DE102019104423A1 - BAW-Resonator mit einer verbesserten Kristallqualität, HF-Filter, Muliplexer und Herstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Ein verbesserter BAW-Resonator wird bereitgestellt. Der Resonator hat eine Kompensationsschicht zwischen der unteren Elektrode und der piezoelektrischen Schicht.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft BAW-Resonatoren, die eine bessere Leistung bieten, sowie entsprechende Filter, Multiplexer und Herstellungsverfahren.
  • BAW-Resonatoren können in HF-Filtern, z.B. für mobile Kommunikationsgeräte, verwendet werden. HF-Filter können Bandpässe oder Bandsperren sein und dazu beitragen, erwünschte HF-Signale von unerwünschten HF-Signalen zu trennen. BAW-Resonatoren bilden elektroakustische Resonatoren (BAW = Bulk Acoustic Wave) und arbeiten mit longitudinalen Moden von Wellen, die sich in einem Schichtstapel ausbreiten.
  • In einem BAW-Resonator ist ein piezoelektrisches Material in einer piezoelektrischen Schicht sandwichartig zwischen einer unteren Elektrode in einer unteren Elektrodenschicht und einer oberen Elektrode in einer oberen Elektrodenschicht angeordnet. Das piezoelektrische Material wandelt in Verbindung mit den Elektroden - aufgrund des piezoelektrischen Effekts - akustische in elektromagnetische HF-Signale um und umgekehrt. Die Leistung einer elektroakustischen Filtervorrichtung hängt von der Leistung der piezoelektrischen Resonatoren ab. Die Leistung eines piezoelektrischen Resonators hängt vom Gütefaktor ab, der seinerseits von der Kristallqualität des piezoelektrischen Materials und der Qualität der Grenzflächen zwischen verschiedenen Materialien im Schichtstapel abhängt.
  • Gewünscht wird ein elektroakustischer Resonator mit verbesserter Leistung.
  • Hierzu wird der BAW-Resonator gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 bereitgestellt. Die anderen Patentansprüche sehen bevorzugte Ausführungsformen vor.
  • Der BAW-Resonator umfasst eine untere Elektrode, eine obere Elektrode und eine piezoelektrische Schicht. Die obere Elektrode ist über der unteren Elektrode angeordnet. Die piezoelektrische Schicht ist zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode angeordnet. Des Weiteren umfasst der BAW-Resonator eine erste Kompensationsschicht zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode.
  • Demnach wird ein Schichtstapel bereitgestellt, bei dem das piezoelektrische Material sandwichartig zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode angeordnet ist. Eine weitere Kompensationsschicht trägt dazu bei, die Kristallqualität zu verbessern, und ist unter dem piezoelektrischen Material angeordnet. Die Lage (über, unter) bezieht sich in diesem Zusammenhang auf eine übliche Reihenfolge des Aufbringens von Material unabhängig von einer Ausrichtung, mit der der BAW-Resonator in einer späteren Anwendung verwendet wird.
  • Es wurde festgestellt, dass eine mangelnde Übereinstimmung zwischen Materialparametern der unteren Elektrode und des piezoelektrischen Materials eine Verschlechterung der Leistung des Resonators bewirken kann. Demgemäß ist es möglich, dass die Kompensationsschicht dazu verwendet wird, den einen oder die mehreren abweichenden Parameter miteinander zu vermitteln.
  • Allerdings wurde auch festgestellt, dass die physikalischen Wechselwirkungen zwischen verschiedenen Schichten eines Schichtstapels eines BAW-Resonators komplex sind. Elektrische Parameter wie Leitfähigkeit und Dielektrizitätskonstanten sowie mechanische Eigenschaften wie Steifigkeitswerte, Schallgeschwindigkeit und akustische Impedanz sind zu berücksichtigen. Ein BAW-Resonatorstapel ist demgemäß typischerweise eine komplexe Anordnung, bei der die Parameter des Stapels, wie die Schichtdicke und die Schichtmaterialien, derart aneinander angepasst sind, dass die ordnungsgemäße Funktionsweise des Resonators erreicht wird. Die Hinzufügung einer Kompensationsschicht zu einem solchen Schichtstapel stellt daher einen schwerwiegenden Eingriff dar und es kann eine neue Anpassung der Parameter des Stapels erforderlich sein.
