JP7139036B2 - Chip manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、板状の被加工物を分割して複数のチップを製造するチップの製造方法に関する。 The present invention relates to a chip manufacturing method for manufacturing a plurality of chips by dividing a plate-shaped workpiece.

ウェーハに代表される板状の被加工物（ワーク）を複数のチップへと分割するために、透過性のあるレーザビームを被加工物の内部に集光させて、多光子吸収により改質された改質層（改質領域）を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。改質層は、他の領域に比べて脆いので、分割予定ライン（ストリート）に沿って改質層を形成してから被加工物に力を加えることで、この改質層を起点に被加工物を複数のチップへと分割できる。 In order to divide a plate-shaped workpiece (workpiece) represented by a wafer into multiple chips, a transparent laser beam is focused inside the workpiece and modified by multiphoton absorption. There is known a method of forming a modified layer (modified region) with a modified structure (see, for example, Patent Document 1). Since the modified layer is more fragile than other regions, the modified layer is formed along the dividing line (street) and then applied force to the workpiece, so that the modified layer is used as a starting point for processing. You can split things into multiple chips.

改質層が形成された被加工物に力を加える際には、例えば、伸張性のあるエキスパンドシート（エキスパンドテープ）を被加工物に貼って拡張する方法が採用される（例えば、特許文献２参照）。この方法では、通常、レーザビームを照射して被加工物に改質層を形成する前に、エキスパンドシートを被加工物に貼り、その後、改質層を形成してからエキスパンドシートを拡張して被加工物を複数のチップへと分割する。 When applying force to the work piece on which the modified layer is formed, for example, a method is adopted in which an extensible expand sheet (expand tape) is attached to the work piece to expand it (for example, Patent Document 2. reference). In this method, an expanded sheet is usually attached to the work piece before forming the modified layer on the work piece by irradiating the laser beam, and then the expanded sheet is expanded after forming the modified layer. Divide the workpiece into multiple chips.

特開２００２－１９２３７０号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192370 特開２０１０－２０６１３６号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-206136

ところが、上述のようなエキスパンドシートを拡張する方法では、使用後のエキスパンドシートを再び使用することができないので、チップの製造に要する費用も高くなり易い。特に、粘着材がチップに残留し難い高性能なエキスパンドシートは、価格も高いので、そのようなエキスパンドシートを用いると、チップの製造に要する費用も高くなる。 However, in the method of expanding the expanded sheet as described above, since the expanded sheet cannot be reused after use, the cost required for manufacturing the chips tends to increase. In particular, a high-performance expanded sheet in which the adhesive hardly remains on the chip is expensive, and the use of such an expanded sheet increases the cost required to manufacture the chip.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エキスパンドシートを用いることなく板状の被加工物を分割して複数のチップを製造できるチップの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and its object is to provide a chip manufacturing method capable of manufacturing a plurality of chips by dividing a plate-shaped workpiece without using an expand sheet. It is to be.

本発明の一態様によれば、交差する複数の分割予定ラインによってチップとなる複数の領域に区画されたチップ領域と、該チップ領域を囲む外周余剰領域と、を有する板状の被加工物から複数の該チップを製造するチップの製造方法であって、被加工物を保持テーブルで直に保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後に、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該保持テーブルに保持された被加工物の内部に位置づけるように該分割予定ラインに沿って被加工物の該チップ領域にのみ該レーザビームを照射し、該チップ領域の該分割予定ラインに沿って第１改質層を形成するとともに、該外周余剰領域を該第１改質層が形成されていない補強部とする第１レーザ加工ステップと、該保持ステップを実施した後に、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該保持テーブルに保持された被加工物の内部に位置づけるように該チップ領域と該外周余剰領域との境界に沿って該レーザビームを照射し、該境界に沿って第２改質層を形成する第２レーザ加工ステップと、該第１レーザ加工ステップ及び該第２レーザ加工ステップを実施した後に、該保持テーブルから被加工物を搬出する搬出ステップと、該搬出ステップを実施した後に、被加工物に力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割する分割ステップと、を備え、該分割ステップでは、一度の冷却または加熱により該力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割するチップの製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, from a plate-like workpiece having a chip region partitioned into a plurality of regions to be chips by a plurality of intersecting dividing lines, and a peripheral surplus region surrounding the chip region A chip manufacturing method for manufacturing a plurality of said chips, comprising: a holding step of directly holding a workpiece on a holding table; irradiating the laser beam only on the chip area of the workpiece along the line to be divided so that the focal point of the laser beam is positioned inside the workpiece held on the holding table; A first laser processing step of forming a first modified layer along the planned division line, and using the outer peripheral surplus region as a reinforcing portion where the first modified layer is not formed, and the holding step were performed. Later, along the boundary between the chip area and the peripheral surplus area so as to locate the focal point of a laser beam having a wavelength that is transparent to the workpiece inside the workpiece held on the holding table. After performing a second laser processing step of irradiating the laser beam to form a second modified layer along the boundary, and performing the first laser processing step and the second laser processing step, from the holding table a carrying out step of carrying out the workpiece ; and a dividing step of applying a force to the workpiece to divide the workpiece into the individual chips after carrying out the carrying out step, wherein the dividing step comprises: A method of manufacturing a chip is provided in which the force is applied to separate the workpiece into individual chips by cooling or heating once.

本発明の一態様において、該分割ステップでは、該補強部を除去することなく一度の冷却または加熱により被加工物に該力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割しても良い。また、本発明の一態様において、該保持テーブルの上面は、柔軟な材料によって構成されており、該保持ステップでは、該柔軟な材料で被加工物の表面側を保持しても良い。 In one aspect of the present invention, the dividing step may divide the workpiece into the individual chips by applying the force to the workpiece by cooling or heating once without removing the reinforcing portion. good. In one aspect of the present invention, the upper surface of the holding table may be made of a flexible material, and in the holding step, the flexible material may hold the surface side of the workpiece.

本発明の一態様に係るチップの製造方法では、被加工物を保持テーブルで直に保持した状態で、被加工物のチップ領域にのみレーザビームを照射して、分割予定ラインに沿う第１改質層を形成し、チップ領域と外周余剰領域との境界にレーザビームを照射して、境界に沿う第２改質層を形成した後、一度の冷却または加熱により力を付与して被加工物を個々のチップへと分割するので、被加工物に力を加えて個々のチップへと分割するためにエキスパンドシートを用いる必要がない。このように、本発明の一態様に係るチップの製造方法によれば、エキスパンドシートを用いることなく板状の被加工物を分割して複数のチップを製造できる。 In the method of manufacturing a chip according to an aspect of the present invention, while the workpiece is directly held by the holding table, only the chip region of the workpiece is irradiated with a laser beam to produce a first reform along the dividing line. After forming a modified layer and irradiating a laser beam on the boundary between the tip region and the outer peripheral surplus region to form a second modified layer along the boundary, a force is applied by cooling or heating once, and the workpiece is processed. is split into individual chips, there is no need to use an expanded sheet to apply force to the workpiece to split it into individual chips. As described above, according to the chip manufacturing method according to an aspect of the present invention, a plurality of chips can be manufactured by dividing a plate-shaped workpiece without using an expanded sheet.

また、本発明の一態様に係るチップの製造方法では、被加工物のチップ領域にのみレーザビームを照射して分割予定ラインに沿う第１改質層を形成するとともに、外周余剰領域を第１改質層が形成されていない補強部とするので、この補強部によってチップ領域は補強される。よって、搬送等の際に加わる力によって被加工物が個々のチップへと分割されてしまい、被加工物を適切に搬送できなくなることもない。 Further, in the method for manufacturing a chip according to an aspect of the present invention, only the chip region of the workpiece is irradiated with the laser beam to form the first modified layer along the line to be divided, and the outer peripheral surplus region is formed as the first modified layer. The tip region is reinforced by the reinforcing portion having no modified layer formed thereon. Therefore, there is no possibility that the workpiece will be divided into individual chips due to a force applied during transportation or the like, and the workpiece will not be properly transported.

