DE102013221941A1

DE102013221941A1 - Verfahren zur Kontaktierung einer Solarzelle sowie eine Solarzelle hergestellt mit einem solchen Verfahren

Info

Publication number: DE102013221941A1
Application number: DE201310221941
Authority: DE
Inventors: Reik Jesswein; Dennis Fiedler
Original assignee: SolarWorld Industries Thueringen GmbH
Current assignee: SolarWorld Industries GmbH
Priority date: 2013-10-29
Filing date: 2013-10-29
Publication date: 2015-04-30

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Solarzelle sowie eine Solarzelle hergestellt mit einem solchen Verfahren, insbesondere zur elektrischen Kontaktierung einer Solarzelle, umfassend das a) Bereitstellen mindestens eines Halbleiterwafers mit einer Frontseite und mit einer Rückseite; b) Aufbringen mindestens einer Saatschichtstruktur für eine elektrische Kontaktierung auf der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers; c) Feuern des Halbleiterwafers zum Einbrennen der mindestens einen Saatschichtstruktur; d) Bereitstellen mindestens einer Ätzlösung; e) Einbringen der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers erhalten gemäß Schritt c) in die mindestens eine Ätzlösung gemäß Schritt d); f) Durchführen mindestens eines Elektroätzens and der Frontseite und/oder der Rückseite im Bereich der Saatschichtstruktur erhalten gemäß c); und anschließendes g) galvanisches oder nicht-galvanisches Abscheiden von Metall auf die Frontseite und/oder die Rückseite, insbesondere im Bereich der geätzten Saatschichtstruktur, zur Erzeugung einer elektrischen Kontaktierung.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Solarzelle sowie eine Solarzelle hergestellt mit einem solchen Verfahren.
Stand der Technik
Im Stand der Technik sind unterschiedliche Verfahren zur Kontaktierung von Solarzellen bekannt. Solarzellen können beispielsweise als beidseitig kontaktierte Zellen aus p-Typ Halbleiterwafern aufgebaut sein. Diese umfassen eine p-Typ Basis und einen frontseitigen n-Typ Emitter. Grundsätzlich ist es wünschenswert, dass ein möglichst gering dotierter und somit hochohmiger Emitter zum Einsatz kommt. Durch eine niedrige Dotierung reduziert sich die Wahrscheinlichkeit einer Augerrekombination für die durch die Absorption von Photonen im Emitter generierten Ladungsträger. Somit können die offene Klemmspannung und der Kurzschlussstrom gesteigert werden sowie hiermit einhergehend auch der Wirkungsgrad der Solarzelle.
Je niedriger die Dotierung des Emitters ist, desto schwieriger wird jedoch die Kontaktbildung zwischen dem Halbleitermaterial und einer metallischen Elektrodenstruktur. Üblicherweise wird eine solche Elektrodenstruktur durch das Auftragen von metallhaltigen Tinten oder Pasten auf die Oberfläche des Emitters und ein anschließendes Einbrennen derselben erzeugt.
Bei hochohmigen Emittern liegt daher oftmals ein erhöhter Kontaktwiderstand vor, der den Wirkungsgrad der Solarzelle reduziert. Dabei kann durch einen erhöhten Kontaktwiderstand ein Füllfaktorverlust entstehen, der die Vorteile eines hochohmigen Emitters überkompensiert.
Es ist daher beispielsweise im Stand der Technik bekannt, dass ein hochohmiger Emitter im Bereich der Kontaktstellen abschnittsweise niederohmiger ausgeführt ist. Dies hat sich aus Gründen des damit einhergehenden Fertigungsaufwands jedoch nicht als geeignet für eine großindustrielle Herstellung erwiesen.
