit der mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung verbunden sein.
  • Das mindestens eine erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad kann mit der mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung, die in dem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet ist, elektrisch verbunden sein. Deshalb kann die mindestens eine erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, durch das mindestens eine erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad mit der mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung elektrisch verbunden sein.
  • Das erste Pixel-Ansteuerungsstrompad kann eine Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1 kann mit einem Ende einer entsprechenden Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL aus der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein.
  • Der erste Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich kann mit dem Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsabschnitt, der in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet ist, verbunden sein. Jedes von der Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1, die in dem ersten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich angeordnet sind, kann mit einem Ende einer entsprechenden Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung 450 aus der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen 450, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Deshalb kann jede von der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, durch ein entsprechendes erstes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1 der Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1 mit einem Ende einer entsprechenden Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung 450 der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen 450 einzeln (oder jeweils) verbunden sein.
  • Das erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad kann eine Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1 kann mit einem Ende einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein.
  • Der erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich kann mit dem Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsabschnitt, der in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet ist, verbunden sein. Jedes von der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1, die in dem ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich angeordnet sind, kann mit einem Ende einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung 470 der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen 470, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Deshalb kann jede von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, durch ein entsprechendes erstes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1 der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1 mit einem Ende einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung 470 der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen 470 einzeln (oder jeweils) verbunden sein.
  • Der erste Padbereich 110 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Pad-Gruppen PG, die in der Reihenfolge von einem ersten Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1, zwei ersten Datenpads DP1, einem ersten Gate-Pad GP1, einem ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1, zwei ersten Datenpads DP1 und einem ersten Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1 entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Pad-Gruppen PG kann mit zwei benachbarten Pixeln P, die entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, verbunden sein. Beispielsweise kann die Mehrzahl von Pad-Gruppen PG eine erste Pad-Gruppe PG1, die ein erstes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1, zwei erste Datenpads DP1 und ein erstes Gate-Pad GP1, die durchgehend in einem ungeradzahligen Pixelbereich PA entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, aufweist, und eine zweite Pad-Gruppe PG2, die ein erstes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1, zwei erste Datenpads DP1 und ein erstes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1, die durchgehend in einem geradzahligen Pixelbereich PA entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, aufweist, aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren eine Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL und eine Mehrzahl von sekundären Stromverbindungsabschnitten SPCP aufweisen.
  • Jede von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL kann sich in der zweiten Richtung Y lang erstrecken und kann benachbart zu einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL angeordnet sein. Jede von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL kann elektrisch mit einer benachbarten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein, ohne mit dem ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1 elektrisch verbunden zu sein, und ihr kann durch die benachbarte Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL ein Pixel-Gemeinsamer-Strom zugeführt werden. Zu diesem Zweck kann das erste Substrat 100 gemäß der vorliegenden Offenbarung des Weiteren eine Mehrzahl von Leitungsverbindungsstrukturen LCP aufweisen, die eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL und eine sekundäre Stromleitung SPL, die benachbart zueinander sind, elektrisch verbinden.
  • Jede von der Mehrzahl von Leitungsverbindungsstrukturen LCP kann auf dem ersten Substrat 100 derart angeordnet sein, dass die Leitungsverbindungsstruktur LCP und eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL und eine sekundäre Stromleitung SPL, die benachbart zueinander sind, einander überschneiden, und kann eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL und eine sekundäre Stromleitung SPL, die benachbart zueinander sind, unter Verwendung einer Leitungs-überspringenden Struktur elektrisch verbinden. Beispielsweise kann eine Seite von jeder von der Mehrzahl von Leitungsverbindungsstrukturen LCP durch ein erstes Leitungskontaktloch, das in einer isolierenden Schicht auf der sekundären Stromleitung SPL gebildet ist, elektrisch mit einem Abschnitt der sekundären Stromleitung SPL verbunden sein, und die andere Seite von jeder von der Mehrzahl von Leitungsverbindungsstrukturen LCP kann durch ein zweites Leitungskontaktloch, das in einer isolierenden Schicht auf der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL gebildet ist, mit einem Abschnitt der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein.
  • Jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromverbindungsabschnitten SPCP kann zwischen der Mehrzahl von Pixeln P, die jeweils die Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL überlappen, angeordnet sein und kann die gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL verbinden. In Bezug auf die zweite Richtung Y kann jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromverbindungsabschnitten SPCP gemäß einer Ausführungsform in einem Abschnitt zwischen der Mehrzahl von Pixeln P oder einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Pixeln P elektrisch mit einer entsprechenden sekundären Stromleitung SPL der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL verbunden sein und kann elektrisch mit einem Abschnitt der gemeinsamen Elektrode verbunden sein und kann somit die gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL verbinden. Deshalb kann die gemeinsame Elektrode CE durch jeden von der Mehrzahl von sekundären Stromverbindungsabschnitten SPCP zusätzlich mit jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL verbunden sein. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung die Verschlechterung der Bildqualität verhindern oder minimieren, die mittels einer Abweichung des Pixel-Gemeinsamer-Stroms, der jedem von den Pixeln P zugeführt wird, die in dem Anzeigebereich AA angeordnet sind, hervorgerufen wird. Ebenso kann, in der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung, obwohl ein erstes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1, das mit jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL verbunden ist, nicht zusätzlich angeordnet (oder gebildet) ist, in jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA der Pixel-Gemeinsamer-Strom der gemeinsamen Elektrode CE zugeführt werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren eine Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL können sich in der zweiten Richtung Y lang erstrecken und können in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 in der ersten Richtung X in einem vorher festgelegten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein. Jede von der Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL kann in einem zentralen Bereich von jedem von den Pixelbereichen PA, die in der zweiten Richtung Y angeordnet sind, angeordnet sein. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL zwischen einer ungeradzahligen Datenleitung DLo und einer geradzahligen Datenleitung DLe in jedem Pixelbereich PA angeordnet sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL kann in der ersten Richtung X in jedem Pixelbereich PA von zwei benachbarten Subpixeln ((SP1, SP2) (SP3, SP4)) geteilt werden. Zu diesem Zweck kann jede von der Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL eine Referenzzweigleitung RDL aufweisen.
  • Die Referenzzweigleitung RDL kann in der ersten Richtung X in jedem Pixelbereich PA zu den zwei benachbarten Subpixeln ((SP1, SP2) (SP3, SP4)) abzweigen (oder hervorstehen) und kann elektrisch mit den zwei benachbarten Subpixeln ((SP1, SP2) (SP3, SP4)) verbunden sein.
  • Der erste Padbereich 110 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren einen ersten Referenzstrom-Padbereich aufweisen.
  • Der erste Referenzstrom-Padbereich kann eine Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1 kann mit einem Ende einer entsprechenden Referenzstromleitung RL der Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Beispielsweise kann jedes von der Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1 zwischen zwei ersten Datenpads DP1, die in jedem von einer Mehrzahl von äußersten Pixelbereichen PAo angeordnet sind, angeordnet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Der erste Referenzstrom-Padbereich kann mit dem Referenzstrom-Verdrahtungsabschnitt, der in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet ist, verbunden sein. Jedes von der Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1, die in dem ersten Referenzstrom-Padbereich angeordnet sind, kann mit einem Ende einer entsprechenden Referenzstrom-Verdrahtungsleitung 490 der Mehrzahl von Referenzstrom-Verdrahtungsleitungen 490, die in dem Verdrahtungsabschnitt 490 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Deshalb kann jede von der Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, durch ein entsprechendes erstes Referenzstrompad RPP1 der Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1 elektrisch mit einer entsprechenden Referenzstrom-Verdrahtungsleitung 490 der Mehrzahl von Referenzstrom-Verdrahtungsleitung 490 verbunden sein.
  • Optional können die Mehrzahl von Referenzstromleitungen RL, die Referenzzweigleitung RDL, die Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1 und die Mehrzahl von Referenzstrom-Verdrahtungsleitungen 490 basierend auf einer Schaltkreisausgestaltung des Pixelschaltkreises PC weggelassen werden.
  • 8 ist ein Ersatzschaltbild, das ein in 4 und 6 dargestelltes Pixel darstellt, und ist ein Schaubild zum Beschreiben eines Pixelschaltkreises eines Subpixels. Beim Beschreiben der 8 werden Elemente, die gleich den Elementen der 4 bis 7 sind oder diesen entsprechen, mittels gleicher Referenzzeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 8 kann ein Pixel P gemäß der vorliegenden Offenbarung ein erstes Subpixel SP1 bis viertes Subpixel SP4, die jeweils einen Pixelschaltkreis PC, eine Pixelelektrode PE und eine lichtemittierende Vorrichtung ED aufweisen, aufweisen.
  • Der Pixelschaltkreis PC, der in jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 der Pixel P angeordnet ist, kann in einem Schaltkreisbereich angeordnet sein und kann mit benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe, benachbarten Datenleitungen DLo und DLe, einer Referenzstromleitung RL und einer Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden sein. Der Pixelschaltkreis PC kann an der lichtemittierenden Vorrichtung ED einen Datenstrom bereitstellen, der einer Differenzspannung zwischen einem Datensignal, das durch die benachbarten Datenleitungen DLo und DLe zugeführt wird, und einer Referenzspannung, die durch die Referenzstromleitung RL zugeführt wird, in Antwort auf ein Abtastsignal, das durch die benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe zugeführt wird, entspricht, wodurch die lichtemittierende Vorrichtung ED Licht emittieren kann.
  • Der Pixelschaltkreis PC gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Schalt-TFT Tsw1, einen zweiten Schalt-TFT Tsw2, einen Speicherkondensator Cst und einen Ansteuerung-TFT Tdr aufweisen. In der folgenden Beschreibung kann ein Dünnschichttransistor als ein TFT bezeichnet werden.
  • Mindestens einer von dem ersten Schalt-TFT Tsw1, dem zweiten Schalt-TFT Tsw2 und dem Ansteuerungs-TFT Tdr kann ein N-Typ-TFT oder ein P-Typ-TFT sein. Mindestens einer von dem ersten Schalt-TFT Tsw1, dem zweiten Schalt-TFT Tsw2 und dem Ansteuerungs-TFT Tdr kann ein Amorphes-Silizium (a-Si)-TFT, ein Poly-Si-TFT, ein Oxid-TFT oder ein organischer TFT sein. Beispielsweise können, in dem Pixelschaltkreis PC, einige von dem ersten Schalt-TFT Tsw1, dem zweiten Schalt-TFT Tsw2 und dem Ansteuerungs-TFT Tdr ein TFT sein, der eine Halbleiterschicht (oder eine aktive Schicht), die ein Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS) aufweist, das eine exzellente Antwortcharakteristik aufweist, und der andere von dem ersten Schalt-TFT Tsw1, dem zweiten Schalt-TFT Tsw2 und dem Ansteuerungs-TFT Tdr kann ein TFT sein, der eine Halbleiterschicht (oder eine aktive Schicht), die ein Oxid aufweist, das gut in seiner Aus-Strom-Charakteristik ist. Der erste Schalt-TFT Tsw1, der zweite Schalt-TFT Tsw2 und der Ansteuerungs-TFT Tdr können verschiedene Größen (oder Kanalgrößen) aufweisen. Beispielsweise kann der Ansteuerungs-TFT Tdr eine Größe aufweisen, die größer ist als die von jedem von dem ersten Schalt-TFT Tsw1 und dem zweiten Schalt-TFT Tsw2, und der zweite Schalt-TFT Tsw2 kann eine Größe aufweisen, die größer ist als die des ersten Schalt-TFTs Tsw1.
  • Der erste Schalt-TFT Tsw1 kann eine Gate-Elektrode, die mit den benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit den benachbarten Datenleitungen DLo und DLe verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einem ersten Knoten (oder einer Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr) n1 verbunden ist, aufweisen. Der erste Schalt-TFT Tsw1 kann mittels eines Abtastsignals, das durch entsprechende Gate-Leitungen GLo und GLe zugeführt wird, eingeschaltet werden und kann ein Datensignal, das durch entsprechende Datenleitungen DLo und DLe zugeführt wird, zu dem ersten Knoten n1 (d.h. der Gate-Elektrode n1 des Ansteuerungs-TFTs Tdr) übertragen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, mit einer ungeradzahligen Gate-Leitung GLo verbunden sein, und die Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem dritten Subpixel SP3 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann mit einer geradzahligen Gate-Leitung GLe verbunden sein. Die erste Source/Drain-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem dritten Subpixel SP3 angeordnet ist, kann mit einer ungeradzahligen Datenleitung DLo verbunden sein, und die erste Source/Drain-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem zweiten Subpixel SP2 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann mit einer geradzahligen Datenleitung DLe verbunden sein.
  • Der zweite Schalt-TFT Tsw2 kann eine Gate-Elektrode, die mit den benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit einer benachbarten Referenzstromleitung RL verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten (oder einer Source-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr) n2 verbunden ist, aufweisen. Der zweite Schalt-TFT Tsw2 kann mittels eines Abtastsignals, das durch entsprechende Gate-Leitungen GLo und GLe zugeführt wird, eingeschaltet werden und kann eine Referenzspannung, die durch eine entsprechende Referenzzweigleitung RDL und eine Referenzstromleitung RL zugeführt wird, an die Source-Elektrode n2 des Ansteuerungs-TFTs Tdr übertragen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, mit einer ungeradzahligen Gate-Leitung GLo verbunden sein, und die Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem dritten Subpixel SP3 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann mit einer geradzahligen Gate-Leitung GLe verbunden sein. Die erste Source/Drain-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann durch eine entsprechende Referenzzweigleitung RDL gemeinsam mit einer benachbarten Referenzstromleitung RL verbunden sein.
  • Das Abtastsignal, das durch die Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1 zugeführt wird, und das Abtastsignal, das der Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2 zugeführt wird, können das gleiche Signal sein. Beispielsweise können die Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1 und die Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2 mit den gleichen Gate-Leitungen GLo und GLe verbunden sein. Deshalb können der erste Schalt-TFT Tsw1 und der zweite Schalt-TFT Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet sind, mittels eines Abtastsignals, das durch die ungeradzahlige Gate-Leitung GLo zugeführt wird, gleichzeitig eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. In ähnlicher Weise können der erste Schalt-TFT Tsw1 und der zweite Schalt-TFT Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem dritten Subpixel SP3 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet sind, mittels eines Abtastsignals, das durch die geradzahlige Gate-Leitung GLe zugeführt wird, gleichzeitig eingeschaltet oder ausgeschaltet werden.
  • Optional können das Abtastsignal, das der Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1 zugeführt wird, und das Abtastsignal, das der Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2 zugeführt wird, verschiedene Signale sein. Beispielsweise können die Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1 und die Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2 mit verschiedenen Gate-Leitungen GLo und GLe verbunden sein.
  • Jede von der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo und der geradzahligen Gate-Leitung GLe gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Gate-Leitung und eine zweite Gate-Leitung aufweisen.
  • Die erste Gate-Leitung der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo kann mit der Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, verbunden sein, und die zweite Gate-Leitung der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo kann mit der Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, verbunden sein.
  • Die erste Gate-Leitung der geradzahligen Gate-Leitung GLe kann mit der Gate-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem dritten Subpixel SP3 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, verbunden sein, und die zweite Gate-Leitung der geradzahligen Gate-Leitung GLe kann mit der Gate-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem dritten Subpixel SP3 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, verbunden sein.
  • Deshalb können der erste Schalt-TFT Tsw1 und der zweite Schalt-TFT Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 und dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet sind, mittels des gleichen Abtastsignals, das durch die erste Gate-Leitung und die zweite Gate-Leitung der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo zugeführt wird, eingeschaltet oder ausgeschaltet werden, oder können mittels verschiedener Abtastsignale, die durch die erste Gate-Leitung und die zweite Gate-Leitung der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo zugeführt werden, individuell eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. In ähnlicher Weise können der erste Schalt-TFT Tsw1 und der zweite Schalt-TFT Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem dritten Subpixel SP3 und dem vierten Subpixel SP4 angeordnet sind, mittels des gleichen Abtastsignals, das durch die erste Gate-Leitung und die zweite Gate-Leitung der geradzahligen Gate-Leitung GLe zugeführt wird, gleichzeitig eingeschaltet oder ausgeschaltet werden, oder können mittels verschiedener Abtastsignale, die durch die erste Gate-Leitung und die zweite Gate-Leitung der geradzahligen Gate-Leitung GLe zugeführt werden, individuell eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. Beispielsweise kann, in jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4, der erste Schalt-TFT Tsw1 basierend auf einem ersten Abtastsignal, das durch eine erste Gate-Leitung zugeführt wird, eingeschaltet werden, und der zweite Schalt-TFT Tsw2 kann basierend auf einem zweiten Abtastsignal, das durch eine zweite Gate-Leitung zugeführt wird, eingeschaltet werden.
  • Der zweite Schalt-TFT Tsw2, der in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann durch die Referenzstromleitung RL während eines Datenladezeitraums (oder Abschnitts) des Pixels P basierend auf einem externen Ermittlungsmodus durch die Referenzstromleitung RL eine Referenzspannung zu der Source-Elektrode n2 des Ansteuerungs-TFTs Tdr übertragen und kann während eines Ermittlungszeitraums (oder Abschnitts) des Pixels P einen Strom, der in der Source-Elektrode n2 des Ansteuerungs-TFTs Tdr fließt, zu der Referenzstromleitung RL übertragen, und in diesem Falle kann die Ansteuerungsschaltkreiseinheit zum Erzeugen von Kompensationsdaten zum Kompensieren einer Eigenschaftsvariation des Ansteuerungs-TFTs Tdr den der Referenzstromleitung RL zugeführten Strom ermitteln und kann auf der Basis der erzeugten Kompensationsdaten Pixeldaten modulieren. Beispielsweise kann die Eigenschaftsvariation des Ansteuerungs-TFTs Tdr eine Verschiebung einer Schwellenspannung und/oder einer Beweglichkeit aufweisen.
  • Der Speicherkondensator Cst kann in einem Überlappungsbereich zwischen der Gate-Elektrode n1 und der Source-Elektrode n2 des Ansteuerungs-TFTs Tdr bereitgestellt sein. Der Speicherkondensator Cst kann eine erste Kondensatorelektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr verbunden ist, eine zweite Kondensatorelektrode, die mit der Source-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr verbunden ist, und eine dielektrische Schicht, die in einem Überlappungsbereich zwischen der ersten Kondensatorelektrode und der zweiten Kondensatorelektrode gebildet ist, aufweisen. Der Speicherkondensator Cst kann mit einer Differenzspannung zwischen der Gate-Elektrode n1 und der Source-Elektrode n2 des Ansteuerungs-TFTs Tdr geladen werden und kann dann auf der Basis einer geladenen Spannung den Ansteuerungs-TFT Tdr einschalten oder ausschalten.
  • Der Ansteuerungs-TFT Tdr kann eine Gate-Elektrode (oder einen Gate-Knoten) n1, der mit der zweiten Source/Drain-Elektrode des ersten Schalt-TFTs Tsw1 und der ersten Kondensatorelektrode des Speicherkondensator Cst verbunden ist, eine Source-Elektrode (oder einen Source-Knoten), die mit der zweiten Source/Drain-Elektrode des zweiten Schalt-TFTs Tsw2, der zweiten Kondensatorelektrode des Speicherkondensators Cst und einer Pixelelektrode PE gemeinsam verbunden ist, und eine Drain-Elektrode (oder einen Drain-Knoten), die mit einer benachbarten Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden ist, aufweisen.
  • Die Drain-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann durch eine Stromverteilungsleitung PSL mit einer benachbarten Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden sein. Die Stromverteilungsleitung PSL kann parallel zu der ersten Richtung X von der benachbarten Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL, die benachbart dazu ist, abzweigen und kann in einem zentralen Bereich des Pixels P angeordnet sein. Der Ansteuerungs-TFT Tdr kann basierend auf einer Spannung des Speicherkondensators Cst eingeschaltet werden und kann die Menge des Stroms, der von der Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL zu der lichtemittierenden Vorrichtung ED fließt, steuern.
  • Die Ansteuerungs-TFTs Tdr, die jeweils in den Pixelschaltkreisen PC des ersten Subpixels SP1 bis vierten Subpixels SP4 angeordnet sind, können auf der Basis der Emissionsausbeute einer entsprechenden lichtemittierenden Vorrichtung ED verschiedene Größen (oder Kanalgrößen) aufweisen. Beispielsweise kann der Ansteuerungs-TFT Tdr des ersten Subpixels (oder eines roten Subpixels) SP1 eine Größe aufweisen, die größer ist als die des Ansteuerungs-TFTs Tdr von jedem von dem zweiten Subpixel SP2 bis vierten Subpixel SP4, der Ansteuerungs-TFT Tdr des vierten Subpixels (oder eines grünen Subpixels) SP4 kann eine Größe aufweisen, die größer ist als die des Ansteuerungs-TFTs Tdr von jedem von dem zweiten Subpixel SP2 und dem dritten Subpixel SP3, und der Ansteuerungs-TFT Tdr des zweiten Subpixels (oder eines blauen Subpixels) SP2 kann eine Größe aufweisen, die größer ist als die des Ansteuerungs-TFTs Tdr des dritten Subpixels (oder eines weißen Subpixels) SP3.
  • Optional können, in jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4, der Pixelschaltkreis PC, der den ersten Schalt-TFT Tsw1, den zweiten Schalt-TFT Tsw2, den Speicherkondensator Cst und den Ansteuerungs-TFT Tdr aufweist, als ein Pixel-Ansteuerungschip, der in einem Schaltkreisbereich CA eines entsprechenden Pixelbereichs PA angeordnet ist, ausgeführt sein und mit dazu benachbarten Gate-Leitungen GLo und GLe, dazu benachbarten Datenleitungen DLo und DLe und der Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden sein. Ein derartiger Pixel-Ansteuerungschip kann ein Datensignal, das von entsprechenden Datenleitungen DLo und DLe in Antwort auf ein Abtastsignal, das von entsprechenden Gate-Leitungen GLo und GLe zugeführt wird, zugeführt wird, samplen und kann der Pixelelektrode PE einen Datenstrom, der einem gesampelten Datensignal entspricht, zuführen.
  • Die Pixelelektrode PE kann in einem Emissionsbereich von jedem von dem ersten Subpixel SP1 bis vierten Subpixel SP4 angeordnet sein und kann mit der Drain-Elektrode eines Ansteuerungs-TFTs Tdr, der in einem entsprechenden Pixelschaltkreis PC angeordnet ist, verbunden sein.
  • Basierend auf einer Auflösung der Anzeigevorrichtung 10 kann die Pixelelektrode PE derart in einem entsprechenden Subpixelbereich angeordnet sein, dass sie den Pixelschaltkreis PC nicht überlappt oder dass sie einen Abschnitt des Pixelschaltkreises PC oder den gesamten Pixelschaltkreis PC überlappt. Beispielsweise kann, wie in einer der 2A bis 2C dargestellt, die Pixelelektrode PE derart in einem Subpixelbereich angeordnet sein, dass sie einen Abschnitt des Schaltkreisbereiches CA oder den gesamten Schaltkreisbereich CA überlappt.
  • Die Pixelelektrode PE gemäß einer Ausführungsform kann in einem Subpixelbereich derart angeordnet sein, dass sie den Pixelschaltkreis PC nicht überlappt. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PE nahe an einem zentralen Abschnitt des Pixels P in dem Subpixelbereich angeordnet sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Pixelelektrode PE in dem Subpixelbereich derart angeordnet sein, dass sie einen Abschnitt des Pixelschaltkreises PC überlappt. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PE nahe an dem zentralen Abschnitt des Pixels P in dem Subpixelbereich derart angeordnet sein, dass sie einen Abschnitt des Pixelschaltkreises PC überlappt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Pixelelektrode PE in dem Subpixelbereich derart angeordnet sein, dass sie den gesamten Pixelschaltkreis PC überlappt. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PE derart in dem gesamten Subpixelbereich angeordnet sein, dass sie den gesamten Pixelschaltkreis PC überlappt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann auf der Pixelelektrode PE angeordnet sein und kann elektrisch mit der Pixelelektrode PE verbunden sein. Ebenso kann die lichtemittierende Vorrichtung ED elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode verbunden sein. Das bedeutet, dass die lichtemittierende Vorrichtung ED zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode angeordnet sein kann. Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann mit einem Datenstrom, der von einem entsprechenden Pixelschaltkreis PC zugeführt wird, Licht emittieren. Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann mit einem Datenstrom, der von einem entsprechenden Pixelschaltkreis PC zugeführt wird, Licht emittieren und kann das Licht auf einen Abschnitt über einer ersten Oberfläche des ersten Substrats 100 abstrahlen. Die lichtemittierende Vorrichtung ED gemäß einer Ausführungsform kann eine oben beschriebene selbst-lichtemittierende Vorrichtung aufweisen.
  • Optional kann, in dem Pixelschaltkreis PC gemäß einer Ausführungsform, der zweite Schalt-TFT Tsw2 basierend auf einer Ansteuerungsweise (oder Betriebsweise) des Pixels P weggelassen werden, und in diesem Falle kann die auf dem ersten Substrat 100 angeordnete Referenzstromleitung RL ebenfalls weggelassen werden.
  • 9 ist ein Schaubild, das ein in 5 dargestelltes zweites Substrat darstellt, und 10 ist eine vergrößerte Ansicht eines in 9 dargestellten Bereichs „B3“. Beim Beschreiben von 9 und 10 werden wiederholende Beschreibungen von Elementen, die gleich sind zu den Elementen der 4 bis 8 oder diesen entsprechen, weggelassen werden oder werden im Weiteren kurz angegeben.
  • Bezugnehmend auf 5, 6, 9 und 10 kann ein zweites Substrat 200 gemäß der vorliegenden Offenbarung einen zweiten Padbereich 210 aufweisen.
  • Der zweite Padbereich 210 kann an einem ersten Kantenabschnitt von der zweiten Oberfläche 200b des zweiten Substrats 200 parallel zu der ersten Richtung X derart angeordnet sein, dass er den ersten Padbereich 110, der auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, überlappt. Der zweite Padbereich 210 kann eine Mehrzahl von zweiten Pads, die parallel zueinander an dem ersten Kantenabschnitt des zweiten Substrats 200 in der ersten Richtung X angeordnet sind, aufweisen. Die Mehrzahl von zweiten Pads können in eine Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2, eine Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2, eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2 und eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Der zweite Padbereich 210 gemäß einer Ausführungsform kann einen zweiten Datenpadbereich, einen zweiten Gate-Padbereich, einen zweiten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich und einen zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich aufweisen.
  • Der zweite Datenpadbereich kann durch den Verdrahtungsabschnitt 400 elektrisch mit dem ersten Datenpadbereich des ersten Padbereichs 110 verbunden sein.
  • Der zweite Datenpadbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2 kann derart angeordnet sein, dass ein entsprechendes erstens Datenpad DP1 der Mehrzahl von ersten Datenpads DP1, die in dem ersten Padbereich 110 des ersten Substrats 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) überlappt. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2 gemäß einer Ausführungsform kann durch eine entsprechende Datenverdrahtungsleitung 410 der Mehrzahl von Datenverdrahtungsleitungen 410 aus der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, mit einem entsprechenden ersten Datenpad DP1 der Mehrzahl von ersten Datenpads DP1 einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Dementsprechend kann jedes von der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2 durch eine entsprechende Datenverdrahtungsleitung 410 und ein entsprechendes erstes Datenpad DP1 elektrisch mit entsprechenden Datenleitungen DLo und DLe elektrisch verbunden sein.
  • Der zweite Gate-Padbereich kann durch den Verdrahtungsabschnitt 400 mit dem ersten Gate-Padbereich des ersten Padbereichs 110 elektrisch verbunden sein.
  • Der zweite Gate-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2 kann derart angeordnet sein, dass es ein entsprechendes erstes Gate-Pad GP1 der Mehrzahl von ersten Gate-Pads GP1, die in dem ersten Padbereich 110 des ersten Substrats 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) überlappt. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2 gemäß einer Ausführungsform kann mit dem anderen Ende einer entsprechenden Gate-Verdrahtungsleitung 430 der Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 aus der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Dementsprechend kann jedes von der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2 durch eine entsprechende Gate-Verdrahtungsleitung 430 und ein entsprechendes erstes Gate-Pad GP1 elektrisch mit einer entsprechenden Gate-Steuerleitung, die in einer Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, verbunden sein.
  • Die Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2 gemäß einer Ausführungsform können in ein zweites Startsignalpad, eine Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads, mindestens ein zweites Gate-Ansteuerungsstrompad und mindestens ein zweites Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Das zweite Startsignalpad kann elektrisch mit einer Startsignal-Verdrahtungsleitung, die in einem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet ist, verbunden sein. Deshalb kann das zweite Startsignalpad durch ein entsprechendes erstes Startsignalpad und eine entsprechende Startsignal-Verdrahtungsleitung aus der Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 elektrisch mit einer entsprechenden Startsignalleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, verbunden sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads kann elektrisch mit einer entsprechenden Verschiebetakt-Verdrahtungsleitung der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verdrahtungsleitungen, die in dem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet sind, verbunden sein. Deshalb kann jedes von der Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads durch ein entsprechendes erstes Verschiebetaktpad und eine entsprechende Verschiebetakt-Verdrahtungsleitung aus der Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 elektrisch mit einer entsprechenden Verschiebetaktleitung der Mehrzahl von Verschiebetaktleitungen, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten sind, verbunden sein.
  • Das mindestens eine zweite Gate-Ansteuerungsstrompad kann elektrisch mit der mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung, die in dem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet ist, verbunden sein. Deshalb kann das mindestens eine zweite Gate-Ansteuerungsstrompad durch ein entsprechendes erstes Gate-Ansteuerungsstrompad und eine entsprechende Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung aus der Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 elektrisch mit der Gate-Ansteuerungsstromleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, verbunden sein.
  • Die mindestens eine zweite Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad kann elektrisch mit der mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung, die in dem Gate-Verdrahtungsabschnitt des Verdrahtungsabschnitts 400 angeordnet ist, verbunden sein. Deshalb kann das mindestens eine zweite Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad durch ein entsprechendes erstes Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad und eine entsprechende Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung aus der Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen 430 elektrisch mit der Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, verbunden sein.
  • Der zweite Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich kann durch den Verdrahtungsabschnitt 400 elektrisch mit dem ersten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich des ersten Padbereichs 110 verbunden sein.
  • Der zweite Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2 kann derart angeordnet sein, dass es ein entsprechendes erstes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1 der Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1, die in dem ersten Padbereich 110 des ersten Substrats 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) überlappt. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2 gemäß einer Ausführungsform kann durch eine entsprechende Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung 450 der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen 450 aus der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 enthalten sind, mit einem entsprechenden ersten Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1 der Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP1 einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Dementsprechend kann jedes von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2 durch eine entsprechende Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung 450 und ein entsprechendes erstes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1 elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL verbunden sein.
  • Der zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich kann durch den Verdrahtungsabschnitt 400 elektrisch mit dem ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich des ersten Padbereichs 110 verbunden sein.
  • Der zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 aufweisen. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 kann derart angeordnet sein, dass es ein entsprechendes erstes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1 der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1, die in dem ersten Padbereich 110 des ersten Substrats 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) überlappt. Jedes von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 gemäß einer Ausführungsform kann durch eine entsprechende Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung 470 der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen 470 aus der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen, die in dem Verdrahtungsabschnitt 400 angeordnet sind, mit einem entsprechenden ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1 der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1 einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Dementsprechend kann jedes von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 durch eine entsprechende Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung 470 und ein entsprechendes erstes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP1 elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein.
  • Der zweite Padbereich 210 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Padgruppen PG aufweisen, die in der Reihenfolge eines zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2, zwei zweiten Datenpads DP2, einem zweiten Gate-Pad GP2, einem zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP2, zwei zweiten Datenpads 2 und einem zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP2 entlang der ersten Richtung X derart angeordnet sind, dass sie zu der Anordnungsreihenfolge der Pads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, gleich ist (oder dieser entsprechen). Beispielsweise kann die Mehrzahl von Padgruppen PG eine erste Padgruppe PG 1, die ein zweites Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP2, zwei zweite Datenpads DP2 und ein zweites Gate-Pad GP2, die durchgehend entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, und eine zweite Padgruppe PG 2, die ein zweites Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP2, zwei zweite Datenpads DP2 und ein zweites Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP2, die durchgehend entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, aufweisen.
  • Der zweite Padbereich 210 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren einen zweiten Referenzstrom-Padbereich aufweisen.
  • Der zweite Referenzstrom-Padbereich kann durch den Verdrahtungsabschnitt 400 elektrisch mit dem ersten Referenzstrom-Padbereich des ersten Padbereichs 110 verbunden sein.
  • Der zweite Referenzstrom-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2 aufweisen. Jedes der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2 kann derart angeordnet sein, dass es ein entsprechendes erstes Referenzstrompad RPP1 der Mehrzahl von ersten Referenzstrompads RPP1, die in dem ersten Padbereich 110 des ersten Substrats 100 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) überlappt. Dementsprechend kann jedes von der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2 durch eine entsprechende Referenzstrom-Verdrahtungsleitung 490 und ein entsprechendes erstes Referenzstrompad RPP1 elektrisch mit einer entsprechenden Referenzstromleitung RL verbunden sein.
  • Das zweite Substrat 200 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren einen dritten Padbereich 230 und einen Verbindungsleitungsabschnitt 250 aufweisen.
  • Der dritte Padbereich 230 kann auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann der dritte Padbereich 230 bei einem zentralen Abschnitt benachbart zu dem ersten Kantenabschnitt der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein.
  • Der dritte Padbereich 230 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von dritten Pads (oder Eingabepads), die entlang der ersten Richtung X in einem bestimmten Abstand entfernt voneinander angeordnet sind, aufweisen. Die Mehrzahl von dritten Pads kann in eine Mehrzahl von dritten Datenpads DP3, ein drittes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP3, eine Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 und eine Mehrzahl von dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP3 unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Der dritte Padbereich 230 gemäß einer Ausführungsform kann einen dritten Datenpadbereich, einen dritten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich, einen dritten Gate-Padbereich und einen dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich aufweisen.
  • Der dritte Padbereich 230 kann einen ersten Bereich (oder einen zentralen Bereich), der den dritten Datenpadbereich und den dritten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich, aufweist, einen zweiten Bereich (oder einen Bereich), der den dritten Gate-Padbereich aufweist, und einen dritten Bereich (oder den anderen Bereich), der den dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich aufweist, aufweisen.
  • Der dritte Datenpadbereich kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 elektrisch mit dem zweiten Datenpadbereich des zweiten Padbereichs 210 verbunden sein.
  • Der dritte Datenpadbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 aufweisen. Die Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 können in der ersten Richtung X parallel in einem ersten Bereich des dritten Padbereichs 230 in einem bestimmten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 gemäß einer Ausführungsform kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 mit einem entsprechenden zweiten Datenpad DP2 aus der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Jedem von der Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 kann von dem Ansteuerung-IC 530 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Datensignal zugeführt werden. Das Datensignal gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Datenpad DP3 aus einer Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 und dem Verbindungsleitungsabschnitt 250 jedem von der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, zugeführt werden.
  • Der dritte Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 in einem bestimmten Abstand mit dem zweiten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 verbunden sein.
  • Der dritte Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 aufweisen. Die Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 kann entlang der ersten Richtung X parallel in einem ersten Bereich des dritten Padbereichs 230 in einem bestimmten Abstand entfernt voneinander angeordnet seien.
  • Jedes von der Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 gemäß einer Ausführungsform kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 mit einem entsprechenden zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP2 aus der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Beispielsweise kann jedem von der Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 von dem Ansteuerung-IC 530 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Pixel-Ansteuerungsstrom zugeführt werden. Der Pixel-Ansteuerungsstrom gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP3 der Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 jedem von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, zugeführt werden.
  • Die Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 und die Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 können in dem ersten Bereich des dritten Padbereichs 230 parallel in der gleichen Reihenfolge wie die Anordnungsreihenfolge der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2 und der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, angeordnet sein.
  • Der dritte Gate-Padbereich kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 mit dem zweiten Gate-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 elektrisch verbunden sein.
  • Der dritte Gate-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 aufweisen. Die Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 kann entlang der ersten Richtung X parallel in einem zweiten Bereich des dritten Padbereichs 230 parallel in einem bestimmten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 gemäß einer Ausführungsform kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 mit einem entsprechenden zweiten Gate-Pad GP2 aus der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Beispielsweise kann jedem von der Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 von der Zeitablaufsteuerung 570 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Gate-Steuersignal zugeführt werden. Das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Gate-Pad GP3 der Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 und den Verbindungsleitungsabschnitt 240 jedem von der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, zugeführt werden.
  • Die Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 gemäß einer Ausführungsform können in ein drittes Startsignalpad, eine Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads, mindestens ein drittes Gate-Ansteuerungsstrompad und mindestens ein drittes Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Das dritte Startsignalpad kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 elektrisch mit dem zweiten Startsignal Pad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, verbunden sein. Beispielsweise kann dem dritten Startsignalpad von der Zeitablaufsteuerung 570 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Startsignal (oder ein Startimpuls) zugeführt werden. Das Startsignal gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes Startsignalpad aus der Mehrzahl von dritten Startsignalpads und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 dem zweiten Startsignalpad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, zugeführt werden.
  • Jedes von der Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 elektrisch mit einem entsprechenden zweiten Verschiebetaktpad aus der Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, verbunden sein. Beispielsweise kann jedem von der Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads von der Zeitablaufsteuerung 570 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 einer von einer Mehrzahl von Gate-Verschiebetakten zugeführt werden. Jeder von der Mehrzahl von Gate-Verschiebetakten gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Verschiebetaktpad aus der Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 dem zweiten Verschiebetaktpad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, zugeführt werden.
  • Das mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrompad kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 elektrisch mit dem mindestens einen zweiten Gate-Ansteuerungsstrompad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, verbunden sein. Beispielsweise kann dem mindestens einen dritten Gate-Ansteuerungsstrompad von der Ansteuerungsstromeinheit 590 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Gate-Ansteuerungsstrom zugeführt werden. Der Gate-Ansteuerungsstrom gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Gate-Ansteuerungsstrompad aus der Mehrzahl von dritten Gate-Ansteuerungsstrompads und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 dem zweiten Gate-Ansteuerungsstrompad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, zugeführt werden.
  • Das mindestens eine dritte Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 elektrisch mit dem mindestens einen zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, verbunden sein. Beispielsweise kann dem mindestens einen dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad von der Stromschaltkreiseinheit 590 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Gate-Gemeinsamer-Strom zugeführt werden. Der Gate-Gemeinsamer-Strom gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad aus der Mehrzahl von dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pads und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 dem zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, zugeführt werden.
  • Der dritte Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich kann mindestens ein drittes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3 aufweisen. Das mindestens eine dritte Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3 kann in einem dritten Bereich des dritten Padbereichs 230 angeordnet sein.
  • Das mindestens eine dritte Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3 kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 mit einem entsprechenden zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP2, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Beispielsweise kann dem mindestens einen dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3 von der Stromschaltkreiseinheit 590 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Pixel-Gemeinsamer-Strom zugeführt werden. Der Pixel-Gemeinsamer-Strom gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3 aus der Mehrzahl von dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP3 und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 jedem von der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, zugeführt werden.
  • Der dritte Padbereich 230 kann des Weiteren einen ersten Dummy-Bereich, der zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich angeordnet ist und eine Mehrzahl von Dummy-Pads aufweist, und einen zweiten Dummy-Bereich, der zwischen dem ersten Bereich und dem dritten Bereich angeordnet ist und eine Mehrzahl von Dummy-Pads aufweist, aufweisen.
  • Der dritte Padbereich 230 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen dritten Referenzstrom-Padbereich aufweisen.
  • Der dritte Referenzstrom-Padbereich kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 elektrisch mit dem zweiten Referenzstrom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 verbunden sein.
  • Der dritte Referenzstrom-Padbereich gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 aufweisen. Die Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 können entlang der ersten Richtung X parallel in dem ersten Bereich des dritten Padbereichs 230 in einem bestimmten Abstand entfernt voneinander angeordnet sein.
  • Jedes von der Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 gemäß einer Ausführungsform kann durch den Verbindungsleitungsabschnitt 250 mit einem entsprechenden zweiten Referenzstrompad RPP2 aus der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbunden sein. Beispielsweise kann jedem von der Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 von dem Ansteuerung-IC 530 der Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 ein Referenzstrom zugeführt werden. Der Referenzstrom gemäß einer Ausführungsform kann durch ein entsprechendes drittes Referenzstrompad RPP3 aus der Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 jedem von der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, zugeführt werden.
  • Jedes von der Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3, der Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 und der Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 in dem ersten Bereich des dritten Padbereichs 230 kann in der gleichen Reihenfolge wie die Anordnungsreihenfolge der Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2, der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2 und der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, parallel angeordnet sein.
  • Der Verbindungsleitungsabschnitt 250 kann zwischen dem zweiten Padbereich 210 und dem dritten Padbereich 230 angeordnet sein. Der Verbindungsleitungsabschnitt 250 kann eine Mehrzahl von Verbindungsleitungen, die die zweiten Pads des zweiten Padbereichs 210 einzeln (oder jeweils) mit den dritten Pads des dritten Padbereichs 230 verbinden, aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Verbindungsleitungen gemäß einer Ausführungsform können in eine Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen 251, eine Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253, eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen 255 und eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257 unterteilt (oder klassifiziert) sein. Deshalb kann der Verbindungsleitungsabschnitt 250 eine Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen 251, eine Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253, eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen 255 und eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257 aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Verbindungsleitungsabschnitt 250 einen Datenverbindungsabschnitt, einen Gate-Verbindungsabschnitt, einen Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsabschnitt und einen Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsabschnitt aufweisen.
  • Der Datenverbindungsabschnitt (oder ein erster Verbindungsabschnitt) kann den zweiten Datenpadbereich des zweiten Padbereichs 210 elektrisch mit dem dritten Datenpadbereich des dritten Padbereichs 230 verbinden.
  • Der Datenverbindungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen 251 aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen (oder ersten Verbindungsleitungen) 251 kann ein entsprechendes zweites Datenpad der Mehrzahl von zweiten Datenpads DP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, mit einem entsprechenden dritten Datenpad der Mehrzahl von dritten Datenpads DP3, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden. Dementsprechend kann ein Datensignal, das jedem von der Mehrzahl von dritten Datenpads DP3 zugeführt wird, durch eine entsprechende Datenverbindungsleitung 251 einem entsprechenden zweiten Datenpad DP2 zugeführt werden und kann durch eine entsprechende Datenverdrahtungsleitung 410 und ein entsprechendes erstes Datenpad DP1 entsprechenden Datenleitung DLo und DLe zugeführt werden.
  • Der Gate-Verbindungsabschnitt (oder ein zweiter Verbindungsabschnitt) kann den zweiten Gate-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 elektrisch mit dem dritten Gate-Padbereich des dritten Padbereichs 230 verbinden.
  • Der Gate-Verbindungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen (oder zweiten Verbindungsleitungen) 253 kann ein entsprechendes zweites Gate-Pad der Mehrzahl von zweiten Gate-Pads GP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, mit einem entsprechenden dritten Gate-Pad der Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden. Dementsprechend kann ein Gate-Steuersignal, das jedem von der Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3 zugeführt wird, durch eine entsprechende Gate-Verbindungsleitung 253 einem entsprechenden zweiten Gate-Pad GP2 zugeführt werden und kann durch eine entsprechende Gate-Verdrahtungsleitung 430 und ein entsprechendes erstes Gate-Pad GP1 einer entsprechenden Gate-Verbindungsleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Die Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 gemäß einer Ausführungsform können in eine Startsignal-Verbindungsleitung 253a, eine Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d unterteilt (klassifiziert) sein. Dementsprechend kann der Gate-Verbindungsabschnitt die Startsignal-Verbindungsleitung 253a, die Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b, die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c und die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d aufweisen.
  • Die Startsignal-Verbindungsleitung 253a kann das zweite Startsignalpad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, elektrisch mit dem dritten Startsignalpad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, verbinden. Dementsprechend kann ein Startsignal, das dem dritten Startsignalpad zugeführt wird, durch die Startsignal-Verbindungsleitung dem zweiten Startsignalpad zugeführt werden und kann durch die Startsignal-Verdrahtungsleitung und das erste Startsignalpad einer entsprechenden Startsignalleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Jede von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b kann ein entsprechendes zweites Verschiebetaktpad der Mehrzahl von zweiten Verschiebetaktpads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, elektrisch mit einem entsprechenden dritten Verschiebetaktpad der Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, verbinden. Dementsprechend kann ein Gate-Verschiebetakt, der jedem von der Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads zugeführt wird, durch eine entsprechende Verschiebetakt-Verbindungsleitung 253b einem entsprechenden zweiten Verschiebetaktpad zugeführt werden und kann durch die Verschiebetakt-Verdrahtungsleitung und das erste Verschiebetaktpad einer entsprechenden Verschiebetaktleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c kann das mindestens eine zweite Gate-Ansteuerungsstrompad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, elektrisch mit dem mindestens einen dritten Gate-Ansteuerungsstrompad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, verbinden. Dementsprechend kann ein Gate-Ansteuerungsstrom, der dem dritten Gate-Ansteuerungsstrompad zugeführt wird, durch die Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c dem zweiten Gate-Ansteuerungsstrompad zugeführt werden und kann durch die Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung und das erste Gate-Ansteuerungsstrompad der Gate-Ansteuerungsstromleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d kann das mindestens eine zweite Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet ist, elektrisch mit dem mindestens einen dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, das in den drittem Padbereich 230 angeordnet ist, verbinden. Dementsprechend kann ein Gate-Gemeinsamer-Strom, der dem dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad zugeführt wird, durch die Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d dem zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad zugeführt werden und kann durch die Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung und das erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad der Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zuführen.
  • Der Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsabschnitt (oder ein dritter Verbindungsabschnitt) kann den zweiten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 elektrisch mit dem dritten Pixel-Ansteuerungsstrom-Padbereich des dritten Padbereichs 230 verbinden.
  • Der Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen 255 aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen (oder dritten Verbindungsleitungen) 255 kann die Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden. Dementsprechend kann ein Pixel-Ansteuerungsstrom, der jedem von der Mehrzahl von dritten Pixel-Ansteuerungsstrompads PPP3 zugeführt wird, durch eine entsprechende Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 255 einem entsprechenden zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP2 zugeführt werden und kann durch die Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung 450 und das erste Pixel-Ansteuerungsstrompad PPP1 einer entsprechenden Pixel-Ansteuerungsstromleitung PL zugeführt werden.
  • Die Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen 251, die Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 und die Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen 255 können jeweils einen ersten Leitungsabschnitt, der mit dem zweiten Padbereich 210 verbunden ist, einen zweiten Leitungsabschnitt, der mit dem dritten Padbereich 230 verbunden ist, und einen dritten Leitungsabschnitt, der zwischen den ersten Leitungsabschnitt und den zweiten Leitungsabschnitt geschaltet ist, aufweisen. Jeder von dem ersten Leitungsabschnitt und dem zweiten Leitungsabschnitt kann eine geradlinige Form aufweisen, und der dritte Leitungsabschnitt kann eine nicht-geradlinige Form aufweisen. Beispielsweise kann der dritte Leitungsabschnitt eine diagonale Form, die einem kürzesten Pfad zwischen dem ersten Leitungsabschnitt und dem zweiten Leitungsabschnitt entspricht, aufweisen.
  • Der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsabschnitt (oder ein vierter Verbindungsabschnitt) kann den zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 mit dem dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Padbereich des dritten Padbereichs 230 elektrisch verbinden.
  • Der Pixel-Gemeinsamer-Stromverbindungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257 aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitungen (oder vierten Verbindungsleitungen) 257 kann die Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, mit der Mehrzahl von dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP3, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, gemeinsam verbinden. Dementsprechend kann ein Pixel-Gemeinsamer-Strom, der jedem von dem mindestens einen dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3 zugeführt wird, durch die Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257 der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 zugeführt werden, durch eine entsprechende Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen 470 und ein entsprechendes erstes Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP1 jeder von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL zugeführt werden und durch jeden von der Mehrzahl von Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitten CPCP der gemeinsamen Elektrode CE zugeführt werden.
  • Die Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 254 gemäß einer Ausführungsform kann eine erste gemeinsame Verbindungsleitung 257a, eine zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b und eine Mehrzahl von dritten gemeinsamen Verbindungsleitungen 257c aufweisen.
  • Die erste gemeinsame Verbindungsleitung 257a kann mit dem mindestens einen dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, gemeinsam verbunden sein. Beispielsweise kann die erste gemeinsame Verbindungsleitung 257a an einem Eckabschnitt der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein.
  • Die erste gemeinsame Verbindungsleitung 257a kann derart zwischen dem zweiten Padbereich 210 und dem dritten Padbereich 230 auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein, dass sie eine relativ breite Größe (oder Fläche) aufweist, so dass der Spannungsabfall des Pixel-Gemeinsamer-Stroms, der daran angelegt wird, minimiert ist. Eine Größe der ersten gemeinsamen Verbindungsleitung 257a gemäß einer Ausführungsform kann in einer Richtung von einer Seite davon zu der anderen Seite davon allmählich zunehmen. Beispielsweise kann eine Größe der ersten gemeinsamen Verbindungsleitung 257a gemäß einer Ausführungsform in einer Richtung von dem dritten Padbereich 230 zu der äußeren Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 allmählich zunehmen.
  • In der ersten gemeinsamen Verbindungsleitung 257a gemäß einer Ausführungsform kann eine Seite davon, die an den dritten Padbereich 230 angrenzt, mit dem mindestens einen dritten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad CPP3, das in dem dritten Padbereich 32 angeordnet ist, gemeinsam verbunden sein, und die andere Seite davon, die an den zweiten Padbereich 210 angrenzt, kann die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b überlappen. Beispielsweise kann die erste gemeinsame Verbindungsleitung 257a auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 zusammen mit der Datenverbindungsleitung 251 oder der Gate-Verbindungsleitung 253 angeordnet sein.
  • Die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b kann an dem ersten Kantenabschnitt der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 derart angeordnet sein, dass sie den ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 überlappt und an den zweiten Padbereich 210 angrenzt. Die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b gemäß einer Ausführungsform kann parallel zu der ersten Richtung X derart angeordnet sein, dass sie allen Pads, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, gegenüberliegt. Beispielsweise kann die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b eine Stabform aufweisen, die eine relativ breite Größe (oder Fläche) aufweist, zum Minimieren des Spannungsabfalls der Pixel-Gemeinsamer-Spannung, die an die Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257 angelegt ist.
  • Die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b kann jede von der Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen 255, der Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen 251 und der Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 überlappen. Beispielsweise kann die Datenverbindungsleitung 251 auf der Gate-Verbindungsleitung 253 angeordnet sein, und die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b kann auf der Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 255 angeordnet sein. Ebenso kann die Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 255 auf der Gate-Verbindungsleitung 253 zusammen mit der Datenverbindungsleitung 251 angeordnet sein.
  • Eine Seite der zweiten gemeinsamen Verbindungsleitung 257b kann durch ein Verbindungskontaktloch 257h elektrisch mit der anderen Seite der ersten gemeinsamen Verbindungsleitung 257a verbunden sein.
  • Jede von der Mehrzahl von dritten gemeinsamen Verbindungsleitungen 257c kann mit der zweiten gemeinsamen Verbindungsleitung 257b gemeinsam verbunden sein und kann mit einem entsprechenden zweiten Pad aus der Mehrzahl von zweiten Pads verbunden sein. Jede von der Mehrzahl von dritten gemeinsamen Verbindungsleitungen 257c gemäß einer Ausführungsform kann sich in einer Richtung von der anderen Seite der zweiten gemeinsamen Verbindungsleitung 257b zu der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, erstrecken (oder hervorstehen) und kann elektrisch mit einem entsprechenden zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pad der Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads CPP2 verbunden sein. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von dritten gemeinsamen Verbindungsleitungen 257c zusammen mit der zweiten gemeinsamen Verbindungsleitung 257b gebildet sein. Ebenso können die Mehrzahl von dritten gemeinsamen Verbindungsleitungen 257c und die zweite gemeinsame Verbindungsleitung 257b zusammen mit den Pads des zweiten Padbereichs 210 gebildet sein.
