Die Erfindung betrifft ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements.The invention relates to a device emitting electromagnetic radiation and a method for producing a device emitting electromagnetic radiation.
Bei einem herkömmlichen elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement mit einer organisch funktionellen Schichtenstruktur, insbesondere einer OLED, werden teilweise Auskoppelschichten verwendet, um eine emittierbare Lichtmenge zu erhöhen und eine Effizienz des elektromagnetisch Strahlung emittierenden Bauelements zu erhöhen. Unter diesen Auskoppelschichten werden externe Auskoppelschichten von außen auf das entsprechende Bauelement aufgebracht und/oder interne Auskoppelschichten in den Schichtaufbau des entsprechenden Bauelements integriert. Die Auskoppelschichten werden über die Fläche des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements hinweg möglichst gleichmäßig ausgebildet, damit das entsprechende Bauelement möglichst homogen Licht abstrahlt und im Betrieb ein möglichst homogenes Erscheinungsbild hat. Beispielsweise kann eine homogenisierte Leuchtfläche angestrebt werden.In a conventional electromagnetic radiation-emitting component having an organically functional layer structure, in particular an OLED, partially coupling-out layers are used in order to increase an emitable amount of light and to increase an efficiency of the electromagnetic-radiation-emitting component. External decoupling layers are applied from the outside to the corresponding component under these decoupling layers, and / or internal decoupling layers are integrated into the layer structure of the corresponding component. The coupling-out layers are formed as uniformly as possible over the surface of the electromagnetic-radiation-emitting component, so that the corresponding component radiates light as homogeneously as possible and has the most homogeneous possible appearance during operation. For example, a homogenized luminous surface can be sought.
Des Weiteren können OLEDs mit Mustern ausgebildet werden, die im Betrieb der entsprechenden OLED ein vorgegebenes, nicht-homogenes Erscheinungsbild geben. Derartige Muster können beispielsweise durch eine Strukturierung einer Elektrode oder Elektrodenschicht der OLED erzielt werden. Bei dieser Art der Strukturierung sind der gestalterischen Freiheit jedoch Grenzen gesetzt, da keine beliebige Strukturierung möglich ist, da je nach Art des Musters die OLED nicht mehr vollflächig unter Strom gesetzt werden kann. Alternativ dazu kann durch selektives Aufbringen einer externen Auskoppelschicht, beispielsweise einer externen Auskoppelschicht deren Form zu dem Muster korrespondiert, oder durch gezieltes Erzeugen von Streuzentren im Substratglas, das beispielsweise Glas oder Plastik aufweisen kann, das Muster erzeugt werden.Furthermore, OLEDs can be formed with patterns that give a predetermined, non-homogeneous appearance during operation of the corresponding OLED. Such patterns can be achieved for example by structuring an electrode or electrode layer of the OLED. With this type of structuring, however, there are limits to creative freedom, since no arbitrary structuring is possible, since, depending on the type of pattern, the OLED can no longer be fully energized. Alternatively, by selectively applying an external coupling-out layer, for example an external coupling-out layer, its shape corresponds to the pattern, or by selectively generating scattering centers in the substrate glass, which can comprise glass or plastic, for example.
In verschiedenen Ausführungsformen wird elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement bereitgestellt, das auf einfache und günstige Weise ermöglicht, ein vorgegebenes Muster darzustellen.In various embodiments, electromagnetic radiation emitting device is provided which allows a simple and convenient way to represent a predetermined pattern.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements bereitgestellt, das einfach und günstige durchführbar ist und das auf einfache Weise ermöglicht, ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement bereitzustellen, das ein vorgegebenes Muster darstellen kann.In various embodiments, there is provided a method of fabricating an electromagnetic radiation emitting device that is simple and inexpensive to perform, and that readily allows to provide an electromagnetic radiation emitting device capable of exhibiting a predetermined pattern.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement bereitgestellt. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement weist eine Trägerschicht auf. Eine erste Elektrodenschicht ist über der Trägerschicht ausgebildet. Eine organisch funktionelle Schichtenstruktur mit mehreren Teilschichten ist über der ersten Elektrodenschicht ausgebildet. Eine zweite Elektrodenschicht ist über der organisch funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Eine interne Auskoppelschicht zum Verbessern einer Effizienz des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements ist zwischen zwei der Schichten ausgebildet und die interne Auskoppelschicht ist in lateraler Richtung derart strukturiert ausgebildet, dass von der Auskoppelschicht ein vorgegebenes Muster gebildet ist.In various embodiments, an electromagnetic radiation emitting device is provided. The electromagnetic radiation emitting component has a carrier layer. A first electrode layer is formed over the carrier layer. An organic functional layer structure with a plurality of partial layers is formed over the first electrode layer. A second electrode layer is formed over the organic functional layer structure. An internal coupling-out layer for improving an efficiency of the electromagnetic-radiation-emitting component is formed between two of the layers, and the internal coupling-out layer is structured in a lateral direction such that a predefined pattern is formed by the coupling-out layer.
Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement, beispielsweise eine OLED, beispielsweise eine OLED-Kachel, hat somit kein homogenes sondern ein gemustertes Erscheinungsbild. In anderen Worten wird eine OLED mit einem gezielt ungleichmäßigen Erscheinungsbild geschaffen. Das Muster kann beispielsweise so ausgebildet sein, dass damit ein Signal ausgebbar ist. In anderen Worten kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement für Signage-Applikationen verwendet werden. Alternativ oder zusätzlich kann die OLED für dekorative Zwecke verwendet werden.The electromagnetic radiation emitting device, such as an OLED, for example, an OLED tile, thus has no homogeneous but a patterned appearance. In other words, an OLED is created with a deliberately uneven appearance. The pattern can be designed, for example, so that a signal can be output with it. In other words, the electromagnetic radiation emitting device can be used for signage applications. Alternatively or additionally, the OLED can be used for decorative purposes.
Die Trägerschicht kann beispielsweise Kunststoff oder Glas aufweisen und/oder als Substratglas ausgebildet sein. Die Trägerschicht kann mit der internen Auskoppelschicht versehen werden. Aufgrund der internen Auskoppelschicht erhöht sich in allen Bereichen, in denen die Auskoppelschicht ausgebildet ist, die Menge an von der OLED an die Umgebung abgestrahltem Licht. Durch strukturiertes Aufbringen oder Strukturierung dieser Auskoppelschicht gemäß dem vorgegebenen Muster lässt sich die Menge an abgestrahltem Licht über die Fläche der OLED variieren und somit im Betrieb das vorgegebene Muster nach außen darstellen.The carrier layer may, for example, comprise plastic or glass and / or be formed as a substrate glass. The carrier layer can be provided with the internal decoupling layer. Due to the internal coupling-out layer, the amount of light emitted from the OLED to the surroundings increases in all areas in which the coupling-out layer is formed. By structured application or structuring of this coupling-out layer according to the predetermined pattern, the amount of emitted light can be varied over the area of the OLED and thus represent the predetermined pattern towards the outside during operation.