Im Stand der Technik ist es bekannt, beispielsweise eine Frontseiten-Elektrodenstruktur in einem zweistufigen Verfahren bereitzustellen. In einer ersten Stufe wird beispielsweise mittels eines Inkjet-Verfahrens eine metallhaltige Tinte bzw. Paste aufgebracht, insbesondere in Form einer Saatschichtstruktur. Auch sind andere Verfahren zum Aufbringen der Tinte bekannt, beispielsweise ein Aerosol-Druck, ein Offset-Druck, oder dergleichen. In einem weiteren Schritt wird die Saatschichtstruktur in einem thermischen Verfahrensschritt, dem sogenannten Feuern, eingebrannt. Daraus entstehen Saatschichten genannte Strukturen.
Üblicherweise sind die Oberflächen von Solarzellen mit einer Antireflexschicht und/oder Passivierungsschicht versehen. Diese können beispielsweise eine Siliziumnitrid-Dünnschicht umfassen. Damit die aufgebrachten Saatschichten die Antireflexschicht und/oder Passivierungsschicht für eine elektrische Kontaktierung durchdringen können, sind neben den in flüchtigen Lösungsmitteln gehaltenen Metallpartikeln eine Glasfritte und Additive in den Tinten vorgesehen. Die Glasfritte und die Additive sind dafür verantwortlich, dass die Antireflexschicht und/oder die Passivierungsschicht beim Feuern durchdrungen werden kann. Zur Bereitstellung eines guten Kontaktwiderstands werden die gefeuerten Saatschichten zudem oftmals noch mit einem Formiergas getempert.
In einem zweiten Schritt werden dann die Saatschichen durch galvanisch abgeschiedenes Metall verstärkt.
Eine alternative Lösung zur Bereitstellung von Solarzellen mit hochohmigem Emitter und gleichzeitig niedrigem Kontaktwiderstand offenbart DE 10 2009 044 823 A1 . Dabei wird ein Verfahren offenbart, das einen Verzicht auf ein Tempern ermöglichen soll. Für die Kontaktierung einer Solarzelle wird vorgeschlagen, dass nach einem Aufbringen und Einbrennen einer Saatschichtstruktur ein galvanisches Abscheiden von Metall erfolgt.
Der Artikel „Capitalizing on the Glass-Etching Effect of Silver Plating Chemistry to Contact Si Solar Cells With Homogeneous 100–110Ω/sq Emitters”, IEEE Electron Device Letters, Vol. 32, No. 6, June 2011, Seiten 779 bis 781, offenbart, dass ein Ätzen der Glasfritte zu einem geringen Kontaktwiderstand einer Solarzelle führen kann.
Nachteilig an den bekannten Verfahren ist jedoch, dass diese aufwendig und teuer sind. Der zweite Schritt der bekannten Verfahren, das Abscheiden von Metall, ist insbesondere nachteilig, da eine große Menge an abzuscheidendem Metall verwendet werden muss, was die Kosten der Verfahren deutlich erhöht.
Es wäre daher wünschenswert, auf Verfahren zurückgreifen zu können, die eine Kontaktierung von Solarzellen kostengünstiger und einfacher ermöglichen würden.
Der vorliegenden Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, die Nachteile des Stands der Technik zu überwinden. Insbesondere soll ein Verfahren geliefert werden, dass die Kontaktierung von Solarzellen vereinfacht und die Menge des abzuscheidenden Metalls minimiert.
Offenbarung der Erfindung
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur elektrischen Kontaktierung einer Solarzelle, umfassend die folgenden Schritte, insbesondere in dieser Reihenfolge:

