DE102018205019A1 - Laserbearbeitungsverfahren eines wafers - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers bereitgestellt, bei dem ein Wafer, der durch eine Vielzahl geplanter Trennlinien, die an einer Fläche gitterartig eingestellt sind, durch Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung bearbeitet wird, die eine Laserstrahlbestrahlungseinheit, welche den durch einen Spanntisch gehaltenen Wafer durch eine Sammellinse mit einer Vielzahl von Laserstrahlen bestrahlt, die über ein Oszillieren durch einen Laserstrahloszillator und durch Teilen durch eine Laserstrahlteilereinheit ausgebildet wird. Das Laserbearbeitungsverfahren schließt einen Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut mit einem Bestrahlen des Wafers mit der Vielzahl von Laserstrahlen entlang der geplanten Trennlinie und ein Ausbilden einer bearbeiteten Nut entlang der geplanten Trennlinie in dem Wafer ein. Bei dem Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut sind die Vielzahl von Laserstrahlen, die durch die Laserstrahlteilereinheit geteilt wird, linienartig entlang einer Richtung angeordnet, die nicht parallel zu einer Erstreckungsrichtung der geplanten Trennlinien ist, die mit der Vielzahl von Laserstrahlen bestrahlt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Bauelementchips, wie zum Beispiel Chips mit integrierten Schaltkreisen (IC) werden durch Trennen eines Wafers, der mit einem Halbleiter aufgebaut ist und eine kreisförmige Scheibenform aufweist, entlang geplanter Trennlinien getrennt, die an einer Fläche dieses Wafers gitterartig eingestellt sind. Das Bauelement wird in jedem der Bereiche an der Fläche des Wafers ausgebildet, die durch diese geplanten Trennlinien markiert sind. Um die Störkapazität zwischen für diese Bauelemente verwendete Leiterschichten zu reduzieren, wird darüber hinaus eine Funktionsschicht mit einem so genannten Niedrig-k-Material mit einer niedrigen dielektrischen Konstante als Zwischenschichtisolationsfilm ausgebildet. Zum Aufteilen dieser Funktionsschicht mit dem Niedrig-k-Material und Aufteilen des Wafers, wird durch Verwendung eines Laserstrahls eine Ablationsbearbeitung ausgeführt. Bei der Ablationsbearbeitung wird ein Wafer teilweise erwärmt und durch Bestrahlen einer Fläche des Wafers mit einem gepulsten Laserstrahl entlang einer geplanten Trennlinie entfernt. Dieses bildet eine bearbeitete Nut mit einer vorbestimmten Tiefe in dem Wafer aus.
  • Bei der Ablationsbearbeitung wird die in dem Wafer ausgebildete bearbeitete Nut tiefer und größer, wenn die Leistung des Laserstrahls erhöht wird. Darüber hinaus wird das Bauelement nahe der geplanten Trennlinie möglicherweise beschädigt, wenn die Leistung des Laserstrahls übermäßig erhöht wird. Um einer Beschädigung des Bauelements aufgrund der Bestrahlung mit dem Laserstrahl vorzubeugen, wird der Bearbeitungszielort durch den Laserstrahl mit einer zulässigen Leistung mehrere Male gescannt und die bearbeitete Nut wird mit einer gewünschten Größe ausgebildet. Zum Beispiel wird der Bearbeitungszielort durch Teilen eines Laserstrahls zum Scannen in eine Vielzahl von Laserstrahlen mit zulässiger Leistung mit der Vielzahl geteilter Laserstrahlen nacheinander bestrahlt, um eine bearbeitete Nut auszubilden (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2016-196018 und das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2016-203222). Üblicherweise wird der Ausgangslaserstrahl auf so eine Weise geteilt, dass die von dem Teilen entstehenden mehreren Laserstrahlen entlang einer Erstreckungsrichtung der geplanten Trennlinie des Wafers aufgereiht sind.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn ein Wafer mit einem Laserstrahl bestrahlt wird und eine Ablationsbearbeitung ausgeführt wird, wird der Wafer aufgrund der Hitze verdampft, und es wird Plasma erzeugt. Darüber hinaus wird ein geschmolzenes und verfestigtes Objekt, das als Ablagerung bezeichnet wird, erzeugt. Wenn das Plasma und die Ablagerung aufgrund der Bestrahlung mit dem Laserstrahl erzeugt werden, der als erstes unter der Reihe von einer Vielzahl geteilter Laserstrahlen auf einen bestimmten Bearbeitungszielort trifft, wird das Problem verursacht, dass ein Bestrahlen mit den nachfolgenden Laserstrahlen durch die Ablagerung und so weiter behindert wird und eine gewünschte Bearbeitung nicht ausgeführt wird. Aus diesem Grund wird bevorzugt, dass die erzeugte Ablagerung und so weiter schnell von der ausgebildeten bearbeiteten Nut abgegeben wird. Jedoch wird in manchen Fällen die Abgabe der Ablagerung und so weiter, die aufgrund des Bestrahlens mit dem vorangegangenen Laserstrahl erzeugt wird, aufgrund der Bestrahlung mit den nachfolgenden Laserstrahlen unterbunden, sodass die Ablagerung in die bearbeitete Nut zurückversetzt und die bearbeitete Nut flach wird. Insbesondere wenn ein Scannen durch den Laserstrahl mehrere Male ausgeführt wird, um eine tiefe bearbeitete Nut auszubilden, wird das Bestrahlen mit den Laserstrahlen durch die Ablagerung und so weiter graduell ansteigend behindert, was die Anzahl der Scanvorgänge erhöht und die Bearbeitungsgeschwindigkeit vermindert, das heißt die Menge an Werkstück, die pro Scan durch den Laserstrahl entfernt wird.
