DE102014210285A1

DE102014210285A1 - Wafer processing method

Info

Publication number: DE102014210285A1
Application number: DE102014210285.5A
Authority: DE
Inventors: c/o DISCO HI-TEC EUROPE GmbH Priewasser Karl Heinz
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2013-05-31
Filing date: 2014-05-30
Publication date: 2014-12-04
Also published as: JP2014236034A

Abstract

Wafer-Bearbeitungsverfahren des Bearbeitens eines Wafers mit einer Vorrichtungsfläche, in der eine Mehrzahl von Vorrichtungen ausgebildet sind, und einer peripheren marginalen Fläche, welche die Vorrichtungsfläche umgibt, wobei eine Frontseite des Wafers durch eine Mehrzahl von sich kreuzenden Teilungslinien partitioniert wird, um eine Mehrzahl von separaten Regionen zu definieren, wo jeweils die Vorrichtungen ausgebildet sind. Das Wafer-Bearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Halteschritt des Haltens der Frontseite des Wafers unter Verwendung eines Haltemittels, das eine Vertiefung, die dafür ausgelegt ist, zur Vorrichtungsfläche des Wafers gegenüber liegend zu sein, und einen peripheren Teil, der die Vertiefung so umgibt, dass er gegenüber dem äußeren Umfang der Vertiefung angehoben ist, aufweist, wobei der periphere Teil einer Halteoberfläche zum Halten der peripheren marginalen Fläche des Wafers in Kontakt damit aufweist; und einen modifizierten Schicht-Bildungsschritt des Anwendens des Laserstrahls auf den auf dem Haltemittel gehaltenen Wafer von einer Rückseite des Wafers längs der Teilungslinien unter einer Bedingung, bei der ein Brennpunkt des Laserstrahls innerhalb des Lasers eingestellt ist, wodurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers längs jeder Unterteilungslinie gebildet wird, wobei die modifizierte Schicht nur in der Vorrichtungsfläche ausgebildet ist, außer der peripheren marginalen Fläche des Wafers in dem modifizierten Schicht-Bildungsschritt.Wafer processing method of processing a wafer having a device area in which a plurality of devices are formed and a peripheral marginal area surrounding the device area, a front side of the wafer being partitioned by a plurality of dividing lines by a plurality of define separate regions where the devices are each formed. The wafer processing method includes: a holding step of holding the front of the wafer using a holding means that has a recess that is designed to face the device surface of the wafer and a peripheral part that surrounds the recess so that it is raised against the outer periphery of the recess, the peripheral portion of a holding surface for holding the peripheral marginal surface of the wafer in contact therewith; and a modified layer forming step of applying the laser beam to the wafer held on the holding means from a rear side of the wafer along the dividing lines under a condition that a focal point of the laser beam is set inside the laser, thereby creating a modified layer within the wafer along each Subdivision line is formed, wherein the modified layer is formed only in the device area, except for the peripheral marginal area of the wafer in the modified layer forming step.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Wafer-Bearbeitungsverfahren zum Anwenden eines Laserstrahls auf einen Wafer, um so den Laserstrahl innerhalb des Wafers zu fokussieren, wodurch eine modifizierte Schicht als ein Teilungsstartpunkt innerhalb des Wafers ausgebildet wird.The present invention relates to a wafer processing method for applying a laser beam to a wafer so as to focus the laser beam within the wafer, thereby forming a modified layer as a division start point within the wafer.

Beschreibung verwandten Stands der TechnikDescription of Related Art

Es ist ein Wafer-Bearbeitungsverfahren vorgeschlagen worden, bei dem ein Laserstrahls auf einen Wafer angewendet wird, wobei der Laserstrahl innerhalb des Wafers fokussiert wird, wodurch eine modifizierte Schicht eines Teilungsstartpunkts innerhalb des Wafers ausgebildet wird, um den Wafer in eine Mehrzahl von Chips zu teilen (siehe beispielsweise japanisches Patent Nr. 3408805 ). Die modifizierte Schicht wird längs jeder Teilungslinie, die auf dem Wafer gebildet ist, gebildet. Danach kann durch Anlegen eines Zugs an den Wafer der Wafer längs jeder Teilungslinie geteilt werden.There has been proposed a wafer processing method in which a laser beam is applied to a wafer with the laser beam focused within the wafer, whereby a modified layer of a division start point is formed inside the wafer to divide the wafer into a plurality of chips (see, for example Japanese Patent No. 3408805 ). The modified layer is formed along each division line formed on the wafer. Thereafter, by applying a train to the wafer, the wafer can be split along each division line.

Eine Mehrzahl von Vorrichtungen, wie etwa ICs wird auf einer Frontseite des Wafers als einem Werkstück ausgebildet. Zusätzlich zu diesen Vorrichtungen wird eine Mehrzahl von Elementen zum Testen, genannt TEG (Testelementgruppe) oder ein Film, auf der Frontseite des Wafers ausgebildet. Die Vorrichtungen werden nur in einer Mehrzahl von Regionen ausgebildet, welche durch die Teilungslinien partitioniert sind und nicht in einem anderen Bereich entsprechend jeder Teilungslinie ausgebildet. Jedoch wird die TEG oder der Film auch in einer solchen Fläche entsprechend jeder Teilungslinie ausgebildet.A plurality of devices, such as ICs, are formed on a front side of the wafer as a workpiece. In addition to these devices, a plurality of elements for testing, called TEG (test element group) or a film, are formed on the front side of the wafer. The devices are formed only in a plurality of regions partitioned by the dividing lines and not formed in another region corresponding to each dividing line. However, the TEG or the film is also formed in such an area corresponding to each division line.

Im oben erwähnten Wafer-Bearbeitungsverfahren wird der Laserstrahl auf den Wafer von dessen Frontseite aufgebracht. Entsprechend tritt im Fall, bei dem die TEG oder der Film in der jeder Teilungslinie entsprechenden Bereich ausgebildet wird, eine Reduktion bei der Lichtintensität des Laserstrahls auf, der eine Position erreicht, wo die modifizierte Schicht auszubilden ist. Als Ergebnis besteht eine Wahrscheinlichkeit, dass eine für die Unterteilung des Wafers geeigneter, gute modifizierte Schicht gebildet werden kann.In the above-mentioned wafer processing method, the laser beam is applied to the wafer from the front side thereof. Accordingly, in the case where the TEG or the film is formed in the region corresponding to each division line, there occurs a reduction in the light intensity of the laser beam which reaches a position where the modified layer is to be formed. As a result, there is a likelihood that a good modified layer suitable for the subdivision of the wafer can be formed.

