DE102019212796A1 - Wafer boat - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Waferboot zur Aufnahme von Wafern, insbesondere Halbleiterwafern beschrieben. Das Waferboot weist wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente auf. Jedes Aufnahmeelement besteht aus Quarz und weist jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen auf. Weiter weist das Waferboot langgestreckte Stützelemente auf, wobei jedem Aufnahmeelement wenigsten ein Stützelement zugeordnet ist. Die Stützelemente bestehen aus einem zweiten Material, welches von Quarz verschieden ist. Die Stützelemente befinden sich bei einer Arbeitsausrichtung des Waferbootes zumindest teilweise in Schwerkraftrichtung unterhalb des jeweiligen Aufnahmeelementes. Das Waferboot weist weiter zwei Endplatten auf, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zueinander ausgerichtet sind. Als zweites Material kann beispielsweise SiC und Si-SiC verwendet werden, jedoch auch jedes andere Material, welches durch eine höhere Festigkeit, Formstabilität und/oder Temperaturbeständigkeit als das Material der Aufnahmeelemente dazu geeignet ist, die Aufnahmeelemente zu stützen. Zudem ist die Anforderung an das Material der Stützelemente die Wafer nicht zu verunreinigen leichter zu erfüllen, da die Wafer nicht in direktem Kontakt zu den Stützelementen stehen.

Figure DE102019212796A1_0000
A wafer boat for holding wafers, in particular semiconductor wafers, is described. The wafer boat has at least two elongate receiving elements. Each receiving element consists of quartz and in each case has a multiplicity of parallel receiving slots which extend transversely to the longitudinal extent. Furthermore, the wafer boat has elongated support elements, with at least one support element being assigned to each receiving element. The support elements consist of a second material, which is different from quartz. The support elements are at least partially in the direction of gravity below the respective receiving element when the wafer boat is aligned. The wafer boat further has two end plates, between which the receiving elements are arranged and fastened in such a way that the receiving slots of the receiving elements are aligned with one another. SiC and Si-SiC, for example, can be used as the second material, but also any other material which, due to its higher strength, dimensional stability and / or temperature resistance than the material of the receiving elements, is suitable for supporting the receiving elements. In addition, the requirement for the material of the support elements to not contaminate the wafers is easier to meet, since the wafers are not in direct contact with the support elements.
Figure DE102019212796A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferboot zum Halten von Wafern, insbesondere von Halbleiterwafern, wobei der Begriff Wafer wie er hier verwendet wird, allgemein scheibenförmige Substrate beliebiger Umfangsform umfasst.The present invention relates to a wafer boat for holding wafers, in particular semiconductor wafers, the term wafer as used here encompassing generally disk-shaped substrates of any circumferential shape.

Waferboote dienen häufig dazu eine Vielzahl von Wafern innerhalb einer Prozessanlage, wie beispielsweise einer Diffusionsanlage für Halbleiterwafer zu halten, in denen die Halbleiterwafer thermischen Prozessen ausgesetzt werden. Dabei müssen die Waferboote neben thermischen Belastungen während der Prozessierung insbesondere mechanische Belastungen durch das Halten und die Be- und Entladung der Wafer aushalten. Darüber hinaus sind sie auch den jeweiligen Prozessatmosphären, denen die Wafer ausgesetzt sind, ausgesetzt, so dass der Prozess die Waferboote möglichst auch auf Dauer nicht beeinträchtigen sollte. Dabei besteht in der Regel nicht nur das Bedürfnis, dass die Waferboote durch die jeweiligen Prozesse nicht beeinträchtigt werden, sondern auch, dass die Waferboote selbst die Prozesse nicht beeinträchtigen. Insbesondere in der Halbleitertechnologie ist darauf zu achten, dass die Waferboote keine Verunreinigungen in den Prozess einführen.Wafer boats often serve to hold a large number of wafers within a process system, such as a diffusion system for semiconductor wafers, in which the semiconductor wafers are exposed to thermal processes. In addition to thermal loads during processing, the wafer boats have to withstand mechanical loads in particular by holding and loading and unloading the wafers. In addition, they are also exposed to the respective process atmospheres to which the wafers are exposed, so that the process should not impair the wafer boats in the long term if possible. As a rule, there is not only the need that the wafer boats are not affected by the respective processes, but also that the wafer boats themselves do not impair the processes. In semiconductor technology in particular, care must be taken to ensure that the wafer boats do not introduce any contaminants into the process.

Ein Quarz Waferboot ist in der DE 10 2014 002 280 A beschrieben. Ein Quarz Waferboot besteht aus zwei Endplatten zwischen denen mehrere langgestreckte stabförmige Aufnahmeelemente angebracht sind. Die Aufnahmeelemente weisen jeweils eine Vielzahl paralleler Aufnahmeschlitze quer zur Längserstreckung auf. In die Aufnahmeschlitze werden die Wafer geladen, so dass jeder Wafer durch Aufnahmeelemente an mehreren Punkten gehalten wird.A quartz wafer boat is in the DE 10 2014 002 280 A described. A quartz wafer boat consists of two end plates between which several elongated rod-shaped receiving elements are attached. The receiving elements each have a multiplicity of parallel receiving slots transversely to the longitudinal extent. The wafers are loaded into the receiving slots, so that each wafer is held at several points by receiving elements.

