DE102014223355A1

DE102014223355A1 - Vorlademechanismus für mehrfacheingangsschaltladevorrichtung

Info

Publication number: DE102014223355A1
Application number: DE102014223355.0A
Authority: DE
Inventors: Prasanna OBALA BHUVANESH; Jay Edward Ackerman; Michael Owen Baker; Ryan Michael Desrosiers
Original assignee: Broadcom Corp
Current assignee: Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date: 2013-11-18
Filing date: 2014-11-17
Publication date: 2015-05-21
Also published as: HK1206496A1; CN104659872A; US9411387B2; US20150137766A1; CN104659872B

Abstract

Eine Schaltung zum Schalten einer Ladevorrichtung umfasst mehrere Eingangszufuhrknoten und eine Anzahl von Ladungswegen. Jeder Eingangszufuhrknoten ist mit einer Leistungsquelle verbindbar. Jeder Ladungsweg kann einen Mittelknoten umfassen, der mit einem Kopplungsschalter und einem Durchlasstransistor verbunden ist. Der Kopplungsschalter kann konfiguriert sein, einen entsprechenden Ladungsweg der Ladungswege zu aktivieren. Ein Vorladungsschalter kann mit einem entsprechenden Mittelknoten jedes Ladungsweges gekoppelt sein. Der Durchlasstransistor eines aktivierten der Ladungswege kann konfiguriert sein, eine Schaltspannung bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung bereitzustellen. Der Vorladungsschalter kann konfigurierbar sein, einen Mittelknoten eines nicht aktivierten Weges auf eine hohe Spannung vorzuladen, um einen ungewollten hohen Strom zu verhindern, der durch eine Body-Diode eines entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges hindurchgeht.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Beschreibung betrifft im Allgemeinen Leistungsversorgungen bzw. Netzteile, und insbesondere, aber nicht ausschließlich, einen Vorlademechanismus für Mehrfacheingangs-Schaltladevorrichtungen.
HINTERGRUND
Schaltladevorrichtungen können einen wichtigen Teil von vielen Geräten bzw. Vorrichtungen, beispielsweise Kommunikationsgeräten bzw. -vorrichtungen, wie DSL-Modems und drahtlose tragbare Geräte einschließlich Mobiltelefonen, Tablet-Geräten, Phablet-Geräten, Laptops und dergleichen, bilden. Beispielsweise kann ein Mobilkommunikationsgerät mehrere Versorgungseingänge aufweisen, die mit einem externen Adapter, einer Powermat, einem Universeller-Serieller-Bus-(USB-)Kabel oder einem drahtlosen Leistungs-Dongle verbindbar sind. Folglich müssen die Schaltladevorrichtungen mehrere Eingänge unterstützen, von denen lediglich einer zu einer Zeit aktiv sein kann. Die existierenden Schaltladevorrichtungen können an einer Anzahl von Unzulänglichkeiten leiden, insbesondere Zuverlässigkeitsprobleme, ein Startleistungsverbrauch, Sicherheit und/oder ein niedriger Wirkungsgrad. Diese Unzulänglichkeiten können durch einen Stromstoß über die Schaltungen, die mit den inaktiven Eingangswegen verbunden sind, verursacht werden.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
Bestimmte Merkmale der gegenständlichen Technologie sind in den beigefügten Patentansprüchen angegeben. Zum Zwecke der Beschreibung sind jedoch mehrere Ausführungsbeispiele der gegenständlichen Technologie in den nachstehend angegeben Figuren angegeben.
1A veranschaulicht ein Beispiel einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
1B veranschaulicht einen beispielhaften Ausdruck einer Anzahl von Signalverläufen der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung gemäß 1A gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
2A veranschaulicht ein Beispiel einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung, die einen Vorladeschalter gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen verwendet.
2B veranschaulicht einen beispielhaften Ausdruck einer Anzahl von Signalverläufen der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung gemäß 2A gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
2C veranschaulicht ein Beispiel einer Implementierung eines Vorladeschalters einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
3 veranschaulicht ein Beispiel einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung, die Bulk-Verbindungsschalter gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen verwendet.
4 veranschaulicht beispielhafte Ausdrücke einer Anzahl von Signalverläufen der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung gemäß 2A gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
5 veranschaulicht ein Beispiel eines Verfahrens zum Bereitstellen einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
6 veranschaulicht ein Beispiel einer drahtlosen Kommunikationsvorrichtung gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die ausführliche Beschreibung, die nachstehend angegeben ist, ist als eine Beschreibung verschiedener Konfigurationen der gegenständlichen Technologie beabsichtigt und soll nicht die einzigen Konfigurationen darstellen, in denen die gegenständlichen Technologie in die Praxis umgesetzt werden kann. Die beigefügte Zeichnung ist hierin enthalten und bildet einen Teil der ausführlichen Beschreibung. Die ausführliche Beschreibung umfasst spezifische Einzelheiten für den Zweck, ein gründliches Verständnis der gegenständlichen Technologie bereitzustellen. Es ist jedoch für einen Fachmann eindeutig und ersichtlich, dass die gegenständliche Technologie nicht auf die spezifischen Einzelheiten, die hier angegeben sind, begrenzt ist und unter Verwendung einer Implementierung oder mehrerer Implementierungen in die Praxis umgesetzt werden kann. In einem Beispiel oder mehreren Beispielen sind allgemein bekannte Strukturen und Bauteile in einer Blockschaltbildform gezeigt, um ein Verschleiern der Konzepte der gegenständlichen Technologie zu vermeiden.
Die gegenständliche Technologie kann ein Verfahren und eine Implementierung für ein Vorladen der Isolationsknoten von inaktiven Eingängen einer Mehrfacheingangs-Schaltladevorrichtung bereitstellen. Das Vorladen kann vor dem Start eines Ladens von einer höheren Zufuhrspannung ausgeführt werden. Das Vorladen kann ungewollte hohe Ströme verhindern, die von der aktiven Eingangszufuhr zu einem inaktiven Weg bzw. Pfad oder mehreren inaktiven Wegen bzw. Pfaden fließen, wie es hier ausführlicher beschrieben wird. Die gegenständliche Technologie kann eine Anzahl von vorteilhaften Merkmalen umfassen, einschließlich Layout-Vorteilen, Schaltungsvorteilen, Systemvorteilen und Produktvorteilen. Die Layout-Vorteile umfassen eine erhöhte Zuverlässigkeit der Metallisierung und eine Verringerung von Metallgrößenerfordernissen für reduzierte Stromwege. In Bezug auf Schaltungsvorteile kann die Zuverlässigkeit der Ausgangsschaltvorrichtungen deutlich verbessert werden. Auf der Systemstufe verringert die gegenständliche Technologie einen Startleistungsverbrauch, sie verbessert einen Gesamtwirkungsgrad der Ladevorrichtung und erhöht eine Systemsicherheit und eine Lebensdauer. Die Produktstufenvorteile umfassen eine Verhinderung, dass ein schwacher Adapter aufgrund der hohen Startströme zusammenbricht.
