DE102015004071A1

DE102015004071A1 - Schaltung zum dynamischen vorspannen für einen sendeempfänger

Info

Publication number: DE102015004071A1
Application number: DE102015004071.5A
Authority: DE
Inventors: Chia How Low
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2014-05-05
Filing date: 2015-03-30
Publication date: 2015-11-05
Anticipated expiration: 2035-03-31
Also published as: CN105099485A; TW201607254A; US9495002B2; TWI565247B; US20150316977A1; CN105099485B; DE102015004071B4

Abstract

Ausführungsformen umfassen Geräte, Verfahren und Systeme zum Bereitstellen einer dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendeempfängers. In Ausführungsformen kann ein Sendeempfänger eine Empfangsschaltung und eine Sendeschaltung umfassen, die mit derselben Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstelle gekoppelt sind. Eine Schaltung zum dynamischen Vorspannen kann einen Spannungspegel eines Datensignals an der I/O-Kontaktstelle detektieren und eine dynamische Vorspannung mit einem Wert erzeugen, der auf dem detektierten Spannungspegel basiert. In manchen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung eine ausgewählte aus einer ersten Vorspannung oder einer zweiten Vorspannung sein. Die Schaltung zum dynamischen Vorspannen kann die dynamische Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren des Sendeempfängers bereitstellen, um die Transistoren vor elektrischer Überlastung zu schützen.

Description

Gebiet
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen allgemein das technische Gebiet von elektronischen Schaltungen und insbesondere Schaltungen zur Erzeugung einer dynamischen Vorspannung für einen Sendeempfänger.
Hintergrund
Die hierin bereitgestellte Beschreibung des technischen Hintergrunds dient dem Zweck der allgemeinen Darstellung des Kontexts der Offenbarung. Die Arbeit der hier genannten Erfinder, soweit sie in diesem Hintergrundabschnitt beschrieben ist, sowie Aspekte der Beschreibung, die ansonsten zum Zeitpunkt der Einreichung nicht als Stand der Technik gelten, sind weder explizit noch implizit als Stand der Technik für die vorliegende Offenbarung anerkannt. Sofern hierin nicht anders angegeben sind die in diesem Abschnitt beschriebenen Lösungen nicht Stand der Technik bezüglich der Ansprüche der vorliegenden Offenbarung und sind durch Aufnahme in diesen Abschnitt nicht als Stand der Technik anerkannt.
In drahtgebundenen Kommunikationsvorrichtungen sind Sendeempfängerschaltungen mit einem oder mehreren Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstellen zum Senden und/oder Empfangen von Datensignalen über eine oder mehrere Übertragungsleitungen gekoppelt, die mit den jeweiligen I/O-Kontaktstellen gekoppelt sind. Die Sendeempfängerschaltungen umfassen typischerweise Transistoren, die mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt sind. Neue Prozesstechnologien ermöglichen die Verwendung von Transistoren mit geringerer Größe. Die kleineren Transistoren können jedoch bei niedrigeren Spannungspegeln als größere Transistoren elektrische Überlastung ausgesetzt werden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Ein gutes Verständnis der Ausführungsformen ergibt sich aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen. Um diese Beschreibung zu vereinfachen bezeichnen ähnliche Bezugszahlen ähnliche Strukturelemente. Ausführungsformen sind in den Figuren der beiliegenden Zeichnungen als Beispiele und nicht als Einschränkung veranschaulicht.
1 ist eine schematische Darstellung einer Schaltung mit einem Sendeempfänger und einer Schaltung zum dynamischen Vorspannen gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
2 zeigt einen beispielhaften Sendetreiber, der mit der Schaltung zum dynamischen Vorspannen aus 1 verwendet werden kann, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
3 zeigt eine Schaltung, die zum Erzeugen einer dynamischen Vorspannung für einen Sendetreiber verwendet werden kann, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
4 zeigt eine beispielhafte Empfangsschaltung, die mit der Schaltung zum dynamischen Vorspannen aus 1 verwendet werden kann, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
5 zeigt eine beispielhafte Schaltung, die in der Schaltung zum dynamischen Vorspannen aus 1 enthalten sein kann, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
6 zeigt ein Verfahren zur Bereitstellung einer dynamischen Vorspannung für einen Sendeempfänger gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
7 zeigt ein beispielhaftes System, das konfiguriert ist, die hierin beschriebenen Geräte und Verfahren anzuwenden, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
Ausführliche Beschreibung
In der nachstehenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen verwiesen, die einen Teil hiervon bilden, wobei ähnliche Zahlen durchgehend ähnliche Teile bezeichnen, und in denen zur Veranschaulichung Ausführungsformen dargestellt sind, die in die Praxis umgesetzt werden können. Es versteht sich, dass auch andere Ausführungsformen verwendet werden können und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Folglich ist die folgende ausführliche Beschreibung nicht in einschränkendem Sinne zu verstehen und der Schutzumfang von Ausführungsformen ist in den beiliegenden Ansprüchen und ihre Äquivalenten definiert.
Verschiedene Operationen können wiederum als mehrere separate Aktionen oder Operationen beschrieben sein, um das Verständnis des beanspruchten Gegenstands zu erleichtern. Die Reihenfolge der Beschreibung ist jedoch nicht so zu verstehen, dass diese Operationen notwendigerweise von der Reihenfolge abhängen. Genauer gesagt müssen diese Operationen nicht in der Reihenfolge der Präsentation ausgeführt werden. Beschriebene Operationen können in einer anderen Reihenfolge ausgeführt werden, als in der Ausführungsform beschrieben. Auch verschiedene zusätzliche Operationen können durchgeführt werden und/oder beschriebene Operationen können in zusätzlichen Ausführungsformen weggelassen werden.
Zum Zweck der vorliegenden Offenbarung stehen die Phrasen „A und/oder B” und „A oder B” für (A), (B) oder (A und B). Zum Zweck der vorliegenden Offenbarung steht die Phrase „A, B und/oder C” für (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C) oder (A, B und C).
In der Beschreibung können Phrasen wie „in einer Ausführungsform” oder „in Ausführungsformen” vorkommen, die sich jeweils auf eine oder mehrere der gleichen oder unterschiedlicher Ausführungsformen beziehen können. Außerdem werden die Begriffe „umfassend”, „einschließend” und „aufweisen” und dergleichen in Bezug auf Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung synonym verwendet.
Wie hierin verwendet kann sich die Bezeichnung „Schaltung” auf eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC), eine elektronische Schaltung, einen Prozessor (gemeinsam benutzt, zweckbestimmt oder Gruppe) und/oder einen Speicher (gemeinsam benutzt, zweckbestimmt oder Gruppe), die ein oder mehrere Software- oder Firmwareprogramme ausführen, eine kombinatorische logische Schaltung und/oder andere geeignete Hardwarekomponenten, welche die beschriebene Funktionalität bereitstellen, beziehen, ein Teil davon sein oder diese umfassen. Wie hierin verwendet kann sich „computerimplementiertes Verfahren” auf ein beliebiges Verfahren beziehen, das von einem oder mehreren Prozessoren, einem Computersystem mit einem oder mehreren Prozessoren, einer Mobilvorrichtung, wie z. B. einem Smartphone (das einen oder mehrere Prozessoren umfassen kann), einem Tablet, einem Laptopcomputer, einem Beistellgerät, einer Spielkonsole usw., ausgeführt wird.
1 ist eine schematische Darstellung einer Schaltung 100, die verwendet werden kann, um über eine oder mehrere Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstellen 102a–b gemäß verschiedenen Ausführungsformen zu kommunizieren. Schaltung 100 kann einen Sendeempfänger 104 umfassen, der mit den I/O-Kontaktstellen 102a–b gekoppelt ist. Der Sendeempfänger 104 kann in einer Kommunikationsvorrichtung enthalten sein, um Daten zwischen der Kommunikationsvorrichtung und einer anderen Kommunikationsvorrichtung zu übertragen. Die I/O-Kontaktstellen 102a–b können mit entsprechenden Übertragungsleitungen gekoppelt sein, um Signale zwischen den Kommunikationsvorrichtungen zu übertragen.
In verschiedenen Ausführungsformen kann der Sendeempfänger 104 eine Sendeschaltung 106 und eine Empfangsschaltung 108 umfassen. Sendeschaltung 106 kann mit den I/O-Kontaktstellen 102a–b gekoppelt sein, um ein Datensignal an den I/O-Kontaktstellen 102a–b zu übertragen. Empfangsschaltung 108 kann mit den I/O-Kontaktstellen 102a–b gekoppelt sein, um ein Datensignal an den I/O-Kontaktstellen 102a–b zu empfangen.