  • Die vorliegende Erfindung wurde daher hinsichtlich so eines Problems ausgeführt und eine Aufgabe von ihr ist es, ein Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers bereitzustellen, das eine Behinderung der Bestrahlung mit nachfolgenden Laserstrahlen aufgrund einer Ablagerung und so weiter unterdrücken kann, die aufgrund einer Bestrahlung mit einem vorangegangenen Laserstrahl bei einer Ablationsbearbeitung erzeugt wird, bei welcher eine Bestrahlung mit einer Vielzahl von Laserstrahlen ausgeführt wird, die durch Teilen entsteht.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitgestellt, bei dem ein Wafer, der in jedem von Bereichen ein Bauelement aufweist, die durch eine Vielzahl geplanter Trennlinien markiert sind, welche gitterartig an einer Fläche eingestellt sind, durch Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung bearbeitet wird, die eine Laserstrahlbestrahlungseinheit mit einem Laserstrahloszillator, der einen gepulsten Laserstrahl mit so einer Wellenlänge oszilliert, die durch den Wafer zu absorbieren ist, eine Laserstrahlteilereinheit und eine Sammellinse aufweist und als Funktion eine Bestrahlung des durch den Spanntisch gehaltenen Wafers durch die Sammellinse mit einer Vielzahl von Laserstrahlen aufweist, die durch Oszillieren durch den Laserstrahloszillator und Teilen durch die Laserstrahlteilereinheit ausgebildet werden. Das Laserbearbeitungsverfahren schließt einen Halteschritt mit einem Halten des Wafers durch den Spanntisch und einen Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut mit einem Bestrahlen des Wafers mit der Vielzahl von Laserstrahlen entlang der geplanten Trennlinie und Ausbilden einer bearbeiteten Nut entlang der geplanten Trennlinie in dem Wafer ein. Bei dem Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut sind die durch die Laserstrahlteilereinheit geteilte Vielzahl von Laserstrahlen linienartig entlang einer Richtung angeordnet, die zu einer Erstreckungsrichtung der geplanten Trennlinien nicht parallel ist, welche mit der Vielzahl von Laserstrahlen bestrahlt wird.
  • Vorzugsweise wird der Wafer bei dem Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut mit der Vielzahl von Laserstrahlen entlang jeder der Vielzahl geplanter Trennlinien zwei oder mehrere Male bestrahlt und der Wafer wird durch die bearbeiteten Nuten getrennt.