  • Der Verbindungsleitungsabschnitt 250 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen Referenzstrom-Verbindungsabschnitt aufweisen.
  • Der Referenzstrom-Verbindungsabschnitt (oder ein fünfter Verbindungsabschnitt) kann den zweiten Referenzstrom-Padbereich des zweiten Padbereichs 210 elektrisch mit dem dritten Referenzstrom-Padbereich des dritten Padbereichs 230 verbinden.
  • Der Referenzstrom-Verbindungsabschnitt gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Referenzstrom-Verbindungsleitungen 259 aufweisen. Jede von der Mehrzahl von Referenzstrom-Verbindungsleitungen (oder fünften Verbindungsleitungen) 259 kann ein entsprechendes zweites Referenzstrompad der Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads RPP2, die in dem zweiten Padbereich 210 angeordnet sind, mit einem entsprechenden dritten Referenzstrompad der Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, einzeln (oder jeweils) verbinden. Deshalb kann eine Referenzspannung, die jedem von der Mehrzahl von dritten Referenzstrompads RPP3 zugeführt wird, durch eine entsprechende Referenzstrom-Verbindungsleitung 259 einem entsprechenden zweiten Referenzstrompad RPP2 zugeführt werden und kann durch die Referenzstrom-Verdrahtungsleitung 490 und das erste Referenzstrompad RPP1 einer entsprechenden Referenzstromleitung RL zugeführt werden.
  • Die Mehrzahl von Referenzstrom-Verbindungsleitungen 259 kann jeweils einen ersten Leitungsabschnitt, der mit einem entsprechenden zweiten Referenzstrompad RPP2 verbunden ist, einen zweiten Leitungsabschnitt, der mit dem dritten Referenzstrompad RPP3 verbunden ist, und einen dritten Leitungsabschnitt, der zwischen den ersten Leitungsabschnitt und den zweiten Leitungsabschnitt geschaltet ist, aufweisen. Jeder von dem ersten Leitungsabschnitt und dem zweiten Leitungsabschnitt kann eine geradlinige Form aufweisen, und der dritte Leitungsabschnitt kann eine nicht-geradlinige Form aufweisen. Beispielsweise kann der dritte Leitungsabschnitt eine diagonale Form, die einem kürzesten Pfad zwischen dem ersten Leitungsabschnitt und dem zweiten Leitungsabschnitt entspricht, aufweisen.
  • Der Verbindungsleitungsabschnitt 250 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen Gate-Steuersignal-Übertragungsabschnitt 254 aufweisen.
  • Der Gate-Steuersignal-Übertragungsabschnitt (oder ein sechster Verbindungsabschnitt) 254 kann den dritten Padbereich 230 umgehen und kann den dritten Gate-Padbereich elektrisch mit dem Gate-Verbindungsabschnitt verbinden.
  • Der Gate-Steuersignal-Übertragungsabschnitt 254 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Gate-Steuersignal-Übertragungsleitungen aufweisen.
  • Jede von der Mehrzahl von Gate-Steuersignal-Übertragungsleitungen (oder sechsten Verbindungsleitungen) kann ein entsprechendes drittes Gate-Pad der Mehrzahl von dritten Gate-Pads GP3, die in dem dritten Padbereich 230 angeordnet sind, mit einer entsprechenden Gate-Verbindungsleitung der Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen selektiv verbinden. Beispielsweise können die Mehrzahl von Gate-Steuersignal-Übertragungsleitungen und die Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 auf verschiedenen Schichten angeordnet sein, und eine entsprechende Seite von jeder von der Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 kann durch ein Verbindungskontaktloch elektrisch mit einer entsprechenden Gate-Steuersignal-Übertragungsleitung verbunden sein. Optional kann die andere Seite von jeder von der Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 durch einen Bereich zwischen zwei benachbarten dritten Pads hindurchführen und kann mit einer Mehrzahl von Gate-Steuersignal-Übertragungsleitungen derart selektiv verbunden sein, dass sie das dritte Pad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, nicht überlappt.
  • Die Mehrzahl von Gate-Steuersignal-Übertragungsleitungen gemäß einer Ausführungsform können in eine Startsignal-Übertragungsleitung 254a, eine Mehrzahl von Verschiebetakt-Übertragungsleitungen 254b, mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c und mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d unterteilt (klassifiziert) sein. Deshalb kann der Gate-Steuersignal-Übertragungsabschnitt 254 die Startsignal-Übertragungsleitung 254a, die Mehrzahl von Verschiebetakt-Übertragungsleitungen 254b, die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c und die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d aufweisen.
  • Die Startsignal-Übertragungsleitung 254a kann das dritte Startsignalpad elektrisch mit der Startsignal-Verbindungsleitung 253a verbinden. Die Startsignal-Übertragungsleitung 254a gemäß einer Ausführungsform kann einen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit dem dritten Startsignalpad verbunden ist, den anderen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit der Startsignal-Verbindungsleitung 253a verbunden ist, und einen mittleren Leitungsabschnitt, der derart elektrisch zwischen den einen Leitungsabschnitt davon und den anderen Leitungsabschnitt davon geschaltet ist, dass er den dritten Padbereich 230 umgeht, aufweisen.
  • Der eine Leitungsabschnitt der Startsignal-Übertragungsleitung 254a kann parallel zu der zweiten Richtung Y angeordnet sein und kann elektrisch mit dem dritten Startsignalpad verbunden sein.
  • Der andere Leitungsabschnitt der Startsignal-Übertragungsleitung 254a kann derart angeordnet sein, dass er an den dritten Padbereich 230 parallel zu der ersten Richtung X angrenzt und kann elektrisch mit der Startsignal-Verbindungsleitung 253a verbunden sein. Beispielsweise kann der andere Leitungsabschnitt der Startsignal-Übertragungsleitung 254a durch ein Verbindungskontaktloch elektrisch mit der Startsignal-Verbindungsleitung 253a verbunden sein. Deshalb kann ein Startsignal, das einem dritten Startsignalpad zugeführt wird, durch die Startsignal-Übertragungsleitung 254a, die Startsignal-Verbindungsleitung 253a, das zweite Startsignalpad, die Startsignal-Verdrahtungsleitung und das erste Startsignalpad der Startsignalleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Der mittlere Leitungsabschnitt der Startsignal-Übertragungsleitung 254a kann eine erste mittlere Leitung, die sich von dem einen Leitungsabschnitt parallel zu der ersten Richtung X erstreckt, und eine zweite mittlere Leitung, die sich von der ersten mittleren Leitung derart erstreckt, dass sie von einem Ende (oder einem linken Ende) des dritten Padbereichs 230 entfernt angeordnet ist, und elektrisch mit dem anderen Leitungsabschnitt verbunden ist, aufweisen. Beispielsweise kann der mittlere Leitungsabschnitt eine „⌜‟-Form aufweisen, die den dritten Padbereich 230 umgeht.
  • Die Startsignal-Verbindungsleitung 253a gemäß einer Ausführungsform kann durch den dritten Padbereich 230 hindurchführen und kann elektrisch mit dem anderen Leitungsabschnitt der Startsignal-Übertragungsleitung 254a verbunden sein. Beispielsweise kann die Startsignal-Verbindungsleitung 253a derart angeordnet sein, dass sie durch einen Bereich zwischen zwei benachbarten dritten Pads derart hindurchführt, dass sie mit dem dritten Pad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, nicht überlappt. In diesem Falle kann ein Startsignal, das der Startsignal-Verbindungsleitung 253a zugeführt wird, basierend auf einem Signal, das dem dritten Pad zugeführt wird, nicht variieren (oder sich ändern) und kann bei einem ursprünglichen Spannungsniveau beibehalten werden.
  • Jede von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Übertragungsleitungen 254b kann ein entsprechendes drittes Verschiebetaktpad der Mehrzahl von Verschiebetaktpads selektiv mit einer entsprechenden Verschiebetakt-Verbindungsleitung der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b verbinden. Beispielsweise kann, wenn der Gate-Steuersignal-Übertragungsabschnitt 254 eine erste Verschiebetakt-Übertragungsleitung bis vierte Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b aufweist und der Leitungsverbindungsabschnitt 250 eine Mehrzahl von ersten Verschiebetakt-Verbindungsleitung bis vierten Verschiebetakt-Verbindungsleitung 253b aufweist, jede von der Mehrzahl von ersten Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b mit der ersten Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b gemeinsam verbunden sein, jede von der Mehrzahl von zweiten Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b kann mit der zweiten Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b gemeinsam verbunden sein, jede von der Mehrzahl von dritten Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b kann mit der dritten Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b gemeinsam verbunden sein, und jede von der Mehrzahl von vierten Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b kann mit der vierten Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b gemeinsam verbunden sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Übertragungsleitungen 254b kann eine Form aufweisen, die die Startsignal-Übertragungsleitung 254a umgibt und kann derart parallel zu der Startsignal-Übertragungsleitung 254a angeordnet sein, dass sie den dritten Padbereich 230 umgeht. Jede von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Übertragungsleitungen 254b gemäß einer Ausführungsform kann einen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit einem entsprechenden dritten Verschiebetaktpad verbunden ist, den anderen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit einer entsprechenden Verschiebetakt-Verbindungsleitung 253b verbunden ist, und einen mittleren Leitungsabschnitt, der derart elektrisch zwischen einen Leitungsabschnitt davon und den anderen Leitungsabschnitt davon geschaltet ist, dass er den dritten Padbereich 230 umgeht, aufweisen. Beispielsweise kann der andere Leitungsabschnitt von jeder von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Übertragungsleitungen 254b durch ein Verbindungskontaktloch elektrisch mit einer entsprechenden Verschiebetakt-Verbindungsleitung 253b verbunden sein. Deshalb kann ein Gate-Verschiebetakt, der jedem von der Mehrzahl von dritten Verschiebetaktpads zugeführt wird, durch eine entsprechende Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b, eine entsprechende Verschiebetakt-Verbindungsleitung 253b, ein entsprechendes zweites Verschiebetaktpad, eine entsprechende Gate-Verschiebetakt-Verdrahtungsleitung und ein entsprechendes erstes Verschiebetaktpad der Verschiebetaktleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Jede von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b gemäß einer Ausführungsform kann durch den dritten Padbereich 230 hindurchführen und kann elektrisch mit dem anderen Leitungsabschnitt einer entsprechenden Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b verbunden sein. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b derart angeordnet sein, dass sie durch einen Bereich zwischen zwei benachbarten dritten Pads derart hindurchführt, dass sie das dritte Pad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, nicht überlappt. In diesem Falle kann ein Gate-Verschiebetakt, der jeder von der Mehrzahl von Verschiebetakt-Verbindungsleitungen 253b zugeführt wird, basierend auf einem Signal, das dem dritten Pad zugeführt wird, nicht variieren (oder sich ändern) und kann bei einem ursprünglichen Spannungsniveau beibehalten werden.
  • Die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c kann mindestens ein Gate-Ansteuerungsstrompad elektrisch mit mindestens einer Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c verbinden.
  • Die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c kann eine Form aufweisen, die eine äußerste Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b umgibt und kann derart parallel zu der Verschiebetakt-Übertragungsleitung 254b angeordnet sein, dass sie den dritten Padbereich 230 umgeht. Die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c gemäß einer Ausführungsform kann einen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit dem dritten Gate-Ansteuerungsstrompad verbunden ist, den anderen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit der Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c verbunden ist, und einen mittleren Leitungsabschnitt, der derart elektrisch zwischen einen Leitungsabschnitt davon und den anderen Leitungsabschnitt davon geschaltet ist, dass er den dritten Padbereich 230 umgeht, aufweisen. Beispielsweise kann der andere Leitungsabschnitt der mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c durch ein Verbindungskontaktloch elektrisch mit der Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c verbunden sein. Deshalb kann ein Gate-Ansteuerungsstrom, der dem mindestens einen Gate-Ansteuerungsstrompad zugeführt wird, durch die Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c, die Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c, das zweite Gate-Ansteuerungsstrompad, die Gate-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitung und das erste Gate-Ansteuerungsstrompad der Gate-Ansteuerungsstromleitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c gemäß einer Ausführungsform kann durch den dritten Padbereich 230 hindurchführen und kann elektrisch mit dem anderen Leitungsabschnitt der Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c verbunden sein. Beispielsweise kann die mindestens eine Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 253c derart angeordnet sein, dass sie derart durch einen Bereich zwischen zwei benachbarten dritten Pads hindurchführt, dass sie das dritte Pad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, nicht überlappt. In diesem Falle kann ein Gate-Ansteuerungsstrom, der der Gate-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitung 273c zugeführt wird, basierend auf einem Signal, das dem dritten Pad zugeführt wird, nicht variieren (oder sich ändern) und kann bei einem ursprünglichen Spannungsniveau beibehalten werden.
  • Die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d kann das mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad elektrisch mit der mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d verbinden.
  • Die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d kann eine Form aufweisen, die die Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c umgibt und kann derart parallel zu der Gate-Ansteuerungsstrom-Übertragungsleitung 254c angeordnet sein, dass sie den dritten Padbereich 230 umgeht. Die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d gemäß einer Ausführungsform kann einen Leitungsabschnitt davon, der elektrisch mit dem dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad verbunden ist, den anderen Leitungsabschnitt, davon, der elektrisch mit der Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d verbunden ist, und einen mittleren Leitungsabschnitt, der derart elektrisch zwischen einen Leitungsabschnitt davon und den anderen Leitungsabschnitt davon geschaltet ist, dass er den dritten Padbereich 230 umgeht, aufweisen. Beispielsweise kann der andere Leitungsabschnitt der mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d durch ein Verbindungskontaktloch elektrisch mit der Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d verbunden sein. Deshalb kann ein Gate-Gemeinsamer-Strom, der dem mindestens einen Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad zugeführt wird, durch die Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d, die Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d, das zweite Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad, die Gate-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitung und das erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Pad der Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung, die in der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL enthalten ist, zugeführt werden.
  • Die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d gemäß einer Ausführungsform kann durch den dritten Padbereich 230 hindurchführen und kann elektrisch mit dem anderen Leitungsabschnitt der Gate-Gemeinsamer-Strom-Übertragungsleitung 254d verbunden sein. Beispielsweise kann die mindestens eine Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d derart angeordnet sein, dass sie derart durch einen Bereich zwischen zwei benachbarten dritten Pads hindurchführt, dass sie das dritte Pad, das in dem dritten Padbereich 230 angeordnet ist, nicht überlappt. In diesem Falle kann ein Gate-Gemeinsamer-Strom, der der Gate-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 253d zugeführt wird, basierend auf einem Signal, das dem dritten Pad zugeführt wird, nicht variieren (oder sich ändern) und kann bei einem ursprünglichen Spannungsniveau beibehalten werden.
  • 11 ist ein Ersatzschaltbild, das eine in 7 dargestellte i-te Stufenschaltkreiseinheit darstellt.
  • Bezugnehmend auf 6 bis 8 und 11 kann eine i-te Stufenschaltkreiseinheit 150i gemäß der vorliegenden Offenbarung in Antwort auf ein Gate-Steuersignal, das von einer Gate-Steuerleitungsgruppe GCL, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, zugeführt wird, zwei Abtastsignale SSi und SSi+1 und ein Trägersignal CSi ausgeben.
  • Das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform kann ein Startsignal Vst, eine Mehrzahl von Verschiebetakten, die eine Mehrzahl von Abtasttakten sCLK und eine Mehrzahl von Trägertakten cCLK aufweisen, einen ersten Gate-Ansteuerungsstrom bis dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, GVdd2 und GVdd3 und einen ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 und einen zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss2 aufweisen. In diesem Falle kann die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL eine Startsignalleitung, eine Mehrzahl von Abtasttaktleitungen, eine Mehrzahl von Trägertaktleitungen, eine erste Gate-Ansteuerungsstromleitung bis dritte Gate-Ansteuerungsstromleitung und eine erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung und eine zweite Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung aufweisen.
  • Das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten bis j-ten Trägertakt und einen ersten bis j-ten Abtasttakt aufweisen. Beispielsweise kann j gleich 4 sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und kann eine gerade Zahl von 6, 8 oder 10 oder mehr sein.
  • Wenn das Gate-Steuersignal den ersten Trägertakt bis vierten Trägertakt, aufweist, kann der erste Trägertakt an eine 4k-3-te (wobei k eine natürliche Zahl ist) Stufenschaltkreiseinheit angelegt werden, der zweite Trägertakt kann an eine 4k-2-te Stufenschaltkreiseinheit angelegt werden, der dritte Trägertakt kann an eine 4k-1-te Stufenschaltkreiseinheit angelegt werden, und der vierte Trägertakt kann an eine 4k-te Stufenschaltkreiseinheit angelegt werden. Wenn das Gate-Steuersignal den ersten Abtasttakt bis vierten Abtasttakt aufweist, können der erste Abtasttakt und der zweite Abtasttakt an eine ungeradzahlige Stufenschaltkreiseinheit angelegt werden, und der dritte Abtasttakt und der vierte Abtasttakt können an eine geradzahlige Stufenschaltkreiseinheit angelegt werden.
  • Des Weiteren kann das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform ferner ein Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS und ein Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS aufweisen. In diesem Falle kann die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL des Weiteren eine Vorwärts-Ansteuerungssignalleitung und eine Rückwärts-Ansteuerungssignalleitung aufweisen.
  • Das Gate-Steuersignal gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren ein externes Ermittlungsleitungs-Auswahlsignal Slss, ein externes Ermittlungsrückstellsignal Srst und ein externes Ermittlungssteuersignal Scs für einen externen Ermittlungsmodus aufweisen. In diesem Falle kann die Gate-Steuerleitungsgruppe GCL des Weiteren eine externe Ermittlungsauswahl-Signalleitung, eine externe Ermittlungsrückstell-Signalleitung und eine externe Ermittlungssteuersignalleitung aufweisen.
  • Die i-te Stufenschaltkreiseinheit 150i gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ein Zweignetzwerk 153, eine Knotensteuereinheit NCC, einen ersten Inverterschaltkreis IC1, einen zweiten Inverterschaltkreis IC2, einen Knotenrückstellschaltkreis NRC und einen Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC aufweisen.
  • Das Zweignetzwerk 153 kann derart ausgeführt sein, dass es eine Schaltkreisverbindung zwischen dem Knotensteuerschaltkreis NCC, dem ersten Inverterschaltkreis IC1, dem zweiten Inverterschaltkreis IC2, dem Knotenrückstellschaltkreis NRC und dem Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC ausbildet und dass es selektiv mit den Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL verbunden ist.
  • Das Zweignetzwerk 153 kann selektiv mit den Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL verbunden sein. Das Zweignetzwerk 153 gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe und eine Netzwerkleitung NL aufweisen.
  • Jeder von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe kann in einem oberen Kantenbereich (oder einem unteren Kantenbereich) von jedem von den Pixelbereichen, die in einer i-ten Horizontalzeile des ersten Substrats 100 angeordnet sind, angeordnet sein. Jeder von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe kann parallel zu einer ersten Richtung X oder einer Gate-Leitung angeordnet sein. Beispielsweise kann jeder von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe angrenzend an die Gate-Leitung angeordnet sein.
  • Die Netzwerkleitung NL kann selektiv mit den Leitungen der Gate-Steuerleitungsgruppe GCL verbunden sein und kann selektiv mit dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe verbunden sein. Ebenso kann die Netzwerkleitung NL selektiv zwischen Schaltkreisen, die die StufenSchaltkreiseinheit 150i einrichten, geschaltet sein.
  • Der Knotensteuerschaltkreis NCC kann derart ausgeführt sein, dass er eine Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe steuert.
  • Der Knotensteuerschaltkreis NCC gemäß einer Ausführungsform kann durch die Netzwerkleitung NL mit jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe verbunden sein und kann derart ausgeführt sein, dass er in Antwort auf das Startsignal Vst, das Rückstellsignal Vrst und den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, die durch die Netzwerkleitung NL zugeführt werden, die Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe steuert. Beispielsweise kann das Startsignal ein i-2-tes Trägersignal CSi-2 sein, das von der i-2-ten Stufenschaltkreiseinheit 150i-2 ausgegeben wird. Das Rückstellsignal Vrst kann ein i+2-tes Trägersignal CSi+2 sein, das von einer i+2-ten Stufenschaltkreiseinheit 150i+2 ausgegeben wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Knotensteuerschaltkreis NCC durch die Netzwerkleitung NL mit jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe verbunden sein und kann in Antwort auf das Startsignal Vst, das Rückstellsignal Vrst, das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS, das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS und den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, die durch die Netzwerkleitung NL zugeführt werden, steuern. Beispielsweise kann, wenn das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS ein hohes Spannungsniveau (oder ein hohes Potenzialspannungsniveau) aufweist, das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS ein niedriges Spannungsniveau (oder ein niedriges Potenzialspannungsniveau) aufweisen, und wenn das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS ein niedriges Spannungsniveau (oder ein niedriges Potenzialspannungsniveau) aufweist, kann das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS ein hohes Spannungsniveau (oder ein hohes Potenzialspannungsniveau) aufweisen. Beispielsweise kann, wenn das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS ein hohes Spannungsniveau aufweist, der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 auf der Basis von Vorwärts-Abtastansteuerung ein Abtastsignal bis zu einer letzten Gate-Leitung von einer ersten Gate-Leitung zuführen, und wenn das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS ein hohes Spannungsniveau aufweist, kann der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 auf der Basis von Rückwärts-Abtastansteuerung das Abtastsignal bis zu der ersten Gate-Leitung von der letzten Gate-Leitung zuführen. Hierbei kann ein hohes Spannungsniveau als ein erstes Spannungsniveau, ein hohes Potenzialspannungsniveau, ein Gate-Einschalt-Spannungsniveau oder ein Transistor-Ein-Spannungsniveau bezeichnet werden, und ein niedriges Spannungsniveau kann als ein zweites Spannungsniveau, ein niedriges Potenzialspannungsniveau, ein Gate-Ausschalt-Spannungsniveau oder ein Transistor-Aus-Spannungsniveau bezeichnet werden.
  • Der erste Inverterschaltkreis IC1 kann die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo auf der Basis der Spannung des ersten Steuerknotens Q steuern oder entladen. Der erste Inverterschaltkreis IC1 gemäß einer Ausführungsform kann durch die Netzwerkleitung NL mit dem zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2, dem ersten Steuerknoten Q, dem zweiten Steuerknoten QBo, dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 und dem zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss2 verbunden sein. In Antwort auf den zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 und die Spannung des ersten Steuerknotens Q kann der erste Inverterschaltkreis IC1 dem zweiten Steuerknoten QBo zum Entladen der Spannung des zweiten Steuerknotens QBo den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen.
  • Der zweite Inverterschaltkreis IC2 kann die Spannung des dritten Steuerknotens QBe auf der Basis der Spannung des ersten Steuerknotens Q steuern oder entladen. Der zweite Inverterschaltkreis IC2 gemäß einer Ausführungsform kann durch die Netzwerkleitung NL mit dem dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3, dem ersten Steuerknoten Q, dem dritten Steuerknoten QBe, dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 und dem zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss2 verbunden sein. In Antwort auf den dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 und die Spannung des ersten Steuerknotens Q kann der zweite Inverterschaltkreis IC2 dem dritten Steuerknoten QBe zum Entladen der Spannung des dritten Steuerknotens QBe den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen.
  • Der zweite Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 und der dritte Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 können Spannungsniveaus aufweisen, die dazwischen invertiert (oder entgegengesetzt zueinander) sind. Beispielsweise kann, wenn der zweite Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 ein hohes Spannungsniveau aufweist, der dritte Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 ein niedriges Spannungsniveau aufweisen, und wenn der zweite Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 ein niedriges Spannungsniveau aufweist, kann der dritte Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 ein hohes Spannungsniveau aufweisen.
  • Der zweite Gate-Gemeinsamer-Strom GVss2 und der erste Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 können das gleiche Spannungsniveau oder verschiedene Spannungsniveaus aufweisen.
  • Der Knotenrückstellschaltkreis NRC kann ein Spannungsniveau von jedem von dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe aufrechterhalten, während die Spannung des ersten Steuerknotens Q ein hohes Spannungsniveau aufweist.
  • Der Knotenrückstellschaltkreis NRC gemäß einer Ausführungsform kann in Antwort auf das Startsignal Vst und das Rückstellsignal Vrst, die durch die Netzwerkleitung NL zugeführt werden, die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo und die Spannung des dritten Steuerknotens QBe gleichzeitig zurücksetzen. Beispielsweise kann der Knotenrückstellschaltkreis NRC in Antwort auf das Startsignal Vst und das Rückstellsignal Vrst den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe zuführen und kann somit den zweiten Steuerknoten QBo und den dritten Steuerknoten QBe bei einem Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 aufrechterhalten.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Knotenrückstellschaltkreis NRC in Antwort auf das Startsignal Vst, das Rückstellsignal Vrst, das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS und das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS, die durch die Netzwerkleitung NL zugeführt werden, die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo und die Spannung des dritten Steuerknotens QBe gleichzeitig zurücksetzen. Beispielsweise kann der Knotenrückstellschaltkreis NRC in Antwort auf das Startsignal Vst, das Rückstellsignal Vrst, das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS und das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe zuführen und kann somit jeder von dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe bei einem Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 aufrechterhalten.
  • Der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC kann derart ausgeführt sein, dass er in Antwort auf die Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe auf der Basis des Trägertaktes cCLK, des Abtasttaktes sCLK, des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 und des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3, die durch die Netzwerkleitung NL zugeführt werden, nacheinander zwei Abtastsignale, die ein Gate-Ein-Spannungsniveau aufweisen, ausgibt oder nacheinander zwei Abtastsignale, die ein Gate-Aus-Spannungsniveau aufweisen, ausgibt.
  • Wenn die Spannung des ersten Steuerknotens Q ein hohes Spannungsniveau aufweist und die Spannung von jedem von dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe ein niedriges Spannungsniveau aufweist, kann der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC gemäß einer Ausführungsform jedes von einem i-ten Trägersignal CSi entsprechend dem Trägertakt cCLK, einem i-ten Abtastsignal SSi entsprechend einem ungeradzahligen Abtasttakt sCLKo und einem i+1-ten Abtastsignal SSi+1 entsprechend einem geradzahligen Abtasttakt sCLKe ausgeben. Beispielsweise kann der i+2-ten Stufenschaltkreiseinheit das i-te Trägersignal CSi als das Startsignal Vst zugeführt werden, das i-te Abtastsignal SSi kann einer ungeradzahligen Gate-Leitung GLo (oder einer i-ten Gate-Leitung GLi) zugeführt werden, und das i+1-te Abtastsignal SSi+1 kann einer geradzahligen Gate-Leitung GLe (oder einer i+1-ten Gate-Leitung GLi+1) zugeführt werden.
  • Wenn die Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten Q und dem dritten Steuerknoten QBe ein niedriges Spannungsniveau aufweist und die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo ein hohes Spannungsniveau aufweist, kann der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC gemäß einer Ausführungsform jedes von dem i-ten Abtastsignal SSi und dem i+1-ten Abtastsignal SSi+1, die jeweils ein Gate-Aus-Spannungsniveau entsprechend einem Spannungsniveau des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3 aufweisen, ausgeben und kann das i-te Trägersignal CSi, das ein Gate-Aus-Spannungsniveau entsprechend einem Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 aufweist, ausgeben.
  • Wenn die Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten Q und dem zweiten Steuerknoten QBo ein niedriges Spannungsniveau aufweist und die Spannung des dritten Steuerknotens QBe ein hohes Spannungsniveau aufweist, kann der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC gemäß einer Ausführungsform jedes von dem i-ten Abtastsignal SSi und dem i+1-ten Abtastsignal SSi+1, die jeweils ein Gate-Aus-Spannungsniveau entsprechend einem Spannungsniveau des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3 aufweisen, ausgeben und kann das i-te Trägersignal CSi, das ein Gate-Aus-Spannungsniveau entsprechend einem Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 aufweist, ausgeben.
  • Der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC gemäß einer Ausführungsform kann in einem zentralen Bereich der i-ten Horizontalzeile parallel zu der ersten Richtung X angeordnet sein. Beispielsweise kann, wenn der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC angrenzend an ein Ende (oder das andere Ende) einer Horizontalzeile angeordnet ist, ein Spannungsniveau des Abtastsignals aufgrund eines Leitungswiderstand einer Horizontalzeile in einer Richtung von einem Ende einer Gate-Leitung zu dem anderen Ende davon abnehmen, und somit sollte, um ein derartiges Problem zu verhindern, der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC in dem zentralen Bereich der i-ten Horizontalzeile parallel zu der ersten Richtung X angeordnet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und kann an einer Seite oder der anderen Seite der i-ten Horizontalzeile angeordnet sein, wenn eine Gesamtlänge der Gate-Leitung relativ kurz ist.
  • Der erste Gate-Gemeinsamer-Strom bis dritte Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, GVss2 und GVss3 können das gleiche Spannungsniveau oder verschiedene Spannungsniveaus aufweisen.
  • Die i-te Stufenschaltkreiseinheit 150i gemäß der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren einen vierten Steuerknoten Qm, einen ersten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 und einen zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 aufweisen.
  • Der vierte Steuerknoten Qm kann derart ausgeführt sein, dass er elektrisch zwischen den ersten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 und den zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 geschaltet ist. Der vierte Steuerknoten Qm kann in dem Zweignetzwerk 153 enthalten sein und kann durch die Netzwerkleitung NL elektrisch zwischen den ersten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 und den zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 geschaltet sein.
  • Der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 kann derart ausgeführt sein, dass er eine Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten Q und dem vierten Steuerknoten Qm in Antwort auf das i-te Trägersignal CSi, das externe Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das externe Ermittlungssteuersignal Scs, das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst und den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, die durch das Zweignetzwerk 153 zugeführt werden, steuert. Beispielsweise kann der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 in Antwort auf das i-te Trägersignal CSi, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, und das externe Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 in den vierten Steuerknoten Qm laden und kann dann in Antwort auf eine Spannung, die in den vierten Steuerknoten Qm geladen ist, das externe Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, das während eines Vor-Zeitraums eines vertikalen Leerzeitraums zugeführt wird, und den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 die Spannung des ersten Steuerknotens Q steuern. Deshalb kann der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC jedes von dem i-ten Trägersignal CSi entsprechend dem Trägertakt cCLK, dem i-ten Abtastsignal SSi entsprechend dem ungeradzahligen Abtasttakt sCLKo und dem i+1-ten Abtastsignal SSi+1 entsprechend dem geradzahligen Abtasttakt sCLKe während des vertikalen Leerzeitraums auf der Basis der Spannung des ersten Steuerknotens Q ausgeben.
  • Außerdem kann der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 die Spannung des ersten Steuerknotens Q in Antwort auf das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst, das durch das Zweignetzwerk 153 zugeführt wird, entladen. Beispielsweise kann der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 in Antwort auf das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, das während eines späteren Zeitraums des vertikalen Leerzeitraums zugeführt wird, dem ersten Steuerknoten Q zum Zurückstellen oder Initialisieren der Spannung des ersten Steuerknotens Q den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen.
  • Der zweite Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 kann derart ausgeführt sein, dass er die Spannung von jedem von dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm und das externe Ermittlungsrückstellsignal Scs, das durch das Zweignetzwerk 153 zugeführt wird, entlädt. Beispielsweise kann der zweite Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 in Antwort darauf, dass die Spannung des vierten Steuerknotens Qm ein hohes Spannungsniveau aufweist und das externe Ermittlungssteuersignal Scs ein hohes Spannungsniveau aufweist, jedem von dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe zum gleichzeitigen Entladen des zweiten Steuerknotens QBo und des dritten Steuerknotens QBe die erste Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen.
  • 12 ist ein Ersatzschaltbild, das den Knotensteuerschaltkreis, den ersten Inverterschaltkreis, den zweiten Inverterschaltkreis und den ersten Ermittlungssteuerschaltkreis, die jeweils in 11 dargestellt sind, darstellt.
  • Bezugnehmend auf 11 und 12 kann ein Knotensteuerschaltkreis NCC gemäß einer Ausführungsform einen ersten Knotensteuerschaltkreis NCC1 bis vierten Knotensteuerschaltkreis NCC4 aufweisen.
  • Beim Vorwärts-Abtastansteuern kann der erste Knotensteuerschaltkreis NCC1 in Antwort auf ein Startsignal Vst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, und das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, ein hohes Spannungsniveau eines Vorwärts-Ansteuerungssignals FWS in einen ersten Steuerknoten Q laden. Ebenso kann, beim Rückwärts-Abtastansteuern, der erste Knotensteuerschaltkreis NCC1 in Antwort auf das Startsignal Vst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, und das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS, das ein niedriges Spannungsniveau aufweist, eine Vorwärts-Ansteuerungssignalleitung, die ein niedriges Spannungsniveau aufweist, elektrisch mit einem ersten Steuerknoten Q verbinden, zum Entladen einer Spannung, die in den ersten Steuerknoten Q geladen ist, auf ein niedriges Spannungsniveau.
  • Der erste Knotensteuerschaltkreis NCC1 kann einen ersten TFT T1 bis dritten TFT T3 aufweisen.
  • Der erste TFT T1 kann in Antwort auf das Startsignal Vst das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS an einen ersten Verbindungsknoten Nc1 ausgeben. Beispielsweise kann der erste TFT T1 basierend auf dem Startsignal Vst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS, das durch die Vorwärts-Ansteuerungssignalleitung zugeführt wird, an den ersten Verbindungsknoten Nc1 ausgeben.
  • Der zweite TFT T2 kann in Antwort auf das Startsignal Vst den ersten Verbindungsknoten Nc1 elektrisch mit einem ersten Steuerknoten Q verbinden. Beispielsweise kann der zweite TFT T2 basierend auf dem Startsignal Vst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS, das durch den ersten TFT T1 und den ersten Verbindungsknoten Nc1 zugeführt wird, an den ersten Steuerknoten Q ausgeben.
  • Der dritte TFT T3 kann in Antwort auf eine Spannung des ersten Steuerknotens Q einen ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der durch eine erste Gate-Ansteuerungsstromleitung zugeführt wird, an den ersten Verbindungsknoten Nc1 ausgeben. Beispielsweise kann der dritte TFT T3 basierend auf der Spannung des ersten Steuerknotens Q, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 an den ersten Verbindungsknoten Nc1 zwischen dem ersten TFT T1 und dem zweiten TFT T2 übertragen, wodurch er die Spannungsleckage des ersten Steuerknotens Q verhindert. Beispielsweise kann der dritte TFT T3 eine Spannungsdifferenz zwischen einer Gate-Spannung des zweiten TFTs T2 und der Spannung des ersten Verbindungsknotens Nc1 zum Ausschalten des zweiten TFTs T2, der basierend auf dem Startsignal Vst, das ein niedriges Spannungsniveau aufweist, ausgeschaltet worden ist, erhöhen und kann somit den Spannungsabfall des ersten Steuerknotens Q durch den ausgeschalteten zweiten TFT T2 verhindern, wodurch die Spannung des ersten Steuerknotens Q stabil aufrechterhalten wird.
  • Beim Rückwärts-Abtastansteuern kann der zweite Knotensteuerschaltkreis NCC2 in Antwort auf ein Rückstellsignal Vrst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, und das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, ein hohes Spannungsniveau eines Rückwärts-Ansteuerungssignals BWS in den ersten Steuerknoten Q laden. Ebenso kann, beim Vorwärts-Abtastansteuern, der zweite Knotensteuerschaltkreis NCC2 in Antwort auf das Rückstellsignal Vrst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, und das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS, das ein niedriges Spannungsniveau aufweist, zum Entladen einer Spannung, die in den ersten Steuerknoten Q geladen ist, auf ein niedriges Spannungsniveau eine Rückwärts-Ansteuerungssignalleitung, die ein niedriges Spannungsniveau aufweist, elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden.
  • Der zweite Knotensteuerschaltkreis NCC2 gemäß einer Ausführungsform kann einen vierten TFT T4 und einen fünften TFT T5 aufweisen.
  • Der vierte TFT T4 kann in Antwort auf das Rückstellsignal Vrst das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS ausgeben. Beispielsweise kann der vierte TFT T4 basierend auf dem Rückstellsignal Vrst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS, das durch eine Rückwärts-Ansteuerungssignalleitung zugeführt wird, an einen zweiten Verbindungsknoten Nc2 ausgeben.
  • Der fünfte TFT T5 kann in Antwort auf das Rückstellsignal Vrst den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden. Beispielsweise kann der fünfte TFT T5 basierend auf dem Rückstellsignal Vrst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS, das durch den vierten TFT T4 und den zweiten Verbindungsknoten Nc2 zugeführt wird, an den ersten Steuerknoten Q ausgeben.
  • Der zweite Verbindungsknoten Nc2 zwischen dem vierten TFT T4 und dem fünften TFT T5 kann elektrisch mit dem ersten Verbindungsknoten Nc1 verbunden sein. Deshalb kann dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 durch den dritten TFT T3 des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 der erste Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der durch die erste Gate-Ansteuerungsstromleitung zugeführt wird, zugeführt werden. Deshalb kann der dritte TFT T3 des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 eine Spannungsdifferenz zwischen einer Gate-Spannung des fünften TFTs T5 des zweiten Knotensteuerschaltkreises NCC2 und der Spannung des zweiten Verbindungsknotens Nc2 zum vollständigen Ausschalten des fünften TFTs T5, der basierend auf dem Rückstellsignal Vrst, das ein niedriges Spannungsniveau aufweist, ausgeschaltet worden ist, erhöhen und kann somit den Spannungsabfall (oder die Stromleckage) des ersten Steuerknotens Q durch den ausgeschalteten fünften TFT T5 verhindern, wodurch die Spannung des ersten Steuerknotens Q stabil aufrechterhalten wird.
  • Der dritte Knotensteuerschaltkreis NCC3 kann in Antwort auf eine Spannung eines zweiten Steuerknotens QBo die Spannung des ersten Steuerknotens Q entladen. Beispielsweise kann der dritte Knotensteuerschaltkreis NCC3 zum Entladen der Spannung des ersten Steuerknotens Q zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung auf der Basis eines hohen Spannungsniveaus des zweiten Steuerknotens QBo einen Strompfad zwischen dem ersten Steuerknoten Q und einer ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden.
  • Der dritte Knotensteuerschaltkreis NCC3 gemäß einer Ausführungsform kann einen sechsten TFT T6 und einen siebten TFT T7 aufweisen.
  • Der sechste TFT T6 kann in Antwort auf die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der durch die erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung zugeführt wird, zuführen. Beispielsweise kann der sechste TFT T6 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo eingeschaltet werden und kann den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbinden.
  • Der siebte TFT T7 kann in Antwort auf die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden. Beispielsweise kann der siebte TFT T7 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo eingeschaltet werden und kann den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden.
  • Der siebte TFT T7 kann basierend auf einem niedrigen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo ausgeschaltet werden, und eine Spannungsdifferenz zwischen einer Gate-Spannung des ausgeschalteten siebten TFTs T7 und einer Spannung des zweiten Verbindungsknotens Nc2 kann basierend auf dem ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der durch den dritten TFT T3 des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 zugeführt wird, zunehmen, wodurch der siebte TFT T7, der basierend auf dem niedrigen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo ausgeschaltet wird, basierend auf dem ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der durch den zweiten Verbindungsknoten Nc2 zugeführt wird, vollständig ausgeschaltet werden kann. Dementsprechend kann der Spannungsabfall (oder eine Stromleckage) des ersten Steuerknotens Q durch den dritten Knotensteuerschaltkreis NCC3 verhindert werden, da der siebte TFT T7 vollständig ausgeschaltet ist, wodurch die Spannung des ersten Steuerknotens Q stabil aufrechterhalten wird.
  • Der vierte Knotensteuerschaltkreis NCC4 kann in Antwort auf eine Spannung eines dritten Steuerknotens QBe die Spannung des ersten Steuerknotens Q entladen. Beispielsweise kann der vierte Knotensteuerschaltkreis NCC4 zum Entladen der Spannung des ersten Steuerknotens Q zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung auf der Basis eines hohen Spannungsniveaus des dritten Steuerknotens QBe eine Strompfad zwischen dem ersten Steuerknoten Q und der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden.
  • Der vierte Knotensteuerschaltkreis NCC4 gemäß einer Ausführungsform kann einen achten TFT T8 und eine neunten TFT T9 aufweisen.
  • Der achte TFT T8 kann in Antwort auf die Spannung des dritten Steuerknotens QBe dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 den erste Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der durch die erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung zugeführt wird, zuführen. Beispielsweise kann der achte TFT T8 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe eingeschaltet werden und kann den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbinden.
  • Der neunte TFT T9 kann in Antwort auf die Spannung des dritten Steuerknotens QBe den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden. Beispielsweise kann der neunte TFT T9 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe eingeschaltet werden und kann den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden.
  • Der neunte TFT T9 kann basierend auf einem niedrigen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe ausgeschaltet werden, und eine Spannungsdifferenz zwischen einer Gate-Spannung des ausgeschalteten neunten TFTs T9 und einer Spannung des zweiten Verbindungsknotens Nc2 kann basierend auf dem ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der durch den dritten TFT T3 des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 zugeführt wird, zunehmen, wodurch der neunte TFT T9, der basierend auf dem niedrigen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe ausgeschaltet wird, basierend auf dem ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 zugeführt wird, vollständig ausgeschaltet werden. Dementsprechend kann der Spannungsabfall (oder eine Stromleckage) des ersten Steuerknotens Q durch den vierten Knotensteuerschaltkreis NCC4 verhindert werden, da der neunte TFT T9 vollständig ausgeschaltet ist, wodurch die Spannung des ersten Steuerknotens Q stabil aufrechterhalten wird.
  • Der erste Inverterschaltkreis IC1 kann in Antwort auf die Spannung des ersten Steuerknotens Q und einen zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo entladen. Beispielsweise kann der erste Inverterschaltkreis IC1 zum Entladen der Spannung des zweiten Steuerknotens QBo zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung auf der Basis eines hohen Spannungsniveaus des ersten Steuerknotens Q einen Strompfad zwischen dem zweiten Steuerknoten QBo und der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden.
  • Der erste Inverterschaltkreis IC1 gemäß einer Ausführungsform kann einen zehnten TFT T10 bis dreizehnten TFT T13 und einen ersten Kondensator C1 aufweisen.
  • Der zehnte TFT T10 kann basierend auf dem zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, den zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, an einen ersten internen Knoten Ni1 ausgeben. Der zehnte TFT T10 gemäß einer Ausführungsform kann als Diode zwischen den zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 und den ersten internen Knoten Ni1 geschaltet sein.
  • Der elfte TFT T11 kann basierend auf der Spannung des ersten Steuerknotens Q eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, eine Spannung des ersten internen Knotens Ni1 zu einer zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen.
  • Der zwölfte TFT T12 kann basierend auf der Spannung des ersten internen Knotens Ni1 eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, dem zweiten Steuerknoten QBo den zweiten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd2 zuführen.
  • Der dreizehnte TFT T13 kann basierend auf der Spannung des ersten Steuerknotens Q eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo zuführen.
  • Der erste Kondensator C1 kann zwischen dem ersten internen Knoten Ni1 und einem Knoten (oder dem zweiten Steuerknoten QBo) zwischen dem zwölften TFT T12 und dem dreizehnten TFT T13 gebildet sein. Beispielsweise kann der erste Kondensator C1 es auf der Basis einer Spannungsvariation des zweiten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd2 gestatten, dass Laden mittels Ureingabe in dem ersten internen Knoten Ni1 auftreten kann. Deshalb kann, wenn ein Spannungsniveau des zweiten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd2 variiert, die Spannung des ersten internen Knotens Ni1 mittels einer Spannungsvariation des zweiten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd2 aufgrund von Ladens mittels Ureingabe, das mittels Koppelns des ersten Kondensators C1 und des zweiten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd2 verursacht wird, weiter variieren, wodurch eine Ausgabeeigenschaft des zwölften TFTs T12 weiter verstärkt ist.
  • Der zweite Inverterschaltkreis IC2 kann in Antwort auf die Spannung des ersten Steuerknotens Q und eines dritten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd3 die Spannung des dritten Steuerknotens QBe entladen. Beispielsweise kann der zweite Inverterschaltkreis IC2 zum Entladen der Spannung des dritten Steuerknotens QBe zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung auf der Basis eines hohen Spannungsniveaus des ersten Steuerknotens Q einen Strompfad zwischen dem dritten Steuerknoten QBe und der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden.
  • Der zweite Inverterschaltkreis IC2 gemäß einer Ausführungsform kann einen vierzehnten TFT T14 bis siebzehnten TFT T17 und einen zweiten Kondensator C2 aufweisen.
  • Der vierzehnte TFT T14 kann basierend auf dem dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, einem zweiten internen Knoten Ni2 den dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, zuführen. Der vierzehnte TFT T14 gemäß einer Ausführungsform kann als Diode zwischen den dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 und den zweiten internen Knoten Ni2 geschaltet sein.
  • Der fünfzehnte TFT T15 kann basierend auf der Spannung des ersten Steuerknotens Q eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, eine Spannung des zweiten internen Knotens Ni2 zu der zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen.
  • Der sechzehnte TFT T16 kann basierend auf der Spannung des zweiten internen Knotens Ni2 eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, dem dritten Steuerknoten QBe den dritten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd3 zuführen.
  • Der siebzehnte TFT T17 kann basierend auf der Spannung des ersten Steuerknotens Q eingeschaltet oder ausgeschaltet werden und kann, wenn er eingeschaltet ist, der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung die Spannung des dritten Steuerknotens QBe zuführen.
  • Der zweite Kondensator C2 kann zwischen den zweiten internen Knoten Ni2 und einem Knoten (oder dem dritten Steuerknoten QBe) zwischen dem sechzehnten TFT T16 und dem siebzehnten TFT T17 gebildet sein. Beispielsweise kann der zweite Kondensator C2 es auf der Basis einer Spannungsvariation des dritten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd3 erlauben, dass in dem zweiten internen Knoten Ni2 Laden mittels Ureingabe auftritt. Deshalb kann, wenn ein Spannungsniveau des dritten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd3 variiert, die Spannung des zweiten internen Knotens Ni2 aufgrund von Ladens mittels Ureingabe, das mittels Koppelns des zweiten Kondensators C2 und des dritten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd3 hervorgerufen ist, um eine Spannungsvariation des dritten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd3 weiter variieren, wodurch eine Ausgabecharakteristik des sechzehnten TFTs T16 weiter verstärkt ist.
  • Der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 kann derart ausgeführt sein, dass er in Antwort auf ein i-tes Trägersignal CSi, ein externes Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, ein externes Ermittlungssteuersignal Scs, ein externes Ermittlungsrückstellsignal Srst und den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 eine Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten Q und dem vierten Steuerknoten Qm steuert.
  • Der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 gemäß einer Ausführungsform kann einen fünften Knotensteuerschaltkreis NCC5 und einen sechsten Knotensteuerschaltkreis NCC6 aufweisen.
  • Der fünfte Knotensteuerschaltkreis NCC5 kann in Antwort auf das i-te Trägersignal CSi, das externe Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das externe Ermittlungssteuersignal Scs und den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 die Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten Q und dem vierten Steuerknoten Qm steuern.
  • Der fünfte Knotensteuerschaltkreis NCC5 gemäß einer Ausführungsform kann einen dreiunddreißigsten TFT T33 bis siebenunddreißigsten TFT T37 und einen dritten Kondensator C3 aufweisen.
  • Der dreiunddreißigste TFT T33 kann in Antwort auf das externe Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das zusammen mit dem Startsignal Vst zugeführt wird, das i-te Trägersignal CSi zu einem dritten Verbindungsknoten Nc3 ausgeben. Beispielsweise kann der dreiunddreißigste TFT T33 basierend auf dem externen Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann das i-te Trägersignal CSi zu dem dritten Verbindungsknoten Nc3 ausgeben.
  • Der vierunddreißigste TFT T34 kann in Antwort auf das externe Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss den dritten Verbindungsknoten Nc3 elektrisch mit dem vierten Steuerknoten Qm verbinden. Beispielsweise kann der vierunddreißigste TFT T34 basierend auf dem externen Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann dem vierten Steuerknoten Qm das i-te Trägersignal CSi, das durch den dreiunddreißigsten TFT T33 und den dritten Verbindungsknoten Nc3 zugeführt wird, zuführen. Der dritte Verbindungsknoten Nc3 kann eine Verbindungsleitung zwischen dem dreiunddreißigsten TFT T33 und dem vierunddreißigsten TFT T34 sein.
  • Der fünfunddreißigste TFT T35 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm dem dritten Verbindungsknoten Nc3 den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 zuführen. Beispielsweise kann der fünfunddreißigste TFT T35 basierend auf der Spannung des vierten Steuerknotens Qm, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann dem dritten Verbindungsknoten Nc3 den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 zuführen, wodurch die Spannungsleckage des vierten Steuerknotens Qm verhindert wird. Beispielsweise kann der fünfunddreißigste TFT T35 eine Spannungsdifferenz zwischen einer Gate-Spannung des vierunddreißigsten TFTs T34 und einer Spannung des dritten Verbindungsknotens Nc3 erhöhen und kann somit den vierunddreißigsten TFT T34, der basierend auf dem externen Ermittlungsleitung-Auswahlsignal Slss, das ein niedriges Spannungsniveau aufweist, ausgeschaltet worden ist, vollständig ausschalten, wodurch der Spannungsabfall (oder eine Stromleckage) des vierten Steuerknotens Qm durch den ausgeschalteten vierunddreißigsten TFT T34 derart verhindert wird, dass die Spannung des vierten Steuerknotens Qm stabil aufrechterhalten wird.
  • Der sechsunddreißigste TFT T36 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 zu dem siebenunddreißigsten TFT T37 ausgeben. Beispielsweise kann der sechsunddreißigste TFT T36 basierend auf der Spannung des vierten Steuerknotens Qm, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann dem siebenunddreißigsten TFT T37 den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 zuführen.
  • Der siebenunddreißigste TFT T37 kann in Antwort auf das externe Ermittlungssteuersignal Scs den sechsunddreißigsten TFT T36 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden. Beispielsweise kann der siebenunddreißigste TFT T37 basierend auf dem externen Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann zum Laden eines Spannungsniveaus des ersten Gate-Ansteuerungsstroms GVdd1 in den ersten Steuerknoten Q dem ersten Steuerknoten Q den ersten Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1, der durch den sechsunddreißigsten TFT T36 zugeführt wird, zuführen.
  • Der dritte Kondensator C3 kann zwischen dem vierten Steuerknoten Qm und der ersten Gate-Ansteuerungsstromleitung gebildet sein und kann eine Differenzspannung zwischen dem vierten Steuerknoten Qm und der ersten Gate-Ansteuerungsstromleitung speichern. Beispielsweise kann eine erste Elektrode des dritten Kondensators C3 elektrisch mit dem vierten Steuerknoten Qm, der mit einer Gate-Elektrode des fünfunddreißigsten TFTs T35 und einer Gate-Elektrode des sechsunddreißigsten TFTs T36 gemeinsam verbunden ist, verbunden sein, und eine zweite Elektrode des dritten Kondensators C3 kann elektrisch mit der ersten Gate-Ansteuerungsstromleitung verbunden sein. Der dritte Kondensator C3 kann entsprechend dem Einschalten des dreiunddreißigsten TFTs, vierunddreißigsten TFTs und fünfunddreißigsten TFTs T33 bis T35 das i-te Trägersignal CSi speichern, und kann, wenn der dreiunddreißigste TFT, der vierunddreißigste TFT und der fünfunddreißigste TFT T33 bis T35 ausgeschaltet sind, unter Verwendung der gespeicherten Spannung die Spannung des vierten Steuerknotens Qm bei einem hohen Spannungsniveau aufrechterhalten. Beispielsweise kann der dritte Kondensator C3 unter Verwendung der gespeicherten Spannung während einer Horizontalperiode die Spannung des vierten Steuerknotens Qm bei einem hohen Spannungsniveau aufrechterhalten.