Der Sendeempfänger 104 kann Datensignale gemäß einem beliebigen geeigneten Kommunikationsprotokoll senden und/oder empfangen, z. B. über eine Universal-Serial-Bus-(USB-)Schnittstelle, eine Allzweckeingang/ausgang-(GPIO-)Schnittstelle, eine serielle Kameraschnittstelle (CSI), eine Mobilindustrie-Prozessorschnittstellen-(MIPI-)M-PHY-Schnittstelle, eine Peripheriekomponenten-Expressverbindungs-(PCIe-)Schnittstelle und/oder einer Serial-Advanced-Technology-Attachment-(SATA-)Schnittstelle. In manchen Ausführungsformen kann der Sendeempfänger 104 verwendet werden, um ein Differenzdatensignal zu senden und/oder zu empfangen. Demgemäß kann der Sendeempfänger mit einem Paar von I/O-Kontaktstellen 102a–b gekoppelt sein, die mit entsprechenden Übertragungsleitungen gekoppelt sind, um die Differenzdatensignale zu übertragen. In manchen Ausführungsformen können weitere Übertragungsleitungen zwischen den Kommunikationsvorrichtungen gekoppelt sein, beispielsweise um ein Massesignal und/oder elektrische Leistung zu übertragen. In manchen Ausführungsformen kann zumindest ein Teil der Übertragungsleitungen Teil eines Kabels sein, das zwischen den Kommunikationsvorrichtungen angeschlossen ist.
In anderen Ausführungsformen kann der Sendeempfänger 104 ein asymmetrisches Datensignal über eine einzelne Übertragungsleitung übertragen.
In manchen Ausführungsformen kann das Datensignal an der I/O-Kontaktstelle 102a–b zwischen einem ersten Spannungspegel (z. B. 0 Volt (V)) und einem zweiten Spannungspegel (z. B. einer Versorgungsspannung Vcc) schwanken, um Datenbits darzustellen. In manchen Ausführungsformen kann Vcc beispielsweise 3,3 V sein und die I/O-Kontaktstelle 102a–b zwischen 0 V und 3,3 V schwanken.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Schaltung 100 ferner eine Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 umfassen, die mit dem Sendeempfänger 104 und den I/O-Kontaktstellen 102a–b gekoppelt ist. In manchen Ausführungsformen kann beispielsweise die Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 in derselben integrierten Schaltung (z. B. auf demselben Chip) enthalten sein wie der Sendeempfänger 104 und/oder die I/O-Kontaktstellen 102a–b.
Die Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 kann eine dynamische Vorspannung für einen oder mehrere Transistoren des Sendeempfängers 104 bereitstellen. Die dynamische Vorspannung kann einen Wert aufweisen, der auf dem Spannungswert des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 102a–b basiert. In manchen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung beispielsweise aus einer ersten Vorspannung und einer zweiten Vorspannung ausgewählt sein, wobei die erste oder zweite Vorspannung basierend auf dem Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 102a–b ausgewählt ist. In manchen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung die erste Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa dem ersten Spannungspegel (z. B. 0 V) entspricht, und kann die zweite Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa dem zweiten Spannungspegel (z. B. Vcc) entspricht. In manchen Ausführungsformen kann die zweite Vorspannung höher sein als die erste Vorspannung. In einer nichteinschränkenden Ausführungsform kann die erste Vorspannung beispielsweise etwa Vcc/3 (z. B. 1,1 V für Vcc von 3,3 V) und die zweite Vorspannung etwa 2 Vcc/3 (z. B. 2,2 V für Vcc von 3,3 V) sein.
In manchen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung eine erste dynamische Vorspannung, die auf dem Spannungspegel der I/O-Kontaktstelle 102a basiert, und eine zweite dynamische Vorspannung, die auf dem Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle 102b basiert, erzeugen. Die dynamische Vorspannung kann einem oder mehreren Transistoren des Sendeempfängers 104 bereitgestellt werden, die mit der entsprechenden I/O-Kontaktstelle 102a–b gekoppelt sind. Die dynamische Vorspannung kann einen Spannungsabfall an einem oder mehreren der Transistoren verhindern, der größer ist als eine elektrische Überlastungs-(EOS-)Grenze der Transistoren, wodurch ein EOS-Zustand verhindert wird.
2 zeigt einen Sendetreiber 200, der in der Sendeschaltung 106 des Sendeempfängers 104 gemäß verschiedenen Ausführungsformen enthalten sein kann. Sendetreiber 200 ist als Beispiel dargestellt, und in anderen Ausführungsformen kann die Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 mit einem anderen geeigneten Sendetreiber verwendet werden. Sendetreiber 200 kann mit einer I/O-Kontaktstelle 202 gekoppelt sein und verwendet werden, um ein Datensignal über eine Übertragungsleitung zu senden, die mit der I/O-Kontaktstelle 202 gekoppelt ist. Die I/O-Kontaktstelle 202 kann der I/O-Kontaktstelle 102a oder 102b von Schaltung 100 entsprechen.
In Ausführungsformen, in denen der Sendeempfänger 104 ein Differenzdatensignal sendet, können separate Sendetreiber 200 mit den verschiedenen I/O-Kontaktstellen 102a–b gekoppelt sein, um Datensignale über die entsprechenden Übertragungsleitungen zu treiben. Beispielsweise kann ein erster Sendetreiber 200 ein positives Datensignal (z. B. eine Hälfte des Differenzdatensignals) auf einer ersten Übertragungsleitung treiben, die mit der I/O-Kontaktstelle 102a gekoppelt ist, und ein zweiter Sendetreiber 200 kann ein negatives Signal (z. B. die andere Hälfte des Differenzdatensignals) auf einer zweiten Übertragungsleitung treiben, die mit der I/O-Kontaktstelle 102b gekoppelt ist. Zusätzlich oder alternativ dazu können mehrere Sendetreiber 200 mit derselben I/O-Kontaktstelle 102a–b gekoppelt sein.
Der Sendetreiber 200 kann eine Vielzahl von Pullup-Transistoren 204a–c umfassen, die in Reihe miteinander zwischen die I/O-Kontaktstelle 202 und eine Versorgungsspurschiene 206 gekoppelt sind. Die Versorgungsspurschiene 206 kann eine Versorgungsspannung Vcc empfangen. Der Sendetreiber 200 kann ferner eine Vielzahl von Pulldown-Transistoren 208a–c umfassen, die in Reihe miteinander zwischen die I/O-Kontaktstelle 202 und einen Masseanschluss 210 gekoppelt sind. Die Pullup-Transistoren 204a–c können selektiv eingeschaltet werden, um die Spannung an der I/O-Kontaktstelle 202 (z. B. auf Vcc) zu erhöhen. Die Pulldown-Transistoren 208a–c können selektiv eingeschaltet werden, um den Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle (z. B. auf 0 V) zu senken. In verschiedenen Ausführungsformen kann der Pullup-Transistor 204c ein Pullup-Signal empfangen, um den Pullup-Transistor 204c selektiv ein- oder auszuschalten. Außerdem kann der Pulldown-Transistor 208c ein Pulldown-Signal empfangen, um den Pulldown-Transistor 208c selektiv ein- oder auszuschalten. Während eines Sendemodus des Sendeempfängers können die Pullup- und Pulldown-Signale verwendet werden, um den Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 202 zu treiben.
In verschiedenen Ausführungsformen können die Pullup-Transistoren 204a–c und/oder Pulldown-Transistoren 208a–c jede beliebige geeignete Art von Transistor sein. In manchen Ausführungsformen können die Pullup-Transistoren 204a–c beispielsweise Transistoren vom p-Typ sein (z. B. Feldeffekttransistoren (FETs) vom p-Typ) und/oder die Pulldown-Transistoren 208a–c können Transistoren vom n-Typ (z. B. FETs vom n-Typ) sein. In anderen Ausführungsformen können andere Transistorarten eingesetzt werden.
In verschiedene Ausführungsformen können die Pullup-Transistoren 204a–b und Pulldown-Transistoren 208a–b jeweilige Vorspannungen empfangen (z. B. am Gateanschluss des Transistors). Die Vorspannungen können den Betrieb des Sendetreibers 200 während des Sendemodus des Sendeempfängers erleichtern und/oder einen oder mehrere der Pullup-Transistoren 204a–b und/oder Pulldown-Transistoren 208a–b während des Empfangsmodus und/oder Sendemodus des Sendeempfängers vor EOS schützen. In verschiedenen Ausführungsformen können einer oder mehrere der Pullup-Transistoren 204a–b und/oder einer oder mehrere der Pulldown-Transistoren 208a–b die dynamische Vorspannung Vdyn empfangen, die von der Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 bereitgestellt wird. In manchen Ausführungsformen können beispielsweise der Pullup-Transistor 204a und der Pulldown-Transistor 208a die dynamische Vorspannung empfangen. In verschiedenen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung einen Wert aufweisen, der auf dem Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 202 basiert. In manchen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung beispielsweise aus einer ersten Vorspannung und einer zweiten Vorspannung ausgewählt sein, wobei die erste oder zweite Vorspannung basierend auf dem Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 202 ausgewählt ist. In manchen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung die erste Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa 0 V ist, und die zweite Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa Vcc ist.
