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HINTERGRUND
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Während der Herstellung von Halbleitervorrichtungen auf einem Wafer wird chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) ausgeführt, um Oberflächen des Wafers mittels chemischer und/oder mechanischer Kräfte zu glätten. Der Wafer kann beispielsweise poliert werden, um den Wafer für eine neue Materialschicht vorzubereiten. In einem Beispiel von Polieren kann der Wafer an einem Polierkopf befestigt werden, der so konfiguriert ist, dass er den Wafer hält und dreht (z.B. kann Vakuumdruck verwendet werden, um den Wafer an dem Polierkopf zu befestigen). Der Polierkopf kann eine Kraft auf den Wafer hin zu einem Polierkissen während des Polierens ausüben. Der Polierkopf kann den Wafer gegen das Polierkissen drehen, das sich auch drehen kann, um eine mechanische Kraft auf den Wafer anzuwenden, um Material zu entfernen und/oder eine ungleichförmige Topographie des Wafers zu glätten, als Beispiel. In einem Beispiel können Chemikalien, etwa Schlämme (z.B. Kolloid) während des Polierens auf das Polierkissen angewendet werden, um als Lösungsmittel zu dienen, die dazu beitragen, dass Nicht-Gleichförmigkeiten auf der Oberfläche des Wafers verringert werden. Die
US 2012/0276814 A1 betrifft ein computerimplementiertes Verfahren zum Erzeugen von Referenzspektren und beinhaltet Informationen über das Polieren einer Vielzahl von Aufbausubstraten.
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Figurenliste
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Die Erfindung wird durch die unabhängigen Ansprüche definiert. Die abhängigen Ansprüche betreffen entsprechende Weiterbildungen. Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Man beachte, dass in Übereinstimmung mit dem üblichen Vorgehen in der Branche verschiedene Einrichtungen nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Einrichtungen zur Klarheit der Beschreibung beliebig vergrößert oder verkleinert sein.
- 1 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Ausführen einer chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) zeigt in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
- 2 ist eine Abbildung zum Ausführen von CMP in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
- 3 ist eine Abbildung zum Ausführen von CMP in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
- 4 ist eine Abbildung zum Ausführen von CMP in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
- 5 ist eine Abbildung einer Vorrichtung zum Ausführen von CMP in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele vor, um verschiedene Einrichtungen der Erfindung zu implementieren. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen.
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Es ist hier mindestens eines von einem oder mehreren Verfahren zum Ausführen von chemisch-mechanischer Planarisierung (CMP) oder einem oder mehreren Systemen für CMP vorgesehen.
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Ein Verfahren 100 zum Ausführen von chemisch-mechanischer Planarisierung (CMP) ist in 1 gezeigt und das Ausführen von CMP in verschiedenen Herstellungsstufen ist in 2-4 gezeigt. Gemäß einigen Ausführungsformen, wie sie in 5 gezeigt sind, umfasst eine chemische CMP-Vorrichtung 300 einen Polierkopf 306, der so konfiguriert ist, dass er einen Wafer 222 planarisiert oder poliert und den Wafer 222 glättet, indem er Material von dem Wafer 222 mittels chemischer und/oder mechanischer Kräfte entfernt. In einigen Ausführungsformen übt der Polierkopf 306 eine Kraft auf den Wafer 222 hin zu einem Polierkissen 326 aus und dreht sich, so dass eine Drehung auftritt, wenn der Polierkopf 306, und damit der Wafer 222, der mit dem Polierkopf 306 verbunden ist, eine 360°-Drehung ausführt. In einigen Ausführungsformen wird eine Dicke eines ersten Materials 204, das in 2-4 gezeigt ist, zwischen aufeinander folgenden Drehungen des Polierkopfs 306 erhalten, indem ein spektroskopisches Signal verwendet wird, so dass sobald eine angestrebte Dicke erreicht wurde, ein Befehl die CMP-Verarbeitung durch die CMP-Vorrichtung 300 stoppt. In einigen Ausführungsformen vergrößert das Erhalten der Dicke des ersten Materials 204 zwischen aufeinander folgenden Drehungen des Polierkopfs 306, und damit des Wafers 222, der an dem Polierkopf befestigt ist, die Empfindlichkeit des CMPs, so dass die Dicke des ersten Materials 204 mit einer größeren Genauigkeit und Präzision verringert wird, verglichen mit Systemen und Verfahren, die die Dicke von einem oder mehreren Materialien zwischen aufeinander folgenden Drehungen des Polierkopfs 306 und somit des Wafers, der daran befestigt ist, nicht messen.