Es ist auch ein Wafer-Bearbeitungsverfahren erwogen worden, bei dem ein Band („Tape“) an der Rückseite eines Wafers angebracht wird und ein Laserstrahl auf den Wafer von der Rückseite desselben durch das Band aufgebracht wird (siehe beispielsweise japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2006-148175 ). Unter Verwendung dieses Wafer-Bearbeitungsverfahrens kann das obige Problem gelöst werden, weil der Laserstrahl von dessen Rückseite aufgebracht wird.A wafer processing method has also been considered in which a tape is attached to the back side of a wafer and a laser beam is applied to the wafer from the backside thereof through the tape (see, for example, US Pat Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-148175 ). By using this wafer processing method, the above problem can be solved because the laser beam is applied from the back side thereof.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Jedoch wird in dem Fall, bei dem der Laserstrahl durch das Band von der Rückseite desselben auf den Wafer aufgebracht wird, wie oben erwähnt, der angelegte Laserstrahl teilweise durch das Band absorbiert, was zu einer Reduktion bei der Verwendungseffizienz des Laserstrahls führt. Weiterhin besteht die Möglichkeit, dass das Band durch die Anwendung des Laserstrahls abgenutzt werden kann.However, in the case where the laser beam is applied to the wafer by the tape from the back side thereof, as mentioned above, the applied laser beam is partially absorbed by the tape, resulting in a reduction in the use efficiency of the laser beam. Furthermore, there is a possibility that the tape may be worn by the application of the laser beam.

Um dieses Problem zu bewältigen, wird erwogen, dass kein Band an der Rückseite des Wafers angebracht wird und der Laserstrahl auf den Wafer von der Rückseite desselben aufgebracht wird. Jedoch, da der Wafer bei diesem Verfahren nicht fest am Band gehaltert wird, erweitert sich die Fläche zum Ausbilden der modifizierten Schicht aufgrund der Anwendung des Laserstrahls, was eine Verbiegung des Wafers verursacht. Falls die Verbiegung des Wafers auftritt, kann eine fokale Position des Laserstrahls abweichen, was zu Variationen bei der Bildungsposition der modifizierten Schicht in einer Richtung längs der Dicke des Wafers führt.To cope with this problem, it is considered that no tape is attached to the back of the wafer and the laser beam is applied to the wafer from the backside thereof. However, since the wafer is not firmly held on the belt in this method, the area for forming the modified layer expands due to the application of the laser beam, causing warping of the wafer. If the bending of the wafer occurs, a focal position of the laser beam may deviate, resulting in variations in the formation position of the modified layer in a direction along the thickness of the wafer.

Es ist auch erwägenswert, dass ein Band an der Frontseite des Wafers angeklebt wird, um so das Verbiegen des Wafers zu verhindern. Jedoch ist es beim Durchführen eines Aufnahmeschritts des Aufnehmens der Chips, die durch Teilen des Wafers mit an der Frontseite angebrachtem Band erhalten werden, notwendig, ein anderes Band an der Rückseite des Wafers anzubringen, und das zuvor an der Frontseite des Wafers angebrachte Band zu entfernen, wodurch die Frontseite des Wafers exponiert wird. Entsprechend wird der Aufnahmeschritt kompliziert. Weiter verursachen Anbringen und Abnehmen dieser Bänder einen Anstieg bei den Kosten für die Bänder.It is also worth noting that a tape is glued to the front of the wafer so as to prevent bending of the wafer. However, in performing a pickup step of picking up the chips obtained by dividing the wafer with tape attached to the front side, it is necessary to attach another tape to the back side of the wafer and to remove the tape previously attached to the front side of the wafer , exposing the front of the wafer. Accordingly, the receiving step becomes complicated. Further, attaching and detaching these bands cause an increase in the cost of the bands.

Weiter ist dieses Bearbeitungsverfahren nicht für die Bearbeitung eines Wafers geeignet, der MEMS-(Mikro-Elektromechanische Systeme)Vorrichtungen oder bildgebende Vorrichtungen, die auf der Frontseite ausgebildet sind, aufweist. Das heißt, dass, da jede MEMS-Vorrichtung eine schwache Struktur ist, die Möglichkeit besteht, dass sie aufgrund des Anbringens und Abnehmens von Bändern zerbrochen wird. Weiter können, wenn Fremdmaterial, wie etwa Adhäsiv des an der Frontseite des Wafers angebrachten Bands an den bildgebenden Vorrichtungen festkleben kann, erwartete bildgebende Charakteristika nicht erhalten werden.Further, this machining method is not suitable for processing a wafer having MEMS (Micro-Electromechanical Systems) devices or imaging devices formed on the front side. That is, since each MEMS device is a weak structure, there is a possibility that it will be broken due to the attachment and detachment of tapes. Further, when foreign matter such as adhesive of the tape attached to the front side of the wafer can stick to the imaging devices, expected imaging characteristics can not be obtained.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Wafer-Bearbeitungsverfahren bereitzustellen, das eine gute modifizierte Schicht innerhalb eines Wafers bilden kann.It is therefore an object of the present invention to provide a wafer processing method which can form a good modified layer within a wafer.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Bearbeitungsverfahren des Bearbeitens eines Wafers mit einer Vorrichtungsfläche bereitgestellt, in der eine Mehrzahl von Vorrichtungen ausgebildet sind, und einer peripheren marginalen Fläche, welche die Vorrichtungsfläche umgibt, wobei die Frontseite des Wafers durch eine Mehrzahl von sich kreuzenden Teilungslinien partitioniert wird, um eine Mehrzahl von separaten Regionen zu definieren, wo jeweils die Vorrichtungen ausgebildet sind, wobei das Wafer-Bearbeitungsverfahren beinhaltet einen Halteschritt des Haltens der Frontseite des Wafers unter Verwendung von Haltemitteln, die eine Vertiefung, die dafür ausgelegt ist, zur Vorrichtungsfläche des Wafers gegenüber liegend zu sein, und einen peripheren Teil, der die Vertiefung so umgibt, dass er gegenüber dem äußeren Umfang der Vertiefung angehoben ist, aufweisen, wobei der periphere Teil einer Halteoberfläche zum Halten der peripheren marginalen Fläche des Wafers in Kontakt damit aufweist; und einen modifizierten Schicht-Bildungsschritt des Anwendens des Laserstrahls auf den auf dem Haltemittel gehaltenen Wafer von der Rückseite des Wafers längs der Teilungslinien unter einer Bedingung, bei der ein Brennpunkt des Laserstrahls innerhalb des Lasers eingestellt ist, wodurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers längs jeder Unterteilungslinie gebildet wird, wobei die modifizierte Schicht nur in der Vorrichtungsfläche ausgebildet ist, außer der peripheren marginalen Fläche des Wafers in dem modifizierten Schicht-Bildungsschritt.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method of processing a wafer having a device surface in which a plurality of devices are formed, and a peripheral marginal surface surrounding the device surface, the front side of the wafer being defined by a plurality of ones is partitioned to define a plurality of separate regions where each of the devices is formed, the wafer processing method including a holding step of holding the front side of the wafer using holding means having a recess adapted therefor And a peripheral part surrounding the recess so as to be raised from the outer periphery of the recess, the peripheral part of a holding surface for holding the peripheral marginal surface of the wafer i n has contact with it; and a modified film formation step of applying the laser beam to the wafer held on the holding means from the back side of the wafer along the dividing lines under a condition where a focal point of the laser beam within the laser is adjusted, thereby forming a modified layer within the wafer along each one Dividing line is formed, wherein the modified layer is formed only in the device area, except for the peripheral marginal area of the wafer in the modified layer forming step.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Frontseite des Wafers auf dem Haltemittel gehalten, das die Vertiefung beinhaltet, die ausgelegt ist, zur Vorrichtungsfläche gegenüberliegend zu sein, so dass die Vorrichtungsfläche nicht in Kontakt mit dem Haltemittel gelangt. Entsprechend ist es unnötig, ein Band an der Frontseite des Wafers anzubringen, um so die Vorrichtungen zu schützen. Weiter wird die modifizierte Schicht nur in der Vorrichtungsfläche ausgebildet. Mit anderen Worten wird die modifizierte Schicht nicht in der peripheren marginalen Fläche ausgebildet. Entsprechend wird die Vorrichtungsfläche fest zur peripheren marginalen Fläche unterstützt, so dass die Verbiegung des Wafers während der Bearbeitung reduziert werden kann, ohne jegliches Band zum festen Unerstützen der Frontseite oder der Rückseite des Wafers zu verwenden. Das heißt, dass die Formungsposition der modifizierten Schicht in Richtung längs der Dicke des Wafers konstant gemacht werden kann, ohne ein Band an der Frontseite oder der Rückseite des Wafers anzubringen.According to the present invention, the front side of the wafer is held on the holding means including the recess designed to be opposed to the device surface so that the device surface does not come into contact with the holding means. Accordingly, it is unnecessary to attach a tape to the front side of the wafer so as to protect the devices. Further, the modified layer is formed only in the device area. In other words, the modified layer is not formed in the peripheral marginal area. Accordingly, the device area is firmly supported to the peripheral marginal area, so that the warp of the wafer during processing can be reduced without using any tape for solidly supporting the front or back of the wafer. That is, the forming position of the modified layer in the direction along the thickness of the wafer can be made constant without attaching a tape to the front side or the back side of the wafer.

