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Die Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleiterwafer und insbesondere eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Beseitigen des Resists eines Halbleiterwafers.
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Eine Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists, die einen auf einer Oberfläche eines Halbleiterwafers ausgebildeten Resist beseitigt, ist mit einer Düse zum Zuführen einer Ozonlösung wie etwa Ozonwasser ausgebildet, wobei die Düse so strukturiert ist, dass sie eine Zufuhroberfläche mit einer größeren Form als die Oberfläche des Halbleiterwafers aufweist, um die gesamte Oberfläche des Halbleiterwafers zuverlässig zu bedecken, und wobei eine Entfernung zwischen der Zufuhroberfläche der Düse und der Oberfläche des Halbleiterwafers innerhalb eines Bereichs von 1,0 mm oder weniger eingestellt werden kann.
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In der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists weist die Düse die obenerwähnte Struktur auf, um eine Beseitigungsrate und die Planarität beim Beseitigen eines Resists zu verbessern und dadurch den Resist ausreichend zu beseitigen.
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Währenddessen ist ein Halbleiterwafer (im Folgenden als ”Vertiefungsprofilwafer” bezeichnet) entwickelt worden, der eine Vertiefungsprofilstruktur aufweist, in der der Halbleiterwafer ausgehöhlt ist, während einige Millimeter eines Umfangsabschnitts verblieben sind, wobei nur das Innere davon poliert wird. Der Vertiefungsprofilwafer weist eine Struktur auf, die einen Hauptabschnitt, der ein vertiefter Abschnitt ist, der poliert ist, und einen vorstehenden Umfangsabschnitt, der entlang des Umfangs des Hauptabschnitts höher als die Oberfläche des Hauptabschnitts vorsteht, aufweist. Der Vertiefungsprofilwafer mit einer solchen Struktur ist in
JP 2007-335659 als ein ”in einem TAIKO
TM-Prozess hergestellter Wafer” offenbart.
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Der Hauptabschnitt dieses Vertiefungsprofilwafers ist im Wesentlichen der Waferabschnitt, sodass ein Resist auf seiner Oberfläche ausgebildet wird. Somit macht es der vorstehende Umfangsabschnitt (Höhe näherungsweise 0,725 mm) im Wesentlichen unmöglich, die Entfernung zwischen der Oberfläche des Hauptabschnitts und der Zufuhroberfläche der Düse innerhalb des Bereichs von 1,0 mm oder weniger einzustellen, wenn die herkömmliche Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists verwendet wird, um den auf der Oberfläche des Hauptabschnitts des Vertiefungsprofilwafers innerhalb des vorstehenden Umfangsabschnitts ausgebildeten Resist zu beseitigen. Das liegt daran, dass die Entfernung zwischen der Oberfläche des Hauptabschnitts und der Zufuhroberfläche unvermeidlich größer als 1,0 mm ist, da die Zufuhroberfläche der Düse zuverlässig über dem vorstehenden Umfangsabschnitt (näherungsweise 0,5 mm darüber) des Vertiefungsprofilwafers angeordnet werden muss, ohne mit dem vorstehenden Umfangsabschnitt in Kontakt zu gelangen.
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Folglich übersteigt die Entfernung zwischen der Oberfläche des Hauptabschnitts des Vertiefungsprofilwafers und der Zufuhroberfläche der Düse in der herkömmlichen Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists unvermeidlich 1,0 mm, was zu einer Verringerung der Beseitigungsrate und der Planarität bei der Beseitigung des auf der Oberfläche des Hauptabschnitts des Vertiefungsprofilwafers ausgebildeten Resists führt. Dies führt zu dem Problem, dass der Resist nicht ausreichend beseitigt werden kann.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Beseitigen des Resists zu schaffen, die eine Beseitigungsrate und eine Planarität bei der Beseitigung eines auf einer Oberfläche eines Hauptabschnitts eines Vertiefungsprofilwafers ausgebildeten Resists verbessern können und den Resist ausreichend beseitigen können.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists nach Anspruch 1 bzw. durch ein Verfahren zum Beseitigen eines Resists nach Anspruch 5. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Die Erfindung schafft eine Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists für einen Wafer mit einem Hauptabschnitt und mit einem vorstehenden Umfangsabschnitt, der entlang eines Umfangs des Hauptabschnitts ausgebildet ist und höher als eine Oberfläche des Hauptabschnitts, auf der ein Resist ausgebildet ist, vorsteht. Die Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists enthält eine Düse, die als eine Unterseite eine Zufuhroberfläche aufweist, die in der Mitte mit einer Zufuhröffnung für eine Ozonlösung versehen ist, wobei die Düse eine Zufuhrabschnittsstruktur aufweist, die die Zufuhroberfläche enthält, die in einem Waferinnenraum, der zwischen dem vorstehenden Umfangsabschnitt und der Oberfläche des Hauptabschnitts ausgebildet ist, der Oberfläche des Hauptabschnitts in einem berührungslosen Zustand gegenüberliegend ausgebildet ist, ohne mit dem vorstehenden Umfangsabschnitt in Berührung zu gelangen.
