DE102014101530A1

DE102014101530A1 - Halbleiterlaser und geätzte-Facetten integrierte Vorrichtungen, welche H-förmige Fenster haben

Info

Publication number: DE102014101530A1
Application number: DE102014101530.4A
Authority: DE
Inventors: Ruiyu Fang; Giammarco Rossi; Alessandro Stano; Paola-Ida Gotta; Roberto Paoletti; Giancarlo Meneghini; Giuliana Morello; Pietro Della Casa
Original assignee: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Current assignee: Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date: 2013-02-07
Filing date: 2014-02-07
Publication date: 2014-08-07
Anticipated expiration: 2034-02-08
Also published as: US8982921B2; US20140219305A1; DE102014101530B4

Abstract

Eine kantenemittierende optische Halbleiterstruktur hat ein Substrat, eine aktive Mehrfach-Quantentopf (MQW) Region, welche auf dem Substrat ausgebildet ist, und einen Rippenwellenleiter hat, welcher sich zwischen ersten und zweiten geätzten Endfacetten erstreckt. Die erste geätzte Endfacette ist in einem ersten Fenster angeordnet, während die zweite geätzte Endfacette in einem zweiten Fenster angeordnet ist. Die erste geätzte Endfacette erstreckt sich zwischen einem Paar Alkoven im ersten Fenster und die zweite geätzte Endfacette erstreckt sich zwischen einem Paar Alkoven im zweiten Fenster. Eine integrierte Vorrichtung, in welcher zwei solche Strukturen bereitgestellt werden, hat ein H-förmiges Fenster, wo die beiden Strukturen aneinander angrenzen. Die Strukturen können unter Verwendung eines Prozesses hergestellt werden, welcher eine erste Maske, um den Rippenwellenleiter auszubilden, und dann eine zweite Maske und einen Ätzprozess involviert, um die Fenster auszubilden.

Description

Hintergrund
Optische Transceiver sind Schlüsselkomponenten in optischen faserbasierten Telekommunikationen und Datenkommunikationsnetzwerken. Ein optischer Transceiver beinhaltet eine opto-elektronische Lichtquelle, wie beispielsweise einen Laser, und einen opto-elektronischen Licht-Transceiver, wie beispielsweise eine Photodiode, und mag ferner verschiedene elektronische Schaltungen, welche mit dem Laser und der Photodiode assoziiert sind, beinhalten. Zum Beispiel können Treiberschaltungen zum Treiben des Lasers in Reaktion auf elektrische Signale, welche von dem elektronischen System empfangen werden, beinhaltet sein. Empfängerschaltungen können zum Prozessieren der Signale beinhaltet sein, welche mittels der Photodiode erzeugt werden, und um Ausgangssignale zu dem elektronischen System bereitzustellen. Optische Linsen sind gewöhnlich ebenfalls eingeschlossen.
Im Allgemeinen gibt es zwei Typen von Halbleiter-Laservorrichtungen: kantenemittierende Laser (edge emitting lasers) und oberflächenemittierende Laser (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers; VCSELs). Ein Vorteil von VCSELs ist, dass sie eher auf Wafer-Ebene als auf Chip-Ebene ökonomisch getestet werden können. Ein anderer Vorteil von VCSELs ist ihre gut definierte Spotgröße, welche eine hohe Einkoppeleffizienz in optische Fasern begünstigt, ohne die Notwendigkeit eine Strahlformkorrektur bereitzustellen, wodurch ein ökonomisches Häusen (packaging) ermöglicht wird. Kantenemittierende Laser haben ebenfalls Vorteile, wie eine robuste Betriebssicherheit und eine hohe optische Ausgangleistung. Wahrscheinlich wegen dieser Gründe sind kantenemittierende Laser weiterhin die am häufigsten verwendeten Halbleiterlaser in highspeed optischen Transceivern. Um kantenemittierende Laser zu testen, muss ein Wafer zum Einzelchiptest geritzt (scribed) und zerteilt (cleaved) werden. Das heißt, die Wafer müssen in Streifen (bars) geteilt, mit hochreflektierenden (HR) oder anti-reflektierenden (AR) Beschichtung beschichtet und dann in einzelne Chips geteilt werden, um getestet und selektiert zu werden. Der Prozess des Testens von kantenemittierenden Lasern kann daher relativ unökonomisch sein.
Ein Weg, um die Kosten von kantenemittierenden Laserchips zu senken, involviert einen Prozess, welcher gewöhnlich als geätzte-Facette (etched facet) bezeichnet wird. In einem geätzte-Facette Laser sind die Rückkoppelspiegel eher geätzte Facetten als zerteilte Facetten. Geätzte Facetten ermöglichen ein Beschichten der Facetten mit hochreflektierenden oder alternativ antireflexive Schichten eher auf Waferebene als auf Streifenebene (vgl. zum Beispiel Peter Vettiger et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, Bd. 27(6), Juni 1991, S. 1319). Ein spiegelähnliches Ätzprofil ist notwendig, um Reflektionsverluste zu minimieren und eine einheitliche Beschichtungsdicke bereitzustellen.
Kantenemittierende Laser können entweder eine Rippenwellenleiter-Struktur (ridge waveguide structure) oder eine vergrabener-Wellenleiter-Struktur (buried waveguide structure) haben. Der Herstellungsprozess einer Rippenwellenleiter-Struktur ist weniger komplex als der Herstellungsprozess einer vergrabener-Wellenleiter-Struktur. Für ungekühlte Laser werden die Schichten des aktiven Kerns gewöhnlich aus aluminiumaufweisenden Mehrfach-Quantentopf (multiple quantum well, MQW) Schichten gemacht. In solchen Lasern ist eine Rippenwellenleiter-Struktur vorteilhafter als eine vergrabener-Wellenleiter-Struktur, weil eine Rippenwellenleiter-Struktur keine geätzte MQW-Region hat oder nicht unter Aluminiumoxidation leidet.
Die Facetten in einem geätzte-Facetten Laser werden gewöhnlich mittels eines induktiv gekoppelten Plasma (inductively coupled plasma, ICP) Prozess unter Verwendung einer Schutzmaske geätzt. Dieser Prozess wird nach der Formation des Wellenleiters ausgeführt. Jedoch bewirkt die Präsenz der Rippe in solch einer Rippenwellenleiter-Struktur zwei Hauptprobleme beim Herstellen solch eines Lasers: Facettenqualität und Facettenbeschichtung.
Bezüglich des Punktes der Facettenqualität beim Herstellen von Rippenwellenleiter Lasern ist es fast unmöglich ein glattes spiegelähnliches Ätzprofil an einer Rippenwellenleiter-Struktur zu haben, weil die Ätzmaske des ICP-Prozesses mittels der nicht-planaren Rippenstruktur gestört wird. Die Qualität der im ICP-Prozess hergestellten Facetten hängt stark von dem Maskenprofil ab. In S. C. Host, et al., „High-reflectance dielectric mirrors deposited by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition an GaAs-AlGaAs Semiconductor Lasers with Inductively Coupled Plasma Etched Facets,", IEEEE Photonics technology Letters, Bd. 12(10), Okt. 2000, S. 1325–1327, wurde eine Benzocyclobuten (BCB) Schicht verwendet, um die Rippe zu planarisieren und dann wurde eine SiO₂ Maske auf der BCB Schicht deponiert und definiert.
Ein Schlüsselmerkmal des oben beschriebenen Prozesses ist ein BCB Rückätzprozess, welcher eine nicht-planare Rippe in eine planare Oberfläche überführt. Jedoch ist der Prozess eher kompliziert und zeitaufwändig, benötigt eine Anzahl von Schritten: BCB Beschichten, thermisches Nachbehandeln (curing) und BCB Rückätzen, gefolgt von SiO₂-Schicht Deposition, Photolithographie, SiO₂-Trockenätzen, ICP Ätzen und letztlich Entfernen der BCB-Beschichtung. Es ist schwer ein vertikales Maskenprofil bereitzustellen, so dass der ICP Ätzprozess in einem vertikalen Rippenprofil resultiert. Ferner kann das Entfernen der BCB Reste problematisch sein.
