DE102022200222A1 - Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement - Google Patents

Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102022200222A1
DE102022200222A1 DE102022200222.9A DE102022200222A DE102022200222A1 DE 102022200222 A1 DE102022200222 A1 DE 102022200222A1 DE 102022200222 A DE102022200222 A DE 102022200222A DE 102022200222 A1 DE102022200222 A1 DE 102022200222A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bending beam
electrode
energy converter
micro
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022200222.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Christoph Schelling
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102022200222.9A priority Critical patent/DE102022200222A1/de
Publication of DE102022200222A1 publication Critical patent/DE102022200222A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0018Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
    • B81B3/0021Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N2/00Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
    • H02N2/18Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing electrical output from mechanical input, e.g. generators
    • H02N2/185Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing electrical output from mechanical input, e.g. generators using fluid streams
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041Beam type
    • H10N30/2042Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • H10N30/2045Cantilevers, i.e. having one fixed end adapted for in-plane bending displacement
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/304Beam type
    • H10N30/306Cantilevers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0292Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03Microengines and actuators
    • B81B2201/032Bimorph and unimorph actuators, e.g. piezo and thermo
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03Microengines and actuators
    • B81B2201/036Micropumps
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0118Cantilevers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/056Rotation in a plane parallel to the substrate
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003Mems transducers or their use

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Die Erfindung schafft einen mikro-elektromechanischer Energiewandler und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Der mikro-elektromechanische Energiewandler ist ausgestattet mit einem freigestellten zumindest bereichsweise leitfähigen Biegebalken (B), welcher zumindest einseitig über eine Verankerung (V) an der Oberseite (O) eines Substrats (S) verankert ist, wobei der Biegebalken (B) eine erste und eine zweite laterale Seitenwand (S1, S2) aufweist, welche einander gegenüberliegen, und wobei auf der ersten lateralen Seitenwand (S1) zumindest bereichsweise eine erste einkristalline piezoelektrische Schicht (PZ1) aufgebracht ist, einer ersten leitfähigen Elektrode (E1), welche auf der ersten piezoelektrischen Schicht (PZ1) aufgebracht ist, einem ersten Elektrodenkontaktbereich (KE1) zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode (E1), einem Biegebalkenkontaktbereich (KB) zum elektrischen Kontaktieren des Biegebalkens (B), wobei durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken (B) und der ersten Elektrode (E1) eine laterale Zug- oder Druckkraft erzeugbar ist, welche den Biegebalken (B) lateral in einer Ebene verbiegt, welche im Wesentlichen parallel zur Oberseite (O) des Substrats (S) verläuft, und/oder wobei durch eine durch äußere Einflüsse verursachte laterale Verbiegung des Biegebalkens (B) eine elektrische Spannung zwischen dem Biegebalken (B) und der ersten Elektrode (E1) erzeugbar ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen mikro-elektromechanischen Energiewandler und ein entsprechendes Herstellungsverfahren sowie ein mikromechanisches Bauelement.
  • Stand der Technik
  • Zur Umwandlung elektrischer Energie in mechanische Energie und umgekehrt benutzt man elektromechanische Energiewandler, wie z.B. Lautsprecher und Mikrofone. Mikromechanische Sensoren und Aktoren in monolithischen Halbleitermaterialien werden dazu verwendet, von außen einwirkende physikalische Größen (Kraft, Beschleunigung, Druck) in elektrische Signale bzw. umgekehrt zu wandeln.
  • Allgemein ist es sehr schwierig, in der Mikrosystemtechnik bzw. Mikromechanik Energiewandler darzustellen, die große (quasi)statische Auslenkungen und/oder hohe Kräfte erzeugen. Üblicherweise werden Membranen oder Biegebalken eingesetzt, die mit Hilfe verschiedener Wandlermechanismen (piezoelektrisch, elektrostatisch, elektromagnetisch, elektrodynamisch, thermisch, magnetostriktiv, usw....) deformiert werden können. Die Wandlermechanismen unterscheiden sich dabei hinsichtlich ihres Flächenbedarfes (und damit Kosten) und ihrer Leistungsaufnahme (Energieverbrauch). Verbrauchsarm sind insbesondere piezoelektrische und elektrostatische Antriebe. Elektrostatische Antriebe mit lateraler Auslenkung in einer Ebene (z.B. eintauchende Interdigitalelektroden) sind sehr flächenintensiv. Generell besteht bei elektrostatischen Antrieben die Gefahr, dass zwei Strukturen unterschiedlichen Potentials sich berühren, wobei ein ungewollter Punktschweißvorgang ausgelöst werden kann, was einen Ausfall des Bauelements bedeuten kann.
