DE102016113837A1 - Halbleiterbauelement, Verfahren zum Testen eines Halbleiterbauelements und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements - Google Patents

Halbleiterbauelement, Verfahren zum Testen eines Halbleiterbauelements und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements Download PDF

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Abstract

Ein Halbleiterbauelement umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregion-Abschnitten einer Transistorstruktur verbunden ist. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken. Ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur sind in einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur weisen jeweils eine laterale Größe auf, die ausreichend für einen Kontakt für zumindest eine temporäre Testmessung ist. Die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, ist näher an dem Halbleitersubstrat angeordnet als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Konzepte zum Testen von Isolationsschichten innerhalb von Gräben und insbesondere auf Halbleiterbauelemente, Verfahren zum Testen von Halbleiterbauelementen und Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen.
  • Hintergrund
  • Das Testen von Halbleiterbauelementen im Hinblick auf Herstellungsfehler ist häufig ein notwendiger Schritt bei der Herstellung und Qualitätssteuerung von Halbleiterbauelementen. Zum Beispiel kann ein Testen einer Isolationsqualität von verschiedenen Schichten, z. B. Oxidschichten, ausgeführt werden, um nach leckenden Isolationen innerhalb des Halbleiterbauelements zu prüfen, die zu ungewolltem Verhalten oder Zerstörung von Halbleiterbauelementen führen können.
  • Zusammenfassung
  • Es kann ein Bedarf bestehen zum Bereitstellen eines verbesserten Konzeptes für Halbleiterbauelemente, das das Verbessern der Testbarkeit der Isolationsschichtqualität und/oder das Reduzieren von Aufwand und/oder Kosten zum Detektieren von Isolationsschichtdefekten ermöglicht.
  • Ein solcher Bedarf kann durch den Gegenstand der Ansprüche erfüllt sein.
  • Einige Ausführungsbeispiele beziehen sich auf ein Halbleiterbauelement umfassend eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregion-Abschnitten einer Transistorstruktur verbunden ist. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken. Ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur sind an einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur weisen jeweils eine laterale Größe auf, die ausreichend für einen Kontakt für zumindest eine temporäre Testmessung ist. Die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, ist näher an dem Halbleitersubstrat angeordnet als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur.
  • Einige Ausführungsbeispiele beziehen sich auf ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst das Anlegen einer Testspannung zwischen einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur verbunden ist, und einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist elektrisch von der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur isoliert. Das Verfahren umfasst ferner das Messen eines Leckstroms zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, der durch die angelegte Testspannung verursacht wird.
  • Einige Ausführungsbeispiele beziehen sich auf ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer Mehrzahl von Source-Feldgräben, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden, die in der Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden ist, und das Bilden einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit der Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist. Ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur sind in einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur weisen jeweils eine laterale Größe auf, die ausreichend für einen Kontakt für eine temporäre Testmessung ist. Ferner ist die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, näher an dem Halbleitersubstrat angeordnet als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Einige Ausführungsbeispiele von Vorrichtungen und/oder Verfahren werden nachfolgend nur beispielhaft und Bezug nehmend auf die beiliegenden Figuren beschrieben, in denen:
  • 1–1e schematische Querschnitte von Teilen von Halbleiterbauelementen zeigen;
  • 2 einen schematischen Querschnitt eines Teils eines Halbleiterbauelements zeigt, der Testbedingungen im Fall von zwei isolierten Source-Anschlussflächen zeigt:
  • 3–5 schematische Draufsichten von Halbleiterbauelementen zeigen;
  • 6 ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Testen eines Halbleiterbauelements darstellt; und
  • 7 ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens 700 zum Bilden eines Halbleiterbauelements darstellt.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele werden nun ausführlicher Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, in denen einige Ausführungsbeispiele dargestellt sind. In den Figuren kann die Dicke der Linien, Schichten und/oder Regionen der Klarheit halber übertrieben sein.
  • Während Abänderungen und alternative Formen von Ausführungsbeispielen möglich sind, werden Ausführungsbeispiele davon dementsprechend in den Figuren beispielhaft gezeigt und hier ausführlich beschrieben. Es versteht sich jedoch, dass es nicht beabsichtigt ist, Ausführungsbeispiele auf die offenbarten bestimmten Formen zu begrenzen, sondern im Gegensatz Ausführungsbeispiele alle in den Rahmen der Offenbarung fallenden Modifikationen, Entsprechungen und Alternativen abdecken sollen. In der gesamten Beschreibung der Figuren beziehen sich gleiche Ziffern auf gleiche oder ähnliche Elemente.
  • Es versteht sich, dass, wenn ein Element als mit einem anderen Element „verbunden” oder „gekoppelt” bezeichnet wird, es direkt mit dem anderen Element verbunden oder gekoppelt sein kann oder Zwischenelemente vorhanden sein können. Wenn im Gegensatz ein Element als „direkt” mit einem anderen Element „verbunden” oder „gekoppelt” bezeichnet wird, sind keine Zwischenelemente vorhanden. Sonstige zum Beschreiben des Verhältnisses zwischen Elementen benutzte Ausdrücke sollen auf gleichartige Weise ausgelegt werden (z. B. „zwischen” gegenüber „direkt zwischen”, „benachbart” gegenüber „direkt benachbart” etc.).
  • Die hier verwendete Terminologie bezweckt nur das Beschreiben bestimmter Ausführungsbeispiele und soll nicht begrenzend für Ausführungsbeispiele sein. Nach hiesigem Gebrauch sollen die Singularformen „ein, eine” und „das, der, die” auch die Pluralformen umfassen, sofern aus dem Zusammenhang nicht eindeutig etwas anderes hervorgeht. Es versteht sich weiterhin, dass die Begriffe „umfasst”, „umfassend”, „aufweist” und/oder „aufweisend” bei hiesigem Gebrauch das Vorhandensein angegebener Merkmale, Ganzzahlen, Schritte, Operationen, Elemente und/oder Komponenten angeben, aber nicht das Vorhandensein oder die Zufügung eines oder mehrerer anderer Merkmale, Ganzzahlen, Schritte, Operationen, Elemente, Komponenten und/oder Gruppen derselben ausschließen.
  • Sofern nicht anderweitig definiert besitzen alle hier benutzten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung wie sie gewöhnlich von einem Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet verstanden wird, zu dem Ausführungsbeispiele gehören. Weiterhin versteht es sich, dass Begriffe, die z. B. in gewöhnlich benutzten Wörterbüchern Definierten, als eine Bedeutung besitzend ausgelegt werden sollen, die ihrer Bedeutung im Zusammenhang der entsprechenden Technik entspricht. Sollte die vorliegende Offenbarung einem Ausdruck jedoch eine bestimmte Bedeutung geben, die von einer Bedeutung abweicht, wie sie ein Durchschnittsfachmann üblicherweise versteht, soll diese Bedeutung in dem spezifischen Kontext, in dem diese Definition hier gegeben ist, berücksichtigt werden.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterbauelements 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel. Das Halbleiterbauelement umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112, die mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Dotierungsregion-Abschnitten 110 einer Transistorstruktur verbunden ist. Das Halbleiterbauelement 100 umfasst ferner eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, die mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 verbunden ist, die in einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat 102 des Halbleiterbauelements 100 erstrecken. Ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 sind an einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet, der auf dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet ist. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 weisen jeweils eine laterale Größe auf, die ausreichend für einen Kontakt für zumindest eine temporäre Testmessung ist. Die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, ist näher an dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124.
  • Das Verwenden der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur zum elektrischen Trennen der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten und der Mehrzahl von Source-Feldgräben an der Verdrahtungsschicht kann ein Testen einer Isolation (z. B. eines Oxids) der Mehrzahl von Source-Feldgräben gegen die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten im Backend ermöglichen. Auf diese Weise kann ein kostspieliger Frontend-Test vermieden werden. Zum Beispiel kann die Testbarkeit der Isolationsschichtqualität verbessert werden und/oder Aufwand und/oder Kosten zum Detektieren von Isolationsschichtdefekten können reduziert werden.
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann einem lateralen Verdrahtungsabschnitt (z. B. einem Abschnitt einer Metallschicht) von ausreichender lateraler Größe für zumindest eine temporäre Testmessung oder einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt (z. B. einem Via) von ausreichender lateraler Größe für zumindest eine temporäre Testmessung entsprechen, zum Beispiel.
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann einem lateralen Verdrahtungsabschnitt (z. B. einem Abschnitt einer Metallschicht) von ausreichender lateraler Größe für zumindest eine temporäre Testmessung oder einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt (z. B. einem Via) von ausreichender lateraler Größe für zumindest eine temporäre Testmessung entsprechen, zum Beispiel.
  • Eine laterale Größe eines Kontaktverdrahtungsabschnitts kann ausreichend für zumindest eine temporäre Testmessung sein, wenn eine Testnadel (z. B. eine einzelne Nadel oder eine Nadel einer Nadelkarte eines Testsystems) oder eine Sondierungsspitze eines Testwerkzeugs auf den Kontaktverdrahtungsabschnitt für die Testmessung platziert werden kann. Zusätzlich kann der Kontaktverdrahtungsabschnitt als eine Bondanschlussfläche verwendet werden, die größer sein kann als ein Kontaktverdrahtungsabschnitt, der für einen temporären Kontakt nur zur Messung verwendet wird. Eine temporäre Testmessung kann eine Testmessung sein, die nur einmal oder mehrere Male ausgeführt wird und danach nicht wieder. Zum Beispiel kann die temporäre Testmessung eine Leckstrommessung durch eine Isolationsschicht zwischen den Source-Feldelektroden und dem Halbleitersubstrat 102 sein (z. B. Body-Dotierungsabschnitte benachbart zu den Source-Gräben).
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 können jeweils eine laterale Größe größer als 5 μm mal 5 μm (oder größer als 10 μm mal 10 μm, größer als 20 μm mal 20 μm, größer als 50 μm mal 50 μm oder größer als 100 μm mal 100 μm) aufweisen, was ausreichend für zumindest einen Kontakt für eine temporäre Testmessung sein kann. Zum Beispiel können die Kontaktverdrahtungsabschnitte individuellen Source-Anschlussflächen oder einer Testanschlussfläche oder Zwischen-Kontaktanschlussfläche entsprechen, die innerhalb des Schichtstapels nur zugreifbar während der Herstellung (z. B. vor dem Bilden von einer oder mehreren Source-Anschlussflächen) angeordnet ist.