1A veranschaulicht ein Beispiel einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 100A gemäß einer Implementierung oder mehrerer Implementierungen der gegenständlichen Technologie. Die Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 100A kann mehrere (beispielsweise zwei oder mehr) Eingangszufuhrknoten, wie beispielsweise IN1 und IN2 (zusätzliche Zufuhrknoten sind der Einfachheit halber nicht gezeigt), von denen jeder mit einer Leistungsquelle verbindbar ist, und eine Anzahl von Ladungswegen (beispielsweise 110 und 120, wobei zusätzliche Ladungswege der Einfachheit halber nicht gezeigt sind) umfassen. Beispiele der Leistungsquelle können einen Adapter, eine Powermat, einen universellen seriellen Bus (USB) oder einen drahtlosen Leistungs-Dongle umfassen. Jeder Ladungsweg (beispielsweise 110 oder 120) kann einen Mittelknoten (beispielsweise MID1 oder MID2), der mit einem Kopplungsschalter verbunden ist, wie beispielsweise T2 oder T4, jeweils für die Ladungswege 110 oder 120 und einen Durchlasstransistor, wie beispielsweise T1 oder T3, jeweils für die Ladungswege 110 oder 120 umfassen. Die Mittelknoten MID1 oder MID2 können durch große (beispielsweise 4,7 µF) Kopplungskondensatoren C1 und C2 mit einem Massepotential bzw. Erdungspotential gekoppelt sein. Die Kopplungsschalter T2 und T4 können konfiguriert sein, einen entsprechenden Ladungsweg (beispielsweise 110 oder 120) zu aktivieren.
In einigen Ausgestaltungen können Beispiele der Durchlasstransistoren T1 und T3 und der Kopplungsschalter T2 und T4 NMOS-Transistoren umfassen. Dioden D1 bis D4, die getrennt von den Transistoren T1–T4 gezeigt sind, sind Body-Dioden, die strukturell ein Teil der jeweiligen Transistoren T1–T4 sind, in denen der Bulk bzw. der Hauptteil mit dem Source-Knoten verbunden ist. Beispielsweise wird die Anode jeder Diode (beispielsweise D3) durch den Bulk des jeweiligen Transistors (beispielsweise T3) gebildet und die Kathode dieser Diode wird durch den n-Diffusions-Drain-Knoten des jeweiligen Transistors gebildet. Der Ladungsweg 110 oder 120 kann aktiviert werden, indem ein Knoten CP1 oder CP2 (beispielsweise eine Gate-Elektrode der Transistoren T2 oder T4) an eine geeignete Spannung gekoppelt wird.
In einer Ausgestaltung oder mehreren Ausgestaltungen kann der Durchlasstransistor T1 eines aktivierten Ladungsweges 110 konfiguriert sein, eine Schaltspannung bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung 125 bereitzustellen, die eine Spule L1 und einen Kondensator C3 umfasst. Der Durchlasstransistor T1 kann an eine Schaltschaltung (in 1A der Einfachheit halber nicht gezeigt) gekoppelt sein, die konfiguriert ist, den Durchlasstransistor T1 des aktivierten Ladungsweges 110 zu steuern, um eine Schaltspannung bei einem Eingang der Ladungsunterschaltung 125 bereitzustellen. Die Spule L1 und der Kondensator C3 der Ladungsunterschaltung 125 können in Verbindung mit dem als Diode geschalteten Transistor T5 die Schaltspannung in eine Gleichspannung umwandeln. Die Ladungsunterschaltung 125 kann die Gleichspannung beispielsweise für ein Laden von einer Batterie oder mehrerer Batterien eines Geräts bzw. einer Vorrichtung, wie beispielsweise einer Kommunikationsvorrichtung oder anderer Vorrichtungen, bei einem Ausgang der Ladungsunterschaltung 125 bereitstellen.
Bei einer Aktivierung des Weges 110 steigt die Spannung bei MID1 auf den hohen Spannungswert (beispielsweise 20V) der Eingangszufuhr bei IN1 an und stellt bei der Ladungsunterschaltung 125 einen Strom I1 (einen Schaltreglerstrom) bereit, der verwendet werden kann, um eine Batterie oder mehrere Batterien zu laden. Mit einem vernachlässigbaren Spannungsabfall bei dem Durchlasstransistor T1 kann die gleiche hohe Spannung (beispielsweise 20V) bei der Anode der Diode D3 anliegen, wobei die Kathode hiervon auf einem Massepotential bzw. Erdungspotential liegt (da der Ladungsweg 120 inaktiv ist). Diese hohe Spannung spannt die Diode D3 in Vorwärtsrichtung vor und verursacht einen großen ungewollten Strom I2, der durch diese Diode hindurchgeht. Dieser große ungewollte Strom I2 kann einen Verlust des Wirkungsgrads und der Zuverlässigkeit der Ladeschaltung 100A zur Folge haben.
