Die Erfindung betrifft eine organische Leuchtdiodenvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. The invention relates to an organic light emitting diode device and a method for producing an organic light emitting diode device.
Eine organische Leuchtdiodenvorrichtung kann beispielsweise ein, zwei oder mehr organische Leuchtdioden (OLEDs) oder Teile oder Segmente von organischen Leuchtdioden sein. An organic light emitting diode device may be, for example, one, two or more organic light emitting diodes (OLEDs) or parts or segments of organic light emitting diodes.
Herkömmlicherweise erfolgt bei einem OLED-Display die Separierung beziehungsweise Isolation der Einzelpixel mittels eines Photoresists oder eines Polyimids. In den Photoresist eingekoppeltes Licht, kann zu einem Verlust an Lichtintensität führen. Eine Abschätzung hat ergeben, dass der Verlust an Lichtintensität ja nach Größenverhältnis der Pixel und Höhe des Photoresists oder des Polyimids variiert. Bei einem Display kann der geschätzte Intensitätsverlust im zweistelligen Prozentbereich liegen, beispielsweise bei etwa 10%. Conventionally, in an OLED display, the separation or isolation of the individual pixels by means of a photoresist or a polyimide. Light coupled into the photoresist can result in a loss of light intensity. An estimation has shown that the loss of light intensity varies according to the size ratio of the pixels and height of the photoresist or the polyimide. For a display, the estimated loss of intensity may be in the two-digit percentage range, for example about 10%.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine effiziente und einfach herzustellende organische Leuchtdiodenvorrichtung bereitzustellen. The object of the invention is to provide an efficient and easy to manufacture organic light-emitting diode device.
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine organische Leuchtdiodenvorrichtung, die ein Substrat auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist, aufweist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Reflexionsschicht auf, die auf der Trennstruktur angeordnet ist. Die Reflektivität der Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität der Trennstruktur. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur mit wenigstens einer organischen Schicht auf. Die wenigstens eine organische Schicht erstreckt sich über die gesamte Reflexionsschicht. Durch das Vorhandensein der Reflexionsschicht auf der Trennstruktur kann ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine effiziente Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt. The object is achieved according to an aspect of the invention by an organic light-emitting diode device having a substrate on which a plurality of pixels is formed. Further, the organic light emitting diode device has a separation structure formed between the pixels and on the substrate. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a reflection layer which is arranged on the separation structure. The reflectivity of the reflection layer is higher than the reflectivity of the separation structure. The organic light-emitting diode device furthermore has an organically functional layer structure with at least one organic layer. The at least one organic layer extends over the entire reflection layer. By the presence of the reflection layer on the separation structure, penetration of electromagnetic radiation into the separation structure can be reduced. Thus, losses of light intensity are reduced and an efficient light emitting diode device is provided.
Gemäß einer Weiterbildung weist die Reflexionsschicht ein Metall auf oder ist aus einem Metall gebildet. According to a development, the reflection layer comprises a metal or is formed from a metal.
Gemäß einer Weiterbildung weist die Trennstruktur ein Polyimid auf oder ist aus einem Polyimid gebildet. According to a development, the separation structure comprises a polyimide or is formed from a polyimide.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch eine organische Leuchtdiodenvorrichtung, die ein Substrat aufweist, auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat ausgebildet ist, wobei die Trennstruktur ein Matrixmaterial aufweist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Auskoppelstoff auf, der in oder auf der Trennstruktur angeordnet ist. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher als der Brechungsindex des Matrixmaterials. Durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs in der Trennstruktur, wobei der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher oder niedriger als der Brechungsindex des Matrixmaterials, kann die Auskopplung von elektromagnetische Strahlung aus der Trennstruktur erhöht werden. Ferner kann durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs auf der Trennstruktur ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine effiziente Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt. The object is achieved according to a further aspect of the invention by an organic light-emitting diode device having a substrate on which a plurality of pixels is formed. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a separation structure which is formed between the pixels and on the substrate, wherein the separation structure comprises a matrix material. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a decoupling substance which is arranged in or on the separating structure. The refractive index of the decoupling substance is higher than the refractive index of the matrix material. Due to the presence of a decoupling substance in the separating structure, wherein the refractive index of the decoupling substance is higher or lower than the refractive index of the matrix material, the decoupling of electromagnetic radiation from the separating structure can be increased. Furthermore, the presence of a decoupling substance on the separating structure can reduce the penetration of electromagnetic radiation into the separating structure. Thus, losses of light intensity are reduced and an efficient light emitting diode device is provided.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Matrixmaterial ein Polyimid auf oder ist ein Polyimid. According to a development, the matrix material comprises a polyimide or is a polyimide.
Gemäß einer Weiterbildung weist der Auskoppelstoff Streupartikel auf oder ist aus Streupartikeln gebildet. According to a development, the decoupling substance has scattering particles or is formed from scattering particles.
Gemäß einer Weiterbildung weist jedes Pixel jeweils eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode auf. According to a development, each pixel has in each case a first electrode and a second electrode.
Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Elektrode wenigstens teilweise über der Trennstruktur ausgebildet und eine Isolierschicht ist zwischen der Trennstruktur und der zweiten Elektrode ausgebildet ist. According to a development, the second electrode is formed at least partially over the separation structure and an insulating layer is formed between the separation structure and the second electrode.
Gemäß einer Weiterbildung ist die Trennstruktur wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode ausgebildet. According to a development, the separating structure is at least partially formed on or above the first electrode.
Gemäß einer Weiterbildung erstreckt sich die zweite Elektrode über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur. Dadurch kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode beispielsweise unstrukturiert ausgebildet werden kann. According to a development, the second electrode extends over the plurality of pixels and over the separating structure. As a result, the organic light-emitting diode device can be formed in a simple manner, since the second electrode can be formed, for example, unstructured.
Gemäß einer Weiterbildung ist auf der ersten Elektrode oder auf der zweiten Elektrode wenigstens ein Leiterbahnelement ausgebildet, wobei ein Isolierelement auf dem Leiterbahnelement und der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode ausgebildet ist derart, dass das Isolierelement das Leiterbahnelement vollständig bedeckt. According to a development, at least one conductor track element is formed on the first electrode or on the second electrode, wherein an insulating element is formed on the track element and the first electrode or the second electrode such that the insulating element completely covers the conductor track element.
Gemäß einer Weiterbildung ist eine weitere Reflexionsschicht auf dem Isolierelement ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität des Isolierelements. According to a development, a further reflection layer is formed on the insulating element and the reflectivity of the further reflection layer is higher than the reflectivity of the insulating element.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Isolierelement ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren Auskoppelstoff auf, wobei der weitere Auskoppelstoff auf oder in dem Isolierelement angeordnet ist und, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials. According to a development, the insulating element has a further matrix material and a further decoupling substance, wherein the further decoupling substance is arranged on or in the insulating element and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Trennstruktur zwischen den Pixeln und auf dem Substrat auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Reflexionsschicht auf der Trennstruktur auf. Die Reflektivität der Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität der Trennstruktur. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung wird derart ausgebildet, dass die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine organisch funktionelle Schichtenstruktur mit wenigstens einer organischen Schicht aufweist. Die wenigstens eine organische Schicht wird derart ausgebildet, dass sich die wenigstens eine organische Schicht über die gesamte Reflexionsschicht erstreckt. The object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing an organic light-emitting diode device. The method comprises forming a plurality of pixels on a substrate. Furthermore, the method comprises forming a separation structure between the pixels and on the substrate. Furthermore, the method comprises forming a reflection layer on the separation structure. The reflectivity of the reflection layer is higher than the reflectivity of the separation structure. The organic light emitting diode device is formed such that the organic light emitting diode device has an organic functional layer structure with at least one organic layer. The at least one organic layer is formed such that the at least one organic layer extends over the entire reflection layer.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Reflexionsschicht aus einem Metall gebildet oder die Reflexionsschicht wird derart gebildet wird, dass sie ein Metall aufweist. According to a development, the reflection layer is formed from a metal or the reflection layer is formed such that it comprises a metal.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Trennstruktur aus einem Polyimid gebildet wird oder die Trennstruktur wird derart ausgebildet, dass sie ein Polyimid aufweist. According to a development, the separation structure is formed from a polyimide or the separation structure is formed such that it comprises a polyimide.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Trennstruktur zwischen den Pixeln und auf dem Substrat auf, wobei die Trennstruktur derart ausgebildet wird, dass die Trennstruktur ein Matrixmaterial aufweist. Das Verfahren weist ferner ein Anordnen eines Auskoppelstoffs in oder auf der Trennstruktur auf. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher als der Brechungsindex des Matrixmaterials. The object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing an organic light-emitting diode device. The method comprises forming a plurality of pixels on a substrate. Furthermore, the method comprises forming a separation structure between the pixels and on the substrate, wherein the separation structure is formed such that the separation structure comprises a matrix material. The method further comprises arranging a decoupling substance in or on the separation structure. The refractive index of the decoupling substance is higher than the refractive index of the matrix material.
Gemäß einer Weiterbildung wird das Matrixmaterial aus einem Polyimid gebildet oder das Matrixmaterial wird derart ausgebildet, dass es ein Polyimid aufweist. According to a development, the matrix material is formed from a polyimide or the matrix material is formed such that it comprises a polyimide.
Gemäß einer Weiterbildung wird der Auskoppelstoff aus Streupartikeln gebildet oder der Auskoppelstoff wird derart ausgebildet, dass er Streupartikel aufweist. According to a development of the decoupling material is formed from scattering particles or the decoupling material is formed such that it has scattering particles.
Gemäß einer Weiterbildung wird jedes Pixel derart ausgebildet, dass jedes Pixel jeweils eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist. According to a development, each pixel is formed such that each pixel has a first electrode and a second electrode.
Gemäß einer Weiterbildung wird die zweite Elektrode wenigstens teilweise über der Trennstruktur ausgebildet und eine Isolierschicht wird zwischen der Trennstruktur und der zweiten Elektrode ausgebildet. According to a development, the second electrode is formed at least partially over the separation structure and an insulating layer is formed between the separation structure and the second electrode.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Trennstruktur wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode ausgebildet. According to a development, the separation structure is at least partially formed on or above the first electrode.
Gemäß einer Weiterbildung wird die zweite Elektrode über der Mehrzahl von Pixeln und über der Trennstruktur ausgebildet. According to a development, the second electrode is formed over the plurality of pixels and over the separation structure.
Gemäß einer Weiterbildung wird auf der ersten Elektrode oder auf der zweiten Elektrode wenigstens ein Leiterbahnelement ausgebildet, wobei ein Isolierelement auf dem Leiterbahnelement und der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode ausgebildet wird derart, dass das Isolierelement das Leiterbahnelement vollständig bedeckt. According to a development, at least one conductor element is formed on the first electrode or on the second electrode, wherein an insulating element is formed on the conductor element and the first electrode or the second electrode such that the insulating element completely covers the conductor element.
Gemäß einer Weiterbildung wird eine weitere Reflexionsschicht auf dem Isolierelement ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht ist höher als die Reflektivität des Isolierelements. According to a further development, a further reflection layer is formed on the insulating element and the reflectivity of the further reflection layer is higher than the reflectivity of the insulating element.
Gemäß einer Weiterbildung wird das Isolierelement derart ausgebildet, dass das Isolierelement ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren Auskoppelstoff aufweist, wobei der weitere Auskoppelstoff auf oder in dem Isolierelement angeordnet wird und, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials. According to a development, the insulating element is formed such that the insulating element has a further matrix material and a further decoupling substance, wherein the further decoupling material is arranged on or in the insulating element and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
Es zeigen: Show it:
1 eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Leuchtdiode; 1 a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode;
2a eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 2a a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
2b eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 2 B a schematic plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
3 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 3 a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
4 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 4 a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
5 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 5 a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
6 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 6 a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
7a eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 7a a schematic plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
7b eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 7b a schematic plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
7c eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 7c a schematic plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
8 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 8th a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
9 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 9 a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
10 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; 10 a schematic cross-sectional view of an embodiment of an organic light-emitting diode device;
11 eine Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung; und 11 a flowchart of a method for producing an organic light emitting diode device; and
12 eine Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. 12 a flow diagram of a method for producing an organic light-emitting diode device.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
Eine organische Leuchtdiodenvorrichtung kann ein, zwei oder mehr organische Leuchtdioden aufweisen. Optional kann eine organische Leuchtdiodenvorrichtung auch ein, zwei oder mehr elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Treiberschaltkreis, eine Energiequelle, eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen oder mehrere Transistoren aufweisen. Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen. An organic light emitting diode device may comprise one, two or more organic light emitting diodes. Optionally, an organic light-emitting diode device may also have one, two or more electronic components. An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component. An active electronic component may comprise, for example, a driver circuit, a power source, a computing, control and / or regulating unit and / or one or more transistors. A passive electronic component may, for example, comprise a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
Eine Leuchtdiode kann eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Leuchtdiode, eine anorganische Leuchtdiode und/oder eine organische Leuchtdiode sein. Eine Leuchtdiode kann Teil einer integrierten Schaltung sein. Eine Leuchtdiode kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht emittieren. A light emitting diode may be a semiconductor light emitting diode emitting electromagnetic radiation, an inorganic light emitting diode and / or a be organic light emitting diode. A light emitting diode may be part of an integrated circuit. A light-emitting diode can emit, for example, light in the visible range, UV light and / or infrared light.