Durch Verwendung der internen Auskoppelschicht erscheint eine transparente OLED nicht transparent sondern transluzent. Durch die gemusterte Gestaltung der internen Auskoppelschicht gemäß dem vorgegebenen Muster ist es möglich, in der transluzenten OLED transparente Bereiche einzubringen, beispielsweise Schriftzüge, Bilder und/oder dekorative Muster. Die interne Auskoppelschicht mit dem vorgegebenen Muster kann sowohl bei im Wesentlichen transparenten OLEDs, bei denen dann das vorgegebene Muster transluzent ist, oder bei im Wesentlichen transluzenten OLEDs, bei denen dann das vorgegebene Muster transparent ist, ausgebildet werden.By using the internal decoupling layer, a transparent OLED does not appear transparent but translucent. The patterned design of the internal coupling-out layer according to the predetermined pattern makes it possible to introduce transparent areas in the translucent OLED, for example lettering, pictures and / or decorative patterns. The internal coupling-out layer with the predetermined pattern can be formed both in the case of essentially transparent OLEDs, in which the given pattern is then translucent, or in the case of essentially translucent OLEDs, in which the predetermined pattern is then transparent.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Muster regelmäßig oder unregelmäßig. Das regelmäßige Muster kann beispielsweise ein dekoratives Muster, beispielsweise ein kariertes, liniertes oder gepunktetes Muster sein. Das unregelmäßige Muster kann beispielsweise ein Schriftzug, ein Bild oder ein Blumenmuster sein. In various embodiments, the pattern is regular or irregular. The regular pattern may be, for example, a decorative pattern, for example a checkered, lined or spotted pattern. The irregular pattern may be, for example, a lettering, a picture or a floral pattern.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind von dem Muster Zeichen gebildet.In various embodiments, characters are formed by the pattern.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind von dem Muster Buchstaben gebildet. Beispielsweise ist von den Buchstaben ein Schriftzug gebildet. Dies ermöglicht, das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement als Signalgeber und/oder Kennzeichen zu verwenden.In various embodiments, letters are formed by the pattern. For example, a lettering is formed by the letters. This makes it possible to use the electromagnetic radiation emitting device as a signal generator and / or license plate.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist von dem Muster ein Bild gebildet.In various embodiments, an image is formed from the pattern.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements bereitgestellt, beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements. Dabei wird die erste Elektrodenschicht über der Trägerschicht ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur mit mehreren Teilschichten wird über der ersten Elektrodenschicht ausgebildet. Die zweite Elektrodenschicht wird über der organisch funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Die interne Auskoppelschicht wird zum Verbessern einer Effizienz des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements über einer der Schichten ausgebildet, so dass die interne Auskoppelschicht nachfolgend zwischen zwei der Schichten ausgebildet ist. Die interne Auskoppelschicht wird in lateraler Richtung derart strukturiert ausgebildet, dass von der Auskoppelschicht ein vorgegebenes Muster gebildet wird.In various embodiments, a method is provided for producing a device emitting electromagnetic radiation, for example the above-described electromagnetic radiation-emitting component. In this case, the first electrode layer is formed over the carrier layer. The organically functional layer structure with several partial layers is formed over the first electrode layer. The second electrode layer is formed over the organic functional layer structure. The internal coupling-out layer is formed to enhance an efficiency of the electromagnetic radiation emitting device over one of the layers so that the internal coupling-out layer is subsequently formed between two of the layers. The internal coupling-out layer is structured in the lateral direction in such a way that a predefined pattern is formed by the coupling-out layer.
Das Strukturieren der internen Auskoppelschicht gemäß dem vorgegebenen Muster ermöglicht, auf einfache und günstige, beispielsweise kostengünstige, Weise das vorgegebene Muster darzustellen und so eine Nachricht und/oder ein Signal abzugeben. Ferner ist ein hohes Maß an gestalterischer Freiheit gegeben. Das vorgegebene Muster kann beispielsweise einen Schriftzug, ein Bild, beispielsweise eine Abbildung, oder ein Leuchtmuster bilden.The structuring of the internal decoupling layer in accordance with the predetermined pattern makes it possible to represent the given pattern in a simple and inexpensive, for example, cost-effective manner and thus to output a message and / or a signal. Furthermore, a high degree of creative freedom is given. The predefined pattern can, for example, form a lettering, an image, for example an image, or a luminous pattern.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die interne Auskoppelschicht strukturiert aufgebracht. Beispielsweise kann als Material für die Auskoppelschicht Glaslot verwendet werden und die interne Auskoppelschicht kann mittels Siebdrucks ausgebildet werden. Alternativ dazu kann ein anderes Druckverfahren zum Ausbilden der internen Auskoppelschicht verwendet werden.In various embodiments, the internal coupling-out layer is applied in a structured manner. For example, glass solder can be used as the material for the coupling-out layer, and the internal coupling-out layer can be formed by means of screen printing. Alternatively, another printing method for forming the internal coupling-out layer may be used.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die interne Auskoppelschicht mittels Siebdrucks ausgebildet, wobei mindestens ein erstes Sieb verwendet wird, dessen Ausnehmungen korrespondierend zu der Form des Musters angeordnet sind. Das erste Sieb kann somit so ausgebildet werden, dass nur in Bereichen, die zu dem vorgegebenen Muster korrespondieren, Ausnehmungen des Siebes gebildet sind. Die Präparation des ersten Siebes ermöglicht, die interne Auskoppelschicht mit dem vorgegebenen Muster, also Bereiche mit und Bereiche ohne Glaslot, aufzudrucken, so dass die leuchtende OLED helle und dunkle Bereiche gemäß dem vorgegebenen Muster darstellt.In various embodiments, the internal decoupling layer is formed by screen printing, using at least a first screen whose recesses are arranged corresponding to the shape of the pattern. The first sieve can thus be formed so that recesses of the sieve are formed only in areas which correspond to the predetermined pattern. The preparation of the first screen makes it possible to print the internal decoupling layer with the predetermined pattern, ie areas with and areas without glass solder, so that the luminous OLED represents light and dark areas according to the given pattern.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird mindestens ein zweites Sieb verwendet, wobei die Ausnehmungen des ersten Siebes und des zweiten Siebes so angeordnet sind, dass sie gemeinsam zu der Form des Musters korrespondierend angeordnet sind. Beispielsweise können das erste und das zweite Sieb nacheinander und/oder nebeneinander verwendet werden.In various embodiments, at least a second screen is used, wherein the recesses of the first screen and the second screen are arranged so that they are arranged together corresponding to the shape of the pattern. For example, the first and second screens may be used sequentially and / or next to each other.