1B veranschaulicht einen beispielhaften Ausdruck 100B einer Anzahl von Signalverläufen 130–135 der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 100A gemäß 1A gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie. Der Signalverlauf 130 zeigt die Spannung bei dem Eingangszufuhrknoten IN1 gemäß 1A, der während t₁–t₂ hoch läuft und einen konstanten Wert (beispielsweise 20V) zu der Zeit t₂ erreicht. Der Signalverlauf 131 zeigt die Spannung VMID1 bei dem Mittelknoten MID1 gemäß 1A. Der Kopplungsschalter T2 ist zu der Zeit t₁ geschlossen, was es der Spannung VMID1 ermöglicht, der Spannung bei dem Eingangszufuhrknoten IN1 zu folgen. Die Spannung bei dem Eingangszufuhrknoten IN2 gemäß 1A, die durch den Signalverlauf 132 gezeigt ist, ist bei einer Null-Spannung, sodass der Ladungsweg 120 gemäß 1A inaktiv ist. Der Signalverlauf 134 zeigt die Spannung VMID2 bei dem Mittelknoten MID2 gemäß 1A. Die Spannung VMID2 ist Null bis zu einer Zeit t₅, die der Start des Schaltens des Durchlasstransistors T1 gemäß 1A ist, und nimmt zu, wenn der Kondensator C2 während jedes hohen Zyklus der Schaltspannung bei dem Eingang der Ladungsunterschaltung 125 gemäß 1A auflädt, was durch den Signalverlauf 135 gezeigt ist. Der ungewollte hohe Strom bei dem Knoten MID2, durch die Diode D3 gemäß 1A, fließt während der Zyklen der Schaltungsspannung, bei denen die Spannung VMID2 die Spannung VMID1 nicht erreicht hat.
In einer Implementierung oder mehreren Implementierungen kann ein Vorladeschalter mit den Mittelknoten der Ladungswege 110 und 120 gekoppelt sein, wobei er konfiguriert sein kann, einen Mittelknoten eines nicht aktivierten Weges (beispielsweise 120) auf eine hohe Spannung vorzuladen. Die hohe Spannung kann eine Spannung (beispielsweise 20V) bei einem Eingangszufuhrknoten (beispielsweise IN1) sein, der mit dem aktivierten Weg 110 verbunden ist, wobei sie verhindern kann, dass die Diode D3 einen übermäßigen Strom während eines Startens leitet. Folglich kann kein ungewollter Strom (beispielsweise I2) mehr durch die Diode D3 hindurchgehen.
2A veranschaulicht ein Beispiel einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200A, die einen Vorladeschalter 240 entsprechend einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie verwendet. Die Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200A ist ähnlich zu der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 100A gemäß 1A mit der Ausnahme der Hinzufügung des Vorladeschalters 240. Der Vorladeschalter 240 kann mit den entsprechenden Mittelknoten MID1 und MID2 der Ladungswege 110 und 120 (und anderer Ladungswege, die hier der Einfachheit halber nicht gezeigt sind) durch einen Kopplungswiderstand oder mehrere Kopplungswiderstände (beispielsweise R1 und R2) gekoppelt sein. Der Vorladeschalter 240 kann für eine vorbestimmte Zeitdauer vor der Bereitstellung der Schaltspannung (beispielsweise t₅ gemäß 1B) bei dem Eingang der Ladungsunterschaltung 125 aktiviert werden. Wie es vorstehend beschrieben ist, kann der Vorladeschalter 240, sobald er aktiviert ist, MID2 mit der Spannung bei MID1 (beispielsweise 20V) koppeln, was verhindert, dass die Diode D3 während der ersten paar hohen Zyklen der Schaltspannung (beispielsweise 135 gemäß 1B) leitet. Dies kann es der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200A erleichtern, zuverlässig und mit hoher Effizienz zu arbeiten.
2B veranschaulicht einen beispielhaften Ausdruck 200B einer Anzahl von Signalverläufen 130–133, 234 und 135 der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200A gemäß 2A entsprechend einer Implementierung oder mehreren Implementierungen. Die Beschreibungen der Signalverläufe 130–133 und 135 sind die gleichen wie die vorstehend mit Bezug auf 1B diskutierten. Der Signalverlauf 234 zeigt die Spannung VMID2 bei dem Mittelknoten MID2 gemäß 2A. Die Spannung VMID2 ist zu einer Zeit t₃ Null, die der Start des Leitens des Vorladungsschalters 240 gemäß 2A ist, wobei sie zunimmt, wenn der Kondensator C2 gemäß 2A während der Zeitdauer t₃–t₄ auflädt, und einen konstanten Wert näherungsweise gleich der Spannung bei MID1 (beispielsweise VMID1) erreicht. Während der Ladezeitdauer t₃–t₄ kann ein gut gesteuerter Ladungsstrom durch den Vorladungsschalter 240 hindurchgehen. Während des Schaltens der Spannung bei dem Eingang der Ladungsunterschaltung 125 geht jedoch kein ungewollter Strom durch die Diode D3 gemäß 2A hindurch.
2C veranschaulicht ein Beispiel des Ladungsschalters 240 der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200A gemäß 2A entsprechend einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie. Der Ladungsschalter 240 kann beispielsweise unter Verwendung von zwei PMOS-Transistoren P1 und P2 implementiert werden, die über Widerstände R1 und R2 mit Mittelknoten MID1 und MID2 gemäß 2A gekoppelt werden, mit Spannungen von VMID1 und VMID2. Gate-Knoten der PMOS-Transistoren P1 und P2 können miteinander gekoppelt werden. Die Body- und Source-Knoten der PMOS-Transistoren P1 und P2 können aneinander gebunden werden und durch einen Widerstand R3 mit den Gate-Knoten der PMOS-Transistoren P1 und P2 gekoppelt werden. Die Gate-Knoten von P1 und P2 können dann mit einem Schalter N1 gekoppelt werden, der, wenn er aktiviert ist, mit dem Massepotential bzw. Erdungspotential verbindet. In einigen Implementierungen ist der Schalter N1 ein NMOS-Transistor und kann aktiviert werden, indem ein Vorladesignal an einen Gate-Knoten des NMOS-Transistors angelegt wird.
3 veranschaulicht ein Beispiel einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 300, die Bulk-Verbindungsschalter S1 und S2 entsprechend einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie verwendet. Wie es vorstehend mit Bezug auf die 1A und 2A diskutiert ist, kann bei dem Beginn der Schaltspannung bei dem Eingang der Ladungsunterschaltung 125 ein großer ungewollter Strom durch die in Vorwärtsrichtung betriebene Diode D3 gemäß 2A hindurchgehen, was die Zuverlässigkeit und den Wirkungsgrad der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200 ungünstig beeinflussen kann. Die Diode D3 und D4 kann, wie es vorstehend angegeben ist, durch Anoden, die der Bulk der jeweiligen NMOS-Transistoren T3 und T4 sind, und Kathoden gebildet werden, die durch den n-Diffusion-Drain-Knoten der jeweiligen NMOS-Transistoren T3 und T4 gebildet werden können.
