DE102015201086A1

DE102015201086A1 - Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie

Info

Publication number: DE102015201086A1
Application number: DE102015201086.4A
Authority: DE
Inventors: Axel Scholz; Frank Schlesener
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2014-02-05
Filing date: 2015-01-22
Publication date: 2015-08-06

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie dient zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes (3) mit Beleuchtungslicht (8) einer Lichtquelle (6). Die Beleuchtungsoptik hat mindestens eine Rasteranordnung (12, 16) mit in Rasterzeilen und Rasterspalten angeordneten Rasterelementen (12a, 28), die das Beleuchtungslicht (8) zur Vorgabe einer Form des Beleuchtungsfeldes (3) beeinflussen. Eine Übertragungsoptik (17) dient zur überlagernden Übertragung von Teilbündeln des Beleuchtungslichts (8) von den Rasterelementen (12a, 28) hin zum Beleuchtungsfeld (3). In diesem ist ein in einer Objektverlagerungsrichtung (y) verlagerbares Objekt (4a) anordenbar. Eine Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14) ist zwischen der Rasteranordnung (12, 16) und dem Beleuchtungsfeld (3) angeordnet. Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14) hat eine Mehrzahl von Feldbeleuchtungs-Mischelementen, die zumindest einigen der Teilbündel des Beleuchtungslichts (8) zugeordnet sind und den Strahlengang dieser Teilbündel derart beeinflussen, dass eine Überlagerung verschiedener Teilbündel (30) im Beleuchtungsfeld (3) in Richtung einer Beleuchtungsfeldkoordinate (x) senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung (y) durchmischt wird. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, bei der gegebenenfalls vorliegende Inhomogenitäten einer Beleuchtungsintensität über das Beleuchtungsfeld verringert werden.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit Beleuchtungslicht. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System. Weiterhin betrifft die Erfindung ein lithographisches Herstellungsverfahren für nano- bzw. mikrostrukturierte Bauelemente. Schließlich betrifft die Erfindung ein mit einem solchen Verfahren hergestelltes Bauelement.
Ein Beleuchtungssystem der eingangs genannten Art ist bekannt aus der WO 2007/093433 A1 und der WO 2005/083512 A2 . Für anspruchsvolle Projektionsaufgaben ist es wünschenswert, gegebenenfalls vorliegende Inhomogenitäten einer Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts über das Beleuchtungsfeld zu verringern.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass gegebenenfalls vorliegende Inhomogenitäten einer Beleuchtungsintensität über das Beleuchtungsfeld verringert werden.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Die erfindungsgemäße Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung sorgt dafür, dass Intensitäts-Inhomogenitäten, die längs der Beleuchtungsfeldkoordinate senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung gegebenenfalls vorliegen, aufgrund der Durchmischung der Überlagerung der Teilbündelabschnitte verschiedener Teilbündel ausgeglichen und damit reduziert werden. Inhomogenitäten, die beispielsweise bei einer bestimmten Beleuchtungsfeldkoordinate senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung aufgrund von Fertigungstoleranzen der Beleuchtungsoptik auftreten, können durch diese Feldmischung wirkungsvoll reduziert werden.
Gleichzeitig zu einer Verbesserung einer Homogenität einer Beleuchtungsintensitätsverteilung kann auch eine Telezentrie der Beleuchtung verbessert werden. Jeder Abschnitt des Beleuchtungsfeldes kann dabei mit einem Schwerstrahl des Beleuchtungslichts beleuchtet werden, der exakt in gleicher Richtung verläuft.
Ein Durchmischen der Teilbündel liegt beispielsweise vor, wenn die Teilbündel in x-Richtung zueinander versetzt werden oder wenn die Teilbündel zueinander gespiegelt werden, so dass ursprünglich hinsichtlich der Beleuchtungsfeldkoordinate senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung identische Teilbündelabschnitte voneinander getrennt werden.
Eine im Bereich einer Pupillenebene nach Anspruch 2 angeordnete Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung ermöglicht ein Durchmischen der Intensitätsverteilung von Teilbündeln des Beleuchtungslichts über das Beleuchtungsfeld durch eine Beeinflussung von Strahlwinkeln. Diese Strahlwinkelbeeinflussung wird aufgrund der Anordnung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung in der Pupillenebene in eine Ortsbeeinflussung im Beleuchtungsfeld umgesetzt. Eine Pupillenebene der Beleuchtungsoptik ist eine Ebene, in die die Lichtquelle abgebildet wird.
Eine Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung nach Anspruch 3 kann insbesondere einstückig bzw. monolithisch ausgeführt sein. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente können in die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung eingeformt sein.
Feldbeleuchtungs-Mischelemente nach Anspruch 4 ermöglichen eine präzise Beeinflussung des Strahlengangs der Beleuchtungslicht-Teilbündel.
Eine Ausführung nach Anspruch 5 ermöglicht eine Verteilung einer Mischwirkung der Feldbeleuchtungs-Mischelemente auf die Eintritts- und die Austrittsfläche. Dies reduziert die Anforderungen, die an die Bearbeitung einer einzelnen Fläche des jeweiligen Feldbeleuchtungs-Mischelements gestellt werden. Alternativ kann ausschließlich die Eintrittsfläche oder ausschließlich die Austrittsfläche des Feldbeleuchtungs-Mischelements eine feldmischende Wirkung haben.
Verschiedene Typen von Feldbeleuchtungs-Mischelementen nach Anspruch 6 führen zu entsprechend typisiert unterschiedlichen Beeinflussungen des Strahlengangs der Beleuchtungslicht-Teilbündel. Eine derart typisierte Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung hat eine gut definierte Wirkung und lässt sich reproduzierbar herstellen. Einer Rasterzeile der Rasteranordnung, die sich quer zur Objektverlagerungsrichtung erstreckt, können verschiedene Typen der Feldbeleuchtungs-Mischelemente zugeordnet sein. Alternativ kann einer Rasterzeile der Rasteranordnung, die sich quer zur Objektverlagerungsrichtung erstreckt, genau ein Typ der Feldbeleuchtungs-Mischelemente zugeordnet sein. Entsprechend kann die mischende Wirkung gezielt zeilenweise dieselbe sein oder auch über die Rasterzeile und/oder die Rasterspalten der Rasterelemente randomisiert sein.
Bei einer Anordnung nach Anspruch 7 wird eine Feldmischung nur für einen Teil des gesamten Bündelquerschnitts des Beleuchtungslichts herbeigeführt. Ein anderer Teil des Bündelquerschnitts des Beleuchtungslichts bleibt unbeeinflusst. Dies kann dazu benutzt werden, um voreingestellte Beleuchtungsparameter über diesen anderen Teil des unbeeinflussten Beleuchtungslichts zumindest zu einem vorgegebenen Anteil beizubehalten. Eine Zuordnung eines Feldbeleuchtungs-Mischelementes zu mindestens einer Rasterzeile der Rasteranordnung liegt dann vor, wenn das Feldbeleuchtungs-Mischelement zu einer Beeinflussung des Strahlengangs von Teilbündeln führt, die über Rasterelemente dieser mindestens einen Rasterzeile geführt sind. Den zumindest einigen Rasterzeilen der Rasteranordnung ist also dann kein eine Feldmessung herbeiführendes Feldbeleuchtungs-Mischelement zugeordnet, wenn Teilbündel, die über die Rasterelemente dieser Rasterzeilen geführt sind, von der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung nicht beeinflusst werden.
Eine Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung als Feldversatz-Einrichtung nach Anspruch 8 führt zu einer durchmischenden Überlagerung der Teilbündel, indem die Teilbündel, und damit auch deren Intensitätsverteilung längs der Beleuchtungsfeldkoordinate senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung, jeweils gegeneinander versetzt werden. Der Feldversatz kann kleiner sein als 40 % der Ausdehnung des Beleuchtungsfeldes senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung, kann kleiner sein als 30 %, kann kleiner sein als 20 %, kann kleiner sein als 15 %, kann kleiner sein als 10 % oder kann auch einen noch kleineren Anteil an der Ausdehnung des Beleuchtungsfeldes senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung haben.
Eine Keilplatten-Ausführung der Feldversatz-Elemente nach Anspruch 9 lässt sich präzise fertigen. Derartige Keilplatten-Elemente werden auch als Prismenelemente bezeichnet. Je nach gefertigtem Keilwinkel eines derartigen Feldversatz-Elementes führt dies zu einer unterschiedlichen Ablenkwirkung auf das dieses durchtretende Beleuchtungslicht-Teilbündel. Je nach Ausführung eines solchen Keilplatten-Elementes kann ausschließlich eine Eintrittsfläche oder kann ausschließlich eine Austrittsfläche als Keilfläche ausgeführt sein oder es können sowohl die Eintritts- als auch die Austrittsfläche als Keilfläche ausgeführt sein.
Bei einer alternativen Ausgestaltung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung nach Anspruch 10 als Feldspiegelungs-Einrichtung ergibt sich eine Durchmischung der Teilbündel ohne Notwendigkeit eines gegebenenfalls störenden Feldversatzes.
Eine Feldspiegelungsausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung kann besonders mit einer punktspiegelnden Wirkung der Intensitätsverteilung einer Beaufschlagung der von den Feldbeleuchtungs-Mischelementen beeinflussten Beleuchtungslicht-Teilbündel einhergehen. Dies ist besonders bei polarisiertem, insbesondere linear polarisiertem Beleuchtungslicht, wobei die Polarisation weder parallel zu den Rasterspalten noch parallel zu den Rasterzeilen ist, von Vorteil.
Linsen als Feldbeleuchtungs-Mischelemente lassen sich präzise fertigen. Es können Mikrolinsen zum Einsatz kommen. Die Linsen können als Zylinderlinsen oder auch als Kissenlinsen gestaltet sein.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch einen Meridionalschnitt durch ein erfindungsgemäßes Beleuchtungssystem innerhalb einer lithographischen Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung zwischen einer Rasteranordnung und einem Beleuchtungsfeld;
2 stärker im Detail einen Ausschnitt einer Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssystems nach 1 zwischen der Rasteranordnung und dem Beleuchtungsfeld, wobei Komponenten der Beleuchtungsoptik zwischen der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung und dem Beleuchtungsfeld weggelassen sind;
3 eine Aufsicht auf das Beleuchtungsfeld zur Verdeutlichung einer Feldversatz-Wirkung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung;
4 in einer zu 3 ähnlichen Darstellung eine feldversetzende Wirkung einer alternativen Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung;
5 perspektivisch einen Ausschnitt einer Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung mit feldversetzender Wirkung;
6 perspektivisch einen Ausschnitt einer weiteren Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung mit feldversetzender Wirkung;
7 stark schematisch eine feldspiegelnde Wirkung einer weiteren Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung, wobei ein Strahlengang zweier senkrecht zur Zeichenebene gegeneinander versetzter Beleuchtungslicht-Teilbündel nach der Rasteranordnung bis zu einer Feldebene der Beleuchtungsoptik dargestellt ist; und
8 bis 11 Varianten der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung mit feldspiegelnder Wirkung, wobei die 8, 10 und 11 jeweils Aufsichten auf einen Ausschnitt der jeweiligen Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung und die 9 eine perspektivische Ansicht eines Ausschnitts einer weiteren Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung zeigen.
