DE102011056039A1

DE102011056039A1 - Solarzelle mit einer mehrstufigen Dotierung sowie Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102011056039A1
Application number: DE102011056039A
Authority: DE
Inventors: Ainhoa Esturo-Breton; Tobias Friess; Tino Kühn; Johannes Maier; Martin Breselge; Steffen Keller; Radovan Kopecek; Kristian Peter
Original assignee: Centrotherm Photovoltaics AG
Current assignee: Centrotherm Photovoltaics AG
Priority date: 2011-12-05
Filing date: 2011-12-05
Publication date: 2013-06-06
Also published as: WO2013084050A3; WO2013084050A2

Abstract

Solarzelle (50; 70) mit einer aus einem Dotierstoff ersten Typs gebildeten mehrstufigen Dotierung (52a, 52b, 52c, 54; 72a, 72b, 72c) welche stärker dotierte Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) und schwächer dotierte Bereiche (54) aufweist sowie wenigstens einem in den stärker dotierten Bereichen (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) angeordneten Kontakt (56) zur elektrischen Kontaktierung der stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c), wobei die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) derart angeordnet sind, sodass sie eine vorgegebene Struktur ausbilden und der wenigstens eine Kontakt (56) sich zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) hinaus erstreckt und einen Teil der schwächer dotierten Bereiche (54) bedeckt, sowie Verfahren zu deren Herstellung.

Description

Die Erfindung betrifft eine Solarzelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zu deren Herstellung gemäß dem Oberbegriff des unabhängigen Verfahrensanspruchs.
Wirkungsgrade gefertigter Solarzellen können bekanntermaßen durch den Einsatz mehrstufiger Dotierungen, insbesondere von zweistufigen Dotierungen, verbessert werden. In diesem Zusammenhang haben sich insbesondere zweistufige Emitterdotierungen, sogenannte selektive Emitter, bewährt. Diesen zweistufigen Emitterdotierungen liegt der Gedanke zugrunde, unterhalb von Emitterkontakten der Solarzelle stärker dotierte Bereiche mit einer starken und tiefen Dotierung vorzusehen, wohingegen in übrigen Bereichen der Emitterdotierung lediglich eine schwache und vergleichsweise flache Dotierung vorgesehen ist. Auf diese Weise kann in den stärker dotierten Bereichen ein guter elektrischer Kontakt mit hinreichend geringem elektrischen Widerstand zwischen den stärker dotierten Emitterbereichen der Solarzelle und dem darüber angeordneten Kontakt gewährleistet werden. Zugleich kann in den übrigen Bereichen der Emitterdotierung aufgrund der dort vorherrschenden schwächeren Dotierung eine verringerte Rekombination generierter Ladungsträger realisiert werden. Beides wirkt sich positiv auf den Wirkungsgrad der gefertigten Solarzelle aus. Zudem sind Defekte in schwächer dotierten Emitterbereichen besser passivierbar, was ebenfalls vorteilhafte Auswirkungen auf den Wirkungsgrad hat.
Die Fertigung von Solarzellen mit einer mehrstufigen Dotierung, insbesondere selektiven Emittern, ist aufwändig. Eine aufwandsgünstige Alternative ist in der deutschen Patentanmeldung 10 2009 021 971 A1 beschrieben. Diese lehrt, ein Solarzellensubstrat vor der Eindiffusion von Dotierstoff mit einer Oberflächentextur zu versehen und auf dieser Oberflächentextur eine Zwischenschicht aufzubringen, welche aufgrund der Oberflächentextur lokal mechanische Verspannungen aufweist. Die Oberflächentextur wird mittels einer flächigen, nasschemischen Texturätzung ausgebildet. Die erwähnten mechanischen Spannungen in der nachfolgend auf zumindest eine Seite des Solarzellensubstrats flächig aufgebrachten Zwischenschicht sind somit statistisch gleichmäßig über zumindest eine großflächige Seitenfläche des Solarzellensubstrats verteilt. Die erwähnten mechanischen Verspannungen bewirken bei einer nachfolgenden Eindiffusion von Dotierstoff lokal eine verstärkte oder verringerte Dotierstoffeindiffusion. Es ergeben sich somit gegenüber einer Dotierung mittlerer Stärke stärker dotierte Bereiche wie auch schwächer dotierte Bereiche. Die stärker dotierten Bereiche wie auch die schwächer dotierten Bereiche der quasi dreistufigen Dotierung sind entsprechend der Oberflächentextur ebenfalls statistisch gleichmäßig über die Oberfläche einer großen Seitenfläche des Solarzellensubstrats verteilt. Werden nun im Weiteren Kontakte aufgebracht, so kommen diese zum Teil auf stärker dotierten Bereichen zu liegen, was in ähnlicher Weise wie bei selektiven Emittern eine Verbesserung des Kontaktwiderstands bewirkt. Um im Hinblick auf die Stromgeneration möglichst wenig aktive Solarzellenoberfläche durch die Kontakte abzuschatten, ist man bemüht, deren Oberflächenanteil so klein wie möglich zu halten. Da die stärker dotierten Bereiche, wie oben dargelegt wurde, jedoch statistisch gleichmäßig über die gesamte Seitenfläche verteilt sind, liegen in erheblichem Umfang abseits der Kontakte stärker dotierte Bereiche vor, welche dort eine erhöhte Rekombinationswahrscheinlichkeit für generierte Ladungsträgerpaare bewirken. Zudem können die Dotierstoffkonzentrationen in den stärker dotierten Bereichen und in den schwächer dotierten Bereichen nur in beschränktem Umfang von der mittleren Dotierungsstärke abweichen. Mit der bekannten Lehre lassen sich somit aufwandsgünstig Verbesserungen gegenüber Solarzellen mit einem konventionellen Emitter einheitlicher Dotierungsstärke erzielen. Diese bleiben jedoch hinter den Verbesserungen zurück, welche sich mit aufwändigeren selektiven Emitterprozessen realisieren lassen.
Solarzellen mit einem selektiven Emitter weisen üblicherweise stärker dotierte Bereiche und schwächer dotierte Bereiche auf. Ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit einem selektiven Emitter ist beispielsweise in der deutschen Patentanmeldung 10 2008 056 456 A1 beschrieben. In den schwächer dotierten Bereichen liegen üblicherweise Schichtwiderstände mit Werten von 100 Ω/sq oder darüber vor. Aufgrund dieser schwachen Dotierung wird die Rekombinationswahrscheinlichkeit für generierte Ladungsträger erheblich verringert. Bislang wurde davon ausgegangen, dass Metalle, die auf derart schwach dotierte Bereiche gelangen, im Rahmen von zur Ausbildung von Siebdruckkontakten erforderlichen Feuerprozessen durch diese schwach dotierten Bereiche hindurch gefeuert werden und in dieser Weise lokale Kurzschlüsse ausgebildet werden. Da derartige lokale Kurzschlüsse einen Wirkungsgrad der gefertigten Solarzelle erheblich verringern, wird idealerweise sichergestellt, dass kein Metall auf schwächer dotierte Bereiche gelangt. Zudem wurde bislang davon ausgegangen, dass es bei einer Kontaktierung von schwächer dotierten Bereichen zu einer Vergrößerung des bei Beschaltung der Solarzelle in Sperrrichtung und Beaufschlagung mit einer Spannung von –13 V fließenden Stromes kommt, welcher häufig als I_rev2 bezeichnet wird. Aus diesen Gründen ist es üblich, stärker dotierte Bereiche des Emitters, auf welchen Kontakte angeordnet werden, in der Fläche größer zu dimensionieren als die später auf ihnen angeordneten Kontakte. Dies trägt dem Umstand Rechnung, dass bei einem Aufdrucken von metallhaltigen Pasten in der industriellen Fertigung es zu Ausrichtungsungenauigkeiten der aufgedruckten Paste relativ zu den stärker dotierten Bereichen kommt. Üblicherweise werden daher auf den stärker dotierten Bereichen anzuordnende Finger des Emitterkontakts wesentlich schmaler als der darunter liegende stärker dotierte Bereich ausgeführt. Üblicherweise sind diese stärker dotierten Bereiche zwei bis vier Mal so breit wie der darauf angeordnete Finger des Emitterkontakts.
Infolgedessen befinden sich bei Solarzellen mit selektivem Emitter gemäß dem Stand der Technik um den Emitterkontakt, beziehungsweise die Emitterkontakte, herum stets stärker dotierte Bereiche des Emitters, welche nicht von dem Emitterkontakt bedeckt sind. In diesen nicht von dem Emitterkontakt bedeckten Bereichen liegt eine schlechtere Quantenausbeute vor, es besteht eine erhöhte Rekombinationswahrscheinlichkeit für generierte Ladungsträger und dort vorherrschende Oberflächenzustände sind zudem schlechter passivierbar. Infolgedessen kann das Potential des selektiven Emitters oder anderer mehrstufiger Dotierungen nicht vollständig genutzt werden.
Vor diesem Hintergrund liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Solarzelle mit einer mehrstufigen Dotierung und verbessertem Wirkungsgrad zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Solarzelle mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Ferner liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung solch einer Solarzelle zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des unabhängigen Verfahrensanspruchs.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand abhängiger Unteransprüche.
Eine erfindungsgemäße Solarzelle besitzt eine aus einem Dotierstoff ersten Typs gebildete mehrstufige Dotierung, welche stärker dotierte Bereiche und schwächer dotierte Bereiche aufweist. Zur elektrischen Kontaktierung der stärker dotierten Bereiche ist in diesen wenigstens ein Kontakt angeordnet. Die stärker dotierten Bereiche sind derart angeordnet, dass sie eine vorgegebene Struktur ausbilden. Der wenigstens eine Kontakt erstreckt sich zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche hinaus und bedeckt einen Teil der schwächer dotierten Bereiche.
Die Erfinder haben erkannt, dass sich bei einer Solarzelle mit einer mehrstufigen Dotierung, insbesondere einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter, eine Kontaktierung der schwächer dotierten Bereiche überraschenderweise entgegen der bisher vorherrschenden Meinung nicht negativ auf den Wirkungsgrad der Solarzelle auswirkt. Der Grundgedanke der Erfindung besteht daher darin, dass der wenigstens eine Kontakt sich zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche hinaus erstreckt und einen Teil der schwächer dotierten Bereiche bedeckt. Auf diese Weise können nicht von dem wenigstens einen Kontakt bedeckte stärker dotierte Bereiche vermieden und damit der Wirkungsgrad der Solarzelle verbessert werden.
Dass die stärker dotierten Bereiche derart angeordnet sind, dass sie eine vorgegebene Struktur ausbilden, ist vorliegend dahingehend zu verstehen, dass die stärker dotierten Bereiche nicht willkürlich über die Oberfläche der Solarzelle, insbesondere nicht statistisch über eine oder mehrere Seiten der Solarzelle, verteilt sind, wie dies beispielsweise bei Erhöhungen und Vertiefungen der Fall ist, die bei einer nasschemischen Texturierung der Solarzellenoberfläche ausgebildet werden. Stattdessen bilden die stärker dotierten Bereiche eine definierte, vorgegebene Struktur aus. Diese ist auf den jeweiligen Anwendungsfall abzustimmen.