  • Des Weiteren kann sich der elektroakustische Kopplungskoeffizient k2 des Materials der Kompensationsschicht wesentlich von dem des piezoelektrischen Materials unterscheiden und dadurch die Leistung des Resonators gefährden.
  • Doch wurde festgestellt, dass derartige Parameter für die Materialien des Schichtstapels und Schichtdicken gefunden werden können, dass ein Resonator mit einer insgesamt verbesserten Leistung erhalten wird.
  • Es ist möglich, dass die erste Kompensationsschicht eine Gitterfehlanpassung zwischen der unteren Elektrode und der piezoelektrischen Schicht kompensiert.
  • Bei der Herstellung ist die Oberseite der unteren Elektrodenschicht der Ort, wo - bei herkömmlichen BAW-Resonatorstapeln - das Material der piezoelektrischen Schicht aufgebracht wird. Typischerweise haben das piezoelektrische Material und das Material der unteren Elektrodenschicht unterschiedliche Gitterkonstanten. Eine entsprechende Fehlanpassung kann eine Verschlechterung der Kristallqualität des piezoelektrischen Materials bewirken.
  • Demnach kann die Kompensationsschicht verwendet werden, um auf der Oberfläche der unteren Elektrode angeordnet zu werden und eine Grenzfläche zum piezoelektrischen Material bereitzustellen, an der das piezoelektrische Material eine Oberflächengitterkonstante hat, die näher bei der intrinsischen Gitterkonstante des piezoelektrischen Materials liegt oder ihr sogar gleich ist.
  • Somit kann das Material der piezoelektrischen Schicht derart aufgebracht werden, dass eine höhere Kristallqualität des piezoelektrischen Materials erhalten wird, was zu einem Gesamtleistungszuwachs des BAW-Resonators führt.
  • Es ist möglich, dass der BAW-Resonator ferner eine zweite Kompensationsschicht umfasst. Die zweite Kompensationsschicht kann zwischen der piezoelektrischen Schicht und der oberen Elektrode angeordnet sein. Des Weiteren kann die zweite Kompensationsschicht aus denselben Gründen, die oben angeführt wurden, eine Gitterfehlanpassung zwischen dem Material der piezoelektrischen Schicht und dem Material der oberen Elektrode kompensieren.
  • Es ist möglich, dass das Material der unteren Schicht Wolfram (W), Molybdän (Mo), Iridium (Ir), Ruthenium (Ru) und/oder Gold (Au) umfasst oder daraus besteht.
  • Das Material der oberen Elektrode kann Wolfram, Molybdän, Iridium, Ruthenium und/oder Gold umfassen oder daraus bestehen.
  • Das Material der piezoelektrischen Schicht kann Aluminium, Nitrid oder mit Scandium dotiertes Aluminiumnitrid umfassen oder daraus bestehen. Insbesondere kann der Hauptbestandteil der piezoelektrischen Schicht Al1-xScxN with 0,03 ≤ x ≤ 0,5 sein. Demnach können Scandiumatome ein Aluminiumatom oder Seiten von Aluminiumatomen in Aluminiumnitrid ersetzen.
  • Das Material der ersten und/oder der zweiten Kompensationsschicht kann Indium (In), Gallium (Ga) und/oder Stickstoff (N) umfassen oder daraus bestehen. Demnach können die eine oder mehreren Kompensationsschichten mit Gallium dotiertes Indiumnitrid oder mit Indium dotiertes Galliumnitrid umfassen oder daraus bestehen.