In der Vergangenheit wurden daher beispielsweise Waferboote aus Quarz eingesetzt, welche einerseits gegenüber den meisten Prozessen unempfindlich sind und andererseits keine Verunreinigungen in den Halbleiterprozess einbringen. Jedoch besteht das Bedürfnis immer größere Quarzboote einzusetzen, um größere Massenbeladungen der Prozessvorrichtungen zu erreichen. Insbesondere soll ein größerer Durchsatz von Wafern/Prozessfahrt erreicht werden. Dies kann zum Beispiel durch eine Verlängerung der Boote und/oder eine Reduzierung der Schlitzabstände erreicht werden, sodass die Anzahl der aufgenommenen Wafer pro Boot steigt. Hierbei steigt insgesamt die Masse der geladenen Wafer, wobei die Masse des Waferbootes möglichst nicht im gleichen Maße ansteigt. Bevorzugt sollte ein vollständig beladenes Waferboot ein Vielfaches der Masse an Wafern im Vergleich zur Masse des Waferbootes aufnehmen können. Eine reduzierte Masse des Waferbootes ermöglicht eine Energieeinsparung beim thermischen Prozessieren und ermöglicht ferner raschere Erwärmungs- und Abkühlzyklen. Insbesondere im Aufnahmebereich für die Wafer sollte das Waferboot ferner möglichst filigran sein, um eine geringe Abschattung der Wafer und somit eine homogene Prozessierung zu gewährleisten.In the past, quartz wafer boats were used, for example, which on the one hand are insensitive to most processes and on the other hand do not introduce any impurities into the semiconductor process. However, there is a need to use ever larger quartz boats in order to achieve greater mass loads of the process devices. In particular, a greater throughput of wafers / process runs is to be achieved. This can be achieved, for example, by lengthening the boats and / or reducing the slot spacing, so that the number of wafers picked up per boat increases. The mass of the loaded wafers increases overall, the mass of the wafer boat not increasing to the same extent if possible. Preferably, a fully loaded wafer boat should be able to hold a multiple of the mass of wafers compared to the mass of the wafer boat. A reduced mass of the wafer boat enables energy savings in thermal processing and also enables faster heating and cooling cycles. In particular in the receiving area for the wafers, the wafer boat should also be as filigree as possible in order to ensure low shading of the wafers and thus homogeneous processing.

Dabei ergibt sich jedoch das Problem, dass das Quarzmaterial, welches als ein sprödes Material gilt, den mechanischen Belastungen nicht mehr ohne Weiteres standhalten kann. Dies gilt insbesondere, da jede mechanische Bearbeitung beispielsweise zur Ausbildung von Aufnahmeschlitzen eine Verletzung des Materials darstellt, welche zu Mikrorissen (Kerbwirkung) führen kann. Zudem verformt sich das Quarzmaterial zunehmend unter Belastung bei Temperaturen insbesondere ab 1000°C. Solch eine Verformung ist irreversibel und kann das Waferboot im Verlauf der Zeit unbrauchbar machen.The problem arises, however, that the quartz material, which is considered to be a brittle material, can no longer easily withstand the mechanical loads. This applies in particular since any mechanical processing, for example for the formation of receiving slots, represents an injury to the material which can lead to microcracks (notch effect). In addition, the quartz material increasingly deforms under load at temperatures, in particular from 1000 ° C. Such deformation is irreversible and can render the wafer boat unusable over time.

Alternativ wurde in der Vergangenheit für große Waferboote statt Quarz beispielsweise Siliziumcarbid (SiC) oder siliziuminfiltriertes Siliziumcarbid (Si-SiC) als Werkstoff eingesetzt. Diese Waferboote haben sich zwar durch gute mechanische Eigenschaften ausgezeichnet, jedoch wurden durch dieses Material zum Teil unerwünschte Verunreinigungen in dem Prozess eingebracht. Zudem ist Si-SiC gegenüber Quarz wesentlich teurer in der Anschaffung und aufwendiger in der Bearbeitung.As an alternative, silicon carbide (SiC) or silicon-infiltrated silicon carbide (Si-SiC) was used as the material for large wafer boats in the past. Although these wafer boats have excellent mechanical properties, undesirable impurities have been introduced into the process due to this material. In addition, Si-SiC is much more expensive to buy and more complex to process than quartz.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Waferboot vorzusehen, das wenigstens einen der obigen Nachteile überwindet.It is therefore an object of the present invention to provide a wafer boat that overcomes at least one of the above disadvantages.

Gemäß der Erfindung nach Anspruch 1 ist ein Waferboot zur Aufnahme von Wafern, insbesondere Halbleiterwafern beschrieben. Das Waferboot weist wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente auf. Jedes Aufnahmeelement besteht aus Quarz und weist jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen auf. Weiter weist das Waferboot langgestreckte Stützelemente auf, wobei jedem Aufnahmeelement wenigsten ein Stützelement zugeordnet ist. Die Stützelemente bestehen aus einem zweiten Material, welches von Quarz verschieden ist. Die Stützelemente befinden sich bei einer Arbeitsausrichtung des Waferbootes zumindest teilweise in Schwerkraftrichtung unterhalb des jeweiligen Aufnahmeelementes. Das Waferboot weist weiter zwei Endplatten auf, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zueinander ausgerichtet sind.According to the invention of claim 1, a wafer boat for holding wafers, in particular semiconductor wafers, is described. The wafer boat has at least two elongate receiving elements. Each receiving element consists of quartz and in each case has a multiplicity of parallel receiving slots which extend transversely to the longitudinal extent. Furthermore, the wafer boat has elongated support elements, with at least one support element being assigned to each receiving element. The support elements consist of a second material, which is different from quartz. The support elements are at least partially in the direction of gravity below the respective receiving element when the wafer boat is aligned. The wafer boat also has two end plates, between which the receiving elements are arranged and fastened in such a way that the receiving slots of the receiving elements are aligned with one another.

Quarz ist jedoch nur ein beispielhaftes Material und kann durch jedes andere Material ersetzt werden, welches den notwendigen thermischen und mechanischen Belastungs- und den zusätzlichen Reinheitsanforderungen der Aufnahmeelemente genügt. Als zweites Material kann beispielsweise SiC und Si-SiC verwendet werden, jedoch auch jedes andere Material, welches durch eine höhere Festigkeit, Formstabilität und/oder Temperaturbeständigkeit als das Material der Aufnahmeelemente dazu geeignet ist, die Aufnahmeelemente zu stützen. Zudem ist die Anforderung an das Material der Stützelemente die Wafer nicht zu verunreinigen leichter zu erfüllen, da die Wafer nicht in direktem Kontakt zu den Stützelementen stehen.However, quartz is only an exemplary material and can be replaced by any other material that has the necessary thermal and mechanical stress and the additional Purity requirements of the receiving elements are sufficient. SiC and Si-SiC, for example, can be used as the second material, but also any other material which, due to its higher strength, dimensional stability and / or temperature resistance than the material of the receiving elements, is suitable for supporting the receiving elements. In addition, the requirement for the material of the support elements to not contaminate the wafers is easier to meet, since the wafers are not in direct contact with the support elements.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:

