DE102015118717A1 - Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component - Google Patents

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component Download PDF

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement weist wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement (108) auf einer Oberfläche (130) eines Substrats (126), eine Spiegelstruktur (110, 112) auf der selben Oberfläche (130) des Substrats (126) neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) in einem Bereich, der frei ist von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108); eine Wellenleiterschicht (106), und eine Streuschicht (104), die optisch mit der Wellenleiterschicht (106) gekoppelt ist, wobei die Wellenleiterschicht (106) im Strahlengang zwischen der Streuschicht (104) und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement und im Strahlengang zwischen der Streuschicht (104) und der Spiegelstruktur (110, 112) angeordnet ist; wobei die Streuschicht (104), die Wellenleiterschicht (106) und die Spiegelstruktur (110, 112) derart relativ zueinander angeordnet sind, dass Licht (118) in der Wellenleiterschicht (106) an der Streuschicht (104) in Richtung der Spiegelstruktur (110, 112) gestreut wird.In various embodiments, an optoelectronic device is provided. The optoelectronic component has at least one light-emitting component (108) on a surface (130) of a substrate (126), a mirror structure (110, 112) on the same surface (130) of the substrate (126) next to the at least one light-emitting component (108 ) in a region free of the at least one light-emitting device (108); a waveguide layer (106), and a scattering layer (104) optically coupled to the waveguide layer (106), the waveguide layer (106) in the beam path between the scattering layer (104) and the at least one light emitting device and in the optical path between the scattering layer (104) and the mirror structure (110, 112) is arranged; wherein the scattering layer (104), the waveguide layer (106) and the mirror structure (110, 112) are arranged relative to each other such that light (118) in the waveguide layer (106) on the scattering layer (104) is directed in the direction of the mirror structure (110, 110; 112) is scattered.

Figure DE102015118717A1_0001
Figure DE102015118717A1_0001

Description

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt.In various embodiments, an optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component are provided.

Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann auf einem Träger eine Anode und eine Kathode und dazwischen ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer” – HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschichten („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten.An organic optoelectronic component, for example an OLED, may have an anode and a cathode on a carrier and an organic functional layer system therebetween. The organic functional layer system may comprise one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, a charge carrier pair generation layer structure each consisting of two or more charge generating layers (CGL) for charge carrier pair generation, and one or more Electron block layers, also referred to as hole transport layers (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layers (ETLs), for directing the flow of current.

In verschiedenen Anwendungen emittiert ein lichtemittierendes, organisches optoelektronisches Bauelement einen ersten Anteil des insgesamt emittierten Lichts durch die Anode in den Träger (erste Richtung) und einen zweiten Anteil des insgesamt emittierten Lichts durch die Kathode in eine zweite Richtung, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist, d. h. von dem Träger weg. Der Träger kann einen Teil des ersten Anteils leiten, wobei mittels Reflexionen und Streuung ein Teil davon aus dem Träger in die zweite Richtung ausgekoppelt wird. Mittels der Reflektivität des Trägers kann die Gesamtemission des lichtemittierenden, organischen optoelektronischen Bauelements in Richtung der zweiten Richtung erhöht werden.In various applications, a light emitting organic optoelectronic device emits a first portion of the total emitted light through the anode into the carrier (first direction) and a second portion of the total emitted light through the cathode in a second direction opposite the first direction, d. H. away from the carrier. The carrier may guide a portion of the first portion, wherein by means of reflections and scattering a portion thereof is coupled out of the carrier in the second direction. By means of the reflectivity of the carrier, the total emission of the light-emitting organic optoelectronic component in the direction of the second direction can be increased.

Bisher gibt es zudem zwei Ansätze zum Erhöhen der Licht-Auskopplung: die externe Auskopplung und die interne Auskopplung.So far, there are two approaches to increasing the light output: the external output and the internal output.

Unter einer externen Auskopplung können Vorrichtungen verstanden werden, bei denen Licht aus dem Träger in abgestrahltes Licht auskoppelt. Eine solche Vorrichtung kann beispielsweise eine Folie mit Streupartikeln oder einer Oberflächenstrukturierung, beispielsweise Mikrolinsen, sein. Die Folie kann beispielsweise auf die Substrataußenseite aufgebracht werden.An external coupling can be understood to mean devices in which light decouples from the carrier into radiated light. Such a device may for example be a film with scattering particles or a surface structuring, for example microlenses. The film can for example be applied to the substrate outside.

Weitere Möglichkeiten können eine direkte Strukturierung der Substrataußenseite oder das Einbringen von Streupartikeln in das Substrat sein, beispielsweise in das Glassubstrat. Einige von diesen Ansätzen, beispielsweise die Streufolie, sind bereits in OLED-Beleuchtungsmodulen eingesetzt oder deren Hochskalierbarkeit gezeigt worden. Die externe Auskopplung kann jedoch zwei wesentliche Nachteile aufweisen. Die Auskoppeleffizienz kann bei der externen Auskopplung auf ungefähr 60% bis ungefähr 70% des im Träger geleiteten Lichtes begrenzt sein. Weiterhin kann bei Maßnahmen zur externen Auskopplung das Erscheinungsbild des optoelektronischen Bauelementes wesentlich beeinflusst werden. Mittels der aufgebrachten Schichten oder Filme kann beispielsweise eine milchig erscheinende und/oder diffus reflektierende Oberfläche bei dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet werden.Further possibilities can be a direct structuring of the substrate outside or the introduction of scattering particles into the substrate, for example into the glass substrate. Some of these approaches, such as the scattering film, have already been used in OLED lighting modules or their scalability has been demonstrated. However, the external coupling can have two significant disadvantages. The outcoupling efficiency may be limited to about 60% to about 70% of the light conducted in the carrier in the external outcoupling. Furthermore, in the case of measures for external extraction, the appearance of the optoelectronic component can be significantly influenced. By means of the applied layers or films, for example, a milky-appearing and / or diffusely reflecting surface can be formed in the optoelectronic component.

Unter einer internen Auskopplung können Vorrichtungen verstanden werden, bei denen Licht ausgekoppelt wird, das in dem elektrisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelementes geführt wird, beispielsweise der organischen funktionellen Schichtenstruktur und/oder den Elektroden, d. h. den transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid-Schichten (transparent conductive oxide – TCO).Internal decoupling can be understood to mean devices in which light is decoupled which is guided in the electrically active region of the optoelectronic component, for example the organic functional layer structure and / or the electrodes, ie. H. the transparent, electrically conductive oxide layers (transparent conductive oxides - TCO).

Bisher wird üblicherweise die Reflektivität des Trägers erhöht, indem für das Material der Kathode Silber anstelle von Aluminium verwendet wird oder die Absorption der organisch funktionellen Schichtenstruktur abgesenkt wird. Die Absenkung der Absorption ist jedoch nicht beliebig möglich. Die Reflektivität stagniert seit Jahren auf einem Niveau von ungefähr 80%.So far, the reflectivity of the carrier is usually increased by using silver instead of aluminum for the material of the cathode or lowering the absorption of the organically functional layer structure. However, the reduction of the absorption is not arbitrarily possible. The reflectivity has stagnated for years at a level of about 80%.

In verschiedenen Ausführungsformen werden eine optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die effektive Reflektivität von lichtemittierenden Bauelementen zu erhöhen.In various embodiments, an optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component are provided, with which it is possible to increase the effective reflectivity of light-emitting components.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement weist wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement auf einer Oberfläche eines Substrats auf. Das optoelektronische Bauelement weist weiterhin eine Spiegelstruktur auf der selben Oberfläche des Substrats neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement in einem Bereich auf, der frei ist von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement. Das optoelektronische Bauelement weist weiterhin eine Wellenleiterschicht und eine Streuschicht auf, die optisch mit der Wellenleiterschicht gekoppelt ist. Die Wellenleiterschicht ist im Strahlengang zwischen der Streuschicht und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement und im Strahlengang zwischen der Streuschicht und der Spiegelstruktur angeordnet. Die Streuschicht, die Wellenleiterschicht und die Spiegelstruktur sind derart relativ zueinander angeordnet, dass Licht in der Wellenleiterschicht an der Streuschicht in Richtung der Spiegelstruktur gestreut wird.In various embodiments, an optoelectronic device is provided. The optoelectronic component has at least one light-emitting component on a surface of a substrate. The optoelectronic component furthermore has a mirror structure on the same surface of the substrate next to the at least one light-emitting component in a region which is free of the at least one light-emitting component. The optoelectronic component further has a waveguide layer and a scattering layer, which is optically coupled to the waveguide layer. The waveguide layer is arranged in the beam path between the scattering layer and the at least one light-emitting component and in the beam path between the scattering layer and the mirror structure. The scattering layer, the waveguide layer and the mirror structure are arranged relative to one another such that light in the waveguide layer is scattered at the scattering layer in the direction of the mirror structure.

Mittels der Streustruktur kann der Einfallswinkel des auf die Spiegelstruktur einfallenden Lichts verändert werden, beispielsweise so dass Licht unterschiedlicheren Winkeln auf die Spiegelstruktur einfällt. Die Spiegelstruktur ermöglicht, dass ein größerer Anteil an Licht zurück in die Wellenleiterschicht reflektiert wird. Dadurch kann der Anteil an Licht, der aus dem optoelektronischen Bauelement ausgekoppelt wird, erhöht werden. By means of the scattering structure, the angle of incidence of the light incident on the mirror structure can be changed, for example so that light of different angles is incident on the mirror structure. The mirror structure allows a greater amount of light to be reflected back into the waveguide layer. As a result, the proportion of light which is coupled out of the optoelectronic component can be increased.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können das wenigstens eine optoelektronische Bauelement mit der Spiegelstruktur, die Wellenleiterschicht und/oder die Streuschicht die gleiche oder ungefähr gleiche Abmessung aufweisen wie das Substrat, d. h. monolithisch integriert sein.In various embodiments, the at least one optoelectronic device with the mirror structure, the waveguide layer and / or the scattering layer can have the same or approximately the same dimension as the substrate, ie. H. be integrated monolithically.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das optoelektronische Bauelement ein erstes lichtemittierendes Bauelement und wenigstens ein zweites lichtemittierendes Bauelement auf. Das erste lichtemittierende Bauelement und das wenigstens eine zweite lichtemittierende Bauelement sind lateral beabstandet auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet. Die Spiegelstruktur ist zwischen dem ersten lichtemittierenden Bauelement und dem zweiten lichtemittierenden Bauelement angeordnet. Das mittelbar mittels der Spiegelstruktur ausgekoppelte Licht kann beispielsweise durch die lichtemittierenden Bauelemente ausgekoppelt werden. Indem die Spiegelstruktur zwischen benachbarten lichtemittierenden Bauelementen ausgebildet wird, kann der Zwischenraum effizienter bzw. funktional ausgenutzt werden. Dadurch kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes erhöht werden.In various exemplary embodiments, the optoelectronic component has a first light-emitting component and at least one second light-emitting component. The first light-emitting component and the at least one second light-emitting component are formed laterally spaced apart on the surface of the substrate. The mirror structure is arranged between the first light-emitting component and the second light-emitting component. The light coupled out indirectly by means of the mirror structure can be coupled out, for example, by the light-emitting components. By forming the mirror structure between adjacent light-emitting devices, the gap can be utilized more efficiently. As a result, the efficiency of the optoelectronic component can be increased.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die Spiegelstruktur und wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement derart ausgebildet, dass die Spiegelstruktur das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement lateral umgibt.In various exemplary embodiments, the mirror structure and at least one light-emitting component are designed such that the mirror structure laterally surrounds the at least one light-emitting component.

Dadurch kann Licht, das von dem lichtemittierenden Bauelement in die Wellenleiterschicht eingekoppelt wird, in jede Richtung bzw. aus jeder Richtung reflektiert werden.As a result, light which is coupled into the waveguide layer by the light-emitting component can be reflected in any direction or from any direction.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die Spiegelstruktur und wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement derart ausgebildet, dass das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement die Spiegelstruktur lateral umgibt.In various exemplary embodiments, the mirror structure and at least one light-emitting component are designed such that the at least one light-emitting component laterally surrounds the mirror structure.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Substrat auf: einen Träger, die Streuschicht auf dem Träger, und die Wellenleiterschicht auf der Streuschicht. Die Oberfläche der Wellenleiterschicht bildet die Oberfläche des Substrates.In various embodiments, the substrate comprises: a support, the litter layer on the support, and the waveguide layer on the litter layer. The surface of the waveguide layer forms the surface of the substrate.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Substrat einen Träger auf, wobei die Oberfläche des Trägers die Oberfläche des Substrates bildet. Die Wellenleiterschicht ist auf oder über dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement und der Spiegelstruktur ausgebildet, und die Streuschicht ist auf der Wellenleiterschicht ausgebildet.In various embodiments, the substrate comprises a carrier, wherein the surface of the carrier forms the surface of the substrate. The waveguide layer is formed on or above the at least one light emitting device and the mirror structure, and the scattering layer is formed on the waveguide layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Wellenleiterschicht im Wellenlängenbereich des von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement emittierten Lichts einen Brechungsindex auf, der größer als 1,7 ist.In various embodiments, in the wavelength range of the light emitted by the at least one light-emitting component, the waveguide layer has a refractive index that is greater than 1.7.

Dadurch kann der Anteil an Licht, der in die Wellenleiterschicht ein- bzw. ausgekoppelt wird, erhöht werden, da die Reflektivität an dem Übergang zwischen Wellenleiterschicht und lichtemittierenden Bauelement reduziert wird.As a result, the proportion of light which is coupled into or out of the waveguide layer can be increased, since the reflectivity at the transition between the waveguide layer and the light-emitting component is reduced.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Streuschicht Streuzentren auf, die in einer Matrix eingebettet sind.In various embodiments, the scattering layer has scattering centers embedded in a matrix.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Spiegelstruktur aus einem Material gebildet, das im Wellenlängenbereich des von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement emittierten Lichts eine Reflektivität von mehr als 90% aufweist.In various exemplary embodiments, the mirror structure is formed from a material which has a reflectivity of more than 90% in the wavelength range of the light emitted by the at least one light-emitting component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement übereinandergestapelt eine organisch funktionelle Schichtenstruktur zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode auf.In various exemplary embodiments, at least one light-emitting component stacked on top of one another has an organically functional layer structure between a first electrode and a second electrode.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die erste Elektrode strukturiert ausgebildet, so dass der freie Bereich der Oberfläche des Substrates frei ist von erster Elektrode.In various embodiments, the first electrode is structured so that the free area of the surface of the substrate is free of the first electrode.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die erste Elektrode transluzent ausgebildet und mit der Wellenleiterschicht optisch gekoppelt.In various embodiments, the first electrode is formed translucent and optically coupled to the waveguide layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Wellenleiterschicht als eine erste Elektrode ausgebildet und auf der Wellenleiterschicht sind eine organisch funktionelle Schichtenstruktur und eine zweite Elektrode des lichtemittierenden Bauelements übereinandergestapelt ausgebildet.In various embodiments, the waveguide layer is formed as a first electrode and on the waveguide layer, an organic functional layer structure and a second electrode of the light emitting device are stacked.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Spiegelstruktur auf der Oberfläche des Substrates lateral beabstandet von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement ausgebildet.In various exemplary embodiments, the mirror structure is formed on the surface of the substrate laterally spaced apart from the at least one light-emitting component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Substrat ferner eine weitere Spiegelstruktur und/oder eine strahlformende Struktur auf.In various embodiments, the substrate further has a further mirror structure and / or a beam-forming structure.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren weist ein Ausbilden wenigstens eines lichtemittierenden Bauelements auf einer Oberfläche eines Substrats auf. Das Verfahren weist weiterhin ein Ausbilden einer Spiegelstruktur auf der selben Oberfläche des Substrats neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement in einem Bereich auf, der frei ist von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement. Das Verfahren weist weiterhin ein Ausbilden einer Wellenleiterschicht und ein Ausbilden einer Streuschicht auf, die optisch mit der Wellenleiterschicht gekoppelt werden. Die Wellenleiterschicht wird im Strahlengang zwischen der Streuschicht und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement und im Strahlengang zwischen der Streuschicht und der Spiegelstruktur angeordnet. Die Streuschicht, die Wellenleiterschicht und die Spiegelstruktur werden derart relativ zueinander angeordnet, dass Licht in der Wellenleiterschicht an der Streuschicht in Richtung der Spiegelstruktur gestreut wird. In various embodiments, a method for producing an optoelectronic component is provided. The method comprises forming at least one light emitting device on a surface of a substrate. The method further comprises forming a mirror structure on the same surface of the substrate adjacent to the at least one light emitting device in a region free of the at least one light emitting device. The method further comprises forming a waveguide layer and forming a scattering layer which are optically coupled to the waveguide layer. The waveguide layer is arranged in the beam path between the scattering layer and the at least one light-emitting component and in the beam path between the scattering layer and the mirror structure. The scattering layer, the waveguide layer and the mirror structure are arranged relative to one another such that light in the waveguide layer is scattered at the scattering layer in the direction of the mirror structure.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigenShow it

1A, B schematische Darstellungen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 1A , B are schematic representations of an optoelectronic component according to various embodiments;

2 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 2 a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments;

3 eine schematische Darstellung eines lichtemittierenden Bauelementes eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 3 a schematic representation of a light emitting device of an optoelectronic component according to various embodiments;

4 ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Vorteils eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 4 a diagram illustrating an advantage of an optoelectronic component according to various embodiments;

5 ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Vorteils eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 5 a diagram illustrating an advantage of an optoelectronic component according to various embodiments;

6 ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Vorteils eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 6 a diagram illustrating an advantage of an optoelectronic component according to various embodiments;

7 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 7 a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments;

8 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 8th a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments;

9 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 9 a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments;

10A–D schematische Darstellungen optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 10A -D schematic representations of optoelectronic devices according to various embodiments;

11 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und 11 a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments; and

12 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 12 a flowchart of a method for producing an optoelectronic component according to various embodiments.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part hereof, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments can be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various exemplary embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das optoelektronische Bauelement (z. B. organisches optoelektronisches Bauelement wie z. B. OLED) als „Bottom-Emitter” ausgeführt sein.According to various embodiments, the optoelectronic component (eg. organic optoelectronic component such. B. OLED) be designed as a "bottom emitter".

Der Begriff „Bottom-Emitter” oder „bottom-emittierendes optoelektronisches Bauelement”, wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Substratseite des optoelektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Beispielsweise können dazu wenigstens das Substrat und zwischen dem Substrat und der mindestens einen Funktionsschicht ausgebildete Schichten (z. B. eine zwischen Substrat und Funktionsschicht(en) ausgebildete Elektrode (Grundelektrode)) transparent ausgeführt sein. Ein als Bottom-Emitter ausgeführtes optoelektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den Funktionsschichten (z. B. organischen Funktionsschichten bei einem organischen optoelektronischen Bauelement wie z. B. einer OLED) erzeugte Strahlung auf der Substratseite des optoelektronischen Bauelements emittieren.As used herein, the term "bottom emitter" or "bottom emitting optoelectronic device" refers to an embodiment that is transparent to the substrate side of the optoelectronic device. By way of example, at least the substrate and layers formed between the substrate and the at least one functional layer (for example an electrode (base electrode) formed between substrate and functional layer (s)) may be made transparent for this purpose. Accordingly, an optoelectronic component embodied as a bottom emitter can emit, for example, radiation generated in the functional layers (eg organic functional layers in the case of an organic optoelectronic component such as an OLED) on the substrate side of the optoelectronic component.

Alternativ oder zusätzlich dazu kann das optoelektronische Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen als „Top-Emitter” ausgeführt sein.Alternatively or additionally, the optoelectronic component according to various embodiments may be designed as a "top emitter".

Der Begriff „Top-Emitter” oder „top-emittierendes optoelektronisches Bauelement”, wie er hierin verwendet wird, bezeichnet beispielsweise eine Ausführung, die zu der dem Substrat abgewandten Seite (anders ausgedrückt, zur Deckseite) des optoelektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Insbesondere können dazu die auf bzw. über der mindestens einen Funktionsschicht des optoelektronischen Bauelements ausgebildeten Schichten (z. B. zwischen Funktionsschicht(en) und Barrierendünnschicht ausgebildete Elektrode (Deckelektrode), Barrierendünnschicht, Zwischenschicht, Deckschicht) transparent ausgeführt sein. Ein als Top-Emitter ausgeführtes optoelektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den Funktionsschichten (z. B. organischen Funktionsschichten bei einem organischen optoelektronischen Bauelement wie z. B. einer OLED) erzeugte Strahlung auf der Deckseite des optoelektronischen Bauelements emittieren.As used herein, the term "top emitter" or "top emitting optoelectronic device" refers, for example, to an embodiment that is transparent to the side facing away from the substrate (in other words, to the top side) of the optoelectronic device. In particular, the electrodes (cover electrode), barrier thin film, intermediate layer, cover layer formed on or above the at least one functional layer of the optoelectronic component (eg, between functional layer (s) and barrier thin film) can be made transparent. Accordingly, an optoelectronic component designed as a top emitter can emit, for example, radiation generated in the functional layers (eg, organic functional layers in an organic optoelectronic component such as an OLED) on the top side of the optoelectronic component.

Ein als Top-Emitter ausgestaltetes optoelektronisches Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in vorteilhafter Weise eine hohe Lichtauskopplung und eine sehr geringe Winkelabhängigkeit der Strahlungsdichte aufweisen. Ein optoelektronisches Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in vorteilhafter Weise für Beleuchtungen, wie beispielsweise Raumleuchten, eingesetzt werden.An optoelectronic component designed as a top emitter according to various embodiments may advantageously have a high light outcoupling and a very low angular dependence of the radiation density. An optoelectronic component according to various embodiments can be advantageously used for lighting, such as room lighting.

Eine Kombination aus Bottom-Emitter und Top-Emitter ist ebenso in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen. Bei einer solchen Ausführung ist das optoelektronische Bauelement allgemein in der Lage, das in den Funktionsschichten (z. B. den organischen Funktionsschichten bei einem organischen optoelektronischen Bauelement wie z. B. einer OLED) erzeugte Licht in beide Richtungen – also sowohl zu der Substratseite als auch zu der Deckseite hin – zu emittieren (transparente oder transluzente OLED).A combination of bottom emitter and top emitter is also provided in various embodiments. In such an embodiment, the optoelectronic component is generally capable of producing the light generated in the functional layers (eg the organic functional layers in the case of an organic optoelectronic component, such as an OLED) in both directions - ie both to the substrate side also to the top side to emit (transparent or translucent OLED).

Unter dem Begriff „transluzent” bzw. „transluzente Schicht” kann verstanden werden, dass die Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem optoelektronischen Bauelement erzeugte Licht. Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht” zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in die Schicht eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Schicht ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut wird. Unter dem Begriff „transparent” oder „transparente Schicht” kann verstanden werden, dass die Schicht für Licht durchlässig ist, wobei in die Schicht eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Schicht ausgekoppelt wird.The term "translucent" or "translucent layer" can be understood to mean that the layer is permeable to light, for example for the light generated by the optoelectronic component. By way of example, the term "translucent layer" is to be understood as meaning that essentially the entire amount of light coupled into the layer is also coupled out of the layer, whereby part of the light is scattered in this case. The term "transparent" or "transparent layer" can be understood as meaning that the layer is permeable to light, wherein light coupled into the layer is also coupled out of the layer substantially without scattering or light conversion.

1A, B zeigen schematische Darstellungen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, wobei 1A eine schematische Querschnittsansicht und 1B eine schematische Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement 100 zeigt. 1A , B show schematic representations of an optoelectronic component according to various embodiments, wherein 1A a schematic cross-sectional view and 1B a schematic plan view of an optoelectronic device 100 shows.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das optoelektronische Bauelement 101 lichtemittierendes Bauelement 108 auf der Oberfläche 130 eines Substrates 126 auf. Wenigstens ein Bereich 128 der Oberfläche 130 des Substrates 126 ist frei von dem lichtemittierenden Bauelement 108. Wenigstens in einem Teil der freien Bereiche 128 der Oberfläche 130 des Substrats 126 ist eine Spiegelstruktur 110, 112 auf der Oberfläche 130 neben dem lichtemittierenden Bauelement 108 angeordnet. In 1A, B ist ein Ausführungsbeispiel veranschaulicht, bei dem eine erste Spiegelstruktur 110 und eine zweite Spielstruktur 112 vorgesehen sind, wobei das lichtemittierende Bauelement 108 zwischen der ersten Spiegelstruktur 110 und der zweiten Spiegelstruktur 112 angeordnet ist.In various embodiments, the optoelectronic component 101 light-emitting component 108 on the surface 130 of a substrate 126 on. At least one area 128 the surface 130 of the substrate 126 is free from the light emitting device 108 , At least in a part of the free areas 128 the surface 130 of the substrate 126 is a mirror structure 110 . 112 on the surface 130 in addition to the light-emitting component 108 arranged. In 1A Figure B illustrates an embodiment in which a first mirror structure 110 and a second game structure 112 are provided, wherein the light-emitting component 108 between the first mirror structure 110 and the second mirror structure 112 is arranged.

Das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement 108 kann somit von einer oder mehreren Spiegelstrukturen 110, 112 lateral umgeben sein, beispielsweise flankiert sein.The at least one light-emitting component 108 may thus be of one or more mirror structures 110 . 112 be laterally surrounded, for example flanked.

In dem Ausführungsbeispiel, das in 1A, B veranschaulicht ist, weist das Substrat 126 einen Träger 102, eine Streuschicht 104 auf dem Träger 102, und eine Wellenleiterschicht 106 auf der Streuschicht 104 auf. Die Oberfläche der Wellenleiterschicht 106 bildet die Oberfläche 130 des Substrates 126 bzw. stimmt mit dieser überein.In the embodiment shown in FIG 1A , B illustrates the substrate 126 a carrier 102 , a litter layer 104 on the carrier 102 , and a waveguide layer 106 on the litter layer 104 on. The surface of the waveguide layer 106 forms the surface 130 of the substrate 126 or agrees with this.

Die Streuschicht 104 kann mit dem Träger 102 und der Wellenleiterschicht 106 optisch gekoppelt sein. The litter layer 104 can with the carrier 102 and the waveguide layer 106 be optically coupled.

Die Wellenleiterschicht 106 kann mit der Streuschicht 104 und dem lichtemittierenden Bauelement 108 sowie der Spiegelstruktur 110, 112 optisch gekoppelt sein.The waveguide layer 106 can with the litter layer 104 and the light-emitting device 108 as well as the mirror structure 110 . 112 be optically coupled.

Das lichtemittierende Bauelement 108 kann im Betrieb Licht in eine erste Richtung (veranschaulicht mittels des Pfeils 114) und Licht in eine zweite Richtung (veranschaulicht mittels des Pfeils 116) emittieren. Das in die erste Richtung 114 Licht wird von dem optoelektronischen Bauelement 100 weg emittiert, d. h. in die Bauelement-externe Umgebung abgestrahlt. Das in die zweite Richtung 116 emittierte Licht wird in das Substrat 126 emittiert, beispielsweise in die Wellenleiterschicht 106. Mit anderen Worten: das lichtemittierende Bauelement 108 ist optisch mit der Wellenleiterschicht 106 gekoppelt. Das in das Substrat 126 bzw. in die Wellenleiterschicht 106 eingekoppelte Licht (veranschaulicht mittels des Doppelpfeils 118) kann in dem Substrat 126 bzw. der Wellenleiterschicht 106 geleitet werden, d. h. sich ausbreiten. Ein Teil des Lichts 118 in der Wellenleiterschicht 106 wird an bzw. von der Streuschicht 104 zurück in die Wellenleiterschicht 106 reflektiert (veranschaulicht mittels des Pfeils 120). Ein Teil des Lichts 118 in der Wellenleiterschicht 106 wird an bzw. von der Spiegelstruktur 110 zurück in die Wellenleiterschicht 106 reflektiert (veranschaulicht mittels des Pfeils 122).The light emitting device 108 can in operation light in a first direction (illustrated by means of the arrow 114 ) and light in a second direction (illustrated by the arrow 116 ) emit. That in the first direction 114 Light is emitted from the optoelectronic component 100 emitted, ie radiated into the device-external environment. That in the second direction 116 emitted light is in the substrate 126 emitted, for example, in the waveguide layer 106 , In other words, the light emitting device 108 is optically with the waveguide layer 106 coupled. That in the substrate 126 or in the waveguide layer 106 coupled light (illustrated by means of the double arrow 118 ) may be in the substrate 126 or the waveguide layer 106 be directed, ie spread. A part of the light 118 in the waveguide layer 106 gets to or from the litter layer 104 back into the waveguide layer 106 reflected (illustrated by means of the arrow 120 ). A part of the light 118 in the waveguide layer 106 becomes to or from the mirror structure 110 back into the waveguide layer 106 reflected (illustrated by means of the arrow 122 ).

Ein Teil (veranschaulicht mittels des Pfeils 124) des in der Wellenleiterschicht 106 geleiteten bzw. geführten Lichts 118 kann durch Reflexionen 120, 122 aus dem optoelektronischen Bauelement 100 ausgekoppelt werden (veranschaulicht mittels des Pfeils 124).A part (illustrated by means of the arrow 124 ) of the waveguide layer 106 guided or guided light 118 can through reflections 120 . 122 from the optoelectronic component 100 be disconnected (illustrated by means of the arrow 124 ).

Mittels der Spiegelstruktur 110 kann der Anteil 122 an Licht, der an der Oberfläche 130 des Substrates 126 reflektiert wird, erhöht werden. Der von der Spiegelstruktur 110 reflektierte Anteil 122 wird wiederum von der Wellenleiterschicht 106 geleitet, d. h. dem Anteil 118 hinzugefügt. Dadurch kann der Anteil, das heißt die Intensität, des aus dem Substrat 126 ausgekoppelten Lichtes 124 erhöht werden. Dies ermöglicht es die Intensität des von dem optoelektronischen Bauelement 100 emittierten Lichts 114, 124 zu erhöhen. Dadurch kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes auf einfache Weise erhöht werden.By means of the mirror structure 110 can the proportion 122 on light, on the surface 130 of the substrate 126 is reflected, be increased. The one of the mirror structure 110 reflected proportion 122 in turn is from the waveguide layer 106 passed, ie the share 118 added. This allows the proportion, that is the intensity, of the substrate 126 decoupled light 124 increase. This allows the intensity of the of the optoelectronic component 100 emitted light 114 . 124 to increase. As a result, the efficiency of the optoelectronic component can be increased in a simple manner.

Mit anderen Worten: Das optoelektronische Bauelement 100 weist monolithisch integriert wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement 108 auf einer Oberfläche 130 eines Substrats 126 auf und eine Spiegelstruktur 110, 112 auf der selben Oberfläche 130 des Substrats 126. Wenigstens ein freier Bereich 128 der Oberfläche 130 des Substrats 126 ist frei von lichtemittierendem Bauelement 108 und die Spiegelstruktur 110, 112 ist auf wenigstens einem Teil des freien Bereichs 128 neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement 108 ausgebildet. Weiterhin monolithisch integriert weist das optoelektronische Bauelement eine Wellenleiterschicht 106 auf, wobei das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement und die Spiegelstruktur mit der Wellenleiterschicht optisch gekoppelt sind. Weiterhin monolithisch integriert weist das optoelektronische Bauelement eine Streuschicht auf, die optisch mit der Wellenleiterschicht gekoppelt ist, wobei die Streuschicht angeordnet ist, so dass die Wellenleiterschicht im Strahlengang zwischen der Streuschicht und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement angeordnet ist. Die Streuschicht, die Wellenleiterschicht und die Spiegelstruktur sind derart zueinander angeordnet, dass Licht in der Wellenleiterschicht an der Streuschicht in Richtung der Spiegelstruktur gestreut wird.In other words: the optoelectronic component 100 has monolithically integrated at least one light-emitting device 108 on a surface 130 a substrate 126 on and a mirror structure 110 . 112 on the same surface 130 of the substrate 126 , At least one free area 128 the surface 130 of the substrate 126 is free of light-emitting component 108 and the mirror structure 110 . 112 is on at least a part of the free area 128 in addition to the at least one light-emitting component 108 educated. Furthermore, monolithically integrated, the optoelectronic component has a waveguide layer 106 wherein the at least one light-emitting component and the mirror structure are optically coupled to the waveguide layer. Furthermore, integrated monolithically, the optoelectronic component to a litter layer which is optically coupled to the waveguide layer, wherein the litter layer is arranged so that the waveguide layer is arranged in the beam path between the litter layer and the at least one light-emitting device. The scattering layer, the waveguide layer and the mirror structure are arranged relative to one another such that light in the waveguide layer is scattered at the scattering layer in the direction of the mirror structure.

Die Spiegelstruktur weist eine höhere Reflektivität auf als das lichtemittierende Bauelement. In Abhängigkeit von dem Flächenanteil an der Oberfläche des Substrats von lichtemittierenden Bauelement und Spiegelstruktur lässt sich so eine definierte, effektive Reflektivität erzielen (siehe auch 6).The mirror structure has a higher reflectivity than the light-emitting component. Depending on the area fraction at the surface of the substrate of the light-emitting component and mirror structure, a defined, effective reflectivity can be achieved (see also FIG 6 ).

Der Träger 102 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 102 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 102 kann beispielsweise Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine aufweisen. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen. Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl. Der Träger 102 kann als Metallfolie oder metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden. Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein.The carrier 102 can be translucent or transparent. The carrier 102 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. The carrier 102 For example, it may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material, or any other suitable material. Furthermore, the carrier can 102 comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The plastic may have one or more polyolefins. Further, the plastic may include polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN). The carrier 102 may comprise or be formed from a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel. The carrier 102 may be formed as a metal foil or metal-coated foil. The carrier 102 may be part of or form part of a mirror structure. The carrier 102 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Streuschicht 104 Streuzentren auf, die in einer Matrix eingebettet sind, beispielsweise einer Polymermatrix. Die Matrix kann beispielsweise einen Brechungsindex von ungefähr 1,5 aufweisen. Die Streuzentren können einen höheren Brechungsindex als die Matrix aufweisen, beispielsweise wenigstens um 0,05 größer, beispielsweise wenigstens um 0,2 größer. Das Stoffgemisch aus Matrix und Streuzentren kann beispielsweise nasschemisch auf dem Träger 102 aufgebracht werden.In various embodiments, the litter layer 104 Scattering centers that are embedded in a matrix, such as a polymer matrix. For example, the matrix can be have a refractive index of about 1.5. The scattering centers may have a higher refractive index than the matrix, for example at least 0.05 larger, for example at least 0.2 larger. The substance mixture of matrix and scattering centers can be wet-chemically on the support, for example 102 be applied.

Als Streuzentren, beispielsweise als lichtstreuende Partikel, können dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Ox) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.As scattering centers, for example as light-scattering particles, dielectric scattering particles may be provided, for example of a metal oxide, for example silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide ( IZO), gallium oxide (Ga2Ox) alumina, or titania. Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Streuschicht 104 ein Gitter mit niedrigem Brechungsindex auf, beispielsweise strukturierte Bereiche mit einem Material mit niedrigerem Brechungsindex als die Wellenleiterschicht.In various embodiments, the litter layer 104 a low refractive index grating, for example, structured regions having a lower refractive index material than the waveguide layer.

Die Wellenleiterschicht 106 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Leiter zum Leiten von elektromagnetischer Strahlung. Der Wellenleiterschicht 106 ist ein Bauelement, das für die elektromagnetische Strahlung transmittierend ist, beispielsweise transluzent oder transparent oder zumindest im Wesentlichen Transparent ist und das sich in einer länglichen Erstreckungsrichtung erstreckt. Die Strahlleitung erfolgt dabei intern in der Wellenleiterschicht 106 unter anderem aufgrund von interner Reflexion an einer Außenwandung der Wellenleiterschicht 106, die auch als Grenzfläche bezeichnet werden kann, beispielsweise aufgrund von interner Totalreflexion auf Grund eines geringeren Brechungsindex des Materials der Wellenleiterschicht 106 als des den Wellenleiterschicht 106 umgebenden Mediums, durch Verspiegelung der Außenwandung der Wellenleiterschicht 106 beispielsweise mittels der Spiegelstruktur 110, 112 oder durch Streuung an einer Grenzfläche oder angrenzenden Struktur, beispielsweise der Streuschicht 104. Der Wellenleiterschicht 106 kann auch als Lichtleiter, Lichtleitfaser, Lichtwellenleiter oder Lichtfaser bezeichnet werden. Der Wellenleiterschicht 106 kann beispielsweise Kunststoff, wie beispielsweise polymere Fasern, PMMA, Polycarbonat und/oder Hard Clad Silica aufweisen. Ferner kann der Wellenleiterschicht 106 als planare LichtWellenleiterschichten (PLWL) ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Wellenleiterschicht 106 im Wellenlängenbereich des von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement emittierten Lichts einen Brechungsindex auf, der größer als 1,7 ist. Mittels der Wellenleiterschicht 106 wird das lichtemittierende Bauelement von der Streuschicht separiert. Die Wellenleiterschicht 106 ermöglicht eine laterale Lichtpropagation des Lichts, das von dem lichtemittierenden Bauelement in die Wellenleiterschicht eingekoppelt wird. Dadurch kann das Licht des lichtemittierenden Bauelements besser aufgeweitet werden, dass heißt die Dispersion vergrößert werden. Dies ermöglicht eine bessere Leitung bzw. Umlenkung des Lichts zu der Spiegelstruktur.The waveguide layer 106 In various embodiments, a conductor is for conducting electromagnetic radiation. The waveguide layer 106 is a device which is transmissive to the electromagnetic radiation, for example translucent or transparent, or at least substantially transparent, and which extends in an elongated extension direction. The beam line takes place internally in the waveguide layer 106 due inter alia to internal reflection on an outer wall of the waveguide layer 106 , which may also be referred to as an interface, for example due to total internal reflection due to a lower refractive index of the material of the waveguide layer 106 as the waveguide layer 106 surrounding medium, by mirroring the outer wall of the waveguide layer 106 for example by means of the mirror structure 110 . 112 or by scattering at an interface or adjacent structure, such as the litter layer 104 , The waveguide layer 106 may also be referred to as a light guide, optical fiber, optical fiber or optical fiber. The waveguide layer 106 For example, plastic, such as polymeric fibers, PMMA, polycarbonate and / or Hard Clad silica may have. Furthermore, the waveguide layer 106 be designed as planar light waveguide layers (PLWL). In various embodiments, the waveguide layer 106 in the wavelength range of the light emitted by the at least one light-emitting component, a refractive index which is greater than 1.7. By means of the waveguide layer 106 the light-emitting component is separated from the scattering layer. The waveguide layer 106 allows lateral light propagation of the light coupled from the light emitting device into the waveguide layer. As a result, the light of the light-emitting component can be widened better, that is, the dispersion can be increased. This allows a better conduction or deflection of the light to the mirror structure.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Wellenleiterschicht 106 eine Matrix und wenigstens eine Art Zusatz auf, wobei die wenigstens eine Art Zusätze in der Matrix verteilt ist.In various embodiments, the waveguide layer 106 a matrix and at least one kind of additive, wherein the at least one kind of additives is distributed in the matrix.

In verschiedenen Ausgestaltungen ist wenigstens eine Art Zusätze als Partikel, d. h. partikelförmigen Zusätze, ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist wenigstens eine Art Zusätze in der Matrix gelöst.In various embodiments, at least one type of additive is present as a particle, i. H. particulate additives, formed. Alternatively or additionally, at least one type of additive is dissolved in the matrix.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Matrix ein Glaslot und/oder ein Kunststoff auf oder ist daraus gebildet.In various embodiments, the matrix comprises or is formed from a glass solder and / or a plastic.

In verschiedenen Ausgestaltungen ist die Wellenleiterschicht 106 ganzflächig auf oder über dem Träger 102 ausgebildet.In various embodiments, the waveguide layer is 106 over the entire surface on or above the support 102 educated.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Wellenleiterschicht 106 einen Brechungsindex von mindestens ungefähr 1,5, auf, beispielsweise einen Brechungsindex von mindestens ungefähr 1,6, beispielsweise einen Brechungsindex von mindestens ungefähr 1,65, beispielsweise einen Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,1.In various embodiments, the waveguide layer 106 a refractive index of at least about 1.5, for example a refractive index of at least about 1.6, for example a refractive index of at least about 1.65, for example a range of about 1.7 to about 2.1.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Wellenleiterschicht 106 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 100 μm auf, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μm bis ungefähr 100 μm, beispielsweise ungefähr 25 μm.In various embodiments, the waveguide layer 106 a thickness in a range of about 1 μm to about 100 μm, for example in a range of about 10 μm to about 100 μm, for example about 25 μm.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Wellenleiterschicht 106 als eine Schicht in einer Schnittebene einer organischen Leuchtdiode und/oder einer organischen Solarzelle ausgebildet sein.In various embodiments, the waveguide layer 106 be formed as a layer in a sectional plane of an organic light emitting diode and / or an organic solar cell.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Matrix der Wellenleiterschicht 106 einen Brechungsindex größer als ungefähr 1,7 auf.In various embodiments, the matrix has the waveguide layer 106 a refractive index greater than about 1.7.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Matrix der Wellenleiterschicht 106 amorph ausgebildet sein.In various embodiments, the matrix has the waveguide layer 106 be formed amorphous.

Der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix weist auch als Formwerkstoff oder Vergussmaterial bezeichnet werden. The substance or the substance mixture of the matrix can also be referred to as molding material or potting material.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Matrix der Wellenleiterschicht 106 ein Stoff oder Stoffgemisch auf oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Glassysteme: PbO-haltigen Systeme: PbO-B2O3, PbO-SiO2, PbO-B2O3-SiO2, PbO-B2O3-ZnO2, PbO-B2O3-Al2O3, wobei das PbO-haltige Glaslot auch Bi2O3 auf weist; Bi2O3-haltige Systeme: Bi2O3-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, Bi2O3-B2O3-ZnO, Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2.In various embodiments, the matrix has the waveguide layer 106 a substance or mixture of substances on or from the group of glass systems: PbO-containing systems: PbO-B 2 O 3 , PbO-SiO 2 , PbO-B 2 O 3 -SiO 2 , PbO-B 2 O 3 -ZnO 2 , PbO-B 2 O 3 -Al 2 O 3 , wherein the PbO-containing glass solder also Bi 2 O 3 has; Bi 2 O 3 -containing systems: Bi 2 O 3 -B 2 O 3 , Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 , Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -ZnO, Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -ZnO-SiO 2 .

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Bi-haltige Wellenleiterschicht 106 zusätzlich einen Stoff oder ein Stoffgemisch auf aus der Gruppe der Stoffe: Al2O3, Erdalkalioxide, Alkalioxide, ZrO2, TiO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, TeO2, WO3, MO3, Sb2O3, Ag2O, SnO2, Selteneerdoxide.In various embodiments, the Bi-containing waveguide layer 106 additionally a substance or a mixture of substances from the group of substances: Al 2 O 3 , alkaline earth oxides, alkali oxides, ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , TeO 2 , WO 3 , MO 3 , Sb 2 O 3 , Ag 2 O, SnO 2 , rare earth oxides.

In verschiedenen Ausgestaltungen können dem Glas der Matrix UV-absorbierende Zusätze als Glaskomponenten beigefügt werden. Beispielsweise können niedrigschmelzenden Gläsern, beispielsweise Blei-haltigen Gläsern, zum Erhöhen der UV-Absorption, im Prozess der Glasschmelze, als Glasgemengebestandteile Stoffe oder Stoffgemische, die Ce-, Fe-, Sn-, Ti-, Pr-, Eu- und/oder V-Verbindungen auf, zugefügt werden.In various embodiments, UV-absorbing additives may be added to the glass of the matrix as glass components. For example, low-melting glasses, for example lead-containing glasses, for increasing the UV absorption, in the process of molten glass, as glass batch constituents, substances or mixtures containing Ce, Fe, Sn, Ti, Pr, Eu and / or V connections to be added.

Als Prozess des Glasschmelzens weist ein thermisches Verflüssigen, d. h. Aufschmelzen, eines Glases verstanden werden. Die UV-absorbierenden Zusätze können als Bestandteil im Glas gelöst sein. Im Anschluss an den Prozess des Glasschmelzens weist das Glas pulverisiert, in Form von Beschichtungen auf einen Träger aufgebracht und anschließend mittels einer Temperaturbehandlung verglast werden.As the process of glass melting, thermal liquefaction, i. H. Melting, a glass to be understood. The UV-absorbing additives can be dissolved as an ingredient in the glass. Following the process of glass melting, the glass is pulverized, applied to a carrier in the form of coatings and then vitrified by means of a thermal treatment.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix eine intrinsisch geringere UV-Transmission auf als das Substrat.In various embodiments, the substance or mixture of the matrix has an intrinsically lower UV transmission than the substrate.

Mittels der geringeren UV-Transmission der Matrix weist ein UV-Schutz für Schichten auf oder über der Wellenleiterschicht 106 ausgebildet werden. Die geringere UV-Transmission der Matrix der Wellenleiterschicht 106 bezüglich des Substrates weist beispielsweise mittels einer höheren Absorption und/oder Reflektion von UV-Strahlung ausgebildet sein.By virtue of the lower UV transmission of the matrix has a UV protection for layers on or over the waveguide layer 106 be formed. The lower UV transmission of the matrix of the waveguide layer 106 With respect to the substrate, for example, be formed by means of a higher absorption and / or reflection of UV radiation.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix der Wellenleiterschicht 106 bei einer Temperatur bis maximal ungefähr 600°C verflüssigt werden.In various embodiments, the substance or the substance mixture of the matrix of the waveguide layer 106 be liquefied at a temperature up to about 600 ° C maximum.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die Matrix einen der folgenden Stoffe auf oder daraus gebildet sein: ein Silikon, beispielsweise Polydimethylsiloxan, Polydimethylsiloxan/Polydiphenylsiloxan; ein Silazan, ein Epoxid, ein Polyacrylat, ein Polycarbonat oder ähnliches, beispielsweise ein Silikon-Hybrid, ein Silikon-Epoxid-Hybrid.In various embodiments, the matrix comprises or is formed from one of the following: a silicone, for example polydimethylsiloxane, polydimethylsiloxane / polydiphenylsiloxane; a silazane, an epoxy, a polyacrylate, a polycarbonate or the like, for example a silicone hybrid, a silicone-epoxy hybrid.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die Zusätze einen anorganischen Stoff oder ein anorganisches Stoffgemisch auf oder daraus gebildet sein.In various embodiments, the additives can be an inorganic substance or an inorganic substance mixture formed on or from it.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist die wenigstens eine Art Zusatz einen Stoff oder ein Stoffgemisch oder eine stöchiometrische Verbindung auf oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, Al2O3, SiO2, Y2O3, ZrO2, Leuchtstoffe, Farbstoffe, sowie UV-absorbierende Glaspartikel, geeignete UV-absorbierende metallische Nanopartikel, wobei die Leuchtstoffe beispielsweise eine Absorption von elektromagnetischer Strahlung im UV-Bereich auf können.In various embodiments, the at least one type additive comprises a substance or a mixture of substances or a stoichiometric compound or be formed from the group of substances: TiO 2 , CeO 2 , Bi 2 O 3 , ZnO, SnO 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , phosphors, dyes, and UV-absorbing glass particles, suitable UV-absorbing metallic nanoparticles, the phosphors, for example, an absorption of electromagnetic radiation in the UV range can.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die Zusätze als Partikel, d. h. partikelförmigen Zusätze, ausgebildet sein.In various embodiments, the additives may be present as particles, i. H. particulate additives, be formed.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die Zusätze eine gewölbte Oberfläche auf, beispielsweise ähnlich oder gleich einer optischen Linse.In various embodiments, the additives may have a domed surface, for example, similar or equal to an optical lens.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die partikelförmigen Zusätze eine der folgenden geometrische Formen und/oder einen Teil einer der folgenden geometrischen Formen auf: sphärisch, asphärisch beispielsweise prismatisch, ellipsoid, hohl, kompakt, plättchen oder stäbchenförmig.In various embodiments, the particulate additives may have one of the following geometric shapes and / or part of one of the following geometric shapes: spherical, aspherical, for example, prismatic, ellipsoidal, hollow, compact, platelet, or rod-shaped.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die partikelförmigen Zusätze ein Glas auf oder daraus gebildet sein.In various embodiments, the particulate additives may be a glass on or formed therefrom.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die partikelförmigen Zusätze eine mittlere Korngröße in einem Bereich von ungefähr 0,05 μm bis ungefähr 10 μm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr 1 μm auf.In various embodiments, the particulate additives may have a mean grain size in a range of about 0.05 μm to about 10 μm, for example in a range of about 0.1 μm to about 1 μm.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die Zusätze auf oder über dem Substrat in der Wellenleiterschicht 106 eine Lage mit einer Dicke von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr 100 μm auf.In various embodiments, the additives may be on or over the substrate in the waveguide layer 106 a layer having a thickness of about 0.1 μm to about 100 μm.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die Zusätze der Wellenleiterschicht 106 mehrere Lagen übereinander auf oder über dem Substrat auf, wobei die einzelnen Lagen unterschiedlich ausgebildet sein können.In various embodiments, the additions of the waveguide layer 106 a plurality of layers one above the other on or above the substrate, wherein the individual layers may be formed differently.

In verschiedenen Ausgestaltungen weist in den Lagen der Zusätze, die mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze wenigstens eines partikelförmigen Zusatzes von der Oberfläche des Substrates her abnehmen. In various embodiments, in the layers of the additives, the average size of the particulate additives of at least one particulate additive decreases from the surface of the substrate.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die einzelnen Lagen der Zusätze eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder eine unterschiedliche Transmission für elektromagnetische Strahlung in wenigstens einem Wellenlängenbereich auf, beispielsweise mit einer Wellenlänge kleiner ungefähr 400 nm.In various embodiments, the individual layers of the additives may have a different average size of the particulate additives and / or a different transmission for electromagnetic radiation in at least one wavelength range, for example with a wavelength of less than approximately 400 nm.

In verschiedenen Ausgestaltungen können die einzelnen Lagen der Zusätze eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder einen unterschiedlichen Brechungsindex für elektromagnetische Strahlung auf.In various embodiments, the individual layers of the additives may have a different average size of the particulate additives and / or a different refractive index for electromagnetic radiation.

Die Spiegelstruktur 110, 112 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein optisches Gitter, ein metallischer Spiegel bzw. Spiegel, ein photonischer Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche ausgebildet sein. Die Spiegelstruktur weist eine höhere Reflektivität auf als die mittlere Reflektivität des lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise größer als 90% für das von dem lichtemittierenden Bauelement emittierte Licht.The mirror structure 110 . 112 may be formed in various embodiments as an optical grating, a metallic mirror, a photonic crystal or a totally reflecting interface. The mirror structure has a higher reflectivity than the average reflectivity of the light-emitting component, for example greater than 90% for the light emitted by the light-emitting component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Spiegelstruktur 112 aus einem Material gebildet, das im Wellenlängenbereich des von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement emittierten Lichts eine Reflektivität von mehr als 90% aufweist, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 90% bis 99%, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 94% bis 99%, beispielsweise größer als 95%.In various embodiments, the mirror structure is 112 formed of a material which has a reflectivity of more than 90% in the wavelength range of the light emitted by the at least one light-emitting component, for example in a range of approximately 90% to 99%, for example in a range of approximately 94% to 99%, for example, greater than 95%.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Spiegelstruktur 112 als ein diffuser Reflektor ausgebildet, beispielsweise aus Polytetrafluorethylen (PTFE) oder TiO2.In various embodiments, the mirror structure is 112 formed as a diffuse reflector, for example made of polytetrafluoroethylene (PTFE) or TiO2.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Spiegelstruktur 112 als ein spekularer Reflektor ausgebildet, beispielsweise aus Silber, Gold oder Aluminium.In various embodiments, the mirror structure is 112 formed as a specular reflector, for example made of silver, gold or aluminum.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist wenigstens eine, beispielsweise mehrere, Spiegelstrukturen als elektrische Sammelschiene (busbar) für das lichtemittierende Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise eine Stromaufweitung bewirken.In various exemplary embodiments, at least one, for example a plurality, of mirror structures may be designed as an electrical busbar for the light-emitting component, for example to effect a current widening.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Spiegelstruktur 110, 112 eines der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: Ag, Al, TiO2, PTFE, BaTiO3, mikrozellulares PET.In various embodiments, the mirror structure 110 . 112 one or more of the following materials: Ag, Al, TiO2, PTFE, BaTiO3, microcellular PET.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Spiegelstruktur 110, 112 elektrisch nicht-leitend ausgebildet. Alternativ ist die Spiegelstruktur 110, 112 elektrisch leitend ausgebildet, und beispielsweise mit dem lichtemittierenden Bauelement elektrisch leitend verbunden. Die Spiegelstruktur 110, 112 kann somit beispielsweise als eine elektrische Sammelschiene des lichtemittierenden Bauelements eingerichtet sein.In various embodiments, the mirror structure is 110 . 112 electrically non-conductive formed. Alternatively, the mirror structure 110 . 112 formed electrically conductive, and electrically connected, for example, with the light-emitting device. The mirror structure 110 . 112 Thus, for example, it can be configured as an electrical busbar of the light-emitting component.

Die Wellenleiterschicht 106 weist eine Dicke d1 auf. Das lichtemittierende Bauelement 108 weist eine Breite d2 auf, die senkrecht zu d1 orientiert ist. Die Spiegelstruktur 112 weist eine Breite d3 auf, die senkrecht zu d1 orientiert ist und in einer Ebene zu d2 orientiert ist. Die Wellenleiterschicht 106, das lichtemittierende Bauelement 108 und die Spiegelstruktur 110, 112 können derart zu einander ausgebildet sein, dass das Verhältnis d1:d2 und/oder d1:d3 in einem Bereich von 0,5:1 bis 10:1 liegt.The waveguide layer 106 has a thickness d1. The light emitting device 108 has a width d2 oriented perpendicular to d1. The mirror structure 112 has a width d3 oriented perpendicular to d1 and oriented in a plane to d2. The waveguide layer 106 , the light-emitting device 108 and the mirror structure 110 . 112 may be formed to each other such that the ratio d1: d2 and / or d1: d3 is in a range of 0.5: 1 to 10: 1.

2 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 200 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 2 shows a schematic representation of an optoelectronic component 200 according to various embodiments. The optoelectronic component 200 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das optoelektronische Bauelement 200 auf der Oberfläche des Substrates 126 ein erstes lichtemittierendes Bauelement 202 und wenigstens ein zweites lichtemittierendes Bauelement 204 auf. Das erste lichtemittierende Bauelement 202 und das wenigstens eine zweite lichtemittierende Bauelement 204 sind lateral beabstandet auf der Oberfläche des Substrats 126 ausgebildet. Die Spiegelstruktur 206 ist zwischen dem ersten lichtemittierenden Bauelement 202 und dem zweiten lichtemittierenden Bauelement 204 angeordnet.In various embodiments, the optoelectronic component 200 on the surface of the substrate 126 a first light emitting device 202 and at least one second light-emitting device 204 on. The first light-emitting component 202 and the at least one second light emitting device 204 are laterally spaced on the surface of the substrate 126 educated. The mirror structure 206 is between the first light-emitting device 202 and the second light-emitting device 204 arranged.

Mit anderen Worten: ein erstes lichtemittierendes Bauelement 202 und wenigstens ein zweites lichtemittierendes Bauelement 204 sind lateral beabstandet auf der Oberfläche des Substrats 126 ausgebildet. Das erste lichtemittierende Bauelement 202 und das wenigstens eine zweite lichtemittierende Bauelement 204 sind optisch mit dem Substrat 126 gekoppelt. Das Substrat 126 ist eingerichtet, wenigstens einen Teil des Lichts, das von dem ersten lichtemittierenden Bauelement 202 und des Lichts, das von dem zweiten lichtemittierenden Bauelement 204 emittierbar ist, zu leiten. Eine Spiegelstruktur 206 ist zwischen dem ersten lichtemittierenden Bauelement 202 und dem zweiten lichtemittierenden Bauelement 204 angeordnet.In other words: a first light-emitting component 202 and at least one second light-emitting device 204 are laterally spaced on the surface of the substrate 126 educated. The first light-emitting component 202 and the at least one second light emitting device 204 are optically with the substrate 126 coupled. The substrate 126 is arranged, at least part of the light, that of the first light-emitting device 202 and the light coming from the second light-emitting device 204 is emissable to conduct. A mirror structure 206 is between the first light-emitting device 202 and the second light-emitting device 204 arranged.

3 zeigt eine schematische Darstellung eines lichtemittierenden Bauelementes eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 1 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 3 shows a schematic representation of a light emitting device of a Optoelectronic component according to various embodiments. The optoelectronic component 1 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

Auf dem Substrat 126 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist.On the substrate 126 an optoelectronic layer structure is formed. The optoelectronic layer structure has a first electrode layer 14 on that a first contact section 16 , a second contact section 18 and a first electrode 20 having.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das lichtemittierende Bauelement eine optoelektronische Schichtenstruktur auf mit übereinandergestapelt: wenigstens einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 22 zwischen einer ersten Elektrode 20 und einer zweiten Elektrode 23. Das lichtemittierende Bauelement ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein organisches lichtemittierendes Bauelement, beispielsweise eine organische lichtemittierende Leuchtdiode (OLED) ausgebildet.In various exemplary embodiments, the light-emitting component has an optoelectronic layer structure stacked on top of one another: at least one organically functional layer structure 22 between a first electrode 20 and a second electrode 23 , The light-emitting component is embodied in various exemplary embodiments as an organic light-emitting component, for example an organic light-emitting light-emitting diode (OLED).

Zwischen dem Substrat 126 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein.Between the substrate 126 and the first electrode layer 14 For example, a first barrier layer (not shown), for example a first barrier thin layer, may be formed.

Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.The first electrode 20 is from the first contact section 16 by means of an electrical insulation barrier 21 electrically isolated. The second contact section 18 is with the first electrode 20 the optoelectronic layer structure electrically coupled. The first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode.

Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.The first electrode 20 has an electrically conductive material, for example, metal and / or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers comprising metals or TCOs. The first electrode 20 For example, a layer stack may comprise a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. The first electrode 20 may alternatively or in addition to the materials mentioned include: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.

Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs.Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, SnO2, or In2O3 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs.

Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Beispielsweise kann die erste Elektrode 20 eine der folgenden Strukturen aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind, ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind und/oder Graphen-Schichten und Komposite. Ferner kann die erste Elektrode 20 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide aufweisen.The first electrode 20 may alternatively or in addition to the materials mentioned include: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires. For example, the first electrode 20 have or consist of one of the following structures: a network of metallic nanowires, such as Ag, combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes combined with conductive polymers, and / or graphene layers and composites. Furthermore, the first electrode 20 having electrically conductive polymers or transition metal oxides.

Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.The first electrode 20 may for example have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm, for example from 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.

Die erste Elektrode 20 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle (nicht dargestellt) bereitgestellt werden, beispielsweise von einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 12 angelegt sein und der ersten Elektrode 20 über den Träger 12 mittelbar zugeführt werden. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.The first electrode 20 may have a first electrical connection to which a first electrical potential can be applied. The first electrical potential may be provided by a power source (not shown), such as a power source or a voltage source. Alternatively, the first electrical potential to the carrier 12 be created and the first electrode 20 over the carrier 12 be supplied indirectly. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.

Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22, der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.Above the first electrode 20 is an optically functional layer structure, for example an organic functional layer structure 22 , the optoelectronic layer structure formed. The organic functional layer structure 22 For example, it may have one, two or more sublayers. For example, the organic functional layer structure 22 a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves for Transporting the electrons. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure 22 one, two or more functional layer structure units, each having said sub-layers and / or further intermediate layers.

Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur.Over the organic functional layer structure 22 is a second electrode 23 of the optoelectronic layer structure, which is electrically connected to the first contact section 16 is coupled. The second electrode 23 may according to one of the embodiments of the first electrode 20 be formed, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 may be the same or different. The first electrode 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure. The second electrode 23 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic layer structure.

Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 1, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des lichtemittierenden Bauelements 1 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.The optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region. The active region is, for example, the region of the light-emitting component 1 , in the electric current for operation of the light emitting device 1 flows and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed. On or above the active area, a getter structure (not shown) may be arranged. The getter layer can be translucent, transparent or opaque. The getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.

Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 kann eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet sein, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Substrat 126 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.Above the second electrode 23 and partially over the first contact portion 16 and partially over the second contact portion 18 can be an encapsulation layer 24 the optoelectronic layer structure may be formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure. The encapsulation layer 24 may be formed as a second barrier layer, for example as a second barrier thin layer. The encapsulation layer 24 can also be referred to as thin-layer encapsulation. The encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer 24 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof , Optionally, the first barrier layer on the substrate 126 corresponding to a configuration of the encapsulation layer 24 be educated.

In der Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18.In the encapsulation layer 24 are above the first contact section 16 a first recess of the encapsulation layer 24 and over the second contact portion 18 a second recess of the encapsulation layer 24 educated. In the first recess of the encapsulation layer 24 is a first contact area 32 exposed and in the second recess of the encapsulation layer 24 is a second contact area 34 exposed. The first contact area 32 serves for electrically contacting the first contact section 16 and the second contact area 34 serves for electrically contacting the second contact section 18 ,

Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel.Above the encapsulation layer 24 is an adhesive layer 36 educated. The adhesive layer 36 has, for example, an adhesive, for example an adhesive, for example a laminating adhesive, a lacquer and / or a resin. The adhesive layer 36 For example, it may comprise particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles.

Über der Haftmittelschicht 36 ist ein Abdeckkörper 38 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen lichtemittierenden Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen lichtemittierenden Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen.Over the adhesive layer 36 is a cover body 38 educated. The adhesive layer 36 serves to fasten the cover body 38 at the encapsulation layer 24 , The cover body 38 has, for example, plastic, glass and / or metal. For example, the cover body 38 may be formed essentially of glass and a thin metal layer, such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, on the glass body. The cover body 38 serves to protect the conventional optoelectronic device 1 , for example, from mechanical forces from the outside. Furthermore, the cover body 38 serve for distributing and / or dissipating heat, which in the conventional light emitting device 1 is produced. For example, the glass of the cover body 38 serve as protection against external influences and the metal layer of the cover body 38 can be used for distributing and / or discharging during operation of the conventional light-emitting device 1 serve arising heat.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Verkapselungsschicht 24, die Haftmittelschicht 36 und/oder der Abdeckkörper 38 des lichtemittierenden Bauelements auf oder über der Spiegelstruktur (siehe oben) ausgebildet. Dadurch kann ein einheitliches bzw. homogenes Erscheinungsbild des optoelektronischen Bauelementes erreicht werden.In various embodiments, the encapsulation layer is 24 , the adhesive layer 36 and / or the cover body 38 of the light-emitting component on or above the mirror structure (see above). As a result, a uniform or homogeneous appearance of the optoelectronic component can be achieved.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die erste Elektrode 20 des lichtemittierenden Bauelements 1 optional, wenn auf dem Substrat eine Elektrode, eine Elektrodenschicht oder eine elektrisch leitende Schicht vorgesehen ist. In various embodiments, the first electrode 20 of the light emitting device 1 optional if an electrode, an electrode layer or an electrically conductive layer is provided on the substrate.

4 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Vorteils eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 4 FIG. 10 is a diagram illustrating an advantage of an optoelectronic component according to various embodiments. FIG.

In dem Diagramm 400 in 4 ist die Auskoppeleffizienz 404 als Funktion der mittleren Reflektivität 402 (in Prozent) eines lichtemittierenden Bauelementes für unterschiedliche Auskoppelstrukturen bzw. Streuschichten 406, 408, 410 veranschaulicht.In the diagram 400 in 4 is the decoupling efficiency 404 as a function of mean reflectivity 402 (in percent) of a light-emitting component for different coupling-out structures or scattering layers 406 . 408 . 410 illustrated.

Veranschaulicht ist der funktionale Zusammenhang 406 für ein lichtemittierendes Bauelement ohne Auskoppelstruktur.Illustrated is the functional relationship 406 for a light-emitting component without coupling-out structure.

Veranschaulicht ist zudem der funktionale Zusammenhang 408 für ein lichtemittierendes Bauelement mit einer Auskoppelstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.The functional context is also illustrated 408 for a light emitting device with a coupling-out structure according to various embodiments.

Weiterhin veranschaulicht ist der funktionale Zusammenhang 410 für ein lichtemittierendes Bauelement mit einer herkömmlichen Auskoppelstruktur.Further illustrated is the functional relationship 410 for a light emitting device with a conventional coupling-out structure.

Weiterhin veranschaulicht mittels der Markierung 412 ist, dass die Auskoppeleffizienz 404 mittels der Absorption des Substrats begrenzt ist.Further illustrated by means of the mark 412 is that the decoupling efficiency 404 is limited by the absorption of the substrate.

Aus 4 ist ersichtlich, dass interne Auskopplung zu einer signifikanten Steigerung der Effizienz von lichtemittierenden Bauelementen führt. Die maximal erzielbare Effizienzsteigerung ist dabei im Wesentlichen von der Reflektivität des lichtemittierenden Bauelementes abhängig. Bei einem lichtemittierenden Bauelement, beispielsweise einer OLED, kann maximal eine Extraktionseffizienz 404 von ungefähr 60% erreicht werden. Bei einem optoelektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann hingegen eine Extraktionseffizienz von mehr als 90% erreicht werden 404.Out 4 It can be seen that internal decoupling leads to a significant increase in the efficiency of light-emitting components. The maximum achievable increase in efficiency is essentially dependent on the reflectivity of the light-emitting component. In a light emitting device, such as an OLED, maximum extraction efficiency can be achieved 404 of about 60%. In an optoelectronic component according to various embodiments, however, an extraction efficiency of more than 90% can be achieved 404 ,

5 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Vorteils eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 5 FIG. 10 is a diagram illustrating an advantage of an optoelectronic component according to various embodiments. FIG.

In dem Diagramm 500 in 5 ist die Verstärkung 504 (Gain) bezüglich eines lichtemittierenden Referenzbauelementes ohne Auskoppelstruktur als Funktion der mittleren Reflektivität 502 (in Prozent) eines lichtemittierenden Bauelementes 504 für unterschiedliche Auskoppelstrukturen bzw. Streuschichten 506, 508, 510 veranschaulicht.In the diagram 500 in 5 is the reinforcement 504 (Gain) with respect to a light-emitting reference component without coupling-out structure as a function of the mean reflectivity 502 (in percent) of a light emitting device 504 for different coupling-out structures or scattering layers 506 . 508 . 510 illustrated.

Veranschaulicht ist der funktionale Zusammenhang 510 für ein lichtemittierendes Bauelement ohne Auskoppelstruktur.Illustrated is the functional relationship 510 for a light-emitting component without coupling-out structure.

Veranschaulicht ist zudem der funktionale Zusammenhang 506 für ein lichtemittierendes Bauelement mit einer Auskoppelstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.The functional context is also illustrated 506 for a light emitting device with a coupling-out structure according to various embodiments.

Weiterhin veranschaulicht ist der funktionale Zusammenhang 508 für ein lichtemittierendes Bauelement mit einer herkömmlichen Auskoppelstruktur.Further illustrated is the functional relationship 508 for a light emitting device with a conventional coupling-out structure.

Weiterhin veranschaulicht mittels der Markierung 512 ist, dass die Auskoppeleffizienz 504 mittels der Absorption des Substrats begrenzt ist. Bei wesentlichen keine bzw. geringer mittlerer Reflektivität des lichtemittierenden Bauelementes kommt es zum keiner Verstärkung des emittierten Lichts durch Rückstreuung von Licht innerhalb des Auskoppelkegels.Further illustrated by means of the mark 512 is that the decoupling efficiency 504 is limited by the absorption of the substrate. With no significant or low average reflectivity of the light-emitting component, there is no amplification of the emitted light due to backscattering of light within the outcoupling cone.

Aus 5 ist weiterhin ersichtlich das bezüglich eines lichtemittierenden Bauelement ohne Auskoppelstruktur die Lichtausbeute (Gain) mittels der Auskoppelstruktur 506, 508 erhöht werden kann und ein optoelektronisches Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen eine um mehr als 150% höhere Lichtausbeute aufweist als ein entsprechend herkömmliches lichtemittierendes Bauelement ohne die beschriebene Spiegelstruktur und das beschriebene Substrat.Out 5 Furthermore, it can be seen that with respect to a light-emitting component without a coupling-out structure, the luminous efficacy (Gain) by means of the coupling-out structure 506 . 508 can be increased and an optoelectronic device according to various embodiments, a higher by more than 150% light output than a corresponding conventional light-emitting device without the described mirror structure and the described substrate.

6 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Vorteils eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 6 FIG. 10 is a diagram illustrating an advantage of an optoelectronic component according to various embodiments. FIG.

In dem Diagramm 600 ist der funktionale Zusammenhang der prozentualen Änderung 604 der Verstärkung 606 und der Auskoppeleffizienz 608 in Abhängigkeit von der prozentualen, freien Flächen 602, die im Wesentlichen vollständig von der Spiegelstruktur eingenommen wird.In the diagram 600 is the functional correlation of the percentage change 604 the reinforcement 606 and the decoupling efficiency 608 depending on the percentage of free space 602 which is essentially completely occupied by the mirror structure.

Bei einem Flächenanteil von 0% wäre keine Spiegelstruktur ausgebildet und bei einem Flächenanteil von fast 100% im Wesentlichen kein lichtemittierendes Bauelement mehr ausgebildet.With an area fraction of 0%, no mirror structure would be formed and, with an area fraction of almost 100%, essentially no light-emitting component would be formed.

Für die Berechnung des funktionalen Zusammenhangs ist für das lichtemittierende Bauelement eine effektive Reflektivität von 80% angenommen und für das lichtemittierende Bauelement ist eine effektive Reflektivität von 98% angenommen. Dadurch wird beispielsweise bei einem Spiegelanteil von 50% eine effektive Reflektivität 602 von 89% erreicht, und bei einem Spiegelanteil von 75% eine effektivie Reflektivität 602 von 93,5%. Dadurch kann die mit Streuung mögliche Verstärkung von 100% auf 161% bzw. 198% erhöhen.For the calculation of the functional relationship, an effective reflectivity of 80% is assumed for the light-emitting component, and an effective reflectivity of 98% is assumed for the light-emitting component. As a result, for example, at a mirror content of 50%, an effective reflectivity 602 of 89%, and with a mirror content of 75%, an effective reflectivity 602 of 93.5%. This allows the with Scatter increase possible gain from 100% to 161% or 198%.

7 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 700 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 7 shows a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments. The optoelectronic component 700 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Wellenleiterschicht 106 als eine erste Elektrode 20 des lichtemittierenden Bauelementes ausgebildet (siehe auch 3). Auf der Wellenleiterschicht 106 sind eine organisch funktionelle Schichtenstruktur und eine zweite Elektrode des lichtemittierenden Bauelements übereinandergestapelt ausgebildet (siehe 3).In various embodiments, the waveguide layer is 106 as a first electrode 20 of the light-emitting component (see also 3 ). On the waveguide layer 106 For example, an organic functional layer structure and a second electrode of the light emitting device are stacked on top of each other (see FIG 3 ).

Die erste Elektrodenschicht bzw. die erste Elektrode des lichtemittierenden Bauelements kann somit in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Bestandteil des Substrates sein. Die erste Elektrodenschicht bzw. die erste Elektrode kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ganzflächig auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein.The first electrode layer or the first electrode of the light-emitting component can thus be a component of the substrate in various exemplary embodiments. The first electrode layer or the first electrode can in various embodiments over the entire surface on or above the carrier 102 be educated.

Weiterhin veranschaulicht in 7 ist, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen die Spiegelstruktur 110, 112 auf der Oberfläche des Substrates lateral beabstandet von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement 108 ausgebildet sein kann.Further illustrated in 7 is that in various embodiments, the mirror structure 110 . 112 on the surface of the substrate laterally spaced from the at least one light emitting device 108 can be trained.

8 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 800 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 8th shows a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments. The optoelectronic component 800 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die erste Elektrode 20 des lichtemittierenden Bauelements strukturiert ausgebildet, so dass der freie Bereich 128 der Oberfläche des Substrates im Wesentlichen frei ist von erster Elektrode 20.In various embodiments, the first electrode 20 the structured structure of the light-emitting component, so that the free area 128 the surface of the substrate is substantially free of the first electrode 20 ,

Weiterhin veranschaulicht in 8 ist, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen die Wellenleiterschicht 106 als erste Elektrode 20 des lichtemittierenden Bauelementes ausgebildet sein kann, beispielsweise indem die Wellenleiterschicht 106 aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet ist (TCO). Weiterhin kann die Wellenleiterschicht 106 und/oder der erste Elektrode 20 strukturiert ausgebildet sein, so dass der freie Bereich 128 der Oberfläche des Substrates 102 im Wesentlichen frei ist von Wellenleiterschicht 106 und/oder erster Elektrode 20. In diesem Fall kann an die Oberfläche des Substrates in dem freien Bereich 128 die Streuschicht aufweisen. Mit anderen Worten: die Spiegelstruktur 110, 112 ist in dem freien Bereich 128 auf der Streuschicht 104 ausgebildet. Die Spiegelstruktur 110, 112 kann somit auf einer Schichtenebene mit der Wellenleiterschicht 106 bzw. der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein.Further illustrated in 8th is that in various embodiments, the waveguide layer 106 as the first electrode 20 of the light-emitting component may be formed, for example by the waveguide layer 106 is formed of a transparent conductive oxide (TCO). Furthermore, the waveguide layer 106 and / or the first electrode 20 be structured, so that the free area 128 the surface of the substrate 102 is substantially free of waveguide layer 106 and / or first electrode 20 , In this case, it is possible to contact the surface of the substrate in the free area 128 have the litter layer. In other words: the mirror structure 110 . 112 is in the free area 128 on the litter layer 104 educated. The mirror structure 110 . 112 can thus on a layer plane with the waveguide layer 106 or the first electrode 20 be educated.

9 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 800 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 9 shows a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments. The optoelectronic component 800 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Substrat 126 ferner eine weitere Spiegelstruktur 904 und/oder eine strahlformende Struktur 902 auf.In various embodiments, the substrate 126 Furthermore, another mirror structure 904 and / or a jet-forming structure 902 on.

Die weitere Spiegelstruktur 904 ist beispielsweise in der Streuschicht 104 und/oder der Wellenleiterschicht 106 ausgebildet, beispielsweise unterhalb wenigstens eines lichtemittierenden Bauelements 108. Die weitere Spiegelstruktur 904 kann derart ausgebildet sein, dass Licht (116 – siehe 1) wenigstens eines lichtemittierenden Bauelements 108 in der Wellenleiterschicht 106 lateral verteilt bzw. umgelenkt wird. Die weitere Spiegelstruktur 904 kann beispielsweise wenigstens einen Hohlraum aufweisen, wobei Licht mittels Reflexion an der Oberfläche zum Hohlraum umgelenkt wird, beispielsweise mittels Totalreflexion. Alternativ kann die weitere Spiegelstruktur 904 eine verspiegelte, beispielsweise metallisierte, Fläche aufweisen. Die weitere Spiegelstruktur 904 ermöglicht, dass Licht des lichtemittierenden Bauelements, das in die Wellenleiterschicht 106 eingekoppelt wurde, zur Seite gelenkt wird und somit einfacher bzw. effizienter, beispielsweise mit reduzierter Absorption, von der Streuschicht 104 in Richtung der Spiegelstruktur 110, 112 umgelenkt wird.The further mirror structure 904 is for example in the litter layer 104 and / or the waveguide layer 106 formed, for example, below at least one light-emitting device 108 , The further mirror structure 904 can be configured such that light ( 116 - please refer 1 ) at least one light emitting device 108 in the waveguide layer 106 is laterally distributed or deflected. The further mirror structure 904 For example, it may have at least one cavity, wherein light is deflected by reflection on the surface to the cavity, for example by total reflection. Alternatively, the further mirror structure 904 have a mirrored, for example metallized, surface. The further mirror structure 904 allows light from the light emitting device to enter the waveguide layer 106 was coupled, is directed to the side and thus easier or more efficient, for example, with reduced absorption of the litter layer 104 in the direction of the mirror structure 110 . 112 is diverted.

Die Oberfläche zum Hohlraum bzw. die metallisierte Fläche kann in einem Winkel zu der Emissionsrichtung des von dem lichtemittierenden Bauelement emittierten Lichts, das in das Substrat eingekoppelt wird, ausgerichtet sein, beispielsweise in einem Winkel in einem Bereich von ungefähr 30° bis ungefähr 60°, beispielsweise ungefähr 45°.The surface to the cavity or the metallized surface may be aligned at an angle to the emission direction of the light emitted by the light-emitting component, which is coupled into the substrate, for example at an angle in a range of about 30 ° to about 60 °, for example, about 45 °.

Die strahlformende Struktur 902 ist beispielsweise in dem Träger 102, der Streuschicht 104 und/oder der Wellenleiterschicht 106 ausgebildet, beispielsweise unterhalb wenigstens eines lichtemittierenden Bauelements 108. Die strahlformende Struktur 902 kann derart ausgebildet sein, dass Licht, dass durch den Träger 102 von dem optoelektronischen Bauelement 900 emittiert wird, mittels der strahlformenden Struktur 902 geformt wird, beispielsweise fokussiert, kollimiert oder aufgeweitet bzw. gestreut wird. Die strahlformende Struktur 902 kann beispielsweise wenigstens einen Hohlraum aufweisen, wobei Licht mittels Reflexion an der Oberfläche zum Hohlraum umgelenkt wird, beispielsweise mittels Totalreflexion. Alternativ kann die strahlformende Struktur 902 eine verspiegelte, beispielsweise metallisierte, Fläche aufweisen. Die Oberfläche zum Hohlraum bzw. die metallisierte Fläche kann in einem Winkel zu der Emissionsrichtung des von dem lichtemittierenden Bauelement emittierten Lichts, das in das Substrat eingekoppelt wird, ausgerichtet sein, beispielsweise in einem Winkel in einem Bereich von ungefähr 30° bis ungefähr 60°, beispielsweise ungefähr 45°.The jet-forming structure 902 is for example in the carrier 102 , the litter layer 104 and / or the waveguide layer 106 formed, for example, below at least one light-emitting device 108 , The jet-forming structure 902 may be formed such that light that through the carrier 102 from the optoelectronic component 900 is emitted, by means of the beam-forming structure 902 is formed, for example, focused, collimated or expanded or scattered. The jet-forming structure 902 may, for example, have at least one cavity, wherein Light is deflected by reflection on the surface to the cavity, for example by total reflection. Alternatively, the jet-forming structure 902 have a mirrored, for example metallized, surface. The surface to the cavity or metallized surface may be oriented at an angle to the emission direction of the light emitted by the light emitting device coupled into the substrate, for example at an angle in a range of about 30 ° to about 60 °, for example, about 45 °.

Die strahlformende Struktur 902 kann beispielsweise die Form eines Prismas, beispielsweise mit einer dreieckigen Grundform, einer gewölbten Oberfläche, beispielsweise Linsenförmig aufweisen.The jet-forming structure 902 may for example have the shape of a prism, for example with a triangular basic shape, a curved surface, for example, lens-shaped.

Die strahlformende Struktur 902 und die weitere Spiegelstruktur können beispielsweise die Form einer Raute oder viel-Ecks, beispielsweise die Form eines Pentagramms, aufweisen.The jet-forming structure 902 and the further mirror structure may, for example, have the shape of a rhombus or polygon, for example the shape of a pentagram.

10A–D zeigen schematische Darstellungen optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 1000, 1010, 1020, 1030 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 10A -D show schematic representations of optoelectronic components according to various embodiments. The optoelectronic component 1000 . 1010 . 1020 . 1030 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

Die Ausführungsbeispiele in 10A–D zeigen jeweils eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement mit unterschiedlichen Anordnungen von mehreren lichtemittierenden Bauelementen 1002 und mehreren Spiegelstrukturen 1004, die im Wesentlichen gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel entsprechen können.The embodiments in 10A Each show a plan view of an optoelectronic component with different arrangements of a plurality of light-emitting components 1002 and several mirror structures 1004 which may substantially correspond to one embodiment described above.

10A zeigt linien- oder streifenförmige lichtemittierende Bauelemente 1002 und Spiegelstrukturen 1004, die abwechselnd und über die gesamte Breite der Oberfläche des Substrates ausgebildet sind. Die Spiegelstrukturen weisen eine größere Breite auf als die lichtemittierenden Bauelemente. 10A shows line or strip light emitting devices 1002 and mirror structures 1004 which are formed alternately and over the entire width of the surface of the substrate. The mirror structures have a greater width than the light-emitting components.

10B zeigt rechteckige lichtemittierende Bauelemente 1002 und Spiegelstrukturen 1004, die schachbrettförmig auf der gesamten Oberfläche des Substrates ausgebildet sind. 10B shows rectangular light emitting devices 1002 and mirror structures 1004 , which are formed like a checkerboard on the entire surface of the substrate.

Weiterhin ist in 10B veranschaulicht, das die Spiegelstruktur 1004 und wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement 1002, in 10B vier lichtemittierende Bauelemente, derart ausgebildet sein können, dass die Spiegelstruktur 1204 von wenigstens einem lichtemittierenden Bauelement 1002 lateral umgeben wird.Furthermore, in 10B This illustrates the mirror structure 1004 and at least one light emitting device 1002 , in 10B four light-emitting components, may be formed such that the mirror structure 1204 of at least one light emitting device 1002 is surrounded laterally.

10C zeigt kreisförmige lichtemittierende Bauelemente 1002, die in einem regelmäßigen Mustern, von einer Spiegelstruktur 1004 umgeben sind. Die Spiegelstruktur ist im Wesentlichen in allen freien Bereichen der Oberfläche des Substrates ausgebildet. 10C shows circular light-emitting components 1002 in a regular pattern, from a mirror structure 1004 are surrounded. The mirror structure is formed substantially in all free areas of the surface of the substrate.

10D zeigt rechteckig bzw. quadratisch geformte lichtemittierende Bauelemente 1002, die in einem regelmäßigen Mustern, von einer Spiegelstruktur 1004 umgeben sind. Die Spiegelstruktur ist im Wesentlichen in allen freien Bereichen der Oberfläche des Substrates ausgebildet. 10D shows rectangular or square shaped light emitting devices 1002 in a regular pattern, from a mirror structure 1004 are surrounded. The mirror structure is formed substantially in all free areas of the surface of the substrate.

Das Muster bzw. die Anordnung der lichtemittierenden Bauelemente 1002 in 10C und 10D weist in mehreren Zeilen jeweils mehrere lichtemittierende Bauelemente auf. Die Zeilen können parallel zueinander angeordnet und gegeneinander verschoben sein (10C) oder nicht gegeneinander verschoben sein (10D).The pattern or the arrangement of the light-emitting components 1002 in 10C and 10D has in each case a plurality of light-emitting components on several lines. The lines can be arranged parallel to one another and offset from each other ( 10C ) or not shifted against each other ( 10D ).

In 10C und 10D ist weiterhin veranschaulicht, das in verschiedenen Ausführungsbeispielen die Spiegelstruktur 1004 und wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement 1002 derart ausgebildet sein können, dass die Spiegelstruktur 1004 das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement 1002 lateral umgibt.In 10C and 10D is further illustrated that in various embodiments, the mirror structure 1004 and at least one light emitting device 1002 may be formed such that the mirror structure 1004 the at least one light-emitting component 1002 surrounds laterally.

11 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 1100 kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 11 shows a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments. The optoelectronic component 1100 can essentially coincide with one of the described embodiments of an optoelectronic component.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Substrat 126 im Wesentlichen nur den Träger 102 auf, wobei die Oberfläche des Trägers 102 die Oberfläche 130 des Substrates 126 bildet. Mit anderen Worten: das Substrat 126 weist einen Träger 102 auf und die Wellenleiterschicht 106 ist auf oder über dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement 108 und der Spiegelstruktur 110, 112 ausgebildet ist, und die Streuschicht 104 ist auf der Wellenleiterschicht 106 ausgebildet.In various embodiments, the substrate 126 essentially just the carrier 102 on, taking the surface of the carrier 102 the surface 130 of the substrate 126 forms. In other words: the substrate 126 has a carrier 102 on and the waveguide layer 106 is on or above the at least one light emitting device 108 and the mirror structure 110 . 112 is formed, and the litter layer 104 is on the waveguide layer 106 educated.

12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 1200 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das ausgebildete optoelektronische Bauelement kann im Wesentlichen mit einem der beschriebenen Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelementes übereinstimmen. 12 shows a flowchart of a method 1200 for producing an optoelectronic component according to various exemplary embodiments. The formed optoelectronic component can substantially coincide with one of the described exemplary embodiments of an optoelectronic component.

Das Verfahren 1200 weist ein Ausbilden 1202 wenigstens eines lichtemittierendes Bauelement auf einer Oberfläche eines Substrats auf. Das Verfahren 1200 weist weiterhin monolithisch integriert ein Ausbilden 1204 einer Spiegelstruktur auf der selben Oberfläche des Substrats auf, wobei wenigstens ein freier Bereich der Oberfläche des Substrats frei bleibt von lichtemittierendem Bauelement und die Spiegelstruktur auf wenigstens einem Teil des freien Bereichs neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement ausgebildet wird. Das Verfahren 1200 weist weiterhin monolithisch integriert ein Ausbilden 1206 einer Wellenleiterschicht 106 auf, wobei das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement und die Spiegelstruktur mit der Wellenleiterschicht optisch gekoppelt werden. Das Verfahren 1200 weist weiterhin monolithisch integriert ein Ausbilden 1208 einer Streuschicht auf, die optisch mit der Wellenleiterschicht gekoppelt wird, wobei die Streuschicht angeordnet wird, so dass die Wellenleiterschicht im Strahlengang zwischen der Streuschicht und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement angeordnet ist. Die Streuschicht, die Wellenleiterschicht und die Spiegelstruktur derart zueinander angeordnet werden, dass Licht in der Wellenleiterschicht an der Streuschicht in Richtung der Spiegelstruktur gestreut wird.The procedure 1200 has a training 1202 at least one light emitting device on a surface of a substrate. The procedure 1200 furthermore has a monolithically integrated forming 1204 a mirror structure on the same surface of the substrate, wherein at least a free area of the surface of the substrate remains free of light emitting device and the mirror structure is formed on at least a portion of the free area adjacent to the at least one light emitting device. The procedure 1200 furthermore has a monolithically integrated forming 1206 a waveguide layer 106 wherein the at least one light-emitting component and the mirror structure are optically coupled to the waveguide layer. The procedure 1200 furthermore has a monolithically integrated forming 1208 a scattering layer, which is optically coupled to the waveguide layer, wherein the scattering layer is arranged, so that the waveguide layer is arranged in the beam path between the scattering layer and the at least one light-emitting component. The scattering layer, the waveguide layer and the mirror structure are arranged relative to one another such that light in the waveguide layer is scattered at the scattering layer in the direction of the mirror structure.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können organisch lichtemittierende Bauelemente und anorganisch lichtemittierende Bauelemente auf der Oberfläche des Substrats vorgesehen sein. Weiterhin kann das lichtemittierende Bauelement wenigstens zwei lichtemittierende Bauelemente aufweisen, die übereinander gestapelt sind.The invention is not limited to the specified embodiments. For example, organic light-emitting components and inorganic light-emitting components may be provided on the surface of the substrate. Furthermore, the light-emitting component may have at least two light-emitting components which are stacked on top of one another.