  • Insbesondere ist es möglich, dass das Material der piezoelektrischen Schicht mit Scandium dotiertes Aluminiumnitrid mit einem Dotierungsgrad x umfasst, der größer oder gleich 0,07 und kleiner oder gleich 0,41 ist. Ein bevorzugter Dotierungsbereich ist: 0,25 ≤ x ≤ 0,30.
  • Ferner kann das Material von einer der Kompensationsschichten, z.B. der ersten Kompensationsschicht oder der zweiten Kompensationsschicht, In1-xGaxN mit 0 ≤ x ≤ 0,5 oder 0,03 ≤ x ≤ 0,5 oder mit 0,07 und kleiner oder gleich 0,41 oder mit 0,25 ≤ x ≤ 0,30 oder mit 0,2 ≤ x ≤ 0,8 oder mit 0,46 ≤ x ≤ 1 umfassen.
  • Wenn Wolfram und/oder Molybdän für das Material der unteren Elektrode und/oder für das Material der oberen Elektrode verwendet wird bzw. werden, dann verhilft insbesondere eine maßgeschneiderte Indium-/Galliumnitrid-Pufferschicht zu einem verbesserten Wachstum eines mit Scandium dotierten Aluminiumnitrids als dem Material für die piezoelektrische Schicht.
  • Insbesondere kann durch Ändern des Verhältnisses von Indium zu Gallium der Kompensationsschicht die Gitterkonstante der Kompensationsschicht an die gewünschte Gitterkonstante des piezoelektrischen Materials angepasst werden. Das Materialsystem Indium-/Galliumnitrid bietet die Möglichkeit, die Gitterfehlanpassung zwischen Wolfram oder Molybdän und mit Scandium dotiertem Aluminiumnitrid für einen Dotierungsgrad zwischen 7% (x = 0,07) und 41% (x = 0,41) zu kompensieren.
  • Die Bereitstellung der Kompensationsschicht kann V-Defekte und schlecht ausgerichtete Kristalle des piezoelektrischen Materials erheblich verringern.
  • Insbesondere verhilft die Bereitstellung der Kompensationsschicht zu einer höheren Resonatorleistung im Vergleich zu alternativen Vorkehrungen wie einer Plasmakante der Oberfläche der unteren Elektrode vor dem Aufbringen des Materials der piezoelektrischen Schicht.
  • Des Weiteren ermöglicht die Bereitstellung der Kompensationsschicht auch ein epitaktisches Wachstum von mit Scandium dotiertem Aluminiumnitrid als dem Material der piezoelektrischen Schicht.
  • Demgemäß ist es möglich, dass ein BAW-Resonator ein epitaktisch aufgewachsenes piezoelektrisches Material zwischen den Elektroden aufweist.
  • Es ist möglich, dass die erste und/oder die zweite Kompensationsschicht zwei oder mehr Teilschichten aufweist bzw. aufweisen.
  • Die Bereitstellung einer Kompensationsschicht, die zwei oder mehr Teilschichten umfasst, hat den Vorteil, dass die Parameterkompensation, z.B. die Kompensation der Gitterfehlanpassung, derart in kleineren Stufen vorgenommen werden kann, dass das Wachstum des Materials der Kompensationsschicht selbst verbessert wird.
  • Beim Materialsystem Indium-/Galliumnitrid besteht die Möglichkeit einer variablen Gitterfehlanpassung, die vom Verhältnis Indium/Gallium abhängt. Demnach ist es möglich, dass die Kompensationsschicht eine Vielzahl von zwei oder mehr Teilschichten umfasst, wobei bei jeder Teilschicht - bezogen auf das Material der unteren Elektrode oder auf das Material einer vorherigen Teilschicht - die Gitterfehlanpassung geringfügig geändert wird, sodass große Stufen von Gitterfehlanpassungen verhindert werden.