  • Die EP 0 647 832 A2 beschreibt eine piezoresistive Sensorstruktur in einem monolithischem Halbleitermaterial, bestehend aus drei bzw. vier Elektroden und einer, die Elektroden verbindenden Widerstandsschicht, wobei eine einwirkende mechanische Spannung die Stromverteilung in den Elektroden so verändert, dass ein elektrisches Signal in Form eines Differenzstromes gemessen wird.
  • Die EP 0 253 946 B1 beschreibt einen mechanisch-elektrischen Wandler, insbesondere zur Druckerfassung, mit einem mindestens zwei Aussparungen aufweisenden, mit einer Halterung verbundenen, blattartigen Dehnkörper, dessen Mitte durch ein, insbesondere vom Druck betätigtes Element auslenkbar ist und auf dem mindestens zwei dehnungsempfindliche Widerstände angeordnet sind, von denen bei der Auslenkung des Dehnkörpers vorzugsweise je einer auf Zug und der andere auf Druck beansprucht wird.
  • Die WO 2012/095185 A1 offenbart ein mikromechanisches Bauelement mit einer Elektrode, einem verformbaren Element und einer isolierenden Abstandshalterschicht, wobei die Elektrode über die isolierende Abstandshalterschicht an dem verformbaren Element fixiert ist. Die isolierende Abstandshalterschicht ist entlang einer lateralen Richtung in mehrere voneinander beabstandete Segmente strukturiert, so dass durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen der Elektrode und dem verformbaren Element laterale Zug- oder Druckkräfte entstehen, die das verformbare Element entlang der lateralen Richtung verkrümmen. Alternativ ist die isolierende Abstandshalterschicht entlang einer lateralen Richtung in mehrere voneinander beabstandete Segmente strukturiert, so dass sich durch eine Verformung des verformbaren Elements in der lateralen Richtung eine Kapazität zwischen der Elektrode und dem verformbaren Element ändert. Der beschriebene Aktuatormechanismus ist durch die Kollapsspannung beschränkt.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Erfindung schafft einen mikro-elektromechanischen Energiewandler nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Herstellungsverfahren nach Anspruch 11 sowie ein mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 15.
  • Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
  • Vorteile der Erfindung
  • Kern der Erfindung ist, dass durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken und der ersten Elektrode und der optionalen zweiten Elektrode eine laterale Zug- oder Druckkraft erzeugbar ist, welche den Biegebalken lateral in einer Ebene verbiegt, welche im Wesentlichen parallel zur Oberseite des Substrats verläuft, und/oder dass durch eine durch äußere Einflüsse verursachte laterale Verbiegung des Biegebalkens eine elektrische Spannung zwischen dem Biegebalken und der ersten Elektrode und der optionalen zweiten Elektrode erzeugbar ist.
  • Der Biegebalken stellt das Rückgrat des Energiewandlers dar. Die piezoelektrische Schicht wandelt entweder eine elektrische Spannung in eine mechanische Verformung um oder umgekehrt, je nachdem, ob eine Auslenkung bewirkt oder eine Auslenkung sensiert werden soll. Die piezoelektrische Schicht überträgt die mechanischen Spannungen vom Piezowandler auf den Biegebalken. Die Anordnung des Piezowandlers auf der Seitenwand des Biegebalkens ermöglicht die Bewirkung bzw. Sensierung einer lateralen Auslenkung in der Substratebene.
