DE102014204660A1 - Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist ein Spiegel eine optische Wirkfläche auf, wobei der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 0.5 besitzt, und wobei der Spiegel wenigstens eine Schicht (160, 170, 320) aufweist, welche eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe aufweist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
  • Stand der Technik
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
  • Dabei ist u.a. der Betrieb von Spiegeln unter streifendem Einfall bekannt. Unter solchen unter streifendem Einfall betriebenen Spiegeln, deren Einsatz grundsätzlich im Hinblick auf die vergleichsweise hohen, erreichbaren Reflektivitäten (von z.B. 80% und mehr) wünschenswert ist, werden hier und im Folgenden Spiegel verstanden, für welche die bei der Reflexion der EUV-Strahlung auftretenden, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexionswinkel wenigstens 65° betragen. Solche Spiegel mitunter auch kurz als GI-Spiegel („grazing incidence“ = „streifender Einfall“) bezeichnet.
  • Zur Optimierung der Leistungsfähigkeit einer Projektionsbelichtungsanlage ist dabei neben einer geeigneten Auswahl der jeweiligen Spiegel bzw. Schichtmaterialien im Hinblick auf anzustrebende günstige optische Eigenschaften auch zu beachten, dass infolge von Kontaminationen im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Beeinträchtigung dieser optischen Eigenschaften (insbesondere in Form von Reflexionsverlusten bzw. unerwünschte Änderungen des Reflexionsverlaufs in Abhängigkeit vom Einfallswinkel) auftreten kann.
  • Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf US 2005/0279951 A1 verwiesen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, welcher im Betrieb des betreffenden optischen Systems bzw. der Projektionsbelichtungsanlage die Erzielung hoher Reflektivitäten bzw. geringer Lichtverluste bei zugleich geringer Kontaminationsanfälligkeit ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist ein Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, eine optische Wirkfläche auf,
    • – wobei der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 0.5 besitzt, und
    • – wobei der Spiegel wenigstens eine Schicht aufweist, welche eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe aufweist.
  • Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, die Kombination einer Schutzwirkung bzw. Erzielung einer zumindest weitgehenden chemischen Resistenz gegenüber den im Betrieb des optischen Systems auftretenden Kontaminationen mit günstigen optischen Eigenschaften des Spiegels dadurch zu erreichen, dass in einer Schicht des Spiegels ein Element der zweiten Periode, z.B. Beryllium (Be), Bor (B), Kohlenstoff (C), Stickstoff (N) oder Sauerstoff (O) mit einem Element der 4d-Nebengruppe, z.B. Molybdän (Mo), Niob (Nb) oder Zirkon (Zr), kombiniert wird.
  • Dabei geht die Erfindung insbesondere von der Überlegung aus, dass etwa Molybdän (Mo) unter dem Aspekt der anzustrebenden günstigen optischen Eigenschaften im Hinblick auf die vergleichsweise geringe Absorption sowie auch den relativ geringen Brechungsindex, die insbesondere für streifenden Einfall elektromagnetischer EUV-Strahlung zu einer im Vergleich zu sämtlichen anderen Elementen höheren Reflektivität führen, grundsätzlich unter dem Aspekt optischer Eigenschaften als besonders bevorzugtes Material erscheint, jedoch aufgrund der Anfälligkeit gegenüber Oxidation als solches (d.h. in elementarer Form) eine zu große Kontaminationsanfälligkeit besitzt.
  • Von dieser Überlegung ausgehend kombiniert die vorliegende Erfindung Molybdän (Mo) oder ein anderes geeignetes Element der 4d-Nebengruppe mit einem Element der zweiten Periode (insbesondere Bor (B), Kohlenstoff (C) oder Stickstoff (N)) mit der Folge, dass die Oxidationsgefahr vermieden und im Ergebnis eine Schicht erzielt wird, die zugleich chemisch beständig ist und optische Eigenschaften besitzt, die z.B. denen der reinen Elemente Molybdän (Mo) oder Ruthenium (Ru) ebenbürtig oder sogar überlegen sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Spiegel entweder ausschließlich diese (ein Element der zweiten Periode und ein Element der 4d-Nebengruppe kombinierende) Schicht (welche in diesem Falle aufgrund hinreichender Dicke bzw. mechanische Stabilität kein zusätzliches Substrat „benötigt“), oder ausschließlich diese Schicht sowie ein Substrat (auf welchem die Schicht ausgebildet bzw. angeordnet ist) auf.
