DE102019218083B4 - Frequenzumrichter - Google Patents

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Abstract

Frequenzumrichter (100), aufweisend:- einen Gleichspannungszwischenkreis (1), wobei der Gleichspannungszwischenkreis (1) einen ersten Anschlusspol (2) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein positives Zwischenkreispotential (ZK+) ansteht, und einen zweiten Anschlusspol (3) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein negatives Zwischenkreispotential (ZK-) ansteht,- einen Wechselrichter (4), wobei der Wechselrichter (4) einen ersten Anschlusspol (5) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein positives Wechselrichterpotential (WR+) ansteht, und einen zweiten Anschlusspol (6) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein negatives Wechselrichterpotential (WR-) ansteht,- einen Shunt-Widerstand (7), der zwischen den ersten Anschlusspol (2) des Gleichspannungszwischenkreises (1) und den ersten Anschlusspol (5) des Wechselrichters (4) eingeschleift ist,- einen Differenzverstärker (8), der dazu ausgebildet ist, aus einer an dem Shunt-Widerstand (7) abfallenden Potentialdifferenz (US) eine Prüfspannung (UP) zu erzeugen, und- eine Auswerteeinheit (9), die dazu ausgebildet ist, basierend auf der Prüfspannung (UP) einen Erdschluss zu erkennen, dadurch gekennzeichnet, dass- der Differenzverstärker (8) aufweist:- einen ersten Transistor (11) oder eine Diode, und- einen zweiten Transistor (12),- wobei der erste Transistor (11) oder die Diode den zweiten Transistor (12) derart vorspannt, dass im Falle eines Erdschlusses der zweite Transistor (12) seinen Schaltzustand selbst dann verändert, wenn die Potentialdifferenz (US) an dem Shunt-Widerstand (7) kleiner als 500 mV ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Frequenzumrichter.
  • Die US 2009/0102488 A1 zeigt einen Frequenzumrichter aufweisend: einen Gleichspannungszwischenkreis, einen Wechselrichter, einen Shunt-Widerstand, einen Differenzverstärker, der dazu ausgebildet ist, aus einer an dem Shunt-Widerstand abfallenden Potentialdifferenz eine Prüfspannung zu erzeugen, und eine Auswerteeinheit, die dazu ausgebildet ist, basierend auf der Prüfspannung einen Erdschluss zu erkennen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Frequenzumrichter zur Verfügung zu stellen, der eine zuverlässige und kostengünstige Erdschlusserkennung ermöglicht,
  • Der Frequenzumrichter weist herkömmlich einen Gleichspannungszwischenkreis auf, wobei der Gleichspannungszwischenkreis einen ersten Anschlusspol aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters ein positives Zwischenkreispotential ansteht bzw. angelegt ist, und einen zweiten Anschlusspol aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters ein negatives Zwischenkreispotential ansteht bzw. angelegt ist. Insoweit sei auch auf die einschlägige Fachliteratur verwiesen.
  • Der Frequenzumrichter weist weiter einen herkömmlichen Wechselrichter auf, wobei der Wechselrichter einen ersten Anschlusspol aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters ein positives Wechselrichterpotential ansteht, und einen zweiten Anschlusspol aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters ein negatives Wechselrichterpotential ansteht.
  • Der Frequenzumrichter weist weiter einen Shunt-Widerstand auf, der zwischen den ersten Anschlusspol des Gleichspannungszwischenkreises und den ersten Anschlusspol des Wechselrichters eingeschleift ist.
  • Das positive Zwischenkreispotential kann dem positiven Wechselrichterpotential abzüglich der am Shunt-Widerstand abfallenden Spannung entsprechen. Das negative Zwischenkreispotential kann dem negativen Wechselrichterpotential entsprechen, vorausgesetzt es befinden sich im Strompfad zwischen negativem Zwischenkreispotential und negativen Wechselrichterpotential keine Komponenten, an denen eine Spannung abfällt.