  • Eine Druck-Zug-Aktuation des Energiewandlers lässt sich einerseits durch beidseitige Anordnung von Piezowandlern und andererseits durch ein Anlegen einer mittleren elektrischen Spannung erreichen, die dann sowohl gesenkt als auch erhöht werden kann, um den Energiewandler in beide Richtungen von einer Ruhelage bei mittlerer Spannung auslenken zu können.
  • Der erfindungsgemäße mikro-elektromechanische Energiewandler und das zugehörige Herstellungsverfahren ermöglichen, große Auslenkungen bei geringer Leistungsaufnahme bzw. eine hohe Sensorempfindlichkeit auf kleiner Fläche darzustellen. Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement ermöglicht durch Verwendung des erfindungsgemäßen mikro-elektromechanischen Energiewandlers eine effiziente Steuerung oder Erfassung von Fluidströmen.
  • Der erfindungsgemäße mikro-elektromechanische Energiewandler unterliegt keiner Kollapsgefahr bzw. Gefahr des lokalen Verschweißens durch Kurzschluss wie ansonsten bei elektrostatischen in-plane Aktuatoren bzw. Sensoren bekannt.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist auf der zweiten lateralen Seitenwand zumindest bereichsweise eine zweite piezoelektrische Schicht aufgebracht, wobei eine zweite leitfähige Elektrode auf der zweiten piezoelektrischen Schicht aufgebracht ist, wobei ein zweiter Elektrodenkontaktbereich zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode vorgesehen ist, wobei durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken und der zweiten Elektrode eine laterale Zug- oder Druckkraft erzeugbar ist, welche den Biegebalken lateral in der Ebene verbiegt, welche im Wesentlichen parallel zur Oberseite des Substrats verläuft; und wobei eine durch äußere Einflüsse verursachte laterale Verbiegung des Biegebalkens zu einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken und der zweiten Elektrode führt, welche abgreifbar ist. Dies erhöht die Empfindlichkeit des Energiewandlers.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Biegebalken aus einem einkristallinem Material, insbesondere einkristallinem Silizium, hergestellt, wobei die erste und/oder zweite Seitenwand vorzugsweise eine (111)-Kristallorientierung aufweist. Dies ist vorteilhaft für das einkristalline Wachstum der nachfolgend darauf abgeschiedenen piezoelektrischen Schicht.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die erste und/oder zweite piezoelektrische Schicht aus im Wesentlichen einkristallinem AIN hergestellt, dessen c-Achse im Wesentlichen senkrecht zur ersten bzw. zweiten Seitenwand verläuft. Eine solche bevorzugt hochkonforme piezoelektrische Schicht an den Seitenwänden lässt sich mittels MOCVD-Abscheidung (metal organic chemical vapor deposition)herstellen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Biegebalken im Bereich eines zweiten Längsendes des Biegebalkens über die Verankerungseinrichtung an der Oberseite des Substrats verankert. Dies erhöht die Robustheit bei starken Belastungen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Biegebalkenkontaktbereich im Bereich des ersten oder zweiten Längsendes des Biegebalkens angeordnet. Dort ist die geringste Gefahr einer Beschädigung des Biegebalkens beim Kontaktieren mit Anschlüssen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Biegebalken ein oder mehrere Perforationen auf, welche im Wesentlichen senkrecht zur Ebene der Verbiegung orientiert sind. Dies ermöglicht eine Erhöhung der Flexibilität des Biegebalkens.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Biegebalken laterale Breitenvariationen auf. So lässt sich die Kraftdichte gezielt lokal variieren und die Robustheit bzw. Auslenkung/Empfindlichkeit optimieren.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Biegebalken über einer Ausnehmung in dem Substrat angeordnet und überdeckt die Ausnehmung zumindest teilweise. Dies vereinfacht die Herstellung und sorgt für eine gute Bewegungsfreiheit.