  • Ferner ist es möglich, dass die Kompensationsschicht eine stetige Parameterkompensation bereitstellt. Demnach ist es möglich, dass der entsprechende Parameter zwischen der Unterseite der Kompensationsschicht und der Oberseite der Kompensationsschicht stetig geändert wird, z.B. durch eine stetige Änderung des Verhältnisses Indium/Gallium, wenn ein Indium-/Galliumnitrid als das Material der Kompensationsschicht verwendet wird.
  • Die obige Kompensationsschicht ist bei verschiedenen Arten von BAW-Resonatoren möglich. Demnach kann der BAW-Resonator ein Resonator vom FBAR-Typ oder ein Resonator vom SMR-Typ sein.
  • Beim Resonator vom FBAR-Typ (FBAR = Film Bulk Acoustic Resonator) ist die untere Elektrode derart über einem Hohlraum angeordnet, dass der Schichtstapel von seiner Umgebung akustisch entkoppelt ist.
  • Beim Resonator vom SMR-Typ (SMR = Solidly Mounted Resonator) ist die untere Elektrode auf einem akustischen Spiegel angeordnet, um akustische Energie auf den Resonatorbereich zu beschränken. Der akustische Spiegel kann eine Vielzahl von Schichten mit einer alternierenden akustischen Impedanz umfassen, sodass eine Bragg-Spiegel-artige Struktur erhalten wird, um die Schallwellen zurück zum aktiven Bereich des Resonators zu reflektieren, wo die Umwandlung zwischen elektromagnetischen und akustischen HF-Signalen erfolgt.
  • Ferner ist es möglich, den BAW-Resonator in einem elektroakustischen Filter zu verwenden, das den BAW-Resonator und einen oder mehrere weitere BAW-Resonatoren umfasst. Nur ein BAW-Resonator oder einige BAW-Resonatoren oder alle BAW-Resonatoren des elektroakustischen Filters kann bzw. können vom Typ des verbesserten Resonators sein, wie er oben beschrieben wurde. Doch sind auch elektroakustische Filter, die BAW-Resonatoren, wie sie oben beschrieben wurden, zusammen mit anderen Resonatoren wie etwa SAW-Resonatoren (SAW = Surface Acoustic Wave) und dergleichen möglich.
  • Das elektroakustische Filter kann eine Leitertyp-artige Schaltungstopologie oder eine Gittertyp-artige Schaltungstopologie aufweisen.
  • Bei einer Leitertyp-artigen Schaltungstopologie sind Reihenresonatoren in einem Signalpfad zwischen einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss elektrisch in Reihe geschaltet. Parallele Nebenanschlusspfade umfassen ferner Resonatoren, die zwischen den Signalpfad und Masse geschaltet sind.
  • Ein Gittertyp-artige Schaltungstopologie umfasst einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss sowie eine Signalleitung, die zwischen den zwei Anschlüssen kreuzt.
  • Ferner ist es möglich, dass ein Multiplexer, z.B. ein Duplexer, ein Triplexer, ein Quadplexer oder ein Multiplexer höherer Ordnung, ein elektroakustisches Filter, wie oben beschrieben, umfasst.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines BAW-Resonators umfasst die folgenden Schritte:
    • - Bereitstellen einer unteren Elektrode,
    • - Bereitstellen einer Kompensationsschicht auf der unteren Elektrode,
    • - Bereitstellen einer piezoelektrischen Schicht auf der Kompensationsschicht,
    • - Bereitstellen einer oberen Elektrode auf oder über der piezoelektrischen Schicht.
  • Selbstverständlich ist es auch möglich, eine Kompensationsschicht bereitzustellen, die zwei oder mehr Teilschichten umfasst.
  • Des Weiteren ist es möglich, eine zusätzliche Kompensationsschicht zwischen dem piezoelektrischen Material und der oberen Elektrode vorzusehen. Die zusätzliche Kompensationsschicht kann ebenfalls zwei oder mehr Teilschichten umfassen.
  • Die Kompensationsschicht kann eine Dicke zwischen 10 und 100 nm haben.
