DE102019105483A1 - Bauelementvorrichtung sowie Verfahren zum Betreiben einer Bauelementvorrichtung - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000000110 selective laser sintering Methods 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000010512 thermal transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
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- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
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- F28F3/12—Elements constructed in the shape of a hollow panel, e.g. with channels
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D21/00—Heat-exchange apparatus not covered by any of the groups F28D1/00 - F28D20/00
- F28D2021/0019—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for
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- F28D2021/0029—Heat sinks
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bauelementvorrichtung, umfassend eine Bodenplatte, welche eine Unterseite sowie eine Oberseite aufweist, wobei an beiden Seiten jeweils eine Unterfläche und eine Oberfläche ausgebildet ist, und weiter wobei beide Flächen mittels zumindest einer Seitenfläche miteinander verbunden sind. Zudem umfasst die Bauelementvorrichtung zumindest ein elektrisches Bauelement, welches auf und/oder an der Bodenplatte angeordnet ist, wobei von dem elektrischen Bauelement erzeugte Abwärme an die Bodenplatte weitergegeben wird, um das elektrische Bauelement zu kühlen. Auch umfasst die Bauelementvorrichtung zumindest ein erstes Kontaktelement, welche einen ersten Kontaktbereich des elektrischen Bauelements elektrisch leitend kontaktiert sowie zumindest ein zweites Kontaktelement, welches einen zweiten Kontaktbereich des elektrischen Bauelement elektrisch leitend kontaktiert, wobei die Bodenplatte selbst als ein Wärmetauscher ausgebildet ist und/oder einen Wärmetauscher aufweist, und mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bauelementvorrichtung sowie ein Verfahren zum Betreiben einer Bauelementvorrichtung gemäß den Oberbegriffen der Patentansprüche 1 und 10.
- Aus dem Stand der Technik sind Bauelementvorrichtungen bekannt, welche Wärmetauscher, insbesondere Kühlrippen, aufweisen, um ein auf einem Substrat montiertes elektrisches Bauelement, zum Beispiel eine Licht emittierende Diode (LED) oder ein sonstiges Schalterelement, aufweisen.
- Zwischen einem solchen Wärmetauscher und dem elektrischen Bauelement ist eine Bodenplatte montiert, um die von dem elektrischen Bauelement erzeugte Wärme auf den Wärmetauscher, insbesondere gleichmäßig, zu verteilen.
- Durch die zusätzliche Verwendung eines entsprechenden Wärmetauschers in Verbindung mit der Bodenplatte kann jedoch nur ein relativ schlechter thermischer Übergangswiderstand zwischen dem elektrischen Bauelement, der Bodenplatte und dem Wärmetauscher erzeugt werden. Mit anderen Worten gelangt besonders wenig Wärmeenergie von dem elektrischen Bauelement hin zu dem Wärmetauscher, da die Bodenplatte dazwischen angeordnet ist, wobei zwischen diesen beiden Elementen jeweils entsprechende wärmeleitfähige Verbindungen, zum Beispiel Lötverbindungen, angebracht sind.
- Auch ist ein solcher Aufbau besonders kostenintensiv, wobei zudem bei einer Montage einer solchen Bauelementvorrichtung der Wärmetauscher, welche gemäß dem Stand der Technik aus einem wärmeleitfähigen Material, zum Beispiel Aluminium oder Kupfer, gefertigt ist, zusätzlich gegenüber der Gehäusewand elektrisch isolierend angebracht werden muss.
- Solche Anordnungen sind daher sehr aufwendig und kostenintensiv. Ausgehend hiervon ist es daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Bauelementvorrichtung anzugeben, welche nicht nur kostengünstig herstellbar ist, sondern auch ganz besonders einfach aufgebaut ist und zudem eine erhöhte Wärmeableitfähigkeit aufweist.
- Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst.