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Bei 102 wird eine anfängliche Dicke 205 und 208a eines ersten Materials 204 mittels eines anfänglichen spektroskopischen Signals erhalten, wie in 2 gezeigt ist. In einigen Ausführungsformen entspricht die anfängliche Dicke 205 und 208a des ersten Materials 204 einer Dicke des ersten Materials 204 zu einem anfänglichen Zeitpunkt. In einigen Ausführungsformen wird die anfängliche Dicke 205 und 208a von einer oberen Fläche 220 eines Grates 202 zu einer oberen Fläche des ersten Materials 204 gemessen. In einigen Ausführungsformen wird die anfängliche Dicke 205 und 208a von einer unteren Fläche 224 des Grates 202 zu einer oberen Fläche des ersten Materials 204 gemessen. In einigen Ausführungsformen liegt das erste Material 204 über dem Grat 202 und der Grat 202 umfasst Silizium. In einigen Ausführungsformen umfasst das erste Material 204 eine oder mehrere Schichten von Materialien, etwa ein Oxidschicht über einer Kupferschicht. In einigen Ausführungsformen werden das erste Material 204 und der Grat 202 auf oder von einem Wafer 222 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen erhält ein System 230 zum Ausführen von CMP die Dicke des ersten Materials 204 und stellt Befehle bereit, um entweder das CMP des ersten Materials 204 zu stoppen oder die Dicke des ersten Materials 204 durch CMP weiter zu verringern. In einigen Ausführungsformen umfasst das System 230 eine Emitterkomponente 232, eine Detektorkomponente 234, eine spektroskopische Signalerzeugungskomponente 236, eine Vergleicherkomponente 240, eine Spektrenbibliothek-Komponente 242, eine Steuerkomponente 244 und eine CMP-Vorrichtung 300, etwa die CMP-Vorrichtung 300, die in 5 gezeigt ist. In einigen Ausführungsformen ist der Emitter 232 so konfiguriert, dass er ein optisches Signal auf das erste Material 204 überträgt. In einigen Ausführungsformen sendet der Emitter 232 ein anfängliches optisches Signal 212a und das anfängliche optische Signal 212a wird auf das erste Material 204 übertragen. In einigen Ausführungsformen wird ein anfängliches geändertes optisches Signal 214a durch den Detektor 234 erfasst. In einigen Ausführungsformen ist der Detektor 234 so konfiguriert, dass er ein geändertes optisches Signal erfasst. In einigen Ausführungsformen wird das anfängliche optische Signal 212a auf Grundlage der Wechselwirkung mit dem ersten Material 204 geändert, so dass das anfängliche optische Signal 212a in das anfängliche geänderte optische Signal 214a transformiert wird, indem es mit dem ersten Material 204 wechselwirkt. In einigen Ausführungsformen umfasst der Emitter 232 und/oder der Detektor 234 ein Fenster, durch das ein optisches Signal, etwa Licht, wandern kann. In einigen Ausführungsformen ist das Fenster in dem Polierkissen 326 enthalten. In einigen Ausführungsformen sendet der Detektor 234 das anfängliche geänderte optische Signal 214a zu dem spektroskopischen Signalgenerator 236. In einigen Ausführungsformen ist der spektroskopische Signalgenerator 236 so konfiguriert, dass er ein spektrales Signal auf Grundlage des geänderten optischen Signals erzeugt. In einigen Ausführungsformen erzeugt der spektroskopische Signalgenerator 236 ein anfängliches spektroskopisches Signal 238a, das eine Intensität des anfänglichen spektroskopischen Signals 238a und die Änderung des anfänglichen optischen Signals 