DE102014002991A1 - Sensor-Gehäuse für die direkte Montage - Google Patents

Sensor-Gehäuse für die direkte Montage Download PDF

Info

Publication number
DE102014002991A1
DE102014002991A1 DE102014002991.3A DE102014002991A DE102014002991A1 DE 102014002991 A1 DE102014002991 A1 DE 102014002991A1 DE 102014002991 A DE102014002991 A DE 102014002991A DE 102014002991 A1 DE102014002991 A1 DE 102014002991A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor
housing
electronic component
area
evaluation circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102014002991.3A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102014002991B4 (de
Inventor
Bernd Burchard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Measurement Specialties Inc Hampton Us
Original Assignee
Elmos Semiconductor SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elmos Semiconductor SE filed Critical Elmos Semiconductor SE
Priority to DE102014002991.3A priority Critical patent/DE102014002991B4/de
Publication of DE102014002991A1 publication Critical patent/DE102014002991A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102014002991B4 publication Critical patent/DE102014002991B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
    • G01D11/245—Housings for sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0077—Other packages not provided for in groups B81B7/0035 - B81B7/0074
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/142—Multiple part housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

Die Offenbarung betrifft ein Gehäuse für eine integrierte elektronische Schaltung, das einen Gehäusekörper (1) aus einem ersten Material mit einer Symmetrieachse (37) und einen Schaltungsträger (35) der die integrierte Schaltung trägt umfasst. Dabei stellt der Schaltungsträger (37) die elektrischen Kontakte zum elektrischen Anschluss der integrierten Schaltung bereit, um die Energieversorgung und/oder die Kommunikation der integrierten Schaltung zu ermöglichen. Des Weiteren ragt mindestens eine elektronische Komponente (3) mit einem ersten Bereich der elektronischen Komponente (3) aus einer Gehäuseoberfläche des Gehäuses (1) hervor. Die elektronische Komponente befindet sich mit einem dritten Bereich und zweiten Bereich innerhalb des Gehäuses. Die elektronische Komponente (3) sich darüber hinaus mit dem ersten Bereich außerhalb des Gehäuses (1).