  • Der sechste Knotensteuerschaltkreis NCC6 kann in Antwort auf das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst die Spannung des ersten Steuerknotens Q entladen. Beispielsweise kann der sechste Knotensteuerschaltkreis NCC6 in Antwort auf das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, dem ersten Steuerknoten Q den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen, wodurch die Spannung des ersten Steuerknotens Q zurückgesetzt oder initialisiert wird.
  • Der sechste Knotensteuerschaltkreis NCC6 gemäß einer Ausführungsform kann einen achtunddreißigsten TFT T38 und einen neununddreißigsten TFT T39 aufweisen.
  • Der achtunddreißigste TFT T38 kann in Antwort auf das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der durch die erste Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung zugeführt wird, zuführen. Beispielsweise kann der achtunddreißigste TFT T38 basierend auf dem externen Ermittlungsrückstellsignal Srst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zu dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 ausgeben.
  • Der neununddreißigste TFT T39 kann in Antwort auf das externe Ermittlungsrückstellsignal Srst den zweiten Verbindungsknoten Nc2 elektrisch mit dem ersten Steuerknoten Q verbinden. Beispielsweise kann der neununddreißigste TFT T39 basierend auf dem externen Ermittlungsstellsignal Srst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann dem ersten Steuerknoten Q den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der durch den achtunddreißigsten TFT T38 und den zweiten Verbindungsknoten Nc2 zugeführt wird, zuführen.
  • Der zweite Verbindungsknoten Nc2 zwischen dem achtunddreißigsten TFT T38 und dem neununddreißigster TFT T39 kann elektrisch mit dem ersten Verbindungsknoten Nc1 verbunden sein. Deshalb kann dem zweiten Verbindungsknoten Nc2 der erste Gate-Ansteuerungsstrom GVdd1 durch den dritten TFT T3 des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 zugeführt werden. Deshalb kann der dritte TFT T3 des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 eine Spannungsdifferenz zwischen einer Gate-Spannung des neununddreißigsten TFTs T39 des sechsten Knotensteuerschaltkreises NCC6 und der Spannung des zweiten Verbindungsknotens Nc2 zum vollständigen Ausschalten des neununddreißigsten TFTs T39, der basierend auf dem externen Ermittlungsrückstellsignal Srst, das ein niedriges Spannungsniveau aufweist, ausgeschaltet worden ist, erhöhen und kann somit den Spannungsabfall (oder die Stromleckage) des ersten Steuerknotens Q durch den ausgeschalteten neununddreißigsten TFT T39 verhindern, wodurch die Spannung des ersten Steuerknotens Q stabil aufrechterhalten wird.
  • Optional kann der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 weggelassen werden. Das bedeutet, dass der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 ein Schaltkreis sein kann, der zum Ermitteln eines Eigenschaftswerts eines Ansteuerungs-TFTs, der in einem Subpixel eines Pixels angeordnet ist, auf der Basis eines externen Ermittlungsmodus des Pixels verwendet wird, und wenn das Pixel nicht in dem externen Ermittlungsmodus angesteuert wird, kann der erste Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 ein unerwünschtes Element sein und kann somit weggelassen werden.
  • 13 ist ein Ersatzschaltbild, das den Knotenrückstellschaltkreis, den Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis und den zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis, die jeweils in 11 dargestellt sind, darstellt.
  • Bezugnehmend auf 11 und 13 kann ein Knotenrückstellschaltkreis NRC gemäß einer Ausführungsform ein Spannungsniveau von jedem von einem zweiten Steuerknoten QBo und einem dritten Steuerknoten QBe aufrechterhalten, während eine Spannung eines ersten Steuerknotens Q ein hohes Spannungsniveau aufweist.
  • Der Knotenrückstellschaltkreis NRC gemäß einer Ausführungsform kann einen achtzehnten TFT T18 bis dreiundzwanzigsten TFT T23 aufweisen.
  • Der achtzehnte TFT T18 kann in Antwort auf ein Startsignal Vst und ein Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS einen vierten Verbindungsknoten Nc4 elektrisch mit einer Vorwärts-Ansteuerungssignalleitung verbinden. Beispielsweise kann der achtzehnte TFT T18 basierend auf dem Startsignal Vst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann dem vierten Verbindungsknoten Nc4 das Vorwärts-Ansteuerungssignal FWS zuführen.
  • Der neunzehnte TFT T19 kann in Antwort auf eine Spannung eines vierten Verbindungsknotens Nc4 einen zweiten Steuerknoten QBo elektrisch mit einer ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbinden. Beispielsweise kann der neunzehnte TFT T19 basierend auf einer Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 eingeschaltet werden und kann zum Entladen einer Spannung des zweiten Steuerknotens QBo zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung einen Strompfad zwischen dem zweiten Steuerknoten QBo und der ersten Gate-Gemeinsame-Steuerleitung bilden, wodurch die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo auf ein Spannungsniveau eines ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 zurückgesetzt wird.
  • Der zwanzigste TFT T20 kann in Antwort auf die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo den vierten Verbindungsknoten Nc4 elektrisch mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbinden. Beispielsweise kann der zwanzigste TFT T20 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo eingeschaltet werden und kann zum Entladen einer Spannung des ersten Verbindungsknotens Nc4 zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung einen Strompfad zwischen dem vierten Verbindungsknoten Nc4 und der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden, wodurch die Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 auf das Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 zurückgesetzt wird. Dementsprechend kann, wenn die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo ein hohes Spannungsniveau aufweist, der zwanzigste TFT T20 zum Ausschalten des neunzehnten TFTs T19 die Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 auf das Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 zurücksetzen und kann somit verhindern, dass die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo durch den neunzehnten TFT T19 zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen wird.
  • Der einundzwanzigste TFT T21 kann in Antwort auf ein Rückstellsignal Vrst und ein Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS den vierten Verbindungsknoten Nc4 mit einer Rückwärts-Ansteuerungssignalleitung verbinden. Beispielsweise kann der einundzwanzigste TFT T21 basierend auf dem Rückstellsignal Vrst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann dem vierten Verbindungsknoten Nc4 das Rückwärts-Ansteuerungssignal BWS, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, zuführen.
  • Der zweiundzwanzigste TFT T22 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 den dritten Steuerknoten QBe elektrisch mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbinden. Beispielsweise kann der zweiundzwanzigste TFT T22 basierend auf der Spannung des vierten Verbindungsknoten Nc4 eingeschaltet werden und kann zum Entladen einer Spannung des dritten Steuerknotens QBe zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung einen Strompfad zwischen dem dritten Steuerknoten QBe und der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden, wodurch die Spannung des dritten Steuerknotens QBe auf das Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 zurückgesetzt wird.
  • Der dreiundzwanzigste TFT T23 kann in Antwort auf die Spannung des dritten Steuerknotens QBe den vierten Verbindungsknoten Nc4 elektrisch mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbinden. Beispielsweise kann der dreiundzwanzigste TFT T23 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe eingeschaltet werden und kann zum Entladen der Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung einen Strompfad zwischen dem vierten Verbindungsknoten Nc4 und der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung bilden, wodurch die Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 auf das Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 zurückgesetzt wird. Dementsprechend kann, wenn die Spannung des dritten Steuerknotens QBe ein hohes Spannungsniveau aufweist, zum Ausschalten des zweiundzwanzigsten TFTs T22 die Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 auf das Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 zurücksetzen und kann somit verhindern, dass die Spannung des dritten Steuerknotens QBe durch den zweiundzwanzigsten TFT T22 zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen wird.
  • Der neunzehnte TFT T19 und der zweiundzwanzigste TFT T22 können basierend auf der Spannung des vierten Verbindungsknotens Nc4 gleichzeitig eingeschaltet oder ausgeschaltet werden.
  • Beispielsweise können, beim Vorwärts-Abtastansteuern des Gate-Ansteuerungsschaltkreises 150, der neunzehnte TFT T19 und der zweiundzwanzigste TFT T22 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des Vorwärts-Ansteuerungssignals FWS, das durch den achtzehnten TFT T18, der basierend auf dem Startsignal Vst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet wird, dem vierten Verbindungsknoten Nc4 zugeführt wird, gleichzeitig eingeschaltet werden, und können basierend auf dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der dem vierten Verbindungsknoten Nc4 durch den zwanzigsten TFT T20, der basierend auf einem hohen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo eingeschaltet wird, zugeführt wird, gleichzeitig ausgeschaltet werden oder können basierend auf dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der dem vierten Verbindungsknoten Nc4 durch den dreiundzwanzigsten TFT T23, der basierend auf einem hohen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe eingeschaltet wird, zugeführt wird, gleichzeitig ausgeschaltet werden.
  • Als ein weiteres Beispiel können, beim Rückwärts-Abtastansteuern des Gate-Ansteuerungsschaltkreises 150 der neunzehnte TFT T19 und der zweiundzwanzigste TFT T22 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des Rückwärts-Ansteuerungssignals BWS, das dem vierten Verbindungsknoten Nc4 durch den einundzwanzigsten TFT T21, der basierend auf dem Rückstellsignal Vrst, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet wird, zugeführt wird, gleichzeitig eingeschaltet werden und können basierend auf dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, der dem vierten Verbindungsknoten Nc4 durch den dreiundzwanzigsten TFT T23, der basierend auf einem hohen Spannungsniveau des dritten Steuerknotens QBe eingeschaltet wird, zugeführt wird, gleichzeitig ausgeschaltet werden oder können basierend auf dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, das dem vierten Verbindungsknoten Nc4 durch den zwanzigsten TFT T20, der basierend auf einem hohen Spannungsniveau des zweiten Steuerknotens QBo eingeschaltet wird, zugeführt wird, gleichzeitig ausgeschaltet werden.
  • Der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC kann einen Trägertakt cCLK, einen ungeradzahligen Abtasttakt sCLKo, einen geradzahligen Abtasttakt sCLKe, einen ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1, den zweiten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss2 und einen dritten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss3 empfangen und kann in Antwort auf die Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe basierend auf dem Trägertakt cCLK, dem Abtasttakt sCLK und dem dritten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss3 ein i-tes Abtastsignal SSi, ein i+1-tes Abtastsignal SSi+1 und ein i-tes Trägersignal CSi ausgeben. Beispielsweise kann, wenn die Spannung des ersten Steuerknotens Q ein hohes Spannungsniveau aufweist, der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC das i-te Trägersignal CSi entsprechend dem Trägertakt cCLK, das i-te Abtastsignal SSi entsprechend dem ungeradzahligen Abtasttakt sCLKo und das i+1-te Abtastsignal SSi+1 entsprechend dem geradzahligen Abtasttakt sCLKe ausgeben.
  • Der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC1 bis dritten Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC3 aufweisen.
  • Der erste Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC1 kann auf der Basis der Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe das i-te Abtastsignal SSi, das ein Spannungsniveau des ungeradzahligen Abtasttaktes sCLKo oder ein Spannungsniveau des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3 aufweist, ausgeben.
  • Der erste Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC1 gemäß einer Ausführungsform kann einen vierundzwanzigsten TFT T24 bis sechsundzwanzigsten TFT T26 und einen Kopplungskondensator Cc aufweisen.
  • Der vierundzwanzigste TFT T24 (oder ein erster Pull-up-TFT) kann auf der Basis der Spannung des ersten Steuerknotens Q durch einen ersten Ausgabeknoten No1 den ungeradzahligen Abtasttakt sCLKo zu der i-ten Gate-Leitung GLi übertragen. Beispielsweise kann der vierundzwanzigste TFT T24 eine Gate-Elektrode, die mit dem ersten Steuerknoten Q verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem ersten Ausgabeknoten No1 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einer ungeradzahligen Abtasttaktleitung verbunden ist, aufweisen.
  • Der fünfundzwanzigste TFT T25 (oder ein ungerader erster Pull-Down-TFT) kann auf der Basis der Spannung des zweiten Steuerknotens QBo den dritten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss3 durch den ersten Ausgabeknoten No1 zu der i-ten Gate-Leitung GLi übertragen. Beispielsweise kann der fünfundzwanzigste TFT T25 eine Gate-Elektrode, die mit dem zweiten Steuerknotens QBo verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem ersten Ausgabeknoten No1 verbunden ist, und eine zweite Source/Darin-Elektrode, die mit einer dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, aufweisen.
  • Der sechsundzwanzigste TFT T26 (oder ein gerader erster Pull-Down-TFT) kann auf der Basis der Spannung des dritten Steuerknotens QBe den dritten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss3 durch den ersten Ausgabeknoten No1 zu der i-ten Gate-Leitung GLi übertragen. Beispielsweise kann der sechsundzwanzigste TFT T 26 eine Gate-Elektrode, die mit dem dritten Steuerknoten QBe verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem ersten Ausgabeknoten No1 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einer dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, aufweisen.
  • Der Kopplungskondensator Cc kann zwischen dem ersten Steuerknoten Q und dem ersten Ausgabeknoten No1 gebildet sein. Beispielsweise kann der Kopplungskondensator Cc ein parasitärer Kondensator zwischen einer Gate-Elektrode des vierundzwanzigsten TFTs T24 und dem ersten Ausgabeknoten No1 sein. Der Kopplungskondensator Cc kann es erlauben, dass auf der Basis einer Phasenverschiebung (oder Variation) des ungeradzahligen Abtasttaktes sCLKo in dem ersten Steuerknoten Q ein Laden mittels Ureingabe stattfindet. Dementsprechend kann, wenn der ungeradzahlige Abtasttakt sCLKo von einem niedrigen Spannungsniveau zu einem hohen Spannungsniveau verschoben wird, die Spannung des ersten Steuerknotens Q mittels eines hohen Spannungsniveaus des ungeradzahligen Abtasttaktes sCLKo auf der Basis des Ladens mittels Ureingabe, das mittels Koppelns zwischen dem Kopplungskondensator Cc und dem ungeradzahligen Abtasttakt sCLKo, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, hervorgerufen wird, auf eine höhere Spannung geboostet werden. Beispielsweise kann, da der ungeradzahlige Abtasttakt sCLKo, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, der zweiten Source/Drain-Elektrode des vierundzwanzigsten TFTs T24 zugeführt wird, die Spannung des ersten Steuerknotens Q, die mittels des ersten Knotensteuerschaltkreises NCC1 mit einem Spannungsniveau des ersten Vorwärts-Ansteuerungssignals FWS vorgeladen ist, auf eine höhere Spannung geboostet werden, und somit kann der vierundzwanzigste TFT T24 vollständig eingeschaltet werden und der ungeradzahlige Abtasttakt sCLKo, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, kann, als das i-te Abtastsignal SSi, der i-ten Gate-Leitung GLi durch den ersten Ausgabeknoten No1 und den eingeschalteten vierundzwanzigsten TFT T24 ohne Spannungsverlust zugeführt werden.
  • Der zweite Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC2 kann auf der Basis der Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe das i+1-te Abtastsignal SSi+1, das ein Spannungsniveau des geradzahligen Abtasttaktes sCLKe oder ein Spannungsniveau des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3 aufweist, ausgeben.
  • Der zweite Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC2 gemäß einer Ausführungsform kann einen siebenundzwanzigsten TFT T27 bis neunundzwanzigsten TFT T29 aufweisen.
  • Der siebenundzwanzigste TFT T27 (oder ein zweiter Pull-up-TFT) kann auf der Basis der Spannung des ersten Steuerknotens Q durch einen zweiten Ausgabeknoten No2 den geradzahligen Abtastakt sCLKe zu der i+1-ten Gate-Leitung GLi+1 übertragen. Beispielsweise kann der siebenundzwanzigste TFT T27 eine Gate-Elektrode, die mit dem ersten Steuerknoten Q verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Ausgabeknoten No2 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einer geradzahligen Abtasttaktleitung verbunden ist, aufweisen. Der siebenundzwanzigste TFT T27 kann basierend auf der Ureingabe-Laden-Spannung des ersten Steuerknotens Q eingeschaltet werden und kann somit den geradzahligen Abtasttakt sCLKe, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, der durch eine geradzahlige Abtasttaktleitung zugeführt wird, als das i+1-te Abtastsignal SSi+1 durch den zweiten Ausgabeknoten No2 ohne Spannungsverlust zu der i+1-ten Gate-Leitung GLi+1 übertragen.
  • Der achtundzwanzigste TFT T28 (oder ein ungerader zweiter Pull-Down-TFT) kann auf der Basis der Spannung des zweiten Steuerknotens QBo durch den zweiten Ausgabeknoten No2 den dritten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss3 zu der i+1-ten Gate-Leitung GLi+1 übertragen. Beispielsweise kann der achtundzwanzigste TFT T28 eine Gate-Elektrode, die mit dem zweiten Steuerknoten QBo verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Ausgabeknoten No2 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit der dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, aufweisen.
  • Der neunundzwanzigste TFT T29 (oder ein gerader zweiter Pull-Down-TFT) kann auf der Basis der Spannung des dritten Steuerknotens QBe den dritten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss3 durch den zweiten Ausgabeknoten No2 zu der i+1-ten Gate-Leitung GLi+1 übertragen. Beispielsweise kann der neunundzwanzigste TFT T29 eine Gate-Elektrode, die mit dem dritten Steuerknoten QBe verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Ausgabeknoten No2 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit der dritten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, aufweisen.
  • Der dritte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC 3 kann auf der Basis der Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe das i-te Trägersignal CSi, das ein Spannungsniveau des Trägertaktes cCLK oder ein Spannungsniveau des ersten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss1 aufweist, ausgeben.
  • Der dritte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC3 gemäß einer Ausführungsform kann einen dreißigsten TFT T30 bis zweiunddreißigsten TFT T32 aufweisen.
  • Der dreißigste TFT T30 (oder ein dritter Pull-up-TFT) kann auf der Basis der Spannung des ersten Steuerknotens Q durch einen dritten Ausgabeknoten No3 den Trägertakt cCLK als das i-te Trägersignal CSi ausgeben. Beispielsweise kann der dreißigste TFT T30 eine Gate-Elektrode, die mit dem ersten Steuerknoten Q verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem dritten Ausgabeknoten No3 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einer Trägertaktleitung verbunden ist, aufweisen. Der dreißigste TFT T30 kann basierend auf der Ureingabe-Laden-Spannung des ersten Steuerknotens Q eingeschaltet werden und kann, als das i-te Trägersignal CSi, den Trägertakt cCLK, der ein hohes Spannungsniveau aufweist, der durch die Trägertaktleitungen zugeführt wird, ohne Spannungsverlust durch den dritten Ausgabeknoten No3 ausgeben.
  • Der einunddreißigste TFT T31 (oder ein ungerader dritter Pull-Down-TFT) kann, als das i-te Trägersignal CSi, auf der Basis der Spannung des zweiten Steuerknotens QBo den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 durch den dritten Ausgabeknoten No3 ausgeben. Beispielsweise kann der einunddreißigste TFT T31 eine Gate-Elektrode, die mit dem zweiten Steuerknoten QBo verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem dritten Ausgabeknoten No3 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, aufweisen.
  • Der zweiunddreißigste TFT T32 (oder ein gerader dritter Pull-down-TFT) kann, als das i-te Trägersignal CSi, auf der Basis der Spannung des dritten Steuerknotens QBe den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 durch den dritten Ausgabeknoten No3 ausgeben. Beispielsweise kann der zweiunddreißigste TFT T32 eine Gate-Elektrode, die mit dem dritten Steuerknoten QBe verbunden ist, eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit dem dritten Ausgabeknoten No3 verbunden ist, und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung verbunden ist, aufweisen.
  • Alternativ dazu kann der Kopplungskondensator Cc zwischen dem ersten Steuerknoten Q und dem dritten Ausgabeknoten No3 gebildet sein. Des Weiteren kann der Kopplungskondensator Cc in mindestens einem von einem Bereich zwischen dem ersten Steuerknoten Q und dem ersten Ausgabeknoten No1, einem Bereich zwischen dem ersten Steuerknoten Q und dem zweiten Ausgabeknoten No2 und einem Bereich zwischen dem ersten Steuerknoten Q und dem dritten Ausgabeknoten No3 gebildet sein.
  • Der zweite Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 kann derart ausgeführt sein, dass in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm und des externen Ermittlungssteuersignals Scs die Spannung von jedem von dem zweiten Steuerknoten QBo und dem dritten Steuerknoten QBe entladen wird.
  • Der zweite Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Knoten-Entladeschaltkreis NDC1 und einen zweiten Knoten-Entladeschaltkreis NDC2 aufweisen.
  • Der erste Knoten-Entladeschaltkreis NDC1 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm und das externe Ermittlungssteuersignal Scs die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo entladen. Beispielsweise kann der erste Knoten-Entladeschaltkreis NDC1 in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm, die ein hohes Spannungsniveau aufweist, und des externen Ermittlungssteuersignals Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, dem zweiten Steuerknoten QBo den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen, und kann somit die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen oder kann die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo zu dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zurücksetzen.
  • Der erste Knoten-Entladeschaltkreis NDC1 gemäß einer Ausführungsform kann einen vierzigsten TFT T40 und einen einundvierzigsten TFT T41 aufweisen.
  • Der vierzigste TFT T40 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zu dem einundvierzigsten TFT T41 übertragen. Beispielsweise kann der vierzigste TFT T40 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des vierten Steuerknotens Qm eingeschaltet werden und kann zwischen dem einundvierzigsten TFT T41 und dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 einen Strompfad bilden.
  • Der einundvierzigste TFT T41 kann in Antwort auf das externe Ermittlungssteuersignal Scs den zweiten Steuerknoten QBo elektrisch mit dem vierzigsten TFT T40 verbinden. Beispielsweise kann der einundvierzigste TFT T41 basierend auf dem externen Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann zwischen dem zweiten Steuerknoten QBo und dem vierzigsten TFT T40 einen Strompfad bilden. Der einundvierzigste TFT T41 kann basierend auf dem externen Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, in einem Zustand, in dem der vierzigste TFT T40 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des vierten Steuerknotens Qm eingeschaltet ist, eingeschaltet werden, und somit kann die Spannung des zweiten Steuerknotens QBo zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen werden oder kann durch jeden von dem einundvierzigsten TFT T41 und dem vierzigsten TFT T40 auf den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zurückgesetzt werden.
  • Der zweite Knoten-Entladeschaltkreis NDC2 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm und das externe Ermittlungssteuersignal Scs die Spannung des dritten Steuerknotens QBe entladen. Beispielsweise kann der zweite Knoten-Entladeschaltkreis NDC2 in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm, die ein hohes Spannungsniveau aufweist, und das externe Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, dem dritten Steuerknoten QBe den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zuführen und kann somit die Spannung des dritten Steuerknotens QBe zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen oder kann die Spannung des dritten Steuerknotens QBe auf den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zurücksetzen.
  • Der zweite Knoten-Entladeschaltkreis NDC2 gemäß einer Ausführungsform kann einen zweiundvierzigsten TFT T42 und einen dreiundvierzigsten TFT T43 aufweisen.
  • Der zweiundvierzigste TFT T42 kann in Antwort auf die Spannung des vierten Steuerknotens Qm den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zu dem dreiundvierzigsten TFT T43 übertragen. Beispielsweise kann der zweiundvierzigste TFT T42 basierend auf einem hohen Spannungsniveau des vierten Steuerknotens Qm eingeschaltet werden und kann einen Strompfad zwischen dem dreiundvierzigsten TFT T43 und dem ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 bilden.
  • Der dreiundvierzigste TFT T43 kann in Antwort auf das externe Ermittlungssteuersignal Scs den dritten Steuerknoten QBe elektrisch mit dem zweiundvierzigsten TFT T42 verbinden. Beispielsweise kann der dreiundvierzigste TFT T43 basierend auf dem externen Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, eingeschaltet werden und kann einen Strompfad zwischen dem dritten Steuerknoten QBe und dem zweiundvierzigsten TFT T42 bilden. Der dreiundvierzigste TFT T43 kann basierend auf dem externen Ermittlungssteuersignal Scs, das ein hohes Spannungsniveau aufweist, in einem Zustand, in dem der zweiundvierzigste TFT T42, basierend auf einem hohen Spannungsniveau des vierten Steuerknotens Qm eingeschaltet ist, eingeschaltet werden, und somit kann die Spannung des dritten Steuerknotens QBe zu der ersten Gate-Gemeinsamer-Strom-Leitung entladen werden oder kann durch jeden von dem dreiundvierzigsten TFT T43 und dem zweiundvierzigsten TFT T42 auf den ersten Gate-Gemeinsamer-Strom GVss1 zurückgesetzt werden.
  • Alternativ dazu kann der zweite Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 zusammen mit dem ersten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 weggelassen werden. Das bedeutet, dass jeder von dem ersten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 und dem zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 ein Schaltkreis sein kann, der zum Ermitteln eines Eigenschaftswertes eines Ansteuerungs-TFTs, der in einem Subpixel eines Pixels angeordnet ist, auf der Basis eines externen Ermittlungsmodus des Pixels verwendet wird, und, wenn das Pixel nicht in dem externen Ermittlungsmodus angesteuert wird, kann jeder von dem ersten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC1 und dem zweiten Ermittlungssteuerschaltkreis SCC2 ein unerwünschtes Element sein und somit weggelassen werden.
  • Der erste TFT T1 bis dreiundvierzigste TFT T43, die in 12 und 13 dargestellt sind, können in einer Horizontalzeile des Anzeigebereichs AA separat angeordnet (oder verteilt angeordnet) sein und können durch das Zweignetzwerk 153 miteinander verbunden sein und können somit die Zweigschaltkreise 1511 bis 151 n, die zwischen der Mehrzahl von Pixeln P in einer Längsausrichtung der Mehrzahl von Gate-Leitungen in einem Abstand voneinander angeordnet sind und mit der in 7 dargestellten Gate-Steuerleitungsgruppe GCL verbunden sind, einrichten. Beispielsweise kann jede von den Stufenschaltkreiseinheiten 1501 bis 150m einen ersten Zweigschaltkreis 1511 bis n-ten (wobei n 43 ist) Zweigschaltkreis 151 n aufweisen, in denen einer von dem ersten TFT T1 bis dreiundvierzigsten TFT T43 angeordnet oder bereitgestellt ist, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und jeder von den Zweigschaltkreisen der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n kann mit mindestens einem des ersten TFTs T1 bis dreiundvierzigsten TFTs T43 auf der Basis der Anzahl von Pixeln, die in einer Horizontalzeile angeordnet sind, ausgeführt sein.
  • Außerdem kann, in der Stufenschaltkreiseinheit 150i, die in 11 bis 13 dargestellt ist, wenn der erste Schalt-TFT Tsw1 und der zweite Schalt-TFT Tsw2, die in dem Pixelschaltkreis PC von jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP1 bis SP4, die in 8 dargestellt sind, angeordnet sind, basierend auf verschiedenen ersten und zweiten Abtastsignalen eingeschaltet werden, das i-te Abtastsignal SSi als ein erstes Abtastsignal, das durch eine erste Gate-Leitung der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo zugeführt wird, verwendet werden, und das i+1-te Abtastsignal SSi+1 kann als das erste Abtastsignal, das durch eine erste Gate-Leitung der geradzahligen Gate-Leitung GLe zugeführt wird, verwendet werden. Deshalb kann der Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC der Stufenschaltkreiseinheit 150i, die in 11 bis 13 dargestellt ist, des Weiteren einen vierten Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis und einen fünften Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis aufweisen.
  • Der vierte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis kann zum Ausgeben eines zweiten Abtastsignals zu einer zweiten Gate-Leitung der ungeradzahligen Gate-Leitung GLo ausgeführt sein, und der fünfte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis kann zum Ausgeben des zweiten Abtastsignals zu einer zweiten Gate-Leitung der geradzahligen Gate-Leitung GLe ausgeführt sein.
  • Der vierte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis gemäß einer Ausführungsform kann auf der Basis der Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe ein i-tes zweites Abtastsignal, das ein Spannungsniveau eines zweiten Abtast-ungeradzahligen Abtasttaktes oder ein Spannungsniveau des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3 aufweist, ausgeben. Abgesehen davon, dass der vierte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis auf der Basis des zweiten Abtast-ungeradzahligen Abtasttaktes das i-te zweite Abtastsignal ausgibt, kann der vierte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis drei TFTs aufweisen, die im Wesentlichen die gleichen sind wie die des ersten Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreises OBC1, der in 13 dargestellt ist, und somit wird seine detaillierte Beschreibung weggelassen.
  • Der fünfte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis gemäß einer Ausführungsform kann auf der Basis der Spannung von jedem von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten Q, QBo und QBe ein i+1-tes zweites Abtastsignal, das ein Spannungsniveau eines zweiten Abtast-geradzahligen Abtasttaktes oder ein Spannungsniveau des dritten Gate-Gemeinsamer-Stroms GVss3 aufweist, ausgeben. Abgesehen davon, dass der fünfte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis das i+1-te zweite Abtastsignal auf der Basis des zweiten Abtast-geradzahligen Abtasttaktes ausgibt, kann der fünfte Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis drei TFTs aufweisen, die im Wesentlichen die gleichen sind wie die des zweiten Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreises OBC2, der in 13 dargestellt ist, und somit wird seine detaillierte Beschreibung weggelassen.
  • In der in 11 bis 13 dargestellten Stufenschaltkreiseinheit 150i kann der ungeradzahlige Abtasttakt sCLKo als ein erster Abtast-ungeradzahliger Abtasttakt bezeichnet werden, und der geradzahlige Abtasttakt sCLKe kann als ein erster Abtastgeradzahliger Abtasttakt bezeichnet werden. Beispielsweise können ein erster Abtast-Abtasttakt und ein zweiter Abtast-Abtasttakt die gleiche Phase oder verschiedene Phasen aufweisen. Ebenso können der erste Abtast-Abtasttakt und der zweite Abtast-Abtasttakt die gleiche Taktbreite oder verschiedene Taktbreiten aufweisen.
  • 14 ist ein Schaubild zum Beschreiben eines Gate-Ansteuerungsschaltkreises gemäß einer weiteren Ausführungsform der in 4 dargestellten vorliegenden Offenbarung, und stellt eine Ausführungsform dar, in der eine Ausgestaltung von jeder Stufenschaltkreiseinheit in dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis, der in 6 und 7 dargestellt ist, modifiziert ist. Beim Beschreiben der 14 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 6 und 7 oder diesen entsprechen, mittels der gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 14 kann ein Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 gemäß einer weiteren Ausführungsform eine Mehrzahl von Stufenschaltkreiseinheiten 1501 bis 150m aufweisen, die in jeder Horizontalzeile eines ersten Substrats 100 in einer ersten Richtung X angeordnet sind und in einer zweiten Richtung Y abhängig miteinander verbunden sind.
  • Jede von der Mehrzahl von Stufenschaltkreiseinheiten 1501 bis 150m gemäß einer Ausführungsform können kann einen ersten Stufenschaltkreisteil 151A und einen zweiten Stufenschaltkreisteil 151B aufweisen.
  • Der erste Stufenschaltkreisteil 151A kann in einem Bereich von jeder Horizontalzeile auf einer ersten Oberfläche 100a eines ersten Substrats 100 in einer ersten Richtung X angeordnet sein. Der erste Stufenschaltkreisteil 151A kann ein Abtastsignal erzeugen und kann das Abtastsignal in Antwort auf ein Gate-Steuersignal, das durch jede Leitung einer Gate-Steuerleitungsgruppe GCL zugeführt wird, einer entsprechenden Gate-Leitung GL zuführen.
  • Der erste Stufenschaltkreisteil 151A gemäß einer Ausführungsform kann das Zweignetzwerk 153, den Knotensteuerschaltkreis NCC, den ersten Inverterschaltkreis IC1, den zweiten Inverterschaltkreis IC2, den Knotenrückstellschaltkreis NRC und den Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC, die in 11 bis 13 dargestellt sind, aufweisen. Der erste Stufenschaltkreisteil 151A, der derartige Elemente aufweist, kann die gleichen Elemente aufweisen wie die der i-ten Stufenschaltkreiseinheit 150i, die in 11 bis 13 dargestellt ist, und somit werden ihre wiederholten Beschreibungen weggelassen werden.
  • Das Zweignetzwerk 153 des ersten Stufenschaltkreisteils 151A kann eine Mehrzahl von ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten und eine Netzwerkleitung aufweisen, und die Mehrzahl von ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten können mit einem zweiten Stufenschaltkreisteil 151B geteilt werden. Das bedeutet, dass jeder von dem ersten Steuerknoten bis dritten Steuerknoten mit dem ersten Stufenschaltkreisteil 151A und dem zweiten Stufenschaltkreisteil 151B zusammen verbunden sein kann.
  • Der erste Stufenschaltkreisteil 151A gemäß einer Ausführungsform kann den Knotensteuerschaltkreis NCC, den ersten Inverterschaltkreis IC1, den zweiten Inverterschaltkreis IC2, den Knotenrückstellschaltkreis NRC und eine Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n, die mindestens einen von den TFTs T1 bis T43 aufweisen, die den Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC einrichten, aufweisen. Jeder von der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n kann durch das Zweignetzwerk 153 abhängig miteinander verbunden sein.
  • Der zweite Stufenschaltkreisteil 151B kann in dem anderen Bereich von jeder Horizontalzeile der ersten Oberfläche 100a des Substrats 100 angeordnet sein. Der zweite Stufenschaltkreisteil 151B kann ein Abtastsignal erzeugen und kann das Abtastsignal in Antwort auf ein Gate-Steuersignal, das durch jede Leitung einer Gate-Steuerleitungsgruppe GCL zugeführt wird, einer entsprechenden Gate-Leitung GL zuführen. Beispielsweise kann der zweite Stufenschaltkreisteil 151B elektrisch mit der gleichen Gate-Leitung verbunden sein wie der erste Stufenschaltkreisteil 151A und kann der gleichen Gate-Leitung das gleiche Abtastsignal zuführen wie der erste Stufenschaltkreisteil 151A. In diesem Falle kann der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150 eine doppelte Zuführungsweise zum gleichzeitigen Zuführen eines Abtastsignals in einem Bereich und dem anderen Bereich einer Gate-Leitung durch den ersten Stufenschaltkreisteil 151A und den zweiten Stufenschaltkreisteil 151B realisieren, und somit kann die Verzögerung des Abtastsignals, die mittels eines Leitungswiderstands von jeder Gate-Leitung hervorgerufen wird, verhindert oder minimiert sein.
  • Optional kann der zweite Stufenschaltkreisteil 151B als ein Redundanzschaltkreis ausgeführt sein, zum Ersetzen des ersten Stufenschaltkreisteils 151A, wenn in dem ersten Stufenschaltkreisteil 151A ein Ansteuerungsfehler oder ein Defekt auftritt.
  • Der zweite Stufenschaltkreisteil 151B gemäß einer Ausführungsform kann den Knotensteuerschaltkreis NCC, den ersten Inverterschaltkreis IC1, den zweiten Inverterschaltkreis IC2, den Knotenrückstellschaltkreis NRC und den Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC, die in 11 bis 13 dargestellt sind, aufweisen. Der zweite Stufenschaltkreisteil 151B, der derartige Elemente aufweist, kann die gleichen Elemente aufweisen wie die der i-ten Stufenschaltkreiseinheit 150i, die in 11 bis 13 dargestellt ist, und somit werden ihre wiederholten Beschreibungen weggelassen.
  • Der zweite Stufenschaltkreisteil 151B gemäß einer Ausführungsform kann den Knotensteuerschaltkreis NCC, den ersten Inverterschaltkreis IC1, den zweiten Inverterschaltkreis IC2, den Knotenrückstellschaltkreis NRC und eine Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n, die mindestens einen von TFTs T1 bis T43 aufweisen, die den Ausgabe-Zwischenspeicherschaltkreis OBC einrichten, aufweisen. Jeder von der Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n kann durch das Zweignetzwerk 153 abhängig miteinander verbunden sein.
  • 15 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie I-I', die in 4 dargestellt ist, und 16 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B4“, der in 15 dargestellt ist. 15 und 16 sind Schaubilder zum Beschreiben einer Querschnittstruktur von jedem von dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung. Beim Beschreiben der 15 und 16 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 4 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 6, 8, 15 und 16 kann eine Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 100 und ein zweites Substrat 200, die unter Verwendung eines Kopplungselements 300 miteinander gekoppelt (oder gebondet) sind, aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann eine Schaltkreisschicht 101, eine Planarisierungsschicht 102, eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, einen Wall 104, eine Dammstruktur 105 und eine Verkapselungsschicht 106 aufweisen.
  • Die Schaltkreisschicht 101 kann auf einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sein. Die Schaltkreisschicht 101 kann als eine Pixelmatrixschicht oder eine TFT-Matrixschicht bezeichnet werden.
  • Die Schaltkreisschicht 101 gemäß einer Ausführungsform kann eine Pufferschicht 101a und eine Schaltkreismatrixschicht 101b aufweisen.
  • Die Pufferschicht 101a kann verhindern, dass Materialien, wie beispielsweise Wasserstoff, der in dem ersten Substrat 100 enthalten ist, in einem Hochtemperaturprozess eines Herstellungsprozesses eines TFTs in die Schaltkreismatrixschicht 101b diffundiert. Ebenso kann die Pufferschicht 101 a verhindern, dass externes Wasser oder Feuchtigkeit in die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 eindringt. Die Pufferschicht 101a gemäß einer Ausführungsform kann Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxynitrid (SiON) oder eine mehrlagige Schicht davon aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann die Pufferschicht 101a eine erste Pufferschicht BL1, die SiNx aufweist und auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, und eine zweite Pufferschicht BL2, die SiOx aufweist und auf der ersten Pufferschicht BL1 angeordnet ist, aufweisen.
  • Die Schaltkreismatrixschicht 101b kann eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsleitungen GL, DL, PL, RL, CPL, PSL, RDL und LCP, die auf der Pufferschicht 101a angeordnet sind, und einen Pixelschaltkreis PC, der einen Ansteuerungs-TFT Tdr aufweist, der in jedem einer Mehrzahl von Pixelbereichen PA auf der Pufferschicht 101a angeordnet sind, aufweisen.
  • Der Ansteuerungs-TFT Tdr, der in jedem Pixelbereich PA angeordnet ist, kann eine aktive Schicht ACT, eine Gate-isolierende Schicht GI, eine Gate-Elektrode GE, eine Zwischenisolationsschicht 101c, eine erste Source/Drain-Elektrode SD1, eine zweite Source/Drain-Elektrode SD2 und eine Passivierungsschicht 101d aufweisen.
  • Die aktive Schicht ACT kann in jedem Pixelbereich PA auf der Pufferschicht 101a angeordnet sein. Die aktive Schicht ACT kann einen Kanalbereich, der die Gate-Elektrode GE überlappt, und einen ersten Source/Drain-Bereich und einen zweiten Source/Drain-Bereich, die parallel zueinander zwischen benachbarten Kanalbereichen angeordnet sind, aufweisen. Die aktive Schicht ACT kann in einem Leitfähigkeitsprozess eine Leitfähigkeit aufweisen und kann somit als eine Brückenleitung einer Sprungstruktur verwendet werden, die Leitungen in dem Anzeigebereich AA direkt verbindet oder Leitungen, die auf verschiedenen Schichten angeordnet sind, elektrisch verbindet.
  • Die Gate-isolierende Schicht Gl kann in dem Kanalbereich der aktiven Schicht ACT angeordnet sein. Die Gate-isolierende Schicht Gl kann die aktive Schicht ACT von der Gate-Elektrode GE isolieren. Beispielsweise kann die Gate-isolierende Schicht GI SiOx, SiNx, SiON oder eine mehrlagige Schicht davon aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Gate-Elektrode GE kann auf der Gate-isolierenden Schicht Gl angeordnet sein. Die Gate-Elektrode GE kann den Kanalbereich der aktiven Schicht ACT, mit der Gate-isolierenden Schicht Gl dazwischen, überlappen.
  • Die Gate-Elektrode GE kann eine einlagige Struktur oder eine mehrlagige Struktur aufweisen, die mindestens eines von Molybdän (Mo), Titan (Ti), eine Mo-Ti-Legierung (MoTi) und Kupfer (Cu) aufweist. Die Gate-Elektrode gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Gate-Metallschicht, die auf der Gate-isolierenden Schicht Gl angeordnet ist, und eine zweite Gate-Metallschicht, die auf der ersten Gate-Metallschicht angeordnet ist, aufweisen. Beispielsweise kann die erste Gate-Metallschicht Ti oder MoTi aufweisen. Die zweite Gate-Metallschicht kann Cu aufweisen. In diesem Falle kann die Gate-Elektrode GE eine zweilagige Struktur aus Cu/MoTi oder Cu/Ti aufweisen.
  • Jede von den Gate-Leitungen GL, Stromverteilungsleitungen PSL, Leitungsverbindungsstrukturen LCP und einer Referenzzweigleitung RDL aus den Pixelansteuerungsleitungen GL, DL, PL, RL, CPL, PSL, RDL und LCP kann das gleiche Material aufweisen wie das der Gate-Elektrode GE, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Zwischenisolationsschicht 101c kann auf dem ersten Substrat 100 derart angeordnet sein, dass sie die Gate-Elektrode GE und die aktive Schicht ACT überlappt. Die Zwischenisolationsschicht 101c kann die Gate-Elektrode GE von der Source/Drain-Elektrode SD1 und der Source/Drain-Elektrode SD2 elektrisch isolieren. Beispielsweise kann die Zwischenisolationsschicht 101c SiOx, SiNx, SiON oder eine mehrlagige Schicht davon aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Source/Drain-Elektrode SD1 kann auf der Zwischenisolationsschicht 101c, die den ersten Source/Drain-Bereich der aktiven Schicht ACT überlappt, angeordnet sein und kann durch ein erstes Source/Drain-Kontaktloch, das in der Zwischenisolationsschicht 101c angeordnet ist, elektrisch mit dem ersten Source/Drain-Bereich der aktiven Schicht ACT verbunden sein. Beispielsweise kann die erste Source/Drain-Elektrode SD1 eine Source-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr sein, und der erste Source/Drain-Bereich der aktiven Schicht ACT kann ein Source-Bereich sein.
  • Die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 kann auf der Zwischenisolationsschicht 101c, die den zweiten Source/Drain-Bereich der aktiven Schicht ACT überlappt, angeordnet sein und kann durch ein zweites Source/Drain-Kontaktloch, das in der Zwischenisolationsschicht 101c angeordnet ist, elektrisch mit dem zweiten Source/Drain-Bereich der aktiven Schicht ACT verbunden sein. Beispielsweise kann die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 eine Drain-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs Tdr sein, und der zweite Source/Drain-Bereich der aktiven Schicht ACT kann ein Drain-Bereich sein.
  • Die Source/Drain-Elektrode SD1 und die Source/Drain-Elektrode SD2 gemäß einer Ausführungsform können eine einlagige Struktur oder eine mehrlagige Struktur, die das gleiche Material wie das der Gate-Elektrode GE aufweist, aufweisen.
  • Jede von Datenleitungen DL, Pixel-Ansteuerungsstromleitungen PL und Referenzstromleitungen RL aus der Mehrzahl von Pixelansteuerungsleitungen GL, DL, PL, RL, CPL, PSL, RDL und LCP kann das gleiche Material aufweisen wie das der Source/Drain-Elektrode SD1 und der Source/Drain-Elektrode SD2, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Ebenso kann jede Leitung einer Gate-Steuerleitungsgruppe GCL das gleiche Material wie das der Source/Drain-Elektrode SD1 und der Source/Drain-Elektrode SD2 aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Eine Passivierungsschicht 101d kann auf einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 derart angeordnet sein, dass sie den Pixelschaltkreis PC, der den Ansteuerungs-TFT Tdr aufweist, überdeckt. Die Passivierungsschicht 101d gemäß einer Ausführungsform kann SiOx, SiNx, SiON oder eine mehrlagige Schicht davon aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Jeder von dem ersten Schalt-TFT Tsw1 und dem zweiten Schalt-TFT Tsw2, die den Pixelschaltkreis PC einrichten, kann zusammen mit dem Ansteuerungs-TFT Tdr gebildet werden, und somit werden ihre detaillierten Beschreibungen weggelassen.
  • Die Schaltkreisschicht 101 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Licht-blockierende Schicht 101e aufweisen, die unter der aktiven Schicht ACT von jedem von den TFTs Tdr, Tsw1 und Tsw2, die den Pixelschaltkreis PC einrichten, angeordnet ist.
  • Die Licht-blockierende Schicht (oder eine Licht-blockierende Struktur) 101e kann in einer Inselform zwischen dem ersten Substrat 100 und der aktiven Schicht ACT angeordnet sein. Die Licht-blockierende Schicht 101e kann mittels der Pufferschicht 101a überdeckt sein. Die Licht-blockierende Schicht 101e kann Licht, das durch das erste Substrat 100 auf die aktive Schicht ACT einfällt, blockieren, wodurch eine von externem Licht hervorgerufene Variation einer Schwellenspannung von jedem TFT verhindert wird. Optional kann die Licht-blockierende Schicht 101e elektrisch mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 eines entsprechenden TFTs verbunden sein und kann somit als eine untere Gate-Elektrode des entsprechenden TFTs wirken, und in diesem Falle können eine von Licht hervorgerufene Eigenschaftsvariation von jedem TFT und eine von einer Vorspannung hervorgerufene Schwellenspannungsvariation von jedem TFT minimiert oder verhindert werden.
  • Außerdem kann die Licht-blockierende Schicht 101e als mindestens eines von den Stromverteilungsleitungen PSL, den Leitungsverbindungsstrukturen LCP und der Referenzzweigleitung RDL aus den Pixelansteuerungsleitungen GL, DL, PL, RL, CPL, PSL, RDL und LCP verwendet werden.
  • Der Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150, der in 4 und 6 dargestellt ist, kann zusammen mit dem Ansteuerungs-TFT Tdr des Pixelschaltkreises PC gebildet werden. Beispielsweise können eine Mehrzahl von TFTs, die jede von den Stufenschaltkreiseinheiten 1501 bis 150m des Gate-Ansteuerungsschaltkreises 150 einrichten, zusammen mit dem Ansteuerungs-TFT Tdr gebildet werden, und somit kann die Mehrzahl von Zweigschaltkreisen 1511 bis 151 n, die in jeder Horizontalzeile auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, ausgeführt sein. Der erste Steuerknoten bis vierte Steuerknoten Q, QBo, QBe und Qm, die das Zweignetzwerk 153 von jeder von den Stufenschaltkreiseinheiten 1501 bis 150m einrichten, können zusammen mit der Gate-Leitung GL gebildet werden. Ebenso kann eine Netzwerkleitung NL, die das Zweignetzwerk 153 von jeder von den Stufenschaltkreiseinheiten 1501 bis 150m einrichtet, zusammen mit mindestens einer der Licht-blockierenden Schicht 101e, der Gate-Leitung GL und der Datenleitung DL auf der Basis einer Position eines Verbindungsbereichs von jedem von den Zweigschaltkreisen 1511 bis 151n, die verbunden werden sollen, gebildet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Planarisierungsschicht 102 kann auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sein und kann eine flache Oberfläche auf der Schaltkreisschicht 101 bereitstellen. Die Planarisierungsschicht 102 kann die Schaltkreisschicht 101, die den Ansteuerungs-TFT Tdr aufweist, der in jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA angeordnet ist, überdecken. Die Planarisierungsschicht 102 gemäß einer Ausführungsform kann Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Planarisierungsschicht 102 gemäß einer Ausführungsform kann derart gebildet sein, dass sie die Schaltkreisschicht 101 abgesehen von einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 überdeckt. Deshalb kann die Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101, die an dem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats angeordnet ist, freigelegt sein, ohne mittels der Planarisierungsschicht 102 überdeckt zu sein.
  • Die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 kann auf der Planarisierungsschicht 102 angeordnet sein und kann auf der Basis eines Top-Emission-Typs Licht in Richtung der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 emittieren.
  • Die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 gemäß einer Ausführungsform kann eine Pixelelektrode PE, eine lichtemittierende Vorrichtung ED und eine gemeinsame Elektrode CE aufweisen.
  • Die Pixelelektrode PE kann als eine Anodenelektrode, eine reflektierende Elektrode, eine untere Elektrode oder eine erste Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung ED bezeichnet werden.
  • Die Pixelelektrode PE kann auf der Planarisierungsschicht 102, die einen Emissionsbereich EA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA überlappt, angeordnet sein. Die Pixelelektrode PE kann in jedem Pixelbereich PA in einer Inselreform strukturiert und angeordnet sein und kann elektrisch mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 des Ansteuerungs-TFTs Tdr eines entsprechenden Pixelschaltkreises PC verbunden sein. Eine Seite der Pixelelektrode PE kann sich von dem Emissionsbereich EA des Pixelbereichs PA zu der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 des Ansteuerungs-TFTs Tdr, der in einem Schaltkreisbereich CA angeordnet ist, erstrecken und kann durch ein Kontaktloch CH, das in der Planarisierungsschicht 102 bereitgestellt ist, elektrisch mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 des Ansteuerungs-TFTs Tdr verbunden sein.
  • Die Pixelelektrode PE gemäß einer Ausführungsform kann ein Metallmaterial, dessen Austrittsenergie niedrig ist und dessen Reflexionsausbeute gut ist, aufweisen.
  • Beispielsweise kann die Pixelelektrode PE eine dreilagige Struktur, die eine erste Pixelelektrodenschicht bis dritte Pixelelektrodenschicht aufweist, aufweisen. Die erste Pixelelektrodenschicht kann als eine Adhäsionsschicht, die der Planarisierungsschicht 102 entspricht, wirken und kann als eine sekundäre Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung ED wirken und kann außerdem Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) aufweisen. Die zweite Pixelelektrodenschicht kann als ein Reflektor wirken und kann eine Funktion des Absenkens eines Widerstands der Pixelelektrode PE durchführen und kann außerdem ein Material aus Aluminium (AI), Silber (Ag), Mo, Ti und MoTi aufweisen. Die dritte Pixelelektrodenschicht kann als eine Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung ED wirken und kann ITO oder IZO aufweisen. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PE gemäß einer Ausführungsform in einer dreilagigen Struktur von IZO/MoTi/ITO oder ITO/MoTi/ITO gebildet sein.
  • Als ein weiteres Beispiel kann die Pixelelektrode PE eine vierlagige Struktur, die eine erste Pixelelektrodenschicht bis vierte Pixelelektrodenschicht aufweist, aufweisen. Die erste Pixelelektrodenschicht kann als die Adhäsionsschicht, die der Planarisierungsschicht 102 entspricht, wirken und kann als die sekundäre Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung ED wirken und kann außerdem ein Material von ITO, Mo und MoTi aufweisen. Die zweite Pixelelektrodenschicht kann eine Funktion des Absenkens eines Widerstands der Pixelelektrode PE ausführen und kann Cu aufweisen. Die dritte Pixelelektrodenschicht kann als ein Reflektor wirken und kann ein Material von AI, Ag, Mo, Ti und MoTi aufweisen. Die vierte Pixelelektrodenschicht kann als eine Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung ED wirken und kann ITO oder IZO aufweisen. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PE gemäß einer weiteren Ausführungsform in einer vierlagigen Struktur von ITO/Cu/MoTi/ITO gebildet sein.