  • 1 eine schematische perspektivische Ansicht eines Waferbootes gemäß der Erfindung;
  • 2 eine perspektivische, schematische Teilansicht des Waferbootes im Bereich einer Endplatte;
  • 3 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels;
  • 4 eine schematische Seitenansicht des Waferbootes;
  • 5 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels;
  • 6 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels;
  • 7 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels.
  • 8 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels.
  • 9 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels.
  • 10 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot gemäß eines Ausführungsbeispiels.
The invention is explained in more detail below with reference to the drawings. In the drawings:
  • 1 is a schematic perspective view of a wafer boat according to the invention;
  • 2nd a perspective, schematic partial view of the wafer boat in the region of an end plate;
  • 3rd is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment;
  • 4th a schematic side view of the wafer boat;
  • 5 is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment;
  • 6 is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment;
  • 7 is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment.
  • 8th is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment.
  • 9 is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment.
  • 10th is a schematic sectional view through the wafer boat according to an embodiment.

In der Beschreibung verwendete Begriffe, wie oben, unten, links und rechts beziehen sich auf die Darstellung in den Zeichnungen und sind nicht einschränkend zu sehen.Terms used in the description, such as above, below, left and right, refer to the illustration in the drawings and are not to be viewed in a restrictive manner.

Im nachfolgenden wird der Grundaufbau eines Waferbootes 1 anhand der Figuren näher erläutert. Über die Figuren hinweg werden dieselben Bezugszeichen verwendet, sofern dieselben oder ähnliche Elemente beschrieben werden.The following is the basic structure of a wafer boat 1 explained in more detail with reference to the figures. The same reference numerals are used throughout the figures, provided the same or similar elements are described.

Das Waferboot 1 wird im Wesentlichen durch Endplatten 3, Aufnahmeelemente 5,6 und Stützelemente 7,8 gebildet.The wafer boat 1 is essentially through end plates 3rd , Receiving elements 5.6 and support elements 7 , 8th educated.

Wie in der Draufsicht gemäß 1 zu erkennen ist, besitzt das Waferboot 1 eine langgestreckte Konfiguration, d.h. es besitzt in Längserstreckung eine wesentlich größere Länge als in den übrigen Abmessungen. An den Enden des Waferbootes 1 ist jeweils eine Endplatte 3 vorgesehen, die bevorzugt aus Quarz ausgebildet ist. Sie kann aber auch aus einem anderen geeigneten Material aufgebaut sein. Zwischen den Endplatten 3 erstrecken sich sowohl die Aufnahmeelemente 5,6 als auch die Stützelemente 7,8, die jeweils an den Endplatten 3 gelagert sind, wie nachfolgend noch näher erläutert wird.As shown in the top view 1 the wafer boat can be seen 1 an elongated configuration, ie it has a much greater length in the longitudinal extent than in the other dimensions. At the ends of the wafer boat 1 is an end plate 3rd provided, which is preferably formed from quartz. However, it can also be constructed from another suitable material. Between the end plates 3rd extend both the receiving elements 5 , 6 as well as the support elements 7 , 8th , each on the end plates 3rd are stored, as will be explained in more detail below.

An den Endplatten 3 sind ferner an den nach außen weisenden Seiten Trägerelemente 9 angebracht, die wie in der Technik bekannt für eine automatische Handhabung der Waferboote vorgesehen sind. Die Endplatten 3 besitzen insgesamt eine angepasste Form mit unterschiedlichen Ausnehmungen und Öffnungen. So sind wie dargestellt untere Ausnehmungen 10 vorgesehen, welche zum Beispiel eine ordnungsgemäße Platzierung ermöglichen. Zusätzlich können auch noch Positionierungslöcher und/oder andere Kennzeichen an den Endplatten 3 vorgesehen sein, welche zum Beispiel den Typ, die Ausrichtung und/oder andere Eigenschaften signalisieren.On the end plates 3rd are also support elements on the outwardly facing sides 9 attached, which, as is known in the art, are provided for automatic handling of the wafer boats. The end plates 3rd overall have an adapted shape with different recesses and openings. As shown, there are lower recesses 10th provided, which, for example, allow proper placement. In addition, positioning holes and / or other marks on the end plates can also be used 3rd be provided which signal the type, the orientation and / or other properties, for example.

Die Aufnahmeelemente 5,6 bestehen aus oberen Aufnahmeelementen 5 und unteren Aufnahmeelementen 6. Während die oberen Aufnahmeelemente 5 die Wafer halten übernehmen die unteren Aufnahmeelemente 6 eine Führungsfunktion ohne das Gewicht der Wafer zu tragen. Die Aufnahmeelemente 5,6 erstrecken sich, wie zuvor erwähnt, zwischen den Endplatten 3 und sind an diesen befestigt, insbesondere durch Verschweißen oder Bonden, wie nachfolgend noch näher erläutert wird. Die Aufnahmeelemente 5,6 bestehen aus Quarz und besitzen jeweils eine langgestreckte Stabform. Dabei besitzen die Aufnahmeelemente 5,6 jeweils einen mittleren Aufnahmebereich und Befestigungsbereiche an den entgegen gesetzten Enden.The receiving elements 5 , 6 consist of upper receiving elements 5 and lower receiving elements 6 . While the top receiving elements 5 the wafers hold the lower receiving elements 6 a management function without carrying the weight of the wafers. The receiving elements 5 , 6 extend between the end plates, as previously mentioned 3rd and are attached to them, in particular by welding or bonding, as will be explained in more detail below. The receiving elements 5 , 6 consist of quartz and each have an elongated rod shape. The receiving elements have 5 , 6 each have a central receiving area and fastening areas at the opposite ends.