  • Figurenliste
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die Figuren erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1a), b) schematische Darstellungen eines mikro-elektromechanischen Energiewandlers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zwar 1a) in perspektivischer Ansicht und 1b) in Draufsicht;
    • 2a), b) ausschnittsweise schematische Ansichten eines modifizierten Biegebalkens gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zwar 2a) mit einer ersten Perforation aus einer Draufsicht und 2b) mit einer zweiten Perforation in einem Querschnitt;
    • 3 ein fluidisches mikromechanisches Bauelement mit einer Mehrzahl von mikro-elektromechanischen Energiewandlern gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
    • 4 ein Fließdiagramm zum Erläutern eines Herstellungsverfahrens für einen mikro-elektromechanischen Energiewandler gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente.
  • 1a), b) sind schematische Darstellungen eines mikro-elektromechanischen Energiewandlers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zwar 1a) in perspektivischer Ansicht und 1b) in Draufsicht.
  • Der mikro-elektromechanische Energiewandler gemäß der ersten Ausführungsform trägt allgemein Bezugszeichen 1. Darunter erstreckt sich ein Substrat S mit einer Oberseite O und einer Unterseite U, welches nicht im vorderen Bereich unterhalb des Biegebalkens B verläuft.
  • Der mikro-elektromechanische Energiewandler 1 weist einen freigestellten zumindest bereichsweise leitfähigen Biegebalken B auf, welcher zumindest im Bereich eines ersten Längsendes des Biegebalkens B über eine Verankerungseinrichtung V an der Oberseite O des Substrats S verankert ist.
  • Der Biegebalken B weist eine erste und eine zweite laterale Seitenwand S1, S2 auf, welche einander gegenüberliegen, sowie eine Oberseite O1 und eine Unterseite U1. Auf der ersten lateralen Seitenwand S1 ist eine erste einkristalline piezoelektrische Schicht PZ1 aufgebracht, welche sich auch abschnittsweise auf die Oberseite O1 erstreckt. Eine erste leitfähige Elektrode E1 ist konform auf der ersten piezoelektrischen Schicht PZ1 aufgebracht.
  • Ein erster Elektrodenkontaktbereich KE1 zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode E1 ist parallel zur Oberseite O1 in elektrischen Kontakt mit der ersten Elektrode E1 vorgesehen.
  • Auf der zweiten lateralen Seitenwand S2 ist eine zweite einkristalline piezoelektrische Schicht PZ2 aufgebracht, welche sich ebenfalls abschnittsweise auf die Oberseite O1 erstreckt.
  • Eine zweite leitfähige Elektrode E2 ist konform auf der zweiten piezoelektrischen Schicht PZ2 aufgebracht. Ein zweiter Elektrodenkontaktbereich KE2 zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode E2 ist parallel zur Oberseite O1 in elektrischen Kontakt mit der zweiten Elektrode E2 vorgesehen.
  • Ein Biegebalkenkontaktbereich KB zum elektrischen Kontaktieren des Biegebalkens B ist an dem Längsende der Verankerungseinrichtung V des Biegebalkens B vorgesehen und am Längsende des Biegebalkens B beidseitig nach außen umgefaltet. Auch der umgefaltete Bereich ist mit der ersten bzw. zweiten piezoelektrischen Schicht PZ1, PZ2 und der ersten bzw. zweiten Elektrode E1, E2 beschichtet.
  • Der Biegebalken B kann aus einkristallinem Material, wie z. B. Silizium, ausgebildet sein. Durch Wahl einer Biegebalkenausrichtung längs einer geeigneten Si-Kristallrichtung können die senkrechten lateralen Seitenflächen mit einer (111)-Kristallorientierung durch Ätzen freigelegt werden. Diese sind besonders vorteilhaft für das einkristalline Aufwachsen der nachfolgendabgeschiedenen piezoelektrischen AIN-Schicht.
  • Die erste und zweite piezoelektrische Schicht PZ1, PZ2 ist aus einkristallinem AIN hergestellt, dessen c-Achse im Wesentlichen senkrecht zur ersten bzw. zweiten Seitenwand S1, S2 verläuft. Piezoelektrisches AlN (Aluminiumnitrid) kann mit Hilfe eines MOCVD-Verfahrens (metal-organic chemical vapor deposition) bei Temperaturen >950°C im Wesentlichen einkristallin abgeschieden werden. Auf Grund der Abscheidung aus der Gasphase ergibt sich eine sehr konforme Bedeckung der Oberflächentopographie.
  • Durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken B und der ersten Elektrode E1 und/oder der zweiten Elektrode E2 ist eine laterale Zug- oder Druckkraft erzeugbar, welche den Biegebalken B lateral in einer Ebene verbiegt, welche im Wesentlichen parallel zur Oberseite O des Substrats S verläuft.
  • Andererseits ist durch eine durch äußere Einflüsse verursachte laterale Verbiegung des Biegebalkens B eine elektrische Spannung zwischen dem Biegebalken B und der ersten und/oder zweiten Elektrode E1, E2 erzeugbar.
  • 2a), b) sind ausschnittsweise schematische Ansichten eines modifizierten Biegebalkens gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zwar 2a) eine Draufsicht mit einer ersten Perforation und 2b) ein Querschnitt durch einen Biegebalken mit einer zweiten Perforation.
  • Der Biegebalken B' gemäß 2a) weist eine zentrale Längsperforation P1 auf, welche im Wesentlichen senkrecht zur Ebene der Verbiegung orientiert ist.
  • Der Biegebalken B'' gemäß 2b) weist eine zentrale, rechteckige Perforation P2 im Querschnitt des Biegebalkens auf, welche im Wesentlichen senkrecht zur der Ebene der Verbiegung orientiert ist und welche nach einer Seite hin offen ist und somit eine gabelartige Gestalt des Biegebalkens B'' ergibt.
  • 3 zeigt einen Querschnitt eines fluidischen mikromechanischen Bauelements mit einer Mehrzahl von mikro-elektromechanischen Energiewandlern gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Das fluidische Bauelement 10 weist einen Grundkörper G, z.B. aus Silizium, auf, der in seinem Inneren drei Einlasskanäle KI1, KI2, KI3 besitzt, welche eine jeweilige externe Einlassöffnung I1, I2, I3 haben.
  • Die Einlasskanäle I1, I2, I3 münden an den Verzweigungen Z1, Z2 in Auslasskanäle KA1 und KA2, welche eine jeweilige erste bzw. zweite KA1, KA2 Auslassöffnung aufweisen.
  • Beidseitig der ersten Verzweigung Z1 sind mikro-elektromechanischen Energiewandler 1a, 1b angeordnet, und beidseitig der zweiten Verzweigung Z2 sind mikro-elektromechanischen Energiewandler 1c, 1d angeordnet. Die beiden Paare von mikro-elektromechanischen Energiewandlern 1a, 1b bzw. 1c, 1d können mit einem Fluidstrom interagieren und/oder diesen Fluidstrom durch Anlegen einer externen Wechselspannung erzeugen und/oder diesen Fluidstrom messen, wenn der Fluidstrom sie verbiegt. Die jeweiligen Verbiegungsrichtungen der beiden Paare von mikro-elektromechanischen Energiewandlern 1a, 1b bzw. 1c, 1d sind dabei mit Ba, Bb bzw. Bc, Bd bezeichnet.
  • 4 ist ein Fließdiagramm zum Erläutern eines Herstellungsverfahrens für einen mikro-elektromechanischen Energiewandler gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In einem ersten Schritt S1 erfolgt ein Bereitstellen eines Substrats mit einer Aktorschicht, z.B. aus Silizium. Das Substrat kann beispielsweise ein SOI-Substrat sein, welches eine Grundsubstratschicht, eine Oxidschicht und die Aktorschicht aufweist.
  • In einem zweiten Schritt S2 erfolgt ein Freilegen der ersten und/oder zweiten Seitenwand S1, S2, je nachdem ob eine einseitige oder doppelseitige Beschichtung erfolgen soll.
  • In einem dritten Schritt S3 erfolgt ein Abscheiden einer piezoelektrischen Schicht über der Aktorschicht.
  • In einem vierten Schritt S4 erfolgt ein Abscheiden einer leitfähigen Elektrodenschicht über der piezoelektrischen Schicht.