Unter dem Begriff „transluzent“ bzw. „transluzente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht oder ein Material für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von der elektromagnetischen Strahlungsquelle erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann. The term "translucent" or "translucent layer" can be understood in various embodiments that a layer or a material is permeable to light, for example for the light generated by the electromagnetic radiation source, for example, one or more wavelength ranges, for example for light in a wavelength range of visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). By way of example, the term "translucent layer" in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that substantially all of the amount of light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer), whereby part of the light can be scattered in this case ,
Unter dem Begriff „transparent“ oder „transparente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. The term "transparent" or "transparent layer" can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light (for example, at least in a subregion of the wavelength range of 380 nm to 780 nm), wherein in a structure (for example, a layer) coupled-in light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer).
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiode 100. Die organische Leuchtdiode 100 kann als ein Flächenbauelement, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle, ausgebildet sein. Die organische Leuchtdiode 100 weist einen Träger 101 auf. Der Träger 101 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 101 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 101 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 101 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 101 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein. Der Träger 101 kann ferner auch als Substrat 101 bezeichnet werden. 1 shows an embodiment of an organic light emitting diode 100 , The organic light-emitting diode 100 may be formed as a surface component, for example as a surface light source. The organic light-emitting diode 100 has a carrier 101 on. The carrier 101 can be translucent or transparent. The carrier 101 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. The carrier 101 For example, plastic, metal, glass, quartz and / or a semiconductor material can have or be formed from it. Furthermore, the carrier can 101 comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The carrier 101 can be mechanically rigid or mechanically flexible. The carrier 101 can also be used as a substrate 101 be designated.
Auf dem Träger 101 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrode 102 auf, wobei die erste Elektrode 102 auf oder über dem Träger 101 ausgebildet ist. Die erste Elektrode 102 kann ferner auch als erste Elektrodenschicht 102 bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 101 und der ersten Elektrodenschicht 102 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die erste Barrieredünnschicht dient dazu, auf dem Träger 101 ausgebildete Elemente vor schädlichen externen Einflüssen, beispielsweise Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit, zu schützen. On the carrier 101 an optoelectronic layer structure is formed. The optoelectronic layer structure has a first electrode 102 on, with the first electrode 102 on or above the vehicle 101 is trained. The first electrode 102 can also be used as the first electrode layer 102 be designated. Between the carrier 101 and the first electrode layer 102 For example, a first barrier layer (not shown), for example a first barrier thin layer, may be formed. The first barrier thin film serves to on the carrier 101 protect trained elements from harmful external influences, such as oxygen and / or moisture.
Die erste Elektrode 102 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 102 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 102 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 102 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 102 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. The first electrode 102 may be formed as an anode or as a cathode. The first electrode 102 can be translucent or transparent. The first electrode 102 has an electrically conductive material, for example, metal and / or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers comprising metals or TCOs. The first electrode 102 For example, a layer stack may comprise a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. The first electrode 102 may alternatively or in addition to the materials mentioned include: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.
Über der ersten Elektrode 102 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 103, der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 103 kann ferner auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet werden. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 103 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 103 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 103 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 103, ferner auch als organisch funktionelle Schichtenstruktur 103, kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Above the first electrode 102 is an optically functional layer structure, for example an organically functional layer structure 103 , the optoelectronic layer structure formed. The organic functional layer structure 103 may also be referred to as organic functional layer structure. The organic functional layer structure 103 For example, it may have one, two or more sublayers. For example, the organically functional layer structure 103 a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves to transport the holes. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure 103 one, two or more functional layer structure units, each having said sub-layers and / or further intermediate layers. The organic functional layer structure 103 , as well as an organic functional layer structure 103 , can be translucent or transparent.
Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 103 ist eine zweite Elektrode 104 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die zweite Elektrode 104 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 102 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 102 und die zweite Elektrode 104 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 102 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 104 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Over the organic functional layer structure 103 is a second electrode 104 the optoelectronic layer structure is formed. The second electrode 104 may according to one of the embodiments of the first electrode 102 be formed, wherein the first electrode 102 and the second electrode 104 may be the same or different. The first electrode 102 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure. The second electrode 104 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic layer structure.
Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. Der optisch aktive Bereich kann ferner auch als lichtemittierender Bereich bezeichnet werden. The optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region. The active region is, for example, the region of the optoelectronic component 100 in which electrical current for operation of the optoelectronic component 100 flows and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed. On or above the active area, a getter structure (not shown) may be arranged. The getter layer can be translucent, transparent or opaque. The getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area. The optically active region may also be referred to as a light emitting region.
Über der zweiten Elektrode 104 ist eine Verkapselungsschicht 105 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die Verkapselungsschicht 105 kann ferner auch als Verkapselung 105 bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 105 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 105 kann auch als Dünnschichtverkapselung 105 bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 105 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 105 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 105 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 101 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 105 ausgebildet sein. Above the second electrode 104 is an encapsulation layer 105 the optoelectronic layer structure is formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure. The encapsulation layer 105 can also be used as encapsulation 105 be designated. The encapsulation layer 105 may be formed as a second barrier layer, for example as a second barrier thin layer. The encapsulation layer 105 Can also be used as thin-film encapsulation 105 be designated. The encapsulation layer 105 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer 105 may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer 105 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide, lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof. Optionally, the first barrier layer on the carrier 101 corresponding to a configuration of the encapsulation layer 105 be educated.
Über der Verkapselungsschicht 105 ist eine Haftmittelschicht (nicht dargestellt) ausgebildet. Die Haftmittelschicht weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Above the encapsulation layer 105 an adhesive layer (not shown) is formed. The adhesive layer has, for example, an adhesive, for example an adhesive, for example a laminating adhesive, a lacquer and / or a resin. The adhesive layer may, for example, comprise particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles.
Über der Haftmittelschicht ist ein Abdeckkörper 106 ausgebildet. Die Haftmittelschicht dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 106 an der Verkapselungsschicht 105. Der Abdeckkörper 106 weist beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 106 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 106 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 100, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 106 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 100 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 106 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 106 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 100 entstehenden Wärme dienen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist der Abdeckkörper 106 wie der Träger 101 ausgebildet. Above the adhesive layer is a cover body 106 educated. The adhesive layer serves to fasten the cover body 106 at the encapsulation layer 105 , The cover body 106 has, for example, plastic, glass and / or metal. For example, the cover body 106 may be formed essentially of glass and a thin metal layer, such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, on the glass body. The cover body 106 serves to protect the conventional optoelectronic device 100 , for example, from mechanical forces from the outside. Furthermore, the cover body 106 serve for distributing and / or dissipating heat, which in the conventional optoelectronic device 100 is produced. For example, the glass of the cover body 106 serve as protection against external influences and the metal layer of the cover body 106 can be used to distribute and / or dissipate during operation of the conventional optoelectronic device 100 serve arising heat. According to one embodiment, the cover body 106 like the carrier 101 educated.
2a zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. 2a shows a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting diode device according to an embodiment.
Eine organische Leuchtdiodenvorrichtung kann eine Mehrzahl von organischen Leuchtdioden 100 aufweisen. Die organischen Leuchtdioden können gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein und sich ein gemeinsames Substrat teilen. Die organischen Leuchtdioden 100 können beispielsweise in Form einer Matrix nebeneinander ausgebildet sein. In 2a ist ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiode dargestellt, die von einer Trennstruktur 210, wie sie weiter unten ausführlich beschrieben ist, umgeben ist. Neben der organischen Leuchtdiode und neben der Trennstruktur 210 können noch weitere organische Leuchtdioden ausgebildet sein, die zur Vereinfachung nicht dargestellt sind. Die organischen Leuchtdioden 100 können sich ferner auch wenigstens eine der oben beschrieben Schichten teilen, beispielsweise indem sich diese Schicht über die Trennstruktur 210 hin zu einer benachbarten organischen Leuchtdiode 100 erstreckt. An organic light emitting diode device may include a plurality of organic light emitting diodes 100 exhibit. The organic light emitting diodes may be the same or different from each other and share a common substrate. The organic light-emitting diodes 100 For example, they may be formed side by side in the form of a matrix. In 2a an embodiment of an organic light-emitting diode is represented by a separation structure 210 , as described in detail below, is surrounded. In addition to the organic light emitting diode and next to the separation structure 210 can be formed even more organic light-emitting diodes, which are not shown for simplicity. The organic light-emitting diodes 100 For example, at least one of the layers described above may also be divided, for example by passing this layer over the separating structure 210 towards an adjacent organic light emitting diode 100 extends.
Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Substrat 201 auf, auf dem eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur 210 auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 201 ausgebildet ist. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Reflexionsschicht 220 auf, die auf der Trennstruktur 210 angeordnet ist. Die Reflektivität der Reflexionsschicht 220 ist höher als die Reflektivität der Trennstruktur 210. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine organisch funktionelle Schichtenstruktur mit wenigstens einer organischen Schicht 203 auf. Die wenigstens eine organische Schicht 203 erstreckt sich über die gesamte Reflexionsschicht 220. Durch das Vorhandensein der Reflexionsschicht 220 auf der Trennstruktur 210 kann ein Eindringen von elektromagnetischer Strahlung in die Trennstruktur 210 verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine effiziente Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt. The organic light emitting diode device has a substrate 201 on which a plurality of pixels are formed. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a separation structure 210 on, between the pixels and on the substrate 201 is trained. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a reflection layer 220 on that on the separation structure 210 is arranged. The reflectivity of the reflection layer 220 is higher than the reflectivity of the separation structure 210 , The organic light-emitting diode device furthermore has an organically functional layer structure with at least one organic layer 203 on. The at least one organic layer 203 extends over the entire reflection layer 220 , Due to the presence of the reflection layer 220 on the separation structure 210 may be an intrusion of electromagnetic radiation into the separation structure 210 be reduced. Thus, losses of light intensity are reduced and an efficient light emitting diode device is provided.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 201 gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Substrats 101 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Substrat 201 eine Mehrzahl von Transistoren, beispielsweise Dünnfilmtransistoren (engl. thin-film transistors TFTs), zum Ansteuern der Mehrzahl der Pixel, auf. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 201 flächig ausgebildet und weist eine Prozessierungsoberfläche auf, wobei auf der Prozessierungsoberfläche die Trennstruktur 210 und die Mehrzahl von Pixeln angeordnet sind. Im Fall, dass das Substrat 201 Dünnfilmtransistoren aufweist, kann das Substrat 201 oder ein Bereich des Substrats 201 als TFT-Ebene bezeichnet werden. Im Betrieb der organischen Leuchtdiodenvorrichtung können die Pixel mit einer nicht dargestellten Treibereinheit so angesteuert werden, dass mittels der organischen Leuchtdiodenvorrichtung ein, zwei oder mehr Bilder, insbesondere eine Bildfolge, beispielsweise ein Film, ein Video oder ein Videospiel optisch darstellbar sind. Die Treibereinheit kann auf oder in dem Substrat 201 ausgebildet sein. Die nicht dargestellte Treibereinheit weist einen elektronischen Schaltkreis auf. Die Treibereinheit weist insbesondere eine nicht dargestellte Betriebszeitsteuerung, eine Datentreibereinheit und eine Gatetreibereinheit auf, mittels denen die Pixel abhängig von darzustellenden Bilddaten angesteuert werden können. Zum Ansteuern der Pixel verändert die Treibereinheit Soll-Werte mindestens einer Ansteuergröße, mittels der die Pixel angesteuert werden. Die Soll-Werte der Ansteuergröße hängen von den Bilddaten ab. Die Bilddaten enthalten die Bildinformation für die darzustellenden Bilder und können beispielsweise mittels einer internen oder externen Recheneinheit eingeben werden. Abhängig von der Ansteuerung der Pixel mittels der Treibereinheit und der entsprechenden Bilddaten emittieren die lichtemittierenden Bauelemente Licht in den unterschiedlichen Farben, wobei mittels Farbmischung des erzeugten Lichts weitere Farben darstellbar sind. According to one embodiment, the substrate 201 according to an embodiment of the substrate described above 101 educated. According to one embodiment, the substrate 201 a plurality of transistors, for example, thin-film transistors (TFTs) for driving the plurality of pixels. According to one embodiment, the substrate 201 formed surface and has a processing surface, wherein on the processing surface, the separation structure 210 and the plurality of pixels are arranged. In the case of the substrate 201 Thin-film transistors, the substrate 201 or an area of the substrate 201 be referred to as TFT level. During operation of the organic light-emitting diode device, the pixels can be driven by a driver unit (not shown) such that one, two or more images, in particular a sequence of images, for example a film, a video or a video game, can be displayed optically by means of the organic light-emitting diode device. The driver unit may be on or in the substrate 201 be educated. The driver unit, not shown, has an electronic circuit. The driver unit has, in particular, an operating time control, not shown, a data driver unit and a gate driver unit, by means of which the pixels can be controlled as a function of image data to be displayed. In order to drive the pixels, the driver unit changes setpoint values of at least one control variable, by means of which the pixels are controlled. The target values of the control variable depend on the image data. The image data contain the image information for the images to be displayed and can be entered, for example, by means of an internal or external arithmetic unit. Depending on the driving of the pixels by means of the driver unit and the corresponding image data, the light-emitting components emit light in the different colors, whereby further colors can be displayed by means of color mixing of the generated light.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist ein Pixel aus der Mehrzahl von Pixeln gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Im Weiteren kann ein Pixel aus der Mehrzahl von Pixeln auch als Einzelpixel oder einzelner Pixel bezeichnet werden. Die Einzelpixel können gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein. Die Mehrzahl der Pixel kann als eine Mehrzahl von nebeneinander ausgebildeten organischen Leuchtdioden betrachtet werden. According to an embodiment, a pixel of the plurality of pixels according to an embodiment described above is the organic light emitting diode 100 educated. Furthermore, a pixel of the plurality of pixels may also be referred to as single pixels or individual pixels. The individual pixels can be the same or different from each other. The plurality of pixels may be considered as a plurality of organic light emitting diodes formed side by side.