  • Optional können die Leitungsverbindungsstrukturen LCP aus den Pixelansteuerungsleitungen GL, DL, PL, RL, CPL, PSL, RDL und LCP zusammen mit der Pixelelektrode PE aus dem gleichen Material gebildet sein, sind jedoch nicht hierauf beschränkt. Ebenso können erste Pads eines ersten Padbereichs 110, der auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, zusammen mit der Pixelelektrode PE aus dem gleichen Material gebildet sein, sind jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann auf der Pixelelektrode PE gebildet sein und kann die Pixelelektrode PE direkt berühren. Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann eine gemeinsame Schicht sein, die zusammen in jedem von einer Mehrzahl von Subpixeln SP derart gebildet sind, dass sie nicht in Subpixel SP-Einheiten unterschieden sind. Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann zum Emittieren von weißem Licht auf einen Strom reagieren, der zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE fließt. Die lichtemittierende Vorrichtung ED gemäß einer Ausführungsform kann eine organische lichtemittierende Vorrichtung oder eine anorganische lichtemittierende Vorrichtung aufweisen oder kann eine gestapelte Struktur oder eine Kombinationsstruktur einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung (oder einer anorganischen lichtemittierenden Vorrichtung) und einer Quantenpunkt-Lichtemittierenden-Vorrichtung aufweisen.
  • Eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform kann zwei oder mehr Lichtemittierendes-Material-Schichten (oder einen lichtemittierenden Abschnitt) zum Emittieren von weißem Licht aufweisen. Beispielsweise kann die organische lichtemittierende Vorrichtung eine erste Lichtemittierendes-Material-Schicht und eine zweite Lichtemittierendes-Material-Schicht aufweisen, zum Emittieren von weißem Licht auf der Basis einer Kombination von erstem Licht und zweitem Licht. Hierbei kann die erste Lichtemittierendes-Material-Schicht mindestens eines von einem blauen lichtemittierenden Material, einem grünen lichtemittierenden Material, einem roten lichtemittierenden Material, einem gelben lichtemittierenden Material und einem gelb-grünen lichtemittierenden Material aufweisen. Die zweite Lichtemittierendes-Material-Schicht kann mindestens eines von einem blauen lichtemittierenden Material, einem grünen lichtemittierenden Material, einem roten lichtemittierenden Material, einem gelben lichtemittierenden Material und einem gelb-grünen lichtemittierenden Material aufweisen, zum Emittieren von zweitem Licht, das zum Erzeugen von weißem Licht mit erstem Licht kombiniert wird.
  • Die organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine oder mehrere Funktionsschichten zum Verbessern der Emissionsausbeute und/oder der Lebensdauer aufweisen. Beispielsweise kann die Funktionsschicht über und/oder unter einer Lichtemittierendes-Material-Schicht angeordnet sein.
  • Eine anorganische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform kann eine Halbleiter-lichtemittierende-Diode, eine Mikrolichtemittierende-Diode oder eine Quantenpunkt-lichtemittierende-Diode aufweisen. Beispielsweise kann, wenn die lichtemittierende Vorrichtung ED die anorganische lichtemittierende Vorrichtung ist, die lichtemittierende Vorrichtung ED einen Maßstab von 1 µm oder 100 µm aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die gemeinsame Elektrode CE kann als eine Kathodenelektrode, eine lichtdurchlässige Elektrode, eine obere Elektrode oder eine zweite Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung ED bezeichnet werden. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der lichtemittierenden Vorrichtung ED gebildet sein und kann die lichtemittierende Vorrichtung ED direkt berühren oder kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrisch und direkt kontaktieren. Die gemeinsame Elektrode CE kann ein lichtdurchlässiges leitfähiges Material, das Licht, das von der lichtemittierenden Vorrichtung ED emittiert wird, hindurchtreten lässt, aufweisen.
  • Die gemeinsame Elektrode CE gemäß einer Ausführungsform kann in einer einlagigen Struktur oder eine mehrlagigen Struktur gebildet sein, die mindestens ein Material von Graphen und einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material, das eine relativ hohe Austrittsenergie aufweist, aufweist. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode CE ein Metalloxid, wie beispielsweise ITO oder IZO aufweisen oder kann eine Kombination von Oxid und Metall, wie beispielsweise ZnO:AI oder SnO2:Sb aufweisen.
  • Außerdem kann, mittels Anpassens eines Brechungsindex von von der lichtemittierenden Vorrichtung ED emittiertem Licht, des Weiteren auf der gemeinsamen Elektrode CE eine Verkappungsschicht zum Verbessern der Emissionsausbeute von Licht angeordnet sein.
  • Der Wall 104 kann derart auf der Planarisierungsschicht 102 angeordnet sein, dass er einen Kantenabschnitt der Pixelelektrode PE überdeckt. Der Wall 104 kann einen Emissionsbereich EA (oder einen Öffnungsbereich) von jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP definieren und kann Pixelelektroden PE, die in benachbarten Subpixeln SP angeordnet sind, elektrisch isolieren. Der Wall 104 kann derart gebildet sein, dass er ein Kontaktloch CH, das in jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA angeordnet ist, überdeckt. Der Wall 104 kann mittels der lichtemittierenden Vorrichtung ED überdeckt sein.
  • Beispielsweise kann der Wall 104 ein lichtdurchlässiges Material (beispielsweise Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz) aufweisen und in diesem Falle kann der Wall 104 ein lichtdurchlässiger Wall sein.
  • Als ein weiteres Beispiel kann der Wall 104 ein lichtabsorbierendes Material oder ein lichtundurchlässiges Material, das einen schwarzen Farbstoff, wie beispielsweise Kohlenstoffschwarz, aufweist, und kann beispielsweise Polyimidharz, Acrylharz oder Benzozyclobuten (BCB) aufweisen, und in diesem Falle kann der Wall 104 ein schwarzer Wall sein, der eine Farbmischung zwischen benachbarten Subpixeln SP verhindert oder minimiert.
  • Die Dammstruktur 105 kann auf der Schaltkreisschicht 101 an einem Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 derart angeordnet sein, dass sie eine geschlossene Schleifenform oder eine geschlossene Schleifenlinienform aufweist. Beispielsweise kann die Dammstruktur 105 auf einer Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101 angeordnet sein. Die Dammstruktur 105 kann das Ausbreiten oder Überlaufen der Verkapselungsschicht 106 verhindern. Die Dammstruktur 105 kann innerhalb äußerster Pixel Po (oder äußersten Pixelbereichen PAo), die an einem Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet sind, aus einer Mehrzahl von Pixeln P (oder einer Mehrzahl von Pixelbereichen PA) enthalten sein. In diesem Falle kann ein Abschnitt der Dammstruktur 105 zwischen dem ersten Padbereich 110, der auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, und einem Emissionsbereich EA von jedem von den äußersten Pixeln Po (oder dem äußersten Pixelbereich PAo) angeordnet (oder ausgeführt) sein.
  • Die Dammstruktur 105 gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der Planarisierungsschicht 102 das gleiche Material aufweisen. Die Dammstruktur 105 kann die gleiche Höhe (oder Dicke) wie die der Planarisierungsschicht 102 aufweisen oder kann eine Höhe aufweisen, die größer ist als die der Planarisierungsschicht 102. Beispielsweise kann eine Höhe (oder Dicke) der Dammstruktur 105 das Doppelte einer Höhe (oder Dicke) der Planarisierungsschicht 102 betragen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Dammstruktur 105 eine untere Dammstruktur, die zusammen mit der Planarisierungsschicht 102 aus dem gleichen Material gebildet ist, und eine obere Dammstruktur, die auf der unteren Dammstruktur gestapelt ist und das gleiche Material wie das des Walls 104 aufweist, aufweisen. Die untere Dammstruktur kann die gleiche Höhe (oder Dicke) wie die der Planarisierungsschicht 102 aufweisen oder kann eine Höhe aufweisen, die größer ist als die der Planarisierungsschicht 102. Beispielsweise kann eine Höhe (oder Dicke) der unteren Dammstruktur das Doppelte einer Höhe (oder Dicke) der Planarisierungsschicht 102 betragen.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED, die eine organische lichtemittierende Vorrichtung aufweist, kann nur in einem internen Bereich (oder einem inneren Bereich), der mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist, ausgeführt sein. Das bedeutet, dass die lichtemittierende Vorrichtung ED, die eine organische lichtemittierende Vorrichtung aufweist, in einem Abschnitt abgesehen von einem Abschnitt zwischen einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der Dammstruktur 105 in der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sein kann und zwischen der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der Dammstruktur 105 und auf einer oberen Oberfläche der Dammstruktur 105 nicht angeordnet sein kann. Ebenso kann die gemeinsame Elektrode CE der lichtemittierenden Vorrichtungsschicht 103 derart ausgeführt sein, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED und die Dammstruktur 105 überdeckt.
  • Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen ersten Randbereich MA1, einen zweiten Randbereich MA2 und einen Dammstrukturbereich DPA aufweisen.
  • Der erste Randbereich MA1 kann zwischen einem Emissionsbereich EA des äußersten Pixels Po und der Dammstruktur 105 angeordnet sein. Der erste Randbereich MA1 kann auf der Basis eines Schattenbereichs (oder eines Ausläuferabschnitts der lichtemittierenden Vorrichtung) der lichtemittierenden Vorrichtung ED, der in einem Prozess des Bildens der lichtemittierenden Vorrichtung ED unvermeidlich auftritt, zwischen einem Ende des Emissionsbereichs EA (oder des Walls 104) des äußersten Pixels Po und der Dammstruktur 105 eine erste Breite aufweisen. Dementsprechend kann die Dammstruktur 105 derart ausgeführt sein, dass sie in Bezug auf die erste Richtung X von dem Ende des Emissionsbereichs EA um die erste Breite des ersten Randbereichs MA1 entfernt angeordnet ist.
  • Der zweite Randbereich MA2 kann zwischen der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der Dammstruktur 105 angeordnet sein. Der zweite Randbereich MA2 kann auf der Basis der Zuverlässigkeitstoleranz der lichtemittierenden Vorrichtung ED gegenüber Wasser eine zweite Breite zwischen der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der Dammstruktur 105 aufweisen. Dementsprechend kann die Dammstruktur 105 derart ausgeführt sein, dass sie in Bezug auf die erste Richtung X von der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 um die zweite Breite des zweiten Randbereichs MA2 entfernt angeordnet ist.
  • Der zweite Randbereich MA2 gemäß einer Ausführungsform kann einen Pad-Randbereich aufweisen, der den ersten Padbereich 110, der an einem ersten Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet ist, überlappt.
  • Der Dammstrukturbereich DPA kann zwischen dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet sein. Der Dammstrukturbereich DPA kann eine dritte Breite, die einer Breite einer untersten Bodenoberfläche (oder einer Bodenoberfläche) der Dammstruktur 105 entspricht, aufweisen.
  • Eine Breite von jedem von dem ersten Randbereich MA1, dem zweiten Randbereich MA2 und dem Dammstrukturbereich DPA kann derart ausgeführt sein, dass ein zweites Intervall D2 in Bezug auf die erste Richtung X zwischen einem zentralen Abschnitt des äußersten Pixels und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 eine Hälfte oder weniger eines ersten Intervalls (oder eines Pixelabstands) D1 zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA beträgt.
  • Beispielsweise kann, wenn eine Hälfte des ersten Intervalls (oder Pixelabstands) D1 zwischen den zwei benachbarten Pixelbereichen PA 700 µm innerhalb eines Prozessfehlerbereichs beträgt, eine Gesamtbreite des ersten Randbereichs MA1, des zweiten Randbereichs MA2 und des Dammstrukturbereichs DPA derart ausgeführt sein, dass er ungefähr 670 µm beträgt, basierend auf einem Schattenrand basierend auf dem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED und einem Verkapselungsrand basierend auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED gegenüber Wasser. In diesem Falle kann das zweite Intervall D2 zwischen einer äußersten äußeren Oberfläche VL des ersten Substrats 100 und einem zentralen Abschnitt des äußersten Pixels, das den ersten Padbereich 110 aufweist, derart ausgeführt sein, dass es innerhalb eines Prozessfehlerbereichs 700 µm beträgt. Hierbei kann die äußerste äußere Oberfläche VL des ersten Substrats 100 eine äußerste äußere Seitenwand oder eine äußere Seitenwand der Anzeigevorrichtung (oder eines Anzeigepanels) sein.
  • Der erste Randbereich MA1 und der zweite Randbereich MA2 können die gleiche Breite oder verschiedene Breiten aufweisen. Der Dammstrukturbereich DPA kann eine Breite aufweisen, die im Verhältnis kleiner ist als die des ersten Randbereichs MA1 und des zweiten Randbereichs MA2. Beispielsweise kann, in Bezug auf die erste Richtung X, der erste Randbereich MA1 derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 300 µm oder weniger beträgt, der zweite Randbereich MA2 kann derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 300 µm oder weniger beträgt, und der Dammstrukturbereich DPA kann derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 70 µm aufweist. Ebenso kann ein Pad-Randbereich (oder ein seitlicher Verdrahtungsbereich), der in dem zweiten Randbereich MA2 enthalten ist, derart ausgeführt sein, dass er in Bezug auf die erste Richtung X eine Breite von 100 µm oder weniger beträgt.
  • Die Verkapselungsschicht 106 kann auf einem Abschnitt abgesehen von einem äußersten Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 derart angeordnet sein, dass sie die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 überdeckt. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 106 derart ausgeführt sein, dass sie die Gesamtheit einer Vorderseitenoberfläche und von seitlichen Oberflächen der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 umgibt.
  • Die Verkapselungsschicht 106 gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Verkapselungsschicht 106a bis dritte Verkapselungsschicht 106c aufweisen.
  • Die erste Verkapselungsschicht 106a kann derart ausgeführt sein, dass sie verhindert, dass Sauerstoff oder Wasser in die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 eindringen. Die erste Verkapselungsschicht 106a kann auf der gemeinsamen Elektrode CE derart angeordnet sein, dass sie die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 umgibt. Deshalb kann die Gesamtheit der Vorderseitenoberfläche von seitlichen Oberflächen der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 mittels der ersten Verkapselungsschicht 106a umgeben sein. Beispielsweise kann ein Ende der ersten Verkapselungsschicht 106a in dem zweiten Randbereich MA2 angrenzend an die Dammstruktur 105 angeordnet sein. Die erste Verkapselungsschicht 106a kann eine obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101d an einer äußeren Peripherie der Dammstruktur 105 direkt berühren und kann einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen der gemeinsamen Elektrode CE und der Passivierungsschicht 101d überdecken, die Dammstruktur 105 kann eine obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101d direkt berühren, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser verhindert oder minimiert wird.
  • Die erste Verkapselungsschicht 106a gemäß einer Ausführungsform kann ein anorganisches Material aufweisen. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a als eine erste anorganische Verkapselungsschicht bezeichnet werden. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a eine einlagige Struktur, die eines von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxynitrid (SiON), Titanoxid (TiOx) und Aluminiumoxid (AlOx) aufweist, oder eine gestapelte Struktur daraus aufweisen.
  • Die zweite Verkapselungsschicht 106b kann derart auf der ersten Verkapselungsschicht 106a ausgeführt sein, dass sie eine Dicke aufweist, die verhältnismäßig dicker ist als die der ersten Verkapselungsschicht 106a. Die zweite Verkapselungsschicht 106b kann eine Dicke zum ausreichenden Überdecken von Partikeln (oder einem unerwünschten Material oder einer ungewünschten Struktur), die auf der ersten Verkapselungsschicht 106a sein können oder nicht sein können, aufweisen. Die zweite Verkapselungsschicht 106b kann sich aufgrund einer verhältnismäßig dicken Dicke zu einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 hin ausbreiten, jedoch kann die Ausbreitung der zweiten Verkapselungsschicht 106b mittels der Dammstruktur 105 blockiert sein. Beispielsweise kann ein Ende der zweiten Verkapselungsschicht 106b die erste Verkapselungsschicht 106a auf der Dammstruktur 105 direkt berühren. Dementsprechend kann die zweite Verkapselungsschicht 106b in einem internen Bereich (oder einem inneren Bereich), der mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist, nur auf der ersten Verkapselungsschicht 106a angeordnet sein. Die zweite Verkapselungsschicht 106b kann als eine Partikel-Abdeckschicht bezeichnet werden.
  • Die zweite Verkapselungsschicht 106b gemäß einer Ausführungsform kann ein organisches Material, wie beispielsweise SiOCz-Acryl oder Epoxid-basiertes Harz, aufweisen.
  • Die dritte Verkapselungsschicht 106c kann derart ausgeführt sein, dass sie im Wesentlichen verhindert, dass Sauerstoff oder Wasser in die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 eindringen. Die dritte Verkapselungsschicht 106c kann derart ausgeführt sein, dass sie die Gesamtheit aus der zweiten Verkapselungsschicht 106b und der ersten Verkapselungsschicht 106a, die mittels der zweiten Verkapselungsschicht 106b nicht überdeckt ist, umgibt. Beispielsweise kann ein Ende der dritten Verkapselungsschicht 106c zwischen dem Ende der ersten Verkapselungsschicht 106a und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 angeordnet sein und kann die Passivierungsschicht 101d direkt berühren. Die dritte Verkapselungsschicht 106c kann eine obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101d direkt berühren und kann einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen der ersten Verkapselungsschicht 106a und der Passivierungsschicht 101 d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser zusätzlich verhindert oder minimiert wird.
  • Die dritte Verkapselungsschicht 106c gemäß einer Ausführungsform kann ein anorganisches Material aufweisen. Beispielsweise kann die dritte Verkapselungsschicht 106c als eine zweite anorganische Verkapselungsschicht bezeichnet werden. Beispielsweise kann die dritte Verkapselungsschicht 106c eine einlagige Struktur, die eines von SiOx, SiNx, SiONx, TiOx und AlOx aufweist, oder eine gestapelte Struktur daraus aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 aufweisen.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 kann eine Wellenlänge von Licht, das von dem Emissionsbereich EA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA einfällt, umwandeln. Beispielsweise kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 weißes Licht, das von dem Emissionsbereich EA einfällt, in farbiges Licht, das einem entsprechenden Pixel P entspricht, umwandeln.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a und eine Schutzschicht 107b aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a können auf der Verkapselungsschicht 106, die in dem Emissionsbereich EA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA angeordnet ist, angeordnet sein. Die Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a können in ein rotes Lichtfilter, das weißes Licht in rotes Licht umwandelt, ein grünes Lichtfilter, das weißes Licht in grünes Licht umwandelt, und ein blaues Lichtfilter, das weißes Licht in blaues Licht umwandelt, unterteilt (oder klassifiziert) sein. Beispielsweise können die Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a in das rote Lichtfilter (oder ein erstes Lichtfilter), das in dem ersten Subpixel SP1 angeordnet ist, das grüne Lichtfilter (oder ein zweites Lichtfilter), das in dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, und das blaue Lichtfilter (oder ein drittes Lichtfilter), das in dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a gemäß einer Ausführungsform kann derart ausgeführt sein, dass sie eine Größe aufweist, die größer ist als der Emissionsbereich EA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA. Das bedeutet, dass, um eine Farbmischung zwischen benachbarten Subpixeln SP zu verhindern, jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a die gleiche Größe wie die der Pixelelektrode PE aufweisen kann oder eine Größe aufweisen kann, die größer ist als die Pixelelektrode PE, und somit einen Abschnitt des Walls 104, der einen Kantenabschnitt der Pixelelektrode PE überdeckt, überlappen kann. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a derart angeordnet sein, dass sie eine Gesamtheit des Emissionsbereichs EA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA überlappt und einen Abschnitt des Schaltkreisbereichs CA, der an den Emissionsbereich EA angrenzt, überlappt. In diesem Falle kann, um zu verhindern, dass externes Licht, das durch einen Bereich, der die Wellenlängen-Umwandlungsstruktur 107a nicht überlappt, von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA einfällt, mittels der Pixelansteuerungsleitungen reflektiert wird, oder um die Reflexion des externen Lichts zu minimieren, der Wall 104 ein lichtabsorbierendes Material oder einen schwarzen Farbstoff aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a derart ausgeführt sein, dass sie die gleiche Größe aufweist wie die von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA. Das bedeutet, dass jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a derart angeordnet sein kann, dass sie, zum Verhindern oder Minimieren der Reflexion von externem Licht mittels der Pixelansteuerungsleitungen, alles von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA überlappt. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a derart angeordnet sein, dass sie eine Gesamtheit von dem Emissionsbereich EA und dem Schaltkreisbereich CA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA überdeckt. In diesem Falle kann der Wall 104 ein schwarzer Wall oder ein lichtdurchlässiger Wall sein.
  • Außerdem kann jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a einen Quantenpunkt aufweisen, der zum zusätzlichen Abstrahlen von farbigem Licht entsprechend einem entsprechenden Pixel Licht auf der Basis von weißem Licht oder blauem Licht, das von der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 einfällt, erneut emittiert. Hierbei kann der Quantenpunkt ausgewählt sein aus CdS, CdSe, CdZnSeS, CdTe, ZnS, ZnSe, GaAs, GaP, GaAs-P, Ga-Sb, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP und AlSb. Beispielsweise kann das rote Lichtfilter, das in dem ersten Subpixel SP1 angeordnet ist, einen roten Quantenpunkt, wie beispielsweise CdSe oder InP, der rotes Licht emittiert, aufweisen, das grüne Lichtfilter, das in dem zweiten Subpixel SP2 angeordnet ist, kann einen grünen Quantenpunkt, wie beispielsweise CdZnSeS, der grünes Licht emittiert, aufweisen, und das blaue Lichtfilter, das in dem vierten Subpixel SP4 angeordnet ist, kann einen blauen Quantenpunkt, wie beispielsweise ZnSe, der blaues Licht emittiert, aufweisen. Wie oben beschrieben, kann, wenn jede von der Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a den Quantenpunkt aufweist, die Farbwiedergabe einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung zunehmen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Mehrzahl von Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 100a derart ausgeführt sein, dass sie einander in dem Schaltkreisbereich CA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA überlappen. In diesem Falle kann der Schaltkreisbereich CA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA mittels mindestens zwei Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a, die einander überlappen, überdeckt sein. Beispielsweise kann der Schaltkreisbereich CA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA mittels eines zweilagigen gestapelten Abschnitts, der das rote Lichtfilter und das grüne Lichtfilter aufweist, überdeckt sein. Als ein weiteres Beispiel kann der Schaltkreisbereich CA von jedem von der Mehrzahl von Pixelbereichen PA mittels eines dreilagigen gestapelten Abschnitts, der das rote Lichtfilter, das grüne Lichtfilter und das blaue Lichtfilter aufweist, überdeckt sein. Der zweilagige gestapelte Abschnitt, der zwei Lichtfilter aufweist, oder der dreilagige gestapelte Abschnitt, der drei Lichtfilter aufweist, kann eine Funktion einer Schwarzmatrix, die eine Farbmischung zwischen benachbarten Subpixeln SP verhindert oder die Reflexion von externem Licht verhindert oder minimiert, ausführen.
  • Die Schutzschicht 107b kann derart ausgeführt sein, dass sie die Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a überdeckt und auf den Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a eine flache Oberfläche bereitstellt. Die Schutzschicht 107b kann derart angeordnet sein, dass sie die Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a und die Verkapselungsschicht 106, wo die Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a nicht angeordnet sind, überdeckt. Die Schutzschicht 107b gemäß einer Ausführungsform kann ein organisches Material aufweisen. Beispielsweise kann die Schutzschicht 107b Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Optional kann die Schutzschicht 107b des Weiteren ein Getter-Material zum Adsorbieren von Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen.
  • Alternativ dazu kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 zu einer Wellenlänge-Umwandlungsfolie, die eine Folienform aufweist, geändert werden und kann auf der Verkapselungsschicht 106 angeordnet sein. In diesem Falle kann die Wellenlängen-Umwandlungsfolie (oder eine Quantenpunktfolie) die Wellenlängen-Umwandlungsstrukturen 107a, die zwischen einem Paar Filme angeordnet sind, aufweisen. Beispielsweise kann, wenn die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 einen Quantenpunkt aufweist, der in einem Subpixel einen farbigen Lichtsatz reemittiert, die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 eines Subpixels derart implementiert sein, dass sie weißes Licht oder blaues Licht emittiert.
  • Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen funktionale Schicht 108 aufweisen.
  • Die funktionale Schicht 108 kann auf der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 angeordnet sein. Beispielsweise kann die funktionale Schicht 108 mittels eines lichtdurchlässigen Adhäsionselement mit der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 gekoppelt sein. Das lichtdurchlässige Adhäsionselement kann ein Druck-sensitives Adhäsionsmittel (PSA), ein optisch klares Adhäsionsmittel (OCR) oder ein optisch klares Harz (OCR) aufweisen.
  • Die funktionelle Schicht 108 gemäß einer Ausführungsform kann zum Verbessern einer Outdoor-Sichtbarkeit und eines Kontrastverhältnisses in Bezug auf ein Bild, das mittels der Anzeigevorrichtung 10 angezeigt wird, eine Anti-Reflexionsschicht (oder einen Anti-Reflexionsfilm) zum Verhindern einer Reflexion von externem Licht aufweisen. Beispielsweise kann die Anti-Reflexionsschicht eine zirkuläre Polarisationsschicht (oder einen zirkuläre Polarisationsfilm) aufweisen, die verhindert, dass externes Licht, das mittels TFTs und/oder der Pixelansteuerungsleitungen, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, reflektiert wird, nach außen übertragen wird.
  • Die funktionale Schicht 108 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Barriereschicht (oder einen Barrierefilm) zum primären Verhindern des Eindringens von Wasser oder Sauerstoff aufweisen, und die Barriereschicht kann ein Material (beispielsweise ein Polymermaterial), das eine geringe Wasserübertragungsrate aufweist, aufweisen.
  • Die funktionale Schicht 108 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Lichtpfad-Steuerschicht (oder einen Lichtpfad-Steuerfilm) zum Steuern eines Pfads des Lichts, das von jedem Pixel P zu der Außenseite ausgegeben wird, aufweisen. Die Lichtpfad-Steuerschicht kann eine gestapelte Struktur aufweisen, in der eine Schicht hoher Brechung und eine Schicht niedriger Brechung abwechselnd gestapelt sind, und kann zum Minimieren einer Farbverschiebung, die auf einem Betrachtungswinkel basiert, einen Pfad von Licht, das von jedem Pixel P einfällt, ändern.
  • Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren ein Seitenabdichtungselement 109 aufweisen.
  • Das Seitenabdichtungselement (oder ein Kantenabdichtungselement) 109 kann zwischen dem ersten Substrat 100 und der funktionalen Schicht 108 gebildet sein und kann alle Seitenoberflächen (oder seitlichen Oberflächen) von jeder von der Schaltkreisschicht 101, der Planarisierungsschicht 102 und der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 überdecken. Das bedeutet, dass das Seitenabdichtungselement 109 alle Seitenoberflächen von jeder von der Schaltkreisschicht 101, der Planarisierungsschicht 102 und der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107, die an der Außenseite der Anzeigevorrichtung 10 zwischen der funktionalen Schicht 108 und dem erster Substrat 100 nach außenfreiliegen, überdeckt. Ebenso kann das Seitenabdichtungselement 109 eine erste Abschrägung 100c, die durch einen Kammerprozess an einem Eckabschnitt zwischen der ersten Oberfläche 100a und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 gebildet (oder angeordnet) wird, überdecken. Beispielsweise kann jede von der äußersten Oberfläche des ersten Substrats 100, einer äußeren Oberfläche des Seitenabdichtungselements 109 und einer äußeren Oberfläche der funktionalen Schicht 108 auf der gleichen vertikalen Linie VL angeordnet (oder ausgerichtet) sein.
  • Das Seitenabdichtungselement 109 gemäß einer Ausführungsform kann ein Silizium-basiertes oder Ultraviolett (UV)-aushärtbares Abdichtungsmittel (oder Harz) aufweisen, unter Berücksichtigung einer Klebrigkeit-Verarbeitungszeit kann das Seitenabdichtungselement 109 jedoch das UV-aushärtbare Abdichtungsmittel aufweisen. Ebenso kann das Seitenabdichtungselement 109 eine Farbe (beispielsweise Blau, Rot, bläuliches Grün oder Schwarz) aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt und kann ein farbiges Harz oder ein Licht-blockierendes Harz zum Verhindern einer seitlichen Licht-Leckage aufweisen. Das Seitenabdichtungselement 109 kann unter Verwendung von Licht, das sich von einem inneren Abschnitt der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 zu einer äußeren Oberfläche davon ausbreitet, eine seitliche Licht-Leckage von Licht, das von der lichtemittierenden Vorrichtung ED von jedem Subpixel SP emittiert wird, verhindern. Insbesondere kann das Seitenabdichtungselement 109, das den ersten Padbereich des ersten Substrats 100 überlappt, die Reflexion von externem Licht, die mittels des in dem ersten Padbereich angeordneten Pads hervorgerufen wird, verhindern oder minimieren.
  • Optional kann das Seitenabdichtungselement 109 des Weiteren ein Gettermaterial zum Adsorbieren von Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Vorderseiten-Überzugschicht aufweisen.
  • Die Vorderseiten-Überzugschicht kann zwischen der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 und der funktionalen Schicht 108 derart bereitgestellt sein, dass sie eine obere Oberfläche der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 überdeckt und alle seitlichen Oberflächen von jeder von der Schaltkreisschicht 101, der Planarisierungsschicht 102 und der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107 überdeckt. Das bedeutet, dass die Vorderseiten-Überzugschicht derart ausgeführt sein kann, dass sie alle seitlichen Oberflächen von jeder von der Schaltkreisschicht 101, der Planarisierungsschicht 102 und der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 107, die an der Außenseite der Anzeigevorrichtung 10 angeordnet sind, zwischen der funktionalen Schicht 108 und dem ersten Substrat 100 überdeckt, und kann außerdem derart ausgeführt sein, dass sie einen Abschnitt von jeder von einer oberen Oberfläche und einer seitlichen Oberfläche eines Verdrahtungsabschnitts 400, der mit dem ersten Padbereich des ersten Substrats 100 verbunden ist, überdeckt. Die Vorderseiten-Überzugschicht gemäß einer Ausführungsform kann durch einen Atomlagenabscheidungsprozess ausgeführt werden. Beispielsweise kann die Vorderseiten-Überzugschicht derart ausgeführt sein, dass sie eine Dicke von mehreren µm aufweist.
  • In der vorliegenden Ausführungsform kann das Seitenabdichtungselement 109 derart ausgeführt sein, dass es die Vorderseiten-Überzugschicht an dem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrat 100 überdeckt, oder kann weggelassen werden.
  • Das zweite Substrat 200 gemäß einer Ausführungsform kann eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt 400 verbunden ist, und eine Isolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert, aufweisen.
  • Die Metallstrukturschicht (oder eine leitfähige Strukturschicht) kann eine Mehrzahl von Metallschichten aufweisen. Die Metallstrukturschicht gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Metallschicht 201, eine zweite Metallschicht 203 und eine dritte Metallschicht 205 aufweisen. Die Isolationsschicht kann eine Mehrzahl von Isolationsschichten aufweisen. Beispielsweise kann die Isolationsschicht eine erste Isolationsschicht 202, eine zweite Isolationsschicht 204 und eine dritte Isolationsschicht 206 aufweisen. Die Isolationsschicht kann als eine Rückseiten-Isolationsschicht oder eine Struktur-Isolationsschicht bezeichnet werden.
  • Die erste Metallschicht 201 kann auf einer Rückseitenoberfläche 200b eines zweiten Substrats 200 ausgeführt sein. Die erste Metallschicht 201 gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Metallstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die erste Metallschicht 201 als eine erste Verbindungsschicht oder eine Verbindungsleitungsschicht bezeichnet werden.
  • Die erste Metallstruktur gemäß einer Ausführungsform kann eine zweilagige Struktur (Cu/MoTi) aus Cu und MoTi aufweisen. Die erste Metallstruktur kann als eine Verbindungsleitung eines Verbindungsleitungsabschnitts 250, der in 9 dargestellt ist, verwendet werden. Beispielsweise kann die erste Metallstruktur als eine Mehrzahl von Datenverbindungsleitungen 251, eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verbindungsleitungen 255, eine Mehrzahl von Gate-Steuersignal-Übertragungsleitungen und eine erste Gemeinsame-Verbindungsleitung 257a einer Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257 verwendet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Isolationsschicht 202 kann auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 derart ausgeführt sein, dass sie die erste Metallschicht 201 überdeckt. Die erste Isolationsschicht 202 gemäß einer Ausführungsform kann ein anorganisches Material aufweisen. Beispielsweise kann die erste Isolationsschicht 202 ein Material aus SiOx, SiNx, SiONx aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die zweite Metallschicht 203 kann auf der ersten Isolationsschicht 202 ausgeführt sein. Die zweite Metallschicht 203 gemäß einer Ausführungsform kann eine zweite Metallstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Metallschicht 203 als eine zweite Verbindungsschicht, eine Sprungleitungsschicht oder eine Brückenleitungsschicht bezeichnet werden.
  • Die zweite Metallstruktur gemäß einer Ausführungsform kann eine zweilagige Struktur (Cu/MoTi) aus Cu und MoTi aufweisen. Die zweite Metallstruktur kann als eine Mehrzahl von Gate-Verbindungsleitungen 253 einer Mehrzahl von Verbindungsleitungen des Verbindungsleitungsabschnitts 250, der in 10 dargestellt ist, verwendet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann die zweite Metallschicht 203 als eine Sprungleitung (oder eine Brückenleitung) zum elektrisch Verbinden der Verbindungsleitungen, die aus verschiedenen Metallmaterialien auf verschiedenen Schichten in dem Verbindungsleitungsabschnitt 250 gebildet sind, verwendet werden.
  • Optional kann eine Verbindungsleitung (beispielsweise eine Mehrzahl von ersten Verbindungsleitungen), die auf der zweiten Metallschicht 203 angeordnet ist, derart modifiziert sein, dass sie auf der ersten Metallschicht 201 angeordnet ist, und eine Verbindungsleitung (beispielsweise eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsleitungen), die auf der ersten Metallschicht 201 angeordnet ist, kann derart modifiziert sein, dass sie auf der zweiten Metallschicht 203 angeordnet ist.
  • Die zweite Isolationsschicht 204 kann auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 derart ausgeführt sein, dass sie die zweite Metallschicht 203 überdeckt. Die zweite Isolationsschicht 204 gemäß einer Ausführungsform kann ein anorganisches Material aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Isolationsschicht 204 ein Material aus SiOx, SiNx und SiONx aufweisen.
  • Die dritte Metallschicht 205 kann auf der zweiten Isolationsschicht 204 ausgeführt sein. Die dritte Metallschicht 205 gemäß einer Ausführungsform kann eine dritte Metallstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die dritte Metallschicht 205 als eine dritte Verbindungsschicht oder eine Padelektrodenschicht bezeichnet werden.
  • Die dritte Metallstruktur gemäß einer Ausführungsform kann eine gestapelte Struktur von mindestens zwei Materialien aus ITO (oder IZO), Mo, Ti und MoTi aufweisen. Beispielsweise kann die dritte Metallstruktur eine dreilagige Struktur aus ITO/Mo/ITO, ITO/MoTi/ITO, IZO/Mo/ITO oder IZO/MoTi/ITO aufweisen. Die dritte Metallstruktur kann als jedes von zweiten Pads des zweiten Padbereichs 210, dritten Pads des dritten Padbereichs 230 und einer zweiten Gemeinsame-Verbindungsleitung 257b und einer Mehrzahl von dritten Gemeinsame-Verbindungsleitungen 257c der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verbindungsleitung 257, die in 9 dargestellt ist, verwendet werden.
  • Die dritte Isolationsschicht 206 kann auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 derart ausgeführt sein, dass sie die dritte Metallschicht 205 überdeckt. Die dritte Isolationsschicht 206 gemäß einer Ausführungsform kann ein organisches Material aufweisen. Beispielsweise kann die dritte Isolationsschicht 206 ein isolierendes Material, wie beispielsweise Photoacryl, aufweisen. Die dritte Isolationsschicht 206 kann zum Verhindern, dass die dritte Metallschicht 205 nach außen freigelegt ist, die dritte Metallschicht 205 überdecken. Die dritte Isolationsschicht 206 kann als eine organische Isolationsschicht, eine Schutzschicht, eine Rückseitenschutzschicht, eine organische Schutzschicht, eine Rückseiten-Überzugschicht oder eine Rückseiten-Abdeckschicht bezeichnet werden.
  • Die dritte Isolationsschicht 206 kann des Weiteren ein Pad-Freilegungsloch aufweisen, das einen Abschnitt von jedem von den zweiten Pads des zweiten Padbereichs 210 und den dritten Pads des dritten Padbereichs 230, die die dritte Metallschicht 205 aufweisen, freilegt.
  • Das Kopplungselement 300 kann zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 angeordnet sein. Deshalb können das erste Substrat 100 und das zweite Substrat 200 mittels eines Kopplungselements 300 aneinander Gegenseiten-gebondet sein. Das Kopplungselement 300 gemäß einer Ausführungsform kann ein lichtdurchlässiges Adhäsionselement oder ein doppelseitiges Klebeband, das ein OCA oder ein OCR aufweist, sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das Kopplungselement 300 eine Glasfaser aufweisen.
  • Das Kopplungselement 300 gemäß einer Ausführungsform kann in einem gesamten Zwischenraum zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann die gesamte zweite Oberfläche 100b des ersten Substrats 100 mit einer gesamten Oberfläche des Kopplungselements 300 gekoppelt sein, und eine gesamte Vorderseitenoberfläche 200a des zweiten Substrats 200 kann mit der gesamten anderen Oberfläche des Kopplungselements 300 gekoppelt sein.
  • Das Kopplungselement 300 gemäß einer weiteren Ausführungsform kann in einer Musterstruktur zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann das Kopplungselement 300 eine Linienmuster-Struktur oder eine Maschenmuster-Struktur aufweisen. Die Maschenmuster-Struktur kann des Weiteren einen gebogenen Abschnitt aufweisen, der eine Luftblase, die in einem Prozess des Bondens des ersten Substrats 100 mit dem zweiten Substrat 200 zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 auftritt, zu der Außenseite entlässt.
  • Optional kann das Kopplungselement 300 des Weiteren ein Wärmeübertragungselement aufweisen. In diesem Falle kann das Kopplungselement 300 zum Verhindern oder Minimieren einer Zunahme der Temperatur des ersten Substrats 100 Wärme, die in dem ersten Substrat 100 auftritt, durch das Wärmeübertragungselement zu dem zweiten Substrat 200 übertragen. Das zweite Substrat 200 kann als ein Temperatursenken-Bauteil, das eine Zunahme der Temperatur des ersten Substrats 100 verhindert oder minimiert, wirken. Beispielsweise kann das Wärmeübertragungselement eine Mehrzahl von Wärmeübertragungspartikeln oder eine Wärmeübertragungsschicht, die ein Metallmaterial aufweist, aufweisen. Wenn das Wärmeübertragungselement eine Wärmeübertragungsschicht, die eine Metallschicht aufweist, aufweist, kann die Wärmeübertragungsschicht elektrisch geerdet oder schwebend sein und kann somit als eine Rauschen-blockierende Schicht wirken, die verhindert, dass Frequenzrauschen oder statische Elektrizität, die in einem Ansteuerungsschaltkreis, der auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, auftritt, in die Pixel, die Pixel-Ansteuerungsleitungen und den Gate-Ansteuerungsschaltkreis 150, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet sind, fließt.
  • 17 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie II-II', die in 4 dargestellt ist, und ist ein Schaubild zum Beschreiben einer Querschnittstruktur eines ersten Padbereichs, eines zweiten Padbereichs und eines Verdrahtungsabschnitts einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung. Beim Beschreiben der 17 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 4 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 5 und 15 bis 17, kann in einer Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung ein erster Padbereich 110 eine Mehrzahl von ersten Pads 111, die an einem ersten Kantenabschnitt einer ersten Oberfläche 100a eines ersten Substrats 100 angeordnet sind, aufweisen. Die Mehrzahl von ersten Pads 111 können in eine Mehrzahl von ersten Datenpads, eine Mehrzahl von ersten Pixel-Ansteuerungsstrompads und eine Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads unterteilt (oder klassifiziert) werden. Ebenso können die Mehrzahl von ersten Pads 111 des Weiteren in eine Mehrzahl von ersten ReferenzStrompads unterteilt (oder klassifiziert) werden.
  • Jedes von der Mehrzahl von ersten Pads 111 kann durch ein erstes Pad-Kontaktloch, das in einer Planarisierungsschicht 102 angeordnet ist, elektrisch mit einer entsprechenden Leitung einer Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsleitungen verbunden sein. Beispielsweise kann das erste Datenpad durch das erste Pad-Kontaktloch, das in der Planarisierungsschicht 102 angeordnet ist, elektrisch mit einem Ende einer Datenleitung DL verbunden sein.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ein zweiter Padbereich 210 eine Mehrzahl von zweiten Pads 211 aufweisen, die an einem ersten Kantenabschnitt, der den ersten Padbereich 110 überlappt, einer Rückseitenoberfläche 200b eines zweiten Substrats 200 angeordnet sind. Die Mehrzahl von zweiten Pads 211 können in eine Mehrzahl von zweiten Datenpads, eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Ansteuerungsstrompads und eine Mehrzahl von zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads unterteilt (oder klassifiziert) werden. Ebenso können die Mehrzahl von zweiten Pads 211 des Weiteren in eine Mehrzahl von zweiten Referenzstrompads unterteilt (oder klassifiziert) werden.
  • Jedes von der Mehrzahl von zweiten Pads 211 kann durch ein zweites Pad-Kontaktloch, das in jeder von der ersten Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204 angeordnet ist, mit einer Verbindungsleitung eines Verbindungsleitungsabschnitts 250, der eine erste Metallschicht 201 oder eine zweite Metallschicht 203, die auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sind, aufweist, elektrisch verbunden sein. Beispielsweise kann das zweite Datenpad durch das zweite Pad-Kontaktloch, das in jeder von der ersten Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204 angeordnet ist, elektrisch mit einem Ende einer Datenverbindungsleitung 251 verbunden sein.
  • Der Verdrahtungsabschnitt 400 kann derart angeordnet sein, dass er eine äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und eine äußere Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 umgibt. Beispielsweise kann der Verdrahtungsabschnitt 400 auf jeder von einer ersten äußeren Oberfläche (oder einen Oberfläche) OS1a der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und einer ersten äußeren Oberfläche (oder einen Oberfläche) OS1b der äußeren Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 angeordnet sein.
  • Der Verdrahtungsabschnitt 400 gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401, die auf jeder von der ersten äußeren Oberfläche (oder einen Oberfläche) OS1a der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der ersten äußeren Oberfläche (oder einen Oberfläche) OS1b der äußeren Oberfläche OS des zweiten Substrats 200 angeordnet sind, aufweisen. Die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 können in eine Mehrzahl von Datenverdrahtungsleitungen, eine Mehrzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen, eine Mehrzahl von Pixel-Ansteuerungsstrom-Verdrahtungsleitungen und eine Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Verdrahtungsleitungen unterteilt (klassifiziert) sein. Ebenso können die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 des Weiteren in eine Mehrzahl von Referenzstrom-Verdrahtungsleitungen unterteilt (oder klassifiziert) sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 kann derart gebildet sein, dass sie jede von der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 und der ersten äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200 umgibt. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 durch einen Druckprozess unter Verwendung einer leitfähigen Paste gebildet werden. Beispielsweise kann jede von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 durch einen Druckprozess unter Verwendung einer Ag-Paste gebildet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • In jeder von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 kann ein Endabschnitt davon eine erste Abschrägung 100c und das erste Pad 111 des ersten Padbereichs 110, der an einem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet ist, umgeben, der andere Endabschnitt davon kann eine zweite Abschrägung 200c und das zweite Pad 211 des zweiten Padbereichs 210, der an einem ersten Kantenabschnitt des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, umgeben, und ein mittlerer Abschnitt davon zwischen dem einen Endabschnitt und dem anderen Endabschnitt kann jede von der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 und der ersten äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200 umgeben. Beispielsweise kann, in einer Datenverdrahtungsleitung 410, ein Endabschnitt davon derart ausgeführt sein, dass er die erste Abschrägung 100c und ein erstes Datenpad des ersten Padbereichs 110, der an dem ersten Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 angeordnet ist, umgibt, der andere Endabschnitt davon kann derart ausgeführt sein, dass er die zweite Abschrägung 200c und ein zweites Datenpad des zweiten Padbereichs 210, der an einem ersten Kantenabschnitt des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, umgibt, und ein mittlerer Abschnitt davon zwischen dem einen Endabschnitt und dem anderen Endabschnitt kann derart ausgeführt sein, dass er jede von der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 und der ersten äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200 umgibt.
  • Optional kann, wenn das Kopplungselement 300 das Wärmeübertragungselement aufweist, ein Ende 301 des Kopplungselements 300, das am dichtesten zu der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 angeordnet ist, derart in einem Abstand von der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 und/oder der ersten äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein, dass es elektrisch nicht mit jeder von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 verbunden ist, und kann somit nicht elektrisch verbunden sein mit oder kann elektrisch isoliert sein von jeder von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401. In diesem Falle kann ein Abschnitt von jeder von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 einen Bereich zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 durchdringen, und somit kann ein Trennungsabstand zwischen dem Kopplungselement 300, das das Wärmeübertragungselement aufweist, und der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 basierend auf einer Durchtrittslänge (oder eines Durchtrittsabstands) eines mittleren Abschnitts der Verdrahtungsleitung 401, der den Bereich zwischen dem ersten Substrat 100 und dem zweiten Substrat 200 durchdringt, eingestellt werden.
  • Der Verdrahtungsabschnitt 400 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren eine Kantenüberzugschicht 403 aufweisen.
  • Die Kantenüberzugschicht 403 kann derart ausgeführt sein, dass sie die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 überdeckt. Die Kantenüberzugschicht 403 gemäß einer Ausführungsform kann derart ausgeführt sein, dass sie alles von dem ersten Kantenabschnitt und der ersten äußeren Oberfläche OS1a des ersten Substrats 100 und dem ersten Kantenabschnitt und der ersten äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200, zusätzlich zu der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401, überdeckt. Die Kantenüberzugschicht 403 kann die Korrosion von jeder von der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401, die ein Metallmaterial aufweisen, oder einen elektrischen Kurzschluss zwischen der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 verhindern. Ebenso kann die Kantenüberzugschicht 403 die Reflexion von externem Licht, die durch die Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen 401 und die ersten Pads 111 des ersten Padbereichs 110 verursacht wird, verhindern oder minimieren. Die Kantenüberzugschicht 403 gemäß einer Ausführungsform kann ein Licht-blockierendes Material, das eine schwarze Tinte aufweist, aufweisen.
  • Eine obere Oberfläche der Kantenüberzugschicht 403, die die erste Abschrägung 100c des ersten Substrats 100 überdeckt, kann mittels des Seitenabdichtungselements 109 überdeckt sein.
  • Eine äußere Oberfläche der Kantenüberzugschicht 403 kann eine äußerste äußere Oberfläche des ersten Substrats 100 sein, und somit kann jede von der äußersten äußeren Oberfläche des ersten Substrats 100, einer äußeren Oberfläche des Seitenabdichtungselements 109 und einer äußeren Oberfläche der funktionalen Schicht 108 auf der gleichen vertikalen Linie VL angeordnet sein.
  • 18 ist ein Schaubild, das ein zweites Substrat, das in 5 dargestellt ist, darstellt, und 19 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie III-III', die in 18 dargestellt ist. 18 und 19 stellen eine Ausführungsform dar, die derart ausgeführt ist, dass sie die zweite Isolationsschicht, die in 15 bis 17 dargestellt ist, modifiziert. Beim Beschreiben der 18 und 19 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 15 bis 17 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 18 und 19 kann ein zweites Substrat 200 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen ersten Bereich A1 und einen zweiten Bereich A2 aufweisen.
  • Der erste Bereich A1 und der zweite Bereich A2 können in einer Rückseiten-Isolationsschicht (oder einer Struktur-Isolationsschicht), die auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, angeordnet oder implementiert sein. Das bedeutet, dass, um ein Biegephänomen, das in einem äußeren Abschnitt des zweiten Substrats 200 auftritt, zu verhindern oder zu minimieren, die Rückseitenisolationsschicht den ersten Bereich A1 und den zweiten Bereich A2, in denen die Isolationsschicht verschiedene Dicken aufweist, aufweist. Beispielsweise kann die Schicht in dem zweiten Bereich A2 eine Dicke D22 aufweisen, die dünner ist als eine Dicke D11 des ersten Bereichs A1. Die Rückseiten-Isolationsschicht gemäß einer Ausführungsform kann einen Isolationsstrukturbereich aufweisen, und in diesem Falle kann, in der Strukturisolationsschicht, ein nicht-isolierender Strukturbereich eine erste Dicke D11 aufweisen, und die Schicht in dem Isolationsstrukturbereich kann eine zweite Dicke D22, die dünner ist als die der ersten Dicke D11, aufweisen. Beispielsweise kann der Isolationsstrukturbereich nur eine von der ersten Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204 aufweisen, und kann somit die Dicke D22 aufweisen, die dünner ist als die Dicke D11 des nicht-isolierenden Strukturbereichs, der eine gestapelte Struktur von allen von der ersten isolierenden Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204 aufweist.
  • Der erste Bereich (oder eine Metallstrukturschicht) A1 kann in einem Bereich, der den zweiten Padbereich 210, den dritten Padbereich 230 und den Verbindungsleitungsabschnitt 250 aufweist, aus der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein. Der erste Bereich A1 gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Isolationsschicht 202, die auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht 204, die auf der ersten Isolationsschicht 202 angeordnet ist, aufweisen. Der erste Bereich A1 kann mittels der dritten Isolationsschicht 206, die eine organische Schicht aufweist, überdeckt sein. Der erste Bereich A1 kann eine mehrlagige anorganische Schichtstruktur auf der Basis einer gestapelten Struktur der ersten Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204, die ein anorganisches Material aufweist, aufweisen.
  • Der zweite Bereich A2 kann in einem Bereich außerhalb des ersten Bereichs A1 von der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich A2 in einem Teilbereich eines Bereichs zwischen dem dritten Padbereich 230 und einer zweiten äußeren Oberfläche (oder der anderen Oberfläche oder einer zweiten Längsseite), die parallel zu einer ersten äußeren Oberfläche (oder einer Oberfläche oder einer ersten Längsseite) verläuft, des zweiten Substrats 200 angeordnet sein, und in diesem Falle kann der erste Bereich A1 in dem anderen Bereich des Bereichs zwischen der zweiten äußeren Oberfläche des zweiten Substrats 200 und dem dritten Padbereich 230 angeordnet sein.
  • Der zweite Bereich A2 gemäß einer Ausführungsform kann mittels der ersten Isolationsschicht 202, die auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, eine einzelne anorganische Schicht aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Isolationsschicht 204 derart ausgeführt sein, dass sie die gesamte erste Isolationsschicht 202, die auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, überdeckt, und die zweite Isolationsschicht 204, die in dem zweiten Bereich A2 angeordnet ist, kann mittels eines Strukturierungsvorgangs entfernt werden, wodurch die zweite Isolationsschicht 204 in dem zweiten Bereich A2 nicht angeordnet sein kann. Deshalb kann der zweite Bereich A2 mittels des ersten Bereichs A1 umgeben sein. Die erste Isolationsschicht 202, die in dem zweiten Bereich A2 angeordnet ist, kann die dritte Isolationsschicht 206, die eine organische Schicht aufweist, direkt berühren oder kann mittels der dritten Isolationsschicht 206 überdeckt sein.
  • Da der zweite Bereich A2 mittels der ersten Isolationsschicht 202, die ein anorganisches Material aufweist, eine einzelne anorganische Schichtstruktur aufweist, kann eine Schicht in dem zweiten Bereich A2 die Dicke D22 aufweisen, die relativ dünner ist als die Dicke D11 des ersten Bereichs A1, der eine mehrlagige anorganische Schichtstruktur auf der Basis der ersten Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204 aufweist. Dementsprechend kann der zweite Bereich A2 das Biegen eines äußeren Abschnitts des zweiten Substrats 200 in einem Prozess des Bondens (oder Laminierens) des ersten Substrats an das zweite Substrat unter Verwendung eines Kopplungselements verhindern oder minimieren.