Alternativ dazu oder zusätzlich kann die dynamische Vorspannung die erste Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 202 unter einer Schwelle liegt, und die dynamische Vorspannung kann die zweite Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 202 über der Schwelle liegt. In manchen Ausführungsformen kann die Schwelle beispielsweise Vcc/2 sein.
In manchen Ausführungsformen kann die erste Vorspannung etwa Vcc/3 sein, und die zweite Vorspannung kann etwa 2Vcc/3 sein. Wenn beispielsweise Vcc 3,3 V ist, kann die erste Vorspannung etwa 1,1 V sein und die zweite Vorspannung etwa 2,2 V sein. Andere Ausführungsformen können andere Werte für die erste Vorspannung und/oder die zweite Vorspannung aufweisen.
In manchen Ausführungsformen können der Pullup-Transistor 204b und/oder der Pulldown-Transistor 208b statische Vorspannungen Vstat1 bzw. Vstat2 empfangen, die unabhängig vom Spannungspegel des Datensignals gleich sind. In manchen Ausführungsformen kann der Pullup-Transistor 204b eine statische Vorspannung empfangen, die gleich der zweiten Vorspannung ist. Beispielsweise kann Vstat1 etwa 2Vcc/3 sein (z. B. 2,2 V wenn Vcc 3,3 V ist). In manchen Ausführungsformen kann der Pulldown-Transistor 208b eine statische Vorspannung empfangen, die gleich der ersten Vorspannung ist. Beispielsweise kann Vstat2 etwa Vcc/3 sein (z. B. 1,1 V wenn Vcc 3,3 V ist). In anderen Ausführungsformen können der Pullup-Transistor 204b und/oder der Pulldown-Transistor 208b dynamische Vorspannungen empfangen die sich von der dynamischen Vorspannung unterscheiden können, die vom Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a empfangen werden.
In manchen Ausführungsformen können der Pullup-Transistor 204c und/oder der Pulldown-Transistor 208c, die im Sendemodus das Pullup-Signal bzw. Pulldown-Signal empfangen, im Empfangsmodus jeweilige statische Vorspannungen empfangen. Beispielsweise kann im Empfangsmodus der Pullup-Transistor 204c eine statische Vorspannung von etwa Vcc (z. B. 3,3 V) empfangen und der Pulldown-Transistor 208c kann eine statische Vorspannung von etwa 0 V empfangen.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die dynamische Vorspannung die Verwendung kleinerer Transistoren (mit niedrigeren EOS-Grenzen) für die Pullup-Transistoren 204a–c und/oder Pulldown-Transistoren 208a–c ermöglichen als für einen Sendetreiber verwendet werden können, der statische Vorspannungen verwendet (z. B. eine Vorspannung, die immer denselben Wert aufweist). In manchen nicht einschränkenden Beispielen können die Transistoren 1,5-V-Transistoren mit einer EOS-Grenze von 1,5 V sein. Bei der Signalisierung an der I/O-Kontaktstelle 202, die eine Versorgungsspannung Vcc von über zweimal der EOS-Grenze der Transistoren 204a–c und 208a–c verwendet (z. B. Signale mit 3,3 V, wenn Vcc 3,3 V, wie von der USB-2.0-Schnittstelle verwendet), gibt es keinen Wert für eine statische Vorspannung, der dem Pullup-Transistor 204a und Pulldown-Transistor 208a bereitgestellt werden kann, ohne eine Spannung an einem aus dem Pullup-Transistor 204a oder Pulldown-Transistor 208a zu verursachen, die höher ist als die EOS-Grenze des Transistors. Im Gegensatz dazu kann die dynamische Vorspannung, die von der Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 bereitgestellt wird, einen Spannungsabfall am Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a verhindern, der größer ist als die EOS-Grenze des Transistors, wodurch elektrische Überlastung der Transistoren verhindert wird.
3 zeigt eine Schaltung 300, die in der Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 gemäß einigen Ausführungsformen enthalten sein kann. Die Schaltung 300 kann verwendet werden, um eine dynamische Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendetreibers bereitzustellen (z. B. Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a von Sendetreiber 200). In manchen Ausführungsformen kann die Schaltung 300 die dynamische Vorspannung während eines Empfangsmodus des Sendeempfängers 104 bereitstellen, um einen Spannungsabfall an einem oder mehreren Transistoren zu verhindern, der größer ist als die EOS-Grenze der Transistoren, wodurch ein EOS-Zustand verhindert wird. Die dynamische Vorspannung kann einen Wert aufweisen, der auf dem Spannungspegel des Datensignals an einer I/O-Kontaktstelle 302 basiert. Die I/O-Kontaktstelle 302 kann der I/O-Kontaktstelle 102a oder 102b von Schaltung 100 entsprechen.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Schaltung 300 einen Spannungsgenerator 304 umfassen, um die erste Vorspannung (Vbias1) und die zweite Vorspannung (Vbias2) zu erzeugen. Die Schaltung 300 kann ferner eine Sendemodussteuerschaltung 306 und eine Empfangsmodussteuerschaltung 308 umfassen, die jeweilige Vorspannungen erzeugen. Ein Multiplexer 310 kann mit der Sendemodussteuerschaltung 306 und der Empfangsmodussteuerschaltung 308 gekoppelt sein, um die jeweiligen Vorspannungen zu empfangen. Der Multiplexer 310 kann ferner mit einem Ausgangsanschluss 312 gekoppelt sein. Der Multiplexer 310 kann die Vorspannung, die von der Sendemodussteuerschaltung 306 erzeugt wird, während des Sendemodus zum Ausgangsanschluss 312 leiten und die Vorspannung, die von der Empfangsmodussteuerschaltung 308 erzeugt wird, während des Empfangsmodus empfangen. Der Multiplexer 310 kann ein Empfangs-Aktivierungssignal (rxen) und/oder ein Sende-Aktivierungssignal (txen) empfangen, um anzuzeigen, ob sich der Sendeempfänger im Sendemodus oder Empfangsmodus befindet.
In anderen Ausführungsformen kann es sein, dass die Schaltung 300 keine separate Sendemodussteuerschaltung 306 und Empfangsmodussteuerschaltung 308 umfasst. In manchen solchen Ausführungsformen kann die Empfangsmodussteuerschaltung 308 wie hierin beschrieben die dynamische Vorspannung für sowohl den Empfangs- als auch den Sendemodus des Sendeempfängers 104 erzeugen.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Sendemodussteuerschaltung 306 mit dem Spannungsgenerator 304 gekoppelt sein, um die erste und zweite Vorspannung zu empfangen. Die Sendemodussteuerschaltung 306 kann ferner eingehende Daten (Indata) empfangen, die im Datensignal an der I/O-Kontaktstelle 302 und im Sende-Aktivierungssignal zu übertragen sind. Die Sendemodussteuerschaltung 306 kann wissen, welcher Spannungswert des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 302 auf den eingehenden Daten basiert. Demgemäß kann die Sendemodussteuerschaltung 306 entweder die erste oder die zweite Vorspannung basierend auf den eingehenden Daten auswählen und die ausgewählte Vorspannung zum Multiplexer 310 leiten.
Im Empfangsmodus kann es jedoch sein, dass die Schaltung 300 die Werte der Daten, die an der I/O-Kontaktstelle 302 empfangen werden, nicht kennt. Demgemäß kann die dynamische Vorspannungsschaltung 300 die Empfangsmodussteuerschaltung 308 umfassen, um den Wert der dynamischen Vorspannung während des Empfangsmodus des Sendeempfängers zu bestimmen.
Die Empfangsmodussteuerschaltung 308 kann mit dem Spannungsgenerator 304 gekoppelt sein, um die erste und zweite Vorspannung zu empfangen. Die Empfangsmodussteuerschaltung 308 kann ferner mit der I/O-Kontaktstelle 302 gekoppelt sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Empfangsmodussteuerschaltung 308 den Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 302 detektieren. Beispielsweise kann die Empfangsmodussteuerschaltung 308 den Spannungspegel detektieren, indem sie das Datensignal an der I/O-Kontaktstelle 302 abfühlt. Die Empfangsmodussteuerschaltung 308 kann basierend auf dem detektierten Spannungspegel entweder die erste Vorspannung oder die zweite Vorspannung auswählen und die ausgewählte Vorspannung zum Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a leiten (z. B. über den Multiplexer 310).