212a auf Grundlage der Wechselwirkung mit dem ersten Material 204 bei verschiedenen Wellenlängen umfasst. In einigen Ausführungsformen umfasst das anfängliche spektroskopische Signal 238a einen Wellenlängenbereich zwischen etwa 400 nm und etwa 800 nm. In einigen Ausführungsformen umfasst das anfängliche spektroskopische Signal 238a einen Hintergrund, der ein mit Rauschen verknüpftes spektroskopisches Signal umfasst, das zu einem oder mehreren Materialien unter dem ersten Material 204 gehört, etwa dem Grat 202, so dass das erste mit Rauschen verknüpfte spektroskopische Signal einen Filter umfasst, um spätere erzeugte spektroskopische Signale zu filtern. In einigen Ausführungsformen entfernt das mit Rauschen verknüpfte spektroskopische Signal spektroskopische Signale, die nicht zu dem ersten Material 204 gehören, von später erzeugten spektroskopischen Signalen. In einigen Ausführungsformen umfasst das Erhalten der anfänglichen Dicke 205 und 208a oder 205 und 206a zum anfänglichen Zeitpunkt das Vergleichen des anfänglichen spektroskopischen Signals 238a mit der Spektrenbibliothek 242 oder genauer mit einem oder mehreren Signalen, die in der Bibliothek 242 gespeichert sind, die zu bekannten Materialdicken gehören. In einigen Ausführungsformen wird das anfängliche spektroskopische Signal 238a mit der Spektrenbibliothek 242 durch den Vergleicher 240 verglichen. In einigen Ausführungsformen ist der Vergleicher 240 so konfiguriert, dass er das spektrale Signal mit einer Spektrenbibliothek 242 vergleicht, um eine Dicke des ersten Materials 204 zu ermitteln. In einigen Ausführungsformen umfasst das anfängliche optische Signal 212a mehrere optische Signale, so dass der Detektor 234 mehrere anfängliche geänderte optische Signale 214a erfasst, so dass das anfängliche spektroskopische Signal 238a ein Durchschnitt von mehreren anfänglichen geänderten optischen Signalen 214a ist. In einigen Ausführungsformen umfasst die Spektrenbibliothek 242 spektrale Signale, von denen bekannt ist, dass sie zu einer Dicke eines bestimmten Materials gehören, so dass eine erste Wellenform bei einer ersten Intensität zu einer bestimmten Dicke des bestimmten Materials gehört.
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Bei 104 stellt das System 230 einen anfänglichen Befehl über die Steuerung 244 bereit, um CMP auf das erste Material 204 anzuwenden, so dass nachdem das CMP angewendet wurde, das erste Material 204 eine erste Dicke 208a oder 206a aufweist, wie in 3 gezeigt ist, gemäß einigen Ausführungsformen. In einigen Ausführungsformen ist die Steuerung 244 so konfiguriert, dass sie eine Dicke des ersten Materials 204 mit einer angestrebten Dicke vergleicht und die CMP-Vorrichtung 300 so steuert, dass die Dicke des ersten Materials 204 angepasst wird. In einigen Ausführungsformen umfasst das CMP zum ersten Zeitpunkt das Ausführen von CMP für einen vorbestimmten Verkleinerungszeitraum. In einigen Ausführungsformen stützt sich der Verkleinerungszeitraum auf eine Entfernungsrate, die zu dem CMP gehört. In einigen Ausführungsformen wird die Entfernungsrate ermittelt, indem eine Rate ermittelt wird, bei der das CMP ein bestimmtes Material entfernt, und dann die Entfernungsrate mit einer angestrebten Dicke korreliert, so dass ein längerer Verkleinerungszeitraum mehr Material entfernt und ein kürzerer Verkleinerungszeitraum weniger Material entfernt.