a) Bereitstellen mindestens eines Halbleiterwafers mit einer Frontseite und mit einer Rückseite;
b) Aufbringen mindestens einer Saatschichtstruktur für eine elektrische Kontaktierung auf der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers;
c) Feuern des Halbleiterwafers zum Einbrennen der mindestens einen Saatschichtstruktur;
d) Bereitstellen mindestens einer Ätzlösung;
e) Einbringen der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers erhalten gemäß Schritt c) in die mindestens eine Ätzlösung gemäß Schritt d);
f) Durchführen mindestens eines Elektroätzens and der Frontseite und/oder der Rückseite im Bereich der Saatschichtstruktur erhalten gemäß c); und anschließendes
g) galvanisches oder nicht-galvanisches Abscheiden von Metall auf die Frontseite und/oder die Rückseite, insbesondere im Bereich der geätzten Saatschichtstruktur, zur Erzeugung einer elektrischen Kontaktierung.

Eine Frontseite und eine Rückseite sollen dabei beispielhaft die Seiten eines Halbleiterwafers bezeichnen. Dabei ist offensichtlich, dass die Frontseite auch die Rückseite sein kann und umgekehrt.
In Verfahrensschritt f) wird in einer zweckmäßigen Ausgestaltung mindestens ein kathodisches Potential an der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers erzeugt. Das Elektroätzen gelingt hierbei regelmäßig durch Anlegen eines Stroms an die Anode und/oder die Frontseite und/oder die Rückseite.
Bei Halbleiterwafern im Sinne der vorliegenden Erfindung kann es sich beispielsweise um Halbleiterwafer mit einem Durchmesser von 1 Zoll bis 18 Zoll handeln, wobei selbstverständlich auch andere Größen von Halbleiterwafern vorgesehen sein können. Halbleiterwafer im Sinne der vorliegenden Erfindung können auch mit einer sogenannten, dem Fachmann bekannten Antireflexschicht bzw. Passivierungsschicht, beispielsweise umfassend oder bestehend aus Siliziumnitrid, ausgestattet sein.
Für das erfindungsgemäße Verfahren wird in einer besonders zweckmäßigen Ausgestaltung auf eine wässrige Ätzlösung zurückgegriffen, enthaltend Fluorwasserstoff, Tetramethylammoniumhydroxid und/oder Kaliumhydroxid, vorzugsweise in einer Konzentration im Bereich von 0,01 bis 0,5 Gew.-%, insbesondere im Bereich von 0,01 bis 0,25 Gew.-%, der Ätzlösung. Besonders bevorzugt kommen somit bei dem erfindungsgemäßen Verfahren sogenannte schwach konzentrierte Ätzlösungen zum Einsatz.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann weiterhin umfassen das Auswählen des mindestens einen Halbleiterwafers aus der Gruppe bestehend aus

– einem p-Typ Halbleiterwafer mit einer p-Typ Basis und mit einem n-dotierten Frontseiten-Emittter, insbesondere mit mehr als 70 Ohm/sq, bevorzugt mehr als 90 Ohm/sq, besonders bevorzugt mehr als 110 Ohm/sq,
– einem n-Typ Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis, einem n-Typ Frontseitenabschnitt zur Frontseiten-Kontaktierung der n-Typ Basis und einem p-Typ Emitter,
– einem n-Typ Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis und einem p-dotiertem Frontseitenemitter, insbesondere mit mehr als 40 Ohm/sq, und
– einem n-Typ Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis und einer p-dotierten Emitterstruktur zur Rückseitenkontaktierung oder einem p-Typ Halbleiterwafer mit einer p-Typ Basis und einer n-dotierten Emitterstruktur zur Rückseitenkontaktierung.

