DE102014213068A1 - Schaltungsanordnung und Verfahren für ein Schaltnetzteil - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Schaltnetzteil (SNT), mit einem positiven ersten Eingangsanschluss (1) und einem negativen zweiten Eingangsanschluss (2), denen eine Eingangsgleichspannung zugeführt wird, einem positiven dritten Ausgangsanschluss (3) und einem negativen vierten Ausgangsanschluss (4), an denen eine Ausgangsgleichspannung abgegeben wird. Zwischen erstem und zweitem Eingangsanschluss (1, 2) ist eine Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) geschaltet. Ferner ist an den Ausgangsanschlüssen (3, 4) ein Schwellwertschalter (SWS) angeschlossen, dessen Ausgang mit einem Eingang der Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) verbunden ist. Bei Erreichen einer definierten Ausgangsgleichspannung wird die Spannungsbegrenzung abgeschalten.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Schaltnetzteile respektive Switching Power Supplies sind dem Fachmann bekannt und werden heute in vielfältiger Weise für verschiedene Anwendungen eingesetzt. Unter anderem werden sie mittlerweile auch für Geräte der Niederspannungsschalttechnik eingesetzt. Als Niederspannung sind Betriebsspannungen im Bereich kleiner als 2000 V bzw. kleiner als 1000 V gemeint. Niederspannungsschalttechnikgeräte können beispielsweise Leistungsschalter respektive Miniatur Circuit Breaker, Fehlerstromschutzschalter respektive Residual Current Devices, Brandschutzschalter respektive Arc Fault Detection Devices, Schalt- und Kontrollgeräte respektive Switch and Controll Devices, Kompaktleistungsschalter respektive Moulded Case Circuit Breaker, Luftleistungsschalter respektive Air Circuit Breaker, Lasttrennschalter respektive Load Break Switches sein.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Verwendung von Schaltnetzteilen unter Überspannungsbedingungen zu verbessern, insbesondere während des Einschaltvorganges.
  • Diese Aufgabe wird durch einen Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 16 gelöst.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass an den beiden Eingangsklemmen eines Schaltnetzteiles eine Spannungsbegrenzungsschaltung angeschaltet ist. Ferner ist ein Schwellwertschalter vorgesehen, der mit der Spannungsbegrenzungsschaltung und dem Ausgang des Schaltnetzteiles verbunden ist. Diese Schaltungsanordnung soll bei Überspannungen am Eingang eine Spannungsbegrenzung bewirken und eine Funktion des Schaltnetzteiles auch bei Überspannungen bzw. Anlegen einer Versorgungsspannung, die die übliche Versorgungsspannung überschreitet, ermöglichen. Das Schaltnetzteil kann folglich mit einer üblichen Eingangsspannung den Betrieb aufnehmen. Erreicht die Ausgangsspannung des Schaltnetzteils den vorgesehen Ausgangsspannungswert, wird die Spannungsbegrenzung mittels des Schwellwertschalters ausgeschaltet. Das Schaltnetzteil kann nun auf die höhere Eingangsspannung reagieren und gegebenenfalls, z.B. wenn die Überspannung in einem noch tolerierbaren Bereich liegt, seinen Betrieb aufrecht erhalten.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht die Spannungsbegrenzungsschaltung aus einer Serienschaltung einer Diode und der Drain-Source-Strecke eines Feldeffekttransistors. Dies hat den besonderen Vorteil, dass eine einfache Spannungsbegrenzungsschaltung zur Verfügung steht.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist der Schwellwertschalter mit dem Gateanschluss und dem Sourceanschluss des Feldeffekttransistors verbunden. Dies hat den Vorteil, dass eine einfache Steuerung der simplen Spannungsbegrenzungsschaltung durch den Schwellwertschalter möglich ist.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist zwischen dem dritten und vieren Ausgangsanschluss des Schaltnetzteils ein Kondensator geschaltet ist. Dies hat den besonderen Vorteil, dass eine weitere Glättung der Ausgangsspannung ermöglicht wird.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist eine Gleichrichterschaltung vorgesehen, der eine Filterschaltung vor- oder nachgeschaltet ist. Dies hat den Vorteil, dass die Eingangsspannung möglichst Oberwellen- und Störsignalfrei ist und die Spannung konstant gehalten wird.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Diode eine Zener-Diode oder aus eine Serienschaltung mehrerer Dioden. Dies hat den besonderen Vorteil, dass eine einfache Möglichkeit für hohe Spannungsbegrenzungen ermöglicht wird bzw. im Falle mehrerer Dioden eine genaue Abstufung hinsichtlich der Spannungsbegrenzung ermöglicht wird.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist der Feldeffekttransistor (FET) ein Depletion-Feldeffekt-Transistor, Verarmungstyp-Feldeffekt-Transistor bzw. selbstleitender Feldeffekt-Transistor ist. Dies hat den besonderen Vorteil, dass im spannungslosen Fall eine Spannungsbegrenzung der Eingangsspannung durch die Diode erfolgt, da der Transistor im spannungslosen Fall selbstleitend ist.
  • Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigt:
  • 1 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung
  • 1 zeigt eine Spannungsquelle V, die eine Wechselspannung abgibt und einer Filterschaltung FI zuführt. Die Filterschaltung kann beispielsweise ein Tiefpassfilter, Bandpassfilter oder anderes Filter sein. Beispielsweise kann die Filterschaltung als Tiefpassfilter ausgeführt sein. Die Filterschaltung FI ist wiederum mit einer Gleichrichterschaltung GR verbunden, die an ihrem Ausgang eine Gleichspannung abgibt. Die Gleichrichterschaltung GR kann beispielsweise durch eine oder mehrere Dioden gebildet sein. Beispielsweise kann eine Einweg-, Zweiweg- oder Brückengleichrichtung verwendet werden. Die Gleichrichterschaltung GR kann ferner Glättungs- und/oder Siebmittel wie Kondensatoren oder Spulen aufweisen. Dem Fachmann sind einschlägige Gleichrichterschaltungen bekannt.
  • Die Anordnung der Filterschaltung FI und der Gleichrichterschaltung GR kann auch vertauscht sein. D.h. erst kommt die Gleichrichterschaltung GR und dann die Filterschaltung FR.
  • Der positive Ausgangsanschluss (+) der Gleichrichterschaltung GR ist mit dem positiven Eingangsanschluss 1 des Schaltnetzteiles SNT verbunden. Der negative Ausgangsanschluss (–) der Gleichrichterschaltung GR ist mit dem negativen Eingangsanschluss 2 des Schaltnetzteiles SNT verbunden. Das Schaltnetzteil SNT steht hierbei für den Kern bzw. die Hauptkomponenten eines dem Fachmann bekannten Schaltnetzteiles. Dieses weist einen Schalter auf, der die zugeführte Gleichspannung durch Tastung bzw. Taktung des Schalters in eine Wechselspannung umwandelt, mit einer im Verhältnis zur Netzfrequenz, von beispielsweise 50 oder 60 Hertz, höheren Frequenz, üblicherweise im Kilohertzbereich. Dem getaktetem Schalter folgt ein Leistungsübertrager, der auf Grund der hohen Frequenz in kleiner Bauform ausgeführt werden kann. Daran schließt sich eine Gleichrichtung und Siebung an, die die Wechselspannung in eine Gleichspannung gleichrichtet, so dass eine gewünschte Gleichspannung zur Verfügung steht. Ferner können weitere Komponenten, wie eine Regelung, Potentialtrennung, Steuerung (primär für den Schalter) und Überwachung vorhanden sein. Dem Fachmann sind einschlägige Schaltnetzteilschaltungen bekannt.