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Bei 106 wird die erste Dicke 208a oder 206a des ersten Materials 204 mittels eines ersten spektroskopischen Signals 238b erhalten, wie in 3 gezeigt ist, gemäß einigen Ausführungsformen. In einigen Ausführungsformen gehört die erste Dicke 208a oder 206a des ersten Materials 204 zu einer Dicke des ersten Materials 204 zu einem ersten Zeitpunkt, dem ersten Zeitpunkt nach dem anfänglichen Zeitpunkt. In einigen Ausführungsformen wird die erste Dicke 206a von der oberen Fläche 220 des Grates 202 zu einer oberen Fläche des ersten Materials 204 gemessen. In einigen Ausführungsformen wir die erste Dicke 208a von der unteren Fläche 224 des Grates 202 zu einer oberen Fläche des ersten Materials 204 gemessen. In einigen Ausführungsformen sendet der Emitter 232 ein erstes optisches Signal 212b und das erste optische Signal 212b wird auf das erste Material 204 übertragen. In einigen Ausführungsformen wird ein erstes geändertes optisches Signal 214b durch den Detektor 234 erfasst. In einigen Ausführungsformen wird das erste optische Signal 212b auf Grundlage der Wechselwirkung mit dem ersten Material 204 geändert, so dass das erste optische Signal 212b in das erste geänderte optische Signal 214b transformiert wird, indem es mit dem ersten Material 204 wechselwirkt. In einigen Ausführungsformen sendet der Detektor 234 das erste geänderte optische Signal 214b zu dem spektroskopischen Signalgenerator 236, der ein erstes spektroskopisches Signal 238b auf Grundlage des ersten geänderten optischen Signals 214b ausgibt. In einigen Ausführungsformen wir das erste mit Rauschen verknüpfte spektroskopische Signal von dem ersten spektroskopischen Signal subtrahiert, so dass das erste mit Rauschen verknüpfte spektroskopische Signal Teile des ersten spektroskopischen Signals 238b entfernt, die nicht zu dem ersten Material 204 gehören. In einigen Ausführungsformen umfasst das erste optische Signal 212b mehrere optische Signale, so dass der Detektor 234 mehrere erste geänderte optische Signale 214b erfasst, so dass das erste spektroskopische Signal 238b ein Durchschnitt von mehreren ersten geänderten optischen Signalen 214b ist. In einigen Ausführungsformen umfasst das Erhalten der ersten Dicke 208a oder 206a zum ersten Zeitpunkt das Vergleichen des ersten spektroskopischen Signals 238b mit der Spektrenbibliothek 242. In einigen Ausführungsformen wird das erste spektroskopische Signal 238b mit der Spektrenbibliothek 242 durch den Vergleicher 240 verglichen, um die erste Dicke 208a oder 206a zu erhalten.
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Bei 108 vergleicht das System 230 die erste Dicke 208a oder 206a mit einer angestrebten Dicke des ersten Materials 204, wie in 3 gezeigt ist, gemäß einigen Ausführungsformen. In einigen Ausführungsformen wird, wenn die erste Dicke 208a oder 206a gleich der angestrebten Dicke ist, kein weiteres erstes Material 204 entfernt.
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Bei 110 stellt das System 230 über die Steuerung 244, in Antwort darauf, dass die erste Dicke 208a oder 206a nicht der angestrebten Dicke entspricht, einen ersten Befehl an die CMP-Vorrichtung 300 bereit, um eine erste Verkleinerung auszuführen, wobei die erste Verkleinerung während einer ersten Drehung des Polierkopfes 306 auftritt, wie in 5 gezeigt ist, so dass nachdem die erste Verkleinerung ausgeführt wurde, das erste Material 204 eine zweite Dicke 208b oder 206b hat, wie in 4 gezeigt ist, gemäß einigen Ausführungsformen. In einigen Ausführungsformen passt der erste Befehl eine Drehgeschwindigkeit eines Polierkissens 326 und/oder eines Polierkopfes 306, die zu dem CMP gehören, wie in 5 gezeigt ist, und/oder eines Drucks, der zu dem Polierkissen 326 und/oder dem Polierkopf 306 gehört, und/oder einer Zusammensetzung eines Schlamms 324, die zu dem CMP gehört, und/oder einer Flussrate, die zu dem Schlamm 324 gehört, an, um eine Menge des ersten Materials 204 zu vergrößern oder zu verkleinern, die entfernt wird. In einigen Ausführungsformen ist der erste Befehl auf den Unterschied zwischen der ersten Dicke 208a oder 206a und der angestrebten Dicke eingestellt. In einigen Ausführungsformen vergrößert, wenn der Unterschied zwischen der ersten Dicke 208a oder 206a und der angestrebten Dicke groß ist, etwa zwischen etwa 10 nm und etwa 20 nm, der erste Befehl eine Menge an Material, die durch die erste Drehung entfernt wird. In einigen Ausführungsformen verringert, wenn der Unterschied zwischen der ersten Dicke 208a oder 206a und der angestrebten Dicke klein ist, etwa zwischen etwa 0,05 nm und etwa 10 nm, der erste Befehl eine Menge an Material, die durch die erste Drehung entfernt wird. In einigen Ausführungsformen ist der Druck, der zu dem Polierkissen 326 oder dem Polierkopf 306 gehört, eine relative Kraft, die auf den Wafer 222 ausgeübt wird, so dass das Polierkissen 326 den Wafer stärker oder schwächer berührt. In einigen Ausführungsformen vergrößert das Erhöhen der Drehgeschwindigkeit des Polierkissens 326 und/oder des Polierkopfes 305 die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird, und das Verringern der Drehgeschwindigkeit des Polierkissens 326 und/oder des Polierkopfes 306 verringert die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird. In einigen Ausführungsformen vergrößert die Erhöhung des Drucks des Polierkissens 326 und/oder des Polierkopfes 306 die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird und die Verringerung des Drucks des Polierkissens 326 und/oder des Polierkopfes 306 verringert die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird. In einigen Ausführungsformen vergrößert eine Erhöhung einer Partikeldichte der Zusammensetzung des Schlammes 324 die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird, und die Verringerung der Partikeldichte der Zusammensetzung des Schlammes 324 verringert die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird. In einigen Ausführungsformen vergrößert die Flussrate des Schlammes 324 die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird, und die Verringerung der Flussrate des Schlammes 324 verringert die Menge an erstem Material 204, die während einer Drehung entfernt wird.
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Bei 112 wird die zweite Dicke 208b oder 206b des ersten Materials 204 mittels eines zweiten spektroskopischen Signals 238c erhalten, wie in 4 gezeigt ist, gemäß einigen Ausführungsformen. In einigen Ausführungsformen entspricht die zweite Dicke 208b oder 206b des ersten Materials 204 einer Dicke des ersten Materials 204 zu einem zweiten Zeitpunkt, wobei der zweite Zeitpunkt nach dem ersten Zeitpunkt ist. In einigen Ausführungsformen wird die zweite Dicke 206b von der oberen Fläche 220 des Grates 202 zu einer oberen Fläche des ersten Materials 204 gemessen. In einigen Ausführungsformen wird die zweite Dicke 208b von der unteren Fläche 224 des Grates 202 zu der oberen Fläche des ersten Materials 204 gemessen. In einigen Ausführungsformen sendet der Emitter 232 ein zweites optisches Signal 212c und das zweite optische Signal 212c wird auf das erste Material 204 übertragen. In einigen Ausführungsformen wird ein zweites geändertes optisches Signal 214c von dem Detektor 234 erfasst. In einigen Ausführungsformen wird das zweite optische Signal 212c auf Grundlage der Wechselwirkung mit dem ersten Material 204 geändert, so dass das zweite optische Signal 212c in das zweite geänderte optische Signal 214c transformiert wird, indem es mit dem ersten Material wechselwirkt. In einigen Ausführungsformen sendet der Detektor 234 das zweite geänderte optische Signal 214c zu dem spektroskopischen Signalgenerator 236, der ein zweites spektroskopisches Signal 238c auf Grundlage des zweiten geänderten optischen Signals 214c ausgibt. In einigen Ausführungsformen wird das erste mit Rauschen verknüpfte spektroskopische Signal von dem zweiten spektroskopischen Signal subtrahiert, so dass das erste mit Rauschen verknüpfte spektroskopische Signal Teile des zweiten spektroskopischen Signals 238c entfernt, die nicht zu dem ersten Material 204 gehören. In einigen Ausführungsformen umfasst das zweite optische Signal 212c mehrere optische Signale, so dass der Detektor 234 mehrere geänderte optische Signale 214c empfängt, so dass das zweite spektroskopische Signal 238c ein Durchschnitt von mehreren zweiten geänderten optischen Signalen 214c ist. In einigen Ausführungsformen umfasst das Erhalten der zweiten Dicke 208b oder 206b zum zweiten Zeitpunkt das Vergleichen des zweiten spektroskopischen Signals 238c mit der Spektrenbibliothek 242. In einigen Ausführungsformen wird das zweite spektroskopische Signal 238c mit der Spektrenbibliothek 242 durch den Vergleicher 240 verglichen, um die zweite Dicke 208b oder 206b zu erhalten. In einigen Ausführungsformen stellt das System 230, über die Steuerung 244, in Antwort darauf, dass die zweite Dicke 208b oder 206b nicht der angestrebten Dicke entspricht, der CMP-Vorrichtung 300 einen zweiten Befehl bereit, um eine zweite Verkleinerung auszuführen, wobei die zweite Verkleinerung während einer zweiten Drehung des Polierkopfes 306 geschieht. In einigen Ausführungsformen wird das Verfahren 108-112 nach Bedarf wiederholt, auf einer Drehung-Messung, Drehung-Messungs-Basis etc., bis die Dicke des ersten Materials 204 der angestrebten Dicke entspricht.
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5 zeigt ein Beispiel der CMP-Vorrichtung 300, die den Polierkopf 306 umfasst, der so konfiguriert ist, dass er den Wafer 222 planarisiert oder poliert. In einigen Ausführungsformen umfasst der Polierkopf 306 ein Gehäuse 308. In einigen Ausführungsformen ist das Gehäuse 308 so konfiguriert, dass es Druck auf den Polierkopf 306 ausübt, um den Wafer 222 an einem Halteteil 330 (z.B. über Vakuum) zu befestigen und Druck auf den Wafer 222 hin zu einem Polierkissen 326 auszuüben. In einigen Ausführungsformen übt eine Antriebswelle 302 eine Drehkraft über eine Spindel 304 auf das Gehäuse 308 aus, um das Gehäuse 308 zu drehen. In einigen Ausführungsformen wird die Drehkraft von dem Gehäuse 308 auf die Haltevorrichtung 330 übertragen, so dass die Haltevorrichtung 330 den Wafer 222 gegen das Polierkissen 326 dreht, wobei der Wafer 222 in einigen Ausführungsformen an der Haltevorrichtung über Vakuum befestigt ist. In einigen Ausführungsformen dreht während dem Polieren eine Platte 328 das Polierkissen 326 gegen den Wafer 222. In einigen Ausführungsformen führt die Drehbewegung des Polierkissens 326 gegen den sich drehenden Wafer 222 auf dem Polierkopf 306 zu einer mechanischen Kraft, die Material von dem Wafer 222 entfernt. In einigen Ausführungsformen wird Schlamm 324 zu dem Polierkissen 326 hinzugefügt, um zum Entfernen des Materials beizutragen.
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In einigen Ausführungsformen erhöht das Verfahren 100, das das Erhalten der Dicke des ersten Materials 204 zwischen aufeinander folgende Drehungen des Polierkopfes 306 und somit des Wafers 222, der daran befestigt ist, umfasst, die Empfindlichkeit des CMP, so dass die Dicke des ersten Materials 204 mit einer größeren Genauigkeit und Präzision verkleinert wird, verglichen mit einem Verfahren, das die Materialdicke zwischen aufeinander folgende Drehungen des Polierkopfes 306 nicht misst.