  • Ein akustischer Spiegel zum Einschließen der akustischen Energie kann Schichten mit hoher akustischer Impedanz wie Wolfram oder Molybdän und Schichten mit niedriger akustischer Impedanz wie Siliciumoxid, z.B. Siliciumdioxid, umfassen. Die Verwendung von Molybdän ist freilich möglich, doch wird Wolfram bevorzugt.
  • Der akustische Spiegel kann auf einem Trägersubstrat, z.B. einem Siliciumsubstrat, angeordnet sein.
  • Es kann eine Kompensationsschicht verwendet werden, die ein Siliciumoxid umfasst. Allerdings verhilft eine Kompensationsschicht, die Indium-/Galliumnitrid umfasst, zu einem verbesserten Gütefaktor im Vergleich zur Verwendung von Siliciumoxid für die Kompensationsschicht.
  • Verschiedene Aspekte eines BAW-Resonators und Einzelheiten bevorzugter Ausführungsformen werden in den beigefügten schematischen Figuren veranschaulicht.
  • In den Figuren:
    • zeigt 1 einen Grundaufbau eines BAW-Resonators;
    • zeigt 2 einen BAW-Resonator vom SMR-Typ;
    • zeigt 3 einen BAW-Resonator vom FBAR-Typ; veranschaulicht 4 einen Aufbau des akustischen Spiegels;
    • veranschaulicht 5 die Verwendung einer Kompensationsschicht, die eine Vielzahl von Teilschichten umfasst;
    • veranschaulicht 6 eine stufenweise Parameterkompensation;
    • veranschaulicht 7 eine stetige Parameterkompensation; und
    • veranschaulicht 8 eine mögliche Verwendung in einem Duplexer.
  • 1 zeigt ein Schema des aktiven Bereichs eines BAW-Resonator BAWR. Der aktive Bereich weist eine untere Elektrode BE und eine obere Elektrode TE auf. Zwischen der unteren Elektrode BE und der oberen Elektrode TE ist das piezoelektrische Material der piezoelektrischen Schicht PL angeordnet. Zum Verbessern der Leistung weist der aktive Bereich ferner die Kompensationsschicht CL auf, bei der es sich um eine Gitteranpassungsschicht LML handeln kann.
  • Die Kompensationsschicht CL verhilft zu einer Verbesserung der Kristallqualität des Materials der piezoelektrischen Schicht PL.
  • Wahlweise besteht die Möglichkeit, dass zwischen der piezoelektrischen Schicht PE und der oberen Elektrode TE eine zweite Kompensationsschicht (nicht in 1 dargestellt) vorgesehen ist.
  • 2 veranschaulicht die Anordnung eines Resonators vom SMR-Typ. Ein Resonator vom SMR-Typ hat einen akustischen Spiegel unter der unteren Elektrode BE, um akustische Energie auf den aktiven Bereich des Resonators zu beschränken. Der Schichtstapel kann auf einem Trägersubstrat CS angeordnet sein. Auf dem Trägersubstrat CS können weitere Schichtstapel für weitere BAW-Resonatoren angeordnet sein. Des Weiteren können auf dem Trägersubstrat CS Signalleitungen für die elektrische Verbindung der Resonatorstapel miteinander und mit externen Schaltungsumgebungen, z.B. über einen Eingangsanschluss, einen Ausgangsanschluss oder Masseverbindungen, angeordnet sein.
  • 3 veranschaulicht das Arbeitsprinzip eines Resonators vom FBAR-Typ. In einem Trägersubstrat CS ist ein Hohlraum CAV derart angelegt, dass der Hohlraum unterhalb der unteren Elektrode BE angeordnet ist, um akustische Energie auf den aktiven Bereich zu beschränken.