In einer Implementierung oder mehreren Implementierungen kann die Richtung der Dioden D3 und D4 durch die Bulk-Verbindungsschalter S1 und S2 umgekehrt werden. Beispielsweise kann der Schalter S2 konfiguriert sein, die Richtung der Diode D3 umzukehren, indem der Bulk des NMOS-Transistors T3 mit einem Drain-Knoten des NMOS-Transistors T3 verbunden wird. Eine Verwendung dieser Technik verhindert, dass ein großer ungewollter Strom durch die Diode D3 hindurchgeht, wenn die Spannung bei dem Eingang der Ladungsunterschaltung 125 auf einen hohen Pegel (beispielsweise eine Spannung des Eingangszufuhrknotens IN1) erhöht wird. Folglich kann der Strom I1 von dem aktiven Ladungsweg 110 zu der Ladungsunterschaltung 125 fließen, ohne dass irgendein wesentlicher Strom durch den inaktiven Ladungsweg 120 hindurchgeht, da die Diode D3 durch den Schalter S2 in Sperrrichtung betrieben wird.
4 veranschaulicht beispielhafte Ausdrücke 410, 420 und 430 einer Anzahl von Signalverläufen der Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung 200A gemäß 2A entsprechend einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie. Der Ausdruck 410 zeigt Signalverläufe von Strömen 412 und 414, die den Strom I1 aus dem aktiven Ladungsweg 110 gemäß 2A und den nützlichen Strom, der durch die Spule der Ladungsunterschaltung 125 gemäß 2A hindurchgeht, jeweils darstellen. Der Ausdruck 420 zeigt einen Signalverlauf des ungewollten Stroms I2 gemäß 1A, der zu dem Kondensator C2 gemäß 1A fließt. Dieser Strom geht weg, sobald die Spannung bei MID2 auf die Spannung bei MID1 gemäß 2A durch ein Schließen des Vorladungsschalters 240 gemäß 2A erhöht wird. Der Ausdruck 430 zeigt Spannungspegel 432 und 434 der jeweiligen Mittelpunkte MID1 und MID2 gemäß 2A. Wenn der Schalter 240 sich schließt, nähert sich der Spannungspegel 434 von MID2 dem Spannungspegel 432 von MID1 an.
5 veranschaulicht ein Beispiel eines Verfahrens 500 zur Bereitstellung einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung entsprechend einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie. Zum Zwecke der Beschreibung wird das beispielhafte Verfahren 500 hier unter Bezugnahme auf die Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltungen 100A und 200A gemäß den 1A und 2A beschrieben, wobei es nicht hierauf begrenzt ist. Ferner sind zum Zwecke der Beschreibung die Blöcke des beispielhaften Verfahrens 500 hier so beschrieben, dass sie seriell oder linear passieren. Mehrere Blöcke des beispielhaften Verfahrens 500 können jedoch parallel passieren. Zusätzlich müssen die Blöcke des beispielhaften Verfahrens 500 nicht in der gezeigten Reihenfolge ausgeführt werden und/oder einer oder mehrere der Blöcke des beispielhaften Verfahrens 500 müssen nicht ausgeführt werden.
Jeder der mehreren Eingangszufuhrknoten (beispielsweise IN1 und IN2 gemäß den 1A und 2A) kann mit einer Leistungsquelle gekoppelt werden (510). Jeder der mehreren Ladungswege (beispielsweise 110 und 120 gemäß den 1A und 2A) kann durch einen jeweiligen Kopplungsschalter (beispielsweise T2 und T4 gemäß 1A) mit einem der mehreren Eingangszufuhrknoten gekoppelt werden (520). Ein Mittelknoten (beispielsweise MID1 oder MID2 gemäß den 1A und 2A) jedes der mehreren Ladungswege kann mit dem jeweiligen Kopplungsschalter und einem Durchlasstransistor (beispielsweise T1 und T3 gemäß 1A) gekoppelt werden (530). Der jeweilige Kopplungsschalter kann konfigurierbar sein, einen entsprechenden Ladungsweg der mehreren Ladungswege zu aktivieren. Ein Vorladungsschalter (beispielsweise 240 gemäß 2A) kann mit einem entsprechenden Mittelknoten jedes der mehreren Ladungswege gekoppelt werden (540). Der Durchlasstransistor (beispielsweise T1 gemäß 1A) eines aktivierten (beispielsweise 110 gemäß den 1A und 2A) der Vielzahl von Ladungswegen (beispielsweise 110 und 120 gemäß den 1A und 2A) kann konfiguriert sein, eine Schaltspannung (beispielsweise 135 gemäß 1B) bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung (beispielsweise 125 gemäß den 1A und 2A) bereitzustellen (550). Der Vorladungsschalter kann konfiguriert sein, einen Mittelknoten (beispielsweise MID2 gemäß 2A) eines nicht aktivierten Weges (beispielsweise 120 gemäß 2A) auf eine hohe Spannung (beispielsweise die Spannung von MID2 gemäß 2A) vorzuladen, um einen ungewollten hohen Strom (beispielsweise I2 gemäß 1A), der durch eine Body-Diode (beispielsweise D3 gemäß den 1A und 2A) eines entsprechenden Durchlasstransistors (beispielsweise T3 gemäß den 1A und 2A) des nicht aktivierten Weges hindurchgeht, zu verhindern (560).
6 veranschaulicht eine beispielhafte drahtlose Kommunikationsvorrichtung gemäß einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie. Die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 600 kann eine Funkfrequenz-(RF-)Antenne 610, einen Empfänger 620, einen Sender bzw. eine Übertragungseinrichtung 630, ein Basisbandverarbeitungsmodul 640, einen Speicher 650, eine Verarbeitungseinrichtung bzw. einen Prozessor 660, einen Lokaler-Oszillator-Generator (LOGEN) 670 und eine Leistungszufuhr bzw. ein Netzteil 680 umfassen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der gegenständlichen Technologie kann/können einer oder mehrere der Blöcke, die in 6 dargestellt sind, in einem Halbleitersubstrat oder mehreren Halbleitersubstraten integriert sein. Beispielsweise können die Blöcke 620–670 in einem einzelnen Chip oder einem einzelnen System auf einem Chip realisiert werden oder in einem Mehrfachchip-Chipsatz realisiert werden.
Die RF-Antenne 610 kann für eine Übertragung und/oder ein Empfangen von RF-Signalen (beispielsweise drahtlose Signale) über einen weiten Bereich von Frequenzen geeignet sein. Obwohl eine einzelne RF-Antenne 610 veranschaulicht ist, ist die gegenständliche Technologie nicht hierauf begrenzt.