  • Bei dem Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird der Wafer mit der Vielzahl von Laserstrahlen entlang der geplanten Trennlinie bestrahlt, und die bearbeitete Nut entlang der geplanten Trennlinie wird in dem Wafer ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird die Vielzahl von Laserstrahlen, die durch Teilen durch die Laserstrahlteilereinheit der Laserbearbeitungsvorrichtung ausgebildet werden, linienartig entlang der Richtung angeordnet, die zu der Erstreckungsrichtung dieser geplanten Trennlinie nicht parallel ist, welche mit dieser Vielzahl von Laserstrahlen bestrahlt wird. In diesem Fall wird eine Ablagerung und so weiter, die durch das Bestrahlen mit dem vorangehenden Laserstrahl unter dieser Vielzahl von Laserstrahlen erzeugt werden, mit dem nachfolgenden Laserstrahl weniger wahrscheinlich bestrahlt. Aus diesem Grund wird das Bestrahlen mit diesem nachfolgenden Laserstrahl nicht durch diese Ablagerung und so weiter blockiert. Zudem wird eine Abgabe dieser Ablagerung und so weiter zudem nicht durch diesen nachfolgenden Laserstrahl behindert. Darüber hinaus wird die Breite der bearbeiteten Nut verglichen mit dem Punktdurchmesser der Laserstrahlen groß, sodass die Abgabe der aus dem Wafer erzeugten Ablagerung erleichtert wird. Aus diesem Grund wird die bearbeitete Nut weniger wahrscheinlich aufgrund des Zurückversetzen der Ablagerung und so weiter flach. Daher ist eine Verminderung der Bearbeitungsgeschwindigkeit weniger wahrscheinlich und eine Ablationsbearbeitung durch die Laserstrahlen kann ordnungsgemäß ausgeführt werden.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen an einem in einem Rahmen gespannten Band angeklebten Wafer schematisch zeigt;
    • 2 ist eine Teilschnittansicht für eine schematische Erklärung eines Ausbildungsschritts einer bearbeiteten Nut;
    • 3A ist eine Draufsicht, welche die Beziehung zwischen den durch Teilen entstehenden jeweiligen Punkten mehrerer Laserstrahlen, mit denen der Wafer bestrahlt wird, und eine geplante Trennlinie schematisch zeigt; und
    • 3B ist eine Schnittansicht zum schematischen Erklären eines Ausbildungsschritts einer bearbeiteten Nut.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als erstes wird unter Verwendung der 1 ein Wafer beschrieben, der ein Werkstück bei einem Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ist. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen an einem Band angeklebten Wafer schematisch zeigt, das in einem Rahmen gespannt ist. Dieser Wafer 1 ist ein Substrat, das zum Beispiel mit einem Material, wie zum Beispiel Silizium, Silizium-Carbid (SiC) oder einem anderen Halbleiter oder einem Material, wie zum Beispiel Saphir, Glas oder Quarz, aufgebaut ist. Der Wafer 1 kann beispielsweise ein gegossenes oder geformtes Harzsubstrat sein, das über ein Versiegeln eines Substrats durch ein Harz erhalten wird und auf dem Bauelemente ausgebildet worden sind, oder kann ein schichtweise gestapeltes Substrat aus einem Halbleiterwafer und einem Harz sein. Eine vordere Fläche 1a des Wafers 1 ist durch mehrere geplante Trennlinien (Straßen) 3, die gitterartig angeordnet sind, in mehrere Bereiche unterteilt und Bauelemente 5, wie zum Beispiel ICs, sind in den jeweiligen Bereichen ausgebildet, die über die Unterteilung durch diese Vielzahl geplanter Trennlinien 3 erhalten werden. Letztendlich ist der Wafer 1 entlang der geplanten Trennlinien 3 unterteilt, wodurch die einzelnen Bauelementchips ausgebildet werden.
  • Ein Band 7, das in einem Rahmen 9, der aus Metall hergestellt ist, gespannt ist, ist an der hinteren Fläche dieses Wafers 1 angeklebt. Der Wafer 1 wird über den Rahmen 9 gehandhabt, während das Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ausgeführt wird. Dies macht die Handhabung des Wafers 1 einfach. Das Band 7 weist eine filmförmige Basis auf, die Flexibilität und eine Klebeschicht (Haftschicht) aufweist, die an einer Fläche dieser Basis ausgebildet ist. Zum Beispiel wird Polyolefin (PO) für die Basis verwendet. Polyethylenterephthalat (PET), das eine höhere Steifigkeit als PO aufweist, Polyvinylchlorid, Polystyrol oder ähnliches können verwendet werden. Darüber hinaus wird zum Beispiel für die Klebeschicht (Haftschicht), Silikonkautschuk, ein acrylbasiertes Material, ein Epoxid basiertes Material oder ähnliches verwendet.