Description

  • Bereich der Erfindung
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für eine integrierte Schaltung und einen Sensor, insbesondere einen mikromechanischen Sensor. Der Sensor und die integrierte Schaltung können auch auf einem Kristall ko-integriert sein. Auch ist es denkbar, dass mehr elektronische Komponenten als die besagte integrierte Schaltung und/oder der besagte Sensor in das erfindungsgemäße Gehäuse eingebaut werden. Das besagte Gehäuse umfasst ein Gehäusekörper aus einem ersten Material. Der Gehäusekörper weist dabei typischerweise eine Symmetrieachse auf. Weiter weist das Gehäuse einen Schaltungsträger auf, der die besagte integrierte Schaltung und/oder den besagten Sensor, insbesondere den besagten MEMS Sensor trägt. Der Schaltungsträger kann dabei als elektrisch leitender, insbesondere, metallischer Leadframe und/oder Keramik- und/oder Kunststoffplatte mit metallischen oder anders elektrisch leitenden Leiterbahnen ausgeführt sein. Einige der elektrisch leitfähigen Verbindungen sind dabei nach außen geführt, um die Energieversorgung des Systems und dessen Kommunikation mit der Außenwelt zu ermöglichen.
  • Hintergrund
  • Ein ähnliches Gehäuse ist bereits aus der EP 2051298 A1 bekannt. Ein Nachteil des in der EP 2051298 A1 offenbarten Gehäuses ist, dass die Medienzuführung und -abdichtung nicht ohne weiteres möglich ist. Des Weiteren ist ein ähnliches Gehäuse aus der EP 1613945 B1 bekannt. In der EP 1613945 B1 wird ein Verfahren und ein Gehäuse offenbart. Das Verfahren schließt die Schritte ein: Bereitstellen eines beschichteten oder unbeschichteten Sensorelementes mit einer offenliegenden Sensoroberfläche, Befestigung des Sensorelementes an einer Montageplattform in der Art, dass die offenliegende Sensoroberfläche, die für die zu messende Messgröße empfindlich ist, zur Oberfläche der Montageplattform vertikal zur Oberfläche der Montageplattform beabstandet ist, wobei optional die Montageplattform mit einem Schutzüberzug versehen werden kann, der die für die zu erfassende Messgröße empfindliche Sensoroberfläche frei lässt. Die Zusammenstellung umfasst dabei auch einen Resonator, der einen freien Bereich mit der für die zu messende Größe empfindlichen Bereich. Andere Bereiche des Sensors sind vor physikalischen und chemischen Einflüssen einer möglicherweise aggressiven Umgebung geschützt. Dieses bekannte Gehäuse ermöglicht nur sehr begrenzte Freiheitsgrade des Entwurfes und nur eine begrenzte Wechselwirkung zwischen den zu vermessenden Medien und dem Sensor.
  • Beschreibung der Erfindung
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Gehäuse bereitzustellen, das sich in einer Ausprägung im Gegensatz zum offenbarten Stand der Technik durch die Integrierbarkeit in eine Schraube auszeichnet.
  • Entsprechend einer ersten Ausgestaltung der Erfindung umfasst das erfindungsgemäße Gehäuse
    • • einen Gehäusekörper aus einem ersten Material und
    • • einen Schaltungsträger mit elektrisch leitfähigen Leitungen, der auch die elektrischen Verbindungen nach außerhalb des Gehäuses bereitstellen kann,
    • • wobei das Gehäuse durch eine umhüllende Fläche begrenzt wird und
    • • wobei diese Umhüllende des Gehäuses im Gegensatz zur EP 1613945 B1 ohne Durchbruch ist und
    • • wobei das Sensorelement diese Umhüllende in der Art durchstößt,
    • • dass zumindest ein Bereich des Sensorelementes, der empfindlich für die zu messende Größe ist, außerhalb der Umhüllenden des Gehäuses ist.
  • Das Gehäuse kann die Form eines Standard-Gehäuses haben. Solche Standardgehäuse sind beispielsweise SO, SOIC, und QFN-Gehäuse.
  • Das Sensorelement kann vertikal zu einem Bereich der Fläche und/oder zu der Oberfläche des Schaltungsträgers aus dem Gehäuse hervorragen oder auch parallel dazu.
  • Das Material des Gehäuses kann ein Harz sein, das UV- oder mittels Temperatur gehärtet wird.
  • Diese Konstruktion ermöglicht mehr Freiheiten bei der Zuführung des zu vermessenden Mediums. Insbesondere die Montage in einer zylindersymmetrischen Öffnung ist vorteilhaft. Von ganz besonderem Vorteil ist diese Konstruktion, wenn es sich bei dem Sensor um einen Sensor handelt, der in vier oder fünf Richtungen eine physikalische Größe erfassen kann. Da bei diesem Gehäuse nur eine von sechs möglichen Flächen eines würfelförmigen Sensorelements für die Montage genutzt wird, ist es möglich, die anderen fünf Flächen mit Sensorzellen auszustatten.
  • Dementsprechend kann das Element nicht nur eine physikalische Größe sondern auch dessen räumlichen Gradienten vermessen. Zumindest limitiert das Gehäuse eine solche Messung im Gegensatz zum Stand der Technik nicht. Beispielsweise kann das Gehäuse dazu benutzt werden, zu ermöglichen, dass eine Flüssigkeit eine Sensoroberfläche, die zur Messung des relevanten Parameters versehen ist, gut umspült.
  • In einer ersten Ausführung der Erfindung ist das Sensorelement in der longitudinalen Verlängerung einer Symmetrie-Achse (37, 68) des Gehäuses (1, 65) angeordnet. Dies ermöglicht einen optimalen Zugriff auf das das Sensorelement umspülende Medium. Gleichzeitig sind die durch das Gehäuse auf das Sensorelement einwirkenden Kräfte weitestgehend symmetriert und heben sich daher idealerweise weitestgehend weg.
  • In einer zweiten Ausführung des erfindungsgemäßen Gehäuses umfasst das Gehäuse eine elektronische Komponente, die aus dem Gehäuse hervorragt. Diese elektronische Komponente ist an der besagten Montageplattform befestigt, die sich im Innern des Gehäuses befindet. Diese elektronische Komponente kann beispielsweise eine integrierte Schaltung (IC oder ASIC), eine passive oder aktive Komponente, ein einfacher Halbleiter, eine Diode, ein Transistor, ein Halbleitersensor, ein mikromechanischer Sensor oder ein anderer Sensor, ein mikromechanischer Aktor oder ein anderer Aktor sein. Die besagte elektronische Komponente reicht in den freien Raum außerhalb des Gehäuses hinein.
  • In einer dritten Ausführung des erfindungsgemäßen Gehäuses besitzt die besagte elektronische Komponentezusätzlich einen Oberflächenabschnitt, der für die zu messende Größe empfindlich ist. Dies ist typischerweise eine Sensorzelle, Dieser Oberflächenabschnitt befindet sich vorzugsweise in dem freien Raum außerhalb des Gehäuses. Hierdurch wird dem zu vermessenden Medium, typischerweise einem Gas oder einer Flüssigkeit Zutritt zu dem besagten Oberflächenabschnitt, also der Sensorzelle, verschafft. Die Parameter die der Oberflächenabschnitt dabei erfassen kann sind beispielsweise abhängig von der Art der Sensorzelle Druck, Viskosität, PH-Wert, elektrische Leitfähigkeit, thermische Leitfähigkeit, radioaktives Strahlungsniveau, Farbe, Fluoreszenz und deren räumliche Gradienten. Bei dem Sensor kann es sich also beispielsweise um einen Drucksensor mit einer vergrabenen Kavität oder eine mikromechanische piezoelektrische Stimmgabel handeln, die durch einen Aktor in Schwingungen versetzt wird.
  • In einer vierten Ausführung des erfindungsgemäßen Gehäuses umschließt das Gehäuse einen zweiten und/oder ggf. dritten Bereich der besagten elektronischen Komponente. Hierdurch werden dieser zweite und ggf. dritte Bereich der elektronischen Komponente gegen das zu vermessende Medium geschützt. Dies ist besonders dann von Wichtigkeit, wenn das Medium insbesondere chemische Eigenschaften aufweist, die die elektronische Komponente in diesen zweiten und dritten Bereichen zerstören können. Beispielsweise ist es denkbar, dass die besagte elektronische Komponente nicht in zwei sondern in drei Bereiche geteilt werden kann, von denen ein erster Bereich die besagte Oberflächenstruktur, die Sensorzelle, aufweist, die für die Messung der zu erfassenden Messgröße empfindlich ist und die unempfindlich gegen die Aggressivität des Mediums ist und ein zweiter Bereich nur zu Dichtzwecken verwendet wird und ebenfalls gegen die Aggressivität des Mediums unempfindlich ist und einen dritten Bereich aufweist, der beispielsweise die metallischen elektrischen Kontakte der elektronischen Komponente aufweist und daher gegen das aggressive Medium empfindlich wäre. Durch das Umschließen des dritten und zweiten Abschnitts der elektronischen Komponente durch das Gehäuse wird der dritte Abschnitt gegen das aggressive Medium und damit gegen Korrosion geschützt. Hierdurch wird die Robustheit des Systems erhöht.
  • In einer fünften Ausführung des erfindungsgemäßen Gehäuses verfügt die besagte elektronische Komponente daher über die besagten elektrischen Kontakte. Diese Kontakte werden vorzugsweise für Verdrahtungen innerhalb des Gehäuses verwendet. Zum einen können elektrische Verbindungen, beispielsweise mittels Bond-Drähten mit anderen elektrischen Komponenten innerhalb des Gehäuses hergestellt werden. Zum anderen können elektrische Verbindungen zu elektrischen Leitungen der Montageplatte hergestellt werden. Auf diese Weise kann die elektronische Komponente mit anderen elektrischen Systemen außerhalb des Gehäuses verbunden werden. Da sich diese Verbindungen innerhalb des Gehäuses im dritten Bereich der elektronischen Komponente befinden, sind sie gegen das aggressive Medium und damit gegen Korrosion geschützt.
  • In einer sechsten Ausführung des erfindungsgemäßen Gehäuses weist das Gehäuse Montagehilfen für die Befestigung des Gehäuses auf. Diese Montagehilfen können zum einen Durchbrüche oder Vertiefungen im Gehäuse sein, die mit oder ohne Gewinde, für die Befestigung des Gehäuses mittels eines Stifts, einer Schraube oder eines Bolzens oder einer Klemmvorrichtung an einer Unterlage vorgesehenen sind. Zum anderen können diese Montagehilfen stiftförmige Strukturen sein, die mit oder ohne Gewinde versehen sein können. Dabei kann auch das ganze Gehäuse als ein Stift ausgeführt sein und ein Gewinde aufweisen.
  • Dies gibt dem Entwickler eine maximale Freiheit hinsichtlich Materialwahl, Dimensionen etc.
  • In einer siebten Ausführung der Erfindung weist das Gehäuse weitere elektronische Komponenten, mindestens aber eine weitere elektronische Komponente, auf, die zumindest mit einem ersten Bereich dieser weiteren Komponente bzw. Komponente jeweils außerhalb des Gehäuses liegen.
