DE102015210919A1 - MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids und Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents

MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids und Verfahren zum Herstellen desselben Download PDF

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Klaus Schimmanz
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Abstract

Ein MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids umfasst eine Substrat, das eine Kavität aufweist und einen elektromechanischen Wandler, der in der Kavität mit dem Substrat verbunden ist und ein sich entlang einer lateralen Bewegungsrichtung verformbares Element aufweist, wobei eine Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung und der Volumenstrom des Fluids kausal zusammenhängen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids, wie etwa einen MEMS-Lautsprecher, ein MEMS-Mikrophon oder eine MEMS-Pumpe. Die vorliegende Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Wandlers. Ferner bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen MEMS-basierten elektroakustischen Wandler.
  • Ein Fokus der MEMS-Technologie (MEMS = mikroelektromechanisches System) liegt neben der Miniaturisierbarkeit insbesondere im Potential der kostengünstigen Fertigbarkeit der Komponente bei mittleren und hohen Stückzahlen. Elektroakustische MEMS-Lautsprecher sind derzeit in unbedeutendem Maße kommerzialisiert. Mit wenigen Ausnahmen bestehen MEMS-Lautsprecher aus einer Membran, welche durch ein ausgewähltes physikalisches Wirkprinzip quasistatisch oder resonant ausgelenkt wird. Die Auslenkung hängt dabei linear oder nicht-linear von dem angelegten elektrischen Signal ab (Strom oder Spannung). Das Signal weist eine zeitliche Variation auf, welche in eine zeitliche Variation der Membranauslenkung übertragen wird. Die Hin- und Her-Bewegung der Membran überträgt sich in Form von Schall in das umgebende Fluid, für das im Folgenden vereinfachend aber nicht einschränkend Luft angenommen werden kann.
  • In manchen Fällen erfolgt die Aktuation der Membran nur in eine Richtung. Die Rückstellkraft wird dann durch die mechanische Federwirkung bei Membranauslenkung zur Verfügung gestellt. In anderen Fällen erfolgt die Aktuation in beide Richtungen, so dass die Membran eine sehr geringe Steifigkeit aufweisen kann.
  • Zur Aktuation der Membran ist der Einsatz elektrostatischer, piezoelektrischer, elektromagnetischer, elektrodynamischer und magnetostriktiver Wirkprinzipien beschrieben. Ein Überblick zu MEMS-Schallwandlern, die auf diesen Prinzipien basieren, findet sich beispielsweise in [1].
  • Elektrostatisch betriebene Wandler basieren auf der Kraft, die sich zwischen zwei mit unterschiedlichem elektrischem Potential belegten flächenhaften Elektroden ergeben. Im einfachsten Fall entspricht die Anordnung einem Plattenkondensator, wobei eine der beiden Platten beweglich aufgehängt ist. In der praktischen Umsetzung wird die bewegliche Elektrode als Membran ausgeführt, um einen akustischen Kurzschluss zu vermeiden. Bei einem Anlegen einer Spannung verwölbt sich die Membran in Richtung der Gegenelektrode. Bei einem speziellen Ausführungsbeispiel wird die Membran im sogenannten Berührungsmodus (engl.: touch-mode) betrieben. Hierbei berührt die Membran die untere Elektrode, auf die zur Vermeidung eines Kurschlusses eine dünne Isolatorschicht aufgebracht ist, wie es beispielsweise in [2] beschrieben ist. Die Auflagefläche wird dabei durch die Größe der anliegenden elektrischen Spannung bestimmt und variiert damit zeitlich gemäß dem zeitlichen Verlauf dieser Spannung. Die so erzeugbare Oszillation dient der Schallerzeugung. Prinzipiell kann beim klassischen elektrostatischen Aufbau die Membran nur in Richtung der Elektrode angezogen werden. Die Rückstellkraft kann durch die Steifigkeit der Membran zumindest teilweise bestimmt und muss genügend hoch sein, um auch die höheren Frequenzen im Hörschallbereich übertragen zu können.
  • Anderseits kann bei gegebener elektrischer Spannung die Auslenkung der Membran mit zunehmender Steifigkeit sinken. Zur Vermeidung dieses Problems wurde ein Ansatz mit einer sehr weichen Membran entwickelt, welche dann durch eine obere und untere Elektrode angesteuert und somit in beide Richtungen ausgelenkt werden kann, wie es in [3] beschrieben ist. Dieser Lautsprecher verwendet insgesamt zwei solcher Membranen, die im Inneren einer Kavität aufgehängt sind, welche wie bei einer Mikropumpe über einen Einlass und einen Auslass verfügt und ansonsten geschlossen ist.
  • Piezoelektrisch betriebene Wandler nutzen den inversen piezoelektrischen Effekt. Eine anliegende elektrische Spannung führt zu einer mechanischen Spannung in einem Festkörper. in MEMS-Technologie werden typischerweise Materialien wie PZT (Blei-Zirkonat-Titanat), AlN (Aluminiumnitrid) oder ZnO (Zinkoxid) eingesetzt. Diese Materialien werden üblicherweise als Funktionsschicht auf eine Membran aufgebracht und so strukturiert, dass die Membran abhängig von der elektrischen Spannung, die an der Funktionsschicht anliegt, ausgelenkt bzw. zum Schwingen angeregt werden kann. Nachteilig bei piezoelektrischen Funktionsschichten wirkt sich die Tatsache aus, dass der Betrieb nicht hysteresefrei erfolgen kann. Außerdem ist die Integration der keramischen Funktionsschichten komplex und aufgrund der nicht vorhandenen CMOS-Kompatibilität (CMOS = complementary metal oxide semiconductor, komplementärer Metalloxidhalbleiter) bei PZT und ZnO nur unter strenger Kontaminationskontrolle oder gleich in einem separaten Reinraumbereich möglich.
  • Elektromagnetisch betriebene Wandler beruhen auf der Kraftwirkung, die ein weichmagnetisches Material in einem ortsveränderlichen Magnetfeld (Gradient) erfährt. Für die Umsetzung des Prinzips wird neben dem weichmagnetischen Material ein Permanentmagnet und eine Spule benötigt, mittels derer der Ortsgradient des Magnetfeldes via Stromfluss zeitlich gesteuert werden kann. Das weichmagnetische Material wird beispielsweise in die Membran integriert. Alle anderen Komponenten werden in der Assemblierung zur Verfügung gestellt, wie es beispielsweise in [4] beschrieben ist. Der Aufbau ist voluminös, komplex und erscheint nicht sinnvoll für hohe Stückzahlen skalierbar zu sein.
  • Elektrodynamisch betriebene Wandler machen von der Lorentz-Kraft Gebrauch. Dieses bei makroskopischen Lautsprechern sehr weitverbreitete Verfahren ist auch bei einigen MEMS-Lautsprechern eingesetzt worden. Das Magnetfeld wird durch einen Permanentmagneten erzeugt. Im Magnetfeld wird eine stromdurchflossene Spule platziert. Üblicherweise wird die Spule durch Abscheidung und Strukturierung einer Metallschicht in die Membran integriert und der Permanentmagnet in der Assemblierung als externe Komponente zugefügt. Die Komplexität und die Einschränkungen bezüglich der Integration aller Komponenten in MEMS-Technologie stellen einen ähnlich großen Nachteil dar, wie bei den elektromagnetisch betriebenen Wandlern.
  • Magnetostriktiv betriebene Wandler beruhen auf einer Kontraktion oder Expansion einer Funktionsschicht bei anliegendem Magnetfeld. Bspw. ist Vanadium Permadur positiv magnetostriktiv, d. h., weist eine Expansion bei anliegendem Magnetfeld auf. Diese Kontraktion kann bei geeignetem Aufbau zur Erzeugung einer Membranschwingung genutzt werden. In [1] wurde als magnetostriktive Funktionsschicht Vanadium Permendur (Fe49Co49V2) eingesetzt, das über eine Chrom-Haftschicht auf SiO2 (Siliziumdioxid) abgeschieden wurde. Das externe Magnetfeld wird über eine Mikroflachspule zur Verfügung gestellt, welche durch galvanisch abgeschiedenes Kupfer realisiert wurde. Bezüglich Komplexität und Einschränkungen bei der Integration sind ähnliche Nachteile anzuführen, wie bei den beiden vorgenannten Wirkprinzipien.
  • Die vorangehend beschriebenen klassischen und am weitesten verbreiteten Varianten, die als gemeinsames Merkmal die Verwendung einer Membran haben, welche zu einer Schwingung angeregt werden kann, wird nachfolgend durch bestimmte Abwandlungen, die aufgrund spezieller Nachteile des klassischen Membranprinzips untersucht wurden, ergänzt.
  • Flexible Membranen können auch höhere Moden im Hörschallbereich aufweisen und somit zu parasitären Schwingungen führen, was die akustische Qualität senkt (Klirrfaktor), vgl. [1]. Zur Vermeidung bzw. Verringerung dieses Effektes werden daher Platten eingesetzt, welche eine deutlich höhere Steifigkeit aufweisen. Eine solche Platte wird über eine sehr weiche Aufhängung, die auch den akustischen Kurzschluss vermeiden soll, mit dem Chip verbunden, siehe hierzu [5].
  • Eine weitere Abwandlung stellt eine segmentierte Membran dar, die bei den oben beschriebenen magnetostriktiven Wandlern eingesetzt wurde. Dies entspricht einer speziellen topographischen Lösung für das Problem, dass sich die Funktionsschicht in zwei Richtungen kontrahiert oder expandiert. Konkret besteht der Aufbau aus mehreren auslenkbaren Biegebalken. Nach [1] kann die Anordnung für Abstände der Balken kleiner oder gleich 3 μm als akustisch geschlossen angesehen werden. Durch entsprechende Dimensionierung der einzelnen Balken bezüglich einer Resonanzfrequenz und der Abstände zwischen den Balken kann eine vergleichsweise hohe akustische Bandbreite erreicht werden und der Verlauf des Schallpegels als Funktion der Schwingungsfrequenz angepasst bzw. optimiert werden.
  • Neumann et al. verfolgen in [6] den Ansatz, statt einer einzelnen, großen Membran eine Vielzahl kleiner Teilmembranen zu verwenden. Jede Teilmembran hat eine so hohe Resonanzfrequenz, dass im Hörschallbereich eine quasistatische Auslenkung erfolgen kann. Damit wird insbesondere ein digitaler Betrieb des Lautsprechers ermöglicht.
  • Zusammenfassend lässt sich schlussfolgern, dass bezüglich Integration bekannte elektrostatisch betriebene Membranlautsprecher verhältnismäßig geringe Auslenkungen aufweisen, wenn moderate Antriebsspannungen vorausgesetzt werden. Als Referenz kann beispielsweise der elektrostatische Membranlautsprecher von Kim et al. gemäß [3] dienen. Jede der beiden Membranen hat eine Fläche von 2 × 2 mm2. In einem Abstand von jeweils 7,5 μm ist die obere bzw. untere Elektrode angebracht. Je nach Geometrie der Membran und der Zunahme der Membransteifigkeit mit wachsender Auslenkung wird die Auslenkung aufgrund des sogenannten Pull-In-Effekts auf typischerweise 1/3 bis 1/2 des Elektrodenabstands beschränkt. Wird der höhere Wert von 1/2 angenommen, ergibt sich für die Auslenkung 7,5 μm/2, und zwar einmal in die eine und einmal in die andere Richtung. Das verdrängte Volumen lässt sich abschätzen, indem davon ausgegangen wird, dass es dem Volumen einer ausgelenkten steifen Platte mit einer Auslenkung der halben Maximalauslenkung der Membran entspricht. Dafür ergibt sich beispielsweise: ΔV ≈ (2 × 2 mm2) × 50%·(2 × 7.5 μm)/2 = 15 × 10–3 mm3 (Glg. 1) bzw. ΔV/aktive Fläche = ΔV/A = ΔV/4 mm2 = 3.75 × 10–3 mm (Glg. 2)
  • Ein generelles Problem bei der Herstellung von miniaturisierten Membran-Lautsprechern ist es, einen flachen Verlauf des Schalldrucks als Funktion der Frequenz zu erreichen. Der erreichbare Schalldruck ist proportional zur Strahlungsimpedanz und der Geschwindigkeit der Membran. Im Makroskopischen ist der Membrandurchmesser vergleichbar mit der akustischen Wellenlänge. Hier gilt, dass die Strahlungsimpedanz proportional zur Frequenz ist, vgl. [6]. Qualitativ hochwertige Lautsprecher werden häufig so entworfen, dass die Resonanz f0 unterhalb des Hörschallbereichs liegt (für Mehrwegelautsprecher liegt die jeweilige Resonanzfrequenz unterhalb der unteren Kantenfrequenz des entsprechenden elektrischen Filters). Für f >> f0 ist die Geschwindigkeit der Membran damit proportional zu 1/f. Insgesamt ergibt sich dann für die Frequenzabhängigkeit des Schalldrucks p der Ausdruck p ∝ 1. Es ergibt sich also in dieser (vereinfachten) Betrachtung ein vollständig flacher Verlauf der Schalldruckkurve.
  • Sobald der Durchmesser der Schallquelle/der Membran viel kleiner ist als die zu erzeugende Schallwellenlänge, kann für die Strahlungsimpedanz eine quadratische Abhängigkeit von der Frequenz angenommen werden, wie es in 0 beschrieben ist. Dies ist für MEMS-Lautsprecher mit Membranen in der Größenordnung von Millimetern gegeben. Wird wie oben f >> f0 angenommen, so ergibt sich für den Verlauf der Schalldruckkurve die Abhängigkeit p ∝ f. Niedrige Frequenzen werden im Verhältnis zu den hohen Frequenzen mit zu geringem Schalldruck wiedergegeben. Bei quasistatischem Betrieb ist die Membrangeschwindigkeit proportional zu f. Es ergibt sich dann für den Schalldruckverlauf die für niedrige Frequenzen noch ungünstigere Abhängigkeit p ∝ f3.
  • Wünschenswert wäre demnach ein Konzept für verbesserte MEMS-Wandler, die einen hohen Wirkungsgrad aufweisen.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, einen MEMS-Wandler und ein Verfahren zum Herstellen desselben zu schaffen, die einen Volumenstrom eines Fluids mit einem hohen Wirkungsgrad beeinflussen können und/oder von dem Volumenstrom mit einem hohen Wirkungsgrad beeinflusst werden können.
  • Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
  • Der Kerngedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, erkannt zu haben, dass obige Aufgabe dadurch gelöst werden kann, dass ein Volumenstrom eines Fluids besonders effizient mittels eines Elements beeinflussbar ist, das entlang einer lateralen Bewegungsrichtung verformbar ist bzw. das der Volumenstrom ein derartiges Element besonders effizient auslenken kann. Die laterale Bewegungsrichtung, ggf. senkrecht zu einer Richtung des Fluidstroms, ermöglicht große Flächen des verformbaren Elements, die mit dem Volumenstrom in eine Wechselwirkung treten können, bei gleichzeitiger geringen Abmessungen einer Chipoberfläche, so dass insgesamt eine effiziente MEMS-Wandlervorrichtung mit einem hohen Wirkungsgrad erhalten wird.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst ein MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids ein Substrat, das eine Kavität aufweist, und einen elektromechanischen Wandler, der mit dem Substrat verbunden ist und ein sich entlang einer lateralen Bewegungsrichtung verformbares Element aufweist, wobei eine Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung und der Volumenstrom des Fluids kausal zusammenhängen. Vorteilhaft an diesem Ausführungsbeispiel ist, dass ein Volumen, welches von dem verformbaren Element beeinflusst wird, oder welches das verformbare Element beeinflusst, in eine Richtung senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung und/oder senkrecht zu einer Chipoberfläche groß ausgeformt sein kann, wobei gleichzeitig geringe Chipoberflächen erhalten werden können.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel weist ein MEMS-Lautsprecher einen derartigen MEMS-Wandler auf und ist konfiguriert, um eine akustische Schallwelle oder eine Ultraschallwelle auszusenden. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst eine MEMS-Pumpe einen MEMS-Wandler, so dass das Fluid basierend auf dem Volumenstrom transportierbar ist. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst ein MEMS-Mikrophon einen MEMS-Wandler mit einem verformbaren Element, das entlang der lateralen Bewegungsrichtung verformbar ist. Vorteilhaft an diesen Ausführungsbeispielen ist, dass ein hoher Wirkungsgrad unter Ausnutzung einer geringen Chipüberfläche erhalten werden kann.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Wandlers ein Bereitstellen eines Substrats, das eine Kavität aufweist, ein Verbinden eines elektromechanischen Wandlers, der ein sich entlang einer lateralen Bewegungsrichtung verformbares Element aufweist, mit dem Substrat. Eine Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung und der Volumenstrom des Fluids hängen kausal zusammen.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind der Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische perspektivische Ansicht eines MEMS-Wandlers gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 2a eine schematische perspektivische Ansicht eines MEMS-Wandlers, der eine Vielzahl elektromechanischer Wandler umfasst, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 2b eine schematische Aufsicht des MEMS-Wandlers aus 2a gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • 2c eine schematische perspektivische Ansicht des MEMS-Wandlers aus 2a, bei dem die elektromechanischen Wandler einen verformten Zustand eines verformbaren Elements aufweisen, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 3 eine schematische perspektivische Ansicht eines verformbaren Elements, das als Bimorph ausgeführt ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 4a eine schematische perspektivische Ansicht eines verformbaren Elements, das drei Bimorphstrukturen aufweist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 4b eine schematische perspektivische Ansicht des verformbaren Elements gem. 4a in einem ausgelenkten Zustand gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 5 eine schematische Aufsicht auf einen MEMS-Wandler, bei dem die elektromechanischen Wandler verglichen mit dem MEMS-Wandler aus 2a eine veränderte Konfiguration aufweisen, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 6a eine schematische Aufsicht auf einen elektromechanischen Wandler, bei dem gerade ausgebildete Federelemente zwischen Plattenelementen und verformbaren Elementen angeordnet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 6b eine schematische Aufsicht auf einen elektromechanischen Wandler, bei dem Federelemente von auslenkbaren Enden der verformbaren Elemente mit einem Winkel von weniger als 90° angeordnet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 6c eine schematische Aufsicht auf einen elektromechanischen Wandler, bei dem die Federelemente mit einem Winkel von mehr als 90° angeordnet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 6d eine schematische Aufsicht auf einen elektromechanischen Wandler, bei dem das Substrats benachbart zu einem verformbaren Element ein Federelement aufweist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 6e eine schematische Aufsicht auf einen elektromechanischen Wandler, bei dem Plattenelemente Aussparungen aufweisen, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 7a eine schematische Aufsicht auf ein verformbares Element, das mit dem Plattenelement verbunden ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 7b eine schematische Aufsicht auf eine Konfiguration, bei der das verformbare Element zwischen dem Substrat fest eingespannt ist und ausgebildet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 7c eine schematische Aufsicht auf eine Konfiguration des elektromechanischen Wandlers, bei dem die verformbaren Elemente in einem Mittenbereich Aussparungen aufweisen, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 7d eine schematische Aufsicht auf eine Konfiguration, des elektromechanischen Wandlers bei der ein erstes verformbares Element und ein zweites verformbares Element parallel zu einander angeordnet sind;
  • 8a eine schematische perspektivische Ansicht eines MEMS-Wandlers, bei dem die verformbaren Elemente alternierend mit dem Substrat bzw. mit einem Ankerelement verbunden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 8b eine schematische Aufsicht des MEMS-Wandlers aus 8a gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 8c eine schematische perspektivische Ansicht des MEMS-Wandlers aus 8a in einem ausgelenkten Zustand gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 8d eine schematische Aufsicht auf den MEMS-Wandler aus 8b in dem ausgelenkten Zustand gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 9 eine schematische perspektivische Ansicht eines Stapels, der drei MEMS-Wandler aufweist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 10 eine schematische perspektivische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers, bei dem zwischen Seiten des Substrats verformbare Elemente angeordnet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 11a eine schematische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers, bei dem die elektromechanischen Wandler bezogen auf eine laterale Richtung des Substrats schräg angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 11b eine schematische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers, der als Pumpe einsetzbar ist; gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 12a eine schematische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers, der bspw. als MEMS-Pumpe einsetzbar ist, in einem ersten Zustand;
  • 12b den MEMS-Wandler aus 12a in einem zweiten Zustand;
  • 13 eine schematische Ansicht zweier verformbaren Elemente, die entlang einer lateralen Erstreckungsrichtung miteinander verbunden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 14 eine schematische Ansicht eines Stapels umfassend zwei MEMS-Wandler, die miteinander verbunden sind und eine gemeinsame Schicht aufweisen, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 15 eine schematische Seitenschnittansicht eines verformbaren Elements, das zwei Schichten aufweist, die über Verbindungselemente miteinander beabstandet und verbunden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 16 eine schematische Aufsicht auf ein verformbares Element, das benachbart zu einer Elektrode angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel; und
  • 17 ein schematisches Blockschaltbild eines MEMS-Systems gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • Bevor nachfolgend Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung im Detail anhand der Zeichnungen näher erläutert werden, wird darauf hingewiesen, dass identische, funktionsgleiche oder gleichwirkende Elemente, Objekte und/oder Strukturen in den unterschiedlichen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind, so dass die in unterschiedlichen Ausführungsbeispielen dargestellte Beschreibung dieser Elemente untereinander austauschbar ist bzw. aufeinander angewendet werden kann.
  • Nachfolgend wird Bezug genommen auf MEMS-Wandler (MEMS = mikroelektromechanisches System). Ein MEMS-Wandler kann eine oder mehrere elektroaktive Komponenten aufweisen, die basierend auf einer angelegten elektrischen Größe (Strom, Spannung, Ladung oder dergleichen) eine Veränderung in einer mechanischen Komponente bewirken. Diese Veränderung kann sich beispielsweise auf eine Verformung, auf eine Erwärmung oder eine Verspannung der mechanischen Komponente beziehen. Alternativ oder zusätzlich kann eine mechanische Beeinflussung der Komponente, etwa eine Verformung, eine Erwärmung oder eine Verspannung, zu einem elektrischen Signal oder einer elektrischen Information (Spannung, Strom, Ladung oder dergleichen) führen, die an elektrischen Anschlüssen der Komponente erfasst werden kann. Manche Materialien oder Komponenten weisen eine Reziprozität auf, das bedeutet, die Effekte sind wechselseitig vertauschbar. Beispielsweise können Piezomaterialien den inversen piezoelektrischen Effekt (Verformung basierend auf einem angelegten elektrischen Signal) und den piezoelektrischen Effekt (Bereitstellen einer elektrischen Ladung basierend auf einer Verformung) aufweisen.
  • Manche der nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele beziehen sich darauf, dass ein verformbares Element eines elektromechanischen Wandlers ausgebildet ist, um mit einem Volumenstrom eines Fluids zu interagieren. Eine Interaktion kann beispielsweise eine Verformung des verformbaren Elements, bewirkt durch eine elektrisches Ansteuersignal, umfassen, das zu einer Bewegung, Verschiebung, Kompression oder Dekompression des Fluids führt. Alternativ oder zusätzlich kann der Volumenstrom des Fluids das verformbare Element verformen, so dass basierend auf der Wechselwirkung zwischen dem Volumenstrom und dem verformbaren Element eine Anwesenheit, eine Charakteristik (Druck, Strömungsgeschwindigkeit oder dergleichen) oder eine andere Information bezüglich des Fluids (etwa eine Temperatur) erhalten werden kann. Das bedeutet, dass eine Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung und der Volumenstrom des Fluids kausal zusammenhängen. MEMS können beispielsweise in Siliziumtechnologie hergestellt werden. Der elektromechanische Wandler kann das verformbare Element und weitere Elemente, etwa Elektroden und/oder elektrische Anschlüsse umfassen. Das verformbare Element kann ausgebildet sein, um sich (makroskopisch) entlang einer lateralen Bewegungsrichtung zu verformen, d. h., ein Element oder Bereich kann entlang der lateralen Bewegungsrichtung beweglich sein. Bei dem Element oder Bereich kann es sich bspw. um ein Balkenende oder um einen Mittenbereich einer Balkenstruktur handeln. Mikroskopisch betrachtet, kann bei einer Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung eine Verformung des verformbaren Elementes senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung auftreten. Nachfolgend beschriebene Ausführungsbeispiele beziehen sich auf die makroskopische Betrachtungsweise.
  • Ausführungsbeispiele können miniaturisierte, in Silizium gefertigte Lautsprecher, Mikrophone und/oder Pumpen zur Verfügung stellen, die bezogen auf ihre jeweilige Baugröße einen möglichst hohen Schallpegel, eine möglichst hohe Empfindlichkeit und/oder eine möglichst hohe Flussrate des Fluids erzeugen können.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können genutzt werden, um Luftschall zu erzeugen, insbesondere im Hörschallbereich. Ausführungsbeispiele beziehen sich somit auf Lautsprecher, insbesondere miniaturisierte Lautsprecher, etwa für Hörgeräte, Kopfhörer, Headsets, Mobiltelefone oder dergleichen. Der wechselseitige kausale Zusammenhang zwischen dem Volumenstrom und der Verformung des verformbaren Elements ermöglicht auch eine Anwendung in Lautsprechern. Ausführungsbeispiele beziehen sich somit auf elektroakustische Wandler.