Diese Halbleiterwafer haben sich als besonders geeignet für das erfindungsgemäße Verfahren erwiesen.
Auch kann gemäß einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens das Bereitstellen mindestens einer Anode in Form eines inerten Metallgitters, insbesondere bestehend aus oder umfassend Silber, Titan und/oder Platin, für das Elektroätzen gemäß Schritt f) vorgesehen sein.
Das Bereitstellen einer Anode in Form eines inerten Metallgitters hat sich für ein Elektroätzen als besonders vorteilhaft erwiesen.
In einer zweckmäßigen Ausgestaltung umfasst das erfindungsgemäße Verfahren das Anordnen der mindestens einen Anode zur Durchführung eines lokalen Elektroätzens mindestens bereichsweise um mindestens einen Abschnitt der Saatschichstruktur des mindestens einen Halbleiterwafers.
Ein lokales Elektroätzen hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, um die Glasfritte ausschließlich lokal im Bereich der Saatschichtstruktur zu entfernen, und um keine Beschädigung der weiteren Schichten der Solarzelle zu verursachen.
Auch kann vorgesehen sein, dass das erfindungsgemäße Verfahren das Auswählen des galvanisches oder nicht-galvanisches abzuscheidenden Metalls aus der Gruppe von Metallen bestehend aus Silber, Gold, Kupfer, Titan, Palladium und Nickel und/oder das Bereitstellen einer Menge des galvanisch oder nicht-galvanisch abzuscheidenden Metalls von weniger als 1 g, insbesondere weniger als 10mg umfasst.
Die Verwendung von Silber, Gold, Kupfer, Titan, Palladium und/oder Nickel zur Verringerung des Kontaktwiderstands ist besonders vorteilhaft. Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens kann zudem die Menge des abzuscheidenden Metalls deutlich verringert werden, was zu erheblichen Kosteneinsparungen führen kann. Diese abzuscheidende Menge von Metall von weniger als 1g, insbesondere weniger als 10mg, hat sich insbesondere bei Halbleiterwafern mit einem Durchmesser zwischen 1 Zoll und 18 Zoll als vorteilhaft erwiesen, wobei auch andere Durchmesser praktikabel sind.
Insbesondere kann es für das erfindungsgemäße Verfahren vorteilhaft sein, wenn die Ätzlösung ferner Silberionen enthält, vorzugsweise in einer Konzentration von weniger als 0,01 Gew.-%, insbesondere von weniger als 0,03 Gew.-%.
Durch eine Ätzlösung umfassend Silberionen kann ermöglicht werden, dass bereits beim Elektroätzen der Kontaktwiderstand der Solarzelle verringert werden kann.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Schritt des Elektroätzens bevorzugt mit einem Strom von weniger als 0,5 A, insbesondere von weniger als 0,1 A durchgeführt.
Diese Stromstärken haben sich als besonders vorteilhaft erwiesen.
Besonders gute Resultate stellen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren auch dann ein, wenn mindestens ein Abschnitt der mindestens einen Saatschicht vermittels mindestens einer metallhaltigen Tinte und/oder Paste unter Erhalt der Saatschichtstruktur, insbesondere durch Inkjet-Drucken, Aerosol-Drucken, Lasertransfer-Verfahren, Tampon-Offset-Verfahren und/oder Lasertransferverfahren, gebildet wird.
Diese Aufbringverfahren haben sich als vorteilhaft für ein Aufbringen der Saatschichtstruktur erwiesen.
Schließlich kann vorgesehen sein, dass bei dem erfindungsgemäßen Verfahren in einer Ausführungsform die mindestens eine Paste und/oder Tinte für das Aufbringen mindestens eines Abschnitts der mindestens einen Saatschicht zur Ausbildung der Saatschichtstruktur eine Glasfritte umfasst, wobei die Glasfritte insbesondere einen Gehalt an Partikeln elementaren Metalls von weniger als 5 Gew.-%, insbesondere von weniger als 1 Gew.-%, insbesondere von weniger als 0,5 Gew.-% umfasst.
Besagte Pasten und/oder Tinten eigenen sich insbesondere für ein Ausbilden der Saatschichstruktur.
Auch liefert die Erfindung eine Solarzelle, hergestellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren.
Die überraschende Erkenntnis der Erfindung liegt nunmehr darin, dass die elektrischen Kontakteigenschaften einer Solarzelle signifikant verbessert werden können, wenn zunächst mittels einer schwach konzentrierten Ätzlösung die Glasfrittenbarriere an der Halbleiter-Metall-Grenzschicht reduziert und/oder entfernt wird. Eine solche Glasfrittenbarriere behindert den Stromfluss über die Grenzfläche und erhöht den Kontaktwiderstand.
Das Entfernen einer solchen Glasfrittenbarriere an der Grenzfläche erfolgt bei schwach konzentrierten Ätzlösungen nur langsam oder gar nicht. Bei einer Verwendung höher konzentrierter Ätzlösungen kann diese jedoch weitere Schichten der Solarzelle angreifen und diese in ihrer Funktionalität negativ beeinträchtigen.
Es hat sich daher als vorteilhaft erwiesen, einen Ätzvorgang mit einer schwach konzentrierten Ätzlösung elektrochemisch zu unterstützen und auf diese Weise die von der Glasfritte belegten Kontaktbereiche freizulegen.