  • Die Erfindung bezieht sich weiter auf die Fertigungsmethode für ein Gehäuse
    wobei
    die besagte elektronische Komponente auf einem Schaltungsträger befestigt wird, beispielsweise geklebt oder gelötet wird, und
    die besagte elektronische Komponente elektrisch mit ihren besagten elektrischen Anschlüssen angeschlossen und
    das Gehäuse verkapselt wird, wobei der dritte und zweite Oberflächenabschnitt der elektronischen Komponente mit verkapselt werden.
  • Die bis hierher beschriebenen Merkmale und Aspekte der Erfindung können miteinander kombiniert werden, um die Vorteile der Erfindung jeweils optimal zu nutzen.
  • Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Zeichnungen beschränken sich in schematischer, vereinfachter Darstellung auf die notwendigsten Aspekte zur Verdeutlichung des erfinderischen Gedankens. Als beispielhafte elektronische Komponente, die aus der erfindungsgemäßen Vorrichtung herausragt, wird ein Sensor beschrieben. Im speziellen wird ein Drucksensor beschrieben. Die erfindungsgemäße Vorrichtung beschränkt sich aber nicht nur auf einen solchen Drucksensor oder Sensor.
  • 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Gehäuse im Längsschnitt. Als beispielhaftes Gehäuse (1) ist die Form einer Schraube gewählt. Es ist von besonderem Vorteil, wenn das Sensorsystem in Form einer M5 oder M10 Schraube ausgeführt wird. Dies ist in 1 nicht maßstabsgerecht dargestellt. Die Schraube ist mit einem Gewinde (1) und einem Schraubenkopf (32) versehen. Dem Fachmann ist klar, dass unter Gewinde in diesem Sinne auch ähnliche Maschinenelemente verstanden werden können, die zu einer Verbindung zwischen einem Loch in einem Werkstück und dem Sensorsystem führen können. Solche Maschinenelemente können beispielsweise auch Presspassungen und Bajonett-Verschlüsse, eine Gleitpassung für und Klebe-, Schweiß- oder Lötverbindungen eine Bolzenaußenfläche für eine Bolzenverbindung und eine Keilaußenfläche für eine Keilverbindung etc. sein. Die weitere Beschreibung bezieht sich auf eine Schraube mit einem Gewinde. In den Ansprüchen wird demgegenüber jedoch von einem Maschinenelement zur Verbindung mit einer Öffnung gesprochen.
  • Wenn von einer Achse des Maschinenelements zur Verbindung zur Verbindung mit einer Öffnung die Rede ist, so ist damit eine Linie gemeint längs derer das Sensorgehäuse bei der Montage an einen bestimmungsgemäßen Verwendungsort bewegt wird. Eine Schraube wird beispielsweise längs der Schraubengewindeachse in eine Öffnung hineingedreht. Dabei bewegt sich die Schraube längs dieser besagten Achse des Maschinenelements zur Verbindung zur Verbindung mit einer Öffnung (Gewindeachse) in die Montageöffnung hinein. Handelt es sich um eine Passung, so wird das Sensorgehäuse unter Umständen ohne Drehung in die Montageöffnung hineinbewegt.
  • Zum Zwecke des besseren Verständnisses wird hier nur eine Schraube behandelt. Dem Fachmann werden die Modifikationen offensichtlich sein, die für die Verwendung anderer Befestigungstechniken erforderlich sind.
  • Die Schraube kann bei Bedarf selbstverständlich länger gewählt werden. Die Position des optionalen Schraubenkopfes (32) kann auf der Längsachse der Schraube (37) ebenso anders gewählt werden. Der Schraubenkopf (32) ist beispielsweise mit einer umlaufenden Nut (31) versehen, die einen Dichtungsring (30) aufnimmt. Hierdurch kann das Sensorgehäuse druckdicht beispielsweise durch eine einfache M5- oder M10-Bohrung an einen Druckkörper angebracht werden.
  • Kern der Vorrichtung ist ein Träger (18), beispielsweise eine Platine (PCB), die den eigentlichen Sensor (3), beispielsweise einen MEMS Drucksensor, und den Auswerteschaltkreis (IC) (21) trägt. Statt eines PCBs, das typischerweise aus einem Verbundmaterial besteht, ist natürlich auch die Verwendung eines MID-Lead-Frames oder ähnliches denkbar. Auch können andere isolierende organische oder anorganische Substrate verwendet werden. Solche können beispielsweise aus einer Keramik oder einem Glasträger oder einem mono-nano- oder polykristallinen Wide-Bandgay-Material wie beispielsweise Saphir, bestehen. Auch ist die Verwendung von leitenden oder halbleitenden Materialien als Trägermaterial denkbar. Diese müssen jedoch zumindest einseitig isolierend beschichtet werden. Wenn im Folgenden und in den Ansprüchen von „Träger” gesprochen wird, sind daher auch solche Konstruktionen, wie z. B. die skizzierten, eingeschlossen, die der Funktion eines PCBs gleich- oder nahekommen. Darüber hinaus weist der besagte Träger (18) verschiedene Leiterbahnen (36) und leitende Inseln (19) und (17) auf, die zur Befestigung des Auswerteschaltkreises (21) und des Sensors (3), beispielsweise eines MEMS Drucksensors, dienen. Für die Herstellung solcher Metallinseln sind aus dem Stand der Technik mannigfache Verfahren bekannt, die hier nicht weiter beschrieben sind, da sie dem Fachmann offensichtlich sind.
  • Der Sensor (3) ist typischerweise mit einem Kleber (16) auf der Befestigungsfläche (17) für den Sensor (3) befestigt, die sich auf dem Träger (18) befindet.
  • Ebenso ist der Auswerteschaltkreis (21) mit einem ähnlichen oder gleichen Kleber (20) auf einer analogen Befestigungsfläche (19) für den Auswerteschaltkreis (21) auf dem Träger (18), z. B. einem PCB, befestigt.
  • Der Sensor (3), beispielsweise ein Drucksensor, ist auf der Medienseite so von einem ersten Dichtbereich (11) umschlossen, dass kein Medium an der Grenzfläche zwischen Sensor (3) und erstem Dichtbereich (11) durchtreten kann.
  • Der Sensor (3) durchdringt diesen ersten ersten Dichtbereich (11) in der Art, dass die eigentliche Messzelle (erster Bereich A 5) weit genug von dem ersten Dichtbereich (11) entfernt liegt und von dessen Material nicht bedeckt wird. Im Falle eines Drucksensors besteht die Messzelle beispielsweise aus der evakuierten Drucksensorkavität (71), den Piezo-Widerständen (50, 51, 52, 53) und wesentlichen Teilen der Zuleitungen (6, 9). Der erste Dichtbereich (11) umschließt den Sensor (3) in einem zweiten Bereich (zweiter Bereich B 5) des Sensors (3) in dem der Sensor (3) vorzugsweise keine Metallisierungen oder Funktionselemente aufweist, die mikromechanischer Natur sind oder die aus Materialien gefertigt sind, die durch das zu messende Medium korrodiert oder beeinflusst werden können. Dabei kann das Medium, beispielsweise das Öl eines Verbrennungsmotors, auch in verunreinigter Form vorliegen und die Beeinflussung oder die Korrosion durch die Verunreinigungen verursacht werden. Im Falle von Öl eines Verbrennungsmotors als Medium können solche Verunreinigungen beispielsweise Säuren etc. sein, die durch die Verbrennung im Brennraum des Motors entstehen.
  • Im beispielhaften Fall eines Drucksensors, weist dieser dabei ein Zwischenoxid (5, 5) auf, das die piezoresistiven Widerstände (50, 51, 52, 53) bedeckt und selbst wieder mit einer Schutzschicht beispielsweise aus Poly-Silizium (4, 5) bedeckt ist. Mit Poly-Silizium wird im Folgenden und auch hier polykristallines Silizium bezeichnet. Diese Schicht (4) bedeckt auch die Membrane (7, 5) der Druckmesszelle (8). Hierdurch wird die im aggressiven Medium befindliche Druckmesszelle (8) vor dem zu vermessenden Medium geschützt.
  • Es ist denkbar, statt oder zusätzlich zu dieser Schicht (4, 5) auch andere Schichten wie beispielsweise SiN zu benutzen. Auch kann eine ausreichend dicke Ausführung des Oxids (5, 5) für den jeweiligen Anwendungszweck bereits genügend Schutz bieten. In diesem Fall kann die Schicht (4, 5) ggf. sogar entfallen.
  • Auf der anderen Seite des ersten Dichtbereiches (11) liegen die Kontakte (13) des Sensors, beispielsweise eines Drucksensors, (dritter Bereich C, 5) frei. Der erste Dichtbereich (11) befindet sich also nur in einem Zwischenbereich (zweiter Bereich B 5) zwischen Kontakten (13) (dritter Bereich C 5) und Sensormesszelle (8, 7) (erster Bereich A 5).
  • Um den beispielhaften Sensor, einen Drucksensor, kontaktieren zu können, ist die Zwischenoxidschicht (5) im Bereich der Kontakte (13) (dritter Bereich C 5) geöffnet. Diese Öffnungen (13) sind mit dem Bond-Pad-Metall (14) bedeckt, um Bondbarkeit herstellen zu können.
  • Bonddrähte (15) verbinden den Auswerteschaltkreis (21) mit dem Sensor (3). Die Bondung kann dabei beispielsweise so geschehen, dass der Bond-Ball (22) auf dem Auswerteschaltkreis (21) abgesetzt wird und der Wedge-Bond auf der Kontaktfläche (14) des Sensors (3).
  • Zur Vereinfachung sind die Schaltungen des Auswerteschaltkreises (21) nur vereinfacht (24) eingezeichnet. Auch der Auswerteschaltkreis (21) ist durch ein Oxid und eine Passivierung (25) geschützt. Der Auswerteschaltkreis (21) verfügt über geeignete Bond-Flächen (26, 23), um einen elektrischen Anschluss zu ermöglichen.
  • Der Bond-Ball (22) des Bonddrahts (15) wird auf einem solchen Bond-Pad (23) des Auswerteschaltkreises (21) abgesetzt.
  • Die Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) nach Außen wird durch einen weiteren Bond-Draht (28) zwischen Auswerteschaltkreis (21) und Leiterbahn (36) auf dem Träger (18) hergestellt. In dem Beispiel wird der zugehörige Wedge-Bond (29) auf der Leiterbahn (36) und der Bond-Ball (27) auf dem Auswerteschaltkreis (21) gefertigt.
  • Der gelgefüllte Innenraum des Sensorgehäuses (12) wird auf der medienabgewandten Seite durch einen weiteren Dichtbereich (34) abgedichtet. Dieser weitere Dichtbereich (34) wird beispielsweise durch das PCB (18) und die Verdrahtung (19) durchdrungen. Die außenliegenden Teile der Verdrahtung (36) des PCBs (35) können vergoldet werden und als Stecker (36) verwendet werden.
  • Das Innere des Sensorgehäuses (12) ist vorzugsweise mit einem Gel gefüllt, um die mechanischen Einflüsse zu minimieren und den Auswerteschaltkreis (21) und das Bondsystem zu schützen.