  • Erfindungsgemäß ist zwischen dem positiven Eingangsanschluss 1 und dem negativen Eingangsanschluss 2 des Schaltnetzteiles SNT ein Spannungsbegrenzungsschaltung SBS vorgesehen. Diese kann beispielsweise durch eine Serienschaltung einer Diode, wie beispielsweise eine Zener-Diode ZD und der Drain-Source-Strecke eines Feldeffekttransistors FET realisiert sein. Die Diode kann auch als Serienschaltung mehrerer Dioden realisiert sein, wobei die Summe der Spannungen über den einzelnen Dioden die Begrenzungsspannung der Spannungsbegrenzung ergibt. Im Falle einer Zener-Diode wird die Begrenzungsspannung durch die Zener-Spannung der Zener-Diode bestimmt.
  • Die Zenerdiode kann eine übliche Zenerdiode sein. Der Feldeffekttransistor ist vorteilhafterweise ein Depletion-Typ, Verarmungstyp bzw. selbstleitender Feldeffekt-Transistor.
  • Am positiven Ausgangsanschluss 3 und am negativen Ausgangsanschluss 4 des Schaltnetzteiles SNT steht eine Gleichspannung als Ausgangsspannung zur Verfügung. Diese kann Baugruppen mit einer Spannung versorgen. Beispielsweise Niederspannungs-Schaltgeräte. Erfindungsgemäß wird die Ausgangsspannung dem Eingang eines Schwellwertschalters SWS zugeführt. Dieser ist wiederum mit der Spannungsbegrenzungsschaltung SBS verbunden. Beispielsweise, im Falle einer Spannungsbegrenzungsschaltung besteht aus einer Serienschaltung aus Diode und Feldeffekttransistor, ist ein positiver Ausgangsanschluss 5 des Schwellwertschalters SWS mit dem Gateanschluss G des Feldeffekt-Transistors FET und ein negativer Ausgangsanschluss 6 des Schwellwertschalters SWS mit der Sourceanschluss S des Feldeffekt-Transistors FET verbunden.
  • Der Schwellwertschalter SWS ist derart ausgestaltet, dass bei Erreichen einer bestimmten Spannung an seinem Eingang der Schwellwertschalter umschaltet und eine Schwellwertspannung an seinem Ausgang abgibt, d.h. eine Schwellwertspannung an seinen positiven 5 und negativen 6 Ausgangsanschluss abgibt. Liegt beispielsweise eine Spannung von kleiner z.B. 5 Volt am Eingang des Schwellwertschalters an, gibt der Schwellwertschalter keine Spannung an seinen Ausgangsanschlüssen 5, 6 ab. Wird beispielsweise eine Spannung von 5 Volt oder größer am Eingang des Schwellwertschalters erreicht, schaltet dieser um, und gibt eine Ausgangsspannung an seinen Ausgangsanschlüssen 5, 6 ab, z.B. 3 Volt.
  • Die Spannungsbegrenzung SBS wird im letzteren Fall ausgeschaltet. Im Beispiel einer Spannungsbegrenzung SBS durch Diode ZD und Feldeffekttransistor FET wird bei Abgabe einer Spannung durch den Schwellwertschalter SWS der Feldeffekttransistor gesperrt, so dass die Spannungsbegrenzung, deren Spannung durch die Diode bestimmt wird, nicht mehr aktiv zwischen den Eingangsanschlüssen 1, 2 des Schaltnetzteiles SNT ist.
  • Den Ausgansanschlüssen 3 und 4 des Schaltnetzteiles SNT kann eine weitere Glättungseinrichtung wie beispielsweise ein Kondensator C parallel geschaltet sein.
  • Die Funktionsweise der Schaltungsanordnung ist wie folgt:
    Wird eine Wechselspannung V an die Anordnung angelegt, wird diese optional durch die Filterschaltung FI gefiltert, d.h. Oberwellen und störende Signalanteile können entfernt werden. Die Ausgangsspannung der Filterschaltung FI wird der Gleichrichterschaltung GR zugeführt und gleichgerichtet. Die Gleichrichterschaltung GR kann weitere Sieb-, Glättungs- und Filtermittel aufweisen. Die derart gleichgerichtete Spannung wird den Eingangsklemmen des Schaltnetzteiles SNT zugeführt. Ist in einem Fehlerfall die zugeführte Wechselspannung V zu groß, beispielsweise durch eine Fehlbeschaltung der Spannungsquelle V, z.B. durch einen Anschluss zwischen zwei Phasen eines Stromversorgungssystems an Stelle zwischen Phase und Nullleiter, so ist in der Folge auch die dem Schaltnetzteil SNT zugeführte Gleichspannung zu groß. Durch die an den Eingangsklemmen angeschaltete Spannungsbegrenzung, z.B. durch Serienschaltung aus Zenerdiode ZD und Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistor FET, erfolgt eine Spannungsbegrenzung. Der Feldeffekttransistor FET ist im Grundzustand, d.h. ohne Spannung am Gate-Anschluss, elektrisch leitend. Durch die Zenerdiode ZD erfolgt eine Spannungsbegrenzung auf die Zenerspannung der Zenerdiode. Dadurch erfolgt eine Begrenzung der Eingangsspannung auf eine maximal mögliche Eingangsspannung, die durch die Zenerspannung der Zenerdiode bestimmt wird. Das Schaltnetzteil kann nun auch bei fehlerhaft zu hoher Eingangsspannung arbeiten bzw. anfangen zu arbeiten, bis seine Regelung eingeschwungen ist und die vorbestimmte Ausgangsspannung erreicht ist. Erreicht die Ausgangsspannung des Schaltnetzteiles SNT den gewünschten Wert, steuert der an den Ausgangsanschlüssen angeschlossenen Schwellwertschalter SWS durch und sperrt über den Gateanschluss den Feldeffekttransistor FET, so dass die Spannungsbegrenzungsschaltung ausgeschaltet wird, im Beispiel die Spannungsbegrenzung gebildet aus Zener-Diode ZD und Feldeffekttransistor FET nicht mehr wirkt. Das nun eingeschwungene Schaltnetzteil kann im Allgemeinen auch höhere Spannungen verarbeiten, entsprechend reagieren und regeln. Sollte die Eingangsspannung so hoch sein, dass das Schaltnetzteil SNT wider Erwarten zerstört wird, steht zumindest für einen kurzen Augenblick eine Spannung zur Verfügung, die für die weitere Anzeige von Fehlermeldung, wie Überspannung, verwendet werden kann.
  • Die Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) führt eine Spannungsbegrenzung durch, bis sie vom Schwellwertschalter ein Signal erhält, das der Schwellwertschalter bei Erreichen einer definierten Ausgangsgleichspannung abgibt.
  • Die vorliegende Schaltung verhindert, dass dem Schaltnetzteil zu hohe Eingangsspannungen beim Start des Schaltnetzteilbetriebes zugeführt werden. Ferner ermöglicht es einen Betrieb bei überhöhten Eingangsspannungen. Durch den Überspannungsschutz ist eine Arbeitsweise sichergestellt. Durch die Erfindung wird während der Einschaltzeit das Schaltnetzteil geschützt. Sollte die Eingangsspannung des Schaltnetzteiles im üblichen Bereich liegen, wird die Schaltung aus Zener-Diode und Feldeffekt-Transistor nicht wirksam und ist neutral.
  • Beispielsweise kann bei einem fehlerhaft angeschlossenen Schaltnetzteil, wenn es z.B. nicht zwischen Phase und Neutralleiter eines Stromnetzes angeschlossen wird, sondern zwischen zwei Phasen eines Drehstromnetzes angeschlossen wird, eine Spannungsversorgung mindestens für eine gewisse Zeit sichergestellt werden. Damit kann beispielsweise eine Überspannungsanzeigeeinrichtung mit Spannung versorgt werden, um entsprechende Fehler anzuzeigen. Ferner können einfache Schaltnetzteile verwendet werden, die im eingeschwungenen Zustand eine höhere Spannung verarbeiten können, als beim Vorgang des Einschaltens bzw. Hochfahrens.