被加工物の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of a to-be-processed object typically. レーザ加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of a laser processing apparatus typically. 図３（Ａ）は、保持ステップについて説明するための断面図であり、図３（Ｂ）は、第１レーザ加工ステップについて説明するための断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining the holding step, and FIG. 3B is a cross-sectional view for explaining the first laser processing step. 第２レーザ加工ステップについて説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a second laser processing step; 図５（Ａ）は、改質層が形成された後の被加工物の状態を模式的に示す平面図であり、図５（Ｂ）は、改質層の状態を模式的に示す断面図である。FIG. 5A is a plan view schematically showing the state of the workpiece after the modified layer is formed, and FIG. 5B is a cross-sectional view schematically showing the state of the modified layer. is. 補強部除去ステップについて説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a reinforcing portion removing step; 分割ステップについて説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a dividing step; 変形例に係る保持ステップについて説明するための断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a holding step according to a modification; 図９（Ａ）は、変形例に係る分割ステップについて説明するための断面図であり、図９（Ｂ）は、変形例に係る分割ステップでチップ領域を分割する前の被加工物の状態を模式的に示す平面図である。FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining the dividing step according to the modification, and FIG. 9B shows the state of the workpiece before dividing the chip region in the dividing step according to the modification. It is a top view shown typically.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るチップの製造方法は、保持ステップ（図３（Ａ）参照）、第１レーザ加工ステップ（図３（Ｂ）等参照）、第２レーザ加工ステップ（図４等参照）、搬出ステップ、補強部除去ステップ（図６参照）、及び分割ステップ（図７参照）を含む。 An embodiment according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The chip manufacturing method according to the present embodiment includes a holding step (see FIG. 3A), a first laser processing step (see FIG. 3B, etc.), a second laser processing step (see FIG. 4, etc.), carrying out a reinforcement removing step (see FIG. 6) and a splitting step (see FIG. 7).

保持ステップでは、分割予定ラインによって複数の領域に区画されたチップ領域と、チップ領域を囲む外周余剰領域と、を有する被加工物（ワーク）をチャックテーブル（保持テーブル）で直に保持する。第１レーザ加工ステップでは、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射し、チップ領域の分割予定ラインに沿って改質層（第１改質層）を形成するとともに、外周余剰領域を改質層が形成されていない補強部とする。 In the holding step, a chuck table (holding table) directly holds a workpiece (work) having a chip area partitioned into a plurality of areas by the planned division lines and an outer peripheral surplus area surrounding the chip area. In the first laser processing step, the workpiece is irradiated with a laser beam having a wavelength having transparency to form a modified layer (first modified layer) along the dividing line of the chip region, Let the surplus area|region be the reinforcement part in which the modified layer is not formed.

第２レーザ加工ステップでは、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射し、チップ領域と外周余剰領域との境界に沿って改質層（第２改質層）を形成する。搬出ステップでは、チャックテーブルから被加工物を搬出する。補強部除去ステップでは、被加工物から補強部を除去する。分割ステップでは、一度の冷却または加熱により力を付与して被加工物を複数のチップへと分割する。以下、本実施形態に係るチップの製造方法について詳述する。 In the second laser processing step, the workpiece is irradiated with a laser beam having a wavelength having transparency to form a modified layer (second modified layer) along the boundary between the chip region and the peripheral surplus region. . In the unloading step, the workpiece is unloaded from the chuck table. The reinforcing portion removing step removes the reinforcing portion from the workpiece. The splitting step splits the workpiece into multiple chips by applying a force with a single cooling or heating. A method for manufacturing a chip according to this embodiment will be described in detail below.

図１は、本実施形態で使用される被加工物（ワーク）１１の構成例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、被加工物１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等の半導体、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の誘電体（絶縁体）、又は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ３）等の強誘電体（強誘電体結晶）でなる円盤状のウェーハ（基板）である。 FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration example of a workpiece (work) 11 used in this embodiment. As shown in FIG. 1, the workpiece 11 is, for example, semiconductors such as silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), sapphire Dielectrics (insulators) such as (Al 2 O 3 ), soda glass, borosilicate glass, and quartz glass, or ferroelectrics (ferroelectrics) such as lithium tantalate (LiTa 3 ) and lithium niobate (LiNb 3 ) It is a disk-shaped wafer (substrate) made of solid crystal).

被加工物１１の表面１１ａ側は、交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３でチップとなる複数の領域１５に区画されている。なお、以下では、チップとなる複数の領域１５の全てを含む概ね円形の領域をチップ領域１１ｃと呼び、チップ領域１１ｃを囲む環状の領域を外周余剰領域１１ｄと呼ぶ。 The surface 11a side of the workpiece 11 is partitioned into a plurality of regions 15 to be chips by a plurality of intersecting dividing lines (streets) 13 . In the following description, a substantially circular area including all of the plurality of areas 15 to be chips will be referred to as a chip area 11c, and an annular area surrounding the chip area 11c will be referred to as an outer peripheral surplus area 11d.

チップ領域１１ｃ内の各領域１５には、必要に応じて、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＬＤ（Laser Diode）、フォトダイオード（Photodiode）、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタ等のデバイスが形成されている。 Each region 15 in the chip region 11c includes an IC (Integrated Circuit), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), LED (Light Emitting Diode), LD (Laser Diode), photodiode, SAW Devices such as (Surface Acoustic Wave) filters and BAW (Bulk Acoustic Wave) filters are formed.

この被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って分割することで、複数のチップが得られる。具体的には、被加工物１１がシリコンウェーハの場合には、例えば、メモリやセンサ等として機能するチップが得られる。被加工物１１がヒ化ガリウム基板やリン化インジウム基板、窒化ガリウム基板の場合には、例えば、発光素子や受光素子等として機能するチップが得られる。 A plurality of chips are obtained by dividing the workpiece 11 along the dividing lines 13 . Specifically, when the workpiece 11 is a silicon wafer, a chip that functions as a memory, a sensor, or the like can be obtained. When the workpiece 11 is a gallium arsenide substrate, an indium phosphide substrate, or a gallium nitride substrate, a chip that functions as a light-emitting device, a light-receiving device, or the like is obtained.

被加工物１１がシリコンカーバイド基板の場合には、例えば、パワーデバイス等として機能するチップが得られる。被加工物１１がサファイア基板の場合には、例えば、発光素子等として機能するチップが得られる。被加工物１１がソーダガラスやホウケイ酸ガラス、石英ガラス等でなるガラス基板の場合には、例えば、光学部品やカバー部材（カバーガラス）として機能するチップが得られる。 If the workpiece 11 is a silicon carbide substrate, a chip that functions as, for example, a power device is obtained. When the workpiece 11 is a sapphire substrate, a chip that functions as a light-emitting device, for example, is obtained. When the workpiece 11 is a glass substrate made of soda glass, borosilicate glass, quartz glass, etc., a chip that functions as an optical component or a cover member (cover glass) is obtained.

被加工物１１がタンタル酸リチウムや、ニオブ酸リチウム等の強誘電体でなる強誘電体基板（強誘電体結晶基板）の場合には、例えば、フィルタやアクチュエータ等として機能するチップが得られる。なお、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ、厚み等に制限はない。同様に、チップとなる領域１５に形成されるデバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。チップとなる領域１５には、デバイスが形成されていなくても良い。 If the workpiece 11 is a ferroelectric substrate (ferroelectric crystal substrate) made of a ferroelectric such as lithium tantalate or lithium niobate, chips functioning as filters, actuators, or the like can be obtained. The material, shape, structure, size, thickness, etc. of the workpiece 11 are not limited. Similarly, there are no restrictions on the type, number, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices formed in the chip area 15 . Devices may not be formed in the region 15 that will be the chip.

本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物１１として円盤状のシリコンウェーハを用い、複数のチップを製造する。具体的には、まず、この被加工物１１をチャックテーブルで直に保持する保持ステップを行う。図２は、本実施形態で使用されるレーザ加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 In the chip manufacturing method according to the present embodiment, a disk-shaped silicon wafer is used as the workpiece 11 to manufacture a plurality of chips. Specifically, first, a holding step of directly holding the workpiece 11 by the chuck table is performed. FIG. 2 is a perspective view schematically showing a configuration example of a laser processing apparatus used in this embodiment.

図２に示すように、レーザ加工装置２は、各構成要素が搭載される基台４を備えている。基台４の上面には、被加工物１１を吸引、保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）６をＸ軸方向（加工送り方向）及びＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動させる水平移動機構８が設けられている。水平移動機構８は、基台４の上面に固定されＸ軸方向に概ね平行な一対のＸ軸ガイドレール１０を備えている。 As shown in FIG. 2, the laser processing apparatus 2 includes a base 4 on which each component is mounted. A horizontal movement mechanism for moving a chuck table (holding table) 6 for sucking and holding the workpiece 11 in the X-axis direction (processing feed direction) and the Y-axis direction (indexing feed direction) is provided on the upper surface of the base 4. 8 is provided. The horizontal movement mechanism 8 includes a pair of X-axis guide rails 10 fixed to the upper surface of the base 4 and substantially parallel to the X-axis direction.

Ｘ軸ガイドレール１０には、Ｘ軸移動テーブル１２がスライド可能に取り付けられている。Ｘ軸移動テーブル１２の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール１０に概ね平行なＸ軸ボールネジ１４が螺合されている。 An X-axis moving table 12 is slidably attached to the X-axis guide rail 10 . A nut portion (not shown) is provided on the back side (lower side) of the X-axis moving table 12, and an X-axis ball screw 14 substantially parallel to the X-axis guide rail 10 is screwed into this nut portion. ing.