In manchen Ausführungsformen kann die Empfangsmodussteuerschaltung 308 beispielsweise die erste Vorspannung auswählen, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa 0 V beträgt, und die zweite Vorspannung auswählen, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa Vcc ist.
Alternativ dazu oder zusätzlich kann die Empfangsmodussteuerschaltung 308 in manchen Ausführungsformen die erste Vorspannung auswählen, wenn der Spannungspegel des Datensignals geringer ist als ein Schwellenwert, und kann die zweite Vorspannung auswählen, wenn das Datensignal stärker ist als der Schwellenwert. Der Schwellenwert kann beispielsweise etwa Vcc/2 sein (z. B. etwa 1,65 V wenn Vcc 3,3 V ist).
Demgemäß kann die dynamische Vorspannung, die durch die Empfangsmodussteuerschaltung 308 bereitgestellt wird, sicherstellen, dass es während des Empfangsmodus des Sendeempfängers 104 zu keinem Spannungsabfall am Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a kommt, der größer ist als die EOS-Grenze des Transistors ist. Somit kann die Empfangsmodussteuerschaltung 308 eine Beschädigung des Sendetreibers 200 während des Empfangsmodus verhindern.
4 zeigt eine Empfangsschaltung 400, die in der Empfangsschaltung 108 von Sendeempfänger 104 gemäß verschiedenen Ausführungsformen enthalten sein kann. Die Empfangsschaltung 400 kann verwendet werden, um Datensignale über I/O-Kontaktstellen 402a–b zu empfangen. Die I/O-Kontaktstellen 402a–b können den I/O-Kontaktstellen 102a–b entsprechen. Die Empfangsschaltung 400 kann einen Verstärker 404 umfassen, der die empfangenen Datensignale verarbeiten und entsprechende Ausgangssignale am Ausgangsanschluss 406a–b erzeugen kann. Die Empfangsschaltung 400 kann ferner EOS-Schutztransistoren 408a–c, die zwischen die I/O-Kontaktstelle 402a und den Verstärker 404 gekoppelt sind, und EOS-Schutztransistoren 410a–c, die zwischen die I/O-Kontaktstelle 402b und den Verstärker 404 gekoppelt sind, umfassen. Die Empfangsschaltung 400 kann eine beliebige Anzahl von zwei oder mehr EOS-Schutztransistoren 408a–c und/oder EOS Schutztransistoren 410a–c umfassen. In manchen Ausführungsformen können die EOS-Schutztransistoren 408a–c und/oder EOS-Schutztransistoren 410a–c Transistoren vom n-Typ sein.
In verschiedenen Ausführungsformen können die EOS-Schutztransistoren 408c und 410c ein Empfang-Aktivierungssignal (rxen) empfangen, um anzuzeigen, warm der Sendeempfänger 104 im Empfangsmodus ist. In manchen Ausführungsformen kann das Empfang-Aktivierungssignal etwa 0 V sein, wenn der Sendeempfänger 104 nicht im Empfangsmodus ist (z. B. wenn der Sendeempfänger 104 im Sendemodus ist), wodurch die Transistoren 408c und 410c ausgeschaltet werden. In manchen Ausführungsformen kann das Empfang-Aktivierungssignal etwa 1 V sein, wenn der Sendeempfänger 104 im Empfangsmodus ist, wodurch die Transistoren 408c ein 410c eingeschaltet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen können einer oder mehrere der EOS-Schutztransistoren 408a–b und/oder einer oder mehrere der EOS-Schutztransistoren 410a–b eine dynamische Vorspannung wie hierin beschrieben empfangen. Die dynamische Vorspannung kann einen Wert aufweisen, der auf einem Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle 102a–b basiert, das mit dem entsprechenden Transistor gekoppelt ist.
In manchen Ausführungsformen kann beispielsweise der EOS-Schutztransistor 408a eine erste dynamische Vorspannung (Vdyn1) empfangen. Die erste dynamische Vorspannung kann einen Wert von etwa 2,2 V aufweisen, wenn der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 402a 3,3 V ist, und einen Wert von etwa 1,1 V, wenn der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 402a 0 V ist.
In manchen Ausführungsformen kann der EOS-Schutztransistor 408b eine zweite dynamische Vorspannung (Vdyn2) empfangen. Die zweite dynamische Vorspannung kann einen Wert von etwa 2,2 V aufweisen, wenn der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 402b 3,3 V ist, und einen Wert von etwa 1,1 V, wenn der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 402b 0 V ist.
In manchen Ausführungsformen können die EOS-Schutztransistoren 408b und 410b eine statische Vorspannung empfangen. Die statische Vorspannung kann einen Wert von beispielsweise etwa 1,1 V aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsformen können die dynamischen Vorspannungen, die den EOS-Schutztransistoren 408a und 410a bereitgestellt werden, die Verwendung kleinerer Transistoren in der Empfangsschaltung 400 ermöglichen (z. B. für die Transistoren 408a–c und/oder 410a–c). In manchen Ausführungsformen können die Transistoren 408a–c und/oder 410a–c beispielsweise eine EOS-Grenze von etwa 1,5 V aufweisen.
Es ist offensichtlich, dass die Werte der Vorspannungen und die Transistorgröße, die für die Empfangsschaltung 400 erläutert sind, als Beispiele angeführt sind und dass in andern Ausführungsformen andere Werte für die Vorspannungen (einschließlich der dynamischen Vorspannungen) und/oder andere Transistorgrößen verwendet werden können.
5 zeigt ein Beispiel für eine Schaltung 500, die verwendet werden kann, um eine dynamische Vorspannung gemäß verschiedenen Ausführungsformen zu erzeugen. Die dynamische Vorspannung kann einem oder mehreren Transistoren eines Sendeempfängers (z. B. Sendeempfängers 104) bereitgestellt werden. Die dynamische Vorspannung kann beispielsweise einem oder mehreren Transistoren einer Sendeschaltung des Sendeempfängers (z. B. Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a von Sendetreiber 200) und/oder einem oder mehrere Transistoren einer Empfangsschaltung des Sendeempfängers (e. g., EOS-Schutztransistor 408a und/oder EOS-Schutztransistor 410a von Empfangsschaltung 400) bereitgestellt werden.
In manchen Ausführungsformen kann die Schaltung 500 in der Schaltung zum dynamischen Vorspannen 110 aus 1 und/oder in der Empfangsmodussteuerschaltung 308 aus 3 enthalten sein. Die Schaltung 500 kann mit einer I/O-Kontaktstelle 502 gekoppelt sein. Die I/O-Kontaktstelle 502 kann der I/O-Kontaktstelle 102a oder 102b von Schaltung 100 entsprechen. Die Schaltung 500 kann einen ersten Vorspannungsanschluss 504 zum Empfangen der ersten Vorspannung (Vbias1) und einen zweiten Vorspannungsanschluss 506 zum Empfangen der zweiten Vorspannung (Vbias2) umfassen.
Die Schaltung 500 kann einen ersten Schalttransistor 508, der zwischen den ersten Vorspannungsanschluss 504 und einen Ausgangsanschluss 510 gekoppelt ist, umfassen, um die erste Vorspannung selektiv als dynamische Vorspannung (Vdyn) zum Ausgangsanschluss 510 zu leiten. Die Schaltung 500 kann ferner einen zweiten Schalttransistor 512 umfassen, der zwischen den zweiten Vorspannungsanschluss 506 und den Ausgangsanschluss 510 gekoppelt ist, um die zweite Vorspannung selektiv als dynamische Vorspannung zum Ausgangsanschluss 510 zu leiten. Der erste Schalttransistor 508 und der zweite Schalttransistor 512 können durch Signale gesteuert werden, die an entsprechenden Gateanschlüssen empfangen werden. In manchen Ausführungsformen kann der erste Schalttransistor 508 ein Transistor vom p-Typ sein und der zweite Schalttransistor 512 kann ein Transistor vom n-Typ sein.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Schaltung 500 ferner eine Diode 514 umfassen, die zwischen die I/O-Kontaktstelle 502 und einen ersten Knoten 516 gekoppelt ist. In manchen Ausführungsformen kann die Diode 514 ein als Diode geschalteter Transistor sein, wie z. B. ein als Diode geschalteter Transistor vom p-Typ. Die Schaltung 500 kann ferner eine Diode 518 umfassen, die zwischen den ersten Knoten 516 und einen zweiten Knoten 520 gekoppelt ist. In manchen Ausführungsformen kann die Diode 518 ein als Diode geschalteter Transistor sein, z. B. ein als Diode geschalteter Transistor vom p-Typ. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Schaltung 500 ferner eine oder mehrere Dioden 522a–c umfassen, die zwischen den zweiten Knoten 520 und einen Masseanschluss 524 gekoppelt sind. In manchen Ausführungsformen können die Dioden 522a–c als Diode geschaltete Transistoren sein, z. B. als Diode geschaltete Transistoren vom p-Typ.