Claims (16)

  1. Schaltungsanordnung für ein elektrisches Schaltnetzteil (SNT), mit einem positiven ersten Eingangsanschluss (1) und einem negativen zweiten Eingangsanschluss (2), denen eine Eingangsgleichspannung zugeführt wird, einem positiven dritten Ausgangsanschluss (3) und einem negativen vierten Ausgangsanschluss (4), an denen eine Ausgangsgleichspannung abgegeben wird, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen erstem und zweitem Eingangsanschluss (1, 2) eine Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) geschaltet ist, dass an den Ausgangsanschlüssen (3, 4) ein Schwellwertschalter (SWS) angeschlossen ist, dessen Ausgang mit einem Eingang der Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) verbunden ist.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) aus einer Serienschaltung einer Diode (ZD) und der Drain-Source-Strecke eines Feldeffekt-Transistors (FET) besteht.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Schwellwertschalter (SWS) einen fünften positiven Ausgangsanschluss (5) und einen sechsten negativen Ausgangsanschluss (6) aufweist, wobei der fünfte positive Ausgangsanschluss (5) mit dem Gateanschluss (G) und der sechste negative Ausgangsanschluss (6) mit dem Sourceanschluss (S) des Feldeffekttransistors (FET) verbunden ist oder umgekehrt.
  4. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem dritten und vieren Ausgangsanschluss (3, 4) des Schaltnetzteils (SNT) ein Kondensator geschaltet ist.
  5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Eingangsanschlüsse (1, 2) des Schaltnetzteiles (SNT) mit den jeweiligen Ausgangsanschlüssen einer Gleichrichterschaltung (GR) verbunden sind.
  6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Gleichrichterschaltung (GR) eine Filterschaltung (FI) vor- oder nachgeschaltet ist.
  7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterschaltung (FI) und/oder Gleichrichterschaltung (GR) mit einer Wechselspannungsquelle (V) verbunden ist.
  8. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Diode (ZD) eine Zener-Diode ist oder aus einer Serienschaltung mehrerer Dioden besteht.
  9. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathode der Diode mit dem positiven ersten Eingangsanschlusses (1) des Schaltnetzteiles (SNT) verbunden ist, dass die Anode der Diode mit dem Drainanschluss des Feldeffekttransistors (FET) verbunden ist oder umgekehrt, dass der Source-Anschluss des Feldeffekttransistors (FET) mit dem negativen zweiten Eingangsanschluss (2) des Schaltnetzteiles (SNT) verbunden ist.
  10. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Feldeffekttransistor (FET) ein Depletion-Feldeffekt-Transistor, Verarmungstyp-Feldeffekt-Transistor bzw. selbstleitender Feldeffekt-Transistor ist.
  11. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Feldeffekttransistor (FET) ein N-Kanal-Feldeffekt-Transistor ist.
  12. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Feldeffekttransistor (FET) ein P-Kanal-Feldeffekt-Transistor ist.
  13. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schwellwertschalter (SWS) bei einer Eingangsspannung kleiner 5 V eine kleine Ausgangsspannung und bei einer Eingangsspannung über 5 V ein große Ausgangsspannung abgibt.
  14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die kleine Ausgangsspannung um die 0 Volt liegt und/oder dass die größere Ausgangsspannung um die 3 Volt liegt.
  15. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterschaltung (FI) zwischen der Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) einerseits und den Eingangsanschlüssen (1, 2) des Schaltnetzteiles (SNT) andererseits angeordnet ist.
  16. Verfahren für ein Schaltnetzteil, das einem positiven ersten Eingangsanschluss (1) und einem negativen zweiten Eingangsanschluss (2), denen eine Eingangsgleichspannung zugeführt wird, einem positiven dritten Ausgangsanschluss (3) und einem negativen vierten Ausgangsanschluss (4), an denen eine Ausgangsgleichspannung abgegeben wird, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen erstem und zweitem Eingangsanschluss (1, 2) eine Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) vorgesehen ist, dass an den Ausgangsanschlüssen (3, 4) ein Schwellwertschalter (SWS) angeschaltet ist, dessen Ausgang mit der Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) verbunden ist, dass die Spannungsbegrenzungsschaltung (SBS) eine Spannungsbegrenzung durchführt, bis sie vom Schwellwertschalter ein Signal erhält, das der Schwellwertschalter bei Erreichen einer definierten Ausgangsgleichspannung abgibt.
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