  • Das Abscheiden der piezoelektrischen Schicht kann mittels einer MOCVD-Abscheidung, insbesondere selektiv, erfolgen und das Abscheiden der leitfähigen Elektrodenschicht kann mittels einer MOCVD-Abscheidung, einer LPCVD-Abscheidung oder mittels einer ALD-Abscheidung erfolgen.
  • Dann erfolgt in einem fünften Schritt ein bereichsweises Entfernen der piezoelektrischen Schicht und der leitfähigen Elektrodenschicht zum Erzeugen der gewünschten Struktur.
  • Zuletzt in Schritt S6 erfolgt ein Herausstrukturieren und Freilegen des zumindest bereichsweise leitfähigen mit der piezoelektrischen Schicht und der Elektrodenschicht beschichteten Biegebalkens B, B', B'' aus der Aktorschicht.
  • Das Freistellen kann bei Verwendung eines SOI-Substrats durch eine Opferschichtätzung der Oxidschicht erfolgen.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt. Insbesondere sind die genannten Materialien und Topologien nur beispielhaft und nicht auf die erläuterten Beispiele beschränkt.
  • Obwohl das mikromechanische Bauelement beispielsweise anhand eines Fluidverteilers erläutert wurde, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt, und eignet sich insbesondere auch für Mikrolautsprecher, Mikropumpen, Mikrofone, Energiegeneratoren, AFM-Spitzen, Kraftsensoren, Resonatoren usw..
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 0647832 A2 [0004]
    • EP 0253946 B1 [0005]
    • WO 2012095185 A1 [0006]

Claims (15)

  1. Mikro-elektromechanischer Energiewandler mit: einem freigestellten zumindest bereichsweise leitfähigen Biegebalken (B; B'; B''), welcher zumindest im Bereich eines ersten Längsendes des Biegebalkens (B; B'; B'') über eine Verankerungseinrichtung (V) an der Oberseite (O) eines Substrats (S) verankert ist; wobei der Biegebalken (B; B'; B'') eine erste und eine zweite laterale Seitenwand (S1, S2) aufweist, welche einander gegenüberliegen, und wobei auf der ersten lateralen Seitenwand (S1) zumindest bereichsweise eine erste einkristalline piezoelektrische Schicht (PZ1) aufgebracht ist; einer ersten leitfähigen Elektrode (E1), welche auf der ersten piezoelektrischen Schicht (PZ1) aufgebracht ist; einem ersten Elektrodenkontaktbereich (KE1) zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode (E1); einem Biegebalkenkontaktbereich (KB) zum elektrischen Kontaktieren des Biegebalkens (B; B'; B''); wobei durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken (B; B'; B'') und der ersten Elektrode (E1) eine laterale Zug- oder Druckkraft erzeugbar ist, welche den Biegebalken (B; B'; B'') lateral in einer Ebene verbiegt, welche im Wesentlichen parallel zur Oberseite (O) des Substrats (S) verläuft; und/oder wobei durch eine durch äußere Einflüsse verursachte laterale Verbiegung des Biegebalkens (B; B'; B'') eine elektrische Spannung zwischen dem Biegebalken (B; B'; B'') und der ersten Elektrode (E1) erzeugbar ist.
  2. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach Anspruch 1, wobei auf der zweiten lateralen Seitenwand (S2) zumindest bereichsweise eine zweite einkristalline piezoelektrische Schicht (PZ2) aufgebracht ist, wobei eine zweite leitfähige Elektrode (E2) auf der zweiten piezoelektrischen Schicht (PZ2) aufgebracht ist, wobei ein zweiter Elektrodenkontaktbereich (KE2) zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode (E2) vorgesehen ist, wobei durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Biegebalken (B; B'; B'') und der zweiten Elektrode (E2) eine laterale Zug- oder Druckkraft erzeugbar ist, welche den Biegebalken (B; B'; B'') lateral in der Ebene verbiegt, welche im Wesentlichen parallel zur Oberseite (O) des Substrats (S) verläuft; und/oder wobei durch eine durch äußere Einflüsse verursachte laterale Verbiegung des Biegebalkens (B; B'; B'') eine elektrische Spannung zwischen dem Biegebalken (B; B'; B'') und der zweiten Elektrode (E2) erzeugbar ist.
