DE102020122871A1 - Halbleiter-Die mit Sensorabschnitt am Rand - Google Patents

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Abstract

Vorgeschlagen wird ein Halbleiter-Die (100), wobei der Halbleiter-Die (100) einen mikroelektronischen Abschnitt (101) und einen Sensorabschnitt (103) aufweist. Der mikroelektronische Abschnitt (101) weist einen integrierten Schaltkreis (102) auf. Der Sensorabschnitt (103) grenzt an einen Rand (104) des Halbleiter-Dies (100). Ebenso wird ein Sensor vorgeschlagen, welcher einen solchen Halbleiter-Die (100) umfasst.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sensor und einen Halbleiter-Die für die Herstellung eines Sensors.
  • Moderne Sensoren werden zunehmend auf der Basis von Halbleiter-Dies hergestellt, die einen mikroelektronischen Abschnitt und einen Sensorabschnitt aufweisen. Mit Hilfe von etablierten Halbleiterprozesstechniken werden viele funktionelle Einheiten durch Prozessierung eines Halbleiterwafers gemeinsam hergestellt, wobei der prozessierte Halbleiterwafer danach in eine Vielzahl von Halbleiter-Dies geteilt wird, die die Grundlage für die einzelnen Sensoren bilden.
  • Die Integration des Sensorabschnitts und des mikroelektronischen Abschnitts in einem einzigen Halbleiter-Die ermöglicht kurze Signalwege, wodurch störende Einflüsse auf die Messsignale gering gehalten werden können. Darüber hinaus führt die Integration zu besonders kompakten Sensoren und hilft, deren Energieverbrauch zu reduzieren.
  • Zunehmend besteht Bedarf an Sensoren, die über einen langen Verwendungszeitraum eine möglichst geringe Drift der Sensorsignalwerte aufweisen.
  • Um diesem Bedarf gerecht zu werden, wird ein Halbleiter-Die gemäß Hauptanspruch und ein Sensor gemäß Nebenanspruch vorgeschlagen. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Vorgeschlagen wird ein Halbleiter-Die, der einen mikroelektronischen Abschnitt und einen Sensorabschnitt aufweist. Der mikroelektronische Abschnitt umfasst einen integrierten Schaltkreis. Der Sensorabschnitt grenzt an einen Rand des Halbleiter-Dies.
  • Es wurde erkannt, dass die Anordnung des Sensorabschnitts am Rand des Halbleiter-Dies gegenüber einer Anordnung des Sensorabschnitts in der Mitte des Halbleiter-Dies, bei welcher der Sensorabschnitt vom mikroelektronischen Abschnitt umgeben ist, zu verbesserten Sensorsignalwerten führt.
  • Die im Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies vorgesehenen Strukturen werden typischerweise zusammen mit Halbleiterstrukturen des mikroelektronischen Abschnitts beim FEOL-Prozessieren („front end of line processing“) des Wafers hergestellt. Unter FEOL-Prozessierung versteht man dabei üblicherweise sämtliche Prozessierungsschritte, die vor der ersten Metallisierungsschicht, die zur elektrischen Verbindung der einzelnen Halbleiterbauelemente des mikroelektronischen Abschnitts dient, durchgeführt werden.
  • Die im Rahmen der BEOL-Prozessierung („back end of line processing“) hinzugefügten Metallisierungs- und Oxidschichten führen häufig zu einer signifikanten Stufe zwischen dem Sensorabschnitt und dem mikroelektronischen Abschnitt. Das Vorhandensein von Stufen kann auch als Topographie bezeichnet werden. Es wurde festgestellt, dass sich gerade diese hohe Stufe nachteilig auf das Verhalten des Sensors auswirkt. Indem der Sensorabschnitt an einen Rand des Halbleiter-Dies grenzt, liegt eine solche Stufe nur an einem geringen Teil des Umfangs des Sensorabschnitts vor, sodass der Einfluss dieser Stufe auf die Sensorgenauigkeit gegenüber herkömmlichen Sensoren verringert ist. Weiter wird durch die Anordnung des Sensorabschnitts am Rand des Halbleiter-Dies die Reinigung des Sensorabschnitts vereinfacht. Insbesondere können sich Partikel nicht so einfach im Sensorabschnitt sammeln, wie es bei einem Sensorabschnitt der von einem erhöhten mikroelektronischen Abschnitt vollständig umgeben ist, möglich ist.