Der Empfänger 620 kann eine geeignete Logikschaltung und/oder einen Code umfassen, die/der betreibbar sein kann, um Signale von der RF-Antenne 610 zu empfangen und zu verarbeiten. Der Empfänger 620 kann beispielsweise betriebsfähig sein, empfangene drahtlose Signale zu verstärken und/oder abwärts zu wandeln. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der gegenständlichen Technologie kann der Empfänger 620 betriebsfähig sein, Rauschen in empfangenen Signalen zu löschen, wobei er über einen weiten Bereich von Frequenzen linear sein kann. Auf diese Weise kann der Empfänger 620 für ein Empfangen von Signalen entsprechend einer Vielzahl von drahtlosen Standards geeignet sein. Wi-Fi, WiMAX, Bluetooth und verschiedene zellulare Standards.
Der Sender 630 kann eine geeignete Logikschaltung und/oder einen Code umfassen, die/der betriebsfähig sein kann, Signale zu verarbeiten und von der RF-Antenne 610 zu übertragen. Der Sender 630 kann beispielsweise betriebsfähig sein, Basisbandsignale zu RF-Signalen aufwärts zu wandeln und RF-Signale zu verstärken. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der gegenständlichen Technologie kann der Sender 630 betriebsfähig sein, Basisbandsignale, die entsprechend einer Vielzahl von drahtlosen Standards verarbeitet werden, aufwärts zu wandeln und zu verstärken. Beispiele derartiger Standards können Wi-Fi, WiMAX, Bluetooth und verschiedene zellulare Standards umfassen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der gegenständlichen Technologie kann der Sender 630 betriebsfähig sein, Signale für eine weitere Verstärkung durch einen Leistungsverstärker oder mehrere Leistungsverstärker bereitzustellen.
Der Duplexer 612 kann eine Isolierung in dem Übertragungsband bereitstellen, um eine Sättigung des Empfängers 620 oder eine Beschädigung von Teilen des Empfängers 620 zu vermeiden, und um ein Entwurfserfordernis oder mehrere Entwurfserfordernisse des Empfängers 620 zu vereinfachen. Des Weiteren kann der Duplexer 610 das Rauschen in dem Empfangsband dämpfen. Der Duplexer kann in mehreren Frequenzbändern von verschiedenen drahtlosen Standards betriebsfähig sein.
Das Basisbandverarbeitungsmodul 640 kann eine geeignete Logik, eine Schaltung, Schnittstellen und/oder einen Code umfassen, die/der betriebsfähig sein kann/können, um eine Verarbeitung von Basisbandsignalen auszuführen. Das Basisbandverarbeitungsmodul 640 kann beispielsweise empfangene Signale analysieren und Steuerungs- und/oder Regelungssignale zum Konfigurieren verschiedener Bauteile der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600, wie beispielsweise des Empfängers 620 erzeugen. Das Basisbandverarbeitungsmodul 640 kann betriebsfähig sein, Daten entsprechend einem drahtlosen Standard oder mehrerer drahtloser Standards zu kodieren, zu dekodieren, zu transkodieren, zu modulieren, zu demodulieren, zu verschlüsseln, zu entschlüsseln, zu chiffrieren, zu dechiffrieren und/oder auf andere Weise zu verarbeiten.
Die Verarbeitungseinrichtung bzw. der Prozessor 660 kann eine geeignete Logik, eine Schaltung und/oder einen Code umfassen, die/der eine Verarbeitung von Daten und/oder eine Steuerung von Betrieben der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 ermöglichen kann. Diesbezüglich kann der Prozessor 660 in die Lage versetzt sein, Steuerungssignale für verschiedene andere Abschnitte der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 bereitzustellen. Der Prozessor 660 kann ebenso eine Übertragung von Daten zwischen verschiedenen Abschnitten der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 steuern. Zusätzlich kann der Prozessor 660 eine Implementierung eines Betriebssystems ermöglichen oder auf andere Weise einen Code ausführen, um Betriebe der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 zu verwalten.
Der Speicher 650 kann eine geeignete Logik, eine Schaltung und/oder einen Code umfassen, die/der eine Speicherung von verschiedenen Informationstypen, wie beispielsweise empfangene Daten, erzeugte Daten, ein Code und/oder Konfigurationsinformationen, ermöglicht. Der Speicher 650 kann beispielsweise ein RAM, ein ROM, einen Flash-Speicher und/oder einen magnetischen Speicher umfassen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der gegenständlichen Technologie können Informationen, die in dem Speicher 650 gespeichert sind, für ein Konfigurieren des Empfängers 620 und/oder des Basisbandverarbeitungsmoduls 640 verwendet werden.
Der Lokaler-Oszillator-Generator (LOGEN) 670 kann eine geeignete Logik, eine Schaltung, Schnittstellen und/oder einen Code umfassen, die/der betriebsfähig sein kann/können, ein oszillierendes Signal oder mehrere oszillierende Signale einer Frequenz oder mehrerer Frequenzen zu erzeugen. Der LOGEN 670 kann betriebsfähig sein, digitale und/oder analoge Signale zu erzeugen. Auf diese Weise kann der LOGEN 670 betriebsfähig sein, ein Taktsignal oder mehrere Taktsignale und/oder sinusförmige Signale zu erzeugen. Charakteristiken der oszillierenden Signale, wie beispielsweise die Frequenz und eine relative Einschaltdauer, können auf der Grundlage von einem Steuerungssignal oder mehreren Steuerungssignalen beispielsweise von dem Prozessor 660 und/oder dem Basisbandverarbeitungsmodul 640 bestimmt werden.