  • 1 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines MEMS-Wandlers 10. Der MEMS-Wandler 10 ist ausgebildet, um mit einem Volumenstrom 12 eines Fluids zu interagieren. Bei dem Fluid kann es sich um ein Gas (etwa Luft) und/oder eine Flüssigkeit handeln. Beispielsweise kann es sich bei der Flüssigkeit um eine medizinische Lösung, ein Medikament, eine Chemikalie für einen technischen Prozess oder dergleichen handeln.
  • Der MEMS-Wandler 10 weist ein Substrat 14 auf. Das Substrat 14 kann ein beliebiges Material aufweisen. Beispielsweise kann das Substrat 14 ein Holzmaterial, ein Metallmaterial und/oder ein Halbleitermaterial, etwa ein Siliziummaterial umfassen. Das Substrat 14 umfasst eine Kavität 16. Die Kavität 16 kann beispielsweise als Aussparung oder als zumindest teilweise umschlossenes Volumen des Substrats 14 verstanden werden. In der Kavität 16 kann zumindest bereichsweise das Fluid des Volumenstroms 12 angeordnet sein.
  • Der MEMS-Wandler 10 umfasst einen elektromechanischen Wandler 18. Der elektromechanische Wandler 18 ist mit dem Substrat 14 verbunden. Der elektromechanische Wandler 18 umfasst ein verformbares Element 22, das entlang einer lateralen Bewegungsrichtung 24 verformbar ist. Beispielsweise kann ein Anlegen eines elektrischen Signals an den elektromechanischen Wandler 18 zu der Verformung des verformbaren Elements 22 entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 führen. Alternativ oder zusätzlich kann der Volumenstrom 12, wenn er auf das verformbare Element 22 trifft, dazu führen, dass das verformbare Element 22 die Verformung ausführt, so dass ein elektrisches Signal von dem elektromechanischen Wandler 18, das auf dem Volumenstrom 12 basiert, erhalten werden kann. D. h., dass die Verformung des verformbaren Elements 22 und der Volumenstrom 12 kausal zusammenhängen. Beispielsweise kann der elektromechanische Wandler 18 zumindest eine, etwa zwei, piezoelektrische Schicht umfassen oder daraus bestehen. Beide Schichten können durch elektrische Spannung verformt werden. Der elektromechanische Wandler kann weitere Elemente umfassen, bspw. Elektroden.
  • Das Substrat 14 kann eine oder mehrere Öffnungen 26a–d umfassen, durch die der Volumenstrom 12 von einer Umgebung des MEMS-Wandlers 10 in die Kavität 16 und/oder aus der Kavität 16 in eine Umgebung des MEMS-Wandlers 10 gelangen kann. Eine Bewegung, die das verformbare Element 22 bei der Verformung ausführt, kann bezogen auf das Substrat 14 als in der Ebene (in plane) verstanden werden. Der Volumenstrom 12 kann zumindest teilweise senkrecht zu der Bewegungsrichtung 24 aus der Kavität 16 austreten oder in diese gelangen, wie es beispielsweise für den Volumenstrom 12 durch die Öffnung 26c oder 26d dargestellt ist. Vereinfacht ausgedrückt, kann eine Bewegung des verformbaren Elements 22 in-plane zu einem Volumenstrom 12 out-of-plane führen und andersherum.
  • Die Öffnungen 26c und 26d sind senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung 24 in dem Substrat 14 angeordnet. Die Verformung des verformbaren Elements 22 entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 kann zu einer Bewegung zumindest eines Bereichs des verformbaren Elements 22 hin zu der Öffnung 26a erfolgen, so dass eine Teilkavität 28 basierend auf der Verformung verkleinert wird. Ein Druck des Fluids, das sich in der Teilkavität 28 befindet, kann basierend darauf erhöht werden. Vereinfacht ausgedrückt, kann das Fluid komprimiert werden. Dies kann ein Ausströmen des Fluids aus der Teilkavität 28 bzw. der Kavität 16 ermöglichen. Durch die Öffnungen 26d und 26c kann der Volumenstrom 12 senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung 24 erhalten werden.
  • Eine Grundfläche des MEMS-Wandlers 10 kann beispielsweise in einer x/y-Ebene angeordnet sein. Eine große Abmessung des MEMS-Wandlers 10 entlang einer z-Richtung, die senkrecht zu der x-Richtung und/oder der y-Richtung im Raum angeordnet ist bzw. eine hohe Abmessung des verformbaren Elements 22 entlang der z-Richtung kann zu einer Erhöhung des Volumenstroms 12 führen, während die Grundfläche des MEMS-Wandlers 10 unverändert bleibt. Eine Vergrößerung der Teilkavität 28 kann zu einem Unterdruck des Fluids in der Teilkavität 28 führen, so dass der Volumenstrom basierend auf der Verformung des verformbaren Elements 22 senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung 24 in die Kavität 28 bzw. 16 strömt.
  • Das verformbare Element kann eine axiale Ausdehnung, beispielsweise entlang der y-Richtung, aufweisen, die einen Wert in einem Bereich von zumindest 1 μm und höchstens 100 mm, bevorzugt von zumindest 100 μm und höchstens 10 mm und besonders bevorzugt in einem Bereich von zumindest 500 μm und höchstens 5 mm aufweist. Das verformbare Element 22 kann eine Ausdehnung entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 aufweisen, die einen Wert in einem Bereich von zumindest 0,1 μm und höchstens 1000 μm, bevorzugt von zumindest 1 μm und höchstens 100 μm und besonders bevorzugt in einem Bereich von zumindest 5 μm und höchstens 30 μm aufweist. Das verformbare Element kann eine Ausdehnung entlang einer lateralen Richtung, die senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung angeordnet ist, beispielsweise entlang der z-Richtung, aufweisen, die einen Wert in einem Bereich von zumindest 0,1 μm und höchstens 1000 μm, bevorzugt von zumindest 1 μm und höchstens 300 μm und besonders bevorzugt in einem Bereich von zumindest 10 μm und höchstens 100 μm aufweist.
  • 2a zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines MEMS-Wandlers 20, der eine Vielzahl elektromechanischer Wandler 18a–f umfasst. Die elektromechanischen Wandler 18a–f sind mit dem Substrat 14 verbunden und können jeweils ein entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 verformbares Element aufweisen, wie es im Zusammenhang mit der 1 beschrieben ist.
  • Das Substrat 14 umfasst beispielsweise eine erste Schicht 32a, eine erste Abstandsschicht 34a, eine Zwischenschicht 36, eine zweite Abstandsschicht 34b und eine zweite Schicht 32b, die in der genannten Reihenfolge aufeinander angeordnet sind. Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen kann zwischen zwei der als aufeinanderfolgend angeordneten Schichten eine oder mehrere weitere Schichten angeordnet sein. Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen ist zumindest eine der Schichten 32a, 32b, 34a, 34b und/oder 36 mehrschichtig aufgebaut.
  • Die elektromechanischen Wandler 18a–f sind ausgebildet und/oder ansteuerbar, so dass sich diese basierend auf dem Volumenstrom 12 und/oder basierend auf einer Ansteuerung teilweise aufeinander zu- und teilweise voneinander wegbewegen.
  • Beispielsweise sind die elektromechanischen Wandler 18a und 18b ausgebildet, um sich voneinander wegzubewegen, während die elektromechanischen Wandler 18b und 18c sich aufeinander zubewegen. Zwischen den elektromechanischen Wandlern 18a und 18b, 18c und 18d und 18e und 18f sind Teilkavitäten 38a–c angeordnet, wobei sich die Teilkavitäten 38a–c basierend auf der Verformung der elektromechanischen Wandler 18a–f vergrößern können. Zwischen den elektromechanischen Wandlern 18b und 18c bzw. 18d und 18e sind Teilkavitäten 42a und 42b angeordnet, die sich basierend auf der Bewegung oder Verformung gleichzeitig verkleinern können. In einem darauffolgenden Zeitintervall kann die Verformung oder Bewegung der elektromechanischen Wandler bzw. der verformbaren Elemente umkehrbar sein, so dass sich die Volumina der Teilkavitäten 38a, 38b und 38c verkleinern, während sich Volumina der Teilkavitäten 42a und 42b vergrößern.
  • In anderen Worten, auf dem unteren Deckel (erste Schicht 32a), der den Chip auf einer Seite (beispielsweise jedoch ohne Einschränkung eine Unterseite) teilweise oder vollständig abschließt, kann eine strukturierte Schicht, die Abstandsschicht 34a, angeordnet sein, welche beispielsweise als Abstandshalter zwischen dem unteren Deckel und der auf der strukturierten Schicht 34a angeordneten Zwischenschicht 36 nutzbar ist. Auf die strukturierte Schicht 36 kann wiederum eine strukturierte Abstandsschicht 34b angeordnet sein, die in ihrer Funktion als Abstandshalter ganz oder teilweise der Abstandsschicht 34a entspricht und eine identische oder ähnliche Form aufweisen kann. Der MEMS-Wandler 20 bzw. dessen Kavität kann durch den oberen Deckel, die zweite Schicht 32b entlang der z-Richtung teilweise oder vollständig abgeschlossen werden. 2a zeigt die Schicht 32b als teilweise aufgebrochene Darstellung, um im Bereich der Kavität angeordnete Elemente darstellbar zu machen. In einer x/y-Ebene der Zwischenschicht 36 können paarweise elektromechanische Wandler 18b und 18c bzw. 18d und 18e angeordnet sein, wobei sich eine derartige Anordnung entlang einer Raumrichtung, beispielsweise entlang der x-Richtung mehrfach wiederholen kann.
  • Das Substrat kann eine Vielzahl von Öffnungen 26 aufweisen, die mit einer Vielzahl von Teilkavitäten 38a–c bzw. 42a–b verbunden sind, wobei bspw. jeweils eine Öffnung 26 mit einer Teilkavität 38a–c oder 42a–b verbunden sein kann. Ein Volumen jeder Teilkavität 38a–c oder 42a–b kann von einem Auslenkungszustand zumindest eines entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 verformbaren Elements 22 beeinflusst sein. Benachbarte Teilvolumina können komplementär während eines ersten oder zweiten Zeitintervalls vergrößerbar bzw. verkleinerbar sein. Vereinfacht ausgedrückt, kann ein Teilvolumen einer Teilkavität 38a–c oder 42a–b verkleinert werden, während ein benachbartes Teilvolumen einer Teilkavität 42a–b bzw. 38a–c vergrößert wird.
  • In einem Bereich einer oder mehrerer Öffnungen 26 können Stabstrukturen 44 angeordnet sein. Die Stabstrukturen 44 können so angeordnet sein, dass ein Passieren des Volumenstroms 12 in eine oder zwei Richtungen ermöglicht ist, wohingegen ein Eindringen oder Heraustreten von Partikeln in die Kavität oder aus der Kavität reduziert oder verhindert ist. Eine Form der Schichten 32a, 32b, 34a, 34b und/oder 36 kann beispielsweise während eines Herstellungsprozesses durch selektives Entfernen und/oder selektives Anordnen oder Aufwachsen von Schichten beeinflusst sein. Beispielsweise können die Stabstrukturen 44 basierend auf einem selektiven Ätzprozess aus den Schichten 34a, 36 und/oder 34b herausgebildet werden. Ferner kann während des Herstellungsprozesses eine Form der Kavitäten 38a–c und 42a–b beeinflusst werden. Beispielsweise können Wandungen einer oder mehrerer Schichten 32a, 32b, 34a, 34b und/oder 36 an eine Bewegung der verformbaren Elemente der elektromechanischen Wandler 18a–f angepasst sein, beispielsweise um einen zumindest näherungsweise konstanten und/oder geringen Abstand zwischen den verformbaren Elementen und dem Substrat 14 zu ermöglichen.
  • Benachbart oder an den Stabstrukturen oder Stabelementen kann eine Abdeckung 43 angeordnet sein. Die Abdeckung 43 kann benachbart zur Kavität 16 und/oder mittels der Stabelementen 44 hiervon getrennt angeordnet sein. Die Abdeckung kann bspw. ein Fließmaterial (Mesh-Material), ein Schaumstoffmaterial und/oder ein Papiermaterial umfassen. Die Abdeckung kann ein Eindringen von Partikeln in die Kavität 16 oder ein Austreten aus der Kavität 16 mit geringerem Durchmesser als einem Abstand zwischen Stabstrukturen ermöglichen. Alternativ kann die Abdeckung 43 auch benachbart oder an einer Öffnung 26 angeordnet sein, die die Stabelemente 44 nicht aufweist.
  • Bewegt sich ein freies Ende der bewegbaren Elemente, beispielsweise in einer gebogenen Bahn und/oder einer Kreisbahn, so kann das Substrat 14 in einem Bereich, in welchem sich das bewegliche Ende bewegt, eine parallele oder ähnliche Form aufweisen.
  • 2b zeigt eine schematische Aufsicht des MEMS-Wandlers 20 aus 2a. Die elektromechanischen Wandler 18a–f können beispielsweise mit dem Substrat 14 an Elementen 46a–c kraft- oder formschlüssig verbunden sein. Beispielsweise können ein oder mehr verformbare Elemente der elektromechanischen Wandler 18a–f einstückig mit den Elementen 46a–c gebildet sein. Die Elemente 46a–c können in einer Ebene der Schicht 36 angeordnet sein oder Teile der Schicht 36 sein. Eine Ausdehnung der verformbaren Elemente 22 der elektromechanischen Wandler 18a–f kann beispielsweise kleiner oder gleich sein als eine Ausdehnung der Schichten 34a, 36 und 34b entlang der z-Richtung. Das bedeutet, dass die verformbaren Elemente 22 der elektromechanischen Wandler 18a–f kontaktfrei zu der Schicht 32a und/oder 32b angeordnet und bewegbar sein können. Alternativ kann zumindest ein verformbares Element auch kontaktbehaftet verformt werden. Bspw. kann zwischen dem zumindest einen verformbaren Element und einer benachbarten Schicht, etwa die Schicht 32a und/oder 32b eine reibungsarme, d. h., einen geringen Reibungskoeffizienten aufweisende, Schicht angeordnet sein. Die reibungsarme Schicht kann eine fluidische Trennung zwischen Teilkavitäten ermöglichen, wie es bspw. für die Wandstruktur 49 beschrieben ist. Ein Reibungskoeffizient kann bspw. um 10%, 20% oder 50% geringer sein, als ein Reibungskoeffizient der Schicht 32a und/oder 32b oder der Schicht 34a und/oder 34b. Eine Reibungskraft zwischen dem verformbaren Element 22 und angrenzenden Schichten kann geringer sein, als eine Kraft, die für eine Verformung des verformbaren Elementes 22 benötigt wird. Basierend auf einer reduzierten Reibungskraft kann bspw. eine von einem Aktor bereitzustellende Kraft geringer sein, so dass der Aktor leistungsärmer ausgeführt werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann eine Empfindlichkeit des verformbaren Elementes 22 auf den Volumenstrom 12 erhöht werden.
  • Die elektromechanischen Wandler 18b und 18c bilden beispielsweise Seitenwände der Teilkavität 42a (Kammer). Die bewegbaren Elemente 22 der elektromechanischen Wandler 18a–f können an den Elementen 46a–c formschlüssig befestigt sein. Zwischen einem auslenkbaren oder beweglichen Ende 52 der verformbaren Elemente 22 kann ein Abstand zu dem Substrat 14 bzw. zu Elementen 48a–d des Substrats 14 angeordnet sein. Das Ende 52 des verformbaren Elements 52 kann somit frei beweglich angeordnet sein. Ein oder mehrere verformbare Elemente 22 können aufgrund von Dimensionsverhältnissen, etwa einer Ausdehnung entlang der x-Richtung in einem Verhältnis zu einer Ausdehnung entlang der y-Richtung, vereinfacht ein Verhältnis Balkenbreite zu Balkenhöhe, besonders weit entlang der lateralen Richtung 24 auslenkbar sein. Sind die elektromechanischen Wandler 18a–f beispielsweise als Aktoren ausgebildet, können diese Aktoren bei Anlegen eines entsprechenden Signals auslenkbar sein, d. h. verkrümmt werden, so dass sich beispielsweise das Ende 52 des verformbaren Elements 22 auf einer gebogenen Bahn bewegt. Entsprechend dem Verlauf dieser Bahn kann zumindest eines der Elemente 48a–d so ausgebildet sein, dass ein Abstand zwischen und dem Ende 52 auch bei Auslenkung des verformbaren Elements 22 in etwa konstant und/oder klein bleibt.
  • Der MEMS-Wandler 20 kann zumindest eine Wandstruktur 49 aufweisen. Eine Bewegung der Aktoren, elektromechanischen Wandler 18a–e oder verformbaren Elemente kann bspw. für eine Kammer 42a–b zur Folge haben kann, dass aufgrund von durch die Bewegung ausgelösten Fluidströmungen zur Befüllung der Kammer 38a–c eine fluidmechanische Kopplung zu den benachbarten Kammern auftreten kann. Basierend auf der fluidmechanischen Kopplung kann ein Fluidstrom 57 zwischen den Teilkavitäten 42a und 38b auftreten. Um diese direkte Kopplung bzw. den Fluidstrom 57 zu reduzieren oder zu vermeiden, können ein oder mehrere Trennwände (Wandstrukturen 49), die ggf. unbeweglich ausgestaltet sein können, zur Trennung benachbarter Kammerpaare 38 und 42 angeordnet sein. Die Wandstrukturen können einfach realisiert werden, beispielsweise an den entsprechenden Stellen als ein Element, das durchgängig aus den Schichten 34a, 36 und 34b gebildet ist. Beispielsweise können während eines selektiven Ätzverfahrens derartige Strukturen angeordnet bleiben. Die Wandstruktur 49 kann außerdem die mechanische Stabilität des MEMS-Wandlers 20 erhöhen und kann einen Bondvorgang zwischen den einzelnen Schichten erleichtern. Die zumindest eine Wandstruktur 49 kann Öffnungen aufweisen oder vollständig durchgängig gestaltet sein, was es ermöglicht, durch das Herein-/Herausströmen des Fluids aus den Kammern 38a–c und 42a–b entstehende Dämpfung gezielt zu modifizieren, insbesondere zur Einstellung der Breite der Resonanzkurve bzw. allgemein zur Einstellung von dynamischen Eigenschaften der Aktor-Kammersysteme.
  • Wird die 2b zusammen mit der 1 betrachtet, so kann ein Volumen der Kavität 16 und/oder der Vielzahl von Teilkavitäten 38a–c und 42a–b durch die Schichten 32a und 32b und Seitenbereichen 53a und 53b des Substrats 14 beeinflusst oder bestimmt sein. Die Seitenbereiche 53a und 53b können zwischen den Schichten 32a und 32b angeordnet sein. Die verformbaren Elemente der elektromechanischen Wandler 18a–c können ausgebildet sein, um zumindest in einem Abschnitt 55 der lateralen Bewegungsrichtung 24 eine Bewegung parallel zu der ersten Schicht 32a und/oder 32b auszuführen. Das bedeutet, dass sich das verformbare Element zwischen den Schichten 32a und 32b verformen oder bewegen kann.
  • Eine Resonanzfrequenz einer Kavität oder Teilkavität kann von einer Geometrie des Volumens, von einer Frequenz einer Ansteuerung der elektromechanischen Wandler und/oder von einer mechanischen Resonanzfrequenz des oder der verformbaren Elemente beeinflusst sein. Von einander zumindest teilweise fluidisch getrennte (Teil-)Kavitäten, etwa mittels einer Wandstruktur 49, einer Anordnung einer reibungsarmen Schicht, oder basierend auf einer Anordnung in verschiedenen MEMS-Wandlern können verschiedene Resonanzfrequenzen aufweisen und/oder mit verschiedenen Resonanzfrequenzen angesteuert werden, etwa mittels einer Steuervorrichtung. Basierend auf verschiedenen Ansteuerfrequenzen und/oder verschiedenen Resonanzfrequenzen kann ein Mehr-Wege-Lautsprecher erhalten werden.
  • 2c zeigt eine schematische perspektivische Ansicht des MEMS-Wandlers 20, bei dem die elektromechanischen Wandler 18a–f einen verformten Zustand des verformbaren Elements aufweisen. Beispielsweise sind die verformbaren Elemente bis zu einer maximalen Auslenkung ausgelenkt. Verglichen mit der Darstellung der 2a ist ein Volumen der Teilkavität 42a basierend auf der Verformung (Verbiegung) der verformbaren Elemente (Balken) verringert. Ist beispielsweise eine Dicke (Abmessung entlang der z-Richtung oder Dickenrichtung) der Schichten 34a und 34b (Abstandshalter) gering, kann bei einer Bewegung der elektromechanischen Wandler 18a–f eine Umströmung der elektromechanischen Wandler 18a–f bzw. der verformbaren Elemente vernachlässigbar sein. Dies kann ebenfalls für einen Abstand zwischen dem elektromechanischen Wandler 18a–f und dem Substrat, beispielsweise dem Element 48, gelten. Basierend auf der Verformung des verformbaren Elements kann ein Volumen des Fluids, beispielsweise ein Luftvolumen, das der Volumendifferenz der Teilkavitäten 42a in den 2a und 2c entsprechen kann, an eine Umgebung des MEMS-Wandlers 20 abgegeben werden, etwa in Form des Fluidstroms (Volumenstroms) 12.
  • Eine Abmessung der Abstandsschicht 34a oder 34b entlang der z-Richtung, entlang der die erste und zweite Abstandsschicht 34a und 34b an der Zwischenschicht 36 angeordnet sind, kann einen Wert in einem Bereich von zumindest 1 nm und höchstens 1 mm, bevorzugt in einem Bereich von zumindest 20 nm und höchstens 100 μm oder besonders bevorzugt in einem Bereich von zumindest 50 nm und höchstens 1 μm aufweisen. Ist beispielsweise die Abmessung der Abstandsschichten 34a und 34b gering gegenüber einer Abmessung der elektromechanischen Wandler 18a–f entlang der z-Richtung, so kann ein Ausmaß des Fluidstroms 57, der den elektromechanischen Wandler 18a–f von einer ersten Seite zu einer zweiten Seite (beispielsweise von einer positiven x-Richtung zu einer negativen x-Richtung oder andersherum) umströmt, während das verformbare Element sich verformt, kleiner sein als ein Ausmaß des Volumenstroms 12 in der Kavität.
  • Die Umströmung bzw. der Fluidstrom 57 kann beispielsweise basieren auf einer zumindest teilweisen Entfernung der Abstandsschichten 34a und/oder 34b in einem Bereich, in dem sich der elektromechanische Wandler 18a–f bewegt, resultieren. Vereinfacht ausgedrückt kann basierend auf dem Abstand zwischen dem elektromechanischen Wandler und benachbarten Schichten ein Fluidstrom um bewegliche Elemente herum resultieren (fluidische Verluste). Diese können verglichen mit dem Fluidstrom 12 gering sein. Beispielsweise können sie kleiner sein als das Ausmaß des Volumenstroms dividiert durch den Wert 10, dividiert durch den Wert 15 oder dividiert durch den Wert 20.
  • Der Fluidstrom 12 kann beispielsweise die Öffnung 26a und/oder 26b passieren. Die Öffnungen 26a und 26b können gleich ausgebildet sein oder an eine Geometrie der benachbarten Teilkavität 38a bzw. 42a angepasst sein. Die Öffnung 26a kann bspw. entlang einer axialen Richtung (etwa die y-Richtung) einen veränderlichen Querschnitt aufweisen, etwa eine Abmessung entlang der x-Richtung. Die Abmessung der Öffnung 26b entlang der x-Richtung kann in eine Richtung hin zu einem Inneren des MEMS-Wandlers 20, d. h. hin zu der Kavität oder Teilkavität 42a abnehmen. Alternativ oder zusätzlich kann die Öffnung 26 entlang einer weiteren Richtung, etwa einer z-Richtung (Dickenrichtung) senkrecht zu der axialen Richtung y eine veränderliche Abmessung oder einen veränderlichen Querschnitt aufweisen. Der veränderliche Querschnitt kann von einer Außenseite des MEMS-Wandlers 20 in eine Richtung hin zu der Kavität 16 abnehmen. Ein sich verjüngender Querschnitt oder eine sich verringernde Abmessung der Öffnung 26 von der Außenseite des MEMS-Wandlers 20 in Richtung der Kavität 16 entlang einer oder mehrerer Richtungen x und/oder z kann als trichterförmige Öffnung bezeichnet werden.