  • 2 zeigt einen Sensor mit zwei Druckmembranen auf gegenüberliegenden Seiten. Ein solcher Sensor kann beispielsweise durch einen Buried-Cavity-Press hergestellt werden, wie er in der WO 2011083161 A2 beschrieben ist mit dem Unterschied, dass jeder Prozessschritt auf beiden Seiten des Substrates ausgeführt wird. Die Kontaktierung der dem Kleber (16) zugewandten Seite des Sensors (3) kann durch Durchkontaktierungen, sogenannte Through-Silicon-Vias oder kurz TSV, erfolgen. Hierzu ist aus dem Stand der Technik mannigfache Literatur bekannt.
  • 3 zeigt ebenfalls einen Querschnitt durch die Sensorschraube. Nun jedoch sind der Träger (18), der Auswerteschaltkreis (21) und der Sensor (3), ein beispielhafter MEMS-Drucksensor, in Aufsicht dargestellt.
  • Der außenliegende Platinenstecker besteht in diesem Beispiel aus vier Leitungen (38, 39, 40, 41). Dies können beispielsweise eine positive Spannungsversorgung, ein Masseanschluss und zwei Datenleitungen – beispielsweise Takt- und bidirektionale Daten- oder RX- und TX-Leitungen sein. Diese vier Leitungen (38, 39, 40, 41) sind mit vier Bonddrähten (42, 43, 44, 45) mit dem Auswerteschaltkreis (21) verbunden. Der Auswerteschaltkreis (21) ist mit einem Kleber (20) auf der Befestigungsfläche (19) befestigt, das Teil der gedruckten Schaltung (18) ist.
  • Auf der dem Medium zugewandten Seite ist der Auswerteschaltkreis (21) mit vier Bond-Drähten (46, 47, 48, 49) mit dem Sensor (3), einem beispielhaften Drucksensor, verbunden. Diese vier Verbindungen stellen beispielsweise eine Masseverbindung, die Spannungsversorgung und die beiden Ausgänge einer Wheatstone-Brücke dar.
  • Diese Wheatstone-Brücke besteht in diesem Beispiel aus den piezoresistiven Widerständen (50, 51, 52, 53), die zu dieser Wheatstonebrücke verschaltet sind. Die Widerstände (50, 51, 52, 53) sind, wie bei piezoresistiven Drucksensoren üblich, geeignet über einer Drucksensormembrane (7) platziert.
  • Der Sensor (3) ist mit Kleber (16) auf der Befestigungsfläche (17) befestigt, die Teil des Trägers (18) ist.
  • In 3 ist zu erkennen, dass der erste Dichtbereich (11) wiederum die Sensorzelle (8), hier eine Drucksensorzelle, und die Bondflächen des Sensors (3) freilässt.
  • 4 und 5 zeigen das Sensorgehäuse (100) von der Seite in den Ansichten, die den 1, 2 und 3 entsprechen.
  • 6 zeigt in einem vereinfachten, nicht maßstabsgerechten Querschnitt durch den Sensor (3). Weiter zeigt 5 die Bereiche A, B und C.
  • Insbesondere ist Bereich B stark verkürzt und die vertikalen Dimensionen der Schichten sind vergrößert, während die Dicke des Sensors (4) verkleinert dargestellt ist. Es handelt sich also nur um eine Veranschaulichung der wesentlichen Merkmale für einen Fachmann.
  • In diesem Beispiel (siehe 6) handelt es sich um einen Drucksensor in Buried-Cavity-Technologie. Hierbei wird in einen Handle-Wafer (62), der mit einer Oxidschicht (60) versehen ist, eine Vertiefung (57) fotolithografisch eingeätzt. Nach einer Reinigung wird ein Device-Wafer (61) auf den Handle-Wafer gebondet und durch mechanisches und chemisches Polieren soweit abgedünnt, bis die Dicke des Device-Wafer-Materials über der somit gebildeten Kavität (71), also der Membrane (7), der Zielmembrandicke entspricht.
  • Prozesse zur Fertigung eines solchen Sensors sind beispielsweise in WO 2011083161 A2 beschrieben.
  • Der Querschnitt zeigt vereinfacht die piezoresistiven p– Widerstände (53) und (50). Diese werden über hochdotierte p+-Halbleitergebiete (6, 9, 57, 58, 59) angeschlossen.
  • Es ist beispielsweise sinnvoll, die p– Widerstände (53, 50) mit den hochdotierten p+ Zuleitungen (6, 9, 57, 58, 59) in einer n-Wanne zu fertigen, die gegenüber diesen positiv elektrisch vorgespannt wird, um diese elektrisch zu isolieren. Als Basismaterial wird in diesem Fall beispielsweise p-dotiertes Silizium verwendet, das wiederum gegenüber der n-Wanne positiv vorgespannt ist, um diese Wanne elektrisch zu isolieren. Natürlich sind auch entgegengesetzte Kombinationen denkbar. Auch ist es denkbar, ganz andere Konstruktionen auf Basis anderer Materialien zu wählen. Daher handelt es sich hier nur um ein Ausführungsbeispiel.
  • Es ist besonders vorteilhaft, wenn in dem Bereich des ersten Dichtbereiches (zweiter Bereich B des Sensors) und im Bereich der Sensorzelle (erster Bereich A des Sensors) ausschließlich solche dotierten Gebiete zum Anschluss der Sensormesszelle (8) benutzt werden. Dies hat thermomechanische Vorteile und Vorteile des Korrosionsschutzes, da Silizium erheblich widerstandsfähiger gegen viele korrosive Stoffe ist.
  • Die Druckmesszelle (8) ist mit einem dünnen Oxid (56) von typischerweise 2 nm bis 40 nm bedeckt. Im Bereich der piezoresistiven Widerstände (53) und (50) sind diese vorzugsweise zumindest teilweise jeweils durch einen Poly-Silizium-Schild (55) und (54) bedeckt, der den jeweiligen piezoresistiven Widerstand (53) und (50) schützt. Die Konstruktion wird typischerweise durch ein weiteres Oxid (5) zumindest teilweise abgedeckt. Es ist bekannt, dass es vorteilhaft ist, die Membrane (7) von der Bedeckung durch dieses Oxid (5) auszusparen oder das Oxid in diesem Bereich verdünnt zu fertigen. Dies ist in 6 allerdings zur Vereinfachung so nicht gezeichnet.
  • Die Sensormesszelle ist soweit mit Poly-Silizium (4) abgedeckt, dass ein Zugriff aggressiver Chemikalien nicht möglich ist.
  • Wie bereits oben beschrieben, ist die Verwendung anderer Materialien für diese Schicht (4) denkbar. Auch ist eine Kombination verschiedener Korrosionsschutzschichten denkbar. Eine wichtige Funktion des verwendeten Schichtstapels ist beispielsweise der Schutz vor dem Eindringen von Protonen, beispielsweise aus Feuchtigkeit, was ansonsten zu einer Drift der piezoresistiven Widerstände führen kann.
  • Am anderen Ende sind die p+-Zuleitungen (9) durch Kontakte (14) so zugänglich gemacht, dass eine Bondung möglich ist. (dritter Bereich C, 5) Abschließend sollte erwähnt werden, dass eine Ko-Integration der Sensorzelle, beispielsweise der Druckzelle, und des Auswerteschaltkreises auf einem Kristall möglich ist.
  • Als Druckmesszellen kommen beispielsweise MOS-Tunneldioden, piezoresistive Systeme, beispielsweise mit Wheatstone-Brücken und kapazitive Systeme in Frage.
  • Auch sind beispielsweise sowohl Substrat-Mikromechanik-Technologien (Bulk-Micromachining) als auch Oberflächen-Mikromechanik-Technologien anwendbar.
  • Im Wesentlich läuft aber die Konstruktion darauf hinaus, dass der Auswerteschaltkreis (21) sehr schmal, also in einem Länge zu Weite-Verhältnis von vorzugsweise mehr als 2:1 oder mehr als 5:1 oder mehr als 10:1 ausgeführt wird. Die Bondverbindungen befinden sich sinnvoller Weise nur auf der Stecker-Seite und auf der gegenüberliegenden, dem zu vermessenden Medium zugewandten Seite.
  • Ähnliches gilt für den Sensor (3) auch dieser wird vorzugsweise sehr schmal ausgeführt. Bevorzugt sollte der Sensor (3) soweit aus der ersten Dichtung (11) herausragen, wie er dick ist. Der Sensor (3) sollte so breit sein, wie er dick ist. Wird dies eingehalten, so ragt typischerweise nur ein Würfel aus der ersten Dichtung (11) heraus (erster Bereich A, 5). Dieser Würfel weist bereist besondere mechanische Stabilität auf.
  • Aus Gründen der mechanischen Entkopplung kann es sinnvoll sein, diese optimale Würfelform zu verlassen und den Sensor (3) weiter in den ersten Dichtbereich (11) hineinragen zu lassen, als er breit und/oder dick ist.
  • Die Länge des Bereiches (zweiter Bereich B, 6), in dem der Sensor (3) Kontakt mit dem Material des ersten Dichtbereich (11) hat, hängt unter anderem von den Eigenschaften des Materials des ersten Dichtbereichs (11) und der anderen Systemkomponenten, den Anforderungen und der notwendigen Kontaktfläche zur sicheren Abdichtung ab.
  • Schließlich muss der Sensor (3) weit genug aus dem Material des ersten Dichtbereichs (11) hervorragen (dritter Bereich C, 5), um die Bondungen mit Sicherheit freizulassen.
  • Die Dimensionen des Sensors liegen also vorzugsweise mindestens bei 2:1:1, besser bei 5:1:1 oder 10:1:1 (Länge L zu Breite w zu Dicke d, 1 und 3) In manchen Fällen muss der Sensor jedoch zum besseren Trennen mittels Laser vor dem Vereinzeln des Wafer-Verbundes abgedünnt werden. Dies ist eine Verschlechterung gegenüber dem oben beschriebenen Optimalansatz. Unter anderem auch aus diesem Grund sind natürlich auch andere Dicken-Verhältnisse denkbar. Daher liegen die Verhältnisse Dimensionen der Sensoroberfläche also mindestens bei 2:1, besser bei 5:1 oder 10:1, (Länge L zu Breite w, 2) wobei die Dicke d abweichen kann. Bei den Dimensionen zählen die jeweils dünnste Breite w und die größte Länge L.
  • Der Sensor (3) und der Auswerteschaltkreis (21) werden also in einer Reihe mit der Langseite parallel zur Achse (37) montiert.
  • 7 zeigt ein zweites beispielhaftes Gehäuse (65) in den sechs möglichen Ansichten (a–e) und als Schnitt (e) entlang der Symmetrie-Achse (68). Das Gehäuse (65) verfügt über Kontakte (64), beispielsweise Lead-Finger, um das System beispielsweise mittels Lötung an eine Platine anschließen und/oder das Gehäuse auf diese montieren zu können. Ein beispielhafter Sensor (67) ragt als beispielhafte Komponente aus einer Seitenfläche des Gehäuses (65) hervor. Der Sensor (67) ist in diesem schematischen Beispiel mit einem Kleber (68) auf einem Die-Paddle (Bauteilträger) (69) aufgeklebt. Über Bonddrähte (70) ist der Sensor (67) in diesem Beispiel mit Leitungen (76) verbunden. In diesem Beispiel sind dies Fortsetzungen der Anschlussbeinchen (Kontakte 64). Der Auswerte-IC befindet sich komplett innerhalb des Gehäuses (65). Er ist mit einem Kleber (72) auf einem geeigneten Träger (71) befestigt. Der Auswerteschaltkreis (74) ist ebenfalls über Bonddrähte (73) mit Leitungen (76) verbunden. Diese können eine Verbindung zum Sensor herstellen. Es kann sich aber auch um Leitungen handeln, die mit den Kontakten (64) verbunden sind oder keine elektrische Verbindung haben. Auch eine direkte Verbindung von Auswerteschaltkreis (74) und Sensor (67) ist denkbar.
  • 8 zeigt ein erfindungsgemäßes Gehäuse mit einem weiteren Sensor (79).