  • In einer Ausgestaltung ist vorgesehen, dass der Sensorabschnitt ein Drucksensorelement, insbesondere ein kapazitives Drucksensorelement, und/oder ein Magnetsensorelement, insbesondere ein Hall-Sensorelement, und/oder ein Beschleunigungssensorelement und/oder ein Ultraschall-Transducer-Element und/oder ein Schallwandlerelement aufweist.
  • Die vorteilhafte Anordnung des Sensorabschnitts an einem Rand des Halbleiter-Dies kann sich bei sämtlichen dieser Elemente zeigen.
  • Es kann insbesondere vorgesehen sein, dass der Sensorabschnitt einen beweglichen Bereich aufweist. Ein beweglicher Bereich kann insbesondere einen mechanisch beweglichen Bereich umfassen. Der bewegliche Bereich kann insbesondere eine Membran sein. Mit Hilfe des beweglichen Bereichs können beispielsweise Drücke und/oder Beschleunigungen gemessen werden.
  • Im mikroelektronischen Abschnitt des Halbleiter-Dies kann eine Die-Kontaktierungsfläche vorgesehen sein. Die Die-Kontaktierungsfläche kann dazu eingerichtet sein, den Halbleiter-Die und insbesondere den integrierten Schaltkreis mit weiteren Bauelementen elektrisch zu verbinden. Die Kontaktierungsfläche kann auch als Pad bezeichnet werden.
  • In Ausgestaltungen des Halbleiter-Dies ist dabei vorgesehen, dass die Die-Kontaktierungsfläche an einer vom Sensorabschnitt abgewandten Seite des mikroelektronischen Abschnitts angeordnet ist. Auf diese Weise kann der Abstand von Bondingdrähten, die zur elektrischen Verbindung des Halbleiter-Dies benötigt werden, und dem Sensorabschnitt vergrößert werden, sodass die Bondingdrähte das Verhalten des Sensors weniger negativ beeinflussen können.
  • Der Sensorabschnitt kann insbesondere frei von einer metallischen Zwischenverbindungsschicht sein. Insbesondere kann der Sensorabschnitt frei von einer metallischen Zwischenverbindungsschicht sein, die während der BEOL-Prozessierung des mikroelektronischen Abschnitts aufgebracht wird. Der Sensorabschnitt kann insbesondere abgesehen von dem Übergang zum mikroelektronischen Abschnitt im Wesentlichen frei von Erhöhungen zum Rand des Halbleiter-Dies hin sein.
  • Der Halbleiter-Die kann in einer Aufsicht eine rechteckige Form haben, wobei der Halbleiter-Die durch eine Ebene in einen in der Aufsicht rechteckigen mikroelektronischen Abschnitt und einen in der Aufsicht rechteckigen Sensorabschnitt unterteilt ist. Der Sensorabschnitt kann sich über eine gesamte Halbleiter-Die-Seite erstrecken.
  • Weiter wird ein Sensor mit einem voranstehend beschriebenen Halbleiter-Die vorgeschlagen. Der Sensor weist ein Gehäuse auf, wobei das Gehäuse eine Montagefläche, einen Kontaktanschluss und eine mit dem Kontaktanschluss elektrisch leitend verbundene Gehäusekontaktierungsfläche aufweist. Der Sensor weist einen Bondingdraht auf, mit dem die Die-Kontaktierungsfläche mit der Gehäusekontaktierungsfläche elektrisch leitend verbunden ist. Der Halbleiter-Die ist mit der Montagefläche mechanisch verbunden. Die mechanische Verbindung kann insbesondere mittels eines Klebstoffs hergestellt sein.
  • In einer Ausgestaltung des Sensors ist der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies frei von einer Benetzung mit dem Klebstoff.
  • Die fehlende feste mechanische Verbindung von dem Sensorabschnitt mit der Montagefläche kann die Erzeugung von Spannungen im Sensorabschnitt verringern.