  • Die ggf. trichterförmige Öffnung 26b kann als Vorrichtung zur Impedanzanpassung nutzbar sein. Eine Impedanzanpassung kann beispielsweise bei einer Verwendung des MEMS-Wandlers 20 als Lautsprecher vorteilhaft sein. Eine Ausgestaltung oder Geometrie der Öffnung 26b kann analog zu makroskopischen Lautsprechern mit Abmessungen von mehreren Zentimetern ausgeführt sein. Eine Form der Öffnung 26b kann ermöglichen, dass die eigentliche Schallabstrahlung durch die äußere Fläche des Trichters definiert ist. Die Öffnung 26b kann beispielsweise durchgängig in den strukturierten Schichten 34a, 36 und 34b gebildet sein. Ein Stabgitter 54, das zumindest ein Stabelement 44 umfasst, kann Öffnungen bzw. Zwischenräume zwischen Stabelementen 44 und/oder zwischen Stabelementen 44 und dem benachbarten Substrat aufweisen. Die Zwischenräume können so gebildet sein, dass das Fluid durch sie hindurch strömen kann.
  • Das Stabgitter 54 kann einen Schutz gegen ein Eindringen von Partikeln in die Kavität des MEMS-Wandlers 20 darstellen. Eine Breite der Öffnungen des Stabgitters 54, d. h. ein Abstand zwischen Stabelementen 44, kann so ausgeführt sein, dass der Fluidstrom 12 strömungstechnisch in einem gewünschten Maß beeinflusst oder unbeeinflusst ist. Beispielsweise oder idealerweise kann der Abstand zwischen den Stabelementen 44 kleiner sein als kleinste Spaltabstände im MEMS-Wandler 20, so dass das Stabgitter eine hohe Anzahl von oder gar alle relevanten Partikel filtern kann. Ein Spaltabstand kann bspw. einen Abstand eines verformbaren Elementes 18a–c zu einer Schicht 32a oder 32b beschreiben. Der Abstand zwischen den Stabelementen 44 kann beispielsweise geringer sein als 5 μm, als 1 μm, als 0,1 μm oder 0,05 μm.
  • Abmessungen der Stabelemente 44 entlang der Raumrichtungen können so implementiert sein, dass die Stabelemente 44 keine Resonanzen im Hörschallbereich, d. h. in einem Frequenzbereich von zumindest 16 Hz und höchstens 22 KHz aufweisen. Obwohl die Stabelemente 44 so dargestellt sind, dass sie an einer Außenseite des MEMS-Wandlers 20 angeordnet sind, etwa in einem Bereich, an dem die Öffnung 26a oder 26b eine maximale Abmessung entlang der x-Richtung aufweist, können ein oder mehrere Stabelemente auch an einer anderen Stelle der Öffnung 26a oder 26b angeordnet sein, etwa in einem verjüngten Bereich der Öffnung 26a bzw. 26b.
  • Durch die Verformung der verformbaren Elemente kann das Volumen einer Teilkavität 42a verringert werden. Während eines gleichen Zeitintervalls kann sich ein Volumen der Kammer (Teilkavität) 38a erhöhen. Die Teilkavität 38a kann in gleicher oder ähnlicher Weise wie die Teilkavität 42a über eine trichterförmige Öffnung 26b und/oder ein Stabgitter 54 umfassend ein oder mehrere Stabelemente 44 mit der Umgebung des MEMS-Wandlers 20 verbunden sein. Elektromechanische Wandler 18a–f können ausgebildet sein, um mit einer von einander verschiedene Frequenz angesteuert zu werden oder eine von einander verschiedene Resonanzfrequenz aufweisen. Ein Volumen einer jeden Teilkavität kann sich mit einer von einander verschiedenen Frequenz oder mit zumindest teilweise gleichen Frequenzen ändern.
  • Die Öffnung 26a und die Öffnung 26b können an oder in einander entgegengesetzt im Raum angeordneten Seiten des MEMS-Wandlers 20 angeordnet sein. Bspw. kann auf jeweils einer Seite, die die Öffnung 26a oder 26b aufweist, mittels der Teilkavitäten 42a bzw. 38a oder einer Vielzahl derartiger Teilkavitäten der Fluidstrom ausgestoßen 12 oder angesaugt werden kann. Das bedeutet, dass der Fluidströmung 12 in entgegengesetzte Richtungen erzeugbar ist. Beispielsweise kann in einem ersten Zeitintervall der Volumenstrom 12 in eine negative y-Richtung aus der Öffnung 26a ausgestoßen und in die Teilkavität 38a eingesaugt werden. In einem zweiten Zeitintervall können sich diese Richtungen umkehren. Ein Strömungskurzschluss entlang des MEMS-Wandlers 20 kann so verhindert oder ausgeschlossen werden.
  • Die verformbaren Elemente (Balken) der elektromechanischen Wandler 18a–f können ausgebildet sein, um sich gemäß einem von außen zugeführten Signal zu verkrümmen. Eine Frequenz, mit der die Verkrümmung erfolgt, kann eine Frequenz, mit der der Volumenstrom 12 generiert wird und/oder oszilliert und mithin eine Schallfrequenz beeinflussen oder bestimmen. Eine über das zugeführte Signal bestimmte Amplitude der Schwingung kann bei einer oder mehreren (Resonanz-Frequenzen) eine Amplitude des Volumenstroms 12 beeinflussen oder bestimmen und mithin Auswirkungen auf den Schallpegel haben.
  • Nachfolgend werden weitere Ausführungsbeispiele für die elektromechanischen Wandler bzw. Aktoren erläutert. Obwohl der MEMS-Wandler 20 so beschrieben wurde, dass ein unausgelenkter bzw. nicht-aktuierter Zustand unausgelenkte verformbare Elemente aufweist, können die Zustände auch wechselseitig vertauschbar sein. Das bedeutet, dass in einem ersten, unaktuierten Zustand, die verformbaren Elemente verformt oder gekrümmt sein können und sich basierend auf einem Ansteuersignal in einen weniger gekrümmten, stärker gekrümmten oder geraden Zustand verformen können.
  • Obwohl obige Ausführungen erläutern, dass ein elektrisches Signal an den MEMS-Wandler 20 herangeführt wird, etwa von einer Steuervorrichtung, kann auch der Volumenstrom 12 zu einer Verformung der verformbaren Elemente führen, wobei die Verformung mittels eines elektrischen Signals an dem MEMS-Wandler 20 erhalten werden kann, d. h. der MEMS-Wandler 20 ist auch als Sensor konfigurierbar.
  • Nachfolgend wird Bezug genommen auf vorteilhafte Weiterbildungen des verformbaren Elements. Einer oder mehrere elektromechanische Wandler können verformbare Elemente gemäß den nachfolgend beschriebenen Weiterbildungen aufweisen.
  • 3 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines verformbaren Elements 30, das als Bimorph ausgeführt ist. Das verformbare Element 30 weist eine erste Schicht 56 und eine zweite Schicht 58 auf, die zumindest stellenweise, vorteilhafterweise ganzflächig, fest miteinander verbunden sind. Die erste Schicht 56 und die zweite Schicht 58 sind ausgebildet, um sich basierend auf einem mechanischen, physikalischen oder chemischen Einfluss unterschiedlich stark zu verformen, etwa auszudehnen oder zu kontrahieren. Beispielsweise können die Schichten 56 und 58 voneinander verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Schicht 56 oder die Schicht 58 ausgebildet sein, um sich basierend auf einem elektrischen Signal, das an die entsprechende Schicht geführt wird, auszudehnen oder zu kontrahieren. Beispielsweise kann diese Schicht Piezomaterialien aufweisen.
  • Voneinander verschiedene Kontraktionen oder Ausdehnungen der Schichten 56 und 58 können zu einer Verformung des verformbaren Elements 30 entlang einer Aktuierungsrichtung 59 oder 59' führen. Die Aktuierungsrichtung kann parallel zu der lateralen Bewegungsrichtung 24 angeordnet sein. Die Aktuierungsrichtung kann eine Richtung sein, entlang der das verformbare Element 30 durch Anlegen einer positiven elektrischen Spannung auslenkbar ist.
  • Alternativ oder zusätzlich kann auch eine Verformung entlang einer weiteren lateralen Bewegungsrichtung 24 nutzbar sein, die beispielsweise basierend auf einer Querkontraktion oder Querexpansion des verformbaren Elements 30 bzw. der Kontraktion oder Expansion einer der Schichten basiert. Das bedeutet, dass das verformbare Element 30 ausgebildet sein kann, um sich mit seiner Balkenstruktur entlang einer axialen Richtung (etwa die y-Richtung) der Balkenstruktur zu verkrümmen. Dies kann basierend auf einer Hin- und Her-Bewegung erfolgen, also entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 und entlang einer entgegengesetzten Richtung.
  • In anderen Worten kann der Bimorph einem Balken entsprechen, der aus zwei Schichten besteht. Die Schichten sind beispielsweise in einer Richtung (beispielsweise vertikal) zueinander angeordnet. Eine passive Schicht (beispielsweise die Schicht 56) kann mit einer aktiven Schicht (beispielsweise die Schicht 58) fest verbunden sein. Durch Anlegen eines geeigneten Signals kann in der aktiven Schicht 58 eine mechanische Spannung generiert werden, welche zur Kontraktion oder Expansion der Schicht 58 führt. Eine Richtung der Längenänderung der Schicht 58 kann so gewählt werden, dass sich der Bimorph lateral in die eine (Kontraktion) oder andere (Expansion) Richtung verbiegt.
  • 4a zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines verformbaren Elements 40, das drei Bimorphstrukturen 30a–c aufweist, wie sie im Zusammenhang mit 3 beschrieben sind. Eine schematische Anordnung des verformbaren Elements 40 im Raum entlang der x-, y- und z-Richtung ist beispielhaft (jedoch nicht einschränkend) so dargestellt, wie das verformbare Element 40 beispielsweise in dem MEMS-Wandler 10 oder 20 angeordnet werden kann. Die verformbaren (Teil-)Elemente 30a–c können voneinander verschiedene Abmessungen aufweisen, beispielsweise entlang der x,- y- oder z-Richtung. Beispielsweise können die verformbaren Elemente 30a und 30c eine gleiche Ausdehnung entlang der y-Richtung aufweisen. Die Aktuierungsrichtungen 59a–c der verformbaren Elemente 30a–c kann bspw. alternierend oder eine wechselseitige Ausrichtung aufweisend angeordnet sein, bspw. in positiver/negativer/positiver x-Richtung. Vereinfacht kann dies so verstanden werden, dass die verformbaren Elemente 30a und 30c eine gleiche Länge aufweisen. Das verformbare Element 30b kann eine hiervon verschiedene Länge aufweisen. Beispielsweise kann eine Länge des verformbaren Elements 30b doppelt so lang sein wie die vergleichbare Länge des Elements 30a oder 30c. Zwischen den verformbaren Elementen 30a–c können gemäß weiterer Ausführungsbeispiele auch weitere Elemente angeordnet sein, beispielsweise Federelemente.
  • Eine Richtung, entlang der sich die verformbaren Elemente 30a–c beim Anlegen einer gleichen oder vergleichbaren Größe (etwa ein Vorzeichen einer elektrischen Spannung) auslenken, kann entlang der Länge des verformbaren Elements 40 alternierend sein. Dies ermöglicht einen alternierenden Krümmungsverlauf. Obwohl das verformbare Element 40 so dargestellt ist, dass es drei verformbare Elemente 30a–c umfasst, können zwei verformbare Elemente oder mehr als drei verformbare Elemente 30 angeordnet sein.
  • 4b zeigt eine schematische perspektivische Ansicht des verformbaren Elements 40 in einem ausgelenkten Zustand. Die Schichten 58a–c sind beispielsweise kontrahiert, so dass entlang eines axialen Verlaufs (y-Richtung) eine Mehrfachkrümmung resultiert.
  • In anderen Worten können drei in 3 dargestellte Balken in Richtung ihrer Ausdehnung aneinandergesetzt angeordnet sein. Dies kann so erfolgen, dass ein erster Balken und ein dritter Balken (30a und 30c) bei entsprechendem Signal eine Krümmung in eine erste Richtung und der zweite Balken (30b) eine Krümmung in die andere Richtung aufweist. So kann ein Aktor erhalten werden, der ausgehend von seiner gestreckten Form, wie sie in 4a dargestellt ist, ohne anliegendes Signal sich mit einem entsprechenden Signal S-artig verformt, wie es in 4b dargestellt ist. Die Konfiguration mit Signal und ohne Signal ist wechselseitig vertauschbar. So können die verformbaren Elemente 30 beispielsweise eine Vorauslenkung oder Vorspannung aufweisen, die basierend auf dem anliegenden Signal hin zu einer reduzierten Krümmung oder geraden Erstreckung des verformbaren Elements 30 und/oder 40 führt. Beispielsweise kann angenommen werden, dass die Krümmungen der einzelnen Balken 30a–c bis auf das Vorzeichen identisch sind und eine Länge des ersten und dritten Balkens 30a und 30c jeweils in etwa einem Viertel einer Gesamtlänge des verformbaren Elements entspricht und wobei eine Länge des mittleren Balkens 30b in etwa einer Hälfte der Länge des verformbaren Elements 40 entspricht.
  • 5 zeigt eine schematische Aufsicht auf einen MEMS-Wandler 50, bei dem die elektromechanischen Wandler 18a–c verglichen mit dem MEMS-Wandler 20 eine veränderte Konfiguration aufweisen. Die elektromechanischen Wandler 18a–c umfassen jeweils ein erstes und ein zweites verformbares Element 22a und 22b, 22c und 22d bzw. 22e und 22f. Die verformbaren Elemente sind einander gegenüberliegend angeordnet. Auslenkbare Enden der Balkenelemente sind einander zugewandt angeordnet. Bereiche, an denen die verformbaren Elemente 22a–f mit dem Substrat verbunden sind, sind einander abgewandt angeordnet.
  • Die elektromechanischen Wandler 18a–c umfassen jeweils ein Plattenelement 62a–c, das mit den jeweiligen verformbaren Elementen 22a und 22b, 22c und 22d bzw. 22e und 22f verbunden ist. Das jeweilige Plattenelement 62a–c kann mit den auslenkbaren Enden der jeweiligen verformbaren Elemente 22a–f verbunden sein.
  • Die verformbaren Elemente 22a–f können ganz oder teilweise als verformbares Element 30 oder 40 ausgeführt sein oder eine andere Konfiguration aufweisen. Unterschiedliche Schraffierungen der verformbaren Elemente 22a und 22b, 22c und 22d bzw. 22e und 22f deuten an, dass die Verformung des jeweiligen verformbaren Elements voneinander verschieden ist. Die verformbaren Elemente eines elektromechanischen Wandlers 18a–c können so angeordnet sein, dass diese unabhängig von einer jeweiligen Ausführung des verformbaren Elements 22a–f eine Auslenkung der auslenkbaren Enden entlang einer gleichen Raumrichtung ausführen.
  • Beispielsweise kann von dem in der 5 dargestellten unausgelenkten Zustand eine Ansteuerung dazu führen, dass die auslenkbaren Enden der verformbaren Elemente 22a und 22b entlang einer positiven x-Richtung ausgeführt werden. Ferner kann eine Ansteuerung der verformbaren Elemente 22c und 22d bewirken, dass eine Auslenkung der jeweiligen auslenkbaren Enden entlang einer negativen x-Richtung ausgeführt wird. Dies ermöglicht, dass sich während dieser Ansteuerung die Plattenelemente 62a und 62b aufeinander zubewegen, so dass die Teilkavität 42a basierend auf der Bewegung der Plattenelemente verkleinert wird. Alternativ oder zusätzlich kann ein Unterdruck in der Kavität 42a dazu führen, dass sich die Plattenelemente 62a und 62b aufeinander zubewegen, so dass eine Verformung der verformbaren Elemente 22a–d erhalten wird. Alternativ oder zusätzlich ist ebenfalls vorstellbar, dass ein oder mehrere verformbare Elemente 22a–d elektrisch passiv ausgestaltet sind. Beispielsweise kann an einem oder mehreren Plattenelementen 62a–c ein elektrisches Potential anlegbar sein, so dass basierend auf einem elektrischen Potential der Plattenelemente 62a und 62b eine anziehende oder abstoßende Kraft zwischen den Plattenelementen 62a und 62b erhalten werden kann, die eine Bewegung der Plattenelemente 62a und 62b und mithin eine Verformung der verformbaren Elemente 22a–d bewirkt. Alternativ oder zusätzlich können gleichzeitig oder zeitversetzt die verformbaren Elemente 22c–f und/oder die Plattenelemente 62b und 62c angesteuert werden, um eine Verformung der verformbaren Elemente 22c–f und eine Veränderung des Volumens der Teilkavität 38a zu erhalten.
  • In anderen Worten zeigt 5 eine Variante der in den 2a–c dargestellten Konfiguration, bei der für die Verengung bzw. Erweiterung jeder Kammer (Kavitäten 42a und 38a) vier Biegebalken 22a–d bzw. 22c–f eingesetzt werden. Im Zusammenhang mit den 2a–c ist dies basierend auf jeweils zwei Biegebalken (verformbaren Elementen) beschrieben. 5 zeigt dabei einen nicht-aktuierten Zustand. Dabei sind der aktuierte und nicht-aktuierte Zustand wechselseitig austauschbar. So kann generell jedes ansteuerbare verformbare Element bei nicht anliegendem Signal verformt sein und seine Verformung signalabhängig verändern, wozu auch das Erreichen eines gestreckten (nicht ausgelenkten) Zustands als Sonderfall gehört.
  • Vertikal (bspw. entlang der y-Richtung) gegenüberliegende Biegebalken, etwa die verformbaren Elemente 22a und 22b bzw. 22c und 22d, können jeweils über einen biegbaren Steg umfassend die Elemente 64a und 64b miteinander verbunden sein. In einem Mittenbereich des so erhaltenen Steges kann eine verhältnismäßig steife Verlängerung, das Element 66, angeordnet sein. An diesem kann wiederum das Plattenelement 62b angeordnet sein, das steif oder möglichst steif ausgeführt ist. Bei einem Anlegen eines entsprechenden Signals können sich die Plattenelemente 62a–c parallel aufeinander zu- oder voneinander wegbewegen, um Volumina von Teilkavitäten zu verringern bzw. zu erhöhen. Die parallele Bewegung der Plattenelemente kann ermöglichen, dass das Volumen der Teilkavität 42a im Grenzfall null beträgt, das bedeutet, die Plattenelemente 62a und 62b berühren sich. Verglichen mit einer Konfiguration, wie sie im Zusammenhang mit den 2a–c beschrieben ist, kann eine derartige Anordnung einen Volumenstrom des Fluids bereitstellen, der deutlich höher ist als der Volumenstrom des MEMS-Wandlers 20. Bei Verringerung des Volumens der Teilkavität 42a kann das Volumen der Teilkavität 38b entsprechend oder zumindest basierend darauf vergrößert werden. Die Zufuhr des Fluids kann, wie es im Zusammenhang mit dem MEMS-Wandler 20 beschrieben ist, durch eine Öffnung 26a, 26b bzw. 26c erfolgen. Die Elemente 64a und 64b können auch als Federelemente bezeichnet werden.
  • Die verformbaren Elemente (Biegebalken) 22a und 22b können so entworfen sein, dass sie sich bei anliegendem Signal nach rechts (positive x-Richtung) verkrümmen. Die verformbaren Elemente 22c und 22d können so entworfen sein, dass sie sich bei anliegendem Signal nach links (negative x-Richtung) verkrümmen. Beide Balkenarten (Schraffuren der verformbaren Elemente) können so ausgelegt sein, dass sie sich beispielsweise bei einem ersten Signal wie im Zusammenhang mit den 3 oder 4 verkrümmen und bei einem zweiten Signal in die entgegengesetzte Richtung verkrümmen. In diesem Fall kann sowohl die Verengung als auch die Erweiterung der Kammer (Teilkavität) auf die Ursprungsgröße unabhängig von der mechanischen Rückstellkraft aufgrund der Verbiegung der Balken erreicht werden. Das erste und das zweite Signal können beispielsweise eine positive und eine negative elektrische Spannung sein. Wird beispielsweise die 3 betrachtet, können auch die Schichten 56 und 58 jeweils aktive Schichten sein bzw. an der Schicht 56 an einer der Schicht 58 abgewandten Seite eine weitere aktive Schicht angeordnet werden, wobei die beiden aktiven Schichten voneinander separat adressiert werden können, um eine Auslenkung in die eine oder die andere Richtung zu erhalten.
  • Ein Volumen zwischen zwei gegenüberliegenden verformbaren Elementen, etwa die verformbaren Elemente 22c und 22d und dem mit ihnen verbundenen Plattenelement 62b kann sich bei einer Bewegung oder Verformung der Biegebalken ebenfalls ändern. Das Plattenelement 62 kann beispielsweise starr ausgeführt sein, Um einen verbesserten Druckausgleich zu ermöglichen, können die verformbaren Elemente 22c und/oder 22d und/oder verbindende Elemente 64 bzw. 66, die das Plattenelement 62b mit den verformbaren Elementen 22c und 22d verbinden, lokal ausgedünnt oder abgedünnt werden, um einen lokalen Strömungskanal bereitzustellen. Dies kann beispielsweise durch eine zusätzliche Strukturierung oder Ätzung erfolgen. Die verbindenden Elemente 64a, 64b und 66 können in einer T-Anordnung angeordnet sein. Das verbindende Element 66 kann verglichen mit den Elementen 64a und 64b eine hohe Steifigkeit aufweisen. Während einer Verformung der verformbaren Elemente 22c und 22d können sich somit bevorzugt die Elemente 64a und 64b verformen, um eine geradlinige Bewegung des jeweiligen Plattenelements zu ermöglichen.
  • Nachfolgend werden anhand der 6a–e vorteilhafte Ausführungsbeispiele beschrieben, in denen das Plattenelement 62a bzw. 62b mit jeweils gegenüberliegenden verformbaren Elementen 22a und 22b bzw. 22c und 22d verbunden ist.
  • Obwohl sich nachfolgende Ausführungen auf eine Verbindung der Plattenelemente mit den verformbaren Elementen beziehen, die jeweils gleich ausgestaltet sind, können voneinander verschiedene elektromechanische Wandler und/oder Verbindungen von einzelnen verformbaren Elementen zu einem Plattenelement voneinander verschieden ausgeführt werden. Die nachfolgend beschriebenen Details beschreiben nicht abschließende vorteilhafte Weiterbildungen und können für sich allein oder in Kombination miteinander oder weiteren vorteilhaften Ausführungsformen implementierbar sein.
  • 6a zeigt eine schematische Aufsicht auf eine Konfiguration, bei der gerade ausgebildete Federelemente 68 zwischen dem Plattenelement 62a bzw. 62b und den verformbaren Elementen 22a und 22b bzw. 22c und 22d angeordnet sind. Die Federelemente 68 können aus einem Material der verformbaren Elemente 22a–d oder einem Material der Plattenelemente 62a oder 62b gebildet sein und/oder einstückig mit einem oder mehreren dieser Elemente gebildet sein. Beispielsweise können die Federelemente 68 einen rechten Winkel zu dem Plattenelementen 62a oder 62b aufweisen.
  • 6b zeigt eine alternative Konfiguration, bei der Federelemente 68 von auslenkbaren Enden der verformbaren Elemente mit einem Winkel α von weniger als 90°, beispielsweise 30 oder 40°, angeordnet sind. Dies ermöglicht einen verglichen mit der Konfiguration der 6a erhöhten Abstand der Kontaktpunkte an dem Plattenelement 62a, was zu einer verringerten Durchbiegung des Plattenelements 62a während der Bewegung führen kann.
  • 6c zeigt eine Konfiguration, bei der die Federelemente 62a mit einem Winkel α von mehr als 90° angeordnet sind. Dies kann beispielsweise zu verringerten Rückstellkräften der Federelemente 68 führen, wenn die Konfiguration, wie sie in 6a dargestellt ist, vergleichsweise herangezogen wird.
  • 6d zeigt eine Konfiguration, bei der die Konfiguration aus 6a dahin gehend modifiziert ist, dass in Bereichen des Substrats 14 benachbart zu denen der elektromechanische Wandler 18a angeordnet ist bzw. das jeweilige verformbare Element mit dem Substrat 14 verbunden ist, ein Federelement 72a oder 72b angeordnet ist.
  • Das Federelement 72a und/oder 72b kann beispielsweise durch eine Aussparung (Hohlraum) 74a bzw. 74b in dem Substrat 14 zumindest teilweise bestimmt sein. Das bedeutet, dass beispielsweise durch die Aussparungen 74a oder 74b eine Steifigkeit des Substrats 14 lokal reduzierbar ist, so dass die Federelemente 72a bzw. 72b gebildet werden. Obwohl die Aussparungen 74a und 74b so dargestellt sind, dass sie sich über benachbarte verformbare Elemente 22a und 22c bzw. 22b und 22d in dem Substrat 14 hinweg erstrecken, kann die Aussprung 74a oder 74b auch lediglich benachbart zu einem verformbaren Element oder benachbart zu mehreren verformbaren Elementen angeordnet sein. Alternativ kann das Substrat 14 auch mehrere Aussparungen oder Federelemente aufweisen.