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Die Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der Erfindung weist die obige Eigenschaft auf, sodass die Zufuhroberfläche in geringer Entfernung von kleiner oder gleich 1,0 mm, z. B. der Oberfläche des Hauptabschnitts des Wafers mit dem vorstehenden Umfangsabschnitt gegenüberliegend, angeordnet werden kann. Somit können die Beseitigungsrate und die Planarität bei der Beseitigung des Resists verbessert werden, wenn die Ozonlösung von der Zufuhröffnung zugeführt wird, um den Resist von der Oberfläche des Hauptabschnitts zu beseitigen.
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Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Beseitigen eines Resists von einem Wafer mit einem Hauptabschnitt und mit einem vorstehenden Umfangsabschnitt, der entlang eines Umfangs des Hauptabschnitts ausgebildet ist und höher als eine Oberfläche des Hauptabschnitts, auf der ein Resist ausgebildet ist, vorsteht. Das Verfahren zum Beseitigen eines Resists enthält die folgenden Schritte (a) bis (c). In dem Schritt (a) wird eine Düse mit einer Zufuhroberfläche vorbereitet, die in der Mitte der Zufuhroberfläche mit einer Zufuhröffnung für eine Ozonlösung versehen ist. Die Düse weist eine Zufuhrabschnittsstruktur auf, die die Zufuhroberfläche enthält, die der Oberfläche des Hauptabschnitts in einem berührungslosen Zustand gegenüberliegt, ohne mit dem vorstehenden Umfangsabschnitt in einem zwischen dem vorstehenden Umfangsabschnitt und der Oberfläche des Hauptabschnitts ausgebildeten Waferinnenraum in Berührung zu gelangen, In dem Schritt (b) wird die Zufuhrabschnittsstruktur in der Weise über der Oberfläche des Hauptabschnitts angeordnet, dass eine Entfernung zwischen der Zufuhroberfläche und der Oberfläche des Hauptabschnitts in dem Waferinnenraum kleiner oder gleich 1,0 mm ist. In dem Schritt (c) wird von der Zufuhröffnung die Ozonlösung zugeführt, um den Resist von der Oberfläche des Hauptabschnitts zu beseitigen.
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Das Verfahren zum Beseitigen eines Resists der Erfindung enthält den Schritt (b) des Anordnens der Zufuhroberfläche in geringer Entfernung von kleiner oder gleich 1,0 mm von der Oberfläche des Hauptabschnitts des Wafers mit dem vorstehenden Abschnitt und den Schritt (c) des Beseitigens des Resists von der Oberfläche des Hauptabschnitts, sodass die Beseitigungsrate und die Planarität des Resists zur Zeit der Ausführung des Schritts (c) verbessert werden können.
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Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
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1 eine Querschnittsansicht einer Struktur einer Düse einer Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists in Übereinstimmung mit einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
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2 eine Querschnittsansicht einer Struktur einer Düse einer Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists in Übereinstimmung mit einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung; und
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3 eine Querschnittsansicht einer Struktur einer herkömmlichen Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists.
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Zugrundeliegende Technologie
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3 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur einer herkömmlichen Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists, die einen auf einer Oberfläche eines Halbleiterwafers ausgebildeten Resist mit einer Düse zum Zuführen von Ozonwasser beseitigt.