  • Da eine Metallstruktur in einem Bereich außer einem Bereich zwischen der äußeren Oberfläche OS1b des zweiten Substrats 200 und dem dritten Padbereich 230 nicht angeordnet ist, und das zweite Substrat 200 mittels der ersten Isolationsschicht 202 und der zweiten Isolationsschicht 204 eine mehrlagige anorganische Schichtstruktur aufweist, kann das Biegen des zweiten Substrats 200 aufgrund eines Spannungsunterschieds zwischen dem zweiten Substrat 200 und einer anorganischen Schicht auftreten. Beispielsweise kann ein Biegephänomen in einem äußeren Abschnitt des zweiten Substrats 200 aufgrund einer Druckbelastung auftreten, die mittels einer gestapelten anorganischen Schicht, die auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 angeordnet ist, hervorgerufen wird, und das Biegen des zweiten Substrats 200 kann einen Bonding-Defekt verursachen, der mittels einer Fehlausrichtung zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat in dem Prozess des Bondens (oder Laminierens) des ersten Substrats an dem zweiten Substrat unter Verwendung des Kopplungselements hervorgerufen wird.
  • Andererseits kann das zweite Substrat 200 gemäß der vorliegenden Offenbarung den zweiten Bereich A2 aufweisen, der mittels der ersten Isolationsschicht 202 eine einzelne anorganische Schicht aufweist, und kann somit zum Verringern einer Belastung des zweiten Substrats, die mittels einer anorganischen Schicht hervorgerufen wird, einen Abschnitt der zweiten Isolationsschicht 204 abtrennen (oder isolieren), wodurch zum Verhindern oder Minimieren des Biegens des äußeren Abschnitts des zweiten Substrats 200 eine Druckbelastung, die auf das zweite Substrat 200 einwirkt, verteilt wird.
  • Der zweite Bereich A2 gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Strukturbereich parallel zu einer ersten Richtung X und eine Mehrzahl von zweiten Strukturbereichen, die parallel zu einer zweiten Richtung Y von einer Seite des ersten Strukturbereichs hervorstehen, aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der zweite Bereich A2 derart angeordnet oder ausgeführt sein, dass er eine Leiterform, eine Maschenform oder eine Inselform aufweist.
  • Optional kann der zweite Bereich A2 mittels der zweiten Isolationsschicht 204, die die Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 direkt berührt, eine einzelne anorganische Schicht aufweisen. Beispielsweise kann die erste Isolationsschicht 202 derart gebildet sein, dass sie alles von der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 überdeckt, und die erste Isolationsschicht 202, die in dem zweiten Bereich A2 angeordnet ist, kann mittels eines Strukturierungsprozesses entfernt werden, wodurch die erste Isolationsschicht 202 in dem zweiten Bereich A2 nicht angeordnet sein kann. Ebenso kann die zweite Isolationsschicht 204 auf der ersten Isolationsschicht 202 in dem ersten Bereich A1 gebildet sein und kann auf der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200, die den zweiten Bereich A2 überlappt, gebildet sein und kann somit die Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 in dem zweiten Bereich A2 direkt berühren. Dementsprechend kann der zweite Bereich A2 eine einzelne anorganische Schicht basierend auf der zweiten Isolationsschicht 204 aufweisen, wodurch zum Verhindern oder Minimieren des Biegens des äußeren Abschnitts des zweiten Substrats 200 eine Druckbelastung, die auf das zweite Substrat 200 einwirkt, verteilt wird.
  • Der zweite Bereich A2 kann als ein gestufter Bereich, ein einlagiger anorganischer Schichtbereich, ein Belastungsverminderungsbereich, ein Biegebegrenzungsbereich oder ein Isolationsstrukturbereich bezeichnet werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das zweite Substrat 200 den ersten Bereich A1, der eine mehrlagige anorganische Schichtstruktur aufweist, und den zweiten Bereich A2, der eine einlagige anorganische Schichtstruktur aufweist, aufweisen, und somit kann das Biegen des äußeren Abschnitts des zweiten Substrats 200 verhindert oder minimiert werden. Deshalb kann, in einer Anzeigevorrichtung, die das zweite Substrat 200 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung aufweist, das Biegen des äußeren Abschnitts des zweiten Substrats 200 in dem Prozess des Bondens (oder Laminierens) des ersten Substrats an dem zweiten Substrat unter Verwendung des Kopplungselements verhindert oder minimiert werden, wodurch ein Bonding-Defekt, der mittels Fehlausrichtung zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat hervorgerufen wird, minimiert oder verhindert ist.
  • 20 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie IV-IV', die in 6 dargestellt ist, und ist ein Schaubild zum Beschreiben eines Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts und eines sekundären Stromkontaktabschnitts, die in 6 dargestellt sind. Beim Beschreiben der 20 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 6 oder diesen entsprechen, mittels der gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 6, 15, 16 und 20, kann ein Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zwischen einer Mehrzahl von Pixeln P, die jeweils eine Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL überlappen, angeordnet sein und kann eine gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit jeder von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL verbinden.
  • Jede von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL kann eine erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPLa, eine zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb und eine Kontaktleitung CPLc aufweisen.
  • Die erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa kann sich in einer zweiten Richtung Y lang erstrecken und kann derart in einem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 angeordnet sein, dass sie in einer ersten Richtung X einen vorher festgelegten Abstand aufweist. Die erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit einer Licht-blockierenden Schicht 101e aus dem gleichen Material auf einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet sein.
  • Die zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb kann auf einer Gate-isolierenden Schicht Gl, die die erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa überlappt, gebildet sein. Die zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit einer Gate-Leitung aus dem gleichen Material gebildet sein.
  • Die Kontaktleitung CPLc kann auf einer Zwischenisolationsschicht 101c, die die erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa und die zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb überlappt, gebildet sein. Die Kontaktleitung CPLc kann durch ein Kontaktloch, das in der Zwischenisolationsschicht 101c gebildet ist, elektrisch mit der zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb verbunden sein und kann durch ein Kontaktloch, das in der Zwischenisolationsschicht 101c und einer Pufferschicht 101a gebildet ist, elektrisch mit der ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa verbunden sein. Die Kontaktleitung CPLc kann zusammen mit einer Datenleitung aus dem gleichen Material gebildet sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitungen CPL kann die erste Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa und die zweite Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb, die durch die Kontaktleitung CPLc elektrisch miteinander verbunden sind, aufweisen, wodurch ein Gesamtleitungswiderstand verringert ist.
  • Der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt (oder ein Gemeinsamer-Strom-Kontaktpad) CPCP kann zwischen der Mehrzahl von Pixeln P elektrisch mit einer entsprechenden Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein und kann auf der Basis einer Seitenkontaktweise elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein.
  • Der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Kontaktmetallschicht M1 bis dritte Kontaktmetallschicht M3 aufweisen. Beispielsweise kann der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP zusammen mit einer Pixelelektrode PE, die eine dreilagige Struktur aufweist, gebildet sein.
  • Die erste Kontaktmetallschicht M1 kann auf einer Planarisierungsschicht 102, die die Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL überlappt, angeordnet sein und kann durch ein Kontaktloch elektrisch mit der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein. Die erste Kontaktmetallschicht M1 kann eine Adhäsionskraft zwischen dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP und der Planarisierungsschicht 102 verstärken. Die erste Kontaktmetallschicht M1 kann zum Verringern eines Gesamtwiderstands des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP derart gebildet sein, dass sie verhältnismäßig dicker ist als die dritte Kontaktmetallschicht M3. Die erste Kontaktmetallschicht M1 gemäß einer Ausführungsform kann IZO oder ITO aufweisen. Beispielsweise kann die erste Kontaktmetallschicht M1 das gleiche Material aufweisen wie das der untersten Schicht der Pixelelektrode PE, die eine dreilagige Struktur aufweist. Die erste Kontaktmetallschicht M1 kann zum Erhöhen einer Ätzgeschwindigkeit eines unteren Abschnitts einer seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 angrenzend an die Planarisierungsschicht 102 gegenüber einer Ätzgeschwindigkeit eines oberen Abschnitts der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 angrenzend an die dritte Kontaktmetallschicht M3 in einem Elektrodenstrukturierungsprozess, der auf dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP durchgeführt wird, als eine Opferschicht wirken.
  • Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann auf der ersten Kontaktmetallschicht M1 angeordnet sein und kann auf der Basis einer Seitenkontaktweise elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann ein lichtreflektierendes Metallmaterial aufweisen, das einen Widerstand aufweist, der verhältnismäßig geringer ist als der der dritten Kontaktmetallschicht M3. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann zum Verringern eines Gesamtwiderstands des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP derart gebildet sein, dass sie verhältnismäßig dicker ist als die dritte Kontaktmetallschicht M3. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann ein Metallmaterial aufweisen, das eine Ätzgeschwindigkeit aufweist, die geringer ist als die der ersten Kontaktmetallschicht M1. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 gemäß einer Ausführungsform kann ein Material aus Al, Ag, Mo, Ti und MoTi aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Kontaktmetallschicht M2 das gleiche Material aufweisen wie das einer mittleren Schicht der Pixelelektrode PE, die eine dreilagige Struktur aufweist.
  • Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann auf der zweiten Kontaktmetallschicht M2 angeordnet sein und kann die Korrosion der ersten Kontaktmetallschicht M1 und der zweiten Kontaktmetallschicht M2 verhindern. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann ein Material (oder eine Substanz) aufweisen, die in Bezug auf den Korrosionswiderstand stärker ist als jede von der ersten Kontaktmetallschicht M1 und der zweiten Kontaktmetallschicht M2. Eine Oxidationsrate der dritten Kontaktmetallschicht M3 kann geringer sein als die der ersten Kontaktmetallschicht M1. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 gemäß einer Ausführungsform kann IZO oder ITO aufweisen. Beispielsweise kann die dritte Kontaktmetallschicht M3 das gleiche Material aufweisen wie das einer obersten Schicht der Pixelelektrode PE, die eine dreilagige Struktur aufweist.
  • Der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP kann derart auf der Planarisierungsschicht 102 gebildet sein, dass er die gleiche dreilagige Struktur wie die der Pixelelektrode PE aufweist und kann dann basierend auf einem Elektrodenstrukturierungsprozess (oder einem Ätzprozess) durch Batch-Ätzen strukturiert werden.
  • In dem Elektrodenstrukturierungsprozess gemäß einer Ausführungsform kann eine Ätzgeschwindigkeit der ersten Kontaktmetallschicht M1 höher sein als die der zweiten Kontaktmetallschicht M2.
  • Beispielsweise kann, in dem Elektrodenstrukturierungsprozess, der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP nacheinander bis zu der ersten Kontaktmetallschicht M1 von der dritten Kontaktmetallschicht M3 geätzt werden. In diesem Falle kann, da eine Ätzgeschwindigkeit der ersten Kontaktmetallschicht M1 höher ist als die der zweiten Kontaktmetallschicht M2, von einem Zeitpunkt, bei dem eine obere Oberfläche davon einer Ätzquelle ausgesetzt wird, die erste Kontaktmetallschicht M1 schneller geätzt werden als die zweite Kontaktmetallschicht M2, und somit kann, da eine seitliche Oberfläche der ersten Kontaktmetallschicht M1 vor einer seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 geätzt wird, ein unterer Abschnitt der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 schneller geätzt werden als ein oberer Abschnitt der seitlichen Oberfläche davon. Deshalb kann die seitliche Oberfläche der ersten Kontaktmetallschicht M1 eine geneigte Form oder eine abgeschrägte Form aufweisen, und die seitliche Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 kann eine geneigte Form oder eine umgekehrt abgeschrägte Form aufweisen. Dementsprechend kann der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP einen Seitenkontaktabschnitt SCP, der konkav gebildet ist, auf der seitlichen Oberfläche von jeder von der ersten Kontaktmetallschicht M1 und der zweiten Kontaktmetallschicht M2 aufweisen.
  • Eine abgeschrägte Form der ersten Kontaktmetallschicht M1 gemäß einer Ausführungsform kann als eine Form definiert sein, in der ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche davon größer ist als ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche davon. Eine umgekehrt abgeschrägte Form der zweiten Kontaktmetallschicht M2 gemäß einer Ausführungsform kann als eine Form definiert sein, in der ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche davon geringer ist als ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche davon. Beispielsweise kann der eingeschlossene Winkel zwischen der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der ersten Kontaktmetallschicht M1 ein stumpfer Winkel sein, und der eingeschlossene Winkel zwischen der Bodenoberfläche und der Seitenoberfläche der ersten Kontaktmetallschicht M1 kann ein spitzer Winkel sein. Der eingeschlossene Winkel zwischen der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 kann ein spitzer Winkel sein, und der eingeschlossene Winkel zwischen der Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 kann ein stumpfer Winkel sein.
  • Der Seitenkontaktabschnitt SCP gemäß einer Ausführungsform kann, um einen bestimmten Abstand entfernt von einer vertikalen Linie, die sich in einer Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 erstreckt, einwärts von einer äußersten seitlichen Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 sein und kann somit nicht zu der Außenseite einer seitlichen Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 in Bezug auf die erste Richtung X hervorstehen und kann mittels der dritten Kontaktmetallschicht M3 überdeckt sein. Beispielsweise kann der Seitenkontaktabschnitt SCP eine Dachrinnenstruktur aufweisen oder kann eine „(“-geformte Querschnittsstruktur oder eine „〈‟-geformte Querschnittsstruktur aufweisen.
  • Der Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP kann derart gebildet sein, dass er konkav ist, oder kann eine Dachrinnenstruktur aufweisen, und kann somit elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein, ohne die lichtemittierende Vorrichtung ED, die auf dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP bereitgestellt ist, elektrisch zu kontaktieren. Beispielsweise kann, in einem Fall, in dem die lichtemittierende Vorrichtung ED durch einen Abscheidungsprozess gebildet ist, ein Abscheidungsmaterial der lichtemittierenden Vorrichtung ED Linearität aufweisen und kann somit bei einem Abschnitt von jeder von einer oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 und einem Abschnitt eines unteren Abschnitts der seitlichen Oberfläche der ersten Kontaktmetallschicht M1 gebildet sein, kann jedoch nicht an dem Seitenkontaktabschnitt SCP, der mittels der dritten Kontaktmetallschicht M3 überdeckt ist, gebildet sein. Dementsprechend kann der Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP nicht mittels der lichtemittierenden Vorrichtung ED überdeckt sein und kann an der Außenseite einer seitlichen Oberfläche freigelegt sein. Ebenso kann der Seitenkontaktabschnitt SCP die lichtemittierende Vorrichtung ED isolieren (oder abschneiden oder abtrennen).
  • Die gemeinsame Elektrode CE kann auf einer oberen Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung ED gebildet sein und kann mittels Durchdringens in eine konkave seitliche Oberfläche des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP an dem Seitenkontaktabschnitt SCP gebildet sein und kann somit elektrisch mit der lichtemittierenden Vorrichtung ED verbunden sein und kann elektrisch mit dem Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP verbunden sein. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode CE durch einen Abscheidungsprozess, wie beispielsweise einen Sputterprozess, zum Ausführen einer Stufenabdeckung, die relativ hervorragend ist, gebildet werden, und in diesem Falle kann ein Sputter-Elektrodenmaterial auf der lichtemittierenden Vorrichtung ED abgeschieden werden und kann auf allen von den seitlichen Oberflächen des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP, der den Seitenkontaktabschnitt SCP aufweist, mittels Durchdringens in eine konkave seitliche Oberfläche von jeder von der ersten Kontaktmetallschicht M1 und zweiten Kontaktmetallschicht M2 abgeschieden werden. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode CE durch den Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP elektrisch mit der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein, sogar ohne einen Vorgang des Bildens eines separaten Kontaktlochs oder einer separaten Kontaktstruktur.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren einen sekundären Stromkontaktabschnitt SPCP aufweisen.
  • Der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann zwischen einer Mehrzahl von Pixeln P, die jeweils eine Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL überlappen, angeordnet sein und kann die gemeinsame Elektrode CE elektrisch mit jeder von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL verbinden.
  • Jede von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL kann eine erste sekundäre Stromleitung SPLa, eine zweite sekundäre Stromleitung SPLb und eine sekundäre Kontaktleitung SPLc aufweisen.
  • Die erste sekundäre Stromleitung SPLa kann sich in der zweiten Richtung Y lang erstrecken und kann in dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 parallel zu der ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa angeordnet sein. Die erste sekundäre Stromleitung SPLa gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa aus dem gleichen Material auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet sein und kann durch eine Mehrzahl von Leitungsverbindungsstrukturen LCP elektrisch mit der ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLa verbunden sein.
  • Die zweite sekundäre Stromleitung SPLb kann auf der Gate-isolierenden Schicht Gl, die die erste sekundäre Stromleitung SPLa überlappt, gebildet sein. Die zweite sekundäre Stromleitung SPLb gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der zweiten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPLb aus dem gleichen Material gebildet sein.
  • Die sekundäre Kontaktleitung SPLc kann auf der Zwischenisolationsschicht 101c, die die erste sekundäre Stromleitung SPa und die zweite sekundäre Stromleitung SPLb überlappt, gebildet sein. Die sekundäre Kontaktleitung SPLc kann durch ein Kontaktloch, das in der Zwischenisolationsschicht 101c angeordnet ist, elektrisch mit der zweiten sekundären Stromleitung SPLb verbunden sein und kann durch ein Kontaktloch, das in der Zwischenisolationsschicht 101c und der Pufferschicht 101a angeordnet ist, elektrisch mit der ersten sekundären Stromleitung SPLa verbunden sein. Die sekundäre Kontaktleitung SPLc gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der Kontaktleitung CPLc aus dem gleichen Material gebildet sein.
  • Da jede von der Mehrzahl von sekundären Stromleitungen SPL die erste sekundäre Stromleitung SPLa und die zweite sekundäre Stromleitung SPLb aufweist, die durch die sekundäre Kontaktleitung SPLc elektrisch miteinander verbunden sind, kann ein Gesamtleitungswiderstand reduziert sein.
  • Der sekundäre Stromkontaktabschnitt (oder ein sekundäres Stromkontaktpad) SPCP kann zwischen der Mehrzahl von Pixeln P elektrisch mit einer entsprechenden sekundären Stromleitung SPL verbunden sein und kann auf der Basis der Seitenkontaktweise elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein.
  • Der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP gemäß einer Ausführungsform kann die erste Kontaktmetallschicht M1 bis dritte Kontaktmetallschicht M3 aufweisen. Beispielsweise kann der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP zusammen mit dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP gebildet sein. Abgesehen davon, dass die erste Kontaktmetallschicht M1 elektrisch mit der sekundären Stromleitung SPL verbunden ist, kann der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP zusammen mit dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP, der die oben beschriebenen erste Kontaktmetallschicht M1 bis dritte Kontaktmetallschicht M3 aufweist, gebildet sein und kann auf der Basis der Seitenkontaktweise elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein, und somit wird eine wiederholte Beschreibung davon weggelassen.
  • 21 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer Linie IV-IV', die in 6 dargestellt ist, und stellt eine Ausführungsform dar, die zum Modifizieren des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts und des sekundären Stromkontaktabschnitts, die in 20 dargestellt sind, ausgeführt ist. Beim Beschreiben der 21 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 20 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 6, 15, 16 und 21 kann ein Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP gemäß einer Ausführungsform eine erste Kontaktmetallschicht M1 bis vierte Kontaktmetallschicht M4 aufweisen. Beispielsweise kann der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP zusammen mit einer Pixelelektrode PE, die eine vierlagige Struktur aufweist, gebildet sein.
  • Die erste Kontaktmetallschicht M1 kann auf einer Planarisierungsschicht 102, die die Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL überlappt, angeordnet sein und kann durch ein Kontaktloch elektrisch mit der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein. Die erste Kontaktmetallschicht M1 kann eine Adhäsionskraft zwischen dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP und der Planarisierungsschicht 102 verstärken. Eine Oxidationsrate der ersten Kontaktmetallschicht M1 kann niedriger sein als die von jeder von der zweiten Kontaktmetallschicht M2 und der dritten Kontaktmetallschicht M3. Die erste Kontaktmetallschicht M1 gemäß einer Ausführungsform kann ITO oder MoTi aufweisen. Beispielsweise kann die erste Kontaktmetallschicht M1 das gleiche Material aufweisen wie das einer ersten Schicht (oder einer untersten Schicht) der Pixelelektrode PE, die die vierlagige Struktur aufweist.
  • Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann auf der ersten Kontaktmetallschicht M1 angeordnet sein und kann auf der Basis der Seitenkontaktweise elektrisch mit einer gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann ein Metallmaterial aufweisen, das einen Widerstand aufweist, der verhältnismäßig geringer ist als der der dritten Kontaktmetallschicht M3. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann zum Verringern eines Gesamtwiderstands des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP derart gebildet sein, dass sie verhältnismäßig dicker ist als jede von der ersten Kontaktmetallschicht M1 und der vierten Kontaktmetallschicht M4. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann ein Metallmaterial aufweisen, das eine Ätzgeschwindigkeit aufweist, die höher ist als die der dritten Kontaktmetallschicht M3. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 gemäß einer Ausführungsform kann Kupfer (Cu) aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Kontaktmetallschicht M2 das gleiche Material aufweisen wie das einer zweiten Schicht der Pixelelektrode PE, die die vierlagige Struktur aufweist. Die zweite Kontaktmetallschicht M2 kann zum weiter Erhöhen einer Ätzgeschwindigkeit einer Unterseite der dritten Kontaktmetallschicht M3 angrenzend an die Planarisierungsschicht 102 gegenüber einer Ätzgeschwindigkeit einer Oberseite der dritten Kontaktmetallschicht M3 angrenzend an die vierte Kontaktmetallschicht M4 in einem Elektrodenstrukturierungsprozess, der auf dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP durchgeführt wird, als eine Opferschicht wirken.
  • Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann auf der zweiten Kontaktmetallschicht M2 angeordnet sein und kann auf der Basis der Seitenkontaktweise elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann als eine reflektierende Elektrode, die ein lichtreflektierendes Metallmaterial aufweist, wirken. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann ein Metallmaterial aufweisen, das einen Widerstand aufweist, der verhältnismäßig geringer ist als der von jeder von der ersten Kontaktmetallschicht M1 und der vierten Kontaktmetallschicht M4. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann ein Metallmaterial aufweisen, das eine Ätzgeschwindigkeit aufweist, die höher ist als die der vierten Kontaktmetallschicht M4 und niedriger ist als die der zweiten Kontaktmetallschicht M2. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 kann zum Verringern eines Gesamtwiderstands des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP derart gebildet sein, dass sie verhältnismäßig dicker ist als jede von der ersten Kontaktmetallschicht M1 und der vierten Kontaktmetallschicht M4. Die dritte Kontaktmetallschicht M3 gemäß einer Ausführungsform kann ein Material aus Al, Ag, Mo, Ti und MoTi aufweisen. Beispielsweise kann die dritte Kontaktmetallschicht M3 das gleiche Material aufweisen wie das einer dritten Schicht der Pixelelektrode PE, die die vierlagige Struktur aufweist.
  • Die vierte Kontaktmetallschicht M4 kann auf der dritten Kontaktmetallschicht M3 angeordnet sein und kann die Korrosion der ersten Kontaktmetallschicht M1 bis dritten Kontaktmetallschicht M3 verhindern. Die vierte Kontaktmetallschicht M4 kann ein Material (oder eine Substanz) aufweisen, die bezüglich des Korrosionswiderstands stärker ist als jede von der zweiten Kontaktmetallschicht M2 und der dritten Kontaktmetallschicht M3. Eine Oxidationsrate der vierten Kontaktmetallschicht M4 kann niedriger sein als die von jeder von der zweiten Kontaktmetallschicht M2 und der dritten Kontaktmetallschicht M3. Die vierte Kontaktmetallschicht M4 gemäß einer Ausführungsform kann IZO oder ITO aufweisen. Beispielsweise kann die vierte Kontaktmetallschicht M4 das gleiche Material aufweisen wie das einer vierten Schicht der Pixelelektrode PE, die die vierlagige Struktur aufweist.
  • Der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP kann derart auf der Planarisierungsschicht 102 gebildet sein, dass er die gleiche vierlagige Struktur wie die der Pixelelektrode PE aufweist, und kann dann basierend auf einem Elektrodenstrukturierungsprozess (oder einem Ätzprozess) durch Batch-Ätzen strukturiert werden.
  • In dem Elektrodenstrukturierungsprozess gemäß einer Ausführungsform kann eine Ätzgeschwindigkeit der dritten Kontaktmetallschicht M3 höher sein als die der vierten Kontaktmetallschicht M4, und eine Ätzgeschwindigkeit der zweiten Kontaktmetallschicht M2 kann höher sein als die der dritten Kontaktmetallschicht M3.
  • Beispielsweise kann, in dem Elektrodenstrukturierungsprozess, der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP nacheinander bis zu der ersten Kontaktmetallschicht M1 von der vierten Kontaktmetallschicht M4 geätzt werden.
  • Da eine Ätzgeschwindigkeit der dritten Kontaktmetallschicht M3 höher ist als die der vierten Kontaktmetallschicht M4, kann die dritte Kontaktmetallschicht M3 von einem Zeitpunkt, bei dem eine obere Oberfläche davon einer Ätzquelle ausgesetzt ist, schneller geätzt werden als die vierte Kontaktmetallschicht M4, und somit kann, da eine seitliche Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 vor einer seitlichen Oberfläche der vierten Kontaktmetallschicht M4 geätzt wird, eine seitliche Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 schneller geätzt werden als eine seitliche Oberfläche der vierten Kontaktmetallschicht M4.
  • Da eine Ätzgeschwindigkeit der zweiten Kontaktmetallschicht M2 höher ist als die der dritten Kontaktmetallschicht M3, kann die zweite Kontaktmetallschicht M2 von einem Zeitpunkt, bei dem eine obere Oberfläche davon einer Ätzquelle ausgesetzt wird, schneller geätzt werden als die dritte Kontaktmetallschicht M3, und somit wird ein oberer Abschnitt einer seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 vor der seitlichen Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 geätzt, ein unterer Abschnitt der seitlichen Oberfläche dritten Kontaktmetallschicht M3 kann schneller geätzt werden als ein oberer Abschnitt der seitlichen Oberfläche davon, und ein oberer Abschnitt der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 kann schneller geätzt werden als ein unterer Abschnitt der seitlichen Oberfläche davon. Deshalb kann die seitliche Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 eine geneigte Form oder eine abgeschrägte Form aufweisen, und die seitliche Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 kann eine geneigte Form oder eine umgekehrt abgeschrägte Form aufweisen. Dementsprechend kann der Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP einen Seitenkontaktabschnitt SCP, der konkav gebildet ist, auf der seitlichen Oberfläche von jeder von der zweiten Kontaktmetallschicht M2 und der dritten Kontaktmetallschicht M3 aufweisen.
  • Eine abgeschrägte Form der zweiten Kontaktmetallschicht M2 gemäß einer Ausführungsform kann als eine Form definiert sein, in der ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche davon größer ist als ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche davon. Eine umgekehrt abgeschrägte Form der dritten Kontaktmetallschicht M3 gemäß einer Ausführungsform kann definiert sein als eine Form, in der ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche davon geringer ist als ein eingeschlossener Winkel (oder ein interner Winkel) zwischen einer Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche davon. Beispielsweise kann der eingeschlossene Winkel zwischen der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 ein stumpfer Winkel sein, und der eingeschlossene Winkel zwischen der Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 kann ein spitzer Winkel sein. Der eingeschlossene Winkel zwischen der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 kann ein spitzer Winkel sein, und der eingeschlossene Winkel zwischen der Bodenoberfläche und der seitlichen Oberfläche der dritten Kontaktmetallschicht M3 kann ein stumpfer Winkel sein.
  • Der Seitenkontaktabschnitt SCP gemäß einer Ausführungsform kann, um einen bestimmten Abstand entfernt von einer vertikalen Linie, die sich in einer Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 erstreckt, einwärts von einer äußersten seitlichen Oberfläche der vierten Kontaktmetallschicht M4 sein und kann somit nicht zu der Außenseite einer seitlichen Oberfläche der vierten Kontaktmetallschicht M4 in Bezug auf eine erste Richtung X hervorstehen und kann mittels der vierten Kontaktmetallschicht M4 überdeckt sein. Beispielsweise kann der Seitenkontaktabschnitt SCP eine Dachrinnenstruktur aufweisen oder kann eine „(“-geformte Querschnittsstruktur oder eine „〈‟-geformte Querschnittsstruktur aufweisen.
  • Der Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP kann derart gebildet sein, dass er konkav ist, oder kann eine Dachrinnenstruktur aufweisen, und kann somit elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein, ohne mit der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die auf dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP bereitgestellt ist, elektrisch verbunden zu sein. Beispielsweise kann, in einem Fall, in dem die lichtemittierende Vorrichtung ED durch einen Abscheidungsprozess gebildet ist, ein Abscheidungsmaterial der lichtemittierenden Vorrichtung ED Linearität aufweisen und kann somit bei einem Abschnitt von jeder von einer oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der vierten Kontaktmetallschicht M4, einem Abschnitt der seitlichen Oberfläche der ersten Kontaktmetallschicht M1 und einem Abschnitt eines unteren Abschnitts der seitlichen Oberfläche der zweiten Kontaktmetallschicht M2 gebildet sein, kann jedoch nicht an dem Seitenkontaktabschnitt SCP, der mittels der vierten Kontaktmetallschicht M4 überdeckt ist, gebildet sein. Dementsprechend kann der Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP nicht mittels der lichtemittierenden Vorrichtung ED überdeckt sein und kann an der Außenseite einer seitlichen Oberfläche freigelegt sein. Ebenso kann der Seitenkontaktabschnitt SCP die lichtemittierende Vorrichtung ED isolieren.
  • Die gemeinsame Elektrode CE kann auf einer oberen Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung ED gebildet sein und kann mittels Durchdringens in eine konkave seitliche Oberfläche des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP an dem Seitenkontaktabschnitt SCP gebildet sein und kann somit elektrisch mit der lichtemittierenden Vorrichtung ED verbunden sein und kann elektrisch mit dem Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP verbunden sein. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode CE durch einen Abscheidungsprozess, wie beispielsweise einen Sputterprozess, zum Ausführen einer Stufenabdeckung, die relativ hervorragend ist, gebildet werden, und in diesem Falle kann ein Sputter-Elektrodenmaterial auf der lichtemittierenden Vorrichtung ED abgeschieden werden und kann auf allen von den seitlichen Oberflächen des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP, der den Seitenkontaktabschnitt SCP aufweist, mittels Durchdringens in eine konkave seitliche Oberfläche von jeder von der zweiten Kontaktmetallschicht M2 und dritten Kontaktmetallschicht M3 abgeschieden werden. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode CE durch den Seitenkontaktabschnitt SCP des Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitts CPCP elektrisch mit der Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL verbunden sein, sogar ohne einen Vorgang des Bildens eines separaten Kontaktlochs oder einer separaten Kontaktstruktur.
  • Der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP gemäß einer Ausführungsform kann die erste Kontaktmetallschicht M1 bis vierte Kontaktmetallschicht M4 aufweisen. Beispielsweise kann der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP zusammen mit dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP gebildet sein. Abgesehen davon, dass die erste Kontaktmetallschicht M1 elektrisch mit einer sekundären Stromleitung SPL verbunden ist, kann der sekundäre Stromkontaktabschnitt SPCP zusammen mit dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt CPCP, der die oben beschriebenen erste Kontaktmetallschicht M1 bis vierte Kontaktmetallschicht M4 aufweist, gebildet sein und kann auf der Basis der Seitenkontaktweise elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden sein, und somit wird eine wiederholte Beschreibung davon weggelassen.
  • 22 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer Linie II-II', die in 4 dargestellt ist, und 23 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B5“, der in 22 dargestellt ist. 22 und 23 stellen eine Ausführungsform dar, die zum Modifizieren einer Dammstruktur in der Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 21 dargestellt ist, ausgeführt ist. Beim Beschreiben der 22 und 23 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 4 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 22 und 23 kann, in einer Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung, eine Dammstruktur 105 eine erste Dammstruktur 105a und eine zweite Dammstruktur 105b aufweisen.
  • Die erste Dammstruktur 105a kann an einem Kantenabschnitt eines ersten Substrats 100 derart auf einer Schaltkreisschicht 101 angeordnet sein, dass sie eine geschlossene Schleifenform oder eine geschlossene Schleifenlinienform aufweist. Beispielsweise kann die erste Dammstruktur 105a derart auf einer Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101 eingerichtet sein, dass sie angrenzend an einen Emissionsbereich EA eines äußersten Pixels Po angeordnet ist. Die erste Dammstruktur 105a kann das Ausbreiten oder Überlaufen einer Verkapselungsschicht 106 verhindern. Die erste Dammstruktur 105a kann als eine innere Dammstruktur, ein interner Damm, eine blockierende Wand oder eine Trennungswand bezeichnet werden.
  • Die erste Dammstruktur 105a gemäß einer Ausführungsform kann derart angeordnet sein, dass sie angrenzend an einen Schattenbereich (oder einen Ausläuferabschnitt der lichtemittierenden Vorrichtung) der lichtemittierenden Vorrichtung ED in einem ersten Randbereich MA1, der auf dem ersten Substrat 100 definiert ist, angeordnet ist. Deshalb kann ein Ende (oder ein Ausläuferabschnitt) der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, eine innere Oberfläche der ersten Dammstruktur 105a berühren oder kann von der inneren Oberfläche der ersten Dammstruktur 105a in einer Richtung in Richtung des Emissionsbereichs EA entfernt angeordnet sein.
  • Ein Dammstrukturbereich DPA, der die erste Dammstruktur 105a überlappt, kann in Richtung des ersten Randbereichs MA1 vergrößert sein, und ein Wassereindringpfad kann aufgrund der ersten Dammstruktur 105a verlängert sein, wodurch der erste Randbereich MA1, basierend auf dem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED, reduziert sein kann. Deshalb kann ein zweites Intervall D2 zwischen einem zentralen Abschnitt eines äußersten Pixels Po und einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100, da der erste Randbereich MA1 abnimmt, reduziert sein. Dementsprechend kann, in der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung, das zweite Intervall D2 zwischen dem zentralen Abschnitt des äußersten Pixels Po und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 kleiner sein als das zweite Intervall D2 der Anzeigevorrichtung, die die Dammstruktur 105, die in 15 bis 17 dargestellt ist, aufweist.
  • Die erste Dammstruktur 105a gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der Planarisierungsschicht 102 aus dem gleichen Material gebildet sein. Beispielsweise kann eine Höhe (oder eine Dicke) der ersten Dammstruktur 105a die gleiche sein wie die der Planarisierungsschicht 102.
  • Die zweite Dammstruktur 105b kann auf der Schaltkreisschicht 101 an dem Kantenabschnitt des ersten Substrats 100 derart angeordnet sein, dass sie eine geschlossene Schleifenform oder eine geschlossene Schleifenlinienform aufweist. Beispielsweise kann die zweite Dammstruktur 105b derart auf der Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101 ausgeführt sein, dass sie die erste Dammstruktur 105a umgibt. Beispielsweise kann eine Höhe (oder eine Dicke) der zweiten Dammstruktur 105b größer sein als die der ersten Dammstruktur 105a. Die zweite Dammstruktur 105b kann einen seitlichen Wassereindringpfad verlängern, wodurch die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED gegenüber dem Eindringen von Wasser verbessert ist. Die zweite Dammstruktur 105b kann als eine äußere Dammstruktur oder ein externer Damm bezeichnet werden.
  • Die zweite Dammstruktur 105b gemäß einer Ausführungsform kann eine untere Dammstruktur LD und eine obere Dammstruktur UD aufweisen.
  • Die untere Dammstruktur LD kann derart auf der Passivierungsschicht 101d angrenzend an eine äußere Oberfläche der ersten Dammstruktur 105a ausgeführt sein, dass sie eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform) aufweist, die die erste Dammstruktur 105a umgibt. Die untere Dammstruktur LD gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der Planarisierungsschicht 102 aus dem gleichen Material gebildet sein. Beispielsweise kann eine Höhe (oder eine Dicke) der unteren Dammstruktur LD gleich der der Planarisierungsschicht 102 sein.
  • Die obere Dammstruktur UD kann auf der unteren Dammstruktur LD derart ausgeführt sein, dass sie eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform) aufweist, die die erste Dammstruktur 105a umgibt. Die obere Dammstruktur UD gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit einem Wall 104 aus dem gleichen Material gebildet sein. Beispielsweise kann eine Höhe (oder eine Dicke) der oberen Dammstruktur DU gleich der der des Walls 104 sein.
  • In einigen Ausführungsformen kann die lichtemittierende Vorrichtung ED einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 nur in einem internen Bereich (oder einem inneren Bereich), der mittels der ersten Dammstruktur 105a umgeben ist, ausgeführt sein. Das bedeutet, dass die lichtemittierende Vorrichtung ED, die eine organische lichtemittierende Schicht aufweist, an einem Abschnitt, der verschieden ist von einem Abschnitt zwischen der ersten Dammstruktur 105a und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100, in einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sein und kann zwischen der ersten Dammstruktur 105a und der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und auf einer oberen Oberfläche der ersten Dammstruktur 105a nicht angeordnet sein.
  • Die gemeinsame Elektrode CE der lichtemittierenden Vorrichtung 103 kann derart ausgeführt sein, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED und die Dammstruktur 105 überdeckt. Ein Ende der gemeinsamen Elektrode CE kann die Passivierungsschicht 101d angrenzend an eine äußere Oberfläche der zweiten Dammstruktur 105b direkt berühren. Ebenso kann die gemeinsame Elektrode CE die Passivierungsschicht 101 d, zwischen der ersten Dammstruktur 105a und der zweiten Dammstruktur 105b, direkt berühren. Deshalb kann die gemeinsame Elektrode CE die Passivierungsschicht 101b an einem äußeren Abschnitt der zweiten Dammstruktur 105b und zwischen der ersten Dammstruktur 105a und der zweiten Dammstruktur 105b direkt berühren, wodurch ein Effekt des Verhinderns von seitlichem Eindringen von Wasser erhöht ist.
  • Eine erste Verkapselungsschicht 106a einer Verkapselungsschicht 106 kann derart ausgeführt sein, dass sie die gemeinsame Elektrode CE überdeckt. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a basierend auf einer Oberflächenform der gemeinsamen Elektrode CE in einer oberflächentreuen Form ausgeführt sein, und kann somit die gemeinsame Elektrode CE umgeben. Ein Ende der ersten Verkapselungsschicht 106a kann die Passivierungsschicht 101d direkt berühren und kann ein Ende der gemeinsamen Elektrode CE umgeben. Die erste Verkapselungsschicht 106a kann eine obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101 d an einer äußeren Peripherie der Dammstruktur 105 direkt berühren und kann einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen der gemeinsamen Elektrode CE und der Passivierungsschicht 101d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser verhindert oder minimiert ist.
  • Eine zweite Verkapselungsschicht 106b der Verkapselungsschicht 106 kann derart ausgeführt sein, dass sie die erste Verkabelungsschicht 106a, die eine innere Oberfläche der ersten Dammstruktur 105a überdeckt, überdeckt. Die zweite Verkapselungsschicht 106b kann eine relativ dicke Dicke aufweisen und kann sich somit zu einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 ausbreiten, jedoch kann die Ausbreitung der zweiten Verkapselungsschicht 106b mittels der ersten Dammstruktur 105a blockiert sein. Beispielsweise kann ein Ende der zweiten Verkapselungsschicht 106b die erste Verkapselungsschicht 106a auf der ersten Dammstruktur 105a direkt berühren. Dementsprechend kann, in einigen Ausführungsformen, die zweite Verkapselungsschicht 106b in einem internen Bereich (oder einem inneren Bereich), der mittels der ersten Dammstruktur 105a umgeben ist, nur auf der ersten Verkapselungsschicht 106a angeordnet sein.
  • Eine dritte Verkapselungsschicht 106c der Verkapselungsschicht 106 kann derart ausgeführt sein, dass sie alles von der ersten Verkapselungsschicht 106a, die derart angeordnet ist, dass sie die Dammstruktur 105 überlappt, und der zweiten Verkapselungsschicht 106b überlappt. Ein Ende der dritten Verkapselungsschicht 106c kann die Passivierungsschicht 101 d direkt berühren und kann ein Ende der ersten Verkapselungsschicht 106a umgeben. Die dritte Verkapselungsschicht 106c kann die obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101d an einer äußeren Peripherie der Dammstruktur 105 direkt berühren und kann einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen der ersten Verkapselungsschicht 106a und der Passivierungsschicht 101d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser zusätzlich verhindert oder minimiert ist.
  • 24 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer Linie II-II', die in 4 dargestellt ist, und 25 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B6“, der in 24 dargestellt ist. 24 und 25 stellen eine Ausführungsform dar, in der ein Laserstrukturierungsabschnitt des Weiteren in der Nähe einer Dammstruktur in der Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 21 dargestellt ist, bereitgestellt ist. Beim Beschreiben der 24 und der 25 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 4 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 24 und 25 kann eine Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Laserstrukturierungsabschnitt LPP, der nahe an einer Dammstruktur 105 eines ersten Substrats 100 angeordnet ist, aufweisen.
  • Der Laserstrukturierungsabschnitt LPP kann dazu ausgeführt sein, das Eindringen von Wasser oder anderem fremden, äußeren Materialien in einer seitlichen Richtung des ersten Substrats 100 zu verhindern, zum Verhindern der Verschlechterung in einer lichtemittierenden Vorrichtung ED, die mittels seitlichen Eindringens von Materialien, die sowohl Wasser als auch andere aufweisen, verursacht wird. Der Laserstrukturierungsabschnitt LPP kann die lichtemittierende Vorrichtung ED einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 bei einer Peripherie der Dammstruktur 105 isolieren (oder abtrennen). Dementsprechend kann der Laserstrukturierungsabschnitt LPP als ein Nicht-Anordnungsbereich oder ein Isolationsbereich definiert sein, in dem die lichtemittierende Vorrichtung ED und eine gemeinsame Elektrode CE nicht angeordnet sind. Ebenso kann der Laserstrukturierungsabschnitt LPP mittels gleichzeitigen Entfernens der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, gebildet werden, und kann somit als mindestens eine Einschnittlinie GOL definiert sein. Die mindestens eine Einschnittlinie kann mittels Strukturierens der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE derart gebildet sein, dass sie konkav ist.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 kann bei einem Wall 104 und einer Pixelelektrode PE, die an einem Emissionsbereich EA von jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP freigelegt ist, angeordnet sein und kann außerdem auf einer Passivierungsschicht 101d, die an einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 freigelegt ist, angeordnet sein. Deshalb kann eine seitliche Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung ED an der Außenseite freigelegt sein, und aufgrund dessen kann die lichtemittierende Vorrichtung ED verschlechtert werden oder kann aufgrund des Eindringens von Wasser durch die seitliche Oberfläche des ersten Substrats 100 in ihrer Zuverlässigkeit reduziert sein. Um ein derartiges Problem zu lösen, kann der Laserstrukturierungsabschnitt LPP die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, isolieren (oder abtrennen), wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser verhindert ist.
  • Der Laserstrukturierungsabschnitt LPP (oder eine Einschnittlinie GOL) kann derart ausgeführt sein, dass er an einer Peripherie der Dammstruktur 105 die lichtemittierende Vorrichtung ED von der gemeinsamen Elektrode CE isoliert und dass er eine obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101d freilegt. Der Laserstrukturierungsabschnitt LPP (oder eine Einschnittlinie GOL) kann mindestens teilweise mittels der Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. In einigen Ausführungsformen kann die Verkapselungsschicht 106 eine oberste Oberfläche einer Schaltkreisschicht 101 bei dem Laserstrukturierungsabschnitt LPP direkt berühren, und kann somit eine seitliche Oberfläche LIS (oder eine Isolationsoberfläche oder eine Laser-Isolationsoberfläche) von jedem von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die mittels eines Laserstrukturierungsprozesses isoliert werden, umgeben. In einigen Ausführungsformen kann der Laserstrukturierungsprozess die lichtemittierende Vorrichtung ED und die gemeinsame Elektrode CE, die angrenzend an die Dammstruktur 105 gebildet sind, sowohl physisch isolieren als auch elektrisch isolieren. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 106 alles von der Isolationsoberfläche LIS von jedem von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE und einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der Passivierungsschicht 101d und der lichtemittierenden Vorrichtung ED an dem Laserstrukturierungsabschnitt LPP mindestens teilweise oder vollständig überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser grundlegend (oder vollständig) verhindert ist.
  • Der Laserstrukturierungsabschnitt LPP gemäß einer Ausführungsform kann einen inneren Strukturierungsabschnitt IPP, der von der Dammstruktur 105 einwärts angeordnet ist, aufweisen.
  • Der innere Strukturierungsabschnitt (oder ein erster Laserstrukturierungsabschnitt) IPP kann angrenzend an den inneren Abschnitt der Dammstruktur 105 angeordnet sein und kann mittels der Dammstruktur 105 umgeben sein. Das bedeutet, dass der innere Strukturierungsabschnitt IPP zwischen der Dammstruktur 105 und einem Emissionsbereich EA eines äußersten Pixelbereichs PAo derart angeordnet sein kann, dass er eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform), die mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist, aufweist. Beispielsweise kann der innere Strukturierungsabschnitt IPP entlang eines Kantenabschnitts des ersten Substrats 100 in einer geschlossenen Schleifenform (oder einer geschlossenen Schleifenlinienform) angeordnet sein und kann somit mittels der Dammstruktur 105, die eine geschlossene Schleifenform aufweist, umgeben sein. Der innere Strukturierungsabschnitt IPP kann jede von der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die an der Passivierungsschicht 101d bereitgestellt ist, isolieren (oder abtrennen), wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser verhindert ist.
  • Der innere Strukturierungsabschnitt IPP gemäß einer Ausführungsform kann ein Bereich sein, der mittels gleichzeitigen Entfernens der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die an einer Peripherie einwärts von der Dammstruktur 105 angeordnet ist, durch einen Laserstrukturierungsprozess gebildet wird. Beispielsweise können, in dem Laserstrukturierungsprozess, ein Abschnitt von jedem von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die in dem ersten Randbereich MA1 auf dem ersten Substrat 100 derart angeordnet ist, dass sie angrenzend ein einen inneren Abschnitt der Dammstruktur 105 angeordnet sind, gleichzeitig entfernt werden. Dementsprechend kann der innere Strukturierungsabschnitt IPP als ein Nicht-Anordnungsbereich oder ein Isolationsbereich, in dem die lichtemittierende Vorrichtung ED und eine gemeinsame Elektrode CE nicht angeordnet sind, definiert sein. Ebenso kann der innere Strukturierungsabschnitt IPP mittels gleichzeitigen Entfernens der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die an einer Peripherie von der Dammstruktur 105 einwärts angeordnet sind, gebildet sein und kann somit als mindestens eine Einschnittlinie (oder eine innere Einschnittlinie) definiert sein.
  • Der innere Strukturierungsabschnitt IPP kann mittels der Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 106 auf dem inneren Strukturierungsabschnitt IPP angeordnet sein und kann somit eine seitliche Oberfläche (oder eine Isolationsoberfläche oder eine Laser-Isolationsoberfläche) von jedem von der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die mittels des Laserstrukturierungsprozesses isoliert werden, umgeben. Dementsprechend kann die Verkapselungsschicht 106 alles von der seitlichen Oberfläche von jedem von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE und einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der Passivierungsschicht 101 d und der lichtemittierenden Vorrichtung ED an dem inneren Strukturierungsabschnitt IPP vollständig überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser grundlegend (oder vollständig) verhindert ist.
  • Der innere Strukturierungsabschnitt IPP gemäß einer Ausführungsform kann mittels der ersten Verkapselungsschicht 106a der Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. Die erste Verkapselungsschicht 106a kann durch den inneren Strukturierungsabschnitt IPP eine oberste Oberfläche einer Schaltkreisschicht 101 direkt berühren. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a durch den inneren Strukturierungsabschnitt IPP eine obere Oberfläche der Passivierungsschicht 101d direkt berühren und kann somit eine seitliche Oberfläche (oder eine Isolationsoberfläche oder eine Laser-Isolationsoberfläche) von jedem von der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die an dem inneren Strukturierungsabschnitt IPP freigelegt sind, umgeben. Dementsprechend kann die erste Verkapselungsschicht 106a alles von der Isolationsoberfläche von jedem von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE und einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der Passivierungsschicht 101d und der lichtemittierenden Vorrichtung ED an dem inneren Strukturierungsabschnitt IPP vollständig überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser grundlegend (oder vollständig) verhindert ist.
  • In dem inneren Strukturierungsabschnitt IPP kann ein Abschnitt eines ersten Randbereichs MA1, basierend auf einem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED, mittels eines Verkapselungsrandbereichs, der auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED basiert, ersetzt werden, und somit kann ein Verkapselungsrand basierend auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED zunehmen, wodurch die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED gesteigert ist. Ebenso kann der innere Strukturierungsabschnitt IPP mittels gleichzeitigen Entfernens der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die in dem ersten Randbereich MA1 angrenzend an die Dammstruktur 105 angeordnet sind, gebildet werden und kann somit basierend auf dem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED in einem Abstand von dem Emissionsbereich EA des äußerst Pixels Po um den ersten Randbereich MA1 entfernt angeordnet sein, wodurch ein Dammstrukturbereich DPA, der die Dammstruktur 105 überlappt, derart ausgeführt sein kann, dass er in dem ersten Randbereich MA1 enthalten ist. In diesem Falle kann ein zweites Intervall D2 zwischen einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und einem zentralen Abschnitt des äußersten Pixels, der derart ausgeführt ist, dass er die Hälfte oder weniger eines ersten Intervalls (oder eines ersten Abstands) D1 zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA beträgt, weiter reduziert sein.
  • Der Laserstrukturierungsabschnitt LPP gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen äußeren Strukturierungsabschnitt OPP, der von der Dammstruktur 105 auswärts angeordnet ist, aufweisen.
  • Der äußere Strukturierungsabschnitt (oder ein zweiter Laserstrukturierungsabschnitt) OPP kann in einem äußeren Bereich der Dammstruktur 105 angeordnet sein und kann die Dammstruktur 105 umgeben. Das bedeutet, dass der äußere Strukturierungsabschnitt OPP zwischen der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und der Dammstruktur 105 derart angeordnet sein kann, dass er eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform), die die Dammstruktur 105 umgibt, aufweist. Beispielsweise kann der äußere Strukturierungsabschnitt OPP in einer geschlossenen Schleifenform (oder einer geschlossenen Schleifenlinienform) entlang eines Kantenabschnitts des ersten Substrats 100 angeordnet sein kann und die Dammstruktur 105, die eine geschlossenen Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform) aufweist, umgeben kann.
  • Der äußere Strukturierungsabschnitt OPP gemäß einer Ausführungsform kann ein Bereich sein, der mittels gleichzeitigen Bildens der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die an einer Peripherie von der Dammstruktur 105 auswärts angeordnet sind, durch einen Laserstrukturierungsprozess gebildet ist. Deshalb kann der äußere Strukturierungsabschnitt OPP als ein Nicht-Anordnungsbereich oder ein Kanten-Entfernungsbereich, in dem die lichtemittierende Vorrichtung ED und die gemeinsame Elektrode CE nicht angeordnet sind, definiert sein. Ebenso kann der äußere Strukturierungsabschnitt OPP mittels gleichzeitigen Entfernens der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die an einer Peripherie von der Dammstruktur 105 auswärts angeordnet sind, gebildet werden und kann somit als mindestens eine zweite Einschnittlinie (oder äußere Einschnittlinie) definiert sein.