  • In anderen Worten zeigt 6d eine Konfiguration, bei der eine weitere Struktur in Form einer Biegefeder (Federelemente 72a und 72b) an der die verformbaren Elemente (Balken) befestigt sind, zu einer weiteren Reduktion der Zugspannung führen kann. Solche Biegefederelemente können beispielsweise auch in die starre Platte integriert werden, wie es in der Konfiguration der 6e gezeigt ist und im Zusammenhang mit den Aussparungen 76a–d beschrieben ist. Diese Elemente können sich im Fall der Auslenkung der Balken S-förmig verformen und die Zugbelastung auf die starre Platte reduzieren.
  • 6e zeigt eine Konfiguration von elektromechanischen Wandlern 18a und 18b, bei der die Plattenelemente 62a und 62b verglichen mit der Konfiguration, wie sie im Zusammenhang mit der 6d beschrieben ist, Aussparungen 76a–d benachbart zu einem Bereich aufweisen, an dem die Plattenelemente 62a bzw. 62b über die Federelemente 68 mit den verformbaren Elementen verbunden sind. Ein Abstand zwischen den Aussparungen 76a–d und einer den verformbaren Elementen zugewandten Seite der Plattenelemente 62a bzw. 62b kann eine Steifigkeit des Plattenelements 62a bzw. 62b in diesem Bereich beeinflussen. Die Aussparungen 76a–d ermöglichen verringerte Rückstellkräfte, die auf die verformbaren Elemente 22a–d wirken.
  • In anderen Worten zeigen die 6a–e Varianten für eine Ausgestaltung der beweglichen Elemente bzw. der elektromechanischen Wandler. Diese unterscheiden sich von einer Ausführung, wie sie im Zusammenhang mit der 5 beschrieben ist, beispielsweise oder insbesondere dadurch, dass die in 5 dargestellten Elemente 64a oder 64b mit der Versteifung 66 hin zu den Federelementen 68 verschmolzen wurden. Die Konfiguration gemäß 6a kann eine höhere Steifigkeit gegenüber parasitären Verkippungen der Plattenelemente 62a bzw. 62b um eine Achse senkrecht zur Zeichenebene (x/y-Ebene) aufweisen. Ähnliches kann für die Konfigurationen gemäß den 6b und 6c gelten. Alle drei Konfigurationen ermöglichen außerdem größere Auslenkungen der Biegebalken im Vergleich zu der Konfiguration aus 5. Dort kann das Element 64a bzw. 64b (biegbarer Steg) bei einer Auslenkung der Balken unter Zugspannung stehen, welche mit wachsender Auslenkung in einen zunehmenden mechanischen Widerstand für die Balkenauslenkung der verformbaren Elemente resultieren kann. Bei den Varianten gemäß den 6a–c kann die mechanische Verbindung der beiden verformbaren Elemente deutlich weicher (weniger steif) ausgeführt sein, da die jeweils verbindenden Federelemente 68 mit einer Verbiegung reagieren können, die bei entsprechender Gestaltung dieser Elemente einen deutlich geringeren mechanischen Widerstand darstellen kann.
  • Die verbindenden Elemente/Federn 68 und/oder die im Zusammenhang mit der 5 beschriebenen Elemente/Federn 64a–b können auch eine gekrümmte oder mäanderförmige Form aufweisen. Dies ermöglicht eine erhöhte Flexibilität in einer bevorzugten Richtung. Die Konfigurationen, wie sie im Zusammenhang mit den 6d und 6e beschrieben sind, ermöglichen eine Verringerung der Zugbelastung, die zu einer effektiven Versteifung des verformbaren Elements führen würde. Die in den 6a–e beschriebenen Konfigurationen vernachlässigen Ein- bzw. Auslassöffnungen 26. Sind diese Öffnungen angeordnet, können Aussparungen bzw. Federelemente in dem Substrat in Bereichen, in denen die Öffnung angeordnet ist, entfallen. Alternativ oder zusätzlich kann eines, mehrere oder jedes der durch zumindest eine Aussparung erhaltenen Federelemente 72a, 72b und/oder in den Plattenelementen 62a oder 62b basierend auf zwei oder mehreren voneinander getrennten und unabhängigen Federelementen realisiert sein.
  • Nachfolgend beschriebene 7a–c beschreiben beispielhaft mögliche Anordnungen von verformbaren Elementen und Plattenelementen.
  • 7a zeigt das verformbare Element 40, das mit dem Plattenelement 62 verbunden ist. Das Plattenelement 62 kann beispielsweise unmittelbar an dem verformbaren Element 40 angeordnet sein.
  • 7b zeigt eine Konfiguration, bei der das verformbare Element 40a zwischen dem Substrat 14 fest eingespannt ist und ausgebildet ist, um sich entlang der lateralen Richtung 24 zu verformen. Zwischen dem verformbaren Element 40 und dem Plattenelement 62 sind zwei weitere verformbare Elemente 40b und 40c angeordnet, deren Enden miteinander verbunden sein können. Ausgehend von den Verbindungen können die verformbaren Elemente 40b und 40c so zueinander ausgerichtet sein, dass eine Wölbung des jeweiligen verformbaren Elements 40b oder 40c von dem anderen verformbaren Element weg weist. Die verformbaren Elemente 40a–c können beispielsweise gemeinsam angesteuert werden oder gemeinsam auf den Volumenstrom des Fluids reagieren, wobei beispielsweise eine gemeinsame Ansteuerung der verformbaren Elemente 40a–c zu einer Vergrößerung des Stellwegs, d. h. zu einer Vergrößerung des Weges, um das das Plattenelement 62 ausgelenkt wird, führen.
  • 7c zeigt eine Konfiguration des elektromechanischen Wandlers 18, bei dem die verformbaren Elemente 40a–c in einem Mittenbereich Aussparungen 70a oder 70b aufweisen, die eine fluidische Kopplung eines Volumens 82 zwischen den verformbaren Elementen 40b und 40c mit einer weiteren Teilkavität, beispielsweise der Teilkavität 38a ermöglichen. Die verformbaren Elemente 40a, 40b und/oder 40c können jeweils zweiteilig ausgeführt sein, um die Aussparungen 78a und 78b bereitzustellen. Alternativ oder zusätzlich können die Aussparungen 78a und 78b als Aussparungen ausgeführt sein, die entlang einer Dickenrichtung (z-Richtung) von weiterem Material der verformbaren Elemente 40a, 40b bzw. 40c umschlossen sind.
  • In anderen Worten zeigt 7a eine Konfiguration mit aktuierten S-förmigen Biegebalken nach 4, bei dem in der Mitte der starren Platte eine Verbindung zu dem Biegebalken angeordnet ist. Zur Erhöhung der Auslenkung können die Biegeaktoren mehrfach hintereinander (seriell) angeordnet werden. Die 7b und 7c zeigen schematisch eine Anordnung von drei seriell geschalteten S-Aktoren. Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen können zwei S-Aktoren (verformbare Elemente 40) oder mehr als drei Aktoren seriell geschaltet werden. Die Schraffuren der verformbaren Elemente in den 7a–c sind beispielsweise in Übereinstimmung mit den Schraffuren, wie sie in 4 gewählt wurde, dargestellt. Voneinander verschiedene Schraffuren können eine voneinander verschiedene Krümmungsrichtung der jeweiligen Abschnitte bedeuten. 7c zeigt eine Konfiguration, die in der Mitte der S-förmigen Aktoren eine Öffnung aufweist (Aussparungen 78a und 78b), die eine verbesserte Belüftung des Zwischenraums (Kavität 82) ermöglicht.
  • 7d zeigt eine Konfiguration des elektromechanischen Wandlers, bei der ein erstes verformbares Element 40a und ein zweites verformbares Element 40b entlang der y-Richtung parallel zu einander angeordnet sind. Dies ermöglicht eine Erhöhung der Kraftwirkung, mit der das Plattenelement 62 ausgelenkt wird. Enden der verformbaren Elemente können mit einander verbunden sein oder gemeinsam an dem Substrat angeordnet sein. Alternativ können auch zwei oder mehrere verformbare Elemente 40a und 40b entlang einer anderen Richtung parallel angeordnet sein, etwa entlang der z-Richtung (Dickenrichtung). Alternativ oder zusätzlich kann auch eine Serienschaltung und eine Parallelschaltung von verformbaren Elementen kombiniert werden.
  • Bewegliche Elemente können bei einer hohen oder zu hohen Auslenkung auf ein anderes bewegliches Element oder ein festes Element treffen. Dies kann zu Sticking führen. Die beweglichen Elemente oder die festen Elemente können bevorzugt mit Abstandselementen (Pollern) versehen werden, welche ermöglichen, die Kontaktfläche signifikant zu verringern und damit Sticking zu reduzieren oder zu vermeiden. Anstelle sogenannter Poller können auch kleine als Federelemente ausgebildete Strukturen angeordnet werden. Neben der Vermeidung von Sticking kann so der Impuls beim Auftreffen zweier Elemente umgekehrt werden, womit Energieverluste reduziert oder vermieden werden können bzw. das dynamische Verhalten der Aktoren verbessert werden kann.
  • 8a zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines MEMS-Wandlers 80, bei dem die verformbaren Elemente alternierend mit dem Substrat bzw. der Zwischenschicht 36 bzw. mit einem Ankerelement 84, das mit dem Substrat verbunden ist, verbunden sind. Beispielsweise ist das verformbare Element 22a in den Bereichen 46 und 48 der Zwischenschicht 36 an Enden fest mit dem Substrat verbunden und ausgebildet, um eine S-förmige Bewegung auszuführen, wie es im Zusammenhang mit dem verformbaren Element 40 beispielhaft erläutert ist. Das benachbart angeordnete verformbare Element 22b ist mit dem Ankerelement 84 verbunden. Das Ankerelement 84 ist in einem Mittenbereich des verformbaren Elements 22b angeordnet und kann an der Abstandsschicht 34a oder der Schicht 32a mit derselben verbunden sein. Das bedeutet, dass das Substrat ein Ankerelement aufweisen kann.
  • Seitenwände der Zwischenschicht 36, die benachbart zu bewegbaren Enden der verformbaren Elemente 22a oder 22b angeordnet sind, können basierend auf einer Bewegungsform der verformbaren Elemente 22a bzw. 22b geformt sein.
  • 8b zeigt eine schematische Aufsicht des MEMS-Wandlers 80, wobei die Abstandsschicht 34b und die Schicht 32b beispielhaft nicht gezeigt sind. Das MEMS 80 umfasst die Stabelemente 44 in Bereichen der Öffnungen 26. Die Bereiche 48 können die Federelemente 72a–c aufweisen. Die Bereiche 48 sind beispielhaft als Aufsicht der Zwischenschicht 36 dargestellt.
  • Das Ankerelement 84 kann einstückig mit dem verformbaren Element 22b und/oder einer Schicht des Substrats geformt sein. Wie es in 8 dargestellt ist, kann das Ankerelement 84 jedoch entlang der z-Richtung über das verformbare Element 22b hinausragen, um die Schichten 32a und 32b miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht eine verringerte Schwingungsanfälligkeit der Schichten 32a und 32b. Alternativ kann das Ankerelement 84 auch aus einem anderen Stück und/oder aus einem anderen Material wie das mechanisch verformbare Element 22b gebildet sein. Das benachbart hierzu angeordnete verformbare Element 22a ist beispielsweise beidseitig fest mit dem Substrat in den Bereichen 48 oder 46 verbunden, beispielsweise form- oder kraftschlüssig.
  • Ein Abstand 85 zwischen Stabelementen 44 kann beispielsweise geringer sein als 1 μm, als 0,1 μm oder 0,05 μm.
  • Das Ankerelement 84 kann in einem Mittenbereich des verformbaren Elements 22b angeordnet sein. Der Mittenbereich kann bspw. einen geometrischen Schwerpunkt des verformbaren Elementes umfassen. Der Mittenbereich kann bspw. das Balkensegment 30b des verformbaren Elementes 40 sein.
  • 8c zeigt eine schematische perspektivische Ansicht des MEMS-Wandlers 80 in einem ausgelenkten Zustand. Äußere Bereiche des verformbaren Elements 22b können sich in eine Richtung hin zu dem verformbaren Element 22a bewegt haben, wobei Orte der äußeren Enden des verformbaren Elements 22a im Wesentlichen unverändert geblieben sind. Ein Mittenbereich des verformbaren Elements 22a kann sich in eine Richtung des verformbaren Elements 22b bewegt haben, wobei ein Ort des Mittenbereichs des verformbaren Elements 22b basierend auf dem Ankerelement 84 im Wesentlichen unverändert geblieben ist.
  • 8d zeigt eine schematische Aufsicht auf den MEMS-Wandler 80 in dem ausgelenkten Zustand, wie er in 8c beschrieben ist. Das Volumen der Kavität 42 ist verglichen mit der Ansicht der 8b verringert, wohingegen ein Volumen der Teilkavität 38 vergrößert ist. Das Federelement 72a kann zu einer reduzierten Krafteinleitung in das verformbare Element 22a führen, kann jedoch auch nicht angeordnet sein.
  • In anderen Worten zeigen 8a und 8b eine schematische 3D-Darstellung bzw. eine Aufsicht einer Variante, bei der eine Chipfläche des MEMS-Wandlers sehr effizient ausnutzbar ist. Wie in der Basiskonfiguration, wie sie im Zusammenhang mit den 2a–c beschrieben ist, können ausschließlich oder vorwiegend Biegeaktoren eingesetzt werden, d. h. auf das zusätzliche starre Plattenelement kann verzichtet werden. Die Kammer 42 wird, wie in 8a illustriert, durch zwei nicht ausgelenkte S-Aktoren 22a und 22b begrenzt. Der links (negative x-Richtung) begrenzende S-Aktor 22a kann mit seinen beiden Enden in der Zeichnung oben bzw. unten (also entlang der positiven oder negativen y-Richtung) mit dem übrigen Bauelement verbunden sein. Der rechts begrenzende S-Aktor 22b kann an einem Pfosten (Ankerelement) 84 befestigt sein. Die beiden Enden dieses S-Aktors können frei beweglich sein. Der Pfosten 84 kann mit dem oberen und unteren Deckel 32a bzw. 32b fest verbunden sein. Bei anliegendem Signal verbiegen sich beide Aktoren S-förmig. Das in 8a verdeckt dargestellte Federelement 72a, das durch eine Aussparung beeinflusst ist, kann zur Zugentlastung dienen. Das Federelement ist in der Zeichenebene der 8b entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 in dem Element 48 angeordnet, so dass das Federelement 72a entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 fest eingespannt ist. Das Federelement 72a kann, wie es beispielsweise in 8 dargestellt ist, basierend auf den Abstandsschichten 34a und 34b eine feste Verbindung hierzu aufweisen und ebenfalls eingespannt sein. Alternativ können die Schichten 34a und 34b auch so strukturiert werden, dass das Federelement 72a keinen Kontakt zu der Abstandsschicht 34a und/oder 34b aufweist und somit eine höhere Nachgiebigkeit aufweisen kann.
  • Wie es in den 8c und 8d dargestellt ist, können die bauchförmigen Verwölbungen des S-Aktors 22a in Richtung des Pfostens 84 bewegt werden, so dass die Mitte des S-Aktors 22a nahezu die Mitte des S-Aktors 22b berührt. Gleichzeitig haben sich die freien Enden des S-Aktors 22b in Richtung der festen Einspannung des S-Aktors 22a bewegt, so dass diese sich ebenfalls nahezu berühren. Die aktuierte Form der beiden S-Aktoren kann näherungsweise gleich oder identisch sein, so dass sich die Kammer 42 bei genügender Auslenkung der Aktoren praktisch oder nahezu vollständig schließen kann. Das ursprüngliche Volumen der Kammer 42 kann also vollständig für die Generation des Volumenstroms oder für dessen Erfassung eingesetzt werden. Im gleichen Maße, wie die Kammer 42 an Volumen verliert, kann die Kammer 38 an Volumen gewinnen, wodurch bei geeigneter Dimensionierung der die Strömungen beeinflussenden Elemente verhindert werden kann, dass eine zu hohe durch dynamische Effekte auftretende Druckdifferenz zwischen den Kammern 38 und 42 die Bewegung der Aktoren beeinträchtigt. Die Elemente 46 und 48 können so ausgestaltet sein, dass der Abstand zu den freien Enden der Aktoren 22b unabhängig von der Auslenkung der Enden klein und/oder in etwa konstant bleibt. Zur Zugentlastung der Aktoren 22a können, wie oben beschrieben, Biegefederelemente 72a angeordnet sein.
  • Vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiele können weitere Aktoren umfassen, die in entstehenden Strömungskanälen angeordnet sind. Die weiteren Aktoren können bspw. nicht der direkten Schallerzeugung dienen, wie es beispielsweise die elektromechanischen Wandler 18 ermöglichen können, sondern zur variablen Einstellung der Strömungseigenschaften nutzbar sein. Damit kann beispielsweise die Dämpfung und folglich die Breite der Resonanzkurve individuell für jede Kammer anforderungsspezifisch und flexibel während des Betriebs des Bauelements (MEMS-Wandler) angepasst werden.
  • In eingangs aufgeführter Abschätzung wurde die Volumenänderung pro aktiver Fläche (ΔV/A) für einen Membranlautsprecher nach dem Stand der Technik auf 3,75 μm abgeschätzt. Dies kann, wie nachfolgend ausgeführt, für eine in den 8a–c dargestellten MEMS-Wandler anhand von für Mikrotechnik-Technologie sinnvollen Dimensionen erneut abgeschätzt wurden, um eine Abschätzung für eine aktive Fläche ΔV/A zu erhalten. Dazu kann für eine Breite der Aktoren (in in x-Richtung) ein Wert von 5 μm angenommen werden. Die Breite des Pfostens 84 kann einen Wert von ebenfalls 5 μm aufweisen. Für den Abstand der Aktoren, welche die Seitenwände der Kammer 38 bilden, (etwa in den 8a und 8b im unausgelenkten Zustand) können 10 μm angenommen werden. Für einen Abstand der Aktoren, welche die Seitenwände der Kammer 42 bilden, (8a und 8b im unausgelenkten Zustand) können 100 μm angenommen werden. Ein planarer Füllfaktor Fp, der angeben kann, welcher Anteil der aktiven Fläche für die Generation eines Volumenstroms nutzbar ist, kann sich dann zu Fp =100/(5 + 100 + 5 + 10) = 83% ergeben. ΔV/A kann ausgedrückt werden als: ΔV/A = A × Fph/A = Fph
  • In obigem Ausdruck kann h die Höhe der Kammer (bspw. die z-Richtung in 8a) darstellen. Vereinfacht kann hierfür lediglich die Aktorhöhe angenommen werden. Eine Dicke der Abstandsschichten 34a und 34b kann vernachlässigt werden. Im Vergleich mit den obigen 3,75 μm für die Membranlautsprecher wird klar, dass bereits eine Aktorhöhe von lediglich 3,75 μm/Fp (also 4,5 μm) hinreichend ist, um denselben Volumenstrom pro aktiver Fläche zur Verfügung zu stellen. Mit einer in mikromechanischer Technologie ohne erhöhte Aufwände herstellbaren Aktordicke h von in etwa 50 μm kann der Wert bereits um mehr als den Faktor 10 höher liegen als der des MEMS-Membranlautsprechers.
  • In Ausführungsbeispielen gemäß dem MEMS-Wandler 80, die ohne starre Platten ausgeführt sind, können parasitäre Schwingungen aufgrund der deutlich reduzierten Anzahl mechanischer Elemente und mechanischer Verbindungen wesentlich einfacher beherrschbar bzw. reduzierbar sein als in Varianten, die die Plattenelemente und ggf. weitere verformbare Elemente zwischen dem verformbaren Element und dem Plattenelement aufweisen. Ein serielles Hintereinanderschalten von Aktoren, wie beispielsweise in den 7b und 7c dargestellt, kann zur Erzielung größerer Hübe bzw. größerer Kräfte dienen.
  • 9 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines Stapels 90. Der Stapel 90 umfasst einen MEMS-Wandler 80a, der mit weiteren MEMS-Wandlern 80b und 80c zu dem Stapel 90 verbunden und in dem Stapel 90 angeordnet ist. Die elektromechanischen Wandler des MEMS-Wandlers 80a und eines weiteren MEMS-Wandlers 80b und/oder 80c können gemeinsam ansteuerbar sein. Das bedeutet, dass bei gleichbleibender Chipfläche ein Volumenstrom, der erzeugbar oder erfassbar ist, erhöht ist. Obwohl der Stapel 90 so beschrieben ist, dass er die MEMS-Wandler 80a, 80b und 80c umfasst, können alternativ oder zusätzlich andere MEMS-Wandler 10, 20, und/oder 50 angeordnet sein. Obwohl der Stapel 90 so beschrieben ist, dass er drei MEMS-Wandler umfasst, kann der Stapel 90 auch eine andere Anzahl von MEMS-Wandlern, etwa zwei, vier, fünf, sechs oder mehr MEMS-Wandler umfassen. Die Kavitäten oder Teilkavitäten der MEMS-Wandler bzw. benachbarter MEMS-Wandler, die in dem Stapel 90 angeordnet sind, können miteinander verbunden sein. Die Kavitäten oder Teilkavitäten können bspw. durch Öffnungen in Schichten zwischen einzelnen MEMS-Wandlern verbunden sein.
  • In anderen Worten können basierend auf Siliziumtechnologie Scheiben bzw. Chips (MEMS-Wandler) beispielsweise durch Bondverfahren gestapelt werden, so dass sich in diesem Fall, im Gegensatz zu den klassischen Membranlautsprechern, eine weitere Erhöhung des Volumenstroms ergeben kann. Bei einem Einsatz von Technologien zur Abdünnung der einzelnen Scheiben bzw. Chips vor Stapelung kann die Stapelhöhe gering gehalten werden. Eine derartige Technologie kann beispielsweise einen Ätzprozess und/oder einen Schleifprozess umfassen.
  • Eine Reduzierung einer Schichtdicke der Schichten 32a und/oder 32b, die benachbart zueinander angeordnet sind, kann so weit geführt werden, dass eine oder gar beide dieser Schichten entfernt werden. Alternativ oder zusätzlich kann zur Verringerung der Stapelhöhe ein Herstellungsprozess so ausgeführt werden, dass bestimmte Unter- bzw. Oberdeckel (Schichten 32a bzw. 32b) weggelassen werden. Beispielsweise könnte der Stapel 90 so gebildet sein, dass der MEMS-Wandler 80b und/oder 80c jeweils ohne Schicht 32b ausgeführt sind.
  • 10 zeigt eine schematische perspektivische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers 100, bei dem zwischen Seiten des Substrats 14 verformbare Elemente 22a–d angeordnet sind. Die verformbaren Elemente 22a und 22b sind mittelbar über das Ankerelement 84a verbunden. Das bedeutet, dass Enden der verformbaren Elemente 22a und 22b mit dem Substrat, ggf. mit dem Ankerelement 84a fest verbunden und mithin (fest) eingespannt sein können. Das bedeutet, dass die verformbaren Elemente 22a–d oder andere verformbare Elemente gemäß weiterer Ausführungsbeispiele eine Balkenstruktur aufweisen können. Die Balkenstruktur kann an einem ersten und einem zweiten Ende fest eingespannt sein. Eine Einspannung von Enden eines verformbaren Elementes 22a–d bzw. einer Balkenstruktur ermöglicht eine Vorauslenkung der verformbaren Elemente (etwa aufgrund von Schichtspannungsgradienten) zu reduzieren oder deutlich zu reduzieren. Somit können die Spalte zwischen den Deckeln und den Aktoren viel geringer ausfallen, was für einige Anwendungen erhebliche Effizienzvorteile hat Die verformbaren Elemente 22a–d sind bspw. jeweils beidseitig fest eingespannt. Eine feste Einspannung kann mittels einer Anordnung oder Erzeugung der verformbaren Elemente 22a und/oder 22b an dem Substrat 14 und/oder an einem Ankerelement 84a bzw. 84b erhalten werden. Gestrichelte Linien 88 deuten einen unausgelenkten Zustand an, wohingegen durchgezogene Balken 92 eine ausgelenkte Form der verformbaren Elemente 22a–d andeuten. Ausformungen oder Elemente 94a und 94b des Substrats 14 können eine Positionierung der verformbaren Elemente 22a–d entlang der y-Richtung ermöglichen. Eine paarweise Position von elektromechanischen Wandlern 18a–c kann basierend auf den Elementen 94a und 94b verschoben sein. Benachbart und/oder paarweise zueinander angeordnete elektromechanische Wandler 18a und 18b können entgegengesetzt zueinander verformbar sein.
  • Das verformbare Element 22a und ggf. ein gegenüberliegendes verformbares Element 22c können ausgebildet sein, um basierend auf der Verformung einen Teilkavitätsabschnitt 96a zu beeinflussen, d. h. zu vergrößern oder zu verkleinern bzw. um basierend auf dem Volumenstrom in dem Teilkavitätsabschnitt 96a eine Verformung auszuführen.