Da kein Band an der Frontseite des Wafers angebracht ist, kann die modifizierte Schicht zufrieden stellend in dem Wafer ausgebildet werden, ohne einen Ausfall in einer schwachen Struktur wie etwa einer MEMS-Vorrichtung, oder in der bildgebenden Vorrichtung, deren Leistungsfähigkeit durch die Ablagerung fremder Materie reduziert wäre, zu verursachen. Weiter, da kein Band an der Rückseite des Wafers angebracht ist, gibt es keine Möglichkeit, dass der auf den Wafer aufgebrachte Laserstrahl von der Rückseite desselben aus teilweise durch das Band absorbiert werden kann, was zu einer Reduktion bei der Verwendungseffizienz des Laserstrahls führen würde. Weiterhin besteht keine Möglichkeit, dass das Band durch die Anwendung des Laserstrahls verschlissen würde.Since no tape is attached to the front side of the wafer, the modified layer can be satisfactorily formed in the wafer without failure in a weak structure such as a MEMS device or in the imaging device, its performance by the deposition of foreign matter would be reduced to cause. Further, since no tape is attached to the back of the wafer, there is no possibility that the laser beam applied to the wafer may be partially absorbed by the tape from the back side thereof, resulting in a reduction in the use efficiency of the laser beam. Furthermore, there is no possibility that the tape would be worn by the application of the laser beam.

Üblicherweise wird ein Aufnahmeschritt des Aufnehmens von durch Unterteilen eines Wafers erhaltenen Chips unter der Bedingung durchgeführt, bei der die Rückseite jedes Chips an einem Expansionsband angebracht ist. Entsprechend muss in dem Fall, bei dem ein Schutzband an der Frontseite des Wafers angebracht ist, das Expansionsband an der Rückseite des Wafers angebracht werden, bevor der Aufnahmeschritt durchgeführt wird, und muss das Schutzband von der Frontseite des Wafers entfernt werden. Im Gegensatz dazu ist es gemäß der vorliegenden Erfindung unnötig, die Anbringung und Abnahme von Bändern selbst beim Durchführen des Aufnahmeschrittes nach Unterteilen des Wafers durchzuführen. Entsprechend ist es möglich, die Verkomplizierung von Schritten zu unterdrücken und die Kosten für Bänder zu reduzieren. Zusätzlich, da der Laserstrahl auf dem Wafer von der Rückseite desselben angelegt wird, kann die Breite einer zu bearbeitenden Fläche im Vergleich zu dem Fall, bei dem der Laserstrahl auf den Wafer von der Frontseite desselben angelegt wird, reduziert werden. Als Ergebnis kann eine Straßenreduktion realisiert werden, um dadurch die Anzahl von Chips, die erhalten werden können, zu vergrößern.Usually, a pickup step of picking up chips obtained by dividing a wafer is performed under the condition that the back side of each chip is attached to an expansion band. Accordingly, in the case where a protective tape is attached to the front side of the wafer, the expansion tape must be attached to the back side of the wafer before the taking step is performed, and the protective tape has to be removed from the front side of the wafer. In contrast, according to the present invention, it is unnecessary to perform the attachment and detachment of tapes even when performing the receiving step after dividing the wafer. Accordingly, it is possible to suppress the complication of steps and reduce the cost of tapes. In addition, since the laser beam is applied to the wafer from the backside thereof, the width of a surface to be processed can be reduced as compared with the case where the laser beam is applied to the wafer from the front side thereof. As a result, a road reduction can be realized to thereby increase the number of chips that can be obtained.

Somit kann die vorliegende Erfindung ein Wafer-Bearbeitungsverfahren bereitstellen, das eine gute modifizierte Schicht innerhalb eines Wafers ausbildet.Thus, the present invention can provide a wafer processing method that forms a good modified layer within a wafer.

Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise, sie zu realisieren, werden ersichtlicher, und die Erfindung selbst wird besser verstanden werden, aus einem Studium der nachfolgenden Beschreibung und angehängten Ansprüchen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine gewisse bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner of realizing it will become more apparent and the invention itself will be better understood by a reading of the following description and appended claims with reference to the accompanying drawings, in which: FIG show certain preferred embodiment of the invention.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Konfiguration eines Wafers als ein durch ein Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeitendes Werkstück zeigt; 1 FIG. 15 is a perspective view illustrating a configuration of a wafer as one by a wafer processing method according to a preferred embodiment of the present invention Embodiment of the present invention shows workpiece to be machined;

2 ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, welche schematisch einen Halteschritt zeigt; 2 Fig. 16 is a partial sectional side view schematically showing a holding step;

3A ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, die schematisch einen modifizierten Schicht-Bildungsschritt zeigt; 3A Fig. 10 is a partial sectional side view schematically showing a modified film forming step;

3B ist eine Aufsicht, die einen Zustand des durch den in 3A gezeigten, modifizierten Schicht-Bildungsschritt bearbeiteten Wafers zeigt; 3B is a supervisor who has a state of by the in 3A shown modified layer forming step processed wafer shows;

4A ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, welche schematisch einen grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt zeigt; 4A Fig. 16 is a partial sectional side view schematically showing a boundary-modified layer forming step;

4B ist eine Aufsicht, welche schematisch einen Zustand des durch den in 4A gezeigten grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt bearbeiteten Wafers zeigt; 4B is a plan view which schematically shows a state of by the in 4A shown edge-modified layer forming step processed wafer shows;

5 ist eine perspektivische Ansicht, welche schematisch einen Bandanbringschritt zeigt; 5 Fig. 16 is a perspective view schematically showing a band attaching step;

6A und 6B sind Teilschnitt-Seitenansichten, welche schematisch einen Expansionsschritt zeigen; 6A and 6B Fig. 3 are partial sectional side views schematically showing an expansion step;

7A ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, welche schematisch einen grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt gemäß einer Modifikation der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt; und 7A Fig. 15 is a partial sectional side view schematically showing a boundary-modified layer forming step according to a modification of the second preferred embodiment; and

7B ist eine Aufsicht, welche schematisch den Zustand des durch den in 7A gezeigten grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt-bearbeiteten Wafers zeigt. 7B is a plan view which schematically shows the state of the by in 7A shown boundary-modified layer forming step-processed wafer.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT

Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird ein Wafer mit auf der Frontseite gebildeten Vorrichtungen als ein durch das Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeitendes Werkstück verwendet. Jedoch ist in der vorliegenden Erfindung das Werkstück nicht auf einen solchen Wafer beschränkt.A preferred embodiment of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. In this preferred embodiment, a wafer having devices formed on the front side is used as a workpiece to be processed by the wafer processing method according to the present invention. However, in the present invention, the workpiece is not limited to such a wafer.

Das Wafer-Bearbeitungsverfahren beinhaltet in dieser bevorzugten Ausführungsform einen Halteschritt (siehe 2), einen modifizierten Schicht-Bildungsschritt (siehe 3A und 3B), einen grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt (siehe 4A und 4B), einen Bandanbringschritt (siehe 5) und einen expandierenden Schritt (siehe 6A und 6B).The wafer processing method in this preferred embodiment includes a holding step (see 2 ), a modified layer-forming step (see 3A and 3B ), a boundary-modified layer-forming step (see 4A and 4B ), a band attachment step (see 5 ) and an expanding step (see 6A and 6B ).

Im Halteschritt wird ein Wafer 11 auf einem Haltemittel (Haltetisch) 20 so gehalten, dass eine Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 einer Vertiefung 26 des Haltemittels 20 gegenüber liegt (siehe 2). Im modifizierten Schicht-Bildungsschritt wird ein Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 längs Teilungslinien (Straßen) 13 angelegt, um dadurch eine modifizierte Schicht 34 als einen Teilungsstartpunkt innerhalb des Wafers 11 längs jeder Teilungslinie 13 zu bilden (siehe 3A und 3B). In diesem modifizierten Schicht-Bildungsschritt wird die modifizierte Schicht 34 längs jeder Teilungslinie 13 nur in einer Fläche (Vorrichtungsfläche 17) ausgebildet, außer einer peripheren marginalen Fläche 19 des Wafers 11. Im grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt wird der Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 längs der Grenze zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 angewendet, um dadurch eine grenz-modifizierte Schicht 36 als einen Teilungsstartpunkt innerhalb des Wafers 11 längs dieser Grenze zu bilden (siehe 4A und 4B). Im Bandanbringschritt wird der Wafer 11 an einem Expansionsband 40 angebracht (siehe 5). Im expandierenden Schritt wird das Expansionsband 40 expandiert, um dadurch den Wafer 11 längs der modifizierten Schicht 34 und der grenz-modifizierten Schicht 36 als den Teilungsstartpunkten zu teilen (siehe 6A und 6B). Diese Schritte des Wafer-Bearbeitungsverfahrens gemäß diese bevorzugten Ausführungsform wird nunmehr detaillierter beschrieben.The holding step becomes a wafer 11 on a holding means (holding table) 20 held so that a device area 17 of the wafer 11 a depression 26 of the holding agent 20 opposite (see 2 ). In the modified film forming step, a laser beam becomes 30 on the wafer 11 along dividing lines (streets) 13 created, thereby a modified layer 34 as a division start point within the wafer 11 along each division line 13 to form (see 3A and 3B ). In this modified layer-forming step, the modified layer becomes 34 along each division line 13 only in one area (device area 17 ), except for a peripheral marginal area 19 of the wafer 11 , In the boundary-modified layer forming step, the laser beam becomes 30 on the wafer 11 along the border between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 applied to thereby a border-modified layer 36 as a division start point within the wafer 11 along this border (see 4A and 4B ). In the tape attachment step, the wafer becomes 11 on an expansion band 40 attached (see 5 ). In the expanding step becomes the expansion band 40 expanded to thereby the wafer 11 along the modified layer 34 and the border-modified layer 36 as the division start points to share (see 6A and 6B ). These steps of the wafer processing method according to this preferred embodiment will now be described in more detail.

1 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Konfiguration des Wafers 11 als ein Werkstück zeigt. Wie in 1 gezeigt, ist der Wafer 11 als ein Werkstück ein Halbleiterwafer, der eine kreisförmige Außenform aufweist. Der Wafer 11 weist eine Frontseite 11a und eine Rückseite 11b auf. Die Frontseite 11a des Wafers 11 besteht aus der Vorrichtungsfläche 17 als einer zentralen Fläche und der peripheren marginalen Fläche 19, welche die Vorrichtungsfläche 17 umgibt. Die Vorrichtungsfläche 17 wird in einer Mehrzahl von Regionen durch die mehreren kreuzenden Teilungslinien 13 partitioniert und die Vorrichtung 15, wie etwa eine MEMS-Vorrichtung, wird in jeder Region gebildet. Der Wafer 11 weist einen äußeren Umfang 11e auf, der so angefast ist, dass er einen bogenförmigen Querschnitt aufweist (siehe 2). 1 FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of the wafer. FIG 11 as a workpiece shows. As in 1 shown is the wafer 11 as a workpiece, a semiconductor wafer having a circular outer shape. The wafer 11 has a front 11a and a back 11b on. The front 11a of the wafer 11 consists of the device area 17 as a central area and the peripheral marginal area 19 showing the device area 17 surrounds. The device area 17 is in a plurality of regions through the multiple intersecting division lines 13 partitioned and the device 15 , such as a MEMS device, is formed in each region. The wafer 11 has an outer circumference 11e which is chamfered so that it has an arcuate cross-section (see 2 ).