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird in einem ersten Siebdruckschritt eine erste Auskoppelteilschicht mit Hilfe des ersten Siebes aufgebracht und in einem zweiten Siebdruckschritt wird eine zweite Auskoppelteilschicht mit Hilfe des zweiten Siebes aufgebracht. Das Glaslot kann somit in mehreren Druckschritten auf die Trägerschicht gebracht werden. Auf diese Weise können einfach Bereiche mit dickeren und dünneren Glaslotdicken ausgebildet werden, die unterschiedliche Auskopplungen des Lichtes aus dem Substratglas und somit eine unterschiedliche Wahrnehmung des Lichtes aus der OLED ermöglichen. Beispielsweise wird in dem ersten Siebdruckschritt die erste Auskoppelteilschicht mit einer ersten Dicke aufgebracht und in dem zweiten Siebdruckschritt wird die zweite Auskoppelteilschicht mit einer zweiten Dicke aufgebracht. Alternativ oder zusätzlich können die Auskoppelteilschichten gleich dick ausgebildet werden und/oder zumindest teilweise einander überlappend ausgebildet werden, wobei dann in dem Überlappungsbereich die resultierende interne Auskoppelschicht eine andere Dicke hat als außerhalb des Überlappungsbereichs. Die interne Auskoppelschicht wird von der ersten und der zweiten Auskoppelteilschicht gebildet.In various embodiments, in a first screen printing step, a first decoupling sublayer is applied by means of the first screen, and in a second screen printing step, a second decoupling sublayer is applied by means of the second screen. The glass solder can thus be brought in several printing steps on the carrier layer. In this way, areas with thicker and thinner glass solder thicknesses can easily be formed, which allow different outcouplings of the light from the substrate glass and thus a different perception of the light from the OLED. For example, in the first screen printing step, the first decoupling sublayer is applied with a first thickness, and in the second screen printing step, the second decoupling sublayer is applied with a second thickness. Alternatively or additionally, the Auskoppelteilschichten can be made the same thickness and / or at least partially formed overlapping each other, in which case in the overlap region, the resulting internal Auskoppelschicht has a different thickness than outside of the overlap region. The internal coupling-out layer is formed by the first and the second coupling-out partial layer.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die interne Auskoppelschicht zunächst flächig aufgebracht und nachfolgend strukturiert. Beispielsweise wird die Auskoppelschicht zunächst ganzflächig und/oder flächig homogen aufgebracht, beispielsweise auf die Trägerschicht. Nachfolgend werden beispielsweise mittels eines Lasers oder in einem Ätzverfahren Bereiche der Auskoppelschicht selektiv entfernt, um so das vorgegebene Muster in der Auskoppelschicht auszubilden.In various embodiments, the internal coupling-out layer is first applied flat and subsequently structured. For example, the decoupling layer is first applied over the whole area and / or areal homogeneously, for example to the carrier layer. Subsequently, for example, by means of a laser or in an etching process, regions of the coupling-out layer are selectively removed, so as to form the predetermined pattern in the coupling-out layer.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die flächig aufgebrachte interne Auskoppelschicht mit Hilfe eines Lasers strukturiert. In various embodiments, the surface-applied internal Auskoppelschicht is patterned using a laser.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Auskoppelschicht von einem Glaslot gebildet.In various embodiments, the decoupling layer is formed by a glass solder.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Auskoppelschicht von einem Polymer gebildet.In various embodiments, the decoupling layer is formed by a polymer.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeigenShow it
1 ein Ausführungsbeispiel eines ersten Schritts eines Verfahrens zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements; 1 an embodiment of a first step of a method for producing a electromagnetic radiation emitting device;
2 ein Ausführungsbeispiel eines zweiten Schritts des Verfahrens zum Herstellen des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements; 2 an embodiment of a second step of the method for producing the electromagnetic radiation emitting device;
3 eine Draufsicht auf das elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement nach dem zweiten Schritt gemäß 2; 3 a plan view of the electromagnetic radiation emitting device after the second step according to 2 ;
4 eine Schnittdarstellung des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements; 4 a sectional view of the electromagnetic radiation emitting device;
5 ein Ausführungsbeispiel eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements; 5 an embodiment of an electromagnetic radiation emitting device;
6 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eine elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements; 6 a flowchart of an embodiment of a method for producing a electromagnetic radiation emitting device;
7 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Ausbilden einer internen Auskoppelschicht. 7 a flowchart of an embodiment of a method for forming an internal coupling-out layer.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen, ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.An electromagnetic radiation emitting device may be in various embodiments, a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as an electromagnetic radiation emitting diode, as an organic electromagnetic radiation emitting diode, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor be educated. The radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light. In this context, the electromagnetic radiation emitting device may be formed, for example, as a light emitting diode (LED) as an organic light emitting diode (OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor. The light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement wird in dieser Beschreibung auch kurz als Bauelement bezeichnet. Die elektromagnetische Strahlung wird in dieser Beschreibung auch kurz als Strahlung bezeichnet.The electromagnetic radiation-emitting component is also referred to in this description as a component. The electromagnetic radiation is also referred to in this description as radiation.
Unter dem Begriff „transluzent” bzw. „transluzente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Strahlung durchlässig ist, beispielsweise für die von dem Bauelement erzeugte Strahlung, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise kann unter dem Begriff „transluzente Schicht” in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise der Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kannThe term "translucent" or "translucent layer" may in various embodiments be understood to mean that a layer is permeable to radiation, for example for the radiation generated by the component, for example one or more wavelength ranges, for example for light in a wavelength range of the visible Light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). By way of example, the term "translucent layer" in various exemplary embodiments may be understood to mean that substantially all the light quantity coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure (for example the layer), a portion of the light being scattered in this case can
Unter dem Begriff „transparent” oder „transparente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise der Schicht) ausgekoppelt wird.In various embodiments, the term "transparent" or "transparent layer" can be understood as meaning that a layer is permeable to light (for example at least in a subregion of the wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein a structure (for example a layer) coupled light substantially without scattering or light conversion from the structure (for example, the layer) is coupled out.
Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist.In the event, for example, that a light-emitting monochrome or emission-limited electronic component is to be provided, it is sufficient for the optically translucent layer structure to be translucent at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochromatic light or for the limited emission spectrum.