  • Der Frequenzumrichter weist weiter einen Differenzverstärker auf, der dazu ausgebildet ist, aus einer an dem Shunt-Widerstand abfallenden Potentialdifferenz eine Prüfspannung zu erzeugen.
  • Der Frequenzumrichter weist weiter eine Auswerteeinheit auf, die dazu ausgebildet ist, basierend auf der Prüfspannung einen Erdschluss zu erkennen. Beispielsweise kann die Auswerteeinheit einen Erdschluss erkennen, sobald die Prüfspannung einen vorgegebenen Pegel über- bzw. unterschreitet, und/oder sobald die Prüfspannung einen impulsförmigen Verlauf aufweist, usw.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Differenzverstärker dazu ausgebildet, die Prüfspannung mit dem negativen Zwischenkreispotential als Bezugspotential zu erzeugen. Die Prüfspannung kann beispielsweise einen Pegel zwischen 0 V und 3,3 V oder 5 V aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Shunt-Widerstand derart dimensioniert bzw. weist einen derartigen Widerstandswert auf, dass in einem Erdschlussfall die Potentialdifferenz an dem Shunt-Widerstand in einem Bereich zwischen 50 mV und 500 mV liegt. Beispielsweise kann der Widerstandswert des Shunt-Widerstands in einem Bereich zwischen 1 mOhm und 20 mOhm liegen.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die Auswerteeinheit einen digitalen Eingang auf, der mit der Prüfspannung beaufschlagt ist, wobei der Differenzverstärker dazu ausgebildet ist, die Prüfspannung im erdschlussfreien Fall mit einem Pegel zu erzeugen, der einem ersten logischen Pegel des digitalen Eingangs entspricht, beispielsweise dem logischen Pegel Null, und wobei der Differenzverstärker dazu ausgebildet ist, die Prüfspannung im Erdschlussfall mit einem Pegel zu erzeugen, der einem zweiten logischen Pegel des digitalen Eingangs entspricht, beispielsweise dem logischen Pegel Eins.
  • Der Differenzverstärker weist auf: einen ersten Transistor, insbesondere einen Bipolar-Transistor, oder eine Diode und einen zweiten Transistor, insbesondere einen Bipolar-Transistor, wobei der erste Transistor oder die Diode den zweiten Transistor hinsichtlich seines Schaltverhaltens derart vorspannt, dass im Falle eines Erdschlusses der zweite Transistor seinen Schaltzustand selbst dann verändert, wenn die Potentialdifferenz an dem Shunt-Widerstand kleiner als 500 mV ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der zweite Transistor derart verschaltet, dass seine Wechselspannungsverstärkung um mindestens den Faktor 10 bis 20 größer ist als seine Gleichspannungsverstärkung.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind der erste Transistor und der zweite Transistor jeweils Bipolartransistoren, insbesondere jeweils pnp Bipolartransistoren, und der Differenzverstärker weist auf: einen ersten Widerstand und einen ersten Kondensator, die in Reihe zwischen einen ersten Anschluss des Shunt-Widerstands und einen Emitter-Anschluss des zweiten Transistors eingeschleift sind, einen zweiten Widerstand, der zwischen den ersten Anschluss des Shunt-Widerstands und den Emitter-Anschluss des zweiten Transistors eingeschleift ist, einen dritten Widerstand und einen vierten Widerstand, die in Reihe zwischen einen Kollektor-Anschluss des zweiten Transistors und das negative Zwischenkreispotential eingeschleift sind, einen zweiten Kondensator, der dem dritten Widerstand parallel geschaltet ist, und einen fünften Widerstand, der der Basis-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors parallel geschaltet ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind der Basis-Anschluss des ersten Transistors und der Basis-Anschluss des zweiten Transistors elektrisch miteinander verbunden, der Emitter-Anschluss und der Kollektor-Anschluss des ersten Transistors sind elektrisch miteinander verbunden, und ein sechster Widerstand ist in Reihe zwischen einen zweiten Anschluss des Shunt-Widerstands und den Emitter-Anschluss des ersten Transistors eingeschleift.