  • In weiteren Ausführungsformen kann die ein Element der zweiten Periode und ein Element der 4d-Nebengruppe kombinierende Schicht als zweite Schicht auf einer ersten Schicht aus Ruthenium (Ru) angeordnet sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung auch einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer optischen Wirkfläche,
    • – wobei der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 0.5 besitzt, und
    • – wobei der Spiegel eine erste Schicht aus einem ersten Material, welches Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh) oder Palladium (Pd) aufweist, und eine in Richtung der optischen Wirkfläche oberhalb dieser ersten Schicht angeordnete zweite Schicht aufweist, welche aus einem zweiten Material besteht, das eine im Vergleich zum ersten Material geringere Absorption aufweist.
  • Gemäß diesem weiteren Aspekt erfolgt bei dem Aufbau eines erfindungsgemäßen Spiegels hinsichtlich der in dem Spiegel vorhandenen Schichten eine „Aufgabenteilung“ insofern, als die (Ruthenium, Rhodium oder Palladium aufweisende) erste Schicht als „Grundschicht“ mit vergleichsweise günstigen optischen Konstanten und zur Einstellung des Grenzwinkels der Totalreflexion (bei welchem die Reflektivitätskurve ihren ersten Wendepunkt besitzt) dient, wohingegen die zweite Schicht (welche eine im Vergleich zum Material der ersten Schicht geringere Absorption aufweist) als „Verstärkerschicht“ dient, welche die Reflektivität bei streifendem Einfall verstärkt. Durch diese Ausgestaltung kann in dem vorliegend relevanten Winkelbereich (d.h. unter streifendem Einfall) bzw. bei einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° eine gezielte Erhöhung der Reflektivität erzielt werden, wobei zugleich ein „zu frühes Abknicken“ der Reflektivitätskurve (welche die Reflektivität in Abhängigkeit vom Einfallswinkel beschreibt) vermieden werden kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Material der zweiten Schicht Molybdän (Mo) oder eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das Element der 4d-Nebengruppe aus der Gruppe ausgewählt, die Molybdän (Mo), Niob (Nb) oder Zirkon (Zr) enthält.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das Element der zweiten Periode aus der Gruppe ausgewählt, die Beryllium (Be), Bor (B), Kohlenstoff (C), Stickstoff (N) oder Sauerstoff (O) enthält.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Spiegel ferner eine in Richtung der optischen Wirkfläche zuoberst angeordnete Schutzschicht auf.
  • Indem der Spiegel eine solche zusätzliche Schutzschicht aufweist, kann in dem Schichtaufbau des erfindungsgemäßen Spiegels eine weitere „Aufgabenteilung“ bzw. funktionelle Trennung hinsichtlich der einzelnen vorhandenen Schichten erzielt werden. Insbesondere kann die betreffende Schutzschicht aus einem Material gebildet sein, welches sich zwar möglichst „chemisch stabil“ verhält bzw. die erwünschte chemische Resistenz gegenüber im Betrieb des optischen Systems auftretenden Kontaminationen aufweist, dafür aber vergleichsweise schlechtere optische Eigenschaften hat, wobei letzterem Umstand durch eine nur sehr geringe Dicke (von z.B. 2–3nm) der Schutzschicht Rechnung getragen werden kann.
  • Mit anderen Worten wird die Schutzschicht vorzugsweise derart ausgestaltet, dass sie gerade hinreichend dick ist, um die erwünschte chemische Resistenz bereitzustellen, wobei die Optimierung der optischen Eigenschaften bzw. Steigerung der Reflektivität des Spiegels durch die bezogen auf die optische Wirkfläche unterhalb der Schutzschicht befindliche erste und/oder zweite Schicht (d.h. die oben beschriebene Grundund/oder Verstärkerschicht) erzielt werden kann. Zugleich kann die Dicke der betreffenden Grund- und/oder Verstärkerschicht jeweils im Hinblick auf die anzustrebende Optimierung der optischen Eigenschaften gewählt werden, ohne auf die (durch die zuvor genannte Schutzschicht gewährleistete) chemische Resistenz Rücksicht nehmen zu müssen.