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines ersten Schritts eines Verfahren zum Herstellen eines Bauelements 10. Insbesondere zeigt 1 eine Schnittdarstellung von Komponenten eines Ausführungsbeispiels des Bauelementes 10. Das Bauelement 10 weist eine Trägerschicht 12 auf. Die Trägerschicht 12 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann die Trägerschicht 12 Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann die Trägerschicht 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Trägerschicht 12 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen. Die Trägerschicht 12 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches. Die Trägerschicht 12 kann als Metallfolie oder metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgeführt sein. 1 shows an embodiment of a first step of a method of manufacturing a device 10 , In particular shows 1 a sectional view of components of an embodiment of the device 10 , The component 10 has a carrier layer 12 on. The carrier layer 12 For example, it can serve as a support element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. For example, the carrier layer 12 Glass, quartz and / or a semiconductor material or be formed therefrom. Furthermore, the carrier layer 12 comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP). Further, the plastic may include or be formed from polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN). The carrier layer 12 may comprise one or more of the above substances. The carrier layer 12 may include or be formed from a metal or metal compound, for example copper, silver, gold, platinum or the like. The carrier layer 12 may be formed as a metal foil or metal-coated foil. The carrier 12 can be translucent or transparent.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Bauelement 10 als Top- und/oder Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.In various embodiments, the device 10 be set up as a top and / or bottom emitter. A top and bottom emitter can also be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode.
Auf oder über der Trägerschicht 12 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen optional eine nicht dargestellte Barriereschicht ausgebildet werden. Die Barriereschicht kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die Barriereschicht in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.On or above the carrier layer 12 Optionally, a barrier layer, not shown, can be formed in various exemplary embodiments. The barrier layer may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof. Further, in various embodiments, the barrier layer may have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm ,
Über der Trägerschicht 12 wird eine interne Auskoppelschicht 14 ausgebildet. Die interne Auskoppelschicht 14 wird beispielsweise flächig geschlossen auf der Trägerschicht 12 ausgebildet. Die interne Auskoppelschicht 14 kann beispielsweise in einem Siebdruckverfahren auf die Trägerschicht 12 aufgebracht werden. Die interne Auskoppelschicht 14 dient dazu, die Licht-Auskopplung aus dem Bauelement 10 zu erhöhen. Dabei wird Licht ausgekoppelt, das in einem nachfolgend näher erläuterten elektrisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelementes geführt wird, beispielsweise in einer nachfolgend näher erläuterten organisch funktionellen Schichtenstruktur und/oder Elektrodenschicht. Die interne Auskoppelschicht 14 kann beispielsweise Glaslot aufweisen oder aus Glaslot gebildet sein. Die interne Auskoppelschicht 14 kann beispielsweise als Streuschicht ausgebildet werden. Die Streuschicht kann eine Matrix aus einem Polymer aufweisen, in der Streuzentren verteilt sind. Die Matrix kann beispielsweise einen Brechungsindex von ungefähr 1,5 aufweisen. Die Streuzentren können einen höheren, Brechungsindex als die Matrix aufweisen. Das Stoffgemisch aus Matrix und Streuzentren kann beispielsweise in einem nasschemischen Verfahren aufgebracht werden.Over the carrier layer 12 becomes an internal decoupling layer 14 educated. The internal coupling-out layer 14 For example, it is closed flat on the carrier layer 12 educated. The internal coupling-out layer 14 For example, in a screen printing process on the carrier layer 12 be applied. The internal coupling-out layer 14 serves to the light extraction from the device 10 to increase. Here, light is coupled out, which is guided in an electrically active region of the optoelectronic component explained in more detail below, for example in an organic functional layer structure and / or electrode layer explained in more detail below. The internal coupling-out layer 14 may for example have glass solder or be formed from glass solder. The internal coupling-out layer 14 can be formed for example as a scattering layer. The scattering layer can have a matrix of a polymer in which scattering centers are distributed. For example, the matrix may have a refractive index of about 1.5. The scattering centers may have a higher refractive index than the matrix. The mixture of matrix and scattering centers can be applied, for example, in a wet-chemical process.
2 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines zweiten Schritts des Verfahrens zum Herstellen des Bauelements 10, bei dem die interne Auskoppelschicht 14 in lateraler Richtung, also parallel zu einer Oberfläche der Trägerschicht 12, auf der die interne Auskoppelschicht 14 ausgebildet ist, gemäß einem vorgegebenen Muster strukturiert wird. Insbesondere weist die interne Auskoppelschicht 14 mehrere Ausnehmungen 15 auf. Die Ausnehmungen 15 bilden gemeinsam das vorgegebene Muster. Die Ausnehmungen 15 erstrecken sich durch die gesamte interne Auskoppelschicht 14 hindurch. Alternativ dazu können sich die Ausnehmungen 15 auch nur durch einen Teil der internen Auskoppelschicht 14 hindurch erstrecken. Beispielsweise kann die interne Auskoppelschicht 14 im Bereich der Ausnehmungen 15 eine geringere Dicke aufweisen als außerhalb der Ausnehmungen 15. Die in dem ersten Schritt flächig geschlossen aufgebrachte interne Auskoppelschicht 14 kann beispielsweise mit Hilfe eines Lasers oder in einem Ätzverfahren lateral strukturiert werden. Alternativ dazu kann die interne Auskoppelschicht 14 direkt strukturiert auf die Trägerschicht 14 aufgebracht werden. Beispielsweise kann die Trägerschicht 14 in einem Siebdruckverfahren aufgebracht werden, wobei Ausnehmungen des dabei verwendeten Siebes gemäß dem vorgegebenen Muster ausgebildet und/oder angeordnet sind. 2 shows an embodiment of a second step of the method for manufacturing the device 10 in which the internal coupling-out layer 14 in the lateral direction, ie parallel to a surface of the carrier layer 12 on which the internal decoupling layer 14 is formed, is structured according to a predetermined pattern. In particular, the internal coupling-out layer has 14 several recesses 15 on. The recesses 15 together form the given pattern. The recesses 15 extend through the entire internal coupling-out layer 14 therethrough. Alternatively, the recesses may be 15 also only by a part of the internal decoupling layer 14 extend through. For example, the internal coupling-out layer 14 in the area of the recesses 15 have a smaller thickness than outside of the recesses 15 , The area in the first step closed closed applied internal Auskoppelschicht 14 For example, it can be structured laterally with the aid of a laser or in an etching process. Alternatively, the internal coupling-out layer 14 directly structured on the carrier layer 14 be applied. For example, the carrier layer 14 be applied in a screen printing process, wherein recesses of the screen used in this case are formed and / or arranged according to the predetermined pattern.