Die oberen Aufnahmeelemente 5 besitzen im Wesentlichen einen rechteckigen Querschnitt, wobei „im Wesentlichen“ insbesondere auch Rechtecke mit abgerundeten Ecken umfassen soll. Die unteren Aufnahmeelemente 6 besitzen einen im Wesentlichen runden Querschnitt. Grundsätzlich wäre es aber auch möglich, dass ein Aufnahmeelement 5,6 andere Formen aufweist, wie nachfolgend noch näher erläutert. In einer Schmalseite der oberen Aufnahmeelemente 5 und in den unteren Aufnahmeelementen 6 ist jeweils eine Vielzahl von oberen Aufnahmeschlitzen 13 beziehungsweise unteren Aufnahmeschlitzen 14 ausgebildet, die sich quer zur Längserstreckung des jeweiligen Aufnahmeelements 5,6 erstrecken, und zwar bevorzugt in einem 90° Winkel zur Längserstreckung. Aufnahmeschlitze 13,14 sind jeweils mit gleichmäßigem Abstand zueinander vorgesehen und sie besitzen eine vorbestimmte (gleichbleibende) Tiefe zur Aufnahme eines Randbereichs eines jeweiligen aufzunehmenden Wafers. Bevorzugt wird die Tiefe ungefähr einem Randausschussbereich der Wafer entsprechend oder kleiner sein.The upper receiving elements 5 essentially have a rectangular cross-section, whereby “essentially” is also intended in particular to include rectangles with rounded corners. The lower receiving elements 6 have an essentially round cross-section. In principle, it would also be possible for a receiving element 5 , 6 has other shapes, as explained in more detail below. In a narrow side of the upper receiving elements 5 and in the lower receiving elements 6 is a plurality of upper receiving slots 13 respectively lower Receiving slots 14 formed, which is transverse to the longitudinal extent of the respective receiving element 5 , 6 extend, preferably at a 90 ° angle to the longitudinal extension. Slots 13 , 14 are each provided at a uniform distance from one another and they have a predetermined (constant) depth for receiving an edge region of a respective wafer to be picked up. The depth will preferably be approximately equal to or smaller than an edge reject area of the wafers.

Die stabförmigen oberen Aufnahmeelemente 5 sind bevorzugt über die Befestigungsansätze 12 und die stabförmigen unteren Aufnahmeelemente bevorzugt ohne zusätzliche Befestigungsansätze jeweils derart an den Endplatten 3 angebracht, dass die Böden der Aufnahmeschlitze 13,14 um 45° zur Senkrechten geneigt sind. Dabei weisen die oberen Aufnahmeschlitze 13 zueinander hin, sodass die oberen Aufnahmeschlitze 13 im Wesentlichen einen 90° Winkel zueinander bilden. Analog dazu weisen die unteren Aufnahmeschlitze 14 zueinander hin, sodass die unteren Aufnahmeschlitze 14 im Wesentlichen einen 90° Winkel bilden. Die Aufnahmeschlitze 13,14 sind im Wesentlichen über die gesamte Länge der Aufnahmeelemente 5,6 hinweg vorgesehen. In den Endbereichen, benachbart zu den Befestigungsbereichen der Aufnahmeelemente 5,6, sind jeweilige Entspannungsschlitze 15 vorgesehen, welche keine Aufnahmefunktion für Wafer besitzen. Die Entspannungsschlitze 15 besitzen eine geringere Tiefe als die jeweiligen Aufnahmeschlitze 13,14, was zu einer Reduzierung der mechanischen Spannung führt. Obwohl zwei dieser Entspannungsschlitze 15 gezeigt sind kann auch eine größere oder kleinere Anzahl der Entspannungsschlitze 15 vorgesehen sein oder es kann ganz auf Entspannungsschlitze 15 verzichtet werden. Die Schlitztiefe der Entspannungsschlitze 15 kann sich ausgehend von dem letzten Aufnahmeschlitz in Richtung des Befestigungbereichs verringern. Auftretenden Spannungen werden somit stufenweise abgebaut. Der Entspannungsschlitz 15 mit geringerer Tiefe ermöglicht im Einsatz eine verringerte mechanische Spannung im ersten Schlitz.The rod-shaped upper receiving elements 5 are preferred over the attachment approaches 12th and the rod-shaped lower receiving elements preferably in each case on the end plates without additional attachment approaches 3rd attached that the bottoms of the receiving slots 13 , 14 are inclined at 45 ° to the vertical. The upper slots have 13 towards each other so that the top receiving slots 13 essentially form a 90 ° angle to each other. The lower receiving slots face the same way 14 towards each other, so that the lower receiving slots 14 essentially form a 90 ° angle. The receiving slots 13 , 14 are essentially over the entire length of the receiving elements 5 , 6 provided. In the end areas, adjacent to the fastening areas of the receiving elements 5 , 6 , are respective relaxation slots 15 provided that have no recording function for wafers. The relaxation slots 15 have a smaller depth than the respective receiving slots 13 , 14 , which leads to a reduction in the mechanical tension. Although two of these relaxation slots 15 a larger or smaller number of relaxation slots can also be shown 15 be provided or it can be entirely on relaxation slots 15 to be dispensed with. The slot depth of the relaxation slots 15 may decrease from the last slot in the direction of the mounting area. Stresses that occur are thus gradually reduced. The relaxation slot 15 with a smaller depth enables a reduced mechanical tension in the first slot in use.

Die Befestigungsansätze 12 besitzen jeweils im Wesentlichen eine Plattenform, und bestehen in der Regel ebenfalls aus Quarz. Bei der derzeitig bevorzugten Ausführungsform sind die Befestigungsansätze 12 einteilig mit den Endplatten 3 ausgebildet und werden zum Beispiel durch herausfräsen aus einem die Endplatten bildenden Plattenmaterial gebildet. Bei dieser Ausführung sind die oberen Aufnahmeelemente 5 dann an die Befestigungsansätze 12 geschweißt oder gebondet, um eine Verbindung mit den Endplatten 3 zu erreichen. Es ist aber auch möglich, dass die Befestigungsansätze 12 einteilig mit den oberen Aufnahmeelementen 5 ausgebildet sind und die Befestigungsansätze 12 dann an die Endplatten 3 geschweißt oder gebondet sind. Bei einer weiteren Ausführungsform sind die Befestigungsansätze 12 als separate Elemente ausgebildet und sie sind sowohl an die Endplatten 3 als auch die oberen Aufnahmeelemente 5 geschweißt oder gebondet. In jedem Fall erfolgt eine Verbindung der Endplatten 3 mit den oberen Aufnahmeelementen 5 über jeweilige Befestigungsansätze 12. In anderen Ausführungsformen können die Aufnahmeelemente 5 aber auch über anders gestaltete Befestigungsansätze oder direkt mit den Endplatten 3 verbunden werden.The attachment approaches 12th each have essentially a plate shape, and usually also consist of quartz. In the currently preferred embodiment, the attachment lugs 12th in one piece with the end plates 3rd are formed and are formed, for example, by milling out of a plate material forming the end plates. In this version, the upper receiving elements 5 then to the attachment lugs 12th welded or bonded to connect to the end plates 3rd to reach. But it is also possible that the attachment approaches 12th in one piece with the upper mounting elements 5 are trained and the attachment approaches 12th then to the end plates 3rd are welded or bonded. In a further embodiment, the attachment lugs 12th formed as separate elements and they are both on the end plates 3rd as well as the upper receiving elements 5 welded or bonded. In any case, the end plates are connected 3rd with the upper receiving elements 5 via respective attachment approaches 12th . In other embodiments, the receiving elements 5 but also via differently designed attachment approaches or directly with the end plates 3rd get connected.