  3. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Biegebalken (B; B'; B'') aus einem einkristallinen Material, insbesondere einkristallinem Silizium, hergestellt ist.
  4. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach Anspruch 3, wobei die erste und/oder zweite Seitenwand (S1, S2) eine (111)-Kristallorientierung aufweist.
  5. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder zweite piezoelektrische Schicht (PZ1, PZ2) aus im Wesentlichen einkristallinem AIN hergestellt ist, dessen c-Achse senkrecht zur ersten bzw. zweiten Seitenwand (S1, S2) verläuft.
  6. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Biegebalken (B; B'; B'') im Bereich eines zweiten Längsendes des Biegebalkens (B; B'; B'') über die Verankerungseinrichtung (V) an der Oberseite (O) des Substrats (S) verankert ist.
  7. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Biegebalkenkontaktbereich (KB) im Bereich des ersten oder zweiten Längsendes des Biegebalkens (B; B'; B'') angeordnet ist.
  8. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Biegebalken (B'; B'') ein oder mehrere Perforationen (P1; P2) aufweist, welche im Wesentlichen senkrecht zur der Ebene der Verbiegung orientiert sind.
  9. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Biegebalken (B; B'; B'') laterale Breitenvariationen aufweist.
  10. Mikro-elektromechanischer Energiewandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Biegebalken (B; B'; B'') in einem Fluidkanal in dem Substrat (S) angeordnet ist und den Fluidkanal zumindest teilweise überdeckt.
  11. Herstellungsverfahren für einen mikro-elektromechanischen Energiewandler nach einem der Ansprüche 1 bis 10 mit den Schritten: Bereitstellen (S1) eines Substrats (S) mit einer Aktorschicht; Freilegen (S2) der ersten und/oder zweiten Seitenwand (S1, S2); Abscheiden (S3) einer piezoelektrischen Schicht über der Aktorschicht; Abscheiden (S4) einer leitfähigen Elektrodenschicht über der piezoelektrischen Schicht; bereichsweises Entfernen (S5) der einer piezoelektrischen Schicht und der leitfähigen Elektrodenschicht; und Herausstrukturieren und Freilegen (S6) des zumindest bereichsweise leitfähigen mit der piezoelektrischen Schicht und der Elektrodenschicht beschichteten Biegebalkens (B; B'; B'') aus der Aktorschicht.
  12. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei das Substrat (S) ein SOI-Substrat ist, welches eine Grundsubstratschicht, eine Oxidschicht und die Aktorschicht aufweist.
  13. Herstellungsverfahren nach Anspruch 12, wobei das Freistellen durch eine Opferschichtätzung der Oxidschicht erfolgt.
  14. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Abscheiden der piezoelektrischen Schicht mittels einer MOCVD-Abscheidung, insbesondere selektiv, erfolgt und/oder wobei das Abscheiden der leitfähigen Elektrodenschicht mittels einer MOCVD-Abscheidung, einer LPCVD-Abscheidung oder mittels einer ALD-Abscheidung erfolgt.
  15. Mikromechanisches Bauelement mit einem oder mehreren mikro-elektromechanischen Energiewandlern nach einem der Ansprüche 1 bis 10, insbesondere Mikrolautsprecher, Mikropumpe, Mikrofon, Fluidverteiler, Energiegenerator, AFM-Spitze, Kraftsensor, Resonator.