3 zeigt eine Draufsicht auf das Bauelement 10 gemäß 2. Aus 3 ist ersichtlich, dass die Ausnehmungen 15 und somit das vorgegebene Muster Zeichen, insbesondere Buchstaben, insbesondere einen Schriftzug zeigen. Alternativ dazu können andere Zeichen, Buchstaben oder Schriftzüge von dem vorgegebenen Muster gebildet sein. Ferner können Bilder oder dekorative Muster von dem vorgegebenen Muster gebildet sein. Das vorgegebene Muster kann beispielsweise regelmäßig oder unregelmäßig ausgebildet sein. 3 shows a plan view of the device 10 according to 2 , Out 3 it can be seen that the recesses 15 and thus the given pattern characters, especially letters, in particular a lettering show. Alternatively, other characters, letters or lettering may be formed from the given pattern. Further, images or decorative patterns may be formed from the given pattern. The predetermined pattern may be formed, for example, regularly or irregularly.
4 zeigt das im Vorhergehenden erläuterte Bauelement 10 nach mehreren weiteren Schritten des Verfahrens zum Herstellen des Bauelements 10. Auf oder über der internen Auskoppelschicht 14 ist der elektrisch aktive Bereich des Bauelements 10 ausgebildet. Der elektrisch aktive Bereich ist der Bereich des Bauelements 10, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des Bauelements 10 fließt. Der elektrisch aktive Bereich weist eine erste Elektrodenschicht 16, eine zweite Elektrodenschicht 20 und eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 18 auf. 4 shows the device explained above 10 after several further steps of the method of manufacturing the device 10 , On or above the internal decoupling layer 14 is the electrically active region of the device 10 educated. The electrically active region is the region of the device 10 in which an electric current is used to operate the device 10 flows. The electrically active region has a first electrode layer 16 , a second electrode layer 20 and an organic functional layer structure 18 on.
Das Material der ersten Elektrodenschicht 16 kann ganz oder teilweise die Ausnehmungen 15 füllen (nicht dargestellt) und/oder in den Ausnehmungen 15 zumindest teilweise auf oder über der Trägerschicht 12 ausgebildet sein (nicht dargestellt). In anderen Worten kann sich beim Ausbilden der ersten Elektrodenschicht 16 ein Teil des Materials der ersten Elektrodenschicht 16 auf der Trägerschicht 12 in den Ausnehmungen 15 ablagern. Die erste Elektrodenschicht 16 (im Folgenden auch als untere Elektrodenschicht 16 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. Die erste Elektrodenschicht 16 kann beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe aufweisen. Die erste Elektrodenschicht 16 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.The material of the first electrode layer 16 can completely or partially the recesses 15 fill (not shown) and / or in the recesses 15 at least partially on or above the carrier layer 12 be formed (not shown). In other words, in forming the first electrode layer 16 a part of the material of the first electrode layer 16 on the carrier layer 12 in the recesses 15 deposit. The first electrode layer 16 (Also referred to below as the lower electrode layer 16 can be formed of an electrically conductive material or be, such as a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a stack of layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs. Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO2 or In2O3, ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 or In4Sn3O12 or mixtures of different transparent conductive oxides also belong to the group of TCOs and can be used in various embodiments be used. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped. The first electrode layer 16 For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm, or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances. The first electrode layer 16 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 16 eines oder mehrere der folgenden Stoffe alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrodenschicht 16 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.In various embodiments, the first electrode layer 16 have one or more of the following substances as an alternative or in addition to the above-mentioned substances: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires. Furthermore, the first electrode layer 16 having electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste Elektrodenschicht 16 und die Trägerschicht 12 transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrodenschicht 16 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweis von ungefähr 50 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise von ungefähr 75 nm bis ungefähr 150 nm. Die erste Elektrodenschicht 16 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrodenschicht. Die erste Elektrodenschicht 16 kann einen nicht dargestellten ersten elektrischen Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt), beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an die Trägerschicht 12 angelegt werden und darüber dann mittelbar an die erste Elektrodenschicht 16 angelegt werden. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.In various embodiments, the first electrode layer 16 and the carrier layer 12 be formed translucent or transparent. The first electrode layer 16 For example, it may have a layer thickness in a range from about 10 nm to about 500 nm, for example from about 50 nm to about 250 nm, for example from about 75 nm to about 150 nm. The first electrode layer 16 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode layer. The first electrode layer 16 may comprise a first electrical contact pad, not shown, to which a first electrical potential (provided by a power source (not shown), for example a current source or a voltage source) can be applied. Alternatively, the first electrical potential to the carrier layer 12 be created and above then indirectly to the first electrode layer 16 be created. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
Weiterhin weist der elektrisch aktive Bereich des Bauelements 10 die organisch funktionelle Schichtenstruktur 18 auf, die auf oder über der ersten Elektrodenschicht 16 ausgebildet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten (auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en)). Alternativ oder zusätzlich können eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en)) vorgesehen sein. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem Bauelement 10 für die Emitterschicht(en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z. B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating), abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.Furthermore, the electrically active region of the component 10 the organic functional layer structure 18 on, on or above the first electrode layer 16 is trained. The organic functional layer structure 18 may comprise one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-line layers (also referred to as hole-transport layer (s)). Alternatively or additionally, one or more electron conduction layers (also referred to as electron transport layer (s)) may be provided. Examples of emitter materials used in the device 10 for the emitter layer (s) may include organic or organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (e.g., 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as metal complexes such as iridium complexes as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescing Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 · 2 (PF6) (tris [4,4'-di-tert-butyl- (2,2 ') -bipyridine] ruthenium (III) complex) and blue fluorescent DPAVBi (4, 4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4 Dicyanomethylene) -2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited in particular by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating). The emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht(en) des Bauelements 10 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das Bauelement 10 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht(en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.The emitter materials of the emitter layer (s) of the device 10 For example, may be selected so that the device 10 White light emitted. The emitter layer (s) may comprise a plurality of emitter materials emitting different colors (for example blue and yellow or blue, green and red), alternatively the emitter layer (s) may also be composed of several sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter layer and a red phosphorescent emitter layer. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die elektrolumineszenten Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.The organic functional layer structure 18 may generally comprise one or more electroluminescent layers. The electroluminescent layers may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these substances. For example, the organic functional layer structure 18 have one or more electroluminescent layers, which are designed as a hole transport layer, so that, for example in the case of an OLED, an effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
Alternativ kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. Die mehreren elektrolumineszenten Schichten können als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. Die Lochtransportschicht kann auf oder über der ersten Elektrodenschicht 16 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht kann auf oder über der Lochtransportschicht aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann auf oder über der Emitterschicht aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.Alternatively, the organic functional layer structure 18 have one or more functional layers, which are designed as an electron transport layer, so that, for example, in an OLED effective electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible. As the material for the hole transport layer, for example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polythylendioxythiophen can be used. The plurality of electroluminescent layers may be embodied as an electroluminescent layer. The hole transport layer may be on or above the first electrode layer 16 may be applied, for example deposited, and the emitter layer may be applied to or over the hole transport layer, for example deposited. The electron transport layer may be deposited on or over the emitter layer, for example deposited.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 3 μm, beispielsweise von 300 nm bis ungefähr 1 μm, beispielsweise von ungefähr 500 nm bis ungefähr 800 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 18 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten Leuchtdioden aufweisen.The organic functional layer structure 18 For example, it may have a layer thickness in a range of about 100 nm to about 3 μm, for example, from 300 nm to about 1 μm, for example, from about 500 nm to about 800 nm. In various embodiments, the organic functional layer structure 18 For example, have a stack of several directly stacked organic light-emitting diodes. In various embodiments, the organic functional layer structure 18 For example, have a stack of two, three or four directly superposed LEDs.