In der DE 10 2014 002 280 A werden spezielle Befestigungsansätze beschrieben, welche durch Bezugnahme in die Beschreibung aufgenommen sind.In the DE 10 2014 002 280 A special attachment approaches are described, which are incorporated by reference into the description.

Die Stützelemente 7,8 erstrecken sich ebenfalls zwischen den Endplatten 3 und sind an diesen gelagert, wobei jedem oberen Aufnahmeelement 5 ein oberes Stützelement 7 und jedem unteren Aufnahmeelement 6 ein unteres Stützelement 8 zugeordnet ist. Die Stützelemente 7,8 bestehen aus einem geeigneten Material, welches durch eine höhere Festigkeit, Formstabilität und/oder Temperaturbeständigkeit als das Material der Aufnahmeelemente dazu geeignet ist, die Aufnahmeelemente zu stützen wie zum Beispiel Siliziumcarbid (SiC) oder siliziuminfiltriertes Siliziumcarbid (Si-SiC). Die Stützelemente 7,8 besitzen jeweils eine langgestreckte Stabform. Sie können jedoch auch aus einem anderen geeigneten Material gefertigt sein.The support elements 7 , 8th also extend between the end plates 3rd and are mounted on these, each upper receiving element 5 an upper support element 7 and each lower receiving element 6 a lower support element 8th assigned. The support elements 7 , 8th consist of a suitable material which, due to its higher strength, dimensional stability and / or temperature resistance than the material of the receiving elements, is suitable for supporting the receiving elements, such as silicon carbide (SiC) or silicon infiltrated silicon carbide (Si-SiC). The support elements 7 , 8th each have an elongated rod shape. However, they can also be made from another suitable material.

Die Stützelemente 7,8 befinden sich bei einer Arbeitsausrichtung des Waferbootes in Schwerkraftrichtung zumindest teilweise unterhalb des jeweiligen Aufnahmeelements 5,6.The support elements 7 , 8th are at least partially below the respective receiving element when the wafer boat is aligned in the direction of gravity 5 , 6 .

In einer Ausführungsform (siehe 3) befinden sich obere Stützelemente 7 mit einem im Wesentlichen rechteckigen Querschnitt in einer zum Abstützen ausreichender Nähe unter den oberen Aufnahmeelementen 5. Hierdurch werden die oberen Aufnahmeelemente 5 auf einer den oberen Aufnahmeschlitzen 13 abgewandten Seite durch die jeweiligen oberen Stützelemente 7 gestützt. Weiter befinden sich untere Stützelemente 8 mit einem im Wesentlichen runden Querschnitt vertikal unter den unteren Aufnahmeelementen 6 in einem größeren Abstand als der Abstand zwischen den oberen Aufnahmeelementen 5 und den oberen Stützelementen 7. Die unteren Aufnahmeelemente 6 können über eine Vielzahl von Stützen 16 in Schwerkraftrichtung abgestützt werden, die den Abstand zwischen den unteren Aufnahmeelementen 6 und den unteren Stützelementen 8 zum Abstützen ausreichend überbrücken. Die Stützen 16 können als Teil der unteren Stützelemente 8, als Teil der unteren Aufnahmeelemente 6 oder als separate Teile ausgebildet sein.In one embodiment (see 3rd ) there are upper support elements 7 with a substantially rectangular cross-section in a sufficient proximity to support under the upper receiving elements 5 . As a result, the upper receiving elements 5 on one of the top slots 13 opposite side by the respective upper support elements 7 supported. There are also lower support elements 8th with a substantially round cross section vertically below the lower receiving elements 6 at a greater distance than the distance between the upper receiving elements 5 and the upper support elements 7 . The lower receiving elements 6 can have a variety of supports 16 are supported in the direction of gravity, the distance between the lower receiving elements 6 and the lower support elements 8th bridge sufficiently for support. The pillars 16 can be part of the lower support elements 8th , as part of the lower receiving elements 6 or be formed as separate parts.

Die Stützfunktion wird über eine ausreichende Nähe zum Abstützen gewährleistet. Dabei können die jeweiligen Aufnahmeelemente 5 und Stützelemente 7 in Kontakt stehen oder eng beabstandet sein. Eng beabstandet bedeutet ein Abstand kleiner einem Millimeter. Der Abstand wird mindestens so groß gewählt, dass die jeweiligen Aufnahmeelemente 5 bei thermischer Belastung nicht aufgrund von unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten durch die Stützelemente 7 beeinträchtigt werden. Weiter wird der Abstand mindestens so klein gewählt, dass eine wesentliche Verformung der Aufnahmeelemente 5 durch die Stützelemente 7 verhindert wird. Alternativ kann der Abstand auch größer gewählt werden, wenn die Stützfunktion über Stützen 16 gewährleistet wird. Analog stehen in diesem Fall die Stützen 16 in Kontakt mit sowohl dem jeweiligen Aufnahmeelement 6 als auch dem Stützelement 8 oder sie sind zu einem der dieser beiden Elemente eng beabstandet. Für diesen Abstand zwischen den Stützen 16 und dem jeweiligen Aufnahmeelement 6 und Stützelement 8 gelten analog die gleichen Bedingungen wie für den Abstand zwischen dem jeweiligen Aufnahmeelement 5 und Stützelement 7. Stehen die jeweiligen Aufnahmeelemente 5 und Stützelemente 7 in Kontakt, sind die Oberflächen der Kontaktflächen möglichst glatt gestaltet, sodass die Kontaktpartner gut aufeinander gleiten können. The support function is ensured by sufficient proximity to the support. The respective recording elements 5 and support elements 7 be in contact or closely spaced. Closely spaced means a distance of less than one millimeter. The distance is chosen at least so large that the respective receiving elements 5 with thermal load not due to different thermal expansion coefficients by the support elements 7 be affected. Furthermore, the distance is chosen to be at least so small that the receiving elements are substantially deformed 5 through the support elements 7 is prevented. Alternatively, the distance can also be selected to be larger if the support function is via supports 16 is guaranteed. The supports are analogous in this case 16 in contact with both the respective receiving element 6 as well as the support element 8th or they are closely spaced from either of these two elements. For this distance between the supports 16 and the respective receiving element 6 and support element 8th the same conditions apply analogously as for the distance between the respective receiving element 5 and support element 7 . Are the respective receiving elements 5 and support elements 7 in contact, the surfaces of the contact surfaces are designed to be as smooth as possible, so that the contact partners can slide well onto one another.

In 4 ist eine bevorzugte Ausführungsform dargestellt, in der die Stützelemente 7,8 an den Endplatten 3 lose gelagert sind, sodass sie sich horizontal in Längsrichtung des Waferbootes unter Temperatureinfluss ausdehnen können ohne das Waferboot durch mechanische Spannungen zu belasten. Die gestrichelten Linien zeigen dabei Bereiche, die in der Seitenansicht des Waferbootes von anderen Elementen verdeckt sind. Zumindest in Richtung der Schwerkraftwirkung sind die Stützelemente 7,8 fest gelagert. Zur losen Lagerung werden die Stützelemente 7,8 durch entsprechende Löcher in den Endplatten 3 gesteckt und mit Kappen 17 gegen ein Herausrutschen gesichert. Auch andere geeignete Methoden können zur losen Lagerung verwendet werden. Ebenso ist eine feste Lagerung der Stützelemente analog zu den Aufnahmeelementen zumindest an einer Endplatte 3 möglich. Im Bereich der Befestigungsansätze 12 wird die Auflagefläche für die Stützelemente 7,8 verlängert, was für die Lagerung vorteilhaft sein kann.In 4th a preferred embodiment is shown in which the support elements 7 , 8th on the end plates 3rd are stored loosely so that they can expand horizontally in the longitudinal direction of the wafer boat under the influence of temperature without stressing the wafer boat by mechanical stresses. The dashed lines show areas that are hidden by other elements in the side view of the wafer boat. The support elements are at least in the direction of the force of gravity 7 , 8th permanently stored. The support elements are used for loose storage 7 , 8th through corresponding holes in the end plates 3rd inserted and with caps 17th secured against slipping out. Other suitable methods can also be used for loose storage. Likewise, a fixed mounting of the support elements is analogous to the receiving elements at least on one end plate 3rd possible. In the area of the attachment approaches 12th becomes the support surface for the support elements 7 , 8th extended, which can be advantageous for storage.

5 zeigt einen Spielraum 11 als Teil der losen Lagerung der Stützelemente 7, 8 an den Endplatten 3. Dieser Spielraum 11 entstehet dadurch, dass die Löcher in den Endplatten 3 größer gewählt werden als der Querschnitt der jeweiligen Stützelemente 7, 8. Der Spielraum ist dabei so dimensioniert, dass sich die Stützelemente 7, 8 unter Temperatureinfluss in alle Richtungen ausdehnen können ohne in den Löchern an den Endplatten 3 zu verklemmen. 5 shows a margin 11 as part of the loose storage of the support elements 7 , 8th on the end plates 3rd . This scope 11 arises from the fact that the holes in the end plates 3rd be chosen larger than the cross section of the respective support elements 7 , 8th . The scope is dimensioned so that the support elements 7 , 8th Can expand in all directions under the influence of temperature without in the holes on the end plates 3rd to jam.

In 5 und 6 sind Ausführungsformen dargestellt, bei denen die Stützelemente 7, 8 einen im Wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Die Aufnahmeelemente 5, 6 haben ebenfalls einen im Wesentlichen rechteckigen Querschnitt, wobei die Aufnahmeelemente 5, 6 jedoch bevorzugt diagonal gegenüber einer Tragfläche zusätzlich eine Aussparung aufweisen. Die Stützelemente 7, 8 sind in jeweiligen Aussparungen der Aufnahmeelemente 5, 6, sodass die jeweiligen Aufnahmeelemente 5, 6 in mehreren Kraftwirkungsrichtungen insbesondere vertikal und horizontal gestützt werden können.In 5 and 6 Embodiments are shown in which the support elements 7 , 8th have a substantially rectangular cross section. The receiving elements 5 , 6 also have a substantially rectangular cross section, the receiving elements 5 , 6 however, preferably also have a recess diagonally opposite an aerofoil. The support elements 7 , 8th are in respective recesses of the receiving elements 5 , 6 , so that the respective recording elements 5 , 6 can be supported in several directions of force, in particular vertically and horizontally.

In den 6 bis 10 sind alternative Ausführungsformen der Stützelemente 7,8 in Kombination mit den Aufnahmeelementen 5,6 dargestellt.In the 6 to 10th are alternative embodiments of the support elements 7 , 8th in combination with the mounting elements 5 , 6 shown.

6 zeigt Aufnahmeelemente 5 und Stützelemente 7, die um 45° gegenüber 5 (zur Schwerkraftrichtung) gedreht sind. Ein um ebenfalls 45° zur Schwerkraftrichtung gedrehter Wafer erzeugt verstärkt eine seitlich, also senkrecht zur Schwerkraftrichtung wirkende Kraft. Dieser aus Schwerkraft und Seitenwirkung resultierenden Kraft kann die gedrehte Anordnung der Aufnahmeelemente 5 und Stützelemente 7 vorteilhaft entgegenwirken. 6 shows recording elements 5 and support elements 7 that are 45 ° opposite 5 (turned towards the direction of gravity). A wafer that is also rotated through 45 ° to the direction of gravity generates a force that acts laterally, that is perpendicular to the direction of gravity. This force resulting from gravity and side effect can be the rotated arrangement of the receiving elements 5 and support elements 7 counteract advantageous.