  • Als Nächstes wird unter Verwendung von 2 eine Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beschrieben, die bei dem Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform verwendet wird. Diese Laserbearbeitungsvorrichtung 2 schließt einen Spanntisch 4, der den Wafer 1 durch Saugkraft hält, und eine Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 ein, die über diesem Spanntisch 4 angeordnet ist. Der Spanntisch 4 weist ein nicht gezeigtes poröses Element an der oberen Flächenseite auf. Die obere Fläche dieses porösen Elements dient als eine Haltefläche 4a, die den Wafer 1 an dem Spanntisch 4 hält. Der Spanntisch 4 weist eine nicht gezeigte Saugquelle auf, die mit diesem porösen Element verbunden ist. Wenn der Wafer 1 auf diese Haltefläche 4a gelegt wird und ein durch diese Saugquelle erzeugter Unterdruck dazu gebracht wird, auf diesen Wafer 1 durch Poren dieses porösen Elements zu wirken, wird der Wafer 1 über den Spanntisch 4 durch Saugkraft gehalten. Darüber hinaus sind Klammern 4c, die den Rahmen 9 fixieren, um den Spanntisch 4 vorgesehen.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 schließt ein nicht gezeigtes Bearbeitungszuführmittel (Bearbeitungszuführmechanismus) ein, das einen Schrittmotor oder ähnliches als Antrieb einsetzt. Dieses Bearbeitungszuführmittel kann den Spanntisch 4 in einer Bearbeitungszuführrichtung 4b der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 bewegen. Zum Zeitpunkt eines Bearbeitens des Wafers 1 oder ähnlichem wird ein Zuführen des Spanntischs 4 in der Bearbeitungszuführrichtung 4b ausgeführt, und dadurch wird eine Bearbeitungszufuhr des Wafers 1 ausgeführt. Darüber hinaus kann sich der Spanntisch 4 um eine Achse drehen, die im Wesentlichen senkrecht zu der Haltefläche 4a ist, und die Bearbeitungszuführrichtung des Wafers 1 kann verändert werden, wenn der Spanntisch 4 gedreht wird. Des Weiteren schließt die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 ein nicht gezeigtes Einteilungszuführmittel (Einteilungszuführmechanismus) ein, das einen Schrittmotor oder ähnliches als Antrieb einsetzt. Dieses Einteilungszuführmittel kann den Spanntisch 4 in der Einteilungszuführrichtung (nicht gezeigt) der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 bewegen, die senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung ist.
  • Die Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 schließt einen Laserstrahloszillator 8, der einen Laserstrahl oszilliert, eine Laserstrahlteilereinheit 10 und eine Sammellinse 12 ein. Die Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 kann ferner optische Teile, wie zum Beispiel einen reflektierenden Spiegel 12a aufweisen. Der Laserstrahloszillator 8 weist als Funktion ein Oszillieren eines gepulsten Laserstrahls mit so einer Wellenlänge auf, die durch den Wafer 1 zu absorbieren ist (zum Beispiel 355 nm). Die Laserstrahlteilereinheit 10 ist zum Beispiel ein optisches Beugungselement (DOE). Das DOE weist als Funktion ein Teilen eines einfallenden Laserstrahls in eine Vielzahl von Laserstrahlen unter Verwendung eines Beugungsphänomens auf. Die Sammellinse 12 weist als Funktion ein Sammeln eines einfallenden Laserstrahls auf eine Position auf, die durch einen bestimmten Abstand getrennt ist, der für diese Sammellinse 12 einzigartig ist.
  • In Übereinstimmung mit dieser Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 wird der durch den Laserstrahloszillator 8 oszillierte Laserstrahl dazu gebracht, auf die Laserstrahlteilereinheit 10 einzufallen und wird geteilt, und die geteilten Laserstrahlen gelangen durch die Sammellinse 12, und die vordere Fläche 1a des an dem Spanntisch 4 gehaltenen Wafers 1 wird mit den Laserstrahlen bestrahlt. Bei der vorliegenden Ausführungsform werden die jeweiligen Teile der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 auf so eine Weise eingestellt, dass die mit den jeweiligen Laserstrahlen bestrahlten Punkte (Lichtbrennpunkte) mit gleichen Abständen auf einer geraden Linie an der vorderen Fläche 1a des Wafers 1 aufgereiht sind, wenn die vordere Fläche 1a des Wafers 1 mit der Vielzahl von durch das Teilen entstehenden Strahlen bestrahlt wird. Darüber hinaus wird bei dieser Laserbearbeitungsvorrichtung 2 das optische System der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 auf so eine Weise eingestellt, dass die Vielzahl von Laserstrahlen, die bei dem Teilen entsteht, entlang einer Richtung aufgereiht sind, die nicht parallel zu der Bearbeitungszuführrichtung des Spanntischs 4 ist. Das heißt, die Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 kann eine Bestrahlung mit einer Vielzahl von Laserstrahlen ausführen, die auf so eine Weise geteilt werden, dass sie zueinander in der Richtung senkrecht zu der geplanten Trennlinie 3 des an dem Spanntisch 4 gehaltenen Wafers 1 versetzt sind.
