DE102015220499A1 - Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage - Google Patents

Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage Download PDF

Info

Publication number
DE102015220499A1
DE102015220499A1 DE102015220499.5A DE102015220499A DE102015220499A1 DE 102015220499 A1 DE102015220499 A1 DE 102015220499A1 DE 102015220499 A DE102015220499 A DE 102015220499A DE 102015220499 A1 DE102015220499 A1 DE 102015220499A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature
optical element
projection exposure
exposure apparatus
temperature profile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102015220499.5A
Other languages
English (en)
Inventor
André Goetz
Thomas Schicketanz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102015220499.5A priority Critical patent/DE102015220499A1/de
Publication of DE102015220499A1 publication Critical patent/DE102015220499A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) und ein Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einer Lichtquelle (2), einer Beleuchtungseinheit (3), die mindestens ein optisches Element zur Beleuchtung eines Retikels (4) aufweist, und mit einem Projektionsobjektiv (5) mit mindestens einem optischen Element (7), durch das das Retikel (4) in einer Objektebene in eine Bildebene abgebildet wird, wobei die Beleuchtungseinheit (3) das Retikel (4) in verschiedenen Beleuchtungseinstellungen beleuchten kann, und wobei die Projektionsbelichtungsanlage (1) mindestens eine Temperiereinrichtung (8, 16) zur Temperierung mindestens eines temperierbaren, optischen Elements (7) sowie eine Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung (17) mit einem Speicher (18) aufweist, wobei die Temperiereinrichtung (8, 16) so ausgebildet ist, dass das mindestens eine temperierbare, optische Element (7) lokal so temperiert werden kann, dass die Temperiereinrichtung (8, 16) über dem temperierbaren, optischen Element (7) ein Temperaturprofil (12) erzeugen kann, welches so gewählt ist, dass das Temperaturprofil (12) für alle verschiedenen Beleuchtungseinstellungen der Beleuchtungseinheit (3) und/oder einer Abbildungseinstellung des Projektionsobjektivs (5) gleich ist, wobei das Temperaturprofil (12) in dem Speicher (18) der Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung (17) gespeichert ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie ein Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage.
  • STAND DER TECHNIK
  • Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie werden zur Herstellung von mikrostrukturierten oder nanostrukturierten Bauteilen der Mikroelektronik oder Mikrosystemtechnik eingesetzt. Um Bauteile mit extrem klein dimensionierten Strukturen im Nanometer- und Mikrometerbereich exakt herstellen zu können, muss eine entsprechende Projektionsbelichtungsanlage Strukturen, die auf einem Retikel enthalten sind, in exakter Weise auf ein Substrat, wie einen Wafer, abbilden können.
  • Allerdings kommt es bei der Abbildung in Projektionsbelichtungsanlagen durch die Strahlungsbelastung der optischen Elemente der Projektionsbelichtungsanlage mit dem Arbeitslicht der Projektionsbelichtungsanlage, mit dem die Abbildung erfolgt, zu einer üblicherweise ungleichmäßigen Erwärmung der optischen Elemente, wobei durch die Erwärmung Abbildungsfehler entstehen können.
  • Entsprechend sind bereits Vorrichtungen und Verfahren zur Verbesserung des Abbildungsverhaltens von Projektionsbelichtungsanlagen vorgeschlagen worden, die den Temperatureinfluss, der durch das Arbeitslicht der Projektionsbelichtungsanlage selbst erzeugt wird, kompensiert. Ein Beispiel ist in der WO 2009/053001 A1 beschrieben, bei welchem eine entsprechende Projektionsbelichtungsanlage so ausgebildet ist, dass sie im kalten Zustand, also beispielsweise bei unmittelbarem Beginn der Nutzung der Projektionsbelichtungsanlage, einen ersten Abbildungsfehler aufweist, der so gestaltet ist, dass er zumindest einen zweiten, nach der Erwärmung der optischen Elemente beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage verursachten Abbildungsfehler zumindest teilweise kompensiert. Mit anderen Worten, in der Projektionsbelichtungsanlage ist bereits der durch die Erwärmung der optischen Elemente entstehende Abbildungsfehler berücksichtigt und kompensiert.