DE102022200222.9A 2022-01-12 2022-01-12 Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement Pending DE102022200222A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022200222.9A DE102022200222A1 (de) 2022-01-12 2022-01-12 Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022200222.9A DE102022200222A1 (de) 2022-01-12 2022-01-12 Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022200222A1 true DE102022200222A1 (de) 2023-07-13

Family

ID=86895267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022200222.9A Pending DE102022200222A1 (de) 2022-01-12 2022-01-12 Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102022200222A1 (de)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0253946B1 (de) 1986-07-18 1991-06-26 VDO Adolf Schindling AG Mechanisch-elektrischer Wandler
EP0647832A2 (de) 1993-10-06 1995-04-12 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Piezoresistive Sensorstruktur
WO2012095185A1 (de) 2011-01-14 2012-07-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanisches bauelement
JP2015195721A (ja) 2015-07-03 2015-11-05 株式会社トライフォース・マネジメント 発電素子
DE102015210919A1 (de) 2015-06-15 2016-12-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102019220126A1 (de) 2019-12-19 2021-06-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Bewegbares Piezoelement und Verfahren zum Herstellen eines bewegbaren Piezoelements
US20210265556A1 (en) 2020-02-26 2021-08-26 Stmicroelectronics S.R.L. Micro electro mechanical system and manufacturing method thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0253946B1 (de) 1986-07-18 1991-06-26 VDO Adolf Schindling AG Mechanisch-elektrischer Wandler
EP0647832A2 (de) 1993-10-06 1995-04-12 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Piezoresistive Sensorstruktur
WO2012095185A1 (de) 2011-01-14 2012-07-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanisches bauelement
DE102015210919A1 (de) 2015-06-15 2016-12-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids und Verfahren zum Herstellen desselben
JP2015195721A (ja) 2015-07-03 2015-11-05 株式会社トライフォース・マネジメント 発電素子
DE102019220126A1 (de) 2019-12-19 2021-06-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Bewegbares Piezoelement und Verfahren zum Herstellen eines bewegbaren Piezoelements
US20210265556A1 (en) 2020-02-26 2021-08-26 Stmicroelectronics S.R.L. Micro electro mechanical system and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1444864B1 (de) Mikromechanische sensoren und verfahren zur herstellung derselben
DE102017103195B4 (de) Mikroelektromechanisches Mikrofon und Herstellungsverfahren für ein Mikroelektromechanisches Mikrofon
DE102012216150B9 (de) Mikroelektromechanisches System mit Biegeauslenkung der Rückplattenstruktur
DE19810534C2 (de) Mehrachsenbeschleunigungssensor und Herstellungsverfahren eines Mehrachsenbeschleunigungssensor
DE102005004878B4 (de) Mikromechanischer kapazitiver Drucksensor und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102006055147B4 (de) Schallwandlerstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schallwandlerstruktur
DE19639946B4 (de) Mikromechanisches Bauelement
DE102009045391A1 (de) Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
DE102014217798A1 (de) Mikromechanische piezoelektrische Aktuatoren zur Realisierung hoher Kräfte und Auslenkungen
DE102019203914B3 (de) MEMS mit großer fluidisch wirksamer Oberfläche
DE102014225934B4 (de) Elektrostatisch auslenkbares mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3889440T2 (de) Geradlinig und linear biegbares Element, hergestellt aus einer einzigen Platte.
WO2021032417A1 (de) Mems-bauteil, baugruppe mit dem mems-bauteil und verfahren zum betreiben des mems-bauteils
WO1991000522A1 (de) Vorrichtung zur messung mechanischer kräfte und kraftwirkungen
CN112129347A (zh) 一种用于微制造的多层薄膜残余应力和杨氏模量在线测试结构及在线提取方法
DE102010062555B4 (de) Mikromechanische Membranvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie Membrananordnung
DE102016219807A1 (de) Mikromechanischer Sensor
DE19750350C1 (de) Dreidimensionaler Chip-Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung mittels UV-unterstützter Mikrogalvanik
DE102016107059B4 (de) Integriertes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
DE102022200222A1 (de) Mikro-elektromechanischer Energiewandler und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanisches Bauelement
WO2017215809A1 (de) Mikroelektromechanisches mikrofon
DE102018222715B4 (de) Sensoreinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoreinrichtung
DE69023347T2 (de) Integriertes Rastertunnelmikroskop mit pneumatischer und elektrostatischer Steuerung und Verfahren zum Herstellen desselben.
DE102010062056B4 (de) Mikromechanisches Bauteil
DE102018218056B3 (de) Stressentkoppeltes MEMS-Bauteil mit ringförmiger Membran

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified