DE102014119538A1

DE102014119538A1 - Optoelectronic assembly and method for manufacturing an optoelectronic assembly

Info

Publication number: DE102014119538A1
Application number: DE102014119538.8A
Authority: DE
Inventors: Michael Popp; Johannes Rosenberger
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2014-12-23
Filing date: 2014-12-23
Publication date: 2016-06-23
Also published as: WO2016102584A1

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Baugruppe (100) bereitgestellt. Die optoelektronische Baugruppe (100) weist eine Spiegelstruktur (104) im körperlichen Kontakt auf einem Träger (102) angeordnet auf, wobei die Spiegelstruktur (104) wenigstens eine erste Schicht (116) und eine zweite Schicht (114) aufweist, wobei die erste Schicht (116) im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht (114) angeordnet ist, und wobei die zweite Schicht (114) ein Metall oder eine Metalllegierung aufweist, und die erste Schicht (116) elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht ist; und eine für das Licht transparente Elektrodenschicht (106), wobei die transparente Elektrodenschicht (106) im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht (116) angeordnet ist, und wobei die Spiegelstruktur (104) zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil (124) des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht (106) zu der Spiegelstruktur (104) transmittiert wird. In various embodiments, an optoelectronic assembly (100) is provided. The optoelectronic assembly (100) has a mirror structure (104) in physical contact on a support (102), wherein the mirror structure (104) has at least a first layer (116) and a second layer (114), wherein the first layer (116) is disposed in physical contact with the second layer (114), and wherein the second layer (114) comprises a metal or metal alloy, and the first layer (116) is electrically nonconductive and transparent to light; and a transparent to the light electrode layer (106), wherein the transparent electrode layer (106) in physical contact on the first layer (116) is arranged, and wherein the mirror structure (104) for reflecting at least a part (124) of the light is formed, which is transmitted through the transparent electrode layer (106) to the mirror structure (104).

Description

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe. The invention relates to an optoelectronic assembly and a method for producing an optoelectronic assembly.

Eine herkömmliche organisch optoelektronische Baugruppe, beispielsweise eine OLED, weist auf einem Träger eine Anode, ein organisch funktionelles Schichtensystem auf der Anode und eine Kathode auf dem organisch funktionellen Schichtensystem auf. Das organisch funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere Emitterschicht/en mit einem elektrolumineszierenden Material auf. Die organisch optoelektronische Baugruppe kann in der sogenannten Bottom-Emitter-Bauweise eingerichtet sein, bei der die Kathode aus einem hochreflektiven Material gebildet ist und das Licht durch eine transparente Anode und einen transparenten Träger emittiert wird. Alternativ kann die organisch optoelektronische Baugruppe in der sogenannten Top-Emitter-Bauweise eingerichtet sein, bei der die Anode aus einem hochreflektiven Material gebildet ist und das Licht durch die transparente Kathode emittiert wird. A conventional organic optoelectronic assembly, for example an OLED, has on a support an anode, an organically functional layer system on the anode and a cathode on the organic functional layer system. The organically functional layer system has one or more emitter layer (s) with an electroluminescent material. The organic optoelectronic assembly may be arranged in the so-called bottom-emitter construction, in which the cathode is formed of a highly reflective material and the light is emitted through a transparent anode and a transparent carrier. Alternatively, the organic optoelectronic assembly may be arranged in the so-called top emitter design, in which the anode is formed of a highly reflective material and the light is emitted through the transparent cathode.

Als hochreflektive Elektrode sind Mischstrukturen aus Ag/Mg/Al bekannt, beispielsweise auch in mehreren Lagen mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 2 nm bis 200 nm. Das Ausbilden dieser Mischstruktur ist jedoch aufwendig im Prozess und ein gleichmäßiges Ausbilden einer solchen Mischstruktur ist im Beschichtungsprozess schwierig. Zudem ist die maximale Reflektivität einer derartigen Elektrode maximal 95 %. As a highly reflective electrode, mixed structures of Ag / Mg / Al are known, for example also in several layers with a layer thickness in a range from 2 nm to 200 nm. However, the formation of this mixed structure is complicated in the process and a uniform formation of such a mixed structure is in the coating process difficult. In addition, the maximum reflectivity of such an electrode is at most 95%.

In der Bottom-Emitter-Bauweise besteht das Problem, dass eine Dünnfilmverkapselungsschicht, die zu einem Verhindern einer Eindiffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die organisch optoelektronische Baugruppe eingerichtet ist und auf der hochreflektiven Kathode ausgebildet ist, auf der Kathode eine geringe Haftung (Adhäsion) aufweist und zur Delamination neigt. Alternativ weist die Dünnfilmverkapselungsschicht eine hohe Haftung mit der Kathode auf, so dass die Dünnfilmverkapselungsschicht durch Verspannungen zusammen mit der Kathode delaminiert. In the bottom-emitter type, there is a problem that a thin film encapsulation layer adapted to prevent diffusion of water and / or oxygen into the organic optoelectronic package and formed on the highly reflective cathode has poor adhesion to the cathode (adhesion ) and tends to delaminate. Alternatively, the thin film encapsulation layer has high adhesion to the cathode, such that the thin film encapsulation layer delaminates along with the cathode due to strains.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flächenlichtquelle mit einer gesteigerten Effizienz bereitzustellen, beispielsweise ohne dass es zu Delamination kommt. The object of the invention is to provide a surface light source with an increased efficiency, for example, without causing delamination.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe, die eine transparente Elektrodenschicht auf einer Spiegelstruktur aufweist. Die Spiegelstruktur ist im körperlichen Kontakt auf einem Träger angeordnet. Die Spiegelstruktur weist wenigstens eine erste Schicht und eine zweite Schicht auf. Die erste Schicht ist im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht angeordnet. Die zweite Schicht weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die erste Schicht ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht. Die Elektrodenschicht ist eine für das Licht transparente Elektrodenschicht. Die transparente Elektrodenschicht ist im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht angeordnet. Die Spiegelstruktur ist zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird. The object is achieved according to one aspect of the invention by an optoelectronic assembly having a transparent electrode layer on a mirror structure. The mirror structure is arranged in physical contact on a support. The mirror structure has at least a first layer and a second layer. The first layer is arranged in physical contact on the second layer. The second layer comprises a metal or a metal alloy. The first layer is electrically non-conductive and transparent to a light. The electrode layer is a transparent to the light electrode layer. The transparent electrode layer is arranged in physical contact on the first layer. The mirror structure is configured to reflect at least a portion of the light transmitted through the transparent electrode layer to the mirror structure.

In verschiedenen Weiterbildungen weisen Schichten bzw. Strukturen, die miteinander im Körperlichen Kontakt sind, eine gemeinsame Grenzfläche auf. In various developments, layers or structures which are in physical contact with each other have a common interface.

Die optoelektronische Baugruppe kann in der sogenannten Top-Emitter-Bauweise ausgebildet sein, bei der Licht nicht durch den Träger emittiert wird, sondern der dem Träger gegenüberliegenden Seite der Baugruppe. The optoelectronic assembly may be formed in the so-called top emitter design, in which light is not emitted by the carrier, but the side opposite the carrier of the assembly.

Das funktionale Auftrennen (funktionale Trennung) von spiegelnder Wirkung und Stromleitung einer herkömmlichen unteren Elektrode einer optoelektronischen Baugruppen in eine Spiegelstruktur und eine transparente Elektrode ermöglicht eine hochreflektive Baugruppenseite mit einer Reflektivität für sichtbares Licht, die größer ist als die Reflektivität von Silber, beispielsweise größer als 95%. The functional separation (functional separation) of reflective effect and power line of a conventional lower electrode of an optoelectronic assemblies in a mirror structure and a transparent electrode allows a highly reflective assembly side with a reflectivity for visible light, which is greater than the reflectivity of silver, for example greater than 95 %.

Mit anderen Worten: es kann durch die funktionale Trennung der Eigenschaften der elektrischen Stromleitung und der Reflexion von Licht eine extrem hohe Reflexion der spiegelnden Baugruppenseite im gesamten sichtbaren Bereich des Lichtspektrums erreicht werden. Dies ermöglicht eine unabhängige Optimierung von Reflektivität und Stromleitungseigenschaft, beispielsweise für großflächige, optoelektronische Baugruppen-Strukturen. In other words, it can be achieved by the functional separation of the properties of the electrical power line and the reflection of light, an extremely high reflection of the specular assembly side in the entire visible range of the light spectrum. This allows independent optimization of reflectivity and power line characteristic, for example, for large-area, optoelectronic assembly structures.

Die funktionale Trennung ermöglicht eine spiegelnde Baugruppenseite, die im Wesentlichen unabhängig von den Eigenschaften des Trägers eingestellt werden kann. Dadurch können für die optoelektronische Baugruppe unterschiedlichste Materialien verwendet werden, beispielsweise Metall, Glas, Kunststofffolien. Der Träger ist zudem analog zu herkömmlichen Verfahren bearbeitbar. The functional separation allows a specular assembly side that can be adjusted substantially independently of the characteristics of the wearer. As a result, the most varied materials can be used for the optoelectronic assembly, for example metal, glass, plastic films. The carrier is also editable analogously to conventional methods.

Die Spiegelstruktur ist zudem vor Umgebungseinflüssen geschützt, so dass die Reflektivität der Spiegelstruktur nicht in dem Maße der Alterung bzw. Oxidation unterliegt, wie beispielsweise bei einer herkömmlichen Elektrode aus Silber. Zudem kann die Spiegelstruktur als eine Barrierestruktur ausgebildet werden, beispielsweise für eine organisch funktionelle Schichtenstruktur auf der transparenten Elektrodenschicht bezüglich einer Diffusion eines schädlichen Stoffes in die organisch funktionelle Schichtenstruktur von der Seite des Trägers her. Bei einer herkömmlichen spiegelnden Elektrode besteht die Gefahr der Delamination. Mittels der funktionalen Trennung kann die Barrierewirkung der Spiegelstruktur unabhängig von den elektrischen Eigenschaften und den Verkapselungseigenschaften der transparenten Elektrodenschicht optimiert werden. Die Barrierewirkung der Spiegelstruktur kann beispielsweise mittels der Schichtenanzahl, der Dicke der (Teil-)Schichten und der verwendeten Prozesse zum Ausbilden der (Teil-)Schichten optimiert werden. Dadurch kann die Barrierewirkung dieser Baugruppenseite bei gleichzeitig geringerer Delaminationsgefahr optimiert werden. The mirror structure is also protected from environmental influences, so that the reflectivity of the mirror structure is not subject to the extent of aging or oxidation, as for example in a conventional silver electrode. In addition, the mirror structure can be formed as a barrier structure, for example for an organically functional layer structure on the transparent electrode layer with respect to a Diffusion of a harmful substance into the organically functional layered structure from the wearer's side. In a conventional reflective electrode there is a risk of delamination. By means of the functional separation, the barrier effect of the mirror structure can be optimized independently of the electrical properties and the encapsulation properties of the transparent electrode layer. The barrier effect of the mirror structure can be optimized, for example, by means of the number of layers, the thickness of the (partial) layers and the processes used to form the (sub) layers. As a result, the barrier effect of this assembly side can be optimized while at the same time reducing the risk of delamination.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht ein Stapel von Schichten, d.h. ein Schichtenstapel, wird jedoch synonym als erste Schicht bezeichnet. In various embodiments, the first layer is a stack of layers, i. a layer stack, however, is synonymously referred to as the first layer.

Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Schicht als ein Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von sichtbarem Licht ausgebildet. Dies ermöglicht ein Löschen von wenigstens einem Farbbereich des Lichts. Beispielsweise können mittels eines Bragg-Spiegels Aus-Zustände (off-state) von Farbbereichen des Lichts eingestellt werden, wobei die Aus-Zustände die abhängig vom Blickwinkel auf die optoelektronische Baugruppe sind. According to a development, the first layer is formed as a Bragg mirror for at least a part of visible light. This allows erasing at least one color region of the light. For example, off states of color regions of the light can be set by means of a Bragg mirror, the out states being dependent on the viewing angle on the optoelectronic assembly.

Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht wenigstens eine erste Teilschicht und eine zweite Teilschicht auf. Die erste Teilschicht ist im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht auf der zweiten Teilschicht angeordnet. Die erste Teilschicht ist im körperlichen Kontakt mit der transparenten Elektrodenschicht. Dies ermöglicht ein Optimieren der Barrierewirkung und der Reflektivität der Spiegelstruktur unabhängig von der transparenten Elektrodenschicht oder der zweiten Schicht. According to a development, the first layer has at least a first partial layer and a second partial layer. The first sub-layer is arranged in physical contact with the second sub-layer on the second sub-layer. The first sub-layer is in physical contact with the transparent electrode layer. This makes it possible to optimize the barrier effect and the reflectivity of the mirror structure independently of the transparent electrode layer or the second layer.

Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht eine Schichtenfolge von erster Teilschicht und zweiter Teilschicht auf. In der Schichtenfolge sind zwei oder mehr Stapel aus erster Teilschicht und zweiter Teilschicht übereinander gestapelt. Dies ermöglicht ein Löschen von wenigstens einem Farbbereich des Lichts und/oder ein Optimieren der Barrierewirkung der Spiegelstruktur. According to a development, the first layer has a layer sequence of the first partial layer and the second partial layer. In the layer sequence, two or more stacks of the first partial layer and the second partial layer are stacked on top of each other. This allows erasing at least one color region of the light and / or optimizing the barrier effect of the mirror structure.

Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht wenigstens die erste Teilschicht, die zweite Teilschicht und eine dritte Teilschicht auf. Die zweite Teilschicht ist im körperlichen Kontakt auf der dritten Teilschicht angeordnet. Dies ermöglicht ein Optimieren der Barrierewirkung und der Reflektivität der Spiegelstruktur unabhängig von der transparenten Elektrodenschicht oder der zweiten Schicht. According to a development, the first layer has at least the first partial layer, the second partial layer and a third partial layer. The second sub-layer is arranged in physical contact on the third sub-layer. This makes it possible to optimize the barrier effect and the reflectivity of the mirror structure independently of the transparent electrode layer or the second layer.

Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Schicht als eine einzige Schicht ausgebildet. Dies ermöglicht auf einfache Weise eine funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung an der gemeinsamen Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht und der Stromleitung in der transparenten Elektrodenschicht. According to a development, the first layer is formed as a single layer. This easily enables a functional separation of specular effect at the common interface of the first layer and the second layer and the current line in the transparent electrode layer.

Gemäß einer Weiterbildung ist die gemeinsame Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht eingerichtet, im Wesentlichen das gesamte Licht zu reflektieren, das durch die erste Schicht zu der zweiten Schicht transmittiert wird. Dies ermöglicht eine funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung an der gemeinsamen Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht und der Stromleitung in der transparenten Elektrodenschicht. Zudem können dadurch die Reflektivität der Spiegelstruktur mittels der Eigenschaften der gemeinsamen Grenzfläche und der ersten Schicht optimiert werden. According to a development, the common interface of the first layer and the second layer is arranged to reflect substantially all of the light that is transmitted through the first layer to the second layer. This enables a functional separation of reflective effect at the common interface of the first layer and the second layer and the current line in the transparent electrode layer. In addition, this makes it possible to optimize the reflectivity of the mirror structure by means of the properties of the common interface and the first layer.

Gemäß einer Weiterbildung weist die Spiegelstruktur in der gemeinsamen Grenzfläche der ersten Schicht mit der zweiten Schicht eine optisch funktionale Strukturierung auf. Die optisch funktionale Strukturierung ist beispielsweise ein Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches Gitter. Dies ermöglicht eine funktionale Trennung von Strahlformung des einfallenden und reflektierbaren Lichts, und der Stromleitung in der transparenten Elektrodenschicht. According to a development, the mirror structure has an optically functional structuring in the common interface of the first layer with the second layer. The optically functional structuring is, for example, a microlens field, a scattering structure or an optical grating. This enables a functional separation of beam shaping of the incident and reflected light, and the power line in the transparent electrode layer.

Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Schicht im körperlichen Kontakt auf dem Träger angeordnet. Dies ermöglicht eine unmittelbare elektrische Verbindung der zweiten Schicht bei einem elektrisch leitfähigen Träger; oder ein Verkapseln eines Trägers, der hermetisch nicht dicht ist, mittels der zweiten Schicht beispielsweise einer Kunststofffolie. According to a development, the second layer is arranged in physical contact on the carrier. This allows a direct electrical connection of the second layer in an electrically conductive carrier; or encapsulating a carrier which is not hermetically sealed by means of the second layer of, for example, a plastic film.

Gemäß einer Weiterbildung ist die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe ist beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet. According to a development, the optoelectronic assembly is designed as a surface light source. The optoelectronic assembly is designed, for example, as a general lighting or a display.

Gemäß einer Weiterbildung ist die optoelektronische Baugruppe eine organisch optoelektronische Baugruppe. According to a development, the optoelectronic assembly is an organic optoelectronic assembly.

Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische Baugruppe ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur auf, die im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ist. Die optoelektronische Baugruppe weist ferner eine weitere, für das Licht transparente Elektrodenschicht auf, die im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ist. According to a development, the optoelectronic assembly further has an organically functional layer structure, which is arranged in physical and electrical contact on the transparent electrode layer. The optoelectronic assembly further has a further transparent to the light electrode layer, which is arranged in physical and electrical contact on the organically functional layer structure.

Mit anderen Worten: die transparente Elektrodenschicht, die organisch funktionelle Schichtenstruktur und die weitere, transparente Elektrodenschicht sind über der Spiegelstruktur übereinander gestapelt angeordnet. In other words, the transparent electrode layer, the organic functional layer structure, and the other transparent electrode layer are stacked over the mirror structure.

Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronische Baugruppe, bei dem eine transparente Elektrodenschicht auf einer Spiegelstruktur ausgebildet wird. Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Spiegelstruktur im körperlichen Kontakt auf einem Träger auf. Die Spiegelstruktur wird mit wenigstens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht ausgebildet. Die erste Schicht wird im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht ausgebildet. Die zweite Schicht weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf oder wird daraus gebildet. Die erste Schicht ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht oder wird derart ausgebildet. Das Ausbilden der Elektrodenschicht ist ein Ausbilden einer für das Licht transparenten Elektrodenschicht. Die transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht ausgebildet. Die Spiegelstruktur wird zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet, das durch die transparente Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird. The object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing an optoelectronic assembly, in which a transparent electrode layer is formed on a mirror structure. The method comprises forming a mirror structure in physical contact on a support. The mirror structure is formed with at least a first layer and a second layer. The first layer is formed in physical contact on the second layer. The second layer comprises or is formed from a metal or metal alloy. The first layer is electrically non-conductive and transparent to a light or is formed. Forming the electrode layer is forming an electrode layer transparent to the light. The transparent electrode layer is formed in physical contact on the first layer. The mirror structure is formed to reflect at least a portion of the light transmitted through the transparent electrode layer to the mirror structure.

Die funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung und Stromleitung ermöglicht eine Fertigung der Spiegelstruktur vor dem Ausbilden empfindlicher Strukturen auf der Spiegelstruktur. Eine derartige empfindliche ist beispielsweise eine organisch funktionelle Schichtenstruktur auf der transparenten Elektrodenschicht. Dies ermöglicht, dass der Träger mit Spiegelstruktur kompatibel zu herkömmlichen Herstellungsverfahren ist. Dadurch ist eine Rücksichtnahme bezüglich der Verfahrensbedingung beim Ausbilden der Spiegelstruktur auf die Verfahrensbedingung beim Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf der transparenten Elektrodenschicht nicht notwendig. The functional separation of specular effect and power line allows fabrication of the mirror structure prior to forming sensitive structures on the mirror structure. Such a sensitive one is, for example, an organically functional layer structure on the transparent electrode layer. This allows the mirrored support to be compatible with conventional fabrication techniques. Thereby, consideration for the process condition when forming the mirror structure on the process condition when forming an organic functional layer structure on the transparent electrode layer is not necessary.

Gemäß einer Weiterbildung wird die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe wird beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet. According to a development, the optoelectronic assembly is designed as a surface light source. The optoelectronic assembly is formed, for example, as a general lighting or a display.

Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ausgebildet. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren, für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die weitere, transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ausgebildet. According to a development, the method further comprises forming an organic functional layer structure. The organically functional layer structure is formed in physical and electrical contact with the transparent electrode layer. Furthermore, the method comprises forming a further, transparent to the light electrode layer. The further, transparent electrode layer is formed in physical and electrical contact with the organically functional layer structure.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigen: Show it:

1 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe; 1 a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly;

2A und 2B Schnittdarstellungen eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe; 2A and 2 B Sectional views of an embodiment of an optoelectronic assembly;

3 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe; 3 a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly;

4 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe; 4 a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly;

5 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe; 5 a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly;

6 ein Diagramm zur Reflektivität von optoelektronischen Baugruppen eines Ausführungsbeispiels; 6 a diagram for the reflectivity of optoelectronic components of an embodiment;

7 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe; und 7 a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly; and

8 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe. 8th a flowchart of an embodiment of a method for producing an optoelectronic assembly.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not in a limiting sense and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Kontaktflächen sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect contact surface, and a direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Baugruppen aufweisen. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr elektronische Baugruppen aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine aktive und/oder eine passive Baugruppe aufweisen. Eine aktive elektronische Baugruppe kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Eine passive elektronische Baugruppe kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen. An optoelectronic assembly may have one, two or more optoelectronic assemblies. Optionally, an optoelectronic assembly can also have one, two or more electronic assemblies. An electronic component may, for example, have an active and / or a passive assembly. An active electronic module may have, for example, a computing, control and / or regulating unit and / or a transistor. A passive electronic assembly may include, for example, a capacitor, a resistor, a diode or a coil.

Eine optoelektronische Baugruppe kann eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe oder eine elektromagnetische Strahlung absorbierende Baugruppe sein oder aufweisen. Eine elektromagnetische Strahlung absorbierende Baugruppe kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Fotodetektor sein. Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Baugruppe sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organisch elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organisch elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung, die auch als Licht bezeichnet wird, kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann die elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe beispielsweise als lichtemittierende Diode (light emitting diode, LED) als organisch lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als lichtemittierender Transistor oder als organisch lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Die lichtemittierende Baugruppe kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Baugruppen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. An optoelectronic assembly may be or may comprise an electromagnetic radiation emitting assembly or an electromagnetic radiation absorbing assembly. An electromagnetic radiation absorbing assembly may be, for example, a solar cell or a photodetector. In various embodiments, an assembly emitting electromagnetic radiation can be an electromagnetic radiation-emitting semiconductor assembly and / or a diode emitting electromagnetic radiation, a diode emitting organic electromagnetic radiation, a transistor emitting electromagnetic radiation or a transistor emitting organic electromagnetic radiation be. The radiation, which is also referred to as light, may for example be light in the visible range, UV light and / or infrared light. In this context, the electromagnetic radiation emitting assembly may be formed, for example, as a light emitting diode (LED) as an organic light emitting diode (OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor. The light-emitting assembly may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting assemblies may be provided, for example housed in a common housing.

Unter dem Begriff „transluzent“ bzw. „transluzente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann The term "translucent" or "translucent layer" can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light, for example for the light generated by the light emitting device, for example, one or more wavelength ranges, for example, for light in a wavelength range of visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). By way of example, the term "translucent layer" in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that substantially all of the amount of light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure (for example layer), whereby part of the light can be scattered in this case

Unter dem Begriff „transparent“ oder „transparente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. In various embodiments, the term "transparent" or "transparent layer" can be understood as meaning that a layer is permeable to light (for example at least in a subregion of the wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein a structure (for example a layer) coupled-in light is also coupled out without any scattering or light conversion from the structure (for example, layer).

1 zeigt eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe. 1 shows a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly.

Die optoelektronische Baugruppe 100 weist auf einem Träger 102 eine Spiegelstruktur 104 auf. Die Spiegelstruktur 104 weist eine erste Schicht 116 und eine zweite Schicht 114 auf. Die zweite Schicht 114 ist auf oder über dem Träger 102 angeordnet. Die erste Schicht 116 ist auf der zweiten Schicht 114 angeordnet. Die zweite Schicht 114 ist in einem körperlichen Kontakt mit der ersten Schicht 116 angeordnet, d.h. die erste Schicht 116 und die zweite Schicht 114 weisen eine gemeinsame Grenzfläche 122 auf. Die erste Schicht 116 ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht 124. Die erste Schicht 116 ist somit ein elektrischer Isolator gegenüber der Umwelt, beispielsweise gleichzeitig zu der Wirkung als Teil der Spiegelstruktur 104. Die zweite Schicht 114 weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf oder ist daraus gebildet. The optoelectronic assembly 100 points to a carrier 102 a mirror structure 104 on. The mirror structure 104 has a first layer 116 and a second layer 114 on. The second layer 114 is on or above the vehicle 102 arranged. The first shift 116 is on the second layer 114 arranged. The second layer 114 is in physical contact with the first shift 116 arranged, ie the first layer 116 and the second layer 114 have a common interface 122 on. The first shift 116 is electrically non-conductive and transparent to a light 124 , The first shift 116 is thus an electrical insulator to the environment, for example, at the same time to the effect as part of the mirror structure 104 , The second layer 114 comprises or is formed from a metal or metal alloy.

Direkt auf der Spiegelstruktur 104 ist eine für ein Licht 124 transparente Elektrodenschicht 106 ausgebildet. Die transparente Elektrodenschicht 106 kann auch als erste Elektrodenschicht bezeichnet werden. Die erste Schicht 116 ist in einem körperlichen Kontakt mit der ersten Elektrodenschicht 106 angeordnet. Right on the mirror structure 104 is one for a light 124 transparent electrode layer 106 educated. The transparent electrode layer 106 can also be referred to as the first electrode layer. The first shift 116 is in physical contact with the first electrode layer 106 arranged.

Ein Licht 124, das durch die erste Elektrodenschicht 106 und die erste Schicht 116 auf die gemeinsame Grenzfläche 122 auftrifft, wird an der gemeinsamen Grenzfläche 122 reflektiert, gestreut oder gespiegelt. A light 124 passing through the first electrode layer 106 and the first layer 116 on the common interface 122 hits, is at the common interface 122 reflected, scattered or mirrored.

Mittels der ersten Schicht 116 der Spiegelstruktur 104 kann der Grad der Umlenkung, Reflektivität, Spiegelung oder Streuung des Lichts 124, d.h. die Reflektivität in der optoelektronischen Baugruppe 100 an der Seite des Träger 102, unabhängig von den elektrischen Eigenschaften der ersten Elektrodenschicht 116 eingestellt werden. Dies ermöglicht eine höhere Gestaltungsfreiheit bei der Ausgestaltung der optoelektronischen Baugruppe 100. By means of the first layer 116 the mirror structure 104 may be the degree of redirection, reflectivity, reflection or scattering of the light 124 ie the reflectivity in the optoelectronic assembly 100 at the side of the carrier 102 regardless of the electrical properties of the first electrode layer 116 be set. This allows a greater freedom of design in the design of the optoelectronic assembly 100 ,

In verschiedenen Weiterbildungen weist die optoelektronische Baugruppe 100 eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 108; ein weitere, für das Licht transparente Elektrodenschicht 110 und eine Verkapselungsstruktur 112, wie nachfolgend ausführlicher beschrieben wird. In various developments, the optoelectronic assembly 100 an organic functional layer structure 108 ; another, transparent to the light electrode layer 110 and an encapsulation structure 112 as described in more detail below.

Die weitere, transparente Elektrodenschicht 110 kann auch als zweite Elektrodenschicht bezeichnet werden. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 ist elektrisch leitfähig und elektrisch leitend gekoppelt mit der ersten Elektrodenschicht 106 und der zweiten Elektrodenschicht 110 ausgebildet. The further, transparent electrode layer 110 may also be referred to as a second electrode layer. The organic functional layer structure 106 is electrically conductive and electrically conductively coupled to the first electrode layer 106 and the second electrode layer 110 educated.

Die erste Elektrodenschicht 106, die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 und die zweite Elektrodenschicht 110 bilden einen elektrisch aktiven Bereich 118 der optoelektronischen Baugruppe 100. Der elektrisch aktive Bereich 118 ist zu einem Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung aus einer bereitgestellten elektrischen Energie ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist der elektrisch aktive Bereich 118 zu einem Erzeugen eines elektrischen Stromes und/oder einer elektrischen Spannung aus einer bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet. The first electrode layer 106 , the organic functional layer structure 108 and the second electrode layer 110 form an electrically active area 118 the optoelectronic assembly 100 , The electrically active area 118 is designed to emit an electromagnetic radiation from a provided electrical energy. Alternatively or additionally, the electrically active region 118 for generating an electric current and / or an electrical voltage from a provided electromagnetic radiation.

Die optoelektronische Baugruppe 100 kann als ein Flächenbauelement ausgebildet sein, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle und/oder ein Display. The optoelectronic assembly 100 can be designed as a surface component, for example as a surface light source and / or a display.

Die optoelektronische Baugruppe ist beispielsweise zu einem Emittieren eines Lichtes 126 ausgebildet, wobei das Licht in der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 erzeugt wird. Ein erster Teil 120 des emittierten Lichts 126 ist direkt bzw. unmittelbar durch die zweite Elektrodenschicht 110 und die Verkapselungsstruktur 112 emittierbar. Ein zweiter Teil 124 des emittierten Lichts 126 ist indirekt bzw. mittelbar durch die zweite Elektrodenschicht 110 und die Verkapselungsstruktur 112 emittierbar, indem der zweite Teil 124 zunächst aus der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 in Richtung des Trägers 102 emittiert wird und an der gemeinsamen Grenzfläche 122 von erster Schicht 116 und zweiter Schicht 114 der Spiegelstruktur 104 in Richtung der zweiten Elektrodenschicht 110 und/oder Verkapselungsstruktur 112 umgelenkt, gestreut oder reflektiert wird. The optoelectronic assembly is for example for emitting a light 126 formed, wherein the light in the organic functional layer structure 108 is produced. A first part 120 of the emitted light 126 is directly or directly through the second electrode layer 110 and the encapsulation structure 112 be emitted. A second part 124 of the emitted light 126 is indirect or indirect through the second electrode layer 110 and the encapsulation structure 112 emissable by the second part 124 initially from the organically functional layered structure 108 in the direction of the carrier 102 is emitted and at the common interface 122 from the first shift 116 and second layer 114 the mirror structure 104 in the direction of the second electrode layer 110 and / or encapsulation structure 112 is deflected, scattered or reflected.

In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 als eine Folie oder ein Blech ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 ein Glas oder einen Kunststoff auf oder ist daraus gebildet. Der Träger 102 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Metallfolie oder ein Glas- oder Kunststoffträger mit einer Leiterstruktur. Der Träger 102 weist Glas, Quarz, eine Keramik und/oder ein Halbleitermaterial auf oder ist daraus gebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien auf oder ist daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann transparent ausgebildet sein bezüglich des von der optoelektronischen Baugruppe 100 absorbierten und/oder emittierten Lichts 124. In various developments is the carrier 102 formed as a foil or a sheet. Alternatively or additionally, the carrier 102 a glass or a plastic on or is formed from it. The carrier 102 may be electrically conductive, for example as a metal foil or a glass or plastic carrier with a conductor structure. The carrier 102 comprises glass, quartz, a ceramic and / or a semiconductor material or is formed therefrom. Alternatively or additionally, the carrier 102 a plastic film or a laminate with one or more plastic films or is formed therefrom. The carrier 102 may be transparent with respect to that of the optoelectronic assembly 100 absorbed and / or emitted light 124 ,

In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 mechanisch flexibel ausgebildet, beispielsweise biegbar, knickbar oder formbar. Beispielsweise ist der Träger 102 als eine Folie oder ein Blech eingerichtet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 wenigstens einen mechanisch rigiden, nicht-flexiblen Bereich auf. In various developments is the carrier 102 mechanically flexible, for example, bendable, bendable or formable. For example, the carrier 102 set up as a foil or sheet. Alternatively or additionally, the carrier 102 at least one mechanically rigid, non-flexible region.

In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 in wenigstens einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts intransparent ist. In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 intransparent ist für sichtbares Licht. In various developments is the carrier 102 is intransparent in at least one wavelength range of visible light. In various developments is the carrier 102 is non-transparent for visible light.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 zu einem Reflektieren von elektromagnetischer Strahlung 124 ausgebildet. Zusätzlich weist die Spiegelstruktur 104 in verschiedenen Weiterbildungen optisch funktionelle Schichten bzw. Strukturen auf, beispielsweise in der gemeinsamen Grenzfläche oder der ersten Schicht 116, beispielsweise zur Strahlformung des emittierten Lichts 126 oder zum Erzeugen eines winkelabhängigen Aus-Zustandes des emittierten Lichts 126. Die Spiegelstruktur 104 kann beispielsweise ein optisches Gitter, einen metallischen Spiegel bzw. Spiegel, einen photonischen Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche aufweisen. In various developments is the mirror structure 104 for reflecting electromagnetic radiation 124 educated. In addition, the mirror structure exhibits 104 in various developments optically functional layers or structures, for example in the common interface or the first layer 116 , For example, for beam shaping of the emitted light 126 or for generating an angle-dependent off-state of the emitted light 126 , The mirror structure 104 For example, it may comprise an optical grating, a metallic mirror, a photonic crystal or a totally reflecting interface.

Die Spiegelstruktur 104 kann beispielsweise als erste Schicht 116 eine dielektrische Schicht oder ein dielektrisches Schichtensystem und als zweite Schicht 114 eine Metallbeschichtung aufweisen. The mirror structure 104 can, for example, as the first layer 116 a dielectric layer or a dielectric layer system and as a second layer 114 have a metal coating.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 als Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, beispielsweise gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff ausgebildet. Mit anderen Worten: die Spiegelstruktur 104 ist derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. In various developments is the mirror structure 104 formed as a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, for example against water (moisture) and oxygen. In other words: the mirror structure 104 is designed in such a way that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvents or at most only to very small proportions.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 im Wesentlichen auf der ganzen Oberfläche einer Seite des Trägers 102 ausgebildet. In various developments is the mirror structure 104 essentially on the entire surface of one side of the carrier 102 educated.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die optoelektronische Baugruppe 100 bezüglich einer Hauptemissionsrichtung des emittierten Lichts 126 auf dem Träger 102 einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich auf. Die Spiegelstruktur 104 ist im optisch aktiven Bereich ausgebildet. Mit anderen Worten: der optisch inaktive Bereich ist frei von Spiegelstruktur 104. In various developments, the optoelectronic assembly 100 with respect to a main emission direction of the emitted light 126 on the carrier 102 an optically active region and an optically inactive region. The mirror structure 104 is formed in the optically active region. In other words, the optically inactive region is free of mirror structure 104 ,

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 vollständig oder teilweise durchlässig ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereiches des Lichts 124. Alternativ oder zusätzlich ist die erste Schicht 116 vollständig oder teilweise reflektierend ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches des Lichts 124, beispielsweise als eine teildurchlässige Spiegelstruktur 104, beispielsweise als ein dichroitischer Spiegel. Die teildurchlässige erste Schicht 116 ist beispielsweise ein Teilerspiegel und/oder ein Einweg-Spiegel. Die erste Schicht 116 kann beispielsweise einen ersten Teil der auf sie einfallenden elektromagnetischen Strahlung 124 reflektieren. Ein zweiter Teil der einfallenden elektromagnetischen Strahlung 124 tritt durch die teildurchlässige erste Schicht 116 hindurch und wird an der gemeinsamen Grenzfläche 122 reflektiert. In various developments, the first layer 116 completely or partially permeable trained for electromagnetic radiation of a first wavelength range of the light 124 , Alternatively or additionally, the first layer 116 completely or partially reflective designed for electromagnetic radiation of a second wavelength range of the light 124 For example, as a partially transparent mirror structure 104 for example as a dichroic mirror. The semi-permeable first layer 116 is for example a divider mirror and / or a disposable mirror. The first shift 116 may, for example, a first part of the incident on them electromagnetic radiation 124 reflect. A second part of the incident electromagnetic radiation 124 passes through the partially transparent first layer 116 through and is at the common interface 122 reflected.

Mit anderen Worten:
Die erste Schicht 116 oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116, wie ausführlicher in den nachfolgenden Figuren beschrieben wird, können gemäß verschiedener Weiterbildung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Die erste Schicht 116 (oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116) können aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen. In other words:
The first shift 116 or the individual partial layers of the first layer 116 As will be described in more detail in the following figures, according to various developments, they may be formed as a translucent or transparent layer. The first shift 116 (or the individual partial layers of the first layer 116 ) may consist of a translucent or transparent material (or a combination of materials that is translucent or transparent).

Die erste Schicht 116 oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116 sind gemäß verschiedener Weiterbildung als elektrisch nicht-leitende Schicht/en ausgebildet. Beispielsweise sind/ist die erste Schicht 116 (oder die einzelnen Teilschichten der erste Schicht 116) aus einem dielektrischen Material (oder einer Materialkombination, die elektrisch nicht-leitend ist) gebildet. The first shift 116 or the individual partial layers of the first layer 116 are formed according to various development as electrically non-conductive layer / s. For example, / is the first layer 116 (or the individual partial layers of the first layer 116 ) is formed of a dielectric material (or combination of materials that is electrically nonconductive).

Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in 2. Mit anderen Worten: In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als eine einzige Schicht ausgebildet. According to a development, the first layer 116 as a single layer (in other words, as a single layer), for example, illustrated in FIG 2 , In other words: in various developments, the first layer is 116 formed as a single layer.

Gemäß einer alternativen Weiterbildung kann die erste Schicht 116 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten: In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als Schichtenstapel (Stack) ausgebildet, wie beispielsweise ausführlicher in 3 bis 6 veranschaulicht ist. According to an alternative development, the first layer 116 have a plurality of sub-layers formed on each other. In other words: in various developments, the first layer is 116 formed as a stack of layers (stack), such as in more detail in 3 to 6 is illustrated.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als ein Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von sichtbarem Licht ausgebildet. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als ein dichroitischer Spiegel für wenigstens einen Teil von sichtbarem Licht ausgebildet. In various developments, the first layer 116 formed as a Bragg mirror for at least a portion of visible light. In various developments, the first layer 116 as a dichroic mirror for at least a portion of visible light.

Die erste Schicht 116 oder wenigstens eine Teilschicht der ersten Schicht kann gemäß einer Weiterbildung eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Weiterbildung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Weiterbildung. The first shift 116 or at least one sub-layer of the first layer may according to a development have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a development, for example about 40 nm according to a Further education.

Gemäß einer Weiterbildung, bei der die erste Schicht 116 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. According to a further development, in which the first layer 116 has multiple sub-layers, all sub-layers may have the same layer thickness.

Gemäß einer anderen Weiterbildung können die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. According to another development, the individual partial layers of the first layer 116 have different layer thicknesses. In other words, at least one of the partial layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.

Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der ersten Schicht 116 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. According to a development, the first layer 116 or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the first layer 116 aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Schicht 116 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der ersten Schicht 116 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. In various embodiments, the first layer 116 or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the first layer 116 one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die zweite Schicht 114 im körperlichen Kontakt auf dem Träger 102 ausgebildet. In verschiedenen Weiterbildungen unterscheiden sich der Träger 102 und die zweite Schicht 114 in wenigstens einer Eigenschaft, beispielsweise den Materialien aus denen sie gebildet sind. In various developments, the second layer is 114 in physical contact on the wearer 102 educated. In different Further developments differ the carrier 102 and the second layer 114 in at least one property, for example the materials of which they are formed.

Die gemeinsame Grenzfläche 122 kann in verschiedenen Weiterbildungen ein optisches Gitter, einen metallischen Spiegel bzw. Spiegel oder eine totalreflektierende Grenzfläche aufweisen. The common interface 122 In various developments, it can have an optical grating, a metallic mirror or mirror or a totally reflecting interface.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die gemeinsame Grenzfläche 122 von erster Schicht 116 und zweiter Schicht 114 eingerichtet, im Wesentlichen das gesamte Licht 124 zu reflektieren, dass durch die erste Schicht 116 zu der zweiten Schicht 114 transmittiert wird. In various developments is the common interface 122 from the first shift 116 and second layer 114 furnished, essentially all the light 124 to reflect that through the first layer 116 to the second layer 114 is transmitted.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die Spiegelstruktur 104 in der Grenzfläche 122 der ersten Schicht 116 mit der zweiten Schicht 114 eine optisch funktionale Strukturierung auf, beispielsweise ein Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches Gitter. In various developments, the mirror structure 104 in the interface 122 the first layer 116 with the second layer 114 an optically functional structuring, for example a microlens field, a scattering structure or an optical grating.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Elektrodenschicht 106 transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 emittierten und/oder absorbierten Lichts 124 ausgebildet. In various developments, the first electrode layer 106 transparent with respect to the organic functional layer structure 108 emitted and / or absorbed light 124 educated.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Elektrodenschicht 106 ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid auf oder ist daraus gebildet. In various developments, the first electrode layer 106 a transparent electrically conductive oxide or is formed therefrom.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Elektrodenschicht 106 ein elektrisch leitfähiges Polymer oder eine elektrisch leitfähige Polymermischung auf oder ist daraus gebildet. In various developments, the first electrode layer 106 an electrically conductive polymer or an electrically conductive polymer mixture or is formed therefrom.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Elektrodenschicht 106 aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet und weist eine Schichtdicke auf die kleiner als ungefähr 100 nm ist. In various developments, the first electrode layer 106 formed of a metal or a metal alloy and has a layer thickness of less than about 100 nm.

Mit anderen Worten:
Die erste Elektrodenschicht 106 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise ein Metall. Alternativ oder zusätzlich weist die erste Elektrodenschicht 106 ein transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien auf: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Die erste Elektrodenschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von einer Monolage bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. In other words:
The first electrode layer 106 has an electrically conductive material, for example a metal. Alternatively or additionally, the first electrode layer 106 a transparent conductive oxide of one of the following materials: for example, metal oxides: for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). The first electrode layer has a layer thickness in a range from a monolayer to 500 nm, for example from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.

Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 ist zu einem Emittieren eines Lichts aus einer bereitgestellten elektrischen Energie ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 zu einem Erzeugen einer elektrischen Energie aus einem absorbierten Licht ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 weist eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 sind zwischen den Elektrodenschichten 106, 110 derart angeordnet, dass im Betrieb elektrische Ladungsträger von der ersten Elektrodenschicht 106 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 hindurch in die zweite Elektrodenschicht 110 fließen können, und umgekehrt. The organic functional layer structure 108 is designed to emit a light from a supplied electrical energy. Alternatively or additionally, the organically functional layer structure 108 formed to generate an electric energy from an absorbed light. The organic functional layer structure 108 has a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The layers of the organic functional layer structure 108 are between the electrode layers 106 . 110 arranged such that in operation electrical charge carriers from the first electrode layer 106 through the organic functional layer structure 108 through into the second electrode layer 110 can flow, and vice versa.

Die zweite Elektrodenschicht 110 ist transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 emittierten und/oder absorbierten Lichts 126 ausgebildet. The second electrode layer 110 is transparent with respect to the organic functional layer structure 108 emitted and / or absorbed light 126 educated.

Die erste Elektrodenschicht 106 und die zweite Elektrodenschicht 110 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein. Die zweite Elektrodenschicht 110 ist als Anode, also als löcherinjizierende Elektrodenschicht ausgebildet oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. The first electrode layer 106 and the second electrode layer 110 can be the same or different. The second electrode layer 110 is formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode.

In verschiedenen Weiterbildungen ist der elektrisch aktive Bereich 118 mittels der Verkapselungsstruktur 112 hermetisch abgedichtet bezüglich einer Eindiffusion von wenigstens einem Stoff, der für den elektrisch aktiven Bereich 118 schädlich ist, beispielsweise Wasser, Schwefel, Sauerstoff und/oder deren Verbindung. Eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Verkapselungsstruktur 112 ist eine im Wesentlichen hermetisch dichte Struktur. Eine hermetisch dichte Struktur kann beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10^–1 g/(m²d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger 102 kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10^–4 g/(m²d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10^–4 g/(m²d) bis ungefähr 10^–10 g/(m²d), beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10^–4 g/(m²d) bis ungefähr 10^–6 g/(m²d). In various developments, the electrically active region 118 by means of the encapsulation structure 112 hermetically sealed with respect to a diffusion of at least one substance, which for the electrically active region 118 is harmful, for example, water, sulfur, oxygen and / or their compound. A hermetic water and / or oxygen-tight encapsulation structure 112 is a substantially hermetically sealed structure. For example, a hermetically sealed structure may have a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than about 10 ^-1 g / (m ² d), a hermetically sealed cover, and / or a hermetically sealed support 102 may, for example, have a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than about 10 ^-4 g / (m ² d), for example in a range of about 10 ^-4 g / (m ² d) to about 10 ^-10 g / (m ² d), for example in a range of about 10 ^-4 g / (m ² d) to about 10 ^-6 g / (m ² d).

Weiterbildungen der Verkapselungsstruktur 112 sind in 7 noch ausführlicher beschrieben. Further developments of the encapsulation structure 112 are in 7 described in more detail.

2A und 2B zeigen Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen 200, 210 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 100 entsprechen kann. 2A and 2 B show sectional views of exemplary embodiments 200 . 210 a part of an optoelectronic assembly, for example, the largely in 1 shown embodiment of an optoelectronic assembly 100 can correspond.

Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in 2A und 2B. Mit anderen Worten: In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als eine einzige Schicht ausgebildet. According to a development, the first layer 116 as a single layer (in other words, as a single layer), for example, illustrated in FIG 2A and 2 B , In other words: in various developments, the first layer is 116 formed as a single layer.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die Spiegelstruktur 104 und/oder der elektrisch aktive Bereich 118 eine Vielzahl elektrischer Durchkontakte 202, 206 auf, beispielsweise veranschaulicht in 2A und 2B. Die Durchkontakte 202, 204 weisen ein elektrisch leitfähiges Material auf. Die Durchkontakte 202, 204 können mittels eines herkömmlichen Strukturierungs- und/oder Beschichtungsverfahren ausgebildet werden. Die Durchkontakte 202, 204 können eine oder beide Elektrodenschichten 106, 110 elektrisch mit dem Träger 102 und/oder der zweiten Schicht 114 verbinden. Dadurch kann beispielsweise eine Kontaktierung der ersten Elektrodenschicht 106 und/oder der zweiten Elektrodenschicht 110 durch den Träger 102 erfolgen, was die Kontaktierung der optoelektronischen Baugruppe 100 vereinfacht. In various developments, the mirror structure 104 and / or the electrically active region 118 a variety of electrical contacts 202 . 206 on, for example, in 2A and 2 B , The through contacts 202 . 204 have an electrically conductive material. The through contacts 202 . 204 can be formed by means of a conventional patterning and / or coating method. The through contacts 202 . 204 can be one or both electrode layers 106 . 110 electrically with the carrier 102 and / or the second layer 114 connect. As a result, for example, a contacting of the first electrode layer 106 and / or the second electrode layer 110 through the carrier 102 done, which is the contacting of the optoelectronic assembly 100 simplified.

Beispielsweise ist die erste Elektrodenschicht 106 mittels einer Vielzahl an Durchkontakten 202 mit der zweiten Schicht 114 elektrisch verbunden, beispielsweise veranschaulicht in 2A. For example, the first electrode layer 106 by means of a large number of through contacts 202 with the second layer 114 electrically connected, for example, illustrated in FIG 2A ,

Beispielsweise ist die zweite Elektrodenschicht mittels einer Vielzahl an Durchkontakten 204 mit der zweiten Schicht 114 elektrisch verbunden, beispielsweise veranschaulicht in 2B. For example, the second electrode layer by means of a plurality of vias 204 with the second layer 114 electrically connected, for example, illustrated in FIG 2 B ,

Die Vielzahl an Durchkontakte 202, 204 oder ein Teil der Vielzahl an Durchkontakten 202, 204 kann mittels einer elektrisch nicht-leitenden Struktur 206 von einer elektrisch leitfähigen Struktur oder Schicht elektrisch isoliert sein, wenn eine elektrische Verbindung mit dieser Schicht oder Struktur nicht vorgegeben ist. Die elektrisch nicht-leitende Struktur 206 kann beispielswiese ein Resist sein, beispielsweise ein Polyimid. Im Fall einer einzelnen, ersten Schicht 116 aus einem elektrisch nicht-leitenden Material ist eine elektrisch nicht-leitenden Struktur 206 in der ersten Schicht 116 nicht notwendig. The variety of vias 202 . 204 or part of the multitude of vias 202 . 204 can by means of an electrically non-conductive structure 206 be electrically insulated from an electrically conductive structure or layer, if an electrical connection with this layer or structure is not predetermined. The electrically non-conductive structure 206 For example, it may be a resist, for example a polyimide. In the case of a single, first layer 116 of an electrically non-conductive material is an electrically non-conductive structure 206 in the first shift 116 unnecessary.

In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 µm auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 µm auf, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 µm auf, und ist aus AlO_x, TiO_x, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet, beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid. In one embodiment, the second layer 114 a layer thickness in a range of about 100 nm to 1 μm and is formed of silver. The first shift 116 has a film thickness in a range of about 20 nm to 1 μm, for example, in a range of about 50 nm to 1 μm, and is formed of AlO _x , TiO _x , ZrO _x or a similar material, for example, a transparent non-conductive oxide.

3 zeigt eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels 300 einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann. 3 shows a sectional view of an embodiment 300 an optoelectronic assembly, which may for example largely correspond to one of the embodiments of an optoelectronic assembly shown above.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 wenigstens eine erste Teilschicht 302 und eine zweite Teilschicht 304 auf, beispielsweise veranschaulicht in 3. Die erste Teilschicht 302 ist im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht 304 auf der zweiten Teilschicht 304 angeordnet. Die erste Teilschicht 302 ist im körperlichen Kontakt mit der Elektrodenschicht 106. In various developments, the first layer 116 at least a first sub-layer 302 and a second sub-layer 304 on, for example, in 3 , The first sub-layer 302 is in physical contact with the second sublayer 304 on the second sub-layer 304 arranged. The first sub-layer 302 is in physical contact with the electrode layer 106 ,

In verschiedenen Weiterbildungen weisen/weist die erste Teilschicht 302 und/oder die zweite Teilschicht 304 wenigstens eines der folgenden Materialien auf oder sind/ist daraus gebildet: ein Polymer, ein Metalloxid, ein Metallnitrid, ein Metallcarbid oder ein Metalloxinitrid. In various developments, the first partial layer is / have 302 and / or the second sub-layer 304 at least one of the following materials is or is formed from: a polymer, a metal oxide, a metal nitride, a metal carbide or a metal oxynitride.

In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 µm auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist eine erste Teilschicht 302 und eine zweite Teilschicht 304 auf. Die erste Teilschicht 302 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 µm und aus AlO_x gebildet. Die zweite Teilschicht 304 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 µm aus TiO_x, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet, beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid. In one embodiment, the second layer 114 a layer thickness in a range of about 100 nm to 1 μm and is formed of silver. The first shift 116 has a first sub-layer 302 and a second sub-layer 304 on. The first sub-layer 302 is formed with a layer thickness in a range of about 50 nm to 1 μm and AlO _x . The second sub-layer 304 is formed with a layer thickness in a range of about 20 nm to 1 μm of TiO _x , ZrO _x or a similar material, for example a transparent non-conductive oxide.

4 zeigt eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels 400 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann. 4 shows a sectional view of an embodiment 400 a part of an optoelectronic assembly, which may for example largely correspond to one of the embodiments of an optoelectronic assembly shown above.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 eine Schichtenfolge von erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 auf, beispielsweise veranschaulicht in 4. In der Schichtenfolge sind zwei oder mehr Stapel (Stapel 1 bis n, mit n einer natürlichen Zahl) aus erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 übereinander gestapelt; siehe auch 6. In various developments, the first layer 116 a layer sequence of the first partial layer 402 and second sub-layer 404 on, for example, in 4 , In the layer sequence are two or more stacks (stack 1 to n, with n of a natural number) from the first sublayer 402 and second sub-layer 404 stacked; see also 6 ,

In verschiedenen Weiterbildungen können die Teilschichten der ersten Schicht 116 gemäß einer der beschriebenen Weiterbildungen der ersten Schicht 116 ausgebildet sein. In various developments, the partial layers of the first layer 116 according to one of the described developments of the first layer 116 be educated.

In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 µm auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist einen Schichtenstapel mit n Stapeln mit jeweils wenigstens einer ersten Teilschicht 402 und einer zweiten Teilschicht 404 auf. Die erste Teilschicht 402 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 µm und aus AlO_x gebildet. Die zweite Teilschicht 404 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 µm aus TiO_x, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet, beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid. In one embodiment, the second layer 114 a layer thickness in a range of about 100 nm to 1 μm and is formed of silver. The first shift 116 has one Layer stack with n stacks each having at least a first sub-layer 402 and a second sub-layer 404 on. The first sub-layer 402 is formed with a layer thickness in a range of about 50 nm to 1 μm and AlO _x . The second sub-layer 404 is formed with a layer thickness in a range of about 20 nm to 1 μm of TiO _x , ZrO _x or a similar material, for example a transparent non-conductive oxide.

5 zeigt eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels 500 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann. 5 shows a sectional view of an embodiment 500 a part of an optoelectronic assembly, which may for example largely correspond to one of the embodiments of an optoelectronic assembly shown above.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 zusätzlich zu der ersten Teilschicht 502 und der zweiten Teilschicht 504 wenigstens eine dritte Teilschicht 506 auf, wobei die zweite Teilschicht 504 im körperlichen Kontakt auf der dritten Teilschicht 506 angeordnet ist, beispielsweise veranschaulicht in 5. In various developments, the first layer 116 in addition to the first sub-layer 502 and the second sub-layer 504 at least a third sub-layer 506 on, wherein the second sub-layer 504 in physical contact on the third sublayer 506 is arranged, for example, illustrated in 5 ,

In verschiedenen Weiterbildungen ist die dritte Teilschicht 506 gleich zu der ersten Teilschicht 502 ausgebildet. In various developments is the third sub-layer 506 equal to the first sub-layer 502 educated.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die dritte Teilschicht 506 wenigstens in einer Eigenschaft unterschiedlich zu der ersten Teilschicht 502 ausgebildet, beispielsweise bezüglich des Materials und/oder der Dicke der Teilschichten. In various developments is the third sub-layer 506 at least in one property different from the first sub-layer 502 formed, for example, with respect to the material and / or the thickness of the sub-layers.

6 zeigt ein Diagramm 600 zur simulierten Reflektivität 602 als Funktion der Wellenlänge 604 für einfallendes Licht von optoelektronischen Baugruppen eines Ausführungsbeispiels, das beispielsweise weitgehend einem in 3 bzw. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. 6 shows a diagram 600 for simulated reflectivity 602 as a function of wavelength 604 for incident light of optoelectronic assemblies of an embodiment, for example, a largely in 3 respectively. 4 can correspond to the embodiment shown.

In einer ersten Weiterbildung 606 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 einen Stapel mit einer ersten Teilschicht 302 und einer zweiten Teilschicht 304 auf (siehe auch 3). In a first development 606 the mirror structure 104 has the first layer 116 a stack with a first sub-layer 302 and a second sub-layer 304 on (see also 3 ).

In einer zweiten Weiterbildung 608 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 zwei Stapel (n = 2 – siehe auch 4) mit jeweils einer ersten Teilschicht 402 und einer zweiten Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind. In a second development 608 the mirror structure 104 has the first layer 116 two stacks (n = 2 - see also 4 ) each having a first sub-layer 402 and a second sub-layer 404 on, with the stacks are stacked on top of each other.

In einer dritten Weiterbildung 610 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 drei Stapel (n = 3 – siehe auch 4) aus jeweils erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind (siehe auch 4). In a third development 610 the mirror structure 104 has the first layer 116 three stacks (n = 3 - see also 4 ) from each first sub-layer 402 and second sub-layer 404 on, with the stacks are stacked on top of each other (see also 4 ).

In einer vierten Weiterbildung 612 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 vier Stapel (n = 4 – siehe auch 4) aus jeweils erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind. In a fourth development 612 the mirror structure 104 has the first layer 116 four stacks (n = 4 - see also 4 ) from each first sub-layer 402 and second sub-layer 404 on, with the stacks are stacked on top of each other.

Die erste Teilschicht 302, 402 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 66 nm auf und ist aus TiO₂ gebildet. Die zweite Teilschicht 304, 404 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 60 nm auf und ist aus Al₂O₃ gebildet. Die zweite Schicht 114 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 200 nm auf und ist aus Ag gebildet. The first sub-layer 302 . 402 points in the developments 606 . 608 . 610 . 612 has a layer thickness of about 66 nm and is formed of TiO ₂ . The second sub-layer 304 . 404 points in the developments 606 . 608 . 610 . 612 has a layer thickness of about 60 nm and is formed of Al ₂ O ₃ . The second layer 114 points in the developments 606 . 608 . 610 . 612 has a layer thickness of about 200 nm and is formed of Ag.

Aus dem Diagramm 600 ist ersichtlich, dass im Wellenlängenbereich von 450 nm bis 650 nm, d.h. ungefähr im sichtbaren Wellenlängenbereich von Licht, die Spiegelstruktur 104 eine mittlere Reflektivität aufweist: bei der ersten Weiterbildung 606 von ungefähr 97,70 %; bei der zweiten Weiterbildung 608 von ungefähr 98,50 %; bei der dritten Weiterbildung 610 von ungefähr 98,70 %; und bei der vierten Weiterbildung 612 von ungefähr 98,10 %. From the diagram 600 It can be seen that in the wavelength range from 450 nm to 650 nm, ie approximately in the visible wavelength range of light, the mirror structure 104 has a mean reflectivity: in the first development 606 of about 97.70%; in the second development 608 of about 98.50%; at the third training 610 of about 98.70%; and in the fourth development 612 of about 98.10%.

Silber weist eine mittlere Reflektivität von ungefähr 95 % auf. Aus dem Diagramm 600 ist somit ersichtlich, dass die Spiegelstruktur 104 mit erster Schicht 116 die Reflektivität einer einfachen Silberschicht, wie sie herkömmlich auch als spiegelnde Elektrode verwendet wird, erhöht. Silver has an average reflectivity of about 95%. From the diagram 600 is thus apparent that the mirror structure 104 with first layer 116 the reflectivity of a simple silver layer, as it is conventionally used as a reflective electrode increases.

7 zeigt eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe 700, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann. 7 shows a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly 700 , which may for example largely correspond to one of the embodiments of an optoelectronic assembly shown above.

Die Verkapselungsstruktur 112 weist in verschiedenen Weiterbildungen eine Barrieredünnschicht 716, eine Auskoppelschicht, eine Verbindungsschicht 718, einen Getter und/oder eine Abdeckung 720 auf; beispielsweise veranschaulicht in 7. Die Verkapselungsstruktur 112 umgibt den elektrisch aktiven Bereich 118 wenigstens teilweise. The encapsulation structure 112 shows in various developments a barrier thin film 716 , a decoupling layer, a bonding layer 718 , a getter and / or a cover 720 on; for example, illustrated in 7 , The encapsulation structure 112 surrounds the electrically active area 118 at least partially.

Die Barrieredünnschicht 716 weist eines der nachfolgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. The barrier thin film 716 comprises or is formed from one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantala, lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof.

Die Ein-/Auskoppelschicht weist eine Matrix und darin verteilt Streuzentren bezüglich der elektromagnetischen Strahlung auf, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barrieredünnschicht) in der organisch optoelektronischen Baugruppe vorgesehen sein. The input / outcoupling layer has a matrix and scattering centers distributed in relation to the electromagnetic radiation, wherein the average refractive index of the input / outcoupling layer is greater or less than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided. Furthermore, one or more antireflection layers (for example combined with the second barrier thin layer) may additionally be provided in the organic optoelectronic assembly.

Die Verbindungsschicht 718 ist aus einem Klebstoff oder einem Lack gebildet. In einer Weiterbildung weist eine Verbindungsschicht 718 aus einem transparenten Material Partikel auf, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch wirkt die Verbindungsschicht 718 als Streuschicht, was zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führt. The connection layer 718 is made of an adhesive or a varnish. In a further development, a connection layer 718 from a transparent material on particles that scatter electromagnetic radiation, such as light-scattering particles. This affects the connection layer 718 as a scattering layer, which leads to an improvement of the color angle distortion and the coupling-out efficiency.

In einer Weiterbildung ist zwischen der zweiten Elektrodenschicht 110 und der Verbindungsschicht 718 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 µm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 µm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses. In a development, between the second electrode layer 110 and the tie layer 718 an electrically insulating layer (not shown) is formed, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 microns, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 micron to electrically to protect unstable materials, for example during a wet-chemical process.

Die Schicht mit Getter weist ein Material auf oder ist daraus gebildet, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet, beispielsweise Wasserdampf und/oder Sauerstoff. Ein Getter weist beispielsweise ein Zeolith-Derivat auf oder ist daraus gebildet sein. Die Schicht mit Getter- weist eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 µm auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren µm. The layer of getter comprises or is formed from a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region, such as water vapor and / or oxygen. For example, a getter comprises or is formed from a zeolite derivative. The layer with getter has a layer thickness of greater than about 1 .mu.m, for example, a layer thickness of several microns.

Auf oder über der Verbindungsschicht 718 ist die Abdeckung 720 ausgebildet oder angeordnet. Die Abdeckung 720 wird mittels der Verbindungsschicht 718 mit dem elektrisch aktiven Bereich 118 verbunden und schützt diesen vor schädlichen Stoffen. Die Abdeckung 720 ist beispielsweise eine Glasabdeckung, eine Metallfolienabdeckung oder eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung. Die Glasabdeckung ist beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl. glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organisch optoelektronischen Bauelementes verbunden. On or above the tie layer 718 is the cover 720 trained or arranged. The cover 720 is by means of the bonding layer 718 with the electrically active area 118 connected and protects it from harmful substances. The cover 720 For example, a glass cover, a metal foil cover or a sealed plastic film cover. The glass cover is connected, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding using a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component.

Weiterhin veranschaulicht in 7 sind Kontaktflächen 724, 728 mittels derer die optoelektronische Baugruppe 700 mit einer Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle (nicht veranschaulicht) verbunden werden kann. Die Kontaktflächen 724, 728 sind außerhalb der Verkapselungsstruktur 112 angeordnet und durch die Verkapselungsstruktur 112 mit den Elektrodenschichten 106, 110 elektrisch verbunden, beispielsweise mittels elektrisch leitfähiger und elektrisch leitender Verbindungsschichten 722, 726. Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten 722, 726 sind beispielsweise transparent oder auch intransparent. Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten 722, 726 weisen beispielsweise eine Schichtenfolge auf, beispielsweise: Mo/Al/Mo; Cr/Al/Cr oder Ag/Mg; oder sind aus einer einzelnen Schicht gebildet, beispielsweise Al. Die Kontaktflächen 724, 728 können gemäß einer herkömmlichen Ausgestaltung eingerichtet sein, beispielsweise eine herkömmliche, sogenannte ACF-PCB Folie sein oder aufweisen. Further illustrated in 7 are contact surfaces 724 . 728 by means of which the optoelectronic assembly 700 can be connected to a module-external electrical power source (not illustrated). The contact surfaces 724 . 728 are outside the encapsulation structure 112 arranged and through the encapsulation structure 112 with the electrode layers 106 . 110 electrically connected, for example by means of electrically conductive and electrically conductive connection layers 722 . 726 , The electrically conductive connection layers 722 . 726 For example, they are transparent or intransparent. The electrically conductive connection layers 722 . 726 have, for example, a layer sequence, for example: Mo / Al / Mo; Cr / Al / Cr or Ag / Mg; or are formed from a single layer, for example Al. The contact surfaces 724 . 728 may be arranged according to a conventional embodiment, for example, be a conventional, so-called ACF-PCB film or have.

An der ersten Kontaktfläche 728, die mit der ersten Elektrodenschicht 106 verbunden ist, ist ein erstes elektrisches Potential anlegbar. Das erste elektrische Potential wird von der Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ wird das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt und der ersten Elektrodenschicht 106 durch den Träger 102, die Spiegelstruktur 104 und die Durchkontakte 202 mittelbar elektrisch zugeführt. Das erste elektrische Potential ist beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential. At the first contact surface 728 that with the first electrode layer 106 is connected, a first electrical potential can be applied. The first electrical potential is provided by the module-external electrical energy source, for example a current source or a voltage source. Alternatively, the first electrical potential is applied to an electrically conductive carrier 102 applied and the first electrode layer 106 through the carrier 102 , the mirror structure 104 and the vias 202 indirectly supplied electrically. The first electrical potential is, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.

An der zweiten Kontaktfläche 724, die mit der zweiten Elektrodenschicht 110 verbunden ist, ist ein zweites elektrisches Potential anlegbar. Das zweite elektrische Potential wird von der gleichen oder einer anderen Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt wie das erste elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential ist unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential. Das zweite elektrische Potential weist beispielsweise einen Wert auf derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. At the second contact surface 724 connected to the second electrode layer 110 is connected, a second electrical potential can be applied. The second electrical potential is provided by the same or another component-external electrical energy source as the first electrical potential. The second electrical potential is different from the first electrical potential. For example, the second electric potential has a value such that the difference from the first electric potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.

In verschiedenen Weiterbildungen sind einzelne elektrisch leitfähige Schichten, die nicht unmittelbar einen körperlichen Kontakt aufweisen sollen, aber mittelbar elektrisch miteinander verbunden sein sollen, mittels einer elektrischen Isolierstruktur 714 körperlich voneinander getrennt. Die Isolierstruktur 714 weist beispielsweise ein Resist auf oder ist daraus gebildet, beispielsweise ein Polyimid. In various developments, individual electrically conductive layers, which are not intended to have direct physical contact, but are to be indirectly connected to one another electrically, by means of an electrical insulating structure 714 physically separated. The insulating structure 714 has, for example, a resist or is formed therefrom, for example a polyimide.

8 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens 800 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele entsprechen kann. 8th shows a flowchart of an embodiment of a method 800 for producing an optoelectronic assembly, which, for example, can largely correspond to one of the exemplary embodiments shown above.

Das Verfahren 800 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe weist ein Ausbilden 802 einer Spiegelstruktur im körperlichen Kontakt auf einem Träger 102 auf. Die Spiegelstruktur wird mit wenigstens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht ausgebildet. Die erste Schicht 116 wird im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht 114 ausgebildet. Die zweite Schicht 114 weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die erste Schicht 116 ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht. The procedure 800 for manufacturing an optoelectronic assembly has a forming 802 a mirror structure in physical contact on a support 102 on. The mirror structure is formed with at least a first layer and a second layer. The first shift 116 will be in physical contact on the second shift 114 educated. The second layer 114 has a metal or a metal alloy. The first shift 116 is electrically non-conductive and transparent to a light.

In verschiedenen Weiterbildungen erfolgt das Ausbilden der Spiegelstruktur in einer Vorfertigung, beispielsweise außerhalb von Vakuum, beispielsweise bei Normaldruck. In various developments, the formation of the mirror structure takes place in a prefabrication, for example outside of a vacuum, for example at normal pressure.

Alternativ erfolgt das Ausbilden der Spiegelstruktur in Vakuum, beispielsweise in einem integrierten Prozess vor dem Ausbilden des elektrisch aktiven Bereiches der optoelektronischen Baugruppe. Alternatively, the mirror structure is formed in a vacuum, for example in an integrated process prior to the formation of the electrically active region of the optoelectronic assembly.

Das Verfahren weist zudem ein Ausbilden 804 einer für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht 116 ausgebildet. Die Spiegelstruktur wird zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet wird, das durch die erste Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird. The method also has a forming 804 a transparent to the light electrode layer. The transparent electrode layer is in physical contact on the first layer 116 educated. The mirror structure is formed to reflect at least a portion of the light transmitted through the first electrode layer to the mirror structure.

In verschiedenen Weiterbildungen wird die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe wird beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet. In various developments, the optoelectronic assembly is formed as a surface light source. The optoelectronic assembly is formed, for example, as a general lighting or a display.

In verschiedenen Weiterbildungen weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ausgebildet. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren, für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die weitere, transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ausgebildet. In various developments, the method further comprises forming an organic functional layer structure. The organically functional layer structure is formed in physical and electrical contact with the transparent electrode layer. Furthermore, the method comprises forming a further, transparent to the light electrode layer. The further, transparent electrode layer is formed in physical and electrical contact with the organically functional layer structure.

In verschiedenen Weiterbildungen können/kann die erste Schicht 116 oder eine oder mehrere Teilschichten der ersten Schicht 116 mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Weiterbildung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Weiterbildung, z.B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. Gemäß einer Weiterbildung können bei einer ersten Schicht 116, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat“ bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Weiterbildung können bei einer ersten Schicht 116, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der ersten Schicht 116 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens. In various developments, the first layer can / can 116 or one or more sub-layers of the first layer 116 by means of a suitable deposition method, for example by means of an atomic layer deposition method (Atomic Layer Deposition (ALD)) according to a development, for example a plasma-enhanced atomic layer deposition method (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) or a plasmaless atomic deposition method (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD )), or by means of a chemical vapor deposition (CVD) method according to another development, eg a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method or a plasma-less chemical vapor deposition (PLCVD) method. , or alternatively by other suitable deposition methods. According to a development, in a first layer 116 having multiple sublayers, all sublayers are formed by an atomic layer deposition process. A layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate". According to an alternative development, in a first layer 116 comprising a plurality of sublayers, one or more sublayers of the first layer 116 be deposited by a deposition method other than an atomic layer deposition method, for example, by a vapor deposition method.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die optoelektronische Baugruppe als eine Solarzelle oder ein Fotodetektor ausgebildet werden. The invention is not limited to the specified embodiments. For example, the optoelectronic assembly may be formed as a solar cell or a photodetector.

Claims

Optoelectronic assembly ( 100 ), comprising: a mirror structure ( 104 ) in physical contact on a support ( 102 ), wherein the mirror structure ( 104 ) at least a first layer ( 116 ) and a second layer ( 114 ), wherein the first layer ( 116 ) in physical contact on the second layer ( 114 ), and wherein the second layer ( 114 ) comprises a metal or a metal alloy, and the first layer ( 116 ) is electrically non-conductive and transparent to a light; and a transparent to the light electrode layer ( 106 ), wherein the transparent electrode layer ( 106 ) in physical contact on the first layer ( 116 ), and wherein the mirror structure ( 104 ) to reflect at least one part ( 124 ) is formed by the light passing through the transparent electrode layer ( 106 ) to the mirror structure ( 104 ) is transmitted.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 1, wherein the first layer ( 116 ) is formed as a Bragg mirror for at least a portion of visible light.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 1 or 2, wherein the first layer ( 116 ) at least a first sub-layer ( 302 . 402 . 502 ) and a second sublayer ( 304 . 404 . 504 ), wherein the first sub-layer ( 302 . 402 . 502 ) in the physical contact with the second sublayer ( 304 . 404 . 504 ) on the second sublayer ( 304 . 404 . 504 ) and the first sub-layer ( 302 . 402 . 502 ) in physical contact with the transparent electrode layer ( 106 ).

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claims 1 to 3, wherein the first layer ( 116 ) a layer sequence of the first partial layer ( 402-n ) and second sub-layer ( 404-n ), wherein in the layer sequence two or more stacks of the first partial layer ( 402-n ) and second sub-layer ( 404-n ) are stacked on top of each other.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 3 or 4, wherein the first layer ( 116 ) at least a third sublayer ( 506 ), wherein the second sub-layer ( 504 ) in physical contact on the third sublayer ( 506 ) is arranged.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 1, wherein the first layer ( 116 ) is formed as a single layer.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claims 1 to 6, wherein the common interface ( 122 ) of first layer ( 116 ) and second layer ( 114 ) is arranged to reflect substantially all of the light passing through the first layer ( 116 ) to the second layer ( 114 ) is transmitted.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claims 1 to 7, wherein the mirror structure ( 104 ) in the common interface ( 122 ) of the first layer ( 116 ) with the second layer ( 114 ) has an optically functional structuring, preferably a microlens field, a scattering structure or an optical grating.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claims 1 to 8, wherein the second layer ( 114 ) in physical contact with the wearer ( 102 ) is arranged.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 1 to 9, wherein the optoelectronic assembly ( 100 ) is formed as a surface light source, preferably as a general lighting or a display.

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 1 to 10, wherein the optoelectronic assembly ( 100 ) an organic optoelectronic assembly ( 100 ).

Optoelectronic assembly ( 100 ) according to claim 1 to 11, further comprising: an organic functional layer structure ( 108 ) in physical and electrical contact on the transparent electrode layer ( 106 ) is arranged; and another, transparent to the light electrode layer ( 110 ) in physical and electrical contact on the organically functional layer structure ( 108 ) is arranged.

Procedure ( 800 ) for producing an optoelectronic assembly ( 100 ), the procedure ( 800 ) with the steps: Training ( 802 ) a mirror structure ( 104 ) in physical contact on a support ( 102 ), wherein the mirror structure ( 104 ) with at least one first layer ( 116 ) and a second layer ( 114 ), wherein the first layer ( 116 ) in physical contact on the second layer ( 114 ), and wherein the second layer ( 114 ) is formed of a metal or a metal alloy, and the first layer ( 116 ) is formed electrically non-conductive and transparent; and training ( 804 ) of a transparent to the light electrode layer ( 106 ), wherein the transparent electrode layer ( 106 ) in physical contact on the first layer ( 116 ) is formed; and wherein the mirror structure ( 104 ) is formed to reflect at least part of the light passing through the transparent electrode layer (10). 106 ) to the mirror structure ( 104 ) is transmitted.

Procedure ( 800 ) according to claim 13, wherein the optoelectronic assembly ( 100 ) is formed as a surface light source, preferably as a general lighting or a display.

Procedure ( 800 ) according to claim 13 or 14, further comprising: forming an organic functional layer structure ( 108 ) in physical and electrical contact on the transparent electrode layer ( 106 ) is arranged; and forming a further, transparent to the light electrode layer ( 110 ) which is placed in physical and electrical contact on the organically functional layered structure.