  • Der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies des Sensors kann mit einem Gel bedeckt sein. Das Gel kann die im Sensorabschnitt befindlichen Sensorelemente vor schädlichen Umgebungsbedingungen, z.B. Flüssigkeiten, Gasen, schützen.
  • Eine weitere Ausgestaltung des Sensors sieht vor, dass die Die-Kontaktierungsfläche und/oder der Bondingdraht und/oder die Gehäusekontaktierungsfläche in einer Einkapselung eingebettet sind. Dadurch können die Die-Kontaktierungsfläche, der Bondingdraht und die Gehäusekontaktierungsfläche vor schädlichen Umwelteinflüssen geschützt werden. Insbesondere kann die Einkapselung das Risiko, dass sich der Bondingdraht aufgrund von mechanischen Einwirkungen von der Die-Kontaktierungsfläche und/oder der Gehäusekontaktierungsfläche löst, verringern.
  • Die Einkapselung kann insbesondere durch filmunterstütztes Gießen („film assisted molding“, FAM) hergestellt sein. Die vorgeschlagene Anordnung des Sensorabschnitts angrenzend an einen Rand des Halbleiter-Dies kann dabei eine Einkapselung durch filmunterstütztes Gießen erst ermöglichen. Das filmunterstützte Gießen als Packaging-Verfahren kann Sensoren ermöglichen, die sich gegenüber herkömmlichen Sensoren durch eine verringerte Abmessung auszeichnen.
  • Auf der der Berechtigungsfläche abgewandten Seite des Halbleiter-Dies kann ein Stopper zur Verhinderung einer Benetzung des Sensorabschnitts mit einem Material der Einkapselung vorgesehen sein. Insbesondere kann der Stopper zur Trennung der Einkapselung und des Gels vorgesehen sein. Auf diese Weise kann verhindert werden, dass das Material für die Einkapselung an den Sensorabschnitt gelangt und dort die Sensorelemente negativ beeinflusst.
  • In einer Ausgestaltung des Sensors ist vorgesehen, dass auf der der Montagefläche zugewandten Seite des Halbleiter-Dies eine Barriere zur Verhinderung einer Benetzung des Sensorabschnitts mit dem Klebstoff vorgesehen ist.
  • Der vorgeschlagene Halbleiter-Die und der darauf aufbauende Sensor werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Darin zeigt:
    • 1 einen Halbleiter-Die in einer Querschnittsansicht;
    • 2 den Halbleiter-Die nach 1 in der Aufsicht;
    • 3 einen Sensor im Querschnitt;
    • 4 einen Sensor im Querschnitt;
    • 5 einen Sensor in der Aufsicht;
    • 6 einen Sensor in der Aufsicht;
    • 7 einen Verfahrensschritt zur Herstellung eines Sensors;
    • 8 einen weiteren Verfahrensschritt zur Herstellung des Sensors;
    • 9 einen Sensor nach dem in 8 gezeigten Verfahrensschritt; und
    • 10 den Sensor nach einem weiteren Verfahrensschritt.
  • Der in der 1 gezeigte Halbleiter-Die 100 weist einen mikroelektronischen Abschnitt 101 und einen Sensorabschnitt 103 auf. Der mikroelektronische Abschnitt 101 und der Sensorabschnitt sind durch eine Ebene 108 voneinander getrennt. Im mikroelektronischen Abschnitt 101 sind mehrere Halbleiterbauelemente vorgesehen, wie es durch den Transistor 102 angedeutet ist. Im mikroelektronischen Abschnitt können insbesondere Verstärkerschaltkreise, Analog-Digital-Wandler, Logikbausteine, ASICs, FPGAs vorgesehen sein, mit denen von in dem Sensorabschnitt vorgesehenen Sensorelementen generierte Sensorsignale ausgewertet werden können. Der Sensorabschnitt 103 grenzt dabei an einen Rand 104 des Halbleiter-Dies 100. Ein Sensorelement, welches im Sensorabschnitt 103 vorgesehen ist, weist eine Membran 105 auf. Das Sensorelement befindet sich in den Schichten 121, welche bei der FEOL-Prozessierung hergestellt worden sind. Insbesondere befindet sich das Sensorelement in den Schichten, die zusammen mit dem Halbleiterbauelement 102 gefertigt wurden. Oberhalb des Halbleiterbauelements 102 sind mehrere Metallisierungsschichten 107 vorgesehen, mit welchen das Halbleiterbauelement 102 mit anderen Halbleiterbauelementen elektrisch verschaltet ist. Weiter sind die auch als Zwischenverbindungsschichten bezeichneten Metallisierungsschichten 107 mit einer Halbleiter-Die-Kontaktierungsfläche 106 verbunden.