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 oder ein anderer lateraler Verdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 der Transistorstruktur lateral verbinden (z. B. eine laterale ohmsche elektrische Verbindung bilden). Zum Beispiel können sich vertikale Verdrahtungsabschnitte der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 (z. B. Vias) von der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten zu dem Kontaktverdrahtungsabschnitt oder dem anderen lateralen Verdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 erstrecken.
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 oder ein anderer lateraler Verdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann die Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 lateral verbinden (z. B. eine laterale ohmsche elektrische Verbindung bilden), zum Beispiel. Zum Beispiel können sich vertikale Verdrahtungsabschnitte der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 (z. B. Vias) von der Mehrzahl von Source-Feldelektroden zu dem Kontaktverdrahtungsabschnitt oder dem anderen lateralen Verdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 erstrecken.
  • Zum Beispiel kann die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 einen lateralen Verdrahtungsabschnitt zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 12 und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 aufweisen. Der laterale Verdrahtungsabschnitt kann einem zusätzlichen leitfähigen Element (im Vergleich zu der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) entsprechen, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ein zusätzliches laterales leitfähiges Element aufweisen, im Vergleich zu der ersten Verdrahtungs-Teilstruktur, z. B. um eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 zu bilden. 1a zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterbauelements 100a. Das Halbleiterbauelement 100a kann ähnlich zu dem in Verbindung mit 1 beschriebenen Halbleiterbauelement implementiert sein. Das Halbleiterbauelement umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112, die mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Dotierungsregion-Abschnitten 110 verbunden ist. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 umfasst einen Kontaktverdrahtungsabschnitt 112a und einen (ersten) Verdrahtungsabschnitt 112b zwischen dem Kontaktverdrahtungsabschnitt 112a und der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110. Der erste Verdrahtungsabschnitt 112b der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt entsprechen, zum Beispiel. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, die mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 verbunden ist, die in einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind (120, wie in 1c gezeigt ist). Die zweite Verdrahtungs-Teilstrukur 124 umfasst einen Kontaktverdrahtungsabschnitt 124a, einen ersten Verdrahtungsabschnitt 124b und einen zweiten Verdrahtungsabschnitt 124c. Einer des ersten Verdrahtungsabschnitts 124b oder des zweiten Verdrahtungsabschnitts 124c der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann einem lateralen Verdrahtungsabschnitt entsprechen, zum Beispiel. Der andere des ersten Verdrahtungsabschnitts 124b oder des zweiten Verdrahtungsabschnitts 124c der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt entsprechen, zum Beispiel. Einer des ersten Verdrahtungsabschnitts 124b oder des zweiten Verdrahtungsabschnitts 124c der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann einem zusätzlichen leitfähigen Element (im Vergleich zu der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) entsprechen, zum Beispiel. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 können durch einen Bonddraht 104 oder einen Bonddrahtabschnitt verbunden sein, der zwischen den Kontaktverdrahtungsabschnitten 112a und 124a angeordnet ist, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann das Halbleiterbauelement 100a, wie in 1b gezeigt ist, ferner eine zweite Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 118 aufweisen, die mit der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 über einen dritten Verdrahtungsabschnitt 124d der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 verbunden sind. Der dritte Verdrahtungsabschnitt 124d der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt entsprechen, zum Beispiel. Das Halbleiterbauelement 100a kann ferner eine zweite Mehrzahl von Source-Feldelektroden 142 umfassen, die in einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind (140, wie in 1c gezeigt ist). Die zweite Mehrzahl von Source-Feldelektroden 142 kann mit der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 über einen zweiten Verdrahtungsabschnitt 112c und einen dritten Verdrahtungsabschnitt 112d der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 verbunden sein. Einer des zweiten Verdrahtungsabschnitts 112c oder des dritten Verdrahtungsabschnitts 112d der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann einem lateralen Verdrahtungsabschnitt entsprechen, zum Beispiel. Der andere des zweiten Verdrahtungsabschnitts 112c oder des dritten Verdrahtungsabschnitts 112d der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt entsprechen, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann der Kontaktverdrahtungsabschnitt 112a der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 mit dem zweiten Verdrahtungsabschnitt 112c der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 durch eine Verbindungsstruktur 116 (z. B. einen lateralen Verbindungsgraben) verbunden sein, wie in 1c gezeigt ist. In 1c entspricht der zweite Verdrahtungsabschnitt 112c der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 einem lateralen Verdrahtungsabschnitt zwischen dem Kontaktverdrahtungsabschnitt 112a der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und der zweiten Mehrzahl von Source-Feldelektroden 142. Der laterale Verdrahtungsabschnitt 112c der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist möglicherweise nicht gebondet (mit einem Bonddraht verbunden), zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann der Kontaktverdrahtungsabschnitt 124a der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 mit dem ersten Verdrahtungsabschnitt 124b der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 durch eine Verbindungsstruktur 128 (z. B. einen lateralen Verbindungsgraben) verbunden sein, wie ferner in 1c gezeigt ist. In 1c entspricht der erste Verdrahtungsabschnitt 124b der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 einem lateralen Verdrahtungsabschnitt zwischen dem Kontaktverdrahtungsabschnitt 124a der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 und der ersten Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122. Der laterale Verdrahtungsabschnitt 124b der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist möglicherweise nicht gebondet (mit einem Bonddraht verbunden), zum Beispiel.
  • Die Kontaktverdrahtungsabschnitte 112a; 124a der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur können mit Bonddrähten verbunden sein, z. B. Bonddrähten, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte oder Bonddrähte, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte verbinden, mit einer Gehäusestruktur des Halbleiterbauelements 100a verbinden. Das Halbleiterbauelement 100a kann ferner eine Mehrzahl von Gate-Gräben 150 aufweisen, zum Beispiel.
  • Weitere Details und Aspekte des Halbleiterbauelements 100a werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1, 1d bis 7). Das Halbleiterbauelement 100a kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • Zum Beispiel kann die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, eine laterale Verdrahtungsschicht (z. B. Metallschicht) des Schichtstapels, der auf dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet ist, oder eine vertikale Verdrahtungsschicht sein.
  • Die laterale Verdrahtungsschicht kann näher an dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet sein als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, zum Beispiel. Alternativ kann die Verdrahtungsschicht einer vertikalen Verdrahtungsschicht entsprechen, z. B. einer Schicht, die Viastrukturen umfasst.
  • Zum Beispiel kann ein Teil der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, angeordnet zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, durch eine Verbindungs-Grabenelektrode implementiert sein, die in einem Verbindungsgraben angeordnet ist, der sich in das Halbleitersubstrat erstreckt (und/oder optional umfasst die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur eine Verbindungs-Grabenelektrode zum Verbinden einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldelektroden), zum Beispiel. Zum Beispiel kann eine Richtung größter Erstreckung des Verbindungsgrabens und der Verbindungs-Grabenelektrode orthogonal zu einer größten lateralen Erstreckung der Mehrzahl von Source-Feldgräben und der Mehrzahl von Source-Feldelektroden sein.
  • Zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 können vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 angeordnet sein. Zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 können vertikal zwischen einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats 102 und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 angeordnet sein, zum Beispiel. Zum Beispiel können in einer Draufsicht des Halbleiterbauelements 100 zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 eine laterale Überlappung mit dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur aufweisen.
  • Zum Beispiel können zumindest Abschnitte der Source-Dotierungsregionabschnitte vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Verdrahtungs-Teilstruktur 112 angeordnet sein. Zum Beispiel können in einer Draufsicht des Halbleiterbauelements 100 zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 eine laterale Überlappung mit dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur aufweisen. Die Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 (und entsprechende Body-Regionen) und die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten können lateral in einem repetitiven Muster unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Verdrahtungs-Teilstruktur 112 angeordnet sein, zum Beispiel. Die Source-Regionen können große Ströme leiten, während annähernd kein Strom zu den Source-Grabenelektroden fließen kann, sodass eine Verbindung zwischen dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und den Source-Dotierungsregionabschnitten kurz gehalten werden kann, während die Verbindung der Source-Feldelektroden mit dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Verdrahtungs-Teilstruktur 124 länger sein kann, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel können die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und die zweite Verdrahtungs-Teilstruktur 124 Metallabschnitte (z. B. Aluminium, Kupfer und/oder Wolfram) und/oder Polysiliziumabschnitte (z. B. Verbindungs-Grabenelektrode) aufweisen, die Leitungen, Schichten, Anschlussflächen und/oder Vias implementieren.
  • Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur mit einer Source-Kontaktschnittstelle der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 verbinden (z. B. erste Kontaktanschlussfläche), zum Verbinden eines externen elektrischen Bauelements oder eines externen Source-Potentials mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur, zum Beispiel. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann einem Source-Gitter oder einer oder mehreren Source-Metallschichten entsprechen oder dieselben umfassen. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann der (ersten) Source-Anschlussfläche der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 oder einer Zwischen-Kontaktanschlussfläche (z. B. implementiert durch ein (großes) Via der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder einen Metallschichtabschnitt in einer lateralen Verdrahtungsschicht zwischen der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten und der Source-Anschlussfläche der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 entsprechen, zum Beispiel.
  • Eine laterale ohmsche elektrische Verbindung zwischen der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 kann einem Abschnitt einer Metallschicht (z. B. dem Kontaktverdrahtungsabschnitt oder einem anderen lateralen Verdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) entsprechen, die mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 durch Vias verbunden ist, zum Beispiel.
  • Die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann die Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 der Transistorstruktur mit einer Source-Kontaktschnittstelle (z. B. zweite Source-Anschlussfläche) verbinden, zum Verbinden eines externen elektrischen Bauelements oder eines externen Source-Potentials mit der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 der Transistorstruktur, zum Beispiel. Die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann einem Source-Gitter oder einer oder mehreren Source-Metallschichten entsprechen oder dieselben umfassen.
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann der (zweiten) Source-Anschlussfläche der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 oder einer Zwischen-Kontaktanschlussfläche (z. B. implementiert durch ein (großes) Via der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder einen Metallschichtabschnitt in einer lateralen Verdrahtungsschicht zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden und der Source-Anschlussfläche der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 entsprechen, zum Beispiel.