Ｘ軸ボールネジ１４の一端部には、Ｘ軸パルスモータ１６が連結されている。Ｘ軸パルスモータ１６でＸ軸ボールネジ１４を回転させることにより、Ｘ軸移動テーブル１２はＸ軸ガイドレール１０に沿ってＸ軸方向に移動する。Ｘ軸ガイドレール１０に隣接する位置には、Ｘ軸方向においてＸ軸移動テーブル１２の位置を検出するためのＸ軸スケール１８が設置されている。 An X-axis pulse motor 16 is connected to one end of the X-axis ball screw 14 . By rotating the X-axis ball screw 14 with the X-axis pulse motor 16, the X-axis moving table 12 moves along the X-axis guide rail 10 in the X-axis direction. An X-axis scale 18 for detecting the position of the X-axis moving table 12 in the X-axis direction is installed at a position adjacent to the X-axis guide rail 10 .

Ｘ軸移動テーブル１２の表面（上面）には、Ｙ軸方向に概ね平行な一対のＹ軸ガイドレール２０が固定されている。Ｙ軸ガイドレール２０には、Ｙ軸移動テーブル２２がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動テーブル２２の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２０に概ね平行なＹ軸ボールネジ２４が螺合されている。 A pair of Y-axis guide rails 20 that are substantially parallel to the Y-axis direction are fixed to the surface (upper surface) of the X-axis moving table 12 . A Y-axis moving table 22 is slidably attached to the Y-axis guide rail 20 . A nut portion (not shown) is provided on the back side (lower side) of the Y-axis moving table 22, and a Y-axis ball screw 24 substantially parallel to the Y-axis guide rail 20 is screwed into this nut portion. ing.

Ｙ軸ボールネジ２４の一端部には、Ｙ軸パルスモータ２６が連結されている。Ｙ軸パルスモータ２６でＹ軸ボールネジ２４を回転させることにより、Ｙ軸移動テーブル２２はＹ軸ガイドレール２０に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸ガイドレール２０に隣接する位置には、Ｙ軸方向においてＹ軸移動テーブル２２の位置を検出するためのＹ軸スケール２８が設置されている。 A Y-axis pulse motor 26 is connected to one end of the Y-axis ball screw 24 . By rotating the Y-axis ball screw 24 with the Y-axis pulse motor 26, the Y-axis moving table 22 moves along the Y-axis guide rail 20 in the Y-axis direction. A Y-axis scale 28 for detecting the position of the Y-axis moving table 22 in the Y-axis direction is installed at a position adjacent to the Y-axis guide rail 20 .

Ｙ軸移動テーブル２２の表面側（上面側）には、支持台３０が設けられており、この支持台３０の上部には、チャックテーブル６が配置されている。チャックテーブル６の表面（上面）は、上述した被加工物１１の裏面１１ｂ側（又は表面１１ａ側）を吸引、保持する保持面６ａになっている。保持面６ａは、例えば、酸化アルミニウム等の硬度が高い多孔質材で構成されている。ただし、保持面６ａは、ポリエチレンやエポキシ等の樹脂に代表される柔軟な材料で構成されていても良い。 A support table 30 is provided on the surface side (upper surface side) of the Y-axis moving table 22 , and the chuck table 6 is arranged above the support table 30 . The surface (upper surface) of the chuck table 6 serves as a holding surface 6a for sucking and holding the back surface 11b side (or front surface 11a side) of the workpiece 11 described above. The holding surface 6a is made of, for example, a highly rigid porous material such as aluminum oxide. However, the holding surface 6a may be made of a flexible material represented by a resin such as polyethylene or epoxy.

この保持面６ａは、チャックテーブル６の内部に形成された吸引路６ｂ（図３（Ａ）等参照）やバルブ３２（図３（Ａ）等参照）等を介して吸引源３４（図３（Ａ）等参照）に接続されている。チャックテーブル６の下方には、回転駆動源（不図示）が設けられており、チャックテーブル６は、この回転駆動源によってＺ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。 The holding surface 6a is connected to the suction source 34 (see FIG. 3 ( A), etc.). A rotation drive source (not shown) is provided below the chuck table 6, and the chuck table 6 rotates around a rotation axis substantially parallel to the Z-axis direction by this rotation drive source.

水平移動機構８の後方には、柱状の支持構造３６が設けられている。支持構造３６の上部には、Ｙ軸方向に伸びる支持アーム３８が固定されており、この支持アーム３８の先端部には、被加工物１１に対して透過性を有する波長（吸収され難い波長）のレーザビーム１７（図３（Ｂ）参照）をパルス発振して、チャックテーブル６上の被加工物１１に照射するレーザ照射ユニット４０が設けられている。 A columnar support structure 36 is provided behind the horizontal movement mechanism 8 . A support arm 38 extending in the Y-axis direction is fixed to the upper portion of the support structure 36 , and a light beam of a wavelength that is transparent to the workpiece 11 (a wavelength that is difficult to be absorbed) is attached to the tip of the support arm 38 . A laser irradiation unit 40 is provided for pulse-oscillating a laser beam 17 (see FIG. 3B) to irradiate the workpiece 11 on the chuck table 6 .

レーザ照射ユニット４０に隣接する位置には、被加工物１１の表面１１ａ側又は裏面１１ｂ側を撮像するカメラ４２が設けられている。カメラ４２で被加工物１１等を撮像して形成された画像は、例えば、被加工物１１とレーザ照射ユニット４０との位置等を調整する際に使用される。 A camera 42 is provided at a position adjacent to the laser irradiation unit 40 to capture an image of the front surface 11a side or the rear surface 11b side of the workpiece 11 . An image formed by imaging the workpiece 11 or the like with the camera 42 is used, for example, when adjusting the positions of the workpiece 11 and the laser irradiation unit 40 .

チャックテーブル６、水平移動機構８、レーザ照射ユニット４０、カメラ４２等の構成要素は、制御ユニット（不図示）に接続されている。制御ユニットは、被加工物１１が適切に加工されるように各構成要素を制御する。 Components such as the chuck table 6, the horizontal movement mechanism 8, the laser irradiation unit 40, and the camera 42 are connected to a control unit (not shown). The control unit controls each component so that the workpiece 11 is properly processed.

図３（Ａ）は、保持ステップについて説明するための断面図である。なお、図３（Ａ）では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。保持ステップでは、図３（Ａ）に示すように、例えば、被加工物１１の裏面１１ｂをチャックテーブル６の保持面６ａに接触させる。そして、バルブ３２を開いて吸引源３４の負圧を保持面６ａに作用させる。 FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining the holding step. In addition, in FIG. 3A, some components are shown as functional blocks. In the holding step, for example, the back surface 11b of the workpiece 11 is brought into contact with the holding surface 6a of the chuck table 6, as shown in FIG. 3A. Then, the valve 32 is opened to apply the negative pressure of the suction source 34 to the holding surface 6a.

これにより、被加工物１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル６に吸引、保持される。なお、本実施形態では、図３（Ａ）に示すように、被加工物１１の裏面１１ｂ側をチャックテーブル６で直に保持する。つまり、本実施形態では、被加工物１１に対してエキスパンドシートを貼る必要がない。 As a result, the workpiece 11 is sucked and held by the chuck table 6 with the surface 11a exposed upward. In this embodiment, as shown in FIG. 3A, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directly held by the chuck table 6. As shown in FIG. That is, in this embodiment, it is not necessary to attach the expanded sheet to the workpiece 11 .

保持ステップの後には、レーザビーム１７を分割予定ライン１３に沿って照射し、改質層（第１改質層）を形成する第１レーザ加工ステップ、及びレーザビーム１７をチップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界に沿って照射し、改質層（第２改質層）を形成する第２レーザ加工ステップを行う。なお、本実施形態では、第１レーザ加工ステップの後に第２レーザ加工ステップを行う場合について説明する。 After the holding step, a first laser processing step of irradiating the laser beam 17 along the dividing line 13 to form a modified layer (first modified layer), and a laser beam 17 to the chip region 11c and the outer peripheral surplus area. A second laser processing step of forming a modified layer (second modified layer) by irradiating along the boundary with the region 11d is performed. In addition, in this embodiment, the case where the second laser processing step is performed after the first laser processing step will be described.

図３（Ｂ）は、第１レーザ加工ステップについて説明するための断面図であり、図４は、第２レーザ加工ステップについて説明するための断面図であり、図５（Ａ）は、改質層１９が形成された後の被加工物１１の状態を模式的に示す平面図であり、図５（Ｂ）は、改質層１９を模式的に示す断面図である。なお、図３（Ｂ）及び図４では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。 FIG. 3B is a cross-sectional view for explaining the first laser processing step, FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the second laser processing step, and FIG. FIG. 5B is a plan view schematically showing the state of the workpiece 11 after the layer 19 is formed, and FIG. 5B is a cross-sectional view schematically showing the modified layer 19. FIG. In addition, in FIGS. 3B and 4, some components are shown as functional blocks.