  • Dabei wird aufgrund der durch die Schutzschicht bereitgestellten Schutzwirkung hinsichtlich der im Betrieb des optischen Systems auftretenden Kontaminationen auch eine wesentlich größere Freiheit hinsichtlich der Materialwahl in der darunterliegenden (Grund- und/oder Verstärker-)schicht erzielt, da letztere Schichten aufgrund der darüberliegenden Schutzschicht auch aus vergleichsweise reaktiven Materialien hergestellt sein können.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Material der jeweils in Richtung der optischen Wirkfläche unterhalb der Schutzschicht angeordneten Schicht im Vergleich zu dem Material der Schutzschicht eine geringere Absorption auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die Schutzschicht Siliziumnitrid (Si3N4), Siliziumcarbid (SiC) oder eine Verbindung mit einem Element der 3d-Nebengruppe (Sc, Ti, V, ...), 4d-Nebengruppe (Y, Zr, Nb, ...) oder der Lanthaniden (La, Ce, Pr, Nd, ...) auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die Schutzschicht eine Dicke von maximal 5nm auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform weisen die zweite Schicht und die Schutzschicht jeweils einen solchen Dickenverlauf auf, dass sich der Spiegel hinsichtlich der Abhängigkeit der Reflektivität vom Einfallswinkel um nicht mehr als 2%, insbesondere nicht mehr als 1%, weiter insbesondere nicht mehr als 0.5% von einem Spiegel unterscheidet, welcher nur die identisch ausgebildete erste Schicht, jedoch nicht die zweite Schicht und die Schutzschicht, aufweist. Dabei kann es sich bei dem Dickenverlauf der betreffenden Schicht um eine konstante Dicke oder auch um eine örtlich variierende Dicke handeln.
  • Gemäß diesem weiteren Aspekt der Erfindung können in dem vorstehend beschriebenen Schichtaufbau aus erster Schicht, zweiter Schicht und Schutzschicht die jeweiligen Dickenverläufe der zweiten Schicht und der Schutzschicht derart gewählt werden, dass keine (oder nur eine vergleichsweise geringe bzw. vernachlässigbare) Änderung im Reflektivitätsverlauf (d.h. in der Abhängigkeit der Reflektivität vom Einfallswinkel) auftritt im Vergleich zu einem Spiegel, welcher nur die erste Schicht („Grundschicht“) aufweist).
  • Mit anderen Worten werden die Schichtdicken in dem erfindungsgemäßen Schichtaufbau aus erster Schicht, zweiter Schicht und Schutzschicht so gewählt, dass gerade ein bestimmter Verlauf der Abhängigkeit der Reflektivität vom Einfallswinkel erzielt wird. Dabei kann insbesondere etwa der Schichtaufbau hinsichtlich der jeweiligen Dicken von erster Schicht, zweiter Schicht und Schutzschicht so gestaltet werden, dass zwar nicht maximale Reflektivität des Spiegels erzielt, sondern – unter Inkaufnahme gewisser Einbußen in der Reflektivität – ein bestimmter gewünschter Reflektivitätsverlauf (z.B. der Reflektivitätsverlauf eines „reinen Ruthenium-Spiegels“ ohne die zweite Schicht und ohne die Schutzschicht) eingestellt wird. Infolgedessen kann z.B. das Erfordernis einer Anpassung im optischen Design aufgrund der Verwendung eines Spiegels mit dem erfindungsgemäßen Schichtaufbau vermieden werden. Insbesondere kann eine durch die Schutzschicht bewirkte Abnahme der Reflektivität durch die zweite Schicht zumindest teilweise kompensiert werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Spiegel wenigstens eine Barriereschicht auf. Beispielsweise kann eine solche Barriereschicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht und/oder unmittelbar unterhalb der ggf. vorhandenen Schutzschicht angeordnet sein. Eine derartige Barriereschicht kann beispielsweise als Diffusionsbarriere dienen, um eine unerwünschte Diffusion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht oder auch ein Herausdiffundieren z.B. von in der Schutzschicht ggf. vorhandenem Sauerstoff in die darunterliegende Schicht bzw. die darunterliegenden Schichten zu vermeiden. Eine solche Barriereschicht kann lediglich beispielhaft eine Dicke im Bereich von wenigen Nanometern (nm) oder darunter aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Arbeitswellenlänge kleiner als 30nm, wobei sie insbesondere im Bereich von 10nm bis 15nm liegen kann.
  • Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs befindliche Maske beleuchtet und das Projektionsobjektiv Strukturen auf dieser Maske auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs befindliche lichtempfindliche Schicht abbildet, wobei die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Es zeigen:
  • 1a eine schematische Darstellung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage;
  • 1b–c schematische Darstellungen zur Erläuterung des Aufbaus eines Spiegels in beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung; und
  • 2–7 schematische Darstellungen zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines Spiegels in weiteren Ausführungsformen der Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 1a zeigt eine schematische Darstellung einer beispielhaften für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisierbar ist.
  • Gemäß 1a weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 100 einen Feldfacettenspiegel 103 und einen Pupillenfacettenspiegel 104 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 103 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 101 und einen Kollektorspiegel 102 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 104 sind ein erster Teleskopspiegel 105 und ein zweiter Teleskopspiegel 106 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein unter streifendem Einfall betriebener Umlenkspiegel 107 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines in 1a lediglich angedeuteten Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 121 auf einem Maskentisch 120 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 161 auf einem Wafertisch 160 befindet.
  • Lediglich beispielhaft kann der unter streifendem Einfall betriebene Umlenkspiegel 107 den erfindungsgemäßen, im Weiteren unter Bezugnahme auf 1b, 1c oder 2ff. beschriebenen Aufbau aufweisen.
  • Das Projektionsobjektiv 150 kann z.B. einen Aufbau wie in DE 10 2012 202 675 A1 gezeigt (wobei dieser Aufbau ebenfalls unter streifendem Einfall betriebene Spiegel, die erfindungsgemäß ausgestaltet sein können, aufweist) oder einen anderen Aufbau aufweisen.
  • Im Weiteren werden mögliche Ausführungsformen eines unter streifendem Einfall betriebenen Spiegels gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die schematischen Abbildungen von 1b–c sowie 2–7 beschrieben.
  • Gemäß 1b weist ein erfindungsgemäßer Spiegel auf einem (aus beliebigem geeignetem Material hergestellten) Substrat 150 eine Schicht 160 auf, welche im konkreten Ausführungsbeispiel aus Molybdän-Borid (MoB) besteht und im Ausführungsbeispiel eine beispielhafte Dicke von 30nm aufweist.
  • In weiteren Ausführungsformen kann die Schicht 160 eine andere chemische Verbindung aus einem Element der zweiten Periode (z.B. einem der Elemente Lithium (Li), Beryllium (Be), Bor (B), Kohlenstoff (C), Stickstoff (N), Sauerstoff (O) oder Fluor (F)) mit einem Element der 4d-Nebengruppe (z.B. einem der Element Yttrium (Y), Zirkon (Zr), Niob (Nb), Molybdän (Mo), Technetium (Tc), Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh) und Palladium (Pd)) aufweisen.
  • Falls das betreffende, optisch wirksame Material als Volumenmaterial verfügbar ist, geeignete thermische Eigenschaften besitzt und zudem auch in optischer Qualität geformt und poliert werden kann, kann auf eine weitere Schichtlage verzichtet werden, in welchem Falle der Spiegel – wie schematisch in 1c dargestellt – auch ausschließlich aus einer Schicht 170 mit einem zur Schicht 160 aus 1a analogen Material hergestellt sein kann. Vorzugsweise weist im letzteren Falle die den Spiegel allein bildende Schicht 170 eine Dicke von wenigstens 50nm auf.
  • Im Weiteren werden unter Bezugnahme auf die schematischen Abbildungen von 2–6 weitere Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Spiegels beschrieben, welche nicht lediglich die zuvor anhand von 1b, c beschriebene Schicht (gegebenenfalls mit zusätzlichem Substrat) aufweisen, sondern in denen im Wege der Bereitstellung eines Aufbaus aus mehreren Schichten eine funktionelle Trennung bzw. Aufgabenteilung erzielt wird.
  • Im Ausführungsbeispiel von 2a weist ein erfindungsgemäßer Spiegel auf einem (wiederum aus einem beliebigen geeigneten Material hergestellten) Substrat 205 eine erste Schicht 210 aus Ruthenium (Ru) und eine zweite Schicht 220 aus Molybdän (Mo) auf. Hierbei weist lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) die erste Schicht 210 eine Dicke von 30nm und die zweite Schicht 220 eine Dicke von 9nm auf.