  • Die laterale ohmsche elektrische Verbindung zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 kann einem Abschnitt einer Metallschicht entsprechen, die mit der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 (z. B. dem Kontaktverdrahtungsabschnitt oder einem anderen lateralen Verdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) durch Vias verbunden ist, oder einer Elektrode, die innerhalb eines Grabens angeordnet ist, der die Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbindet, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann der Schichtstapel eine (weitere) Metallschicht über (z. B. weiter weg von dem Halbleitersubstrat als) der Verdrahtungsschicht aufweisen, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist. Eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann zumindest teilweise durch die (weitere) Metallschicht bereitgestellt werden. Zum Beispiel ist die weitere Metallschicht in einer größeren Distanz von dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet als die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist. Zum Beispiel kann die weitere Metallschicht nach dem Testen von Leckströmen zwischen dem Halbleitersubstrat und der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 gebildet werden. Zum Beispiel können die erste und zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur mit der Metallschicht durch Vias verbunden sein. Zum Beispiel kann die weitere Metallschicht verwendet werden, um eine gemeinsame Source-Anschlussfläche zu implementieren, die mit der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) verbunden ist, wenn die Kontaktverdrahtungsabschnitte als Zwischen-Testkontaktschnittstellen in einer Verdrahtungsschicht unter der gemeinsamen Source-Anschlussfläche implementiert sind.
  • Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann eine erste Source-Anschlussflächenstruktur (z. B. umfassend eine Anschlussflächen-Metallisierungsschicht, zum Beispiel Kupfer oder Aluminium, oder eine Barriereschicht, zum Beispiel Titan und/oder Titannitrid, und eine Anschlussflächen-Metallisierungsschicht) zum Bonden eines Drahts oder Anbringen einer Lötstruktur (z. B. einer Lötkugel oder einer Lötsäule) aufweisen. Die erste Source-Anschlussflächenstruktur kann durch die Kontaktverdrahtungsstruktur der ersten Source-Verdrahtungsstruktur 112 oder eine Anschlussflächenstruktur repräsentiert sein, angeordnet an einer Schicht des Schichtstapels in einer größeren Distanz zu dem Halbleitersubstrat als die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist. Die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann ferner eine zweite Source-Anschlussflächenstruktur (z. B. umfassend eine Anschlussflächen-Metallisierungsschicht, zum Beispiel Kupfer oder Aluminium, oder eine Barriereschicht, zum Beispiel Titan und/oder Titannitrid, und eine Anschlussflächen-Metallisierungsschicht) zum Bonden eines Drahts oder Anbringen einer Lötstruktur aufweisen. Die zweite Source-Anschlussflächenstruktur kann durch die Kontaktverdrahtungsstruktur der zweiten Source-Verdrahtungsstruktur 124 oder eine Anschlussflächenstruktur repräsentiert sein, angeordnet an einer Schicht des Schichtstapels in einer größeren Distanz zu dem Halbleitersubstrat als die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist. Die erste Source-Anschlussflächenstruktur und die zweite Source-Anschlussflächenstruktur können näher an dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet sein als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, zum Beispiel. Die erste Source-Anschlussflächenstruktur und die zweite Source-Anschlussflächenstruktur können jeweils eine laterale Größe (z. B. lateral abgedeckte Fläche) von mehr als 100 μm mal 100 μm (oder mehr als 200 μm mal 200 μm, mehr als 500 μm mal 500 μm, mehr als 500 μm mal 1 mm, mehr als 1 mm mal 1 mm, oder mehr als 2 mm mal 2 mm) aufweisen.
  • Ein erster Bonddraht kann zwischen der ersten Source-Anschlussflächenstruktur und einer Gehäusestruktur angeordnet sein und ein zweiter Bonddraht kann zwischen der zweiten Source-Anschlussflächenstruktur und der Gehäusestruktur angeordnet sein. Eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann durch den ersten Bonddraht, den zweiten Bonddraht und die Gehäusestruktur bereitgestellt werden, zum Beispiel. Das Verbinden der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur unter Verwendung von Drahtbonden kann ein Testen des Source-Feldgrabenoxids in dem Backend ermöglichen, während die Source-Verdrahtungs-Teilstrukturen nach dem Bonden kurzgeschlossen werden, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die Gehäusestruktur ein Anschlussleitungsrahmen oder ein Gehäusesubstrat eines Gehäuses des Halbleiterbauelements sein. Alternativ oder zusätzlich kann ein (erster) Bonddraht zwischen der ersten Source-Anschlussflächenstruktur und der zweiten Source-Anschlussflächenstruktur angeordnet sein. Der Bonddraht kann die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 ohmisch elektrisch verbinden. Ein zweiter Bonddraht kann zwischen der ersten oder zweiten Source-Anschlussflächenstruktur und der Gehäusestruktur angeordnet sein, zum Beispiel.
  • 1d zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterbauelements 100b. Das Halbleiterbauelement 100b kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1–1c beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein. Das Halbleiterbauelement 100b umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 verbunden mit einer ersten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 und mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldelektroden, die innerhalb einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 angeordnet sind. Das Halbleiterbauelement 100b umfasst ferner eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, die mit einer ersten Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122, die in einer ersten Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind, und mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 118 verbunden ist. Das Halbleiterbauelement 100b weist ferner eine Mehrzahl von Gate-Gräben 150 auf. Ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist mit einem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur durch einen Bonddrahtabschnitt 104a verbunden, der zwischen den Kontaktverdrahtungsabschnitten angeordnet ist. Die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann ferner mit einem weiteren Kontaktverdrahtungsabschnitt einer weiteren Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder mit einer Gehäusestruktur des Halbleiterbauelements 100b durch einen weiteren Bonddrahtabschnitt 104b verbunden sein. Die Kontaktverdrahtungsabschnitte können von den Source-Dotierungsregionabschnitten und von den Source-Feldelektroden durch ein Dielektrikum 106 getrennt sein, zum Beispiel.
  • Weitere Details und Aspekte des Halbleiterbauelements 100b werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1–1c, 2 bis 7). Das Halbleiterbauelement 100b kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • Alternativ können die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 ohmisch elektrisch durch eine Redistributions-Metallschicht verbunden (z. B. kurzgeschlossen sein) sein, die auf dem Schichtstapel gebildet ist, oder durch eine Metallschicht innerhalb des Gehäuses (z. B. Flip-Chip-Gehäuse) des Halbleiterbauelements 100. Zum Beispiel kann das Gehäuses des Halbleiterbauelements 100 eine Metallschicht für ein Source-Potential aufweisen, und die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur können elektrisch durch die Metallschicht verbunden sein, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 elektrisch von der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 zumindest innerhalb einer untersten (lateralen) Verdrahtungsschicht isoliert sein, die den Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur aufweist, die eine laterale ohmsche elektrische Verbindung zwischen der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 implementiert, die eine laterale ohmsche elektrische Verbindung zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 implementiert. Das Isolieren der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur zumindest innerhalb der untersten (lateralen) Verdrahtungsschicht kann ein Testen einer Isolation (z. B. eines Oxids) der Mehrzahl von Source-Feldgräben gegen die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten im Backend ermöglichen. Die unterste (laterale) Verdrahtungsschicht kann einer Metallschicht des Schichtstapels entsprechen, die näher an dem Halbleitersubstrat angeordnet ist als andere Metallschichten des Schichtstapels. Die unterste (laterale) Verdrahtungsschicht kann einer Metall-1-Schicht (M1) des Halbleiterbauelements entsprechen, zum Beispiel.
  • Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten und einer Source-Kontaktschnittstelle (Source-Anschlussfläche) verbunden sein. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 kann mit der Mehrzahl von Source-Feldelektroden und einer Source-Kontaktschnittstelle (Source-Anschlussfläche) verbunden sein, zum Beispiel. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 kann mit einer unterschiedlichen Source-Kontaktschnittstelle verbunden sein als der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, zum Beispiel. Alternativ kann der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 mit derselben Source-Kontaktschnittstelle verbunden sein wie der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124, z. B. wenn das Testen von Leckströmen zwischen der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 und der Mehrzahl von Source-Elektroden 112 vor dem Bilden der Source-Kontaktschnittstelle ausgeführt wird.
  • Zum Beispiel ist die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 elektrisch mit der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 außerhalb einer Region verbunden, die zwischen einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats und der Verdrahtungsschicht angeordnet ist, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 elektrisch mit der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 an einem Gehäuse des Halbleiterbauelements 100 oder durch eine Metallschicht des Schichtstapels verbunden sein, die weiter weg von dem Halbleitersubstrat 102 angeordnet ist als die Verdrahtungsschicht. Das elektrische Verbinden der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur außerhalb der Region kann ein Testen einer Isolation (z. B. eines Oxids) der Mehrzahl von Source-Feldelektroden gegen das Halbleitersubstrat im Backend ermöglichen.
  • Zum Beispiel kann eine Tiefe der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 größer als 5 Mal (oder größer als 10 Mal) eine Tiefe der Source-Dotierungsregionabschnitte sein. Die Mehrzahl von Source-Feldgräben kann streifenförmig (z. B. säulenförmig oder spaltenförmig in einem Querschnitt) sein. Eine Streifenform kann eine Geometrie sein, die sich in einer ersten lateralen Richtung wesentlich weiter erstreckt als in einer orthogonalen zweiten lateralen Richtung. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 eine laterale Länge von mehr als 10× (oder mehr als 50× oder mehr als 100×) einer lateralen Breite von Source-Feldgräben der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 aufweisen. Zum Beispiel kann eine laterale Länge eines Source-Feldgrabens der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 die größte laterale Erstreckung der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 sein. Z. B. kann die Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 eine vertikale Erstreckung aufweisen, die größer ist als die laterale Breite und kürzer als die laterale Länge. Zum Beispiel kann sich die Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 in eine Tiefe von mehr als 10 μm (oder mehr als 30 μm oder mehr als 50 μm) erstrecken. Eine Source-Feldelektrode der Mehrzahl von Source-Feldelektroden kann in jedem Source-Feldgraben 120 der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sein. Die Source-Feldelektroden sind von dem Halbleitersubstrat durch eine Isolationsschicht innerhalb der Source-Feldgräben 120 isoliert.
  • Die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 kann benachbart zu Gate-Gräben der Transistorstruktur angeordnet sein, zum Beispiel. Die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten ist möglicherweise nicht benachbart zu jeglichem Source-Feldgraben 120 der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 der Transistorstruktur angeordnet, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann eine Anzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten und eine Anzahl von Source-Feldgräben größer sein als 50 (oder größer als 100 oder größer als 500) innerhalb des Halbleiterbauelements 100. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Source-Feldgräben 120, die mit der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur verbunden sind, mehr als 10 (oder mehr als 20 oder mehr als 50) Source-Feldgräben aufweisen. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110, die mit der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur verbunden sind, mehr als 10 (oder mehr als 20 oder mehr als 50) Source-Dotierungsregionabschnitte aufweisen.