Die Einzelpixel weisen jeweils eine erste Elektrode 202 und eine zweite Elektrode 204 auf. Die erste Elektrode 202 ist auf oder über dem Träger 201 angeordnet. Auf oder über der ersten Elektrode ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur angeordnet. Auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur ist die zweite Elektrode 204 angeordnet. Ein Einzelpixel kann in einer Draufsicht beispielsweise näherungsweise die Form eines Rechtecks, eines Quadrats, eines Kreises oder einer anderen geeigneten Form aufweisen. Zwei Einzelpixel, die näherungsweise die Form eines Rechtecks aufweisen sind beispielsweise in 2b dargestellt. Die erste Elektrode 202 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 102 ausgebildet. Die zweite Elektrode 204 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 104 ausgebildet. The individual pixels each have a first electrode 202 and a second electrode 204 on. The first electrode 202 is on or above the vehicle 201 arranged. On or above the first electrode, the organically functional layer structure is arranged. On or above the organically functional layer structure is the second electrode 204 arranged. For example, a single pixel in plan view may have approximately the shape of a rectangle, a square, a circle, or other suitable shape. Two individual pixels, which have approximately the shape of a rectangle are, for example, in 2 B shown. The first electrode 202 is according to an embodiment of the first electrode described above 102 educated. The second electrode 204 is according to an embodiment of the second electrode described above 104 educated.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur 210 strukturiert auf oder über dem Substrat 201 angeordnet. Die Trennstruktur 210 weist eine Mehrzahl von Aussparungen 224 auf, wobei die Mehrzahl von Pixeln in der Mehrzahl von Aussparungen 224 angeordnet ist. Die Trennstruktur 210 weist eine Dicke d auf, beispielsweise in einem Bereich von etwa 0,2 µm bis etwa 20 µm, beispielsweise in einem Bereich von etwa 1 µm bis etwa 3 µm, beispielsweise in einem Bereich von etwa 1 µm bis etwa 2 µm. Die Trennstruktur 210 weist eine obere Fläche 240 auf, wobei die Flächennormale der oberen Fläche 240 parallel zu der Flächennormalen der Prozessierungsoberfläche 230 steht. Ferner weist die Trennstruktur eine untere Fläche 250 auf. Die untere Fläche 250 und die Prozessierungsoberfläche 230 können miteinander in direktem Kontakt stehen, wohingegen die obere Fläche 240 eine dem Substrat 201 abgewandte Fläche der Trennstruktur 210 ist. Die obere Fläche 240 und die untere Fläche 250 sind miteinander mittels einer Seitenfläche verbunden. Die Seitenfläche weist eine Krümmung auf, beispielsweise wie sie schematisch in 2a dargestellt ist. Die gekrümmte Seitenfläche kann ferner auch als Flanke oder Resistflanke bezeichnet werden. Ein Einzelpixel kann, je nach Form des Einzelpixels, von mehreren gekrümmten Seitenflächen umgeben sein. According to one embodiment, the separation structure 210 structured on or over the substrate 201 arranged. The separation structure 210 has a plurality of recesses 224 wherein the plurality of pixels in the plurality of recesses 224 is arranged. The separation structure 210 has a thickness d, for example in a range from about 0.2 μm to about 20 μm, for example in a range from about 1 μm to about 3 μm, for example in a range from about 1 μm to about 2 μm. The separation structure 210 has an upper surface 240 on, where the surface normal of the upper surface 240 parallel to the surface normal of the processing surface 230 stands. Furthermore, the separation structure has a lower surface 250 on. The lower surface 250 and the processing interface 230 can be in direct contact with each other, whereas the upper surface 240 one to the substrate 201 opposite surface of the separation structure 210 is. The upper surface 240 and the bottom surface 250 are connected to each other by means of a side surface. The side surface has a curvature, for example as shown schematically in FIG 2a is shown. The curved side surface can also be referred to as flank or resist flank. A single pixel may, depending on the shape of the single pixel, be surrounded by a plurality of curved side surfaces.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur 210 wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode 202 ausgebildet. According to one embodiment, the separation structure 210 at least partially on or above the first electrode 202 educated.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die Trennstruktur 210 einen Photolack, ferner auch bezeichnet als Resist oder Photoresist, auf. Die Trennstruktur 210 weist ein Polyimid auf oder ist aus einem Polyimid gebildet. Polyimide neigen im Normalfall nicht dazu während einem Herstellungsverfahren, welches unter Anwendung eines Vakuums stattfindet, auszugasen. Dadurch wird die Herstellung der organischen Leuchtdiodenvorrichtung vereinfacht. According to one embodiment, the separation structure 210 a photoresist, also referred to as resist or photoresist, on. The separation structure 210 has a polyimide or is formed from a polyimide. Polyimides are usually not prone to outgassing during a manufacturing process that takes place using a vacuum. This simplifies the manufacture of the organic light emitting diode device.
Die Trennstruktur 210 kann transparent oder transluzent ausgebildet sein. The separation structure 210 can be transparent or translucent.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode ausgebildet. According to one embodiment, the separation structure is at least partially formed on or above the first electrode.
Gemäß einer Weiterbildung weist die Reflexionsschicht ein Metall auf oder ist aus einem Metall gebildet. Eine Reflexionsschicht aus Metall kann eine besonders hohe Reflektivität aufweisen, beispielsweise eine Reflektivität von etwa 20 % bis etwa 99,8 %, beispielsweise von etwa 50 % bis etwa 99 %, beispielsweise von etwa 80 % bis etwa 95 %. According to a development, the reflection layer comprises a metal or is formed from a metal. A reflective layer of metal may have a particularly high reflectivity, for example a reflectivity of from about 20% to about 99.8%, for example from about 50% to about 99%, for example from about 80% to about 95%.
Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203 kann ferner auch als Organikschicht 203 bezeichnet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schichtenstruktur 103 ausgebildet. Zur Vereinfachung ist in 2a lediglich die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203 der organisch funktionellen Schichtenstruktur dargestellt. Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203 ist auf oder über der Trennstruktur 210 und in den Pixelzwischenräumen ausgebildet. Der Bereich, der zwischen den Pixeln liegt, kann als Pixelzwischenraum bezeichnet werden. The at least one organically functional layer 203 can also be used as an organic layer 203 be designated. According to one exemplary embodiment, the organically functional layer structure according to an exemplary embodiment described above is the organically functional layer structure 103 educated. For simplicity, in 2a only the at least one organic functional layer 203 the organic functional layer structure shown. The at least one organically functional layer 203 is on or above the separation structure 210 and formed in the pixel spaces. The area that lies between the pixels may be referred to as the pixel space.
Die organisch funktionelle Schicht 203 ist in dem Pixelbereich 224 und in dem Flankenbereich 223 angeordnet. Die organisch funktionelle Schicht 203 ist in dem Flankenbereich 223 und über der Reflexionsschicht 220 derart angeordnet, dass die Projektion der organisch funktionellen Schicht 203 die Reflexionsschicht 220 überlappt. The organic functional layer 203 is in the pixel area 224 and in the flank area 223 arranged. The organic functional layer 203 is in the flank area 223 and above the reflective layer 220 arranged so that the projection of the organic functional layer 203 the reflection layer 220 overlaps.
Alternativ ist die organisch funktionelle Schicht 203 in dem gesamten in dem Pixelbereich 224, in dem Flankenbereich 223 und in dem Trennstrukturbereich 222 angeordnet derart, dass sich die organisch funktionelle Schicht 203 über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur 210 erstreckt. Alternatively, the organic functional layer 203 in the whole in the pixel area 224 in the flank area 223 and in the separation structure area 222 arranged such that the organically functional layer 203 over the plurality of pixels and over the separation structure 210 extends.
Die einzelnen Pixel können derart ausgebildet sein, dass einzelnen Pixel näherungsweise eine elektromagnetische Strahlung mit denselben Eigenschaften, beispielsweise Licht mit derselben beziehungsweise mit näherungsweise derselben Farbe, emittieren. The individual pixels can be designed such that individual pixels emit approximately an electromagnetic radiation with the same properties, for example light with the same or with approximately the same color.
In einem anderen Ausführungsbeispiel sind die Pixel derart ausgebildet, dass die einzelnen Pixel oder bestimmte Pixel-Gruppen eine elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlichen Eigenschaften emittieren, beispielsweise können die Pixel oder Pixel-Gruppen Licht mit unterschiedlichen Farben emittieren. In einem Ausführungsbeispiel sind die Pixel derart ausgebildet, dass eine erste Pixel-Untergruppe rotes Licht emittiert, eine zweite Pixel-Untergruppe grünes Licht emittiert und eine dritte Pixel-Untergruppe blaues Licht emittiert. Beispielsweise kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen oder mehrere Farbfilter oder eine oder mehrere Konversionsschicht(en) aufweisen. In another embodiment, the pixels are formed such that the individual pixels or certain pixel groups emit electromagnetic radiation having different properties, for example, the pixels or pixel groups may emit light of different colors. In one embodiment, the pixels are configured such that a first pixel subgroup emits red light, a second pixel subgroup emits green light, and a third pixel subgroup emits blue light. For example, the organic light-emitting diode device can have one or more color filters or one or more conversion layer (s).
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 204 wenigstens teilweise über der Trennstruktur 210 ausgebildet und eine Isolierschicht 260 ist zwischen der Trennstruktur 210 und der zweiten Elektrode 204 ausgebildet. Mittels einer Isolierschicht 260 kann auf einfache Weise ein Kurzschluss zwischen der zweiten Elektrode 204 und einer darunterliegenden Schicht verhindert werden. According to one embodiment, the second electrode is 204 at least partially over the separation structure 210 formed and an insulating layer 260 is between the separation structure 210 and the second electrode 204 educated. By means of an insulating layer 260 can easily short circuit between the second electrode 204 and an underlying layer can be prevented.
Bei einer leitfähigen Reflexionsschicht kann beispielsweise eine Isolation mittels der Isolierschicht 260 erfolgen. Alternativ kann die Reflexionsschicht 220 nur auf der Flanke aufgebracht werden ohne Kontakt zur ersten Elektrode 202, die beispielsweise als Anode ausgebildet sein kann. In a conductive reflective layer, for example, an insulation by means of the insulating layer 260 respectively. Alternatively, the reflective layer 220 can only be applied on the flank without contact to the first electrode 202 , which may be formed, for example, as an anode.
Die Isolierschicht 260 ist aus einem elektrisch isolierenden Stoff gebildet. Die Isolierschicht 260 kann einen Photolack aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Isolierschicht 260 kann aus einem Polyimid gebildet oder die Isolierschicht 260 kann ein Polyimid aufweisen. The insulating layer 260 is made of an electrically insulating material. The insulating layer 260 may include or be formed from a photoresist. The insulating layer 260 may be formed of a polyimide or the insulating layer 260 may comprise a polyimide.
Die Isolierschicht 260 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. The insulating layer 260 can be translucent or transparent.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 204 wenigstens teilweise über der Trennstruktur 210 ausgebildet und eine Isolierschicht 260 ist zwischen der Trennstruktur 210 und der zweiten Elektrode 204 ausgebildet ist. According to one embodiment, the second electrode is 204 at least partially over the separation structure 210 formed and an insulating layer 260 is between the separation structure 210 and the second electrode 204 is trained.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel erstreckt sich die zweite Elektrode 204 über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur 210. Dadurch kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode 204 großflächig in der organischen Leuchtdiodenvorrichtung ausgebildet werden kann. According to one embodiment, the second electrode extends 204 over the plurality of pixels and over the separation structure 210 , Thereby, the organic light-emitting diode device can be easily formed since the second electrode 204 can be formed over a large area in the organic light emitting diode device.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 204 in dem Trennstrukturbereich 222 ausgebildet derart, dass die zweite Elektrode 204 den gesamten Trennstrukturbereich 222 bedeckt. According to one embodiment, the second electrode is 204 in the separation structure area 222 formed such that the second electrode 204 the entire separation structure area 222 covered.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel erstreckt sich die zweite Elektrode über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur. Dadurch kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode beispielsweise unstrukturiert ausgebildet werden kann. According to an embodiment, the second electrode extends over the plurality of pixels and over the separation structure. As a result, the organic light-emitting diode device can be formed in a simple manner, since the second electrode can be formed, for example, unstructured.