第１レーザ加工ステップでは、まず、チャックテーブル６を回転させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延びる方向をＸ軸方向に対して平行にする。次に、チャックテーブル６を移動させて、対象となる分割予定ライン１３の延長線上にレーザ照射ユニット４０の位置を合わせる。そして、図３（Ｂ）に示すように、Ｘ軸方向（すなわち、対象の分割予定ライン１３の延びる方向）にチャックテーブル６を移動させる。 In the first laser processing step, first, the chuck table 6 is rotated so that, for example, the extending direction of the intended dividing line 13 is parallel to the X-axis direction. Next, the chuck table 6 is moved to position the laser irradiation unit 40 on the extension line of the intended division line 13 . Then, as shown in FIG. 3B, the chuck table 6 is moved in the X-axis direction (that is, the direction in which the target dividing line 13 extends).

その後、対象となる分割予定ライン１３上の２箇所に存在するチップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界の一方の直上にレーザ照射ユニット４０が到達したタイミングで、このレーザ照射ユニット４０から被加工物１１に対して透過性を有する波長のレーザビーム１７の照射を開始する。本実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、被加工物１１の上方に配置されたレーザ照射ユニット４０から、被加工物１１の表面１１ａに向けてレーザビーム１７が照射される。 After that, at the timing when the laser irradiation unit 40 reaches directly above one of the boundaries between the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d existing at two locations on the target dividing line 13, the laser irradiation unit 40 is applied to the workpiece. Irradiation of a laser beam 17 having a wavelength that is transparent to the object 11 is started. In this embodiment, as shown in FIG. 3B, a laser beam 17 is emitted from a laser irradiation unit 40 arranged above the workpiece 11 toward the surface 11a of the workpiece 11 .

このレーザビーム１７の照射は、レーザ照射ユニット４０が、対象となる分割予定ライン１３上の２箇所に存在するチップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界の他方の直上に到達するまで続けられる。つまり、ここでは、対象の分割予定ライン１３に沿ってチップ領域１１ｃ内にのみレーザビーム１７を照射する。 Irradiation of the laser beam 17 continues until the laser irradiation unit 40 reaches directly above the other boundary between the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d existing at two locations on the target dividing line 13 . That is, here, the laser beam 17 is irradiated only within the chip region 11c along the intended division line 13. As shown in FIG.

また、このレーザビーム１７は、被加工物１１の内部の表面１１ａ（又は裏面１１ｂ）から所定の深さの位置に集光点を位置付けるように照射される。このように、被加工物１１に対して透過性を有する波長のレーザビーム１７を、被加工物１１の内部に集光させることで、集光点及びその近傍で被加工物１１の一部を多光子吸収により改質し、分割の起点となる改質層１９（改質層１９ａ等）を形成できる。 Also, the laser beam 17 is irradiated so that the focal point is located at a predetermined depth from the inner surface 11a (or the rear surface 11b) of the workpiece 11 . In this manner, by condensing the laser beam 17 having a wavelength that is transmissive to the workpiece 11 inside the workpiece 11, a part of the workpiece 11 is irradiated at the converging point and its vicinity. A modified layer 19 (modified layer 19a, etc.) that serves as a starting point for splitting can be formed by modifying by multiphoton absorption.

本実施形態の第１レーザ加工ステップでは、対象の分割予定ライン１３に沿ってチップ領域１１ｃ内にのみレーザビーム１７を照射するので、対象の分割予定ライン１３に沿ってチップ領域１１ｃ内にのみ改質層１９が形成される。すなわち、図５（Ｂ）に示すように、第１レーザ加工ステップでは、外周余剰領域１１ｄに改質層１９が形成されない。 In the first laser processing step of the present embodiment, since the laser beam 17 is irradiated only within the chip region 11c along the target dividing line 13, only the chip region 11c is reformed along the target dividing line 13. A thin layer 19 is formed. That is, as shown in FIG. 5(B), the modified layer 19 is not formed in the peripheral surplus region 11d in the first laser processing step.

対象の分割予定ライン１３に沿って所定の深さの位置に改質層１９を形成した後には、同様の手順で、対象の分割予定ライン１３に沿って別の深さの位置に改質層１９を形成する。本実施形態では、図５（Ｂ）に示すように、例えば、被加工物１１の表面１１ａ（又は裏面１１ｂ）からの深さが異なる３つの位置に改質層１９（改質層１９ａ、改質層１９ｂ、改質層１９ｃ）を形成する。 After forming the modified layer 19 at a predetermined depth position along the target dividing line 13, the modified layer 19 is formed at another depth position along the target dividing line 13 by the same procedure. form 19. In the present embodiment, as shown in FIG. 5B, for example, the modified layer 19 (modified layer 19a, modified layer 19a, A modified layer 19b and a modified layer 19c) are formed.

ただし、１つの分割予定ライン１３に沿って形成される改質層１９の数や位置に特段の制限はない。例えば、１つの分割予定ライン１３に沿って形成される改質層１９の数を１つにしても良い。また、この改質層１９は、表面１１ａ（又は裏面１１ｂ）にクラックが到達する条件で形成されることが望ましい。もちろん、表面１１ａ及び裏面１１ｂの両方にクラックが到達する条件で改質層１９を形成しても良い。これにより、被加工物１１をより適切に分割できるようになる。 However, the number and positions of the modified layers 19 formed along one planned division line 13 are not particularly limited. For example, one modified layer 19 may be formed along one planned dividing line 13 . Moreover, it is desirable that the modified layer 19 be formed under the condition that cracks reach the front surface 11a (or the rear surface 11b). Of course, the modified layer 19 may be formed under the condition that cracks reach both the front surface 11a and the rear surface 11b. This allows the workpiece 11 to be divided more appropriately.

対象の分割予定ライン１３に沿って必要な数の改質層１９を形成した後には、上述の手順を繰り返し、他の全ての分割予定ライン１３に沿って改質層１９を形成する。図５（Ａ）に示すように、全ての分割予定ライン１３に沿って必要な数の改質層１９が形成されると、第１レーザ加工ステップは終了する。 After forming the required number of modified layers 19 along the intended dividing lines 13 , the above procedure is repeated to form the modified layers 19 along all the other dividing lines 13 . As shown in FIG. 5A, when the required number of modified layers 19 are formed along all the planned division lines 13, the first laser processing step is completed.

なお、この第１レーザ加工ステップでは、一つの分割予定ライン１３に沿って必要な数の改質層１９を形成した後に、他の分割予定ライン１３に沿って同様の改質層１９を形成しているが、改質層１９を形成する順序等に特段の制限はない。例えば、全ての分割予定ライン１３の同じ深さの位置に改質層１９を形成してから、別の深さの位置に改質層１９を形成しても良い。 In this first laser processing step, after forming the required number of modified layers 19 along one planned division line 13, similar modified layers 19 are formed along other planned division lines 13. However, the order of forming the modified layer 19 is not particularly limited. For example, the modified layer 19 may be formed at the same depth position on all the dividing lines 13 and then the modified layer 19 may be formed at a different depth position.

被加工物１１がシリコンウェーハの場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：シリコンウェーハ
レーザビームの波長：１３４０ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：９０ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．１Ｗ～２Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：１８０ｍｍ／ｓ～１０００ｍｍ／ｓ、代表的には、５００ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a silicon wafer, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Silicon wafer Wavelength of laser beam: 1340 nm
Repetition frequency of laser beam: 90 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Movement speed of chuck table (processing feed speed): 180 mm/s to 1000 mm/s, typically 500 mm/s

被加工物１１がヒ化ガリウム基板やリン化インジウム基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：ヒ化ガリウム基板、リン化インジウム基板
レーザビームの波長：１０６４ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：２０ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．１Ｗ～２Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：１００ｍｍ／ｓ～４００ｍｍ／ｓ、代表的には、２００ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a gallium arsenide substrate or an indium phosphide substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: gallium arsenide substrate, indium phosphide substrate Wavelength of laser beam: 1064 nm
Repetition frequency of laser beam: 20 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Movement speed of chuck table (processing feed speed): 100 mm/s to 400 mm/s, typically 200 mm/s

被加工物１１がサファイア基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：サファイア基板
レーザビームの波長：１０４５ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．１Ｗ～２Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：４００ｍｍ／ｓ～８００ｍｍ／ｓ、代表的には、５００ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a sapphire substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Sapphire substrate Wavelength of laser beam: 1045 nm
Repetition frequency of laser beam: 100 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Movement speed of chuck table (processing feed speed): 400 mm/s to 800 mm/s, typically 500 mm/s