  • 4 veranschaulicht den akustischen Spiegel AM, der eine Vielzahl von Schichten unterschiedlicher akustischer Impedanz aufweist. Erste Schichten L1 können eine hohe akustische Impedanz aufweisen. Zweite Schichten L2 können eine niedrige akustische Impedanz aufweisen. Eine bestimmte Menge akustischer Energie wird an einer Grenzfläche zwischen einem Material mit einer hohen akustischen Impedanz und einem mit einer niedrigen akustischen Impedanz reflektiert. Durch Anordnen einer Vielzahl solcher Grenzflächen in dem akustischen Spiegel AM wird ein hoher Gesamtgrad der Reflexion akustischer Energie erhalten.
  • Im Fall eines Resonators vom SMR-Typ ist der akustische Spiegel, was zumindest die oberen Ebenen des akustischen Spiegels angeht, akustisch aktiv und Teil des aktiven Bereichs des Resonators.
  • 5 veranschaulicht die Möglichkeit, die Kompensationsschicht CL mit einer Vielzahl von Teilschichten SL1 bis SL6 auszuführen. Die Teilschichten SL1 bis SL6 können verwendet werden, um eine Fehlanpassung, z.B. eine Gitterfehlanpassung, in einer homogeneren Weise zu kompensieren. Jede der Teilschichten SL1 bis SL6 kann teilweise zu einer Gesamtkompensation beitragen. Somit kann eine stufenweise Kompensation mit einer Vielzahl kleinerer Stufen im Vergleich zu einer einzigen großen Stufe erzielt werden.
  • Die Anzahl von Teilschichten ist nicht auf 6 beschränkt. Die Anzahl von Teilschichten kann 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 und mehr betragen.
  • Der Gedanke einer Vielzahl von Teilschichten, die in kleineren Stufen beitragen, kann derart auf eine wesentlich größere Anzahl von Teilschichten mit einer wesentlich kleineren Stufengröße ausgeweitet werden, dass praktisch ein homogener Übergang von einem ersten Parameter zwischen der unteren Elektrode und der Kompensationsschicht zu einem zweiten Parameter zwischen der Kompensationsschicht und der piezoelektrischen Schicht erhalten wird. Dies kann beispielsweise durch die graduelle Änderung des Verhältnisses von Indium zu Gallium im Material der Kompensationsschicht erreicht werden.
  • Dementsprechend veranschaulicht 6 eine stufenweise Kompensation von einer anfänglichen Gitterkonstante LC0 an der Oberseite der unteren Elektrode zu einer letzten Gitterkonstante LC3 an der Unterseite des piezoelektrischen Materials mit drei Stufen. Das in 6 dargestellte Konzept würde einer Kompensationsschicht CL entsprechen, die drei Teilschichten umfasst.
  • Als eine Alternative veranschaulicht 7 die Situation, in der die Anzahl von Teilschichten wesentlichen erhöht ist, während die Stufengröße wesentlich verkleinert ist, sodass ein homogener Übergang zwischen der anfänglichen Gitterkonstante LC0 und der letzten Gitterkonstante LC3 erhalten wird. Selbstverständlich ist die Anzahl von Teilschichten tatsächlich auf die Anzahl von Gitterzellen begrenzt, die in der Kompensationsschicht CL übereinander angeordnet sind.
  • 8 veranschaulicht eine mögliche Anwendung eines entsprechenden Resonators in einem Duplexer DU. Der Duplexer hat ein Sendefilter TXF und ein Empfangsfilter RXF. Das Sendefilter TXF ist zwischen einem Eingangsanschluss und einem gemeinsamen Anschluss CP angeordnet. Das Empfangsfilter RXF ist zwischen dem gemeinsamen Anschluss CP und einem Ausgangsanschluss angeordnet. Das Sendefilter TXF und das Empfangsfilter RXF sind unter Verwendung einer Leitertyp-artigen Schaltungstopologie mit einem Signalpfad mit Reihenresonatoren SR und mit parallelen Pfaden, die einen Parallelresonator PR umfassen, eingerichtet. Des Weiteren kann an den gemeinsamen Anschluss CP eine Antenne AN angeschlossen sein. Eine Impedanzanpassungsschaltung IMC kann zwischen dem Sendefilter TXF und dem Empfangsfilter RXF vorgesehen sein, um die frequenzabhängigen Impedanzen der Filteranschlüsse anzupassen.