2a zeigt exemplarisch einen Querschnitt eines einzelnen Pixels zusammen mit der das Pixel umgebenden Trennstruktur 210. Auf dem Substrat 201 ist die erste Elektrode 201 ausgebildet. Auf der ersten Elektrode 201 ist die Trennstruktur 210 ausgebildet. Die Trennstruktur 210 ist wenigstens teilweise auf der ersten Elektrode 202 ausgebildet. Die Trennstruktur 210 ist beispielsweise auf einem Randbereich der ersten Elektrode 202 ausgebildet. Die erste Elektrode 202 weist einen Bereich auf, der frei ist von der Trennstruktur 210. Auf der Trennstruktur 210 und im Bereich der gekrümmten Seitenfläche der Trennstruktur 210 ist die Reflexionsschicht 220 ausgebildet. Die Reflexionsschicht 220 kann im Weiteren auch Auskoppelschicht bezeichnet werden. Die Auskoppelschicht 220 bedeckt die gekrümmten Seitenflächen. Gemäß dem Ausführungsbeispiel, welches in 2a dargestellt ist, steht die Auskoppelschicht 220 in direktem Kontakt mit der ersten Elektrode 202. Ferner weist die Auskoppelschicht 220 eine ähnliche Krümmung wie die gekrümmte Seitenfläche auf. Auf der Auskoppelschicht 220 ist die Isolierschicht 260 angeordnet. Die Isolierschicht 260 kann die Auskoppelschicht 220 vollständig bedecken. Die Isolierschicht 260 isoliert die Auskoppelschicht 220 von der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 203. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 260 in dem gesamten Pixelbereich 224, der weiter unten ausführlich beschrieben ist, angeordnet. Auf der ersten Elektrode 202 ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 203 ausgebildet. Auf der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 203 ist die zweite Elektrode 204 ausgebildet. 2a shows by way of example a cross section of a single pixel together with the separating structure surrounding the pixel 210 , On the substrate 201 is the first electrode 201 educated. On the first electrode 201 is the separation structure 210 educated. The separation structure 210 is at least partially on the first electrode 202 educated. The separation structure 210 is for example on an edge region of the first electrode 202 educated. The first electrode 202 has an area that is free from the separation structure 210 , On the separation structure 210 and in the area of the curved side surface of the separation structure 210 is the reflection layer 220 educated. The reflection layer 220 may also be referred to as decoupling layer. The decoupling layer 220 covers the curved side surfaces. According to the embodiment, which in 2a is shown, is the decoupling layer 220 in direct contact with the first electrode 202 , Furthermore, the decoupling layer 220 a similar curvature as the curved side surface. On the decoupling layer 220 is the insulating layer 260 arranged. The insulating layer 260 can the decoupling layer 220 completely cover. The insulating layer 260 isolates the decoupling layer 220 from the at least one organic functional layer 203 , According to one embodiment, the insulating layer 260 in the entire pixel area 224 , which is described in detail below, arranged. On the first electrode 202 is the organic functional layer structure 203 educated. On the at least one organic functional layer 203 is the second electrode 204 educated.
Wie in 2a gezeigt, weisen die Auskoppelschicht 220, die Isolierschicht 260, die organische funktionelle Schichtenstruktur 203 sowie die zweite Elektrode 204 eine ähnliche Krümmung wie die gekrümmte Seitenfläche auf. As in 2a shown have the coupling-out layer 220 , the insulating layer 260 , the organic functional layer structure 203 as well as the second electrode 204 a similar curvature as the curved side surface.
Durch das Vorhandensein der Reflexionsschicht 220 auf der Trennstruktur 210 kann ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur 210, die im Weiteren auch als Resistschicht 210 bezeichnet werden kann, verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine besonders effiziente Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt. Es kann ferner eine höhere Effizienz ohne weitreichende Veränderungen im Chipdesign oder im Design der OLED ermöglicht werden. Es können ferner auch höhere Lebensdauern erreicht werden. Due to the presence of the reflection layer 220 on the separation structure 210 may be an intrusion of electromagnetic radiation into the separation structure 210 , which is also referred to as a resist layer 210 can be reduced. Thus, losses of light intensity are reduced and a particularly efficient light emitting diode device is provided. Furthermore, higher efficiency can be achieved without far-reaching changes in the chip design or in the design of the OLED. Furthermore, longer lifetimes can be achieved.
2b zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. 2 B shows a schematic representation of a plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Randbereich 221 auf, der frei ist von Pixeln und frei ist von der Trennstruktur 210. According to an embodiment, the organic light-emitting diode device has an edge region 221 Free of pixels and free from the breaker structure 210 ,
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Trennstrukturbereich 222 auf. Der Trennstrukturbereich 222 weist die Trennstruktur 210 auf. According to an embodiment, the organic light-emitting diode device has a separation structure region 222 on. The separation structure area 222 has the separation structure 210 on.
Wie oben ausführlich beschrieben weist die Trennstruktur 210 gekrümmte Seitenflächen auf. Die gekrümmten Seitenflächen können insbesondere an den Rändern der Trennstruktur 210 angeordnet sein, beispielsweise an jenen Rändern der Trennstruktur 210, die den Pixeln zugewandt sind. Der in 2b dargestellte Flankenbereich 223 weist gekrümmte Seitenflächen auf. Die Trennstruktur 210 kann auch an ihren dem Randbereich zugewandten Rändern gekrümmte Seitenflächen aufweisen, welche der Einfachheit halber nicht dargestellt sind. As described in detail above, the separation structure 210 curved side surfaces on. The curved side surfaces may in particular at the edges of the separation structure 210 be arranged, for example at those edges of the separation structure 210 that face the pixels. The in 2 B illustrated flank area 223 has curved side surfaces. The separation structure 210 may also have curved side surfaces at their edges facing the edge region, which are not shown for the sake of simplicity.
Die Trennstruktur 210 weist Aussparungen 224 auf, in welchen die Pixel ausgebildet sind. Der Bereich der Aussparungen 224 kann ferner auch als Pixelbereich 224 bezeichnet werden. The separation structure 210 has recesses 224 on, in which the pixels are formed. The area of the recesses 224 can also be used as a pixel area 224 be designated.
3 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. 3 shows an embodiment of an organic light emitting diode device, for example, the largely in 2 can correspond to the embodiment shown.
Auf einem Substrat 301, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201 ausgebildet ist, ist eine erste Elektrode 302 ausgebildet. Die erste Elektrode 302 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 102, 202 ausgebildet. Wenigstens teilweise auf der ersten Elektrode 302 ist eine Trennstruktur 310 ausgebildet. Die Trennstruktur 310 ist beispielsweise auf einem Randbereich der ersten Elektrode 302 ausgebildet. Die erste Elektrode 302 weist einen Bereich auf, der frei ist von der Trennstruktur 310. Auf der Trennstruktur 310 und im Bereich der gekrümmten Seitenfläche der Trennstruktur 310 ist die Reflexionsschicht 320 ausgebildet. Die Reflexionsschicht 320 bedeckt die gekrümmte Seitenfläche und ist auf der Trennstruktur 310 ausgebildet. Die Reflexionsschicht 320 ist lediglich auf der Trennstruktur 310 ausgebildet. Eine organisch funktionelle Schicht 303, die gemäß einem Ausführungsbeispiel der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 303 ausgebildet ist, ist über der ersten Elektrode 302, über der Reflexionsschicht 320 und über der Trennstruktur 310 angeordnet. In dem Bereich der ersten Elektrode 302, der frei ist von der Trennstruktur 310, ist die organisch funktionelle Schicht 303 auf der ersten Elektrode 302 ausgebildet. In Bereichen des Substrats 301, welche die Trennstruktur 310 aufweisen ist die organisch funktionelle Schicht 303 wenigstens teilweise auf der Trennstruktur 310 ausgebildet. In den Bereich der gekrümmten Seitenwände der Trennstruktur 310 ist die organisch funktionelle Schicht 303 überwiegend auf der Auskoppelschicht ausgebildet. Auf oder über der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 303 ist die zweite Elektrode 304 ausgebildet. Die zweite Elektrode 304 ist in dem Bereich der ersten Elektrode 302, der frei ist von der Trennstruktur 310 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel und wie in 3 und 2a dargestellt, kann die zweite Elektrode 304 auch wenigstens teilweise in einem Bereich des Substrats 301, der die Trennstruktur 310 aufweist, ausgebildet sein. On a substrate 301 , which according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 is formed, is a first electrode 302 educated. The first electrode 302 is according to an embodiment of the first electrode described above 102 . 202 educated. At least partially on the first electrode 302 is a separation structure 310 educated. The separation structure 310 is for example on an edge region of the first electrode 302 educated. The first electrode 302 has an area that is free from the separation structure 310 , On the separation structure 310 and in the area of the curved side surface of the separation structure 310 is the reflection layer 320 educated. The reflection layer 320 covers the curved side surface and is on the separation structure 310 educated. The reflection layer 320 is only on the separation structure 310 educated. An organic functional layer 303 in accordance with an embodiment of the at least one organic functional layer 303 is formed, is above the first electrode 302 , above the reflection layer 320 and above the separation structure 310 arranged. In the area of the first electrode 302 which is free from the separation structure 310 , is the organic functional layer 303 on the first electrode 302 educated. In areas of the substrate 301 showing the separation structure 310 exhibit is the organic functional layer 303 at least partially on the separation structure 310 educated. In the area of the curved side walls of the separation structure 310 is the organic functional layer 303 formed predominantly on the coupling-out layer. On or above the at least one organic functional layer 303 is the second electrode 304 educated. The second electrode 304 is in the region of the first electrode 302 which is free from the separation structure 310 educated. According to an embodiment and as in 3 and 2a shown, the second electrode 304 also at least partially in a region of the substrate 301 who the separation structure 310 has, be formed.
4 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. 4 shows an embodiment of an organic light emitting diode device, for example, the largely in 3 can correspond to the embodiment shown.
Auf einem Substrat 401, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301 ausgebildet ist, ist eine Trennstruktur 410 ausgebildet. Die Trennstruktur 410 kann weitestgehend gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur ausgebildet sein. Die erste Elektrode 402 ist auf dem Substrat 401 und in dem Pixelbereich 224 ausgebildet. Die erste Elektrode 402 ist in dem Flankenbereich 223 ausgebildet. Die erste Elektrode 402 ist gemäß einem Ausführungsbeispiel der Reflexionsschicht 220 ausgebildet. Die erste Elektrode 402 weist ein Metall auf oder ist aus einem Metall ausgebildet. On a substrate 401 , which according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 . 301 is formed, is a separation structure 410 educated. The separation structure 410 can be formed as far as possible according to an embodiment of the separation structure described above. The first electrode 402 is on the substrate 401 and in the pixel area 224 educated. The first electrode 402 is in the flank area 223 educated. The first electrode 402 is according to an embodiment of the reflection layer 220 educated. The first electrode 402 has a metal or is formed of a metal.
Wie in 4 dargestellt kann die erste Elektrode 402 auch wenigstens teilweise in dem Trennstrukturbereich 222 ausgebildet sein. As in 4 the first electrode can be represented 402 also at least partially in the separation structure area 222 be educated.
Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 ist auf der ersten Elektrode 402 und in dem Pixelbereich 224 ausgebildet. Die organisch funktionelle Schicht 403 ist in dem Flankenbereich 223 und über der ersten Elektrode 402 derart angeordnet, dass die Projektion der organisch funktionellen Schicht 403 die erste Elektrode 402 überlappt. Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 ist ferner in dem Flankenbereich 223 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel bedeckt die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 näherungsweise den gesamten Trennstrukturbereich 222. Die zweite Elektrode 404 ist auf oder über der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 403 und in dem Pixelbereich 224 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 404 ferner in dem Flankenbereich 223 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel bedeckt die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 403 näherungsweise den gesamten Trennstrukturbereich 222. The at least one organically functional layer 403 is on the first electrode 402 and in the pixel area 224 educated. The organic functional layer 403 is in the flank area 223 and above the first electrode 402 arranged so that the projection of the organic functional layer 403 the first electrode 402 overlaps. The at least one organically functional layer 403 is also in the flank area 223 educated. According to one embodiment, the at least one organic functional layer covers 403 approximately the entire separation structure area 222 , The second electrode 404 is on or above the at least one organic functional layer 403 and in the pixel area 224 educated. According to one embodiment, the second electrode is 404 further in the flank area 223 educated. According to one embodiment, the at least one organic functional layer covers 403 approximately the entire separation structure area 222 ,
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Anode nach dem Ausbilden der Trennstruktur 410, wobei das Ausbilden der Trennstruktur im Weiteren auch als PI-Prozess bezeichnet werden kann, abgeschieden, um an der Flanke als Reflexionsschicht zu dienen. Die Isolation zur Kathode erfolgt entweder über mindestens eine ausgebildete Organikschicht 403, oder über die Isolationsschicht 260. According to one embodiment, the anode becomes after forming the separation structure 410 wherein the formation of the separation structure may be referred to hereinafter as the PI process, deposited to serve as a reflection layer on the flank. The insulation to the cathode is carried out either via at least one trained organic layer 403 , or over the insulation layer 260 ,
Alternativ kann die erste Elektrode 402 in dem Pixelbereich 224 und näherungsweise in dem gesamten Trennstrukturbereich 222 ausgebildet sein. In diesem Fall kann der Trennstrukturbereich 222 einen Bereich aufweisen, der frei ist von der zweiten Elektrode 404. Alternatively, the first electrode 402 in the pixel area 224 and approximately in the entire separation structure area 222 be educated. In this case, the separation structure area 222 have a region that is free from the second electrode 404 ,
5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. 5 shows an embodiment of an organic light emitting diode device, for example, the largely in 4 can correspond to the embodiment shown.
Die in 5 dargestellte Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Substrat 501, eine erste Elektrode 502, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 503, eine zweite Elektrode 504 und eine Trennstruktur 510 auf. Das Substrat 501 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401 ausgebildet. Die erste Elektrode 502 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 402 ausgebildet. Die wenigstens eine funktionelle Schicht 503 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der wenigstens einen funktionellen Schicht 203, 303, 403 ausgebildet. Die Trennstruktur 510 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur 210, 310, 410 ausgebildet. Die erste Elektrode 502 und die zweite Elektrode 504 sind jeweils wenigstens teilweise in dem Trennstrukturbereich 222 ausgebildet. In the 5 illustrated light emitting diode device has a substrate 501 , a first electrode 502 , at least one organic functional layer 503 , a second electrode 504 and a separation structure 510 on. The substrate 501 is according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 . 301 . 401 educated. The first electrode 502 is according to an embodiment of the first electrode described above 402 educated. The at least one functional layer 503 is according to an embodiment described above, the at least one functional layer 203 . 303 . 403 educated. The separation structure 510 is according to an embodiment of the separation structure described above 210 . 310 . 410 educated. The first electrode 502 and the second electrode 504 are each at least partially in the separation structure area 222 educated.