Im Betrieb kann der Prozessor 660 die verschiedenen Bauteile der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 auf der Grundlage eines drahtlosen Standards konfigurieren, entsprechend dem es gewünscht wird, Signale zu empfangen. Drahtlose Signale können über die RF-Antenne 610 empfangen werden und durch den Empfänger 620 verstärkt und herunter gewandelt werden. Das Basisbandverarbeitungsmodul 640 kann eine Rauschabschätzung und/oder eine Rauschlöschung, eine Dekodierung und/oder eine Demodulierung der Basisbandsignale ausführen. Auf diese Weise können Informationen in dem empfangenen Signal wiedergewonnen und in geeigneter Weise verwendet werden. Beispielsweise können die Informationen Audiodaten und/oder Videodaten, die einem Benutzer der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung darzustellen sind, Daten, die in dem Speicher 650 zu speichern sind, und/oder Informationen sein, die einen Betrieb der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 beeinflussen und/oder ermöglichen. Das Basisbandverarbeitungsmodul 640 kann Audiodaten, Videodaten und/oder Steuerungssignale, die durch den Sender 630 zu übertragen sind, entsprechend verschiedener drahtloser Standards modulieren, kodieren und andere Verarbeitungen daran ausführen. Die Leistungszufuhr 680 kann eine regulierte Schienenspannung oder mehrere regulierte Schienenspannungen (beispielsweise V_DD) für verschiedene Schaltungen der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 600 bereitstellen. In einer Implementierung oder mehreren Implementierungen der gegenständlichen Technologie kann die Leistungszufuhr 680 eine Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung (beispielsweise 200A gemäß 2A), die einen Vorladungsschalter 240 verwendet, oder eine Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung (beispielsweise 300 gemäß 3) umfassen, die Bulk-Verbindungsschalter S1 und S2 verwendet, wie es vorstehend beschrieben ist.
Für einen Fachmann wäre es ersichtlich, dass die verschiedenen veranschaulichenden Blöcke, Module, Elemente, und Verfahren, die hier beschrieben sind, als elektronische Hardware, Computersoftware oder eine Kombination von beiden implementiert werden können. Zur Veranschaulichung dieser Austauschbarkeit von Hardware und Software sind verschiedene veranschaulichende Blöcke, Module, Elemente, Bauteile und Verfahren vorstehend allgemein in Hinblick auf ihre Funktionalität beschrieben worden. Ob eine derartige Funktionalität als Hardware oder Software implementiert ist, hängt von der spezifischen Anwendung und Entwurfsbegrenzungen ab, die dem Gesamtsystem auferlegt sind. Ein Fachmann kann die beschriebene Funktionalität in variierender Art und Weise für jede spezifische Anwendung implementieren. Verschiedene Bauteile und Blöcke können unterschiedlich angeordnet werden (beispielsweise in einer unterschiedlichen Reihenfolge angeordnet werden oder auf eine unterschiedliche Weise aufgeteilt werden), ohne den Umfang der gegenständlichen Technologie zu verlassen.
Wie er hier verwendet wird, modifiziert der Ausdruck "zumindest eins von", der einer Serie von Elementen vorausgeht, mit dem "und" oder "oder" zur Trennung irgendwelcher der Elemente die Liste als Ganzes anstatt jedes Element der Liste (d.h. jedes Element). Der Ausdruck "zumindest eins von" erfordert keine Auswahl von zumindest einem von jedem aufgelisteten Element; vielmehr gestattet der Ausdruck eine Bedeutung, die zumindest eines eines beliebigen der Elemente und/oder zumindest eines aus einer beliebigen Kombination der Elemente und/oder zumindest eines jedes der Elemente umfasst. Beispielsweise beziehen sich die Ausdrücke "zumindest eines von A, B und C" oder "zumindest eines von A, B oder C" jeweils auf nur A, nur B oder nur C; eine beliebige Kombination von A, B und C; und/oder zumindest eines jeweils von A, B und C.
Ein Ausdruck wie beispielsweise "eine Ausgestaltung" besagt nicht, dass eine derartige Ausgestaltung für die gegenständliche Technologie essentiell ist, oder dass eine derartige Ausgestaltung bei allen Konfigurationen der gegenständlichen Technologie Anwendung findet. Eine Offenbarung, die eine Ausgestaltung betrifft, kann auf alle Konfigurationen oder auf eine Konfiguration oder mehrere Konfigurationen angewendet werden. Eine Ausgestaltung kann ein Beispiel oder mehrere Beispiele der Offenbarung bereitstellen. Ein Ausdruck, wie beispielsweise eine "Ausgestaltung", kann sich auf eine Ausgestaltung oder mehrere Ausgestaltungen und umgekehrt beziehen. Ein Ausdruck, wie beispielsweise ein "Ausführungsbeispiel", besagt nicht, dass ein derartiges Ausführungsbeispiel für die gegenständliche Technologie essentiell ist, oder dass ein derartiges Ausführungsbeispiel bei allen Konfigurationen der gegenständlichen Technologie Anwendung findet. Eine Offenbarung, die ein Ausführungsbeispiel betrifft, kann auf alle Ausführungsbeispiele oder ein Ausführungsbeispiel oder mehrere Ausführungsbeispiele angewendet werden. Ein Ausführungsbeispiel kann ein Beispiel oder mehrere Beispiele der Offenbarung bereitstellen. Ein Ausdruck, wie beispielsweise ein "Ausführungsbeispiel", kann sich auf ein Ausführungsbeispiel oder mehrere Ausführungsbeispiele und umgekehrt beziehen. Ein Ausdruck, wie beispielsweise eine "Konfiguration", besagt nicht, dass eine derartige Konfiguration für die gegenständliche Technologie essentiell ist, oder dass eine derartige Konfiguration bei allen Konfigurationen der gegenständlichen Technologie Anwendung findet. Eine Offenbarung, die eine Konfiguration betrifft, kann bei allen Konfigurationen oder bei einer Konfiguration oder bei mehreren Konfigurationen angewendet werden. Eine Konfiguration kann ein Beispiel oder mehrere Beispiele der Offenbarung bereitstellen. Ein Ausdruck wie beispielsweise "Konfiguration" kann sich auf eine Konfiguration oder auf mehrere Konfigurationen und umgekehrt beziehen.
Das Wort "beispielhaft" wird hier so verwendet, dass es "als ein Beispiel, ein Fall oder eine Veranschaulichung dienend" bedeutet. Irgendein Ausführungsbeispiel, das hier als "beispielhaft" oder als ein "Beispiel" beschrieben ist, ist nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Ausführungsbeispielen zu interpretieren. Des Weiteren soll, soweit der Ausdruck "beinhalten", "aufweisen" oder dergleichen in der Beschreibung oder den Patentansprüchen verwendet wird, ein derartiger Ausdruck in einer Art und Weise einschließlich sein ähnlich zu dem Ausdruck "umfassen", wie "umfassen" interpretiert wird, wenn es als ein Übergangswort in einem Patentanspruch eingesetzt wird.