1 zeigt schematisch eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage 1, die als Wafer-Scanner ausgeführt ist und bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen eingesetzt wird. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 arbeitet zur Erzielung von Auflösungen bis zu Bruchteilen von Mikrometern mit Licht insbesondere aus dem tiefen Ultraviolettbereich (VUV).
Zur Verdeutlichung von Lagebeziehungen wird in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Richtung verläuft in der 1 nach oben. Die y-Richtung verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die z-Richtung verläuft in der 1 nach rechts.
Eine Scanrichtung y der Projektionsbelichtungsanlage 1 verläuft senkrecht zur Zeichenebene der 1. Im in der 1 dargestellten Meridionalschnitt sind alle optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 längs einer optischen Achse 2 aufgereiht, die längs der z-Richtung verläuft. Es versteht sich, dass auch beliebige Faltungen der optischen Achse 2 möglich sind, insbesondere um die Projektionsbelichtungsanlage 1 kompakt zu gestalten.
In den weiteren Figuren wird nachfolgend ebenfalls ein xyz-Koordinatensystem verwendet. z bezeichnet dabei immer die Strahlrichtung des Beleuchtungslichts 8 und y bezeichnet immer die Scanrichtung.
Zur definierten Ausleuchtung eines Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes 3 in einer Retikelebene 4, in der eine zu übertragende Struktur in Form eines Retikels 4a angeordnet ist, dient eine Beleuchtungsoptik eines insgesamt mit 5 bezeichnetes Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1. Als primäre Lichtquelle 6 dient ein F₂-Laser mit einer Arbeitswellenlänge von 157 nm, dessen Beleuchtungslichtstrahl koaxial zur optischen Achse 2 ausgerichtet ist. Andere UV-Lichtquellen, beispielsweise ein ArF-Excimer-Laser mit 193 nm Arbeitswellenlänge, ein Krf-Excimer-Laser mit 248 nm Arbeitswellenlänge sowie primäre Lichtquellen mit größeren oder kleineren Arbeitswellenlängen sind ebenfalls möglich.
Der von der Lichtquelle 6 kommende Lichtstrahl mit kleinem Rechteckquerschnitt trifft zunächst auf eine Strahlaufweitungsoptik 7, die einen austretenden Strahl 8 mit weitgehend parallelem Licht und größerem Rechteckquerschnitt erzeugt. Die Strahlaufweitungsoptik 7 kann Elemente enthalten, die zur Kohärenzreduktion des Beleuchtungslichts dienen. Das durch die Strahlaufweitungsoptik 7 weitgehend parallelisierte Laserlicht trifft anschließend auf ein diffraktives optisches Element (DOE) 9, das als computergeneriertes Hologramm zur Erzeugung einer Beleuchtungslicht-Winkelverteilung ausgebildet ist. Die durch das DOE 9 erzeugte Winkelverteilung wird beim Durchtritt durch eine Fourier-Linsenanordnung bzw. einen Kondensor 10, der im Abstand seiner Brennweite vom DOE 9 positioniert ist, in eine zweidimensionale, also senkrecht zur optischen Achse 2 ortsabhängige Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung umgewandelt. Die so erzeugte Intensitätsverteilung ist daher in einer ersten Beleuchtungsebene 11 des Beleuchtungssystems 5 vorhanden. Zusammen mit dem Kondensor 10 stellt das DOE 9 also eine Lichtverteilungseinrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung dar.
Im Bereich der ersten Beleuchtungsebene 11 ist eine erste Rasteranordnung 12 eines Rastermoduls 13 angeordnet, das auch als Wabenkondensor bezeichnet wird. Das Rastermodul 13 dient zusammen mit einer im Lichtweg nach diesem angeordneten Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 zur Erzeugung einer definierten Intensitäts- und Beleuchtungswinkelverteilung des Beleuchtungslichts 8. Die Feldbeleuchtungs-Mischungeinrichtung 14 ist zwischen dem Rastermodul 13 und dem Beleuchtungsfeld 3 angeordnet. Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 führt in noch zu beschreibender Weise zu einer Durchmischung einer Überlagerung von Teilbündelabschnitten verschiedener Teilbündel des Beleuchtungslichtstrahls 8, die das Rastermodul 13 durchlaufen. Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 beeinflusst den Ablenkwinkel des Beleuchtungslichtstrahls 8. Die optische Wirkung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 wird nachfolgend anhand verschiedener Ausführungsbeispiele noch näher erläutert.
In einer weiteren Beleuchtungsebene 15, die eine Fourier-transformierte Ebene zur Beleuchtungsebene 11 ist, ist eine zweite Rasteranordnung 16 angeordnet. Die beiden Rasteranordnungen 12, 16 stellen den Wabenkondensor 13 des Beleuchtungssystems 5 dar. Die weitere Beleuchtungsebene 15 ist eine Pupillenebene des Beleuchtungssystems 5.