  • Jeder Schritt des Laserbearbeitungsverfahrens eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird nachfolgend beschrieben. Als erstes wird ein Halteschritt unter Verwendung der 2 beschrieben. Bei dem Halteschritt wird der Wafer 1 auf die Haltefläche 4a des Spanntischs 4 in dem Zustand gelegt, in dem die Seite einer hinteren Fläche 1b des Wafers 1 in Richtung des Spanntischs 4 gerichtet ist und die Seite der vorderen Fläche 1a nach oben gerichtet ist. Dann, wenn ein durch die Saugquelle erzeugter Unterdruck dazu gebracht wird, durch die Poren des porösen Elements des Spanntischs 4 auf den Wafer 1 zu wirken, wird der Wafer 1 durch Saugkraft über den Spanntisch 4 gehalten. Das Band 7 wird zuvor auf die hintere Fläche 1a des Wafers 1 geklebt. Folglich wird der Wafer 1 mittels dieses Bands 7 durch den Spanntisch 4 gehalten (siehe 1).
  • Bei dem Bearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird nachfolgend ein Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut mit einem Aufreihen einer Vielzahl von Laserstrahlen und Bestrahlen des Wafers 1 mit den Laserstrahlen entlang der geplanten Trennlinien 3 ausgeführt, um bearbeitete Nuten entlang dieser geplanten Trennlinien 3 in diesem Wafer 1 auszubilden. 2 ist eine Teilschnittansicht zum schematischen Erklären des Ausbildungsschritts für eine bearbeitete Nut. Als erstes wird die relative Position des Spanntischs 4 und der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 so eingestellt, dass eine bearbeitete Nut 11 an der vorderen Fläche 1a des Wafers 1 entlang der geplanten Trennlinie 3 von einem Ende zu dem anderen Ende dieser geplanten Trennlinie 3 ausgebildet werden kann. Als Nächstes wird der Spanntisch 4 bei einem Bestrahlen mit einer Vielzahl von Laserstrahlen von der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 bewegt. Dann, wenn eine Bearbeitungszufuhr des Wafers 1 ausgeführt wird, während diese Vielzahl von Laserstrahlen auf die vordere Fläche 1a des Wafers 1 fokussiert werden, wird die bearbeitete Nut 11 an dem Wafer 1 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird anhand der 3A die Beziehung zwischen den jeweiligen Punkten, bei denen die jeweiligen Laserstrahlen der Vielzahl von Laserstrahlen, die durch das Teilen entstehen, an der vorderen Fläche 1a des Wafers 1 fokussiert werden, und der geplanten Trennlinie 3 bei dem Ausbildungsschritt für eine bearbeitete Nut erklärt. 3A ist eine Draufsicht, welche die vordere Fläche 1a des Wafers 1 auf eine vergrößerte Weise schematisch zeigt. Wie in 3A gezeigt, sind diese Vielzahl von Laserstrahlen, die durch das Teilen entstehen, entlang einer Richtung aufgereiht, die zu der Erstreckungsrichtung dieser geplanten Trennlinie 3 nicht parallel ist. In diesem Fall sind die jeweiligen relevanten Punkte 16 in Bezug auf die Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b des Wafers 1 zueinander versetzt. Bei jedem Punkt 16, an dem der gepulste Laserstrahl fokussiert wird, wird der Wafer 1 aufgrund der Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl teilweise erhitzt und entfernt. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Plasma erzeugt und ein geschmolzenes und erstarrtes Objekt, das als Ablagerung bezeichnet wird, erzeugt.
  • Es wird nunmehr ein Fall beschrieben, bei dem abweichend von dem Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform zum Beispiel eine Vielzahl von Laserstrahlen, die durch Teilen entstehen, entlang der Richtung parallel zu der Erstreckungsrichtung der geplanten Trennlinie 3 aufgereiht sind und die jeweiligen Punkte nicht in der Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b des Wafers 1 versetzt sind. Wenn in diesem Fall ein gepulster Laserstrahl von der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 oszilliert wird und ein bestimmter Bearbeitungspunkt mit dem vorstehenden Laserstrahl bestrahlt wird und dann eine Bearbeitungszufuhr des Wafers 1 ausgeführt wird und der gepulste Laserstrahl wiederum oszilliert wird, wird die Umgebung dieses Bearbeitungspunkts wiederum mit dem nachfolgenden Laserstrahl bestrahlt. In diesem Fall wird die Bestrahlung mit dem nachfolgenden Laserstrahl durch Plasma und eine Ablagerung, die aufgrund des Bestrahlens mit dem vorangegangenen Laserstrahl erzeugt werden, behindert und folglich wird das Bestrahlen mit dem nachfolgenden Laserstrahl nicht wie erwartet ausgeführt. Darüber hinaus wird in manchen Fällen eine Abgabe der erzeugten Ablagerung aufgrund der Bestrahlung mit dem nachfolgenden Laserstrahl unterbunden, sodass die Ablagerung zurück in die bearbeitete Nut versetzt wird und die bearbeitete Nut flach wird. Aus diesem Grund wird das Bestrahlen mit dem Laserstrahl durch die Ablagerung und so weiter, die mit der Anzahl der Scans ansteigt, stärker behindert und die Bearbeitungsgeschwindigkeit nimmt ab (Menge eines Werkstücks, die pro Scan durch den Laserstrahl entfernt wird).