  • Zum Beispiel umfasst die Transistorstruktur des Halbleiterbauelements 100 eine Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten, die zwischen der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 und einer Driftregion oder Drainregion der Transistorstruktur angeordnet sind. Jeder Body-Dotierungsregionabschnitt kann zwischen einem Gategraben und einem Source-Feldgraben (z. B. (direkt) benachbart zu einem Gate-Graben und (direkt) benachbart zu einem Source-Feldgraben 120 der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120) oder zwischen zwei benachbarten Gate-Gräben angeordnet sein. Die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten kann einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen, zum Beispiel. Die Body-Regionen der Transistorstruktur können einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, zum Beispiel. Eine Region, die den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, kann eine p-dotierte Region (z. B. verursacht durch Einbringen von Aluminiumionen oder Borionen) oder eine n-dotierte Region (z. B. verursacht durch Einbringen von Stickstoffionen, Phosphorionen oder Arsenionen) sein. Folglich zeigt der zweite Leitfähigkeitstyp eine entgegengesetzte n-dotierte Region oder p-dotierte Region an. Anders ausgedrückt kann der erste Leitfähigkeitstyp eine p-Dotierung anzeigen und der zweite Leitfähigkeitstyp kann eine n-Dotierung anzeigen, oder umgekehrt.
  • Das Halbleitersubstrat 102 des Halbleiterbauelements 100 kann ein Siliziumsubstrat sein. Alternativ kann das Halbleitersubstrat 102 ein Halbleitersubstrat mit Breitbandabstand mit einem Bandabstand sein, der größer ist als der Bandabstand von Silizium (1,1 eV). Zum Beispiel kann das Halbleitersubstrat 102 ein auf Siliziumcarbid (SiC) basierendes Halbleitersubstrat oder ein auf Galliumarsenid (GaAs) basierendes Halbleitersubstrat oder ein auf Galliumnitrid (GaN) basierendes Halbleitersubstrat sein. Das Halbleitersubstrat 102 kann ein Halbleiterwafer oder ein Halbleiterchip sein.
  • Die Transistorstruktur kann ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (Insulated-Gate Bipolar Transistor; IGBT) oder ein Feldeffekttransistor (Field Effect Transistor; FET) sein, zum Beispiel. Die Transistorstruktur kann eine vertikale Transistoranordnung sein, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die vertikale Transistoranordnung eine elektrische Struktur sein, die einen vertikalen Stromfluss ermöglicht. Zum Beispiel kann die Transistorstruktur des Halbleiterbauelements 100 einen Stromfluss zwischen der Vorderseite des Halbleiterbauelements und einer Rückseite des Halbleiterbauelements steuern und/oder leiten und/oder blockieren. Die Transistorstruktur kann z. B. eine Durchbruchspannung von mehr als 10 V, z. B. mehr als 20 V, mehr als 50 V, mehr als 100 V aufweisen. Das Halbleiterbauelement 100 kann ein Leistungshalbleiterbauelement sein. Ein Leistungshalbleiterbauelement und/oder die Transistorstruktur des Leistungshalbleiterbauelements kann zum Beispiel eine Durchbruchspannung oder Sperrspannung von mehr als 10 V (z. B. eine Durchbruchspannung von 10 V, 20 V oder 50 V), mehr als 100 V (z. B. eine Durchbruchspannung von 200 V, 300 V, 400 V oder 500 V) oder mehr als 500 V (z. B. eine Durchbruchspannung von 600 V, 700 V, 800 V oder 1000 V) oder mehr als 1000 V (z. B. eine Durchbruchspannung von 1200 V, 1500 V, 1700 V, 2000 V, 3300 V oder 6500 V) aufweisen.
  • 1e zeigt einen schematischen Querschnitt eines Leistungshalbleiterbauelements 100c. Das Halbleiterbauelement 100c kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1–1d beschriebenen Halbleiterbauelement implementiert sein. Das Leistungshalbleiterbauelement 100c weist eine Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110, eine Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 umfassend eine Mehrzahl von Source-Feldelektroden, eine Mehrzahl von Gate-Gräben 150 umfassend eine Mehrzahl von Gate-Elektroden und eine Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 auf. Das Leistungshalbleiterbauelement 100c umfasst ferner eine n-Driftregion 170 und eine p-Drain-Region 180. Optional kann das Halbleiterbauelement 100c ferner zumindest einen n-Kurzschluss 190 für eine Rückwärtsleitung aufweisen.
  • 1e zeigt ein Beispiel eines rückwärts leitenden (reverse conducting RC) Bipolartransistors mit isoliertem Gate IGBT. Auf ähnliche Weise kann ein normaler IGBT ohne die n-Kurzschluss-Abschnitte 190 implementiert sein. Ferner, auf ähnliche Weise, kann ein Metalloxid-(MOX-)Halbleitertransistor ohne p-dotierte Regionen an der Rückseite implementiert sein. Ein Metalloxid-(MOX-)Halbleitertransistor kann eine n-dotierte Region aufweisen, die die Driftregion und eine hochdotierte Rückseiten-Drain-Dotierungsregion aufweist.
  • Zum Beispiel können die vertikale Richtung und eine vertikale Abmessung oder Dicken von Schichten orthogonal zu einer Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats 102 gemessen werden und eine laterale Richtung und laterale Abmessungen können parallel zu der Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats 102 gemessen werden.
  • Der Schichtstapel des Halbleiterbauelements 100 kann eine oder mehrere laterale Verdrahtungsschichten (z. B. Metallschichten) und eine oder mehrere vertikale Verdrahtungsschichten (z. B. Via-Schichten) aufweisen, zum Beispiel.
  • Eine laterale Verdrahtungsschicht (z. B. Metallschicht eines Schichtstapels eines Halbleiterbauelements) kann eine Schicht zum Implementieren von lateralen elektrischen Verbindungen zwischen vertikalen elektrischen Verbindungen (Vias) sein, die laterale Verdrahtungsschichten verbinden. Eine vertikale Verdrahtungsschicht (z. B. Via-Schicht eines Schichtstapels eines Halbleiterbauelements) kann eine Schicht zum Implementieren von vertikalen elektrischen Verbindungen (Vias) zwischen lateralen Verdrahtungsschichten sein. Zum Beispiel sind die Abschnitte der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 und Abschnitte der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 in einer oder mehreren lateralen Verdrahtungsschichten und einer oder mehreren vertikalen Verdrahtungsschichten des Schichtstapels des Halbleiterbauelements 100 angeordnet.
  • Die Vorderseite des Halbleitersubstrats kann die Seite sein, die zum Implementieren von höher entwickelten und komplexeren Strukturen verwendet wird als die Rückseite des Halbleitersubstrats, da die Prozessparameter (z. B. Temperatur) und die Handhabung für die Rückseite eingeschränkt sein können, wenn Strukturen zum Beispiel bereits an einer Seite des Halbleitersubstrats gebildet sind. Der Schichtstapel des Halbleiterbauelements 100, der die Kontaktverdrahtungsabschnitte umfasst (z. B. Source-Anschlussflächen implementiert oder zusätzliche Source-Anschlussflächen umfasst), ist an der Vorderseite des Halbleitersubstrats 102 angeordnet.
  • 2 stellt einen schematischen Querschnitt eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements 200 dar, der Testbedingungen im Fall von zwei isolierten Source-Anschlussflächen zeigt. Das Halbleiterbauelement 200 kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1–1e beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein. In 2 umfasst das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von Gate-Gräben 150, die sich in das Halbleitersubstrat 102 erstrecken. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 ist mit einer ersten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 und einer ersten Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 verbunden, die unter einer ersten Source-Anschlussfläche der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 angeordnet sind. Die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 ist mit einer ersten Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 verbunden, die in einer ersten Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind, die unter der ersten Source-Anschlussfläche der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 angeordnet sind. Ferner ist die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldelektroden 142 verbunden, die in einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 angeordnet sind, die unter einer zweiten Source-Anschlussfläche der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 angeordnet sind. Zusätzlich dazu ist die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 118 und einer zweiten Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 162 verbunden, die unter der zweiten Source-Anschlussfläche der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 124 angeordnet sind.
  • Gate-Gräben aus der Mehrzahl von Gate-Gräben 150 können eine Gate-Elektrode unterbringen und ein durch die Gate-Elektrode zu steuernder Transistorkanal kann sich benachbart zu den Gate-Gräben befinden. Ein Gate-Potential kann an die Gate-Elektroden innerhalb der Gate-Gräben durch eine Gate-Verdrahtungsstruktur während des Betriebs des Halbleiterbauelements 200 angelegt sein.
  • Eine Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 ist z. B. lateral benachbart zu der Mehrzahl von Gate-Gräben angeordnet, zum Beispiel direkt lateral benachbart. Keine Source-Dotierungsregionabschnitte sind direkt benachbart zu den Source-Feldgräben angeordnet. Das Anordnen der Source-Dotierungsregionabschnitte benachbart zu den Gate-Gräben kann nur das Risiko reduzieren, dass ein Elektronenkanal während des Testens durch einen Source-Feldgraben gebildet wird. Das Halbleiterbauelement 200 kann ferner eine Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 von einer oder mehreren Body-Regionen der Transistorstruktur aufweisen. Die Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 ist mit der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 verbunden. Die Mehrzahl der Body-Dotierungsregionabschnitte 160 trennt die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten von der Mehrzahl von Source-Feldgräben, was das Bilden eines Elektronenkanals während des Testens vermeiden kann, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur 112 eine Mehrzahl von gemeinsamen Source-Body-Kontakten aufweisen, die mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 und mit der Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 verbunden sind.
  • Die Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 kann lateral benachbart zu den Source-Feldgräben der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sein, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten von den Source-Feldelektroden 122, die innerhalb der Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind, durch eine Oxidschicht isoliert sein.
  • Zum Beispiel können n-dotierte Source-Regionen (z. B. der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten) nur benachbart zu den Gate-Gräben sein (z. B. und nicht benachbart zu den Source-Feldgräben). Dies kann einen möglichen Elektronenkanal blockieren, der durch den Source-Feldgraben bei +50 V gebildet werden kann, wenn die n-Source-Region auch benachbart zu dem Source-Feldgraben bei Testbedingungen wäre. Ferner könnte das Drain-Potential des Bauelements während der Tests auch auf dem Potential des Source-Feldgrabens sein.
  • Bei Testbedingungen wurden eine elektrische Feldverteilung und ein elektrostatisches Potential eines Beispiels simuliert, beides im Fall von zwei isolierten Source-Anschlussflächen (Gate = Source = 0 V, Source-Feldgraben = Drain = 50 V). Der fließende Strom war in dem Bereich von einigen mA. Das Halbleiterbauelement zog einen Strom von 6 mA, während kein Elektronenkanal von dem Source-Kontakt zu dem Source-Feldgraben gebildet wurde. Die höchste elektrische Feldstärke war zwischen einem Body-Dotierungsregionabschnitt der Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten und einem Source-Feldgraben der Mehrzahl von Source-Feldgräben, bei ungefähr 3·106 Vcm–1.