  • Der äußere Strukturierungsabschnitt OPP kann mittels der Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 106 auf dem äußeren Strukturierungsabschnitt OPP angeordnet sein und kann somit eine seitliche Oberfläche (oder eine Isolationsoberfläche oder eine Laser-Isolationsoberfläche) von jedem von der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die mittels des Laserstrukturierungsprozesses isoliert werden, umgeben. Dementsprechend kann die Verkapselungsschicht 106 an dem äußeren Strukturierungsabschnitt OPP alles von der Isolationsoberfläche von jedem von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE und einem Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der Passivierungsschicht 101d und der lichtemittierenden Vorrichtung ED vollständig überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser grundlegend (oder vollständig) verhindert ist.
  • Der äußere Strukturierungsabschnitt OPP gemäß einer Ausführungsform kann mittels der ersten Verkapselungsschicht 106a der Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. Die erste Verkapselungsschicht 106a kann durch den äußeren Strukturierungsabschnitt OPP eine oberste Oberfläche der Schaltkreisschicht 101 direkt berühren. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a durch den äußeren Strukturierungsabschnitt OPP eine obere Oberfläche einer Passivierungsschicht 101 d direkt berühren und kann somit eine seitliche Oberfläche von jedem von der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die an dem äußeren Strukturierungsabschnitt OPP freigelegt sind, und einen Grenzabschnitt (oder einer Grenzfläche) zwischen der Passivierungsschicht 101d und der lichtemittierenden Vorrichtung ED überdecken. Der äußere Strukturierungsabschnitt OPP kann die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED weiter erhöhen oder kann einen zweiten Randbereich MA2, der auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED basiert, verringern. In diesem Falle kann ein zweites Intervall D2 zwischen der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 und einem zentralen Abschnitt eines äußersten Pixels, der derart ausgeführt ist, dass er die Hälfte oder weniger eines ersten Intervalls (oder eines ersten Abstands) D1 zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA beträgt, weiter reduziert sein.
  • Da die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform den Laserstrukturierungsabschnitt LPP aufweist, kann eine Gesamtbreite des ersten Randbereichs MA1 und des zweiten Randbereichs MA2, die an einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sind, auf 700 µm oder weniger absinken, und in diesem Falle kann die Anzeigevorrichtung 10 eine Auflösung realisieren, die höher ist als die einer Anzeigevorrichtung, die keinen Laserstrukturierungsabschnitt LPP aufweist.
  • Wenn beispielsweise eine Hälfte eines ersten Intervalls (oder eines Pixelabstands) D1 zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA innerhalb eines Prozessfehlerbereichs 350 µm beträgt, kann, basierend auf einem Schattenrand basierend auf einem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED und einem Verkapselungsrand, der auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED gegenüber Wasser basiert, eine Gesamtbreite (oder ein kürzester Abstand zwischen einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einem Ende eines Emissionsbereichs EA des äußersten Pixels) des ersten Randbereichs MA1, des zweiten Randbereichs MA2 und eines Dammstrukturbereichs DPA derart ausgeführt sein, dass er 320 µm oder weniger beträgt. In diesem Falle kann ein zweites Intervall D2 zwischen einer äußersten äußeren Oberfläche VL des ersten Substrats 100 und einem zentralen Abschnitt eines äußersten Pixels, das einen ersten Padbereich 110 aufweist, derart ausgeführt sein, dass es innerhalb des Prozessfehlerbereichs 350 µm beträgt. Hierbei kann die äußerste äußere Oberfläche VL des ersten Substrats 100 eine äußerste äußere Oberfläche einer Kantenüberzugschicht 403, die einen Verdrahtungsabschnitt 400 überdeckt, sein.
  • Der erste Randbereich MA1 und der zweite Randbereich MA2 können die gleiche Breite oder verschiedene Breiten aufweisen. Beispielsweise kann, in Bezug auf eine erste Richtung X, der erste Randbereich derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 200 µm oder weniger aufweist, und der zweite Randbereich MA2 kann derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 120 µm oder weniger aufweist. Ebenso kann ein Pad-Randbereich (oder ein seitlicher Verdrahtungsbereich), der in dem zweiten Randbereich MA2 enthalten ist, derart ausgeführt sein, dass er in Bezug auf die erste Richtung X eine Breite von 100 µm oder weniger aufweist.
  • Eine Verkapselungsschicht 106, die an einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet ist, kann mittels einen Pad-Öffnungsprozesses des Öffnens (oder Freilegens) von ersten Pads 111 des ersten Padbereichs 110 entfernt werden. In diesem Falle kann, da eine gemeinsame Elektrode CE auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats, die den ersten Padbereich 110 überlappt, unter Verwendung des äußeren Strukturierungsabschnitts OPP nicht angeordnet ist, der erste Padbereich 110 mittels lediglich eines Trockenätzprozesses, ohne einen Nassätzprozess, freigelegt werden, und somit kann ein Herstellungsprozess des ersten Substrats 100 vereinfacht sein.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann des Weiteren eine Dummy-Dammstruktur 105m, die die Dammstruktur 105 überdeckt, aufweisen.
  • Die Dummy-Dammstruktur 105m kann derart ausgeführt sein, dass sie die Dammstruktur 105 zwischen dem inneren Strukturierungsabschnitt IPP und dem äußeren Strukturierungsabschnitt OPP umgibt.
  • Die Dummy-Dammstruktur 105m gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Inselstruktur EDa, die die Dammstruktur 105 umgibt, und eine zweite Inselstruktur CEa, die die erste Inselstruktur EDa umgibt, aufweisen.
  • Die erste Inselstruktur EDa kann in dem Dammstrukturbereich DPA auf der Passivierungsschicht 101d, die die Dammstruktur 105 überlappt, angeordnet sein und kann seitliche Oberflächen und eine obere Oberfläche der Dammstruktur 105 umgeben. Die erste Inselstruktur EDa gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der lichtemittierenden Vorrichtung ED aus dem gleichen Material gebildet sein. Beispielsweise kann die erste Inselstruktur EDa derart auf der Passivierungsschicht 101d in dem Dammstrukturbereich DPA gebildet sein, dass sie seitliche Oberflächen und die obere Oberfläche der Dammstruktur 105 umgibt, und kann dann eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Materialschicht (oder eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Struktur), die unter Verwendung des inneren Strukturierungsabschnitts IPP und des äußeren Strukturierungsabschnitts OPP in einer Inselform von der lichtemittierenden Vorrichtung ED isoliert ist, sein. Anders gesagt kann die erste Inselstruktur EDa eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Materialschicht sein, die eine Inselform aufweist, die derart verbleibt, dass sie die Dammstruktur 105 umgibt, ohne mittels eines Laserstrukturierungsprozesses des Bildens des inneren Strukturierungsabschnitts IPP und des äußeren Strukturierungsabschnitts OPP entfernt zu werden. Die erste Inselstruktur EDa kann eine Höhe der Dammstruktur 105 vergrößern und kann somit eine Funktion der Dammstruktur 105, die das Ausbreiten oder Überlaufen der Verkapselungsschicht 106 blockiert, verstärken.
  • Die zweite Inselstruktur CEa kann die erste Inselstruktur EDa umgeben. Die zweite Inselstruktur CEa gemäß einer Ausführungsform kann zusammen mit der gemeinsamen Elektrode CE aus dem gleichen Material gebildet sein. Beispielsweise kann die zweite Inselstruktur CEa als eine Gemeinsame-Elektrode-Materialschicht (oder eine Gemeinsame-Elektrode-Struktur), die derart gebildet ist, dass sie die gleiche Form wie die einer lichtemittierenden Vorrichtung ED, die die erste Inselstruktur EDa aufweist, aufweist und dann unter Verwendung des inneren Strukturierungsabschnitts IPP und des äußeren Strukturierungsabschnitts OPP in einer Inselform von der gemeinsamen Elektrode CE isoliert wird. Anders gesagt kann die zweite Inselstruktur CEa eine Gemeinsame-Elektrode-Materialschicht sein, die eine Inselform aufweist, die derart verbleibt, dass sie die Dammstruktur 105 umgibt, ohne mittels des Laserstrukturierungsprozesses des Bildens des inneren Strukturierungsabschnitts IPP und des äußeren Strukturierungsabschnitts OPP entfernt zu werden. Die zweite Inselstruktur CEa kann eine Höhe der Dammstruktur 105 vergrößern und kann somit eine Funktion der Dammstruktur 105, die das Ausbreiten oder Überlaufen der Verkapselungsschicht 106 blockiert, verstärken.
  • Die erste Inselstruktur EDa und die zweite Inselstruktur CEa können durch den Laserstrukturierungsprozess des Bildens des inneren Strukturierungsabschnitts IPP und des äußeren Strukturierungsabschnitts OPP derart gleichzeitig gebildet werden, dass sie die gleiche Form aufweisen.
  • Außerdem kann die zweite Inselstruktur CEa derart ausgeführt sein, dass sie elektrisch mit mindestens einem einer Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads, die in dem ersten Padbereich 110 angeordnet sind, verbunden ist. Beispielsweise kann die zweite Inselstruktur CEa von einer Seite parallel zu dem ersten Padbereich 110 zu mindestens einem der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads hervorstehen oder kann mindestens eine hervorstehende Struktur aufweisen und kann durch die mindestens eine hervorstehende Struktur elektrisch mit mindestens einer der Mehrzahl von ersten Pixel-Gemeinsamer-Strom-Pads verbunden sein. Optional kann die zweite Inselstruktur CEa derart ausgeführt sein, dass sie durch einen Erdungsstreifen und ein Dummy-Pad, das in dem ersten Padbereich 110 angeordnet ist, elektrisch mit einer Erdungsquelle einer Ansteuerungsschaltkreiseinheit verbunden ist. Die zweite Inselstruktur CEa kann das gleiche Material aufweisen wie das der gemeinsamen Elektrode CE und kann somit als ein Antistatik-Schaltkreis, der statische Elektrizität, die von der Außenseite in ein Pixel P fließt, blockiert, wirken oder kann als ein Elektrostatische-Entladung (ESD)-Pfad, der elektrostatische Elektrizität zu der Steuerungsschaltkreiseinheit entlädt, wirken.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Dammstruktur 105 eine erste Dammstruktur 105a und eine zweite Dammstruktur 105b, die in 22 und 23 dargestellt sind, aufweisen. In diesem Falle kann ein Laserstrukturierungsabschnitt (oder eine Einschnittlinie) LPP, die nahe an der ersten Dammstruktur 105a und der zweiten Dammstruktur 105b angeordnet ist, aufweisen. Beispielsweise kann der Laserstrukturierungsabschnitt LPP von der ersten Dammstruktur 105a einwärts und von der zweiten Dammstruktur 105b auswärts angeordnet sein. Beispielsweise kann der Laserstrukturierungsabschnitt LPP den inneren Strukturierungsabschnitt IPP, der von der ersten Dammstruktur 105a einwärts angeordnet ist, und den äußeren Strukturierungsabschnitt OPP, der von der zweiten Dammstruktur 105b auswärts angeordnet ist, aufweisen.
  • 26 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer Linie II-II', die in 4 dargestellt ist, und 27 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B7“, der in 26 dargestellt ist. 26 und 27 stellen eine Ausführungsform dar, in der ein Grabenstrukturabschnitt des Weiteren nahe an einer Dammstruktur in der Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 21 dargestellt ist, bereitgestellt ist. Beim Beschreiben der 26 und der 27 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 1 bis 21 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 26 und 27 kann eine Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Grabenstrukturabschnitt TPP, der nahe an einer Dammstruktur 105 eines ersten Substrats 100 angeordnet ist, aufweisen.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann derart ausgeführt sein, dass er das Eindringen von Wasser in einer seitlichen Richtung des ersten Substrats 100 zum Verhindern der Verschlechterung in einer lichtemittierenden Vorrichtung ED, die mittels seitlichen Eindringens von Wasser hervorgerufen wird, verhindert. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP die lichtemittierende Vorrichtung ED einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 an einer Peripherie der Dammstruktur 105 isolieren (oder abtrennen). Dementsprechend kann der Grabenstrukturabschnitt TPP als ein Isolationsbereich oder eine Trennungslinie der lichtemittierenden Vorrichtung ED definiert sein.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 kann auf einem Wall 104 und einer Pixelelektrode PE, die an einem Emissionsbereich EA von jedem von der Mehrzahl von Subpixeln SP freigelegt ist, angeordnet sein und kann außerdem auf einer Passivierungsschicht 101d, die an einem Kantenabschnitt einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 freigelegt ist, angeordnet sein. Deshalb kann die lichtemittierende Vorrichtung ED aufgrund des Eindringens von Wasser durch die seitliche Oberfläche des ersten Substrats 100 verschlechtert sein oder kann in ihrer Zuverlässigkeit eingeschränkt sein. Um ein derartiges Problem zu lösen, kann der Grabenstrukturabschnitt TPP derart ausgeführt sein, dass er die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, isoliert (oder abtrennt), wodurch eine Abnahme in der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die mittels seitlichen Eindringens von Wasser verursacht wird, minimiert ist.
  • Der Grabenstrukturabschnitt (oder ein Isolationsstrukturabschnitt) TPP kann derart nahe an der Dammstruktur 105 ausgeführt sein, dass er eine Isolationsstruktur (oder eine Trennungsstruktur oder eine Abschneide-Struktur) zum Isolieren (oder Abtrennen) der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, oder zum Isolieren (oder Abtrennen) von allen von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE aufweist. Die Isolationsstruktur kann mindestens eines von einer Dachrinnenstruktur (oder einer Klippenstruktur), einer Spitzenstruktur (oder einer Überstandspitze-Struktur) und einer Unterschneidungsstruktur aufweisen. Deshalb können die gemeinsame Elektrode CE und die lichtemittierende Vorrichtung ED, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet sind, mittels einer Isolationsstruktur des Grabenstrukturabschnitts TPP in der Mitte des Durchführens eines Abscheidungsprozesses isoliert (oder abgetrennt) werden, ohne einen separaten Prozess. Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann mittels einer Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. Die Verkapselungsschicht 106 kann eine oberste Oberfläche einer Schaltkreisschicht 101 in dem Grabenstrukturabschnitt TPP direkt berühren und kann somit eine seitliche Oberfläche (oder eine Isolationsoberfläche) von jedem von der isolierten lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE umgeben. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a der Verkapselungsschicht 106 in einen mittels der Isolationsstruktur des Grabenstrukturabschnitts TPP gebildeten Isolationsraum gefüllt sein und kann den Grabenstrukturabschnitt TPP abdichten oder vollständig umgeben und kann somit die seitliche Oberfläche (oder die Isolationsoberfläche) von jedem von der isolierten lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE vollständig umgeben, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser grundlegend (oder vollständig) verhindert ist.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann an einer Passivierungsschicht 101d, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, ausgeführt sein. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP eine Isolationsstruktur aufweisen, die mittels Strukturierens der Passivierungsschicht 101d, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, ausgeführt ist.
  • Die Passivierungsschicht 101 d gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann zum Implementieren des Grabenstrukturabschnitts TPP eine dreilagige Struktur aufweisen.
  • Die Passivierungsschicht 101d gemäß einer Ausführungsform kann eine untere Schicht LL, eine mittlere Schicht ML und eine obere Schicht UL aufweisen.
  • Die untere Schicht (oder eine untere Passivierungsschicht) LL kann derart auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sein, dass sie einen Pixelschaltkreis, der einen Ansteuerungs-TFT aufweist, überdeckt. Die untere Schicht LL gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Dicke DLL aufweisen.
  • Die mittlere Schicht (oder eine mittlere Passivierungsschicht) ML kann auf der unteren Schicht LL angeordnet sein. Die mittlere Schicht ML gemäß einer Ausführungsform kann eine zweite Dicke DML aufweisen, die verschieden ist von der ersten Dicke DLL. Beispielsweise kann die mittlere Schicht ML die zweite Dicke DML aufweisen, die verhältnismäßig dünner ist als die erste Dicke DLL der unteren Schicht LL.
  • Die obere Schicht (oder eine obere Passivierungsschicht) UL kann auf der mittleren Schicht ML angeordnet sein. Die obere Schicht UL gemäß einer Ausführungsform kann eine dritte Dicke DUL aufweisen, die verschieden ist von der zweiten Dicke DML. Beispielsweise kann die obere Schicht UL eine dritte Dicke DUL aufweisen, die verhältnismäßig dicker ist als die zweite Dicke DML der mittleren Schicht ML und gleich ist zu oder verschieben ist von der ersten Dicke DLL der unteren Schicht LL.
  • Jede von der unteren Schicht LL, der mittleren Schicht ML und der oberen Schicht UL kann SiOx, SiNx, SiON oder eine mehrlagige Schicht davon aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Beispielsweise können die untere Schicht LL, die mittlere Schicht ML und die obere Schicht UL derart ausgeführt sein, dass sie verschiedene nicht-abgesättigte Bindungsstellen aufweisen, so dass der Grabenstrukturabschnitt TPP implementiert wird. Die untere Schicht LL, die mittlere Schicht ML und die obere Schicht UL können verschiedene nicht-abgesättigte Bindungsstellen von Silizium (Si) aufweisen. Beispielsweise können nicht-abgesättigte Bindungsstelle der mittleren Schicht ML weniger sein als nicht-abgesättigte Bindungsstellen von jeder von der unteren Schicht LL und der oberen Schicht UL, und eine nicht-abgesättigte Bindungsstelle der unteren Schicht LL kann weniger sein als die der oberen Schicht UL.
  • Als ein weiteres Beispiel können die untere Schicht LL, die mittlere Schicht ML und die obere Schicht UL derart ausgeführt sein, dass sie verschiedene Dichten aufweisen, so dass der Grabenstrukturabschnitt TPP implementiert wird. Die untere Schicht LL, die mittlere Schicht ML und die obere Schicht UL können verschiedene Dichten von Si aufweisen. Beispielsweise kann eine Si-Dichte der mittleren Schicht ML höher sein als eine Si-Dichte von jeder von der unteren Schicht LL und der oberen Schicht UL, und eine Si-Dichte der oberen Schicht UL kann niedriger sein als eine Si-Dichte der unteren Schicht LL. Deshalb kann die obere Schicht UL eine poröse Schicht sein, und die mittlere Schicht ML kann eine dichte Schicht sein.
  • Die untere Schicht LL, die mittlere Schicht ML und die obere Schicht UL der Passivierungsschicht 101d können verschiedene nicht-abgesättigte Bindungsstellen (oder Dichten) aufweisen und können somit in einem Nass-Ätzprozess des Bildens des Grabenstrukturabschnitts TPP verschiedene Ätzgeschwindigkeiten aufweisen. Beispielsweise kann, in Bezug auf die gleiche Nass-Ätzdauer, eine Ätzgeschwindigkeit der oberen Schicht UL die schnellste sein, eine Ätzgeschwindigkeit der mittleren Schicht ML kann die langsamste sein, und eine Ätzgeschwindigkeit der unteren Schicht LL kann langsamer sein als die der oberen Schicht UL und kann schneller sein als die der mittleren Schicht ML.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform kann einen inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa, der von der Dammstruktur 105 in einem ersten Randbereich MA1 einwärts angeordnet ist, aufweisen.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt (oder ein erster Grabenstrukturabschnitt) TPPa kann derart angeordnet sein, dass er an einen inneren Abschnitt der Dammstruktur 105 angrenzt, und kann derart angeordnet sein, dass er mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist. Das bedeutet, dass der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa derart zwischen der Dammstruktur 105 und einem Emissionsbereich EA eines äußersten Pixelbereichs PAo ausgeführt sein kann, dass er eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform), die mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist, aufweist. Beispielsweise kann der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa in einer geschlossenen Schleifenform (oder einer geschlossenen Schleifenlinienform) entlang eines Kantenabschnitts des ersten Substrats 100 ausgeführt sein und kann somit derart ausgeführt sein, dass er mittels der Dammstruktur 105, die eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform) aufweist, umgeben ist. Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa kann mittels eines Nass-Ätzprozesses, der an der Passivierungsschicht 101 d einer Schaltkreisschicht 101, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, an der Passivierungsschicht 101 d implementiert werden und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen) oder kann die gemeinsame Elektrode CE und die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen).
  • Eine Breite W1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa gemäß einer Ausführungsform kann breiter sein als eine Breite der Dammstruktur 105. Beispielsweise kann die Breite W1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa 20 µm bis 60 µm betragen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und kann basierend auf einer Breite des ersten Randbereichs MA1 geändert sein oder kann basierend auf einer Gesamtbreite des ersten Randbereichs MA1 und eines zweiten Randbereichs MA2 geändert sein.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa gemäß einer Ausführungsform kann mindestens zwei erste Grabenstrukturen TP1 und mindestens eine erste Grabenkonstruktion TS1 aufweisen.
  • Die mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 können an der Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101 angrenzend an den inneren Abschnitt der Dammstruktur 105 ausgeführt sein. Beispielsweise können die mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 mittels des Nass-Ätzprozesses, der an der Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101 durchgeführt wird, an der Passivierungsschicht 101 d gebildet oder angeordnet werden.
  • Jede von den mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 gemäß einer Ausführungsform kann eine erste Lochstruktur TPa, eine zweite Lochstruktur TPb und eine Furchenstruktur TPc aufweisen.
  • Die erste Lochstruktur TPa kann an der oberen Schicht UL der Passivierungsschicht 101d ausgeführt sein. Die erste Lochstruktur TPa gemäß einer Ausführungsform kann durch einen Nass-Ätzprozess derart gebildet sein, dass sie durch die obere Schicht UL der Passivierungsschicht 101d hindurchführt. Beispielsweise kann eine Querschnittsoberfläche der ersten Lochstruktur TPa entlang einer ersten Richtung X eine Leiterform oder eine umgekehrte Leiterform, in der eine obere Seite davon breiter ist als eine untere Seite davon, aufweisen.
  • Die zweite Lochstruktur TPb kann an der mittleren Schicht ML der Passivierungsschicht 101b derart ausgeführt sein, dass sie in einer Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 mit der ersten Lochstruktur TPa kommuniziert. Die zweite Lochstruktur TPb gemäß einer Ausführungsform kann durch einen Nass-Ätzprozess derart gebildet sein, dass sie durch die mittlere Schicht ML der Passivierungsschicht 101 d hindurchtritt. Beispielsweise kann eine Querschnittsoberfläche der zweiten Lochstruktur TPb entlang der ersten Richtung X eine tetragonale Form oder eine rechtwinklige Form aufweisen.
  • Eine Größe der zweiten Lochstruktur TPb kann geringer sein als eine Bodenoberfläche der ersten Lochstruktur TPa. Beispielsweise kann, in Bezug auf die erste Richtung X, eine Breite der zweiten Lochstruktur TPb schmaler sein als die einer Bodenoberfläche der ersten Lochstruktur TPa.
  • Die Furchenstruktur TPc kann derart an der unteren Schicht LL der Passivierungsschicht 101d ausgeführt sein, dass sie in einer Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 mit der zweiten Lochstruktur TPb kommuniziert. Die Furchenstruktur TPc kann durch einen Nass-Ätzprozesses derart auf einer Zwischenisolationsschicht 101c gebildet sein, dass sie durch die untere Schicht LL der Passivierungsschicht 101d hindurchtritt. Beispielsweise kann eine Querschnittsoberfläche der Furchenstruktur TPc entlang der ersten Richtung X eine Leiterform oder eine umgekehrte Leiterform, in der eine obere Seite davon breiter ist als eine untere Seite davon, aufweisen.
  • Eine obere Oberfläche der Furchenstruktur TPc kann eine Größe aufweisen, die breiter ist als die der zweiten Lochstruktur TPb, und ein zentraler Abschnitt der oberen Oberfläche der Furchenstruktur TPc kann an einem zentralen Abschnitt der zweiten Lochstruktur TPb angeordnet sein. Deshalb kann die zweite Lochstruktur TPb in Bezug auf jede von der ersten Lochstruktur TPa und der Furchenstruktur TPc zu einem zentralen Abschnitt der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen und kann somit eine Überstandspitze (oder eine Isolationsspitze), die an einer inneren mittleren Höhe der ersten Grabenstruktur TP1 angeordnet ist, implementieren. Dementsprechend kann die erste Grabenstruktur TP1 die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 durch die Überstandspitze basierend auf der zweiten Lochstruktur TPb isolieren (oder abtrennen), oder kann alles von der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und der gemeinsamen Elektrode CE isolieren (oder abtrennen).
  • Die mindestens eine erste Grabenkonstruktion (oder eine erste Grabenkonstruktion) TS1 kann an der Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101, die zwischen mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 angeordnet ist, ausgeführt sein. Das bedeutet, dass die mindestens eine erste Grabenkonstruktion TS1 mittels zweier erster Grabenstrukturen TP1 an der Passivierungsschicht 101d gebildet sein kann.
  • Die mindestens eine erste Grabenkonstruktion TS1 gemäß einer Ausführungsform kann eine untere Grabenkonstruktion TSa, eine mittlere Grabenkonstruktion TSb und eine obere Grabenkonstruktion TSc aufweisen.
  • Die untere Grabenkonstruktion TSa kann an der unteren Schicht LL der Passivierungsschicht 101d ausgeführt sein. Die untere Grabenkonstruktion TSa kann mittels der Furchenstruktur TPc der ersten Grabenstruktur TP1 implementiert sein. Beispielsweise kann die untere Grabenkonstruktion TSa mittels der unteren Schicht LL der Passivierungsschicht 101b, die verbleibt, ohne in einem Nass-Ätzprozess des Bildens der Furchenstruktur TPc der ersten Grabenstruktur TP1 an der unteren Schicht LL der Passivierungsschicht 101d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, entfernt zu werden, gebildet oder angeordnet werden.
  • Eine seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa gemäß einer Ausführungsform kann in einer geneigten Struktur oder einer abgeschrägten Struktur ausgeführt sein. Beispielsweise kann eine Querschnittsoberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa entlang der ersten Richtung X eine Leiterform aufweisen, in der eine obere Seite davon schmaler ist als eine untere Seite davon.
  • Die mittlere Grabenkonstruktion TSb kann an der mittleren Schicht ML der Passivierungsschicht 101d ausgeführt sein. Die mittlere Grabenkonstruktion TSb kann mittels der zweiten Lochstruktur TPb der ersten Grabenstruktur TP1 implementiert sein. Beispielsweise kann die mittlere Grabenkonstruktion TSb mittels der mittleren Schicht ML der Passivierungsschicht 101d, die verbleibt, ohne in einem Nass-Ätzprozess des Bildens der zweiten Lochstruktur TPb der ersten Grabenstruktur TP1 an der mittleren Schicht ML der Passivierungsschicht 101d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, entfernt zu werden, gebildet oder angeordnet werden.
  • Die mittlere Grabenkonstruktion TSb gemäß einer Ausführungsform kann eine Plattenform aufweisen. Die mittlere Grabenkonstruktion TSb kann eine Breite aufweisen, die breiter ist als die der unteren Grabenkonstruktion TSa und kann somit eine Bodenoberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa überdecken. Die mittlere Grabenkonstruktion TSb kann zu einem inneren Abschnitt der ersten Grabenstruktur TP1 parallel zu der ersten Richtung X hervorstehen und kann somit eine Überstandspitze (oder eine Isolationsspitze), die an einer internen mittleren Höhe der ersten Grabenstruktur TP1 angeordnet ist, implementieren. Beispielsweise kann, in Bezug auf die erste Richtung X, die mittlere Grabenkonstruktion TSb eine Breite aufweisen, die verhältnismäßig breiter ist als die der unteren Grabenkonstruktion TSa und kann somit von einer seitlichen Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa zu dem inneren Abschnitt der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen. Die Überstandspitze der mittleren Grabenkonstruktion TSb kann, mit der unteren Grabenkonstruktion TSa dazwischen, in Bezug auf eine Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100, entfernt von der Zwischenisolationsschicht 101c angeordnet sein. Die Überstandspitze der mittleren Grabenkonstruktion TSb kann derart ausgeführt sein, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isoliert (oder abtrennt).
  • Eine seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa kann in Bezug auf die mittlere Grabenkonstruktion TSb eine Unterschneidungsstruktur (oder einen Unterschneidungsbereich) aufweisen. Beispielsweise kann ein Grenzbereich zwischen der unteren Grabenkonstruktion TSa und der mittleren Grabenkonstruktion TSb oder eine obere seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa in Bezug auf die mittlere Grabenkonstruktion TSb unterschnitten sein. Die mittlere Grabenkonstruktion TSb kann in Bezug auf die seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa auf der Basis einer Unterschneidungsstruktur der unteren Grabenkonstruktion TSa in Richtung eines mittleren Abschnitts der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen und kann somit eine Bodenoberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa überdecken. Dementsprechend kann die mittlere Grabenkonstruktion TSb in Bezug auf die untere Grabenkonstruktion TSa eine Dachrinnenstruktur aufweisen oder in Bezug auf die untere Grabenkonstruktion TSa einen Unterschneidungsbereich aufweisen.
  • Die seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa kann mittels der mittleren Grabenkonstruktion TSb überdeckt sein und kann somit als ein Unterschneidungsbereich in Bezug auf die mittlere Grabenkonstruktion TSb definiert sein. Ein Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die zwischen der seitlichen Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa und einer Rückseitenoberfläche der mittleren Grabenkonstruktion TSb angeordnet ist, kann derart ausgeführt sein, dass er die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isoliert (oder abtrennt).
  • Die obere Grabenkonstruktion TSc kann an der oberen Schicht UL der Passivierungsschicht 101d ausgeführt sein. Die obere Grabenkonstruktion TSc kann mittels der ersten Lochstruktur TPa der ersten Grabenstruktur TP1 implementiert sein. Beispielsweise kann die untere Grabenkonstruktion TSc mittels der oberen Schicht UL der Passivierungsschicht 101d, die in einem Nass-Ätzprozess des Bildens der ersten Lochstruktur TPa der ersten Grabenstruktur TP1 an der oberen Schicht UL der Passivierungsschicht 101d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, entfernt zu werden, gebildet oder angeordnet werden.
  • Eine seitliche Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc gemäß einer Ausführungsform kann in einer geneigten Struktur oder einer abgeschrägten Struktur ausgeführt sein. Beispielsweise kann eine Querschnittsoberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc entlang der ersten Richtung X eine Leiterform, in der eine obere Seite davon schmaler ist als eine untere Seite davon, aufweisen.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren mindestens eine erste Wallkonstruktion BS1 aufweisen.
  • Die mindestens eine erste Wallkonstruktion BS1 kann auf der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 ausgeführt sein. Die mindestens eine erste Wallkonstruktion BS1 kann auf der oberen Grabenkonstruktion TSc der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 gebildet oder angeordnet sein. Die mindestens eine erste Wallkonstruktion BS1 kann zusammen mit dem Wall 104 aus dem gleichen Material gebildet sein. Ebenso kann die mindestens eine erste Wallkonstruktion BS1 derart ausgeführt sein, dass sie die gleiche Höhe (oder Dicke) wie die des Walls 104 aufweist.
  • In der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 kann eine seitliche Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc eine Unterschneidungsstruktur in Bezug auf die erste Wallkonstruktion BS1 aufweisen. Beispielsweise kann ein Grenzabschnitt zwischen der ersten Wallkonstruktion BS1 und der oberen Grabenkonstruktion TSc oder eine obere seitliche Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc in Bezug auf die erste Wallkonstruktion BS1 unterschnitten sein. Die erste Wallkonstruktion BS1 kann in Bezug auf die seitliche Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc auf der Basis einer Unterschneidungsstruktur der oberen Grabenkonstruktion TSc in Richtung des mittleren Abschnitts der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen und kann somit eine Bodenoberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc überdecken. Dementsprechend kann die erste Wallkonstruktion BS1 in Bezug auf die obere Grabenkonstruktion TSc eine Dachrinnenstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die erste Wallkonstruktion BS1 als eine erste Dachrinnenstruktur definiert sein.
  • In der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 kann die seitliche Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc mittels der ersten Wallkonstruktion BS1 überdeckt sein und kann somit als ein Unterschneidungsbereich in Bezug auf die erste Wallkonstruktion BS1 definiert sein. Ein Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die zwischen der seitlichen Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSc und einer Rückseitenoberfläche der ersten Wallkonstruktion BS1 angeordnet ist, kann derart ausgeführt sein, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isoliert (oder abtrennt).
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa gemäß einer Ausführungsform kann eine Mehrzahl von ersten Grabenkonstruktionen TS1 aufweisen.
  • In jeder von der Mehrzahl von ersten Grabenkonstruktionen TS1 kann, zum Isolieren (oder Abtrennen) der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und der gemeinsamen Elektrode CE, eine Breite (oder ein Intervall) W2 zwischen angrenzenden mittleren Grabenkonstruktionen TSb größer sein als eine gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und der gemeinsamen Elektrode CE. Das bedeutet, dass, wenn die Breite (oder das Intervall) W2 zwischen aneinander angrenzenden mittleren Grabenkonstruktionen TSb kleiner ist als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, gemeinsame Elektroden CE, die an Überstandspitzen der angrenzenden mittleren Grabenkonstruktion TSb angeordnet sind, elektrisch miteinander verbunden sein können und aufgrund dessen die gemeinsame Elektrode CE mittels der mittleren Grabenkonstruktion TSb oder der ersten Grabenstruktur TP1 nicht isoliert (oder abgetrennt) sein können. Andererseits kann, wenn die Breite (oder das Intervall) W2 zwischen angrenzenden mittleren Grabenkonstruktionen TSb größer ist als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die gemeinsame Elektrode CE, die an der Überstandspitze von jeder von den angrenzenden mittleren Grabenkonstruktionen TSb angeordnet ist, mittels der mittleren Grabenkonstruktion TSb oder der ersten Grabenstruktur TP1 isoliert (oder abgetrennt) sein.
  • In jeder von der Mehrzahl von ersten Grabenkonstruktionen TS1 kann eine Höhe der unteren Grabenkonstruktion TSa größer sein als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE. Das bedeutet, dass, wenn die Höhe der unteren Grabenkonstruktion TSa geringer ist als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die gemeinsame Elektrode CE, die an der Überstandspitze von jeder von den angrenzenden mittleren Grabenkonstruktionen TSb angeordnet ist, elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE, die auf einer Bodenoberfläche der ersten Grabenstruktur TP1 angeordnet ist, verbunden sein kann, und somit die gemeinsame Elektrode CE mittels der mittleren Grabenkonstruktion TSb oder der ersten Grabenstruktur TP1 nicht isoliert (oder abgetrennt) sein kann. Andererseits können, wenn die Höhe der unteren Grabenkonstruktion TSa größer ist als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die gemeinsame Elektrode CE, die an der Überstandspitze von jeder von den angrenzenden mittleren Grabenkonstruktionen TSb angeordnet ist, und die gemeinsame Elektrode CE, die auf der Bodenoberfläche der ersten Grabenstruktur TP1 angeordnet ist, mittels der mittleren Grabenkonstruktion TSb oder der ersten Grabenstruktur TP1 isoliert (oder abgetrennt) sein.
  • Außerdem ist, in jeder von der Mehrzahl von ersten Grabenkonstruktionen TS1, wie der unteren Grabenkonstruktion TSa, zum Isolieren (oder Abtrennen) der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, eine Höhe der oberen Grabenkonstruktion TSc größer als eine gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa kann eine Überstandspitze, die an der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen). Ebenso kann der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa eine Dachrinnenstruktur oder einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die an der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isolieren (oder abtrennen). Ebenso kann der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa des Weiteren eine Dachrinnenstruktur, die an der ersten Wallkonstruktion BS1 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isolieren (oder abtrennen).
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb aufweisen, der von der Dammstruktur 105 in dem zweiten Randbereich MA2 auswärts angeordnet ist.
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt (oder ein zweiter Grabenstrukturabschnitt) TPPb kann derart angeordnet sein, dass er an einen äußeren Abschnitt der Dammstruktur 105 angrenzt, und kann derart angeordnet sein, dass er die Dammstruktur 105 umgibt. Das bedeutet, dass der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb derart zwischen der Dammstruktur 105 und einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 ausgeführt sein kann, dass er eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform), die die Dammstruktur 105 umgibt, aufweist. Beispielsweise kann der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb entlang eines Kantenabschnitts des ersten Substrats 100 in einer geschlossenen Schleifenform (oder einer geschlossenen Schleifenlinienform) ausgeführt sein und kann somit derart ausgeführt sein, dass er die Dammstruktur 105, die eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenlinienform) aufweist, umgibt. Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb kann mittels eines Nass-Ätzprozesses, der an der Passivierungsschicht 101d der Schaltkreisschicht 101, die in dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, implementiert werden und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen) oder kann die gemeinsame Elektrode CE und die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen).
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform kann mindestens zwei zweite Grabenstrukturen TP2 und mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 aufweisen.
  • Abgesehen davon, dass die mindestens zwei zweiten Grabenstrukturen TP2 angrenzend an den äußeren Abschnitt der Dammstruktur 105 angeordnet sind, können die mindestens zwei zweiten Grabenstrukturen TP2 eine erste Lochstruktur TPa, eine zweite Lochstruktur TPb und eine Furchenstruktur TPc aufweisen, die derart ausgeführt sind, dass sie im Wesentlichen identisch zu den mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa sind, und somit werden ihre wiederholten Beschreibungen weggelassen.
  • Abgesehen davon, dass die mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 mittels der mindestens zwei zweiten Grabenstrukturen TP2 implementiert ist, kann die mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 eine untere Grabenkonstruktion TSa, eine mittlere Grabenkonstruktion TSb und eine obere Grabenkonstruktion TSc aufweisen, die derart implementiert sind, dass sie im Wesentlichen identisch zu der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa sind, und somit wird ihre wiederholte Beschreibung weggelassen. Die mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 kann eine Überstandspitze, die an der mittleren Grabenkonstruktion TSb implementiert ist, einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die zwischen einer seitlichen Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa und einer Rückseitenoberfläche der mittleren Grabenkonstruktion TSb implementiert ist, und eine Dachrinnenstruktur der mittleren Grabenkonstruktion TSb aufweisen.
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren mindestens eine zweite Wallkonstruktion BS2 aufweisen.
  • Abgesehen davon, dass die mindestens eine zweite Wallkonstruktion BS2 auf der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 implementiert ist, kann die mindestens eine zweite Wallkonstruktion BS2 derart implementiert sein, dass sie im Wesentlichen identisch zu der mindestens einen ersten Wallkonstruktion BS1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa ist, und somit wird ihre wiederholte Beschreibung weggelassen. Die mindestens eine zweite Wallkonstruktion BS2 kann eine Dachrinnenstruktur, die basierend auf der zweiten Grabenkonstruktion TS2 implementiert ist, aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Wallkonstruktion BS2 als eine zweite Dachrinnenstruktur definiert sein.
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb kann eine Überstandspitze aufweisen, die an der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 implementiert ist, und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen). Ebenso kann der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb eine Dachrinnenstruktur oder einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die an der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isolieren (oder abtrennen). Ebenso kann der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb des Weiteren eine Dachrinnenstruktur, die an der zweiten Wallkonstruktion BS2 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE zusätzlich isolieren (oder abtrennen).
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann mittels eines Strukturierungsprozesses, der auf dem Wall 104 durchgeführt wird, ausgeführt werden.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform kann mittels eines Nass-Ätzprozesses unter Verwendung einer Maskenstruktur, die auf einem Wall-Material, das die Passivierungsschicht 101 d überdeckt, in der jede von der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa und der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 des äußeren Grabenstrukturabschnitts TPPb implementiert werden sollen, implementiert werden.
  • Jede von der mindestens einen ersten Wallkonstruktion BS1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa und der mindestens einen zweiten Wallkonstruktion BS2 des äußeren Grabenstrukturabschnitts TPPb kann mittels eines Wall-Materials, das mittels eines Nass-Ätzprozesses entfernt wird, implementiert werden.
  • Ebenso kann jede von der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa und der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 des äußeren Grabenstrukturabschnitts TPPb mittels der Passivierungsschicht 101d, die mittels eines Nass-Ätzprozesses selektiv entfernt wird, implementiert werden.
  • Die untere Schicht LL, die mittlere Schicht ML und die obere Schicht UL der Passivierungsschicht 101d können verschiedene nicht-abgesättigte Bindungsstellen (oder Dichten) aufweisen und können somit in Bezug auf die gleiche Nass-Ätzdauer verschiedene Ätzgeschwindigkeiten aufweisen. Wenn ein Nass-Ätzprozess auf der Passivierungsschicht 101d durchgeführt wird, kann die obere Schicht UL auf der Basis einer schnellsten Ätzgeschwindigkeit derart strukturiert werden, dass sie in Bezug auf die Wallkonstruktion BS1 und die Wallkonstruktion BS2 eine Unterschneidungsstruktur aufweist, die untere Schicht LL kann eine schnellere Ätzgeschwindigkeit aufweisen als die der mittleren Schicht ML und kann somit derart strukturiert werden, dass sie in Bezug auf die mittlere Schicht ML eine Unterschneidungsstruktur aufweist, und die mittlere Schicht ML kann eine langsamere Ätzgeschwindigkeit aufweisen als die von jeder von der oberen Schicht UL und der unteren Schicht LL und kann somit basierend auf der Unterschneidungsstruktur der unteren Schicht LL hervorstehen.
  • Beispielsweise können, wenn ein Nass-Ätzprozess auf der Passivierungsschicht 101d und dem Wall-Material, das auf dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 des ersten Substrats 100 gestapelt ist, durchgeführt wird, die Wallkonstruktionen BS1 und BS2 mittels des Wall-Materials, das nicht geätzt wird, implementiert werden, und die Grabenkonstruktionen TS1 und TS2, die die untere Grabenkonstruktion TSa, die mittlere Grabenkonstruktion TSb und die obere Grabenkonstruktion TSc aufweisen, können mittels der unteren Schicht LL, der mittleren Schicht ML und der oberen Schicht UL der Passivierungsschicht 101d, die nicht geätzt werden, implementiert werden. In diesem Falle kann eine Unterschneidungsstruktur (oder ein Unterschneidungsbereich) auf der Basis von verschiedenen Ätzgeschwindigkeiten in jedem von der oberen Grabenkonstruktion TSc und der unteren Grabenkonstruktion TSa der Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 implementiert werden, und eine Überstandspitze kann an der mittleren Grabenkonstruktion TSb der Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 implementiert werden.
  • Optional kann, in dem Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform, jeder von dem inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und dem äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb des Weiteren eine Dummy-Pixelelektrodenstruktur, die zwischen den Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 und den Wallkonstruktionen BS1 und BS2 angeordnet ist, aufweisen. Die Dummy-Pixelelektrodenstruktur kann zusammen mit der Pixelelektrode PE, die in dem Emissionsbereich EA des Pixels P angeordnet ist, aus dem gleichen Material gebildet sein. Das bedeutet, dass die Dummy-Pixelelektrodenstruktur in einem Prozess des Strukturierens eines Pixelelektrodenmaterials nicht entfernt werden kann und in einer Inselform auf der Passivierungsschicht 101d, in der die Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 implementiert werden sollen, verbleiben kann und somit zwischen den Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 und den Wallkonstruktionen BS1 und BS2 angeordnet sein kann.
  • Außerdem kann, in dem Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform, jeder von dem inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und dem äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb des Weiteren eine inselförmige Planarisierungsschicht 102, die zwischen den Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 und den Wallkonstruktionen BS1 und BS2 angeordnet ist oder zwischen der Dummy-Pixelelektrodenstruktur und den Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 angeordnet ist, aufweisen. Die Planarisierungsschicht 102 kann zusammen mit der Dammstruktur 105 aus dem gleichen Material gebildet sein und kann die gleiche Höhe (oder Dicke) wie die der Dammstruktur 105 aufweisen oder kann die gleiche Höhe (oder Dicke) wie die der Planarisierungsschicht 102, die den Emissionsbereich EA des Pixels P überlappt, aufweisen.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, einmalig oder mehrmalig mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP isoliert (oder abgetrennt) sein. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP mindestens einen Lichtemittierende-Vorrichtung-Isolationsabschnitt, an dem die lichtemittierende Vorrichtung ED isoliert (oder abgetrennt) ist, aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann ein Abscheidungsmaterial EDm der lichtemittierenden Vorrichtung ED Linearität aufweisen und kann somit nur auf einer oberen Oberfläche und einer seitlichen Oberfläche von jeder von den Wallkonstruktionen BS1 und BS2, die in dem Grabenstrukturabschnitt TPP angeordnet sind, einer oberen Oberfläche der Überstandspitze der mittleren Grabenkonstruktion TSb, die mittels der Wallkonstruktionen BS1 und BS2 nicht überdeckt ist, und einer Bodenoberfläche von jeder von den Grabenstrukturen TP1 und TP2 abgeschieden werden und kann somit auf einer seitlichen Oberfläche von jedem von der unteren Grabenkonstruktion TSa, der mittleren Grabenkonstruktion TSb und der oberen Grabenkonstruktion TSc, die mittels der Wallkonstruktionen BS1 und BS2 überdeckt sind, nicht abgeschieden werden. Deshalb kann die lichtemittierende Vorrichtung ED, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, zwischen den Wallkonstruktionen BS1 und BS2 und der oberen Grabenkonstruktion TSc isoliert (oder abgetrennt) sein und kann außerdem zwischen der unteren Grabenkonstruktion TSa und der mittleren Grabenkonstruktion TSb isoliert (oder abgetrennt) sein. Dementsprechend kann die lichtemittierende Vorrichtung ED, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP in einem Abscheidungsprozess automatisch isoliert (oder abgetrennt) werden. Dementsprechend kann, in der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die lichtemittierende Vorrichtung ED mittels lediglich eines Abscheidungsprozesses, der auf der lichtemittierenden Vorrichtung durchgeführt wird, isoliert (oder abgetrennt) werden, sogar ohne einen separaten Strukturierungsprozess des Isolierens (oder Abtrennens) der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die gemeinsame Elektrode CE der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP einmalig oder mehrmalig isoliert (oder abgetrennt) sein. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP mindestens einen Gemeinsame-Elektrode-Isolationsabschnitt, in dem die gemeinsame Elektrode CE isoliert (oder abgetrennt) ist, aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann ein Gemeinsame-Elektrode-Material CEm der lichtemittierenden Vorrichtung ED auf lediglich der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche von jedem von den Wallkonstruktionen BS1 und BS2, einem Abschnitt eines Unterschneidungsbereichs der oberen Grabenkonstruktion TSc, der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der Überstandspitze der mittleren Grabenkonstruktion TSb und der Bodenoberfläche von jeder von den Grabenstrukturen TP1 und TP2 abgeschieden werden, und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED, die an dem Grabenstrukturabschnitt TPP angeordnet worden ist, überdecken. In diesem Falle kann das Gemeinsame-Elektrode-Material CEm auf der seitlichen Oberfläche von jeder von der unteren Grabenkonstruktion TSa und der oberen Grabenkonstruktion TSc, die mittels der Wallkonstruktionen BS1 und BS2 überdeckt sind, nicht abgeschieden werden. Deshalb kann die gemeinsame Elektrode CE, wie die lichtemittierende Vorrichtung ED, oder das Gemeinsame-Elektrode-Material CEm, das auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, zwischen den Wallkonstruktionen BS1 und BS2 und der oberen Grabenkonstruktion TSc isoliert (oder abgetrennt) sein und kann außerdem zwischen der unteren Grabenkonstruktion TSa und der mittleren Grabenkonstruktion TSb isoliert (oder abgetrennt) sein. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode CE, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, in einem Abscheidungsprozess mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP automatisch isoliert (oder abgetrennt) werden. Dementsprechend kann, in der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die gemeinsame Elektrode CE mittels lediglich eines Abscheidungsprozesses, der auf der gemeinsamen Elektrode CE durchgeführt wird, isoliert (oder abgetrennt) werden, selbst ohne einen separaten Strukturierungsprozess des Isolierens (oder Abtrennens) der gemeinsamen Elektrode CE, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist. Ebenso kann die gemeinsame Elektrode, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, in dem Grabenstrukturabschnitt TPP eine Isolationsoberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung ED umgeben und kann somit ein seitliches Eindringen von Wasser durch einen Grenzabschnitt zwischen der Zwischenisolationsschicht 101c und der lichtemittierenden Vorrichtung ED verhindern, wodurch eine mittels des seitlichen Eindringens von Wasser hervorgerufene Reduzierung in der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED verhindert ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann eine erste Verkapselungsschicht 106a einer Verkapselungsschicht 106, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 des ersten Substrats 100 angeordnet ist, derart ausgeführt sein, dass sie den inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und den äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb des Grabenstrukturabschnitts TPP und die Dammstruktur 105 umgibt. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a den Grabenstrukturabschnitt TPP überdecken und kann somit mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP nicht isoliert (oder abgetrennt) sein. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a in die Grabenstrukturen TP1 und TP2 des Grabenstrukturabschnitts TPP gefüllt sein und kann außerdem derart ausgeführt sein, dass sie die Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 und die Wallkonstruktionen BS1 und BS2 umgibt.
  • In dem ersten Randbereich MA1 des ersten Substrats 100 kann eine zweite Verkapselungsschicht 106b der Verkapselungsschicht 106 derart ausgeführt sein, dass sie die erste Verkapselungsschicht 106a, die den inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa des Grabenstrukturabschnitts TPP und eine innere Oberfläche der Dammstruktur 105 überdeckt, überdeckt.
  • In dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 des ersten Substrats 100 kann eine dritte Verkapselungsschicht 106c der Verkapselungsschicht 106 derart ausgeführt sein, dass sie die erste Verkapselungsschicht 106a, die den inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa des Grabenstrukturabschnitts TPP und eine äußere Oberfläche der Dammstruktur 105 überdeckt, und die zweite Verkapselungsschicht 106b überdeckt. Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa kann derart angeordnet sein, dass er die erste Verkapselungsschicht bis dritte Verkapselungsschicht 106a, 106b und 106c überlappt. Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb kann derart angeordnet sein, dass er die erste Verkapselungsschicht 106a und die zweite Verkapselungsschicht 106b überlappt.
  • Da die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform den Grabenstrukturabschnitt TPP aufweist, kann eine gesamte Breite des ersten Randbereichs MA1 und des zweiten Randbereichs MA2, die an einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sind, auf 350 µm oder weniger absinken, und in diesem Falle kann die Anzeigevorrichtung 10 eine Auflösung realisieren, die höher ist als die einer Anzeigevorrichtung, die keinen Grabenstrukturabschnitt TPP aufweist.
  • Beispielsweise kann, wenn eine Hälfte eines ersten Intervalls (oder eines Pixelabstands) D1 zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA innerhalb des Prozessfehlerbereichs 350 µm beträgt, eine gesamte Breite (oder ein kürzester Abstand zwischen einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einem Ende eines Emissionsbereich EA eines äußersten Pixels) des ersten Randbereichs MA1 und des zweiten Randbereichs MA2, basierend auf einem Schattenrand, basierend auf einem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED, und einem Verkapselungsrand, basierend auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED gegenüber Wasser, derart ausgeführt sein, dass sie 320 µm oder weniger beträgt. In diesem Falle kann ein zweites Intervall D2 zwischen einer äußersten äußeren Oberfläche VL des ersten Substrats 100 und einem mittleren Abschnitt eines äußersten Pixels, das einen ersten Padbereich 110 aufweist, derart ausgeführt sein, dass es innerhalb des Prozessfehlerbereichs 350 µm beträgt. Hierbei kann die äußerste äußere Oberfläche VL des ersten Substrats 100 eine äußerste äußere Oberfläche einer Kantenüberzugschicht 403, die einen Verdrahtungsabschnitt 400 überdeckt, sein.