Im Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Halteschritt zuerst durchgeführt, um den Wafer 11 auf dem Haltemittel 20 zu halten. Wie in 2 gezeigt, ist das Haltemittel 20 ein kreisförmiges Element mit einem Außendurchmesser gleich demjenigen des Wafers 11. Das Haltemittel 20 besteht aus einem Zentralteil 22 entsprechend der Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 und einem Peripherteil 24, der den Zentralteil 22 umgibt. Der Zentralteil 22 ist von niedrigerem Niveau als der Peripherteil 24, um die Vertiefung 26 entsprechend der Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 zu bilden. Der Peripherteil 24 weist eine Halteoberfläche 24a zum Halten der peripheren marginalen Fläche 19 des Wafers 11 unter Sog auf. Ein durch eine (nicht gezeigte) Vakuumquelle erzeugtes Vakuum wirkt auf die Halteoberfläche 24a über einen im Haltemittel 20 ausgebildeten (nicht gezeigten) Durchgang, wodurch eine Haltekraft zum Halten des Wafers 11 unter Sog erzeugt wird.In the wafer processing method according to this preferred embodiment, the holding step is performed first to make the wafer 11 on the holding means 20 to keep. As in 2 shown is the holding means 20 a circular member having an outer diameter equal to that of the wafer 11 , The holding means 20 consists of one Central part 22 according to the device area 17 of the wafer 11 and a peripheral part 24 who is the central part 22 surrounds. The central part 22 is of lower level than the peripheral part 24 to the depression 26 according to the device area 17 of the wafer 11 to build. The peripheral part 24 has a holding surface 24a for holding the peripheral marginal area 19 of the wafer 11 under suction. A vacuum generated by a vacuum source (not shown) acts on the holding surface 24a about one in the holding means 20 formed passage (not shown), whereby a holding force for holding the wafer 11 is generated under suction.

Im Halteschritt wird der Wafer 11 zuerst über dem Haltemittel 20 so positioniert, dass die Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 gegenüberliegend der Vertiefung 26 des Haltemittels 20 ist. Danach wird die periphere marginale Fläche 19 des Wafers 11 in Kontakt mit der Halteoberfläche 24a des Peripherteils 24 gebracht und dann auf der Peripherteil 24 unter Sog gehalten. Entsprechend wird der Wafer 11 auf dem Haltemittel 20 gehalten. Wie oben beschrieben, wird die Vertiefung 26 auf dem Haltemittel 20 gebildet. Entsprechend, wenn der Wafer 11 auf dem Haltemittel 20 gehalten wird, kommt die Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 nicht in Kontakt mit einer oberen Oberfläche 20a des Zentralteils 22. Entsprechend ist es unnötig, ein Band zum Schützen der Vorrichtungen 15 auf der Frontseite 11a des Wafers 11 anzubringen.In the holding step, the wafer 11 first over the retaining means 20 positioned so that the device surface 17 of the wafer 11 opposite the depression 26 of the holding agent 20 is. After that, the peripheral marginal area 19 of the wafer 11 in contact with the holding surface 24a of the peripheral part 24 brought and then on the peripheral part 24 kept under suction. Accordingly, the wafer becomes 11 on the holding means 20 held. As described above, the recess 26 on the holding means 20 educated. Accordingly, if the wafer 11 on the holding means 20 is held, the device surface comes 17 of the wafer 11 not in contact with a top surface 20a of the central part 22 , Accordingly, it is unnecessary to make a tape for protecting the devices 15 on the front 11a of the wafer 11 to install.

Nach Durchführen des Halteschritts wird der modifizierte Schicht-Bildungsschritt durchgeführt, um die modifizierte Schicht 34 als einen Teilungsstartpunkt zu bilden, längs jeder Teilungslinie 13 in der Vorrichtungsfläche 17. 3A ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, welche schematisch den modifizierten Schicht-Bildungsschritt zeigt, und 3B ist eine Aufsicht, welche schematisch einen Zustand des Wafers 11 zeigt, der durch den modifizierten Schicht-Bildungsschritt bearbeitet ist.After performing the holding step, the modified layer forming step is performed to form the modified layer 34 as a division start point, along each division line 13 in the device area 17 , 3A Fig. 16 is a partial sectional side view schematically showing the modified layer forming step, and Figs 3B Fig. 11 is a plan view schematically showing a state of the wafer 11 which is processed by the modified layer forming step.

Im modifizierten Schicht-Bildungsschritt wird ein Laser-Bearbeitungskopf 28 über der Vorrichtungsfläche 17 positioniert, um den Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 aufzubringen, während das Haltemittel 20 und der Laser-Bearbeitungskopf 28 relativ zueinander bewegt werden, wie in 3A gezeigt. Der Laser-Bearbeitungskopf 28 verwendet z.B. YAG oder YVO4 als ein Lasermedium beispielsweise und der Laserstrahl 30 wird aus dem Lasermedium oszilliert. Der Laserstrahl 30 wird auf den Wafer 11 von der Rückseite 11b desselben aufgebracht. Der Laserstrahl 30 wird längs jeder Teilungslinie 13 durch die Relativbewegung des Haltemittels 20 und des Laserbearbeitungskopfs 28 aufgebracht. Ein Brennpunkt 32 des Laserstrahls 30 wird innerhalb des Wafers 11 eingestellt. Im Falle der Verwendung eines Silizium-Wafers als Wafer 11 wird ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge (z.B. 1065 nm) im Infrarotbereich als der Laserstrahl 30 verwendet. Durch Verwenden des Laserstrahls 30 mit dieser Wellenlänge kann die modifizierte Schicht 34 zufriedenstellend innerhalb des Wafers 11 gebildet werden.In the modified film forming step, a laser machining head becomes 28 above the device surface 17 positioned to the laser beam 30 on the wafer 11 apply while the holding means 20 and the laser machining head 28 be moved relative to each other, as in 3A shown. The laser machining head 28 uses, for example, YAG or YVO4 as a laser medium, for example, and the laser beam 30 is oscillated from the laser medium. The laser beam 30 gets on the wafer 11 from the back 11b the same applied. The laser beam 30 becomes along each division line 13 by the relative movement of the holding means 20 and the laser processing head 28 applied. A focal point 32 of the laser beam 30 gets inside the wafer 11 set. In the case of using a silicon wafer as a wafer 11 becomes a laser beam having a wavelength (eg, 1065 nm) in the infrared region as the laser beam 30 used. By using the laser beam 30 with this wavelength, the modified layer 34 satisfactory within the wafer 11 be formed.

Wie in den 3A und 3B gezeigt, wird die modifizierte Schicht 34 längs jeder Teilungslinie 13 nur in der Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 gebildet. Mit anderen Worten wird die modifizierte Schicht 34 nicht in der peripheren marginalen Fläche 19 des Wafers 11 gebildet. Entsprechend wird die Vorrichtungsfläche 17 fest an der peripheren marginalen Fläche 19 gestützt, so dass selbst wenn die Fläche zum Ausbilden der modifizierten Schicht 34 sich aufgrund der Aufbringung des Laserstrahls 30 expandiert, die Verbiegung des Wafers 11 unterdrück werden kann. Entsprechend kann die Bildungsposition der modifizierten Schicht 34 in der Richtung längs der Dicke des Wafers 11 konstant gemacht werden, ohne ein Band an der Frontseite 11a oder der Rückseite 11b des Wafers 11 anzubringen.As in the 3A and 3B shown is the modified layer 34 along each division line 13 only in the device area 17 of the wafer 11 educated. In other words, the modified layer 34 not in the peripheral marginal area 19 of the wafer 11 educated. Accordingly, the device area becomes 17 stuck to the peripheral marginal surface 19 supported, so even if the surface to form the modified layer 34 due to the application of the laser beam 30 expand, the bending of the wafer 11 can be suppressed. Accordingly, the formation position of the modified layer 34 in the direction along the thickness of the wafer 11 be made constant without a band at the front 11a or the back 11b of the wafer 11 to install.

Da kein Band an der Frontseite 11a des Wafers 11 angebracht ist, kann die modifizierte Schicht 34 im Wafer 11 zufriedenstellend ausgebildet werden, ohne einen Ausfall in einer schwachen Struktur wie etwa einer MEMS-Vorrichtung oder in einer bildgebenden Vorrichtung zu verursachen, deren Leistungsfähigkeit durch die Ablagerung von Fremdmaterie reduziert wird. Weiter, da kein Band an der Rückseite 11b des Wafers 11 angebracht ist, gibt es keine Möglichkeit, dass der auf den Wafer 11 von der Rückseite 11b desselben angelegte Laserstrahl 30 partiell durch das Band absorbiert werden kann, um eine Reduktion bei der Verwendungseffizienz des Laserstrahls zu verursachen. Weiter gibt es auch keine Möglichkeit, dass das Band durch die Aufbringung des Laserstrahls 30 verschlissen wird.There is no tape on the front 11a of the wafer 11 attached, the modified layer 34 in the wafer 11 be formed satisfactorily without causing a failure in a weak structure such as a MEMS device or in an imaging device whose performance is reduced by the deposition of foreign matter. Next, there is no tape at the back 11b of the wafer 11 attached, there is no possibility of that on the wafer 11 from the back 11b the same applied laser beam 30 can be partially absorbed by the tape to cause a reduction in the use efficiency of the laser beam. Further, there is also no way that the tape by the application of the laser beam 30 is worn out.

Üblicherweise wird ein Aufnahmeschritt des Aufnehmens von durch Unterteilen eines Wafers erhaltenen Chips unter der Bedingung durchgeführt, bei der die Rückseite jedes Chips an einem Expansionsband angebracht ist. Entsprechend muss in dem Fall, bei dem ein Schutzband an der Frontseite des Wafers angelegt ist, das Expansionsband an der Rückseite des Wafers angebracht werden, bevor der Aufnahmeschritt durchgeführt wird, und muss das Schutzband von der Frontseite des Wafers entfernt werden. Im Gegensatz dazu ist es gemäß der vorliegenden Erfindung unnötig, das Anbringen und Abnehmen von Bändern selbst beim Durchführen des Aufnahmeschritts nach Unterteilen des Wafers 11 durchzuführen. Entsprechend ist es möglich, die Komplikation von Schritten zu reduzieren, und die Kosten für Bänder zu mindern. Zusätzlich, da der Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 von der Rückseite 11b desselben aus aufgebracht wird, kann die Breite einer zu bearbeitenden Fläche im Vergleich zu dem Fall reduziert werden, bei dem der Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 von der Frontseite 11a desselben angebracht wird. Als Ergebnis kann eine Straßenreduktion realisiert werden, um dadurch die Anzahl von Chips, die erhalten werden können, zu steigern.Usually, a pickup step of picking up chips obtained by dividing a wafer is performed under the condition that the back side of each chip is attached to an expansion band. Accordingly, in the case where a protective tape is applied to the front side of the wafer, the expansion tape must be attached to the back side of the wafer before the taking step is performed, and the protective tape must be removed from the front side of the wafer. In contrast, according to the present invention, it is unnecessary to apply and remove tapes even when performing the pickup step after dividing the wafer 11 perform. Accordingly, it is possible to reduce the complication of steps and to reduce the cost of tapes. In addition, because the laser beam 30 on the wafer 11 from the back 11b is applied from the same, the width of a surface to be processed compared to the Case can be reduced, where the laser beam 30 on the wafer 11 from the front 11a the same is attached. As a result, a road reduction can be realized, thereby increasing the number of chips that can be obtained.

Nach Durchführen des modifizierten Schicht-Bildungsschritts wird der grenz-modifizierte Schicht-Bildungsschritt durchgeführt, um die grenz-modifizierte Schicht 36 als einen Teilungsstartpunkt längs der Grenze zwischen Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 zu bilden. 4A ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, welche schematisch den grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt zeigt, und 4B ist eine Aufsicht, welche schematisch eine Bedingung des durch den in 4A gezeigten grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt bearbeiteten Wafers 11 zeigt.After performing the modified layer-forming step, the boundary-modified layer-forming step is performed to form the boundary-modified layer 36 as a division start point along the boundary between device area 17 and the peripheral marginal area 19 to build. 4A Fig. 10 is a partial sectional side view schematically showing the boundary-modified layer forming step, and Figs 4B is a plan view schematically a condition of the by the in 4A shown boundary-modified layer forming step processed wafer 11 shows.

Im grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt wird der Laser-Bearbeitungskopf 28 direkt oberhalb der Schicht zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Schicht 19 des Wafers 11 positioniert und wird der Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 unter Rotieren des Verarbeitungsmittels 20, wie in 4A gezeigt, angewendet. Der Laserstrahl 30 wird auf den Wafer 11 von der Rückseite 11b desselben längs der Grenze zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 aufgebracht. Als Ergebnis wird die grenz-modifizierte Schicht 36 innerhalb des Wafers 11 längs der Grenze zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19, wie in 4A und 4B gezeigt, gebildet. Die anderen Bearbeitungsbedingungen in dem grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt können dieselben wie jene im modifizierten Schicht-Bildungsschritt sein.In the boundary-modified film forming step, the laser machining head becomes 28 directly above the layer between the device surface 17 and the peripheral marginal layer 19 of the wafer 11 positions and becomes the laser beam 30 on the wafer 11 while rotating the processing agent 20 , as in 4A shown, applied. The laser beam 30 gets on the wafer 11 from the back 11b the same along the boundary between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 applied. As a result, the boundary-modified layer becomes 36 inside the wafer 11 along the border between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 , as in 4A and 4B shown, formed. The other processing conditions in the boundary-modified layer-forming step may be the same as those in the modified layer-forming step.

Nach Durchführen des grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritts wird der Bandanbringschritt durchgeführt, um das Expansionsband 40 am Wafer 11 anzubringen. 5 ist eine perspektivische Ansicht, welche schematisch den Bandanbringschritt zeigt. Im Bandanbringschritt wird das vorläufig an einem Ringrahmen 38 gehalterte Expansionsband 40 an der Rückseite 11b des Wafers 11 angebracht, wie in 5 gezeigt.After performing the boundary-modified layer-forming step, the tape-attaching step is performed to remove the expansion tape 40 on the wafer 11 to install. 5 FIG. 15 is a perspective view schematically showing the band attaching step. FIG. In the band attachment step, this is provisionally applied to a ring frame 38 salaried expansion band 40 at the back 11b of the wafer 11 attached, as in 5 shown.

Nach Durchführen des Bandanbringschritts wird der expandierende Schritt durchgeführt, um das Expansionsband 40 zu expandieren, wodurch der Wafer 11 längs der modifizierten Schicht 34 und der grenz-modifizierten Schicht 36 als Teilungsstartpunkte geteilt wird. 6A und 6B sind partielle Schnitt-Seitenansichten die schematisch den expandierenden Schritt zeigen.After performing the tape attaching step, the expanding step is performed to expand the tape 40 to expand, reducing the wafer 11 along the modified layer 34 and the border-modified layer 36 is shared as split start points. 6A and 6B are partial sectional side views schematically showing the expanding step.

Wie in 6A gezeigt, wird der den Wafer 11 durch das Expansionsband 40 unterstützende Rahmen 38 auf einem Ringtisch 42 platziert und durch den Ringrahmen 42 durch eine Mehrzahl von Klammern 44 fixiert, die am äußeren Umfang des Ringtischs 42 vorgesehen sind. Unter dieser Bedingung wird ein oberes Ende einer expandierenden Trommel 46 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers 11 und dem inneren Umfang des Rahmens 38 positioniert, um in Kontakt mit dem Expansionsband 40 zu gelangen.As in 6A shown, that becomes the wafer 11 through the expansion band 40 supporting framework 38 on a ring table 42 placed and through the ring frame 42 by a plurality of brackets 44 fixed on the outer circumference of the ring table 42 are provided. Under this condition, an upper end of an expanding drum 46 between the outer periphery of the wafer 11 and the inner circumference of the frame 38 positioned to be in contact with the expansion band 40 to get.

Danach wird der Ringtisch 42 durch einen vertikalen Bewegungsmechanismus 48 abgesenkt, so dass die expandierende Trommel 46 in Bezug auf den Ringtisch 42 relativ angehoben wird, wie in 6B gezeigt. Entsprechend wird das Expansionsband 40 hoch gedrückt und durch die expandierende Trommel 46 expandiert. Als Ergebnis wird ein Zug in einer Richtung zum Expandieren der Expansionsband 40 auf die modifizierte Schicht 34 und die grenz-modifizierte Schicht 36 einwirken. Entsprechend wird die Vorrichtungsfläche 17 des Wafers 11 in eine Mehrzahl von Chips längs der modifizierten Schicht 34 und der grenz-modifizierten Schicht 36 als den Teilungsstartpunkten unterteilt (gebrochen). Gleichzeitig wird auch die periphere marginale Fläche 19 gebrochen.After that, the ring table 42 through a vertical movement mechanism 48 lowered so that the expanding drum 46 in relation to the ring table 42 is raised relatively, as in 6B shown. Accordingly, the expansion band 40 pushed up and through the expanding drum 46 expanded. As a result, a pull in a direction to expand the expansion band 40 on the modified layer 34 and the border-modified layer 36 act. Accordingly, the device area becomes 17 of the wafer 11 into a plurality of chips along the modified layer 34 and the border-modified layer 36 as the division start points divided (broken). At the same time, the peripheral marginal area also becomes 19 Broken.

Als eine Modifikation kann ein zusätzlicher Schritt des Bildens eines peripheren marginalen Flächenbruch-Startpunkts als Bruchstartpunkt für die periphere marginale Fläche 19 durchgeführt werden, bevor der expandierende Schritt durchgeführt wird. In diesem Fall kann der periphere marginale Flächenbruch-Startpunkt vorgesehen sein, durch Ausbilden von radialen Rillen oder dergleichen auf der peripheren marginalen Fläche 19 mit einem Laserstrahl oder einer Schneidklinge.As a modification, an additional step of forming a peripheral marginal area fraction start point as a break start point for the peripheral marginal area 19 be performed before the expanding step is performed. In this case, the peripheral marginal area break starting point may be provided by forming radial grooves or the like on the peripheral marginal area 19 with a laser beam or a cutting blade.

Im oben erwähnten Wafer-Bearbeitungsverfahren kann die Reihenfolge des grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritts, des Bandanbringschritts und des expandierenden Schrittes verändert werden. Beispielsweise kann diese Reihenfolge zu der Reihenfolge des Bandanbringschritts, des grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritts und des expandierenden Schritts geändert werden. Im Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß dieser zweiten Modifikation wird der Bandanbringschritt des Anbringens des durch den Ringrahmen 38 gestützten Expansionsbands 40 an der Rückseite 11b des Wafers 11 nach Durchführen des modifizierten Schicht-Bildungsschritts durchgeführt (siehe 5).In the above-mentioned wafer processing method, the order of the boundary-modified layer-forming step, the band-applying step, and the expanding step can be changed. For example, this order may be changed to the order of the band attaching step, the boundary modified layer forming step, and the expanding step. In the wafer processing method according to this second modification, the band attaching step of attaching the through the ring frame becomes 38 supported expansion band 40 at the back 11b of the wafer 11 after performing the modified layer-forming step (see 5 ).

Nach Durchführen des Bandanbringschritts wird der grenz-modifizierte Schicht-Bildungsschritt durchgeführt, wie in 7A und 7B gezeigt. 7A ist eine partielle Schnitt-Seitenansicht, welche schematisch den grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt im Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß der zweiten Modifikation zeigt, und 7B ist eine Aufsicht, welche schematisch einen Zustand des durch den in 7A gezeigten grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt bearbeiteten Wafers 11 zeigt.After performing the band-applying step, the boundary-modified layer-forming step is performed as in 7A and 7B shown. 7A FIG. 16 is a partial sectional side view schematically showing the boundary-modified layer forming step in the wafer processing method according to the second modification; and FIG 7B is a plan view schematically a state of through the in 7A shown boundary-modified layer forming step processed wafer 11 shows.