  • Zum Beispiel können die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110, die Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160, die Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 und/oder die Mehrzahl von Gate-Gräben lateral in einem repetitiven Muster angeordnet sein. Body-Dotierungsregionabschnitte der Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten 160 können sich vertikal weiter in das Halbleitersubstrat erstrecken als Source-Dotierungsregionabschnitte der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann sich eine maximale Tiefe der Mehrzahl von Gate-Gräben 150 um weniger als 20% (oder weniger als 10% oder weniger als 5%) von einer maximalen Tiefe der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 unterscheiden. Zum Beispiel kann eine maximale Tiefe der Mehrzahl von Gategräben 150 größer als ein Mal (oder größer als 1,5 Mal oder größer als 2 Mal) eine maximale Tiefe der Body-Dotierungsregionabschnitte sein. Die Mehrzahl von Gategräben kann streifenförmig (z. B. säulenförmig oder spaltenförmig in einem Querschnitt) sein. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Gategräben 150 eine laterale Länge von mehr als 10× (oder mehr als 50× oder mehr als 100×) einer lateralen Breite von Gategräben der Mehrzahl von Gategräben 150 aufweisen. Zum Beispiel kann die laterale Länge eines Gategrabens der Mehrzahl von Gategräben 150 die größte laterale Erstreckung der Mehrzahl von Gategräben 150 sein. Z. B. kann die Mehrzahl von Gategräben 150 eine vertikale Erstreckung aufweisen, die größer ist als die laterale Breite und kürzer als die laterale Länge. Zum Beispiel kann sich die Mehrzahl von Gategräben 150 in eine Tiefe von mehr als 1 μm (oder mehr als 2 μm oder mehr als 3 μm) erstrecken.
  • Weitere Details und Aspekte des Halbleiterbauelements 200 werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend oder nachfolgend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1 bis 1e und 3 bis 7). Das Halbleiterbauelement 200 kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • 3 stellt eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements 300 dar, das ein Beispiel von vorgeschlagenen Layoutänderungen zum Implementieren eines SOX-Tests in dem Backend darstellt. Das Halbleiterbauelement 300 kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1 oder 2 beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein. Das Halbleiterbauelement 300 umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die eine (erste) Source-(Teil-)Anschlussfläche 304 aufweist (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), eine Verbindungs-Grabenelektrode, die in einem Verbindungsgraben 116 angeordnet ist, und einen lateralen Verdrahtungsabschnitt 306. Die erste Source-Teilanschlussfläche ist mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden, die vertikal unter der ersten Source-Teilanschlussfläche 304 angeordnet sind. Der laterale Verdrahtungsabschnitt 306 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann mit einer weiteren (z. B. zweiten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 verbunden sein, die in einer weiteren (z. B. zweiten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements 300 erstrecken.
  • Zum Beispiel kann zumindest ein Teil einer ohmschen elektrischen Verbindung zwischen einer Source-(Teil-)Anschlussfläche der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der weiteren Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 durch die Grabenelektrode bereitgestellt werden, die innerhalb des Verbindungsgrabens 116 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet ist. Die Verbindungs-Grabenelektrode, die innerhalb des Verbindungsgrabens 116 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet ist, kann die ohmsche elektrische Verbindung der ersten Source-(Teil-)Anschlussfläche 304 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der weiteren Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 ermöglichen, ohne eine zusätzliche Verdrahtung innerhalb des Schichtstapels zu erfordern, zum Beispiel.
  • Das Halbleiterbauelement 300 umfasst eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die eine (zweite) Source-(Teil-)Anschlussfläche 308 (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), eine Verbindungs-Grabenelektrode, die in einem Verbindungsgraben 128 angeordnet ist, und einen lateralen Verdrahtungsabschnitt 310 aufweist. Der laterale Verdrahtungsabschnitt 310 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden, die in einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind, z. B. über Kontakte (z. B. einen Kontakt 302, der den lateralen Verdrahtungsabschnitt 310 und die Source-Feldelektrode eines Source-Feldgrabens 120 verbindet).
  • Die erste und die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die sowohl mit Source-Dotierungsregionabschnitten als auch Source-Feldelektroden verbunden sind, können eine Anzahl von zumindest teilweise getrennten Verdrahtungsstrukturen reduzieren und können ein gegenseitiges Testen ermöglichen.
  • Zum Beispiel kann die zweite Source-Teilanschlussfläche 308 ferner mit einer weiteren (zweiten) Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur verbunden sein. Zumindest Abschnitte der zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten können vertikal unter der zweiten Source-Teilanschlussfläche der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sein, zum Beispiel.
  • Die zweite Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 und die zweite Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten können lateral in einem repetitiven Muster angeordnet sein, zum Beispiel.
  • Zum Beispiel kann zumindest ein Teil einer ohmschen elektrischen Verbindung zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden, die innerhalb der ersten Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind, und der zweiten Source-Teilanschlussfläche 308 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur durch die Verbindungsgrabenelektrode implementiert sein, die in dem Verbindungsgraben 128 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet ist.
  • Zum Beispiel können zumindest Abschnitte der zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 vertikal zwischen einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats und der zweiten Source-Teilanschlussfläche 308 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sein (z. B. vertikal unter der zweiten Source-Teilanschlussfläche 308 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur in einer Draufsicht des Halbleiterbauelements 300). Zumindest Abschnitte der ersten Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 können vertikal zwischen einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats und der ersten Source-Teilanschlussfläche 304 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sein (z. B. vertikal unter der ersten Source-Teilanschlussfläche 304 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur in einer Draufsicht des Halbleiterbauelements 300). Das Halbleiterbauelement 300 kann eine dritte Source-Teilanschlussfläche 312 und eine vierte Source-Teilanschlussfläche 314 aufweisen. Zumindest Abschnitte der ersten Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 können vertikal unter der dritten Source-Teilanschlussfläche 312 angeordnet sein und zumindest Abschnitte der zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 können vertikal unter der vierten Source-Teilanschlussfläche 314 angeordnet sein (in einer Draufsicht des Halbleiterbauelements).
  • Zum Beispiel kann die dritte Source-Teilanschlussfläche 312 mit einer dritten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur des Halbleiterbauelements verbunden sein. Die vierte Source-Teilanschlussfläche 314 kann mit einer vierten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur verbunden sein.
  • Zum Beispiel kann die erste Source-Teilanschlussfläche mit einem ersten Body-Region-Abschnitt einer Body-Region der Transistorstruktur verbunden sein. Die zweite Source-Teilanschlussfläche kann mit einem zweiten Body-Region-Abschnitt der Body-Region verbunden sein. Die dritte Source-Teilanschlussfläche kann mit einem dritten Body-Region-Abschnitt der Body-Region verbunden sein. Die vierte Source-Teilanschlussfläche kann mit einem vierten Body-Region-Abschnitt der Body-Region verbunden sein. Der erste Body-Region-Abschnitt kann lateral von dem zweiten Body-Region-Abschnitt (und/oder dem dritten Body-Region-Abschnitt und/oder dem vierten Body-Region-Abschnitt) durch einen Isolationsgraben oder durch eine Dotierungsregion mit einem Leitfähigkeitstyp getrennt sein, der sich von einem Leitfähigkeitstyp der Body-Region unterscheidet. Der zweite Body-Region-Abschnitt kann lateral von dem ersten Body-Region-Abschnitt (und/oder dem dritten Body-Region-Abschnitt und/oder dem vierten Body-Region-Abschnitt) durch einen Isolationsgraben oder durch eine Dotierungsregion mit einem Leitfähigkeitstyp getrennt sein, der sich von einem Leitfähigkeitstyp der Body-Region unterscheidet.
  • Dies kann das Testen der Abschnitte der Source-Feldgräben ermöglichen, die zwischen der Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sind.
  • Die Verbindungsgräben 116, 128 können ähnlich zu der Mehrzahl von Source-Feldgräben implementiert sein, zum Beispiel. Die Verbindungsgräben können orthogonal zu der Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sein (z. B. gebildet durch denselben Grabenätzprozess und umfassend eine im Wesentlichen gleiche Tiefe), zum Beispiel. Die Verbindungselektroden, die innerhalb der Verbindungsgräben 116, 128 angeordnet sind, können hochdotiertes Polysilizium aufweisen, zum Beispiel.
  • Die weitere Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 kann ähnlich zu der Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 implementiert sein, und/oder die weitere Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten kann ähnlich zu der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten 110 implementiert sein, beschrieben in Verbindung mit 1.
  • Weitere Details und Aspekte des Halbleiterbauelements 300 werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend oder nachfolgend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1 bis 2 und 4 bis 7). Das Halbleiterbauelement 300 kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • 4 zeigt eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements 400. Das Halbleiterbauelement 400 kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1–3 beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein. Das Halbleiterbauelement 400 umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die eine (erste) Source-(Teil-)Anschlussfläche 418 aufweist (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), eine Verbindungs-Grabenelektrode, die in einem Verbindungsgraben 116 angeordnet ist, und einen lateralen Verdrahtungsabschnitt 424. Die erste Source-Teilanschlussfläche 418 ist mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden, die vertikal unter der ersten Source-Teilanschlussfläche 418 angeordnet sind. Der laterale Verdrahtungsabschnitt 424 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann mit einer weiteren (z. B. zweiten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 verbunden sein, die in einer weiteren (z. B. zweiten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 angeordnet sind, die sich in das Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements 400 erstrecken.
  • Das Halbleiterbauelement 400 umfasst eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die eine (zweite) Source-(Teil-)Anschlussfläche 420 (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), eine Verbindungs-Grabenelektrode, die in einem Verbindungsgraben 128 angeordnet ist, und einen lateralen Verdrahtungsabschnitt 422 aufweist. Der laterale Verdrahtungsabschnitt 422 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden, die in einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind. Zum Beispiel kann die zweite Source-Teilanschlussfläche 420 mit einer weiteren (zweiten) Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur des Halbleiterbauelements verbunden sein. Zumindest Abschnitte der zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten können vertikal unter der zweiten Source-Teilanschlussfläche 420 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sein, zum Beispiel.
  • Das Halbleiterbauelement 400 kann ferner Kontakte 406 zum Verbinden der zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten mit der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur aufweisen, z. B. über die zweite Source-Teilanschlussfläche 420. Das Halbleiterbauelement 400 weist ferner Kontakte 408 zum Verbinden der ersten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten mit der ersten Source-Teilanschlussfläche 418 auf.
  • Das Halbleiterbauelement 400 kann ferner einen Gate-Läufer 402 (Gate-Metall) einer Gate-Verdrahtungsstruktur aufweisen, die Gate-Elektroden, die in Gate-Gräben 150 angeordnet sind, mit einer Gate-Anschlussfläche 402a, z. B. einer Mitten-Gate-Anschlussfläche, verbinden. Der Gate-Läufer kann mit den Gate-Elektroden, die in den Gate-Gräben 150 angeordnet sind, unter Verwendung von Kontakten, z. B. Kontakt 404, verbunden sein. Kontakte können als durchgezogene Rechtecke in 4 gezeigt sein. Der Gate-Läufer 402 kann durch die Verbindungs-Graben-Elektroden getunnelt werden, die in den Verbindunggräben 116; 128 angeordnet sind, wenn unterschiedliche Abschnitte der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und/oder unterschiedliche Abschnitte der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur verbunden sind, zum Beispiel.
  • Das Halbleiterbauelement 400 kann zusätzliche Source-Teilanschlussflächen 410, 412 aufweisen, die zum Verbinden zusätzlicher Source-Dotierungsregionabschnitte verwendet werden können. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann ferner zusätzliche Metallabschnitte 414, 416 aufweisen, z. B. für eine redundante ohmsche elektrische Verbindung der Mehrzahl von Source-Feldelektroden oder zur Sondierung. Die Metall-Leiterbahn (trace) 416 und/oder der laterale Verdrahtungsabschnitt 424 können eine Erfassungs-Anschlussfläche aufweisen oder zumindest die Größe einer Erfassungs-Anschlussfläche (z. B. 275 μm × 275 μm) haben, zum Beispiel. Eine Distanz zwischen Gräben, die orthogonal angeordnet sind (z. B. zwischen Source-Feldgräben und Verbindungsgräben), kann zumindest 500 nm (oder zumindest 1 μm, zumindest 2 μm, zumindest 5 μm oder zumindest 10 μm) sein, zum Beispiel. P-Bodies (Body-Dotierungsregionabschnitte mit einer p-Dotierung) und d-Wanne können getrennt sein, z. B. unter Verwendung einer lokalen Siliziumoxidations-Region (LOCal Oxidation of Silicon; LOCOS-Region). Kontaktlöcher der Verbindungselektroden, die innerhalb der Verbindungsgräben 116; 128 angeordnet sind, können ähnlich zu Kontaktlöchern von Gate-Elektroden implementiert sein, zum Beispiel.
  • Weitere Details und Aspekte des Halbleiterbauelements 400 werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend oder nachfolgend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1 bis 3 und 5 bis 7). Das Halbleiterbauelement 400 kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • 5 zeigt eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements 500. Das Halbleiterbauelement 500 kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1-4 beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein.
  • Das Halbleiterbauelement 500 umfasst eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die eine erste Source-Teilanschlussfläche 512 (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), eine zweite Source-Teilanschlussfläche 514 (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), Verbindungs-Grabenelektroden, angeordnet in Verbindungsgräben 116, und laterale Verdrahtungsabschnitte 516; 518 aufweist. Die erste Source-Teilanschlussfläche 512 ist mit einer ersten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden, die vertikal unter der ersten Source-Teilanschlussfläche 512 angeordnet sind. Die zweite Source-Teilanschlussfläche 514 ist mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden, die vertikal unter der zweiten Source-Teilanschlussfläche 514 angeordnet sind. Die lateralen Verdrahtungsabschnitte 516; 518 der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur sind mit einer weiteren (z. B. zweiten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden 122 verbunden, die in einer weiteren (z. B. zweiten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 140 angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements 500 erstrecken. Eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen den lateralen Verdrahtungsabschnitten kann durch die zweite Mehrzahl von Source-Feldelektroden 140 bereitgestellt werden, zum Beispiel. Zum Beispiel können zumindest Teile einer ohmschen elektrischen Verbindung zwischen der ersten Source-Teilanschlussfläche und der zweiten Source-Teilanschlussfläche (und der ersten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten und der zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten) durch die zweite Mehrzahl von Source-Feldelektroden 140 bereitgestellt werden, zum Beispiel.
  • Das Halbleiterbauelement 500 umfasst eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die eine dritte Source-Teilanschlussfläche 520 (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), eine vierte Source-Teilanschlussfläche 522 (z. B. einen Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur), Verbindungs-Grabenelektroden, angeordnet in Verbindungsgräben 128, und laterale Verdrahtungsabschnitte 524, 526 aufweist. Die lateralen Verdrahtungsabschnitte 524; 526 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur sind mit einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldelektroden, die in einer (ersten) Mehrzahl von Source-Feldgräben 120 angeordnet sind, z. B. über Kontakte, z. B. über Kontakt 508, verbunden. Zum Beispiel kann die dritte Source-Teilanschlussfläche 520 ferner mit einer dritten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur des Halbleiterbauelements verbunden sein und die vierte Source-Teilanschlussfläche 522 kann ferner mit einer vierten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur verbunden sein. Zumindest Abschnitte der dritten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten können vertikal unter der dritten Source-Teilanschlussfläche 520 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sein und zumindest Abschnitte der vierten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten können vertikal unter der vierten Source-Teilanschlussfläche 524 der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angeordnet sein, zum Beispiel.
  • Das Halbleitersubstrat kann eine Zellregion (oder aktive Region) umfassen, die durch eine Randabschlussregion lateral umgeben ist. Die Zellregion kann eine Region des Halbleitersubstrats sein, die verwendet wird, um mehr als 90% eines Stroms durch das Halbleitersubstrat in einem Ein-Zustand oder leitenden Zustand der Transistoranordnung (oder des ganzen Halbleiterbauelements) zu leiten. Zum Beispiel kann die Zellregion ein Bereich sein, der alle Source-Regionen der Transistoranordnung oder aller Transistorstrukturen des Halbleiterbauelements enthält. Die Randabschlussregion kann sich zwischen einem Rand des Halbleitersubstrats und der Zellregion befinden, um eine zwischen der Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats und einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Zellregion lateral in Richtung des Randes des Halbleitersubstrats angelegte, maximale Spannung zu unterstützen oder zu blockieren oder zu reduzieren oder abzuführen.
  • Zum Beispiel kann das Halbleiterbauelement eine Randabschlussstruktur aufweisen. Die Randabschlussstruktur kann mit einer der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur verbunden sein, zum Beispiel. Die Randabschlussstruktur kann mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden sein, zum Beispiel. Zum Beispiel kann ein Abschnitt einer lateralen Verdrahtungsschicht die Verbindung zwischen der Randabschlussstruktur und einer der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten implementieren. Die Randabschlussstruktur kann lateral zwischen einem Rand des Halbleiterbauelements und der aktiven Region/Zellenregion des Halbleiterbauelements angeordnet sein. Die Randabschlussstruktur kann lateral die aktive Region/Zellenregion des Halbleiterbauelements einschließen. Die Randabschlussstruktur kann eine einer Mehrzahl von Randabschlussstrukturen einer Randabschlussregion des Halbleiterbauelements sein, zum Beispiel. Die Randabschlussstruktur kann ausgebildet sein, um lateral eine Spannung abzubauen, die zwischen der Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats und der Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Zellregion lateral in Richtung des Randes des Halbleitersubstrats angelegt ist.
  • Das Halbleiterbauelement 500 umfasst einen Hochspannungs-(HV; High Voltage)Abschlussrand 502, der eine tiefe p+-Dotierungsregion umfassen kann, zum Beispiel. Der HV-Abschlussrand 502 kann der Randabschlussstruktur entsprechen, zum Beispiel. Das Halbleiterbauelement 500 umfasst ferner einen Sperrbereich 504, der verwendet werden kann, um einen > 60 V Sperrbereich zwischen getrennten Transistorbereichen zu ermöglichen. Zum Beispiel kann der Sperrbereich 504 zumindest 10 μm (oder zumindest 20 μm, zumindest 40 μm, zumindest 50 μm, zumindest 60 μm) breit sein. Der Sperrbereich 504 kann zumindest ~60 μm breit sein, zum Beispiel. Die Breite des Sperrbereichs 504 kann von einer Dotierungskonzentration des Sperrbereichs 504 abhängen, zum Beispiel. Der Sperrbereich 504 kann eine n-Dotierungsregion aufweisen, zum Beispiel. Das Halbleiterbauelement 500 kann ferner Body-Regionen 506 aufweisen, die p-Dotierungsregionen entsprechen können, zum Beispiel. Kontakte sind als schwarze quadratische Formen in 5 gezeigt. Das Halbleiterbauelement 500 kann ferner einen Gate-Läufer 402 (Gate-Metall) einer Gate-Verdrahtungsstruktur aufweisen, die Gate-Elektroden, die in Gate-Gräben 150 angeordnet sind, mit einer Gate-Anschlussfläche 402a, z. B. einer Mitten-Gate-Anschlussfläche, verbinden. Das Halbleiterbauelement 500 kann ferner einen Metall-Läufer zum Kontaktieren von Source-Feldelektroden aufweisen, z. B. Source-Feldelektroden, die innerhalb der weiteren Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind. Die erste Source-Teilanschlussfläche 512 kann mit dem HV-Abschlussrand 502 verbunden sein. Zum Beispiel kann ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur mit einem Rand des Halbleiterbauelements verbunden sein.
  • Weitere Details und Aspekte des Halbleiterbauelements 500 werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend oder nachfolgend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1 bis 4 und 6 bis 7). Das Halbleiterbauelement 500 kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • Zum Beispiel kann ein vorgeschlagenes Halbleiterbauelement einen Graben gefüllt mit einer Feldelektrode in einer vertikalen Projektion einer Lastelektrode (einer ersten Source-Anschlussfläche) aber nicht in einem elektrischen Kontakt mit der Lastelektrode (der ersten Source-Anschlussfläche) aufweisen, außer über eine (ohmsche) elektrische Verbindung unter Verwendung eines Bonddrahts oder einer ähnlichen „Nach-Wafer-Herstellungstechnik”, zum Beispiel.
  • Ausführungsbeispiele können ferner ein Waferebenen-Testschema bereitstellen (z. B. ein Verfahren 600 aus 6), das eine Testspannung von z. B. 50 V zwischen unterschiedlichen Source-Anschlussflächen auf einem Chip anlegt und einen Leckstrom erfasst.
  • Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen können Body-Regionen (z. B. Body-Dotierungsregionabschnitte) in einer vertikalen Projektion der separaten Last-Elektroden durch Oxid-Regionen und/oder n-dotierte Regionen getrennt sein (d. h. die Body-Regionen der separaten IGBT-Lastbereiche können elektrisch innerhalb des Chips isoliert sein).