  • Allerdings wird dadurch der Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage eingeschränkt, da durch veränderte Beleuchtungseinstellungen und/oder Abbildung unterschiedlicher Retikel die Temperaturbelastung der optischen Elemente und der daraus entstehende Abbildungsfehler variieren können.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • AUFGABE DER ERFINDUNG
  • Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, welche es ermöglichen, Abbildungsfehler durch Temperatureinflüsse des Arbeitslichts der Projektionsbelichtungsanlage, also des Lichts bzw. der elektromagnetischen Strahlung der Projektionsbelichtungsanlage, die für die Abbildung des Retikels in der Projektionsbelichtungsanlage verwendet wird, für verschiedene Beleuchtungseinstellungen und/oder Abbildung unterschiedlichster Retikel zu kompensieren. Eine derartige Projektionsbelichtungsanlage soll gleichwohl eine hohe Leistung, d. h. eine hochauflösende exakte Abbildung kleinster Strukturen ermöglichen, wobei die Korrektur temperaturbedingter Abbildungsfehler mit möglichst geringem Aufwand erfolgen soll.
  • TECHNISCHE LÖSUNG
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie eine Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 11. Weiter vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die vorliegende Erfindung schlägt vor, bei einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mindestens ein temperierbares, insbesondere beheizbares optisches Element vorzusehen, bei welchem ein Temperaturprofil mit einer Temperiereinrichtung, also einer Heiz- und/oder Kühleinrichtung erzeugt werden kann, welches so gewählt wird, dass das Temperaturprofil für verschiedene, insbesondere alle möglichen oder geplanten Beleuchtungseinstellungen und/oder verschiedene Retikel gleich eingestellt werden kann. Damit ist ein zeitlich konstantes Temperaturprofil bei dem entsprechenden temperierbaren optischen Element erzeugbar, welches identisch für verschiedene Beleuchtungseinstellungen und/oder die Verwendung verschiedener Retikel ist. Damit entfällt die Veränderung der Abbildungsbedingungen durch eine veränderte Temperaturbelastung bei einer Änderung der Beleuchtungseinstellungen bzw. der Abbildung eines anderen Retikels.
  • Das gleiche Temperaturprofil über einem temperierbaren optischen Element kann dadurch eingestellt werden, dass bei veränderten Beleuchtungseinstellungen und/oder veränderten Abbildungsbedingungen bzw. unterschiedlichen Retikeln die unterschiedlichen Temperaturbelastungen des temperierbaren optischen Elements und die daraus resultierenden, unterschiedlichen Temperaturverteilungen über dem optischen Element durch örtlich angepasste Temperierung in der Weise ausgeglichen wird, dass örtlich verteilt das temperierbare optische Element gekühlt und/oder beheizt wird, um das gewünschte Temperaturprofil über dem temperierbaren optischen Element einzustellen. Entsprechend weist eine Projektionsbelichtungsanlage mindestens eine Kühl- und/oder Heizeinrichtung für mindestens ein temperierbares optisches Element, wie beispielsweise einen Spiegel oder eine optische Linse, auf.
  • Das gleiche Temperaturprofil bei unterschiedlichen Abbildungsbedingungen und/oder Beleuchtungseinstellungen und/oder verschiedenen Retikeln kann insbesondere dann eingestellt werden, wenn das Temperaturprofil so ausgewählt wird, dass die dem Temperaturprofil zugrundeliegende, vom optischen Element absorbierte Intensitätsverteilung über dem temperierbaren, optischen Element an jedem Ort des temperierbaren, optischen Elements eine vom optischen Element absorbierte Intensität aufweist, die gleich oder höher als die maximale vom optischen Element absorbierte Intensität unter den verschiedenen Abbildungsbedingungen und/oder bei verschiedenen Beleuchtungseinstellungen und/oder bei verschiedenen Retikeln an eben jenem Ort ist. Wenn das Temperaturprofil so gewählt wird, dass die der Temperatur zugrundeliegende, vom optischen Element absorbierte Intensität an jedem Ort des temperierbaren, optischen Elements gleich der maximalen, der Temperatur zugrundeliegenden, vom optischen Element absorbierten Intensität oder höher ist, kann ohne Kühleinrichtung ausschließlich mittels einer entsprechenden Heizeinrichtung der fehlende Temperaturbeitrag an einem bestimmten Ort des optischen Elements bei einer gegebenen Beleuchtungseinstellung, die an dem bestimmten Ort des temperierbaren, optischen Elements lediglich eine geringere Temperatur erzeugt, durch zusätzliches Heizen erzeugt werden. Weist die Projektionsbeleuchtungsanlage eine Kühleinrichtung auf, so muss das Temperaturprofil jedoch nicht zwingend so gewählt sein, dass deren zugrundeliegende, vom temperierbaren, optischen Element absorbierte Intensitätsverteilung an jedem Ort größer oder mindestens gleich der maximal möglichen, vom temperierbaren, optischen Element absorbierten Intensitätsverteilung bei verschiedenen Beleuchtungseinstellungen und/oder verschiedenen Retikeln ist. Vielmehr reicht es bei Vorhandensein einer Kühleinrichtung aus, dass das Temperaturprofil über dem temperierbaren, optischen Element mittels Heizeinrichtung und/oder Kühleinrichtung bei den verschiedenen Beleuchtungseinstellungen und/oder verschiedenen Retikeln jeweils eingestellt werden kann.
  • Das Temperaturprofil kann beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage zusätzlich durch entsprechende Anpassung der Temperierung, also des Heizens und/oder Kühlens bei einer einzigen Beleuchtungseinstellung und/oder bei der Abbildung des gleichen Retikels unter unveränderten Abbildungsbedingungen zeitlich konstant gehalten werden, wobei entsprechende Sensoren vorgesehen sein können, um die Temperatur zu erfassen und an eine Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung zu übermitteln, mit deren Hilfe durch Veränderung der Heiz- und/oder Kühlleistung die Temperatur konstant gehalten werden kann.
  • Da die Temperatur entsprechend dem einzustellenden Temperaturprofil örtlich unterschiedlich sein kann, kann die mindestens eine Heiz- und/oder Kühleinrichtung so ausgestaltet sein oder es können mehrere Heiz- und/oder Kühleinrichtungen so aufeinander abgestimmt sein, dass sie örtlich diskret entsprechende Heiz- und/oder Kühlleistungen zur Verfügung stellen können. Insbesondere können die Heiz- und/oder Kühleinrichtung eine Vielzahl von Bereichen eines temperierbaren, optischen Elements getrennt voneinander temperieren.
  • Ein für verschiedene Beleuchtungseinstellungen und/oder Retikel bzw. Abbildungseinstellungen identisches Temperaturprofil kann individuell für jedes von mehreren, temperierbaren, optischen Elementen ermittelt und eingestellt werden.
  • Aufgrund des für mehrere Beleuchtungs- und/oder Abbildungseinstellungen bzw. Retikel gleiche Temperaturprofil, welches insbesondere während des Betriebs zeitlich konstant gehalten werden kann, kann der somit auch gleich bleibende Abbildungsfehler, der durch die Temperaturbelastung des oder der optischen Elemente entsteht, auch gleichbleibend kompensiert werden. Die Kompensation des Abbildungsfehlers kann an jedem, insbesondere jedem temperierbaren, optischen Element direkt selbst erfolgen oder an einem optischen Element für den gesamten Abbildungsfehler der Anlage oder mehrerer optischer Elemente oder durch eine separate Kompensationseinrichtung, wie beispielsweise ein zusätzliches optisches Kompensationselement, erfolgen.
  • Da das der Temperatur zugrundeliegende, vom optischen Element absorbierte Intensitätsprofil durch die Temperiereinrichtung beliebig einstellbar ist, kann auch ein entsprechendes Intensitätsprofil gewählt werden, welches besonders einfach kompensierbar ist, oder bei dem der Abbildungsfehler bzw. die Wellenfrontaberration, die durch dieses Temperaturprofil erzeugt wird, auf einfache Weise durch eine Kompensationseinrichtung oder Abwandlung des oder der optischen Elemente kompensiert werden kann.
  • Eine derartige Projektionsbelichtungsanlage kann vorteilhaft dann betrieben werden, wenn die Projektionsbelichtungsanlage vortemperiert ist, also ein konstanter Temperaturzustand durch die Aufheizung mit Arbeitslicht und die angepasste, zusätzliche Temperierung durch eine Temperiereinrichtung erreicht ist.
  • Für die Ermittlung der Kompensation kann der temperaturbedingte Abbildungsfehler bzw. die Wellenfrontaberration, die durch die Einstellung des oder der Temperaturprofile erzeugt wird, durch Simulation und/oder Messung ermittelt werden.
  • Eine Beheizung eines temperierbaren, optischen Elements kann durch Strahlungsheizung erfolgen, sodass anstelle eines zeitlich konstanten Temperaturprofils auch entsprechend ein zeitlich konstantes Profil der absorbierten Strahlungsintensität eingestellt werden kann, wobei das Profil der absorbierten Strahlungsintensität wiederum so gewählt ist, dass es über dem temperierbaren, optischen Element an jedem Ort des temperierbaren, optischen Elements eine vom optischen Element absorbierte Intensität aufweist, die gleich oder höher als die maximale absorbierte Intensität der Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage unter den verschiedenen Abbildungsbedingungen und/oder bei verschiedenen Beleuchtungseinstellungen und/oder bei verschiedenen Retikeln an eben jenem Ort ist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in
  • 1 eine Darstellung einer Projektionsbelichtungsanlage gemäß der Erfindung,
  • 2 in den Teilbildern a) und b) eine Draufsicht auf ein optisches Element (Teilbild a)) sowie einen Temperaturverlauf über das optische Element aus Teilbild a) entlang der dort gezeigten Linie und in
  • 3 einen Querschnitt durch das optische Element aus der 2a) mit der Darstellung der Anpassung einer optisch wirksamen Fläche zur Kompensation des eingestellten Temperaturprofils.
  • AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der Ausführungsbeispiele deutlich, wobei die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist.
  • Die 1 zeigt in einer rein schematischen Darstellung eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie, mit der mikrostrukturierte oder nanostrukturierte Bauteile der Elektrotechnik oder Mikrostruktursystemtechnik hergestellt werden können.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Lichtquelle 2 und eine Beleuchtungseinheit 3, mit der ein Retikel 4 mit dem Licht der Lichtquelle 2 beleuchtet wird. Unter Licht ist hierbei jede elektromagnetische Strahlung zu verstehen, die für die Abbildung des Retikels 4 genutzt werden kann.
  • Das Retikel 4 wird durch das Projektionsobjektiv 5 auf einen Wafer 6 abgebildet, auf dem durch mikrolithographische Prozesse eine dem Retikel 4 entsprechende Struktur gebildet werden kann.
  • Das Projektionsobjektiv 5 umfasst mehrere optische Elemente 7, von denen in der 1 lediglich ein optisches Element 7 dargestellt ist, welches zugleich ein beheizbares optisches Element ist. Hierzu ist eine Heizeinrichtung 8 mit mehreren Heizstrahlern 8a und 8b vorgesehen, die beispielsweise durch Infrarotstrahler gebildet sein können. Zusätzlich kann eine Kühleinrichtung 16 am optischen Element 7 vorgesehen werden, um das optische Element 7 nicht nur heizen, sondern auch kühlen zu können. Eine Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung 17 ist zur Steuerung und/oder Regelung der Kühl- und/oder Heizeinrichtung 8, 16 vorgesehen.
  • Darüber hinaus ist in dem Projektionsobjektiv 5 der Projektionsbelichtungsanlage 1 der 1 schematisch eine Kompensationseinrichtung 9 dargestellt, die im Strahlengang des Projektionsobjektivs 5 angeordnet werden kann, um eine Wellenfrontaberration durch die Beheizung des beheizbaren optischen Elements 7 zu kompensieren. Statt einer entsprechenden Kompensationseinrichtung 9, die beispielsweise durch ein zusätzliches optisches Element gebildet sein kann, kann die Kompensation eines Abbildungsfehlers, der durch die Einstellung eines Temperaturprofils an einem oder mehreren optischen Elementen 7 erzeugt wird, auch durch eine entsprechende Gestaltung insbesondere einer optisch wirksamen Fläche eines oder mehrerer optischer Elemente des Projektionsobjektivs 5, die im Projektionsobjektiv 5 sowieso vorgesehen sind, bewirkt werden.
  • Die 2 zeigt in den Teilbildern a) und b) wie die erfindungsgemäße Einstellung eines zeitlich konstanten Temperaturprofils für unterschiedliche Beleuchtungseinstellungen und/oder verschiedene Retikel 4 erfolgen kann.
  • Die 2a) zeigt eine Draufsicht auf das optische Element 7, beispielsweise in Form einer optischen Linse, sowie eine Linie 13 die sich über das beheizbare optische Element 7 erstreckt. Die 2b) zeigt Temperaturverläufe 10, 11, 12 entlang der Linie 13 in verschiedenen Situationen.
  • Der Temperaturverlauf 10 zeigt beispielsweise den Verlauf der Temperatur entlang der Linie 13 bei einer bestimmten Beleuchtungseinstellung, die mit der Beleuchtungseinheit 3 für die Beleuchtung des Retikels 4 eingestellt werden kann. Durch die Strahlungsbelastung mit der Lichtquelle 2 stellt sich der Temperaturverlauf 10 entlang der Linie 13 in dem optischen Element 7 ein.
  • Wird die Beleuchtungseinstellung der Beleuchtungseinheit 3 und/oder das Retikel 4 bzw. eine andere Abbildungseinstellung geändert, so kann sich ein unterschiedlicher Temperaturverlauf entlang der Linie 13 über dem optischen Element 7 ergeben, wie er beispielsweise im Temperaturverlauf 11 dargestellt ist. Dadurch würden sich bei einem Wechsel der Beleuchtungseinstellungen und/oder des Retikels unterschiedliche Temperaturverteilungen über dem optischen Element 7 mit entsprechend unterschiedlichen Abbildungseigenschaften ergeben. Um dies zu vermeiden, wird gemäß der Erfindung ein Temperaturprofil 12 über dem optischen Element 7 eingestellt, welches durch die Heizeinrichtung 8 realisiert werden kann.
  • Das Temperaturprofil 12 wird dabei so gewählt, dass dessen zugrundeliegende, vom optischen Element 7 absorbierte Intensität an jedem Ort immer größer oder zumindest gleich der maximal möglichen, vom optischen Element 7 absorbierten Intensität an eben jenem Ort bei verschiedenen Beleuchtungseinstellungen und/oder verschiedenen Retikeln ist. Entsprechend kann das dem Temperaturprofil 12 zugrundeliegende, vom optischen Element 7 absorbierte Intensitätsprofil als Einhüllende der verschiedenen, den Temperaturverläufen 10, 11 zugrundeliegenden, vom optischen Element 7 absorbierten Intensitätsprofile gesehen werden. Dadurch wird sichergestellt, dass ein zeitlich konstantes Temperaturprofil über dem optischen Element 7 eingestellt werden kann, da die Heizeinrichtung 8 je nach Beleuchtungseinstellung und/oder Retikel den fehlenden Temperaturbetrag durch Heizen erzeugen kann.
  • Beispielsweise ist an der Position x1 die Temperaturbelastung des optischen Elements 7 gemäß dem Temperaturverlauf 11 bei der entsprechenden Beleuchtungseinstellung bereits sehr hoch, sodass die Temperatur des einzustellenden Temperaturprofils 12 in etwa diesem Temperaturwert des Temperaturverlaufs 11 entspricht, sodass diese Stelle des optischen Elements durch die Heizeinrichtung 8 nicht mehr geheizt werden muss. Ist jedoch die Beleuchtungseinstellung gewählt, die den Temperaturverlauf 10 über dem optischen Element 7 erzeugt, ergibt sich eine Differenz D1 zwischen der Temperatur des einzustellenden Temperaturprofils 12 und dem Temperaturverlauf 10, die durch Heizen mit der Heizeinrichtung 8 ausgeglichen wird. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass das Temperaturprofil 12 über dem optischen Element 7 über die verschiedenen Beleuchtungseinstellungen und/oder bei der Abbildung unterschiedlicher Retikel konstant ist. Dadurch ergeben sich bei Änderungen der Beleuchtungseinstellung und/oder des Retikels keine Änderungen bezüglich der Temperaturbelastung der beheizbaren optischen Elemente, sodass die Abbildungsbedingungen gleichbleibend sind.
  • Damit ist es möglich, die durch die gleichbleibende Temperaturbelastung der optischen Elemente erzeugte Wellenfrontaberration mit einer einzigen darauf abgestimmten Maßnahme zu kompensieren, und zwar entweder durch eine zusätzliche, geeignete Kompensationseinrichtung oder durch Anpassung der Formgestaltung des oder der optischen Elemente.
  • In 3 ist ein Querschnitt durch das beheizbare optische Element 7 gezeigt, welches einerseits die Form einer optisch aktiven Fläche 14 zeigt, die ohne Temperaturbelastung des optischen Elements für die gewünschte Abbildung einzustellen wäre. Diese theoretische Flächenform 14 kann nun gemäß der Erfindung so abgewandelt werden, dass die Flächenform 15 eingestellt wird, die auf das einzustellende Temperaturprofil 12 abgestimmt ist. Dies bedeutet, dass die Form der optischen Fläche 15 den Abbildungsfehler, der durch die Temperaturbelastung des optischen Elements 7 aufgrund der Temperaturverteilung 12 entsteht, kompensiert. Damit kann für eine Vielzahl von Beleuchtungseinstellungen und/oder Retikel eine optimale Abbildung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1 gewährleistet werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Die vorliegende Offenbarung schließt sämtliche Kombinationen der vorgestellten Einzelmerkmale mit ein.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Projektionsbelichtungsanlage
    2
    Lichtquelle
    3
    Beleuchtungseinheit
    4
    Retikel
    5
    Projektionsobjektiv
    6
    Wafer
    7
    optisches Element
    8
    Heizeinrichtung
    8a, b
    Heizstrahler
    9
    Kompensationseinrichtung
    10
    Temperaturverlauf
    11
    Temperaturverlauf
    12
    Temperaturprofil
    13
    Linie
    14
    optisch aktive Fläche
    15
    optische Fläche
    16
    Kühleinrichtung
    17
    Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung
    18
    Speicher
  • DEFINITIONEN
  • Unter optischen Elementen werden sowohl nicht-temperierbare als auch temperierbare optische Elemente verstanden, wobei die temperierbaren optischen Elemente heizbare, kühlbare oder heiz- und/oder kühlbare optische Elemente umfassen können. Eine Projektionsbelichtungsanlage gemäß der vorliegenden Erfindung kann sämtliche der oben angeführten optischen Elemente enthalten.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2009/053001 A1 [0004]

Claims (15)

  1. Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einer Lichtquelle (2), einer Beleuchtungseinheit (3), die mindestens ein optisches Element zur Beleuchtung eines Retikels (4) aufweist, und mit einem Projektionsobjektiv (5) mit mindestens einem optischen Element (7), durch das das Retikel (4) in einer Objektebene in eine Bildebene abgebildet wird, wobei die Beleuchtungseinheit (3) das Retikel (4) in verschiedenen Beleuchtungseinstellungen beleuchten kann, und wobei die Projektionsbelichtungsanlage (1) mindestens eine Temperiereinrichtung (8, 16) zur Temperierung mindestens eines temperierbaren, optischen Elements (7) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine temperierbare, optische Element (7) lokal so temperiert wird, dass über dem temperierbaren, optischen Element (7) ein Temperaturprofil (12) erzeugt wird, welches so gewählt wird, dass das Temperaturprofil (12) für alle verschiedenen Beleuchtungseinstellungen gleich ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturprofil (12) so ausgewählt wird, dass das Temperaturprofil (12) über dem temperierbaren, optischen Element (7) an jedem Ort des temperierbaren, optischen Elements (7) eine Temperatur gleich oder höher als die maximale Temperatur aufweist, die bei einer der Beleuchtungseinstellungen der Beleuchtungseinheit (3) und/oder einer Abbildungseinstellung des Projektionsobjektivs (5) in dem temperierbaren, optischen Element (7) durch das Licht der Lichtquelle (2) erzeugt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturprofil (12) beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) zeitlich konstant gehalten wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das temperierbare optische Element (7) über elektromagnetische Strahlung temperiert wird und die Strahlungsintensität so ausgewählt wird, dass das Profil der absorbierten Strahlungsintensität über dem temperierbaren, optischen Element (7) an jedem Ort des temperierbaren, optischen Elements (7) eine Strahlungsintensität gleich oder höher als die maximale absorbierte Strahlungsintensität aufweist, die bei einer der Beleuchtungseinstellungen der Beleuchtungseinheit (3) und/oder einer Abbildungseinstellung des Projektionsobjektivs (5) in dem temperierbaren, optischen Element (7) durch das Licht der Lichtquelle (2) erzeugt wird, wobei insbesondere das Profil der absorbierten Strahlungsintensität beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) zeitlich konstant gehalten wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturprofil (12) für mehrere, verschiedene Retikel (4) bestimmt wird, wobei das Temperaturprofil (12) so gewählt wird, dass die Temperatur an jedem Ort des temperierbaren, optischen Elements (7) eine Temperatur gleich oder höher als die maximale Temperatur aufweist, die bei einem der Retikel (4) in dem temperierbaren, optischen Element (7) durch das Licht der Lichtquelle (2) maximal erzeugt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an mehreren temperierbaren optischen Elementen (7) jeweils ein individuelles Temperaturprofil (12) eingestellt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein durch das Temperaturprofil (12) an einem oder mehreren temperierbaren optischen Elementen (7) erzeugter Abbildungsfehler kompensiert wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturprofil (12) so gewählt wird, dass ein dadurch erzeugter Abbildungsfehler leicht kompensiert werden kann.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein temperierbares, optisches Element (7) oder mehrere oder alle temperierbare, optische Elemente (7) so gestaltet werden, dass der durch das Temperaturprofil (12) des einen oder von mehreren temperierbaren, optischen Elementen (7) erzeugte Abbildungsfehler kompensiert wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage (1) zum Betrieb vortemperiert wird, bis sich eine zeitlich konstante Temperaturverteilung in den optischen Elementen eingestellt hat.
  11. Projektionsbelichtungsanlage (1), insbesondere zur Anwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer Lichtquelle (2), einer Beleuchtungseinheit (3), die mindestens ein optisches Element zur Beleuchtung eines Retikels (4) aufweist, und mit einem Projektionsobjektiv (5) mit mindestens einem optischen Element (7), durch das das Retikel (4) in einer Objektebene in eine Bildebene abgebildet wird, wobei die Beleuchtungseinheit (3) das Retikel (4) in verschiedenen Beleuchtungseinstellungen beleuchten kann, und wobei die Projektionsbelichtungsanlage (1) mindestens eine Temperiereinrichtung (8, 16) zur Temperierung mindestens eines temperierbaren, optischen Elements (7) sowie eine Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung (17) mit einem Speicher (18) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperiereinrichtung (8, 16) so ausgebildet ist, dass das mindestens eine temperierbare optische Element (7) lokal so temperiert werden kann, dass die Temperiereinrichtung (8, 16) über dem temperierbaren, optischen Element (7) ein Temperaturprofil (12) erzeugen kann, welches so gewählt ist, dass das Temperaturprofil (12) für alle verschiedenen Beleuchtungseinstellungen der Beleuchtungseinheit (3) und/oder einer Abbildungseinstellung des Projektionsobjektivs (5) gleich ist, wobei das Temperaturprofil (12) in dem Speicher (18) der Steuerungs- und/oder Regelungseinrichtung (17) gespeichert ist.
  12. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperiereinrichtung (8, 16) eine Vielzahl von Bereichen des mindestens einen temperierbaren optischen Elements (7) getrennt voneinander temperieren kann.
  13. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage (1) mindestens eine Kompensationseinrichtung (9) zur Kompensation des durch die Einstellung eines Temperaturprofils (12) an einem oder mehreren temperierbaren, optischen Elementen (7) erzeugten Abbildungsfehler aufweist.
  14. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere temperierbare, optische Elemente (7) so gestaltet sind, insbesondere mit ihren optisch wirksamen Flächen (15) so geformt sind, dass der durch die Einstellung eines Temperaturprofils (12) an einem oder mehreren temperierbaren, optischen Elementen (7) erzeugte Abbildungsfehler kompensiert wird.
  15. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperiereinrichtung (8, 16) einen oder mehrere Heizstrahler (8a, b) umfasst.
DE102015220499.5A 2015-10-21 2015-10-21 Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage Ceased DE102015220499A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015220499.5A DE102015220499A1 (de) 2015-10-21 2015-10-21 Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015220499.5A DE102015220499A1 (de) 2015-10-21 2015-10-21 Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015220499A1 true DE102015220499A1 (de) 2015-12-31

Family

ID=54840038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015220499.5A Ceased DE102015220499A1 (de) 2015-10-21 2015-10-21 Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102015220499A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009053001A1 (de) 2007-10-19 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Optische vorrichtung mit verbessertem abbildungsverhalten sowie verfahren dazu

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009053001A1 (de) 2007-10-19 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Optische vorrichtung mit verbessertem abbildungsverhalten sowie verfahren dazu

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013204427A1 (de) Anordnung zur thermischen Aktuierung eines Spiegels, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102017207862A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einer Heizlichtquelle und Verfahren zum Heizen einer Komponente der Projektionsbelichtungsanlage
DE102019219289A1 (de) Optisches System, sowie Heizanordnung und Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System
DE102008032853A1 (de) Optische Einrichtung mit einem deformierbaren optischen Element
DE102013206981A1 (de) Facettenspiegel mit im Krümmungsradius einstellbaren Spiegel-Facetten und Verfahren hierzu
DE102012212898A1 (de) Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betreiben derselben, sowie EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102007051291A1 (de) Adaptierbares optisches System
WO2012041589A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter justagemöglichkeit
DE102016209876A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einer Heizlichtquelle und Verfahren zum Heizen einer Komponente der Projektionsbelichtungsanlage
DE112017004705T5 (de) Aktorvorrichtung
DE102020210773B4 (de) Optische Baugruppe, Verfahren zur Ansteuerung einer optischen Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102013215197A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit temperierbaren optischen Elementen und Verfahren zum Betrieb einer derartigen Anlage
DE102015200328A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements für ein optisches System, insbesondere für einemikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2021160583A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit einem thermischen manipulator
AT505195B1 (de) Vorrichtung zum übertragen von in einer maske vorgesehenen strukturen auf ein substrat
DE102015220499A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit zeitlich konstanter Temperaturbelastung der optischen Elemente sowie Verfahren zum Betrieb einr derartigen Anlage
DE102015207153A1 (de) Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System
DE102010003938A1 (de) Korrektur von optischen Elementen mittels Heizlicht
DE102019202531A1 (de) Optisches Korrekturelement, Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Korrekturelement und Verfahren zur Auslegung eines Korrekturelementes
DE102011104543A1 (de) Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur mikrolithographischen Projektion einer Maske
WO2019228765A1 (de) Verfahren sowie vorrichtung zum bestimmen des erwärmungszustandes eines spiegels in einem optischen system
DE102012212758A1 (de) Systemkorrektur aus langen Zeitskalen
EP3816305B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur thermischen behandlung eines rohrförmigen metallischen bauteils
DE19703969B4 (de) Lufthaubensystem für eine Projektionslinse
DE102020126267A1 (de) Vorrichtung zum Erzeugen einer Laserlinie auf einer Arbeitsebene

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final