Alle strukturellen und funktionalen Äquivalente zu den Elementen der verschiedenen Ausgestaltungen, die in dieser Offenbarung beschrieben sind, welche für einen Durchschnittsfachmann bekannt sind oder später bekannt werden, sind ausdrücklich hier durch Bezugnahme aufgenommen und sollen durch die Patentansprüche umfasst sein. Außerdem soll nichts, das hier offenbart ist, für die Öffentlichkeit bestimmt sein, unabhängig davon, ob eine derartige Offenbarung explizit in den Patentansprüchen rezitiert ist. Kein Anspruchselement ist nach den Bestimmungen gemäß 35 U.S.C §112, sechster Absatz zu interpretieren, solange das Element nicht ausdrücklich unter Verwendung des Ausdrucks "Einrichtung für" rezitiert ist oder in dem Fall eines Verfahrensanspruchs das Element unter Verwendung des Ausdrucks "Schritt für" rezitiert ist.
Die vorangegangene Beschreibung ist bereitgestellt, um einen Fachmann in die Lage zu versetzen, verschiedene Ausgestaltungen, die hier beschrieben sind, in die Praxis umzusetzen. Verschiedene Modifikationen dieser Ausgestaltungen werden für den Fachmann einfach ersichtlich, wobei die allgemeinen Prinzipien, die hier definiert sind, bei anderen Ausgestaltungen angewendet werden können. Somit sollen die Patentansprüche nicht auf die hier gezeigten Ausgestaltungen begrenzt sein, sondern sollen den vollen Umfang, der mit den sprachlichen Patentansprüchen übereinstimmt, zugestanden bekommen, wobei eine Bezugnahme auf ein Element im Singular nicht "eins und nur eins" bedeuten soll, solange es nicht spezifisch so angegeben ist, sondern vielmehr "eins oder mehrere". Solange es nicht spezifisch in anderer Weise angegeben ist, bezieht sich der Ausdruck "einige" auf eins oder mehrere. Fürwörter in maskuliner Form (beispielsweise sein) umfassen das feminine und das Neutrum-Geschlecht (beispielsweise ihres und seines) und umgekehrt. Überschriften und Zwischenüberschriften werden, sofern vorhanden, lediglich der Einfachheit halber verwendet und begrenzen nicht die gegenständliche Offenbarung
Eine Schaltung zum Schalten einer Ladevorrichtung umfasst mehrere Eingangszufuhrknoten und eine Anzahl von Ladungswegen. Jeder Eingangszufuhrknoten ist mit einer Leistungsquelle verbindbar. Jeder Ladungsweg kann einen Mittelknoten umfassen, der mit einem Kopplungsschalter und einem Durchlasstransistor verbunden ist. Der Kopplungsschalter kann konfiguriert sein, einen entsprechenden Ladungsweg der Ladungswege zu aktivieren. Ein Vorladungsschalter kann mit einem entsprechenden Mittelknoten jedes Ladungsweges gekoppelt sein. Der Durchlasstransistor eines aktivierten der Ladungswege kann konfiguriert sein, eine Schaltspannung bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung bereitzustellen. Der Vorladungsschalter kann konfigurierbar sein, einen Mittelknoten eines nicht aktivierten Weges auf eine hohe Spannung vorzuladen, um einen ungewollten hohen Strom zu verhindern, der durch eine Body-Diode eines entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges hindurchgeht.

Claims

Schaltung zum Schalten einer Ladevorrichtung, wobei die Schaltung umfasst: eine Vielzahl von Einganszufuhrknoten, wobei jeder der Vielzahl von Eingangszufuhrknoten mit einer Leistungsquelle verbindbar ist; eine Vielzahl von Ladungswegen, wobei jeder der Vielzahl von Ladungswegen einen Mittelknoten umfasst, der mit einem Kopplungsschalter und einem Durchlasstransistor verbunden ist, wobei der Kopplungsschalter konfiguriert ist, einen entsprechenden Ladungsweg der Vielzahl von Ladungswegen zu aktivieren; und einen Vorladungsschalter, der mit einem entsprechenden Mittelknoten jedes der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist, wobei der Durchlasstransistor eines aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen konfiguriert ist, eine Schaltspannung bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung bereitzustellen, und wobei der Vorladungsschalter konfigurierbar ist, einen Mittelknoten eines nicht aktivierten Weges auf eine hohe Spannung vorzuladen, um einen ungewollten hohen Strom zu verhindern, der durch eine Body-Diode eines entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges hindurchgeht.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei Durchlasstransistoren der Vielzahl von Ladungswegen mit einer Schaltschaltung gekoppelt sind, die konfiguriert ist, den Durchlasstransistor des aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen zu steuern, um eine Schaltspannung bei einem Eingang der Ladungsunterschaltung bereitzustellen, wobei die Ladungsunterschaltung eine Spule und einen Kondensator umfasst.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Leistungsquelle ein Element aus einem Adapter, einer Powermat, einem universellen seriellen Bus (USB) oder einem drahtlosen Leistungs-Dongle umfasst.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Kopplungsschalter einen NMOS-Transistor umfasst und wobei ein Source-Knoten des NMOS-Transistors mit einem Eingangszufuhrknoten eines entsprechenden Ladungsweges der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Durchlasstransistor einen NMOS-Transistor umfasst und wobei ein Drain-Knoten des NMOS-Transistors mit einem Mittelknoten eines entsprechenden Ladungsweges der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist.
Schaltung nach Anspruch 5, wobei eine Anode einer Body-Diode des Durchlasstransistors einen Bulk des NMOS-Transistors umfasst und wobei eine Kathode der Body-Diode des Durchlasstransistor einen n-Diffusion-Source-Bereich umfasst, der mit dem Mittelknoten eines jeweiligen Ladungsweges verbunden ist.
Schaltung nach Anspruch 6, ferner mit einem Schalter, der konfiguriert ist, eine Richtung der Body-Diode umzukehren, indem der Bulk des NMOS-Durchlasstransistors mit einem Drain-Knoten des NMOS-Durchlasstransistors verbunden wird.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Vorladungsschalter mit dem entsprechenden Mittelknoten jedes der Vielzahl von Ladungswegen durch einen Kopplungswiderstand oder mehrere Kopplungswiderstände gekoppelt ist, und für eine vorbestimmte Zeitdauer vor einer Bereitstellung der Schaltspannung bei dem Eingang der Ladungsschaltung aktiviert wird.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei die hohe Spannung eine Spannung eines Eingangszufuhrknotens umfasst, der an den aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist, wobei eine Vorladung des Mittelknotens des nicht aktivierten Weges einen Betrieb in Sperrrichtung einer Body-Diode des entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges vereinfacht und wobei der aktivierte der Vielzahl von Ladungswegen leitfähig mit einem entsprechenden Eingangszufuhrknoten gekoppelt ist.