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Wie gezeigt ist, enthält die herkömmliche Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists eine Düse 50, die das Ozonwasser, das eine der Ozonlösungen ist, von einer in der Mitte der Düse 50 vorgesehenen Zufuhröffnung 61 zuführt. Währenddessen besteht ein Vertiefungsprofilwafer 1, der ein Halbleiterwafer ist, dessen Resist beseitigt werden soll, aus einem Waferhauptabschnitt 1a und aus einem Waferumfangsabschnitt 1b (vorstehenden Umfangsabschnitt), wobei der Waferhauptabschnitt 1a ein vertiefter Innenabschnitt ist und der Waferumfangsabschnitt 1b entlang eines Umfangs des Waferhauptabschnitts 1a ausgebildet ist und höher als eine Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a vorsteht. Der Vertiefungsprofilwafer 1 ist auf einem Absorptionstisch 4 angeordnet.
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Der gesamte Vertiefungsprofilwafer 1 (der Waferhauptabschnitt 1a und der Waferumfangsabschnitt 1b) ist kreisförmig mit einem Durchmesser von 200 mm in der Draufsicht. Der Waferhauptabschnitt 1a ist kreisförmig mit einem Durchmesser von 194 bis 195 mm in der Draufsicht. Der Waferhauptabschnitt 1a weist eine Dicke von 0,04 bis 0,05 mm auf. Der Waferumfangsabschnitt 1b weist eine Höhe von 0,725 mm auf.
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Währenddessen weist die Düse 50 in der herkömmlichen Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists eine Struktur auf, die eine Zufuhroberfläche 60 mit einer größeren Form als die Oberfläche des Vertiefungsprofilwafers 1 (des Waferhauptabschnitts 1a und des Waferumfangsabschnitts 1b) enthält, um die gesamte Oberfläche des Vertiefungsprofilwafers 1 ähnlich wie im Fall des allgemeinen Halbleiterwafers zuverlässig zu bedecken.
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Der Waferhauptabschnitt 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 ist im Wesentlichen der Waferabschnitt, sodass auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a selektiv ein Resist 2 ausgebildet wird. Der Waferumfangsabschnitt 1b ist so ausgebildet, dass er höher als die Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a vorsteht, sodass zwischen dem Waferumfangsabschnitt 1b und der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a ein Waferinnenraum 10 vorgesehen ist.
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Falls die in 3 gezeigte herkömmliche Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists verwendet wird, um den auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 ausgebildeten Resist 2 zu beseitigen, macht es der Waferumfangsabschnitt 1b im Wesentlichen unmöglich, die Entfernung zwischen der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a und der Zufuhroberfläche 60 der Düse 50 innerhalb des Bereichs von 1,0 mm oder weniger einzustellen. Das liegt daran, dass die Zufuhroberfläche 60 nicht in dem Waferinnenraum 10 angeordnet werden kann, sodass die Entfernung zwischen der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a und der Zufuhroberfläche 60 unvermeidlich 1,0 mm übersteigt, da die Zufuhroberfläche 60 der Düse 50 (näherungsweise 0,5 mm) wie oben beschrieben über dem Waferumfangsabschnitt 1b des Vertiefungsprofilwafers 1 angeordnet werden muss, ohne mit dem Waferumfangsabschnitt 1b in Berührung zu gelangen.
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Erste bevorzugte Ausführungsform
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1 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur einer Düse einer Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists in Übereinstimmung mit einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform enthält eine Düse 3A mit einer optimalen Struktur zum Beseitigen des auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 ausgebildeten Resists 2.
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Im Folgenden wird die Struktur der Düse 3A spezifisch beschrieben. Um Ozonwasser als eine der Ozonlösungen zuzuführen, weist die Düse 3A im Querschnitt in der Mitte eine konische Struktur auf, die sich ab der Mitte nach unten von innen nach außen ausdehnt, wobei die Düse 3A als Unterseite eine Zufuhroberfläche 30 aufweist, die mit einer in der Draufsicht kreisförmigen Zufuhröffnung 31 versehen ist.
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Die Düse 3A als Ganzes ist in der im Wesentlichen zylindrischen Struktur ausgebildet, die die Zufuhroberfläche 30 mit der Zufuhröffnung 31 als Unterseite aufweist. Die Zufuhroberfläche 30 ist etwas schmaler als die Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a und weist außerdem eine Form auf, die in die Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a passt. Genauer ist der Waferhauptabschnitt 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 in einer Kreisform mit einer Oberflächenform, die einen Durchmesser von 194 bis 195 mm aufweist, ausgebildet, während eine Oberflächenform der Zufuhroberfläche 30 mit der Zufuhröffnung 31 in einer Kreisform mit einem Durchmesser von näherungsweise 190 mm ausgebildet ist.