- Erfindungsgemäß umfasst die hier beschriebene Bauelementvorrichtung eine Bodenplatte, welche eine Unterseite sowie eine Oberseite aufweist, wobei an beiden Seiten jeweils eine Unterfläche und eine Oberfläche ausgebildet ist, und weiter wobei beiden Flächen mittels zumindest einer Seitenfläche miteinander verbunden sind.
- Zudem umfasst die Bauelementvorrichtung zumindest ein elektrisches Bauelement, welches auf und/oder an der Bodenplatte, insbesondere an der Oberseite der Bodenplatte, angeordnet ist, wobei von dem elektrischen Bauelement erzeugte Abwärme an die Bodenplatte weitergegeben wird, um das elektrische Bauelement zu kühlen. Zudem umfasst diese Bauelementvorrichtung zumindest ein erstes Kontaktelement, welches einen ersten Kontaktbereich des elektrischen Bauelements elektrisch leitend kontaktiert, sowie ein zweites Kontaktelement, welches einen zweiten Kontaktbereich es elektrischen Bauelements elektrisch leitend kontaktiert.
- Erfindungsgemäß ist die Bodenplatte selbst als ein Wärmetauscher ausgebildet und/oder weist einen solchen Wärmetauscher auf, wobei die Bodenplatte aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist.
- Mit anderen Worten ist auf eine separate Anordnung von Bodenplatte und Wärmetauscher verzichtet. Vorzugsweise handelt es sich bei der Bodenplatte um ein einstückig gefertigtes Element. Ein solches Element kann daher frei von Klebstellen und/oder sonstigen Verbindungen und Unterbrechungen sein.
- Es können daher, in zumindest einer Ausführungsform, solche Anordnungen ausgeschlossen werden, welche eine Bodenplatte sowie ein weiteres Element, insbesondere einen weiteren Wärmetauscher, aufweisen, der in einem separaten Montageschritt auf die Bodenplatte angeordnet ist. Die grundlegende Idee der vorliegenden Erfindung ist es daher unter anderem, in die Bodenplatte selbst einen Wärmetauscher zu integrieren. Vorzugsweise bildet daher die Bodenplatte nicht nur eine Montageplatte aus, sondern ist selbst der Wärmetauscher.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Bauelementvorrichtung eine Bodenplatte, welche eine Unterseite sowie eine Oberseite aufweist, wobei an beiden Seiten jeweils eine Unterfläche und eine Oberfläche ausgebildet ist, und weiter wobei beide Flächen mittels zumindest einer Seitenfläche miteinander verbunden sind.
- Zudem weist die Bauelementvorrichtung zumindest ein elektrisches Bauelement auf, welches auf und/oder an der Bodenplatte angeordnet ist, wobei die von dem elektrischen Bauelement erzeugte Abwärme an die Bodenplatte weitergegeben wird, um das elektrische Bauelement zu kühlen.
- Darüber hinaus umfasst die Bauelementvorrichtung zumindest ein erstes Kontaktelement, welches einen ersten Kontaktbereich des dielektrischen Bauelements elektrisch leitend kontaktiert, wobei die Bauelementvorrichtung zudem zumindest ein zweites Kontaktelement aufweist, welches einen zweiten Kontaktbereich des elektrischen Bauelements elektrisch leitend kontaktiert, wobei erfindungsgemäß die Bodenplatte selbst als ein Wärmetauscher ausgebildet ist und/ oder einen Wärmetauscher aufweist, und mit einem elektrisch leitenden Material gebildet ist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Bodenplatte frei von Kühlrippen. Dies stellt eine besonders einfache und kostengünstige Variante dar, da Kühlrippen oftmals aufwendig zu fertigen sowie aufwendig zu montieren sind.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist innerhalb der Bodenplatte zumindest ein Kühlkanal ausgebildet, welcher dazu eingerichtet und dafür vorgesehen ist, die Bodenplatte während des Betriebs der Bauelementvorrichtung zu kühlen. Ein solcher Kühlkanal ist daher eine tunnelförmige Ausformung innerhalb der Bodenplatte und allseits durch die Bodenplatte begrenzt. Die Bodenplatte kann daher in einem Schichtverfahren aus noch nicht gebrannten Keramikschichten aufgebaut sein, wodurch sich der Kühlkanal, zum Beispiel in einem 3D-Druckverfahren, erzeugen lässt. Durch den Kühlkanal hindurch kann ein Kühlmedium, zum Beispiel eine Kühlflüssigkeit oder auch ein Kühlgas geleitet werden. Bei der Kühlflüssigkeit kann es sich um Wasser oder um eine sonstige Flüssigkeit, vorzugsweise um eine ölfreie Flüssigkeit handeln.