  • Falls anstelle des ersten Transistors zur Temperaturkompensation eine Diode verwendet wird, sind die Kathode der Diode und der Basis-Anschluss des zweiten Transistors elektrisch miteinander verbunden und ein sechster Widerstand ist in Reihe zwischen einen zweiten Anschluss des Shunt-Widerstands und die Anode der Diode eingeschleift.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Frequenzumrichter eine Prüfspannungserzeugungsschaltung auf, die dazu ausgebildet ist, aus einer an dem vierten Widerstand abfallenden Spannung die Prüfspannung zu erzeugen.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. Hierbei zeigt:
    • 1 ein schematisches Schaltbild eines erfindungsgemäßen Frequenzumrichters und
    • 2 ein detailliertes Schaltbild eines Differenzverstärkers, einer Prüfspannungserzeugungsschaltung und einer Auswerteeinheit des in 1 gezeigten Frequenzumrichters.
  • 1 zeigt einen Frequenzumrichter 100, der herkömmlich einen Gleichspannungszwischenkreis 1 mit einem Zwischenkreiskondensator 30 aufweist, wobei der Gleichspannungszwischenkreis 1 einen ersten Anschlusspol 2 aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters 100 ein positives Zwischenkreispotential ZK+ ansteht, und einen zweiten Anschlusspol 3 aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters 100 ein negatives Zwischenkreispotential ZKansteht. Eine Potentialdifferenz zwischen dem positiven Zwischenkreispotential ZK+ und dem negativen Zwischenkreispotential ZK- bzw. eine Zwischenkreisspannung kann beispielsweise im Bereich von 800 V liegen.
  • Der Frequenzumrichter 100 weist weiter einen herkömmlichen Wechselrichter 4 auf, der drei Halbbrücken mit zugehörigen Halbleiterschaltem T1 bis T6, beispielsweise in Form von IGBTs, und drei Shunt-Widerstände RU, RV und RW zur Strommessung aufweist. Die Halbbrücken erzeugen herkömmlich Phasenspannungen U, V und W für einen Drehstrommotor.
  • Der Wechselrichter 4 weist einen ersten Anschlusspol 5 auf, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters 100 ein positives Wechselrichterpotential WR+ ansteht, und einen zweiten Anschlusspol 6 auf, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters 100 ein negatives Wechselrichterpotential WR- ansteht. Im dargestellten Fall sind die Potentiale ZK- und WR- identisch.
  • Der Frequenzumrichter 100 weist weiter einen Shunt-Widerstand 7 mit einem Widerstandswert von 10 mOhm auf, der zwischen den ersten Anschlusspol 2 des Gleichspannungszwischenkreises 1 und den ersten Anschlusspol 5 des Wechselrichters 4 eingeschleift ist.
  • Der Frequenzumrichter 100 weist weiter einen Differenzverstärker 8 auf, der dazu ausgebildet ist, aus einer an dem Shunt-Widerstand 7 abfallenden Potentialdifferenz US eine Prüfspannung UP zu erzeugen, die beispielsweise einen impulsförmigen Verlauf im Falle eines Erdschlusses aufweist.
  • Der Frequenzumrichter 100 weist weiter eine Auswerteeinheit 9 auf, die dazu ausgebildet ist, basierend auf der Prüfspannung UP bzw. deren zeitlichem Verlauf einen Erdschluss zu erkennen.
  • Der Differenzverstärker 8 ist dazu ausgebildet, die Prüfspannung UP mit dem negativen Zwischenkreispotential ZK-, in 2 als GND bezeichnet, als Bezugspotential zu erzeugen.
  • Der Shunt-Widerstand 7 ist derart dimensioniert, dass in einem Erdschlussfall die Potentialdifferenz US an dem Shunt-Widerstand 7 in einem Bereich zwischen 50 mV und 500 mV liegt.
  • Bezug nehmend auf 2, weist die Auswerteeinheit 9 einen digitalen Eingang 10 auf, der mit der Prüfspannung UP beaufschlagt ist. Der Differenzverstärker 8 erzeugt die Prüfspannung UP im erdschlussfreien Fall mit einem Pegel, der einem ersten logischen Pegel des digitalen Eingangs 10 entspricht, und erzeugt die Prüfspannung UP im Erdschlussfall mit einem Pegel, der einem zweiten logischen Pegel des digitalen Eingangs 10 entspricht.