  • Dagegen werden bei dem Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform eine Vielzahl von Laserstrahlen, die durch Teilen entstehen, entlang einer Richtung aufgereiht, die nicht parallel zu der Erstreckungsrichtung der geplanten Trennlinie 3 ist und die jeweiligen relevanten Punkte 16 werden entlang einer Richtung aufgereiht, die nicht parallel zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b des Wafers 1 ist. Wenn ein bestimmter Bearbeitungspunkt mit dem vorangegangenen Laserstrahl bestrahlt wird und dann eine Bearbeitungszufuhr des Wafers 1 ausgeführt wird und der gepulste Laserstrahl wieder von der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 oszilliert wird, wird eine Position, die zu dem Bearbeitungspunkt in der Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b versetzt ist mit dem nachfolgenden Laserstrahl bestrahlt. In diesem Fall wird die Position, die von dem Plasma und der Ablagerung versetzt ist, welche aufgrund der Bestrahlung mit dem vorangehenden Laserstrahl erzeugt wird, mit dem nachfolgenden Laserstrahl bestrahlt. Folglich ist dieser nachfolgende Laserstrahl weniger anfällig für den Einfluss dieser Ablagerung und so weiter. Darüber hinaus wird eine Abgabe dieser Ablagerung und so weiter aufgrund dieses Laserstrahls weniger wahrscheinlich unterlassen. Darüber hinaus wird die Breite der ausgebildeten bearbeiteten Nut 11 in der Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b verglichen mit dem relevanten Punktdurchmesser groß, und daher wird die Abgabe der Ablagerung gefördert.
  • Aus diesem Grund wird das Zurückversetzen der erzeugten Ablagerung und so weiter in der bearbeiteten Nut 11 unterdrückt und die Bearbeitungsgeschwindigkeit der Laserbearbeitung wird selbst in dem Fall aufrecht erhalten, bei dem ein Scannen mit einer Vielzahl von Laserstrahlen 14, die durch Teilen entstehen, mehrere Male entlang der geplanten Trennlinie 3 ausgeführt wird. Wenn die jeweiligen Punkte 16 parallel zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b aufgereiht sind, nimmt die Bearbeitungsgeschwindigkeit stärker ab, wenn die bearbeitete Nut 11 tiefer wird. Daher ist der Effekt eines Aufrecht Erhaltens der Bearbeitungsgeschwindigkeit bei dem Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform bedeutender, je tiefer die bearbeitete Nut 11 wird.
  • 3B ist eine schematische Schnittansicht, welche die Umgebung der Punkte 16 an dem Wafer 1 bei dem Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut auf eine vergrößerte Weise zeigt. Die in 3B gezeigte schematische Schnittansicht ist eine schematische Schnittansicht, die eine Schnittebene entlang der Bearbeitungszuführrichtung 4b und nur zwei Laserstrahlen unter der Vielzahl von Laserstrahlen 14, die durch Teilen entstehen, für die Einfachheit der Erklärung gezeigt. Ein Bestrahlen mit einem vorangehenden Laserstrahl 14a und eines nachfolgenden Laserstrahls 14b wird auf so eine Weise ausgeführt, dass diese Strahlen in der Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b zueinander versetzt sind. In diesem Fall wird Bearbeitungsstaub 13, wie zum Beispiel eine Ablagerung, die durch das Bestrahlen mit dem vorangehenden Laserstrahl 14a erzeugt werden, nicht mit dem nachfolgenden Laserstrahl 14b bestrahlt, mit dem als Nächstes nach der Bearbeitungszufuhr des Wafers 1 eine Bestrahlung ausgeführt wird. Folglich wird ein Bestrahlen des Wafers 1 mit dem nachfolgenden Laserstrahl 14b wie erwartet ausgeführt, ohne durch den Bearbeitungsstaub 13 blockiert zu werden. Gleichzeitig hiermit wird eine Abgabe des Bearbeitungsstaubs 13 nicht durch diesen nachfolgenden Laserstrahl 14b behindert. Nachdem das Bestrahlen mit den Laserstrahlen 14 entlang einer geplanten Trennlinie 3 des Wafers 1 ausgeführt ist und die bearbeitete Nut 11 auf die oben beschriebene Weise ausgebildet ist, wird eine Einteilungszufuhr des Wafers 1 ausgeführt und die bearbeitete Nut 11 wird entlang der benachbarten geplanten Trennlinie 3 ausgebildet. Nachdem die bearbeitete Nut 11 entlang sämtlicher geplanter Trennlinien 3 entlang einer Richtung ausgebildet ist, wird der Spanntisch 4 gedreht, um die Bearbeitungszuführrichtung zu ändern, und die bearbeiteten Nuten 11 werden entlang sämtlicher geplanter Trennlinien 3 ausgebildet.