Der andere wesentliche Punkt beim Herstellen von geätzte-Facette Lasern mit Rippenwellenleitern betrifft Facettenbeschichtung. Zur korrekten Laserarbeitsweise muss entweder eine hochreflektive (HV) Beschichtung für Fabry-Perot (FP) Laser oder eine antireflektive (AR) Beschichtung für Distributed Feedback (DFB) Laser bereitgestellt werden. Solche Beschichtungen werden gewöhnlich mittels Deponierens von SiO₂/SiN_x Paaren auf einem gesamten Wafer mittels eines konventionellen Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Systems bereitgestellt. Jedoch bewirkt die nicht-planare Rippen-Struktur einen „Abschattungseffekt”, was eine genaue Steuerung der Beschichtungsschichtdicke nahe der Rippe verhindert.
Wie in den 1 bis 3 (nicht maßstabsgetreu ) dargestellt, beinhaltet eine bekannte Rippenwellenleiter Laserstruktur 10 geätzte Fenster 12, welche unter Verwendung einer Schutzmaske (nicht gezeigt) direkt auf der Struktur hergestellt sind. Der Begriff „Fenster” nimmt Bezug auf einen Bereich, welcher von der Oberfläche zu dem Substrat heruntergeätzt wurde. Die Facetten, die mittels der Fenster 12 definiert werden, sind entweder mit einem HR oder AR Beschichtungsmaterial beschichtet, abhängig davon, ob die resultierende Struktur entweder ein FP Laser oder ein DFB Laser sein soll. (Zum Zwecke der Klarheit ist die relativ dünne Beschichtung in den Zeichnungen nicht separat dargestellt). In diesem Herstellprozess beeinflusst der „Abschattungseffekt” der Rippenstruktur 14 gewöhnlich die Maskendefinition, das ICP Ätzen und das Facettenbeschichten negativ.
Multimasken-Schichten (nicht gezeigt) werden gewöhnlich verwendet, um eine Struktur wie Rippenstruktur 14 herzustellen. Die erste Maske, welche eine BCB-Schicht sein kann, wird mit einem Rückätzprozess verwendet, um die Rippen zu planarisieren. Dann wird eine SiO₂ Maske auf der BCB Oberfläche deponiert. Jedoch beeinträchtigt eine solche Doppelmaske das Bereitstellen eines vertikalen Maskenprofils, was fundamental dafür ist beim Verwenden des ICP Prozesses ein vertikales Ätzprofil zu erlangen. Ferner ist solch ein Multimasken Prozess eher kompliziert und zeitaufwändig, benötigt eine Anzahl von Schritten: BCB Beschichten, thermisches Nachbehandeln (curing), Rückätzen, SiO₂ Deposition, auf BCB, Photolithographie, RIE SiO₂-Ätzen, BCB Ätzen, ICP Halbleiterätzen, SiO₂ Entfernen und BCB Entfernen. Der letzte Schritt, d. h. Entfernen der BCB Schicht, ist häufig nicht völlig erfolgreich, was BCB Reste übriglässt, was eine SiO₂- oder Metall-Haftung behindert.
Es wäre wünschenswert einen Rippen-Halbleiterlaser mit hoher Facettenqualität und stabilen Facettenbeschichtung Ausbeute bereitzustellen.
Zusammenfassung
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung betreffen einen kantenemittierenden geätzte-Facette optische Halbleiterstruktur, welche ein Substrat, eine aktive Mehrfach-Quantentopf (MQW) Region, welche auf dem Substrat ausgebildet ist, und einen Rippenwellenleiter hat, welcher über der MQW Region ausgebildet ist, welche sich im Wesentlichen in eine longitudinale Richtung zwischen einer ersten geätzten Endfacette eines Wellenleiters und einer zweiten geätzten Endfacette des Wellenleiters erstreckt, wobei die erste geätzte Endfacette des Wellenleiters in einem ersten Fenster angeordnet ist und die zweite geätzte Endfacette des Wellenleiters in einem zweiten Fenster angeordnet ist. Die ersten und zweiten Fenster erstrecken sind in einer Tiefenrichtung vom Rippenwellenleiter zu dem Substrat und durch die aktive MQW Region. Das erste Fenster hat ein erstes-Fenster-Paar-Alkoven und das zweite Fenster hat ein zweites-Fenster-Paar-Alkoven. Die geätzte Endfacette des Wellenleiters erstreckt sich zwischen dem erstes-Fenster-Paar-Alkoven und die zweite geätzte Endfacette des Wellenleiters erstreckt sich zwischen die zweites-Fenster-Paar-Alkoven. Die geätzte erste und zweite Endfacette haben eine optische Beschichtung, wie beispielsweise HR oder AR Beschichtung.
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung betreffen ferner ein Verfahren zum Herstellen einer kantenemittierenden optischen Halbleitervorrichtung. Das Verfahren beinhaltet: Ausbilden einer aktiven MQW Region auf einem Substrat; Ausbilden einer ersten Maske über der MQW Region, um eine Rippenwellenleiter Region zu definieren; Ausbilden eines Rippenwellenleiters, welcher zu der Rippenwellenleiter Region korrespondiert; Ausbilden einer zweiten Maske über dem Rippenwellenleiter, Entfernen von Abschnitten der MQW Region und des Substrats; Entfernen der zweiten Maske; und Beschichten der resultierenden Facetten. Die erste Maske definiert eine Rippenwellenleiter Region, welche sich im Wesentlichen in einer longitudinalen Richtung zwischen einem ersten Ende des Wellenleiters und einem zweiten Ende des Wellenleiters erstreckt. Die zweite Maske definiert eine allgemein H-förmige Region; ein erstes Paar Alkoven Regionen und ein zweites Paar Alkoven Regionen. Entfernen von Abschnitten der MQW Region und des Substrats stellt ein allgemein H-förmiges Fenster, ein erstes Paar von Alkoven, welches zu dem ersten Paar von Alkoven Regionen korrespondiert; und ein zweites Paar Alkoven her, welches zu dem zweiten Paar von Alkoven Regionen korrespondiert. Das H-förmige Fenster erstreckt sich in einer Tiefenrichtung von dem Rippenwellenleiter zu dem Substrat und durch die aktive MQW Region hindurch.
Andere Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile sind oder werden für den Fachmann klarer werden nach Durchschau der folgenden Figuren und der folgenden detaillierten Beschreibung. Es ist gewünscht, dass alle solchen zusätzlichen Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile, die in dieser Beschreibung eingeschlossen sind, sich innerhalb des Umfanges der Spezifikation befinden und mittels der beigefügten Ansprüche geschützt sind.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung kann unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen besser verstanden werden. Die Komponenten in den Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, sondern stattdessen ist Betonung auf das klare Darstellen der Prinzipien der vorliegenden Erfindung gelegt.
1 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer geätzte-Facette Rippenwellenleiter Laserstruktur gemäß dem Stand der Technik.
2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie 2-2 in 1.
3 ist eine Schnittansicht entlang der Linie 3-3 in 1.
4 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur gemäß einem ersten exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine ebene Draufsicht des geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur von 4.
6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie 6-6 in 5.
7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie 7-7 in 5.
8 ist eine schematische ebene Draufsicht einer geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur gemäß einem zweiten exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
9 ist eine schematische ebene Draufsicht einer geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur gemäß einem dritten exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
10 ist eine schematische ebene Draufsicht einer geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur gemäß einem vierten exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
11 ist eine schematische ebene Draufsicht einer geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur gemäß einem fünften exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
12 ist eine schematische ebene Draufsicht einer geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Struktur gemäß einem sechsten exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
13 ist ein Flussdiagramm, welches das exemplarische Herstellverfahren genauer darstellt.
14 stellt einen ersten Schritt in einem exemplarischen Verfahren zum Herstellen geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Strukturen und Halbleiterlasern dar.
15 stellt einen zweiten Schritt in dem exemplarischen Verfahren zum Herstellen geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Strukturen und Halbleiterlasern dar.
16 stellt einen dritten Schritt in dem exemplarischen Verfahren zum Herstellen geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Strukturen und Halbleiterlasern dar.
17 stellt einen vierten Schritt in dem exemplarischen Verfahren zum Herstellen geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Strukturen und Halbleiterlasern dar.
18 ist eine schematische Draufsicht, welche eine erste Maske in dem exemplarischen Herstellverfahren zeigt.
19 stellt einen fünften Schritt in dem exemplarischen Verfahren zum Herstellen geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Strukturen und Halbleiterlasern dar.