被加工物１１がタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の強誘電体でなる強誘電体基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板
レーザビームの波長：５３２ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：１５ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．０２Ｗ～０．２Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：２７０ｍｍ／ｓ～４２０ｍｍ／ｓ、代表的には、３００ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a ferroelectric substrate made of a ferroelectric such as lithium tantalate or lithium niobate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Lithium tantalate substrate, lithium niobate substrate Wavelength of laser beam: 532 nm
Repetition frequency of laser beam: 15 kHz
Laser beam output: 0.02W to 0.2W
Movement speed of chuck table (processing feed speed): 270 mm/s to 420 mm/s, typically 300 mm/s

被加工物１１がソーダガラスやホウケイ酸ガラス、石英ガラス等でなるガラス基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：ソーダガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、石英ガラス基板
レーザビームの波長：５３２ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．１Ｗ～２Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：３００ｍｍ／ｓ～６００ｍｍ／ｓ、代表的には、４００ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a glass substrate made of soda glass, borosilicate glass, quartz glass, or the like, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: soda glass substrate, borosilicate glass substrate, quartz glass substrate Wavelength of laser beam: 532 nm
Repetition frequency of laser beam: 50 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Movement speed of chuck table (processing feed speed): 300 mm/s to 600 mm/s, typically 400 mm/s

被加工物１１が窒化ガリウム基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：窒化ガリウム基板
レーザビームの波長：５３２ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：２５ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．０２Ｗ～０．２Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：９０ｍｍ／ｓ～６００ｍｍ／ｓ、代表的には、１５０ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a gallium nitride substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: gallium nitride substrate Wavelength of laser beam: 532 nm
Repetition frequency of laser beam: 25 kHz
Laser beam output: 0.02W to 0.2W
Movement speed of chuck table (processing feed speed): 90 mm/s to 600 mm/s, typically 150 mm/s

被加工物１１がシリコンカーバイド基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層１９が形成される。
被加工物：シリコンカーバイド基板
レーザビームの波長：５３２ｎｍ
レーザビームの繰り返し周波数：２５ｋＨｚ
レーザビームの出力：０．０２Ｗ～０．２Ｗ、代表的には、０．１Ｗ
チャックテーブルの移動速度（加工送り速度）：９０ｍｍ／ｓ～６００ｍｍ／ｓ、代表的には、シリコンカーバイド基板の劈開方向で９０ｍｍ／ｓ、非劈開方向で４００ｍｍ／ｓ When the workpiece 11 is a silicon carbide substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Silicon carbide substrate Wavelength of laser beam: 532 nm
Repetition frequency of laser beam: 25 kHz
Power of laser beam: 0.02W to 0.2W, typically 0.1W
Chuck table movement speed (processing feed speed): 90 mm/s to 600 mm/s, typically 90 mm/s in the cleavage direction of the silicon carbide substrate and 400 mm/s in the non-cleavage direction

本実施形態の第１レーザ加工ステップでは、分割予定ライン１３に沿ってチップ領域１１ｃ内にのみ改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）を形成し、外周余剰領域１１ｄには改質層１９を形成しないので、この外周余剰領域１１ｄによって被加工物１１の強度が保たれる。これにより、搬送等の際に加わる力によって被加工物１１が個々のチップへと分割されてしまうことはない。このように、第１レーザ加工ステップの後の外周余剰領域１１ｄは、チップ領域１１を補強するための補強部として機能する。 In the first laser processing step of the present embodiment, the modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c) are formed only in the chip region 11c along the dividing line 13, and the outer peripheral surplus region 11d is formed with modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c). Since the layer 19 is not formed, the strength of the workpiece 11 is maintained by the outer peripheral surplus region 11d. As a result, the workpiece 11 will not be split into individual chips due to force applied during transportation or the like. In this way, the peripheral surplus region 11 d after the first laser processing step functions as a reinforcing portion for reinforcing the chip region 11 .

また、本実施形態の第１レーザ加工ステップでは、外周余剰領域１１ｄに改質層１９を形成しないので、例えば、改質層１９から伸長するクラックが表面１１ａ及び裏面１１ｂの両方に到達し、被加工物１１が完全に分割された状況でも、各チップが脱落、離散することはない。一般に、被加工物１１に改質層１９が形成されると、この改質層１９の近傍で被加工物１１は膨張する。本実施形態では、改質層１９の形成によって発生する膨張の力を、補強部として機能するリング状の外周余剰領域１１ｄで内向きに作用させることで、各チップを押さえつけ、その脱落、離散を防止している。 Further, in the first laser processing step of the present embodiment, since the modified layer 19 is not formed in the outer peripheral surplus region 11d, for example, cracks extending from the modified layer 19 reach both the front surface 11a and the rear surface 11b, Even if the workpiece 11 is completely split, the chips will not come off or separate. In general, when the modified layer 19 is formed on the workpiece 11 , the workpiece 11 expands in the vicinity of the modified layer 19 . In the present embodiment, the force of expansion generated by the formation of the modified layer 19 is applied inwardly by the ring-shaped outer peripheral surplus region 11d functioning as a reinforcing portion, thereby pressing down each chip and preventing the chip from falling off and separating. are preventing.

上述した第１レーザ加工ステップの後には、第２レーザ加工ステップを行う。この第２レーザ加工ステップでは、まず、チャックテーブル６を移動させて、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界線上にレーザ照射ユニット４０の位置を合わせる。そして、図４に示すように、レーザ照射ユニット４０から被加工物１１に対して透過性を有する波長のレーザビーム１７を照射しながら、チャックテーブル６を回転させる。すなわち、本実施形態では、被加工物１１の上方に配置されたレーザ照射ユニット４０から、被加工物１１の表面１１ａに向けてレーザビーム１７が照射される。 After the first laser processing step described above, a second laser processing step is performed. In this second laser processing step, first, the chuck table 6 is moved to position the laser irradiation unit 40 on the boundary line between the chip area 11c and the peripheral surplus area 11d. Then, as shown in FIG. 4, the chuck table 6 is rotated while the laser beam 17 having a transparent wavelength is irradiated from the laser irradiation unit 40 to the workpiece 11 . That is, in this embodiment, the laser beam 17 is irradiated toward the surface 11 a of the workpiece 11 from the laser irradiation unit 40 arranged above the workpiece 11 .

このレーザビーム１７は、被加工物１１の内部の表面１１ａ（又は裏面１１ｂ）から所定の深さの位置に集光点を位置付けるように照射される。このように、被加工物１１に対して透過性を有する波長のレーザビーム１７を、被加工物１１の内部に集光させることで、集光点及びその近傍で被加工物１１の一部を多光子吸収により改質し、分割の起点となる改質層１９（改質層１９ｄ）を形成できる。 The laser beam 17 is irradiated so that the focal point is positioned at a predetermined depth from the inner surface 11a (or the back surface 11b) of the workpiece 11 . In this manner, by condensing the laser beam 17 having a wavelength that is transmissive to the workpiece 11 inside the workpiece 11, a part of the workpiece 11 is irradiated at the converging point and its vicinity. It is possible to form a modified layer 19 (modified layer 19d) that serves as a starting point for splitting by modifying by multiphoton absorption.

本実施形態の第２レーザ加工ステップでは、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界に沿ってレーザビーム１７を照射するので、この境界に沿って改質層１９が形成される。なお、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界に沿って形成される改質層１９の数や位置に特段の制限はない。例えば、境界に沿って形成される改質層１９の数を２以上にしても良い。 In the second laser processing step of the present embodiment, the laser beam 17 is irradiated along the boundary between the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d, so the modified layer 19 is formed along this boundary. The number and positions of the modified layers 19 formed along the boundary between the tip region 11c and the peripheral surplus region 11d are not particularly limited. For example, two or more modified layers 19 may be formed along the boundary.

また、この境界に沿う改質層１９は、表面１１ａ（又は裏面１１ｂ）にクラックが到達する条件で形成されることが望ましい。もちろん、表面１１ａ及び裏面１１ｂの両方にクラックが到達する条件で境界に沿う改質層１９を形成しても良い。これにより、被加工物１１をより適切に分割して、チップ領域１１ｃから外周余剰領域１１ｄを分離できるようになる。 Moreover, the modified layer 19 along this boundary is desirably formed under the condition that cracks reach the surface 11a (or the back surface 11b). Of course, the modified layer 19 may be formed along the boundary under the condition that cracks reach both the front surface 11a and the rear surface 11b. As a result, the workpiece 11 can be divided more appropriately to separate the peripheral surplus region 11d from the chip region 11c.