In verschiedenen Ausführungsformen kann der Gateanschluss des ersten Schalttransistors 508 mit dem zweiten Knoten 520 gekoppelt sein, und der Gateanschluss des zweiten Schalttransistors 512 kann mit dem ersten Knoten 516 gekoppelt sein. Die Schaltung 500 kann ferner eine oder mehrere Dioden 526a–b umfassen, die zwischen den ersten Vorspannungsanschluss 504 und den Gateanschluss des zweiten Schalttransistors 512 gekoppelt sind.
Wie oben erläutert kann der Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle 102 zwischen 0 V und Vcc schwanken. Wenn der Spannungspegel der I/O-Kontaktstelle von 0 V zu Vcc schwankt, können Diode 514, Diode 518 und Dioden 522a–c eingeschaltet sein. Mit einer Vcc von 3,3 V, beispielsweise, kann sich die Spannung am ersten Knoten 516 auf etwa 2,7 V einpendeln, und die Spannung am zweiten Knoten 520 kann sich auf etwa 2,0 V einpendeln. Demgemäß kann der erste Schalttransistor 508 abgeschaltet sein, während der zweite Schalttransistor 512 eingeschaltet ist. Somit kann die Schaltung 500 die zweite Vorspannung (z. B. 2,2 V) zum Ausgangsanschluss 510 leiten. Die Dioden 526a–b können ausgeschaltet sein, weil die Spannung am ersten Knoten 516 (mit dem der Quellanschluss der Diode 526a gekoppelt ist) höher ist als die Spannung am Gate- und Drainanschluss der Diode 526a.
Wenn der Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle 102 von Vcc zu 0 V schwankt, können Dioden 526a–b, Diode 518 und Dioden 522a–c eingeschaltet sein. Demgemäß kann sich die Spannung am ersten Knoten 516 auf etwa 0,8 V einpendeln, und die Spannung am zweiten Knoten 520 kann sich auf etwa 0,65 V einpendeln. Somit kann der erste Schalttransistor 508 eingeschaltet sein und der zweite Schalttransistor 512 ausgeschaltet sein, wodurch die erste Vorspannung (z. B. 1,1 V) zum Ausgangsanschluss 510 geleitet wird. Die Dioden 526a–b können sicherstellen, dass der erste Knoten 516 sich auf einen Spannungspegel einpendelt, der zu einer elektrischen Überlastung des zweiten Schalttransistors 512 führt, der eine Drainspannung der zweiten Vorspannung (z. B. 2,2 V) aufweist.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Schaltung 500 1,5-V-Transistoren verwenden und mit einer I/O-Kontaktstelle arbeiten, das zwischen 0 V und 3,3 V schwankt, ohne dass einer der Transistoren von Schaltung 500 elektrischer Überlastung ausgesetzt wird.
6 zeigt ein Verfahren 600 zur Bereitstellung einer dynamischen Vorspannung für einen Sendeempfänger (z. B. Sendeempfänger 104) gemäß verschiedenen Ausführungsformen. In manchen Ausführungsformen kann ein Gerät (z. B. der Sendeempfänger oder ein Gerät, das den Sendeempfänger umfasst) ein oder mehrere nichttransitorische Medien mit darauf gespeicherten Anweisungen umfassen, die bei Ausführung das Gerät veranlassen, Verfahren 600 auszuführen.
Bei 602 kann das Verfahren 600 Detektieren eines Spannungspegels eines Datensignals an einer I/O-Kontaktstelle (z. B. I/O-Kontaktstelle 102) umfassen. In manchen Ausführungsformen kann der Spannungspegel des Datensignals zwischen einem ersten Spannungspegel (z. B. 0 V) und einem zweiten Spannungspegel (z. B. Vcc) schwanken, um Daten zu übertragen.
Bei 604 kann das Verfahren 600 ferner Erzeugen einer dynamischen Vorspannung basierend auf dem detektierten Spannungspegel umfassen. Die dynamische Vorspannung kann eine erste Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals der erste Spannungspegel ist, und kann eine zweite Vorspannung sein, wenn der Spannungspegel des Datensignals der zweite Spannungspegel ist.
Bei 606 kann das Verfahren 600 ferner Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendeempfängers umfassen, die mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt sind. Der eine oder die mehreren Transistoren können beispielsweise Pullup-Transistor 204a und/oder Pulldown-Transistor 208a von Sendetreiber 200 und/oder EOS-Schutztransistor 408a und/oder EOS-Schutztransistor 410a von Empfangsschaltung 400 sein.
In manchen Ausführungsformen kann das Verfahren 600 als auf einen Sendeempfänger reagierend ausgeführt werden, der den Sendetreiber in einem Empfangsmodus umfasst.
7 zeigt ein Beispiel für eine Rechenvorrichtung 700, welche die hierin beschriebenen Geräte und/oder Verfahren (z. B. Schaltung 100, Sendetreiber 200, Schaltung 300, Empfangsschaltung 400, Schaltung 500, Verfahren 600) gemäß verschiedenen Ausführungsformen einsetzen kann. Wie dargestellt kann Rechenvorrichtung 700 eine Reihe von Komponenten umfassen, wie z. B. einen oder mehrere Prozessor(en) 704 (einer dargestellt) und zumindest einen Kommunikationschip 706. In verschiedenen Ausführungsformen können der eine oder die mehreren Prozessor(en) 704 jeweils einen oder mehrere Prozessorkerne umfassen. In verschiedenen Ausführungsformen kann der zumindest eine Kommunikationschip 706 physisch und elektrisch mit dem einen oder den mehreren Prozessor(en) 704 gekoppelt sein. In weiteren Implementierungen kann der Kommunikationschip 706 Teil des einen oder der mehreren Prozessor(en) 704 sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Rechenvorrichtung 700 eine gedruckte Leiterplatte (PCB) 702 umfassen. Für diese Ausführungsformen können der eine oder die mehreren Prozessor(en) 704 und der Kommunikationschip 706 darauf angeordnet sein. In alternativen Ausführungsformen können die einzelnen Komponenten ohne Einsatz einer PCB 702 gekoppelt sein.
Je nach Anwendungen kann die Rechenvorrichtung 700 noch andere Komponenten umfassen, die physisch und elektrisch mit der PCB 702 gekoppelt sein können oder nicht. Diese anderen Komponenten umfassen, sind jedoch nicht eingeschränkt auf, eine Speichersteuerung 705, einen flüchtigen Speicher (z. B. einen dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) 708), einen nichtflüchtigen Speicher, wie z. B. einen Festwertspeicher (ROM) 710, einen Flashspeicher 712, eine Speichervorrichtung 711 (z. B. eine Festplatte (HDD)), eine I/O-Steuerung 714, einen Digitalsignalprozessor (nicht dargestellt), einen Kryptoprozessor (nicht dargestellt), einen Grafikprozessor 716, eine oder mehrere Antennen 718, eine Anzeige (nicht dargestellt), einen Berührungsbildschirm 720, eine Berührungsbildschirmsteuerung 722, eine Batterie 724, ein Audiocodec (nicht dargestellt), ein Videocodec (nicht dargestellt), eine globale Positionsbestimmungssystem-(GPS-)Vorrichtung 728, einen Kompass 730, einen Beschleunigungsmesser (nicht dargestellt), ein Gyroskop (nicht dargestellt), einen Lautsprecher 732, eine Kamera 734 und eine Massenspeichervorrichtung (wie z. B. eine Festplatte, ein Halbleiterlaufwerk, eine Compact Disk (CD), eine Digital Versatile Disk (DVD)) (nicht dargestellt) usw. In verschiedenen Ausführungsformen kann der Prozessor 704 auf demselben Nacktchip wie andere Komponenten integriert sein, um ein Ein-Chip-System (SoC) zu bilden.