- Hierzu weist der Kühlkanal zumindest zwei Enden auf, welche aus der Bodenplatte herausführen. An diesen beiden Enden kann jeweils ein Anschluss vorgesehen sein, mittels dessen ein Kühlkreislauf erzeugt werden kann, nämlich durch eine von außen erzeugte Einpumpung des Kühlmittels durch den Kühlkanal.
- Der Kühlkörper kann durch ein 3D-Druckverfahren gefertigt sein:
- Wie nun nicht abschließend unten gezeigt, kommen folgende 3D-Printtechnologien zur Herstellung des Kühlkörpers in Frage:
- Das FDM-Verfahren (Fused Deposition Modeling)
- Alternativbezeichnungen: Fused Filament Fabrication (FFF), Fused Layer Modeling (FLM)
- Das Verfahren bezeichnet ein schichtweises Auftragen (Extrusion) eines Materials durch eine heiße Düse. Das Verbrauchsmaterial befindet sich in Form eines langen Drahts (sog. Filament) auf einer Rolle und wird durch die Fördereinheit in einen Druckkopf geschoben, dort eingeschmolzen und auf einem Druckbett aufgebracht. Druckkopf und/oder Druckbett sind dabei in 3 Richtungen beweglich. So können Kunststoffschichten schrittweise aufeinander aufgebracht werden.
- Das SLS-Verfahren (Selektives Lasersintern)
- Im Unterschied zum Sinterverfahren, bei dem Stoffe in Pulverform unter Hitzeeinwirkung miteinander verbunden werden, geschieht dies beim SLS-Verfahren selektiv durch einen Laser (alternativ auch Elektronenstrahl oder Infrarotstrahl). Es wird also nur ein bestimmter Teil des Pulvers miteinander verschmolzen.
- Dazu wird stets eine dünne Pulverschicht von der Beschichtungseinheit auf dem Druckbett ausgebracht. Der Laser (oder eine andere Energiequelle) wird nun punktgenau auf einzelne Stellen der Pulverschicht ausgerichtet, um die erste Schicht der Druckdaten auszubilden. Hierbei wird das Pulver an- oder aufgeschmolzen und verfestigt sich anschließend wieder durch geringfügiges Abkühlen. Das nicht aufgeschmolzene Pulver bleibt um die gesinterten Bereiche herum liegen und dient als Stützmaterial. Nachdem eine Schicht verfestigt ist, senkt sich das Druckbett um den Bruchteil eines Millimeters ab. Die Beschichtungseinheit fährt nun über das Druckbett und bringt die nächste Pulverschicht aus. Anschließend wird die zweite Schicht der Druckdaten durch den Laser (oder eine andere Energiequelle) gesintert. So entsteht schichtweise ein dreidimensionales Objekt.
- Three-Dimensional Printing (3DP)
- Das 3DP-Verfahren funktioniert sehr ähnlich wie das selektive Lasersintern, doch anstelle einer gerichteten Energiequelle verfährt ein Druckkopf über das Pulver. Dieser gibt winzige Tröpfchen von Bindemittel auf die zugrunde liegenden Pulverschichten ab, die so miteinander verbunden werden. Ansonsten ist dieses Verfahren dem SLS-Verfahren gleich.