  • Das verformbare Element 22b und ggf. das gegenüberliegend angeordnete verformbare Element 22d können ausgebildet sein, um einen Teilkavitätsabschnitt 96b zu beeinflussen. Die Teilkavitätsabschnitte 96a und 96b können miteinander verbunden sein, etwa in einem Bereich der Ankerelemente 84a und 84b. Die Verformung der verformbaren Elemente 22a–d kann so erhalten werden, dass sich die verformbaren Elemente 22a und 22c bzw. 22b und 22d mit einer voneinander verschiedenen Frequenz verformen, d. h. eine Volumenänderung in dem Teilkavitätsabschnitt 96a kann mit einer Frequenz erfolgen, die von einer Frequenz verschieden ist, mit der sich ein Volumen des Teilkavitätsabschnitts 96b ändert. Wird der MEMS-Wandler beispielsweise als Lautsprecher genutzt, so können basierend auf der frequenzmäßig verschiedenen Volumenänderung verschiedene Frequenzen in den Teilkavitätsabschnitten erhalten werden. Wird der MEMS-Wandler 100 beispielsweise als Mikrophon verwendet, können die Teilkavitätsabschnitten 96a und 96b beispielsweise voneinander verschiedene Resonanzfrequenzen aufweisen. Alternativ können weitere Teilkavitätsabschnitte und weitere verformbare Elemente entlang der y-Richtung angeordnet sein, so dass der MEMS-Wandler 100 beispielsweise weitere Frequenzen erzeugen oder weitere Resonanzfrequenzen aufweisen kann.
  • Alternativ können die verformbaren Elementen 22a und 22b oder die verformbaren Elemente 22c und 22d auch direkt miteinander verbunden sein. Beispielsweise können Ankerelemente in einem Mittenbereich eines oder mehrerer verformbarer Elemente 22a–d angeordnet sein, um die Verformung der verformbaren Elemente 22a–d zu beeinflussen. Das bedeutet, dass die verformbaren Elemente 22a und 22b unmittelbar miteinander verbunden werden können. Alternativ kann auch ein Federelement oder ein anderes Element zwischen den verformbaren Elementen 22a und 22b angeordnet sein.
  • Der MEMS-Wandler 100 kann so ausgeführt sein, dass in einem ersten Zeitintervall der Volumenstrom 12 in einer positiven y-Richtung aus Öffnungen 26 und nachfolgend, in einem zweiten Zeitintervall der Volumenstrom 12 in einer negativen y-Richtung aus Öffnungen 26 erhalten wird.
  • In anderen Worten zeigt 10 eine Konfiguration in der wiederum, ggf. ausschließlich, S-förmige Aktoren angeordnet sind. Die S-förmigen Aktoren können zur Verdeutlichung des Prinzips in der Abbildung sowohl aktuiert (durchgezogene Linien 92) als auch nicht-aktuiert (gestrichelte Linien 88) darstellbar sein. Aktuierter und nicht-aktuierter Zustand können durch entsprechendes Design auch vertauschbar sein. Die S-förmigen Aktoren (verformbare Elemente 22a–d) können sowohl an ihrem einen (oberen) als auch an ihrem anderen (unteren) Ende eingespannt sein. Dazu können die Ankerelemente 84a–b genutzt werden. Die Ankerelemente 84a–b können aus den Schichten 34a, 36 und 34b gebildet sein und mit einer Schicht 32a und/oder 32b verbunden sein. Abstände zwischen den freien Enden der S-förmigen Aktoren und Elementen 94a oder 94b können basierend auf dieser Konfiguration entfallen. Dies kann geringere Umströmungsverluste ermöglichen. Ein Ausgangssubstrat kann so prozessiert werden, dass aus diesem die Aktoren herstellbar sind, wobei das Ausgangssubstrat Schichtspannungsgradienten aufweisen kann bzw. Schichtspannungsgradienten können während der Herstellung der Aktoren eingeführt werden. Eine dadurch induzierte Auslenkung der verformbaren Elementen kann basierend auf der Anordnung der Ankerelemente 84a und/oder 84b reduziert oder verhindert werden. Insbesondere kann die beidseitige Aufhängung der verformbaren Elemente zu einer Verringerung oder Verhinderung einer Auslenkung derselben in Richtung einer der Schichten 32a oder 32b führen. Die Abstandschichten 34a bzw. 34b können dementsprechend dünner ausfallen, was wiederum eine Reduktion der Umströmungsverluste bewirken kann. Je Kammer (Teilkavitätsabschnitt 96a oder 96b) kann durch zwei S-förmige Aktoren begrenzt sein. In dem Beispiel der 10 können zwei Kammern seriell hintereinander geschaltet sein. Die Anzahl der seriell geschalteten Kammern kann basierend auf einer auf dem Chip zur Verfügung gestellten Fläche unter Berücksichtigung der akustischen Eigenschaften, insbesondere der Resonanzfrequenz der S-förmigen Aktoren bzw. des Aktor-Kammersystems wählbar sein und kann zwischen 1 und einer hohen Zahl, beispielsweise mehr als 3, mehr als 5 oder mehr als 10 variieren.
  • Die Elemente 94a und 94b können optional angeordnet sein, d. h. der MEMS-Wandler 100 kann auch ohne diese Elemente ausgeführt sein. Wird beispielsweise aufgrund einer speziellen Gestaltung oder Ansteuerung der elektromechanischen Wandler und/oder der verformbaren Elemente ein entsprechender Teil des Aktors nicht ausgelenkt, so kann auf eine Beabstandung mittels der Elemente 94a oder 94b von dem Substrat 14 verzichtet werden. Es kann ein Mehrfach-S-Aktor (wellenförmiger Aktor) ausgeführt werden. Insbesondere ermöglicht dies ein Erhalten niedriger Resonanzfrequenzen basierend auf dieser Anordnung, da eine Resonanzfrequenz des Balkens (verformbaren Elements) mit zunehmender Länge abnehmen kann.
  • 11a zeigt eine schematische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers 110, bei dem die elektromechanischen Wandler 18a–b verglichen mit der Konfiguration der 10 bezogen auf eine laterale Richtung des Substrats 14, beispielsweise die x-Richtung, schräg angeordnet sind. Bei einer verglichen mit dem MEMS-Wandler 100 gleichen Ausdehnung entlang der y-Richtung können die elektromechanischen Wandler 18a–b eine längere axiale Ausdehnung aufweisen. Dies kann größere Teilkavitätsabschnitte 96a und/oder 96b und/oder eine höhere Anzahl von seriell hintereinander geschalteten Teilkavitätsabschnitte bzw. verformbaren Elementen ermöglichen.
  • Ein äußeres Balkensegment 30a eines verformbaren Elements kann mittelbar über das Ankerelement 84 mit einem äußeren Balkensegment 30c eines weiteren Verformbaren Elementes mit einander verbunden sein. Alternativ können die Balkensegmente 30a und 30c auch unmittelbar, d. h., direkt, mit einander verbunden sein.
  • In anderen Worten zeigt 11a ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die aktive Fläche gegenüber den Ausführungen der 10 um 45° gedreht ist, wobei ggf. die zur Verfügung stehende Chipfläche in einem höheren Umfang ausnutzbar ist. Trichterförmige Öffnungen 26 können so gestaltet werden, dass der Schall vorzugsweise senkrecht zur Chipkantenfläche, d. h. entlang der y-Richtung in positiver oder negativer Richtung hiervon emittiert werden kann.
  • Jedes der vorangehend beschriebenen verformbaren Elemente kann auch als eine Vielzahl von miteinander verschalteten verformbaren Elementen gebildet sein.
  • 11b zeigt eine schematische Aufsicht auf einen Ausschnitt eines MEMS-Wandlers 110', der bspw. als Pumpe einsetzbar ist. Verglichen mit dem MEMS-Wandler 110 aus 11a können die Teilkavitätsabschnitte 96a und 96b Öffnungen Öffnungen 26a und 26b mit einer Umgebung des MEMS-Wandlers 110 verbunden sein. Die Teilkavitätsabschnitte 96a und 96b können über die Öffnung 26a mit einer ersten Seite 97a des MEMS-Wandlers 110' verbunden sein und über die Öffnung 26b mit einer zweiten Seite 97a des MEMS-Wandlers 110' verbunden sein. Die erste Seite 97a und die zweite Seite 97b können bspw. gegenüberliegend zueinander angeordnet sein. Alternativ können die Seiten 97a und 97b auch einen Winkel zueinander aufweisen. Bspw. kann eine der Seiten 97a oder 97b eine Seitenfläche des MEMS-Wandlers 110' aufweisen und die andere Seite 97b oder 97a eine Hauptseite (bspw. eine Ober- oder Unterseite) des MEMS-Wandlers 110' umfassen.
  • Basierend auf eine Verformung der verformbaren Elemente 22a–d kann der Fluidstrom von der ersten Seite 97a zu der zweiten Seite 97b oder andersherum durch den MEMS-Wandler 110' hindurch generierbar sein. Bspw. können die verformbaren Elemente 22a und 22c in einem ersten Zeitintervall verformt und das Volumen des Teilkavitätsabschnitts 96a verkleinert werden. In einem zweiten Zeitintervall kann das Volumen des Teilkavitätsabschnitts 96b verkleinert werden. Basierend auf einer Reihenfolge der Verkleinerung oder Vergrößerung der Volumina kann eine Richtung des Volumenstroms 12 beeinflusst werden. Alternativ können auch mehrere Teilkavitätsabschnitte hintereinander angeordnet sein oder lediglich ein Teilkavitätsabschnitt angeordnet sein.
  • Vereinfacht ausgedrückt kann die Funktion einer Pumpe erhalten werden, indem der Volumenstrom 12 anstelle von Hin und Her analog zu einem Lautsprecher gemäß einem Durchflussprinzip durch den MEMS-Wandler erzeugt wird. Eine Ein- und eine Austrittsseite des MEMS-Wandlers können gegenüberliegend angeordnet sein, können aber alternativ auch einen Winkel zu einander aufweisen oder an der gleichen Seite örtlich oder fluidisch voneinander beabstandet sein. Die Kavität umfassend die Teilkavitätsabschnitte 96a und 96b kann die Öffnungen 26a und 26b in dem Substrat aufweisen. Zumindest einer der elektromechanischen Wandler 18a oder 18b kann ausgebildet sein, um den Volumenstrom 12 basierend auf dem Fluid bereitzustellen. Bspw. kann zumindest einer der elektromechanischen Wandler 18a oder 18b ausgebildet sein, um das Fluid basierend auf einer Aktuierung des elektromechanischen Wandler durch die erste Öffnung 26a in eine Richtung der Kavität zu befördern oder, um das Fluid basierend auf der Aktuierung durch die zweite Öffnung 26b in eine Richtung weg von der Kavität zu befördern oder andersherum.
  • Obwohl eine Pumpenfunktion im Zusammenhang mit dem MEMS-Wandler 110 beschrieben ist, können auch andere hier beschriebene Ausführungsbeispiele als Pumpe oder Mikropumpe nutzbar sein, etwa indem eine Anordnung von Öffnungen der Kavität, Teilkavität oder zumindest eines Teilkavitätsabschnitts angepasst wird.
  • Bei einer gleichzeitigen Auslenkung der verformbaren Elemente 22a und 22e kann in einem dazwischenliegenden Volumen ein Unterdruck (alternativ Überdruck) resultieren, der der Verformung oder Auslenkung entgegenwirkt. Das Volumen kann eine Öffnung aufweisen, bspw. in der Schicht 32a und/oder 32b, so dass ein Druckausgleich in diesem Volumen ermöglicht ist. Dies ermöglicht einen effizienten Betrieb des MEMS-Wandlers 110'.
  • 12a zeigt eine schematische Ansicht eines MEMS-Wandlers 120, der bspw. als MEMS-Pumpe einsetzbar ist, in einem ersten Zustand. Der MEMS-Wandler 120 weist bspw. zwei verformbaren Elemente 22a und 22b auf, die eine Balkenstruktur ausweisen und beidseitig an dem Substrat 14 eingespannt oder fest eingespannt sind. Alternativ kann der MEMS-Wandler 120 auch mit einem verformbaren Element oder mit mehr als zwei verformbaren Elementen ausgeführt sein.
  • 12b zeigt den MEMS-Wandler 120 in einem zweiten Zustand. Basierend auf einer Verformung zumindest eines verformbaren Elementes 22a und/oder 22b kann ausgehend von dem ersten Zustand, wie er in 12a dargestellt ist, der zweite Zustand erhalten werden. Ausgehend von dem zweiten Zustand kann basierend auf einer Rückverformung des oder der verformbaren Elements oder Elemente der erste Zustand erhalten werden. In dem zweiten Zustand ist die Teilkavität 38 zwischen den verformbaren Elementen 22a und 22b bspw. gegenüber dem ersten Zustand vergrößert. Während eines Übergangs vom ersten in den zweiten Zustand kann ein Unterdruck in der Teilkavität 38 entstehen. Währen eines Übergangs vom zweiten Zustand in den ersten Zustand kann ein Unterdruck in der Teilkavität 38 entstehen.
  • Zwischen einem verformbaren Element 22a bzw. 22b und dem Substrat 14 ist eine Teilkavität 42a bzw. 42b angeordnet, deren Volumina komplementär zu dem Volumen der Teilkavität 38 verkleinert bzw. vergrößert werden können, wobei ebenfalls komplementär zu der Teilkavität 38 ein Überdruck bzw. Unterdruck basierend auf der Verformung der verformbaren Elemente erhalten werden kann.
  • In einem Bereich einer jeweiligen Öffnung 26 kann eine Ventilstruktur 85a–f angeordnet sein. Eine oder mehrere Ventilstrukturen 85a–f können bspw. aus einem Material des Substrats 14 gebildet sein. Die Ventilstrukturen können einstückig mit einer oder mehreren Schichten des Substrats 14 gebildet sein und bspw. mittels eines Ätzprozesses erzeugt werden.
  • Die Ventilstrukturen können ausgebildet sein, um einen Durchfluss des Volumenstroms 12 durch die Öffnung 26 zumindest entlang einer Richtung zu behindern, d. h., zu reduzieren oder zu verhindern. Bspw. können die Ventilstrukturen 85b, 85d und 85f ausgebildet sein, um einen Austritt des Fluids aus der jeweiligen Teilkavität zu reduzieren oder zu verhindern. Alternativ oder zusätzlich können die Ventilstrukturen 85a, 85c und 85e ausgebildet sein, um einen Eintritt des Fluids in die jeweilige Teilkavität zu reduzieren oder zu verhindern. Eine oder mehrere Ventilstrukturen 85a–f können passiv ausgebildet sein, etwa als einseitig eingespannte Biegebalkenstruktur oder Zungenstruktur. Alternativ oder zusätzlich können eine oder mehrere Ventilstrukturen 85a–f aktiv ausgebildet sein, etwa als elektromechanischer Wandler oder verformbares Element. Vereinfacht ausgedrückt, können die Ventilstrukturen 85a–f wie die anderen Aktoren (elektromechanischer Wandler) des MEMS-Wandlers aktuierbar sein.
  • Die Ventilstruktur 85d kann bspw. ausgebildet sein, um basierend auf einem Unterdruck in der Teilkavität 38 den Volumenstrom 12 in die Teilkavität 38 einströmen zu lassen, während die Ventilstruktur 85c gleichzeitig einen Eintritt des Volumenstrom 12 in die Teilkavität 38 reduziert oder verhindert. Tritt, wie in 12b gezeigt, ein Überdruck in der Teilkavität 38 auf, so kann die Ventilstruktur 85c ausgebildet sein, um basierend auf dem Überdruck den Volumenstrom 12 aus der Teilkavität 38 ausströmen zu lassen, während die Ventilstruktur 85d gleichzeitig einen Austritt des Volumenstrom 12 aus der Teilkavität 38 reduziert oder verhindert.
  • Eine Funktion der Ventilstrukturen 85a, 85b bzw. 85e und 85f kann bzgl. der Teilkavitäten 42a bzw. 42b gleich oder vergleichbar sein. Die Ventilstrukturen 85a–f können auch als Rückschlagventile bezeichnet werden und ermöglichen bspw. eine Einstellung einer Vorzugsrichtung des Volumenstrom 12.
  • Obwohl der MEMS-Wandler so beschrieben ist, dass bspw. der Volumenstrom aus den Teilkavitäten 38, 42a und 42b entlang der gleichen Richtung (positive y-Richtung) und während unterschiedlichen Zeitintervallen, während denen ein Übergang zwischen dem ersten und dem zweiten Zustand erfolgt, strömt, können die Ventilstrukturen auch so angeordnet sein, dass der Volumenstrom aus zumindest einer Teilkavität 38, 42a oder 42b entlang einer anderen Richtung, etwa der negativen y-Richtung strömt.
  • Obwohl der MEMS-Wandler so beschrieben ist, dass die Ventilstrukturen 85a–f an jeder Öffnung 26 angeordnet sind, können alternativ Ventilstrukturen an keiner oder lediglich einigen Öffnungen 26 angeordnet sein.
  • In anderen Worten kann im ersten Zustand die mittlere Kammer (Teilkavität 38) durch die beiden dunkel dargestellten Aktoren (verformbaren Elemente 22a und 22b) expandiert werden, während die beiden äußeren Kammern (Teilkavitäten 42a und 42b) komprimiert werden. Erstere Kammer füllt sich über das Rückschlagventil 85d mit dem Fluid aus dem unteren Bereich. Letztere drücken durch das Rückschlagventil 85a bzw. 85e Fluid in den oberen Bereich. Im zweiten Zustand wird die mittlere Kammer komprimiert. Fluid wird in den oberen Bereich gedrückt. Die äußeren Kammern füllen sich mit dem Fluid aus dem unteren Bereich.
  • 13 zeigt eine schematische Ansicht eines ersten verformbaren Elements 22a und eines zweiten verformbaren Elements 22b, die entlang einer lateralen Erstreckungsrichtung 98 des verformbaren Elements 22a und/oder 22b miteinander verbunden sind. Zwischen dem verformbaren Element 22a und dem verformbaren Element 22b ist ein Federelement 102 angeordnet. Das Federelement 102 kann reduzierte mechanisch induzierte Rückstellkräfte in den verformbaren Elementen 22a und 22b bewirken. Beispielsweise kann das Federelement 102 in einer Richtung 98, die senkrecht zu der Richtung 98 angeordnet ist, eine geringe Steifigkeit aufweisen und entlang einer Richtung 98'', die senkrecht zu der Richtung 98 und 98' im Raum angeordnet sein kann, eine hohe Steifigkeit. Die verformbaren Elemente 22a und 22b und das Federelement 102 können beispielsweise als das verformbare Element 22a in dem MEMS-Wandler 110 angeordnet sein.
  • In anderen Worten können zur Zugentlastung der beidseitig eingespannten S-förmigen Aktoren 22a–d an Einspannungsorten oder beispielsweise auch in einem Bereich zwischen Einspannungsorten, etwa mittig, der Aktoren geeignete Federelemente 102 angeordnet werden. Das Federelement 102 ist beispielsweise in der Mitte der Aktoren eingesetzt und ist in der gewünschten Richtung (98') besonders flexibel und in den beiden Richtungen (98 und 98'') steif, d. h. es weist eine hohe oder höhere Steifigkeit auf. Das Federelement 102 kann zwischen auslenkbaren Enden der verformbaren Elemente 22a und 22b angeordnet sein. Das Federelement 102 kann entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 eine geringere Steifigkeit aufweisen als in eine Richtung senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung 24.
  • 14 zeigt eine schematische Ansicht eines Stapels 140 umfassend einen MEMS-Wandler 80'a und einen MEMS-Wandler 80'b, die miteinander verbunden sind und verglichen mit dem MEMS-Wandler 80 eine gemeinsame Schicht 32 aufweisen, das bedeutet, eine Schicht 32a oder 32b des MEMS-Wandlers 80 ist entfernt.
  • Ferner weist der MEMS-Wandler 80'a in der Schicht 32b die Öffnungen 26 auf, das bedeutet, verglichen mit dem MEMS-Wandler 80 ist eine Abstrahlrichtung des Volumenstroms 12 bzw. einer Eindringrichtung des Volumenstroms 12 senkrecht verkippt, Das bedeutet, dass eine Deckelfläche des MEMS-Wandlers eine Außenseite des Stapels bilden kann, wobei der MEMS-Wandler eine Öffnung in der Deckelfläche aufweisen kann, die einer dem zweiten MEMS-Wandler zugewandten Seite abgewandt angeordnet ist, wobei der Volumenstrom 12 des MEMS-Wandlers 80'a senkrecht oder entgegengesetzt zu dem Volumenstrom des MEMS-Wandlers 80'b aus oder in die Kavität eintritt.
  • An dem MEMS-Wandler 80'a kann ein Membranelement 104 angeordnet sein. Das Membranelement 104 kann so angeordnet sein, dass ein Austritt des Volumenstroms 12 aus der Kavität und durch das Membranelement 104 hindurch oder ein Eintritt des Volumenstroms 12 in die Kavität 16 zumindest teilweise zu verhindert ist. Die Kavität kann sich auf Bereiche ersteckend, die außerhalb des MEMS-Wandlers 80'a angeordnet sind und zwischen dem MEMS-Wandler 80'a und dem Membranelement 104 angeordnet sind. Basierend auf dem Volumenstrom 12 kann eine Auslenkung des Membranelements 104 bewirkbar sein. Das Membranelement 104 kann bspw. mittels einer Rahmenstruktur 106 an dem MEMS-Wandler 80'a angeordnet sein. Die Rahmenstruktur 106 kann an einer Seite des MEMS-Wandlers 80'a angeordnet sein, etwa an einer Hauptseite der Schicht 32b.
  • Alternativ kann auch eine Verkippung um einen von 90° verschiedenen Winkel ausgeführt sein. Der MEMS-Wandler 80'b kann Öffnungen an oder in der Schicht 32b aufweisen, so dass der Volumenstrom 12 an zwei Seiten des Stapels 140 in Kavitäten und/oder aus Kavitäten ein- bzw. austreten kann, wobei die Seiten einander entgegengesetzt angeordnet sind.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Stapel 140 auch einen weiteren oder anderen MEMS-Wandler aufweisen, etwa den MEMS-Wandler 20 oder 80. Beispielsweise kann der MEMS-Wandler 20 zwischen den MEMS-Wandlern 80'a und 80'b angeordnet sein. Dies ermöglicht einen Eintritt oder Austritt des Volumenstroms 12 in oder aus Kavitäten entlang einer Richtung, die senkrecht zu einer entsprechenden Richtung des MEMS-Wandlers 80'a ist.
  • In anderen Worten können Schallaustrittsöffnungen 26 statt an den Chipseitenflächen auch im unteren Deckel 32a und/oder im oberen Deckel 32b angebracht sein. 14 zeigt eine entsprechende vereinfachte Darstellung. Die Öffnungen 26 im oberen Deckel 32b sind erkennbar. Ähnliche Öffnungen können sich im unteren Deckel 32b befinden, sind jedoch basierend auf der perspektivischen Ansicht nicht erkennbar. Die Schicht 32 kann ebenfalls Öffnungen aufweisen, das bedeutet, Kavitäten, Teilkavitäten und/oder Teilkavitätsabschnitte der MEMS-Wandler 80'a und 80'b können miteinander verbunden sein. Über die Öffnungen in der Schicht 32 können vertikal (entlang der z-Richtung) übereinanderliegende Kammern miteinander verbunden sein.
  • Ein Gitter umfassend ein oder mehrere Stabelemente (Gitterstege) 44, das zur Einstellung der Dämpfung und insbesondere als Schutz vor Partikeln ausgebildet sein kann, kann auch in der in 14 beschriebenen Variante einfach realisiert werden. Beispielsweise können die Öffnungen 26 in den oberen Deckel 32b bzw. den unteren Deckel 32a durch ein nass- oder trockenchemisches Ätzverfahren ausgebildet werden. Vor der Ätzung kann in einer zusätzlich aufgebrachten dünnen Schicht, welche eine geeignet hohe Selektivität gegenüber der Ätzung der Öffnungen hat, das gewünschte Gitter strukturiert werden. Für die Ätzung der Öffnungen 26 kann nun ein Ätzverfahren mit geeigneter hoher Isotropie bzw. lateraler Unterätzung gewählt werden, so dass es zur Unterätzung der Gitterstege 44 kommen kann. Beispielhaft kann das Gitter in einer Siliziumoxid- oder Nitridschicht hergestellt sein und die Deckel aus Silizium, welche dann mittels tiefenreaktiven Ionenätzen (Deep Reactive Ion Etching – DRIE) strukturiert werden können. Dieser Prozess kann so eingestellt werden, dass Unterätzungen in der Größenordnung von Mikrometern erreichbar sind. Alternativ kann beispielsweise eine nasschemische Ätzung mit Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) und/oder Kaliumhydroxid (KOH) bzw. Nitridsäure (Nitric Acid – HNA) ausgeführt werden.