In 7 haben die Stützelemente 7, 8 ebenfalls einen im Wesentlichen rechteckigen Querschnitt. Die Aufnahmeelemente 5, 6 hingegen weisen einem im Wesentlichen runden Querschnitt auf, wobei der Querschnitt der Aufnahmeelemente 5, 6 zusätzlich eine Aussparung ähnlich zu der Anordnung in 5 und 6 aufweist. In dieser Aussparung befindet sich zumindest teilweise das jeweilige Stützelement 7, 8, sodass die jeweiligen Aufnahmeelemente 5, 6 in mehreren Kraftwirkungsrichtungen ähnlich zu 6 gestützt werden können.In 7 have the support elements 7 , 8th also a substantially rectangular cross section. The receiving elements 5 , 6 on the other hand have an essentially round cross section, the cross section of the receiving elements 5 , 6 additionally a recess similar to the arrangement in 5 and 6 having. The respective support element is at least partially located in this recess 7 , 8th , so that the respective recording elements 5 , 6 similar in several directions of force 6 can be supported.

In 8 und 9 haben die Stützelemente 7,8 und die Aufnahmeelemente 5,6 jeweils einen im Wesentlichen rechteckigen (siehe 8) oder runden (siehe 9) Querschnitt. Der Querschnitt der Aufnahmeelemente 5,6 ist hohl, sodass sich die Stützelemente 7,8 im Inneren der jeweiligen Aufnahmeelemente 5,6 befinden. In diesen Ausführungsbeispielen sind die Aufnahmeschlitze 13,14 der Aufnahmeelemente so tief, dass sie die Wafer aufnehmen können, jedoch keinen Kontakt der aufgenommenen Wafer zu den inneren Stützelementen ermöglichen.In 8th and 9 have the support elements 7 , 8th and the receiving elements 5, 6 each have a substantially rectangular shape (see 8th ) or round (see 9 ) Cross-section. The cross section of the receiving elements 5 , 6 is hollow, so that the support elements 7 , 8th inside the respective receiving elements 5 , 6 are located. In these embodiments, the receiving slots are 13 , 14 of the receiving elements so deep that they can receive the wafers, but do not allow contact of the received wafers with the inner support elements.

In 10 ist eine weitere Ausführungsform der oberen Stützelemente 7 und oberen Aufnahmeelemente 5 dargestellt. Die oberen Aufnahmeelemente 5 haben einen im Wesentlichen runden Querschnitt und befinden sich auf oberen Stützelementen 7 mit einem schalenförmigen Querschnitt. Schalenförmig bedeutet, dass die oberen Stützelemente 7 die jeweiligen oberen Aufnahmeelemente 5 wenigstens teilweise umgreifen.In 10th is another embodiment of the upper support members 7 and upper receiving elements 5 shown. The upper receiving elements 5 have an essentially round cross-section and are located on upper support elements 7 with a bowl-shaped cross section. Cup-shaped means that the upper support elements 7 the respective upper receiving elements 5 embrace at least partially.

Auch andere geeignete Ausführungsformen der Stützelemente 7,8 und der Aufnahmeelemente 5,6, wie zum Beispiel halbkreisförmige Querschnitte sind möglich. Other suitable embodiments of the support elements 7 , 8th and the receiving elements 5 , 6 , such as semicircular cross sections are possible.

Nachfolgend wird nunmehr der Betrieb des Waferbootes näher erläutert. Ein leeres Waferboot 1 wird zunächst in eine Beladposition im Bereich eines Be-/Entladekammes gebracht, wobei beispielsweise die unteren Ausnehmungen in den Plattenelementen 3 als Führungs- und Platzierungsausnehmungen dienen. Dann werden in Vertikalrichtung Be-/Entladekämme in Vertikalrichtung zwischen die Aufnahmeelement 5,6 eingeführt. Auf diesen werden Wafer abgesetzt welche dann durch Absenken der Be-/Entladekämme in die jeweiligen Aufnahmeschlitze 13,14 der Aufnahmeelemente 5,6 eingeführt werden. Die Wafer kommen in den Aufnahmeschlitzen 13,14 zum Aufliegen.The operation of the wafer boat is now explained in more detail below. An empty wafer boat 1 is first brought into a loading position in the area of a loading / unloading comb, with for example the lower recesses in the plate elements 3rd serve as guiding and placement recesses. Then loading / unloading combs in the vertical direction are between the receiving element 5 , 6 introduced. Wafers are placed on these, which are then lowered into the respective receiving slots by lowering the loading / unloading combs 13 , 14 of the receiving elements 5 , 6 be introduced. The wafers come in the receiving slots 13 , 14 to lie on.

Anschließend kann ein so beladenes Waferboot in einer Prozesskammer eingebracht werden. Insbesondere ist das dargestellte Waferboot beispielsweise für eine Prozesskammer eines Diffusionsofens gedacht, in dem die Wafer mit Wärme und bestimmten Prozessgasen beaufschlagt werden. Dadurch dass das Waferboot aus Quarz besteht, ist es in der Regel gegenüber der Erwärmung als auch der Prozessgasatmosphäre unempfindlich. Auch führt der Quarz in dem Prozess keine Verunreinigungen ein. Durch die Stützelemente 7,8 werden Verformungen der Aufnahmeelemente verhindert. Nach einer entsprechenden Behandlung der Wafer wird das Waferboot in umgekehrter Reihenfolge aus dem Prozess genommen und entsprechend entladen.A wafer boat loaded in this way can then be introduced into a process chamber. In particular, the wafer boat shown is intended, for example, for a process chamber of a diffusion furnace in which heat and certain process gases are applied to the wafers. Because the wafer boat is made of quartz, it is usually insensitive to heating and the process gas atmosphere. The quartz also does not introduce any impurities in the process. The support elements 7, 8 prevent deformations of the receiving elements. After appropriate treatment of the wafers, the wafer boat is removed from the process in reverse order and unloaded accordingly.