Verfahren zum Bereitstellen einer Mehrfacheingangs-Schaltladevorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Koppeln jedes einer Vielzahl von Ladungswegen durch einen jeweiligen Kopplungsschalter mit einem einer Vielzahl von Eingangszufuhrknoten, die konfiguriert sind, mit einer Leistungsquelle gekoppelt zu werden; Koppeln eines Mittelknotens jedes der Vielzahl von Ladungswegen mit dem jeweiligen Kopplungsschalter und einem Durchlasstransistor, wobei der jeweilige Kopplungsschalter konfigurierbar ist, einen entsprechenden Ladungsweg der Vielzahl von Ladungswegen zu aktivieren; Koppeln eines Vorladungsschalters mit einem entsprechenden Mittelknoten jedes der Vielzahl von Ladungswegen; Konfigurieren des Durchlasstransistors eines aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen, um eine Schaltspannung bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung bereitzustellen; und Konfigurieren des Vorladungsschalters, um einen Mittelknoten eines nicht aktivierten Weges auf eine hohe Spannung vorzuladen, um einen ungewollten hohen Strom zu verhindern, der durch eine Body-Diode eines entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges hindurchgeht.
Verfahren nach Anspruch 10, ferner mit einem Koppeln von Durchlasstransistoren der Vielzahl von Ladungswegen mit einer Schaltschaltung, die konfiguriert ist, den Durchlasstransistor des aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen zu steuern, um eine Schaltspannung bei einem Eingang der Ladungsunterschaltung bereitzustellen, wobei die Ladungsunterschaltung eine Spule und einen Kondensator umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei ein Koppeln jedes der Vielzahl von Eingangszufuhrknoten ein Koppeln jedes der Vielzahl von Eingangszufuhrknoten mit einem Element aus einem Adapter, einer Powermat, einem universellen seriellen Bus (USB) oder einem drahtlosen Leistungs-Dongle umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Kopplungsschalter einen NMOS-Transistor umfasst und wobei das Verfahren ferner ein Koppeln eines Source-Knotens des NMOS-Transistors mit einem Eingangszufuhrknoten eines entsprechenden Ladungsweges der Vielzahl von Ladungswegen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Durchlasstransistor einen NMOS-Transistor umfasst und wobei das Verfahren ferner ein Koppeln eines Drain-Knotens des NMOS-Transistors mit einem Mittelknoten eines entsprechenden Ladungsweges der Vielzahl von Ladungswegen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei eine Anode einer Body-Diode des Durchlasstransistors einen Bulk des NMOS-Transistors umfasst, wobei eine Kathode der Body-Diode des Durchlasstransistors einen n-Diffusion-Source-Bereich umfasst und wobei das Verfahren ferner ein Verbinden der Kathode der Body-Diode des Durchlasstransistors mit dem Mittelknoten eines jeweiligen Ladungsweges umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, ferner mit einem Konfigurieren eines Schalters, eine Richtung der Body-Diode umzukehren, indem der Bulk des NMOS-Durchlasstransistors mit einem Drain-Knoten des NMOS-Durchlasstransistors verbunden wird.
Verfahren nach Anspruch 10, ferner mit einem Koppeln des Vorladungsschalters mit dem entsprechenden Mittelknoten jedes der Vielzahl von Ladungswegen durch einen Kopplungswiderstand oder mehrere Kopplungswiderstände und einem Aktivieren des Vorladungsschalters für eine vorbestimmte Zeitdauer vor einer Bereitstellung der Schaltspannung bei dem Eingang der Ladungsschaltung.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die hohe Spannung eine Spannung eines Eingangszufuhrknotens umfasst, der mit dem aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist, wobei ein Vorladen des Mittelknotens des nicht aktivierten Weges einen Betrieb in Sperrrichtung der Body-Diode des entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges vereinfacht, und wobei das Verfahren ferner umfasst, den aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen mit einem entsprechenden Eingangszufuhrknoten leitfähig zu koppeln.
Kommunikationsvorrichtung mit: einer Mehrfacheingangs-Schaltladeschaltung, die umfasst: eine Vielzahl von Eingangszufuhrknoten, wobei jeder der Vielzahl von Eingangszufuhrknoten mit einer Leistungsquelle verbindbar ist; eine Vielzahl von Ladungswegen, wobei jeder der Vielzahl von Ladungswegen einen Mittelknoten umfasst, der mit einem Kopplungsschalter und einem Durchlasstransistor verbunden ist, wobei der Kopplungsschalter konfiguriert ist, einen entsprechenden Ladungsweg der Vielzahl von Ladungswegen zu aktivieren; und einen Vorladungsschalter, der mit einem entsprechenden Mittelknoten jedes der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist, wobei der Durchlasstransistor eines aktivierten der Vielzahl von Ladungswegen konfiguriert ist, eine Schaltspannung bei einem Eingang einer Ladungsunterschaltung bereitzustellen, und wobei der Vorladungsschalter konfigurierbar ist, einen Mittelknoten eines nicht aktivierten Weges auf eine hohe Spannung vorzuladen, um einen ungewollten hohen Strom zu verhindern, der durch eine Body-Diode eines entsprechenden Durchlasstransistors des nicht aktivierten Weges hindurchgeht.
Kommunikationsvorrichtung nach Anspruch 19, wobei der Kopplungsschalter einen NMOS-Transistor umfasst, ein Source-Knoten des NMOS-Transistors mit einem Eingangszufuhrknoten eines entsprechenden Ladungsweges der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist, ein Drain-Knoten des NMOS-Transistors mit einem Mittelknoten eines entsprechenden Ladungsweges der Vielzahl von Ladungswegen gekoppelt ist, eine Anode einer Body-Diode des Durchlasstransistors einen Bulk des NMOS-Transistors umfasst, und eine Kathode der Body-Diode des Durchlasstransistors einen n-Diffusion-Source-Bereich umfasst, der mit dem Mittelknoten eines jeweiligen Ladungsweges verbunden ist.