  • Bei entsprechender trichterförmige Gestaltung der Öffnungen im unteren Deckel 32a und im oberen Deckel 32b kann so die Schallaustrittsfläche einen größeren Anteil der Chipfläche umfassen und ggf. verglichen mit MEMS-Wandlern, die einen Austritt an einer Seitenfläche aufweisen, wie etwa der MEMS-Wandler 80, größer gestaltet werden. Diese Option bietet in Bezug auf die akustischen Eigenschaften und in Bezug auf die Dämpfung weiteren Gestaltungsspielraum. Eine Kombination von Schallaustrittsöffnungen in den Deckeln 32a und 32b und den Seitenflächen zwischen den Deckelflächen 32a und 32b ist ein Merkmal weiterer Ausführungsbeispiele. Eine bevorzugte Variante für hochintegrierte Systeme kann die Anbringung von Öffnungen im Deckel 32b umfassen, um den Schall nach oben abzugeben und die Anbringung der Druckausgleichsöffnungen an der Seite umfassen, um das Bauelement einfach, beispielsweise auf eine gedruckte Leiterplatte aufbringen zu können.
  • Generell können die Schalleintrittsöffnungen bzw. Schallaustrittsöffnungen 26 so gestaltet werden, dass die akustischen Eigenschaften und/oder die Dämpfungseigenschaften gezielt eingestellt werden. Die unteren und/oder oberen Schichten 32a und 32b können prinzipiell ebenfalls schwingungsfähig sein. Die Schwingung dieser Elemente kann durch geeignete zusätzliche Verbindungselemente in den dazwischenliegenden Schichten 34a und 34b bzw. 36 unterdrückt bzw. reduziert werden, etwa durch die Ankerelemente 84. Die Unterdrückung oder Reduzierung kann umfassen, die Schwingung in einen Frequenzbereich zu verschieben, der außerhalb des Hörschalls liegt. Alternativ oder zusätzlich kann die Schwingung der Schichten 32a und/oder 32b auch gezielt zur Optimierung der akustischen Abstrahlung implementiert sein, wobei ebenfalls gezielte Verbindungen in den Schichten einsetzbar sein können und zusätzlich die Steifigkeit bzw. die akustischen Eigenschaften der Schichten 32a und 32b durch entsprechende Strukturierung (durchgehende Öffnungen oder Sacklöcher) einstellbar sein können.
  • Außerdem ist es möglich, auf den oberen Deckel 32b eine Membran aufzubringen, welche dann durch den Volumenstrom 12 der Kammern zu einer Schwingung angeregt wird. Dies ist schematisch durch die gestrichelte Linie 104 angedeutet. In einem einfachen Fall kann dazu auf dem oberen Deckel 32b ein Abstandshalter in Form eines Rahmens oder Spacers (Abstandshalter) 106 angeordnet sein, an dem die Membran 104 angeordnet oder aufgespannt sein kann. Die Herstellung einer solchen Membran 104 kann mit bekannten mikromechanischen Prozessen erfolgen. Alternativ kann die Membran 104 auch im Inneren der Kavität oder Teilkavität angeordnet sein und/oder lediglich eine oder einen Anteil der Öffnungen 26 bedecken.
  • Für manche der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele der MEMS-Wandler (etwa MEMS-Lautsprecher-Bauelemente) kann gelten, dass es Kammern gibt, welche unabhängig von einigen, mehreren oder allen anderen Kammern einen Teilvolumenstrom erzeugen können, etwa in Teilkavitäten oder Teilkavitätsabschnitten. Es können Kammern realisiert sein, welche aus in lateraler und/oder vertikaler Richtung zusammenhängenden Teilkammern bestehen (lateral siehe beispielsweise 10 und 11) (vertikal siehe beispielsweise 14), wobei Ausführungsbeispiele auch eine Kombination hiervon zeigen. Solche zusammenhängenden Teilkammern (etwa die Teilkavitätsabschnitte 94a und 94b) können genutzt werden, um einen von anderen Kammern oder Teilkammern unabhängigen oder abhängigen Teilvolumenstrom zu erzeugen. Ein Fall, in welchem eine Kammer (Teilkavität) einen Volumenstrom unabhängig voneinander erzeugen kann, kann als Mono-Kammer bezeichnet werden. Eine Kammer, die basierend auf mehreren Teilkammern (Teilkavitätsabschnitte) einen Volumenstrom erzeugen kann, kann als Komposit-Kammer bezeichnet werden.
  • Vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiele sind so modifizierbar, dass beide Arten von Kammern beliebig kombinierbar sind. Es sind also Ausführungsbeispiele möglich, bei welchen ausschließlich Mono-Kammern oder ausschließlich Komposit-Kammern angeordnet sind. Alternativ sind Ausführungsbeispiele realisierbar, bei denen beide Kammerarten angeordnet sind.
  • In andere Worten können bei Verwendung von ausschließlich Mono-Kammern die Resonanzfrequenzen aller Aktor-/Kammersysteme identisch sein oder auch unterschiedlich gestaltet werden. So können beispielsweise bestimmte Frequenzbereiche in der Schallabstrahlung durch eine vermehrte Anzahl entsprechender Mono-Kammern hervorgehoben werden. Insbesondere kann durch entsprechende Verteilung der Resonanzfrequenzen und die Breite der Resonanzkurven via der Dämpfung z. B. durch die Dimensionierung der Gitteröffnungen oder allgemein der Schallaustrittsöffnungen bzw. der Strömungskanäle eine Gestaltung des Frequenzverlaufs (Schalldruckpegel als Funktion der Frequenz) erreicht werden. Vor allem die Glättung des Frequenzverlaufs spielt dabei eine wesentliche Rolle.
  • Teilkavitäten und/oder Teilkavitätsabschnitte können basierend auf räumlichen Ausdehnungen der Volumina, einer Geometrie der elektromechanischen Wandler und/oder einer Frequenz mit der die elektromechanischen Wandler betrieben werden, den Volumenstrom mit unterschiedlicher Frequenz aussenden und/oder auf die Erfassung bestimmter Frequenzen des Volumenstroms optimiert sein.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel sind ausschließlich Mono-Kammern verwendet. Die Schallaustrittsöffnungen können ausschließlich seitlich angeordnet sein. Drei Chips/Scheiben (MEMS-Wandler) können übereinander gestapelt sein. Der obere Chip kann für eine Schallabstrahlung in einem ersten (etwa hohen Frequenzbereich) optimiert sein. Ein zweiter, etwa mittlerer, MEMS-Wandler kann einen zweiten Frequenzbereich (etwa mittlere Frequenzen) angepasst sein. Ein dritter MEMS-Wandler kann für einen dritten Frequenzbereich angepasst sein, etwa für tiefe Frequenzen. Damit kann ein Drei-Wege-Lautsprecher erhalten werden. Die Anordnung der drei Kanäle (drei MEMS-Wandler) könnte ebenso in einem Chip geschehen, indem lateral eine erste Anzahl N1 von Kammern für die hohen Frequenzen, eine zweite Anzahl N2 von Kammern für mittlere Frequenzen und eine dritte Anzahl N3 für tiefe Frequenzen verwendet wird. Dieses Prinzip ist für ein N-Wegesystem in lateraler und bei Stapelung auch in vertikaler Richtung einfach erweiterbar. In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist ein N-Wegesystem so ausgestaltet, dass der Schall über Fouriersynthese der entsprechenden Harmonischen mit den Frequenzen N·f1 erzeugt werden, wobei f1 die niedrigste Frequenz darstellt.
  • Das bedeutet, dass ein MEMS-Wandler mit zumindest einem weiteren MEMS-Wandler zu einem Stapel angeordnet sein kann, wobei ein Stapel bspw. durch eine Anordnung von zumindest zwei MEMS-Wandlern entlang einer lateralen Richtung (etwa der x-Richtung) und/oder einer Dickenrichtung (etwa der z-Richtung) erhalten werden kann. Alternativ können die MEMS-Wandler auch beabstandet von einander angeordnet sein. Die Kavität des MEMS-Wandlers und die Kavität des zumindest einem weiteren (zweiten) MEMS-Wandlers können eine von einander verschiedene Resonanzfrequenz aufweisen.
  • Bei einem Aktorbetrieb, d. h., die verformbaren Elemente werden aktiv verformt, kann ein N-Wege Lautsprecher erhalten werden, wobei N eine Anzahl von MEMS-Wandlern mit voneinander verschiedenen Resonanzfrequenzen bezeichnet. Bei einem Sensorbetrieb können bspw. voneinander verschiedene Frequenzbereiche des Volumenstroms mit verschiedenen MEMS-Wandlern erfasst werden. Dies ermöglicht bspw. eine Fouriersynthese des Volumenstroms. Bspw. kann die Steuervorrichtung 128 ausgebildet sein, um die Verformung der verformbaren Elemente eines oder mehrerer der elektromechanischen Wandler des MEMS-Wandlers und des weiteren MEMS-Wandlers zu erfassen. Die Steuervorrichtung kann ausgebildet sein, um eine Fouriersynthese (Fourieranalyse) basierend auf den elektrischen Signalen zu berechnen und ein Ergebnis auszugeben.
  • Die eben dargestellten Beispiele unter Verwendung von Mono-Kammern können ebenso bei Verwendung von Komposit-Kammern realisiert werden, wobei die einzelnen Teilkammern einer Komposit-Kammer identische Resonanzfrequenzen aufweisen.
  • Bei Verwendung von Komposit-Kammern können die zusammenhängenden Teilkammern aber auch unterschiedliche Frequenzen durch entsprechende Lage der Resonanzmaxima unterstützen. So könnten beispielsweise drei Teilkammern ein Drei-Wege-System darstellen. Der z. B. in der hinteren Teilkammer (erster Abschnitt entlang einer axialen Ausdehnung) tieffrequent modulierte Luftstrom würde in der mittleren Teilkammer (zweiter Abschnitt entlang einer axialen Ausdehnung) zusätzlich eine mittelfrequente und im vorderen Teil der Kammer (dritter Abschnitt entlang einer axialen Ausdehnung) zusätzlich eine hochfrequente Modulation erfahren.
  • Bei hohen Frequenzen kein ein erforderlicher Hub, also eine Auslenkung der elektromechanischen Wandler geringer sein, als bei tiefen Frequenzen, um den gleichen Schalldruck zu erzeugen. Die Kammern oder Teilkammern, welche für hohe Frequenzen eingesetzt werden, können damit mit geringerem Kammervolumen bzw. Abstand der die Kammer eingrenzenden aktorischen Seitenwände gestaltet werden.
  • Beim Betrieb kann zwischen Kammern gleicher Frequenz ein Phasenversatz über die Ansteuerung eingebracht werden, so dass die Wellenfront verkippt wird und nicht senkrecht zur Oberfläche austritt (Phased-Array).
  • In allen bisher und im Folgenden vorgestellten Varianten ist jede Kammer von mindestens einer zweiten Kammer umgeben, in welche zum Druckausgleich Luft einströmt, wenn in die erste Kammer Luft einströmt bzw. anders herum. Offensichtlich ist dies vor allem dann, wenn zwischen diesen Kammern keine Trennwände existieren, da ein Aktor bei seiner Bewegung das Volumen der einen Kammer vergrößert und dabei gleichzeitig das Volumen der anderen Kammer verringert bzw. anders herum.
  • Für den Einsatz z. B. als Lautsprecher in Hörgeräten oder In-Ear-Kopfhörern wird häufig die Außenluft (also die außerhalb des Ohres) nicht durch den Lautsprecher bewegt. Vielmehr wird lediglich durch die Schwingung z. B. einer Membran das Volumen im Ohrkanal periodisch variiert. Dies kann bei allen dargestellten und im Folgenden vorgestellten Varianten erfolgen, indem die entsprechenden Öffnungen, die bei den dargestellten Varianten entweder auf einer Chipoberseite, einer Chipunterseite oder an einer Chipseitenflächen liegen, verschlossen bleiben. Dazu ist lediglich an diesen Stellen auf die Strukturierung der Stabgitter zu verzichten.
  • Generell gilt und für alle Lautsprechereinsatzgebiete gilt, dass Stabgitter an bestimmten Stellen oder komplett auch durch eine geschlossene Membran ersetzt werden können. Damit wird die Partikelempfindlichkeit maximal reduziert und der Betrieb insbesondere auch in kontaminierenden bzw. korrosiven Gasen und Flüssigkeiten ermöglicht.
  • Im Folgenden werden Maßnahmen im Design und dem Betrieb der Biegeaktoren vorgestellt, welche zum Ziel haben den gewünschten Frequenzgang möglichst gut darstellen zu können.
  • Durch Einbinden mehrerer zusätzlicher Federelemente, welche den Biegeaktor in einzelne Elemente einteilt, kann die effektive Steifigkeit der Aktoren und damit die Resonanzfrequenz verringert werden. Beispielhaft sei auf verwiesen, wo ein einzelnes Federelement eingesetzt wurde, um den Biegeaktor in zwei Elemente zu teilen. Die Einteilung in zwei oder mehr Elemente ist zum Erreichen einer Resonanzfrequenz im niedrigen Frequenzbereich des Hörschalls wichtig, da die Biegeaktoren ohne eine solche Maßnahme bei üblichen Dimensionen der Biegeaktoren (z. B. Breite 5 μm, Länge 2 mm, Material Silizium) Eigenfrequenzen im kHz-Bereich aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann gezielt ein zusätzliches Masseelement am Biegeaktor oder auch an der ggf. vorhandenen starren Platte vorgesehen werden, um die Resonanzfrequenz zu verringern. Ein solches Element kann in einfacher Weise bei der Strukturierung der Schicht 36 vorgesehen werden. Die Wirkungsweise einer zusätzlichen Masse Δm kann an einem Modell des Harmonischen Oszillators erläutert werden.
  • Die Schwingungsamplitude A(ω) eines Elements der Masse m, das über eine Feder der Steifigkeit k aufgehängt ist, ist bei sinusförmiger Anregung mit einer Kraft der Amplitude F0 gegeben als:
    Figure DE102015210919A1_0002
  • Dabei ist ω die Kreisfrequenz der Anregung und c die Dämpfungskonstante. Wird der Resonator im quasistatischen Bereich betrieben, so ist die Amplitude unabhängig von der Masse. Es gilt für ω << ω0: A(ω) ≈ F0/k (Glg. 4)
  • Eine zusätzliche Masse Δm ändert also die Eigenfrequenz ω0 auf den niedrigeren Wert ω0–, die Amplitude der Schwingung bleibt allerdings unverändert. Anders stellt sich die Situation dar, wenn der Biegeaktor im Bereich seiner Eigenfrequenz betrieben wird. Für ω ≈ ω0 kann der erste Term in der Wurzel von Glg. 3 gegen den zweiten Term vernachlässigt werden und es gilt: A(ω) ≈ F0/(cω0–) (Glg. 5)
  • Da ω0– umgekehrt proportional zur Wurzel aus der Masse des Schwingers ist, bewirkt eine Erhöhung der Masse eine entsprechende Verringerung von ω0– und somit eine Zunahme der Amplitude. Der Mehrgewinn an Amplitude ergibt sich unter der Bedingung c ω0– < k. Weiter oben wurde bereits die Möglichkeit beschrieben, dass die Biegebalken so aufgebaut werden, dass sie sich je nach Adressierung bzw. Signal in die eine oder andere Richtung verbiegen können. Damit ist die Rückstellkraft nicht mehr notwendigerweise über die mechanische Federwirkung bei Verbiegung des Balkens aufzubringen. Umso geringer die Steifigkeit eines solchen Biegebalkens gewählt wird, umso größer ist bei fester einkoppelbarer Energie die Auslenkung.
  • Während alle Überlegungen sich auf den Hörschallbereich bezogen haben, ist es vorstellbar das Bauelement auch für die Generation von Ultraschall auszulegen. Prinzipiell ist es auch denkbar, dass statt Aktoren Balken mit positionssensorischen Elementen versehen werden (z. B. piezoresistiv, piezoelektrisch, kapazitiv etc.), um dann ein Bauelement als Mikrophon zur Verfügung zu stellen.
  • Für den Kern der Herstellung der MEMS-Lautsprecher in Siliziumtechnologie kann auf bekannte Waferbondverfahren und tiefes reaktives Ionenätzen zurückgegriffen werden. Die Herstellung der Aktoren hängt vom gewählten Wirkprinzip ab und wird zunächst ausgeblendet. Dieser Teil kann modular in den folgenden beispielhaften Ablauf eingebunden werden. Die folgende Darstellung bezieht sich auf ein Bauelement mit ausschließlich seitlichen Öffnungen für den Luftstrom.
  • Als Ausgangsmaterial werden BSOI (Bonded Silicon an Insulator, verbundenes Silizium auf einem Isolator) Scheiben eingesetzt. Die Trägerscheibe (Handle-Wafer) bildet den unteren Deckel 32a des MEMS-Lautsprecher-Bauelements. Die vergrabene Oxidschicht der BSOI-Scheibe kann später als Abstandsschicht 34a fungieren. Die aktive Schicht der BSOI-Scheibe kann der Schicht 36 entsprechen. Die Trägerscheibe kann eine Dicke von 500 bis 700 μm aufweisen und kann bei Bedarf – evtl. am Ende des Prozesses – weiter abgedünnt werden. Die vergrabene Oxidschicht kann eine Dicke von 50 nm bis 1 μm aufweisen. Die aktive Schicht der BSOI-Scheibe kann eine Dicke von 1 bis 300 μm aufweisen. Die Schicht 36 wird bspw. vorzugsweise mit tiefem reaktiven Ionenätzen (DRIE) strukturiert. Nach dieser Strukturierung kann die vergrabene Oxidschicht (34a) mindestens lokal im Bewegungsbereich der Aktoren entfernt oder wenigstens abgedünnt werden. Dies kann nasschemisch, z. B. mit BOE (Buffered Oxide Etch – gepufferte HF-Lösung) oder trockenchemisch, z. B. mittels gasförmiger HF (Flusssäure), erfolgen. Nach zumindest teilweiser Entfernung der Abstandsschicht 34a im Bewegungsbereich der Aktoren kann z. B. über eine Gasphasenabscheidung (chemische Gasphasenabscheidung, chemical vapour deposition – CVD oder Atomlagenabscheidung, atomic layer deposition – ALD) eine reibungsarme Schicht abgeschieden werden, welche den Spalt zwischen der Schicht 34a und den Aktoren (verformbaren Elementen) verschließt bzw. stark verringert. Alternativ können schon bei der Bondung der Scheiben für die Herstellung der BSOI-Scheiben durch Abscheidung und Strukturierung geeigneter Schichten Bereiche definiert werden, in denen keine Bondung erfolgt, wie es bspw. in US 7,803,281 B2 beschrieben ist. Ein solches Verfahren kann für oberen und unteren Deckel eingesetzt werden. Die Schicht 34b wird bspw. vorzugsweise mittels reaktivem Ionenätzen (RIE) strukturiert. Mit diesen beiden Strukturierungen sind alle Elemente in der Schicht 36 und 34b wie in den entsprechenden Abbildungen dargestellt, hergestellt. Dies schließt auch die stabförmige Gitterstruktur ein.
  • Die vorab beschriebene Abscheidung einer reibungsarmen Schicht kann auch für den oberen Deckel (Schicht 32b) eingesetzt werden. Diese wird dann z. B. auf den Deckel vor Bonding aufgebracht. Auf die Abstandsschicht 34b kann dann verzichtet werden. Bspw. kann eine reibungsarme Schicht durch Abscheidung eines Materials erhalten werden. Ein Reibungswert kann bspw. 10%, 20% oder 50% geringer sein, als bei einem Material der Schichten 32a, 34a, 34b oder 32b.
  • Die Schicht 36 kann bei entsprechender Dotierung auch als elektrischer Leiter verwendet werden. Vor allem dann, wenn Aktoren mit unterschiedlichen Frequenzen angeregt werden sollen, ist eine vertikale elektrische Isolation in Schicht 36 vorteilhaft. Dies kann z. B. durch sogenannte gefüllte Gräben, wie in [8] beschrieben, erreicht werden. Auch die Verwendung von offenen Gräben zur elektrischen Isolation stellt eine Möglichkeit dar.
  • Auf eine zweite Scheibe, die als eine Siliziumscheibe mit einer typischen oder möglichen Dicke von 500 bis 700 μm gebildet sein kann und bspw. den oberen Deckel 32b bilden wird, wird eine Schicht aufgebracht und strukturiert. Diese Schicht entspricht der Abstandsschicht 34b. Die Dicke dieser Schicht entspricht vorzugsweise der der vergrabenen Oxidschicht. Als Material für die Abstandsschicht stehen alle Materialien zur Verfügung, welche das später zu erfolgende Bonden der zweiten Scheibe auf die BSOI-Scheibe ermöglicht. Beispielhaft ist hier genannt Siliziumoxid, vorzugsweise thermisches Oxid für das Direktbonden von Siliziumoxid auf Silizium. Alternativ kann für das Direktbonden auch Polysilizium eingesetzt werden. Eine weitere Alternative besteht darin in die zweite Scheibe geeignete Vertiefungen zu ätzen, so dass aus der Scheibe die Funktion sowohl des oberen Deckels 32b als auch die Funktion der Abstandsschicht 34b abgebildet wird. Auf diese Vertiefungen kann mindestens im Bereich der Aktorbewegung verzichtet werden, wenn die Scheibe an diesen Stellen mit einer geeignet reibungsarmen Schicht beschichtet wird, so dass auf den Abstand zwischen Aktor (beweglichem Element) und Deckel (Schichten 32a und/oder 32b) verzichtet werden kann. Auf eine weitere Schicht auf der zweiten Scheibe – abgesehen von Hilfsschichten (Maskierung) für die Strukturierung – kann dann abgesehen werden. Damit ist außerdem die Direktbondung von Silizium auf Silizium möglich.
  • Neben dem Direktbonden ist es auch möglich Klebebondverfahren einzusetzen, so dass dann die Abstandsschicht 34b aus einem polymeren Material (z. B. BOB) besteht. Denkbar, aus Gründen der nicht vorhandenen CMOS-Kompatibilität aber nicht bevorzugt, sind außerdem Au-Si eutektische Bondverfahren oder anodische Bondverfahren (Na-Ionen haltige Schichten).
  • Nach Bonden der beiden Scheiben ist der Kern der Herstellung im Scheibenverbund abgeschlossen. Nicht ausgeführt wurde die Herstellung der elektrischen Verdrahtung und Kontakte und eventuell erforderliche elektrische Isolationsstrukturen. Diese Elemente können durch bekannte Standardprozesse nach dem Stand der Technik zur Verfügung gestellt werden: Herstellung von Leitbahnen z. B. mittels Sputtern und Strukturierung von AlSiCu, vertikale Isolationen durch Abscheidung und Strukturierung von Oxiden, laterale Isolationen durch offene oder gefüllte Isolationsgräben, welche die Schicht 36 komplett durchdringen.
  • Die Vereinzelung der Bauelemente mit seitlich angebrachten Öffnungen erfordert insbesondere den Schutz der Stabgitter. Dies wird z. B. ermöglicht, indem das Bauelement innerhalb eines Rahmen mit diesem z. B. über vier dünne Stege verbunden ist. Dazu sind unterer Deckel 32a und oberer Deckel 32b, sowie die Schichten 34a, 36 und 36b entsprechend zu strukturieren. Für diese Strukturierung kommen vor allem anisotrope Ätzverfahren, wie z. B. TMAH, KOH und DRIE in Frage. Speziell für die Strukturierung entlang der Stabgitter ist die DRIE-Strukturierung der Schicht 36 die bevorzugte Variante. Zum Herauslösen der Bauelemente aus dem Scheibenverbund werden die Stege zerstört. Dies kann z. B. mechanisch oder mittels Laserbearbeitung erfolgen.
  • Auch ist es denkbar den unteren Deckel 32a für die Vereinzelung nicht zu strukturieren, sondern nur die Schichten 34a, 36, 34b und 32b. Speziell die Schicht 36 kann mittels DRIE strukturiert werden, um den senkrechten Verlauf der Stabgitter zu realisieren. Von der Chipoberfläche aus ergibt sich dann ein Graben, welcher auf dem unteren Deckel 32b endet. Dieser Graben kann jetzt mit einem polymeren Material (z. B. Photolack) gefüllt werden. Das Polymer dient zum Schutz vor Verschmutzung beim anschließenden Säge-Vereinzelungsprozess. Nach dem Sägen werden die Bauelemente gespült und gereinigt, um den Sägeschlamm zu entfernen. Anschließend wird das Polymer durch geeignete Lösungsmittel oder in einem Sauerstoffplasma entfernt.
  • Werden statt der seitlichen Öffnungen Öffnungen im unteren und oberen Deckel verwendet, so ist die Herstellung zu erweitern, wie bereits im Kontext der beschrieben. Für die Vereinzelung können untere und obere Öffnung z. B. durch eine Folie geschützt werden, sodass Sägeprozesse oder Laserschneiden möglich sind. Alternativ können die Öffnungen auch durch ein polymeres Material, z. B. Photolack, für den Vereinzelungsprozess verschlossen werden und im Anschluss durch ein Lösungsmittel oder im Sauerstoffplasma wieder entfernt werden.