Dem Rastermodul 13 nachgeordnet ist ein weiterer Kondensor 17, der auch als Feldlinse bezeichnet wird. Zusammen mit der zweiten Rasteranordnung 16 bildet der Kondensor 17 die Beleuchtungsebene 11 in eine Feld-Zwischenebene 18 des Beleuchtungssystems 5 ab. In der Feld-Zwischenebene 18 kann ein Retikel-Masking-System (REMA) 19 angeordnet sein, welches als verstellbare Abschattungsblende zur Erzeugung eines scharfen Randes der Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung dient. Ein nachfolgendes Objektiv 20 bildet die Feld-Zwischenebene 18 auf das Retikel, das heißt die Lithographievorlage ab, das sich in der Retikelebene 4 befindet. Mit einem Projektionsobjektiv 21 wird die Retikelebene 4 auf eine Waferebene 22 auf einen Wafer 22a abgebildet, der intermittierend oder kontinuierlich in der Scan-Richtung y verschoben wird.
Zur Halterung des Retikels 4a, das in der 1 schematisch dargestellt ist, in der Retikelebene 4 dient ein ebenfalls schematisch dargestellter Objekthalter 24, der über einen Objektverlagerungsantrieb 25 in der Scanrichtung y verlagerbar ist. Der Wafer 22a wird von einem Waferhalter 26 getragen, der wiederum über einen Waferverlagerungsantrieb 27 insbesondere in der Scanrichtung y verlagerbar ist.
Die erste Rasteranordnung 12 weist einzelne erste Rasterelemente 12a auf, die spaltenund zeilenweise angeordnet sind. Die ersten Rasterelemente 12a haben eine rechteckige Apertur mit einem x/y-Aspektverhältnis (y: Scanrichtung) von beispielsweise 2/1. Auch andere, insbesondere größere Aspektverhältnisse der ersten Rasterelemente 12a sind möglich.
Der Meridionalschnitt nach 1 geht entlang einer Rasterspalte. Die ersten Rasterelemente 12a sind insbesondere als Mikrolinsen, z. B. mit positiver Brechkraft, ausgebildet. Die Rechteckform der ersten Rasterelemente 12a entspricht der Rechteckform des Beleuchtungsfelds 3. Die ersten Rasterelemente 12a sind in einem ihrer Rechteckform entsprechenden Raster direkt aneinander angrenzend, das heißt im Wesentlichen flächenfüllend, angeordnet. Die ersten Rasterelemente 12a werden auch als Feldwaben bezeichnet.
Im Lichtweg hinter den ersten Rasterelementen 12a der ersten Rastanordnung 12 sind, jeweils den Kanälen zugeordnet, zweite Rasterelemente 28 der zweiten Rasteranordnung 16 angeordnet. Die zweiten Rasterelemente 28 sind ebenfalls als Mikrolinsen mit insbesondere positiver Brechkraft ausgebildet. Die zweiten Rasterelemente 28 werden auch als Pupillenwaben bezeichnet, die in der Beleuchtungsebene 15, also in einer Pupillenebene des Beleuchtungssystems 5 angeordnet sind. Die Beleuchtungsebene 15 ist konjugiert zu einer Pupillenebene 29 des Projektionsobjektivs 21. Die zweiten Rasterelemente 28 bilden zusammen mit der Feldlinse 17 die in der Beleuchtungsebene 11 angeordneten ersten Rasterelemente 12a, also die Feldwaben, in die Feld-Zwischenebene 18 ab. Hierbei werden die Bilder der ersten Rasterelemente 12a in der Feld-Zwischenebene 18 überlagert.
2 zeigt die Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssystems 5 im Bereich der zweiten Rasteranordnung 16 und der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 stärker im Detail. Dargestellt ist schematisch der Strahlengang von Beleuchtungslicht-Teilbündeln 30 des Beleuchtungslichtstrahlengangs 8.
Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 hat in Rasterzeilen und Rasterspalten unterteilte Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31. Die Feldbeleuchtungs-Mischelement-Zeilen sind längs der Scanrichtung y in verschiedenen Höhen Y angeordnet (vgl. zum Beispiel die Ausführungen nach den 5 und 6 mit Mischelement-Zeilen auf den Höhen Y1, Y2 und Y3).
Durchgezogen dargestellt ist in der 2 ein Strahlengang von Beleuchtungslicht-Teilbündeln 30 _y1, die durch eine erste parallel zur x-Richtung in einer ersten Höhe Y1 verlaufende Rasterzeile des Rastermoduls 13 hindurch laufen. Gepunktet dargestellt ist der Strahlengang weiterer Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y2, die durch eine andere Rasterzeile des Rastermoduls 13 auf Höhe Y2 verlaufen. Gestrichelt ist in der 2 der Strahlengang weiterer Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y3 dargestellt, die durch eine weitere Rasterzeile des Rastermoduls 13 auf einer weiteren Höhe Y3 verlaufen.
Die 5 und 6 zeigen zwei verschiedene Varianten von Anordnungen und Ausführungen der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14. Dargestellt sind abschnittsweise drei Zeilen von Feldbeleuchtungs-Mischelementen 31, die auf den Höhen Y1, Y2 und Y3 angeordnet sind. Jedes der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 wird von einem Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 durchtreten, das vorher ein erstes Rasterelement 12a und ein zweites Rasterelement 28 durchtreten hat. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 sind den Rasterelementen 12a und 28 des Rastermoduls 13 also 1:1 zugeordnet.