第２レーザ加工ステップで改質層１９を形成するための具体的な条件等に特段の制限はない。例えば、第１レーザ加工ステップで改質層１９を形成するための条件と同じ条件で境界に沿う改質層１９を形成することができる。もちろん、第１レーザ加工ステップで改質層１９を形成するための条件とは異なる条件で境界に沿う改質層１９を形成しても良い。 There are no particular restrictions on specific conditions for forming the modified layer 19 in the second laser processing step. For example, the modified layer 19 along the boundary can be formed under the same conditions as those for forming the modified layer 19 in the first laser processing step. Of course, the modified layer 19 along the boundary may be formed under conditions different from the conditions for forming the modified layer 19 in the first laser processing step.

図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界に沿う環状の改質層１９（改質層１９ｄ）が形成されると、第２レーザ加工ステップは終了する。なお、本実施形態では、第１レーザ加工ステップで形成された改質層１９（改質層１９ｂ）と同程度の深さの位置に改質層１９（改質層１９ｄ）を形成しており、この改質層１９（改質層１９ｄ）から表面１１ａ及び裏面１１ｂにクラックを到達させている。 As shown in FIGS. 5A and 5B, when the annular modified layer 19 (modified layer 19d) is formed along the boundary between the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d, the second laser The processing step ends. Incidentally, in the present embodiment, the modified layer 19 (modified layer 19d) is formed at a position of approximately the same depth as the modified layer 19 (modified layer 19b) formed in the first laser processing step. , the crack reaches the surface 11a and the back surface 11b from the modified layer 19 (modified layer 19d).

第１レーザ加工ステップ及び第２レーザ加工ステップの後には、チャックテーブル６から被加工物１１を搬出する搬出ステップを行う。具体的には、例えば、被加工物１１の表面１１ａ（又は、裏面１１ｂ）の全体を吸着、保持できる搬送ユニット（不図示）で被加工物１１の表面１１ａの全体を吸着してから、バルブ３２を閉じて吸引源３４の負圧を遮断し、被加工物１１を搬出する。なお、本実施形態では、上述のように、外周余剰領域１１ｄが補強部として機能するので、搬送等の際に加わる力によって被加工物１１が個々のチップへと分割されてしまい、被加工物１１を適切に搬送できなくなることはない。 After the first laser processing step and the second laser processing step, an unloading step of unloading the workpiece 11 from the chuck table 6 is performed. Specifically, for example, after the entire front surface 11a (or the back surface 11b) of the workpiece 11 is sucked and held by a transfer unit (not shown) that can hold the entire front surface 11a (or the back surface 11b) of the workpiece 11, the valve 32 is closed to interrupt the negative pressure of the suction source 34, and the workpiece 11 is unloaded. In the present embodiment, as described above, the peripheral surplus region 11d functions as a reinforcing portion. 11 cannot be transported properly.

搬出ステップの後には、被加工物１１から補強部を除去する補強部除去ステップを行う。図６は、補強部除去ステップについて説明するための断面図である。なお、図６では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。補強部除去ステップは、例えば、図６に示す分割装置５２を用いて行われる。 After the carry-out step, a reinforcing portion removing step for removing the reinforcing portion from the workpiece 11 is performed. FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the reinforcing portion removing step. In addition, in FIG. 6, some components are indicated by functional blocks. The reinforcement removing step is performed using, for example, a dividing device 52 shown in FIG.

分割装置５２は、被加工物１１を吸引、保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）５４を備えている。このチャックテーブル５４の上面の一部は、被加工物１１のチップ領域１１ｃを吸引、保持する保持面５４ａになっている。保持面５４ａは、チャックテーブル５４の内部に形成された吸引路５４ｂやバルブ５６等を介して吸引源５８に接続されている。 The dividing device 52 has a chuck table (holding table) 54 for sucking and holding the workpiece 11 . A part of the upper surface of the chuck table 54 serves as a holding surface 54a for sucking and holding the chip area 11c of the workpiece 11. As shown in FIG. The holding surface 54a is connected to a suction source 58 via a suction path 54b formed inside the chuck table 54, a valve 56, and the like.

このチャックテーブル５４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル５４は、移動機構（不図示）によって支持されており、上述した保持面５４ａに対して概ね平行な方向に移動する。 The chuck table 54 is connected to a rotary drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotary shaft substantially parallel to the vertical direction. Also, the chuck table 54 is supported by a moving mechanism (not shown) and moves in a direction substantially parallel to the above-described holding surface 54a.

補強部除去ステップでは、まず、被加工物１１の裏面１１ｂをチャックテーブル５４の保持面５４ａに接触させる。そして、バルブ５６を開き、吸引源５８の負圧を保持面５４ａに作用させる。これにより、被加工物１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル５４に吸引、保持される。なお、本実施形態では、図６に示すように、被加工物１１の裏面１１ｂ側をチャックテーブル５４で直に保持する。つまり、ここでも、被加工物１１に対してエキスパンドシートを貼る必要がない。 In the reinforcing portion removing step, first, the back surface 11 b of the workpiece 11 is brought into contact with the holding surface 54 a of the chuck table 54 . Then, the valve 56 is opened to apply the negative pressure of the suction source 58 to the holding surface 54a. As a result, the workpiece 11 is sucked and held by the chuck table 54 with the surface 11a side exposed upward. In this embodiment, as shown in FIG. 6, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directly held by the chuck table . In other words, it is not necessary to attach the expanded sheet to the workpiece 11 here as well.

次に、外周余剰領域１１ｄに対して上向きの力（保持面５４ａから離れる向きの力）を作用させる。上述のように、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界には、分割の起点となる改質層１９（改質層１９ｄ）が形成されている。そのため、外周余剰領域１１ｄに対して上向きの力を作用させることで、図６に示すように、チャックテーブル５４から外周余剰領域１１ｄを持ち上げて除去できる。これにより、チャックテーブル５４上には、被加工物１１のチップ領域１１ｃのみが残る。 Next, an upward force (a force directed away from the holding surface 54a) is applied to the outer peripheral surplus region 11d. As described above, the modified layer 19 (modified layer 19d) serving as the starting point of division is formed at the boundary between the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d. Therefore, by applying an upward force to the outer peripheral surplus region 11d, the outer peripheral surplus region 11d can be lifted and removed from the chuck table 54 as shown in FIG. As a result, only the chip area 11 c of the workpiece 11 remains on the chuck table 54 .

補強部除去ステップの後には、被加工物１１を個々のチップへと分割する分割ステップを行う。具体的には、例えば、被加工物１１の内部（表面１１ａと裏面１１ｂとの間）に大きな温度差を形成し、熱衝撃（サーマルショック）によって力を付与して被加工物１１を分割する。図７は、分割ステップについて説明するための断面図である。なお、図７では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。 The reinforcement removal step is followed by a splitting step of splitting the workpiece 11 into individual chips. Specifically, for example, a large temperature difference is formed inside the workpiece 11 (between the front surface 11a and the back surface 11b), and force is applied by thermal shock to split the workpiece 11. . FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining the dividing step. In addition, in FIG. 7, some components are indicated by functional blocks.

分割ステップは、引き続き分割装置５２を用いて行われる。図７に示すように、分割装置５２は、チャックテーブル５４の上方に配置された噴射ノズル（温度差形成ユニット）６０を更に備えている。本実施形態の分割ステップでは、この噴射ノズル６０から被加工物１１の表面１１ａに冷却用の流体２１を吹き付けることで、熱衝撃の発生に必要な温度差を形成する。ただし、加熱用の流体２１を吹き付けることで、熱衝撃の発生に必要な温度差を形成しても良い。 The splitting step continues with splitting device 52 . As shown in FIG. 7, the splitting device 52 further includes an injection nozzle (temperature difference forming unit) 60 arranged above the chuck table 54 . In the dividing step of the present embodiment, the cooling fluid 21 is sprayed from the injection nozzle 60 onto the surface 11a of the workpiece 11 to form a temperature difference necessary for generating thermal shock. However, the temperature difference required to generate the thermal shock may be formed by spraying the heating fluid 21 .

冷却用の流体２１としては、例えば、気化することによって更に熱を奪うことのできる液体窒素等の低温の液体を用いると良い。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側を素早く冷却して、必要な温度差を形成し易くなる。ここで、必要な温度差とは、被加工物１１を改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）に沿って破断するために必要な応力を超える熱衝撃が得られる温度差を言う。この温度差は、例えば、被加工物１１の材質や厚み、改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）の状態等に応じて決まる。 As the cooling fluid 21, for example, it is preferable to use a low-temperature liquid such as liquid nitrogen, which can further take heat by vaporization. As a result, the surface 11a side of the workpiece 11 can be quickly cooled, making it easier to form the necessary temperature difference. Here, the necessary temperature difference means a temperature difference that causes a thermal shock exceeding the stress required to break the workpiece 11 along the modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c). . This temperature difference is determined according to, for example, the material and thickness of the workpiece 11, the state of the modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c), and the like.