  • Wenn ein in dem Laserstrahloszillator 8 oszillierter Laserstrahl durch die Laserstrahlteilereinheit 10 geteilt wird und die geteilten Laserstrahlen 14 in der Laserstrahlbestrahlungseinheit 6 ausgebildet werden, wird der Laserstrahl zum Beispiel in acht Laserstrahlen geteilt. In diesem Fall wird ein Bestrahlen der vorderen Fläche 1a des Wafers 1 mit den acht geteilten Laserstrahlen 14 ausgeführt und die acht geteilten Laserstrahlen 14 werden auf acht Punkte fokussiert. Zu diesem Zeitpunkt sind die acht Punkte mit im Wesentlichen gleichen Abständen auf eine geradlinige Weise aufgereiht. Wenn die Richtung, entlang der die geteilten Laserstrahlen 14 aufgereiht sind, auf eine Richtung eingestellt wird, die nicht parallel zu der geplanten Trennlinie 3 ist, geht möglicherweise ein Teil der geteilten Laserstrahlen 14 über die Breite der geplanten Trennlinie 3 hinaus und das an dem Wafer 1 ausgebildete Bauelement 5 wird mit diesem Laserstrahl 14 bestrahlt, sodass das Bauelement 5 beschädigt wird. Aus diesem Grund wird die Richtung, entlang der die geteilten Laserstrahlen 14 aufgereiht werden, auf so eine Weise eingestellt, dass das Bauelement 5 weder mit dem ersten noch mit dem letzten Laserstrahl 14 unter den geteilten Laserstrahlen 14 bestrahlt wird, die auf geradlinige Weise aufgereiht sind.
  • Wenn die acht geteilten Laserstrahlen 14 darüber hinaus durch die Laserstrahlteilereinheit 10 erzeugt werden, wird ein Laserstrahl mit niedriger Leistung, der als Geist bezeichnet wird, ferner zusammen mit diesen acht geteilten Laserstrahlen erzeugt. Selbst dieser als Geist bezeichnete Laserstrahl beschädigt oft das Bauelement 5, wenn das an dem Wafer 1 ausgebildete Bauelement 5 mit diesem Geist bestrahlt wird. Daher wird die Richtung, entlang welcher die geteilten Laserstrahlen 14 aufgereiht sind, auf so eine Weise eingestellt, dass das Bauelement 5 soweit wie möglich auch davor bewahrt wird, mit diesem Geist bestrahlt zu werden. Wenn die bearbeitete Nut 11 zum Beispiel entlang der geplanten Trennlinie 3 ausgebildet wird, deren Breite mindestens 20 µm und maximal 30 µm ist, wird bevorzugt, die Mittelpunkte der Punkte, die in der Richtung senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung 4b benachbart sind, um einen Abstand in einem Bereich von 0,5 bis 1 µm in Bezug auf die acht Punkte, die mit im Wesentlichen gleichen Abständen aufgereiht sind, zu versetzen. Darüber hinaus wird zum Beispiel bevorzugt, den Mittelpunkt des ersten Punkts unter den mit gleichen Abständen aufgereihten acht Punkten und den Mittelpunkt der acht Punkte in der Richtung senkrecht zu Bearbeitungszuführrichtung 4b um einen Abstand in einem Bereich von 3 bis 7 µm zu versetzen und noch bevorzugter, diese um einen Abstand in einem Bereich von 5 bis 6 µm zu versetzen.
  • Wenn das Bestrahlen mit der Vielzahl von geteilten Laserstrahlen 14 wiederholt zwei oder mehrere Male entlang einer geplanten Trennlinie 3 ausgeführt wird, wird die bearbeitete Nut 11 mit einer größeren Tiefe ausgebildet. Wenn die Tiefe der ausgebildeten bearbeiteten Nuten 11 die Dicke des Wafers 1 erreicht, wird der Wafer 1 entlang der geplanten Trennlinien 3 getrennt und die einzelnen Bauelementchips werden ausgebildet.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Beschreibung der oben beschriebenen Ausführungsform beschränkt und kann mit vielfältigen Änderungen ausgeführt werden. Zum Beispiel wird bei der oben beschriebenen Ausführungsform in dem Fall eines Teilens des Wafers 1 entlang einer geplanten Trennlinie 3 ein Bestrahlen mit der Vielzahl von geteilten Laserstrahlen 14 zwei oder mehrere Male wiederholt ausgeführt, sodass die Tiefe der bearbeiteten Nut 11 die Dicke des Wafers 1 erreichen kann. Jedoch ist ein Aspekt der vorliegenden Erfindung nicht hierauf beschränkt. Zum Beispiel kann der Wafer 1 durch Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer 1 getrennt werden, bei dem die bearbeitete Nut 11 ausgebildet worden ist und ein Riss ausgebildet wird, der sich von dem Bodenteil dieser bearbeiteten Nut 11 zu der hinteren Fläche 1b des Wafers 1 erstreckt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.