  • Die o.g. Aufgabenteilung besteht bei dem in 2a dargestellten Aufbau darin, dass die erste Schicht 210 (als „Grundschicht“) einen möglichst günstigen Grenzwinkel der Totalreflexion (zur Vermeidung eines im Reflektivitätsverlauf zu frühen „Abknickens“ der Reflektivitätskurve) bereitstellt, wohingegen durch die zweite Schicht 220 (welche als „Verstärkerschicht“ dient) eine Verstärkung der Reflexion im relevanten Winkelbereich (d.h. insbesondere für streifenden Einfall bzw. bei auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65°) erreicht wird.
  • Während die erste Schicht 210 aus reinem Ruthenium (Ru) besteht, kann als Material der zweiten Schicht 220 alternativ Molybdän (Mo) gemäß 2a oder auch eines der zuvor unter Bezugnahme auf 1b und 1c genannten Materialien (d.h. eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe) in Frage kommen. Dabei sollte das Material der zweiten Schicht jeweils eine im Vergleich zu Ruthenium (Ru) geringere Absorption aufweisen. Wenngleich in den folgenden Ausführungsbeispielen jeweils Ruthenium (Ru) als Material der ersten Schicht gewählt ist, kann in weiteren Ausführungsformen die erste Schicht auch Rhodium (Rh) oder Palladium (Pd) oder eine Kombination aus Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh) oder Palladium (Pd) aufweisen. Dabei sollte analog jeweils das Material der zweiten Schicht eine im Vergleich zum Material der ersten Schicht geringere Absorption aufweisen.
  • Zur Erläuterung des vorstehend beschriebenen Effektes zeigt 2b den Reflektivitätsverlauf in Abhängigkeit vom Winkel des einfallenden bzw. des reflektierten Strahls relativ zur reflektierenden Oberfläche sowohl für den Fall nur einer Schicht (aus Ruthenium (Ru) oder Molybdän (Mo)) als auch für unterschiedliche Schichtfolgen von Molybdän (Mo) und Ruthenium (Ru) (wobei das in der Legende zuerst genannte Material die Grundschicht bzw. erste Schicht und das zuletzt genannte Material die Verstärkerschicht bzw. zweite Schicht bezeichnet). Wie aus 2b ersichtlich ist, kann mit der erfindungsgemäßen Materialwahl von 2a eine signifikante Steigerung der Reflektivität im relevanten Winkelbereich bei zugleich signifikant späterem „Abknicken“ der Reflektivitätskurve erzielt werden.
  • 3b dient zur Veranschaulichung der mit dem erfindungsgemäßen Aufbau von 3a erzielten Reflektivitätssteigerung, wobei in 3b die Differenz der jeweils erzielten Reflektivität zu derjenigen Reflektivität, welche im Falle einer reinen Ruthenium(Ru)-Schicht erzielt wird, in Abhängigkeit vom Winkel des einfallenden bzw. des reflektierten Strahls relativ zur reflektierenden Oberfläche aufgetragen ist. Dabei betragen in 3b die jeweiligen Schichtdicken für Ruthenium (Ru) 30nm, für Molybdän-Carbid (Mo2C) 5nm, für Molybdän-Borid (MoB) 9nm und für Niob-Carbid (NbC) 5nm. Als Referenz ist außerdem der Vergleich einer Einzelschicht aus Molybdän (Mo) von 30nm Dicke mit der reinen Ru-Schicht von 30nm Dicke gezeigt, ebenso wie in den folgenden 4b und 5b.
  • 4a dient zur Erläuterung des Aufbaus eines Spiegels gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, wobei im Vergleich zu 3a analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
  • Im Unterschied zur Ausführungsform von 3a weist der Spiegel gemäß 4a eine zusätzliche Schutzschicht 430 auf, welche aus einem Material mit möglichst hoher chemischer Stabilität hergestellt ist, wobei aufgrund der vergleichsweise geringen Dicke (von z.B. 2–3nm) relativ ungünstige optische Eigenschaften in Kauf genommen werden können. So kann die Schutzschicht 430 lediglich beispielhaft aus Siliziumnitrid (Si3N4) bestehen.
  • In weiteren möglichen Ausführungsformen kann als Material für die Schutzschicht 430 auch ein Material mit vergleichsweise günstigeren optischen Eigenschaften, insbesondere ein Material analog zu den Ausführungsformen von 1b, c (d.h. eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe) gewählt werden.