  • Bei zumindest einigen Ausführungsbeispielen könnten Feldelektroden, die in Kontakt mit den Lastelektroden des Chips sind, über submerse Bus-Leitungen (Kreuzverbindungs-Gräben oder Meander-Gräben) verbunden (z. B. ausschließlich verbunden) sein, zum Beispiel.
  • Im Fall von nur zwei Source-Teilanschlussflächen kann während Tests Oxid in den Source-Feldgräben unter Anschlussfläche 1 (z. B. der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) und Oxid in den Source-Feldgräben unter Anschlussfläche 2 (z. B. der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) gleichzeitig getestet werden, z. B. mit dem Unterschied, dass sie entgegengesetzten Spannungspolaritäten ausgesetzt werden. Zum Beispiel kann ein Teil des SOX einen IGES-(Current Gate-Emitter Short, Gate-Emitter-Strom-Kurzschluss)-Test erfahren; der andere Teil kann einen IEGS-(Current Emitter-Gate Short; Emitter-Gate-Strom-Kurzschluss)-Test erfahren. Um hohe Ladungsströme zu vermeiden können Tests bei reduzierter Potentialdifferenz durchgeführt werden, zum Beispiel, d. h. 40 V anstatt 55 V.
  • Ausführungsbeispiele können Halbleiterbauelemente bereitstellen, die einen expliziten Test der Leitfähigkeit der Kreuzverbindungsgräben erlauben können, zum Beispiel.
  • Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Silizium-Mesa (z. B. ein Source-Dotierungsregionabschnitt der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten) und der benachbarte Graben (z. B. eine Source-Feldelektrode der Mehrzahl von Source-Feldelektroden) auf ein unterschiedliches Potential gebracht werden, um Oxid-Defekte (z. B. durch Verwenden vergrabener Gräben, die mit Polysilizium gefüllt sind und unter dem Gate-Läufer laufen) zu detektieren. Später, während des Bondens, kann diese Potentialdifferenz beseitigt werden. Dies kann das Prüfen von Source-Feld-Graben-Oxiden im Hinblick auf Defekte ermöglichen.
  • 6 stellt ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens 600 zum Testen eines Halbleiterbauelements dar. Das Verfahren 600 umfasst das Anlegen 610 einer Testspannung zwischen einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur verbunden ist, und einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken. Die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ist elektrisch von der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur innerhalb der Verdrahtungsschicht isoliert. Das Verfahren umfasst ferner das Messen 620 eines Leckstroms zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, der durch die angelegte Testspannung verursacht wird.
  • Ein Testen des Halbleiterbauelements bevor eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur addiert wird kann ein Testen einer Isolation (z. B. eines Oxids) der Mehrzahl von Source-Feldelektroden gegen das Halbleitersubstrat im Backend ermöglichen.
  • Zum Beispiel, ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur können in einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet sein, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur können jeweils eine laterale Größe aufweisen, die ausreichend für einen Kontakt für eine temporäre Testmessung ist.
  • Das Halbleiterbauelement kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1 bis 5 beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein. Die Testspannung kann größer sein als 5 V (größer als 10 V, größer als 20 V, größer als 30 V, größer als 50 V oder größer als 60 V, zum Beispiel). Ein Potential, das an eine Verdrahtungsstruktur angelegt ist, die mit einer Drainregion der Transistorstruktur verbunden ist, kann auf dem Potential der Mehrzahl von Source-Feldelektroden sein, zum Beispiel. Zum Beispiel kann die Testspannung zwei entgegengesetzte Potentiale aufweisen. Zum Beispiel kann ein erstes Potential an die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angelegt sein und ein zweites Potential, das einem negativen ersten Potential entsprechen kann, kann an die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur angelegt sein. Zum Beispiel können das erste und zweite Potential niedriger sein als ein Potential, das angelegt ist, wenn kein negatives Gegenpotential angelegt ist. Zum Beispiel kann das Halbleiterbauelement während des Testens vollständig funktionsfähig sein.
  • Ferner kann ein einfacher Test implementiert werden, um zu prüfen, ob die Kreuzverbindungsgräben leitfähig sind. Dies kann z. B. durch eine einfache kapazitive Messung ausgeführt werden, die die Kapazität zwischen der ersten Anschlussfläche und der zweiten Anschlussfläche misst. In dem Fall eines Ausfalls der Kreuzverbindungsgräben kann die Kapazität reduziert werden, da möglicherweise keine vergrabenen Gräben mit der zweiten Anschlussfläche verbunden sind.
  • Zum Beispiel kann das Verfahren 600 ferner das Messen 630 einer Kapazität zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (z. B. dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder einer Anschlussflächenstruktur der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (z. B. dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur oder einer Anschlussflächenstruktur der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) aufweisen. Das Messen der Kapazität kann das Detektieren von Ausfällen bei der Verbindung (z. B. Kreuzverbindungsgräben) zwischen dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Mehrzahl von Source-Feldelektroden ermöglichen, zum Beispiel.
  • Weitere Details und Aspekte des Verfahrens 600 werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend oder nachfolgend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1 bis 5, 7). Das Verfahren 600 kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • 7 stellt ein Flussdiagramm eines Verfahrens 700 zum Bilden eines Halbleiterbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel dar. Das Halbleiterbauelement kann ähnlich zu einem der in Verbindung mit 1 bis 6 beschriebenen Halbleiterbauelemente implementiert sein. Das Verfahren umfasst ein Bilden 710 einer Mehrzahl von Source-Feldgräben, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken. Das Verfahren 700 umfasst ferner das Bilden 720 einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden, die in der Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden 730 einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden 740 einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden ist, und einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit der Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist. Ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur sind in einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur weisen jeweils eine laterale Größe auf, die ausreichend für einen Kontakt für eine temporäre Testmessung ist. Die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, ist näher an dem Halbleitersubstrat angeordnet als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur. Zum Beispiel ist die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur elektrisch von der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur innerhalb der Verdrahtungsschicht isoliert.
  • Das Bilden 730 der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten kann vor oder nach dem Bilden 710 der Mehrzahl von Source-Feldgräben und dem Bilden 720 der Mehrzahl von Source-Feldelektroden ausgeführt werden, zum Beispiel.
  • Das Bilden der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur kann ein Testen einer Isolation (z. B. eines Oxids) der Mehrzahl von Source-Feldgräben gegen die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten in dem Backend ermöglichen, was eine Zeit reduzieren kann, die zum Herstellen in dem Frontend erforderlich ist.
  • Zum Beispiel kann das Verfahren 700 ferner das Testen 750 des Halbleiterbauelements durch Anlegen einer Testspannung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und Messen eines Leckstroms zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, verursacht durch die Testspannung, aufweisen. Das Testen 750 kann Elemente des Verfahrens aufweisen, das in Verbindung mit 6 beschrieben ist, zum Beispiel. Das Testen des Source-Feldgrabenoxids vor dem Bilden der ohmschen elektrischen Verbindung zwischen der ersten und zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur ermöglicht eine Verwendung von gemeinsamen Body-Source-Kontakten, während die Testbarkeit des Bauelements in dem Backend beibehalten wird.
  • Zum Beispiel kann das Verfahren 700 ferner das Bilden 760 einer ohmschen elektrischen Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur nach dem Messen des Leckstroms aufweisen.
  • Weitere Details und Aspekte des Verfahrens 700 werden in Verbindung mit dem vorgeschlagenen Konzept oder einem oder mehreren der vorangehend oder nachfolgend beschriebenen Beispiele erwähnt (zum Beispiel 1 bis 6). Das Verfahren 700 kann ein oder mehrere zusätzliche optionale Merkmale aufweisen, die einem oder mehreren Aspekten des vorgeschlagenen Konzepts oder einem oder mehreren vor- oder nachstehend beschriebenen Beispielen entsprechen.
  • Für Strom-Streifenzellen-IGBT-Entwürfe (z. B. Mikrostrukturgraben; Micro Pattern Trench (MPT)) können viele Varianten alternierende Zahlen von Gräben auf Gate- und Source-Potential aufweisen. In diesem Kontext kann es zum Steuern der Defektdichte notwendig sein, das Gateoxid im Hinblick auf Defekte zu testen, durch Anlegen eines Potentials zwischen dem Gate-Graben und der Silizium-Mesa. Dies kann z. B. kosteneffizient im Backend ausgeführt werden. Aus denselben Gründen können auch die Source-Feldgraben-Oxide getestet werden. Ein Test im Backend ist jedoch möglicherweise für andere Chiptechniken nicht durchführbar, da das Mesa-Potential und das Graben-Potential möglicherweise beide auf Source-Potential sind, zum Beispiel.
  • Bei anderen Entwürfen könnte dies adressiert werden durch Einführen eines speziellen Source-Oxid-(SOX)Inline-Tests, wo ein Potential zwischen den geätzten Gräben – nach Oxidwachstum und Polyabscheidung, aber bevor die Gräben geschlossen werden – und dem Siliziumbereich angelegt ist. Dieser Inline-Test kann hohe relative Kosten verursachen, insbesondere für kostengünstigere Entwürfe.
  • Ausführungsbeispiele können einen neuen, kosteneffizienteren SOX-Test unter Verwendung einer vorgeschlagenen Layout-Struktur bereitstellen, die erlauben kann, dass der SOX-Test bei reduzierten Kosten im Backend ausgeführt wird. Ausführungsbeispiele können mit Entwürfen verwendet werden, die eine Mitten-Gate-Anschlussfläche aufweisen, können aber auch auf alle anderen Arten von Gate-Anschlussflächen-Positionen angewendet werden. Zumindest einige Ausführungsbeispiele können auf dem Teilen der Source-Teilanschlussfläche in mehrere Teil-Anschlussflächen basieren, die elektrisch isoliert sein können, und vergrabene Gräben verwenden, z. B. gefüllt mit hoch dotiertem Polysilizium, um Potentiale von einer Anschlussfläche zu den Gräben zu transportieren, die unter der anderen Anschlussfläche verlaufen. Eine Potentialdifferenz z. B. zwischen einer ersten Teilanschlussfläche (z. B. von einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) und einer zweiten Teilanschlussfläche (z. B. von einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur) kann angelegt werden, und Defekte in Source-Feldgräben unter der ersten Anschlussfläche können detektiert werden. Diese Prozedur kann auch für die anderen Anschlussflächen wiederholt werden. Bei einigen Ausführungsbeispielen sind möglicherweise keine zusätzlichen Anschlussflächen erforderlich (im Vergleich zu anderen Methoden zum SOX-Backend-Testen), sodass der Verlust des aktiven Bereichs reduziert werden kann (< 1% oder sogar unter 1% z. B. für 75 A-Chips). Die getrennten Teilanschlussflächen können später verbunden werden, z. B. während des Bondens im Backend (z. B. ein Teil der Herstellung, bei der Metallschichten und Zwischenverbindungen gebildet werden und ein Backend-Testen bereitgestellt wird), wobei an die entsprechenden Gräben Source-Potential angelegt wird, sodass diese Trennung das Bauelementverhalten möglicherweise nicht beeinflusst. Ausführungsbeispiele können mit einer beliebigen Anzahl von Source-Teilanschlussflächen > 1 verwendet werden, zum Beispiel.
  • Ausführungsbeispiele können weiterhin ein Computerprogramm mit einem Programmcode zum Durchführen eines der obigen Verfahren bereitstellen, wenn das Computerprogramm auf einem Computer oder Prozessor ausgeführt wird. Ein Fachmann würde leicht erkennen, dass Schritte verschiedener oben beschriebener Verfahren durch programmierte Computer durchgeführt werden können. Hierbei sollen einige Ausführungsbeispiele auch Programmspeichervorrichtungen, z. B. Digitaldatenspeichermedien, abdecken, die maschinen- oder computerlesbar sind und maschinenausführbare oder computerausführbare Programme von Anweisungen codieren, wobei die Anweisungen einige oder alle der Schritte der oben beschriebenen Verfahren durchführen. Die Programmspeichervorrichtungen können z. B. Digitalspeicher, magnetische Speichermedien wie beispielsweise Magnetplatten und Magnetbänder, Festplattenlaufwerke oder optisch lesbare Digitaldatenspeichermedien sein. Auch sollen weitere Ausführungsbeispiele Computer programmiert zum Durchführen der Schritte der oben beschriebenen Verfahren oder (feld-)programmierbare Logik-Arrays ((F)PLA = (Field) Programmable Logic Arrays) oder (feld-)programmierbare Gate-Arrays ((F)PGA = (Field) Programmable Gate Arrays) programmiert zum Durchführen der Schritte der oben beschriebenen Verfahren abdecken.
  • Die Beschreibung und Zeichnungen stellen nur die Grundsätze der Offenbarung dar. Es versteht sich daher, dass der Fachmann verschiedene Anordnungen ableiten kann, die, obwohl sie nicht ausdrücklich hier beschrieben oder gezeigt sind, die Grundsätze der Offenbarung verkörpern und in ihrem Sinn und Rahmen enthalten sind. Weiterhin sollen alle hier aufgeführten Beispiele ausdrücklich nur Lehrzwecken dienen, um den Leser beim Verständnis der Grundsätze der Offenbarung und der durch den (die) Erfinder beigetragenen Konzepte zur Weiterentwicklung der Technik zu unterstützen, und sollen als ohne Begrenzung solcher besonders aufgeführten Beispiele und Bedingungen dienend aufgefasst werden. Weiterhin sollen alle hiesigen Aussagen über Grundsätze, Aspekte und Ausführungsbeispiele der Offenbarung wie auch bestimmte Beispiele derselben deren Entsprechungen umfassen.
  • Der Fachmann sollte verstehen, dass alle hiesigen Blockschaltbilder konzeptmäßige Ansichten beispielhafter Schaltungen darstellen, die die Grundsätze der Offenbarung verkörpern. Auf ähnliche Weise versteht es sich, dass alle Ablaufdiagramme, Flussdiagramme, Zustandsübergangsdiagramme, Pseudocode und dergleichen verschiedene Prozesse darstellen, die im Wesentlichen in computerlesbarem Medium dargestellt und so durch einen Computer oder Prozessor ausgeführt werden können, ungeachtet dessen, ob ein solcher Computer oder Prozessor ausdrücklich dargestellt ist.
  • Weiterhin sind die nachfolgenden Ansprüche hiermit in die detaillierte Beschreibung aufgenommen, wo jeder Anspruch als getrenntes Ausführungsbeispiel für sich stehen kann. Wenn jeder Anspruch als getrenntes Beispiel für sich stehen kann, ist zu beachten, dass – obwohl ein abhängiger Anspruch sich in den Ansprüchen auf eine bestimmte Kombination mit einem oder mehreren anderen Ansprüchen beziehen kann – andere Ausführungsbeispiele auch eine Kombination des abhängigen Anspruchs mit dem Gegenstand jedes anderen abhängigen oder unabhängigen Anspruchs einschließen können. Diese Kombinationen werden hier vorgeschlagen, sofern nicht angegeben ist, dass eine bestimmte Kombination nicht beabsichtigt ist. Weiterhin sollen auch Merkmale eines Anspruchs für jeden anderen unabhängigen Anspruch eingeschlossen sein, selbst wenn dieser Anspruch nicht direkt abhängig von dem unabhängigen Anspruch gemacht ist.
  • Es ist weiterhin zu beachten, dass in der Beschreibung oder in den Ansprüchen offenbarte Verfahren durch eine Vorrichtung mit Mitteln zum Durchführen jedes der jeweiligen Schritte dieser Verfahren implementiert sein können.
  • Weiterhin versteht es sich, dass die Offenbarung von mehreren, in der Beschreibung oder den Ansprüchen offenbarten Schritten oder Funktionen nicht als in der bestimmten Reihenfolge befindlich ausgelegt werden sollte. Durch die Offenbarung von mehreren Schritten oder Funktionen werden diese daher nicht auf eine bestimmte Reihenfolge begrenzt, es sei denn, dass diese Schritte oder Funktionen aus technischen Gründen nicht austauschbar sind. Weiterhin kann bei einigen Ausführungsbeispielen ein einzelner Schritt mehrere Teilschritte einschließen oder in diese unterteilt werden. Solche Teilschritte können eingeschlossen sein und Teil der Offenbarung dieses Einzelschritts sein, sofern sie nicht ausdrücklich ausgeschlossen sind.

Claims (20)

  1. Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500), umfassend: eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112), die mit einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregion-Abschnitten (110) einer Transistorstruktur verbunden ist; und eine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124), die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden (122) verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben (120) angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat (102) des Halbleiterbauelements erstrecken, wobei ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) an einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet sind, der auf dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) jeweils eine laterale Größe aufweisen, die ausreichend für einen Kontakt für zumindest eine temporäre Testmessung ist, wobei die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, näher an dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124).
  2. Das Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1, wobei zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Feldgräben (120) vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) angeordnet sind.
  3. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten (110) vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) angeordnet sind.
  4. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldelektroden (142) verbunden ist, die in einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben (140) angeordnet sind, die sich in das Halbleitersubstrat (102) des Halbleiterbauelements erstrecken.
  5. Das Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 4, wobei zumindest Abschnitte der zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben (140) vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) angeordnet sind.
  6. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) ferner mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten der Transistorstruktur verbunden ist.
  7. Das Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 6, wobei zumindest Abschnitte der zweiten Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) angeordnet sind.
  8. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Teil der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124), der zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden (122) und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) angeordnet ist, durch eine Verbindungs-Grabenelektrode implementiert ist, die in einem Verbindungsgraben (116) angeordnet ist, der sich in das Halbleitersubstrat (102) erstreckt.
  9. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) jeweils eine laterale Größe größer als 5 μm mal 5 μm aufweisen.
  10. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Schichtstapel eine weitere Metallschicht aufweist, die in einer größeren Distanz zu dem Halbleitersubstrat angeordnet ist als die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, wobei eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) durch die weitere Metallschicht bereitgestellt wird.
  11. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) eine erste Source-Anschlussflächenstruktur aufweist und die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) eine zweite Source-Anschlussflächenstruktur aufweist, zum Bonden eines Drahtes oder Anbringen einer Lötstruktur, wobei die erste Source-Anschlussflächenstruktur und die zweite Source-Anschlussflächenstruktur näher an dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet sind als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124).
  12. Das Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 11, wobei ein erster Bonddraht zwischen der ersten Source-Anschlussflächenstruktur und einer Gehäusestruktur angeordnet ist und ein zweiter Bonddraht zwischen der zweiten Source-Anschlussflächenstruktur und der Gehäusestruktur angeordnet ist, wobei eine ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) durch den ersten Bonddraht, den zweiten Bonddraht und die Gehäusestruktur bereitgestellt wird.
  13. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend eine Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten (160) einer Body-Region der Transistorstruktur, wobei die Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten (160) mit der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) verbunden ist, wobei die Mehrzahl von Body-Dotierungsregionabschnitten (160) benachbart zu den Source-Feldgräben der Mehrzahl von Source-Feldgräben (120) angeordnet ist.
  14. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend eine Mehrzahl von Gate-Gräben (150), die sich in das Halbleitersubstrat (102) erstrecken, wobei die Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten (110) benachbart zu der Mehrzahl von Gate-Gräben (150) angeordnet ist.
  15. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) ohmisch elektrisch mit der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) außerhalb einer Region verbunden ist, die zwischen einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) und der Verdrahtungsschicht angeordnet ist, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist.
  16. Das Halbleiterbauelement gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) einen lateralen Verdrahtungsabschnitt zwischen der Mehrzahl von Source-Feldelektroden (122) und dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) aufweist.
  17. Ein Verfahren (600) zum Testen eines Halbleiterbauelements, umfassend: Anlegen (610) einer Testspannung zwischen einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur verbunden ist, und einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken, wobei die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur elektrisch von der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur innerhalb der Verdrahtungsschicht isoliert ist; und Messen (620) eines Leckstroms zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, der durch die angelegte Testspannung verursacht wird.
  18. Ein Verfahren (700) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend: Bilden (710) einer Mehrzahl von Source-Feldgräben, die sich in ein Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements erstrecken; Bilden (720) einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden, die in der Mehrzahl von Source-Feldgräben angeordnet sind; Bilden (730) einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten einer Transistorstruktur; und Bilden (740) einer ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten verbunden ist, und Bilden einer zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, die mit der Mehrzahl von Source-Feldelektroden verbunden ist, wobei ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur in einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet sind, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur jeweils eine laterale Größe aufweisen, die ausreichend für einen Kontakt für eine temporäre Testmessung ist, wobei die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, näher an dem Halbleitersubstrat angeordnet ist als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur.
  19. Das Verfahren gemäß Anspruch 18, ferner umfassend das Testen (750) des Halbleiterbauelements durch Anlegen einer Testspannung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und das Messen eines Leckstroms zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur, verursacht durch die Testspannung.
  20. Das Verfahren gemäß Anspruch 19, ferner umfassend das Bilden (760) einer ohmschen elektrischen Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur nach dem Messen des Leckstroms.
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