  • Bezug nehmend auf 2 weist der Differenzverstärker 8 einen ersten pnp Bipolar-Transistor 11 und einen zweiten pnp Bipolar-Transistor 12 auf, wobei der erste Transistor 11 den zweiten Transistor 12 derart vorspannt, dass im Falle eines Erdschlusses der zweite Transistor 12 seinen Schaltzustand selbst dann verändert, wenn die Potentialdifferenz US an dem Shunt-Widerstand 7 kleiner als 500 mV ist.
  • Der zweite Transistor 12 ist derart verschaltet, dass seine Wechselspannungsverstärkung um mindestens den Faktor 100 größer ist als seine Gleichspannungsverstärkung.
  • Der Differenzverstärker 8 weist einen ersten Widerstand 13 und einen ersten Kondensator 14 auf, die in Reihe zwischen einen ersten Anschluss 22 des Shunt-Widerstands 7 und einen Emitter-Anschluss des zweiten Transistors 12 eingeschleift sind.
  • Der Differenzverstärker 8 weist weiter einen zweiten Widerstand 15 auf, der zwischen den ersten Anschluss 22 des Shunt-Widerstands 7 und den Emitter-Anschluss des zweiten Transistors 12 eingeschleift ist.
  • Der Differenzverstärker 8 weist weiter einen dritten Widerstand 16 und einen vierten Widerstand 18 auf, die in Reihe zwischen einen Kollektor-Anschluss des zweiten Transistors 12 und das negative Zwischenkreispotential ZK- bzw. GND eingeschleift sind.
  • Der Differenzverstärker 8 weist weiter einen zweiten Kondensator 17 auf, der dem dritten Widerstand 16 parallel geschaltet ist.
  • Der Differenzverstärker 8 weist weiter einen fünften Widerstand 19 auf, der der Basis-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors 12 parallel geschaltet ist.
  • Der Basis-Anschluss des ersten Transistors 11 und der Basis-Anschluss des zweiten Transistors 12 sind elektrisch miteinander verbunden.
  • Der Emitter-Anschluss und der Kollektor-Anschluss des ersten Transistors 11 sind elektrisch miteinander verbunden.
  • Der Differenzverstärker 8 weist weiter einen sechsten Widerstand 20 auf, der in Reihe zwischen einen zweiten Anschluss 23 des Shunt-Widerstands 7 und den Emitter-Anschluss des ersten Transistors 11 eingeschleift ist.
  • Eine Prüfspannungserzeugungsschaltung 21 ist dazu ausgebildet, aus einer an dem vierten Widerstand 18 abfallenden Spannung die Prüfspannung UP zu erzeugen. Hierzu weist die Prüfspannungserzeugungsschaltung 21 einen Kondensator 24, Widerstände 25, 26 und 27 und einen Transistor 28 in der gezeigten Beschaltung auf.
  • Dem Shunt-Widerstand 7 parallel geschaltet ist ein Kondensator 29.
  • Mittels der Erfindung ist ein Schutz gegen Erdschluss der Motorausgänge bei einem Frequenzumrichter einschließlich Kurzschlussschutz eines Bremschopper-Ausgangs durch Messung des Zwischenkreisstromes im ZK+ Zweig mit Shunt-Widerstand 7 möglich.
  • Da bei der Emittershunt-Strommessung mittels der Shunt-Widerstände RU, RV und RW der Motorphasenstrom nur auf ZK- Potential erfasst wird, kann im Betrieb ein Erdschluss an den Motorphasen nur bedingt erkannt werden. Findet der Erdschluss während der Leitphase eines oberen IGBT's T1, T3, T5 statt, wird der Leistungsteil zerstört. Für eine sichere Erdschlusserkennung im ZK+ Strompfad ist daher erfindungsgemäß eine Sensorik vorgesehen.