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Somit wird die Düse 3A in einem Zustand, in dem die Mitte des Waferhauptabschnitts 1a und die Mitte der Zufuhroberfläche 30 in der Draufsicht zusammenfallen, nahe an die Oberfläche (das Gebiet zum Ausbilden des Resists 2) des Waferhauptabschnitts 1a gebracht, wodurch die Zufuhroberfläche 30 in dem Waferinnenraum 10 angeordnet werden kann. Mit anderen Worten, während zwischen der Düse 3A und der Innenoberfläche des Waferumfangsabschnitts 1b der Spalt von näherungsweise 2,0 mm sichergestellt ist, kann die Zufuhroberfläche 30 der Düse 3A in geringer Entfernung von kleiner oder gleich 1,0 mm von der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a in dem Waferinnenraum 10 angeordnet werden.
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Auf diese Weise ist die Düse 3A in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform dadurch charakterisiert, dass sie als Gesamtstruktur eine Zufuhrabschnittsstruktur aufweist, die die Zufuhroberfläche 30 enthält, die der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a in einem berührungslosen Zustand in geringer Entfernung gegenüberliegend ausgebildet ist.
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Nachfolgend wird eine Beschreibung eines Verfahrens zum Beseitigen eines auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 ausgebildeten Resists 2 mit der in 1 gezeigten Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform gegeben. Im Folgenden ist der Resist 2 eine Dünnschicht mit einer im Vergleich zu 1,0 mm vernachlässigbaren Höhe (in der Größenordnung von μm), sodass die Dicke des Resists 2 in der Beschreibung vernachlässigt wird.
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Zunächst wird in einem Schritt (a) die Düse 3A vorbereitet, die in der Mitte der Zufuhroberfläche 30 die Zufuhröffnung 31 aufweist. Wie oben beschrieben ist, weist die Düse 3A die Zufuhrabschnittsstruktur auf, in der die Zufuhroberfläche 30 in dem Waferinnenraum 10 der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a in dem berührungslosen Zustand in geringer Entfernung gegenüberliegt, ohne mit dem Waferumfangsabschnitt 1b in Berührung zu gelangen.
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Nachfolgend wird in einem Schritt (b) die Zufuhroberfläche 30 in der Weise dicht über der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a (siehe 1) angeordnet, während die Mitte der Zufuhroberfläche 30 und die Mitte des Waferhauptabschnitts 1a in der Draufsicht zusammenfallen, dass die Entfernung zwischen der Zufuhroberfläche 30 und der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a in dem Waferinnenraum 10 (siehe 3) kleiner oder gleich 1,0 mm ist. Gleichzeitig kann der Spalt von näherungsweise 2,0 mm zwischen der Innenseitenfläche des Waferumfangsabschnitts 1b und der Außenseitenfläche der Düse 3A sichergestellt werden, sodass der berührungslose Zustand zwischen der Düse 3A und dem Waferumfangsabschnitt 1b stabil aufrechterhalten werden kann. Außerdem beträgt der Spalt zwischen der Innenseitenfläche des Waferumfangsabschnitts 1b und der Außenseitenfläche der Düse 3A vorzugsweise näherungsweise wenigstens 1,0 mm.
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Daraufhin wird in einem Schritt (c) von der Zufuhröffnung 31 das Ozonwasser zugeführt, um den Resist 2 von der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a zu beseitigen. Gleichzeitig kann die Zufuhroberfläche 30 der Düse 3A im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a angeordnet werden. Zum Beispiel kann die Zufuhroberfläche 30 dem Gebiet von näherungsweise 96% der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a gegenüberliegend angeordnet werden, falls der Waferhauptabschnitt 1a einen Durchmesser von 194 mm aufweist und die Zufuhroberfläche 30 einen Durchmesser von 190 mm aufweist.
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Auf diese Weise enthält das Verfahren zum Beseitigen des Resists von dem Vertiefungsprofilwafer 1 mit der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform den Schritt (b) des Anordnens der Zufuhroberfläche 30 in geringer Entfernung von kleiner oder gleich 1,0 mm von der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a und den Schritt (c) des Beseitigens des Resists 2 von der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a mit dem Ozonwasser. Somit können eine Beseitigungsrate und eine Planarität beim Beseitigen des Resists 2 durch Ausführen des Schritts (c) verbessert werden (kann der Resist 2 gleichmäßig beseitigt werden).
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Folglich kann mit dem Verfahren zum Beseitigen des Resists mit der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform der auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a ausgebildete Resist 2 ausrechend beseitigt werden, was Verbesserungen der Ausbeuten und der Lebensdauer einer auf dem Vertiefungsprofilwafer 1 ausgebildeten Halbleitervorrichtung ermöglicht.
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Um die Wirkungen zu erzielen, weist die Düse 3A vorzugsweise eine Form auf, in der die Zufuhroberfläche 30 wenigstens 90% des Gebiets des Waferhauptabschnitts 1a bedeckt, um dem Resist 2 das Ozonwasser von der Zufuhröffnung 31 nahezu gleichförmig zuzuführen. Mit anderen Worten, falls die Zufuhroberfläche 30 die Düsenform aufweist, die für den Waferhauptabschnitt 1a zu klein ist, ist es sehr schwer, die Wirkungen zu erzielen.
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Darüber hinaus ist die in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform verwendete Düse 3A als Ganzes in einer Säulenstruktur mit der Zufuhroberfläche 30 als die untere Oberfläche ausgebildet, sodass die Zufuhroberfläche 30 durch eine verhältnismäßig einfache Struktur in geringer Entfernung von der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 angeordnet werden kann.
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Zweite bevorzugte Ausführungsform
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2 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur einer Düse einer Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists in Übereinstimmung mit einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform enthält eine Düse 3B, die eine optimale Struktur zum Beseitigen des auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 ausgebildeten Resists 2 aufweist.
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Im Folgenden wird die Struktur der Düse 3B spezifisch beschrieben. Die Düse 3B weist als die Unterseite eine Zufuhroberfläche 32 auf, die in der Mitte mit der Zufuhröffnung 31 für Ozonwasser versehen ist.
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Die Düse 3B weist einen unteren Abschnitt 3L auf, der ähnlich der Düse 3A in einer zylindrischen Struktur ausgebildet ist, die die Zufuhroberfläche 32 mit der Zufuhröffnung 31 als die untere Oberfläche aufweist. Die Zufuhroberfläche 32 ist ähnlich der Zufuhroberfläche 30 der ersten bevorzugten Ausführungsform kleiner als die Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a und weist außerdem eine Form auf, die in die Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a passt. Andererseits ist ein oberer Abschnitt 3U der Düse 3B in einer planaren Form ausgebildet, die größer als die planare Form des gesamten Vertiefungsprofilwafers 1 (des Waferhauptabschnitts 1a und des Waferumfangsabschnitts 1b) ist. Wie in 2 gezeigt ist, weist die Düse 3B somit eine Querschnittsform auf, die eine Stufe aufweist, in der der obere Abschnitt 3U weiter als der untere Abschnitt 3L nach außen vorsteht.
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Folglich wird die Düse 3B in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform ähnlich der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform in einem Zustand, in dem die Mitte des Waferhauptabschnitts 1a und die Mitte der Zufuhroberfläche 32 in der Draufsicht zusammenfallen, nahe zu der Oberfläche (dem Gebiet zum Ausbilden des Resists 2) des Waferhauptabschnitts 1a gebracht, sodass die Zufuhroberfläche 32 nahe in dem Waferinnenraum 10 angeordnet werden kann.
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Selbst in einem Zustand, in dem die Zufuhroberfläche 32 der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a am nächsten gebracht worden ist, ist die Höhe des unteren Abschnitts 3L der Düse 3B so eingestellt, dass die untere Oberfläche des oberen Abschnitts 3U der Düse 3B mit dem oberen Abschnitt des Waferumfangsabschnitts 1b nicht in Berührung gelangt. Zum Beispiel sind der obere Abschnitt 3U und der untere Abschnitt 3L jeweils mit einer Dicke von näherungsweise 5 mm ausgebildet, falls die Düse 3B eine Dicke von näherungsweise 10 mm aufweist.
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Auf diese Weise ist die Düse 3B in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform dadurch charakterisiert, dass der untere Abschnitt 3L eine Zufuhrabschnittsstruktur aufweist, die die Zufuhroberfläche 32 enthält, die der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a in einem berührungslosen Zustand gegenüberliegt.
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Ein Verfahren zum Beseitigen eines Resists mit der in 2 gezeigten Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform führt ähnlich wie das Verfahren zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform die Schritte (a) bis (c) aus. Mit anderen Worten, abgesehen davon, dass die Zufuhrabschnittsstruktur (die gesamte Düse 3A) mit der Zufuhroberfläche 30 durch die Zufuhrabschnittsstruktur (den unteren Abschnitt 3L der Düse 3B) mit der Zufuhroberfläche 32 ersetzt ist, wird das Verfahren ähnlich wie das in der ersten bevorzugten Ausführungsform ausgeführt.
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Auf diese Weise weist die in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform verwendete Düse 3B den unteren Abschnitt 3L auf, der in der Säulenstruktur mit der Zufuhroberfläche 32 als die untere Oberfläche ausgebildet ist, sodass die Zufuhroberfläche 32 ebenfalls mit einer verhältnismäßig einfachen Struktur in geringer Entfernung von dem Waferhauptabschnitt 1a des Vertiefungsprofilwafers 1 ausgebildet werden kann, wobei die Struktur des oberen Abschnitts 3U beliebig eingestellt werden kann.
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Im Ergebnis kann die Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform die Beseitigungsrate und die Planarität beim Beseitigen des Resists 2 ähnlich wie die der ersten bevorzugten Ausführungsform verbessern.
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Beim Vergleich der ersten bevorzugten Ausführungsform und der zweiten bevorzugten Ausführungsform weist die Düse 3A der ersten bevorzugten Ausführungsform eine einfachere Struktur auf und erleidet sie anders als das Umfangsgebiet des oberen Abschnitts 3U über dem Waferumfangsabschnitt 1b in der zweiten Ausführungsform keine Beschädigung wegen einer langfristigen Abweichung.
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Änderungen
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Allgemein sind als Material für die Düse 3A in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der ersten bevorzugten Ausführungsform und für die Düse 3B in der Vorrichtung zum Beseitigen eines Resists der zweiten bevorzugten Ausführungsform ein Harz, ein Quarz oder dergleichen denkbar.
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Angesichts dessen, dass die Zufuhroberfläche 30 und die Zufuhroberfläche 32 der Düse 3A bzw. der Düse 3B in der ersten bzw. in der zweiten Ausführungsform mit hoher Genauigkeit dicht über der Oberfläche zum Ausbilden des Resists 2 auf der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a angeordnet werden, wird allerdings vorzugsweise die Änderung angenommen, dass als das Material für die Düse 3A und für die Düse 3B Titan verwendet wird.
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Wie oben beschrieben wurde, wird in der Änderung der ersten und der zweiten bevorzugten Ausführungsform als Material für die Düse 3A und für die Düse 3B Titan verwendet, sodass eine Beständigkeit gegen das Ozonwasser (die Ozonlösung) beim Beseitigen eines Resists verbessert werden kann und die Entfernung zwischen der Düse 3A (3B) und dem Waferhauptabschnitt 1a, wenn die Zufuhroberfläche 30 (32) der Düse 3A (3B) in geringer Entfernung von der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a angeordnet wird, genau gesteuert werden kann.
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Dieser Punkt wird im Folgenden ausführlich beschrieben. Falls für die Düse 3A und 3B ein anderes Material als Titan, z. B. Harz, verwendet wird, bestehen Bedenken, dass die Zufuhroberfläche 30 (32) durch das Ozonwasser (die Ozonlösung) beim Beseitigen des Resists 2 geätzt und oxidiert wird, sodass sie nicht die gleichförmige Oberflächenform behält, was zu einer Verformung oder zu einem Qualitätsverlust führt. Dagegen wird die Änderung angenommen, dass Titan mit einer hohen Beständigkeit gegen das Ozonwasser als das Material für die Düse 3A (3B) verwendet wird, was die Bedenken beseitigt und die Beständigkeit gegen das Ozonwasser verbessert. Außerdem wird die Wirkung der Beständigkeit gegen das Ozonwasser erwartet, wenn Quarz als das Material für die Düse 3A verwendet wird.
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Darüber hinaus kann die Entfernung (die Nähe) zwischen der Zufuhroberfläche 30 (32) der Düse 3A (3B) und der Oberfläche des Waferhauptabschnitts 1a genau gemessen werden, falls als das Material für die Düse 3A und für die Düse 3B Titan verwendet ist, da Titan bessere Lichtdurchlässigkeitseigenschaften als Quarz oder dergleichen aufweist. Im Ergebnis wird die Nähe jederzeit gemessen, um diese auf der Grundlage des Messergebnisses genau auf einem konstanten Wert halten und dadurch genau steuern zu können.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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