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Gehäuse mit Gewinde oder auch einem Maschinenelement zur Verbindung mit einer Öffnung
    2
    3
    Sensor, typischerweise aus Silizium oder einem anderen Halbleitermaterial
    4
    Poly-Silizium Schicht oder SiN-Schicht zum Schutz vor Chemikalien
    5
    Oxid (typischerweise Siliziumdioxid)
    6
    erste Zuleitung auf dem Sensor, typischerweise aus hochdotiertem Halbleitermaterial. Beispielsweise kann es sich um p+ dotiertes Silizium in einer gegenüber der Zuleitung positiv elektrisch vorgespannten n-Wanne handeln.
    7
    Sensormembrane, typischerweise aus Silizium oder dem jeweils verwendetem Halbleitermaterial
    8
    Sensorzelle insbesondere Drucksensorzelle (als Gesamtheit)
    9
    zweite Zuleitung auf dem Sensor, typischerweise aus hochdotiertem Halbleitermaterial. Beispielsweise kann es sich um p+ dotiertes Silizium in einer gegenüber der Zuleitung positiv elektrisch vorgespannten n-Wanne handeln.
    10
    11
    erster Dichtbereich
    12
    Gel. Das Gel kann theoretisch auch weggelassen werden. Es dient dem chemischen und mechanischen Schutz der elektronischen Komponenten. Das Gel ist typischerweise mit einer gewissen Elastizität versehen und führt zu einer homogeneren Verteilung von mechanischem Strass, der sich beispielsweise durch verschiedene Temperaturkoeffizienten innerhalb des Gehäuses aufbauen kann.
    13
    Kontakte des Sensors
    14
    Bondung des Bonddrahtes (15) auf den Kontakt (13) des Sensors
    15
    Bonddraht
    16
    Kleber für die Befestigung des Sensors (3) auf der Befestigungsfläche (17)
    17
    Befestigungsfläche für den Sensor (3)
    18
    Träger für den Auswerteschaltkreis (21) und den Sensor (3) sowie die Verdrahtung (36) wobei dies auch ein sonstiger Träger sein kann, insbesondere einer gedruckten Schaltung oder einen Wafer-Stück oder einem keramischen Träger oder einer Glasplatte oder einem Leadframe oder einer Metallplatte mit Isolation oder einem kristallinen, polykristallinen oder amorphen Träger oder einen organischer oder anorganischer Träger oder einem Träger aus Verbundmaterial, wobei eine elektrische Verdrahtung sich typischer Weise auf dem Träger oder sonstigem Träger befindet.
    19
    Befestigungsfläche für den Auswerteschaltkreis (21)
    20
    Kleber zur mechanischen Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) mit der Befestigungsfläche (19)
    21
    Auswerteschaltkreis, typischerweise monolithisch integriert
    22
    Bond-Ball zur Verbindung des Auswerteschaltkreis (21) mit dem Sensor (3) mittels eines Bond-Drahtes (15) über das Bond-Pad (23)
    23
    Bond-Pad (Verbindungsfläche) des Auswerteschaltkreises (21) zur Verbindung des Auswerteschaltkreis (21) mit dem Sensor (3) mittels eines Bond-Drahtes (15)
    24
    vereinfacht (symbolisch) gezeichnete Auswerteschaltung innerhalb des Auswerteschaltkreises (21)
    25
    vereinfacht (symbolisch) gezeichnete Passivierung innerhalb des Auswerteschaltkreises (21)
    26
    weiteres Bond-Pad (Verbindungsfläche) des Auswerteschaltkreises (21) zur Verbindung des Auswerteschaltkreis (21) mit einem Steckverbindungsbereich (36) mittels eines Bond-Drahtes (28)) und einer Leiterbahn (36)
    27
    Bond-Ball zur Verbindung des Auswerteschaltkreis (21) mit einem Steckverbindungsbereich (36) mittels eines Bond-Drahtes (28) und einer Leiterbahn (36)
    28
    weiterer Bond-Draht zur Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) mit einem Steckverbindungsbereich (36) über eine Leiterbahn (36)
    29
    Wedge-Bond zur Verbindung des Auswerteschaltkreis (21) mit einem Steckverbindungsbereich (36) über eine Leiterbahn (36)
    30
    Dichtung oder Dichtungsring
    31
    Nut zur Aufnahme des Dichtungsrings oder der Dichtung (30)
    32
    Schraubenkopf
    33
    34
    zweiter Dichtbereich
    35
    Bereich des Trägers (18), der für die Verwendung als Steckerkomponente vorgesehen ist.
    36
    Bereich der Verdrahtung (19) der für die Verwendung als Stecker-Komponente vorgesehen ist.
    37
    Gewindeachse oder Achse eines Maschinenelements zur Verbindung mit einer Öffnung
    38
    erster, als Stecker-Komponente vorgesehener Leitungsbereich einer ersten Leitung
    39
    zweiter, als Stecker-Komponente vorgesehener Leitungsbereich einer zweiten Leitung
    40
    dritter, als Stecker-Komponente vorgesehener Leitungsbereich einer dritten Leitung
    41
    vierter, als Stecker-Komponente vorgesehener Leitungsbereich einer vierten Leitung
    42
    erster Bond-Draht zur Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) mit einer vierten Leitung (41)
    43
    zweiter Bond-Draht zur Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) mit einer dritten Leitung (40)
    44
    dritter Bond-Draht zur Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) mit einer zweiten Leitung (39)
    45
    vierter Bond-Draht zur Verbindung des Auswerteschaltkreises (21) mit einer ersten Leitung (38)
    46
    fünfter Bond-Draht zur Verbindung des Sensors (3) bzw. Drucksensors mit dem Auswerteschaltkreis (21)
    47
    sechster Bond-Draht zur Verbindung des Sensors (3) bzw. Drucksensors mit dem Auswerteschaltkreis (21)
    48
    siebter Bond-Draht zur Verbindung des Sensors (3) bzw. Drucksensors mit dem Auswerteschaltkreis (21)
    49
    achter Bond-Draht zur Verbindung des Sensors (3) bzw. Drucksensors mit dem Auswerteschaltkreis (21)
    50
    erster piezo-resistiver Widerstand einer Wheatstone-Brücke
    51
    zweiter piezo-resistiver Widerstand einer Wheatstone-Brücke
    52
    dritter piezo-resistiver Widerstand einer Wheatstone-Brücke
    53
    vierter piezo-resistiver Widerstand einer Wheatstone-Brücke
    54
    Poly-Silizium-Schild des ersten piezo-resistiven Widerstands einer Wheatstone-Brücke
    55
    Poly-Silizium-Schild des vierten piezo-resistiven Widerstands einer Wheatstone-Brücke
    56
    Oxid, dass die Druckmesszelle bedeckt. Typischerweise handelt es sich um ein sehr dünnes Oxid, das dünner als 200 nm ist.
    57
    dritte Zuleitung oder dritter Zuleitungsabschnitt auf dem Sensor, typischerweise aus hochdotiertem Halbleitermaterial. Beispielsweise kann es sich um p+ dotiertes Silizium in einer n-Wanne handeln.
    58
    vierte Zuleitung oder vierter Zuleitungsabschnitt auf dem Sensor, typischerweise aus hochdotiertem Halbleitermaterial. Beispielsweise kann es sich um p+ dotiertes Silizium in einer n-Wanne handeln.
    59
    fünfte Zuleitung oder fünfter Zuleitungsabschnitt auf dem Sensor, typischerweise aus hochdotiertem Halbleitermaterial. Beispielsweise kann es sich um p+ dotiertes Silizium in einer n-Wanne handeln.
    60
    vergrabenes Oxid eines Buried-cavity-Wafers, auch CSOI-Wafer genannt
    61
    Device-Wafer eines Buried-Cavity-Wafers, auch CSOI-Wafer genannt
    62
    63
    64
    Kontakt des zweiten beispielhaften Gehäuses
    65
    zweites beispielhaftes Gehäuse (dieses entspricht dem Gehäuse (1))
    66
    67
    beispielhafter Sensor (dieser entspricht dem Sensor (1)
    68
    Kleber (entspricht dem Kleber 16))
    69
    Die-Insel (entspricht der Befestigungsfläche (17))
    70
    Bonddrähte zur Verbindung des Sensors mit Leitungen (hier eine Leadframe-Leitungen) (76)
    71
    Die-Insel (entspricht der Befestigungsfläche (19))
    72
    Kleber (entspricht dem Kleber (20))
    73
    Bonddrähte zur Verbindung der integrierten Auswerteschaltung (74) mit den besagten Leitungen (hier eine Leadframe-Leitungen) (76)
    74
    integrierter Auswerteschaltkreis (entspricht dem Auswerteschaltkreis (21))
    75
    Leadframe Leitungen. Hier können auch Leitungen auf einem Träger etc. verwendet werden.
    79
    zweiter Sensor
    100
    Sensorgehäuse
    A
    erster Sensor-Bereich der Sensormesszelle. Hier werden die eigentlichen Messdaten erfasst. Dieser erste Bereich weist typischerweise keine Materialien auf, die durch das Medium korrodiert werden können. Die Oberflächen sind elektrisch isolierend und gegenüber dem Medium chemisch inert oder im Falle von medizinischen Sensoren im Kontakt mit Körperflüssigkeiten ggf. biologisch inaktiv und neutral. Des Weiteren werden hier typischerweise nur Materialen verwendet, die ähnliche Temperaturausdehnungskoeffizienten wie das Grundmaterial des Sensors besitzen.
    B
    zweiter Sensor-Bereich zur Abdichtung. Hier geschieht die Abdichtung zwischen Medium und dem Innenbereich des Sensorgehäuses. Da ein teilweises Eindringen des Mediums nicht ausgeschlossen werden kann weist dieser zweite Bereich wie der erste Bereich A typischerweise keine Materialeine auf, die durch das Medium korrodiert werden können. Die Oberflächen sind ebenso elektrisch isolierend und gegenüber dem Medium chemisch inert oder im Falle von medizinischen Sensoren im Kontakt mit Körperflüssigkeiten biologisch inaktiv und neutral. Des Weiteren werden auch hier typischerweise nur Materialen verwendet, die ähnliche Temperaturausdehnungskoeffizienten wie das Grundmaterial des Sensors besitzen. Darüber hinaus muss dieser zweite Bereich (B) des Sensors jedoch eine gute Adhäsion mit dem Material des ersten Dichtbereiches (11) aufweisen.
    C
    dritter Sensor-Bereich zur elektrischen Verbindung des Sensors mit dem Auswerteschaltkreis oder mit Leitungen des Lead-Frames oder des Schaltungsträgers (35). Auch ein teilweises Eindringen des Mediums sollte ausgeschlossen sein. Dieser dritte Bereich kann daher die Materialien wie beispielsweise das Metall der Bond-Flächen aufweisen, die durch das Medium korrodiert werden können. Die Oberflächen sind bis auf die Bond-Verbindungsbereiche elektrisch isolierend. Die Bereiche zur elektrischen Verbindung sind hiervon natürlich ausgenommen. Auch eine Beschränkung hinsichtlich der Temperaturausdehnungskoeffizienten gilt hier nicht mehr.
    w
    Breite des Sensors (3)
    L
    Länge des Sensors (3)
    d
    Dicke des Sensor (3)
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 2051298 A1 [0002, 0002]
    • EP 1613945 B1 [0002, 0002, 0004]
    • WO 2011083161 A2 [0040, 0051]