In manchen Ausführungsformen können der eine oder die mehreren Prozessor(en) 704, der Flashspeicher 712 und/oder die Speichervorrichtung 711 zugeordnete Firmware (nicht dargestellt) umfassen, in der Programmieranweisungen gespeichert sind, die konfiguriert sind, um es Rechenvorrichtung 700 zu ermöglichen, als Antwort auf die Ausführung der Programmieranweisungen durch einen oder mehrere Prozessor(en) 704 alle oder ausgewählte Aspekte der hierin beschriebenen Verfahren (z. B. Verfahren 600) umzusetzen. In verschiedenen Ausführungsformen können diese Aspekte zusätzlich oder alternativ dazu unter Einsatz von Hardware implementiert werden, die separate von dem einen oder den mehreren Prozessor(en) 704, dem Flashspeicher 712 oder der Speichervorrichtung 711 ist.
In verschiedenen Ausführungsformen können eine oder mehrere Komponenten der Rechenvorrichtung 700 Schaltung 100, Sendetreiber 200, Schaltung 300, Empfangsschaltung 400 und/oder Schaltung 500 wie hierin beschrieben umfassen. Schaltung 100, Sendetreiber 200, Schaltung 300, Empfangsschaltung 400 und/oder Schaltung 500 können beispielsweise in I/O-Steuerung 714, Prozessor 704, Speichersteuerung 705 und/oder einer anderen Komponente von Rechenvorrichtung 700 enthalten sein. In manchen Ausführungsformen kann I/O-Steuerung 714 eine Schnittstelle mit einer oder mehreren externen Vorrichtungen aufweisen, um ein Datensignal unter Verwendung des Sendeempfängers 104 zu senden und/oder zu empfangen. In anderen Ausführungsformen kann der Sendeempfänger 104 verwendet werden, um ein Datensignal von/zu zwei Komponenten der Rechenvorrichtung 700 zu senden und/oder empfangen.
Die Kommunikationschips 706 können drahtgebundene und/oder drahtlose Kommunikationen für den Datentransport zu und von der Rechenvorrichtung 700 ermöglichen. Die Bezeichnung „drahtlos” und Ableitungen davon können verwendet werden, um Schaltungen, Vorrichtungen, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle usw. zu beschreiben, die Daten durch die Verwendung von modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nicht festes Medium zu übertragen. Die Bezeichnung impliziert nicht, dass die zugeordneten Vorrichtungen keine Drähte enthalten, obwohl das in manchen Ausführungsformen der Fall sein kann. Der Kommunikationschip 706 kann jeden beliebigen aus einer Reihe von Drahtlosstandards oder -protokollen implementieren, einschließlich, nicht jedoch eingeschränkt auf IEEE 702.20, Long Term Evolution (LTE), LTE Advanced (LTE-A), General Packet Radio Service (GPRS), Evolution Data Optimized (Ev-DO), Evolved High Speed Packet Access (HSPA+), Evolved High Speed Downlink Packet Access (HSDPA+), Evolved High Speed Uplink Packet Access (HSUPA+), Global System for Mobile Communications (GSM), Enhanced Data rates for GSM Evolution (EDGE), Code Division Multiple Access (CDMA), Time Division Multiple Access (TDMA), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), Worldwide Interoperability for Microwave Access (WiMAX), Bluetooth, Ableitungen davon sowie andere Drahtlosprotokolle, die als 3G, 4G, 5G und darüber bezeichnet werden. Die Rechenvorrichtung 700 kann eine Vielzahl von Kommunikationschips 706 umfassen. Ein erster Kommunikationschip 706 kann beispielsweise Drahtloskommunikationen mit geringerer Reichweite, wie z. B. Wi-Fi und Bluetooth, gewidmet sein, und ein zweiter Kommunikationschip 706 kann Drahtloskommunikationen mit größerer Reichweite, wie z. B. GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, ELT, Ev-DO und anderen, gewidmet sein.
In verschiedenen Implementierungen kann die Rechenvorrichtung 700 ein Laptop, ein Netbook, eine Notebook, ein Ultrabook, ein Smartphone, ein Rechnertablet, ein Personal Digital Assistant (PDA), ein ultramobiler PC, ein Mobiltelefon, ein Desktopcomputer, ein Server, ein Drucker, ein Scanner, ein Monitor, ein Beistell-(Set-Top-)Gerät, eine Unterhaltungssteuereinheit (z. B. eine Spielkonsole oder eine Automobilunterhaltungseinheit), eine Digitalkamera, ein Haushaltsgerät, ein tragbares Musikabspielgerät oder ein digitaler Videorecorder sein. In weiteren Implementierungen kann die Rechenvorrichtung 700 eine beliebige andere elektronische Vorrichtung sein, die Daten verarbeitet.
Ein paar nicht einschränkende Beispiele sind nachstehend angeführt.
Beispiel 1 ist eine Schaltung zum Bereitstellen einer dynamischen Vorspannung für einen Sendeempfänger, wobei die Schaltung umfasst: eine Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstelle zum Empfangen eines Datensignals; einen Sendeempfänger, der mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist, wobei der Sendeempfänger einen Transistor umfasst, der mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist; und eine Schaltung zum dynamischen Vorspannen, die mit der I/O-Kontaktstelle und dem Sendeempfänger gekoppelt ist. Die dynamische Vorspannungsschaltung dient zum: Detektieren eines Spannungspegels des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle; Erzeugen einer dynamischen Vorspannung mit einem Wert, der auf dem detektierten Spannungspegel des Datensignals basiert; und Bereitstellen der dynamischen Vorspannung zum Transistor des Sendeempfängers.
Beispiel 2 ist die Schaltung aus Beispiel 1, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum selektiven Erzeugen einer ersten Vorspannung oder einer zweiten Vorspannung als dynamische Vorspannung dient.
Beispiel 3 ist die Schaltung aus Beispiel 2, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen umfasst: einen ersten Spannungsanschluss zum Empfangen der ersten Vorspannung; einen zweiten Spannungsanschluss zum Empfangen der zweiten Vorspannung; einen Ausgangsanschluss zum Empfangen der dynamischen Vorspannung; einen ersten Schalttransistor, der zwischen den ersten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen zweiten Schalttransistor, der zwischen den zweiten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen ersten Knoten, der über eine erste Diode mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist; und eine zweite Diode, die zwischen den ersten Knoten und einen zweiten Knoten gekoppelt ist; wobei ein Gateanschluss des zweiten Schalttransistors mit dem ersten Knoten gekoppelt ist; und wobei ein Gateanschluss des ersten Schalttransistors mit dem zweiten Knoten gekoppelt ist.
Beispiel 4 ist die Schaltung aus Beispiel 3, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner eine oder mehrere Dioden umfasst, die zwischen den ersten Spannungsanschluss und den Gateanschluss des zweiten Schalttransistors gekoppelt sind.
Beispiel 5 ist die Schaltung aus einem der Beispiele 1 bis 4, wobei der Sendeempfänger einen Sendetreiber umfasst und wobei der Transistor ein Pullup-Transistor des Sendetreibers ist, wobei der Pullup-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und eine Versorgungsspurschiene gekoppelt ist.
Beispiel 6 ist die Schaltung aus Beispiel 5, wobei der Sendetreiber ferner einen Pulldown-Transistor umfasst, der zwischen die I/O-Kontaktstelle und einen Masseanschluss gekoppelt ist, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner dazu dient, die dynamische Vorspannung dem Pulldown-Transistor bereitzustellen.
Beispiel 7 ist die Schaltung aus Beispiel 5, wobei der Pullup-Transistor ein erster Pullup-Transistor ist, wobei der Sendetreiber eine Vielzahl von Pullup-Transistoren umfasst, die den ersten Pullup-Transistor und einen zweiten Pullup-Transistor umfasst, die zum Empfangen eines Pullup-Signals dienen.
Beispiel 8 ist die Schaltung aus Beispiel 7, wobei der Sendetreiber ferner einen dritten Pullup-Transistor umfasst, der zum Empfangen einer statischen Vorspannung dient.
Beispiel 9 ist die Schaltung aus Beispiel 8, wobei der erste, zweite und dritte Pullup-Transistor in Reihe miteinander zwischen der Versorgungsspurschiene und der I/O-Kontaktstelle gekoppelt sind und wobei der erste Pullup-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und den zweiten und dritten Pullup-Transistor gekoppelt ist.
Beispiel 10 ist die Schaltung aus Beispiel 5, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum Bereitstellen der dynamischen Vorspannung zum Pullup-Transistor während eines Empfangsmodus des Sendeempfängers dient.
Beispiel 11 ist die Schaltung aus einem der Beispiele 1 bis 4, wobei der Sendeempfänger eine Empfangsschaltung umfasst und wobei der Transistor ein elektrischer Überlastungs-(EOS-)Schutztransistor der Empfangsschaltung ist.