Das Bauelement 10 kann optional weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en) aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des Bauelements 10 zu verbessern. The component 10 Optionally, further organic functional layers, for example disposed on or over the one or more emitter layers, or on or above the electron transport layer (s) serve to enhance the functionality and thus the efficiency of the device 10 to improve.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 18 kann die zweite Elektrodenschicht 20 aufgebracht sein. Die zweite Elektrodenschicht 20 kann beispielsweise der ersten Elektrodenschicht 16 entsprechend oder ähnlich wie diese ausgebildet sein. Die zweite Elektrodenschicht 20 kann als Anode, also als locherinjizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrodenschicht. Die zweite Elektrodenschicht 20 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential), bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.On or above the organic functional layer structure 18 may be the second electrode layer 20 be upset. The second electrode layer 20 For example, the first electrode layer 16 according to or similar to how they are formed. The second electrode layer 20 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode layer. The second electrode layer 20 may comprise a second electrical connection to which a second electrical potential (which is different from the first electrical potential) provided by the energy source, can be applied. For example, the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrodenschicht 16 und die zweite Elektrodenschicht 20 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Das Bauelement 10 kann als Top- und Bottom-Emitter oder als transparentes Bauelement 10 ausgebildet sein.In various embodiments, the first electrode layer 16 and the second electrode layer 20 both translucent or transparent. The component 10 can be used as a top and bottom emitter or as a transparent component 10 be educated.
Auf oder über der zweiten Elektrodenschicht 20 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional noch eine Verkapselungsschicht 22, beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung gebildet werden oder sein.On or above the second electrode layer 20 and thus on or above the electrically active region may optionally be an encapsulation layer 22 , For example, be formed or be in the form of a barrier thin layer / thin-layer encapsulation.
Unter einer „Barrierendünnschicht” bzw. einer „Dünnschichtverkapselung” kann beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Verkapselungsschicht 22 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.A "barrier thin layer" or a "thin-layer encapsulation" may, for example, be understood as meaning a layer or a layer structure which is suitable for forming a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. In other words, the encapsulation layer 22 designed such that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvent or at most very small proportions.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsschicht 22 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Verkapselungsschicht 22 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Verkapselungsschicht 22 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 22 oder eine oder mehrere Teilschichten der Verkapselungsschicht 22 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z. B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Ausgestaltung, z. B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z. B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Verkapselungsschicht 22, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat” bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Verkapselungsschicht 22, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Verkapselungsschicht 22 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens.According to one embodiment, the encapsulation layer 22 be formed as a single layer (in other words, as a single layer). According to an alternative embodiment, the encapsulation layer 22 have a plurality of sub-layers formed on each other. In other words, according to one embodiment, the encapsulation layer 22 be formed as a layer stack (stack). The encapsulation layer 22 or one or more sub-layers of the encapsulation layer 22 can be formed, for example, by means of a suitable deposition process, for. Example by means of a Atomschichtabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) according to an embodiment, for. A plasma-enhanced atomic layer deposition process (PEALD) or a plasma-less atomic layer deposition process (PLALD), or by means of a chemical vapor deposition (CVD) process according to another embodiment, e.g. , A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or plasma-less chemical vapor deposition (PLCVD) process, or alternatively by other suitable deposition techniques. By using an atomic layer deposition process (ALD) very thin layers can be deposited. In particular, layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region. According to one embodiment, in the case of an encapsulation layer 22 having multiple sublayers, all sublayers are formed by an atomic layer deposition process. A layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate". According to an alternative embodiment, in the case of an encapsulation layer 22 comprising a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the encapsulation layer 22 be deposited by a deposition method other than an atomic layer deposition method, for example, by a vapor deposition method.
Die Verkapselungsschicht 22 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Verkapselungsschicht 22 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Verkapselungsschicht 22 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.The encapsulation layer 22 According to one embodiment, it may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment, for example about 40 nm according to an embodiment. According to an embodiment, wherein the encapsulation layer 22 has multiple sub-layers, all sub-layers may have the same layer thickness. According to another embodiment, the individual partial layers of the encapsulation layer 22 have different layer thicknesses. In other words, at least one of the partial layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.
Die Verkapselungsschicht 22 oder die einzelnen Teilschichten der Verkapselungsschicht 22 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Verkapselungsschicht 22 aus transluzenten oder transparenten Material bestehen. The encapsulation layer 22 or the individual sublayers of the encapsulation layer 22 may be formed according to an embodiment as a translucent or transparent layer. In other words, the encapsulation layer 22 made of translucent or transparent material.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Verkapselungsschicht 22 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Verkapselungsschicht 22 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Verkapselungsschicht 22 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein Material mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.According to one embodiment, the encapsulation layer 22 or (in the case of a layer stack having a plurality of sub-layers) one or more of the sub-layers of the encapsulation layer 22 alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof. In various embodiments, the encapsulation layer 22 one or more high refractive index materials, in other words a material with a high refractive index, for example with a refractive index of at least 2.
Optional kann über der Verkapselungsschicht 22 eine Abdeckung 26 ausgebildet sein, die nachfolgend mit Bezug zu 5 näher erläutert wird.Optionally, over the encapsulation layer 22 a cover 26 be trained, with reference to 5 is explained in more detail.
5 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend dem in 4 gezeigten Bauelement 10 entsprechen kann. Das Bauelement 10 weist zusätzlich zu der internen Auskoppelschicht 14 eine weitere interne Auskoppelschicht 24 über der Verkapselungsschicht 22 auf. Alternativ dazu kann die weitere interne Auskoppelschicht 24 anstatt der internen Auskoppelschicht 14 ausgebildet sein. Ansonsten kann die weitere interne Auskoppelschicht 24 gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten internen Auskoppelschicht 14 ausgebildet werden oder sein. Insbesondere kann die weitere interne Auskoppelschicht 24 alternativ oder zusätzlich zu der internen Auskoppelschicht 14 die Ausnehmungen 15 aufweisen und in lateraler Richtung strukturiert das vorgegebene Muster oder ein weiteres vorgegebenes Muster bilden. 5 shows an embodiment of a device 10 , which for example largely corresponds to the in 4 shown component 10 can correspond. The component 10 indicates in addition to the internal decoupling layer 14 another internal decoupling layer 24 above the encapsulation layer 22 on. Alternatively, the further internal coupling-out layer 24 instead of the internal decoupling layer 14 be educated. Otherwise, the further internal decoupling layer 24 according to an embodiment of the above-explained internal Auskoppelschicht 14 be trained or be. In particular, the further internal coupling-out layer 24 alternatively or in addition to the internal coupling-out layer 14 the recesses 15 and structured in the lateral direction to form the predetermined pattern or another predetermined pattern.