Claims (8)

  1. Gehäuse für eine integrierte elektronische Schaltung, wobei das besagte Gehäuse umfasst: Einen Gehäusekörper (1) aus einem ersten Material mit einer Symmetrieachse (37), einen Schaltungsträger (35) der die integrierte Schaltung trägt, wobei der Schaltungsträger (37) die elektrischen Kontakte zum elektrischen Anschluss der integrierten Schaltung bereitstellt, um die Energieversorgung und/oder die Kommunikation der integrierten Schaltung zu ermöglichen gekennzeichnet dadurch dass • mindestens eine elektronische Komponente (3, 67, 79) • mit einem ersten Bereich (A) der elektronischen Komponente (3, 67, 79) aus einer Gehäuseoberfläche aus einem Gehäuse (1) hervorragt und • die elektronische Komponente sich zumindest mit einem dritten (C) und zweiten Bereich (B) innerhalb des Gehäuses befindet und • die elektronische Komponente (3, 67, 79) sich zumindest mit einem ersten Bereich (A) außerhalb des Gehäuses (1, 65) befindet
  2. Gehäuse nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der elektronischen Komponente (3, 67, 79) um einen Sensor handelt.
  3. Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der elektronischen Komponente (3, 67, 79) um einen Aktor handelt.
  4. Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Komponente in dem ersten Teil zumindest einen für eine Messgröße empfindlichen Oberflächenbereich (7) aufweist, wobei sich der besagte Oberflächenbereich (7) an der Oberseite, an der Unterseite, an der Stirnfläche und/oder an einer der beiden Seitenflächen befinden kann, die sich im ersten Bereich (A) des Sensors befinden.
  5. Gehäuse nach einem oder mehreren der vorausgehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass sich die elektrischen Kontakte (13) der elektrischen Komponente (3, 67, 79) im dritten Bereich (C) der elektronischen Komponente (3, 67, 79) befinden.
  6. Gehäuse nach einem oder mehreren der vorausgehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass es Montagehilfen (Gewinde 1) aufweist.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses • wobei mindestens eine elektronische Komponente (3, 67, 79) auf mindestens einem Schaltungsträger (35, 69, 71) befestigt, beispielsweise geklebt oder gelötet wird und • zumindest die besagte elektronische Komponente (3, 67, 79) elektrisch mit ihren elektrischen Anschlüssen (13) angeschlossen wird und • das Gehäuses (1) verkapselt wird, • wobei zumindest ein dritter Bereich (C) und typischerweise auch ein zweiter Bereich (B) der besagten elektronischen Komponente (3, 67, 79) mit verkapselt werden und • zumindest ein erster Bereich (A) zumindest dieser besagten elektronischen Komponente (3, 67, 79) nicht verkapselt wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass es zur Herstellung eines Gehäuses nach einem der vorhergehenden Ansprüche dient.
DE102014002991.3A 2013-04-29 2014-02-26 Sensor-Gehäuse für die direkte Montage Active DE102014002991B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014002991.3A DE102014002991B4 (de) 2013-04-29 2014-02-26 Sensor-Gehäuse für die direkte Montage