  • Was das Material der (wiederum analog zu 3a als „Verstärkerschicht“ bzw. zur Erhöhung der Reflektivität im relevanten Winkelbereich unter streifendem Einfall dienenden) zweiten Schicht 420 betrifft, so können hierfür in Anbetracht der durch die Schutzschicht 430 bereitgestellten Schutzwirkung gegenüber im Betrieb des optischen Systems auftretenden Kontaminationen auch vergleichsweise chemische reaktivere Materialien (z.B. reines Niob (Nb) oder reines Molybdän (Mo)) gewählt werden.
  • 4b dient zur Veranschaulichung der mit dem erfindungsgemäßen Aufbau von 4a erzielten Reflektivitätssteigerung, wobei in 4b wiederum die Differenz der jeweils erzielten Reflektivität zu derjenigen Reflektivität, welche im Falle einer reinen Ruthenium(Ru)-Schicht erzielt wird, in Abhängigkeit vom Winkel des einfallenden bzw. des reflektierten Strahls relativ zur reflektierenden Oberfläche aufgetragen ist. Dabei betragen in 4b die jeweiligen Schichtdicken für Ruthenium (Ru) 30nm, für Molybdän (Mo) 5nm, für Siliziumnitrid (Si3N4) 2nm, für Zirkon-Nitrid (ZrN) 2nm, für Molybdän-Nitrid (MoN) 3nm und für Molybdän-Borid (MoB) 3nm. Hierbei ist die 5nm dicke Mo-Schicht zwischen der ersten Schicht aus Ru (alternativ Mo oder Nb) der Dicke 30nm und der jeweiligen Deckschicht angeordnet.
  • 5a dient zur Erläuterung einer weiteren möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels. Dieser unterscheidet sich von der Ausführungsform von 4a insbesondere dadurch, dass auf die „Verstärkerschicht“ (zweite Schicht 420 aus 4a) verzichtet wird, so dass die Schutzschicht 530 unmittelbar auf der (als „Grundschicht“ dienenden) ersten Schicht 510 angeordnet ist. Die Ausführungsform von 5a ist insbesondere dann geeignet, wenn aufgrund vergleichsweise kleiner Werte für den maximalen Einfallswinkel oder geringer Anforderungen an die bereitzustellende Reflektivität auf eine zusätzliche Verstärkerschicht verzichtet werden kann.
  • Eine zu den vorstehenden Reflektivitätsverläufen von 3b bzw. 4b analoge Auftragung der im Vergleich zur Reflektivität von reinem Ruthenium (Ru) erzielten Reflexionsänderung ist für den in 5a gezeigten Schichtaufbau in 5b dargestellt. Hierbei betragen die jeweiligen Dicken für die entsprechenden Schichten für Ruthenium (Ru) 30nm, für Silizium-Nitrid (Si3N4) 2nm, für Zirkon-Nitrid (ZrN) 2nm, für Molybdän (Mo) 30nm, für Molybdän-Nitrid (MoN) 3nm und für Niob-Oxid (NbO2) 1nm.
  • 6 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Spiegels, wobei im Unterschied zum Aufbau von 4a auf die Grundschicht (d.h. die erste Schicht 410 im Spiegel von 4a) verzichtet wurde. Gemäß 6 ist somit die als „Verstärkerschicht“ dienende Schicht 620 unmittelbar auf dem Substrat 605 angeordnet, wobei die Schutzschicht 630 wiederum unmittelbar auf der als Verstärkerschicht dienenden Schicht 620 angeordnet ist. Hierbei wirkt das Substrat 605 seinerseits als „Grundschicht“ im o.g. Sinne (d.h. zur Einstellung eines geeigneten Grenzwinkels für die Totalreflexion) und ist im Ausführungsbeispiel aus Ruthenium (Ru) hergestellt.
  • 7 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines weiteren möglichen Aufbaus eines Spiegels, wobei hier eine Schutzschicht 730 unmittelbar auf einem Substrat 705 (welches wiederum analog zu 6 als „Grundschicht“ wirkt) angeordnet ist. Als Material für die Schutzschicht 730 können insbesondere die unter Bezugnahme auf 1b und 1c genannten Materialien (d.h. eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe) verwendet werden. Die Dicke der Schutzschicht 730 wird so gewählt, dass zum einen die erwünschte Schutzwirkung bzw. chemische Resistenz gegenüber im Betrieb des optischen Systems auftretenden Kontaminationen erzielt wird und zum anderen die Reflektivität im relevanten Winkelbereich für streifenden Einfall möglichst groß ist, wobei die Dicke der Schutzschicht 730 lediglich beispielhaft 2–3nm betragen kann. Als Material für das Substrat 705 können aufgrund der durch die Schutzschicht 730 bereitgestellten Schutzwirkung auch vergleichsweise chemisch reaktivere Elemente wie Molybdän (Mo) oder Niob (Nb) verwendet werden.