Nach erfolgtem Freilegen der Kontaktbereiche kann anschließend eine Abscheidung, entweder galvanisch oder stromlos, von sehr geringen Metallmengen erfolgen, so dass der Kontaktwiderstand stark abgesenkt wird.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt insbesondere darin, dass durch das erfindungsgemäße Verfahren die Menge des abzuscheidenden Materials im Vergleich zu Verfahren gemäß dem Stand der Technik frei gewählt und insbesondere reduziert werden kann, um einen vergleichbar geringen oder geringeren Kontaktwiderstand wie mit den bekannten Verfahren bereitzustellen.
Bei einem solchen Abscheiden von Metall ist einer der größten Kostenfaktoren das Metall selbst. Eine Reduzierung der abzuscheidenden Menge an Metall stellt daher einen erheblichen Kostenvorteil dar.
Zeichnungen
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachgehenden Beschreibung, in der eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung beispielhaft anhand einer schematischen Zeichnung erläutert ist. Dabei zeigt:
1: ein Diagramm der Füllfaktoren eines Vorversuchs zur Kontaktierung von Solarzellen mit und ohne erfindungsgemäßes Elektroätzen in einer schwach konzentrierten Kalilauge;
2: ein Diagramm der Füllfaktoren eines weiteren Vorversuchs zur Kontaktierung von Solarzellen mit einem erfindungsgemäßen Elektroätzen mit unterschiedlich schwach konzentrierten Kalilaugen; und
3: ein Diagramm der Füllfaktoren von Vorversuchen zur Kontaktierung von Solarzellen mit und ohne erfindungsgemäßes Elektroätzen mit unterschiedlich konzentrierten Kalilaugen.
Ausführungsbeispiele
In 1 ist ein Vorversuch 1 eines erfindungsgemäßen Verfahrens gezeigt. Dabei wurde das Verfahren für den Vorversuch einstufig durchgeführt, in dem das Elektroätzen und das Abscheiden von Metall gleichzeitig vorgenommen wurde.
Als Ätzlösung wurde eine Kalilauge mit 0.01 wt% bis 0.25 wt.% verwendet, wobei die Ätzlösung eine minimale Menge an Silberionen von weniger als 0.03 wt% umfasst hat.
Ein Füllfaktor 3 bezeichnet den Quotienten aus der maximalen Leistung einer Solarzelle am Maximum Power Point und dem Produkt aus Leerlaufspannung und Kurzschlussstrom. Es wurden Gruppen von Solarzellen 7, 9, 11, 13 mit einem Füllfaktor von ungefähr 45 % verwendet. Diese wurden der Ätzlösung für einen Zeitraum von 4 Minuten ausgesetzt. Für das Elektroätzen wurde die zu kontaktierende Seite der Solarzelle als Kathode geschaltet, und eine Gegenanode aus Silber eingesetzt. Wie in 1 gezeigt, konnte der Füllfaktor durch ein Anlegen eines Stroms 5 zwischen 0,01 A und 0,1 A deutlich erhöht werden. Als Referenzgruppe ist die nicht bestromte Gruppe von Solarzelle 7 gezeigt. Deren Füllfaktor ist im Wesentlichen unverändert. Durch ein Durchführen eines Elektroätzens mit einer Stromstärke von 0,01 A konnte der Füllfaktor eine Gruppe von Solarzellen 9 68,688 erhöht werden. Ein Durchführen eines Elektroätzens mit einer Stromstärke von 0,05 A konnte den Füllfaktor eine Gruppe von Solarzellen 11 auf 55,47 erhöhen, eine Stromstärke von 0,1 A konnte den Füllfaktor eine Gruppe von Solarzellen 13 auf 70,365 erhöhen.
Es wurde somit gezeigt, dass ein Elektroätzen den Füllfaktor von Solarzellen signifikant steigern kann.
In 2 ist ein weiterer Vorversuch 15 mit einem einstufigen Verfahren gemäß 1 gezeigt. Dabei ist ein Füllfaktor 17 von drei Gruppen von Solarzellen 19, 21, 23 in Kalilauge mit einer Konzentration von 0.01 wt% bis 0.25 wt% eingebracht und 4 Minuten elektrogeätzt. Dabei ist gezeigt, dass ein erste Gruppen von Solarzellen 19, geätzt in einer Kalilauge mit einer Konzentration von 5ml auf 38 l (0.01 wt%), einen Füllfaktor von 61,115 aufweist, eine zweite Gruppe von Solarzellen 21 geätzt, in einer Kalilauge mit einer Konzentration von 25ml auf 38 l (0.05 wt%), einen Füllfaktor von 62,0475 aufweist und ein dritte Gruppe von Solarzellen 23, geätzt in einer Kalilauge mit einer Konzentration von 125ml auf 38 l (0.25 wt%), einen Füllfaktor von 69,1025 aufweist.
In 3 ist ein Diagramm 25 gezeigt, dass den Einfluss einer verwendeten Stromstärke 27 in Ampere und einer verwendeten Konzentration einer Kalilauge 29 in ml pro 38l auf den Füllfaktor einer Solarzelle abbildet. Dabei wurde wiederum ein einstufiges Verfahren gemäß den 1 und 2 eingesetzt. Der Elektroätzvorgang betrug wiederum 4 Minuten. Dabei ist erkennbar, dass höhere Stromstärken 27 und höhere Konzentrationen einer Kalilauge 29 mit einem höheren Füllfaktor einhergehen.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in den Ansprüchen sowie in den Zeichnungen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln aus auch in jeder beliebigen Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 102009044823 A1 [0009]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