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013007619 2013-04-29
DE102013007619.6 2013-04-29
DE102013016634.9 2013-10-01
DE102013016637 2013-10-01
DE102013016638 2013-10-01
DE102013016638.1 2013-10-01
DE102013016637.3 2013-10-01
DE102013016634 2013-10-01
DE102014002991.3A DE102014002991B4 (de) 2013-04-29 2014-02-26 Sensor-Gehäuse für die direkte Montage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014002991A1 true DE102014002991A1 (de) 2014-10-30
DE102014002991B4 DE102014002991B4 (de) 2019-04-25

Family

ID=51685116

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014000243.8A Active DE102014000243B4 (de) 2013-04-29 2014-01-06 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014006037.3A Withdrawn DE102014006037A1 (de) 2013-04-29 2014-01-06 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014010116.9A Active DE102014010116B4 (de) 2013-04-29 2014-01-06 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014019944.4A Active DE102014019944B3 (de) 2013-04-29 2014-02-26 Sensor-Gehäuse für die direkte Montage
DE102014002991.3A Active DE102014002991B4 (de) 2013-04-29 2014-02-26 Sensor-Gehäuse für die direkte Montage

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014000243.8A Active DE102014000243B4 (de) 2013-04-29 2014-01-06 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014006037.3A Withdrawn DE102014006037A1 (de) 2013-04-29 2014-01-06 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014010116.9A Active DE102014010116B4 (de) 2013-04-29 2014-01-06 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014019944.4A Active DE102014019944B3 (de) 2013-04-29 2014-02-26 Sensor-Gehäuse für die direkte Montage

Country Status (1)

Country Link
DE (5) DE102014000243B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3306275A1 (de) * 2016-10-07 2018-04-11 Skf Magnetic Mechatronics Versiegelter sensor mit funktion in korrosiver umgebung
US10247585B2 (en) 2015-01-28 2019-04-02 Continental Teves Ag & Ohg Adapter with embedded filter components for sensors