- Stereolithographie (SLA)
- Anstelle eines Kunststoffdrahts oder Druckmaterials in Pulverform kommen beim Stereolithographie-Verfahren flüssige Harze, sog. Photopolymere, zum Einsatz. Sie werden schichtweise durch UV-Strahlung verhärtet und erzeugen so dreidimensionale Objekte. Dafür wird die Bauplattform im Harzbecken schrittweise abgesenkt. Es gibt auch Varianten (sog. Polyjet-Verfahren) ohne ein ganzes Becken mit flüssigem Harz. Dafür wird ein Epoxydharz tröpfchenweise aus einer Düse aufgebracht und durch einen UV-Laser sofort ausgehärtet.
- Laminated Object Manufacturing (LOM)
- Alternativbezeichnung: Layer Laminated Manufacturing (LLM)
- Das Verfahren basiert weder auf chemischen Reaktionen, noch auf einem thermischen Prozess. Es wird dabei mit einem trennenden Werkzeug (z.B. einem Messer oder Kohlendioxidlaser) eine Folie oder Platte (z.B. Papier) an der Kontur geschnitten und schichtweise aufeinander geklebt. So entsteht durch Absenken der Bauplattform ein Schichtobjekt aus geklebten, übereinanderliegenden Folien.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich der Kühlkanal entlang einer Haupterstreckungsebene der Bodenplatte innerhalb der Bodenplatte. Der Kühlkanal kann durch die stapelförmige Aufeinanderreihung der Keramikschichten des Kühlkörpers in einem Aufschichtverfahren, zum Beispiel einem wie dargestellten 3D-Druckverfahren erzeugt sein.
- Zum Beispiel ist denkbar, dass in der Bodenplatte sich der Kühlkanal in der Haupterstreckungsrichtung der Bodenplatte in einzelne Teilkühlkanäle verzweigt oder die Bodenplatte mehrere Anschlüsse für mehrere Kühlkanäle aufweist, die in der Bodenplatte separat ausgebildet sind und sich nicht treffen. Andererseits ist auch denkbar, dass diese mehreren Kühlkanäle in einer alternativen Ausführungsform an zumindest einem Punkt ineinander münden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform erreicht der Kühlkanal in seinem Querschnitt ausgehend von einem Anschlussquerschnitt unterhalb des elektrischen Bauelements einen maximalen Querschnitt.
- Der obig genannte Anschlussquerschnitt ist daher derjenige Querschnitt, welcher unmittelbar aus der Bodenplatte herausführt und für den Anschluss des Kühlmediums zur Bildung eines Kühlkreislaufs vorgesehen ist. Durch eine derartige Querschnittsausformung ist daher gewährleistet, dass in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Bodenplatte unterhalb des elektrischen Bauelements ein Maximum an Kühlflüssigkeit durchgeführt wird, um eine möglichst effiziente Wärmekühlung gewährleisten zu können.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Bodenplatte mit einer Keramik vorzugsweise vollständig gebildet.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in einer zur Haupterstreckungsebene der Bodenplatte senkrechten Richtung zwischen dem elektrischen Bauelement und der Bodenplatte zumindest ein Substrat und insbesondere ein DCB-Substrat angeordnet, wobei elektrisch leitende Bahnen des Substrats das zweite Kontaktelement ausbilden.
- Bei einem DCB-Substrat handelt es sich um ein „Direct Bonded Copper“ Substrat und ist in der Aufbau- und Verbindungstechnik eine Struktur, in der eine enge elektrisch und/oder thermische Verbindung elektronischer Bauteilchips über Kupfer ermöglicht. Dies ist insbesondere in der vorliegenden Erfindung von Vorteil, da hierdurch eine sehr effiziente und bessere Wärmeableitung wichtig ist. Auch werden solche DCB-Substrate aus bzw. auf der Kupferschichtleiterbahn Strukturen und Kontaktfläche hergestellt, um Bauteile aufzulöten, die so besonders gut gekühlt werden, was bei konventionellen Leiterplatten aufgrund einer verschlechterten Wärmeleitfähigkeit des Substrats nichts so effizient erreicht werden kann.
- Zum Beispiel beträgt eine Dicke des DCB-Substrats in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Bodenplatte vorzugsweise nicht mehr als 20 % einer entsprechenden maximalen Dicke der Bodenplatte. Eine solche Dicke des DCB-Substrats sorgt für eine hervorragende Wärmeleitung von dem elektrischen Bauelement hin zur Bodenplatte.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem elektrischen Bauelement um ein Schalterelement, insbesondere um Halbleiterbauelement oder um eine Leistungselektronik. Im Sinne der Erfindung handelt es sich bei dem Halbleiterbauelement um einen Baukörper, bei dem in oder an Grenzschichten zwischen Halbleitern (PN-Übergang, Hetero...) auftretende Effekte beeinflusst und ausgenutzt werden, um einen Schaltungszustand zu erzeugen. Je nach Art des Aufbaus eines Halbleiterbauelements, der Art des ausgenutzten Effekts oder der Anwendung unterscheidet man verschiedene Ausführungsformen, wie eine Halbleiterdiode, Transistor, Thyristor, Halbleiterzähler, Halbleiterkühlelement, Halbleiterheizelement, Halbleiterthermoelement, Halbleiterfotoelement, Fotowiderstandszelle, Thermistor, Halbleiterdruckwandler, Halleffektelement.
- Auch kann es sich bei dem elektrischen Schalter um ein mechanisch zu betätigbares Schalterelement handeln.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem elektrischen Bauelement um eine lichtemittierende Diode.
- Eine lichtemittierende Diode dient zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung ausgehend vom infraroten bis hin zum ultravioletten Lichtwellenlängenbereich. Zudem ist es möglich, dass auf der Bodenplatte, vorzugsweise auf dem Substrat, neben zumindest einer lichtemittierenden Diode ebenso auch ein anderes Bauelement, insbesondere ein anderes Halbleiterbauschaltelement angeordnet ist.
- Des Weiteren wird durch die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Betreiben einer Bauelementvorrichtung gemäß zumindest einer der obig dargestellten Ausführungsformen beansprucht.
- Das heißt, dass für das dargestellte Verfahren alle für die Bauelementvorrichtung offenbarten Merkmale offenbart sind und umgekehrt.
- Das hier beschriebene Verfahren beansprucht einen ersten Schritt, welcher darin besteht, eine Bauelementvorrichtung gemäß zumindest einer der obig beschriebenen Ausführungsformen bereitzustellen.
- In einem zweiten Schritt wird die Bauelementvorrichtung in Betrieb genommen, was insbesondere auch bedeutet, dass vor oder nach dem Kontaktieren und der Energieversorgung des elektrischen Bauelements mit elektrischer Energie und/oder vor oder nach Betätigen des elektrischen Bauelements (insofern dieses als ein Schalter ausgebildet ist) der Kühlkanal mit dem entsprechenden Kühlmittel durchpumpt wird.
- Weitere Ziele, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der vorliegenden Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung zu entnehmen. Hierbei zeigt:
-
1 ein Ausführungsbeispiel der hier beschriebenen Vorrichtung sowie des hier beschriebenen Verfahrens. - Aus der
1 ist zunächst die Bauelementvorrichtung100 erkennbar. Die Bauelementvorrichtung100 umfasst eine Bodenplatte1 , welche eine Unterseite10 sowie eine Oberseite11 aufweist, wobei an beiden Seiten10 ,11 jeweils eine Unterfläche10A und eine Oberfläche11A ausgebildet ist und weiter wobei beide Flächen10A ,11A mittels zumindest einer Seitenfläche13A miteinander verbunden sind. - Zudem umfasst die Bauelementvorrichtung
100 zumindest ein elektrisches Bauelement2 , welches auf und/oder an der Bodenplatte1 angeordnet ist, wobei von dem elektrischen Bauelement2 erzeugte Abwärme an die Bodenplatte1 weitergegeben wird, um das elektrische Bauelement2 zu kühlen. - Des Weiteren ist ein erstes Kontaktelement
15 erkennbar, welches einen ersten Kontaktbereich15A des elektrischen Bauelements2 elektrisch leitend kontaktiert. - Darüber hinaus ist ein zweites Kontaktelement
16 erkennbar, welches einen zweiten Kontaktbereich16A des elektrischen Bauelements2 elektrisch leitend kontaktiert. - Kernelement der vorliegenden Erfindung ist unter anderem, dass die Bodenplatte
1 selbst als ein Wärmetauscher ausgebildet ist und/oder einen Wärmetauscher aufweist und mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist. - Vorliegend ist die Bodenplatte
1 frei von Kühlrippen und mit einer Keramik gebildet. Dabei ist innerhalb der Bodenplatte1 ein Kühlkanal20 ausgebildet, welcher dazu eingerichtet und dafür vorgesehen ist, die Bodenplatte1 während des Betriebs der Bauelementvorrichtung100 zu kühlen. - Der Kühlkanal erstreckt sich entlang und parallel einer Haupterstreckungsebene
H1 der Bodenplatte1 innerhalb der Bodenplatte1 . - Des Weiteren ist, in Bezug auf die Ausgestaltung des Kühlkanals
20 , erkennbar, dass der Kühlkanal entlang der HaupterstreckungsebeneH1 der Bodenplatte1 sich in seinem QuerschnittQ1 ausgehend von dem AnschlussquerschnittQa erweitert, um unterhalb des elektrischen Bauelements2 seinen maximalen Querschnitt zu erreichen. - Mittels eines Bonddrahtes
17 ist das erste Kontaktelement15 gebildet, so dass dieser Bonddraht17 hin zu einer Kontaktierungsverlötung18 geführt wird. Insofern ist eine erste elektrische Kontaktierung des elektrischen Bauelements2 hergestellt. - Darüber hinaus ist erkennbar, dass das elektrische Bauelement
2 mit einer Lötverbindung19 auf einen DCB-Substrat3 aufgelötet ist. Das DCB-Substrat3 selbst ist wiederrum zum Beispiel auf elektrische Leiterbahnen der Bodenplatte1 , insbesondere lötverbindungsfrei, angeordnet. Zum Beispiel stehen das DCB-Substrat3 und die Bodenplatte1 so in unmittelbarem Kontakt miteinander. Zum Beispiel ist die Bodenplatte1 mit dem DCB-Substrat3 bedruckt und/oder galvanisiert. - Vorzugsweise ist die Verbindung zwischen dem DCB-Substrat
3 und der Bodenplatte1 frei von einer Lötverbindung. - Dies kann insbesondere durch die obig genannte Bedruckung und/oder Galvanisierung erreicht werden.
- Somit ist ein sehr kleiner thermischer Übergangswiderstand realisiert. Durch die thermisch isolierende Eigenschaft der Keramik der Bodenplatte
1 kann insbesondere nicht GND-bezogen, das heißt ohne weitere Maßnahmen zum Beispiel in einem Metallgehäuse verbaut werden, wodurch sich Vorteile bei einer Stromfilterung ergeben. - Zudem ist in der
1 ein entsprechendes Betriebsverfahren1000 gezeigt, wobei aus Vereinfachungsgründen darauf verzichtet wurde, das entsprechende Kühlmittel in den Kühlkanälen20 zu zeigen. - Zusammengefasst ermöglicht die vorliegende Bauelementvorrichtung
100 einen geringen thermischen Widerstand, eine hohe Effizient bei der Chip-Kühlung, eine Reduzierung der Lötverbindungsstellen, eine Gewichtsreduzierung, eine floatende Anbindung sowie eine Reduktion von Dichtstellen gegenüber einem Kühlmedium. - Die Erfindung ist nicht anhand des Ausführungsbeispiels beschränkt, sondern umfasst vielmehr jedes Merkmal sowie jede Merkmalskombination.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Bodenplatte
- 2
- Elektrisches Bauelement
- 3
- DCB-Substrat
- 10
- Unterseite
- 10A
- Unterfläche
- 11
- Oberseite
- 11A
- Oberfläche
- 13A
- Seitenfläche
- 15
- erstes Kontaktelement
- 15A
- Kontaktbereich
- 16
- zweites Kontaktelement
- 16A
- weiterer Kontaktbereich
- H1
- Haupterstreckungsebene
- Q1
- Querschnitt
- Qa
- Anschlußquerschnitt
- 17
- Bonddraht
- 18
- Kontaktierungsverlötung
- 19
- Lötverbindung
- 20
- Kühlkanal
- 100
- Baulementvorrichtung
- 1000
- Betriebsverfahren
Claims (10)
- Bauelementvorrichtung (100), umfassend - eine Bodenplatte (1), welche eine Unterseite (10) sowie eine Oberseite (11) aufweist, wobei an beiden Seiten (10, 11) jeweils eine Unterfläche (10A) und eine Oberfläche (11A) ausgebildet ist, und weiter wobei beide Flächen (10A, 11A) mittels zumindest einer Seitenfläche (13A) miteinander verbunden sind, - zumindest ein elektrisches Bauelement (2), welches auf und/oder an der Bodenplatte (1) angeordnet ist, wobei von dem elektrischen Bauelement (2) erzeugte Abwärme an die Bodenplatte (1) weitergegeben wird, um das elektrische Bauelement (2) zu kühlen, - zumindest ein erstes Kontaktelement (15), welche einen ersten Kontaktbereich (15A) des elektrischen Bauelements (2) elektrisch leitend kontaktiert, - zumindest ein zweites Kontaktelement (16), welches einen zweiten Kontaktbereich (16A) des elektrischen Bauelement (2) elektrisch leitend kontaktiert, dadurch gekennzeichnet, dass die Bodenplatte (1) selbst als ein Wärmetauscher ausgebildet ist und/oder einen Wärmetauscher aufweist, und mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist.
- Bauelementvorrichtung (100) nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet,dass, die Bodenplatte (1) frei von Kühlrippen ist. - Bauelementvorrichtung (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,dass, innerhalb der Bodenplatte (1) zumindest ein Kühlkanal (20) gebildet ist, welcher dazu eingerichtet und dafür vorgesehen ist, die Bodenplatte (1) während des Betriebs der Bauelementvorrichtung (100) zu kühlen.
- Bauelementvorrichtung (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet,dass, sich der Kühlkanal (20) entlang einer Haupterstreckungsebene (H1) der Bodenplatte (1) innerhalb der Bodenplatte (1) erstreckt.
- Bauelementvorrichtung (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet,das s, der Kühlkanal (20) entlang der Haupterstreckungsebene (H1) der Bodenplatte (1) sich in seinem Querschnitt (Q1) ausgehend von einem Anschlussquerschnitt (Qa) erweitert um unterhalb des elektrischen Bauelements (2) seinen maximalen Querschnitt zu erreichen.
- Bauelementvorrichtung (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass, die Bodenplatte (1) mit einer Keramik, vorzugsweise vollständig, gebildet ist.
- Bauelementvorrichtung (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass, in einer zur Haupterstreckungsebene (H1) der Bodenplatte (1) senkrechten Richtung zwischen dem elektrischen Bauelement (2) und der Bodenplatte (1) zumindest ein Substrat (3), insbesondere ein DCB-Substrat (3) angeordnet ist, wobei elektrische leitende Bahnen des Substrats (3) das zweite Kontaktelement (16) ausbilden.
- Bauelementvorrichtung (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,das s, das elektrische Bauelement (2) ein Schalterelement, insbesondere ein Haltleiterbauelement, ist.
- Bauelementvorrichtung (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass, das elektrische Bauelement (2) eine lichtemittierende Diode (LED) ist.
- Verfahren (1000) zum Betreiben einer Bauelementvorrichtung (100) nach
Anspruch 1 , umfassend die Schritte: - Bereitstellen einer Bauelementvorrichtung (100) nachAnspruch 1 , - Inbetriebnehmen der Bauelementvorrichtung (100) nachAnspruch 1 .
Priority Applications (1)
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-
2019
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