  • Die Metallisierungsschichten 107 und die Halbleiter-Die-Kontaktierungsfläche 106 wurden im Rahmen der BEOL-Prozessierung hergestellt. Die zusätzlichen Schichten, die während der BEOL-Prozessierung hergestellt wurden, führen zu einer Stufe 122 zwischen dem Sensorabschnitt 103 und dem mikroelektronischen Abschnitt 101. Da der Sensorabschnitt 103 an den Rand 104 des Halbleiter-Dies 100 grenzt, liegt diese Stufe 122 nur an einer Seite des Sensorabschnitts 103 vor, sodass sie gegenüber herkömmlichen Anordnungen des Sensorabschnitts einen geringeren Einfluss auf das Verhalten der Sensorelemente hat. Weiter können sich im Sensorabschnitt 103 weniger einfach Fremdpartikel sammeln.
  • 2 zeigt den in der 1 dargestellten Halbleiter-Die 100 in der Aufsicht. Der Halbleiter-Die 100 hat dabei in der Aufsicht eine im Wesentlichen rechteckige Form. Die Ebene 108 trennt den Halbleiter-Die 100 in einen Sensorabschnitt 103 und einen mikroelektronischen Abschnitt 101. Die Ebene ist dabei so angeordnet, dass der Sensorabschnitt 103 und der mikroelektronische Abschnitt 101 in der Aufsicht ebenfalls eine rechteckige Form aufweisen.
  • 3 zeigt einen Sensor 300. Der Sensor 300 umfasst ein Gehäuse mit einer Montagefläche 309, auf welcher ein Halbleiter-Die mittels Klebstoff 313 angebracht ist. Das Gehäuse weist eine Gehäusekontaktierungsfläche 311 auf. Mittels eines Bondingdrahtes 312 ist die Halbleiter-Die-Kontaktierungsfläche 106 mit der Gehäusekontaktierungsfläche 311 elektrisch verbunden.
  • Die Halbleiter-Die-Kontaktierungsfläche 106, der Bondingdraht 312 und die Gehäusekontaktierungsfläche 311 sind in einer Einkapselung 315 angeordnet.
  • Der Halbleiter-Die kann optional einen Stopper 316 aufweisen, mit dem verhindert werden kann, dass das Material der Einkapselung 315 den Sensorabschnitt, in welchem sich die Membran 105 befindet, benetzt. Zum Schutz der Sensorelemente im Sensorabschnitt ist ein Gel 314 vorgesehen, welches auch die Membran 105 abdeckt.
  • 4 zeigt einen dem Sensor 300 ähnlichen Sensor 400. Im Unterschied zum Sensor 300 ist bei dem Sensor 400 unterhalb des Sensorabschnitts kein Klebstoff 313 vorgesehen. Vielmehr verhindert eine Barriere 417, dass beim Anbringen des Halbleiter-Dies auf der Montagefläche 309 eine mechanische Verbindung zwischen dem Sensorabschnitt und der Montagefläche 309 hergestellt wird. Auf diese Weise kann das Risiko, dass mechanische Spannungen vom Gehäuse auf den Sensorabschnitt übertragen werden, verringert werden.
  • 5 zeigt einen weiteren Sensor 500 in der Aufsicht. Das Gehäuse des Sensors 500 weist Kontaktanschlüsse 510 auf, die mit Gehäusekontaktierungsflächen 311 verbunden sind. Bondingdrähte 312 stellen eine elektrische Verbindung zwischen den Gehäusekontaktierungsflächen 311 und den Halbleiter-Die-Kontaktierungsflächen 106 her. Die Gehäusekontaktierungsflächen 311, die Bondingdrähte 312 und die Halbleiter-Die-Kontaktierungsflächen 106 sind in einer Einkapselung 315 angeordnet. Die Einkapselung 315 kann beispielsweise durch ein Epoxidharz hergestellt sein. Der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies 100 ist mit einem Gel 314 abgedeckt, um die Sensorelemente des Sensorabschnitts vor Umwelteinflüssen zu schützen.