Claims (16)

Optoelektronisches Bauelement, aufweisend: • wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement (108) auf einer Oberfläche (130) eines Substrats (126), • eine Spiegelstruktur (110, 112) auf der selben Oberfläche (130) des Substrats (126) neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) in einem Bereich, der frei ist von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108); • eine Wellenleiterschicht (106), und • eine Streuschicht (104), die optisch mit der Wellenleiterschicht (106) gekoppelt ist, • wobei die Wellenleiterschicht (106) im Strahlengang zwischen der Streuschicht (104) und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement und im Strahlengang zwischen der Streuschicht (104) und der Spiegelstruktur (110, 112) angeordnet ist; • wobei die Streuschicht (104), die Wellenleiterschicht (106) und die Spiegelstruktur (110, 112) derart relativ zueinander angeordnet sind, dass Licht (118) in der Wellenleiterschicht (106) an der Streuschicht (104) in Richtung der Spiegelstruktur (110, 112) gestreut wird.Optoelectronic component, comprising: at least one light-emitting component ( 108 ) on a surface ( 130 ) of a substrate ( 126 ), • a mirror structure ( 110 . 112 ) on the same surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ) in addition to the at least one light-emitting component ( 108 ) in a region which is free of the at least one light-emitting component ( 108 ); A waveguide layer ( 106 ), and • a litter layer ( 104 ) optically connected to the waveguide layer ( 106 ), wherein the waveguide layer ( 106 ) in the beam path between the litter layer ( 104 ) and the at least one light-emitting component and in the beam path between the litter layer ( 104 ) and the mirror structure ( 110 . 112 ) is arranged; • where the litter layer ( 104 ), the waveguide layer ( 106 ) and the mirror structure ( 110 . 112 ) are arranged relative to one another such that light ( 118 ) in the waveguide layer ( 106 ) at the litter layer ( 104 ) in the direction of the mirror structure ( 110 . 112 ) is scattered. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, aufweisend: ein erstes lichtemittierendes Bauelement (202) und wenigstens ein zweites lichtemittierendes Bauelement (204), die lateral beabstandet auf der Oberfläche (130) des Substrats (126) ausgebildet sind; und wobei die Spiegelstruktur (206) zwischen dem ersten lichtemittierenden Bauelement (202) und dem zweiten lichtemittierenden Bauelement (204) angeordnet ist.Optoelectronic component according to claim 1, comprising: a first light-emitting component ( 202 ) and at least one second light-emitting component ( 204 ) laterally spaced on the surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ) are formed; and wherein the mirror structure ( 206 ) between the first light-emitting component ( 202 ) and the second light-emitting component ( 204 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Spiegelstruktur (110, 112) und wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement (108) derart ausgebildet sind, dass die Spiegelstruktur (110, 112) das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement (108) lateral umgibt.Optoelectronic component according to claim 1 or 2, wherein the mirror structure ( 110 . 112 ) and at least one light-emitting component ( 108 ) are formed such that the mirror structure ( 110 . 112 ) the at least one light-emitting component ( 108 ) surrounds laterally. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Spiegelstruktur (110, 112) und wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement (108) derart ausgebildet sind, dass das wenigstens eine lichtemittierende Bauelement (108) die Spiegelstruktur (110, 112) lateral umgibt.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 3, wherein the mirror structure ( 110 . 112 ) and at least one light-emitting component ( 108 ) are formed such that the at least one light-emitting component ( 108 ) the mirror structure ( 110 . 112 ) surrounds laterally. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das Substrat aufweisend: einen Träger (102), die Streuschicht (104) auf dem Träger (102), und die Wellenleiterschicht (106) auf der Streuschicht (104); wobei die Oberfläche der Wellenleiterschicht (106) die Oberfläche (130) des Substrates (126) bildet.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 3, the substrate comprising: a carrier ( 102 ), the litter layer ( 104 ) on the support ( 102 ), and the waveguide layer ( 106 ) on the litter layer ( 104 ); the surface of the waveguide layer ( 106 ) the surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ). Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das Substrat (126) aufweisend: einen Träger (102), wobei die Oberfläche des Trägers (102) die Oberfläche (130) des Substrates (126) bildet; und die Wellenleiterschicht (106) auf oder über dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) und der Spiegelstruktur (110, 112) ausgebildet ist, und die Streuschicht (104) auf der Wellenleiterschicht (106) ausgebildet ist.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 3, the substrate ( 126 ) comprising: a carrier ( 102 ), the surface of the carrier ( 102 ) the surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ) forms; and the waveguide layer ( 106 ) on or above the at least one light-emitting component ( 108 ) and the mirror structure ( 110 . 112 ), and the litter layer ( 104 ) on the waveguide layer ( 106 ) is trained. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Wellenleiterschicht (106) im Wellenlängenbereich des von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) emittierten Lichts einen Brechungsindex aufweist, der größer als 1,7 ist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 6, wherein the waveguide layer ( 106 ) in the wavelength range of the at least one light-emitting component ( 108 ) emitted light has a refractive index which is greater than 1.7. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei die Streuschicht (104) Streuzentren aufweist, die in einer Matrix eingebettet sind.Optoelectronic component according to one of claims 5 or 6, wherein the scattering layer ( 104 ) Has scattering centers embedded in a matrix. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Spiegelstruktur (110, 112) aus einem Material gebildet ist, das im Wellenlängenbereich des von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) emittierten Lichts (114, 116) eine Reflektivität von mehr als 90% aufweist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 8, wherein the mirror structure ( 110 . 112 ) is formed of a material which in the wavelength range of the of the at least one light-emitting component ( 108 ) Light ( 114 . 116 ) has a reflectivity of more than 90%. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei wenigstens ein lichtemittierendes Bauelement (108) übereinandergestapelt eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (22) zwischen einer ersten Elektrode (20) und einer zweiten Elektrode (23) aufweist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 9, wherein at least one light-emitting component ( 108 ) stacked together an organic functional layer structure ( 22 ) between a first electrode ( 20 ) and a second electrode ( 23 ) having. Optoelektronisches Bauelement gemäß 10, wobei die erste Elektrode (20) strukturiert ausgebildet ist, so dass der freie Bereich (128) der Oberfläche (130) des Substrates (126) frei ist von erster Elektrode (20).Optoelectronic component according to 10, wherein the first electrode ( 20 ) is structured so that the free area ( 128 ) of the surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ) is free of first electrode ( 20 ). Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 10 oder 11, wobei die erste Elektrode (20) transluzent ausgebildet ist und mit der Wellenleiterschicht (106) optisch gekoppelt ist.Optoelectronic component according to claim 10 or 11, wherein the first electrode ( 20 ) is translucent and with the waveguide layer ( 106 ) is optically coupled. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Wellenleiterschicht (106) als eine erste Elektrode (20) ausgebildet ist und auf der Wellenleiterschicht (106) eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (22) und eine zweite Elektrode (23) des lichtemittierenden Bauelements (1) übereinandergestapelt ausgebildet sind.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 9, wherein the waveguide layer ( 106 ) as a first electrode ( 20 ) and on the waveguide layer ( 106 ) an organic functional layer structure ( 22 ) and a second electrode ( 23 ) of the light emitting device ( 1 ) are stacked. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Spiegelstruktur (110, 112) auf der Oberfläche (130) des Substrates (126) lateral beabstandet von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) ausgebildet ist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 13, wherein the mirror structure ( 110 . 112 ) on the surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ) laterally spaced from the at least one light emitting device ( 108 ) is trained. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei das Substrat (126) ferner eine weitere Spiegelstruktur (904) und/oder eine strahlformende Struktur (902) aufweist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 14, wherein the substrate ( 126 ) further a further mirror structure ( 904 ) and / or a jet-forming structure ( 902 ) having. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, das Verfahren aufweisend: • Ausbilden (1202) wenigstens eines lichtemittierendes Bauelement (108) auf einer Oberfläche (130) eines Substrats (126), • Ausbilden (1204) einer Spiegelstruktur (110, 112) auf der selben Oberfläche (130) des Substrats (126) neben dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement in einem Bereich, der frei ist von dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement, • Ausbilden (1206) einer Wellenleiterschicht (106), • Ausbilden (1208) einer Streuschicht (104), die optisch mit der Wellenleiterschicht (106) gekoppelt wird, wobei die Wellenleiterschicht (106) im Strahlengang zwischen der Streuschicht (104) und dem wenigstens einen lichtemittierenden Bauelement (108) und im Strahlengang zwischen der Streuschicht (104) und der Spiegelstruktur (106) angeordnet wird; und • wobei die Streuschicht (104), die Wellenleiterschicht (106) und die Spiegelstruktur (110, 112) derart zueinander angeordnet werden, dass Licht in der Wellenleiterschicht (106) an der Streuschicht (104) in Richtung der Spiegelstruktur (110, 112) gestreut wird.A method of manufacturing an optoelectronic device, the method comprising: • forming ( 1202 ) at least one light-emitting component ( 108 ) on a surface ( 130 ) of a substrate ( 126 ), • training ( 1204 ) a mirror structure ( 110 . 112 ) on the same surface ( 130 ) of the substrate ( 126 ) in addition to the at least one light-emitting component in a region which is free of the at least one light-emitting component, 1206 ) a waveguide layer ( 106 ), • training ( 1208 ) a litter layer ( 104 ) optically connected to the waveguide layer ( 106 ), wherein the waveguide layer ( 106 ) in the beam path between the litter layer ( 104 ) and the at least one light-emitting component ( 108 ) and in the beam path between the litter layer ( 104 ) and the mirror structure ( 106 ) is arranged; and • wherein the litter layer ( 104 ), the waveguide layer ( 106 ) and the mirror structure ( 110 . 112 ) are arranged in such a way that light in the waveguide layer ( 106 ) at the litter layer ( 104 ) in the direction of the mirror structure ( 110 . 112 ) is scattered.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017117619A1 (en) * 2017-08-03 2019-02-07 Osram Oled Gmbh ORGANIC, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC, OPTOELECTRONIC COMPONENT

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69732713T2 (en) * 1996-12-23 2006-04-13 The Trustees Of Princeton University LIGHT-EMITTING OBJECTS WITH LIGHT-REFLECTIVE STRUCTURES
DE102005043546A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic EL display
DE60026278T2 (en) * 1999-03-23 2006-10-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
DE102013105229A1 (en) * 2013-05-22 2014-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102013106985A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-22 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component device and method for producing an optoelectronic component device
DE102013108039A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting device
DE102014100680A1 (en) * 2014-01-22 2015-07-23 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102014100747A1 (en) * 2014-01-23 2015-07-23 Osram Oled Gmbh Optoelectronic components and methods for producing optoelectronic components

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158665A (en) * 2003-11-24 2005-06-16 Toyota Industries Corp Lighting system
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
US20160312964A1 (en) * 2013-12-06 2016-10-27 Konica Minolta, Inc. Surface Emitting Unit
WO2015119203A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 凸版印刷株式会社 Front plate for el element and illumination device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69732713T2 (en) * 1996-12-23 2006-04-13 The Trustees Of Princeton University LIGHT-EMITTING OBJECTS WITH LIGHT-REFLECTIVE STRUCTURES
DE60026278T2 (en) * 1999-03-23 2006-10-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
DE102005043546A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic EL display
DE102013105229A1 (en) * 2013-05-22 2014-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102013106985A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-22 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component device and method for producing an optoelectronic component device
DE102013108039A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting device
DE102014100680A1 (en) * 2014-01-22 2015-07-23 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102014100747A1 (en) * 2014-01-23 2015-07-23 Osram Oled Gmbh Optoelectronic components and methods for producing optoelectronic components

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017117619A1 (en) * 2017-08-03 2019-02-07 Osram Oled Gmbh ORGANIC, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC, OPTOELECTRONIC COMPONENT

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