Im Unterschied zu dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung der 5 eine Isolierschicht 560 auf. Die Isolierschicht 560 kann gemäß einem weiter oben ausführlich beschriebenen Ausführungsbeispiel der Isolierschicht 260 ausgebildet sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 560 aus einem Polyimid gebildet. Die Isolierschicht 560 kann zwischen der ersten Elektrode 502 und der zweiten Elektrode 504 ausgebildet sein. Die Isolierschicht 560 kann auf der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht 503 ausgebildet sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 560 auf der ersten Elektrode 502 ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht 560 transluzent oder transparent ausgebildet. Unlike the in 4 the embodiment shown, the organic light-emitting diode device of 5 an insulating layer 560 on. The insulating layer 560 may according to an embodiment of the insulating layer described in detail above 260 be educated. According to one embodiment, the insulating layer 560 formed from a polyimide. The insulating layer 560 can be between the first electrode 502 and the second electrode 504 be educated. The insulating layer 560 can on the at least one organic functional layer 503 be educated. According to one embodiment, the insulating layer 560 on the first electrode 502 educated. According to one embodiment, the insulating layer 560 translucent or transparent formed.
Die Isolierschicht 560 dient dazu die erste Elektrode 502 von der zweiten Elektrode 504 in dem Trennstrukturbereich 222 elektrisch zu isolieren. Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 503 kann so dünn ausgebildet sein, dass es zu einem elektrischen Kurzschluss zwischen der ersten Elektrode 502 und der zweiten Elektrode 504 kommen kann. The insulating layer 560 serves the first electrode 502 from the second electrode 504 in the separation structure area 222 electrically isolate. The at least one organically functional layer 503 may be formed so thin that there is an electrical short circuit between the first electrode 502 and the second electrode 504 can come.
9 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. 9 shows an embodiment of an organic light-emitting diode device.
9 zeigt ein Substrat 901, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501, 601, 801 ausgebildet ist. Auf dem Substrat 901 ist eine erste Elektrode 902 ausgebildet. Die erste Elektrode 902 ist gemäß einem weiter oben ausführlich beschriebenen Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302, 402, 502, 602, 802 ausgebildet. 9 shows a substrate 901 , which according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 . 301 . 401 . 501 . 601 . 801 is trained. On the substrate 901 is a first electrode 902 educated. The first electrode 902 is according to an embodiment of the first electrode described in detail above 202 . 302 . 402 . 502 . 602 . 802 educated.
Auf der ersten Elektrode 902 ist wenigstens ein Leiterbahnelement 926 ausgebildet. Das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 kann im Weiteren auch als Busbar 926 oder als elektrische Sammelschiene 926 bezeichnet werden. Ferner können auf der ersten Elektrode 902 auch mehrere Leiterbahnelemente ausgebildet sein. Das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 kann zu einer Verbesserung der lateralen Stromverteilung der ersten Elektrode 902 dienen. Das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 ist aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet oder weist einen solchen auf. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 aus einem Metall gebildet oder weist ein solches auf. Alternativ kann das wenigstens eine Leiterbahnelement 926 auf der zweiten Elektrode 904 ausgebildet sein. On the first electrode 902 is at least one conductor track element 926 educated. The at least one conductor track element 926 can also be used as a busbar 926 or as an electrical busbar 926 be designated. Further, on the first electrode 902 also be formed a plurality of conductor elements. The at least one conductor track element 926 can improve the lateral current distribution of the first electrode 902 serve. The at least one conductor track element 926 is formed from or has an electrically conductive substance. According to one embodiment, this is at least one conductor track element 926 formed from a metal or has such. Alternatively, the at least one conductor track element 926 on the second electrode 904 be educated.
Ein Isolierelement 928 ist auf dem Leiterbahnelement und der ersten Elektrode 902 oder der zweiten Elektrode 904 ausgebildet derart, dass das Isolierelement 928 das Leiterbahnelement 926 vollständig bedeckt. Das Isolierelement 928 kann gemäß einem Ausführungsbeispiel der Isolierschicht 260 ausgebildet sein. Das Isolierelement 928 kann näherungsweise die Form eines Halbzylinders aufweisen, der auf dem Leiterbahnelement 926 ausgebildet ist. An insulating element 928 is on the wiring element and the first electrode 902 or the second electrode 904 formed such that the insulating element 928 the conductor track element 926 completely covered. The insulating element 928 may according to an embodiment of the insulating layer 260 be educated. The insulating element 928 may approximately have the shape of a half-cylinder, which on the conductor element 926 is trained.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist eine weitere Reflexionsschicht 920 auf dem Isolierelement 928 ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht 920 ist höher als die Reflektivität des Isolierelements. Die weitere Reflexionsschicht kann gemäß einem Ausführungsbeispiel der Reflexionsschicht 220 ausgebildet sein. According to one embodiment, another reflection layer 920 on the insulating element 928 formed and the reflectivity of the further reflection layer 920 is higher than the reflectivity of the insulating element. The further reflection layer can according to an embodiment of the reflection layer 220 be educated.
Die weitere Reflexionsschicht 920 kann auf dem Rand des Isolierelements 928 und teilweise auf der ersten Elektrode 902 ausgebildet sein. Die weitere Reflexionsschicht 920 kann derart auf dem Isolierelement 928 ausgebildet sein, dass eine Lichteinkopplung in das Isolierelement 928 verringert wird. The further reflection layer 920 can be on the edge of the insulating element 928 and partially on the first electrode 902 be educated. The further reflection layer 920 can be so on the insulating 928 be formed such that a light coupling into the insulating 928 is reduced.
Auf oder über der weiteren Reflexionsschicht 920, auf oder über des Isolierelements 928 und auf oder über der ersten Elektrode 902 ist eine organisch funktionelle Schicht 903 ausgebildet. Die organisch funktionelle Schicht 903 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schicht 203, 303, 403, 503, 603, 803 ausgebildet. Auf der organisch funktionellen Schicht 903 ist eine zweite Elektrode 904 ausgebildet. Die zweite Elektrode 904 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiels der zweiten Elektrode 104, 204, 304, 404, 504, 604, 804 ausgebildet. On or above the further reflection layer 920 , on or above the insulating element 928 and on or above the first electrode 902 is an organic functional layer 903 educated. The organic functional layer 903 is according to an embodiment described above, the organic functional layer 203 . 303 . 403 . 503 . 603 . 803 educated. On the organic functional layer 903 is a second electrode 904 educated. The second electrode 904 is according to an embodiment of the second electrode described above 104 . 204 . 304 . 404 . 504 . 604 . 804 educated.
Die Bereiche mit elektrischen Sammelschienen erscheinen üblicherweise dunkler als die Bereiche daneben. Daher kann die Verwendung der weiteren Reflexionsschicht 920 bei einem Einsatz in OLED-Beleuchtungsprodukten (engl. lighting) vorteilhaft sein. Da OLED-Beleuchtungsprodukte üblicherweise sehr feine elektrische Sammelschienen beziehungsweise sehr feine Busbargrids aufweisen, können diese überstrahlt werden, wodurch eine Verbesserung des optischen Eindrucks erreicht werden kann. The areas with electrical busbars usually appear darker than the areas next to it. Therefore, the use of the further reflection layer 920 be advantageous for use in OLED lighting products. Since OLED lighting products usually have very fine electrical busbars or very fine busbar grids, they can be outshined, whereby an improvement in the visual impression can be achieved.
6 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. 6 shows an embodiment of an organic light-emitting diode device.
Die organische Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Substrat 601 auf. Das Substrat 601 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501 ausgebildet. Auf dem Substrat 601 ist eine Mehrzahl von Pixel ausgebildet. Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Trennstruktur 610 auf, die zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 601 ausgebildet ist. Die Trennstruktur 610 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 ausgebildet. The organic light emitting diode device has a substrate 601 on. The substrate 601 is according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 . 301 . 401 . 501 educated. On the substrate 601 a plurality of pixels are formed. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a separation structure 610 on that between the pixels and on the substrate 601 is trained. The separation structure 610 is according to an embodiment of the separation structure described above 210 . 310 . 410 . 510 educated.
Die Trennstruktur 610 weist ein Matrixmaterial auf. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Matrixmaterial ein Photolack oder weist einen Photolack auf. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Matrixmaterial ein Polyimid auf oder ist ein Polyimid. Polyimid kann beispielsweise einen Brechungsindex von etwa 1,6 bis etwa 1,8 aufweisen. The separation structure 610 has a matrix material. According to one embodiment, the matrix material is a photoresist or has a photoresist. According to one embodiment, the matrix material comprises or is a polyimide Polyimide. For example, polyimide may have a refractive index of about 1.6 to about 1.8.
Ferner weist die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Auskoppelstoff auf. Der Auskoppelstoff ist in oder auf der Trennstruktur 610 angeordnet. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher oder niedriger als der Brechungsindex des Matrixmaterials. Durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs in der Trennstruktur 610, wobei der Brechungsindex des Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des Matrixmaterials, kann die Auskopplung von elektromagnetische Strahlung aus der Trennstruktur 610 erhöht werden. Ferner kann durch das Vorhandensein eines Auskoppelstoffs auf der Trennstruktur 610 ein Eindringen von elektromagnetische Strahlung in die Trennstruktur 610 verringert werden. Somit werden Verluste an Lichtintensität verringert und es wird eine besonders effiziente organische Leuchtdiodenvorrichtung bereitgestellt. Furthermore, the organic light-emitting diode device has a decoupling substance. The decoupling substance is in or on the separating structure 610 arranged. The refractive index of the decoupling substance is higher or lower than the refractive index of the matrix material. Due to the presence of a decoupling substance in the separation structure 610 , wherein the refractive index of the decoupling substance is higher than the refractive index of the matrix material, the decoupling of electromagnetic radiation from the separation structure 610 increase. Furthermore, by the presence of a decoupling substance on the separation structure 610 penetration of electromagnetic radiation into the separation structure 610 be reduced. Thus, losses of light intensity are reduced and a particularly efficient organic light-emitting diode device is provided.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist der Auskoppelstoff Streupartikel auf oder ist aus Streupartikeln gebildet. Streupartikel können beispielsweise TiO2 aufweisen oder aus TiO2 gebildet sein. TiO2 kann beispielsweise einen Brechungsindex von etwa 2,2 bis etwa 2,6 aufweisen. According to one exemplary embodiment, the decoupling substance has scattering particles or is formed from scattering particles. For example, scattering particles may comprise TiO 2 or be formed from TiO 2 . For example, TiO 2 may have a refractive index of about 2.2 to about 2.6.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann der Brechungsindex des Auskoppelstoffes auch niedriger sein, als der des Matrixmaterials. Beispielsweise kann der Auskoppelstoff Luftblasen aufweisen. Der Auskoppelstoff kann beispielsweise Al2O3 aufweisen, wobei der Auskoppelstoff in einem Matrixmaterial mit sehr hohem Brechungsindex eingebettet ist. According to a further embodiment, the refractive index of the decoupling substance may also be lower than that of the matrix material. For example, the decoupling substance may have air bubbles. The decoupling substance may, for example, comprise Al 2 O 3 , the decoupling substance being embedded in a matrix material with a very high refractive index.
Die in 6 dargestellte Leuchtdiodenvorrichtung weist ferner eine erste Elektrode 602, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 603, eine zweite Elektrode 604 auf. Jedes Pixel kann jeweils eine erste Elektrode 602 und eine zweite Elektrode 604 aufweisen. Die erste Elektrode 602 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302 ausgebildet. Die wenigstens eine funktionelle Schicht 603 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der wenigstens einen funktionellen Schicht 203, 303, 403, 503 ausgebildet. In the 6 illustrated light emitting diode device further comprises a first electrode 602 , at least one organic functional layer 603 , a second electrode 604 on. Each pixel can each have a first electrode 602 and a second electrode 604 exhibit. The first electrode 602 is according to an embodiment of the first electrode described above 202 . 302 educated. The at least one functional layer 603 is according to an embodiment described above, the at least one functional layer 203 . 303 . 403 . 503 educated.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die zweite Elektrode 604 wenigstens teilweise über der Trennstruktur 610 ausgebildet. Ferner kann eine Isolierschicht (nicht dargestellt) zwischen der Trennstruktur 610 und der zweiten Elektrode 604 ausgebildet sein. According to one embodiment, the second electrode is 604 at least partially over the separation structure 610 educated. Further, an insulating layer (not shown) may be interposed between the separation structure 610 and the second electrode 604 be educated.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Trennstruktur 610 wenigstens teilweise auf oder über der ersten Elektrode 602 ausgebildet. According to one embodiment, the separation structure 610 at least partially on or above the first electrode 602 educated.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel, das bezüglich 3 weiter oben beschrieben ist, ist auf der Trennstruktur 610 anstelle der Reflexionsschicht 320 der Auskoppelstoff ausgebildet. In contrast to the embodiment, the respect 3 described above is on the separation structure 610 instead of the reflection layer 320 the decoupling formed.