  • Da die Auswerteeinheit 9 aber auf dem ZK- bzw. GND Potential liegt, muss die am Shunt-Widerstand 7 abfallende Spannung US zur Auswertung gegen ZK- bzw. GND erzeugt werden.
  • Ein aufgrund eines Erdschlusses fließender hoher Strom im ZK+ Pfad wird mittels des Shunt-Widerstands 7 in die Spannung US gewandelt. Da aufgrund geringer Verlustleistung der Ohm-Wert des Shunt-Widerstands 7 so gering wie möglich gewählt werden muss, ergibt sich im Erdschlussfall nur ein geringer Spannungsabfall von ca. 100 bis 200 mV am Shunt-Widerstand 7. Dieser Spannungsabfall reicht nicht aus, um einen Optokoppler oder Bipolar-Transistor direkt anzusteuern.
  • Aus diesem Grund wird die Basisspannung des Transistors 12 mittels des Transistors 11 vorgespannt. Da Der Widerstandswert des Widerstands 20 viel niederohmiger als der Widerstandswert des Widerstands 15 gewählt ist, fließt ein Ruhestrom hauptsächlich durch den Transistor 12. Somit fällt am Widerstand 19 eine hohe Spannung ab, beispielsweise ca. 200 V.
  • Tritt nun ein Erdschluss auf, sperrt der Transistor 11 sofort, worauf der Transistor 12 stark leitend wird. Aufgrund des Kondensators 17 wird der entstehende Spannungsimpuls auf das untere Spannungspotential ZK- bzw. GND übertragen und der Transistor 28 meldet das Kurzschlusssignal dann zur Auswerteeinheit 9.
  • Theoretisch könnte der entstehende Spannungspuls auch ohne den Kondensator 17 übertragen werden, dazu müsste aber ein Transistor (pnp oder P-Kanal MOS-FET) mit hoher Sperrspannung und hohen Spannungsabständen verwendet werden.
  • Erfindungsgemäß werden die Widerstandswerte der verwendeten Widerstände derart gewählt, dass über dem Transistor 12 bei einer Zwischenkreisspannung von 800 V max. 210V abfallen und am Kondensator 17 entsprechend dann 590 V bis 800 V. Somit ist für die Isolationsstrecke und die Signalübertragung der Kondensator 17 maßgeblich. Da dieser aber beispielsweise nur 470 pF an Kapazität aufweisen muss, ist dieser sehr kostengünstig und klein, Als Transistor 12 kann ein kleiner, günstiger Transistor verwendet werden.
  • Erfindungsgemäß ist keine galvanische Trennung zwischen Shunt-Widerstand 7 und Auswerteeinheit 9 erforderlich. Weiter ist kein Differenzverstärker mit einer Versorgung auf dem ZK+ Potential notwendig. Weiter ist der Differenzverstärker 8 mit kostengünstigen Standardbauteilen realisierbar, so dass keine spezifischen ICs oder Sensoren notwendig sind.

Claims (8)

  1. Frequenzumrichter (100), aufweisend: - einen Gleichspannungszwischenkreis (1), wobei der Gleichspannungszwischenkreis (1) einen ersten Anschlusspol (2) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein positives Zwischenkreispotential (ZK+) ansteht, und einen zweiten Anschlusspol (3) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein negatives Zwischenkreispotential (ZK-) ansteht, - einen Wechselrichter (4), wobei der Wechselrichter (4) einen ersten Anschlusspol (5) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein positives Wechselrichterpotential (WR+) ansteht, und einen zweiten Anschlusspol (6) aufweist, an dem im Betrieb des Frequenzumrichters (100) ein negatives Wechselrichterpotential (WR-) ansteht, - einen Shunt-Widerstand (7), der zwischen den ersten Anschlusspol (2) des Gleichspannungszwischenkreises (1) und den ersten Anschlusspol (5) des Wechselrichters (4) eingeschleift ist, - einen Differenzverstärker (8), der dazu ausgebildet ist, aus einer an dem Shunt-Widerstand (7) abfallenden Potentialdifferenz (US) eine Prüfspannung (UP) zu erzeugen, und - eine Auswerteeinheit (9), die dazu ausgebildet ist, basierend auf der Prüfspannung (UP) einen Erdschluss zu erkennen, dadurch gekennzeichnet, dass - der Differenzverstärker (8) aufweist: - einen ersten Transistor (11) oder eine Diode, und - einen zweiten Transistor (12), - wobei der erste Transistor (11) oder die Diode den zweiten Transistor (12) derart vorspannt, dass im Falle eines Erdschlusses der zweite Transistor (12) seinen Schaltzustand selbst dann verändert, wenn die Potentialdifferenz (US) an dem Shunt-Widerstand (7) kleiner als 500 mV ist.