  • Der erste Randbereich MA1 und der zweite Randbereich MA2 können die gleiche Breite oder verschiedene Breiten aufweisen. Beispielsweise kann, in Bezug auf die erste Richtung X, der erste Randbereich MA1 derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 200 µm oder weniger aufweist, und der zweite Randbereich MA2 kann derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 120 µm oder weniger aufweist. Ebenso kann ein Pad-Randbereich (oder ein seitlicher Verdrahtungsbereich), der in dem zweiten Randbereich MA2 enthalten ist, derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 100 µm oder weniger in Bezug auf die erste Richtung X aufweist.
  • Optional kann der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß der vorliegenden Ausführungsform den Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt und den sekundären Stromkontaktabschnitt, die in 20 oder 21 dargestellt sind, implementieren. Das bedeutet, dass der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf jeder von einer Kontaktleitung CPLc und einer sekundären Kontaktleitung SPLc, die in 20 oder 21 dargestellt sind, angeordnet sein kann und somit jede von einer Pixel-Gemeinsamer-Strom-Leitung CPL und einer sekundären Stromleitung SPL elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbinden kann. Beispielsweise können die Grabenstrukturen TP1 und TP2 des Grabenstrukturabschnitts TPP derart ausgeführt sein, so dass jede von der Kontaktleitung CPLc und der sekundären Kontaktleitung SPLc, die in 20 oder 21 dargestellt sind, freigelegt ist, und die gemeinsame Elektrode CE kann in einem Abscheidungsprozess elektrisch mit jeder von der Kontaktleitung CPLc und der sekundären Kontaktleitung SPLc, die mittels der Grabenstrukturen TP1 und TP2 freigelegt sind, verbunden werden. Das bedeutet, dass, in einem Abscheidungsprozess, der auf der gemeinsamen Elektrode CE durchgeführt wird, das Gemeinsame-Elektrode-Material CEm, das auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP abgeschieden wird, mittels der Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 isoliert (oder abgetrennt) werden kann, jedoch auf einer oberen Oberfläche von jeder von der Kontaktleitung CPLc und der sekundären Kontaktleitung SPLc durch die Grabenstrukturen TP1 und TP2, die an beiden Kantenabschnitten des Grabenstrukturabschnitts TPP angeordnet sind, abgeschieden werden kann, und somit die gemeinsame Elektrode CE durch die Grabenstrukturen TP1 und TP2, die an beiden Kantenabschnitten des Grabenstrukturabschnitts TPP angeordnet sind, elektrisch mit jeder von der Kontaktleitung CPLc und der sekundären Kontaktleitung SPLc verbunden werden kann. Dementsprechend kann jeder von dem Gemeinsamer-Strom-Kontaktabschnitt und dem sekundären Strom-Kontaktabschnitt, die in 20 oder 21 dargestellt sind, zu dem Grabenstrukturabschnitt TPP geändert werden.
  • 28 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer Linie II-II', die in 4 dargestellt ist, und 29 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B8“, der in 28 dargestellt ist. 28 und 29 stellen eine Ausführungsform, in der ein Grabenstrukturabschnitt des Weiteren nahe an einer Dammstruktur angeordnet ist, in der Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 21 dargestellt ist, dar. Beim Beschreiben der 28 und der 29 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 1 bis 21 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 28 und 29 kann eine Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Grabenstrukturabschnitt TPP aufweisen, der nahe an einer Dammstruktur 105 eines ersten Substrats 100 angeordnet ist.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann derart ausgeführt sein, dass er das Eindringen von Wasser durch eine seitliche Oberfläche des ersten Substrats 100 verhindert, zum Verhindern einer mittels seitlichen Eindringens von Wasser hervorgerufenen Verschlechterung in einer lichtemittierenden Vorrichtung ED einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP an einer Peripherie der Dammstruktur 105 die lichtemittierende Vorrichtung ED isolieren (oder abtrennen). Dementsprechend kann der Grabenstrukturabschnitt TPP als ein Isolationsbereich oder eine Abtrennungslinie der lichtemittierenden Vorrichtung ED definiert sein.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 kann an einem Wall 104 und einer Pixelelektrode PE, die an einem Emissionsbereich EA von jedem von einer Mehrzahl von Subpixeln SP freigelegt sind, angeordnet sein und kann des Weiteren auf einer Passivierungsschicht 101d, die an einem Kantenabschnitt einer ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 freigelegt ist, angeordnet sein. Deshalb kann die lichtemittierende Vorrichtung ED aufgrund des Eindringens von Wasser durch die seitliche Oberfläche des ersten Substrats 100 verschlechtert werden oder kann in ihrer Zuverlässigkeit reduziert sein. Um ein derartiges Problem zu lösen, kann der Grabenstrukturabschnitt TPP die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, isolieren (oder abtrennen), wodurch eine mittels seitlichen Eindringens von Wasser hervorgerufene Reduzierung in der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED verhindert oder minimiert ist.
  • Der Grabenstrukturabschnitt (oder ein Isolationsstrukturabschnitt) TPP kann derart nahe an der Dammstruktur 105 ausgeführt sein, dass er eine Isolationsstruktur (oder eine Abtrennungsstruktur oder eine Abschneide-Struktur) zum Isolieren (oder Abtrennen) der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, oder zum Isolieren (oder Abtrennen) von allen von der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE implementiert sein. Die Isolationsstruktur gemäß einer Ausführungsform kann mindestens eines von einer Dachrinnenstruktur (oder einer Klippenstruktur) und einer Unterschneidungsstruktur aufweisen. Deshalb können die gemeinsame Elektrode CE und die lichtemittierende Vorrichtung ED, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, mittels einer Isolationsstruktur des Grabenstrukturabschnitts TPP in der Mitte des Durchführens eines Abscheidungsprozesses isoliert (oder abgetrennt) werden, ohne einen separaten Prozess. Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann mittels einer Verkapselungsschicht 106 überdeckt sein. Die Verkapselungsschicht 106 kann in dem Grabenstrukturabschnitt TPP eine oberste Oberfläche einer Schaltkreisschicht 101 direkt berühren und kann somit eine seitliche Oberfläche (oder eine Isolationsoberfläche) von jedem von der isolierten lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE umgeben. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 106 in einen Isolationsraum, der mittels der Isolationsstruktur des Grabenstrukturabschnitts TPP gebildet ist, gefüllt sein und kann den Grabenstrukturabschnitt TPP abdichten oder vollständig umgeben und kann somit die seitliche Oberfläche (oder die Isolationsoberfläche) von jedem von der isolierten lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode vollständig umgeben oder überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser grundlegend (oder vollständig) verhindert ist.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann entlang eines Kantenabschnitts der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 in einer Grabenstrukturschicht ausgeführt sein. Die Grabenstrukturschicht kann auf einer Passivierungsschicht 101d, die an dem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet ist, angeordnet sein. Der Grabenstrukturabschnitt TPP kann eine Isolationsstruktur aufweisen, die mittels Strukturierens der Grabenstrukturschicht, die nahe an der Dammstruktur 105 angeordnet ist, implementiert sein. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP eine untere Struktur (oder eine Unterschneidungsstruktur), die eine Unterschneidungsstruktur aufweist, und eine obere Struktur (oder eine Dachrinnenstruktur), die auf der unteren Struktur angeordnet ist und in Bezug auf die untere Struktur eine Dachrinnenstruktur aufweist, aufweisen.
  • Die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann des Weiteren eine Grabenstrukturschicht zum Implementieren des Grabenstrukturabschnitts TPP aufweisen. Die Grabenstrukturschicht kann eine erste Dummy-Materialschicht (oder eine untere Materialschicht) und eine zweite Dummy-Materialschicht (oder eine obere Materialschicht) aufweisen. Die erste Dummy-Materialschicht kann zusammen mit einer Planarisierungsschicht 102, die unter der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 angeordnet ist, aus dem gleichen Material gebildet sein. Die zweite Dummy-Materialschicht kann ein Material aufweisen, das verschieden ist von dem der ersten Dummy-Materialschicht. Die zweite Dummy-Materialschicht kann in einem Ätzprozess eine geringere Ätzgeschwindigkeit aufweisen als die erste Dummy-Materialschicht. Beispielsweise kann, basierend auf einem Material, die erste Dummy-Materialschicht eine Dummy-Organische-Materialschicht DOL sein, die ein organisches Material aufweist, und die zweite Dummy-Materialschicht kann eine Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL sein, die ein anorganisches Material aufweist.
  • Die Grabenstrukturschicht gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren eine Dummy-Organische-Materialschicht DOL und eine Dummy-Anorganische Materialschicht DIL aufweisen. Die Dummy-Organische-Materialschicht DOL und die Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL können in einem ersten Randbereich MA1 und einem zweiten Randbereich MA2 (oder dem Grabenstrukturabschnitt TPP), die an einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 definiert sind, angeordnet sein. Beispielsweise kann die Dummy-Organische-Materialschicht DOL als eine erste Dummy-Materialschicht oder eine untere Materialschicht definiert sein, und die Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL kann als eine zweite Dummy-Materialschicht oder eine obere Materialschicht definiert sein.
  • Die Dummy-Organische-Materialschicht DOL kann in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2, die an dem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 definiert sind, ausgeführt sein und kann zusammen mit der Planarisierungsschicht 102, die unter der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 angeordnet ist, derart gebildet sein, dass sie eine Schaltkreisschicht 101 überdeckt. Beispielsweise kann die Dummy-Organische-Materialschicht DOL als ein Abschnitt ausgeführt sein, der in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 in einer Inselform bestehen bleibt, ohne in einem Strukturierungsprozess des Bildens eines Kontaktlochs zum elektrischen Verbinden der Pixelelektrode PE mit einem Ansteuerungs-TFT in der Planarisierungsschicht 102, die alles von der Schaltkreisschicht 101, die auf dem ersten Substrat 100 angeordnet ist, überdeckt, entfernt zu werden.
  • Die Dummy-Anorganische Materialschicht DIL kann derart auf der Dummy-Organische-Materialschicht DOL ausgeführt sein, dass sie eine relativ dünne Dicke aufweist. Die Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL gemäß einer Ausführungsform kann SiOx, SiNx oder SiON aufweisen. Beispielsweise kann die Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL auf der Planarisierungsschicht 102, die ein Kontaktloch aufweist, nach dem Strukturierungsprozess des Bildens des Kontaktlochs zum elektrischen Verbinden der Pixelelektrode PE mit dem Ansteuerungs-TFT, gebildet oder angeordnet werden. Ebenso kann ein Abschnitt außer dem in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordneten Dummy-Anorganischen-Materialschicht DIL mittels des Strukturierungsprozesses entfernt werden, und, in dem Strukturierungsprozess, kann die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnete Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL zum Implementieren des Grabenstrukturabschnitts TPP teilweise entfernt werden.
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform kann einen inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa, der von der Dammstruktur 105 in dem ersten Randbereich MA1 einwärts angeordnet ist, aufweisen.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt (oder ein erster Grabenstrukturabschnitt) TPPa kann derart angeordnet sein, dass er angrenzend an einen inneren Abschnitt der Dammstruktur 105 angeordnet ist, und kann derart angeordnet sein, dass er mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist. Das bedeutet, dass der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa derart zwischen der Dammstruktur 105 und einem Emissionsbereich EA eines äußersten Pixelbereichs PAo ausgeführt sein kann, dass er eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenform), die mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist, aufweist. Beispielsweise kann der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa entlang eines Kantenabschnitts des ersten Substrats 100 in einer geschlossenen Schleifenform (oder einer geschlossenen Schleifenform) ausgeführt sein und kann somit derart ausgeführt sein, dass er mittels der Dammstruktur 105, die eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenform) aufweist, umgeben ist. Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa kann die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen) und kann alles von der gemeinsamen Elektrode CE und der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 an einem Abschnitt einwärts von der Dammstruktur 105 isolieren (oder abtrennen).
  • Eine Breite W1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa gemäß einer Ausführungsform kann breiter sein als eine Breite der Dammstruktur 105. Beispielsweise kann die Breite W1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa 20 µm bis 60 µm betragen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und kann basierend auf einer Breite des ersten Randbereichs MA1 geändert sein oder kann basierend auf einer Gesamtbreite des ersten Randbereichs MA1 und eines zweiten Randbereichs MA2 geändert sein.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa gemäß einer Ausführungsform kann mindestens zwei erste Grabenstrukturen TP1 und mindestens eine erste Grabenkonstruktion TS1 aufweisen.
  • Die mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 können an der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL und der Dummy-Organische-Materialschicht DOL angrenzend an einen inneren Abschnitt der Dammstruktur 105 ausgeführt sein. Beispielsweise können die mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 mittels eines Trockenätzprozesses, der auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL und der Dummy-Organische-Materialschicht DOL ausgeführt wird, implementiert werden.
  • Jede der mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 gemäß einer Ausführungsform können eine Lochstruktur TPa und eine Furchenstruktur TPg aufweisen.
  • Die Lochstruktur TPh kann an der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL ausgeführt sein. Die Lochstruktur TPh gemäß einer Ausführungsform kann durch einen Strukturierungsprozess, der an der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL durchgeführt wird, derart gebildet werden, dass sie durch die Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL hindurchführt. Beispielsweise kann eine Querschnittoberfläche der Lochstruktur TPh entlang der ersten Richtung X eine tetragonale Form oder eine rechtwinklige Form aufweisen.
  • Eine Breite (oder eine Größe) W2 der Lochstruktur TPh kann größer sein als eine gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und der gemeinsamen Elektrode CE, zum Isolieren (oder Abtrennen) der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und der gemeinsamen Elektrode CE. Das bedeutet, dass, wenn die Breite W2 der Lochstruktur TPh geringer ist als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die gemeinsame Elektrode CE, die auf einer oberen Oberfläche und einer seitlichen Oberfläche der Lochstruktur TPh angeordnet ist, elektrisch miteinander verbunden sein können, und aufgrund dessen kann die gemeinsame Elektrode CE mittels der Lochstruktur TPh nicht isoliert (oder abgetrennt) sein. Andererseits kann, wenn die Breite W2 der Lochstruktur TPh größer ist als die gesamte Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der gemeinsamen Elektrode CE, die gemeinsame Elektrode CE, die auf jeder von der oberen Oberfläche und der seitlichen Oberfläche der Lochstruktur TPh angeordnet ist, mittels der Lochstruktur TPh isoliert (oder abgetrennt) sein.
  • Die Furchenstruktur TPg kann in einer Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 derart an der Dummy-Organische-Materialschicht DOL ausgeführt sein, dass sie mit der Lochstruktur TPh kommuniziert. Die Furchenstruktur TPg kann durch einen Trocken-Ätzprozess, der mindestens zweifach durchgeführt wird, derart gebildet werden, dass sie durch die Dummy-Organische-Materialschicht DOL hindurchführt.
  • Die Furchenstruktur TPg gemäß einer Ausführungsform kann einen oberen Abschnitt, der direkt mit der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL kommuniziert, einen unteren Abschnitt, der die Passivierungsschicht 101d direkt freilegt, und einen zentralen Abschnitt zwischen dem oberen Abschnitt und dem unteren Abschnitt aufweisen. Der zentrale Abschnitt der Furchenstruktur TPg kann eine Breite aufweisen, die breiter oder schmaler ist als der obere Abschnitt und der untere Abschnitt. Deshalb kann eine Querschnittoberfläche der Furchenstruktur TPg entlang der ersten Richtung X eine Struktur aufweisen, in der der zentrale Abschnitt in Bezug auf den oberen Abschnitt und den unteren Abschnitt hervorsteht oder zurückgesetzt ist. Beispielsweise kann die Querschnittoberfläche der Furchenstruktur TPg entlang der ersten Richtung X eine Querschnittstruktur, die eine „)“-Form, eine „〉‟-Form, eine „(“-Form oder eine „〈‟-Form aufweist, aufweisen.
  • Ein oberer Abschnitt der Furchenstruktur TPg kann eine Größe aufweisen, die breiter ist als die der Lochstruktur TPh, und ein zentraler Abschnitt des oberen Abschnitts der Furchenstruktur TPg kann an einem zentralen Abschnitt der Lochstruktur TPh angeordnet sein. Deshalb kann die Lochstruktur TPh in Bezug auf die Furchenstruktur TPg zu einem zentralen Abschnitt der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen und kann somit eine Überstandspitze (oder eine Isolationsspitze), die an einer höchsten Höhe der ersten Grabenstruktur TP1 angeordnet ist, implementieren. Dementsprechend kann die erste Grabenstruktur TP1 die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 durch die Überstandspitze basierend auf der Lochstruktur TPh isolieren (oder abtrennen) oder kann alles von der lichtemittierenden Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und der gemeinsamen Elektrode CE isolieren (oder abtrennen).
  • Die mindestens eine erste Grabenkonstruktion (oder eine erste Grabenkonstruktion) TS1 kann an der Dummy-Organische-Materialschicht DOL, die zwischen mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 angeordnet ist, ausgeführt sein. Das bedeutet, dass die mindestens eine erste Grabenkonstruktion TS1 mittels zwei erster Grabenstrukturen TP1 an der Dummy-Organische-Materialschicht DOL gebildet oder angeordnet sein kann.
  • Die mindestens eine erste Grabenkonstruktion TS1 gemäß einer Ausführungsform kann eine untere Grabenkonstruktion TSa und eine obere Grabenkonstruktion TSb aufweisen.
  • Die untere Grabenkonstruktion TSa kann an der Dummy-Organische-Materialschicht DOL ausgeführt sein. Die untere Grabenkonstruktion TSa kann mittels der Furchenstruktur TPg der ersten Grabenstruktur TP1 ausgeführt sein. Beispielsweise kann die untere Grabenkonstruktion TSa mittels der Dummy-Organische-Materialschicht DOL ausgeführt oder angeordnet sein, die verbleibt, ohne in einem mindestens zweifachen Trocken-Ätzprozess des Bildens der Furchenstruktur TPg der ersten Grabenstruktur TP1, an der Dummy-Organische-Materialschicht DOL, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, entfernt zu werden.
  • Die untere Grabenkonstruktion TSa gemäß einer Ausführungsform kann eine obere Oberfläche, die die Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL direkt berührt, eine Bodenoberfläche, die die Passivierungsschicht 101d direkt berührt, und einen zentralen Abschnitt zwischen der oberen Oberfläche und der Bodenoberfläche aufweisen.
  • In der unteren Grabenkonstruktion TSa kann eine Oberseite zwischen der oberen Oberfläche und dem zentralen Abschnitt in einer geneigten Struktur oder einer abgeschrägten Struktur ausgeführt sein. Beispielsweise kann die Oberseite der unteren Grabenkonstruktion TSa entlang der ersten Richtung X eine Querschnittstruktur aufweisen, die eine Leiterstruktur aufweist, in der eine obere Seite davon schmaler ist als eine untere Seite davon.
  • In der unteren Grabenkonstruktion TSa kann eine Unterseite zwischen der Bodenoberfläche und dem zentralen Abschnitt in einer geneigten Struktur oder einer abgeschrägten Struktur ausgeführt sein. Beispielsweise kann die Unterseite der unteren Grabenkonstruktion TSa entlang der ersten Richtung X eine Querschnittstruktur aufweisen, die eine Leiterform aufweist, in der eine obere Seite davon breiter ist als eine untere Seite davon.
  • Der zentrale Abschnitt der unteren Grabenkonstruktion TSa kann eine Breite (oder eine Größe) aufweisen, die breiter oder schmaler ist als die von jeder von der oberen Oberfläche und der Bodenoberfläche davon.
  • Die obere Grabenkonstruktion TSb kann an der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL ausgeführt sein. Die obere Grabenkonstruktion TSb kann mittels der Lochstruktur TPh der ersten Grabenstruktur TP1 implementiert sein. Beispielsweise kann die obere Grabenkonstruktion TSb mittels der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL gebildet oder angeordnet sein, die verbleibt, ohne in einem Strukturierungsprozess, der auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, oder einem Trocken-Ätzprozess des Bildens der Lochstruktur TPh der ersten Grabenstruktur TP1, an der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, entfernt zu werden.
  • Die obere Grabenkonstruktion TSb gemäß einer Ausführungsform kann eine Plattenform aufweisen. Die obere Grabenkonstruktion TSb kann eine Breite aufweisen, die breiter ist als die der unteren Grabenkonstruktion TSa und kann somit eine Bodenoberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa überdecken. Die obere Grabenkonstruktion TSb kann parallel zu der ersten Richtung X zu einem inneren Abschnitt der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen und kann somit eine Überstandspitze (oder eine Isolationsspitze), die an einer höchsten Höhe der ersten Grabenstruktur TP1 angeordnet ist, implementiert sein. Beispielsweise kann, in Bezug auf die erste Richtung X, die obere Grabenkonstruktion TSb eine Breite aufweisen, die verhältnismäßig breiter ist als die der unteren Grabenkonstruktion TSa und kann somit zu dem inneren Abschnitt der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen. Die Überstandspitze der oberen Grabenkonstruktion TSb kann den Bezug auf eine Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 in einem Abstand von der Passivierungsschicht 101d, mit der unteren Grabenkonstruktion TSa dazwischen, angeordnet sein. Die Überstandspitze der oberen Grabenkonstruktion TSb kann derart ausgeführt sein, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isoliert (oder abtrennt).
  • Die obere Grabenkonstruktion TSb gemäß einer Ausführungsform kann mittels eines Strukturierungsprozesses, der auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL, die auf der Planarisierungsschicht 102 gebildet ist, die nach einem Strukturierungsprozess des Bildens eines Kontaktlochs, das die Pixelelektrode PE mit einem Ansteuerung-TFT elektrisch verbindet, in der Planarisierungsschicht 102 implementiert werden. Beispielsweise kann die obere Grabenkonstruktion TSb mittels eines Trocken-Ätzprozesses, der auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL durchgeführt wird, implementiert werden.
  • Eine seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa kann, wie in 30 dargestellt, in Bezug auf die obere Grabenkonstruktion TSb eine Unterschneidungsstruktur UCS aufweisen. Beispielsweise kann ein Grenzabschnitt zwischen der unteren Grabenkonstruktion TSa und der oberen Grabenkonstruktion TSb oder eine obere seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa in Bezug auf die obere Grabenkonstruktion TSb unterschnitten sein. Die obere Grabenkonstruktion TSb kann in Bezug auf die seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa auf der Basis einer Unterschneidungsstruktur UCS der unteren Grabenkonstruktion TSa in Richtung eines zentralen Abschnitts der ersten Grabenstruktur TP1 hervorstehen und kann somit die seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa überdecken. Dementsprechend kann die obere Grabenkonstruktion TSb eine Überstandspitze Ttip, die in Bezug auf die seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa hervorsteht, aufweisen oder kann in Bezug auf die untere Grabenkonstruktion TSa eine Dachrinnenstruktur aufweisen. In 30 kann eine weiße Schicht WL eine Überzugschicht sein, die zum Identifizieren einer Querschnittstruktur der ersten Grabenkonstruktion TS1 experimentell geschichtet wird, und kann somit nicht einem Element der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung entsprechen.
  • Die seitliche Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa kann mittels der oberen Grabenkonstruktion TSb überdeckt sein und kann somit in Bezug auf die obere Grabenkonstruktion TSb als ein Unterschneidungsbereich definiert sein. Ein Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die zwischen der seitlichen Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa und einer Rückseitenoberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSb angeordnet ist, kann derart implementiert sein, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isoliert (oder abtrennt).
  • Die untere Grabenkonstruktion TSa gemäß einer Ausführungsform kann mittels eines Trocken-Ätzprozesses, der nach einem Damm-Strukturierungsprozess des Bildens einer unteren Dammstruktur der Dammstruktur 105 durchgeführt wird, implementiert werden. Beispielsweise kann die untere Grabenkonstruktion TSa mittels eines primären Trocken-Ätzprozesses, der eine Fotomaske, die auf der oberen Grabenkonstruktion TSb angeordnet ist, als eine Maske verwendet, an der Dummy-Organische-Materialschicht DOL implementiert werden und kann unter Verwendung eines sekundären Trocken-Ätzprozesses, der nach dem primären Trocken-Ätzprozess durchgeführt wird, derart implementiert werden, dass sie einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur) aufweist.
  • Der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa kann eine Überstandspitze aufweisen, die an der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 implementiert ist, und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen). Ebenso kann der innere Grabenstrukturabschnitt TPPa eine Dachrinnenstruktur oder einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die an der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isolieren (oder abtrennen).
  • Der Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren einen äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb, der von der Dammstruktur 105 auswärts in dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, aufweisen.
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt (oder ein zweiter Grabenstrukturabschnitt) TPPb kann derart angeordnet sein, dass er angrenzend an einen äußeren Abschnitt der Dammstruktur 105 angeordnet ist, und kann derart angeordnet sein, dass er die Dammstruktur 105 umgibt. Das bedeutet, dass der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb derart zwischen der Dammstruktur 105 und einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 implementiert sein kann, dass er eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenform), die die Dammstruktur 105 umgibt, aufweist. Beispielsweise kann der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb in einer geschlossenen Schleifenform (oder einer geschlossenen Schleifenform) entlang eines Kantenabschnitts des ersten Substrats 100 implementiert sein und kann somit derart implementiert sein, dass er die Dammstruktur 105, die eine geschlossene Schleifenform (oder eine geschlossene Schleifenform) aufweist, umgibt. Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb kann, an einem äußeren Abschnitt der Dammstruktur 105, die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen) oder kann die gemeinsame Elektrode CE und die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen).
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb gemäß einer Ausführungsform kann mindestens zwei zweite Grabenstrukturen TP2 und mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 aufweisen.
  • Abgesehen davon, dass die mindestens zwei zweiten Grabenstrukturen TP2 angrenzend an den äußeren Abschnitt der Dammstruktur 105 angeordnet sind, können die mindestens zwei zweiten Grabenstrukturen TP2 eine Lochstruktur TPh und eine Furchenstruktur TPg, die derart implementiert sind, dass sie im Wesentlichen identisch zu den mindestens zwei ersten Grabenstrukturen TP1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa sind, aufweisen, und somit werden ihre wiederholten Beschreibungen weggelassen.
  • Abgesehen davon, dass die mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 mittels der mindestens zwei zweiten Grabenstrukturen TP2 implementiert ist, kann die mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 eine untere Grabenkonstruktion TSa und eine obere Grabenkonstruktion TSb aufweisen, die derart implementiert sind, dass sie im Wesentlichen identisch zu der mindestens einen ersten Grabenkonstruktion TS1 des inneren Grabenstrukturabschnitts TPPa sind, und somit wird ihre wiederholte Beschreibung weggelassen. Die mindestens eine zweite Grabenkonstruktion TS2 kann eine Überstandspitze, die an der oberen Grabenkonstruktion TSb implementiert ist, einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die zwischen einer seitlichen Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa und einer Rückseitenoberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSb implementiert ist, und eine Dachrinnenstruktur der oberen Grabenkonstruktion TSb aufweisen.
  • Der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb kann eine Überstandspitze aufweisen, die an der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 implementiert ist und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 isolieren (oder abtrennen). Ebenso kann der äußere Grabenstrukturabschnitt TPPb eine Dachrinnenstruktur oder einen Unterschneidungsbereich (oder eine Unterschneidungsstruktur), die an der mindestens einen zweiten Grabenkonstruktion TS2 implementiert ist, aufweisen und kann somit die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die gemeinsame Elektrode CE isolieren (oder abtrennen).
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform kann die Dammstruktur 105 auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL, die zwischen dem inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und dem äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb des Grabenstrukturabschnitts TPP angeordnet ist, implementiert sein. Die Dammstruktur 105 gemäß einer Ausführungsform kann eine untere Dammstruktur, die das gleiche Material aufweist wie das der Planarisierungsschicht 102, und eine obere Dammstruktur, die das gleiche Material aufweist wie der Wall 104 und auf der unteren Dammstruktur gestapelt ist, aufweisen. Die untere Dammstruktur kann auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL zwischen dem inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und dem äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb derart angeordnet sein, dass sie die gleiche Höhe (oder Dicke) wie die der Planarisierungsschicht 102 aufweist oder eine Höhe aufweist, die größer ist als die der Planarisierungsschicht 102.
  • Optional kann, in dem Grabenstrukturabschnitt TPP gemäß einer Ausführungsform, jeder von dem inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und dem äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb des Weiteren eine Dummy-Pixelelektrodenstruktur aufweisen, die auf der oberen Grabenkonstruktion TSb der Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 angeordnet ist. Die Dummy-Pixelelektrodenstruktur kann zusammen mit der Pixelelektrode PE, die in dem Emissionsbereich EA des Pixels P angeordnet ist, gebildet werden. Das bedeutet, dass die Dummy-Pixelelektrodenstruktur in einem Prozess des Strukturierens eines Pixelelektrodenmaterials nicht entfernt wird und zusätzlich auf der Dummy-Anorganische-Materialschicht DIL gebildet oder angeordnet sein kann.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die lichtemittierende Vorrichtung ED der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP einmalig oder mehrmalig isoliert (oder abgetrennt) sein. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP mindestens einen Lichtemittierende-Vorrichtung-Isolationsabschnitt, in dem die lichtemittierende Vorrichtung ED isoliert (oder abgetrennt) ist, aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann ein Abscheidungsmaterial EDm der lichtemittierenden Vorrichtung ED Linearität aufweisen und kann somit auf nur einer oberen Oberfläche der oberen Grabenkonstruktion TSb der Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 und Bodenoberflächen der Grabenstrukturen TP1 und TP2, die mittels der oberen Grabenkonstruktion TSb nicht überdeckt sind, abgeschieden werden und können auf einer seitlichen Oberfläche der unteren Grabenkonstruktion TSa, die mittels einer Dachrinnenstruktur der oberen Grabenkonstruktion TSb überdeckt ist, nicht abgeschieden werden. Deshalb kann die lichtemittierende Vorrichtung ED, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, mittels einer Überstandspitze, die an der oberen Grabenkonstruktion TSb der Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 angeordnet ist, oder einer Unterschneidungsstruktur der unteren Grabenkonstruktion TSa isoliert (oder abgetrennt) sein. Dementsprechend kann die lichtemittierende Vorrichtung ED, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, in einem Abscheidungsprozess mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP automatisch isoliert (oder abgetrennt) werden. Dementsprechend kann, in der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die lichtemittierende Vorrichtung ED mittels nur eines Abscheidungsprozesses, der auf der lichtemittierenden Vorrichtung durchgeführt wird, isoliert (oder abgetrennt) werden, sogar ohne einen separaten Strukturierungsprozess des Isolierens (oder Abtrennens) der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die gemeinsame Elektrode CE der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) ist, mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP einmalig oder mehrmalig isoliert (oder abgetrennt) sein. Beispielsweise kann der Grabenstrukturabschnitt TPP mindestens einen Gemeinsame-Elektrode-Isolationsabschnitt, in dem die gemeinsame Elektrode CE isoliert (oder abgetrennt) ist, aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann ein Gemeinsame-Elektrode-Material CEm der gemeinsamen Elektrode CE auf dem Unterschneidungsbereich, der in der unteren Grabenkonstruktion TSa des Grabenstrukturabschnitts TPP angeordnet ist, nicht abgeschieden werden. Deshalb kann, wie die lichtemittierende Vorrichtung ED, die gemeinsame Elektrode CE oder das Gemeinsame-Elektrode-Material CEm, die auf dem Grabenstrukturabschnitt TPP gebildet (oder abgeschieden) sind, in dem Unterschneidungsbereich, der in der unteren Grabenkonstruktion TSa angeordnet ist, isoliert (oder abgetrennt) sein. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode CE, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, in einem Abscheidungsprozess mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP automatisch isoliert (oder abgetrennt) werden. Dementsprechend kann, in der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, die gemeinsame Elektrode CE mittels nur eines Abscheidungsprozesses, der auf der gemeinsamen Elektrode CE durchgeführt wird, isoliert (oder abgetrennt) werden, sogar ohne einen separaten Strukturierungsprozess des Isolierens (oder Abtrennens) der gemeinsamen Elektrode CE, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist. Ebenso kann die gemeinsame Elektrode CE, die in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet ist, eine Isolationsoberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung ED in dem Grabenstrukturabschnitt TPP umgeben und kann somit ein seitliches Eindringen von Wasser durch die Isolationsoberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung ED verhindern, wodurch eine mittels seitlichen Eindringens von Wasser hervorgerufene Reduzierung in der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED verhindert ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann, in dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 des ersten Substrats 100, eine erste Verkapselungsschicht 106a der Verkapselungsschicht 160 derart ausgeführt sein, dass sie den inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa und den äußeren Grabenstrukturabschnitt TPPb des Grabenstrukturabschnitts TPP und die Dammstruktur 105 umgibt. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a den Grabenstrukturabschnitt TPP überdecken und kann somit mittels des Grabenstrukturabschnitts TPP nicht isoliert (oder abgetrennt) sein. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a in die Grabenstrukturen TP1 und TP2 des Grabenstrukturabschnitts TPP gefüllt sein und kann außerdem derart ausgeführt sein, dass sie die Grabenkonstruktionen TS1 und TS2 umgibt.
  • In dem ersten Randbereich MA1 des ersten Substrats 100 kann eine zweite Verkapselungsschicht 106b der Verkapselungsschicht 106 derart ausgeführt sein, dass sie die erste Verkapselungsschicht 106a überdeckt, die den inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa des Grabenstrukturabschnitts TPP und eine innere Oberfläche der Dammstruktur 105 überdeckt. Die zweite Verkapselungsschicht 106b kann sich aufgrund einer verhältnismäßig dicken Dicke zu einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 ausbreiten, jedoch kann die Ausbreitung der zweiten Verkapselungsschicht 106b mittels der Dammstruktur 105 blockiert sein. Beispielsweise kann ein Ende der zweiten Verkapselungsschicht 106b die erste Verkapselungsschicht 106a auf der Dammstruktur 105 direkt berühren. Dementsprechend kann die zweite Verkapselungsschicht 106b auf nur der ersten Verkapselungsschicht 106a in einem internen Bereich (oder einem inneren Bereich), der mittels der Dammstruktur 105 umgeben ist, angeordnet sein.
  • In dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 des ersten Substrats 100 kann eine dritte Verkapselungsschicht 106c der Verkapselungsschicht 106 derart ausgeführt sein, dass sie die erste Verkapselungsschicht 106a, die den inneren Grabenstrukturabschnitt TPPa des Grabenstrukturabschnitts TPP und eine äußere Oberfläche der Dammstruktur 105 überdeckt, und die zweite Verkapselungsschicht 106b überdeckt.
  • Da die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen Grabenstrukturabschnitt TPP aufweist, kann eine Gesamtbreite des ersten Randbereichs MA1 und des zweiten Randbereich MA2, die an einem Kantenabschnitt der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sind, auf 350 µm oder weniger abnehmen, und in diesem Falle kann die Anzeigevorrichtung 10 eine Auflösung realisieren, die höher ist als die einer Anzeigevorrichtung, die keinen Grabenstrukturabschnitt TPP aufweist.
  • Beispielsweise kann, wenn eine Hälfte eines ersten Intervalls (oder eines Pixelabstands) D1 zwischen zwei benachbarten Pixelbereichen PA innerhalb des Prozessfehlerbereichs 350 µm beträgt, eine Gesamtbreite (oder ein kürzester Abstand zwischen einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einem Ende eines Emissionsbereichs EA eines äußersten Pixels) des ersten Randbereichs MA1 und des zweiten Randbereichs MA2 derart implementiert sein, dass sie 320 µm oder weniger beträgt, basierend auf einem Schattenrand basierend auf einem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED und einem Verkapselungsrand basierend auf einem Sicherstellen der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED gegenüber Wasser. In diesem Falle kann ein zweites Intervall D2 zwischen einer äußersten äußeren Oberfläche VL des ersten Substrats 100 und einem zentralen Abschnitt eines äußersten Pixels, das einen ersten Padbereich 110 aufweist, derart implementiert sein, dass es innerhalb des Prozessfehlerbereichs 350 µm beträgt. Hierbei kann die äußerste äußere Oberfläche VL des ersten Substrats 100 eine äußerste äußere Oberfläche einer Kantenüberzugschicht 403, die einen Verdrahtungsabschnitt 400 überdeckt, sein.
  • Der erste Randbereich MA1 und der zweite Randbereich MA2 können die gleiche Breite oder verschiedene Breiten aufweisen. Beispielsweise kann, in Bezug auf die erste Richtung X, der erste Randbereich MA1 derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 200 µm oder weniger aufweist, und der zweite Randbereich MA2 kann derart ausgeführt sein, dass er eine Breite von 120 µm oder weniger aufweist. Ebenso kann ein Padrandbereich (oder ein seitlicher Verdrahtungsbereich), der in dem zweiten Randbereich MA2 enthalten ist, derart ausgeführt sein, dass er in Bezug auf die erste Richtung X eine Breite von 100 µm oder weniger aufweist.
  • 31 ist eine weitere Querschnittansicht entlang einer Linie II-II', die in 4 dargestellt ist, und 32 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs „B9“, der in 30 dargestellt ist. 31 und 32 stellen eine Ausführungsform dar, die mittels Entfernens (oder Weglassens) einer Dammstruktur und Modifizierens einer Struktur einer Verkapselungsschicht in der Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 21 dargestellt ist, eingerichtet ist. Beim Beschreiben der 31 und der 32 sind Elemente außer einer lichtemittierenden Vorrichtung, einer gemeinsamen Elektrode und einer Verkapselungsschicht im Wesentlichen die gleichen wie die Elemente der 1 bis 21, und somit beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Elemente und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4, 31 und 32 kann, in einer Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung, eine lichtemittierende Vorrichtung ED einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 an einem Wall 104 und einer Pixelelektrode PE, die an einem Emissionsbereich EA von jedem von einer Mehrzahl von Pixeln SP freigelegt ist, angeordnet sein und kann außerdem in einem ersten Randbereich MA1 einer ersten Oberfläche 100a eines ersten Substrats 100 angeordnet sein. Ein Endabschnitt (oder ein erster Ausläuferabschnitt) EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED kann eine Passivierungsschicht 101 d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berühren. Ein äußerstes Ende der lichtemittierenden Vorrichtung ED kann derart angeordnet sein, dass es an einen Grenzabschnitt zwischen dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angrenzt. Beispielsweise kann der Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED innerhalb eines Bereichs von 120 µm bis 320 µm in einem Abstand von einer äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 angeordnet sein.
  • Die gemeinsame Elektrode CE der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 kann die lichtemittierende Vorrichtung ED direkt berühren und kann die lichtemittierende Vorrichtung ED umgeben. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode CE basierend auf einer Oberflächenform der lichtemittierenden Vorrichtung ED in einer oberflächentreuen Form ausgeführt sein. Ein Endabschnitt (oder ein zweiter Ausläuferabschnitt) EP2 der gemeinsamen Elektrode CE kann derart in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet sein, dass er die Passivierungsschicht 101d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berührt, und kann somit den Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED umgeben. Ein äußerstes Ende der lichtemittierenden Vorrichtung ED kann mittels der gemeinsamen Elektrode CE direkt umgeben sein und kann somit nicht auf der Außenseite freigelegt sein. Dementsprechend kann der Endabschnitt EP2 der gemeinsamen Elektrode CE einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen dem Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED und der Passivierungsschicht 101d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser verhindert oder minimiert ist.
  • Eine erste Verkapselungsschicht 106a einer Verkapselungsschicht 106 kann derart ausgeführt sein, dass sie die gemeinsame Elektrode CE direkt berührt und die gemeinsame Elektrode CE umgibt. Beispielsweise kann die erste Verkapselungsschicht 106a basierend auf einer Oberflächenform der gemeinsamen Elektrode CE in einer oberflächentreuen Form ausgeführt sein. Ein Endabschnitt (oder einen dritten Ausläuferabschnitt) EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a kann derart in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet sein, dass er die Passivierungsschicht 101 d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berührt, und kann somit den Endabschnitt EP2 der gemeinsamen Elektrode CE umgeben. Dementsprechend kann der Endabschnitt EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen dem Endabschnitt EP2 der gemeinsamen Elektrode CE und der Passivierungsschicht 101d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser verhindert oder minimiert ist.
  • Eine zweite Verkapselungsschicht 106b der Verkapselungsschicht 106 kann derart ausgeführt sein, dass sie die erste Verkapselungsschicht 106a direkt berührt und die Verkapselungsschicht 106a umgibt. Ein Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b kann derart in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet sein, dass er die Passivierungsschicht 101d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berührt und kann somit den Endabschnitt EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a umgeben. Dementsprechend kann der Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen dem Endabschnitt EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a und der Passivierungsschicht 101d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser zusätzlich verhindert oder minimiert ist.
  • Der Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b gemäß einer Ausführungsform kann, unähnlich dem Endabschnitt EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a, nicht scharfkantig sein und kann eine Dicke aufweisen, die verhältnismäßig dicker ist als die der ersten Verkapselungsschicht 106a. Ein unterer Abschnitt einer äußeren Oberfläche der zweiten Verkapselungsschicht 106b, der der äußeren Oberfläche OS des ersten Substrats 100 gegenüberliegt oder an die äußere Oberfläche OS des ersten Substrats 100 angrenzt, kann derart ausgeführt sein, dass er in einer Dickenrichtung Z des ersten Substrats 100 vertikal zu der Passivierungsschicht 101 d ist. Beispielsweise kann der untere Abschnitt der äußeren Oberfläche der zweiten Verkapselungsschicht 106b, der die Passivierungsschicht 101 d direkt berührt, eine äußerste vertikale Seitenwand OSV senkrecht auf einer oberen Oberfläche der Passivierungsschicht 101d aufweisen.
  • Die äußerste vertikale Seitenwand OVS der zweiten Verkapselungsschicht 106b kann mittels eines Bereichs von 10 µm bis 20 µm entfernt von dem Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED angeordnet sein. Das bedeutet, dass ein Intervall D3 zwischen der äußersten vertikalen Seitenwand OVS der zweiten Verkapselungsschicht 106b und dem Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED 10 µm bis 20 µm betragen kann.
  • Die dritte Verkapselungsschicht 106c der Verkapselungsschicht 106 kann derart ausgeführt sein, dass sie die zweite Verkapselungsschicht 106b direkt berührt und die zweite Verkapselungsschicht 106b umgibt. Ein Endabschnitt EP5 der dritten Verkapselungsschicht 106c kann derart in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet sein, dass er die Passivierungsschicht 101d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berührt, und kann somit den Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b umgeben. Dementsprechend kann der Endabschnitt EP5 der dritten Verkapselungsschicht 106c einen Grenzabschnitt (oder eine Grenzfläche) zwischen dem Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b und der Passivierungsschicht 101d überdecken, wodurch ein seitliches Eindringen von Wasser zusätzlich verhindert oder minimiert ist.
  • Die Verkapselungsschicht 106 kann mittels einer Schutzschicht 107b einer Wellenlängenkonversionsschicht 107 umgeben sein.
  • Die Schutzschicht 107b kann derart ausgeführt sein, dass sie die dritte Verkapselungsschicht 106c direkt berührt und die dritte Verkapselungsschicht 106c umgibt. Beispielsweise kann ein Kantenabschnitt der Schutzschicht 107b derart in dem zweiten Randbereich MA2 angrenzend an den ersten Randbereich MA1 angeordnet sein, dass er die Passivierungsschicht 101d, die in dem zweiten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berührt und kann somit den Endabschnitt EP5 der dritten Verkapselungsschicht 106c umgeben.
  • In der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann ein Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED mittels einer Dreifach-Abdichtungsstruktur, die auf der gemeinsamen Elektrode CE, der ersten Verkapselungsschicht 106a und der zweiten Verkapselungsschicht 106b basiert ist, umgeben oder abgedichtet sein, und somit kann die Reduzierung der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung ED, die mittels seitlichen Eindringens von Wasser hervorgerufen wird, verhindert sein, und eine Breite des ersten Randbereichs MA1 kann wesentlich reduziert sein, wodurch ein zweites Intervall D2 zwischen einem zentralen Abschnitt eines äußersten Pixelbereichs PAo und jeder von äußeren Oberflächen OS des ersten Substrats derart ausgeführt sein kann, dass es die Hälfte oder weniger eines ersten Intervalls D1 zwischen benachbarten Pixelbereichen PA betragen kann. Hierbei kann das erste Intervall D1 als ein Pixelabstand oder ein Referenz-Pixelabstand bezeichnet werden.
  • 33A bis 33E sind Schaubilder, die ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, einer gemeinsamen Elektrode und einer Verkapselungsschicht, die jeweils in 31 dargestellt sind, darstellen, und 34 ist eine Mikroskop-Photographie der 33B. In 34 kann eine weiße Schicht WL eine Überzugschicht sein, die zum Identifizieren einer Querschnittstruktur einer Maskenstruktur und eines Abscheidungsmaterials experimentell aufgetragen wird und somit nicht einem Element der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung entspricht.
  • Bezugnehmend auf 33A bis 33E und 34 wird im Folgenden ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, einer gemeinsamen Elektrode und einer Verkapselungsschicht gemäß der vorliegenden Offenbarung beschrieben werden.
  • Wie in 33A und 34 dargestellt, kann eine erste Maskenstruktur MP1 auf einer ersten Oberfläche 100a eines ersten Substrats 100 gebildet (oder angeordnet) werden, und eine zweite Maskenstruktur MP2, die in Bezug auf die erste Maskenstruktur MP1 eine Dachrinnenstruktur aufweist, kann auf der ersten Maskenstruktur MP1 gebildet (oder angeordnet) werden. Beispielsweise können die erste Maskenstruktur MP1 und die zweite Maskenstruktur MP2 mittels eines Prozesses des nacheinander Bildens (oder Auftragens) eines ersten Maskenstrukturmaterials und eines zweiten Maskenstrukturmaterials auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100, eines Prozesses des Durchführens einer Exposition des zweiten Maskenstrukturmaterials, eines Prozesses des nacheinander Strukturierens (oder Entfernens) des zweiten Maskenstrukturmaterials und des ersten Maskenstrukturmaterials und eines Prozesses des Einbrennens eines strukturierten ersten Maskenstrukturmaterials und eines strukturierten zweiten Maskenstrukturmaterials ausgeführt werden.
  • Das zweite Maskenstrukturmaterial gemäß einer Ausführungsform kann ein photoempfindliches Harz aufweisen. Beispielsweise kann das zweite Maskenstrukturmaterial ein positives Photoharz oder ein negatives Photoharz aufweisen.
  • Das erste Maskenstrukturmaterial und das zweite Maskenstrukturmaterial gemäß einer Ausführungsform können ein Material aufweisen, das mittels des Expositionsprozesses nicht deformiert wird. Beispielsweise kann das erste Maskenstrukturmaterial Polydimethylglutarimid (PMGI) oder Polymethylmethacrylat (PMMA) aufweisen. Das erste Maskenstrukturmaterial kann als eine Ätz-leitende Schicht, eine Opferschicht, eine Abzieh-Widerstandsschicht oder eine nichtphotoempfindliche Schicht bezeichnet werden.
  • Eine Entwicklungsrate des ersten Maskenstrukturmaterials auf einen Entwickler kann höher sein als eine Entwicklungsrate des zweiten Maskenstrukturmaterials auf den Entwickler. Beispielsweise kann das zweite Maskenstrukturmaterial einen Expositionsabschnitt, der mittels des Expositionsprozesses ausgesetzt wird, und einen Nicht-Expositionsabschnitt aufweisen, und die zweite Maschenstruktur kann als der Nicht-Expositionsabschnitt des zweiten Maskenstrukturmaterials ausgeführt sein. In diesem Falle kann ein Strukturierungsabschnitt des ersten Maskenstrukturmaterials, der den Expositionsabschnitt des zweiten Maskenstrukturmaterials überlappt, mittels des Entwicklers ausgesetzt werden, da der Expositionsabschnitt des zweiten Maskenstrukturmaterials mittels des Entwicklers entfernt wird, und ein Strukturierungsabschnitt des ersten Maskenstrukturmaterials, der mittels des Entwicklers ausgesetzt wird, kann schneller entfernt werden als der Expositionsabschnitt des zweiten Maskenstrukturmaterials. Dementsprechend kann das erste Maskenstrukturmaterial eine Entwicklergeschwindigkeit aufweisen, die vergleichsweise höher ist als die des zweiten Maskenstrukturmaterials, und somit kann das erste Maskenstrukturmaterial in Bezug auf das zweite Maskenstrukturmaterial eine Unterschneidungsstruktur aufweisen.
  • Eine seitliche Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 gemäß einer Ausführungsform kann in Bezug auf die zweite Maschenstruktur MP2 einen Unterschneidungsbereich (oder eine abgeschrägte Struktur) UCA aufweisen. Beispielsweise kann ein Grenzabschnitt zwischen der ersten Maskenstruktur MP1 und der zweiten Maskenstruktur MP2 oder eine obere seitliche Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 in Bezug auf die zweite Maskenstruktur MP2 unterschnitten sein. Die zweite Maskenstruktur MP2 kann aufgrund des Unterschneidungsbereichs UCA der ersten Maskenstruktur MP1 in Bezug auf die seitliche Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 hervorstehen und kann somit die seitliche Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 überdecken. Dementsprechend kann die zweite Maskenstruktur MP2 in Bezug auf die erste Maskenstruktur MP1 eine Dachrinnenstruktur aufweisen.
  • Die erste Maskenstruktur MP1 kann alles von dem zweiten Randbereich MA2, der auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 definiert ist, überdecken und kann einen Abschnitt des ersten Randbereichs MA1 angrenzend an den zweiten Randbereich MA2 überdecken. Beispielsweise kann eine innere Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 in dem ersten Randbereich MA1 angrenzend an einen Grenzabschnitt zwischen dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet werden. Eine innere Oberfläche der zweiten Maskenstruktur MP2 kann in dem ersten Randbereich MA1 derart angeordnet werden, dass sie in einem Abstand von der inneren Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 angeordnet wird. Das bedeutet, dass die innere Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 zwischen der inneren Oberfläche der zweiten Maskenstruktur MP2 und dem Grenzabschnitt zwischen dem ersten Randbereich MA1 und dem zweiten Randbereich MA2 angeordnet werden kann.
  • Nachfolgend können, wie in 33B und 34 dargestellt, die lichtemittierende Vorrichtung ED und die gemeinsame Elektrode CE der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 103 und die erste Verkapselungsschicht 106a der Verkapselungsschicht 106 nacheinander auf dem ersten Randbereich MA1, der zweiten Maskenstruktur MP2 und der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet (oder abgeschieden) werden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung ED kann an einem Wall 104 und einer Pixelelektrode PE, die an einem Emissionsbereich EA von jedem von einer Mehrzahl von Pixeln SP freigelegt ist, angeordnet werden, und kann außerdem auf der zweiten Maskenstruktur MP2 und in dem ersten Randbereich MA1 auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet werden. In diesem Falle kann ein Endabschnitt (oder ein erster Ausläuferabschnitt) EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED in einen Teilbereich des Unterschneidungsbereichs UCA der ersten Maskenstruktur MP1 eindringen und kann eine Passivierungsschicht 101d, die an dem Unterschneidungsbereich UCA der ersten Maskenstruktur MP1 freigelegt ist, direkt berühren.
  • In einem Abscheidungsprozess, der auf der lichtemittierenden Vorrichtung ED durchgeführt wird, sollte eine Position eines Endabschnitts EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED basierend auf einem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED, der basierend auf einem Abstand zwischen einer Abscheidungsmaske der lichtemittierenden Vorrichtung ED und dem ersten Substrat 100 unvermeidlich auftritt, eingestellt werden. Jedoch kann der Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED gemäß der vorliegenden Ausführungsform die zweite Maskenstruktur MP2 überlappen und kann basierend auf einer Überstandslänge der zweiten Maskenstruktur MP2 gesteuert oder eingestellt werden. Dementsprechend kann, in der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform, da der Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED in dem Abscheidungsprozess, der auf der lichtemittierenden Vorrichtung ED durchgeführt wird, nicht wiedergespiegelt ist, eine Breite des ersten Randbereichs MA1 basierend auf dem Schattenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung ED wesentlich reduziert sein.
  • Die gemeinsame Elektrode CE kann derart gebildet werden, dass sie die lichtemittierende Vorrichtung ED überdeckt. Insbesondere kann ein Endabschnitt (oder ein zweiter Ausläuferabschnitt) EP2 der gemeinsamen Elektrode CE in den Unterschneidungsbereich UCA der ersten Maskenstruktur MP1 eindringen und kann die Passivierungsschicht 101 d, die an dem Unterschneidungsbereich UCA der ersten Maskenstruktur MP1 freigelegt ist, direkt berühren, und kann somit den Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED umgeben.
  • Die erste Verkapselungsschicht 106a kann derart gebildet werden, dass sie die gemeinsame Elektrode CE überdeckt. Insbesondere kann ein Endabschnitt EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a in den Unterschneidungsbereich UCA der ersten Maskenstruktur MP1 eindringen und kann die Passivierungsschicht 101d, die an dem Unterschneidungsbereich UCA der ersten Maskenstruktur MP1 freigelegt ist, direkt berühren und kann somit den Endabschnitt EP2 der gemeinsamen Elektrode CE umgeben.
  • Nachfolgend kann, wie in 33C dargestellt, eine zweite Verkapselungsschicht 106b, die die erste Verkapselungsschicht 106a umgibt, auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet (oder aufgetragen) werden.
  • Ein Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b kann in den Unterschneidungsbereich UCA der ersten Maskenstruktur MP1 eindringen und kann die Passivierungsschicht 101 d, die in dem ersten Randbereich MA1 angeordnet ist, direkt berühren und kann somit den Endabschnitt EP3 der ersten Verkapselungsschicht 106a umgeben. Ebenso kann der Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b eine innere Oberfläche der ersten Maskenstruktur MP1 direkt berühren und kann somit eine äußerste vertikale Seitenwand OVS senkrecht zu einer oberen Oberfläche der Passivierungsschicht 101d aufweisen.
  • Die äußerste vertikale Seitenwand OVS der zweiten Verkapselungsschicht 106b kann mittels eines Bereichs von 10 µm bis 20 µm entfernt von dem Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED sein. Das bedeutet, dass ein Intervall D3 zwischen der äußersten vertikalen Seitenwand OVS der zweiten Verkapselungsschicht 106b und dem Endabschnitt EP1 der lichtemittierenden Vorrichtung ED 10 µm bis 20 µm betragen kann.
  • Nachfolgend werden, wie in 33D dargestellt, alles von der ersten Maskenstruktur MP1 und der zweiten Maskenstruktur MP2, die auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 angeordnet sind, durch einen Abziehprozess entfernt.
  • Optional kann zum Absenken einer Zeitdauer zum Durchführen des Abziehprozesses auf der ersten Maskenstruktur MP1 und der zweiten Maskenstruktur MP2 ein erhitztes Lösungsmittel verwendet werden, und des Weiteren kann ein Ultraschall-Reinigungsprozess darauf angewendet werden.
  • Nachfolgend kann, wie in 33E dargestellt, eine dritte Verkapselungsschicht 106c, die zweite Verkapselungsschicht 106b der Verkapselungsschicht 106 umgibt, auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet (oder aufgetragen) werden.
  • Die dritte Verkapselungsschicht 106c kann derart gebildet werden, dass sie eine obere Oberfläche, eine seitliche Oberfläche und einen Endabschnitt EP4 der zweiten Verkapselungsschicht 106b umgibt. Ebenso kann die dritte Verkapselungsschicht 106c, die auf einem Padbereich 110 auf der ersten Oberfläche 100a des ersten Substrats 100 gebildet ist, mittels eines Strukturierungsprozesses oder eines Pad-Öffnungsprozesses entfernt werden.
  • 35 ist ein Schaubild, das eine Rückseitenoberfläche eines zweiten Substrats, das in 4 dargestellt ist, darstellt und eine Ausführungsform darstellt, in der des Weiteren ein Panel-Stützelement auf dem zweiten Substrat der Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 32 dargestellt ist, bereitgestellt ist. Beim Beschreiben der 35 werden Elemente, die gleich sind zu den Elementen der 1 bis 32 oder diesen entsprechen, mittels gleicher Bezugszeichen bezeichnet, und ihre wiederholten Beschreibungen werden weggelassen oder werden im Folgenden kurz beschrieben werden.
  • Bezugnehmend auf 4 und 35 kann eine Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung des Weiteren ein Panel-Stützelement 600, das auf einer Rückseitenoberfläche 200b eines zweiten Substrats 200 angeordnet ist, aufweisen.
  • Das Panel-Stützelement 600 kann zum Abstützen einer Rückseitenoberfläche eines Anzeigepanels, das ein erstes Substrat 100 und ein zweites Substrat 200, die mittels eines Kopplungselements 300 aneinandergebondet (oder gekoppelt) sind, ausgeführt sein. Das Panel-Stützelement 600 kann als eine Rückseitenabdeckung, eine Rückenabdeckung oder ein Rückseitenelement bezeichnet werden.
  • Das Panel-Stützelement 600 gemäß einer Ausführungsform kann eine Stützplatte 610 und eine Mehrzahl von Befestigungselementen 630 aufweisen.
  • Die Stützplatte 610 kann zum Abstützen einer Rückseitenoberfläche des Anzeigepanels mit der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 verbunden sein. Die Stützplatte 610 kann derart angeordnet sein, dass sie einen Abschnitt, außer einem zweiten Padbereich 210 und einen dritten Padbereich 230, der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 100 überdeckt und kann eine Leiterplatte (PCB) 550 einer Ansteuerungs-Schaltkreiseinheit 500 abstützen. Beispielsweise kann die Stützplatte 610 mittels eines Plattenkopplungselements, wie beispielsweise einem doppelseitigen Klebeband, mit der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 gekoppelt sein.
  • Die Stützplatte 610 kann ein Metallmaterial aufweisen. Beispielsweise kann die Abstützplatte 610 ein Material aus AI, einer AI-Legierung, einer Mg-Legierung, einer Fe-Ni-Legierung und rostfreiem Stahl oder einer Legierung davon oder einer Verbindungsstruktur aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Stützplatte 610 gemäß einer Ausführungsform kann einen konkaven Abschnitt 611, in dem ein Abschnitt von einer Seite davon entfernt ist, zum Freilegen des dritten Padbereichs 230 aufweisen. Beispielsweise kann, wenn von oberhalb nach abwärts gesehen, die Stützplatte 610 eine „
    Figure DE102020135109A1_0001
    ‟ oder eine „
    Figure DE102020135109A1_0002
    ‟-Form aufweisen. In diesem Falle kann der dritte Padbereich 230 des zweiten Substrats 200 in einer Rückseitenrichtung des zweiten Substrats 200 mittels des konkaven Abschnitt 611 der Stützplatte 610 freigelegt sein. Ebenso kann der andere Kantenabschnitt einer flexiblen Schaltkreisschicht 510, die auf dem dritten Padbereich 230 des zweiten Substrats 200 angebracht ist, einen gestuften Abschnitt zwischen dem konkaven Abschnitt 611 der Stützplatte 610 und dem zweiten Substrat 200 überdecken und kann mit der PCB 550, die mittels der Stützplatte 610 abgestützt ist, elektrisch verbunden sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Stützplatte 610 ein Öffnungsloch zum Freilegen des dritten Padbereichs 230 aufweisen. Beispielsweise kann die Stützplatte 610 ein tetragonales Öffnungsloch, das eine tetragonale Form aufweist, das einen Abschnitt, abgesehen von dem zweiten Padbereich 210, der Rückseitenoberfläche 200b des zweiten Substrats 200 überdeckt, aufweisen und weist eine Größe auf, die vergleichsweise größer ist als die des dritten Padbereichs 230. Beispielsweise kann, wenn von oberhalb nach abwärts gesehen, die Stützplatte 610 eine „
    Figure DE102020135109A1_0003
    ‟ aufweisen. In diesem Falle kann der dritte Padbereich 230 des zweiten Substrats 200 in der Rückseitenrichtung des zweiten Substrats mittels des Öffnungsloches der Stützplatte 610 freigelegt sein. Ebenso kann der andere Kantenabschnitt einer flexiblen Schaltkreisschicht 510, die an dem dritten Padbereich 230 des zweiten Substrats 200 befestigt ist, durch das Öffnungsloch der Stützplatte 610 hindurchführen und kann elektrisch mit der PCB 550, die mittels der Stützplatte 610 abgestützt ist, verbunden sein.
  • Die Mehrzahl von Befestigungselementen 630 können auf einer Rückseitenoberfläche der Stützplatte 610 angeordnet sein. Beispielsweise können die Mehrzahl von Befestigungselementen 630 derart angeordnet sein, dass sie jeden von Kantenabschnitten der Stützplatte 610 berühren und können um eine bestimmte Länge von der Rückseitenoberfläche der Stützplatte 610 hervorstehen.
  • Jedes von der Mehrzahl von Befestigungselementen 630 gemäß einer Ausführungsform kann eine Befestigungsnut 631, die derart ausgeführt ist, dass sie von einer Vorderseitenoberfläche davon konkav ist, aufweisen.
  • Jedes von der Mehrzahl von Befestigungselementen 630 kann mittels eines Fixierelements, wie beispielsweise einer Schraube oder einem Bolzen, an der Rückseitenoberfläche der Stützplatte 610 fixiert sein. Beispielsweise kann das Fixierelement durch die Befestigungsnut 631 des Befestigungselements 630 hindurchführen und kann an der Rückseitenoberfläche der Stützplatte 610 befestigt sein und kann somit einen Rückseitenabschnitt des Befestigungselements 630 an der Rückseitenoberfläche der Stützplatte 610 fixieren.
  • Jedes von der Mehrzahl von Befestigungselementen 630 gemäß einer Ausführungsform kann ein Material aufweisen, das mittels eines Magneten magnetisiert werden kann. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann jedes von der Mehrzahl von Befestigungselementen 630 mit einem Magnetblock dazwischen mit der Rückseitenoberfläche der Stützplatte 610 gekoppelt sein. Beispielsweise kann der Magnetblock ein Neodym-Magnet sein.
  • Die Mehrzahl von Befestigungselementen 630 können jeweils an einer Mehrzahl von Befestigungspins befestigt sein, die in einer Rückseitenrahmeneinheit, die die Anzeigevorrichtung abstützt, angeordnet sind. Beispielsweise kann das Befestigungselement 630 auf der Basis einer magnetischen Kraft mit dem in der Rückseitenrahmeneinheit angeordneten Befestigungspin gekoppelt sein. Deshalb kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung auf der Rückseitenrahmeneinheit angebracht sein. Ebenso können eine Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen 10, die auf der Rückseitenrahmeneinheit angebracht sind, in mindestens einer von einer ersten Richtung X und einer zweiten Richtung Y kontinuierlich gekachelt sein, und somit kann eine Multi-Anzeigevorrichtung oder eine unendlich erweiterbare Anzeigevorrichtung implementiert werden. Hierbei kann die Rückseitenrahmeneinheit als eine Rückseitenstruktur, eine Anzeige-Stützeinheit, eine Kacheleinheit, eine Kachelstruktur, eine Kasteneinheit, eine Modul-Kasteneinheit oder eine Kastenstruktur bezeichnet werden. Ebenso kann die Multi-Anzeigevorrichtung als eine Multi-Panel-Anzeigevorrichtung, eine Multi-Bildschirm-Anzeigevorrichtung oder eine Kachel-Anzeigevorrichtung bezeichnet werden.
  • Außerdem kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung des Weiteren eine Schaltkreisabdeckung aufweisen. Die Schaltkreisabdeckung kann mit einer Rückseitenoberfläche des Panel-Stützelements 600 derart gekoppelt sein, dass sie die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500, die an der Rückseitenoberfläche des Panel-Stützelements 600 freigelegt ist, überdeckt und kann somit die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 vor einer externen Einwirkung schützen und kann die Ansteuerungsschaltkreiseinheit 500 vor statischer Elektrizität schützen. Die Schaltkreisabdeckung gemäß einer Ausführungsform kann ein Metallmaterial aufweisen, das eine Form zum Abdecken der Schaltkreiseinheit 500, die an der Rückseitenoberfläche des Panel-Stützelements 600 freigelegt ist, aufweisen. Beispielsweise kann die Schaltkreisabdeckung als ein Abdeckungsschild bezeichnet werden.
  • 36 ist ein Schaubild, das eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, 37 ist ein Schaubild, das einen Kachelungsprozess einer Anzeigevorrichtung, die in 36 dargestellt ist, darstellt, und 38 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie V-V', die in 36 dargestellt ist.
  • Bezugnehmend auf 36 bis 38 kann die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 und eine Mehrzahl von Rückseitenrahmeneinheiten 30-1 bis 30-4 aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 können in einer NxM-Form (wobei N eine positive ganze Zahl von 2 oder mehr ist und M eine positive ganze Zahl von 2 oder mehr ist) angeordnet sein und können somit jeweils ein individuelles Bild anzeigen oder können ein Bild unterteilt anzeigen. Jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 kann die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung, die in 1 bis 35 dargestellt ist, aufweisen, und somit wird ihre wiederholte Beschreibung weggelassen.
  • Die Mehrzahl von Rückseitenrahmeneinheiten 30-1 bis 30-4 können jeweils mit der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 gekoppelt sein und können jeweils ein entsprechendes Anzeigemodul der Mehrzahl von Anzeigenmodulen 10-1 bis 10-4 abstützen. Die Mehrzahl von Rückseitenrahmeneinheiten 30-1 bis 30-4 können auf der Basis einer seitlichen Kopplungsweise in einer ersten Richtung X und einer zweiten Richtung Y gekachelt sein.
  • Jede von der Mehrzahl von Rückseitenrahmeneinheiten 30-1 bis 30-4 gemäß einer Ausführungsform kann einen Rückseitenrahmen 31, eine Mehrzahl von Befestigungspins 33, eine Mehrzahl von ersten Verbindungsvorrichtungen 35 und eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsvorrichtungen 37 aufweisen.
  • Der Rückseitenrahmen 31 kann auf einer Rückseitenoberfläche von jedem von den Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 angeordnet sein. Der Rückseitenrahmen 31 gemäß einer Ausführungsform kann eine Plattenform aufweisen, die eine Größe entsprechend den Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 aufweist. Ebenso kann der Rückseitenrahmen 31 ein Durchtrittsloch 31a aufweisen, das es ermöglicht, dass ein Kabel, das ein Ansteuerungssystem (oder eine Hauptsteuertafel) einer Multi-Anzeigevorrichtung mit einer PCB von jedem von den Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 verbindet, hindurchführen kann. Das Durchgangsloch 31a kann eine kreisförmige Form oder eine polygonale Form, die durch einen zentralen Abschnitt des Rückseitenrahmens 31 hindurchführt, aufweisen.
  • Jeder von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 kann auf einer Vorderseitenoberfläche des Rückseitenrahmen 31 angeordnet sein. Beispielsweise können die Mehrzahl von Befestigungspins 31 jeweils angrenzend an Eckabschnitte des Rückseitenrahmens 31 angeordnet sein und können von der Vorderseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 um eine bestimmte Länge nach vorne herausstehen. Das bedeutet, dass jeder von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 an der Vorderseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 fixiert werden kann, der jedes von der Mehrzahl von Befestigungselementen 630 überlappt, die in dem Panel-Stützelement 600, das in der Anzeigevorrichtung 10 von jedem von den Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 enthalten ist, angeordnet sind.
  • Jeder von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 kann mittels eines Fixierelements, wie beispielsweise einer Schraube oder einem Bolzen, an der Vorderseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 fixiert sein. Beispielsweise kann das Fixierelement durch den Rückseitenrahmen 31 hindurchführen und kann an einem Rückseitenabschnitt des Befestigungspins 33 befestigt sein und kann somit den Rückseitenabschnitt des Befestigungspins 33 an der Vorderseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 fixieren.
  • Ein Abschnitt von jedem von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 kann eine Größe aufweisen, die es ermöglicht, dass jeder Befestigungspin 33 in die Befestigungsnut 631 eines entsprechenden Befestigungselements 630 ausgeführt werden kann. Beispielsweise kann der eine Abschnitt von jedem von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 einen ersten Durchmesser aufweisen, der es ermöglicht, dass jeder Befestigungspin 33 in die Befestigungsnut 631 eines entsprechenden Befestigungselements 630 eingeführt werden kann. Ebenso kann der andere Abschnitt von jedem von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 einen zweiten Durchmesser aufweisen, der größer ist als der erste Durchmesser, um den vorderen Abschnitt des Befestigungselements 630 zu kontaktieren.
  • Jeder von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 gemäß einer Ausführungsform kann ein Metallmaterial aufweisen. Deshalb kann jeder von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 mittels einer magnetischen Kraft des entsprechenden Befestigungselements 630 in die Befestigungsnut eines entsprechenden Befestigungselements 630 der Mehrzahl von Befestigungselementen 630 eingeführt werden und kann somit an dem entsprechenden Befestigungselement 630 befestigt werden.
  • Optional kann jeder von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 gemäß einer Ausführungsform, mit einem Magnetblock dazwischen, mit der Vorderseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 gekoppelt sein. Der Magnetblock kann ein Neodym-Magnet sein. In diesem Falle kann der Magnetblock von jedem von der Mehrzahl von Befestigungspins 33 derart ausgeführt sein, dass er basierend auf einer magnetischen Kraft des Befestigungselements 630 eine Anziehungskraft aufweist.
  • Die Mehrzahl von ersten Verbindungsvorrichtungen 35 können in bestimmten Intervallen an ersten Rückseitenkantenabschnitten und zweiten Rückseitenkantenabschnitten, die parallel zu der ersten Richtung (oder einer horizontalen Richtung oder einer Breitenausrichtung) X verlaufen, der Rückseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 angeordnet sein. Jede von der Mehrzahl der ersten Verbindungsvorrichtungen 35 kann derart ausgeführt sein, dass sie mit einer ersten Verbindungsvorrichtung eines Rückseitenrahmens, der an einem oberen Abschnitt angeordnet ist, verbunden ist und dass sie, in Bezug auf die zweite Richtung (oder eine vertikale Richtung oder eine Längsausrichtung) Y mit einer ersten Verbindungsvorrichtung eines Rückseitenrahmens, der an einem unteren Abschnitt angeordnet ist, verbunden ist.
  • Jede von der Mehrzahl von ersten Verbindungsvorrichtungen 35 gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Verbindungskörper 35a und ein erstes Verbindungselement 35b aufweisen.
  • Der erste Verbindungskörper 35a kann an jedem von einem ersten Rückseitenkantenabschnitt und einem zweiten Rückseitenkantenabschnitt des Rückseitenrahmens 31 angeordnet sein.
  • Das erste Verbindungselement 35b kann an einer äußeren Oberfläche des ersten Verbindungskörpers 35a, der in der zweiten Richtung Y freigelegt ist, angeordnet sein. Das erste Verbindungselement 35b kann ein Überstandspin oder ein Pin-Loch sein. Gemäß einer Ausführungsform kann ein erstes Verbindungselement 35b einer ersten Verbindungsvorrichtung 35, die an einem ersten Rückseitenkantenabschnitt des Rückseitenrahmens 31 angeordnet ist, ein Pin-Loch sein, und ein erstes Verbindungselement 35b einer ersten Verbindungsvorrichtung 35, die an einem zweiten Rückseitenkantenabschnitt des Rückseitenrahmens 31 angeordnet ist, kann ein Überstandspin sein.
  • Das erste Verbindungselement 35b, das einen Überstandspin aufweist, kann zum Bewegen des Rückseitenrahmens in der zweiten Richtung Y auf der Basis einer Rotation davon, basierend auf einem Handgriff eines Arbeiters, in der zweiten Richtung Y bewegt werden. Deshalb kann die Rotation des ersten Verbindungselements 35b, das den Überstandspin aufweist, zum Ausrichten eines angrenzenden Rückseitenrahmens 31 in der zweiten Richtung Y verwendet werden.
  • Jede von der Mehrzahl von ersten Verbindungsvorrichtungen 35 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren ein erstes Feinanpassungselement aufweisen, das in dem ersten Verbindungskörper 35a angeordnet ist, der das ein Pin-Loch aufweisende erste Verbindungselement 35b aufweist.
  • Das erste Feinanpassungselement kann in dem ersten Verbindungskörper 35a angeordnet sein und kann derart ausgeführt sein, dass es den in das Pin-Loch eingeführten Überstandspin in der ersten Richtung X oder einer dritten Richtung (oder einer Vorwärts- und Rückwärts-Richtung oder einer Dickenrichtung) Z parallel zu einer Dickenrichtung der Anzeigevorrichtung 10 bewegt. Das erste Feinanpassungselement gemäß einer Ausführungsform kann einen ersten Feinanpassungsbolzen und einen zweiten Feinanpassungsbolzen, die in dem ersten Verbindungskörper 35a angeordnet sind, aufweisen. Beispielsweise können der erste Feinanpassungsbolzen und der zweite Feinanpassungsbolzen jeweils ein Bolzen ohne Kopf sein.
  • Der erste Feinanpassungsbolzen kann auf der anderen Oberfläche des ersten Verbindungskörpers 35a, die der ersten Richtung X gegenüberliegt, angeordnet sein und kann den in das Pin-Loch eingeführten Überstandspin in der ersten Richtung X bewegen. Eine Rotation des ersten Feinanpassungsbolzens kann zum Ausrichten eines angrenzenden Rückseitenrahmens 31 in der ersten Richtung X verwendet werden.
  • Der zweite Feinanpassungsbolzen kann auf einer Rückseitenoberfläche des ersten Verbindungskörpers 35a angeordnet sein und kann den in das Pin-Loch eingeführten Überstandspin in der dritten Richtung Z bewegen. Eine Rotation des zweiten Feinanpassungsbolzens kann zum Ausrichten eines angrenzenden Rückseitenrahmens 31 in der dritten Richtung Z verwendet werden.
  • Die Mehrzahl von zweiten Verbindungsvorrichtungen 37 können in bestimmten Abständen an einem dritten Rückseitenkantenabschnitt und einem vierten Rückseitenkantenabschnitt, die parallel zu der zweiten Richtung Y angeordnet sind, auf der Rückseitenoberfläche des Rückseitenrahmens 31 angeordnet sein. Jede von der Mehrzahl von zweiten Verbindungsvorrichtungen 37 kann derart ausgeführt sein, dass sie mit einem einer zweiten Verbindungsvorrichtung eines Rückseitenrahmens, der an einem linken Abschnitt angeordnet ist, verbunden wird und dass sie, in Bezug auf die erste Richtung X, mit einer zweiten Verbindungsvorrichtung eines Rückseitenrahmens, der an einem rechten Abschnitt angeordnet ist, verbunden wird.
  • Jede von der Mehrzahl von zweiten Verbindungsvorrichtungen 37 gemäß einer Ausführungsform kann einen zweiten Verbindungskörper 37a und ein zweites Verbindungselement 37b aufweisen.
  • Der zweite Verbindungskörper 37a kann an jedem von einem dritten Rückseitenkantenabschnitt und einem vierten Rückseitenkantenabschnitt des Rückseitenrahmens 31 angeordnet sein.
  • Das zweite Verbindungselement 37b kann auf einer äußeren Oberfläche des zweiten Verbindungskörpers 37a, die in der ersten Richtung X freigelegt ist, angeordnet sein. Das zweite Verbindungselement 37b kann ein Überstandspin oder ein Pin-Loch sein. Gemäß einer Ausführungsform kann ein zweites Verbindungselement 37b einer zweiten Verbindungsvorrichtung 37, die an einem dritten Rückseitenkantenabschnitt des Rückseitenrahmens 31 angeordnet ist, ein Pin-Loch sein, und ein zweites Verbindungselement 37b einer zweiten Verbindungsvorrichtung 37, die an einem vierten Rückseitenkantenabschnitt des Rückseitenrahmens 31 angeordnet ist, kann ein Überstandspin sein.
  • Das zweite Verbindungselement 37b, das einen Überstandspin aufweist, kann zum Bewegen des Rückseitenrahmens 31 in der ersten Richtung X auf der Basis einer Rotation davon basierend auf einem Handgriff des Arbeiters in der ersten Richtung X bewegt werden. Deshalb kann die Rotation des zweiten Verbindungselements 37b, das den Überstandspin aufweist, dazu verwendet werden, einen angrenzenden Rückseitenrahmen 31 in der ersten Richtung X auszurichten.
  • Jede von der Mehrzahl von zweiten Verbindungsvorrichtungen 37 gemäß einer Ausführungsform kann des Weiteren ein zweites Feineinstellungselement aufweisen, das in dem zweiten Verbindungskörper 37a, der das ein Pin-Loch aufweisende zweite Verbindungselement 37b aufweist, angeordnet ist.
  • Das zweite Feineinstellungselement kann in dem zweiten Verbindungskörper 37a angeordnet sein und kann dazu implementiert sein, den in das Pin-Loch eingeführten Überstandspin in der zweiten Richtung Y oder der dritten Richtung Z zu bewegen. Das zweite Feineinstellungselement gemäß einer Ausführungsform kann einen dritten Feineinstellungsbolzen und einen vierten Feineinstellungsbolzen aufweisen, die in dem zweiten Verbindungskörper 37a angeordnet sind. Beispielsweise können der dritte Feineinstellungsbolzen und der vierte Feineinstellungsbolzen jeweils ein Bolzen ohne Kopf sein.
  • Der dritte Feineinstellungsbolzen kann auf der anderen Oberfläche des zweiten Verbindungskörpers 37a, der der zweiten Richtung Y gegenüberliegt, angeordnet sein und kann den in das Pin-Loch eingeführten Überstandspin in der zweiten Richtung Y bewegen. Eine Rotation des dritten Feineinstellungsbolzens kann dazu verwendet werden, einen angrenzenden Rückseitenrahmen 31 in der zweiten Richtung Y auszurichten.
  • Der vierte Feineinstellungsbolzen kann auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Verbindungskörpers 37a angeordnet sein und kann den in das Pin-Loch eingeführten Überstandspin in der dritten Richtung Z bewegen. Eine Rotation des vierten Feineinstellungsbolzens kann dazu verwendet werden, einen angrenzenden Rückseitenrahmen 31 in der dritten Richtung Z auszurichten.
  • Jede von der Mehrzahl von Rückseitenrahmeneinheiten 30-1 bis 30-4 kann ein entsprechendes Anzeigemodul der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 abstützen und kann in einer 2x2-Form in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y gekachelt sein, und die Mehrzahl von Anzeigenmodulen 10-1 bis 10-4 können, basierend auf der Kachelung, eine Großbildschirm-Anzeigevorrichtung implementieren.
  • Jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 kann keinen Umrandungsbereich (oder keinen Nicht-Anzeigebereich), der alles von einem Anzeigebereich AA umgibt, aufweisen und kann eine Luft-Umrandungsstruktur, in der der Anzeigebereich AA von Luft umgeben ist, aufweisen. Das bedeutet, dass, in jedem von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 alles von einer ersten Oberfläche eines ersten Substrats 100 als der Anzeigebereich AA ausgeführt sein kann. Deshalb kann ein Bild, das mittels einer Multi-Anzeigevorrichtung, in der die Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 in einer 2×2-Form gekachelt sind, angezeigt wird, zusammenhängend angezeigt werden, ohne einen Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) an einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigenmodulen 10-1 bis 10-4, und somit kann das Einbeziehen eines Betrachters, der ein mittels der Multi-Anzeigevorrichtung angezeigtes Bild betrachtet, verstärkt sein.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann, in jedem von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4, ein zweites Intervall D2 zwischen einem zentralen Abschnitt CP eines äußersten Pixels Po und einer äußersten äußeren Oberfläche VL des ersten Substrats 100 derart ausgeführt sein, dass es die Hälfte oder weniger eines ersten Intervalls D1 zwischen angrenzenden Pixeln beträgt. Dementsprechend kann, in zwei angrenzenden Anzeigemodulen, die an Seitenoberflächen davon in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y auf der Basis einer seitlichen Kopplungsweise miteinander verbunden sind (oder einander berühren), ein Intervall „D2+D2“ zwischen angrenzenden äußersten Pixeln Po gleich zu oder kleiner sein als das erste Intervall D1 zwischen zwei angrenzenden Pixeln.
  • Bezugnehmend auf 38 kann, in einem ersten Anzeigemodul 10-1 und einem dritten Anzeigemodul 10-3, die an Seitenoberflächen davon in der zweiten Richtung Y miteinander verbunden sind (oder einander kontaktieren) das Intervall „D2+D2“ zwischen einem zentralen Abschnitt CP eines äußersten Pixels Po des ersten Anzeigemoduls 10-1 und einem zentralen Abschnitt CP eines äußersten Pixels Po des dritten Anzeigemoduls 10-3 gleich sein zu oder kleiner sein als das erste Intervall D1 zwischen zwei benachbarten Pixeln, die in jedem von dem ersten Anzeigemodul 10-1 und dem dritten Anzeigemodul 10-3 angeordnet sind.
  • Deshalb kann das Intervall „D2+D2“ zwischen zentralen Abschnitten CP von äußersten Pixeln Po von zwei benachbarten Anzeigemodulen, die an Seitenoberflächen davon in der ersten Richtung X und der zweiten Y Richtung miteinander verbunden sind (oder einander kontaktieren), gleich sein zu oder kleiner sein als das erste Intervall D1 zwischen zwei benachbarten Pixeln, die in jedem von den Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 angeordnet sind, und somit kann zwischen zwei benachbarten Anzeigemodulen keine Fuge oder Grenzabschnitt sein, wodurch zwischen den Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 kein dunkler Bereich, der mittels eines Grenzabschnitts hervorgerufen wird, sein kann.
  • Als ein Ergebnis kann, in einem Fall, in dem der Anzeigebereich AA von jedem von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 ein Bildschirm ist und ein Bild anzeigt, eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Bild anzeigen, das nicht unterbrochen ist und an einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 durchgehend ist.
  • In 36 und 37 ist dargestellt, dass die Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 in einer 2x2-Form gekachelt sind, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt, und die Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 können in einer xx1-Form, einer 1xy-Form oder einer xxy-Form gekachelt sein. Hierbei kann x eine natürliche Zahl, die gleich 2 oder größer ist, sein, und Y kann eine natürliche Zahl, die gleich 2 oder größer ist, sein.
  • 39A und 39B sind Schaubilder, die Bilder darstellen, die jeweils mittels einer Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel und einer Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung angezeigt werden. Eine in 39B dargestellte gepunktete Linie gibt einen Grenzabschnitt zwischen Anzeigemodulen wieder und ist für ein Bild, das mittels einer Multi-Anzeigevorrichtung angezeigt wird, irrelevant.
  • Bezugnehmend auf 39A kann die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel mittels Kachelns eine Mehrzahl von Anzeigemodulen 1-1 bis 1-4, die einen Umrandungsbereich (oder einen Nicht-Anzeigebereich) BA aufweisen, der einen Anzeigebereich AA vollständig umgibt, implementiert sein, und somit ist ersichtlich, dass ein Bild, das mittels der Multi-Anzeigevorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel dargestellt wird, unterbrochen ist und an einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigemodulen 1-1 bis 1-4 aufgrund des Umrandungsbereichs BA von jedem von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 1-1 bis 1-4 angezeigt ist. Deshalb kann, in der Multi-Anzeigevorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel, aufgrund des Umrandungsbereichs BA von jedem von der Mehrzahl von Anzeigemodulen 1-1 bis 1-4 in einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigemodulen 1-1 bis 1-4 ein Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) eines Bildes auftreten, und aufgrund dessen kann das Einbeziehen eines Betrachters, der ein Bild betrachtet, abnehmen.
  • Bezugnehmend auf 39B kann die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung mittels Kachelns einer Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4, die eine Luft-Umrandungsstruktur aufweisen, in der eine gesamte erste Oberfläche eines ersten Substrats 100 ein Anzeigebereich AA ist und von Luft umgeben ist, implementiert sein, und somit ist ersichtlich, dass ein Bild, das mittels der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung angezeigt wird, an einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 durchgehend ist, ohne einen Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) des dargestellten Bildes. Deshalb kann die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Bild darstellen, das an einem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 ohne einen Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) des Bildes durchgehend ist.
  • Als ein Ergebnis kann, selbst in einem Fall, in dem die Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 in einer Gitterform an Seitenoberflächen davon miteinander verbunden sind, die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Bild anzeigen, das an dem Grenzabschnitt zwischen der Mehrzahl von Anzeigemodulen 10-1 bis 10-4 durchgehend ist, ohne einen Eindruck von Unterbrechung (oder Diskontinuität) des Bildes, wodurch das Einbeziehen eines Betrachters, der ein Bild betrachtet, verbessert ist.
  • Eine Anzeigevorrichtung und eine dieselbe aufweisende Multi-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden beschrieben werden.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, und einen Verdrahtungsabschnitt, der auf einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einer äußeren Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, auf, wobei das zweite Substrat eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt verbunden ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert und einen Isolationsstrukturbereich aufweist, aufweist.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Rückseitenisolationsschicht des Weiteren einen Nicht-Isolationsstrukturbereich abgesehen von dem Isolationsstrukturbereich aufweisen, wobei der Nicht-Isolationsstrukturbereich derart eingerichtet sein kann, dass er eine erste Dicke aufweist, und der Isolationsstrukturbereich kann derart eingerichtet sein, dass er eine zweite Dicke aufweist, die dünner ist als die erste Dicke.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Metallstrukturschicht eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht aufweisen, die Rückseitenisolationsschicht kann eine erste Isolationsschicht, die zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht, die die zweite Metallschicht überdeckt, aufweisen, und der Isolationsstrukturbereich kann nur eine von der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann jede von der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht ein anorganisches Material aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Metallstrukturschicht eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht und eine dritte Metallschicht aufweisen, die Rückseitenisolationsschicht kann eine erste Isolationsschicht, die zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, eine zweite Isolationsschicht, die zwischen der zweiten Metallschicht und der dritten Metallschicht angeordnet ist, und eine dritte Isolationsschicht, die die dritte Metallschicht überdeckt, aufweisen, und der Isolationsstrukturbereich kann die dritte Isolationsschicht und eine von der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann jede von der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht ein anorganisches Material aufweisen, und die dritte Isolationsschicht kann ein organisches Material aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Isolationsstrukturbereich eine Leiterform, eine Maschenform oder eine Inselform aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Isolationsstrukturbereich einen ersten Strukturbereich parallel zu einer ersten Richtung und eine Mehrzahl von zweiten Strukturbereichen, die von einer Seite des ersten Strukturbereichs parallel zu einer zweiten Richtung quer zu der ersten Richtung hervorstehen, aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das erste Substrat des Weiteren einen ersten Padbereich, der in dem Anzeigebereich angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt und der Mehrzahl von Pixeln verbunden ist, aufweisen, der erste Padbereich kann in jedem von äußersten Pixeln aus der Mehrzahl von Pixeln bereitgestellt sein, und die äußere Oberfläche des ersten Substrats kann ein Ende des Anzeigebereichs sein.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Anzeigevorrichtung des Weiteren einen ersten Padbereich, der an einem Kantenabschnitt des ersten Substrats angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt und der Mehrzahl von Pixeln verbunden ist, einen zweiten Padbereich, der an einem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats, der den ersten Padbereich überlappt, angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt verbunden ist, einen dritten Padbereich, der in einem Abstand von dem zweiten Padbereich auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, und einen Verbindungsleitungsabschnitt, der elektrisch zwischen den zweiten Padbereich und den dritten Padbereich geschaltet ist, aufweisen, wobei die Metallstrukturschicht dazu eingerichtet sein kann, auf einem Bereich, der den zweiten Padbereich, den dritten Padbereich und den Verbindungsleitungsabschnitt aufweist, angeordnet zu sein.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Isolationsstrukturbereich in einem Teilbereich aus einem Bereich zwischen einem zweiten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats und dem dritten Padbereich angeordnet sein, und wobei der zweite Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats parallel zu dem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats verlaufen kann.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, eine Metallstrukturschicht, die auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert, aufweisen, wobei die Rückseitenisolationsschicht einen ersten Bereich, der eine Mehrfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, und einen zweiten Bereich, der eine Einfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, aufweisen kann.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können der erste Bereich und der zweite Bereich verschiedene Dicken aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der erste Bereich eine erste Dicke aufweisen, und der zweite Bereich kann eine zweite Dicke aufweisen, die dünner ist als die erste Dicke.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Metallstrukturschicht eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht aufweisen, die Rückseitenisolationsschicht kann eine erste Isolationsschicht, die zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht, die die zweite Metallschicht überdeckt, aufweisen, der zweite Bereich kann nur eine von der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht aufweisen, und jede von der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht kann ein anorganisches Material aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der zweite Bereich eine Leiterform, eine Maschenform oder eine Inselform aufweisen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Anzeigevorrichtung des Weiteren einen Verdrahtungsabschnitt, der auf einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einer äußeren Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist und mit der Metallstrukturschicht verbunden ist, einen ersten Padbereich, der an einem Kantenabschnitt des ersten Substrats angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt und der Mehrzahl von Pixeln verbunden ist, einen zweiten Padbereich, der an einem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats, der den ersten Padbereich überlappt, angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt verbunden ist, einen dritten Padbereich, der in einem Abstand von dem zweiten Padbereich auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, und einen Verbindungsleitungsabschnitt, der elektrisch zwischen den zweiten Padbereich und den dritten Padbereich geschaltet ist, auf, wobei die Metallstrukturschicht dazu eingerichtet sein kann, auf dem zweiten Padbereich, dem dritten Padbereich und dem Verbindungsleitungsabschnitt angeordnet zu sein.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der zweite Bereich in einem Teilbereich aus einem Bereich zwischen einem zweiten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats und dem dritten Padbereich angeordnet sein, und wobei der zweite Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats parallel zu dem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats verlaufen kann.
  • Eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann eine Mehrzahl von Anzeigemodulen aufweisen, die in mindestens einer Richtung von einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung quer zu der ersten Richtung angeordnet sind, wobei jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, und einen Verdrahtungsabschnitt, der auf einer äußeren Oberfläche des ersten Substrats und einer äußeren Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, aufweisen kann, wobei das zweite Substrat eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt verbunden ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert und einen Isolationsstrukturbereich aufweist, aufweisen kann.
  • Eine Multi-Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann eine Mehrzahl von Anzeigemodulen aufweisen, die in mindestens einer Richtung von einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung quer zu der ersten Richtung angeordnet sind, wobei jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen ein erstes Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, die in einem Anzeigebereich bereitgestellt sind, ein zweites Substrat, das mit dem ersten Substrat gekoppelt ist, eine Metallstrukturschicht, die auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist, und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert, aufweisen kann, wobei die Rückseitenisolationsschicht einen ersten Bereich, der eine Mehrfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, und einen zweiten Bereich, der eine Einfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist, aufweisen kann.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann, in zwei angrenzenden Anzeigemodulen, die jeweils Seitenoberflächen aufweisen, die einander berühren, aus der Mehrzahl von Anzeigemodulen, ein zweites Intervall zwischen angrenzenden äußersten Pixeln gleich sein zu oder kleiner sein als ein erstes Intervall zwischen zwei angrenzenden Pixeln.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen des Weiteren ein Panel-Stützelement aufweisen, und das Panel-Stützelement weist eine Stützplatte, die mit einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats verbunden ist, und eine Mehrzahl von Befestigungselementen, die auf einer Rückseitenoberfläche der Stützplatte angeordnet sind, auf, wobei die Mehrzahl von Befestigungselementen mittels eines Magneten magnetisiert sind.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann bei allen elektronischen Vorrichtungen, die ein Anzeigepanel aufweisen, angewendet werden. Beispielsweise kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung bei mobilen Vorrichtungen, Bildtelefonen, Smartwatches, Watch-Phones, tragbaren Vorrichtungen, faltbaren Vorrichtungen, rollbaren Vorrichtungen, biegbaren Vorrichtungen, flexiblen Vorrichtungen, gebogenen Vorrichtungen, elektronischen Organizern, E-Books, tragbaren Multimedia-Playern, persönlichen digitalen Assistenten (PDAs), MP3-Playern, mobilen medizinischen Vorrichtungen, Desktop-Personal-Computers (PCs), Laptop-PCs, Netbook-Computern, Arbeitsplatzrechnern. Navigationsvorrichtungen, Automobil-Navigationsvorrichtungen, Automobil-Anzeigevorrichtungen, TVs, Tapeten-Anzeigevorrichtungen, Leitsystem-Vorrichtungen, Spielautomaten, Notebook-Computern, Monitoren, Kameras, Camcordern, Heimapplikationen etc. angewendet werden.
  • Das Merkmal, die Struktur und der Effekt der vorliegenden Offenbarung, wie oben beschrieben, sind in mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten, sind jedoch nicht auf nur eine Ausführungsform beschränkt. Des Weiteren können das Merkmal, die Struktur und der Effekt, die in mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind, von einem Fachmann durch Kombination oder Modifikation von anderen Ausführungsformen ausgeführt werden. Deshalb sollte ein Inhalt, der mit der Kombination und Modifikation assoziiert ist, derart ausgelegt werden, dass er innerhalb des Anwendungsbereichs der vorliegenden Offenbarung liegt.
  • Es ist offensichtlich für den Fachmann, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne von dem Anwendungsbereich der Offenbarung abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdecken, solange sie innerhalb des Anwendungsbereichs der angehängten Ansprüche liegen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020190180117 [0001]
    • KR 1020130060476 [0139]
    • KR 1020130030598 [0139]
    • KR 1020160093179 [0144]
    • KR 1020170054654 [0144]
    • KR 1020180002099 [0144]

Claims (21)

  1. Eine Anzeigevorrichtung (10), aufweisend: ein erstes Substrat (100), das eine Mehrzahl von Pixeln (P), die in einem Anzeigebereich (AA) bereitgestellt sind, aufweist; ein zweites Substrat (200), das mit dem ersten Substrat (100) gekoppelt ist; und einen Verdrahtungsabschnitt (400), der auf einer äußeren Oberfläche (OS) des ersten Substrats (100) und einer äußeren Oberfläche (OS) des zweiten Substrats (200) angeordnet ist, wobei das zweite Substrat (200) aufweist: eine Metallstrukturschicht, die mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) verbunden ist; und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert und einen Isolationsstrukturbereich aufweist.
  2. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 1, wobei die Rückseitenisolationsschicht ferner einen Nicht-Isolationsstrukturbereich abgesehen von dem Isolationsstrukturbereich aufweist, wobei der Nicht-Isolationsstrukturbereich derart eingerichtet ist, dass er eine erste Dicke aufweist, und wobei der Isolationsstrukturbereich derart eingerichtet ist, dass er eine zweite Dicke aufweist, die dünner ist als die erste Dicke.
  3. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei: die Metallstrukturschicht eine erste Metallschicht (201) und eine zweite Metallschicht (203) aufweist, die Rückseitenisolationsschicht eine erste Isolationsschicht (202), die zwischen der ersten Metallschicht (201) und der zweiten Metallschicht (203) angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht (204), die die zweite Metallschicht (203) überdeckt, aufweist, und der Isolationsstrukturbereich nur eine von der ersten Isolationsschicht (202) und der zweiten Isolationsschicht (204) aufweist.
  4. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 3, wobei jede von der ersten Isolationsschicht (202) und der zweiten Isolationsschicht (204) ein anorganisches Material aufweist.
  5. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei: die Metallstrukturschicht eine erste Metallschicht (201), eine zweite Metallschicht (203) und eine dritte Metallschicht (205) aufweist, die Rückseitenisolationsschicht eine erste Isolationsschicht (202), die zwischen der ersten Metallschicht (201) und der zweiten Metallschicht (203) angeordnet ist, eine zweite Isolationsschicht (204), die zwischen der zweiten Metallschicht (203) und der dritten Metallschicht (205) angeordnet ist, und eine dritte Isolationsschicht (206), die die dritte Metallschicht (205) überdeckt, aufweist, und der Isolationsstrukturbereich die dritte Isolationsschicht (206) und eine von der ersten Isolationsschicht (202) und der zweiten Isolationsschicht (204) aufweist.
  6. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 5, wobei: jede von der ersten Isolationsschicht (202) und der zweiten Isolationsschicht (204) ein anorganisches Material aufweist, und die dritte Isolationsschicht (206) ein organisches Material aufweist.
  7. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Isolationsstrukturbereich eine Leiterform, eine Maschenform oder eine Inselform aufweist.
  8. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Isolationsstrukturbereich aufweist: einen ersten Strukturbereich parallel zu einer ersten Richtung (X); und eine Mehrzahl von zweiten Strukturbereichen, die von einer Seite des ersten Strukturbereichs parallel zu einer zweiten Richtung (Y) quer zu der ersten Richtung (X) hervorstehen.
  9. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei: das erste Substrat (100) ferner einen ersten Padbereich (110), der in dem Anzeigebereich (AA) angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) und der Mehrzahl von Pixeln (P) verbunden ist, aufweist, der erste Padbereich (110) in jedem von äußersten Pixeln aus der Mehrzahl von Pixeln (P) bereitgestellt ist, und die äußere Oberfläche (OS) des ersten Substrats (100) ein Ende des Anzeigebereichs (AA) ist.
  10. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend: einen ersten Padbereich (110), der an einem Kantenabschnitt des ersten Substrats (100) angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) und der Mehrzahl von Pixeln (P) verbunden ist; einen zweiten Padbereich (210), der an einem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200), der den ersten Padbereich (110) überlappt, angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) verbunden ist; einen dritten Padbereich (230), der in einem Abstand von dem zweiten Padbereich (210), auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats (200) angeordnet ist; und einen Verbindungsleitungsabschnitt (250), der elektrisch zwischen den zweiten Padbereich (210) und den dritten Padbereich (230) geschaltet ist, wobei die Metallstrukturschicht dazu eingerichtet ist, auf einem Bereich, der den zweiten Padbereich (210), den dritten Padbereich (230) und den Verbindungsleitungsabschnitt (250) aufweist, angeordnet zu sein.
  11. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 10, wobei der Isolationsstrukturbereich in einem Teilbereich aus einem Bereich zwischen einem zweiten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200) und dem dritten Padbereich (230) angeordnet ist, und wobei der zweite Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200) parallel zu dem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200) verläuft.
  12. Eine Anzeigevorrichtung (10), aufweisend: ein erstes Substrat (100), das eine Mehrzahl von Pixeln (P) aufweist, die in einem Anzeigebereich (AA) bereitgestellt sind; ein zweites Substrat (200), das mit dem ersten Substrat (100) gekoppelt ist; eine Metallstrukturschicht, die auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats (200) angeordnet ist; und eine Rückseitenisolationsschicht, die die Metallstrukturschicht isoliert, wobei die Rückseitenisolationsschicht aufweist: einen ersten Bereich (A1), der eine Mehrfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist; und einen zweiten Bereich (A2), der eine Einfach-Anorganische-Schichtstruktur aufweist.
  13. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 12, wobei der erste Bereich (A1) und der zweite Bereich (A2) verschiedene Dicken aufweisen.
  14. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei: der erste Bereich (A1) eine erste Dicke aufweist, und der zweite Bereich (A2) eine zweite Dicke aufweist, die dünner ist als die erste Dicke.
  15. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei: die Metallstrukturschicht eine erste Metallschicht (201) und eine zweite Metallschicht (203) aufweist, die Rückseitenisolationsschicht eine erste Isolationsschicht (202), die zwischen der ersten Metallschicht (201) und der zweiten Metallschicht (203) angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht (204), die die zweite Metallschicht (203) überdeckt, aufweist, der zweite Bereich (A2) nur eine von der ersten Isolationsschicht (202) und der zweiten Isolationsschicht (204) aufweist, und jede von der ersten Isolationsschicht (202) und der zweiten Isolationsschicht (204) ein anorganisches Material aufweist.
  16. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, wobei der zweite Bereich (A2) eine Leiterform, eine Maschenform oder eine Inselform aufweist.
  17. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16, ferner aufweisend: einen Verdrahtungsabschnitt (400), der auf einer äußeren Oberfläche (OS) des ersten Substrats (100) und einer äußeren Oberfläche (OS) des zweiten Substrats (200) angeordnet ist und mit der Metallstrukturschicht verbunden ist; einen ersten Padbereich (110), der an einem Kantenabschnitt des ersten Substrats (100) angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) und der Mehrzahl von Pixeln (P) verbunden ist; einen zweiten Padbereich (210), der an einem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200), der den ersten Padbereich (110) überlappt, angeordnet ist und mit dem Verdrahtungsabschnitt (400) verbunden ist; einen dritten Padbereich (230), der in einem Abstand von dem zweiten Padbereich (210) angeordnet ist, auf einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats (200); und einen Verbindungsleitungsabschnitt (250), der elektrisch zwischen den zweiten Padbereich (210) und den dritten Padbereich (230) geschaltet ist, wobei die Metallstrukturschicht dazu eingerichtet ist, auf dem zweiten Padbereich (210), dem dritten Padbereich (230) und dem Verbindungsleitungsabschnitt (250) angeordnet zu sein.
  18. Die Anzeigevorrichtung (10) gemäß Anspruch 17, wobei der zweite Bereich (A2) in einem Teilbereich aus einem Bereich zwischen einem zweiten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200) und dem dritten Padbereich (230) angeordnet ist, und wobei der zweite Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200) parallel zu dem ersten Rückseitenkantenabschnitt des zweiten Substrats (200) verläuft.
  19. Eine Multi-Anzeigevorrichtung, aufweisend: eine Mehrzahl von Anzeigemodulen (10-1, 10-2, 10-3, 10-4), die in mindestens einer Richtung von einer ersten Richtung (X) und einer zweiten Richtung (Y) quer zu der ersten Richtung (X) angeordnet sind, wobei jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen (10-1, 10-2, 10-3, 10-4) die Anzeigevorrichtung (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18 aufweist.
  20. Die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 19, wobei, in zwei benachbarten Anzeigemodulen, die jeweils Seitenoberflächen, die einander berühren, aufweisen, aus der Mehrzahl von Anzeigemodulen (10-1, 10-2, 10-3, 10-4), ein zweites Intervall (D2+D2) zwischen benachbarten äußersten Pixeln gleich ist zu oder kleiner ist als ein erstes Intervall (D1) zwischen zwei benachbarten Pixeln.
  21. Die Multi-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 19 oder 20, wobei: jedes von der Mehrzahl von Anzeigemodulen (10-1, 10-2, 10-3, 10-4) ferner ein Panel-Stützelement (600) aufweist, und das Panel-Stützelement (600) aufweist: eine Stützplatte (610), die mit einer Rückseitenoberfläche des zweiten Substrats (200) verbunden ist; und eine Mehrzahl von Befestigungselementen (630), die auf einer Rückseitenoberfläche der Stützplatte (610) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Befestigungselementen (630) mittels eines Magneten magnetisiert sind.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130030598A (ko) 2011-09-19 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 ＲＧＢ-ｔｏ-ＲＧＢＷ 변환방법과 이를 이용한 표시장치
KR20130060476A (ko) 2011-11-30 2013-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법
KR20160093179A (ko) 2015-01-28 2016-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR20170054654A (ko) 2015-11-10 2017-05-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR20180002099A (ko) 2016-06-28 2018-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 영상 데이터 보정방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102582059B1 (ko) * 2016-12-30 2023-09-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
WO2019030858A1 (ja) * 2017-08-09 2019-02-14 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130030598A (ko) 2011-09-19 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 ＲＧＢ-ｔｏ-ＲＧＢＷ 변환방법과 이를 이용한 표시장치
KR20130060476A (ko) 2011-11-30 2013-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법
KR20160093179A (ko) 2015-01-28 2016-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR20170054654A (ko) 2015-11-10 2017-05-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR20180002099A (ko) 2016-06-28 2018-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 영상 데이터 보정방법

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