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014000243B4 (de) 2013-04-29 2015-06-25 Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102016209840A1 (de) * 2016-06-03 2017-12-07 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensor, Verfahren und Sensoranordnung
DE102017129442A1 (de) 2017-12-11 2019-06-13 Infineon Technologies Ag Druckmessanordnung
EP3618101A1 (de) * 2018-08-31 2020-03-04 Melexis Technologies NV Sensorvorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE102019117045B4 (de) * 2019-06-25 2021-01-07 Sentronic GmbH - Gesellschaft für optische Meßsysteme Sensormodul zur multiparametrischen Analyse eines Mediums
EP3839625A1 (de) 2019-12-18 2021-06-23 Nivarox-FAR S.A. Verfahren zur herstellung einer uhrkomponente und nach diesem verfahren hergestellte komponente
CN113447085B (zh) * 2021-09-01 2021-11-26 中国电力科学研究院有限公司 一种油类设备中油的氢气含量、压力及温度在线监测装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1613945B1 (de) 2003-03-21 2008-05-14 Visyx Technologies Inc. Resonator-sensor-einheit
EP2051298A1 (de) 2007-10-18 2009-04-22 Elmos Advanced Packaging B.V. Gehäuse mit integrierter Schaltung
WO2011083161A2 (de) 2010-01-11 2011-07-14 Elmos Semiconductor Ag Mikroelektromechanisches halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3021088A1 (de) 1980-06-04 1981-12-10 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Sensor
DE4219454C2 (de) * 1992-06-13 1995-09-28 Bosch Gmbh Robert Massenflußsensor
US20030167851A1 (en) 2002-01-30 2003-09-11 Parker Gregory D. Absolute micromachined silicon pressure sensor with backside hermetic cover and method of making the same
US20050121734A1 (en) 2003-11-07 2005-06-09 Georgia Tech Research Corporation Combination catheter devices, methods, and systems
DE10360941A1 (de) 2003-12-23 2005-07-28 Sensor-Technik Wiedemann Gmbh Rohrförmiger Drucksensor
DE102004002089A1 (de) 2004-01-15 2005-08-04 Robert Bosch Gmbh Anordnung zur Druckerfassung in einem Druckraum, insbesondere in einem Brennraum einer Brennkraftmaschine
DE102004027094A1 (de) * 2004-06-02 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit einem Halbleiter-Sensorchip und einem Kunststoffgehäuse sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005038443A1 (de) * 2005-08-16 2007-02-22 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
US8426932B2 (en) * 2007-07-17 2013-04-23 Kwj Engineering Inc. Apparatus and method for microfabricated multi-dimensional sensors and sensing systems
EP2090873B1 (de) * 2008-02-14 2011-06-01 Elmos Advanced Packaging B.V. Integriertes Schaltungsgehäuse
DE102008011943B4 (de) * 2008-02-29 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung zur Differenzdruckmessung
DE102008046515A1 (de) 2008-09-10 2010-03-18 Continental Automotive Gmbh Sensorgehäuse
US8020448B2 (en) 2008-10-21 2011-09-20 GM Global Technology Operations LLC Pressure sensor with nonlinear characteristic curve
US8967859B2 (en) * 2009-04-20 2015-03-03 Eric S. Harmon Microbolometer and pixel exploiting avalanche breakdown
DE102010001073A1 (de) * 2010-01-21 2011-07-28 Robert Bosch GmbH, 70469 Sensor, insbesondere Niederdrucksensor, zur Messung eines Differenzdrucks
DE102010043982A1 (de) * 2010-11-16 2011-12-15 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung
JP5333529B2 (ja) 2011-07-05 2013-11-06 株式会社デンソー モールドパッケージの製造方法
DE102014000243B4 (de) 2013-04-29 2015-06-25 Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1613945B1 (de) 2003-03-21 2008-05-14 Visyx Technologies Inc. Resonator-sensor-einheit
EP2051298A1 (de) 2007-10-18 2009-04-22 Elmos Advanced Packaging B.V. Gehäuse mit integrierter Schaltung
WO2011083161A2 (de) 2010-01-11 2011-07-14 Elmos Semiconductor Ag Mikroelektromechanisches halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10247585B2 (en) 2015-01-28 2019-04-02 Continental Teves Ag & Ohg Adapter with embedded filter components for sensors
EP3250892B1 (de) * 2015-01-28 2019-10-16 Continental Teves AG & Co. OHG Adapter mit eingebetteten filterbauelementen für sensoren
EP3306275A1 (de) * 2016-10-07 2018-04-11 Skf Magnetic Mechatronics Versiegelter sensor mit funktion in korrosiver umgebung
CN107917724A (zh) * 2016-10-07 2018-04-17 斯凯孚磁性机械技术公司 传感器
US11415437B2 (en) 2016-10-07 2022-08-16 Skf Magnetic Mechatronics Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014010116B4 (de) 2018-11-15
DE102014010116A1 (de) 2015-08-20
DE102014000243B4 (de) 2015-06-25
DE102014002991B4 (de) 2019-04-25
DE102014006037A1 (de) 2014-10-30
DE102014000243A1 (de) 2014-11-13
DE102014019944B3 (de) 2019-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014019944B3 (de) Sensor-Gehäuse für die direkte Montage
DE102012108305B4 (de) Sensorbauelement und Verfahren
DE102005047414B4 (de) Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben
DE10351761B4 (de) Sensor für eine dynamische Grösse
DE102009038706B4 (de) Sensorbauelement
DE102010016696B4 (de) Halbleiter-Bauelement
WO2007020132A1 (de) Sensoranordnung mit einem substrat und mit einem gehäuse und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung
DE102013100156A1 (de) Halbleiterbausteine und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102008027999A1 (de) Halbleitersensor
EP2737497B1 (de) Verfahren zum herstellen eines elektrischen bauelements und elektrisches bauelement
DE102013101731A1 (de) Drucksensorsystem
DE102006056361B4 (de) Modul mit polymerhaltigem elektrischen Verbindungselement und Verfahren
DE102004059397A1 (de) Drucksensor mit gekapselter Membran
DE102008054879B4 (de) Drucksensor
DE102014224559A1 (de) Mikromechanische Sensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP3111474B1 (de) Verfahren zum herstellen einer leiterplatte mit eingebettetem sensorchip sowie leiterplatte
DE202013102632U1 (de) Sensorbaustein
WO2019016320A1 (de) Drucksensoranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE102007001290A1 (de) Halbleitermodul
DE4400439C2 (de) Halbleiter-Druckmeßfühler
WO2008034663A1 (de) Sensoranordnung mit einem substrat und mit einem gehäuse und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung
DE102014019691B4 (de) Flächeneffiziente Druckerfassungsvorrichtung mit einer innenliegenden Schaltungskomponente
EP3089228B1 (de) Komponente mit reduzierten spannungskräften im substrat
DE102021115598B4 (de) Stromsensor
EP2575175B1 (de) Bildsensor mit großer Chipfläche

Legal Events

Date Code Title Description
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01L0019140000

Ipc: G01D0011300000

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01D0011300000

Ipc: G01D0011240000

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, DE

Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AG, 44227 DORTMUND, DE

Effective date: 20141217

R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R130 Divisional application to

Ref document number: 102014019944

Country of ref document: DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE

R020 Patent grant now final
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MEASUREMENT SPECIALTIES, INC., HAMPTON, US

Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, 44227 DORTMUND, DE

Owner name: SILICON MICROSTRUCTURES, INC., MILPITAS, US

Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, 44227 DORTMUND, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MEASUREMENT SPECIALTIES, INC., HAMPTON, US

Free format text: FORMER OWNER: SILICON MICROSTRUCTURES, INC., MILPITAS, CALIF., US