  • Die Stapelung von Bauelementen erfolgt vorzugsweise im Scheibenverbund durch Bondverfahren. Die elektrische Kontaktierung kann dann entweder durch elektrische Kontakte (Bondpads) in der jeweiligen Schicht 36 erfolgen oder bei Verwendung von TSVs (Through-Silicon-Vias) auch über sogenannte Bumps auf der Chipunterseite. Zur elektrischen Verbindung der gestapelten Einzelchips können ebenfalls TSVs verwendet werden. Bei nicht gestapelten Chips können ebenfalls TSVs und Bumps eingesetzt werden.
  • Um eine höhere Stabilität der Stabgitter 54 zu erreichen, können die Abstandsschichten 34a und 34b im Bereich der Stabgitter unstrukturiert bleiben.
  • Im Folgenden sind bevorzugte Ausgestaltungsvarianten für die Herstellung der lateralen Biegeaktoren beschrieben.
  • Prinzipiell können bekannte elektrostatische, piezoelektrische, thermomechanische und elektrodynamische Wirkprinzipien für die Aktuation der Biegebalken eingesetzt werden.
  • Ein einfaches elektrostatisches Wirkprinzip kann für einen Teil der oben gezeigten Bauelementvarianten auch ohne aktive Biegebalken realisiert werden. Der MEMS-Wandler 50 kann so ausgeführt sein, dass starre Plattenelemente 62a und 62b als Kondensatorplatten ausgeführt sind oder Kondensatorplatten aufweisen, die sich aufgrund einer elektrischen Potentialdifferenz so weit aufeinander zu bewegen, bis die durch die dann als Biegefeder agierenden Elemente 64 eine entsprechende mechanische Gegenkraft aufweisen.
  • Alternativ können die Biegebalken über eine zusätzlich angeordnete, feste Gegenelektrode direkt ausgelenkt werden. Auch der Einsatz von Kammelektroden zur Erhöhung der Kräfte bzw. der Auslenkung ist denkbar.
  • Ein weiteres elektrostatisches Prinzip beruht auf dem Einsatz eines einseitig eingespannten Balkens, der an seiner Einspannung einen sehr geringen Abstand zu einer Elektrode hat und sich dieser Elektrodenabstand mit zunehmendem Abstand von der Einspannung vergrößert. Dabei kann der Abstand an der Einspannung Null betragen. Liegt zwischen dem Biegebalken und der Elektrode eine elektrische Spannung an, so schmiegt sich ein durch die Höhe der elektrischen Spannung und die Steifigkeit des Balkens bestimmter Teil des Biegebalkens an die Elektrode. Der Raum zwischen Balken und Elektrode bildet bezogen auf das hier beschriebene Prinzip die Kammer 42a welche in ihrem Volumen wie beschrieben verändert werden kann.
  • Ein Grundprinzip derartiger Aktuatoren ist bspw. in der Literatur beschrieben. In [9] werden beispielsweise vertikal auslenkende Aktoren vorgestellt. Die Variation des Elektrodenabstands wird durch gezielte Einbringung von Schichtspannungen bei der Herstellung der Biegebalken realisiert. Für das im Rahmen dieser Anmeldung beschriebene Bauelement könnten Aktoren nach diesem Prinzip leicht durch entsprechende Strukturierung der Schicht 36 realisiert werden. Zusätzlich zu der ohnehin erforderlichen Strukturierung der Schicht 36 ist eine Isolationsschicht zwischen die Elektrode und den Biegebalken aufzubringen, was durch bekannte Verfahren der Mikrosystemtechnik einfach umzusetzen ist. Das Einbringen einer Schichtspannung ist nicht erforderlich, da die Biegebalken bereits durch die Strukturierung die gewünschte Form erhalten. In der hier beschriebenen Art sind die Aktoren lateral auslenkbar und damit für das weiter oben beschriebene Bauelementprinzip einsetzbar.
  • Bezüglich Integration und Skalierbarkeit für hohe Stückzahlen bietet das elektrostatische Wirkprinzip eine hohe Anzahl von Vorteilen. Es werden keine externen Komponenten, wie Magnete oder Spulen benötigt und es sind keine für Reinräume und insbesondere CMOS-kompatible Reinräume kontaminationskritische Materialien erforderlich. Der bis dato verfolgte Membranansatz weist jedoch einige Nachteile auf. Dazu zählt, dass mit einer einzelnen schwingenden Membran oder Platte der gesamte Hörschallbereich nur ungenügend abgedeckt werden kann. Der Ansatz die Membran oder die Membranen quasistatisch zu betreiben löst dieses Problem allerdings aufgrund der fehlenden Resonanzüberhöhung zu Lasten der Auslenkung und damit zu Lasten des erreichbaren Volumenstroms bzw. des erreichbaren Schallpegels. Letztere hängen für ein festes Volumen, wie z. B. für In-Ear-Kopfhörer wie folgt zusammen Fehler! Verweisquelle konnte nicht gefunden werden.:
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  • SPL steht dabei für „Sound Pressure Level” (Schalldruck), P0 ist der Normaldruck, ΔV ist die erzielbare Volumenänderung durch den Lautsprecher, Pref ist der Referenzdruck, der ein Maß für die Hörschwelle angibt, er beträgt 20 μPa, V0 ist im Fall von In-Ear-Kopfhörern oder Hörgeräten das Volumen der Ohrhöhle und entspricht etwa 2 cm3.
  • In Bezug auf MEMS-Lautsprecher ist es also erstrebenswert einen möglichst hohen Volumenstrom pro Chipfläche bzw. pro Volumen des gesamten Lautsprechers zu erreichen. Elektrodynamische Wandler können beispielsweise sehr hohe Membranauslenkungen erzielen und damit einen hohen Volumenstrom. Das Volumen des Gesamtaufbaus ist aufgrund der erforderlichen Permanentmagnete jedoch sehr groß. Für Lautsprecher in Mobiltelefonen, die perspektivisch in einer Dimension immer weniger Platz bieten, erscheint dieser Ansatz generell beschränkend.
  • Piezoelektrische Biegeaktuatoren erfordern die Abscheidung einer piezoelektrischen Schicht auf einem Substrat. Diese Piezoelektrische Schicht könnte zum Beispiel der Schicht 58 aus 3 entsprechen, welche dann seitlich zur bspw. Silizium umfassende oder daraus bestehenden Schicht 56 angeordnet ist. Die Herstellung solcher Aktoren ist mit oberflächenmikromechanischen Prozessen möglich.
  • Laterale thermomechanische Aktoren in Form eines kalten und eines warmen Arms, wie z. B. in 0 beschrieben, können sehr einfach integriert werden, indem bei der weiter oben beschriebenen DRIE-Strukturierung der Schicht 36 die entsprechenden Geometrien berücksichtigt werden.
  • Eine weitere Variante für thermomechanische Aktoren besteht in der Verwendung von Bimorphen, welche durch elektrischen Strom erwärmt werden. Für die Herstellung eines solchen Bimorphs könnte beispielsweise nach Strukturierung der Schicht 36 eine Oxidschicht konform abgeschieden werden, so dass auch alle Seitenwände beschichtet werden. Diese Oxidschicht könnte dann überall außer an der einen Seitenwand des Biegeelements durch Maskierungs- und Ätzverfahren entfernt werden.
  • Der Einsatz eines elektrodynamischen Wirkprinzips ist einfach für die beidseitig eingespannten Biegebalken umsetzbar. Bei Stromfluss durch die Balken oder durch eine separat aufgebrachte Leiterstruktur erfahren die Balken in einem Magnetfeld eine Kraft, welche zur Auslenkung führt. Die Richtung des Stromflusses kann für die einzelnen Balken gemäß der gewünschten Auslenkungsrichtung gewählt werden. Die optionale Herstellung der Leiterbahnen erfolgt mit Standardprozessen der Oberflächenmikromechanik. Die zusätzliche Topographie ist in dem Fall bei der Wahl der Dicke der Abstandsschicht 34b zu berücksichtigen.
  • Die bevorzugte Ausführung für den Biegeaktor ist ein lateraler elektrostatischer Aktuator, welcher auf der Nutzung sehr geringer Elektrodenabstände beruht und damit bei geringen Spannungen arbeiten und betrieben werden kann. Solche lateralen Aktoren sind bspw. in EP 2 264058 A1 beschrieben. Diese Technologie erlaubt die Herstellung aller oben beschriebenen Biegeaktor- und Bauelementvarianten und kann in einfacher Weise modular in den oben beschriebenen Kernteil des Herstellungsprozesses der Bauelemente integriert werden.
  • Im Folgenden wird Bezug genommen auf die Umströmungsverluste bei der Bewegung der Seitenwände, d h., der verformbaren Elemente. Unter der Annahme laminarer Strömung kann in einem einfachen Modell gezeigt werden, dass die Umströmungsverluste, etwa Volumenströme von Kammer 42a zu Kammer 38a in 2a im Vergleich zu den Nutz-Volumenströmen, also der Volumenstrom, der nach außen dringt bzw. von außen nach innen dringt, geeignet gering gehalten werden können, wenn die Abstandsschichten 34a und 34b im Vergleich zur Dicke der Schicht 36 klein sind. Dasselbe gilt für den Abstand am gegebenenfalls freien Ende eines Biegebalkens zur lateral begrenzenden Struktur. Letzteres kann bei beidseitig eingespannten Biegeaktoren entfallen. Werden für diese Konfiguration im Modell einer laminaren Strömung durch rechteckige Rohre die Strömungsverluste berechnet, so kann sich bezogen auf den Nutz-Volumenstrom ein Verlust durch Umströmungen von etwa 3% ergeben, wenn für die Dimensionen Folgendes angenommen wird:
    Biegeaktor: Länge 1 mm, Höhe: 30 μm, Breite 10 μm
    Kammer: Für die Berechnung des Strömungswiderstands nach außen wurde eine mittlere Breite von 50 μm angenommen. Dies unterschätzt den Strömungswiderstand bei großer Auslenkung der Biegeaktoren.
    Schichtdicken der Abstandshalter 34a und 34b: je 0.5 μm
  • Die angenommenen Dimensionen sind lediglich beispielhaft zu verstehen und sehr gut mit mikromechanischen Technologien realisierbar. Die Annahme laminarer Strömung könnte aufgrund der geringen Breite der Aktoren (oben: 10 μm), welche der Rohrlänge entspricht, inkorrekt sein. Diese Annahme ist jedoch eine Worst-Case-Annahme, da beim Auftreten von Turbulenzen der Strömungswiderstand zunimmt. Um solche Turbulenzen zu motivieren können die Biegeaktoren in der Schicht 36 mit geeigneten lateral ausgebildeten Elementen versehen werden. Als geeignet sind Anordnungen anzusehen, welche bei Umströmung Wirbel bilden. Alternativ oder ergänzend kann eine bewusste Aufrauhung der zur Kammer zeigenden Fläche des Deckels 32a und 32b die Ausbildung einer turbulenten Strömung befördern.
  • 15 zeigt eine schematische Seitenschnittansicht eines verformbaren Elements 150, das eine erste Schicht 112 und eine zweite Schicht 114 aufweist, die über Verbindungselemente 116 miteinander beabstandet und verbunden sind, wobei die Verbindungselemente 116a–c mit einem Winkel von ≠ 90° zu der Schicht 114 und der Schicht 112 angeordnet sind. Beispielsweise können die Schichten 112 und 114 eine Elektrode aufweisen. Alternativ kann jeweils eine Elektrode an den Schichten 112 und/oder 114 angeordnet sein. Basierend auf einem Anlegen eines elektrischen Potentials kann eine abstoßende oder anziehende Kraft zwischen den Schichten 112 und 114 erzeugt werden. Die anziehende oder abstoßende Kraft kann zu einer Verformung der Elemente 116a–c führen, so dass ein von einem eingespannten Ende 118 abgewandtes auslenkbares Ende 122 des verformbaren Elements 144 entlang der lateralen Bewegungsrichtung 24 auslenkbar ist.
  • Das bedeutet, dass das verformbare Element 150 eine erste Schicht 114 und eine zweite Schicht 116 aufweisen kann, wobei zwischen der ersten Schicht 114 und der zweiten Schicht 116 Abstandshalter 116a–c angeordnet sein können. Die Abstandshalter 116a–c können in eine Neigungsrichtung 124 schräg zu einem Verlauf der Schichten 112 und 114 angeordnet sein. Eine Anziehungskraft zwischen den Schichten 112 und 114 kann eine Biegung des verformbaren Elements 150 bewirken.
  • Das verformbare Element 150 kann entlang der Neigungsrichtung eben oder einfach gekrümmt ausgebildet sein. Alternativ kann das verformbare Element bzw. die Schichten 112 und/oder 114 auch zumindest zwei diskontinuierlich aneinander angeordnete Abschnitte aufweisen, etwa einem Sägezahnmuster folgend.
  • 16 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein verformbares Element 160, das benachbart zu einer Elektrode 126 angeordnet ist. Das verformbare Element 160 kann eine weitere Elektrode 127 aufweisen oder die weitere Elektrode 127 sein. Basierend auf einem angelegten elektrischen Potential zwischen der Elektrode 126 und der weiteren Elektrode 127 des verformbaren Elements 160 kann eine elektrostatische oder elektrodynamische Kraft F erzeugt werden. Basierend auf der elektrostatischen oder elektrodynamischen Kraft F kann eine Verformung des verformbaren Elements 160 bewirkt werden.
  • In einem von dem Volumenstrom oder dem elektrischen Potential, d. h. der Kraft F, unbeeinflussten Zustand des verformbaren Elements 160 kann ein Abstand zwischen dem verformbaren Element 160 und der Elektrode 126 entlang der axialen Ausdehnungsrichtung 98 des verformbaren Elements veränderlich sein. In einem Bereich, an dem der mechanische Wandler bzw. das verformbare Element 160 eine Verbindung mit dem Substrat 14 aufweist, kann der Abstand minimal sein. Dies ermöglicht eine hohe Steuerbarkeit der Verformung des verformbaren Elements 160. Alternativ kann der Abstand zwischen der Elektrode 126 und dem verformbaren Element 160 entlang der Ausdehnungsrichtung 98 beliebig variabel oder konstant sein.
  • Elektromechanische Wandler können gemäß Ausführungsbeispielen als elektrostatische Wandler, als piezoelektrische Wandler, als elektromagnetische Wandler, als elektrodynamische Wandler, als thermomechanische Wandler oder als magnetostriktive Wandler gebildet sein.
  • Basierend auf einer erzeugbaren Kraft kann eine Verformung des verformbaren Elements bewirkt werden oder eine Verformung des verformbaren Elements feststellbar bzw. bestimmbar sein.
  • 17 zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines MEMS-Systems 170, das den MEMS-Wandler 80 aufweist, der mit einer Steuervorrichtung 128 verbunden ist, die ausgebildet ist, um die elektrodynamischen Wandler der MEMS-Vorrichtung 80 anzusteuern und/oder um elektrische Signale von den elektrodynamischen Wandlern der MEMS-Vorrichtung 80 zu empfangen.
  • Weist der MEMS-Wandler 80 beispielsweise eine Vielzahl von elektromechanischen Wandler 18 auf, kann die Steuervorrichtung 128 ausgebildet sein, um die Vielzahl von elektromechanischen Wandlern so anzusteuern, dass sich ein erster und ein benachbarter zweiter elektromechanischer Wandler während eines ersten Zeitintervalls zumindest lokal aufeinander zubewegen. Die Steuervorrichtung 128 kann ausgebildet sein, um die Vielzahl von elektromechanischen Wandlern so anzusteuern, dass sich der erste elektromechanische Wandler und ein dritter elektromechanischer Wandler, der benachbart zu dem ersten elektromechanischen Wandler angeordnet ist während eines zweiten Intervalls aufeinander zubewegen, der erste elektromechanische Wandler kann zwischen dem zweiten und dem dritten elektromechanischen Wandler angeordnet sein. Beispielsweise kann es sich hier um die elektromechanischen Wandler 18a–c handeln, wobei der elektromechanische Wandler 18b der erste elektromechanische Wandler sein kann.
  • Alternativ oder zusätzlich kann die Steuervorrichtung 128 ausgebildet sein, um ein elektrisches Signal, das auf einer Verformung des verformbaren Elementes basiert, zu empfangen und auszuwerten. Bspw. kann die Steuervorrichtung 128 ausgebildet sein, um eine Frequenz oder eine Amplitude der Verformung zu bestimmen. Das bedeutet, das System 170 kann als Sensor und/oder Aktor betrieben werden.
  • Das System 170 kann beispielsweise als MEMS-Lautsprecher betrieben werden, wobei der Volumenstrom 12 eine akustische Schallwelle oder eine Ultraschallwelle sein kann.
  • Alternativ kann das System 170 als MEMS-Pumpe ausgeführt sein. Eine Kavität des Substrats kann eine erste Öffnung 26 und eine zweite Öffnung 26 in dem Substrat 14 aufweisen. Der elektromechanische Wandler 18 kann ausgebildet sein, um den Volumenstrom 12 basierend auf dem Fluid bereitzustellen. Der elektromechanische Wandler kann ausgebildet sein, um das Fluid basierend auf einer Aktuierung des elektromechanischen Wandlers 18 durch die erste Öffnung 26 in eine Richtung der Kavität zu befördern oder, um das Fluid basierend auf der Aktuierung durch die zweite Öffnung in eine Richtung weg von der Kavität zu befördern.
  • Alternativ kann das System 170 als MEMS-Mikrophon betrieben werden, wobei basierend auf der Verformung des verformbaren Elements ein elektrisches Signal an einem Anschluss des elektromechanischen Wandlers 80 oder eines anderen angeschlossenen elektromechanischen Wandlers erhaltbar ist. Basierend auf dem Volumenstrom 12 kann die Verformung des verformbaren Elements bewirkbar sein.
  • Obwohl das System 170 so beschrieben ist, dass die Steuervorrichtung 128 mit dem MEMS-Wandler 80 verbunden ist, kann auch ein anderer MEMS-Wandler angeordnet sein, etwa der MEMS-Wandler 10, 20, 50, 100 oder 110. Alternativ oder zusätzlich können auch mehrere MEMS-Wandler gemäß vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispielen angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich kann ein Stapel von MEMS-Wandler MEMS-Wandlern angeordnet sein, etwa der Stapel 90 oder 140. Alternativ oder zusätzlich können zumindest zwei MEMS-Wandler angeordnet sein. Zumindest ein erster MEMS-Wandler und ein zweiter MEMS-Wandler können Kavitäten oder Teilkavitäten und/oder elektromechanische Wandler mit voneinander verschiedenen Resonanzfrequenzen aufweisen, etwa eine Kammer mit 500 Hz-Aktoren, eine weitere Kammer oder eine weitere (Teil-)Kavität mit 2 kHz-Aktoren, etc.).
  • Weitere Ausführungsbeispiele beziehen sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Wandlers. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats, das eine Kavität aufweist. Ferner umfasst das Verfahren ein Herstellen eines elektromechanischen Wandlers, der ein sich entlang einer lateralen Bewegungsrichtung verformbares Element aufweist, mit dem Substrat. Der Schritt des Herstellens wird so ausgeführt, dass eine Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung und ein Volumenstrom, der von dem MEMS-Wandler interagiert, kausal zusammenhängen. Das Herstellen des elektromechanischen Wandlers kann bspw. durch Ausformen derselben aus dem Substrat erfolgen, etwa durch einen Ätzprozess und/oder durch einen Abscheideprozess zum Abscheiden zusätzlicher Schichten.
  • Obwohl vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiele sich darauf beziehen, dass der Volumenstrom erzeugbar ist, indem sich zwei elektromechanische Wandler aufeinander zubewegen, kann der Volumenstrom auch basierend oder in kausaler Wechselwirkung mit einer Bewegung eines elektromechanischen Wandlers gegenüber einer starren Struktur, beispielsweise dem Substrat, erhalten werden. Das bedeutet, dass ein Volumen einer Teilkavität oder eines Teilkavitätsabschnitts von einem einzelnen elektromechanischen Wandler beeinflusst sein kann.
  • Vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiele, die ein verformbares Element aufweisen, das ausgebildet ist, um eine mehrfache Krümmung auszuführen und/oder mit einem Plattenelement verbunden ist, können verglichen mit der Konfiguration, wie sie im Zusammenhang mit der 1 beschrieben ist, nutzbar sein, um einen deutlich höheren Volumenstrom zu erzeugen oder um auf einen Volumenstrom deutlich sensibler zu reagieren.
  • Ausführungsbeispiele ermöglichen den frequenzabhängigen Verlauf des Schalldrucks flexibel einstellbar zu machen, um insbesondere auch den häufig angestrebten Fall eines möglichst flachen Frequenzverlaufs zu ermöglichen.
  • In anderen Worten beruht eine Erkenntnis der vorliegenden Erfindung darauf, dass durch Kompression bzw. Expansion von Kammern, d. h. Teilkavitäten oder Teilkavitätsabschnitten, die in einem Siliziumchip gebildet werden können, ein Volumenstrom generiert wird oder erfassbar wird. Jede Kammer kann mit einem Einlass oder Auslass versehen sein, durch den ein Fluid, etwa Luft, ein- bzw. ausströmen kann. Die Kammern können entlang einer Richtung senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung (beispielsweise oben und unten) durch einen festen Deckel verschlossen sein. Mindestens eine der seitlichen Wände jeder Kammer ist beweglich oder verformbar ausgebildet und kann durch einen Aktor so verschoben werden, dass sich das Volumen dieser Kammer verringert oder erhöht.
  • Vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiele von MEMS-Wandlern können elektrische Verbindungen, Bondpads oder dergleichen aufweisen, die der Übersichtlichkeit halber in den Figuren nicht gezeigt sind.
  • Vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Mehrwegelautsprecher oder N-Wege-Lautsprecher die basierend auf unterschiedlichen Resonanzfrequenzen von zumindest zwei Kavitäten oder Teilkavitäten erhalten werden können. Die elektromechanischen Wandler und die Kavitäten oder Teilkavitäten können so auf einander abgestimmt sein, dass ein Schalldruckpegel (SPL) zumindest abschnittsweise, eine Funktion der Resonanzfrequenz ist, d. h. mehrere Aktorkammern können verschiedenen Frequenzverläufe aufweisen (SPL = f(Frequenz)). Das bedeutet, dass Werte von Schalldruckpegeln, die basierend auf der Verformung der verformbaren Elemente und basierend auf der Teilkavitäten erhalten werden, einen Zusammenhang mit einer Frequenz des Volumenstroms, der aus oder in die jeweilige Teilkavität strömt, aufweisen. Der Zusammenhang kann als Funktion darstellbar sein, wobei die Funktion bspw. linear sein kann, etwa SPL = x·Frequenz + b, wobei x und b Variablen sind. Alternativ kann die Funktion auch nichtlinear sein, etwa quadratisch, exponentiell oder basierend auf einer Wurzelfunktion. Der funktionelle Zusammenhang kann ohne weiteres auf verschiedene Teilkavitäten oder Kavitäten, die in verschiedenen MEMS-Wandlern angeordnet sind, übertragen werden.
  • Obwohl manche Aspekte im Zusammenhang mit einer Vorrichtung beschrieben wurden, versteht es sich, dass diese Aspekte auch eine Beschreibung des entsprechenden Verfahrens darstellen, sodass ein Block oder ein Bauelement einer Vorrichtung auch als ein entsprechender Verfahrensschritt oder als ein Merkmal eines Verfahrensschrittes zu verstehen ist. Analog dazu stellen Aspekte, die im Zusammenhang mit einem oder als ein Verfahrensschritt beschrieben wurden, auch eine Beschreibung eines entsprechenden Blocks oder Details oder Merkmals einer entsprechenden Vorrichtung dar.
  • Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele stellen lediglich eine Veranschaulichung der Prinzipien der vorliegenden Erfindung dar. Es versteht sich, dass Modifikationen und Variationen der hierin beschriebenen Anordnungen und Einzelheiten anderen Fachleuten einleuchten werden. Deshalb ist beabsichtigt, dass die Erfindung lediglich durch den Schutzumfang der nachstehenden Patentansprüche und nicht durch die spezifischen Einzelheiten, die anhand der Beschreibung und der Erläuterung der Ausführungsbeispiele hierin präsentiert wurden, beschränkt sei.
  • Literatur
    • [1] Albach, Thorsten Sven: Magnetostriktive Mikroaktoren und deren Anwendung als Mikrolautsprecher, Dissertation, Universität Erlangen-Nürnberg (2013).
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    • [3] Kim, H. et al.: Bi-directional Electrostatic Microspeaker with Two Large-Deflection Flexible Membranes Actuated by Single/Dual Electrodes, Sensors, IEEE 2005 (2005), p. 89–92.
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    • [9] Rosa, M. A. et al.: A novel external electrode configuration for the electrostatic actuation of MEMS based devices, J. Micromech. Microeng. (2004), p. 446–451.
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    • [11] Cheng, Ming-Cheng et al.: A lilicon microspeaker for hearing instruments, J. Micromech. Microeng. 14 (2004), p. 859–866
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7803281 B2 [0209]
    • EP 2264058 A1 [0233]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • Neumann et al. [0014]
    • Kim et al. [0015]

Claims (65)

  1. MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom (12) eines Fluids mit: einem Substrat (14), das eine Kavität (16) aufweist; einem elektromechanischen Wandler (18; 18a–f), der mit dem Substrat (14) in der Kavität (16) verbunden ist und ein sich entlang einer lateralen Bewegungsrichtung (24) verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) aufweist, wobei eine Verformung des verformbaren Elements (22; 22a-f; 30; 40; 150; 160) entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) und der Volumenstrom (12) des Fluids kausal zusammenhängen.
  2. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 1, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ausgebildet ist, um ansprechend auf eine elektrische Ansteuerung (129a) kausal eine Bewegung des Fluids in der Kavität (16) zu bewirken und/oder um ansprechend auf die Bewegung des Fluids in der Kavität (16) kausal ein elektrisches Signal (129b) bereitzustellen.
  3. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, das einen ersten und einen zweiten elektromechanischen Wandler (18b–e) aufweist, die mit dem Substrat (14) verbunden sind, und die jeweils ein entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) aufweisen, das ausgebildet ist, um sich entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) zu verformen, wobei der erste elektromechanische Wandler (18b, 18d) und der zweite elektromechanische Wandler (18c, 18e) ausgebildet sind, um sich während eines ersten Zeitintervalls auf einander zuzubewegen und während eines zweiten Zeitintervalls voneinander wegzubewegen, wobei ein Volumen einer Teilkavität (42a, 42b) zwischen dem ersten elektromechanischen Wandler (18b, 18d) und dem zweiten elektromechanischen Wandler (18c, 18e) während des ersten und zweiten Zeitintervalls veränderlich ist.
  4. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, der eine Vielzahl von elektromechanischen Wandlern (18; 18a–f) aufweist, die mit dem Substrat (14) verbunden sind, und jeweils ein entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) aufweisen; wobei zwischen einem ersten elektromechanischen Wandler (18b, 18d) und einem zweiten elektromechanischen Wandler (18c, 18e) eine erste Teilkavität (42a, 42b) angeordnet ist und zwischen dem zweiten elektromechanischen Wandler (18b, 18d) und einem dritten elektromechanischen Wandler (18a, 18c) eine zweite Teilkavität (38a, 38b) angeordnet ist; wobei der erste und der zweite elektromechanische Wandler (18b, 18d) ausgebildet sind, um sich ein Volumen der ersten Teilkavität mit einer ersten Frequenz zu verändern, wobei der erste (18b, 18d) und der dritte elektromechanische Wandler (18a, 18c) ausgebildet sind, um ein Volumen der zweiten Teilkavität mit einer zweiten Frequenz zu verändern.
  5. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 4, bei dem der Volumenstrom (12) und die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) kausal mit der Veränderung der Volumina der ersten Teilkavität (42a, 42b) und der zweiten Teilkavität (38a, 38b) zusammenhängt.
  6. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 4 oder 5, der eine Wandstruktur (49) aufweist, die zwischen der ersten Teilkavität (42a, 42b) und der zweiten Teilkavität (38a, 38b) angeordnet ist und ausgebildet ist, um eine fluidische Kopplung zwischen der ersten Teilkavität (42a, 42b) und der zweiten Teilkavität (38a, 38b) zumindest teilweise zu reduzieren.
  7. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 4–6, bei dem die verformbaren Elemente (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) des ersten elektromechanischen Wandlers (18b, 18d), des zweiten elektromechanischen Wandlers (18c, 18e) und des dritten elektromechanischen Wandlers (18a, 18c) einen Balkenaktor (30) umfassen, der jeweils ein erstes und ein zweites Ende aufweist, wobei der Balkenaktor (30) des ersten elektromechanischen Wandlers (18b, 18d) an dem ersten Ende und dem zweiten Ende mit dem Substrat (14) verbunden ist, wobei der der Balkenaktor des zweiten elektromechanischen Wandlers (18c, 18e) oder des dritten elektromechanischen Wandlers (18a, 18c) in einem Mittenbereich des Balkenaktors mit dem Substrat (14) verbunden ist.
  8. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 4–7, bei dem das Substrat (14) eine Vielzahl von Öffnungen (26) aufweist, die mit einer Vielzahl von Teilkavitäten (42a–b, 38a–c) der Kavität (16) verbunden sind, wobei ein Volumen jeder Teilkavität (42a–b, 38a–c) von einem Auslenkungszustand zumindest eines entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) beeinflusst ist, wobei zwei benachbarte Teilvolumina von Teilkavitäten (42a–b, 38a–c) komplementär während dem ersten oder zweiten Zeitintervall vergrößerbar oder verkleinerbar sind.
  9. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 4–7, bei dem das Substrat (14) eine Vielzahl von Öffnungen (26) aufweist, die mit einer Vielzahl von Teilkavitäten (42a–b, 38a–c) der Kavität (16) verbunden sind, wobei ein Volumen jeder Teilkavität (42a–b, 38a–c) von einem Auslenkungszustand zumindest eines entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) beeinflusst ist, wobei Werte von Schalldruckpegeln, die basierend auf der Verformung der verformbaren Elemente (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und basierend auf der Teilkavitäten (42a–b, 38a–c) erhalten werden, einen Zusammenhang mit einer Frequenz des Volumenstroms (12), der aus oder in die jeweilige Teilkavität (42a–b, 38a–c) strömt, aufweisen, der als Funktion darstellbar ist.
  10. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) eine Mehrzahl von in axialer Richtung (y) des elektromechanischen Wandlers (18; 18a–f) zumindest mittelbar verbundene verformbare Elemente (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) umfasst, die ausgebildet sind, um jeweils ein Volumen eines ersten und eines zweiten Teilkavitätsabschnitts (96a, 96b) zu beeinflussen.
  11. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 10, wobei der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ausgebildet ist, um ansprechend auf eine elektrische Ansteuerung (129a) kausal eine Bewegung des Fluids in dem ersten (96a) und zweiten Teilkavitätsabschnitt (96b) zu bewirken, wobei die verformbaren Elemente (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) ausgebildet sind, um die Volumina des ersten (96a) und zweiten Teilkavitätsabschnitts (96b) mit einer von einander verschiedenen Frequenz zu verändern.
  12. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche wobei ein Volumen der Kavität (16) durch eine erste Schicht (32a), eine zweite Schicht (32b) und einen ersten (53a) und einen zweiten Seitenbereich (53b) beeinflusst ist, wobei der erste (53a) und der zweite Seitenbereich (53b) zwischen der ersten (32a) und zweiten Schicht (32b) angeordnet sind, wobei das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) ausgebildet ist, um zumindest in einem Abschnitt (55) eine Bewegung parallel zu der ersten (32a) oder zweiten Schicht (32b) auszuführen.
  13. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 12, wobei das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) kontaktfrei zu der ersten (32a) und zweiten Schicht (32b) angeordnet ist, oder wobei zwischen dem verformbaren Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und der ersten Schicht (32a) oder der zweiten Schicht (32b) eine reibungsarme Schicht angeordnet ist.
  14. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 12 oder 13, der einen Schichtstapel umfasst, wobei der Schichtstapel die erste Schicht (32a), eine Zwischenschicht (36), eine erste Abstandsschicht (34b), die zwischen der ersten Schicht (32a) und der Zwischenschicht (36) angeordnet ist, die zweite Schicht (32b) und eine zweite Abstandsschicht (34b), die zwischen der Zwischenschicht (36) und der zweiten Schicht (32b) angeordnet ist, aufweist, wobei das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) mit der Zwischenschicht (36) verbunden ist.
  15. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 14, bei dem die erste oder zweite Abstandsschicht (34a, 34b) eine Abmessung entlang einer Richtung (z) entlang der die erste und zweite Abstandsschicht (34a, 34b) an der Zwischenschicht (36) angeordnet sind, einen Wert in einem Bereich von zumindest 1 nm und höchstens 1 mm, bevorzugt in einem Bereich von zumindest 20 nm und höchstens 100 μm und besonders bevorzugt in einem Bereich von zumindest 50 nm und höchstens 1 μm aufweist.
  16. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ein Ausmaß eines Fluidstroms (57), der den elektromechanischen Wandler (18; 18a–f) von einer ersten Seite zu einer zweiten Seite des elektromechanischen Wandlers (18; 18a–f) umströmt, während das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) sich verformt, kleiner ist als ein Ausmaß des Volumenstroms (12) in der Kavität (16).
  17. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 16, bei dem das Ausmaß des Fluidstroms (57), der den elektromechanischen Wandler (18; 18a–f) umströmt, kleiner oder gleich ist als das Ausmaß des Volumenstroms (12) dividiert durch den Wert 10.
  18. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) ausgebildet ist, um sich entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) und entlang einer entgegengesetzten Richtung zu verformen.
  19. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) eine Balkenstruktur (30) umfasst, und ausgebildet ist, um sich entlang einer axialen Richtung (y) der Balkenstruktur zu verkrümmen.
  20. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) als Bimorph ausgebildet ist, der eine Aktuierungsrichtung (59, 59') aufweist, entlang der der das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) durch Anlegen einer elektrischen Spannung auslenkbar ist.
  21. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 20, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) ein erstes (30a), ein zweites (30b) und ein drittes Balkensegment (30c) aufweist, die in dieser Reihenfolge entlang der axialen Richtung (y) angeordnet sind und jeweils entgegen gerichtete Aktuierungsrichtungen (59a–c) aufweisen.
  22. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 21, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ein erstes und ein zweites verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) umfasst, wobei ein äußeres Balkensegment (30a, 30c) des ersten verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und ein äußeres Balkensegment (30a, 30c) des zweiten verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) zumindest mittelbar mit einander verbunden sind.
  23. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat (14) ein Ankerelement (84) aufweist; wobei das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) in einem Mittenbereich (30b) einer axialen Erstreckungsrichtung (y) des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) mit dem Ankerelement (84) verbunden ist; oder wobei das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) an einem äußeren Balkensegment (30a, 30c) über das Ankerelement (84) mit einem weiteren verformbaren Element verbunden ist.
  24. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 150) eine erste Schicht (112) und eine zweite Schicht (114) aufweist, wobei zwischen der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) Abstandshalter (116a–c) angeordnet sind, wobei die erste Schicht (112) und die zweite Schicht (114) über die Abstandshalter (116a–c) mit einander verbunden sind, wobei die Abstandshalter (116a–c) in eine Neigungsrichtung schräg zu einem Verlauf (124) der ersten (112) und zweiten Schicht (114) angeordnet sind, wobei eine Anziehungskraft (F) zwischen der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) eine Biegung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) bewirkt.
  25. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) eine Balkenstruktur aufweist, wobei die Balkenstruktur an einem ersten und einem zweiten Ende fest eingespannt ist.
  26. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) als elektrostatischer Wandler, als piezoelektrischer Wandler, als elektromagnetischer Wandler, als elektrodynamischer Wandler, als thermomechanischer Wandler oder als magnetostriktiver Wandler gebildet ist.
  27. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 26, wobei der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) als elektrostatischer Wandler gebildet ist, wobei der MEMS-Wandler ferner eine erste Elektrode (126) aufweist, die sich entlang einer axialen Richtung (98) des verformbaren Elements (22; 160) erstreckt, wobei das verformbare Element (22; 160) eine zweite Elektrode (127) aufweist, wobei ein elektrisches Potential zwischen der ersten Elektrode (126) und der zweiten Elektrode (127) anlegbar ist, um eine elektrostatische Kraft (F) zwischen der ersten (126) und der zweiten Elektrode (127) zu erzeugen, wobei das verformbare Element (22; 160) ausgebildet ist, um die Verformung entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) basierend auf der elektrostatischen Kraft (F) auszuführen.
  28. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 27, bei dem in einem von dem Volumenstrom (12) oder dem elektrischen Potential unbeeinflussten Zustand des verformbaren Elements (22; 160) ein Abstand zwischen dem verformbaren Element (22; 160) und der ersten Elektrode (126) entlang der axialen Richtung (98) des verformbaren Elements (22; 160) variiert, wobei der Abstand in einem Bereich, an dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) eine Verbindung mit dem Substrat (14) aufweist, einen minimalen Abstand aufweist.
  29. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ein erstes verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160), ein zweites verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und ein Plattenelement (62; 62a–c) aufweist, wobei die verformbaren Elemente (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) ausgebildet sind, um sich entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) zu verformen, wobei das erste verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und das zweite verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) gegenüberliegend angeordnet sind, so dass auslenkbare Enden (52) des ersten und zweiten verformbaren Elements einander zugewandt angeordnet sind, wobei das Plattenelement (62; 62a–c) mit den auslenkbaren Enden (52) verbunden ist, wobei die Verformung der verformbaren Elemente (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und eine Bewegung des Plattenelements (62; 62a–c) entlang der Bewegungsrichtung (24) kausal zusammenhängen.
  30. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 29, bei dem entlang der Bewegungsrichtung (24) ein weiteres Plattenelement (62; 62a–c) angeordnet ist, wobei ein zwischen dem Plattenelement (62; 62a–c) und dem weiteren Plattenelement (62; 62a–c) angeordnetes Volumen (42a) basierend auf dem Volumenstrom (12) oder basierend auf einer Aktuierung des elektromechanischen Wandlers (18; 18a–f) verändert wird.
  31. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ein erstes und ein zweites verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) aufweist, die entlang einer axialen Erstreckungsrichtung (y) des ersten oder zweiten verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) mit einander verbunden sind, wobei ein Federelement (102) zwischen dem ersten und zweiten verformbaren Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) angeordnet ist.
  32. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 31, bei dem das Federelement (102) entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) eine geringere Steifigkeit aufweist, als in einer Richtung senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung (24).
  33. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) bezogen auf eine laterale Richtung (x) des Substrats (14) schräg angeordnet ist.
  34. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (14) ein Substratfederelement (72a–b) benachbart zu einem Bereich aufweist an dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) mit dem Substrat (14) verbunden ist.
  35. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ein Plattenelement (62; 62a–c) umfasst, das ausgebildet ist, um entlang der Bewegungsrichtung (24) bewegt zu werden, so dass eine Plattenoberfläche des Plattenelements (62; 62a–c) senkrecht zu der Bewegungsrichtung (24) bewegt wird.
  36. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 35, bei dem das Plattenelement (62; 62a–c) eine Elektrode aufweist, die mit einem elektrischen Potential verbindbar ist, wobei das Plattenelement (62a–c) ausgebildet ist, um eine elektrostatische Kraft (F) gegenüber einer weiteren Elektrode zu erzeugen, wobei die elektrostatische Kraft (F) die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) bewirkt; oder um basierend auf dem Volumenstrom (12) die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) zu bewirken, wobei das elektrische Potential basierend auf der Verformung beeinflussbar ist.
  37. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 35 oder 36 bei dem zwischen dem verformbaren Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und dem Plattenelement (62; 62a–c) ein Federelement (64a–b; 68) angeordnet ist.
  38. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 35–37, bei dem zwischen dem verformbaren Element und dem Plattenelement (62; 62a–b) zumindest ein weiteres verformbares Element (40b–c) angeordnet ist, das ausgebildet ist, um einen Stellweg des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) zu erhöhen.
  39. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 29–38, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) eine Öffnung (78a) aufweist, so dass sich ein Teilvolumen (38a) der Kavität (16), das an einer dem Plattenelement (62) abgewandten Seite des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) angeordnet ist, durch das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) in eine Richtung des Plattenelements (62) erstreckt.
  40. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kavität (16) eine Öffnung (26) in dem Substrat (14) aufweist, die senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung (24) angeordnet ist, so dass der Volumenstrom (12) basierend auf der Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung (24) aus der Kavität (16) oder in die Kavität (16) strömt.
  41. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 40, bei dem die Öffnung (26) einen entlang einer axialen Richtung (y) veränderlichen Querschnitt aufweist, der von einer Außenseite des MEMS-Wandlers in eine Richtung hin zu der Kavität (16) abnimmt.
  42. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 40 oder 41, bei dem die Öffnung (26) entlang einer Dickenrichtung (z) senkrecht zu einer axialen Richtung (y) einen veränderlichen Querschnitt aufweist, der von einer Außenseite des MEMS-Wandlers in eine Richtung hin zu der Kavität (16) abnimmt.
  43. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kavität (16) eine Öffnung (26) in dem Substrat (14) aufweist, wobei in einem Bereich der Öffnung (26) zumindest ein Stabelement (44) gebildet ist, so dass der Volumenstrom (12) das Stabelement (44) umströmt.
  44. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 43, das eine Vielzahl von Stabelementen (44) aufweist, wobei benachbarte Stabelemente (44) einen Abstand (85) zueinander aufweisen, der geringer ist als 5 μm.
  45. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kavität (16) eine Öffnung (26) in dem Substrat (14) aufweist, wobei in einem Bereich der Öffnung (26) eine Abdeckung (43) angeordnet ist
  46. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kavität (16) eine Öffnung (26) in dem Substrat (14) aufweist, wobei in einem Bereich der Öffnung (26) eine Ventilstruktur (85a–f) angeordnet ist, die ausgebildet ist, um einen Durchfluss des Volumenstroms (12) durch die Öffnung entlang zumindest einer Richtung aus der Kavität (16) und/oder in die Kavität (16) zu reduzieren.
  47. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, das ferner ein Membranelement (104) aufweist, das angeordnet ist, um einen Austritt des Volumenstroms (12) aus der Kavität (16) oder einen Eintritt des Volumenstroms (12) in die Kavität (16) zumindest teilweise zu verhindern wobei basierend auf dem Volumenstrom (12) eine Auslenkung des Membranelements (104) bewirkbar ist.
  48. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 47, wobei die Kavität (16) eine Öffnung (26) in dem Substrat (14) aufweist, wobei das Membranelement (104) in einem Bereich der Öffnung (26) angeordnet ist.
  49. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, der mit zumindest einem zweiten MEMS-Wandler (80b–c; 80'b) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche in einem MEMS-Stapel (90; 140) angeordnet ist.
  50. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 49, wobei die elektromechanischen Wandler (18; 18a–f) des MEMS-Wandlers (80a; 80'a) und des zweiten MEMS-Wandlers (80b–c; 80'b) gemeinsam ansteuerbar sind.
  51. MEMS-Wandler gemäß Anspruch 49 oder 50, wobei eine Deckelfläche (32b) des MEMS-Wandlers eine Außenseite des Stapels (140) bildet, wobei der MEMS-Wandler (80'a) eine Öffnung (26) in der Deckelfläche (32b) aufweist, die einer dem zweiten MEMS-Wandler (80'b) zugewandten Seite abgewandt angeordnet ist, wobei der Volumenstrom (12) des MEMS-Wandlers (80'a) senkrecht oder entgegengesetzt zu dem Volumenstrom (12) des zweiten MEMS-Wandlers (80'b) aus oder in die Kavität (16) tritt.
  52. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 49–51, wobei die Kavität (16) des MEMS-Wandlers (80'a) und die Kavität (16) des zweiten MEMS-Wandlers (80'b) mit einander verbunden sind.
  53. MEMS-Wandler gemäß einem der Ansprüche 49–52, wobei die Kavität (16) des MEMS-Wandlers (80'a) und die Kavität (16) des zweiten MEMS-Wandlers (80'b) eine von einander verschiedene Resonanzfrequenz aufweisen.
  54. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) eine axiale Ausdehnung (y) aufweist, die einen Wert in einem Bereich von zumindest 1 μm und höchstens 100 mm, bevorzugt von zumindest 100 μm und höchstens 10 mm und besonders bevorzugt einen Wert in einem Bereich von zumindest 500 μm und höchstens 5 mm aufweist.
  55. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) eine Ausdehnung entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) aufweist, die einen Wert in einem Bereich von zumindest 0,1 μm und höchstens 1000 μm, bevorzugt von zumindest 1 μm und höchstens 100 μm und besonders bevorzugt einen Wert in einem Bereich von zumindest 5 μm und höchstens 30 μm aufweist.
  56. MEMS-Wandler gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das verformbare Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) eine Ausdehnung entlang einer lateralen Richtung (z), die senkrecht zu der lateralen Bewegungsrichtung (24) angeordnet ist, aufweist, die einen Wert in einem Bereich von zumindest 0,1 μm und höchstens 1000 μm, bevorzugt von zumindest 1 μm und höchstens 300 μm und besonders bevorzugt einen Wert in einem Bereich von zumindest 10 μm und höchstens 100 μm aufweist.
  57. MEMS-Lautsprecher mit einem MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Volumenstrom (12) eine akustische Schallwelle oder eine Ultraschallwelle ist.
  58. MEMS-Pumpe mit einem MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) gemäß einem der Ansprüche 1–56, wobei die Kavität (16) eine erste Öffnung (26) und eine zweite Öffnung (26) in dem Substrat (14) aufweist, wobei der elektromechanische Wandler (18; 18a–f) ausgebildet ist, um den Volumenstrom (12) basierend auf dem Fluid bereitzustellen und, um das Fluid basierend auf einer Aktuierung des elektromechanischen Wandlers (18; 18a–f) durch die erste Öffnung (26) in eine Richtung der Kavität (16) zu befördern oder, um das Fluid basierend auf der Aktuierung durch die zweite Öffnung (26) in eine Richtung weg von der Kavität (16) zu befördern.
  59. MEMS-Mikrophon mit einem MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) gemäß einem der Ansprüche 1–56, wobei basierend auf der Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) ein elektrischen Signal (129b) an einem Anschluss des elektromechanischen Wandlers (18; 18a–f) erhaltbar ist, wobei basierend auf dem Volumenstrom (12) die Verformung bewirkbar ist.
  60. MEMS-System (170) mit: einem MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche; und einer Steuervorrichtung (128), die ausgebildet ist, um die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) anzusteuern, oder um die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) zu erfassen.
  61. MEMS-System gemäß Anspruch 60, wobei der MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) eine Vielzahl von elektromechanischen Wandler (18; 18a–f) aufweist, wobei die Steuervorrichtung (128) ausgebildet ist, um die Vielzahl von elektromechanischen Wandler (18; 18a–f) so anzusteuern, dass sich ein erster (18b, 18d) und ein benachbarter zweiter elektromechanischer Wandler (18c, 18e) während eines ersten Zeitintervalls zumindest lokal auf einander zu bewegen und wobei die Steuervorrichtung (128) ausgebildet ist, um die Vielzahl von elektromechanischen Wandlern (18; 18a–f) so anzusteuern, dass sich der erste elektromechanische Wandler (18b, 18d) und ein dritter elektromechanischer Wandler (18a, 18c), der benachbart zu dem ersten elektromechanischen Wandler (18b, 18d) angeordnet ist, wobei der erste elektromechanische Wandler (18b, 18d) zwischen dem zweiten (18c, 18e) und dem dritten elektromechanischen Wandler (18a, 18c) angeordnet ist, während eines zweiten Zeitintervalls auf einander zu bewegen.
  62. MEMS-System gemäß Anspruch 60 oder 61, umfassend zumindest einen weiteren MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110), wobei die Kavität (16) des weiteren MEMS-Wandlers (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) eine Resonanzfrequenz aufweist, die von einer Resonanzfrequenz der Kavität (16) des MEMS-Wandlers (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) verschieden ist, wobei die Steuervorrichtung ausgebildet ist, um die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) des MEMS-Wandlers und des weiteren MEMS-Wandlers zu erfassen und, um eine Fouriersynthese basierend auf den elektrischen Signalen zu berechnen.
  63. MEMS-System gemäß einem der Ansprüche 60–62, umfassend zumindest einen weiteren MEMS-Wandler (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110), wobei die Kavität (16) des weiteren MEMS-Wandlers (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) eine Resonanzfrequenz aufweist, die von einer Resonanzfrequenz der Kavität (16) des MEMS-Wandlers (10; 20; 50; 80; 80'; 100; 110) verschieden ist, wobei die Steuervorrichtung ausgebildet ist, um die Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) des MEMS-Wandlers und des weiteren MEMS-Wandlers mit voneinander verschiedenen Frequenzen anzusteuern.
  64. Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Wandlers mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats (14), das eine Kavität (16) aufweist; Herstellen eines elektromechanischen Wandlers (18; 18a–f), der ein sich entlang einer lateralen Bewegungsrichtung (24) verformbares Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) aufweist, an dem Substrat (14) in der Kavität (16); so dass eine Verformung des verformbaren Elements (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) entlang der lateralen Bewegungsrichtung (24) und ein Volumenstrom (12) eines Fluids kausal zusammenhängen.
  65. Verfahren gemäß Anspruch 64, das ferner ein Anordnen einer reibungsarmen Schicht umfasst, wobei die reibungsarme Schicht in einem Bereich zwischen dem verformbaren Element (22; 22a–f; 30; 40; 150; 160) und einer benachbarten Schicht (32a–b) angeordnet wird.
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