ただし、流体２１の種類や流量等に特段の制限はない。例えば、十分に冷却されたエア等の気体や、水等の液体を用いることもできる。なお、流体２１として液体を用いる場合には、この液体を凍結しない程度に低い温度（例えば、凝固点より０．１℃～１０℃ほど高い温度）まで冷却しておくと良い。 However, there are no particular restrictions on the type, flow rate, etc. of the fluid 21 . For example, sufficiently cooled gas such as air or liquid such as water can be used. When a liquid is used as the fluid 21, it is preferable to cool the liquid to a temperature low enough not to freeze it (for example, a temperature about 0.1° C. to 10° C. higher than the freezing point).

十分な温度差が形成されるように被加工物１１を冷却すると、熱衝撃によって改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）からクラック２３が伸長し、被加工物１１は分割予定ライン１３に沿って複数のチップ２５へと分割される。このように、本実施形態では、一度の冷却によって必要な力を付与し、被加工物１１を個々のチップ２５へと分割できる。なお、本実施形態では、被加工物１１を急速に冷却することによって熱衝撃を発生させているが、被加工物１１を急速に加熱することによって熱衝撃を発生させても良い。 When the workpiece 11 is cooled so that a sufficient temperature difference is formed, cracks 23 extend from the modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c) due to thermal shock, and the workpiece 11 is split along the line to be split. 13 into a plurality of chips 25 . In this way, in this embodiment, the necessary force can be applied by cooling once, and the workpiece 11 can be divided into individual chips 25 . In this embodiment, the thermal shock is generated by rapidly cooling the workpiece 11 , but the thermal shock may be generated by rapidly heating the workpiece 11 .

以上のように、本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物（ワーク）１１をチャックテーブル（保持テーブル）６で直に保持した状態で、被加工物１１のチップ領域１１ｃにのみレーザビーム１７を照射して、分割予定ライン１３に沿う改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）を形成し、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界にレーザビーム１７を照射して、境界に沿う改質層１９（改質層１９ｄ）を形成した後、一度の冷却により力を付与して被加工物１１を個々のチップ２５へと分割するので、被加工物１１に力を加えて個々のチップ２５へと分割するためにエキスパンドシートを用いる必要がない。このように、本実施形態に係るチップの製造方法によれば、エキスパンドシートを用いることなく板状の被加工物１１であるシリコンウェーハを分割して複数のチップ２５を製造できる。 As described above, in the chip manufacturing method according to the present embodiment, while the workpiece (work) 11 is directly held by the chuck table (holding table) 6, only the chip region 11c of the workpiece 11 is irradiated with the laser beam. A beam 17 is irradiated to form the modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c) along the planned division line 13, and a laser beam 17 is irradiated to the boundary between the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d. After forming the modified layer 19 (modified layer 19 d ) along the boundary, a force is applied by cooling once to divide the workpiece 11 into individual chips 25 , so the force is applied to the workpiece 11 . Additionally, there is no need to use an expanded sheet to separate the individual chips 25 . As described above, according to the chip manufacturing method according to the present embodiment, a plurality of chips 25 can be manufactured by dividing the silicon wafer, which is the plate-shaped workpiece 11, without using an expand sheet.

また、本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物１１のチップ領域１１ｃにのみレーザビーム１７を照射して分割予定ライン１３に沿う改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）を形成するとともに、外周余剰領域１１ｄを改質層１９（改質層１９ａ，１９ｂ，１９ｃ）が形成されていない補強部とするので、この補強部によってチップ領域１１ｃは補強される。よって、搬送等の際に加わる力によって被加工物１１が個々のチップ２５へと分割されてしまい、被加工物１１を適切に搬送できなくなることもない。 Further, in the chip manufacturing method according to the present embodiment, only the chip region 11c of the workpiece 11 is irradiated with the laser beam 17 to form the modified layers 19 (modified layers 19a, 19b, 19c) along the dividing line 13. is formed, and the outer peripheral surplus region 11d is used as a reinforcing portion in which the modified layer 19 (modified layers 19a, 19b, 19c) is not formed, so that the chip region 11c is reinforced by this reinforcing portion. Therefore, the workpiece 11 will not be divided into individual chips 25 due to a force applied during transportation or the like, and the workpiece 11 will not be properly transported.

なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、第１レーザ加工ステップの後に第２レーザ加工ステップを行っているが、第２レーザ加工ステップの後に第１レーザ加工ステップを行っても良い。また、第１レーザ加工ステップの途中で第２レーザ加工ステップを行うこともできる。 It should be noted that the present invention is not limited to the description of the above embodiment and the like, and can be implemented with various modifications. For example, in the above embodiment, the second laser processing step is performed after the first laser processing step, but the first laser processing step may be performed after the second laser processing step. Also, the second laser processing step can be performed in the middle of the first laser processing step.

また、上記実施形態では、被加工物１１の裏面１１ｂ側をチャックテーブル６で直に保持して、表面１１ａ側からレーザビーム１７を照射しているが、被加工物１１の表面１１ａ側をチャックテーブル６で直に保持して、裏面１１ｂ側からレーザビーム１７を照射しても良い。 In the above embodiment, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directly held by the chuck table 6, and the laser beam 17 is irradiated from the front surface 11a side. The laser beam 17 may be irradiated from the back surface 11b side while directly held by the table 6. FIG.

図８は、変形例に係る保持ステップについて説明するための断面図である。この変形例に係る保持ステップでは、図８に示すように、例えば、ポリエチレンやエポキシ等の樹脂に代表される柔軟な材料でなる多孔質状のシート（ポーラスシート）４４によって上面が構成されたチャックテーブル（保持テーブル）６を用いると良い。 FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a holding step according to a modification. In the holding step according to this modified example, as shown in FIG. 8, for example, a chuck having an upper surface constituted by a porous sheet (porous sheet) 44 made of a flexible material represented by resin such as polyethylene or epoxy. A table (holding table) 6 is preferably used.

このチャックテーブル６では、シート４４の上面４４ａで被加工物１１の表面１１ａ側を吸引、保持することになる。これにより、表面１１ａ側に形成されているデバイス等の破損を防止できる。このシート４４はチャックテーブル６の一部であり、チャックテーブル６の本体等とともに繰り返し使用される。 In this chuck table 6, the upper surface 44a of the sheet 44 sucks and holds the surface 11a side of the workpiece 11. As shown in FIG. As a result, damage to devices and the like formed on the surface 11a side can be prevented. This sheet 44 is a part of the chuck table 6 and is repeatedly used together with the main body of the chuck table 6 and the like.

ただし、チャックテーブル６の上面は、上述した多孔質状のシート４４によって構成されている必要はなく、少なくとも、被加工物１１の表面１１ａ側に形成されているデバイス等を傷つけない程度に柔軟な材料で構成されていれば良い。また、シート４４は、チャックテーブル６の本体に対して着脱できるように構成され、破損した場合等に交換できることが望ましい。 However, the upper surface of the chuck table 6 does not have to be made of the above-described porous sheet 44, and is at least flexible enough not to damage the devices formed on the surface 11a side of the workpiece 11. It should be made of material. Moreover, it is desirable that the sheet 44 is detachable from the main body of the chuck table 6 and can be replaced when it is damaged.

また、上記実施形態では、搬出ステップの後、分割ステップの前に、補強部除去ステップを行っているが、例えば、第１レーザ加工ステップ及び第２レーザ加工ステップの後、搬出ステップの前に、補強部除去ステップを行っても良い。なお、搬出ステップの後、分割ステップの前に、補強部除去ステップを行う場合には、補強部除去ステップの後に被加工物１１を搬送する必要がないので、被加工物１１を適切に搬送できなくなる等の不具合を回避し易い。 Further, in the above-described embodiment, the reinforcing portion removing step is performed after the carry-out step and before the division step. A reinforcement removing step may be performed. If the reinforcing portion removing step is performed after the carry-out step and before the dividing step, it is not necessary to transfer the workpiece 11 after the reinforcing portion removing step, so the workpiece 11 can be properly transferred. It is easy to avoid problems such as disappearance.

同様に、分割ステップの後に、補強部除去ステップを行うこともできる。この場合、分割ステップで付与される熱衝撃によって、チップ領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとがより確実に分割されるので、その後の補強部除去ステップにおいて補強部をより容易に除去できるようになる。 Similarly, a reinforcement removal step can be performed after the splitting step. In this case, the chip region 11c and the peripheral surplus region 11d are separated more reliably by the thermal shock applied in the dividing step, so that the reinforcing portion can be removed more easily in the subsequent reinforcing portion removing step.