  2. Frequenzumrichter (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass - der Differenzverstärker (8) dazu ausgebildet ist, die Prüfspannung (UP) mit dem negativen Zwischenkreispotential (ZK-) als Bezugspotential zu erzeugen.
  3. Frequenzumrichter (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass - der Shunt-Widerstand (7) derart dimensioniert ist, dass in einem Erdschlussfall die Potentialdifferenz (US) an dem Shunt-Widerstand (7) in einem Bereich zwischen 50 mV und 500 mV liegt.
  4. Frequenzumrichter (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass - die Auswerteeinheit (9) einen digitalen Eingang (10) aufweist, der mit der Prüfspannung (UP) beaufschlagt ist, - wobei der Differenzverstärker (8) dazu ausgebildet ist, die Prüfspannung (UP) im erdschlussfreien Fall mit einem Pegel zu erzeugen, der einem ersten logischen Pegel des digitalen Eingangs (10) entspricht, und - wobei der Differenzverstärker (8) dazu ausgebildet ist, die Prüfspannung (UP) im Erdschlussfall mit einem Pegel zu erzeugen, der einem zweiten logischen Pegel des digitalen Eingangs (10) entspricht.
  5. Frequenzumrichter (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass - der zweite Transistor (12) derart verschaltet ist, dass seine Wechselspannungsverstärkung um mindestens den Faktor 100 größer ist als seine Gleichspannungsverstärkung.
  6. Frequenzumrichter (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass - der erste Transistor (11) und der zweite Transistor (12) jeweils Bipolartransistoren sind, und - der Differenzverstärker (8) aufweist: - einen ersten Widerstand (13) und einen ersten Kondensator (14), die in Reihe zwischen einen ersten Anschluss (22) des Shunt-Widerstands (7) und einen Emitter-Anschluss des zweiten Transistors (12) eingeschleift sind, - einen zweiten Widerstand (15), der zwischen den ersten Anschluss (22) des Shunt-Widerstands (7) und den Emitter-Anschluss des zweiten Transistors (12) eingeschleift ist, - einen dritten Widerstand (16) und einen vierten Widerstand (18), die in Reihe zwischen einen Kollektor-Anschluss des zweiten Transistors (12) und das negative Zwischenkreispotential (ZK-) eingeschleift sind, - einen zweiten Kondensator (17), der dem dritten Widerstand (16) parallel geschaltet ist, und - einen fünften Widerstand (19), der der Basis-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors (12) parallel geschaltet ist.
  7. Frequenzumrichter (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass - der Basis-Anschluss des ersten Transistors (11) und der Basis-Anschluss des zweiten Transistors (12) elektrisch miteinander verbunden sind, - der Emitter-Anschluss und der Kollektor-Anschluss des ersten Transistors (11) elektrisch miteinander verbunden sind, und - ein sechster Widerstand (20) in Reihe zwischen einen zweiten Anschluss (23) des Shunt-Widerstands (7) und den Emitter-Anschluss des ersten Transistors (11) eingeschleift ist.
  8. Frequenzumrichter (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch - eine Prüfspannungserzeugungsschaltung (21), die dazu ausgebildet ist, aus einer an dem vierten Widerstand (18) abfallenden Spannung die Prüfspannung (UP) zu erzeugen.
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