Durch die Stützelemente 7,8 ist es möglich trotz der großen Länge der Aufnahmeelemente 5 Quarz einzusetzen. Da die Stützelemente nicht mit den Wafern in Kontakt kommen, werden Verunreinigungen ausgeschlossen, so dass in der bevorzugten Ausführung SiC oder Si-SiC für die Stützelemente eingesetzt werden kann. Die Befestigung der Stützelemente 7,8 über die lose Lagerung ermöglicht eine Reduzierung mechanischer Spannungen im Waferboot.Through the support elements 7 , 8th it is possible despite the large length of the receiving elements 5 Use quartz. Since the support elements do not come into contact with the wafers, contamination is excluded, so that SiC or Si-SiC can be used for the support elements in the preferred embodiment. The attachment of the support elements 7 , 8th The loose bearing enables a reduction of mechanical stresses in the wafer boat.

Die Erfindung wurde zuvor anhand einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung näher erläutert, ohne auf die konkrete Ausführungsform beschränkt zu sein.The invention was previously explained in more detail using a preferred embodiment of the invention, without being limited to the specific embodiment.

Insbesondere können sich die Querschnittsformen sowohl der Aufnahmeelemente als auch der Stützelemente von der dargestellten Form unterscheiden. Ebenso kann sich die Form der Lagerung der Aufnahmeelemente und Stützelemente an den Endplatten von der dargestellten Form unterscheiden.In particular, the cross-sectional shapes of both the receiving elements and the support elements can differ from the shape shown. Likewise, the shape of the mounting of the receiving elements and support elements on the end plates can differ from the shape shown.

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • DE 102014002280 A [0003, 0020]DE 102014002280 A [0003, 0020]

Claims (12)

Waferboot (1) zur Aufnahme von Wafern, insbesondere Halbleiterwafern, das folgendes aufweist: wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente (5,6), wobei jedes Aufnahmeelement aus Quarz besteht und jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen (13,14) aufweist; langgestreckte Stützelemente (7,8), wobei jedem Aufnahmeelement wenigsten ein Stützelement zugeordnet ist, wobei die Stützelemente aus einem zweiten Material bestehen, das von Quarz verschieden ist, und wobei sich die Stützelemente bei Arbeitsausrichtung zumindest teilweise in Schwerkraftrichtung unterhalb des jeweiligen Aufnahmeelementes befinden; und zwei Endplatten (3), zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahm e-elemente zueinander ausgerichtet sind.Wafer boat (1) for holding wafers, in particular semiconductor wafers, which has the following: at least two elongated receiving elements (5, 6), each receiving element consisting of quartz and each having a plurality of parallel receiving slots (13, 14) extending transversely to the longitudinal extent; Elongated support elements (7, 8), at least one support element being assigned to each receiving element, the supporting elements being made of a second material that is different from quartz, and wherein the support elements are at least partially in the direction of gravity below the respective receiving element when the work is oriented; and two end plates (3), between which the receiving elements are arranged and fastened in such a way that the receiving slots of the receiving e-elements are aligned with one another. Waferboot nach Anspruch 1, wobei die Aufnahmeelemente und die jeweiligen Stützelemente eng beabstandet sind, in Kontakt stehen oder über Stützen (16) eng beabstandet oder in Kontakt sind.Wafer boat after Claim 1 , wherein the receiving elements and the respective support elements are closely spaced, are in contact or are closely spaced or in contact via supports (16). Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Stützelemente an den Endplatten fest oder in Längsausrichtung lose gelagert sind.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein the support elements on the end plates are fixed or loosely mounted in the longitudinal direction. Waferboot nach Anspruch 3, wobei die Stützelemente an den Endplatten mit Spielraum (11) gelagert sind.Wafer boat after Claim 3 , wherein the support elements are mounted on the end plates with play (11). Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche , wobei das zweite Material eine höhere Festigkeit, Formstabilität und/oder Temperaturbeständigkeit aufweist als Quarz.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein the second material has a higher strength, dimensional stability and / or temperature resistance than quartz. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zweite Material Siliziumcarbid oder siliziuminfiltriertes Siliziumcarbid ist.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein the second material is silicon carbide or silicon infiltrated silicon carbide. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Aufnahmeelemente und/oder die Stützelemente einen im Wesentlichen rechteckigen, im Wesentlichen kreisförmigen oder im Wesentlichen halbkreisförmigen Querschnitt aufweisen.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein the receiving elements and / or the support elements have a substantially rectangular, substantially circular or substantially semicircular cross section. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Querschnitt der Aufnahmeelemente zusätzlich eine Aussparung aufweist, sodass sich jedes Stützelement teilweise in der Aussparung des Querschnitts des jeweiligen Aufnahmeelements erstreckt.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein the cross section of the receiving elements additionally has a recess, so that each support element extends partially in the recess of the cross section of the respective receiving element. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich jedes Stützelement auf einer den Aufnahmeschlitzen abgewandten Seite des jeweiligen Aufnahmeelementes befindet.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein each support element is located on a side of the respective receiving element facing away from the receiving slots. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jedes Aufnahmeelement einen hohlen Querschnitt aufweist; und wobei sich jedes Stützelement zumindest teilweise im Inneren des jeweiligen Aufnahmeelements erstreckt.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein each receiving element has a hollow cross section; and wherein each support element extends at least partially inside the respective receiving element. Waferboot nach einem der Ansprüche 1-7 oder 9, wobei die Stützelemente einen im Wesentlichen schalenförmigen Querschnitt aufweisen und die jeweiligen Aufnahmeelemente wenigstens teilweise umgreifen.Wafer boat according to one of the Claims 1 - 7 or 9 , wherein the support elements have an essentially shell-shaped cross section and at least partially encompass the respective receiving elements. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Aufnahmeschlitze von wenigstens zwei Aufnahmeelementen mit einem Winkel von 30°-60°, vorzugsweise von ungefähr 45°, zur Horizontalen zueinander geneigt sind.Wafer boat according to one of the preceding claims, wherein the receiving slots of at least two receiving elements are inclined to one another at an angle of 30 ° -60 °, preferably of approximately 45 °, to the horizontal.
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