20 stellt einen sechsten Schritt in dem exemplarischen Verfahren zum Herstellen geätzte-Facette integrierte Vorrichtung Strukturen und Halbleiterlasern dar.
21 ist eine schematische ebene Draufsicht auf eine geätzte-Facette Einzelvorrichtung Struktur.
22 ist eine perspektivische Ansicht der geätzte-Facette Einzelvorrichtung Struktur von 21.
Detaillierte Beschreibung
Wie in 4 bis 7 (nicht maßstabsgetreu) gezeigt, weist in einem exemplarischen oder beispielhaften Ausführungsbeispiel, eine geätzte-Facette kantenemittierende integrierte optische Halbleiterstruktur 16 einen ersten Wellenleiterabschnitt 18 und einen zweiten Wellenleiterabschnitt 20 auf. Der Begriff ”integriert”, wie er in dieser Weise verwendet wird, bezieht sich auf die Präsenz sowohl des ersten Wellenleiterabschnitts 18 als auch des angrenzenden zweiten Wellenleiterabschnitts 20 in diesem Ausführungsbeispiel. Jedoch, wie unten beschrieben, können in anderen Ausführungsbeispielen ein solcher erster Wellenleiterabschnitt und zweiter angrenzender Wellenleiterabschnitt separat voneinander sein und einer oder beide Abschnitte können individuell als eine kantenemittierende Einzelvorrichtung optische Halbleiterstruktur verwendet werden. Ein kantenemittierender Laser ist ein Beispiel für solch eine Einzelvorrichtung optische Halbleiterstruktur. Also sollte, obwohl in den nachfolgenden exemplarischen Ausführungsbeispielen zum Zwecke der Klarheit nur zwei aneinander angrenzende Wellenleiterabschnitte beschrieben werden, verstanden werden, dass viele solche angrenzende Wellenleiterabschnitte auf einem Halbleiterwafer ausgebildet und dann voneinander separiert werden können.
In der unten beschriebenen Weise werden erster Wellenleiterabschnitt 18 und zweiter Wellenleiterabschnitt 20 auf einem Halbleitersubstrat 22 in einer Orientierung parallel zu einer Hauptfläche von Substrat 22 ausgebildet. Erster Wellenleiterabschnitt 18 beinhaltet einen ersten Rippenwellenleiter 24. Erster Wellenleiterabschnitt 18 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 26 in einem ersten Fenster 27 an einem ersten Ende des ersten Wellenleiterabschnitts 18 und eine zweite geätzte Endfacette 28 in einem zweiten Fenster 42 an einem zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 18. Erster Rippenwellenleiter 24 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 18 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich einer longitudinalen Achse 30 ausgerichtet ist. Die Distanz, in die sich erster Rippenwellenleiter 24 in dieser Richtung erstreckt, wird hierin als seine ”Länge” bezeichnet. Der Begriff ”Breite” bezieht sich auf eine Richtung senkrecht zur Länge. Beachte dass die erste und zweite geätzte Endfacette 26 und 28 des ersten Wellenlängenabschnitts 18, welche als End-Wellenleiter dienen, breiter als erster Rippenwellenleiter 24 sind. Ähnlich beinhaltet zweiter Wellenleiterabschnitt 20 einen zweiten Rippenwellenleiter 32. Zweiter Wellenleiterabschnitt 20 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 34 im zweiten Fenster 42 an einem ersten Ende des zweiten Wellenleiterabschnitts 20 und eine zweite geätzte Endfacette 36 in einem dritten Fenster 29 an einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 20. Zweiter Rippenwellenleiter 32 erstreckt sich zwischen den ersten und zweiten Enden des zweiten Wellenleiterabschnittes 20 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich der longitudinalen Achse 30 ausgerichtet ist. Beachte dass die erste und zweite geätzte Endfacette 34 und 36 des zweiten Wellenlängenabschnitts 20, welche als End-Wellenleiter dienen, breiter als zweiter Rippenwellenleiter 32 sind. Erste und zweite geätzte Endfacetten 26 und 28 des ersten Wellenleiterabschnitts 18 und erste und zweite geätzte Endfacetten 34 und 36 des zweiten Wellenleiterabschnittes 20 sind alle mit einer optischen Beschichtung beschichtet, wie zum Beispiel einer HR oder einer AR Beschichtung.
Mit den oben beschrieben Anordnungen ist das geätzte Facetten Fenster auf einer planaren Oberfläche anstelle auf einer umgekehrten Rippen. Das ermöglicht, dass ein Vertikalätzprofil eine SiO₂ Maske verwendet. Ein Vertikalätzprofil ist wichtig, um einer Laservorrichtung zu ermöglichen, optisches Feedback bereitzustellen. Auch kann mittels Vermeidens eines Rippen-Abschattungseffekts eine Deponierung der Beschichtungsschichten einfach gesteuert werden.
Beachte in den 6 bis 7, dass erste und zweite Rippenwellenleiter 24 und 32 über einer oder mehr Mehrfach-Quantentopf (MQW) Schichten 38 und 40 ausgebildet sind. Obwohl MQW Schichten 38 und 40 zwecks Klarheit individuell beschrieben werden, können sie Abschnitte oder Bereiche der selben Schichtstruktur sein. Wenn Halbleiterstruktur 16 in Betrieb ist, wirken die MQW Schichten 38 und 40 als aktive Schichten, um gemäß der Vorrichtungsfunktionalität Verstärkung oder Absorption zu erzeugen, was von den Fachleuten gut verstanden wird.
Fenster 27, 42 und 29 erstrecken sich von den Rippenwellenleitern 24 und 32 durch die MQW Schichten 38 und 40 bis hinunter zu Substrat 22. Erstes Fenster 27 beinhaltet ein Paar von Alkoven 37 des ersten Fensters. Erste geätzte Endfacette 26 des ersten Wellenleiterabschnitts 18 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 37 des ersten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 26 des ersten Wellenleiterabschnitts 18. Zweites Fenster 42 beinhaltet ein erstes Paar von Alkoven 44 des zweiten Fensters und ein zweites Paar von Alkoven 46 des zweiten Fensters. Zweite geätzte Endfacette 28 des ersten Wellenleiterabschnitts 18 erstreckt sich zwischen dem ersten Paar von Alkoven 44 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 28 des ersten Wellenleiterabschnitts 18. Erste geätzte Endfacette 34 des zweiten Wellenleiterabschnitts 20 erstreckt sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven 46 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 34 des zweiten Wellenleiterabschnitts 20. Es kann angemerkt werden, dass das erste Paar von Alkoven 44 des zweiten Fensters und das zweite Paar von Alkoven 46 des zweiten Fensters, welche allgemein gegenüber dem ersten Paar von Alkoven 44 des zweiten Fensters angeordnet sind, bewirken, dass das zweite Fenster 42 eine Form hat, welche den Buchstaben H nachbildet. Zweite Endfacette 28 des ersten Wellenleiterabschnitts 18 ist jenseits von oder gegenüber der ersten geätzten Endfacette 34 des zweiten Wellenleiterabschnitts 20 innerhalb des H-förmigen zweiten Fensters 42 angeordnet. Drittes Fenster 29 beinhaltet ein Paar von Alkoven 39 des dritten Fensters. Die zweite geätzte Endfacette 36 des zweiten Wellenleiterabschnitts 20 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 39 des dritten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 36 des zweiten Wellenleiterabschnitts 20.
Die Funktion jedes Paar von Alkoven ist es, eine breite Endrippe (wide end ridge) zu definieren, um so eine verbreiterte Spotgröße zu haben, um die Möglichkeit eines katastrophalen optischen Schadens an einer Facette zu reduzieren. Auf der anderen Seite stellen die Alkoven zusammen mit dem ganzen Facettenfenster eine effektive Isolation der MQW für jeden Chip bereit, um somit on-Wafer Messungen zu ermöglichen.