また、補強部除去ステップを省略することもできる。この場合には、例えば、補強部の幅が被加工物１１の外周縁から２ｍｍ～３ｍｍ程度になるように、第１レーザ加工ステップ及び第２レーザ加工ステップで改質層１９を形成する範囲を調整すると良い。また、例えば、分割ステップでチップ領域１１ｃを分割する前に、補強部に分割の起点となる溝を形成しても良い。 Also, the reinforcement removing step can be omitted. In this case, for example, the range in which the modified layer 19 is formed in the first laser processing step and the second laser processing step is adjusted such that the width of the reinforcing portion is about 2 mm to 3 mm from the outer peripheral edge of the workpiece 11. good to adjust. Further, for example, before dividing the chip region 11c in the dividing step, a groove serving as a starting point for division may be formed in the reinforcing portion.

図９（Ａ）は、変形例に係る分割ステップについて説明するための断面図であり、図９（Ｂ）は、変形例に係る分割ステップでチップ領域１１ｃを分割する前の被加工物の状態を模式的に示す平面図である。変形例に係る分割ステップでは、分割装置５２で被加工物１１を個々のチップへと分割する前に、例えば、分割装置５２に設けられている切削ユニット６２を用いて補強部に分割の起点となる溝を形成する。 FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining the dividing step according to the modification, and FIG. 9B shows the state of the workpiece before dividing the chip region 11c in the dividing step according to the modification. is a plan view schematically showing the. In the dividing step according to the modified example, before dividing the workpiece 11 into individual chips by the dividing device 52, for example, the cutting unit 62 provided in the dividing device 52 is used to form a starting point of division on the reinforcing portion. form a groove.

切削ユニット６２は、保持面５４ａに対して概ね平行な回転軸となるスピンドル（不図示）を備えている。スピンドルの一端側には、結合材に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード６４が装着されている。スピンドルの他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルの一端側に装着された切削ブレード６４は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。切削ユニット６２は、例えば、昇降機構（不図示）に支持されており、切削ブレード６４は、この昇降機構によって鉛直方向に移動する。 The cutting unit 62 has a spindle (not shown) that serves as a rotating shaft generally parallel to the holding surface 54a. At one end of the spindle, an annular cutting blade 64 made of a bonding material with abrasive grains dispersed therein is attached. A rotational drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end of the spindle, and the cutting blade 64 attached to one end of the spindle is rotated by force transmitted from this rotational drive source. The cutting unit 62 is supported, for example, by an elevating mechanism (not shown), and the cutting blade 64 is vertically moved by this elevating mechanism.

図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、分割の起点となる溝を形成する際には、例えば、上述した切削ブレード６４を回転させて外周余剰領域１１ｄ（すなわち、補強部）に切り込ませる。これにより、補強部に分割の起点となる溝１１ｅを形成できる。なお、この溝１１ｅは、例えば、分割予定ライン１３に沿って形成されることが望ましい。このような溝１１ｅを形成することで、被加工物１１のチップ領域１１ｃを外周余剰領域１１ｄごと分割できるようになる。 As shown in FIGS. 9(A) and 9(B), when forming a groove that serves as a starting point for division, for example, the above-described cutting blade 64 is rotated to form an outer peripheral surplus region 11d (that is, a reinforcing portion). cut into As a result, grooves 11e that serve as starting points for division can be formed in the reinforcing portion. The groove 11e is desirably formed along the dividing line 13, for example. By forming such a groove 11e, the chip region 11c of the workpiece 11 can be divided together with the peripheral surplus region 11d.

その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, and the like according to the above embodiments and modifications can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.

１１ 被加工物（ワーク）
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ チップ領域
１１ｄ 外周余剰領域
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ 領域
１７ レーザビーム
１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 改質層
２１ 流体
２３ クラック
２５ チップ
２ レーザ加工装置
４ 基台
６ チャックテーブル（保持テーブル）
６ａ 保持面
６ｂ 吸引路
８ 水平移動機構
１０ Ｘ軸ガイドレール
１２ Ｘ軸移動テーブル
１４ Ｘ軸ボールネジ
１６ Ｘ軸パルスモータ
１８ Ｘ軸スケール
２０ Ｙ軸ガイドレール
２２ Ｙ軸移動テーブル
２４ Ｙ軸ボールネジ
２６ Ｙ軸パルスモータ
２８ Ｙ軸スケール
３０ 支持台
３２ バルブ
３４ 吸引源
３６ 支持構造
３８ 支持アーム
４０ レーザ照射ユニット
４２ カメラ
４４ シート（ポーラスシート）
４４ａ 上面
５２ 分割装置
５４ チャックテーブル（保持テーブル）
５４ａ 保持面
５４ｂ 吸引路
５６ バルブ
５８ 吸引源
６０ 噴射ノズル（温度差形成ユニット）
６２ 切削ユニット
６４ 切削ブレード 11 workpiece (work)
11a Front surface 11b Back surface 11c Chip area 11d Surplus peripheral area 13 Planned division line (street)
15 area 17 laser beam 19, 19a, 19b, 19c, 19d modified layer 21 fluid 23 crack 25 chip 2 laser processing device 4 base 6 chuck table (holding table)
6a holding surface 6b suction path 8 horizontal movement mechanism 10 X-axis guide rail 12 X-axis movement table 14 X-axis ball screw 16 X-axis pulse motor 18 X-axis scale 20 Y-axis guide rail 22 Y-axis movement table 24 Y-axis ball screw 26 Y-axis Pulse motor 28 Y-axis scale 30 Support base 32 Valve 34 Suction source 36 Support structure 38 Support arm 40 Laser irradiation unit 42 Camera 44 Sheet (porous sheet)
44a upper surface 52 dividing device 54 chuck table (holding table)
54a holding surface 54b suction path 56 valve 58 suction source 60 injection nozzle (temperature difference forming unit)
62 cutting unit 64 cutting blade

Claims (3)

交差する複数の分割予定ラインによってチップとなる複数の領域に区画されたチップ領域と、該チップ領域を囲む外周余剰領域と、を有する板状の被加工物から複数の該チップを製造するチップの製造方法であって、
被加工物を保持テーブルで直に保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後に、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該保持テーブルに保持された被加工物の内部に位置づけるように該分割予定ラインに沿って被加工物の該チップ領域にのみ該レーザビームを照射し、該チップ領域の該分割予定ラインに沿って第１改質層を形成するとともに、該外周余剰領域を該第１改質層が形成されていない補強部とする第１レーザ加工ステップと、
該保持ステップを実施した後に、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該保持テーブルに保持された被加工物の内部に位置づけるように該チップ領域と該外周余剰領域との境界に沿って該レーザビームを照射し、該境界に沿って第２改質層を形成する第２レーザ加工ステップと、
該第１レーザ加工ステップ及び該第２レーザ加工ステップを実施した後に、該保持テーブルから被加工物を搬出する搬出ステップと、
該搬出ステップを実施した後に、被加工物に力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割する分割ステップと、を備え、
該分割ステップでは、一度の冷却または加熱により該力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割することを特徴とするチップの製造方法。 A chip for manufacturing a plurality of chips from a plate-like workpiece having a chip area partitioned into a plurality of areas to be chips by a plurality of intersecting dividing lines and an outer peripheral surplus area surrounding the chip area. A manufacturing method comprising:
a holding step of directly holding the workpiece on the holding table;
after performing the holding step, along the dividing line so as to locate the focal point of the laser beam having a wavelength that is transparent to the workpiece inside the workpiece held on the holding table; The laser beam is irradiated only to the chip region of the workpiece to form a first modified layer along the line to be divided in the chip region, and the first modified layer is formed in the peripheral surplus region. A first laser processing step as a reinforcement portion that is not reinforced;
After performing the holding step, the tip area and the peripheral margin are positioned so as to locate the focal point of a laser beam having a wavelength that is transparent to the workpiece inside the workpiece held on the holding table. A second laser processing step of irradiating the laser beam along the boundary with the region to form a second modified layer along the boundary;
a carry-out step of carrying out the workpiece from the holding table after performing the first laser processing step and the second laser processing step;
a splitting step of applying a force to the workpiece to split the workpiece into individual chips after performing the carrying out step;
A method of manufacturing chips, wherein in the dividing step, the force is applied by one cooling or heating to divide the workpiece into the individual chips. 該分割ステップでは、該補強部を除去することなく一度の冷却または加熱により被加工物に該力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割することを特徴とする請求項１に記載のチップの製造方法。 2. The method according to claim 1, wherein in said dividing step , said force is applied to said workpiece by cooling or heating once without removing said reinforcing portion to divide said workpiece into said individual chips. A method of manufacturing the described chip. 該保持テーブルの上面は、柔軟な材料によって構成されており、
該保持ステップでは、該柔軟な材料で被加工物の表面側を保持することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のチップの製造方法。 The upper surface of the holding table is made of a flexible material,
3. The method of manufacturing a tip according to claim 1, wherein in the holding step, the surface side of the workpiece is held by the flexible material.
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