  • Der BAW-Resonator ist nicht auf die in den Figuren dargestellten und oben beschriebenen Ausführungsformen und Einzelheiten beschränkt. Resonatoren können weitere Schichten wie Haftschichten, Passivierungsschichten, Trimmschichten und Strukturen, die gewünschte akustische Moden unterstützen, umfassen.
  • Bezugszeichenliste
    • AM:
    akustischer Spiegel
    AN:
    Antenne
    BAWR:
    BAW-Resonator
    BE:
    untere Elektrode
    CAV:
    Hohlraum
    CL:
    Kompensationsschicht
    CP:
    gemeinsamer Anschluss
    CS:
    Trägersubstrat
    DU:
    Duplexer
    IMC:
    Impedanzanpassungsschaltung
    L1, L2:
    Schichten mit hoher, niedriger akustischer Impedanz
    LC0:
    anfängliche Gitterkonstante
    LC3:
    letzte Gitterkonstante
    LML:
    Gitteranpassungsschicht
    PL:
    piezoelektrische Schicht
    PR:
    Parallelresonator
    RXF:
    Empfangsfilter
    SL1,...; SL6:
    Teilschicht der Kompensationsschicht
    SR:
    Reihenresonator
    TE:
    obere Elektrode
    TXF:
    Sendefilter

Claims (11)

  1. BAW-Resonator mit verbesserter Kristallqualität, umfassend - eine untere Elektrode, - eine obere Elektrode über der unteren Elektrode, - eine piezoelektrische Schicht zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode, und - eine erste piezoelektrische Schicht zwischen der unteren Elektrode der oberen Elektrode.
  2. BAW-Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die erste Kompensationsschicht eine Gitterfehlanpassung zwischen der unteren Elektrode und der piezoelektrischen Schicht kompensiert.
  3. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine zweite Kompensationsschicht, die eine Gitterfehlanpassung kompensiert und zwischen der piezoelektrischen Schicht und der oberen Elektrode angeordnet ist.
  4. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - das Material der unteren Elektrode W, Mo, Ir, Ru und/oder Au umfasst oder daraus besteht, - das Material der oberen Elektrode W, Mo, Ir, Ru und/oder Au umfasst oder daraus besteht, - das Material der piezoelektrischen Schicht Al1-xScxN with 0 ≤ x ≤ 0,5 umfasst oder daraus besteht, - das Material der ersten und/oder zweiten Kompensationsschicht In, Ga und/oder N umfasst oder daraus besteht.
  5. BAW-Resonator nach den vorhergehenden Ansprüchen, wobei - das Material der piezoelektrischen Schicht Al1-xScxN mit 0,07 ≤ x ≤ 0,41 umfasst, - das Material der ersten und/oder zweiten Kompensationsschicht In1-xGaxN mit 0,2 ≤ x ≤ 0,8 oder mit 0,46 ≤ x ≤ 1 umfasst.
  6. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die piezoelektrische Schicht aus einem epitaktisch aufgewachsenen Material besteht.
  7. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder die zweite Kompensationsschicht zwei oder mehr Teilschichten umfasst bzw. umfassen.
  8. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der ein Resonator vom FBAR-Typ oder ein Resonator vom SMR-Typ ist.
  9. Elektroakustisches Filter, umfassend einen BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
  10. Multiplexer, umfassend das elektroakustische Filter nach dem vorhergehenden Anspruch.
  11. Verfahren zur Herstellung eines BAW-Resonators, das die folgenden Schritte umfasst: - Bereitstellen einer unteren Elektrode, - Bereitstellen einer Kompensationsschicht auf der unteren Elektrode, - Bereitstellen einer piezoelektrischen Schicht auf der Kompensationsschicht, - Bereitstellen einer oberen Elektrode auf oder über der piezoelektrischen Schicht.
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