Wie in 8 (nicht maßstabsgetreu) dargestellt, weist in einem zweiten exemplarischen oder beispielhaften Ausführungsbeispiel, eine geätzte-Facette kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 48 einen ersten Wellenleiterabschnitt 50 und einen zweiten Wellenleiterabschnitt 52 auf. Außer bei Aspekten, welche unten genauer beschrieben werden mögen, ist die kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 48 ähnlich zu der oben beschriebenen kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 16. Demgemäß werden Aspekte der kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 48, die ähnlich denen der oben beschriebenen kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 16 sind, im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel nicht noch einmal beschrieben. Erster Wellenleiterabschnitt 50 beinhaltet einen ersten Rippenwellenleiter 54. Der erste Wellenleiterabschnitt 50 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 56 in einem ersten Fenster 57 an einem ersten Ende des ersten Wellenleiterabschnitt 50 und eine zweite geätzte Endfacette 58 in einem zweiten Fenster 66 an einem zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnitts 50. Erster Rippenwellenleiter 54 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 50 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich einer longitudinalen Achse (in 8 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) ausgerichtet ist. Ähnlich beinhaltet zweiter Wellenleiterabschnitt 52 einen zweiten Rippenwellenleiter 60. Zweiter Wellenleiterabschnitt 52 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 62 im zweiten Fenster 66 an einem ersten Ende des zweiten Wellenleiterabschnitts 52 und eine zweite geätzte Endfacette 64 in einem dritten Fenster 59 an einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 52. Zweiter Rippenwellenleiter 60 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 52 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich der longitudinalen Achse ausgerichtet ist. Obwohl in 8 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt, sind erste und zweite Rippenwellenleiter 56 und 58 über einer oder mehr MQW-Schichten ausgebildet, welche wiederum auf dem Substrat ausgebildet sind. Erste und zweite geätzte Endfacetten 56 und 58 des ersten Wellenleiterabschnitts 50 und erste und zweite geätzte Endfacetten 62 und 64 des zweiten Wellenleiterabschnittes 52 sind alle mit einer optischen Beschichtung beschichtet, wie zum Beispiel einer HR oder einer AR Beschichtung.
Fenster 57, 66 und 59 erstrecken sich von den Rippenwellenleitern 54 und 60 durch die MQW Schichten (aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) bis hinunter zu dem Substrat. Erstes Fenster 57 beinhaltet ein Paar von Alkoven 67 des ersten Fensters. Erste geätzte Endfacette 56 des ersten Wellenleiterabschnitts 50 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 67 des ersten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 56 des ersten Wellenleiterabschnitts 50. Zweites Fenster 66 beinhaltet ein erstes Paar von Alkoven 68 des zweiten Fensters und ein zweites Paar von Alkoven 70 des zweiten Fensters. Zweite geätzte Endfacette 58 des ersten Wellenleiterabschnitts 50 erstreckt sich zwischen dem ersten Paar von Alkoven 68 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 58 des ersten Wellenleiterabschnitts 50. Erste geätzte Endfacette 62 des zweiten Wellenleiterabschnitts 52 erstreckt sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven 70 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 62 des zweiten Wellenleiterabschnitts 52. Es kann angemerkt werden, dass das erste Paar von Alkoven 68 des zweiten Fensters und das zweite Paar von Alkoven 70 des zweiten Fensters, welche allgemein gegenüber dem ersten Paar von Alkoven 68 des zweiten Fenster angeordnet sind, zusammen bewirken, dass das zweite Fenster 66 eine Form hat, welche den Buchstaben H nachbildet. Zweite Endfacette 58 des ersten Wellenleiterabschnitts 50 ist jenseits von oder gegenüber der ersten geätzten Endfacette 62 des zweiten Wellenleiterabschnitts 52 innerhalb des H-förmigen zweiten Fensters 66 angeordnet. Drittes Fenster 59 beinhaltet ein Paar von Alkoven 69 des dritten Fensters. Die zweite geätzte Endfacette 64 des zweiten Wellenleiterabschnitts 52 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 69 des dritten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 64 des zweiten Wellenleiterabschnitts 52.
Beachte in 8, dass die Breite (”W1”) des ersten Rippenwellenleiters 54 gleich der Breite (”W2”) des zweiten Rippenwellenleiters 60 ist. Beachte ferner in 8, dass die Länge oder Dicke (”L1”) der zweiten geätzten Endfacette 58 des ersten Wellenleiterabschnitts 50 geringer ist als die Länge oder Dicke (”L2”) der ersten geätzten Endfacette 62 des zweiten Wellenleiterabschnitts 52, was illustriert, dass diese Abmessungen in einigen Ausführungsbeispielen gleich zueinander und unterschiedlich zueinander in anderen Ausführungsbeispielen sein können.
Wie in 9 (nicht maßstabsgetreu) dargestellt, weist in einem dritten exemplarischen oder beispielhaften Ausführungsbeispiel, eine geätzte-Facette kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 72 einen ersten Wellenleiterabschnitt 74 und einen zweiten Wellenleiterabschnitt 76 auf. Außer bei Aspekten, welche unten genauer beschrieben werden mögen, ist die kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 72 ähnlich zu den anderen oben beschriebenen Ausführungsbeispielen. Demgemäß werden Aspekte der kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 72, die ähnlich denen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele sind, im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel nicht noch einmal beschrieben. Erster Wellenleiterabschnitt 74 beinhaltet einen ersten Rippenwellenleiter 78. Erster Wellenleiterabschnitt 74 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 80 in einem ersten Fenster 81 an einem ersten Ende des ersten Wellenleiterabschnitt 74 und eine zweite geätzte Endfacette 82 in einem zweiten Fenster 90 an einem zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnitts 74. Erster Rippenwellenleiter 78 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 74 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich einer longitudinalen Achse (in 9 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) ausgerichtet ist. Ähnlich beinhaltet zweiter Wellenleiterabschnitt 76 einen zweiten Rippenwellenleiter 84. Zweiter Wellenleiterabschnitt 76 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 86 im zweiten Fenster 90 an einem ersten Ende des zweiten Wellenleiterabschnitts 76 und eine zweite geätzte Endfacette 88 in einem dritten Fenster 83 an einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 76. Zweiter Rippenwellenleiter 84 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 76 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich der longitudinalen Achse ausgerichtet ist. Obwohl in 9 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt, sind erste und zweite Rippenwellenleiter 78 und 84 über einer oder mehr MQW Schichten ausgebildet, welche wiederum auf dem Substrat ausgebildet sind. Erste und zweite geätzte Endfacetten 80 und 82 des ersten Wellenleiterabschnitts 74 und erste und zweite geätzte Endfacetten 86 und 88 des zweiten Wellenleiterabschnittes 76 sind alle mit einer optischen Beschichtung beschichtet, wie zum Beispiel einer HR oder einer AR Beschichtung.
Fenster 81, 90 und 83 erstrecken sich von den Rippenwellenleitern 78 und 84 durch die MQW Schichten (aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) bis hinunter zu dem Substrat. Erstes Fenster 81 beinhaltet ein Paar von Alkoven 91 des ersten Fensters. Erste geätzte Endfacette 80 des ersten Wellenleiterabschnitts 74 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 91 des ersten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 80 des ersten Wellenleiterabschnitts 74. Zweites Fenster 90 beinhaltet ein erstes Paar von Alkoven 92 des zweiten Fensters und ein zweites Paar von Alkoven 94 des zweiten Fensters. Zweite geätzte Endfacette 82 des ersten Wellenleiterabschnitts 74 erstreckt sich zwischen dem ersten Paar von Alkoven 92 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 82 des ersten Wellenleiterabschnitts 74. Erste geätzte Endfacette 86 des zweiten Wellenleiterabschnitts 76 erstreckt sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven 94 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 86 des zweiten Wellenleiterabschnitts 76. Es kann angemerkt werden, dass das erste Paar von Alkoven 92 des zweiten Fensters und zweites Paar von Alkoven 94 des zweiten Fensters, welche allgemein gegenüber dem ersten Paar von Alkoven 92 des zweiten Fenster angeordnet sind, zusammen bewirken, dass das zweite Fenster 90 eine Form hat, welche den Buchstaben H nachbildet. Zweite Endfacette 82 des ersten Wellenleiterabschnitts 74 ist jenseits von oder gegenüber der ersten geätzten Endfacette 86 des zweiten Wellenleiterabschnitts 76 innerhalb des H-förmigen zweiten Fensters 90 angeordnet. Drittes Fenster 83 beinhaltet ein Paar von Alkoven 93 des dritten Fensters. Die zweite geätzte Endfacette 88 des zweiten Wellenleiterabschnitts 76 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 93 des dritten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 88 des zweiten Wellenleiterabschnitts 76.