  • 6 zeigt einen dem Sensor 500 ähnlichen Sensor 600 in der Aufsicht. Der Sensor 600 unterscheidet sich von dem in der 5 gezeigten Sensor 500 durch die Ausrichtung des Halbleiter-Dies 100 in dem Gehäuse. Die gewählte Ausrichtung des Halbleiter-Dies 100 erlaubt es, 6 Gehäusekontaktierungsflächen 311 mit 6 Bondingdrähten 312 mit 6 Halbleiter-Die-Kontaktierungsflächen zu verbinden.
  • 7 illustriert einen Verfahrensschritt zur Herstellung eines Sensors 900 (vgl. 9). Ein Halbleiter-Die mit einem Sensorabschnitt 703 und einem mikroelektronischen Abschnitt 701 ist mit der Montagefläche 709 eines Gehäuses, insbesondere eines Lead Frames, mechanisch verbunden. Die elektrische Verbindung zwischen einer Halbleiter-Die-Kontaktierungsfläche und einer Gehäusekontaktierungsfläche ist mit einem Bondingdraht 712 hergestellt. Die Gehäusekontaktierungsfläche ist mit einem Kontaktanschluss 710 elektrisch verbunden.
  • Gezeigt sind eine obere Formhälfte 718 und eine untere Formhälfte 719, zwischen denen das Gehäuse 700 mit dem Halbleiter-Die angeordnet ist. Zwischen dem Gehäuse 700 und den Formhälften 718 und 719 ist jeweils eine Folie 720 vorgesehen.
  • Nach dem Zusammenfahren der beiden Formhälften 718 und 719, wie es in der 8 gezeigt ist, dichtet die Folie 720 die Kontaktstellen zwischen den Formhälften 718 und 719 sowie dem Gehäuse 700 bzw. dem Halbleiter-Die ab. Nach dem Schließen der Formen 718 und 719 wird ein Material zur Herstellung der Einkapselung 815 eingebracht. Aufgrund der Formgebung der Formen 718 und 719 sowie der Abdichtung durch die Folie 720 bleibt der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies frei von einer Benetzung mit dem Material der Einkapselung 815. Der Bondingdraht 712 und die von diesem kontaktierten Gehäusekontaktierungsflächen und Halbleiter-Die-Kontaktierungsflächen werden vom Material der Einkapselung 815 umgeben.
  • In der 9 ist der Sensor 900 nach dem Entformen gezeigt. Der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies ist dabei nicht vom Material der Einkapselung 815 umgeben.
  • 10 zeigt, dass der Sensorabschnitt abschließend mit einem Gel 1014 abgedeckt werden kann, um eine Kontamination des Sensorabschnitts mit Fremdpartikeln oder anderen schädlichen Umwelteinflüssen zu verhindern.
  • Einige Ausführungsbeispiele werden durch die nachfolgenden Beispiele definiert:
    • Beispiel 1. Halbleiter-Die, wobei der Halbleiter-Die einen mikroelektronischen Abschnitt aufweist, wobei der mikroelektronische Abschnitt einen integrierten Schaltkreis aufweist, wobei der Halbleiter-Die einen Sensorabschnitt aufweist, wobei der Sensorabschnitt an einen Rand des Halbleiter-Dies grenzt.
    • Beispiel 2. Halbleiter-Die nach Beispiel 1, wobei der Sensorabschnitt ein Drucksensorelement, insbesondere ein kapazitives Drucksensorelement, und/oder ein Magnetsensorelement, insbesondere ein Hall-Sensorelement, und/oder ein Beschleunigungssensorelement und/oder ein Ultraschall-Transducer-Element und/oder ein Schallwandlerelement aufweist.