  • Hierbei sind die Reflektivitätsverläufe identisch zu denjenigen Ausführungsbeispielen, bei denen Ruthenium (Ru) als Grundschicht auf einem Substrat aus beliebigem Material aufgebracht ist (vgl. 4b und 5b).
  • Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
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  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2005/0279951 A1 [0006]
    • DE 102012202675 A1 [0042]

Claims (20)

  1. Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer optischen Wirkfläche, • wobei der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 0.5 besitzt; und • wobei der Spiegel wenigstens eine Schicht (160, 170, 320) aufweist, welche eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe aufweist.
  2. Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Element der 4d-Nebengruppe aus der Gruppe ausgewählt ist, die Molybdän (Mo), Niob (Nb) oder Zirkon (Zr) enthält.
  3. Spiegel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Element der zweiten Periode aus der Gruppe ausgewählt ist, die Beryllium (Be), Bor (B), Kohlenstoff (C), Stickstoff (N) oder Sauerstoff (O) enthält.
  4. Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel entweder ausschließlich diese Schicht (170) oder ausschließlich diese Schicht (160) sowie ein Substrat (170) aufweist.
  5. Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass diese Schicht als zweite Schicht (320) auf einer ersten Schicht (310) aus Ruthenium (Ru) angeordnet ist.
  6. Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer optischen Wirkfläche, • wobei der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 0.5 besitzt; und • wobei der Spiegel eine erste Schicht (210, 310, 410, 510, 605) aus einem ersten Material, welches Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh) oder Palladium (Pd) aufweist, und eine in Richtung der optischen Wirkfläche oberhalb dieser ersten Schicht (210, 310, 410, 510, 605) angeordnete zweite Schicht (220, 320, 420, 620) aufweist, welche aus einem zweiten Material besteht, das eine im Vergleich zum ersten Material geringere Absorption aufweist.
  7. Spiegel nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der zweiten Schicht (220, 620) Molybdän (Mo) oder eine Verbindung aus einem Element der zweiten Periode und einem Element der 4d-Nebengruppe aufweist.
  8. Spiegel nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Element der 4d-Nebengruppe aus der Gruppe ausgewählt ist, die Molybdän (Mo), Niob (Nb) oder Zirkon (Zr) enthält.
  9. Spiegel nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Element der zweiten Periode aus der Gruppe ausgewählt ist, die Beryllium (Be), Bor (B), Kohlenstoff (C), Stickstoff (N) oder Sauerstoff (O) enthält.
  10. Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieser eine in Richtung der optischen Wirkfläche zuoberst angeordnete Schutzschicht (430, 530, 630, 730) aufweist.
  11. Spiegel nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der jeweils in Richtung der optischen Wirkfläche unterhalb der Schutzschicht angeordneten Schicht (420, 510, 620, 705) im Vergleich zu dem Material der Schutzschicht (430, 530, 630, 730) eine geringere Absorption aufweist.
  12. Spiegel nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (430, 530, 630, 730) Siliziumnitrid (Si3N4), Siliziumcarbid (SiC) oder eine Verbindung mit einem Element der 3d-Nebengruppe, 4d-Nebengruppe oder der Lanthaniden aufweist.
  13. Spiegel nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (430, 530, 630, 730) eine Dicke von maximal 5nm aufweist.
  14. Spiegel nach einem der Ansprüche 6 bis 9 sowie einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht und die Schutzschicht jeweils einen solchen Dickenverlauf aufweisen, dass sich der Spiegel hinsichtlich der Abhängigkeit der Reflektivität vom Einfallswinkel um nicht mehr als 2%, insbesondere nicht mehr als 1%, weiter insbesondere nicht mehr als 0.5% von einem Spiegel unterscheidet, welcher nur die identisch ausgebildete erste Schicht, jedoch nicht die zweite Schicht und die Schutzschicht, aufweist.
  15. Spiegel nach einem der Ansprüche 6 bis 9 sowie einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine durch die Schutzschicht bewirkte Abnahme der Reflektivität durch die zweite Schicht zumindest teilweise kompensiert wird.