Claims (2)

  1. Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers, bei dem ein Wafer, der ein Bauelement in jedem der Bereiche, die durch eine Vielzahl geplanter Trennlinien, welche an einer Fläche gitterartig eingestellt sind, markiert sind, unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung bearbeitet wird, die eine Laserstrahlbestrahlungseinheit mit einem Laserstrahloszillator, der einen gepulsten Laserstrahl mit einer durch den Wafer zu absorbierenden Wellenlänge oszilliert, einer Laserstrahlteilereinheit und einer Sammellinse und mit einer Funktion eines Bestrahlens des durch einen Spanntisch gehaltenen Wafers durch die Sammellinse mit einer Vielzahl von Laserstrahlen aufweist, die durch Oszillieren durch den Laserstrahloszillator und Teilen durch die Laserstrahlteilereinheit ausgebildet wird, wobei das Laserbearbeitungsverfahren umfasst: einen Halteschritt mit einem Halten des Wafers durch den Spanntisch; und einen Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut mit einem Bestrahlen des Wafers mit der Vielzahl von Laserstrahlen entlang der geplanten Trennlinie und Ausbilden einer bearbeiteten Nut entlang der geplanten Trennlinie in dem Wafer, wobei die Vielzahl von Laserstrahlen, die durch die Laserstrahlteilereinheit geteilt werden, bei dem Ausbildungsschritt einer bearbeiteten Nut auf einer Linie entlang einer Richtung angeordnet ist, die nicht parallel zu einer Erstreckungsrichtung der geplanten Trennlinie ist, die mit der Vielzahl von Laserstrahlen bestrahlt wird.
  2. Laserbearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 1, bei dem während des Ausbildungsschritts einer bearbeiteten Nut der Wafer mit der Vielzahl von Laserstrahlen entlang jeder der Vielzahl geplanter Trennlinien zwei oder mehrere Male bestrahlt wird und der Wafer durch die bearbeiteten Nuten geteilt wird.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021178338A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社ディスコ レーザー加工方法
CN114535836A (zh) * 2022-03-25 2022-05-27 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆的切割方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3647920B2 (ja) * 1995-03-14 2005-05-18 三菱伸銅株式会社 金属蒸着フィルムのマージン加工装置
JP2004268144A (ja) * 2003-02-21 2004-09-30 Seishin Shoji Kk レーザ加工装置
EP1518634A1 (de) * 2003-09-23 2005-03-30 Advanced Laser Separation International (ALSI) B.V. Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vereinzelung von in einer Waffel aus halbleitendem Material geformten Hableiter-Bauteilen
JP4471632B2 (ja) * 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN1925945A (zh) * 2004-03-05 2007-03-07 奥林巴斯株式会社 激光加工装置
US7732351B2 (en) * 2006-09-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and laser processing apparatus
JP5431989B2 (ja) * 2010-01-29 2014-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5534853B2 (ja) * 2010-02-18 2014-07-02 芝浦メカトロニクス株式会社 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JP2012096274A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Disco Corp レーザー加工装置
JP5308431B2 (ja) * 2010-12-06 2013-10-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ光によるライン加工方法およびレーザ加工装置
JP5947056B2 (ja) * 2012-02-24 2016-07-06 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
JP6425368B2 (ja) * 2012-04-27 2018-11-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6068062B2 (ja) 2012-09-03 2017-01-25 株式会社ディスコ レーザー加工装置
TWI543833B (zh) * 2013-01-28 2016-08-01 先進科技新加坡有限公司 將半導體基板輻射開槽之方法
PT2974822T (pt) * 2014-07-14 2017-11-14 Asm Tech Singapore Pte Ltd Método de divisão de substratos semicondutores finos
US10307867B2 (en) 2014-11-05 2019-06-04 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser fiber array for singulating semiconductor wafers
JP6441731B2 (ja) 2015-04-03 2018-12-19 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US9786562B2 (en) * 2015-04-21 2017-10-10 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method and device for cutting wafers
JP6434360B2 (ja) * 2015-04-27 2018-12-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置

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