Beachte in 9, dass die Breite (”W1”) des ersten Rippenwellenleiters 78 geringer als die Breite (”W2”) des zweiten Rippenwellenleiters 84 ist, was illustriert, dass diese Abmessungen in einigen Ausführungsbeispielen gleich zueinander und unterschiedlich zueinander in anderen Ausführungsbeispielen sein können.
Wie in 10 (nicht maßstabsgetreu) dargestellt, weist in einem vierten exemplarischen oder beispielhaften Ausführungsbeispiel, eine kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 96 einen ersten Wellenleiterabschnitt 98 und einen zweiten Wellenleiterabschnitt 100 auf. Außer bei Aspekten, welche unten genauer beschrieben werden mögen, ist die kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 96 ähnlich zu den anderen oben beschriebenen Ausführungsbeispielen. Demgemäß werden Aspekte der kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 96, die ähnlich denen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele sind, im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel nicht noch einmal beschrieben. Erster Wellenleiterabschnitt 98 beinhaltet einen ersten Rippenwellenleiter 102. Der erste Wellenleiterabschnitt 98 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 104 in einem ersten Fenster 105 an einem ersten Ende des ersten Wellenleiterabschnitt 98 und eine zweite geätzte Endfacette 106 in einem zweiten Fenster 118 an einem zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnitts 98. Erster Rippenwellenleiter 102 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 98 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich einer longitudinalen Achse 110 ausgerichtet ist, jedoch einen kleinen Winkel 108 bezüglich dieser aufweist. Der Winkel 108 kann optimiert sein, um Endreflexionen zu reduzieren. Ähnlich beinhaltet zweiter Wellenleiterabschnitt 100 einen zweiten Rippenwellenleiter 112, welcher in dem gleichen Winkel 108 bezüglich der longitudinalen Achse 110 angeordnet ist. Zweiter Wellenleiterabschnitt 100 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 114 im zweiten Fenster 118 an einem ersten Ende des zweiten Wellenleiterabschnitts 100 und eine zweite geätzte Endfacette 116 in einem dritten Fenster 107 an einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 100. Zweiter Rippenwellenleiter 112 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 100 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich der longitudinalen Achse ausgerichtet ist aber in dem Winkel 108 bezüglich dieser orientiert ist. Obwohl in 10 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt, sind erste und zweite Rippenwellenleiter 102 und 112 über einer oder mehr MQW Schichten ausgebildet, welche wiederum auf dem Substrat ausgebildet sind. Erste und zweite geätzte Endfacetten 104 und 106 des ersten Wellenleiterabschnitts 98 und erste und zweite geätzte Endfacetten 114 und 116 des zweiten Wellenleiterabschnittes 100 sind alle mit einer optischen Beschichtung beschichtet, wie zum Beispiel einer HR oder einer AR Beschichtung.
Fenster 105, 118 und 107 erstrecken sich von den Rippenwellenleitern 102 und 112 durch die MQW Schichten (aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) bis hinunter zu dem Substrat. Erstes Fenster 105 beinhaltet ein Paar von Alkoven 115 des ersten Fensters. Erste geätzte Endfacette 104 des ersten Wellenleiterabschnitts 98 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 115 des ersten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 104 des ersten Wellenleiterabschnitts 98. Zweites Fenster 118 beinhaltet ein erstes Paar von Alkoven 120 des zweiten Fensters und ein zweites Paar von Alkoven 122 des zweiten Fensters. Zweite geätzte Endfacette 106 des ersten Wellenleiterabschnitts 98 erstreckt sich zwischen dem ersten Paar von Alkoven 120 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 106 des ersten Wellenleiterabschnitts 98. Erste geätzte Endfacette 114 des zweiten Wellenleiterabschnitts 100 erstreckt sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven 122 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 114 des zweiten Wellenleiterabschnitts 100. Es kann angemerkt werden, dass das erste Paar von Alkoven 120 des zweiten Fensters und das zweite Paar von Alkoven 122 des zweiten Fensters, welche allgemein gegenüber dem ersten Paar von Alkoven 120 des zweiten Fensters angeordnet ist, zusammen bewirken, dass das zweite Fenster 118 eine Form hat, welche den Buchstaben H nachbildet. Zweite Endfacette 106 des ersten Wellenleiterabschnitts 98 ist jenseits von oder gegenüber der ersten geätzten Endfacette 114 des zweiten Wellenleiterabschnitts 100 innerhalb des H-förmigen zweiten Fensters 118 angeordnet. Drittes Fenster 107 beinhaltet ein Paar von Alkoven 117 des dritten Fensters. Die zweite geätzte Endfacette 116 des zweiten Wellenleiterabschnitts 100 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 117 des dritten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 116 des zweiten Wellenleiterabschnitts 100. Das Ausführungsbeispiel, welches in 10 gezeigt wird, kann vorteilhafterweise Endreflexionen unterbinden, was zum Beispiel bei einem Distributed-Feedback-Laser (DFB-Laser) oder einer Vorrichtung, welche elektrische Absorption Modulation (EML) nutzt, wünschenswert sein mag.
Wie in 11 (nicht maßstabsgetreu) dargestellt, weist in einem fünften exemplarischen oder beispielhaften Ausführungsbeispiel, eine kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 124 einen ersten Wellenleiterabschnitt 126 und einen zweiten Wellenleiterabschnitt 128 auf. Außer bei Aspekten, welche unten genauer beschrieben werden mögen, ist die kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 124 ähnlich zu den anderen oben beschriebenen Ausführungsbeispielen. Demgemäß werden Aspekte der kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 124, die ähnlich denen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele sind, im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel nicht noch einmal beschrieben. Erster Wellenleiterabschnitt 126 beinhaltet einen ersten Rippenwellenleiter 130. Der erste Wellenleiterabschnitt 126 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 132 in einem ersten Fenster 133 an einem ersten Ende des ersten Wellenleiterabschnitt 126 und eine zweite geätzte Endfacette 134 in einem zweiten Fenster 144 an einem zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnitts 126. Erster Rippenwellenleiter 130 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 126 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich einer longitudinalen Achse 136 ausgerichtet ist. In diesem Ausführungsbeispiel ist die zweite geätzte Endfacette 134 des ersten Wellenleiterabschnitts 126 in einem schiefen Winkel (optimiert, um Endreflexionen zu minimieren, im Bereich von, beispielsweise 0 bis 12 Grad) bezüglich der longitudinalen Achse 136 orientiert. Ähnlich beinhaltet zweiter Wellenleiterabschnitt 128 einen zweiten Rippenwellenleiter 138. Zweiter Wellenleiterabschnitt 128 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 140 im zweiten Fenster 144 an einem ersten Ende des zweiten Wellenleiterabschnitts 128 und eine zweite geätzte Endfacette 142 in einem dritten Fenster 135 an einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 128. Zweiter Rippenwellenleiter 138 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 128 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich der longitudinalen Achse 136 ausgerichtet ist. Obwohl in 11 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt, sind erste und zweite Rippenwellenleiter 130 und 138 über einer oder mehr MQW Schichten ausgebildet, welche wiederum auf dem Substrat ausgebildet sind. Erste und zweite geätzte Endfacetten 132 und 134 des ersten Wellenleiterabschnitts 126 und erste und zweite geätzte Endfacetten 140 und 142 des zweiten Wellenleiterabschnittes 128 sind alle mit einer optischen Beschichtung beschichtet, wie zum Beispiel einer HR oder einer AR Beschichtung.
Fenster 133, 144 und 135 erstrecken sich von den Rippenwellenleitern 130 und 138 durch die MQW Schichten (aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) bis hinunter zu dem Substrat. Erstes Fenster 133 beinhaltet ein Paar von Alkoven 143 des ersten Fensters. Erste geätzte Endfacette 132 des ersten Wellenleiterabschnitts 126 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 143 des ersten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 132 des ersten Wellenleiterabschnitts 126. Zweites Fenster 144 beinhaltet ein erstes Paar von Alkoven 146 des zweiten Fensters und ein zweites Paar von Alkoven 148 des zweiten Fensters. Zweite geätzte Endfacette 134 des ersten Wellenleiterabschnitts 126 erstreckt sich zwischen dem ersten Paar von Alkoven 146 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 134 des ersten Wellenleiterabschnitts 126. Erste geätzte Endfacette 140 des zweiten Wellenleiterabschnitts 128 erstreckt sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven 148 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 140 des zweiten Wellenleiterabschnitts 128. Es kann angemerkt werden, dass das erste Paar von Alkoven 146 des zweiten Fensters und das zweite Paar von Alkoven 148 des zweiten Fensters, welche allgemein gegenüber dem ersten Paar von Alkoven 146 des zweiten Fensters angeordnet ist, zusammen bewirken, dass das zweite Fenster 144 eine Form hat, welche den Buchstaben H nachbildet. Zweite Endfacette 134 des ersten Wellenleiterabschnitts 126 ist jenseits von oder gegenüber der ersten geätzten Endfacette 140 des zweiten Wellenleiterabschnitts 128 innerhalb des H-förmigen zweiten Fensters 144 angeordnet. Drittes Fenster 135 beinhaltet ein Paar von Alkoven 145 des dritten Fensters. Die zweite geätzte Endfacette 142 des zweiten Wellenleiterabschnitts 128 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 145 des dritten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 142 des zweiten Wellenleiterabschnitts 128.
Wie in 12 (nicht maßstabsgetreu) dargestellt, weist in einem sechsten exemplarischen oder beispielhaften Ausführungsbeispiel eine kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 150 einen ersten Wellenleiterabschnitt 152 und einen zweiten Wellenleiterabschnitt 154 auf. Außer bei Aspekten, welche unten genauer beschrieben werden mögen, ist die kantenemittierende optische Halbleiterstruktur 150 ähnlich zu den anderen oben beschriebenen Ausführungsbeispielen. Demgemäß werden Aspekte der kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur 150, die ähnlich denen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele sind, im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel nicht noch einmal beschrieben. Erster Wellenleiterabschnitt 152 beinhaltet einen ersten Rippenwellenleiter 156. Der erste Wellenleiterabschnitt 152 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 158 in einem ersten Fenster 159 an einem ersten Ende des ersten Wellenleiterabschnitt 152 und eine zweite geätzte Endfacette 160 in einem zweiten Fenster 172 an einem zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnitts 152. Erster Rippenwellenleiter 156 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des ersten Wellenleiterabschnittes 152 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich einer longitudinalen Achse (nicht gezeigt) ausgerichtet ist, jedoch an einem Punkt entlang seiner Länge eine leichte Biegung (bend) hat. Dieser gebogene Wellenleiter kann eine „adiabatische” Form haben, um optische Verluste und Endreflexionen zu minimieren. Ähnlich beinhaltet zweiter Wellenleiterabschnitt 154 einen zweiten Rippenwellenleiter 164. Zweiter Wellenleiterabschnitt 154 beinhaltet ferner eine erste geätzte Endfacette 166 im zweiten Fenster 172 an einem ersten Ende des zweiten Wellenleiterabschnitts 154 und eine zweite geätzte Endfacette 168 in einem dritten Fenster 161 an einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 154. Zweiter Rippenwellenleiter 164 erstreckt sich zwischen dem ersten und zweiten Ende des zweiten Wellenleiterabschnittes 154 in einer Richtung, welche allgemein bezüglich der longitudinalen Achse (nicht gezeigt) ausgerichtet ist, jedoch eine leichte Biegung 170 an einem Punkt entlang seiner Länge hat. Obwohl in 12 aus Klarheitsgründen nicht gezeigt, sind erste und zweite Rippenwellenleiter 156 und 164 über einemroder mehr MQW Schichten ausgebildet, welche wiederum auf dem Substrat ausgebildet sind. Erste und zweite geätzte Endfacetten 158 und 160 des ersten Wellenleiterabschnitts 152 und erste und zweite geätzte Endfacetten 166 und 168 des zweiten Wellenleiterabschnittes 154 sind alle mit einer optischen Beschichtung beschichtet, wie zum Beispiel einer HR oder einer AR Beschichtung.
Fenster 159, 172 und 161 erstrecken sich von den Rippenwellenleitern 156 und 164 durch die MQW Schichten (aus Klarheitsgründen nicht gezeigt) bis hinunter zu dem Substrat. Erstes Fenster 159 beinhaltet ein Paar von Alkoven 169 des ersten Fensters. Erste geätzte Endfacette 158 des ersten Wellenleiterabschnitts 152 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 169 des ersten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 158 des ersten Wellenleiterabschnitts 152. Zweites Fenster 172 beinhaltet ein erstes Paar von Alkoven 174 des zweiten Fenster und ein zweites Paar von Alkoven 176 des zweiten Fensters. Zweite geätzte Endfacette 160 des ersten Wellenleiterabschnitts 152 erstreckt sich zwischen dem ersten Paar von Alkoven 174 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 160 des ersten Wellenleiterabschnitts 152. Erste geätzte Endfacette 166 des zweiten Wellenleiterabschnitts 154 erstreckt sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven 176 des zweiten Fensters und definiert daher die Breite der ersten geätzten Endfacette 166 des zweiten Wellenleiterabschnitts 154. Es kann angemerkt werden, dass das erste Paar von Alkoven 174 des zweiten Fensters und das zweite Paar von Alkoven 176 des zweiten Fensters, welche allgemein gegenüber dem ersten Paar von Alkoven 174 des zweiten Fensters angeordnet sind, zusammen bewirken, dass das zweite Fenster 172 eine Form hat, welche den Buchstaben H nachbildet. Zweite Endfacette 160 des ersten Wellenleiterabschnitts 152 ist jenseits von oder gegenüber der ersten geätzten Endfacette 166 des zweiten Wellenleiterabschnitts 154 innerhalb des H-förmigen zweiten Fensters 172 angeordnet. Drittes Fenster 161 beinhaltet ein Paar von Alkoven 171 des dritten Fensters. Die zweite geätzte Endfacette 168 des zweiten Wellenleiterabschnitts 154 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 171 des dritten Fensters und definiert daher die Breite der zweiten geätzten Endfacette 168 des zweiten Wellenleiterabschnitts 154.
Jedes der Ausführungsbeispiele, welches oben in Zusammenhang mit den 10 bis 12 beschrieben wurden, kann, wegen dem Abwinkeln der Richtung des Lichtaustritts aus dem Fenster, vorteilhafterweise Endreflexionen unterbinden. Eine AR Beschichtung kann ferner unterstützen, Endreflexionen zu unterbinden.
Ein Verfahren zum Herstellen der oben beschriebenen kantenemittierenden optischen Halbleiterstrukturen ist in 13 dargestellt und wird unter weiterer Bezugnahme auf die 14 bis 20 beschrieben. Obwohl zum Zwecke der Klarheit nicht dargestellt, sollte es verstanden werden, dass das Verfahren auf einem Halbleiterwafer, welcher viele solcher Strukturen aufweist, durchgeführt werden kann.
Wie mittels Block 178 angedeutet, und weiter unter Bezugnahme auf 14, werden eine oder mehr MQW Schichten 180 auf einem Substrat 182 ausgebildet. Substrat 182 ist aus einem geeigneten Halbleitermaterial, wie beispielsweise Indiumphosphid (InP) gemacht. Beachte, dass in einer kantenemittierenden optischen Halbleiterstruktur, welche erste und zweite Wellenleiterabschnitte hat, korrespondierende erste und zweite MQW Regionen bereitgestellt werden. Obwohl InP in diesem exemplarischen Ausführungsbeispiel verwendet wird, sollte es verstanden werden, dass in anderen Ausführungsbeispielen anderes Material für Substrat 182 oder andere Schichten verwendet werden kann, einschließlich Materialien wie Galliumarsenid (GaAs), Aluminium-Gallium (AlGa), Aluminium-Gallium-Indiumarsenid (AlGaInAs), usw. Fachleute werden angesichts der Lehren hierin leicht fähig sein, geeignete Materialien auszuwählen.
Wie mittels Block 184 angedeutet, und weiter unter Bezugnahme auf 15, werden zusätzliche Schichten 186, welche beispielsweise InP und elektrische Kontaktmaterialien aufweisen, über der einen oder mehr MQW Schichten 180 ausgebildet. Obwohl zum Zwecke der Klarheit nicht separat gezeigt, kann solch eine InP Schicht über den MQW Schichten 180 ausgebildet sein und solch eine elektrische Kontaktschicht kann über der InP Schicht ausgebildet sein.
Wie mittels Block 188 angedeutet, und weiter unter Bezugnahme auf 16, wird eine erste Maskenschicht 190 von, beispielsweise, SiO₂ über der einen oder mehr MQW Schichten 180 und den zusätzlichen InP- und elektrischen Kontaktschichten 186 ausgebildet. Wie mittels Block 192 angedeutet, und weiter unter Bezugnahme auf 17 und 18, wird eine erste Maske in einer ersten Maskenschicht 190 unter Verwendung von Lithographie und Trockenätzens ausgebildet, um erste und zweite Rippenwellenleiter Regionen 194 und 196 zu entfernen. In 18 repräsentieren die schraffierten Regionen das SiO₂ oder andere Maskenmaterial und die nicht schraffierten Regionen repräsentieren Öffnungen (d. h. erste und zweite Rippenwellenleiterregionen 194 und 196) durch die erste Maske hindurch. Die erste Maske definiert daher erste und zweite Rippenwellenleiter Regionen 194 und 196.
Wie mittels Block 198 angedeutet, und weiter unter Bezugnahme auf 19, kann ein nasschemisches Ätzen verwendet werden, die erste Maske (durch erste und zweite Rippenwellenleiter Regionen 194 und 196 hindurch) zu ätzen, um erste und zweite Rippenwellenleiter auszubilden, welche zu den ersten und zweiten Rippenwellenleiter Regionen 194 und 196 korrespondieren. Die ersten und zweiten Rippenwellenleiter sind mittels Paaren von vertieften Regionen 197 bzw. 199 skizziert (19 bis 20). Beachte, dass die ersten und zweiten Rippenwellenleiter über ersten bzw. zweiten MQW Regionen ausgebildet sind.
Wie mittels Block 200 angedeutet, und weiter unter Bezugnahme auf 20, wird eine zweite Maske mittels Deponierens einer Schicht eines geeigneten Maskenmaterials, wie beispielsweise SiO₂, SiN_x, BCB oder Photoresistmaterial, über den resultierenden ersten und zweiten Wellenleiterabschnitten ausgebildet. Wie mittels Block 202 angedeutet, wird ein Materialentfernungsprozess, wie beispielweise ein Induktiv-gekoppelter-Plasma-Prozess (ICP Prozess) verwendet, um eine H-förmige Region 204 zu entfernen (20). In 20, repräsentieren die schraffierten Regionen das Maskenmaterial und die nicht schraffierten Regionen repräsentieren H-förmige Region 204 und ähnliche Regionen, welche mittels dieses ICP Prozesses geätzt wurden. Der ICP Ätzprozess wird auf eine Tiefe bis auf das Substrat herunter durchgeführt, so dass die MQW Schichten, elektrische Kontaktschicht und andere eingreifende Schichten in der H-förmigen Region 204 entfernt werden. Die spiegelähnlichen Ätzprofile sind nützlich, um optischen Feedback für eine Laservorrichtung bereitzustellen. Das Fenster, das aus dem ICP Prozess resultiert, hat eine H-Form, welche zu der H-förmigen Fensterregion 204 korrespondiert. Demgemäß hat das resultierende Fenster eine zentrale Fensterregion und erste und zweite Paare von Alkoven, zwischen welchen sich die geätzten Facetten erstrecken, wie oben unter Bezugnahme auf die in den 4 bis 12 dargestellten Ausführungsbeispiele beschrieben.
Wie mittels Block 206 dargestellt, wird dann die zweite Maske entfernt und die Oberfläche der Struktur wird von allen verbliebenen Maskenresten gereinigt. Wie mittels Block 208 dargestellt, werden die resultierenden Facetten mit einer optischen Beschichtung beschichtet. Zum Beispiel kann die Struktur (oder der Wafer, welcher viele von solchen Strukturen hat) in einer Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Kammer angeordnet werden und entweder eine HR oder alternativ eine AR Beschichtung kann aufgebracht werden. In einem Ausführungsbeispiel, in welchem das Verfahren verwendet wird, ein Fabry-Perot-Laser herzustellen, kann eine HR Beschichtung mit SiO₂/SiN_x oder anderen dielektrischen Mehrfachschicht-Stapeln aufgebracht werden. In einem Ausführungsbeispiel, in welchem das Verfahren verwendet wird, um einen DFB-Laser herzustellen, kann eine AR Beschichtung aufgebracht werden. Es sollte verstanden werden, dass das oben beschriebene Verfahren verwendet werden kann, um nicht nur Fabry-Perot-Laser und DFB Laser herzustellen, sondern auch jeden anderen Typ von geeigneten Halbleiterlasern, wie beispielsweise einen Modulator, Verstärker, Wellenleiter oder Photodetektor. Ferner kann das Verfahren verwendet werden, um nicht nur Laser sondern auch jede andere geeignete integrierte geätzte Facette Vorrichtung herzustellen, inklusive der oben unter Bezugnahme auf 4 bis 12 beschriebenen.
Wie mittels Block 210 angedeutet, kann der Halbleiterwafer (zum Zweck der Klarheit nicht in seiner Gesamtheit gezeigt) geschnitten (diced) werden, um einen oder mehr Wellenleiterabschnitte voneinander zu separieren. Eine „integrierte” kantenemittierende optische Vorrichtung kann mittels Aneinander-angrenzend-Lassen zweier Wellenleiterabschnitte ausgebildet werden, wie dies in, beispielsweise, den 4 bis 12 gezeigt ist, und Schneiden oder anderweitigen Separieren einer solchen zwei-Wellenleiterstruktur von allen anderen Wellenleiterabschnitten auf dem Wafer. Alternativ kann eine „Einzelvorrichtung” kantenemittierende optische Vorrichtung mittels Separierens eines einzelnen Wellenleiterabschnitts von allen anderen Wellenleiterabschnitten auf dem Wafer, wie dies in den 21 und 22 dargestellt ist, ausgebildet werden. Wie in 21 gezeigt, können zwei angrenzende Wellenleiterabschnitte an einer Linie 211 durch das Zentrum des zweiten Fensters 212 hindurch voneinander abgeschnitten werden. Es kann in den 21 und 22 bemerkt werden, dass eine Einzelvorrichtung kantenemittierende optische Vorrichtung 210, die aus dem oben beschriebenen Herstellverfahren resultiert, einen Rippenwellenleiter 214 aufweist, welcher sich allgemein eine longitudinale Richtung zwischen einer ersten geätzten Endfacette 216 und einer zweiten geätzten Endfacette 218 erstreckt. Die erste geätzte Endfacette 216 ist in einem ersten Fenster 220 angeordnet, während die zweite geätzte Endfacette 218 in einem zweiten Fenster 222 angeordnet ist (welche zu einer Hälfte des zweiten Fensters 212 in 21 korrespondiert). Erstes Fenster 220 hat ein Paar von Alkoven 224 des ersten Fensters und zweites Fenster 222 hat ein Paar von Alkoven 226 des zweiten Fensters. Die erste geätzte Endfacette 216 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 224 des ersten Fensters und die zweite geätzte Endfacette 218 erstreckt sich zwischen dem Paar von Alkoven 226 des zweiten Fensters.
Ein oder mehr exemplarische Ausführungsbeispiele der Erfindung sind oben beschrieben worden. Jedoch ist zu verstehen, dass die Erfindung mittels der anhängenden Ansprüche definiert wird und nicht durch die spezifischen beschriebenen Ausführungsbeispiele limitiert ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

Peter Vettiger et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, Bd. 27(6), Juni 1991, S. 1319 [0003]
S. C. Host, et al., „High-reflectance dielectric mirrors deposited by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition an GaAs-AlGaAs Semiconductor Lasers with Inductively Coupled Plasma Etched Facets,”, IEEEE Photonics technology Letters, Bd. 12(10), Okt. 2000, S. 1325–1327 [0006]

Claims

Eine kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung, welche aufweist: ein Substrat; eine erste aktive Mehrfach-Quantentopf (MQW) Region, welche auf dem Substrat ausgebildet ist; und einen ersten Rippenwellenleiter, welcher sich im Wesentlichen in einer longitudinalen Richtung zwischen einer ersten geätzten Endfacette eines ersten Wellenleiter und einer zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiter erstreckt, wobei der erste Rippenwellenleiter in einer Oberfläche des Substrats über der ersten aktiven MQW Region ausgebildet ist, wobei die erste und zweite geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters eine optische Beschichtung aufweisen; wobei die erste geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters in einem ersten Fenster angeordnet ist, und die zweite geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters in einem zweiten Fenster angeordnet ist, wobei sich das erste und zweite Fenster in einer Tiefendimension von dem ersten Rippenwellenleiter zu dem Substrat und durch die ersten aktiven MQW Regionen erstreckt, wobei das erste Fenster ein erstes Paar von Alkoven aufweist, wobei sich die erste geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters zwischen dem Paar von Alkoven des ersten Fensters erstreckt, wobei das zweite Fenster ein erstes Paar von Alkoven des zweiten Fensters hat, wobei sich die zweite geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters zwischen dem ersten Paar von Alkoven des zweiten Fensters erstreckt.