  16. Spiegel nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (730) unmittelbar auf einem Substrat (705) angeordnet ist.
  17. Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3 oder 5 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass dieser wenigstens eine Barriereschicht aufweist.
  18. Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Arbeitswellenlänge kleiner als 30nm ist, insbesondere im Bereich von 10nm bis 15nm liegt.
  19. Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass dieses wenigstens einen Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
  20. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs befindliche Maske beleuchtet und das Projektionsobjektiv Strukturen auf dieser Maske auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs befindliche lichtempfindliche Schicht abbildet, wobei die Projektionsbelichtungsanlage wenigstens einen Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 18 aufweist.
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KR1020167024835A KR102380961B1 (ko) 2014-03-13 2015-02-19 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 거울
PCT/EP2015/053471 WO2015135726A1 (en) 2014-03-13 2015-02-19 Mirror for a microlithographic projection exposure apparatus
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EP15709856.7A EP3117257A1 (de) 2014-03-13 2015-02-19 Spiegel für vorrichtung zur belichtung von mikrolithographischer projektion
TW104107877A TWI659224B (zh) 2014-03-13 2015-03-12 反射鏡，尤其用於微影投影曝光裝置
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016212373A1 (de) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017208302A1 (de) * 2017-05-17 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Substrats und Substrat

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015213253A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102016212361A1 (de) * 2016-07-06 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Gitter und optische Anordnung damit
DE102017200667A1 (de) * 2017-01-17 2018-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem
WO2019003284A1 (ja) 2017-06-26 2019-01-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
NL2022644A (en) 2018-03-05 2019-09-10 Asml Netherlands Bv Prolonging optical element lifetime in an euv lithography system
DE102021214366A1 (de) 2021-12-15 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Degradation einer optischen Nutzoberfläche eines Spiegelmoduls, Projektionssystem, Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1150139A2 (de) * 2000-03-31 2001-10-31 Carl Zeiss Mehrschichtsystem mit Schutzschichtsystem und Herstellungsverfahren
US20050279951A1 (en) 2004-06-04 2005-12-22 Asml Netherlands B.V. Grazing incidence mirror, lithographic apparatus including a grazing incidence mirror, method for providing a grazing incidence mirror, method for enhancing EUV reflection of a grazing incidence mirror, device manufacturing method and device manufactured thereby
US20110149262A1 (en) * 2008-08-28 2011-06-23 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter and lithographic apparatus
DE102011075579A1 (de) * 2011-05-10 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel
DE102012202675A1 (de) 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303756A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Sony Corp 極短紫外光の反射体
JP2005268359A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Nikon Corp ミラー及び照明光学装置
DE102005017262B3 (de) * 2005-04-12 2006-10-12 Xtreme Technologies Gmbh Kollektorspiegel für plasmabasierte kurzwellige Strahlungsquellen
US8194322B2 (en) * 2007-04-23 2012-06-05 Nikon Corporation Multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, device manufacturing method, and manufacturing method of multilayer-film reflective mirror
EP2622609A1 (de) * 2010-09-27 2013-08-07 Carl Zeiss SMT GmbH Spiegel, projektionsobjektiv mit derartigem spiegel, und projektionsbelichtungsvorrichtung für mikrolithografie mit einem derartigen projektionsobjektiv
DE102011083461A1 (de) * 2011-09-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer Deckschicht aus Siliziumoxid an einem EUV-Spiegel
DE102012202057B4 (de) * 2012-02-10 2021-07-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1150139A2 (de) * 2000-03-31 2001-10-31 Carl Zeiss Mehrschichtsystem mit Schutzschichtsystem und Herstellungsverfahren
US20050279951A1 (en) 2004-06-04 2005-12-22 Asml Netherlands B.V. Grazing incidence mirror, lithographic apparatus including a grazing incidence mirror, method for providing a grazing incidence mirror, method for enhancing EUV reflection of a grazing incidence mirror, device manufacturing method and device manufactured thereby
US20110149262A1 (en) * 2008-08-28 2011-06-23 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter and lithographic apparatus
DE102011075579A1 (de) * 2011-05-10 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel
DE102012202675A1 (de) 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016212373A1 (de) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2018007081A1 (en) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
US10520827B2 (en) 2016-07-07 2019-12-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102017208302A1 (de) * 2017-05-17 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Substrats und Substrat

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US10061204B2 (en) 2018-08-28
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TW201546478A (zh) 2015-12-16

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