IEEE Electron Device Letters, Vol. 32, No. 6, June 2011, Seiten 779 bis 781 [0010]

Claims

Verfahren zur elektrischen Kontaktierung einer Solarzelle, umfassend die folgenden Schritte, insbesondere in dieser Reihenfolge: a) Bereitstellen mindestens eines Halbleiterwafers mit einer Frontseite und mit einer Rückseite; b) Aufbringen mindestens einer Saatschichtstruktur für eine elektrische Kontaktierung auf der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers; c) Feuern des Halbleiterwafers zum Einbrennen der mindestens einen Saatschichtstruktur; d) Bereitstellen mindestens einer Ätzlösung; e) Einbringen der Frontseite und/oder der Rückseite des mindestens einen Halbleiterwafers erhalten gemäß Schritt c) in die mindestens eine Ätzlösung gemäß Schritt d); f) Durchführen mindestens eines Elektroätzens and der Frontseite und/oder der Rückseite im Bereich der Saatschichtstruktur erhalten gemäß c); und anschließendes g) galvanisches oder nicht-galvanisches Abscheiden von Metall auf die Frontseite und/oder die Rückseite, insbesondere im Bereich der geätzten Saatschichtstruktur, zur Erzeugung einer elektrischen Kontaktierung.
Verfahren Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung eine wässrige Lösung darstellt, enthaltend Fluorwasserstoff, Tetramethylammoniumhydroxid und/oder Kaliumhydroxid, vorzugsweise in einer Konzentration im Bereich von 0,01 bis 0,5 Gew.-%, insbesondere im Bereich von 0,01 bis 0,25 Gew.-%, der Ätzlösung.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend Auswählen des mindestens einen Halbleiterwafers aus der Gruppe bestehend aus – einem p-Typ Halbleiterwafer mit einer p-Typ Basis und mit einem n-dotierten Frontseiten-Emittter, insbesondere mit mehr als 70 Ohm/sq, bevorzugt mehr als 90 Ohm/sq, besonders bevorzugt mehr als 110 Ohm/sq, – einem n-Typ Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis, einem n-Typ Frontseitenabschnitt zur Frontseiten-Kontaktierung der n-Typ Basis und einem p-Typ Emitter, – einem n-Typ Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis und einem p-dotiertem Frontseitenemitter, insbesondere mit mehr als 40 Ohm/sq, und – einem n-Typ Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis und einer p-dotierten Emitterstruktur zur Rückseitenkontaktierung oder einem p-Typ Halbleiterwafer mit einer p-Typ Basis und einer n-dotierten Emitterstruktur zur Rückseitenkontaktierung.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend Bereitstellen mindestens einer Anode in Form eines inerten Metallgitters, insbesondere bestehend aus oder umfassend Silber, Titan und/oder Platin, für das Elektroätzen gemäß Schritt f).
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend Anordnen der mindestens einen Anode zur Durchführung eines lokalen Elektroätzens mindestens bereichsweise um mindestens einen Abschnitt der Saatschichstruktur des mindestens einen Halbleiterwafers.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend Auswählen des galvanisches oder nicht-galvanisches abzuscheidenden Metalls aus der Gruppe von Metallen bestehend aus Silber, Gold, Kupfer, Titan, Palladium und Nickel und/oder Bereitstellen einer Menge des galvanisch oder nicht-galvanisch abzuscheidenden Metalls von weniger als 1 g, insbesondere weniger als 10mg.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung ferner Silberionen enthält, vorzugsweise in einer Konzentration von weniger als 0,01 Gew.-%, insbesondere von weniger als 0,03 Gew.-%.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Elektroätzens mit einem Strom von weniger als 0,5 A, insbesondere von weniger als 0,1 A durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Abschnitt der mindestens einen Saatschicht vermittels mindestens einer metallhaltigen Tinte und/oder Paste unter Erhalt der Saatschichtstruktur, insbesondere durch Inkjet-Drucken, Aerosol-Drucken, Lasertransfer-Verfahren, Tampon-Offset-Verfahren und/oder Lasertransferverfahren, gebildet wird und/oder dass die mindestens eine Paste und/oder Tinte für das Aufbringen mindestens eines Abschnitts der mindestens einen Saatschicht zur Ausbildung der Saatschichtstruktur eine Glasfritte umfasst, wobei die Glasfritte insbesondere einen Gehalt an Partikeln elementaren Metalls von weniger als 5 Gew.-%, insbesondere von weniger als 1 Gew.-%, insbesondere von weniger als 0,5 Gew.-% umfasst.
Solarzelle, hergestellt nach einem Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche.