JP2010029930A - Laser beam machining apparatus and laser beam machining method - Google Patents

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JP2010029930A JP2008197244A JP2008197244A JP2010029930A JP 2010029930 A JP2010029930 A JP 2010029930A JP 2008197244 A JP2008197244 A JP 2008197244A JP 2008197244 A JP2008197244 A JP 2008197244A JP 2010029930 A JP2010029930 A JP 2010029930A
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Tomosaburo Hamamoto
Akihito Kawai
Hiroshi Nomura
章仁 河合
友三郎 浜元
洋志 野村
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Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining apparatus which can correct warpage or undulation occurring in a workpiece and radiate a laser beam with high accuracy, and a laser beam machining method.
SOLUTION: The laser beam machining apparatus 1 forms a reformed area inside the workpiece 10 on the surface of which a plurality of devices 10a are formed. The laser beam machining apparatus 1 includes: a holding means 2 provided with a reentrant 21a which faces the area where the devices 10a are formed on the surface of the workpiece 10 and an outer circumferential section 21b which is designed to rise so as to surround the reentrant 21a and has an annular holding face which touches and holds the area 10b which is provided on the circumferential edge of the surface of the workpiece 10 and in which no device is formed; a pressing/supporting means 7 which can press or support the backside of the workpiece 10 held by the holding means 2; a blowing means 9 which takes in air into a space formed by the workpiece 10, the reentrant 21a and the outer circumferential section 21b; and a laser beam irradiating means 3 which radiates the laser beam 5 of a wavelength which permeates the workpiece 10 toward the backside of the workpiece 10.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザ光を使用して半導体ウエハなどのワークを加工する装置及び方法に関する。 The present invention relates to an apparatus and method for machining a workpiece such as a semiconductor wafer using a laser beam. より詳しくは、ワークの裏面側からレーザ光を照射して、ワークの分割予定ラインに改質領域を形成する技術に関する。 More specifically, by irradiating a laser beam from the back side of the work, a technique of forming a modified region the dividing lines of the workpiece.

半導体デバイスの製造工程においては、略円板形状の半導体ウエハの表面に、IC(integrated circuit:集積回路)又はLSI(large-scale integration:大規模集積回路)などの回路をマトリクス状に形成し、その後、この複数の回路が形成されたウエハを、所定のストリート(切断ライン)に沿って格子状に切断することにより、各回路を分離してチップ化している。 In the manufacturing process of a semiconductor device, the surface of the semiconductor wafer in a substantially disk shape, IC (integrated circuit: an integrated circuit) or LSI: a circuit such as a (large-scale integration large scale integrated circuit) formed in a matrix, Thereafter, the wafer having the plurality of circuits are formed by cutting in a grid pattern along the predetermined street (cutting line), and chips to separate each circuit.

通常、半導体ウエハの切断(ダイシング)には、ダイサーと称される切断装置が使用されている。 Usually, the cutting of the semiconductor wafer (dicing) is Dicer called cutting device is used. 近年、レーザ光を利用して、半導体ウエハなどのワークを切断する方法も開発されている。 Recently, by using a laser beam, it has been developed a method for cutting a workpiece such as a semiconductor wafer. 例えば、特許文献1に記載の加工方法では、酸化物単結晶からなるワークにレーザ光を照射して、光化学的な反応によって酸化物単結晶の分子を解離及び蒸発させることで、ワークの所定位置に溝を形成し、この溝に沿ってワークを劈開している。 For example, in the processing method described in Patent Document 1, by irradiating a laser beam to the workpiece made of an oxide single crystal, by dissociation and evaporation of the molecules of the oxide single crystal by photochemical reaction, a predetermined position of the work It is cleaved workpiece to form a groove, along the groove to.

また、特許文献2に記載の切断方法では、ワークに対して透過性を有するパルスレーザ光を、ワーク内部に集光点を合わせて照射し、分割予定ラインに沿って変質領域を形成している。 Further, in the cutting method described in Patent Document 2, a pulse laser beam capable of passing through the workpiece, irradiating the combined focal point in the work inside, to form a modified region along the dividing lines . この変質領域は、他の部分よりも強度が低いため、分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、変質層が起点となってワークが分割される。 The affected region is lower in strength than other portions, by applying an external force along the dividing line, the work is divided altered layer becomes the starting point.

一方、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などのように表面に凹凸があるワークや、分割予定ライン上にTEGが形成されているワークでは、この凹凸やTEGの影響で、ワーク内部までレーザ光が届かないことがある。 Meanwhile, MEMS and (Micro Electro Mechanical Systems) is uneven surface such as a work, a work that TEG is formed on the dividing line, the influence of the unevenness or TEG, the laser beam reach the workpiece inside no there is. 特に、凹凸の幅が広いワーク、及びデバイスが狭ピッチで形成されストリートが狭いワークでは、これらの影響が大きい。 In particular, the width of the unevenness a large work, and the device is narrow are formed at a pitch is narrow street work, large these effects.

そこで、従来、ワーク内に変質層を形成する際に、裏面側からレーザ光を照射する方法が提案されている。 Therefore, conventionally, when forming a deteriorated layer in the work, a method of irradiating a laser beam from the back side is proposed. 例えば、特許文献3及び特許文献4に記載のレーザ加工方法では、表面を下側にしてワークをチャックテーブル上に載置し、ワーク裏面に貼付されたダイシングフィルムを介して、ワーク内部にレーザ光を照射している。 For example, in the laser processing method described in Patent Documents 3 and 4, and the surface on the lower side and placing the workpiece on the chuck table, via a dicing film attached on the work back side, the laser beam to the workpiece interior It is irradiated with. これらの方法では、ダイシングフィルム及びワークの両方に透過性を有する波長のレーザ光を使用することで、ダイシングフィルムへの影響及びレーザ光のエネルギーロスを少なくしている。 In these methods, the use of laser beam having a transmission wavelength to the both of the dicing film and the workpiece, and to reduce the energy loss of impact and a laser beam to the dicing film.

また、特許文献5に記載の割断方法では、両面に粘着性があるダイシングテープを使用し、このダイシングテープを介してリングフレームに保持されているワークを、ガラスなどからなる透明な支持板上に載置している。 Further, the cleaving method described in Patent Document 5, using the dicing tape sticky on both sides, the workpiece held by the ring frame via the dicing tape, to a transparent support plate on made of glass It has been placed. そして、この透明支持板及びダイシングテープを介して、ワーク裏面にレーザ光を照射している。 Then, through the transparent support plate and the dicing tape is irradiated with a laser beam to the workpiece rear surface.

特開平10−305420号公報 JP 10-305420 discloses 特開2002−192370号公報 JP 2002-192370 JP 特開2006−148175号公報 JP 2006-148175 JP 特開2007−173475号公報 JP 2007-173475 JP 特開2008−132710号公報 JP 2008-132710 JP

半導体ウエハなどのように表面に種々の材質の膜が形成されているワークや、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などのように表面にデバイスが形成されているワークでは、ダイシング工程に至るまでの過程でワークに反りやうねりが生じていることがある。 Work and which are formed various materials of film on the surface, such as a semiconductor wafer, the work device on the surface, such as MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) are formed, the process up to the dicing step in sometimes warp or swell occurs in the work. このような反りやうねりは、ワークに対するレーザ光の照射位置のずれや、ワーク内部におけるレーザ光の焦点位置のずれの原因となり、加工精度の低下を引き起こす。 Such warpage and waviness, and the deviation of the irradiation position of the laser beam relative to the workpiece, and cause a deviation of the focal position of the laser beam in the work internally, causing a decrease in machining accuracy.

ワークに反りやうねりがある場合は、その度合いに応じてレーザ光の焦点位置を調整することが望ましい。 If there is warping or waviness in the workpiece, it is desirable to adjust the focal position of the laser light according to the degree. ワークの厚さ方向における集光位置を調整するための機構にはピエゾ素子が利用されており、集光位置の調整可能な範囲は素子の性能に大きく影響される。 The mechanism for adjusting the focusing position in the thickness direction of the workpiece are utilized piezoelectric element, adjustable range of the focusing position is greatly affected by the performance of the device. このため、ワークの変位が調整可能な範囲内であれば問題ないが、反りやうねりの度合いが大きい場合には、ワークの変位に合わせてレーザ光の集光点位置を調整することができないことがある。 Therefore, although the displacement of the workpiece is not a problem as long as the adjustable range, when the degree of warpage and undulation is large, it is not possible to adjust the focal position of the laser beam in accordance with the displacement of the workpiece there is. 従って、高い加工精度を得るためには、ワークの反りやうねりを、予めレーザ光の焦点位置の追従が可能な範囲に矯正してやることが必要と考えられる。 Therefore, in order to obtain a high processing accuracy, the warpage and undulation of the workpiece, it is considered necessary to'll corrected to follow the possible range of the focal position of the pre-laser beam.

そこで、本発明は、ワークに生じた反りやうねりを矯正して、精度良くレーザ光を照射することができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することを主目的とする。 Accordingly, the present invention is to correct the warpage and undulation produced in the work, a main object thereof is to provide a laser processing apparatus and laser processing method can irradiate precisely the laser beam.

上記課題解決のため、本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたワークの内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、(1)前記ワーク表面の前記デバイスが形成された領域に対向する凹部と、該凹部を囲繞して立設され、前記ワーク表面の周縁部に設けられた前記デバイスが形成されていない領域を接触保持する保持面を有する外周部と、を備えた保持手段と、(2)該保持手段に保持された前記ワークの裏面を押圧又は支持し得る押圧支持手段と、(3)前記ワークと前記凹部と前記外周部とによって形成される空間内に、空気を導入するブロー手段と、前記ワークの裏面に向けて該ワークを透過する波長のレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、を具備するレーザ加工装置を提供する。 For the above problems solved, the present invention provides a laser processing apparatus for forming a modified region inside the workpiece in which a plurality of devices are formed on the surface, (1) the device of the workpiece surface is formed regions a recess opposite, surrounds the recess erected on retention, provided with an outer peripheral portion having a holding surface on which the device provided in the peripheral portion is held in contact areas which are not formed of the workpiece surface means, (2) and pressing and supporting means capable of pressing or supporting the rear surface of the workpiece held by the holding means, and (3) the workpiece and the space formed by the recess and the outer peripheral portion, the air and blowing means for introducing, to provide a laser machining apparatus comprising a laser light irradiating means for irradiating a laser beam having a wavelength that passes through the workpiece toward a back surface of the workpiece. このレーザ加工装置の前記押圧支持手段は、前記レーザ光を透過するものである。 The pressing support unit of the laser processing apparatus is configured to transmit the laser beam. このレーザ加工装置では、押圧支持手段によってワークの裏面を押圧することにより、又は、ブロー手段によってワークと凹部と外周部とで形成される空間内を陽圧にして、ワークをレーザ光照射部側に押し出すとともに、押圧支持手段によって裏面を支持することにより、ワークの反り及び/又はうねりを矯正することが可能である。 In this laser processing apparatus, by pressing the rear surface of the workpiece by pressing the support means, or, in the space formed by the workpiece and the recess and the outer peripheral portion by the blowing means in the positive pressure, the laser beam irradiation side of the workpiece with extruded, by supporting the back surface by pressing the support means, it is possible to correct the warp and / or waviness of the workpiece.

本発明は、また、表面に複数のデバイスが形成され、裏面に貼付された粘着テープを介して環状フレームの開口部に支持されているワークに対して、レーザ光を照射し、該ワーク内に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、(1)前記ワーク表面の前記デバイスが形成された領域に対向する凹部と、該凹部を囲繞して立設され、前記ワーク表面の周縁部に設けられた前記デバイスが形成されていない領域を接触保持する保持面を有する外周部と、を備えた保持手段により前記ワークを保持する工程と、(2)前記ワークの裏面を支持しながら、前記ワークと前記凹部と前記外周部とによって形成される空間内に空気を導入して、前記ワークの反り及び/又はうねりを矯正する工程と、(3)前記ワークの裏面側から、前記ワーク及び前 The present invention also a plurality of devices are formed on the surface, the workpiece supported by the opening of the annular frame through the adhesive tape is affixed to the bottom, it is irradiated with laser light, into the workpiece a laser processing method for forming a modified region, (1) the and the recess opposite the area where the device is formed of the workpiece surface, are erected surrounding the recess, a peripheral portion of the workpiece surface a step of holding the outer peripheral portion, the work by holding means having a having a holding surface on which the device is provided to contact the holding areas are not formed, while supporting the back surface of the (2) the workpiece, the introducing air into the space formed workpiece with the recess and by the outer peripheral portion, a step of correcting a warpage and / or waviness of the workpiece, (3) from the back side of the workpiece, the workpiece and the front 粘着テープを透過する波長のレーザ光を、前記ワーク内部に焦点を合わせて、分割予定ラインに沿って照射する工程と、を有するレーザ加工方法を提供する。 A laser beam having a wavelength that passes through the pressure-sensitive adhesive tape, focused on the work inside, provides a laser processing method and a step of irradiating along the dividing lines.

本発明により、ワークに生じた反りやうねりを矯正して、精度良くレーザ光を照射することができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法が提供される。 The present invention, by correcting the warpage and undulation produced in the work, accurately a laser processing apparatus and a laser processing method capable of irradiating the laser beam is provided.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、添付の図面を参照して説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the following embodiments.

1. 1. レーザ加工装置 まず、図1及び図2を参照し、本発明に係るレーザ加工装置の構成を概説する。 The laser processing apparatus First, with reference to FIGS. 1 and 2, outlines the configuration of a laser machining apparatus according to the present invention. 図1は、レーザ加工装置の構成を示す斜視図である。 Figure 1 is a perspective view showing the configuration of a laser machining apparatus. 図2は、図1に示す保持手段2の具体的構成を示す斜視図である。 Figure 2 is a perspective view showing a specific structure of the holding means 2 shown in FIG.

図1中、符号1で示すレーザ加工装置1は、少なくとも、ワーク10を保持する保持手段2と、ワーク10の所定位置にレーザ光を照射するレーザ光照射手段3とを具備している。 In Figure 1, the laser processing apparatus 1 indicated by reference numeral 1 includes at least the holding means (2) for holding the workpiece 10, and a laser beam irradiation means 3 for irradiating a laser beam to a predetermined position of the workpiece 10.

レーザ加工装置1が加工対象とするワーク10は、例えば、半導体ウエハ、DAF(Die Attach Film)などの粘着テープ、ガラス、シリコン及びサファイヤなどの無機材料、金属材料又はプラスチックなどからなる各種基板、半導体製品のパッケージ、並びにミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料などが挙げられる。 Work 10 laser processing apparatus 1 is the processing target, for example, a semiconductor wafer, DAF (Die Attach Film) adhesive tape, glass, inorganic material such as silicon and sapphire, various substrates made of a metal material or plastic such as, a semiconductor product packaging, as well as various processed materials can be mentioned micron-order precision is required. これらのワーク10は、その裏面に粘着テープ10が貼付されており、この粘着テープ10を介してリングフレーム11の開口部に支持されている。 These work 10, the which back surface the adhesive tape 10 is affixed, is supported by the opening of the ring frame 11 via the adhesive tape 10. そして、このリングフレーム11に支持された状態で加工される。 Then, the processing in a state of being supported by the ring frame 11.

保持手段2には、ワーク10表面のデバイス10aが形成された領域に対向する凹部21aと、ワーク10表面の周縁部に設けられたデバイスが形成されていない領域10bを接触保持する環状の保持面を有する外周部21bと、が設けられている。 The holding means 2, a concave portion 21a which faces the area where the device 10a of the workpiece 10 surface is formed, the holding surface of the annular device provided with contact holding region 10b are not formed on the peripheral portion of the workpiece 10 surface and the outer peripheral portion 21b having, are provided. この外周部21bは、凹部21aを囲繞するように立設されている。 The outer peripheral portion 21b is erected so as to surround the recess 21a. 図2中、符号22は、リングフレーム11を脱着自在に固定するクランプを示す。 In Figure 2, reference numeral 22 indicates a clamp for fixing detachably the ring frame 11. クランプ22は、保持手段2に1以上設けられ得る Clamp 22 may be provided one or the holding means 2

保持手段2は、送り手段によって図1中x軸方向及びy軸方向に移動可能とされている。 Holding means 2 is movable in the x-axis direction and the y-axis direction in FIG. 1 by the feeding means. 具体的には、台座31上に相互に平行に配置された一対の案内レール32a, 32b間にボールねじ33aが配置され、このボールねじ33aの一方の端部にはモータ33bが取り付けられており、他方の端部は軸受けブロック33cに回転可能に支持されている。 Specifically, a pair of guide rails 32a that mutually arranged in parallel on a base 31, a ball screw 33a between 32b are arranged, and the motor 33b is attached to one end of the ball screw 33a , the other end portion is rotatably supported by the bearing block 33c.

また、案内レール32a,32b及びボールねじ33aの上には、滑動ブロック34が載置されており、この滑動ブロック34上に、一対の案内レール35a,35b及びボールねじ36aが相互に平行に配置されている。 Further, on the guide rails 32a, 32b and the ball screw 33a is sliding block 34 is mounted, on the sliding block 34, arranged parallel to the pair of guide rails 35a, 35b and the ball screw 36a is mutually It is. このボールねじ36aも、一方の端部にモータ36bが取り付けられ、他方の端部は軸受けブロック36cに回転可能に支持されている。 The ball screw 36a also motor 36b is attached to one end, the other end portion is rotatably supported by the bearing block 36c. 更に、案内レール35a,35b及びボールねじ36aの上には、滑動ブロック37が載置されており、この滑動ブロック37上に保持手段2が設置されている。 Further, on the guide rails 35a, 35b and the ball screw 36a is sliding block 37 is mounted, the holding means 2 is provided on the sliding block 37.

そして、これらの部材により構成される送り手段においては、モータ33bによりボールねじ33aを駆動させると、滑動ブロック34が案内レール32a,32bによって案内されて移動し、これにより保持手段2がx軸方向に移動する。 Then, in the feeding means constituted by these members, when driving the ball screw 33a by the motor 33b, and moves by being guided sliding block 34 guide rails 32a, by 32b, thereby retaining means 2 is the x-axis direction to move to. 一方、モータ36bによりボールねじ36aを駆動させると、滑動ブロック37が案内レール35a,35bによって案内されて移動し、これにより保持手段2がy軸方向に移動する。 On the other hand, when driving the ball screw 36a by the motor 36b, the slide block 37 is a guide rail 35a, and moves by being guided by 35b, thereby retaining means 2 is moved in the y-axis direction.

レーザ光照射手段3は、保持手段2の上方に配置されており、例えばYAGレーザ発振器又はYVOレーザ発振器などのようにワーク10を透過する波長のレーザ光を発振可能な発振器と、発振したレーザ光をワーク10に照射するためのミラー及び集光レンズなどの光学部品を備えている。 Laser beam irradiation means 3 is disposed above the holding means 2, for example, YAG laser oscillator or an oscillator Oscillator laser light having a wavelength that passes through the workpiece 10, such as YVO laser oscillator, the laser light oscillated the includes an optical component such as a mirror and a condenser lens for irradiating the workpiece 10.

レーザ光照射手段3には、レーザ光の焦点位置を制御するための機構が設けられる。 The laser beam irradiation means 3, the mechanism for controlling the focal position of the laser beam is provided. この焦点位置調節機構は、例えばボイスコイルやピエゾ素子を用いて集光レンズを図1中Z軸方向に移動させることで構成され、ワーク10の反りやうねり、凹凸(以下、単に「反り」という)に応じてレーザ光の焦点位置を図1中z軸方向に調整するものである。 The focal position adjusting mechanism, for example using a voice coil or a piezoelectric element is constituted by moving the condenser lens in Fig. 1 in the Z-axis direction, warpage and waviness of the workpiece 10, irregularities (hereinafter, simply referred to as "warping" and adjusts the focal position of the laser beam in the z-axis direction in FIG. 1 in accordance with).

また、レーザ加工装置1には、必要に応じて、ワーク10の変位を測定する変位検出手段4を設けることができる。 Further, the laser processing apparatus 1 may be optionally provided with displacement detecting means 4 for measuring the displacement of the workpiece 10. この変位検出手段4は、ワーク10の反りを示す変位を検出するものである。 The displacement detector 4 is for detecting the displacement showing the warping of the workpiece 10. 変位検出手段4の構成及び方法は特に限定するものではないが、例えば、保持手段2の上方に、レーザ発振器などを備えたレーザ光照射部とセンサなどからなるレーザ光検出部とを設置し、ワーク10の裏面で反射される波長のレーザ光をワーク10に照射して、その反射光を検出する構成とすることができる。 But not limited to construction and method of the displacement detecting means 4 in particular, for example, above the holding means 2, is installed a laser beam irradiation unit equipped with such a laser oscillator and laser light detecting unit consisting of a sensor, by irradiating a laser beam having a wavelength which is reflected by the rear surface of the workpiece 10 to the work 10 can be configured to detect the reflected light. その場合、レーザ光検出部において反射光の光量を測定し、その値の変化からワーク10の裏面からレーザ光検出部までの距離の変動、すなわち、ワーク10の変位を求めることができる。 In that case, the amount of reflected light measured at the laser beam detector, the variation of the distance from the change of the value to the laser light detecting unit from the back surface of the workpiece 10, i.e., it is possible to determine the displacement of the workpiece 10. 例えば、ワーク10がシリコン基板を使用した半導体ウエハの場合は、ワーク10に対して反射性を有する波長が635nmのレーザ光を照射し、その反射光の光量の変化を測定することにより、ワーク10の裏面の変位を測定することができる。 For example, in the case of a semiconductor wafer workpiece 10 has a silicon substrate, by a wavelength having reflectivity with respect to the workpiece 10 is irradiated with laser light of 635 nm, measuring the change in light quantity of the reflected light, the workpiece 10 it can be measured on the back surface of the displacement. なお、変位検出手段は、ワーク10の変位が検出可能であれば、その構成及び検出方法は特に限定されるものではない。 Incidentally, the displacement detecting means, the displacement detection if the workpiece 10, the configuration and the detection method is not limited in particular. 例えば、図1に示すレーザ加工装置1では、変位検出手段4とレーザ光照射手段3とを別々に設けているが、これらを一体化し、加工用のレーザ光と変位測定用のレーザ光とが同軸となるようにしてもよい。 For example, the laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1, is provided with the displacement detecting means 4 and the laser beam irradiation means 3 separately integrating them, and the laser light for displacement measurement with a laser beam for machining it may be a coaxial.

次に、図3及び図4を参照し、レーザ加工装置1の構成をより具体的に説明する。 Next, with reference to FIGS. 3 and 4, a configuration of the laser processing apparatus 1 in more detail. 図3及び図4は、レーザ加工装置1の構成の一部を示す断面図である。 3 and 4 are sectional views showing a partial structure of a laser processing apparatus 1. なお、これらの図では、それぞれ一部の構成(ブロー手段9又は吸引手段6)の図示を省略した。 In these figures it was omitted for some individual component (blowing means 9 or suction means 6).

保持手段2には、ワーク10表面のデバイス10aが形成された領域に対向する位置に凹部21aが形成されている。 The holding means 2, the recess 21a at a position opposite to the region where the device 10a of the workpiece 10 surface is formed is formed. また、この凹部21aを囲繞して、ワーク10表面の周縁部に設けられたデバイスが形成されていない領域10bを接触保持する環状の保持面を有する外周部21bが形成されている。 Further, by surrounding the recess 21a, the outer peripheral portion 21b having an annular support surface device provided in the peripheral portion is held in contact regions 10b are not formed in the workpiece 10 surface is formed. ワーク10を接触保持する外周部21bは、その内径がワーク10全体の外径よりも小さく、かつ、ワーク10のデバイス10aが形成されている領域の外径よりも大きく形成されている。 The outer peripheral portion 21b which contacts holding the workpiece 10, an inner diameter smaller than the outer diameter of the entire workpiece 10, and is formed larger than the outer diameter of the region which the device 10a of the workpiece 10 is formed.

すなわち、ワーク10を、裏面をレーザ光照射手段3側にして保持手段2上に載置したとき、外周部21bが、ワーク10の周縁部に設けられたデバイス10aが形成されていない領域(余剰領域)10bのみに接触するようになっている。 That is, the workpiece 10, when placed on the holding means 2 and the back surface to the laser beam irradiation unit 3 side, the outer peripheral portion 21b is a region where the device 10a provided in the peripheral portion is not formed in the workpiece 10 (excess are brought into contact only in the region) 10b. これにより、レーザ加工装置1では、保持手段2がデバイス10aに触れずにワーク10を保持することにより、加工時のデバイス10aの変形を防止することができる。 Thus, the laser processing apparatus 1, the holding means 2 by holding the workpiece 10 without touching the device 10a, it is possible to prevent deformation of the device 10a during processing.

また、保持手段2には、外周部21bの余剰領域10bと接触する部位に開孔を有する吸引手段6が設けられている(図3参照)。 Further, the holding means 2, suction means 6 having an opening is provided at a portion in contact with the excess region 10b of the outer peripheral portion 21b (see FIG. 3). 吸引手段6は、通常使用される減圧ポンプ等によって構成される。 Suction means 6 is constituted by vacuum pump normally used. 吸引手段6は、外周部21bの余剰領域10bと接触する部位に設けられた開孔に接続され、この開孔から空気を吸引する。 Suction means 6 is connected to the opening provided in the portion in contact with the excess region 10b of the outer peripheral portion 21b, air is sucked from the opening. これにより、ワーク10の余剰領域10bを開孔へ吸引し、ワーク10を外周部21b上に安定して吸着保持することができる。 Thus, aspirating the excess area 10b of the workpiece 10 to the opening, the workpiece 10 can be stably attracted and held onto the outer peripheral portion 21b.

半導体ウエハなどのワークは、ダイシング工程に至るまでの過程で反りが生じていることがある。 Workpiece such as a semiconductor wafer is sometimes warped in the process leading up to the dicing step. レーザ光照射手段3に設けた焦点位置調節機構によれば、ワーク10の反りに応じてレーザ光の焦点位置を調整することで、このような変位に対してもある程度の追従が可能である。 According to the focus position adjusting mechanism provided in the laser beam irradiation unit 3, by adjusting the focal position of the laser beam in accordance with the warp of the work 10, it is possible to some extent follow even for such displacement. しかし、一般的なピエゾ素子によって焦点位置の調節を行う機構では、集光位置の調整可能な範囲が素子の性能に大きく依存し、反りやうねりの度合いが大きい場合には十分な追従ができない場合がある。 However, the mechanism for adjusting the focal position by common piezo element, largely depending on the adjustable range of the device performance of the focusing position, may not be sufficient follow in the case the degree of warpage and undulation is greater there is. このため、レーザ光照射手段3がワーク10の反りを補償しきれず、ワーク10内部におけるレーザ光5の焦点位置にずれが生じることとなる。 Therefore, so that the laser beam irradiation means 3 not completely compensate for the warping of the workpiece 10, the deviation in the focus position of the laser beam 5 inside the workpiece 10 occurs.

そこで、レーザ加工装置1においては、焦点位置調節機構による追従が不能な程の大きなワークの反りを矯正するため、図4に示すように、ワークを押圧する平坦な押圧面7aを備えた押圧支持手段7を設けている。 Therefore, in the laser processing apparatus 1, for correcting the warp of the large work of extent of impossible follow by the focus position adjusting mechanism, as shown in FIG. 4, pressed and supported with a flat pressing surface 7a for pressing the workpiece the means 7 is provided. 押圧支持手段7は、リングフレーム11に支持された状態のワークを搬送するアーム8に取り付けられている。 Pressing the support means 7 is attached to an arm 8 which transports the workpiece being supported by the ring frame 11.

レーザ加工装置1では、この押圧支持手段7により、ワークの裏面全体を所定の圧力で押圧することにより、ワークにおける「裏面側に凸」の反りを矯正することができる。 In the laser processing apparatus 1, by the pressing and supporting means 7, by pressing the entire back surface of the workpiece at a predetermined pressure, it is possible to correct the warp of the "convex on the back side" in the workpiece.

押圧支持手段7は、レーザ光照射手段3からのレーザ光を透過する材料からなる。 Pressing the support means 7 is made of a material that transmits a laser beam from the laser beam irradiation means 3. 具体的には、押圧支持手段7は、石英ガラス(Si0 2 )を用いて形成することが好ましい。 Specifically, pressing the support means 7 is preferably formed by using a quartz glass (Si0 2).

また、レーザ加工装置1には、保持手段2の凹部21aに開孔を有するブロー手段9を設けている(図4参照)。 Further, the laser processing apparatus 1 is provided with a blowing means 9 having an opening to the recess 21a of the holding unit 2 (see FIG. 4). ブロー手段9は、通常使用される加圧ポンプ等によって構成され、凹部21aに開孔する導入口91に接続され、導入口91から空気を導入する。 Blowing means 9 is constituted by a pressure pump or the like which is usually used, is connected to the inlet port 91 opening to the recess 21a, to introduce the air from the inlet 91. この空気は、加圧されたものとすることができる。 The air may be provided with pressurized. 導入口91は、凹部21aの底面又は凹部21aを囲繞して立設された外周部21bの凹部21aに連続する壁面に1つ以上設けられる。 Inlet 91 is provided to one or more walls continuous to the recess 21a of the erected outer peripheral portion 21b to surround the bottom or recess 21a of the recess 21a.

レーザ加工装置1では、このブロー手段9によって、保持手段2上に載置されたワーク10と凹部21aと外周部21bとによって形成される空間内に、空気を導入することにより、ワークにおける「表面側に凸」の反りを矯正することができる。 In the laser processing apparatus 1, by the blowing means 9, into the space formed by the workpiece placed 10 and the recess 21a and the outer peripheral portion 21b on the holding means 2, by introducing air, "surface of the workpiece it is possible to correct the warp of convex "on the side.

2. 2. レーザ加工装置の動作(ワークの反りが「裏面側に凸」の場合) Operation of the laser processing device (if warping of the workpiece is "convex on the back side")
次に、レーザ加工装置1の動作、すなわち、レーザ加工装置1を用いたワーク10の加工方法について、ワーク10に裏面が凸となる反りがある場合を例にして説明する。 Next, the operation of the laser processing apparatus 1, i.e., a method for processing a workpiece 10 using the laser processing apparatus 1, the rear surface on the work 10 will be described as an example a case where there is warpage is convex. 図5〜図7は、レーザ加工装置1を用いたレーザ加工方法をその工程順に示す断面図である。 5 to 7 are sectional views showing a laser processing method using the laser processing apparatus 1 in order of steps. なお、これらの図では、吸引手段6の図示を省略した。 In these figures, not shown suction device 6.

図5に示すように、本発明に係るレーザ加工方法においては、まず、加工対象のワーク10を、粘着テープ12を介してリングフレーム11の開口部に支持させる。 As shown in FIG. 5, in the laser processing method in accordance with the present invention, first, a workpiece 10 to be processed, is supported on the opening of the ring frame 11 through the adhesive tape 12. このとき、ワーク10の裏面に粘着テープ12を貼付する。 At this time, sticking the adhesive tape 12 on the back surface of the workpiece 10.

次に、図6に示すように、アーム8を動作させ、リングフレーム11に支持されたワーク10を、裏面をレーザ光照射手段3側にして、レーザ加工装置1の保持手段2上に載置し、クランプ22で固定する。 Next, as shown in FIG. 6, mounted to operate the arm 8, the workpiece 10 supported on the ring frame 11, and a rear surface to a laser beam irradiation unit 3 side, on the holding means 2 of the laser processing device 1 and, fixed by clamp 22.

その後、図7に示すように、押圧支持手段7によってワーク10の裏面全体を押圧し、ワーク10の反りを矯正する。 Thereafter, as shown in FIG. 7, by pressing the support means 7 to press the entire back surface of the workpiece 10, to correct warping of the workpiece 10. これにより、ワーク10の周縁部に設けられた余剰領域10bが、外周部21bによって接触保持され(図3も参照)、レーザ光が照射される裏面はほぼ平坦となる。 Thus, excess area 10b provided on the peripheral portion of the workpiece 10, (see also FIG. 3) is held in contact with the outer peripheral portion 21b, the rear surface of the laser beam is irradiated becomes substantially flat. この際、図3で説明した吸引手段6を使用することにより、余剰領域10bを吸引して、外周部21b上にワーク10を安定して吸着保持することができる。 In this case, by using a suction means 6 described in FIG. 3, by sucking the excess region 10b, and the workpiece 10 can be held stably adsorbed on the outer peripheral portion 21b.

押圧支持手段7によるワーク10の反りの矯正は、変位検出手段4(図1参照)によって測定されるワーク10の変位に基づいて行うことができる。 Correction of warping of the workpiece 10 by the pressing support unit 7, the displacement detecting means 4 may be based on the displacement of the workpiece 10 to be measured (see FIG. 1). すなわち、保持手段2上に載置されたワーク10について、変位検出手段4により焦点位置調節機構による追従が不能な反りが検出された場合は、上記のように、押圧支持手段7によってワーク10の裏面全体を押圧し、ワーク10の反りを矯正する。 That is, the workpiece 10 placed on the holding means 2, when the warpage follow a is impossible due to the focus position adjusting mechanism is detected by the displacement detector 4, as described above, by pressing the support means 7 of the workpiece 10 to press the entire back surface, to correct the warp of the workpiece 10. また、変位検出手段4により焦点位置調節機構による追従可能範囲の反りのみが検出された場合には、その変位に追従するように集光レンズを移動させ、レーザ光照射手段3からのレーザ光照射を行う。 Further, when only warpage of the tracking range by the focus position adjusting mechanism is detected by the displacement detecting means 4 moves the condenser lens so as to follow the displacement, the laser beam irradiation from the laser beam irradiation means 3 I do.

3. 3. レーザ加工装置の動作(ワークの反りが「表面側に凸」の場合) Operation of the laser processing device (if warping of the workpiece is "convex surface side")
続いて、レーザ加工装置1の動作、すなわち、レーザ加工装置1を用いたワーク10の加工方法について、ワーク10に表面が凸となる反りがある場合を例にして説明する。 Subsequently, operations of the laser machining apparatus 1, i.e., a method for processing a workpiece 10 using the laser processing device 1, the surface on the workpiece 10 will be described as an example where there is warpage is convex. 図8〜図11は、レーザ加工装置1を用いたレーザ加工方法をその工程順に示す断面図である。 8 to 11 are cross-sectional views showing a laser processing method using the laser processing apparatus 1 in order of steps. なお、これらの図では、吸引手段6の図示を省略した。 In these figures, not shown suction device 6.

図8に示すように、リングフレーム11の開口部に粘着シート12を介して支持されているワーク10を、裏面をレーザ光照射手段3側にして、レーザ加工装置1の保持手段2上に載置し、クランプ22で固定する。 As shown in FIG. 8, a workpiece 10 which is supported via a pressure-sensitive adhesive sheet 12 to the opening of the ring frame 11, and a rear surface to a laser beam irradiation unit 3 side, placing on the holding means 2 of the laser processing device 1 and location, fixed by clamp 22.

このとき、変位検出手段4により焦点位置調節機構による追従が不能な反りが検出された場合は、まず、図9に示すように、押圧支持手段7によってワーク10の裏面全体を支持する。 In this case, if the warpage follow a is impossible due to the focus position adjusting mechanism is detected by the displacement detector 4, first, as shown in FIG. 9, to support the entire back surface of the workpiece 10 by the pressing supporting means 7. 次に、図10に示すように、ブロー手段9により、導入口91を介して、ワーク10と凹部21aと外周部21bとによって形成される空間102内に、空気を導入する(図中矢印参照)。 Next, as shown in FIG. 10, the blowing means 9 through the inlet 91, the space 102 formed by the workpiece 10 and the recess 21a and the outer peripheral portion 21b, for introducing air (see arrows in the figure ). この空気は、加圧されたものとすることができる。 The air may be provided with pressurized. このとき、空間102内の圧力が高くなりすぎないように、凹部21a又は外周部21bに自然排気される程度の微小な貫通孔を形成しておくことが望ましい。 At this time, not too high a pressure in the space 102, it is preferable to form minute through-hole to the extent that is naturally exhausted to the recess 21a or the outer peripheral portion 21b. これにより、空間102内が陽圧となるため、ワーク10がレーザ光照射手段側に押し出され、押圧支持手段7に当接し、密着する。 Accordingly, since the space 102 becomes positive pressure, the workpiece 10 is pushed out to the laser beam irradiation means side, in contact with the pressing and supporting means 7 in close contact. その結果、ワーク10の反りが矯正され、レーザ光が照射される裏面はほぼ平坦となる。 As a result, warping of the workpiece 10 is corrected, the back surface of the laser beam is irradiated becomes substantially flat.

このようにして大きな反りを矯正した後、図11に示すように、ワーク10の裏面側から、押圧支持手段7及び粘着テープ12、ワーク10を透過する波長のレーザ光5を、ワーク10の内部に焦点を合わせて、分割予定ラインに沿って照射する。 After correcting the warp greatly in this way, as shown in FIG. 11, from the back side of the workpiece 10, pushing the support means 7 and the adhesive tape 12, the laser beam 5 of wavelength transmitted through the workpiece 10, the interior of the workpiece 10 focusing on, it is irradiated along the dividing line. 例えば、ワーク10がシリコン基板を使用した半導体ウエハである場合は、波長が1064nmのパルスレーザ光を照射する。 For example, if the workpiece 10 is a semiconductor wafer using a silicon substrate, the wavelength is irradiated with a pulsed laser beam of 1064 nm. これにより、ワーク10の分割予定ラインに改質領域が形成される。 Thereby, the modified region the dividing lines of the workpiece 10 is formed.

このとき、ワーク10の分割予定ラインの位置は、例えば、ワーク10の裏面から、粘着テープ12を介して、赤外線などのワーク10の内部まで透過する光(図示せず)を照射し、ワーク10の表面からの反射光を検出することにより確認することができる。 At this time, the position of the dividing line of the workpiece 10, for example, is irradiated from the rear surface of the workpiece 10, via the adhesive tape 12, the light (not shown) which transmits to the inside of the workpiece 10, such as an infrared, a work 10 it can be confirmed by detecting the reflected light from the surface of the.

上述した工程により分割予定ラインに改質領域が形成されたワーク10は、外力を加えることにより、改質領域が起点となって、分割予定ラインに沿って、容易にかつ精度よく分割することができる。 Work 10 modified region dividing lines by the above-mentioned process is formed by adding the external force, is modified region as a starting point, along the dividing line, it may be easily and accurately divided it can.

以上のように、レーザ加工装置1においては、ワーク10に「裏面側に凸」の反りがある場合には、押圧支持手段7により裏面を押圧した状態で、反りを矯正することが可能である。 As described above, in the laser processing apparatus 1, when the workpiece 10 is warped in "convex on the back surface side", while pressing the rear surface by pressing the support means 7, it is possible to correct the warp . また、「表面側に凸」の反りがある場合には、ブロー手段9によってワーク10と凹部21aと外周部21bとで形成される空間102内を陽圧にして、ワーク10をレーザ光照射手段3側に押し出すとともに、押圧支持手段7により裏面を支持した状態で、反りを矯正することが可能である。 When there is warping of "convex surface side", the space 102 formed by the blowing means 9 in the workpiece 10 and the recess 21a and the outer peripheral portion 21b in the positive pressure, the laser beam irradiation means work 10 with extruded 3 side, while supporting the back surface by pressing the support means 7, it is possible to correct the warp.

これにより、レーザ加工装置1では、レーザ光が照射されるワーク10の裏面をほぼ平坦にして、ワーク10の反りをレーザ光の焦点位置の追従が可能な範囲に矯正することできる。 Thus, the laser processing apparatus 1 may be in the substantially flat back surface of the workpiece 10 irradiated with the laser beam, to correct warping of the workpiece 10 to a range tracking capable of the focal position of the laser beam. このため、レーザ光照射手段3に設けられる焦点位置調節機構を、一般的なピエゾ素子を用いて構成した場合にも、ワークの反りを十分に補償して、ワークに対するレーザ光の照射位置や、ワーク内部におけるレーザ光の焦点位置を一定に保つことができる。 Therefore, the focal position adjusting mechanism provided in the laser beam irradiation unit 3, when configured by using a general piezoelectric element is also sufficiently compensate for the warping of the workpiece, and the irradiation position of the laser beam relative to the workpiece, it is possible to keep the focus position of the laser beam in the workpiece inside constant. また、レーザ加工装置1では、押圧支持手段7をレーザ光を透過する材料から形成しているため、押圧支持手段7によってワークの裏面を押圧又は支持して、ワークの反りを焦点位置調節機構による追従が可能な範囲に維持した状態でレーザ光を照射することができる。 Further, the laser processing apparatus 1, since the pressing support unit 7 is formed of a material that transmits the laser beam, to press or support the rear surface of the workpiece by pressing the support means 7, according to the focus position adjusting mechanism of the warp of the workpiece it can be irradiated with the laser beam while tracking is maintained in the range as possible. その結果、レーザ加工装置1では、切断ライン又は分割予定ラインに沿った高精度な加工を行うことが可能となる。 As a result, the laser processing apparatus 1, it becomes possible to perform highly accurate machining along a cutting line or dividing lines.

さらに、レーザ加工装置1では、ワーク10を、裏面をレーザ光照射手段3側にして保持手段2上に載置したとき、外周部21bが余剰領域10bのみに接触するようになっている。 Further, the laser processing apparatus 1, the workpiece 10, when placed on the holding means 2 and the back surface to the laser beam irradiation unit 3 side, the outer peripheral portion 21b comes into contact only marginal area 10b. これにより、レーザ加工装置1では、保持手段2がデバイス10aに触れずにワーク10を保持するため、デバイス10aの変形などによる不良の発生を低減し、歩留まりを向上させることができる。 Thus, the laser processing apparatus 1, the holding means 2 holds the workpiece 10 without touching the device 10a, to reduce the occurrence of defects due to deformation of the device 10a, it is possible to improve the yield.

レーザ加工装置1は、前述した各種ワークの加工に適用することができるが、特に、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)素子のように表面側からレーザ光を照射すると、レーザ光の影響で膜が変質したり、素子が溶融したりするおそれがあるもの、レーザ光照射により発生した塵が素子に付着して不具合が発生するおそれがあるもの、MEMSなどの表面に微細な加工が施されているもの、分割予定ラインの表面にTEGが形成されているもの、及び分割予定ラインの幅が狭いものなどの加工に好適である。 The laser processing apparatus 1 can be applied to the processing of various work mentioned above, in particular, LED: when irradiated with a laser beam from the surface side as shown in (Light Emitting Diode) element, membrane under the influence of the laser beam there or alteration, that involve the risk of elements or melts, which dust generated by the laser beam irradiation may occur a defect attached to the device, and the fine processing is given to a surface such as MEMS which are, what TEG is formed on the surface of the dividing line, and the width of the dividing lines are suitable for processing such as narrow.

本発明に係るレーザ加工装置の構成を示す斜視図である。 Is a perspective view showing the configuration of a laser machining apparatus according to the present invention. 図1に示す保持手段2の具体的構成を示す斜視図である。 It is a perspective view showing a specific structure of the holding means 2 shown in FIG. 本発明に係るレーザ加工装置の構成の一部を示す断面図である。 The partial structure of a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view illustrating. 本発明に係るレーザ加工装置の構成の一部を示す断面図である。 The partial structure of a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view illustrating. 本発明に係るレーザ加工装置により、裏面が凸状に反ったワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図である。 The laser processing apparatus according to the present invention, a method for machining a workpiece 10 which the back surface is warped in a convex shape is a cross-sectional view schematically showing. 本発明に係るレーザ加工装置によりワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図であり、図5に示す工程の次の工程を示す。 A method of machining a workpiece 10 by a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view schematically showing, showing a next process of the process shown in FIG. 本発明に係るレーザ加工装置によりワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図であり、図6に示す工程の次の工程を示す。 A method of machining a workpiece 10 by a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view schematically showing, showing a next process of the process shown in FIG. 本発明に係るレーザ加工装置により、表面が凸状に反ったワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図である。 The laser processing apparatus according to the present invention, a method for machining a workpiece 10 surface is warped in a convex shape is a cross-sectional view schematically showing. 本発明に係るレーザ加工装置によりワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図であり、図8に示す工程の次の工程を示す。 A method of machining a workpiece 10 by a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view schematically showing, showing a next process of the process shown in FIG. 本発明に係るレーザ加工装置によりワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図であり、図9に示す工程の次の工程を示す。 A method of machining a workpiece 10 by a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view schematically showing, showing a next process of the process shown in FIG. 本発明に係るレーザ加工装置によりワーク10を加工する方法を模式的に示す断面図であり、図10に示す工程の次の工程を示す。 A method of machining a workpiece 10 by a laser machining apparatus according to the present invention is a cross-sectional view schematically showing, showing a next process of the process shown in FIG. 10.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 レーザ加工装置 2 保持手段 3 レーザ光照射手段 4 変位検出手段 5 レーザ光 6 吸引手段 7 押圧支持手段 7a 押圧面 8 アーム 9 ブロー手段 91 導入口 10 ワーク 10a デバイス 10b 余剰領域 102 空間 11 リングフレーム 12 粘着テープ 21a 凹部 21b 外周部 22 クランプ 31 台座 32a、32b、35a、35b 案内レール 33a、36a ボールねじ 33b、36b モータ 33c、36c 軸受けブロック 34、37 滑動ブロック 1 the laser processing apparatus 2 holding means 3 the laser beam irradiation means 4 the displacement detector 5 laser beam 6 suction means 7 pressing the support means 7a pressing surface 8 arm 9 blowing means 91 inlet 10 work 10a device 10b excess region 102 space 11 ring frame 12 adhesive tape 21a recess 21b outer peripheral portion 22 clamp 31 pedestal 32a, 32b, 35a, 35b guide rails 33a, 36a the ball screw 33b, 36b motor 33c, 36c bearing blocks 34 and 37 slide block

Claims (3)

  1. 表面に複数のデバイスが形成されたワークの内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 A laser processing apparatus for forming a modified region inside the workpiece in which a plurality of devices are formed on the surface,
    前記ワーク表面の前記デバイスが形成された領域に対向する凹部と、 And a recess which faces the area where the device is formed of the workpiece surface,
    該凹部を囲繞して立設され、前記ワーク表面の周縁部に設けられた前記デバイスが形成されていない領域を接触保持する保持面を有する外周部と、を備えた保持手段と、 Is erected to surround the recess, and the holding means and a peripheral portion having a holding surface on which the said device provided on the peripheral portion of the workpiece surface to hold the contact regions are not formed,
    該保持手段に保持された前記ワークの裏面を押圧又は支持し得る押圧支持手段と、 A pressing support means capable of pressing or supporting the rear surface of the workpiece held by the holding means,
    前記ワークと前記凹部と前記外周部とによって形成される空間内に、空気を導入するブロー手段と、 The space formed said workpiece and said recess and by said peripheral portion, and blowing means for introducing air,
    前記ワーク裏面に向けて該ワークを透過する波長のレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、を具備するレーザ加工装置。 Laser processing apparatus comprising, a laser beam irradiating means for irradiating a laser beam having a wavelength that passes through the workpiece toward the workpiece rear surface.
  2. 前記押圧支持手段が、前記レーザ光を透過する請求項2記載のレーザ加工装置。 The pressing support means, a laser machining apparatus according to claim 2, wherein transmitting said laser beam.
  3. 表面に複数のデバイスが形成され、裏面に貼付された粘着テープを介して環状フレームの開口部に支持されているワークに対して、レーザ光を照射し、該ワーク内に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、 A plurality of devices are formed on the surface, via an adhesive tape which is affixed to the bottom with respect to the workpiece supported by the opening of the annular frame, by irradiating a laser beam to form a modified region within the workpiece a laser processing method,
    前記ワーク表面の前記デバイスが形成された領域に対向する凹部と、 And a recess which faces the area where the device is formed of the workpiece surface,
    該凹部を囲繞して立設され、前記ワーク表面の周縁部に設けられた前記デバイスが形成されていない領域を接触保持する保持面を有する外周部と、を備えた保持手段により前記ワークを保持する工程と、 It is erected to surround the recess, holding the workpiece by the holding means and a peripheral portion having a holding surface on which the device provided in the peripheral portion is held in contact areas which are not formed of the workpiece surface a step of,
    前記ワークの裏面を支持しながら、前記ワークと前記凹部と前記外周部とによって形成される空間内に空気を導入して、前記ワークの反り及び/又はうねりを矯正する工程と、 While supporting the rear surface of the workpiece, a step of the work with the introducing air into the space formed by the recess and the outer peripheral portion, to correct warping and / or waviness of the workpiece,
    前記ワーク及び前記粘着テープを透過する波長のレーザ光を、前記ワークの裏面側から前記ワーク内部に焦点を合わせ、分割予定ラインに沿って照射する工程と、を有するレーザ加工方法。 Wherein the laser beam of the workpiece and the wavelength transmitted through the adhesive tape, focused on the work inside from the back side of the workpiece, the laser processing method and a step of irradiating along the dividing lines.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228565A (en) * 2010-04-22 2011-11-10 Disco Abrasive Syst Ltd Division method of wafer
JP2012106251A (en) * 2010-11-16 2012-06-07 Disco Corp Machining method of optical device unit and laser beam machining device
JP2012160659A (en) * 2011-02-02 2012-08-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Apparatus and method for laser dicing and method for processing wafer
JP2012248704A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser dicing device and method
JP2014229702A (en) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ Laser processing device
JP2014236034A (en) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ Method for processing wafer
JP2015216289A (en) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ディスコ Load measuring device
JP2016040836A (en) * 2015-10-22 2016-03-24 株式会社東京精密 Laser dicing device and method
JP2017224829A (en) * 2017-07-10 2017-12-21 株式会社東京精密 Laser dicing device and method
KR20180061024A (en) 2016-11-29 2018-06-07 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method for dividing brittle material substrate and dividing device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357820A (en) * 1991-06-04 1992-12-10 Fujitsu Ltd Apparatus and method for sucking wafer
JP2000225480A (en) * 1999-02-03 2000-08-15 Hitachi Cable Ltd Method for parting substrate using laser and device therefor
JP2002192367A (en) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2006173520A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Canon Inc Laser fracture method and member to be fractured which can be fractured by the method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357820A (en) * 1991-06-04 1992-12-10 Fujitsu Ltd Apparatus and method for sucking wafer
JP2000225480A (en) * 1999-02-03 2000-08-15 Hitachi Cable Ltd Method for parting substrate using laser and device therefor
JP2002192367A (en) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2006173520A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Canon Inc Laser fracture method and member to be fractured which can be fractured by the method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228565A (en) * 2010-04-22 2011-11-10 Disco Abrasive Syst Ltd Division method of wafer
JP2012106251A (en) * 2010-11-16 2012-06-07 Disco Corp Machining method of optical device unit and laser beam machining device
JP2012160659A (en) * 2011-02-02 2012-08-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Apparatus and method for laser dicing and method for processing wafer
JP2012248704A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser dicing device and method
JP2014229702A (en) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ Laser processing device
JP2014236034A (en) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ Method for processing wafer
JP2015216289A (en) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ディスコ Load measuring device
JP2016040836A (en) * 2015-10-22 2016-03-24 株式会社東京精密 Laser dicing device and method
KR20180061024A (en) 2016-11-29 2018-06-07 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method for dividing brittle material substrate and dividing device
JP2017224829A (en) * 2017-07-10 2017-12-21 株式会社東京精密 Laser dicing device and method

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