Die Feldbeleuchtungs-Mischelement-Zeile Y1 der Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 nach 5 hat verschiedene Typen von Feldbeleuchtungs-Mischelementen 31 ₁, 31 ₂ und 31 ₃. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 ₁ sind als planparallele Platten ausgeführt, haben also keine bündelbeeinflussende Wirkung auf die diese durchtretenden Beleuchtungslicht-Teilbündel 30. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 ₂ sind als Keilplatten-Elemente mit Keilwinkel +α ausgeführt und haben entsprechend in der xz-Ebene eine ablenkende Wirkung um einen Ablenkwinkel +β auf das diese durchtretende Beleuchtungs-Teilbündel 30. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 ₃ sind ebenfalls als Keilplatten-Elemente, allerdings mit gegenläufigem Keilwinkel –α ausgeführt, was entsprechend zu einer refraktiven Ablenkung des diese durchtretenden Beleuchtungslicht-Teilbündels 30 um einen Ablenkwinkel –β in der xz-Ebene führt.
Die Keilwinkel +/–α können betragsmäßig im Bereich zwischen 5 mrad und 50 mrad, insbesondere im Bereich zwischen 10 mrad und 15 mrad liegen.
Diese ablenkenden Wirkungen für die verschiedenen Feldbeleuchtungs-Mischelement-Zeilen sind in der 2 einander überlagernd für drei Zeilen Y1, Y2 und Y3 dargestellt. Die y-Richtung verläuft dabei in der 2 senkrecht zur Zeichenebene. Die ablenkende Wirkung ist in der 2 zudem für drei benachbarte und in der x-Richtung zueinander versetzte Rasterspalten I, II und III dargestellt.
Durchgezogen ist die Wirkung der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 in der Zeile Y1, gepunktet in der Zeile Y2 und gestrichelt in der Zeile Y3 dargestellt, wie vorstehend bereits erläutert.
Das in der Rasterspalte I gelegene Feldbeleuchtungs-Mischelement 31 auf Höhe Y1 ist vom planparallelen Typ 31 ₁, so dass keine Ablenkung des Beleuchtungslicht-Teilbündels 30 _y1 resultiert. Das vom Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y2 auf Höhe Y2 durchtretende Feldbeleuchtungs-Mischelement 31 ist in der Rasterspalte I vom positiven Keilplattentyp 31 ₂, so dass eine ablenkende Wirkung auf das Beleuchtungs-Teilbündel 30 _y2 um den Ablenkwinkel +β resultiert. Das vom Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y3 durchtretende Feldbeleuchtungs-Mischelement 31, das wiederum zu einer anderen Feldbeleuchtungs-Mischelement-Zeile auf Höhe Y3 gehört, ist in der Rasterspalte I vom negativen Keilplattentyp 31 ₃, so dass für das Beleuchtungs-Teilbündel 30 _y3 ein Ablenkwinkel von –β in der xz-Ebene resultiert.
Entsprechende ablenkende Wirkungen illustriert die 2 für die beiden anderen Rasterspalten II und III mit in der x-Richtung einander benachbarten Rasterelementen auf den Höhen Y1, Y2 und Y3.
Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 ist nahe der Pupillenebene 15 der Beleuchtungsoptik angeordnet, so dass eine Ablenkung der Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 durch die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 gleichbedeutend ist mit einem Feldversatz in einer nachgeordneten Feldebene der Beleuchtungsoptik.
Aufgrund der jeweiligen ablenkenden Wirkungen auf die Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 um die Ablenkwinkel 0, +β und –β resultiert ein Feldversatz dieser Beleuchtungslicht-Teilbündel in der Objekt- bzw. Retikel-ebene 4.
Dieser Feldversatz in der Objektebene 4 ist in der 2 ebenfalls angedeutet. Die optischen Komponenten zwischen der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 und der Objektebene 4 sind dabei weggelassen. Diejenigen Beleuchtungslicht-Teilbündel 30, die die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 vom planparallelen Typ 31 ₁ durchtreten haben, treffen auf die Objektebene auf Feldhöhen x auf, die durch gestrichelte Begrenzungslinien 32 berandet sind. Die Beleuchtungslicht-Teilbündel 30, die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 vom positiven Keilplattentyp 31 ₂ durchtreten, treffen hierzu versetzt auf Feldhöhen x auf die Objektebene 4 auf, die von gepunktet dargestellten Begrenzungslinien 33 begrenzt sind. Die Beleuchtungs-Teilbündel 30, die die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 vom negativen Keilplattentyp 31 ₃ durchtreten, treffen die Objektebene 4 auf Feldhöhen x zwischen durchgezogen dargestellten Begrenzungslinien 34 auf.
Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 ₂ erzeugen relativ zu den Feldbeleuchtungs-Mischelementen 31 ₁ also einen Versatz um Δx in positiver x-Richtung. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 ₃ erzeugen einen Versatz der Beleuchtungs-Teilbündel 30 um den gleichen Betrag Δx, allerdings in negativer x-Richtung. Der Versatz Δx ist klein im Vergleich zur x-Erstreckung des Beleuchtungsfeldes 3. Der Feldversatz Δx ist kleiner als 50 % der x-Erstreckung des Beleuchtungsfeldes 3. Der Feldversatz Δx kann kleiner als 40 %, kleiner sein als 30 %, kleiner sein als 25 %, kleiner sein als 20 %, kleiner sein als 15 %, kleiner sein als 10 %, kleiner sein als 8 %, kleiner sein als 6 % und kann kleiner sein als 5 % der x-Erstreckung des Beleuchtungsfeldes 3.
Schematisch ist dies nochmals in einer x-y-Aufsicht in der 3 wiedergegeben. Dargestellt ist der Versatz am Beispiel eines rechteckigen Beleuchtungsfeldes 3. In der y-Richtung haben die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 keine versetzende Wirkung auf die Beleuchtungs-Teilbündel 30.
Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 in der Ausführung nach den 2, 5 und 6 ist als Feldversatz-Einrichtung ausgeführt. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 ₁, 31 ₂ und 31 ₃ beeinflussen den Strahlengang der Beleuchtungs-Teilbündel 30 derart, dass sich diese Teilbündel 30 im Beleuchtungsfeld 3 um einen Feldversatz Δx senkrecht zur Objektverlagerungs-Richtung y versetzt überlagern.
Die verschiendenen Typen 31 ₁ bis 31 ₃ der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 führen jeweils eine bestimmte Feldmischung des diesen Typ 31 ₁ bis 31 ₃ beaufschlagenden Teilbündels herbei, wobei sich die feldmischenden Wirkungen der verschiedenen Typen 31 ₁ bis 31 ₃ voneinander unterscheiden.
Einer längs der x-Richtung, also senkrecht zur Scanrichtung y, verlaufenden Rasterzeile des Rastermoduls 13 können mehrere Typen von Feldbeleuchtungs-Mischelementen 31 zugeordnet sein. 5 zeigt eine derartige Ausführung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14.
Bei der Ausführung nach 5 liegen innerhalb einer Mischelement-Zeile Y1, Y2 bzw. Y3 verschiedene der Typen 31 ₁ bis 31 ₃ der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 vor. Bei der Ausführung nach 6 liegt in den Mischelement-Zeilen Y1 bis Y3 jeweils der gleiche Mischelement-Typ 31 ₂, 31 ₁ bzw. 31 ₃ vor.
Eine Zeile der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 kann genau einer Rasterzeile zugeordnet sein, wie vorstehend im Zusammenhang mit der feldversetzenden Wirkung nach 3 beschrieben.
Alternativ können die Ausschnitte der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14, die in den 5 und 6 dargestellt sind und jeweils drei Zeilen von Feldbeleuchtungs-Mischelementen 31 aufweisen, insgesamt exakt einer Rasterzeile der Rasteranordnung 13 zugeordnet sein, so dass die Beleuchtungslicht-Teilbündel 30, die diese Rasterzeile durchtreten, je nach y-Koordinate ein Feldbeleuchtungs-Mischelement 31 einer dieser drei Feldbeleuchtungs-Mischelement-Zeilen durchtritt. Der sich hierdurch einstellende feldmischende Effekt ist in der 4 dargestellt. In der Objektebene 4 überlagern die Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 entsprechend den Feldbeleuchtungs-Mischelement-Zeilen zugeordnet auf drei unterschiedlichen Höhen Y1, Y2 und Y3. Unter der Voraussetzung, dass jede der Zeilen Y1 bis Y3 der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 den gleichen Typ eines Feldbeleuchtungs-Mischelements 31 ₁ bis 31 ₃ aufweist, also beispielsweise die Anordnung nach 6, ergibt sich beispielsweise auf der mittleren Höhe Y2 des Beleuchtungsfeldes 3 kein Versatz, da die zugehörigen Abschnitte der Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 alle durch den planparallelen Typ 31 ₁ der Zeile Y2 der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 hindurchtreten, wohingegen auf den Höhen Y1 und Y3 ein Feldversatz Δx in negativer bzw. in positiver x-Richtung erfolgt, weil die zugehörigen Abschnitte der Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 auf Höhe der Zeilen Y1 und Y3 die entsprechenden Keilplatten-Typen 31 ₂ und 31 ₃ der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 31 durchtreten.
Bei der versetzenden Wirkung nach 4 tritt eine Feldmischung der Objektbeleuchtung aufgrund des Scannens des Retikels 4a in y-Richtung durch das Beleuchtungsfeld 3 auf. Ein Objektpunkt „sieht“ beim Scannen längs der y-Richtung die verschiedenen gegeneinander versetzten Beleuchtungsfeld-Abschnitte auf den Höhen Y1, Y2, Y3 nacheinander, wodurch sich dann die gewünschte Intensitätsmischung ergibt.
Die Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 werden also durch die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 derart beeinflusst, dass eine Überlagerung von Teilbündelabschnitten verschiedener der Teilbündel 30 im Beleuchtungsfeld 3 in Richtung der Beleuchtungsfeldkoordinate x senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung y durchmischt wird. Intensitätsüberhöhungen, beispielsweise bei einer x-Koordinate, werden aufgrund dieses durchmischenden Effektes ausgeschmiert, so dass eine homogenere Beleuchtung resultiert.
Je nach der Größe des Versatzes Δx kann eine Ortsfrequenz dieser intensitätshomogenisierenden Wirkung gewählt werden. Eine Verbesserung einer Homogenität einer Ausleuchtungsintensität des Beleuchtungsfeldes 3 kann insbesondere im Bereich von 3 % bis 10 % einer zugehörigen gesamten Felddimension erreicht werden.
Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 ist als mikrooptisches Element-Array ausgeführt. Die verschiedenen Mischelement-Typen 31 ₁ bis 31 ₃ sind einstückig in ein monolithisches optisches Substrat der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 geformt.
Anhand der 7 bis 11 werden nachfolgend weitere Ausführungsformen einer Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 erläutert, die anstelle der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 beim Beleuchtungssystem 5 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen können. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 6 bereits diskutiert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen beschrieben.
Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 hat mehrere Zeilen von Feldbeleuchtungs-Mischelementen 36, die auf unterschiedlichen Höhen Y1 bis Y4 sich zeilenweise in x-Richtung erstreckend angeordnet sind. Die Mischelement-Zeilen erstrecken sich also längs der x-Richtung und senkrecht zur Scanrichtung y, genauso wie die Mischelement-Zeilen, die vorstehend bereits erläutert wurden. Die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 36 sind als Zylinderlinsen ausgeführt. Zwischen zwei benachbarten Zeilen der Zylinderlinsen 36 ist, beispielsweise auf Höhe Y1a, jeweils eine neutrale Zeile gestaltet, die als planparallele Plattenzeile 37 ausgeführt ist.
7 verdeutlicht die Wirkung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 für zwei zueinander senkrecht zur Zeichenebene, also in der y-Richtung, zueinander versetzte Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1a und 30 _y1 zwischen dem Rastermodul 13 und der Feld-Zwischenebene 18. Dargestellt ist dabei schematisch eine bündelbeeinflussende Wirkung der optischen Komponenten des Beleuchtungssystems 5 auf diese Teilbündel 30 _y1a und 30 _y1 in der xz-Ebene.
Das Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1a durchtritt dabei nach Durchlaufen entsprechender Rasterelemente des Rastermoduls 13 die Plattenzeile 37 auf Höhe Y1a der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35. Das Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1a bleibt dabei hinsichtlich seiner Strahlrichtung unbeeinflusst. Nach Durchlaufen des Kondensors 17 beleuchtet das Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1a ein Urbild 38 des Beleuchtungsfeldes 3 in der Feld-Zwischenebene 18.
Das Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1 durchtritt nach dem Rastermodul 13 eines der Feldbeleuchtungs-Mischelemente 36. Die Zylinderlinse des Feldbeleuchtungs-Mischelements 36 ist so dimensioniert, dass die Strahlwinkel des Beleuchtungslicht-Teilbündels 30 _y1 zur yz-Ebene exakt gespiegelt werden. Betragsmäßig bleiben diese Strahlwinkel in der xz-Ebene also exakt erhalten, es wechselt allerdings das Vorzeichen des Strahlwinkels. Da die Strahlenwinkel betragsmäßig unbeeinflusst geblieben sind, überträgt der Kondensor 17 auch das Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1 exakt auf das Urbild 38 in der Feld-Zwischenebene 18. Im Vergleich zum Beleuchtungslicht-Teilbündels 30 _y1a, das von Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 unbeeinflusst ist, wird das Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1 in Bezug auf die Feldkoordinate x gespiegelt auf die Feld-Zwischenebene 18 übertragen. Anders als bei der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 14 wird bei der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 also kein Feldversatz erzeugt, sondern eine gespiegelte Umverteilung der Intensitätsbeaufschlagung des Urbildes 38 und nach der Abbildung durch das Objektiv 20 auch des Beleuchtungsfeldes 3.
Auch die Wirkung der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 ist derart, dass eine Überlagerung von Teilbündelabschnitten verschiedener Teilbündel, beispielsweise der Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 _y1a und 30 _y1 im Beleuchtungsfeld 3 in Richtung der Beleuchtungsfeldkoordinate x senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung y durchmischt wird. Die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 stellt dabei eine Feldspiegelungs-Einrichtung dar, wobei die Feldbeleuchtungs-Mischelemente 36 Feldspiegelungs-Elemente darstellen.
Anstelle einer Spiegelung des Strahlengangs, der durch die Feldspiegelungs-Elemente 36 verläuft, an einer Ebene, kann die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 auch so ausgeführt sein, dass eine Punktspiegelung der von den Feldspiegelungs-Elementen beeinflussten Beleuchtungs-Teilbündel 30 erfolgt. Entsprechende Varianten einer solchen Feldspiegelungs-Einrichtung 35 mit punktspiegelnder Wirkung sind in den 9 bis 11 dargestellt.
9 zeigt eine Variante, bei der sowohl eine Eintrittsfläche der Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung 35 als auch eine Austrittsfläche eine feldmischende Wirkung hat. Die Eintrittsfläche trägt dabei Feldbeleuchtungs-Mischelemente in Form von Zylinderlinsen 36a, deren Zylinderachse parallel zur y-Achse verläuft, und die Austrittsfläche trägt jeweils zugeordnete Zylinderlinsen 36b, deren Zylinderachse parallel zur x-Richtung verläuft. Der kombinierte Effekt der beiden Zylinderlinsen 36a, 36b führt zu einer entsprechenden Punktspiegelung der Strahlrichtungen des diese durchlaufenden Beleuchtungslicht-Teilbündel 30 in der xy-Ebene um den Durchstoßpunkt der z-Richtung eines Schwerstrahls dieses Beleuchtungslicht-Teilbündels 30.
Bei der Ausführung nach den 10 und 11 sind anstelle der die Punktspiegelung herbeiführenden Zylinderlinsen 36a, 36b als Kissenlinsen ausgeführte Mikrolinsen 39 angeordnet. Die Mikrolinsen 39 haben wiederum eine punktspiegelnde Wirkung, wie vorstehend im Zusammenhang mit der Ausführung nach 9 erläutert.
10 zeigt eine erste Verteilung der bündelbeeinflussenden Zeilen aus Feldbeleuchtungs-Mischelementen, also den Mikrolinsen 39, und den Plattenzeilen 37. Gesehen längs der y-Richtung ist das Verhältnis aus bündelbeeinflussenden Feldbeleuchtungs-Mischelementen 39 und Plattenzeilen 37 1:1.
Die 11 zeigt eine entsprechende Variante, bei der das Verhältnis aus den bündelbeeinflussenden Feldbeleuchtungs-Mischelementen 39 und den Plattenzeilen 37 längs der y-Richtung 1:2 beträgt. Auch andere Verhältnisse sind möglich, beispielsweise 1:3, 1:4, 1:5 oder auch 2:1, 3:1, 4:1 oder 5:1.
Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 4a und der Wafer 22a, der eine für das Beleuchtungslicht 8 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 4a auf den Wafer 22a mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht 8 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22a entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

WO 2007/093433 A1 [0002]
WO 2005/083512 A2 [0002]

Claims

Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes (3) mit Beleuchtungslicht (8) einer Lichtquelle (6), – mit mindestens einer Rasteranordnung (12, 16) mit in Rasterzeilen und Rasterspalten angeordneten Rasterelementen (12a, 28), die das Beleuchtungslicht (8) zur Vorgabe einer Form des Beleuchtungsfeldes (3) beeinflussen, – mit einer Übertragungsoptik (17) zur überlagernden Übertragung von Teilbündeln (30) des Beleuchtungslichts (8) von den Rasterelementen (12a, 28) hin zum Beleuchtungsfeld (3), in dem ein in einer Objektverlagerungsrichtung (y) verlagerbares Objekt (4a) anordenbar ist, – mit einer Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14; 35) die zwischen der Rasteranordnung (12, 16) und dem Beleuchtungsfeld (3) angeordnet ist, – wobei die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14; 35) eine Mehrzahl von Feldbeleuchtungs-Mischelementen (31; 36; 39) aufweist, die zumindest einigen der Teilbündel (30) des Beleuchtungslichts (8) zugeordnet sind und den Strahlengang dieser Teilbündel (30) derart beeinflussen, dass beim Beleuchten des Objekts (4a) eine Überlagerung verschiedener Teilbündel (30) im Beleuchtungsfeld (3) in Richtung einer Beleuchtungsfeldkoordinate (x) senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung (y) durchmischt wird.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14; 35) im Bereich einer Pupillenebene (15) der Beleuchtungsoptik angeordnet ist.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14; 35) als mikrooptisches Element-Array ausgeführt ist.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischelemente (31; 36; 39) als refraktive Elemente ausgeführt sind.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl eine Eintrittsfläche (36a) als auch eine Austrittsfläche (36b) wenigstens eines Feldbeleuchtungs-Mischelements (36) eine feldmischende Wirkung hat.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14; 35) verschiedene Typen (31 ₁, 31 ₂, 31 ₃; 36, 37; 39, 37) von Feldbeleuchtungs-Mischelementen aufweist, wobei jeder Typ der Feldbeleuchtungs-Mischelemente eine bestimmte Feldmischung der diesen Typ beaufschlagenden Beleuchtungslicht-Teilbündels (30) herbeiführt, wobei sich die feldmischenden Wirkungen der verschiedenen Typen (31 ₁, 31 ₂, 31 ₃; 36, 37; 39, 37) der Feldbeleuchtungs-Mischelemente voneinander unterscheiden.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einigen Rasterzeilen der Rasteranordnung (12, 16) kein eine Feldmischung herbeiführendes Feldbeleuchtungs-Mischelement zugeordnet ist.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (14) als Feldversatz-Einrichtung ausgeführt ist, wobei die Feldversatz-Einrichtung eine Mehrzahl von als Feldversatz-Elementen ausgeführten Feldbeleuchtungs-Mischelementen (31) aufweist, die zumindest einigen der Teilbündel (30) des Beleuchtungslichts (8) zugeordnet sind und den Strahlengang dieser Teilbündel (30) derart beeinflussen, dass sich die Teilbündel (30) im Beleuchtungsfeld (3) zueinander um einen Feldversatz (Δx) senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung (y) versetzt überlagern, wobei der Feldversatz (Δx) kleiner ist als 50 % einer Ausdehnung des Beleuchtungsfeldes (3) senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung (y).
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldversatz-Elemente (31) als Keilplatten-Elemente ausgeführt sind.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischeinrichtung (35) als Feldspiegelungs-Einrichtung ausgeführt ist, wobei die Feldspiegelungs-Einrichtung eine Mehrzahl von als Feldspiegelungs-Elementen ausgeführten Feldbeleuchtungs-Mischelementen (36; 39) aufweist, die zumindest einigen der Teilbündel (30) des Beleuchtungslichts (8) zugeordnet sind und den Strahlengang dieser Teilbündel (30) derart beeinflussen, dass diese Teilbündel (30) im Vergleich zu den unbeeinflussten Teilbündeln (30) zumindest in Bezug auf die Feldkoordinate (x) senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung (y) gespiegelt auf das Beleuchtungsfeld (3) übertragen werden.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldbeleuchtungs-Mischelemente (36; 39) als Linsen ausgeführt sind.
Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 11 und mit einer Projektionsoptik (21) zur Abbildung zumindest eines Teils des Beleuchtungsfeldes (3) in ein Bildfeld in einer Bildebene (22).
Projektionsbelichtungsanlage (1) – mit einem optischen System nach Anspruch 12, – mit einer primären Lichtquelle (6), – mit einem Objekthalter (24) mit einem Objektverlagerungsantrieb (25) zur Halterung eines Objekts (4a) im Beleuchtungsfeld (3). – mit einem Waferhalter (26) mit einem Waferverlagerungsantrieb (27) zur Halterung eines Wafers (22a) im Bildfeld.
Verfahren zur lithografischen Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (22a), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (4a), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (4a) auf einen Bereich der Schicht mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
Bauelement, das nach einem Verfahren gemäß Anspruch 14 hergestellt ist.