Im in 7A gezeigten, grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritt wird der durch das Expansionsband 40 am Ringrahmen 38 unterstützte Wafer 11 auf einem Spanntisch 50 unter Sog in einem Zustand gehalten, wo das an der Rückseite 11b des Wafers 11 angebrachte Expansionsband 40 in Kontakt mit dem Spanntisch 50 steht. In diesem Zustand ist der Laser-Bearbeitungskopf 28 direkt über der Grenze zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 des Wafers 11 positioniert und wird der Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 unter Rotation des Spanntischs 50 aufgebracht, wie in 7A gezeigt. Bei dieser Modifikation ist das Expansionsband 40 an der Rückseite 11b des Wafers 11 angebracht. Entsprechend wird der Laserstrahl 30 auf den Wafer 11 von der Frontseite 11a desselben längs der Grenze zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 aufgebracht. Durch Durchführen dieses grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritts wird die grenz-modifizierte Schicht 36 innerhalb des Wafers 11 längs der Grenze zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 gebildet, wie in 7B gezeigt.Im in 7A The boundary modified layer forming step shown in FIG 40 on the ring frame 38 supported wafers 11 on a chuck table 50 held under suction in a state where that at the back 11b of the wafer 11 attached expansion band 40 in contact with the clamping table 50 stands. In this state, the laser machining head is 28 directly above the boundary between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 of the wafer 11 positions and becomes the laser beam 30 on the wafer 11 under rotation of the clamping table 50 applied, as in 7A shown. In this modification is the expansion band 40 at the back 11b of the wafer 11 appropriate. Accordingly, the laser beam becomes 30 on the wafer 11 from the front 11a the same along the boundary between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 applied. By performing this boundary-modified layer-forming step, the boundary-modified layer becomes 36 inside the wafer 11 along the border between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 formed as in 7B shown.

Nach Durchführen des grenz-modifizierten Schicht-Bildungsschritts wird der expandierende Schritt durchgeführt, um das Expansionsband 40 zu expandieren, wodurch der Wafer 11 längs der modifizierten Schicht 34 und der grenz-modifizierten Schicht 36 als den Teilungsstartpunkten geteilt wird (siehe 6A und 6B). Entsprechend wird der Wafer 11 in eine Mehrzahl von Chips längs der modifizierten Schicht 34 und der grenz-modifizierten Schicht 36 als den Teilungsstartpunkten unterteilt (gebrochen).After performing the boundary-modified layer-forming step, the expanding step is performed to expand the belt 40 to expand, reducing the wafer 11 along the modified layer 34 and the border-modified layer 36 is shared as the split start points (see 6A and 6B ). Accordingly, the wafer becomes 11 into a plurality of chips along the modified layer 34 and the border-modified layer 36 as the division start points divided (broken).

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben erwähnte, obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können verschiedene Modifikationen vorgenommen werden. Beispielsweise, während der grenz-modifizierte Schicht-Bildungsschritt des Ausbildens der grenz-modifizierten Schicht 36 in der obigen bevorzugten Ausführungsform durchgeführt wird, kann der grenz-modifizierte Schicht-Bildungsschritt durch einen anderen Schritt ersetzt werden. Beispielsweise kann ein Schneideschritt des Schneidens des Wafers 11 mit einer schneidenden Klinge oder ein Ablationsschritt des Durchführens einer Ablation mit einem Laserstrahl mit einer Absorptionswellenlänge (z.B. 355 nm) am Wafer 11 durchgeführt werden, um die Vorrichtungsfläche 17 und die periphere marginale Fläche 19 voneinander zu trennen. In diesem Fall können die Grenzregion zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 über die gesamte Dicke des Wafers 11 voll geschnitten werden (volles Schneiden) oder können halb über die Hälfe der Dicke der Wafer 11 geschnitten werden (halbes Schneiden).The present invention is not limited to the above-mentioned above preferred embodiment, but various modifications may be made. For example, during the boundary-modified layer forming step of forming the boundary-modified layer 36 In the above preferred embodiment, the boundary-modified layer-forming step may be replaced with another step. For example, a cutting step of cutting the wafer 11 with a cutting blade or an ablation step of performing an ablation with a laser beam having an absorption wavelength (eg 355 nm) on the wafer 11 be performed to the device area 17 and the peripheral marginal area 19 separate from each other. In this case, the boundary region between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 over the entire thickness of the wafer 11 can be fully cut (full cutting) or can be halfway over half the thickness of the wafer 11 be cut (half cutting).

Im Falle des vollen Schneidens ist es bevorzugt, die periphere marginale Fläche 19 zu entfernen, bevor der expandierende Schritt durchgeführt wird. Beispielsweise kann durch volles Schneiden der Grenzregion zwischen der Vorrichtungsfläche 17 und der peripheren marginalen Fläche 19 zum Empfangen der peripheren marginalen Fläche 19 und als Nächstes Durchführen des Bandanbringschritts die periphere marginale Fläche 19 entfernt werden, bevor der expandierende Schritt durchgeführt wird. In diesem Fall kann ein Zug leicht an der modifizierten Schicht 34 im expandierenden Schritt angelegt werden, so dass der Wafer 11 zuverlässig geteilt werden kann.In the case of full cutting, it is preferable to have the peripheral marginal area 19 to remove before the expanding step is performed. For example, by fully cutting the boundary region between the device surface 17 and the peripheral marginal area 19 for receiving the peripheral marginal area 19 and next performing the tape attaching step, the peripheral marginal area 19 are removed before the expanding step is performed. In this case, a pull can easily on the modified layer 34 be created in the expanding step, leaving the wafer 11 can be reliably shared.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzumfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert, und alle Änderungen und Modifikationen, die innerhalb der Äquivalenz des Schutzumfangs der Ansprüche fallen, werden daher durch die Erfindung umfasst.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiment described above. The scope of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications which fall within the equivalence of the scope of the claims are therefore intended to be embraced by the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

JP 3408805 [0002]
JP 2006-148175 [0005]

Claims

A wafer processing method of processing a wafer having a device area in which a plurality of devices are formed and a peripheral marginal area surrounding the device area, wherein a front side of the wafer is partitioned by a plurality of intersecting division lines to form a plurality of define separate regions where each device is formed, the wafer processing method comprising: a holding step of holding the front side of the wafer using a holding means having a recess adapted to face the device surface of the wafer, and a peripheral part surrounding the recess so as to face the outer periphery of the recess with the peripheral portion of a holding surface for holding the peripheral marginal area of the wafer in contact therewith; and a modified film forming step of applying the laser beam to the wafer held on the holding means from a back side of the wafer along the dividing lines under a condition where a focal point of the laser beam inside the laser is adjusted, thereby forming a modified layer within the wafer along each dividing line is formed, wherein the modified layer is formed only in the device area except for the peripheral marginal area of the wafer in the modified layer forming step.