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Gemäß einigen Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zum Ausführen von chemisch-mechanischen Planarisieren (CMP) das Erhalten einer Dicke eines ersten Materials der Halbleitervorrichtung zu einem ersten Zeitpunkt mittels eines ersten spektroskopischen Signals, wobei die Dicke des ersten Materials einer ersten Dicke zu dem ersten Zeitpunkt entspricht. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung weiter das Vergleichen der ersten Dicke mit einer angestrebten Dicke des ersten Materials und in Antwort darauf, dass die erste Dicke nicht der angestrebten Dicke entspricht, das Bereitstellen eines ersten Befehls, um eine erste Verkleinerung der Dicke des ersten Materials auszuführen, indem ein chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP) auf das erste Material angewendet wird, so dass die Dicke des ersten Materials einer zweiten Dicke zu einem zweiten Zeitpunkt nach dem ersten Zeitpunkt entspricht, wobei die erste Verkleinerung während einer ersten Drehung auftritt, die mit dem CMP verbunden ist. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung weiter das Erhalten, bevor ein zweiter Befehl bereitgestellt wird, um eine zweite Drehung auszuführen, die mit dem CMP verbunden ist, der Dicke des ersten Materials mittels eines zweiten spektroskopischen Signals, um die zweite Dicke zu ermitteln.
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Gemäß einigen Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zum Ausführen von chemisch-mechanischer Planarisierung (CMP) das Erhalten einer Dicke eines ersten Materials der Halbleitervorrichtung zu einem anfänglichen Zeitpunkt mittels eines anfänglichen spektroskopischen Signals, wobei die Dicke des ersten Materials zu dem anfänglichen Zeitpunkt einer anfänglichen Dicke des ersten Materials entspricht, und das Bereitstellen eines anfänglichen Befehls, um eine anfängliche Verkleinerung der Dicke des ersten Materials auszuführen, indem chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) auf das erste Material angewendet wird, so dass die Dicke des ersten Materials einer ersten Dicke an einem ersten Zeitpunkt nach dem anfänglichen Zeitpunkt entspricht. In einigen Ausführungsformen tritt die anfängliche Verkleinerung während eines Verkleinerungszeitraums auf, der zu dem CMP gehört. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung weiter das Erhalten, bevor eine erste Drehung ausgeführt wird, die mit dem CMP verbunden ist, der Dicke des ersten Materials mittels eines ersten spektroskopischen Signals, um die erste Dicke zu ermitteln, und das Vergleichen der ersten Dicke mit einer angestrebten Dicke des ersten Materials. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung weiter, in Antwort darauf, dass die erste Dicke nicht der angestrebten Dicke entspricht, das Bereitstellen eines ersten Befehls, um eine erste Verkleinerung der Dicke des ersten Materials auszuführen, indem das CMP auf das erste Material übertragen wird, so dass die Dicke des ersten Materials einer zweiten Dicke zu einem zweiten Zeitpunkt nach dem ersten Zeitpunkt entspricht. In einigen Ausführungsformen tritt die erste Verkleinerung während einer ersten Drehung auf, die mit dem CMP verbunden ist. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung weiter das Erhalten, bevor ein zweiter Befehl bereitgestellt wird, um eine zweite Drehung auszuführen, die mit dem CMP verbunden ist, der Dicke des ersten Materials mittels eines zweiten spektroskopischen Signals, um die zweite Dicke zu ermitteln.
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Gemäß einigen Ausführungsformen umfasst ein System zum Ausführen von chemisch-mechanischer Planarisierung (CMP) eine Emitterkomponente, die so konfiguriert ist, dass sie ein optisches Signal auf ein erstes Material der Halbleitervorrichtung überträgt, und eine Detektorkomponente, die so konfiguriert ist, dass sie ein geändertes optisches Signal von dem ersten Material erfasst, wobei das optische Signal auf Grundlage einer Wechselwirkung mit dem ersten Material geändert ist, um das geänderte optische Signal zu erzeugen. In einigen Ausführungsformen ist eine spektrale Signalerzeugungskomponente so konfiguriert, dass sie ein spektrales Signal auf Grundlage des geänderten optischen Signals erzeugt, und eine Vergleicherkomponente ist so konfiguriert, dass sie das spektrale Signal mit einer Spektrenbibliothek vergleicht, um eine Dicke des ersten Materials zu ermitteln.