Wie in 6 dargestellt, kann der Auskoppelstoff derart auf der Trennstruktur 610 ausgebildet sein, dass der Auskoppelstoff eine Schicht 620 auf der Trennstruktur 610 bildet. Eine von dem Auskoppelstoff gebildete Schicht 620 kann im Weiteren auch als Auskoppelschicht 620 bezeichnet werden. Die Auskoppelschicht 620 kann hinsichtlich ihrer Anordnung auf der Trennstruktur 610 und in der organischen Leuchtdiodenvorrichtung analog zu einem Ausführungsbeispiel der Reflexionsschicht 220, 320 ausgebildet sein. Beispielsweise ist die Auskoppelschicht 620 auf der Trennstruktur 610 und im Bereich der gekrümmten Seitenfläche der Trennstruktur 610 ausgebildet. Die Auskoppelschicht 620 kann die gekrümmten Seitenflächen der Trennstruktur 610 vollständig bedecken. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Auskoppelschicht 620 in dem gesamten Flankenbereich 223 ausgebildet. Ferner kann die Auskoppelschicht 620 auch in dem gesamten Trennstrukturbereich 222 ausgebildet sein. As in 6 as shown, the decoupling substance may be on the separation structure 610 be formed such that the decoupling a layer 620 on the separation structure 610 forms. A layer formed by the decoupling substance 620 can also be used as a decoupling layer 620 be designated. The decoupling layer 620 can with regard to their arrangement on the separation structure 610 and in the organic light emitting diode device analogous to an embodiment of the reflection layer 220 . 320 be educated. For example, the coupling-out layer 620 on the separation structure 610 and in the area of the curved side surface of the separation structure 610 educated. The decoupling layer 620 may be the curved side surfaces of the separation structure 610 completely cover. According to one embodiment, the coupling-out layer 620 in the entire flank area 223 educated. Furthermore, the coupling-out layer 620 also in the entire separation structure area 222 be educated.
Im Fall, dass die Streupartikel elektrisch isolierend hinsichtlich eines elektrischen Stroms ausgebildet sind, kann die Auskoppelschicht 620 in direktem Kontakt mit der ersten Elektrode 602 stehen, wie in 6 dargestellt. Die Auskoppelschicht 620 kann im Weiteren auch als Streuschicht 620 bezeichnet werden. In the case that the scattering particles are formed electrically insulating with respect to an electric current, the coupling-out layer 620 in direct contact with the first electrode 602 stand, as in 6 shown. The decoupling layer 620 can also be used as a litter layer 620 be designated.
Eine Streuschicht 620 kann mittels einfacher und kostengünstiger Verfahren, beispielsweise Tintenstrahldrucken, hergestellt werden. Ferner entfällt bei elektrisch isolierend ausgebildeten Streupartikeln der Bedarf für eine Isolierschicht 260, was den Herstellungsprozess der organischen Leuchtdiodenvorrichtung vereinfacht. A litter layer 620 can be prepared by means of simple and inexpensive methods, for example inkjet printing. Furthermore, the need for an insulating layer is eliminated with electrically insulating scattering particles 260 , which simplifies the manufacturing process of the organic light emitting diode device.
Streupartikel weisen eine Streupartikelgröße auf, die in etwa in dem Bereich der Wellenlänge der zu streuenden elektromagnetischen Strahlung liegt. Scattering particles have a scattering particle size which is approximately in the range of the wavelength of the electromagnetic radiation to be scattered.
Eine Verbesserung der Auskopplung kann beispielsweise durch das Aufbringen einer Streuschicht 620 auf die gekrümmten Seitenflächen der Trennstruktur 610, im Weiteren auch als Resistflanke 610 bezeichnet, erfolgen. Als Streupartikel bieten sich unter anderem TiO2-Partikel, HfO2-Partikel, Ta2O5-Partikel, ZrO2-Partikel sowie Partikel aus Neodymoxid, Terbiumoxid und/oder Yttriumoxid an. An improvement of the decoupling, for example, by the application of a scattering layer 620 on the curved side surfaces of the separation structure 610 , hereinafter also as resist flank 610 designated, done. TiO 2 particles, HfO 2 particles, Ta 2 O 5 particles, ZrO 2 particles as well as particles of neodymium oxide, terbium oxide and / or yttrium oxide are suitable as scattering particles.
Gemäß einer Weiterbildung erstreckt sich die zweite Elektrode über die Mehrzahl von Pixel und über die Trennstruktur. Dadurch kann die organische Leuchtdiodenvorrichtung auf einfache Weise ausgebildet werden, da die zweite Elektrode beispielsweise unstrukturiert ausgebildet werden kann. According to a development, the second electrode extends over the plurality of pixels and over the separating structure. Thereby, the organic light emitting diode device can be easily realized be formed, since the second electrode can be formed, for example, unstructured.
Eine Auskoppelschicht, die gemäß dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Auskoppelschicht 620 ausgebildet ist, kann anstelle der weiteren Reflexionsschicht 920 auf dem Isolierelement 928 ausgebildet sein. A decoupling layer, according to the above-described embodiment of the decoupling layer 620 is formed, instead of the further reflection layer 920 on the insulating element 928 be educated.
7a zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. 7a shows a schematic representation of a plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device.
In 7a, 7b und 7c sind verschiedene Möglichkeiten zur Anordnung der Reflexionsschicht 220, 320 oder der Auskoppelschicht 620 auf der Trennstruktur 210, 310, 610 dargestellt. In 7a . 7b and 7c are different ways to arrange the reflection layer 220 . 320 or the decoupling layer 620 on the separation structure 210 . 310 . 610 shown.
In 7a ist ein Teil eines Trennstrukturbereichs 722 dargestellt. Der Trennstrukturbereich 722 weist einen Pixelbereich 724 auf. Um den Pixelbereich 724 ist eine funktionelle Schicht 720 angeordnet. Die funktionelle Schicht 720 ist entweder gemäß einem Ausführungsbeispiel der Reflexionsschicht 220, 320 oder gemäß einem Ausführungsbeispiel der Auskoppelschicht 620 ausgebildet. Der Trennstrukturbereich 722 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Trennstrukturbereichs 222 ausgebildet. Der Pixelbereich 724 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Pixelbereichs 224 ausgebildet. Der Trennstrukturbereich 722 ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Trennstrukturbereichs 222 ausgebildet. Der Pixelbereich 724 ist von dem Bereich, welcher die funktionelle Schicht 720 aufweist eingerahmt. Der gesamte Bereich zwischen den einzelnen Pixelbereichen 724 weist die funktionelle Schicht 720 auf. Der Trennstrukturbereich 722 weist einen Bereich auf, der frei ist von der funktionellen Schicht 720. In 7a is a part of a separation structure area 722 shown. The separation structure area 722 has a pixel range 724 on. Around the pixel area 724 is a functional layer 720 arranged. The functional layer 720 is either according to an embodiment of the reflective layer 220 . 320 or according to an embodiment of the decoupling layer 620 educated. The separation structure area 722 is according to an embodiment of the separation structure described above 222 educated. The pixel area 724 is according to an embodiment of the pixel area described above 224 educated. The separation structure area 722 is according to an embodiment of the separation structure area described above 222 educated. The pixel area 724 is from the area which is the functional layer 720 has framed. The entire area between the individual pixel areas 724 has the functional layer 720 on. The separation structure area 722 has an area that is free of the functional layer 720 ,
7a zeigt mehrere Pixel mit einer nicht-separierten funktionellen Schicht 720. Je nach Abscheideart kann dieses Ausführungsbeispiel prozesstechnisch einfacher sein, als Ausführungsbeispiele mit Separierung. 7a shows several pixels with a non-separated functional layer 720 , Depending on the type of separation, this exemplary embodiment may be simpler in terms of process technology than embodiments with separation.
7b zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in 7a gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann 7b shows a schematic representation of a plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device, for example, the largely in 7a can correspond to the embodiment shown
Im Unterschied zu dem in 7a dargestellten Ausführungsbeispiel, weist der in 7b dargestellte Bereich zwischen den Pixeln einen Bereich auf, der frei ist von der funktionellen Schicht 720. Unlike the in 7a illustrated embodiment, the in 7b For example, the area between the pixels represented in Fig. 1 has an area free of the functional layer 720 ,
7b zeigt mehrere Pixel mit einer separierten funktionellen Schicht 720. Der Vorteil ist, dass eine solche separierte beziehungsweise pixelierte Anordnung des der funktionellen Schicht 720 auf der Trennstruktur 722, eine sehr gute Pixeldefinition zur Folge hat. Dies kann vorteilhaft für den Pixeleindruck in einem Betriebszustand (engl. on-state) und in einem Außerbetriebszustand (engl. off-state) sein. 7b shows several pixels with a separated functional layer 720 , The advantage is that such a separated or pixelated arrangement of the functional layer 720 on the separation structure 722 , which results in a very good pixel definition. This can be advantageous for the pixel impression in an on-state and in an off-state.
7c zeigt eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in 7b gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann 7c shows a schematic representation of a plan view of an embodiment of an organic light-emitting diode device, for example, the largely in 7b can correspond to the embodiment shown
Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Auskoppelschicht 720 lediglich vereinzelt um den Pixelbereich 724 angeordnet sein. In anderen Worten, können Bereiche des Rands der Pixel frei sein von dem Auskoppelstoff 720. According to one embodiment, the coupling-out layer 720 only isolated around the pixel area 724 be arranged. In other words, portions of the edge of the pixels may be free of the decoupling material 720 ,
7c zeigt mehrere Pixel mit separierter, aber nicht-umlaufender funktioneller Schicht 720. Der Vorteil ist, dass so beispielsweise Bereiche eines Bottom-Emitters, der Strukturelemente in dem Substrat, ferner auch als Backplane bezeichnet, aufweist, ebenfalls zu emittieren scheinen. 7c shows several pixels with separated but non-rotating functional layer 720 , The advantage is that, for example, areas of a bottom emitter having features in the substrate, also referred to as a backplane, also appear to emit.
8 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in 6 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. 8th shows an embodiment of an organic light emitting diode device, for example, the largely in 6 can correspond to the embodiment shown.
Im Unterschied zu dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Auskoppelstoff nicht als Auskoppelschicht 620 auf der Trennstruktur 610 angeordnet, sondern der Auskoppelstoff ist in dem Matrixmaterial der Trennstruktur 810 angeordnet. Unlike the in 6 illustrated embodiment, the decoupling material is not as Auskoppelschicht 620 on the separation structure 610 but the decoupling material is in the matrix material of the separation structure 810 arranged.
Die in 8 dargestellte organische Leuchtiodenvorrichtung weist ein Substrat 801, eine erste Elektrode 802, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 803, eine zweite Elektrode 804 und eine Trennstruktur 810 auf. Das Substrat 801 ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501, 601 ausgebildet. Die erste Elektrode 802 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302, 602 ausgebildet. Die wenigstens eine funktionelle Schicht 803 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der wenigstens einen funktionellen Schicht 203, 303, 403, 503, 603 ausgebildet. Die Trennstruktur 810 ist gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Trennstruktur 210, 310, 410, 510, 610 ausgebildet. Der Auskoppelstoff weist Streupartikel auf oder ist aus Streupartikeln gebildet. Ferner ist der Auskoppelstoff in dem Matrixmaterial der Trennstruktur 810 angeordnet. In the 8th illustrated organic light emitting diode device has a substrate 801 , a first electrode 802 , at least one organic functional layer 803 , a second electrode 804 and a separation structure 810 on. The substrate 801 is according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 . 301 . 401 . 501 . 601 educated. The first electrode 802 is according to an embodiment of the first electrode described above 202 . 302 . 602 educated. The at least one functional layer 803 is according to an embodiment described above, the at least one functional layer 203 . 303 . 403 . 503 . 603 educated. The separation structure 810 is according to an embodiment of the separation structure described above 210 . 310 . 410 . 510 . 610 educated. The decoupling substance has scattering particles or is formed from scattering particles. Furthermore, the decoupling substance is in the matrix material of the separation structure 810 arranged.
Streupartikel können beispielsweise auf einfache Weise in die Trennstruktur integriert werden, beispielsweise durch ein simples Beimengen der Streupartikel in das Matrixmaterial. For example, scattering particles can be easily integrated into the separation structure, for example, by simply adding the scattering particles into the matrix material.
Streupartikel können homogen oder inhomogen in dem Matrixmaterial angeordnet sein. Scattering particles may be arranged homogeneously or inhomogeneous in the matrix material.
Eine Verbesserung der Auskopplung kann beispielsweise durch das Einbringen von Streupartikeln in den Resist erfolgen. Streupartikel, beispielsweise aus TiO2, können direkt dem Resist hinzugefügt werden. An improvement of the decoupling can be done for example by the introduction of scattering particles in the resist. Scattering particles, for example of TiO 2 , can be added directly to the resist.
Es ist anzumerken, dass die oben beschrieben Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung ferner eine Verkapselung, eine Haftmittelschicht und einen Abdeckkörper aufweisen können. Die Verkapselung ist gemäß einem bezüglich 1 beschrieben Ausführungsbeispiel der Verkapselung 105 ausgebildet. Ferner ist die Haftmittelschicht gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Haftmittelschicht ausgebildet. Ferner ist der Abdeckkörper gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der Abdeckkörpers 106 ausgebildet. It should be noted that the above-described embodiments of the organic light emitting diode device may further include an encapsulant, an adhesive layer and a cover body. The encapsulation is according to one 1 described embodiment of the encapsulation 105 educated. Furthermore, the adhesive layer is formed according to an embodiment of the adhesive layer described above. Further, the cover body according to an embodiment of the cover body described above 106 educated.
10 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung. 10 shows an embodiment of an organic light-emitting diode device.
10 zeigt ein Substrat 1001, welches gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel des Substrats 101, 201, 301, 401, 501, 601, 801, 901 ausgebildet ist. Auf dem Substrat 1001 ist eine erste Elektrode 1002 ausgebildet. Die erste Elektrode 1002 ist gemäß einem weiter oben ausführlich beschriebenen Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 202, 302, 402, 502, 602, 802, 902 ausgebildet. 10 shows a substrate 1001 , which according to an embodiment of the substrate described above 101 . 201 . 301 . 401 . 501 . 601 . 801 . 901 is trained. On the substrate 1001 is a first electrode 1002 educated. The first electrode 1002 is according to an embodiment of the first electrode described in detail above 202 . 302 . 402 . 502 . 602 . 802 . 902 educated.
Auf der ersten Elektrode 1002 ist wenigstens ein Leiterbahnelement 1026 ausgebildet. Das wenigstens eine Leiterbahnelement 1026 ist gemäß einem Ausführungsbeispiel des wenigstens einen Leiterbahnelements 926 ausgebildet. Ferner können auf der ersten Elektrode 1002 auch mehrere Leiterbahnelemente ausgebildet sein. Alternativ kann das wenigstens eine Leiterbahnelement 1026 auf der zweiten Elektrode 1004 ausgebildet sein. On the first electrode 1002 is at least one conductor track element 1026 educated. The at least one conductor track element 1026 is according to an embodiment of the at least one conductor element 926 educated. Further, on the first electrode 1002 also be formed a plurality of conductor elements. Alternatively, the at least one conductor track element 1026 on the second electrode 1004 be educated.
Ein Isolierelement 1028 ist auf dem Leiterbahnelement 1026 und der ersten Elektrode 1002 oder der zweiten Elektrode 1004 ausgebildet derart, dass das Isolierelement 1028 das Leiterbahnelement 1026 vollständig bedeckt. Das Isolierelement 1028 ist gemäß einem Ausführungsbeispiel des Isolierelements 928 ausgebildet. An insulating element 1028 is on the track element 1026 and the first electrode 1002 or the second electrode 1004 formed such that the insulating element 1028 the conductor track element 1026 completely covered. The insulating element 1028 is according to an embodiment of the insulating 928 educated.
Das Isolierelement 1028 weist ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren Auskoppelstoff auf, wobei der weitere Auskoppelstoff in dem Isolierelement 1028 angeordnet ist und, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials. The insulating element 1028 has a further matrix material and a further decoupling substance, wherein the further decoupling substance in the insulating element 1028 is arranged, and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
Das weitere Matrixmaterial ist gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Matrixmaterials ausgebildet. Ferner ist der Auskoppelstoff gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel des Auskoppelstoffs ausgebildet. Beispielsweise kann das Matrixmaterial ein Polyimid sein, der Auskoppelstoff kann Streupartikel aufweisen und der Auskoppelstoff kann homogen oder inhomogen in dem Matrixmaterial verteilt sein. The further matrix material is formed according to an exemplary embodiment of the matrix material described above. Furthermore, the decoupling material is formed according to an exemplary embodiment of the decoupling substance described above. For example, the matrix material can be a polyimide, the decoupling substance can have scattering particles and the decoupling substance can be distributed homogeneously or inhomogeneously in the matrix material.
11 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten organische Leuchtdiodenvorrichtung. 11 shows a flowchart of a method for producing an organic light-emitting diode device, for example, the above-explained organic light-emitting diode device.
Das in 11 gezeigte Ablaufdiagramm bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, wobei die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine Reflexionsschicht 220, 320, 720 aufweist. Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit der Reflexionsschicht 220, 320, 720 sind weiter oben ausführlich beschrieben und beispielsweise in den 2a, 3 und 7 dargestellt. Ferner bezieht sich das Ablaufdiagramm der 11 auf Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung, wobei die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine erste Elektrode 402, 502 aufweist und die erste Elektrode 402, 502 als die Reflexionsschicht dient. Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit der ersten Elektrode 402, 502, wobei die erste Elektrode 402, 502 als Reflexionsschicht dient sind beispielsweise in den 4 und 5 dargestellt. This in 11 The flowchart shown relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode device, wherein the organic light emitting diode device comprises a reflection layer 220 . 320 . 720 having. Embodiments of the organic light-emitting diode device with the reflection layer 220 . 320 . 720 are described in detail above and for example in the 2a . 3 and 7 shown. Furthermore, the flowchart of the 11 Embodiments of the organic light emitting diode device, wherein the organic light emitting diode device, a first electrode 402 . 502 and the first electrode 402 . 502 serves as the reflection layer. Embodiments of the organic light-emitting diode device with the first electrode 402 . 502 , wherein the first electrode 402 . 502 are used as a reflection layer, for example, in the 4 and 5 shown.
Das Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Ausbilden einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat 201, 301, 401, 501 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Trennstruktur 210, 310, 410, 510 zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 201, 301, 401, 501 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Reflexionsschicht 220, 320 auf der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 auf. Die Reflektivität der Reflexionsschicht 220, 320 ist höher als die Reflektivität der Trennstruktur 210, 310, 410, 510. Die organische Leuchtdiodenvorrichtung wird derart ausgebildet, dass die organische Leuchtdiodenvorrichtung eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 103 mit wenigstens einer organischen Schicht 203, 303, 403, 503 aufweist. Die wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203, 303, 403, 503 wird derart ausgebildet, dass sich die wenigstens eine organische Schicht 203, 303, 403, 503 sich über die gesamte Reflexionsschicht 220, 320 erstreckt. The method of fabricating an organic light emitting diode device comprises forming a plurality of pixels on a substrate 201 . 301 . 401 . 501 on. Furthermore, the method comprises forming a separation structure 210 . 310 . 410 . 510 between the pixels and on the substrate 201 . 301 . 401 . 501 on. Furthermore, the method comprises forming a reflection layer 220 . 320 on the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 on. The reflectivity of the reflection layer 220 . 320 is higher than the reflectivity of the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 , The organic light emitting diode device is formed such that the organic light emitting diode device has an organic functional layer structure 103 with at least one organic layer 203 . 303 . 403 . 503 having. The at least one organically functional layer 203 . 303 . 403 . 503 is formed such that the at least one organic layer 203 . 303 . 403 . 503 over the entire reflection layer 220 . 320 extends.
In 1101 wird eine Mehrzahl von Pixel auf dem Substrat 201, 301, 401, 501 ausgebildet. Die Mehrzahl der Pixel kann als eine Mehrzahl von nebeneinander ausgebildeten organischen Leuchtdioden betrachtet werden. Jedes Pixel wird derart ausgebildet, dass jedes Pixel eine erste Elektrode 202, 302, 402, 502, wenigstens eine organisch funktionelle Schicht 203, 303, 403, 503 und eine zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 aufweist. In 1101 becomes a plurality of pixels on the substrate 201 . 301 . 401 . 501 educated. The plurality of pixels may be considered as a plurality of organic light emitting diodes formed side by side. Each pixel is formed such that each pixel has a first electrode 202 . 302 . 402 . 502 , at least one organic functional layer 203 . 303 . 403 . 503 and a second electrode 204 . 304 . 404 . 504 having.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise den in 2a und 3 dargestellten Ausführungsbeispielen, wird die erste Elektrode 202, 302 auf dem Substrat 201, 301 und vor dem Ausbilden der Trennstruktur 210, 310 ausgebildet. In various embodiments, for example the in 2a and 3 illustrated embodiments, the first electrode 202 . 302 on the substrate 201 . 301 and before forming the separation structure 210 . 310 educated.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise den in 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispielen, wird die erste Elektrode 402, 502 auf dem Substrat 401, 501 und nach dem Ausbilden der Trennstruktur 410, 510 derart ausgebildet, dass die erste Elektrode 402, 502 teilweise auf der Trennstruktur ausgebildet wird. In various embodiments, for example the in 4 and 5 illustrated embodiments, the first electrode 402 . 502 on the substrate 401 . 501 and after forming the separation structure 410 . 510 formed such that the first electrode 402 . 502 is partially formed on the separation structure.
Die erste Elektrode 202, 302, 402, 502 und die zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 werden gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Die erste Elektrode 202, 302, 402, 502 wird gleich oder unterschiedlich von der zweiten Elektrode 204, 304, 404, 504 ausgebildet. Die erste Elektrode 202, 302, 402, 502 und/oder die zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 können/kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die erste Elektrode 202, 302, 402, 502 und/oder die zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 können/kann mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung ausgebildet werden. The first electrode 202 . 302 . 402 . 502 and the second electrode 204 . 304 . 404 . 504 are formed according to an embodiment described above. The first electrode 202 . 302 . 402 . 502 becomes equal or different from the second electrode 204 . 304 . 404 . 504 educated. The first electrode 202 . 302 . 402 . 502 and / or the second electrode 204 . 304 . 404 . 504 may be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method. The first electrode 202 . 302 . 402 . 502 and / or the second electrode 204 . 304 . 404 . 504 can / can be formed by a physical vapor deposition.
Die organisch funktionelle Schicht 203, 303, 403, 503 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Beispielsweise wird die organisch funktionelle Schicht 203, 303, 403, 503 mittels Siebdrucken, Tintenstrahldrucken, Rakeln, Aufsprühen und/oder eines Aufdampfverfahrens ausgebildet. The organic functional layer 203 . 303 . 403 . 503 is formed according to an embodiment described above. For example, the organically functional layer becomes 203 . 303 . 403 . 503 formed by screen printing, ink jet printing, knife coating, spraying and / or a vapor deposition.
In 1102 wird die Trennstruktur 210, 310, 410, 510 ausgebildet. Die Trennstruktur 210, 310, 410, 510 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Die Trennstruktur 210, 310, 410, 510 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die Trennstruktur 210, 310, 410, 510 kann mittels Siebdrucken, Tintenstrahldrucken, Rakeln oder Aufsprühen ausgebildet werden. In 1102 becomes the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 educated. The separation structure 210 . 310 . 410 . 510 is formed according to an embodiment described above. The separation structure 210 . 310 . 410 . 510 can be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method. The separation structure 210 . 310 . 410 . 510 can be formed by screen printing, ink jet printing, knife coating or spraying.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Trennstruktur 210, 310, 410, 510 aus einem Polyimid gebildet wird oder die Trennstruktur 210, 310, 410, 510 wird derart ausgebildet, dass sie ein Polyimid aufweist. According to one embodiment, the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 is formed from a polyimide or the release structure 210 . 310 . 410 . 510 is formed to have a polyimide.
Die zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 kann wenigstens teilweise über der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 ausgebildet werden und eine Isolierschicht 260, 560 kann zwischen der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 und der zweiten Elektrode 204, 304, 404, 504 ausgebildet werden. Die Isolierschicht 260, 560 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Die Isolierschicht 260, 560 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die Isolierschicht 260, 560 kann mittels Siebdrucken, Tintenstrahldrucken, Rakeln oder Aufsprühen ausgebildet werden. Die Isolierschicht 260, 560 kann mittels Atomlagenabscheidung (ALD, atomic layer deposition) und/oder chemischer Gasphasenabscheidung (CVD, chemical vapour deposition) ausgebildet werden. The second electrode 204 . 304 . 404 . 504 may be at least partially above the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 be formed and an insulating layer 260 . 560 can be between the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 and the second electrode 204 . 304 . 404 . 504 be formed. The insulating layer 260 . 560 is formed according to an embodiment described above. The insulating layer 260 . 560 can be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method. The insulating layer 260 . 560 can be formed by screen printing, ink jet printing, knife coating or spraying. The insulating layer 260 . 560 can be formed by atomic layer deposition (ALD) and / or chemical vapor deposition (CVD).
In 1103 wird die Reflexionsschicht 220, 320 ausgebildet. Die Reflexionsschicht 220, 320 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet. Die Reflexionsschicht 220, 320 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die Reflexionsschicht 220, 320 kann mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung ausgebildet werden. In 1103 becomes the reflection layer 220 . 320 educated. The reflection layer 220 . 320 is formed according to an embodiment described above. The reflection layer 220 . 320 can be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method. The reflection layer 220 . 320 can be formed by a physical vapor deposition.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Reflexionsschicht 220, 320 aus einem Metall gebildet oder die Reflexionsschicht 220, 320 wird derart gebildet wird, dass sie ein Metall aufweist. According to one embodiment, the reflection layer 220 . 320 formed of a metal or the reflection layer 220 . 320 is formed such that it comprises a metal.
Wie in 4 und 5 dargestellt kann das Ausbilden der Reflexionsschicht das Ausbilden der ersten Elektrode 402, 502 in dem Flankenbereich 223 aufweisen. As in 4 and 5 For example, forming the reflective layer may include forming the first electrode 402 . 502 in the flank area 223 exhibit.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die zweite Elektrode 204, 304, 404, 504 über der Mehrzahl von Pixeln und über der Trennstruktur 210, 310, 410, 510 ausgebildet. According to an embodiment, the second electrode 204 . 304 . 404 . 504 over the plurality of pixels and over the separation structure 210 . 310 . 410 . 510 educated.
12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten organische Leuchtdiodenvorrichtung. 12 shows a flowchart of a method for producing an organic light-emitting diode device, for example, the above-explained organic light-emitting diode device.
Das in 12 gezeigte Ablaufdiagramm bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung, wobei die organische Leuchtdiodenvorrichtung einen Auskoppelstoff aufweist. Ausführungsbeispiele der organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit dem Auskoppelstoff sind weiter oben ausführlich beschrieben und beispielsweise in den 6, 7 und 8 dargestellt. This in 12 The flowchart shown relates to a method of manufacturing an organic light-emitting diode device, wherein the organic light-emitting diode device has a decoupling substance. Embodiments of the organic light emitting diode device with the decoupling material are described in detail above and, for example in the 6 . 7 and 8th shown.
Das Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung weist ein Ausbilden 1201 einer Mehrzahl von Pixel auf einem Substrat 601, 801 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden 1202 einer Trennstruktur 610, 810 zwischen den Pixeln und auf dem Substrat 601, 801 auf, wobei die Trennstruktur 610, 810 derart ausgebildet wird, dass die Trennstruktur 610, 810 ein Matrixmaterial aufweist. Das Verfahren weist ferner ein Anordnen 1203 eines Auskoppelstoffs in oder auf der Trennstruktur 610, 810 auf. Der Brechungsindex des Auskoppelstoffs ist höher als der Brechungsindex des Matrixmaterials. The method of manufacturing an organic light emitting diode device comprises forming 1201 a plurality of pixels on a substrate 601 . 801 on. Furthermore, the method has a formation 1202 a separation structure 610 . 810 between the pixels and on the substrate 601 . 801 on, with the separation structure 610 . 810 is formed such that the separation structure 610 . 810 comprising a matrix material. The method further comprises an arranging 1203 a decoupling substance in or on the separation structure 610 . 810 on. The refractive index of the decoupling substance is higher than the refractive index of the matrix material.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird der Auskoppelstoff aus Streupartikeln gebildet oder der Auskoppelstoff wird derart ausgebildet, dass er Streupartikel aufweist. According to one embodiment, the decoupling substance is formed from scattering particles or the decoupling substance is formed such that it has scattering particles.
Das Matrixmaterial kann aus einem Polyimid gebildet werden oder das Matrixmaterial wird derart ausgebildet, dass es ein Polyimid aufweist. The matrix material may be formed of a polyimide, or the matrix material may be formed to have a polyimide.
Das Ausbilden 1201 der Mehrzahl von Pixel sowie das Ausbilden 1202 der Trennstruktur 610, 810 erfolgt gemäß weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispielen. The training 1201 the plurality of pixels as well as the forming 1202 the separation structure 610 . 810 takes place according to embodiments described above.
Der Auskoppelstoff kann, wie in 6 dargestellt, auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. Der Auskoppelstoff kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. Der Auskoppelstoff kann mittels Siebdruckens, Rotationsbeschichtens, Tintenstrahldruckens, Rakelns oder Aufsprühens ausgebildet werden. Beispielsweise kann der Auskoppelstoff in einem geeigneten Lösungsmittel dispergiert werden und anschließen mittels einer Rotationsbeschichtung auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. Anschließend kann das Lösungsmittel entfernt werden, beispielsweise indem das Lösungsmittel verdampft. Anschließend können Bereiche der daraus resultierenden Auskoppelschicht wieder entfernt werden, beispielsweise mittels eines geeigneten Ätzverfahrens. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann der Auskoppelstoff derart mit einem geeigneten Lösungsmittel vermengt werden, dass eine Paste entsteht. Die daraus resultierende Paste kann mittels Siebdruck auf der Trennstruktur 610 angeordnet werden. The decoupling substance can, as in 6 shown on the separation structure 610 to be ordered. The decoupling material may be formed on the release structure using optical lithography, a shadow mask, or other suitable method 610 to be ordered. The decoy can be formed by screen printing, spin coating, ink jet printing, knife coating or spraying. For example, the decoupling agent can be dispersed in a suitable solvent and connected by means of a spin coating on the separation structure 610 to be ordered. Subsequently, the solvent can be removed, for example by evaporating the solvent. Subsequently, areas of the resulting coupling-out layer can be removed again, for example by means of a suitable etching process. According to one embodiment, the decoupling substance can be mixed with a suitable solvent in such a way that a paste is formed. The resulting paste can be screen printed on the release structure 610 to be ordered.
Der Auskoppelstoff kann ferner, wie in 8 dargestellt, in dem Matrixmaterial angeordnet werden. Das Anordnen des Auskoppelstoffs in dem Matrixmaterial kann ein Beimengen des Auskoppelstoffs in ein flüssiges Matrixmaterial aufweisen. Der Auskoppelstoff kann anschließend zusammen mit dem noch flüssigen Matrixmaterial auf dem Substrat 801 angeordnet werden. Anschließend kann das flüssige Matrixmaterial ausgehärtet werden, beispielsweise mittels Erhitzen des Matrixmaterials. Eine Strukturierung des Matrixmaterials kann beispielsweise mittels einer optischen Lithographie oder eines anderen geeigneten Prozesses erfolgen. The decoupling substance may further, as in 8th represented, are arranged in the matrix material. Arranging the decoupling material in the matrix material may include incorporation of the decoupling material into a liquid matrix material. The decoupling substance can then together with the still liquid matrix material on the substrate 801 to be ordered. Subsequently, the liquid matrix material can be cured, for example by heating the matrix material. Structuring of the matrix material can be carried out, for example, by means of optical lithography or another suitable process.
Die beiden oben beschriebenen Verfahren, das Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit Reflexionsschicht sowie das Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiodenvorrichtung mit Auskoppelstoff, können beide das Ausbilden von wenigstens einem Leiterbahnelement 926, 1026 (beispielsweise in 9 und 10 dargestellt) aufweisen. Das Leiterbahnelement 926, 1026 wird gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ausgebildet. Das Leiterbahnelement 926, 1026 kann beispielsweise mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung ausgebildet werden. The two methods described above, the method for producing an organic light-emitting diode device with reflective layer and the method for producing an organic light-emitting device with decoupling material, both can form at least one conductor track element 926 . 1026 (for example, in 9 and 10 shown). The conductor element 926 . 1026 is formed according to an embodiment described above. The conductor element 926 . 1026 can be formed for example by means of a physical vapor deposition.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das wenigstens eine Leiterbahnelement 926, 1026 auf der ersten Elektrode 902, 1002 oder auf der zweiten Elektrode 904, 1004 ausgebildet, und wobei ein Isolierelement 928, 1028 auf dem Leiterbahnelement 926, 1026 und der ersten Elektrode 902, 1002 oder der zweiten Elektrode 904, 1004 ausgebildet wird derart, dass das Isolierelement 928, 1028 das Leiterbahnelement 926, 1026 vollständig bedeckt. According to one embodiment, the at least one conductor track element 926 . 1026 on the first electrode 902 . 1002 or on the second electrode 904 . 1004 formed, and wherein an insulating element 928 . 1028 on the conductor element 926 . 1026 and the first electrode 902 . 1002 or the second electrode 904 . 1004 is formed such that the insulating element 928 . 1028 the conductor track element 926 . 1026 completely covered.
Die erste Elektrode 902, 1002 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 902, 1002 ausgebildet. Die zweite Elektrode 904, 1004 wird gemäß einem weiter oben beschrieben Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 904, 1004 ausgebildet. The first electrode 902 . 1002 is according to an embodiment of the first electrode described above 902 . 1002 educated. The second electrode 904 . 1004 is according to an embodiment of the second electrode described above 904 . 1004 educated.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine weitere Reflexionsschicht 920 auf dem Isolierelement 928, 1028 ausgebildet und die Reflektivität der weiteren Reflexionsschicht 920 ist höher als die Reflektivität des Isolierelements 928, 1028. According to one embodiment, a further reflection layer 920 on the insulating element 928 . 1028 formed and the reflectivity of the further reflection layer 920 is higher than the reflectivity of the insulating element 928 . 1028 ,
Die eine weitere Reflexionsschicht 920 wird gemäß einem weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der weiteren Reflexionsschicht 920 ausgebildet. Die weitere Reflexionsschicht 920 kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens ausgebildet werden. Die weitere Reflexionsschicht 920 kann mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung ausgebildet werden. The one more reflection layer 920 is according to an embodiment described above, the further reflection layer 920 educated. The further reflection layer 920 can be formed using optical lithography, a shadow mask, or using any other suitable method. The further reflection layer 920 can be formed by a physical vapor deposition.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Isolierelement 928, 1028 derart ausgebildet, dass das Isolierelement 928, 1028 ein weiteres Matrixmaterial und einen weiteren Auskoppelstoff aufweist, wobei der weitere Auskoppelstoff auf oder in dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet wird und, wobei der Brechungsindex des weiteren Auskoppelstoffs höher ist als der Brechungsindex des weiteren Matrixmaterials. According to one embodiment, the insulating element 928 . 1028 formed such that the insulating element 928 . 1028 a further matrix material and a further decoupling substance, wherein the further decoupling substance on or in the insulating element 928 . 1028 is arranged, and, wherein the refractive index of the further decoupling substance is higher than the refractive index of the further matrix material.
Der weitere Auskoppelstoff kann, wie in 9 dargestellt, auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. Der Auskoppelstoff kann unter Verwendung einer optischen Lithographie, einer Schattenmaske oder unter Verwendung eines anderen geeigneten Verfahrens auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. Der weitere Auskoppelstoff kann mittels Siebdruckens, Rotationsbeschichtens, Tintenstrahldruckens, Rakelns oder Aufsprühens ausgebildet werden. Beispielsweise kann der weitere Auskoppelstoff in einem geeigneten Lösungsmittel dispergiert werden und anschließen mittels einer Rotationsbeschichtung auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. Anschließend kann das Lösungsmittel entfernt werden, beispielsweise indem das Lösungsmittel verdampft. Anschließend können Bereiche, welche den weiteren Auskoppelstoff aufweisen wieder entfernt werden, beispielsweise mittels eines geeigneten Ätzverfahrens. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann der weitere Auskoppelstoff derart mit einem geeigneten Lösungsmittel vermengt werden, dass eine Paste entsteht. Die daraus resultierende Paste kann mittels Siebdruck auf dem Isolierelement 928, 1028 angeordnet werden. The further decoupling substance can, as in 9 shown on the insulating element 928 . 1028 to be ordered. The decoupling material may be formed on the insulating member using optical lithography, a shadow mask, or other suitable method 928 . 1028 to be ordered. The further decoy can be formed by screen printing, spin coating, ink jet printing, knife coating or spraying. For example, the further decoy can be dispersed in a suitable solvent and connected by means of a spin coating on the insulating 928 . 1028 to be ordered. Subsequently, the solvent can be removed, for example by evaporating the solvent. Subsequently, regions which have the further decoupling substance can be removed again, for example by means of a suitable etching process. According to one embodiment, the further decoupling substance can be mixed with a suitable solvent in such a way that a paste is formed. The resulting paste can be screen printed on the insulating element 928 . 1028 to be ordered.
Der weitere Auskoppelstoff kann ferner, wie in 10 dargestellt, in dem weiteren Matrixmaterial angeordnet werden. Das Anordnen des weiteren Auskoppelstoffs in dem weiteren Matrixmaterial kann ein Beimengen des Auskoppelstoffs in ein flüssiges weiteres Matrixmaterial aufweisen. Der weitere Auskoppelstoff kann anschließend zusammen mit dem noch flüssigen weiteren Matrixmaterial auf der ersten Elektrode 1002 und auf dem Leiterbahnelement 1026 angeordnet werden. Anschließend kann das flüssige weitere Matrixmaterial ausgehärtet werden, beispielsweise mittels Erhitzen des weiteren Matrixmaterials. Eine Strukturierung des weiteren Matrixmaterials kann beispielsweise mittels einer optischen Lithographie oder eines anderen geeigneten Prozesses erfolgen. The further decoupling material may further, as in 10 represented, are arranged in the further matrix material. The arrangement of the further decoupling substance in the further matrix material may include incorporation of the decoupling substance in a liquid further matrix material. The further decoupling substance can then be combined with the still liquid further matrix material on the first electrode 1002 and on the conductor element 1026 to be ordered. Subsequently, the liquid further matrix material can be cured, for example by heating the further matrix material. Structuring of the further matrix material can be carried out, for example, by means of optical lithography or another suitable process.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren zum Herstellen der organische Leuchtdiodenvorrichtung Merkmale der organische Leuchtdiodenvorrichtung aufweisen und die organische Leuchtdiodenvorrichtung kann Merkmale des Verfahrens zum Herstellen der organische Leuchtdiodenvorrichtung aufweisen derart und insoweit, als dass die Merkmale jeweils sinnvoll anwendbar sind. Dies bedeutet beispielsweise, dass der Gegenstand der abhängigen Vorrichtungsansprüche entsprechend anwendbar sind bei dem Verfahren und entsprechend auch als abhängige Verfahrensansprüche formuliert werden können. In various exemplary embodiments, the method for producing the organic light-emitting diode device may include features of the organic light-emitting diode device, and the organic light-emitting diode device may have features of the method for producing the organic light-emitting diode device, and insofar as the features can each be usefully applied. This means, for example, that the subject matter of the dependent device claims can be applied correspondingly in the method and can accordingly also be formulated as dependent method claims.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die in den 1, 2a, 2b, 3, 4, 5, 6, 7a, 7b, 7c, 8, 9 und 10 gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert sein. The invention is not limited to the specified embodiments. For example, in the 1 . 2a . 2 B . 3 . 4 . 5 . 6 . 7a . 7b . 7c . 8th . 9 and 10 be shown embodiments combined with each other.