Beispiel 12 ist ein Verfahren zum Vorspannen eines Sendeempfängers, wobei das Verfahren umfasst: Detektieren eines Spannungspegels eines Datensignals an einer Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstelle, wobei das Datensignal zwischen einem ersten Spannungspegel und einem zweiten Spannungspegel schwankt; Erzeugen einer dynamischen Vorspannung basierend auf dem detektierten Spannungspegel, wobei die dynamische Vorspannung eine erste Vorspannung ist, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa der erste Spannungspegel ist, und eine zweite Vorspannung, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa der zweite Spannungspegel ist, wobei die zweite Vorspannung größer ist als die erste Vorspannung; und Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendeempfängers, der mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist.
Beispiel 13 ist das Verfahren aus Beispiel 12, wobei das Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren des Sendeempfängers Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendetreibers des Sendeempfängers als Reaktion darauf umfasst, dass der Sendeempfänger in einem Empfangsmodus ist.
Beispiel 14 ist das Verfahren aus Beispiel 13, wobei Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren Bereitstellen der dynamischen Vorspannung zu einem Pullup-Transistor des Sendetreibers, der zwischen die I/O-Kontaktstelle und eine Versorgungsspurschiene gekoppelt ist, und einem Pulldown-Transistor des Sendetreibers, der zwischen die I/O-Kontaktstelle und einen Masseanschluss gekoppelt ist, umfasst.
Beispiel 15 ist das Verfahren aus Beispiel 14, wobei der Pullup-Transistor ein erster Pullup-Transistor ist, wobei der Pulldown-Transistor ein erster Pulldown-Transistor ist, und wobei das Verfahren ferner umfasst: Bereitstellen einer ersten statischen Vorspannung zu einem zweiten Pullup-Transistor; und Bereitstellen einer zweiten statischen Vorspannung zu einem zweiten Pulldown-Transistor, wobei die zweite statische Vorspannung geringer ist als die erste statische Vorspannung.
Beispiel 16 ist das Verfahren nach einem der Ansprüche Beispiele 12 bis 15, wobei Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren einer Empfangsschaltung des Sendeempfängers umfasst.
Beispiel 17 ist ein Rechensystem, umfassend: einen Berührungsbildschirm; einen Prozessor, der mit dem Berührungsbildschirm gekoppelt ist; eine Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstelle; und einen Sendeempfänger, der mit dem Prozessor und der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist. Der Sendeempfänger umfasst: eine Sendeschaltung, die einen Sendetreiber umfasst, um Datensignale über die I/O-Kontaktstelle während eines Sendemodus des Sendeempfängers zu senden; und eine Empfangsschaltung zum Empfangen von Datensignalen über die I/O-Kontaktstelle während eines Empfangsmodus des Sendeempfängers. Das Rechensystem umfasst ferner eine Schaltung zum dynamischen Vorspannen, die mit dem Sendeempfänger gekoppelt ist, um während des Empfangsmodus des Sendeempfängers eine ausgewählte aus einer ersten Vorspannung oder einer zweiten Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren des Sendetreibers bereitzustellen, wobei die erste Vorspannung oder zweite Vorspannung basierend auf einem Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ausgewählt sind.
Beispiel 18 ist das System aus Beispiel 17, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum Bereitstellen der ersten Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren des Sendetreibers dient, wenn der Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ein erster Spannungspegel ist, und zum Bereitstellen der zweiten Vorspannung an den einen oder die mehreren Transistoren des Sendetreibers, wenn der Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ein zweiter Spannungspegel ist, wobei die zweite Vorspannung größer ist als die erste Vorspannung und wobei der zweite Spannungspegel höher ist als der erste Spannungspegel.
Beispiel 19 ist das System aus Beispiel 17: wobei der Sendetreiber eine Vielzahl von Pullup-Transistoren umfasst, die zwischen die I/O-Kontaktstelle und eine Versorgungsspurschiene gekoppelt sind, wobei die Vielzahl von Pullup-Transistoren einen ersten Pullup-Transistor umfasst; wobei der Sendetreiber ferner eine Vielzahl von Pulldown-Transistoren umfasst, die zwischen die I/O-Kontaktstelle und einen Masseanschluss gekoppelt sind, wobei die Vielzahl von Pulldown-Transistoren einen ersten Pulldown-Transistor umfasst; und wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum Bereitstellen der ausgewählten aus der ersten oder der zweiten Vorspannung zum ersten Pullup-Transistor und zum ersten Pulldown-Transistor umfasst.
Beispiel 20 ist das System aus Beispiel 19, wobei die Vielzahl von Pullup-Transistoren ferner einen zweiten Pullup-Transistor umfasst, der zum Empfangen einer ersten statischen Vorspannung dient, und wobei die Vielzahl von Pulldown-Transistoren ferner einen zweiten Pulldown-Transistor umfasst, der zum Empfangen einer zweiten statischen Vorspannung dient, die sich von der ersten statischen Vorspannung unterscheidet.
Beispiel 21 ist das System aus Beispiel 20, wobei der erste Pullup-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und den zweiten Pullup-Transistor gekoppelt ist und wobei der erste Pulldown-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und den zweiten Pulldown-Transistor gekoppelt ist.
Beispiel 22 ist das System aus Beispiel 17, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner dazu dient, eine ausgewählte aus der ersten Vorspannung oder der zweiten Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren der Empfangsschaltung bereitzustellen, wobei die erste oder zweite Vorspannung basierend auf dem Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ausgewählt wird.
Beispiel 23 ist das System aus einem der Beispiele 17 bis 22, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen umfasst: einen ersten Spannungsanschluss zum Empfangen der ersten Vorspannung; einen zweiten Spannungsanschluss zum Empfangen der zweiten Vorspannung; einen Ausgangsanschluss; einen ersten Schalttransistor, der zwischen den ersten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen zweiten Schalttransistor, der zwischen den zweiten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen ersten Knoten, der über eine erste Diode mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist; und eine zweite Diode, die zwischen den ersten Knoten und einen zweiten Knoten gekoppelt ist; wobei ein Gateanschluss des zweiten Schalttransistors mit dem ersten Knoten gekoppelt ist; und wobei ein Gateanschluss des ersten Schalttransistors mit dem zweiten Knoten gekoppelt ist.
Beispiel 24 ist das System aus Beispiel 23, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner eine oder mehrere Dioden umfasst, die zwischen den ersten Spannungsanschluss und einen Gateanschluss des zweiten Schalttransistors gekoppelt ist.
Es wurden zwar hierin zu Beschreibungszwecken bestimmte Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben, es ist jedoch vorgesehen, dass diese Anmeldung jegliche Anpassungen oder Variationen der hierin erläuterten Ausführungsformen umfasst. Daher ist ausdrücklich vorgesehen, dass hierin beschriebene Ausführungsformen nur durch die Ansprüche eingeschränkt sind.
Wird in der Offenbarung auf „ein” oder „ein erstes” Element oder ein Äquivalent davon Bezug genommen, umfasst eine solche Offenbarung ein oder mehr solche Elemente, wobei zwei oder mehr solche Elemente weder erforderlich noch ausgeschlossen sind. Ferner werden Zahlenindikatoren (z. B. erster, zweiter oder dritter) für identifizierte Elemente verwendet, um die Elemente zu unterscheiden, und nicht um eine erforderliche oder begrenzte Zahl solcher Elemente anzugeben, genauso wenig wie eine bestimmte Position oder Reihenfolge solcher Elemente, sofern dies nicht spezifisch angeführt ist.

Claims

Schaltung zum Bereitstellen einer dynamischen Vorspannung für einen Sendeempfänger, wobei die Schaltung umfasst: eine Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstelle zum Empfangen eines Datensignals; einen Sendeempfänger, der mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist, wobei der Sendeempfänger einen Transistor umfasst, der mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist; und eine Schaltung zum dynamischen Vorspannen, die mit der I/O-Kontaktstelle und dem Sendeempfänger gekoppelt ist, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen dazu dient: einen Spannungspegel des Datensignals an der I/O-Kontaktstelle zu detektieren; eine dynamische Vorspannung mit einem Wert, der auf dem detektierten Spannungspegel des Datensignals basiert, zu erzeugen; und die dynamische Vorspannung dem Transistor des Sendeempfängers bereitzustellen.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum selektiven Erzeugen einer ersten Vorspannung oder einer zweiten Vorspannung als dynamische Vorspannung dient.