Die kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, welche ferner aufweist: eine zweite aktive MQW Region, welche auf dem Substrat ausgebildet ist; und einen zweiten Rippenwellenleiter, welcher sich im Wesentlichen in der longitudinalen Richtung zwischen einer ersten geätzten Endfacette eines zweiten Wellenleiter und einer zweiten geätzten Endfacette des zweiten Wellenleiter erstreckt, wobei der zweite Rippenwellenleiter in einer Oberfläche des Substrats über der zweiten aktiven MQW Region ausgebildet ist, wobei die erste und zweite geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters eine optische Beschichtung aufweisen; wobei die erste geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters in dem zweiten Fenster im Wesentlichen gegenüber der zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiters angeordnet ist, wobei das zweite Fenster ein zweites Paar von Alkoven aufweist, wobei die erste geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters sich zwischen dem zweiten Paar von Alkoven des zweiten Fensters erstreckt.
Die kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der erste Rippenwellenleiter eine erste Breite hat; und der zweite Rippenwellenleiter eine zweite Breite hat, welche im Wesentlichen gleich oder im Wesentlichen anders als die erste Breite ist.
Die kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei der erste Rippenwellenleiter in einem ersten Winkel zu einer longitudinalen Achse orientiert ist, die sich im Wesentlichen in der longitudinalen Richtung erstreckt; und der zweite Rippenwellenleiter in einem zweiten Winkel zu der longitudinalen Achse orientiert ist, der im Wesentlichen gleich dem ersten Winkel ist.
Die kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die zweite geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters und die erste geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters nicht parallel zueinander sind; und/oder wobei zumindest einer von dem ersten und zweiten Rippenwellenleiter eine Biegung darin aufweist.
Die kantenemittierende optische Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Beschichtung eine hochreflektierende (HR) Beschichtung ist; und/oder wobei die Beschichtung eine Antireflexion (AR) Beschichtung ist.
Ein Verfahren zum Herstellen einer kantenemittierenden optischen Halbleitervorrichtung, welches aufweist: Ausbilden erster und zweiter aktiven Mehrfach-Quantentopf (MQW) Regionen auf einem Substrat: Ausbilden einer ersten Maske über der ersten und zweiten MQW Region, wobei die erste Maske eine erste Rippenwellenleiter Region und eine zweite Rippenwellenleiter Region definiert, wobei die erste Wellenleiter Region sich im Wesentlichen in eine longitudinale Richtung zwischen einem ersten Ende eines ersten Wellenleiters und einem zweiten Ende des ersten Wellenleiters erstreckt, wobei die zweite Wellenleiter Region sich im Wesentlichen in eine longitudinale Richtung zwischen einem ersten Ende des zweiten Wellenleiters und einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiters erstreckt; Ausbilden eines ersten Rippenwellenleiters, welcher zu der ersten Rippenwellenleiter Region korrespondiert und eines zweiten Rippenwellenleiters, welcher zu der zweiten Rippenwellenleiter Region korrespondiert; Ausbilden einer zweiten Maske über den ersten und zweiten Rippenwellenleitern; Durchführen eines Entfernungsprozesses, um Abschnitte der ersten und zweiten MQW Region und des Substrats zu entfernen, um ein Fenster zu produzieren, welches ein erstes Paar Alkoven und ein zweites Paar Alkoven gegenüber dem ersten Paar Alkoven hat, wobei sich das Fenster in eine Tiefenrichtung von den ersten und zweiten Rippenwellenleitern zu dem Substrat und durch die erste und zweite aktive MQW Region erstreckt, wobei das Fenster eine geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters am zweiten Ende des ersten Wellenleiters und eine geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters am ersten Ende des zweiten Wellenleiters, wobei die zweite geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters sich zwischen dem ersten Paar Alkoven erstreckt, wobei sich die zweite Endfacette des zweiten Wellenleiters sich zwischen dem zweiten Paar Alkoven erstreckt; Entfernen der zweiten Maske; und Beschichten der zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiters und der geätzten Endfacette des zweiten Wellenleiters mit optischen Beschichtungen.
Das Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei das Ausbilden der ersten Maskenschicht aufweist: Deponieren einer Schicht von SiO₂; und Durchführen eines Trockenätz-Lithographieprozesses; und/oder wobei ein Ausbilden einer zweiten Maske aufweist: Deponieren einer Schicht von Material ausgewählt aus: SiO₂, SiN_x, Benzocyclobuten (BCB) und Photoresist; und Durchführen eines induktiv gekoppelten Plasma (ICP) Prozess.
Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei das Beschichten der zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiters und der geätzten Endfacette des zweiten Wellenleiters mit optischen Beschichtungen ein Beschichten der zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiters und der geätzten Endfacette des zweiten Wellenleiters mit einer hochreflektiven (HR) Beschichtung aufweist; und/oder wobei das Beschichten der zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiters und der geätzten Endfacette des zweiten Wellenleiters mit optischen Beschichtungen ein Beschichten der zweiten geätzten Endfacette des ersten Wellenleiters und der geätzten Endfacette des zweiten Wellenleiters mit einer Antireflexion (AR) Beschichtung aufweist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, welches ferner ein Ausbilden einer zweiten aktiven MQW Region auf dem Halbleitersubstrat aufweist und wobei: die erste Maske ferner eine zweite Rippenwellenleiter Region definiert, die sich im Wesentlichen in die longitudinale Richtung zwischen einem ersten Ende des zweiten Wellenleiters und einem zweiten Ende des zweiten Wellenleiters erstreckt und wobei das Ätzen der ersten Maske ferner einen zweiten Rippenwellenleiter ausbildet, welcher zu der zweiten Rippenwellenleiter Region korrespondiert; und wobei ein Durchführen eines Entfernungsprozesses ferner eine geätzte Facette des zweiten Wellenleiters in dem Fenster am ersten Ende des zweiten Wellenleiters definiert, wobei sich die geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters zwischen dem zweiten Paar Alkoven erstreckt.
Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei dass Ausbilden einer ersten Maske ein Ausbilden einer ersten Maske aufweist, wobei der erste Rippenwellenleiter eine erste Breite und der zweite Rippenwellenleiter eine zweite Breite hat, die im Wesentlichen gleich der ersten Breite ist; oder wobei dass Ausbilden einer ersten Maske ein Ausbilden einer ersten Maske aufweist, wobei der erste Rippenwellenleiter eine erste Breite und der zweite Rippenwellenleiter eine zweite Breite hat, die im Wesentlichen unterschiedlich der ersten Breite ist.
Verfahren gemäß Anspruch 10 oder 11, wobei dass Ausbilden einer ersten Maske ein Ausbilden einer ersten Maske aufweist, wobei der erste Rippenwellenleiter in einem ersten Winkel zu einer longitudinalen Achse orientiert ist, die sich im Wesentlichen in der longitudinalen Richtung erstreckt, wobei der zweite Rippenwellenleiter in einem zweiten Winkel zu der longitudinalen Achse orientiert ist, der im Wesentlichen gleich dem ersten Winkel ist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das Ausbilden einer ersten Maske ein Ausbilden einer ersten Maske aufweist, wobei die zweite geätzte Endfacette des ersten Wellenleiters und die erste geätzte Endfacette des zweiten Wellenleiters nicht parallel zueinander sind; und/oder wobei das Ausbilden einer ersten Maske ein Ausbilden einer ersten Maske aufweist, wobei zumindest einer von dem ersten und zweiten Rippenwellenleiter eine Biegung darin aufweist.