Unter schwächer dotierten Bereichen der mehrstufigen Dotierung werden vorliegend Bereiche verstanden, in welchen ein Schichtwiderstand von über 80 Ω/sq und bis zu 200 Ω/sq vorliegt, vorzugsweise ein Schichtwiderstandswert im Bereich von 100 Ω/sq bis 160 Ω/sq. Unter stark dotierten Bereichen werden vorliegend solche Bereiche verstanden, in welchen Schichtwiderstandswerte von weniger als 60 Ω/sq vorliegen. Sofern nicht ausdrücklich von getrennt angeordneten Bereichen die Rede ist, werden als stärker oder schwächer dotierte Bereiche im vorliegenden Sinn auch Teilbereiche eines zusammenhängenden Gebiets stärkerer oder schwächerer Dotierung verstanden. Liegt ein flächig ausgedehnter stärker beziehungsweise schwächer dotierter Bereich vor, so liegen somit stets mehrere stärker beziehungsweise schwächer dotierte Bereiche vor.
Vorzugsweise nehmen die stärker dotierten Bereiche zusammen eine Fläche ein, welche mehrheitlich von dem wenigstens einen Kontakt bedeckt ist. Dies ermöglicht Solarzellen mit hohen Wirkungsgraden.
Vorteilhafterweise bedeckt der wenigstens eine Kontakt einen größeren Anteil einer Oberfläche eines Solarzellensubstrats der Solarzelle als die stärker dotierten Bereiche. Der Begriff des Bedeckens schließt hierbei sowohl eine mittelbare wie eine unmittelbare Bedeckung der Oberfläche des Solarzellensubstrats der Solarzelle ein.
Vorzugsweise bedeckt der wenigstens eine Kontakt die stärker dotierten Bereiche vollständig. Dies ermöglicht es, das Wirkungsgradpotential von Solarzellen mit mehrstufigen Dotierungen auszuschöpfen und Solarzellen mit höchsten Wirkungsgraden herzustellen.
Bei einer Ausführungsvariante der Erfindung sind die stärker dotierten Bereiche zumindest teilweise getrennt voneinander angeordnet. Weiterhin sind mehrere getrennt voneinander angeordnete stärker dotierte Bereiche elektrisch leitend mittels eines Kontakts miteinander verbunden, welcher sich zu diesem Zweck über die mehreren getrennt voneinander angeordneten stärker dotierten Bereiche und über zwischen diesen liegende schwächer dotierte Bereiche hinweg erstreckt. Der Kontakt erstreckt sich also sowohl über die mehreren getrennt voneinander angeordneten stärker dotierten Bereiche wie auch über solche schwächer dotierten Bereiche, die zwischen diesen mehreren getrennt voneinander angeordneten stärker dotierten Bereichen liegen. Der genannte eine Kontakt ist dabei der wenigstens eine Kontakt oder, sofern der wenigstens eine Kontakt aus mehreren Kontakten besteht, ein Kontakt dieser mehreren Kontakte. Insbesondere kann es sich um einen Emitterkontakt handeln. Diese Ausführungsvariante kann insbesondere bei solchen Solarzellen vorteilhaft sein, bei welchen die stärker dotierten Bereiche unter Verwendung eines Lasers ausgebildet werden. Schädigungen eines Solarzellensubstrats der Solarzelle infolge der Einstrahlung von Laserstrahlung können in diesem Fall minimiert werden.
Vorteilhafterweise sind die getrennt voneinander angeordneten Bereiche stärkerer Dotierung jeweils durch einen Punkt stärkerer Dotierung gebildet. Im Fall der oben beschriebenen Ausbildung der stärker dotierten Bereiche mittels Laserstrahlung können diese Punkte durch punktuelle Einstrahlung von Laserstrahlung realisiert werden. In der Praxis haben sich Punkte stärkerer Dotierung mit einem Durchmesser im Bereich von 5 µm bis 40 µm besonders bewährt. Die Punkte stärkerer Dotierung weisen nicht notwendigerweise eine kreisförmige Umrandungslinie auf. Grundsätzlich kann die Umrandungslinie beliebig gestaltet sein. Der Begriff der Punkte stärkerer Dotierung ist dementsprechend nicht dahingehend auszulegen, dass diese Punkte stärkerer Dotierung notwendigerweise die Gestalt einer Kreisfläche aufweisen.
Bei einer anderen Ausführungsvariante sind die stärker dotierten Bereiche zumindest zum Teil als Streifen stärkerer Dotierung ausgeführt. Der wenigstens eine Kontakt weist zudem Finger, häufiger als Kontaktfinger bezeichnet, auf, welche jeweils einen Streifen stärkerer Dotierung im Wesentlichen vollständig bedecken. Die Finger erstrecken sich dabei zumindest stellenweise über den jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung hinaus und bedecken einen Teil der schwächer dotierten Bereiche. Auf diese Weise können sehr geringe Kontaktwiderstände zwischen dem wenigstens einen Kontakt und der mehrstufigen Dotierung, insbesondere den stärker dotierten Bereichen der mehrstufigen Dotierung, realisiert werden. Dass die Finger jeweils einen Streifen stärkerer Dotierung im Wesentlichen vollständig bedecken, ist dabei dahingehend zu verstehen, dass der jeweilige Streifen allenfalls in solch einem Umfang nicht von dem zugehörigen Finger bedeckt wird, dass die Eigenschaften der Solarzelle, insbesondere ihr Wirkungsgrad, nicht in relevantem Umfang beeinträchtigt werden. Idealerweise und besonders bevorzugt, bedecken die Finger des wenigstens einen Kontaktes jeweils einen Streifen stärkerer Dotierung jedoch vollständig.
Vorteilhafterweise sind die Finger des wenigstens einen Kontaktes, welche die jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung im Wesentlichen bedecken, breiter als die jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung. Vorzugsweise sind sie mindestens 1,5 mal so breit. Die Finger stehen somit über die jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung über. Dies ermöglicht es, trotz Ausrichtungsungenauigkeiten im Fertigungsprozess sicherzustellen, dass die jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung stets vollständig von dem zugehörigen Finger bedeckt sind. In der Praxis hat es sich bewährt, die Streifen stärkerer Dotierung in einer Breite von 90 µm und die Finger in einer Breite von 140 µm auszuführen.
Bevorzugt weist der wenigstens eine Kontakt mindestens eine Sammelleitung auf, welche überwiegend, vorzugsweise vollständig, in schwächer dotierten Bereichen angeordnet ist. Dies ermöglicht weitere Wirkungsgradverbesserungen. Sammelleitungen werden häufig als busbars bezeichnet.
Bevorzugt ist die mehrstufige Dotierung als Emitterdotierung ausgeführt. Dies ermöglicht die Fertigung von Solarzellen mit einem selektiven Emitter. Die mehrstufige Dotierung kann jedoch auch anderweitig eingesetzt werden. Beispielsweise ist die mehrstufige Dotierung als mehrstufiges Rückseitenfeld ausgeführt. Rückseitenfelder werden häufig als back surface fields bezeichnet.
Vorteilhafterweise ist der wenigstens eine Kontakt aufgedruckt, beispielsweise mittels eines Siebdruckverfahrens. Dies ermöglicht die Fertigung der erfindungsgemäßen Solarzelle in industriellem Maßstab mit bestehenden Fertigungslinien.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Solarzellen wird durch Eindiffusion von Dotierstoff ersten Typs in ein Solarzellensubstrat eine Dotierung mit stärker dotierten Bereichen und mit schwächer dotierten Bereichen ausgebildet.
Hierbei handelt es sich vorzugsweise um eine Emitterdotierung. Wie oben dargelegt wurde, können jedoch auch andere Dotierungen ausgebildet werden, beispielsweise Dotierungen eines Rückseitenfeldes. Die stärker dotierten Bereiche werden in einer vorgegebenen Struktur angeordnet. Der Begriff der vorgegebenen Struktur ist dabei in der oben dargelegten Weise zu verstehen. Auf die stärker dotierten Bereiche wird wenigstens ein Kontakt zur elektrischen Kontaktierung der stärker dotierten Bereiche aufgebracht. Der wenigstens eine Kontakt wird derart dimensioniert, dass er zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche hinausreicht und Teile der schwächer dotierten Bereiche bedeckt.
Vorzugsweise werden die stärker dotierten Bereiche vollständig mit dem wenigstens einen Kontakt bedeckt. Dies ermöglicht die Fertigung von Solarzellen mit hohen Wirkungsgraden.
Bei einer Variante des Verfahrens werden mehrere stärker dotierte Bereiche getrennt voneinander angeordnet. Auf diese getrennt voneinander angeordnete, stärker dotierte Bereiche sowie auf zwischen diesen liegende schwächer dotierte Bereiche wird nachfolgend ein Kontakt aufgebracht, welcher die getrennt voneinander angeordneten, stärker dotierten Bereiche elektrisch leitend miteinander verbindet. Der genannte eine Kontakt ist dabei der wenigstens eine Kontakt oder, sofern der wenigstens eine Kontakt mehrere Kontakte umfasst, ein Kontakt dieses wenigstens einen Kontakts.
Bei einer anderen Ausführungsvariante werden die stärker dotierten Bereiche zumindest zum Teil in Gestalt von Streifen stärkerer Dotierung ausgebildet. Auf dem Streifen stärkerer Dotierung wird jeweils ein Finger des wenigstens einen Kontakts ausgebildet. Dieser Finger wird zudem breiter ausgeführt als der zugehörige Streifen stärkerer Dotierung.
Vorzugsweise wird der wenigstens eine Kontakt mittels eines Druckverfahrens aufgebracht, besonders bevorzugt durch Siebdrucken einer metallhaltigen Paste. Auf diese Weise kann das erfindungsgemäße Verfahren in einfacher Weise in bestehenden industriellen Fertigungsanlagen genutzt werden. Die genannten Pasten können in an sich bekannter Weise zum Zwecke der Ausbildung Ohm’scher Kontakte gefeuert werden.
Die stärker dotierten Bereiche und die schwächer dotierten Bereiche der mehrstufigen Dotierung können grundsätzlich auf jede an sich bekannte Art und Weise ausgebildet werden. Insbesondere können alle bekannten Verfahren zur Ausbildung eines selektiven Emitters Verwendung finden. Das erfindungsgemäße Verfahren ist in diesem Aspekt auf keine bestimmte Art der Ausbildung der stärker dotierten Bereiche beschränkt, sondern universell einsetzbar. Dementsprechend ist die erfindungsgemäße Solarzelle auf eine Vielzahl von Verfahrensvarianten herstellbar. Beispielsweise kann die mehrstufige Dotierung hergestellt werden, indem zunächst eine flächige Diffusion ausgeführt wird, bei welcher flächig schwächer dotierte Bereiche ausgebildet werden. Nachfolgend werden die schwächer dotierten Bereiche mit Ausnahme stärker zu dotierender Bereiche maskiert und es erfolgt ein zweite Eindiffusion von Dotierstoff in die unmaskierten, stärker zu dotierenden Bereiche. Infolgedessen werden dort die stärker dotierten Bereiche ausgebildet. Alternativ können alle an sich bekannten Laserdiffusionsverfahren Verwendung finden. Bei diesen wird zunächst aus einer Dotierstoffquelle Dotierstoff zum Zwecke des Ausbildens der schwächer dotierten Bereiche in ein Solarzellensubstrat eindiffundiert. Nachfolgend wird aus derselben oder einer anderen Dotierstoffquelle mittels lokaler Erhitzung dieser Dotierstoffquelle unter Verwendung eines Lasers lokal zusätzlicher Dotierstoff in das Solarzellensubstrat eindiffundiert. Dies führt zur lokalen Ausbildung stärker dotierter Bereiche. Eine andere Verfahrensvariante besteht darin, das Solarzellensubstrat mit einer die Eindiffusion von Dotierstoff hemmenden Schicht zu versehen und diese in stärker zu dotierenden Bereichen lokal zu öffnen. Im Weiteren wird Dotierstoff einerseits durch die diffusionshemmende Schicht hindurch diffundiert, sodass unterhalb der diffusionshemmenden Schicht schwächer dotierte Bereiche ausgebildet werden. Gleichzeitig gelangt Dotierstoff in stärker zu dotierenden Bereichen durch die lokalen Öffnungen ungehindert in das Solarzellensubstrat hinein und bildet dort stärker dotierte Bereiche aus.
Wie bereits dargelegt wurde, ist weder die erfindungsgemäße Solarzelle noch das erfindungsgemäße Verfahren zu deren Herstellung auf die vorstehend beschriebenen Varianten des Ausbildens einer mehrstufigen Dotierung beschränkt. Vielmehr ist die Erfindung mit jeder an sich bekannten Variante zur Ausbildung mehrstufiger Dotierungen kombinierbar. In Abhängigkeit von der Art des Ausbildens der mehrstufigen Dotierung kann die Erfindung weitere Vorteile mit sich bringen. Wird beispielsweise im Rahmen der Ausbildung der mehrstufigen Dotierung eine auf einem Solarzellensubstrat angeordnete Schicht, insbesondere eine diffusionshemmende Schicht, lokal mittels Laserstrahlen geöffnet, so kommt es in vielen Fällen zu einer Beschädigung der Oberfläche des Solarzellensubstrats in den bestrahlten Bereichen. Diese würde sich im Weiteren negativ auf den Wirkungsgrad der fertigen Solarzelle auswirken. Deswegen werden diese Schäden weitgehend durch Überätzen der stärker dotierten Bereiche, beziehungsweise stärker zu dotierenden Bereiche, entfernt. Ist das Solarzellensubstrat allerdings, wie bei der Fertigung hocheffizienter Solarzellen üblich, mit einer Oberflächentextur versehen, so wird diese bei dem beschriebenen Überätzen angegriffen und abgeflacht. Dies führt zu einer erhöhten Reflexion einfallenden Lichts an der Solarzellenoberfläche und somit zu einer Verschlechterung des Solarzellenwirkungsgrades. Bei der erfindungsgemäßen Solarzelle wie auch dem erfindungsgemäßen Verfahren kann dies vermieden werden, da die stärker dotierten Bereiche nahezu vollständig, idealerweise vollständig, von dem wenigstens einen Kontakt bedeckt sind. Zusätzlich zu der Reflexion an dem wenigstens einen Kontakt existieren somit keine weiteren Gebiete erhöhter Reflexion, sodass höhere Wirkungsgrade realisiert werden können.
Das oben beschriebene Überätzen der stärker dotierten Bereiche zum Zwecke der Entfernung der Laserschäden gemäß dem Stand der Technik resultiert teilweise in mehreren mikrometertiefen Vertiefungen in der Oberfläche des Solarzellensubstrats. Diese Vertiefungen wirken sich beim Aufdrucken metallhaltiger Pasten zum Zwecke der Ausbildung der Kontakte negativ aus. So kann es dazu kommen, dass aufgedruckte metallhaltige Pasten sich in diesen Vertiefungen in unbeabsichtigter Weise verbreitern, was häufig als Ausschmieren der Kontakte, insbesondere der Finger der Kontakte, bezeichnet wird. Dies kann zu Verschlechterungen im Wirkungsgrad gefertigter Solarzellen führen. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es hingegen, die Finger des wenigstens einen Kontaktes breiter auszuführen als die Streifen stärkerer Dotierung, wodurch die Problematik des Ausschmierens aufgedruckter metallhaltiger Pasten vermieden werden kann. Demzufolge können Kontakte mit reproduzierbareren und stabileren Verfahrensschritten ausgebildet werden. Dies wirkt sich positiv auf den Wirkungsgrad der fertigen Solarzellen aus.
Besonders bevorzugt wird die Solarzelle als Siliziumsolarzelle ausgeführt. Dementsprechend wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren besonders bevorzugt der Dotierstoff ersten Typs in ein Siliziumsolarzellensubstrat eindiffundiert.
Im Weiteren wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Soweit zweckdienlich, sind hierin gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Erfindung ist nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt – auch nicht in Bezug auf funktionale Merkmale. Die bisherige Beschreibung wie auch die nachfolgende Figurenbeschreibung enthalten zahlreiche Merkmale, die in den abhängigen Unteransprüchen teilweise zu mehreren zusammengefasst wiedergegeben sind. Diese Merkmale wie auch alle übrigen oben und in der nachfolgenden Figurenbeschreibung offenbarten Merkmale wird der Fachmann jedoch auch einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfügen. Insbesondere sind diese Merkmale jeweils einzeln und in beliebiger geeigneter Kombination mit dem Verfahren und/oder Solarzelle der unabhängigen Ansprüche kombinierbar. Es zeigen:
1 Schematische Darstellung einer Aufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Solarzelle
2 Aufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Solarzelle in schematischer Darstellung
3 Schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens
1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Aufsicht auf eine Emitterseite einer Solarzelle 50. Diese Emitterseite weist eine mehrstufige Dotierung, vorliegend eine Emitterdotierung, auf, welche aus stärker dotierten Bereichen 52a, 52b, 52c und einem schwächer dotierten Emitterbereich 54 gebildet ist. Der schwächer dotierte Emitterbereich 54 erstreckt sich über die gesamte Emitterseite der Solarzelle 50 und wird lediglich durch Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung unterbrochen, welche die stärker dotierten Bereiche der mehrstufigen Dotierung darstellen.
Wie in 1 erkennbar ist, sind die stärker dotierten Bereiche, das heißt die Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung, in einer vorgegebenen Struktur angeordnet. Die Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung verlaufen im dargestellten Ausführungsbeispiel parallel, sind gleichdimensioniert und voneinander beabstandet angeordnet. In dieser Weise bilden sie eine vorgegebene Struktur aus und sind insbesondere nicht statistisch über eine Oberfläche 60 der Solarzelle verteilt.
Die Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung sind von einem Emitterkontakt 56 vollständig bedeckt. Aus diesem Grund sind die Streifen 52a, 52b, 52c in der 1 gestrichelt wiedergegeben. Wie 1 entnommen werden kann, erstreckt sich der Emitterkontakt über die Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung hinaus und bedeckt einen Teil des schwächer dotierten Emitterbereichs 54. Insbesondere ist eine vertikal verlaufende Sammelleitung 56d des Emitterkontakts 56 vollständig in den schwächer dotierten Bereich 54 angeordnet. Der Emitterkontakt 56 weist ferner Finger 56a, 56b, 56c auf, welche jeweils einen Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung vollständig bedecken. Die Finger 56a, 56b, 56c erstrecken sich dabei über den jeweiligen Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung hinaus und bedecken einen Teil des schwächer dotierten Emitterbereichs 54. Wie einleitend dargelegt wurde, kann das zusammenhängende Gebiet des schwächer dotierten Emitterbereichs 54 mit seinen Teilbereichen als schwächer dotierte Emitterbereiche 54, beziehungsweise als schwächer dotierte Bereiche aufgefasst werden.
Im Ausführungsbeispiel der 1 sind die Finger 56a, 56b, 56c mehr als 1,5 mal so breit ausgeführt als die jeweiligen Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung. In der Praxis haben sich Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung mit einer Breite von 90 µm und Finger 56a, 56b, 56c mit einer Breite von 140 µm bewährt.
2 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Solarzelle. Die dargestellte Solarzelle 70 unterscheidet sich dabei von der aus 1 dadurch, dass anstelle der Streifen 52a, 52b, 52c stärkerer Dotierung Punkte 72a, 72b, 72c stärkerer Dotierung vorgesehen sind. Diese werden vollständig von den Fingern 56a, 56b, 56c des Emitterkontaktes 56 bedeckt und sind daher gestrichelt dargestellt. Des Weiteren bilden sie die stärker dotierten Bereiche der mehrstufigen Dotierung aus. Die Punkte 72a, 72b, 72c sind derart angeordnet, dass sie eine vorgegebene Struktur ausbilden, nämlich gleichsam parallele, horizontal verlaufende Linien. Selbst wenn die einzelnen Punkte 72a, 72b, 72c innerhalb der jeweiligen Linie statistisch verteilt wären, ergäbe sich in der Gesamtheit aufgrund der Anordnung der resultierenden Linien eine vorgegebene Struktur. Eine statistische Verteilung der Punkte 72a, 72b, 72c stärkerer Dotierung läge somit selbst in solch einem Fall nicht vor.
In der Darstellung der 2 sind die Punkte 72a, 72b, 72c stärkerer Dotierung als Kreisflächen dargestellt. Grundsätzlich können die Punkte stärkerer Dotierung jedoch auch eine andere geometrische Gestalt, insbesondere von der Kreisform abweichende Umrandungslinien, aufweisen.
Die Punkte 72a, 72b, 72c stärkerer Dotierung sind getrennt voneinander angeordnet. Dabei sind die Punkte 72a stärkerer Dotierung mittels des Fingers 56a des Emitterkontaktes 56 elektrisch leitend miteinander verbunden. Zu diesem Zweck erstreckt sich der Finger 56a über die Punkte 72a stärkerer Dotierung und über zwischen diesen Punkten stärkerer Dotierung liegende schwächer dotierte Emitterbereiche 74 hinweg. In ähnlicher Weise erstreckt sich der Finger 56b über die Punkte 72b stärkerer Dotierung und zwischen diesen liegende Emitterbereiche hinweg. Weiterhin erstreckt sich in ähnlicher Weise der Finger 56c über die Punkte 72c stärkerer Dotierung und zwischen diesen liegende schwächer dotierte Emitterbereiche hinweg.
Vorzugsweise weisen die Punkte 72a, 72b, 72c stärkerer Dotierung einen Durchmesser im Bereich von 5 µm bis 40 µm auf.
In den Ausführungsbeispielen der 1 und 2 bedeckt der Emitterkontakt 56 Teile der schwächer dotierten Emitterbereiche 54. Überraschenderweise wird hierdurch der Wirkungsgrad der Solarzelle jedoch nicht beeinträchtigt. In beiden Ausführungsbeispielen ist die mehrstufige Dotierung als Emitterdotierung 52a, 52b, 52c, 54; 72a, 72b, 72c, 54 ausgeführt. Die mehrstufige Dotierung kann jedoch auch eine andere Funktion übernehmen. Beispielsweise könnte die mehrstufige Dotierung als mehrstufiges Rückseitenfeld ausgeführt sein. In diesen Fällen könnten die Darstellungen der 1 und 2 grundsätzlich als Unteransichten auf entsprechende Solarzellen angesehen werden, welche die mehrstufigen Rückseitenfelder zeigen. Allerdings würden in diesen Fällen die stärker dotierten Bereiche in der Regel anders angeordnet werden, sodass sie eine andere Struktur ausbilden, welche auf die Erfordernisse eines Rückkontaktes abgestimmt ist.
Da in den Ausführungsbeispielen der 1 und 2 die stärker dotierten Bereiche 52a, 52b, 52c, 72a, 72b, 72c jeweils vollständig von dem Emitterkontakt 56 bedeckt sind, liegt selbst in denjenigen Fällen, in welchen in den stärker dotierten Bereichen 52a, 52b, 52c, 72a, 72b, 72c ein Laserschaden geätzt wurde, keine erhöhte Reflexion vor. Die Reflexion wird im Wesentlichen durch eine für den jeweiligen Anwendungsfall optimierte und minimierte Oberfläche des Emitterkontaktes 56 bestimmt. Aus diesem Grund ergeben sich bei den Solarzellen 50, 70 gemäß der Erfindung verbesserte Wirkungsgrade.
3 zeigt in schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens. Unter anderem können beispielsweise die Solarzellen 50, 70 der 1 und 2 mit diesem Verfahren hergestellt werden. Das Verfahren gemäß 3 geht von einem Solarzellensubstrat aus, welches von einem Siliziumblock abgetrennt wurde und somit einen Sägeschaden aufweist. Dieser wird zunächst durch Ätzen entfernt 10. Hieran schließt sich ein nasschemisches Texturätzen 12 an, bei welchem an der Oberfläche des Solarzellensubstrats eine Textur ausgebildet wird. Im Weiteren erfolgt eine thermische Oxidation 14 der Oberfläche des Solarzellensubstrats. In den Ausführungsbeispielen der 1 bis 3 ist ein Siliziumsolarzellensubstrat vorgesehen. Dementsprechend handelt es sich bei den Solarzellen 50, 70 aus den 1 und 2 um Siliziumsolarzellen. Während der thermischen Oxidation 14 der Oberfläche des Solarzellensubstrats wird somit eine Siliziumoberfläche oxidiert und eine Siliziumoxidschicht ausgebildet. Diese wird nachfolgend teilweise kurz als Oxidschicht bezeichnet.
Im weiteren Verfahrensverlauf erfolgt das Laser-Öffnen 16 der Oxidschicht in stärker zu dotierenden Bereichen. Hierbei wird mittels Laserstrahlung die Oxidschicht lokal in den stärker zu dotierenden Bereichen entfernt. Dabei entstehende Schäden der Kristallstruktur des Siliziumsolarzellensubstrats werden nachfolgend in einem KOH-Ätzschritt 18 entfernt, während welchem das Solarzellensubstrat mittels einer wässrigen Kaliumhydroxidlösung in den stärker zu dotierenden Bereichen überätzt wird.
Im Weiteren schließt sich ein Ätzen 20 der Solarzellensubstrate in einer salzsäurehaltigen Lösung zu Reinigungszwecken an. Es folgt ein Spülen 22 der Solarzellensubstrate in deionisiertem Wasser. Um das Wasser zu entfernen, werden die Solarzellensubstrate im Weiteren geschleudert 24 und getrocknet 26.
Es folgt eine Phosphor-Diffusion 28, bei welcher Phosphor als Dotierstoff ersten Typs in das Solarzellensubstrat in an sich bekannter Weise eindiffundiert wird. Dabei wird Phosphor durch die Oxidschicht hindurch in von der Oxidschicht bedeckte Bereiche der Siliziumsolarzellensubstrate eindiffundiert. Der Eindiffusionsvorgang wird dabei durch die Oxidschicht behindert. Infolgedessen kommt es in von der Oxidschicht bedeckten Bereichen nur zur Ausbildung von schwächer dotierten Bereichen, beziehungsweise schwächer dotierten Emitterbereichen. In den stärker zu dotierenden Bereichen kann der Phosphor hingegen ungehindert durch die gebildeten Öffnungen durch das Solarzellensubstrat eindiffundieren, sodass stärker dotierte Bereiche, beziehungsweise stärker dotierte Emitterbereiche, ausgebildet werden. Es wird somit eine Dotierung mit stärker dotierten Bereichen und schwächer dotierten Bereichen ausgebildet.
Bei dem Laser-Öffnen 16 der Oxidschicht werden die Öffnungen in einer vorgegebenen Struktur angeordnet, welche die Struktur der stärker dotierten Bereiche bestimmen. In Verbindung mit der nachfolgenden Phosphor-Diffusion 28 werden somit die stärker dotierten Bereiche in einer vorgegebenen Struktur angeordnet.
Bei dem Ausführungsbeispiel der 3 werden im Weiteren die Oxidschicht sowie das während der Phosphor-Diffusion 28 gebildete Phosphorglas geätzt 30. Im Weiteren wird in an sich bekannter Weise eine Antireflexionsbeschichtung aufgebracht 32, welche häufig kurz als Antireflexbeschichtung bezeichnet wird.
Nachfolgend werden Vorder- und Rückseitenkontakte siebgedruckt und in einem gemeinsamen Feuerschritt kogefeuert 34. Bei diesem Siebdrucken 34 der Vorder- und Rückseitenkontakte werden die auf den stärker dotierten Bereiche anzuordnenden Kontakte derart dimensioniert, dass sie zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche hinausreichen und Teile der schwächer dotierten Bereiche bedecken. Insbesondere können die Kontakte in der in den 1 und 2 dargestellten Gestalt aufgedruckt werden.
Bezugszeichenliste

10: Ätzen des Sägeschadens
12: Nasschemisches Texturätzen
14: Thermische Oxidation des Siliziumoberfläche
16: Laser-Öffnen Oxidschicht in stärker zu dotierenden Bereichen
18: KOH-Ätzen
20: HCl-Ätzen
22: Spülen in deionisiertem Wasser
24: Schleudern
26: Trocknen
28: Phosphor-Diffusion
30: Phosphorglas und Oxidschicht ätzen
32: Antireflexbeschichtung
34: Kontakte siebdrucken und kofeuern
50: Solarzelle
52a: Streifen stärkerer Dotierung
52b: Streifen stärkerer Dotierung
52c: Streifen stärkerer Dotierung
54: Schwächer dotierter Emitterbereich
56: Emitterkontakt
56a: Finger
56b: Finger
56c: Finger
56d: Sammelleitung
60: Oberfläche Solarzelle
70: Solarzelle
72a: Punkt stärkerer Dotierung
72b: Punkt stärkerer Dotierung
72c: Punkt stärkerer Dotierung
74: Schwächer dotierter Emitterbereich

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102009021971 A1 [0003]
DE 102008056456 A1 [0004]

Claims

Solarzelle (50; 70) mit – einer aus einem Dotierstoff ersten Typs gebildeten mehrstufigen Dotierung (52a, 52b, 52c, 54; 72a, 72b, 72c) welche stärker dotierte Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) und schwächer dotierte Bereiche (54) aufweist; – wenigstens einem in den stärker dotierten Bereichen (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) angeordneten Kontakt (56) zur elektrischen Kontaktierung der stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c); – wobei die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) derart angeordnet sind, sodass sie eine vorgegebene Struktur ausbilden; dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Kontakt (56) sich zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) hinaus erstreckt und einen Teil der schwächer dotierten Bereiche (54) bedeckt.
Solarzelle (50; 70) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Kontakt (56) einen größeren Anteil einer Oberfläche (60) eines Solarzellensubstrats der Solarzelle (50; 70) bedeckt als die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c).
Solarzelle (50; 70) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Kontakt (56) die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) vollständig bedeckt.
Solarzelle (70) nach einem der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass – die stärker dotierten Bereiche (72a, 72b, 72c) zumindest teilweise getrennt voneinander angeordnet sind; und – mehrere getrennt voneinander angeordnete stärker dotierte Bereiche (72a, 72b, 72c) elektrisch leitend mittels eines Kontakts (56) miteinander verbunden sind, welcher sich zu diesem Zweck über die mehreren getrennt voneinander angeordneten stärker dotierten Bereiche (72a, 72b, 72c) und über zwischen diesen liegende schwächer dotierte Bereiche (74) hinweg erstreckt.
Solarzelle (70) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die getrennt voneinander angeordneten Bereiche stärkerer Dotierung (72a, 72b, 72c) jeweils durch einen Punkt stärkerer Dotierung (72a, 72b, 72c) gebildet sind, welcher vorzugsweise einen Durchmesser im Bereich von 5 bis 40 µm aufweist.
Solarzelle (50) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass – die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c) zumindest zum Teil als Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c) ausgeführt sind; – der wenigstens eine Kontakt (56) Finger (56a, 56b, 56c) aufweist, welche jeweils einen Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c) im Wesentlichen vollständig bedecken; – wobei die Finger (56a, 56b, 56c) sich zumindest stellenweise über den jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c) hinaus erstrecken und einen Teil der schwächer dotierten Bereiche (54) bedecken.
Solarzelle (50) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Finger (56a, 56b, 56c) des wenigstens einen Kontakts (56), welche die jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c) im Wesentlichen bedecken, breiter sind als die jeweiligen Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c), vorzugsweise mindestens 1,5 mal so breit.
Solarzelle (50; 70) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Kontakt (56) mindestens eine Sammelleitung (56d) aufweist, welche überwiegend, vorzugsweise vollständig, in schwächer dotierten Bereichen (54) angeordnet ist.
Solarzelle (50; 70) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mehrstufige Dotierung als Emitterdotierung (52a, 52b, 52c, 54; 72a, 72b, 72c, 54) ausgeführt ist.
Verfahren zur Herstellung von Solarzellen (50; 70) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei welchem – durch Eindiffusion (28) von Dotierstoff ersten Typs in ein Solarzellensubstrat eine Dotierung mit stärker dotierten Bereichen (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) und mit schwächer dotierten Bereichen (28) ausgebildet wird (16, 28); – die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) in einer vorgegebenen Struktur angeordnet werden (16); – auf die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) wenigstens ein Kontakt (56) zur elektrischen Kontaktierung der stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) aufgebracht wird (34); dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Kontakt (56) derart dimensioniert wird, dass er zumindest abschnittsweise über die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) hinausreicht und Teile der schwächer dotierten Bereiche (54) bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c; 72a, 72b, 72c) vollständig mit dem wenigstens einen Kontakt (56) bedeckt werden (34).
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere stärker dotierte Bereiche (72a, 72b, 72c) getrennt voneinander angeordnet werden (16) und auf diese getrennt voneinander angeordneten, stärker dotierten Bereiche (72a, 72b, 72c) sowie zwischen diesen liegende schwächer dotierte Bereiche (74) ein Kontakt (56) aufgebracht wird (34), welcher die getrennt voneinander angeordneten, stärker dotierten Bereiche (72a, 72b, 72c) elektrisch leitend miteinander verbindet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis dieser 12, dadurch gekennzeichnet, dass – die stärker dotierten Bereiche (52a, 52b, 52c) zumindest zum Teil in Gestalt von Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c) ausgebildet werden (16); und – auf den Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c) jeweils ein Finger (56a, 56b, 56c) des wenigstens einen Kontakts (56) ausgebildet wird (34), welcher breiter ausgeführt wird als der zugehörige Streifen stärkerer Dotierung (52a, 52b, 52c).
Verfahren nach einem der Ansprüche dieser 10 bis dieser 13, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Kontakt (56) mittels eines Druckverfahrens aufgebracht wird (34), vorzugsweise durch Siebdrucken (34) einer metallhaltigen Paste.