Schaltung nach Anspruch 2, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen umfasst: einen ersten Spannungsanschluss zum Empfangen der ersten Vorspannung; einen zweiten Spannungsanschluss zum Empfangen der zweiten Vorspannung; einen Ausgangsanschluss zum Empfangen der dynamischen Vorspannung; einen ersten Schalttransistor, der zwischen den ersten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen zweiten Schalttransistor, der zwischen den zweiten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen ersten Knoten, der über eine erste Diode mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist; und eine zweite Diode, die zwischen den ersten Knoten und einen zweiten Knoten gekoppelt ist; wobei ein Gateanschluss des zweiten Schalttransistors mit dem ersten Knoten gekoppelt ist; und wobei ein Gateanschluss des ersten Schalttransistors mit dem zweiten Knoten gekoppelt ist.
Schaltung nach Anspruch 3, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner eine oder mehrere Dioden umfasst, die zwischen den ersten Spannungsanschluss und den Gateanschluss des zweiten Schalttransistors gekoppelt sind.
Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Sendeempfänger einen Sendetreiber umfasst und wobei der Transistor ein Pullup-Transistor des Sendetreibers ist, wobei der Pullup-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und eine Versorgungsspurschiene gekoppelt ist.
Schaltung nach Anspruch 5, wobei der Sendetreiber ferner einen Pulldown-Transistor umfasst, der zwischen die I/O-Kontaktstelle und einen Masseanschluss gekoppelt ist, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner dazu dient, die dynamische Vorspannung dem Pulldown-Transistor bereitzustellen.
Schaltung nach Anspruch 5, wobei der Pullup-Transistor ein erster Pullup-Transistor ist, wobei der Sendetreiber eine Vielzahl von Pullup-Transistoren umfasst, die den ersten Pullup-Transistor und einen zweiten Pullup-Transistor, der zum Empfangen eines Pullup-Signals dient, umfasst.
Schaltung nach Anspruch 7, wobei der Sendetreiber ferner einen dritten Pullup-Transistor umfasst, der zum Empfangen einer statischen Vorspannung dient.
Schaltung nach Anspruch 8, wobei der erste, zweite und dritte Pullup-Transistor in Reihe miteinander zwischen die Versorgungsspurschiene und die I/O-Kontaktstelle gekoppelt sind und wobei der erste Pullup-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und den zweiten und dritten Pullup-Transistor gekoppelt ist.
Schaltung nach Anspruch 5, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an den Pullup-Transistor während eines Empfangsmodus des Sendeempfängers dient.
Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Sendeempfänger eine Empfangsschaltung umfasst und wobei der Transistor ein elektrischer Überlastungs-(EOS-)Schutztransistor der Empfangsschaltung ist.
Verfahren zum Vorspannen eines Sendeempfängers, wobei das Verfahren umfasst: Detektieren eines Spannungspegels eines Datensignals an einer Eingang/Ausgang-(I/O-)Kontaktstelle, wobei das Datensignal zwischen einem ersten Spannungspegel und einem zweiten Spannungspegel schwankt; Erzeugen einer dynamischen Vorspannung basierend auf dem detektierten Spannungspegel, wobei die dynamische Vorspannung eine erste Vorspannung ist, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa gleich dem ersten Spannungspegel ist, und eine zweite Vorspannung ist, wenn der Spannungspegel des Datensignals etwa gleich dem zweiten Spannungspegel ist, wobei die zweite Vorspannung größer ist als die erste Vorspannung; und Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendeempfängers, der mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren des Sendeempfängers Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren eines Sendetreibers des Sendeempfängers als Reaktion darauf umfasst, dass der Sendeempfänger in einem Empfangsmodus ist.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen Pullup-Transistor des Sendetreibers, der zwischen die I/O-Kontaktstelle und eine Versorgungsspurschiene gekoppelt ist, und an einen Pulldown-Transistor des Sendetreibers, der zwischen die I/O-Kontaktstelle und einen Masseanschluss gekoppelt ist, umfasst.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Pullup-Transistor ein erster Pullup-Transistor ist, wobei der Pulldown-Transistor ein erster Pulldown-Transistor ist und wobei das Verfahren ferner umfasst: Bereitstellen einer ersten statischen Vorspannung an einen zweiten Pullup-Transistor; und Bereitstellen einer zweiten statischen Vorspannung an einen zweiten Pulldown-Transistor, wobei die zweite statische Vorspannung geringer ist als die erste statische Vorspannung.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, wobei Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren Bereitstellen der dynamischen Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren einer Empfangsschaltung des Sendeempfängers umfasst.
Rechensystem, umfassend: einen Berührungsbildschirm; einen Prozessor, der mit dem Berührungsbildschirm gekoppelt ist; eine Eingang/Ausgang-(I/-O)Kontaktstelle; einen Sendeempfänger, der mit dem Prozessor und der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist, wobei der Sendeempfänger umfasst: eine Sendeschaltung, die einen Sendetreiber zum Senden von Datensignalen über die I/O-Kontaktstelle während eines Sendemodus des Sendeempfängers umfasst; und eine Empfangsschaltung zum Empfangen von Datensignalen über die I/O-Kontaktstelle während eines Empfangsmodus des Sendeempfängers; und eine Schaltung zum dynamischen Vorspannen, die mit dem Sendeempfänger gekoppelt ist, um während des Empfangsmodus des Sendeempfängers eine ausgewählte aus einer ersten Vorspannung oder einer zweiten Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren des Sendetreibers bereitzustellen, wobei die erste Vorspannung oder zweite Vorspannung basierend auf einem Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ausgewählt wird.
System nach Anspruch 17, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum Bereitstellen der ersten Vorspannung an den einen oder die mehreren Transistoren des Sendetreibers, wenn der Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ein erster Spannungspegel ist, und zum Bereitstellen der zweiten Vorspannung an den einen oder die mehreren Transistoren des Sendetreibers, wenn der Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ein zweiter Spannungspegel ist, dient, wobei die zweite Vorspannung größer ist als die erste Vorspannung und wobei der zweite Spannungspegel größer ist als der erste Spannungspegel.
System nach Anspruch 17: wobei der Sendetreiber eine Vielzahl von Pullup-Transistoren umfasst, die zwischen die I/O-Kontaktstelle und eine Versorgungsspurschiene gekoppelt sind, wobei die Vielzahl von Pullup-Transistoren einen ersten Pullup-Transistor umfasst; wobei der Sendetreiber ferner eine Vielzahl von Pulldown-Transistoren umfasst, die zwischen die I/O-Kontaktstelle und einen Masseanschluss gekoppelt sind, wobei die Vielzahl von Pulldown-Transistoren einen ersten Pulldown-Transistor umfasst; und wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen zum Bereitstellen der ausgewählten aus der ersten oder zweiten Vorspannung an den ersten Pullup-Transistor und an den ersten Pulldown-Transistor dient.
System nach Anspruch 19, wobei die Vielzahl von Pullup-Transistoren ferner einen zweiten Pullup-Transistor umfasst, der zum Empfangen einer ersten statischen Vorspannung dient, und wobei die Vielzahl von Pulldown-Transistoren ferner einen zweiten Pulldown-Transistor umfasst, der zum Empfangen einer zweiten statischen Vorspannung dient, die sich von der ersten statischen Vorspannung unterscheidet.
System nach Anspruch 20, wobei der erste Pullup-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und den zweiten Pullup-Transistor gekoppelt ist und wobei der erste Pulldown-Transistor zwischen die I/O-Kontaktstelle und den zweiten Pulldown-Transistor gekoppelt ist.
System nach Anspruch 17, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner dazu dient, eine ausgewählte aus der ersten Vorspannung oder der zweiten Vorspannung an einen oder mehrere Transistoren der Empfangsschaltung bereitzustellen, wobei die erste oder zweite Vorspannung basierend auf dem Spannungspegel an der I/O-Kontaktstelle ausgewählt sind.
System nach einem der Ansprüche 17 bis 22, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen umfasst: einen ersten Spannungsanschluss zum Empfangen der ersten Vorspannung; einen zweiten Spannungsanschluss zum Empfangen der zweiten Vorspannung; einen Ausgangsanschluss; einen ersten Schalttransistor, der zwischen den ersten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen zweiten Schalttransistor, der zwischen den zweiten Spannungsanschluss und den Ausgangsanschluss gekoppelt ist; einen ersten Knoten, der über eine erste Diode mit der I/O-Kontaktstelle gekoppelt ist; und eine zweite Diode, die zwischen den ersten Knoten und einen zweiten Knoten gekoppelt ist; wobei ein Gateanschluss des zweiten Schalttransistors mit dem ersten Knoten gekoppelt ist; und wobei ein Gateanschluss des ersten Schalttransistors mit dem zweiten Knoten gekoppelt ist.
System nach Anspruch 23, wobei die Schaltung zum dynamischen Vorspannen ferner eine oder mehrere Dioden umfasst, die zwischen den ersten Spannungsanschluss und einen Gateanschluss des zweiten Schalttransistors gekoppelt sind.