Optional kann über der weiteren internen Auskoppelschicht 24 eine Abdeckung 26 ausgebildet sein. Die Abdeckung 26 kann beispielsweise Glas aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ dazu kann die Abdeckung 26 beispielsweise eine Metallfolie 26 oder eine abgedichtete Kunststofffolie aufweisen oder davon gebildet sein.Optionally, over the further internal coupling-out layer 24 a cover 26 be educated. The cover 26 For example, it may comprise or be formed from glass. Alternatively, the cover 26 for example, a metal foil 26 or comprise or be formed from a sealed plastic film.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der weiteren internen Auskoppelschicht 24 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack vorgesehen sein, mittels dessen die Abdeckung 26 auf der weiteren internen Auskoppelschicht 24 befestigt, beispielsweise aufgeklebt, ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack eine Schichtdicke von größer als 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als Kleberschicht) können lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. Als lichtstreuende Partikel können beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, wie beispielsweise Metalloxide wie z. B. Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Oa) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.In various embodiments, on or above the further internal coupling-out layer 24 an adhesive and / or a protective lacquer may be provided, by means of which the cover 26 on the further internal decoupling layer 24 attached, for example, glued, is. In various embodiments, the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer may have a layer thickness of greater than 1 .mu.m, for example, a layer thickness of several microns. In various embodiments, the adhesive may include or be a lamination adhesive. In the layer of the adhesive (also referred to as the adhesive layer), light-scattering particles can be embedded, which can lead to a further improvement of the color angle distortion and the coupling-out efficiency. As light-scattering particles, for example, dielectric scattering particles can be provided, such as metal oxides such. For example, silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 Oa) alumina, or titanium oxide. Other particles may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrodenschicht 20 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μm, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.In various embodiments, between the second electrode layer 20 and the layer of adhesive and / or protective lacquer an electrically insulating layer (not shown) are applied or be, for example SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 microns, for example, with a layer thickness in a range from about 500 nm to about 1 μm to protect electrically unstable materials, for example, during a wet chemical process.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart ausgebildet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 26. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Abdeckung 26 und/oder der Klebstoff einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.In various embodiments, the adhesive may be formed such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the cover 26 , Such an adhesive may, for example, be a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. For example, in one embodiment, an adhesive may be a high refractive index adhesive having, for example, high refractive non-diffusing particles and an average refractive index approximately equal to the average refractive index of the organic functional layer structure, for example, in a range of about 1.7 to about 2.0. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence. In various embodiments, the cover may / may 26 and / or the adhesive has a refractive index (for example at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
Alternativ kann auf den Klebstoff verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 26, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die weitere interne Auskoppelschicht 24 aufgebracht wird. Alternatively, the adhesive can be dispensed with, for example in embodiments in which the cover 26 For example, glass, for example, by plasma spraying on the other internal coupling-out layer 24 is applied.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der Verkapselungsschicht 22) in dem Bauelement 10 vorgesehen sein.Furthermore, in various exemplary embodiments, one or more antireflection coatings (for example combined with the encapsulation layer 22 ) in the device 10 be provided.
6 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelements 10, beispielsweise eines der im Vorhergehenden erläuterten Bauelemente 10. 6 shows a flowchart of an embodiment of a method for manufacturing a device 10 , For example, one of the above-mentioned components 10 ,
In einem Schritt S2 wird eine Trägerschicht bereitgestellt, beispielsweise die im Vorhergehenden erläutert Trägerschicht 12. Beispielsweise wird die Trägerschicht 12 ausgebildet.In a step S2, a carrier layer is provided, for example the carrier layer explained above 12 , For example, the carrier layer 12 educated.
In einem Schritt S4 wird eine interne Auskoppelschicht ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte interne Auskoppelschicht 14. Die interne Auskoppelschicht 14 wird über der Trägerschicht 12 ausgebildet, beispielsweise direkt auf der Trägerschicht 12. Die interne Auskoppelschicht 14 kann in einem oder mehreren Arbeitsschritten ausgebildet werden. Beispielsweise kann die interne Auskoppelschicht 14 in einem Siebdruckverfahren ausgebildet werden.In step S4, an internal decoupling layer is formed, for example the internal decoupling layer explained above 14 , The internal coupling-out layer 14 is over the carrier layer 12 formed, for example, directly on the carrier layer 12 , The internal coupling-out layer 14 can be formed in one or more steps. For example, the internal coupling-out layer 14 be formed in a screen printing process.
In einem Schritt S6 wird eine erste Elektrodenschicht ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte erste Elektrodenschicht 16. Die erste Elektrodenschicht 16 wird über der internen Auskoppelschicht 14 ausgebildet, beispielsweise direkt auf der internen Auskoppelschicht 14.In a step S6, a first electrode layer is formed, for example the first electrode layer explained above 16 , The first electrode layer 16 is over the internal decoupling layer 14 formed, for example, directly on the internal coupling-out layer 14 ,
In einem Schritt S8 wird eine organisch funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte organisch funktionelle Schichtenstruktur 18. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 18 wird über der ersten Elektrodenschicht 16 ausgebildet, beispielsweise direkt auf der ersten Elektrodenschicht 16. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 18 kann mehrere Teilschichten aufweisen, die in entsprechenden Teilschritten ausgebildet werden können.In step S8, an organically functional layer structure is formed, for example the organic functional layer structure explained above 18 , The organic functional layer structure 18 becomes over the first electrode layer 16 formed, for example, directly on the first electrode layer 16 , The organic functional layer structure 18 can have several sub-layers, which can be formed in corresponding sub-steps.
In einem Schritt S10 wird eine zweite Elektrodenschicht ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte zweite Elektrodenschicht 20. Die zweite Elektrodenschicht 20 wird über der organisch funktionellen Schichtenstruktur 18 ausgebildet, beispielsweise direkt auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur 18.In a step S10, a second electrode layer is formed, for example the second electrode layer explained above 20 , The second electrode layer 20 becomes over the organically functional layer structure 18 formed, for example, directly on the organic functional layer structure 18 ,
In einem Schritt S12 wird eine Verkapselungsschicht 22 ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte Verkapselungsschicht 22. Die Verkapselungsschicht 22 wird über der zweiten Elektrodenschicht 20 ausgebildet, beispielsweise direkt auf der zweiten Elektrodenschicht 20.In a step S12 becomes an encapsulation layer 22 formed, for example, the above-described encapsulation layer 22 , The encapsulation layer 22 becomes over the second electrode layer 20 formed, for example, directly on the second electrode layer 20 ,
Optional können noch weitere Schichten ausgebildet werden. Beispielsweise können zwischen der Trägerschicht 12 und der internen Auskoppelschicht 14 und/oder zwischen der internen Auskoppelschicht 14 und der ersten Elektrodenschicht 16 eine, zwei oder mehr Zwischenschichten, beispielsweise Barriereschichten ausgebildet sein. Ferner kann über der Verkapselungsschicht 22 ein Abdeckkörper, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterte Abdeckkörper 26, angeordnet sein, der beispielsweise mittels einer Haftmittelschicht auf der Verkapselungsschicht 22 befestigt sein kann.Optionally, further layers can be formed. For example, between the carrier layer 12 and the internal decoupling layer 14 and / or between the internal coupling-out layer 14 and the first electrode layer 16 one, two or more intermediate layers, for example, barrier layers may be formed. Furthermore, over the encapsulation layer 22 a cover body, for example, the cover body explained above 26 be arranged, for example, by means of an adhesive layer on the encapsulation layer 22 can be attached.
Ferner kann alternativ oder zusätzlich zu der internen Auskoppelschicht 14 zwischen der Trägerschicht 12 und der ersten Elektrodenschicht 16 die weitere interne Auskoppelschicht 24 über der Verkapselungsschicht 22 und gegebenenfalls unter dem Abdeckkörper 26 ausgebildet werden. Ferner können auch zwischen anderen der genannten Schichten zusätzliche oder alternative interne Auskoppelschichten mit vorgegebenen Mustern ausgebildet sein.Furthermore, as an alternative or in addition to the internal coupling-out layer 14 between the carrier layer 12 and the first electrode layer 16 the further internal decoupling layer 24 above the encapsulation layer 22 and optionally under the cover body 26 be formed. Furthermore, additional or alternative internal coupling-out layers with predetermined patterns can also be formed between other of the layers mentioned.
7 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Ausbilden einer internen Auskoppelschicht, beispielsweise einer der im Vorhergehenden erläuterten internen Auskoppelschichten 14. Insbesondere wird bei diesem Verfahren die interne Auskoppelschicht 14 in zwei oder mehr Schritten ausgebildet. Das Verfahren kann beispielsweise im Zuge des Schrittes S4 des im Vorhergehenden erläuterten Verfahrens abgearbeitet werden. Beispielsweise kann die interne Auskoppelschicht 14 in einem Siebdruckverfahren ausgebildet werden, wobei das Siebdruckverfahren in zwei oder mehr Schritten durchgeführt wird. Beispielsweise kann in einem Schritt S14 mit Hilfe eines ersten Siebes eine erste interne Auskoppelteilschicht ausgebildet werden und in einem Schritt S16 kann mit Hilfe eines zweiten Siebes eine zweite interne Auskoppelteilschicht ausgebildet werden. Das erste Sieb kann zu einem ersten Teil des vorgegebenen Musters korrespondierend ausgebildet sein und das zweite Sieb kann zu einem zweiten Teil des vorgegebenen Musters korrespondierend ausgebildet sein. Die erste und die zweite Auskoppelteilschicht können übereinander und/oder nebeneinander ausgebildet sein. Beispielsweise können die erste und die zweite Auskoppelteilschicht einander überlappen. In einem Bereich, in dem die erste und die zweite Auskoppelteilschicht übereinander ausgebildet sind, kann die interne Auskoppelschicht 14 dicker ausgebildet sein als in einem Bereich, in dem die erste und die zweite interne Auskoppelteilschicht nicht übereinander ausgebildet sind. Alternativ oder zusätzlich können die erste und die zweite Auskoppelteilschicht unterschiedlich dick ausgebildet werden. Im Betrieb des Bauelements 10 können die unterschiedlichen Dicken der internen Auskoppelschicht 14 dazu führen, dass das Bauelement 10 in dem Bereich, in dem der erste und der zweite Teil der internen Auskoppelschicht 14 übereinander ausgebildet sind und/oder die Auskoppelteilschichten unterschiedliche Dicken aufweisen ein anderes Erscheinungsbild hat als in dem Bereich, in dem der erste und der zweite Teil der internen Auskoppelschicht 14 nicht übereinander ausgebildet sind bzw. die Auskoppelschichten nebeneinander angeordnet sind und gleiche Dicken aufweisen, was dazu beitragen kann, das vorgegebene Muster auszubilden. 7 shows a flowchart of an embodiment of a method for forming an internal decoupling layer, for example, one of the above-explained internal Auskoppelschichten 14 , In particular, in this method, the internal coupling-out layer 14 formed in two or more steps. The method can be processed, for example, in the course of step S4 of the method explained above. For example, the internal coupling-out layer 14 be formed in a screen printing process, wherein the screen printing process is carried out in two or more steps. For example, in a step S14, a first internal decoupling sublayer can be formed with the aid of a first screen, and in a step S16, a second internal decoupling sublayer can be formed with the aid of a second screen. The first screen may be formed corresponding to a first part of the predetermined pattern and the second screen may be formed corresponding to a second part of the predetermined pattern. The first and second Auskoppelteilschicht can be formed above and / or next to each other. For example, the first and second Auskoppelteilschicht may overlap each other. In a region in which the first and second Auskoppelteilschicht are formed one above the other, the internal Auskoppelschicht 14 thicker than in a region in which the first and the second internal Auskoppelteilschicht are not formed one above the other. Alternatively or additionally, the first and second Auskoppelteilschicht can be formed differently thick. In operation of the device 10 can the different thicknesses of the internal decoupling layer 14 cause the device 10 in the region in which the first and the second part of the internal coupling-out layer 14 formed over each other and / or the Auskoppelteilschichten have different thicknesses has a different appearance than in the area in which the first and the second part of the internal coupling-out layer 14 are not formed on top of each other or the decoupling layers are arranged side by side and have the same thickness, which may help to form the predetermined pattern.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die gezeigten Bauelemente 10 weitere oder weniger Schichten aufweisen. Ferner können die gezeigten Schichten sich lediglich über Teilbereiche der Bauelemente 10 erstrecken, beispielsweise die Anode oder Kathode. Fernern können die gezeigten Verfahren noch weitere, nicht explizit genannte Schritte aufweisen.The invention is not limited to the specified embodiments. For example, the components shown 10 have more or fewer layers. Furthermore, the layers shown can only be distributed over subregions of the components 10 extend, for example, the anode or cathode. In addition, the methods shown can have further, not explicitly mentioned steps.