    • Beispiel 3. Halbleiter-Die nach Beispiel 1 oder 2, wobei der Sensorabschnitt einen beweglichen Bereich aufweist.
    • Beispiel 4. Halbleiter-Die nach einem der voranstehenden Beispiele, wobei der Halbleiter-Die im mikroelektronischen Abschnitt eine Die-Kontaktierungsfläche aufweist.
    • Beispiel 5. Halbleiter-Die nach Beispiel 4, wobei die Die-Kontaktierungsfläche an einer vom Sensorabschnitt abgewandten Seite des mikroelektronischen Abschnitts angeordnet ist.
    • Beispiel 6. Halbleiter-Die nach einem der voranstehenden Beispiele, wobei der Sensorabschnitt frei von einer metallischen Zwischenverbindungschicht ist.
    • Beispiel 7. Halbleiter-Die nach einem der voranstehenden Beispiele, wobei der Halbleiter-Die in einer Aufsicht eine rechteckige Form hat, wobei der Halbleiter-Die durch eine Ebene in einen in der Aufsicht rechteckigen mikroelektronischen Abschnitt und in einen in der Aufsicht rechteckigen Sensorabschnitt unterteilt ist.
    • Beispiel 8. Sensor mit einem Halbleiter-Die nach einem der voranstehenden Beispiele, mit einem Gehäuse, wobei das Gehäuse eine Montagefläche, einen Kontaktanschluss und eine mit dem Kontaktanschluss elektrisch leitend verbundenen Gehäusekontaktierungsfläche aufweist, und mit einem Bondingdraht, wobei die Die-Kontaktierungsfläche mittels des Bondingdrahts mit der Gehäusekontaktierungsfläche elektrisch leitend verbunden ist, wobei der Halbleiter-Die, insbesondere mittels eines Klebstoffs, mit der Montagfläche mechanisch verbunden ist.
    • Beispiel 9. Sensor nach Beispiel 8, wobei der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies frei von einer Benetzung mit dem Klebstoff ist.
    • Beispiel 10. Sensor nach Beispiel 8 oder 9, wobei der Sensorabschnitt des Halbleiter-Dies mit einem Gel bedeckt ist.
    • Beispiel 11. Sensor nach einem der Beispiele 8 bis 10, wobei Die-Kontaktierungsfläche und/oder der Bondingdraht und/oder die Gehäusekontaktierungsfläche in einer Einkapselung eingebettet sind.
    • Beispiel 12. Sensor nach Beispiel 11, wobei die Einkapselung durch filmunterstütztes Gießen hergestellt ist.
    • Beispiel 13. Sensor nach einem der Beispiele 8 bis 12, wobei auf der der Montagefläche abgewandten Seite des Halbleiter-Dies ein Stopper zur Verhinderung einer Benetzung des Sensorabschnitts mit einem Material der Einkapselung, insbesondere zur Trennung der Einkapselung und des Gels vorgesehen ist.
    • Beispiel 14. Sensor nach einem der Beispiele 8 bis 13, wobei auf der der Montagefläche zugewandten Seite des Halbleiter-Dies eine Barriere zur Verhinderung einer Benetzung des Sensorabschnitts mit dem Klebstoff vorgesehen ist.
  • Obgleich in dieser Beschreibung spezifische Ausführungsbeispiele illustriert und beschrieben wurden, werden Personen mit üblichem Fachwissen erkennen, dass eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Implementierung als Substitution für die spezifischen Ausführungsbeispiele, die in dieser Beschreibung gezeigt und beschrieben sind, ohne von dem Umfang der gezeigten Erfindung abzuweichen, gewählt werden können. Es ist die Intention, dass diese Anmeldung alle Adaptionen oder Variationen der spezifischen Ausführungsbeispiele, die hier diskutiert werden, abdeckt. Daher ist es beabsichtigt, dass diese Erfindung nur durch die Ansprüche und die Äquivalente der Ansprüche beschränkt ist.

Claims (14)

  1. Halbleiter-Die (100), wobei der Halbleiter-Die (100) einen mikroelektronischen Abschnitt (101) aufweist, wobei der mikroelektronische Abschnitt (101) einen integrierten Schaltkreis (102) aufweist, wobei der Halbleiter-Die (100) einen Sensorabschnitt (103) aufweist, wobei der Sensorabschnitt (103) an einen Rand (104) des Halbleiter-Dies (100) grenzt.
  2. Halbleiter-Die (100) nach Patentanspruch 1, wobei der Sensorabschnitt (103) ein Drucksensorelement, insbesondere ein kapazitives Drucksensorelement, und/oder ein Magnetsensorelement, insbesondere ein Hall-Sensorelement, und/oder ein Beschleunigungssensorelement und/oder ein Ultraschall-Transducer-Element und/oder ein Schallwandlerelement aufweist.
  3. Halbleiter-Die (100) nach Patentanspruch 1 oder 2, wobei der Sensorabschnitt (103) einen beweglichen Bereich (105) aufweist.
  4. Halbleiter-Die (100) nach einem der voranstehenden Patentansprüche, wobei der Halbleiter-Die (100) im mikroelektronischen Abschnitt (101) eine Die-Kontaktierungsfläche (106) aufweist.
  5. Halbleiter-Die (100) nach Patentanspruch 4, wobei die Die-Kontaktierungsfläche (106) an einer vom Sensorabschnitt (103) abgewandten Seite des mikroelektronischen Abschnitts (101) angeordnet ist.
  6. Halbleiter-Die nach einem der voranstehenden Patentansprüche, wobei der Sensorabschnitt (103) frei von einer metallischen Zwischenverbindungschicht (107) ist.
  7. Halbleiter-Die (100) nach einem der voranstehenden Patentansprüche, wobei der Halbleiter-Die (100) in einer Aufsicht eine rechteckige Form hat, wobei der Halbleiter-Die (100) durch eine Ebene (108) in einen in der Aufsicht rechteckigen mikroelektronischen Abschnitt (101) und in einen in der Aufsicht rechteckigen Sensorabschnitt (103) unterteilt ist.
  8. Sensor (300) mit einem Halbleiter-Die (100) nach einem der voranstehenden Patentansprüche, mit einem Gehäuse, wobei das Gehäuse eine Montagefläche (309), einen Kontaktanschluss (510) und eine mit dem Kontaktanschluss (510) elektrisch leitend verbundenen Gehäusekontaktierungsfläche (311) aufweist, und mit einem Bondingdraht (312), wobei die Die-Kontaktierungsfläche (106) mittels des Bondingdrahts (312) mit der Gehäusekontaktierungsfläche (311) elektrisch leitend verbunden ist, wobei der Halbleiter-Die (100), insbesondere mittels eines Klebstoffs (313), mit der Montagfläche (309) mechanisch verbunden ist.
  9. Sensor (400) nach Patentanspruch 8, wobei der Sensorabschnitt (103) des Halbleiter-Dies (100) frei von einer Benetzung mit dem Klebstoff ist (313).
  10. Sensor (300) nach Patentanspruch 8 oder 9, wobei der Sensorabschnitt (103) des Halbleiter-Dies (100) mit einem Gel (314) bedeckt ist.
  11. Sensor (300) nach einem der Patentansprüche 8 bis 10, wobei Die-Kontaktierungsfläche (106) und/oder der Bondingdraht (312)) und/oder die Gehäusekontaktierungsfläche (311) in einer Einkapselung (315) eingebettet sind.
  12. Sensor (1000) nach Patentanspruch 11, wobei die Einkapselung (915) durch filmunterstütztes Gießen hergestellt ist.
  13. Sensor (300) nach einem der Patentansprüche 8 bis 12, wobei auf der der Montagefläche (309) abgewandten Seite des Halbleiter-Dies (100) ein Stopper (316) zur Verhinderung einer Benetzung des Sensorabschnitts (103) mit einem Material der Einkapselung (315), insbesondere zur Trennung der Einkapselung (315) und des Gels (314) vorgesehen ist.
  14. Sensor nach einem der Patentansprüche 8 bis 13, wobei auf der der Montagefläche (309) zugewandten Seite des Halbleiter-Dies (100) eine Barriere (417) zur Verhinderung einer Benetzung des Sensorabschnitts (103) mit dem Klebstoff (313) vorgesehen ist.
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